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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023109136
(43)【公開日】2023-08-07
(54)【発明の名称】プラズマ処理装置及び異常放電抑制方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20230731BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20230731BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101R
H01L21/302 101G
H05H1/46 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022131484
(22)【出願日】2022-08-22
(31)【優先権主張番号】63/260,700
(32)【優先日】2021-08-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】P 2022013878
(32)【優先日】2022-02-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】谷川 雄洋
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084BB07
2G084BB27
2G084BB30
2G084CC05
2G084CC07
2G084CC08
2G084CC12
2G084CC33
2G084DD02
2G084DD15
2G084DD23
2G084DD37
2G084DD38
2G084DD55
2G084FF15
2G084HH05
2G084HH11
2G084HH20
2G084HH28
2G084HH35
2G084HH54
2G084HH56
5F004AA16
5F004BA09
5F004BB13
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB28
5F004CA02
5F004CA07
5F004DA22
5F004DA24
(57)【要約】
【課題】異常放電の発生を抑制すること。
【解決手段】チャンバは、内部でプラズマ処理が実施される。載置台は、チャンバ内に配置され、基板及び基板の周囲にリングアセンブリが載置される。固定部は、載置台に設けられ、基板及びリングアセンブリの少なくとも一方を載置台に固定する。伝熱ガス供給部は、載置台と基板及びリングアセンブリの少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガス排気部は、載置台と基板及びリングアセンブリの少なくとも一方との間から伝熱ガスを排気する。ＲＦ電源は、記チャンバ内にプラズマ生成用のＲＦ（Radio Frequency）信号を供給する。制御部は、基板及びリングアセンブリの少なくとも一方を載置台に載置した場合、基板に対してプラズマ処理を実施する前に、伝熱ガス供給部から供給する伝熱ガスの圧力を、基板に対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する。
【選択図】図１
【解決手段】チャンバは、内部でプラズマ処理が実施される。載置台は、チャンバ内に配置され、基板及び基板の周囲にリングアセンブリが載置される。固定部は、載置台に設けられ、基板及びリングアセンブリの少なくとも一方を載置台に固定する。伝熱ガス供給部は、載置台と基板及びリングアセンブリの少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガス排気部は、載置台と基板及びリングアセンブリの少なくとも一方との間から伝熱ガスを排気する。ＲＦ電源は、記チャンバ内にプラズマ生成用のＲＦ（Radio Frequency）信号を供給する。制御部は、基板及びリングアセンブリの少なくとも一方を載置台に載置した場合、基板に対してプラズマ処理を実施する前に、伝熱ガス供給部から供給する伝熱ガスの圧力を、基板に対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバと、
チャンバ内に配置され、基板及び基板の周囲にリングアセンブリが載置される載置台と、
前記載置台に設けられ、前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を前記載置台に固定する固定部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間から前記伝熱ガスを排気する伝熱ガス排気部と、
前記チャンバ内にプラズマ生成用のＲＦ（Radio Frequency）信号を供給するＲＦ電源と、
前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を前記載置台に載置した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記伝熱ガス供給部から供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。
チャンバ内に配置され、基板及び基板の周囲にリングアセンブリが載置される載置台と、
前記載置台に設けられ、前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を前記載置台に固定する固定部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間から前記伝熱ガスを排気する伝熱ガス排気部と、
前記チャンバ内にプラズマ生成用のＲＦ（Radio Frequency）信号を供給するＲＦ電源と、
前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を前記載置台に載置した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記伝熱ガス供給部から供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。
【請求項2】
前記制御部は、
（ａ）前記載置台と前記リングアセンブリとの間に伝熱ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記載置台と前記リングアセンブリとの間に供給する伝熱ガスの圧力を、（ａ）よりも下げる工程と、
を実行する請求項１に記載のプラズマ処理装置。
（ａ）前記載置台と前記リングアセンブリとの間に伝熱ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記載置台と前記リングアセンブリとの間に供給する伝熱ガスの圧力を、（ａ）よりも下げる工程と、
を実行する請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
前記制御部は、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記リングアセンブリと前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うように前記伝熱ガス供給部及び前記伝熱ガス排気部を制御する
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
前記制御部は、（ａ）と（ｂ）の工程において、前記ＲＦ電源から、前記基板に対するプラズマ処理時以下かつ、前記基板の温度が２００℃以上となるパワーのＲＦ信号を供給するよう制御する
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記制御部は、（ｂ）の工程において、前記伝熱ガス供給部から前記載置台と前記リングアセンブリとの間に供給する伝熱ガスの圧力を１５Ｔｏｒｒ以下に制御する
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
前記制御部は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うように前記伝熱ガス供給部を制御する
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】
前記固定部は、前記リングアセンブリを静電吸着によって前記載置台に固定する
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】
前記伝熱ガスは、ヘリウムガス又は水素ガスである
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項9】
前記制御部は、前記基板を前記載置台に載置した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記基板と前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うように前記伝熱ガス供給部及び前記伝熱ガス排気部を制御する
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項10】
前記制御部は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うように前記伝熱ガス供給部及び前記伝熱ガス排気部を制御する
請求項９に記載のプラズマ処理装置。
請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項11】
前記固定部は、前記基板を静電吸着によって前記載置台に固定する
請求項９に記載のプラズマ処理装置。
請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項12】
前記制御部は、
（ａ）前記チャンバ内に処理ガスを導入する工程と、
（ｂ）前記ＲＦ電源から前記チャンバ内に、前記基板に対するプラズマ処理時よりも小さいパワーのＲＦ信号を供給する工程と、
（ｃ）前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と、
（ｄ）前記基板と前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行う工程と、
（ｅ）前記チャンバ内に処理ガスと前記プラズマ生成用のＲＦ信号とを供給する工程とを、実行する
請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
（ａ）前記チャンバ内に処理ガスを導入する工程と、
（ｂ）前記ＲＦ電源から前記チャンバ内に、前記基板に対するプラズマ処理時よりも小さいパワーのＲＦ信号を供給する工程と、
（ｃ）前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と、
（ｄ）前記基板と前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行う工程と、
（ｅ）前記チャンバ内に処理ガスと前記プラズマ生成用のＲＦ信号とを供給する工程とを、実行する
請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項13】
バイアス電源をさらに有し、
前記制御部は、（ｄ）と（ｅ）の工程の間に前記バイアス電源から前記載置台にバイアス信号を供給する工程を実行する、
請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、（ｄ）と（ｅ）の工程の間に前記バイアス電源から前記載置台にバイアス信号を供給する工程を実行する、
請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項14】
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバ内に配置された載置台に、基板、及び基板の周囲に載置されるリングアセンブリの少なくとも一方を載置する工程と、
前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げる工程と、
を有する異常放電抑制方法。
前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げる工程と、
を有する異常放電抑制方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、プラズマ処理装置及び異常放電抑制方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、フォーカスリングの裏面側にガス供給絶縁ボスからＨｅ、Ａｒ、Ｘｅ等のガスを供給する構成が開示されている。また、特許文献１には、ガス供給絶縁ボスは、ガスの圧力が相対的に高いために異常放電しやすい部分であることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許出願公開第２００８／０２３６７５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、異常放電の発生を抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様によるプラズマ処理装置は、チャンバと、載置台と、固定部と、伝熱ガス供給部と、伝熱ガス排気部と、ＲＦ電源と、制御部とを有する。チャンバは、内部でプラズマ処理が実施される。載置台は、チャンバ内に配置され、基板及び基板の周囲にリングアセンブリが載置される。固定部は、載置台に設けられ、基板及びリングアセンブリの少なくとも一方を載置台に固定する。伝熱ガス供給部は、載置台と基板及びリングアセンブリの少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガス排気部は、載置台と基板及びリングアセンブリの少なくとも一方との間から伝熱ガスを排気する。ＲＦ電源は、記チャンバ内にプラズマ生成用のＲＦ（Radio Frequency）信号を供給する。制御部は、基板及びリングアセンブリの少なくとも一方を載置台に載置した場合、基板に対してプラズマ処理を実施する前に、伝熱ガス供給部から供給する伝熱ガスの圧力を、基板に対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、異常放電の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して本願の開示するプラズマ処理装置及び異常放電抑制方法の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示するプラズマ処理装置及び異常放電抑制方法が限定されるものではない。
【0009】
チャンバ内を減圧して基板に、プラズマエッチングなどのプラズマ処理を実施するプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、チャンバ内に載置台が設けられている。載置台には、基板が配置され、基板を囲むようにフォーカスリング等のリングアセンブリが載置される。基板やリングアセンブリと載置台との間には、伝熱のため、ヘリウムなどの伝熱ガスが供給される。
【0010】
ところで、プラズマ処理装置では、基板やリングアセンブリと載置台との間でアーキングなどの異常放電が発生する場合がある。そこで、異常放電の発生を抑制する技術が期待されている。
【0011】
［実施形態］
［装置構成］
本開示のプラズマ処理装置の一例について説明する。以下に説明する実施形態では、本開示のプラズマ処理装置をシステム構成のプラズマ処理システムとした場合を例に説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理システムの概略的な構成の一例を示す図である。
［装置構成］
本開示のプラズマ処理装置の一例について説明する。以下に説明する実施形態では、本開示のプラズマ処理装置をシステム構成のプラズマ処理システムとした場合を例に説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【0012】
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【0013】
プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
【0014】
基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
【0015】
基板支持部１１は、固定部を有する。固定部は、基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２の少なくとも一方を固定する。本実施形態では、固定部は、基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２の少なくとも一方を静電吸着によって基板支持部１１に固定する。一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。本実施形態では、静電チャック１１１１が本開示の固定部に対応する。静電チャック１１１１には、基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２を静電吸着する場合、不図示の直流電源から電圧が印加される。静電チャック１１１１は、基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２を静電吸着によって固定する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１及び／又はＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
【0016】
リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
【0017】
また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。また、基板支持部１１は、リングアセンブリ１１２の裏面と環状領域１１１ｂとの間の間隙に伝熱ガス供給部から伝熱ガスを供給するように構成してもよい。
【0018】
例えば、基板支持部１１の中央領域１１１ａには、伝熱ガスを吐出するガス供給口１１１ｄが形成されている。また、基板支持部１１の環状領域１１１ｂには、伝熱ガスを吐出するガス供給口１１１ｅが形成されている。基板支持部１１には、伝熱ガスを供給する配管などの供給流路１１５ａ，１１５ｂが設けられている。供給流路１１５ａは、ガス供給口１１１ｄと連通している。供給流路１１５ｂは、ガス供給口１１１ｅと連通している。供給流路１１５ａ，１１５ｂは、ガス供給部１１６に接続されている。ガス供給部１１６は、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）ガス又は水素（Ｈ２）ガス等の伝熱ガスの流量を個別に制御して供給流路１１５ａ，１１５ｂに供給可能な構成とされている。また、ガス供給部１１６は、供給流路１１５ａ，１１５ｂから伝熱ガスの排気が可能に構成とされている。供給流路１１５ａを介して供給された伝熱ガスは、ガス供給口１１１ｄから吐出されて基板Ｗと中央領域１１１ａとの間の空間に供給される。供給流路１１５ｂを介して供給された伝熱ガスは、ガス供給口１１１ｅから吐出されてリングアセンブリ１１２と環状領域１１１ｂとの間の空間に供給される。また、基板Ｗと中央領域１１１ａとの間の空間に供給された伝熱ガスは、供給流路１１５ａを介して排気される。リングアセンブリ１１２と環状領域１１１ｂとの間の空間に供給された伝熱ガスは、供給流路１１５ｂを介して排気される。ガス供給部１１６は、本開示の伝熱ガス排気部及び伝熱ガス排気部に対応する。なお、ガス供給部１１６は、伝熱ガスを供給する部分と、伝熱ガスを排気する部分に分けて構成してもよい。
【0019】
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
【0020】
ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
【0021】
電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
【0022】
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
【0023】
第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
【0024】
また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
【0025】
種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
【0026】
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0027】
制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
【0028】
次に、実施形態に係るプラズマ処理システムにより、基板Ｗに対してプラズマエッチングなどのプラズマ処理を実施する流れを簡単に説明する。不図示の搬送アーム等の搬送機構により基板Ｗが基板支持部１１に載置される。プラズマ処理装置１は、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する場合、排気システム４０により、プラズマ処理チャンバ１０内を減圧する。静電チャック１１１１は、基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２を静電吸着によって固定する。制御部２は、静電チャック１１１１が静電吸着する際に、電源３０から吸着用の高周波電力を基板支持部１１に印加するよう制御する。例えば、制御部２は、電源３０を制御して、静電チャック１１１１が基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２の静電吸着が可能となる高周波電力を基板支持部１１に印加する。プラズマ処理装置１は、ガス供給部２０から処理ガスを供給してシャワーヘッド１３からプラズマ処理チャンバ１０内に処理ガスを導入する。そして、プラズマ処理装置１は、ＲＦ電源３１から少なくとも１つのＲＦ信号を供給してプラズマ処理空間１０ｓにプラズマを生成し、基板Ｗに対して、プラズマ処理を実施する。
【0029】
ところで、プラズマ処理装置１では、基板Ｗやリングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間で不具合が発生する場合がある。例えば、基板Ｗやリングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間でアーキングなどの異常放電が発生する場合がある。
【0030】
図２は、実施形態に係る異常放電の発生の一例を説明する図である。図２には、プラズマ処理チャンバ１０の基板支持部１１付近が拡大して概略的に示されている。基板支持部１１は、中央領域１１１ａに基板Ｗが載置され、及び基板Ｗの周囲を囲むように環状領域１１１ｂにリングアセンブリ１１２が載置される。基板支持部１１の中央領域１１１ａには、ガス供給口１１１ｄが形成されている。基板支持部１１の環状領域１１１ｂには、ガス供給口１１１ｅが形成されている。ガス供給口１１１ｄは、供給流路１１５ａと連通し、供給流路１１５ａを介してガス供給部１１６から伝熱ガスが供給される。ガス供給口１１１ｅは、供給流路１１５ｂと連通し、供給流路１１５ｂを介してガス供給部１１６から伝熱ガスが供給される。ガス供給口１１１ｄ及びガス供給口１１１ｅは、ガス供給部１１６から供給される伝熱ガスを吐出する。
【0031】
基板支持面１１１ａには、基板Ｗの外周側に沿って環状のバンドが設けられ、バンドによって、基板Ｗの外周を支持する。また、基板支持面１１１ａには、基板Ｗを支持する不図示のドットが形成されている。基板Ｗと中央領域１１１ａとの間には、伝熱ガスが流れることが可能な空間が形成されている。
【0032】
環状領域１１１ｂには、リングアセンブリ１１２の内周側及び外周側に沿ってそれぞれ環状のバンドが設けられ、バンドによって、リングアセンブリ１１２の内周及び外周を支持する。また、環状領域１１１ｂには、リングアセンブリ１１２を支持する不図示のドットが形成されている。リングアセンブリ１１２と環状領域１１１ｂとの間には、伝熱ガスが流れることが可能な空間が形成されている。
【0033】
プラズマ処理装置１では、プラズマ処理により、リングアセンブリ１１２が徐々に消耗する。リングアセンブリ１１２は、消耗すると、交換される。交換するリングアセンブリ１１２には、水分が付着している。プラズマ処理装置１では、リングアセンブリ１１２を交換した場合、水分の除去など、プラズマ処理チャンバ１０内の状態を安定させるため、プラズマの生成を繰り返すシーズニング（立ち上げ処理）を行う。例えば、プラズマ処理装置１は、シーズニングを実施する場合、プラズマ処理の際と同様に、排気システム４０により、プラズマ処理チャンバ１０内を減圧する。静電チャック１１１１は、基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２を静電吸着によって固定する。プラズマ処理装置１は、静電チャック１１１１が静電吸着する際に、電源３０から吸着用の高周波電力を基板支持部１１に印加する。プラズマ処理装置１は、ガス供給部２０から処理ガスを供給してシャワーヘッド１３からプラズマ処理チャンバ１０内に処理ガスを導入する。処理ガスは、プラズマ処理と同様であってもよく、シーズニング用の特定の種類のガスであってもよい。そして、プラズマ処理装置１は、ＲＦ電源３１から少なくとも１つのＲＦ信号を供給してプラズマ処理空間１０ｓにプラズマを生成してシーズニングを実施する。シーズニングでは、プラズマ処理チャンバ１０内が安定した状態になるまでプラズマの生成を繰り返し実施する。シーズニングは、基板Ｗに半導体デバイスを製造する製造工程のプラズマ処理を実施する前に実施される。シーズニングは、ダミーウエハなどの基板Ｗを基板支持部１１に配置して実施してもよい。
【0034】
しかし、シーズニングの際に、残った水分の影響により、リングアセンブリ１１２と基板支持部１１の間などでアーキングなどの異常放電が発生する場合がある。例えば、リングアセンブリ１１２を交換した場合、ガス供給口１１１ｅ付近や、供給流路１１５ｂ内でアーキングなどの異常放電が発生する場合がある。
【0035】
また、基板Ｗやリングアセンブリ１１２の裏面に付着した不純物などによって、不具体が発生する場合がある。例えば、基板Ｗやリングアセンブリ１１２を交換した場合、ガス供給口１１１ｄ付近や、ガス供給口１１１ｅ付近、供給流路１１５ａ、供給流路１１５ｂ内でアーキングなどの異常放電が発生する場合がある。
【0036】
そこで、本実施形態では、制御部２が、基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２の少なくとも一方を交換した場合、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する前に、ガス供給部１１６から供給する伝熱ガスの圧力を、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する。
【0037】
例えば、制御部２は、リングアセンブリ１１２を交換した場合、シーズニングの際に、ガス供給部１１６から基板支持部１１とリングアセンブリ１１２の間に供給する伝熱ガスの圧力を、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げ、電源３０から供給する高周波電力のパワーを、基板Ｗに対するプラズマ処理時以下にするよう制御する。
【0038】
また、基板Ｗ又はリングアセンブリ１１２を交換した場合、制御部２は、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する前に、当該交換した基板Ｗ又はリングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うようにガス供給部１１６を制御する。
【0039】
シリコンの表面の水分の離脱量は、２００℃以上で増加し、３００℃から４００℃で大きくなる。よって、シーズニングの際、リングアセンブリ１１２の温度は、２００℃以上とすることが好ましく、３００℃以上とすることがより好ましい。例えば、シーズニングの際、リングアセンブリ１１２の温度は、３００℃から４００℃とすることがより好ましい。
【0040】
ここで、比較例として、プラズマ処理装置１が、シーズニングの際、ガス供給部１１６から供給する伝熱ガスの圧力、及び、電源３０から供給する高周波電力のパワーを、基板Ｗに対するプラズマ処理時と同様としてシーズニングを実施するものとする。この場合、プラズマからの入熱によりリングアセンブリ１１２の温度を十分に上昇させることができるため、リングアセンブリ１１２に付着した水分を短い時間で除去できる。図３は、比較例に係るシーズニングの際の状態の一例を概略的に示した図である。図３には、基板支持部１１の環状領域１１１ｂ付近の状態が概略的に示されている。図３は、シーズニングの際、ガス供給部１１６から供給する伝熱ガスの圧力、及び、電源３０から供給する高周波電力のパワーを、基板Ｗに対するプラズマ処理時と同様とした場合を示している。図３では、リングアセンブリ１１２の温度が３５０℃となっている。これにより、リングアセンブリ１１２から水分が急速に放出される。しかし、リングアセンブリ１１２から放出される水分の影響により、ガス供給口１１１ｅ付近や、供給流路１１５ｂ内でアーキングなどの異常放電が発生する場合がある。そこで、シーズニング際、電源３０から供給する高周波電力のパワーを、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げて異常放電の発生を抑制することが考えられる。しかし、高周波電力のパワーを下げた場合、プラズマからリングアセンブリ１１２への入熱が低下して、リングアセンブリ１１２の温度が十分に上昇しなくなる。これにより、異常放電の発生を抑制できるものの、水分の除去にかかる時間が長くなり、シーズニングの時間が長くなる。
【0041】
そこで、本実施形態では、制御部２は、リングアセンブリ１１２を交換した場合、シーズニングの際に、ガス供給部１１６から基板支持部１１とリングアセンブリ１１２の間に供給する伝熱ガスの圧力を、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げ、電源３０から供給する高周波電力のパワーを、基板Ｗに対するプラズマ処理時以下にするよう制御する。
【0042】
例えば、制御部２は、シーズニングの際に、ガス供給部１１６から基板支持部１１とリングアセンブリ１１２の間に供給する伝熱ガスの圧力を１５Ｔｏｒｒ以下に制御する。例えば、制御部２は、ガス供給部１１６から伝熱ガスの供給を停止した状態、又は、伝熱ガスの供給を最も絞り、伝熱ガスの供給を最低限の状態に制御する。これにより、基板Ｗから基板支持部１１の環状領域１１１ｂへの伝熱が減り、高周波電力のパワーを下げた場合でも、リングアセンブリ１１２の温度を十分に上昇させることができる。
【0043】
上述のように、シリコンの表面の水分の離脱量は、２００℃以上で増加する。制御部２は、シーズニングの際に、電源３０から、基板Ｗに対するプラズマ処理時以下かつ、基板Ｗの温度が２００℃以上となるパワーの高周波電力を供給するよう制御する。例えば、伝熱ガスの圧力を下げた場合でも、基板Ｗの温度が２００℃以上となる高周波電力のパワーを事前に実験やシミュレーションにより求める。一例として、基板Ｗの温度が３００℃～４００℃となる高周波電力のパワーを求める。制御部２は、事前に求めたパワーの高周波電力を電源３０から供給するよう制御する。図４は、実施形態に係るシーズニングの際の状態の一例を概略的に示した図である。図４には、基板支持部１１の環状領域１１１ｂ付近の状態が概略的に示されている。図４は、シーズニングの際、ガス供給部１１６から供給する伝熱ガスの圧力を基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げ、電源３０から供給する高周波電力のパワーを基板Ｗに対するプラズマ処理時以下に下げた場合を示している。図４では、リングアセンブリ１１２の温度が４００℃となっている。これにより、リングアセンブリ１１２に付着した水分を短い時間で除去できる。また、伝熱ガスの圧力を下げたことにより、ガス供給口１１１ｅ付近や、供給流路１１５ｂ内でアーキングなどの異常放電の発生を抑制できる。
【0044】
また、上述したように、基板Ｗやリングアセンブリ１１２の裏面に付着した不純物などによって、不具体が発生する場合がある。例えば、基板Ｗやリングアセンブリ１１２を交換した場合、ガス供給口１１１ｄ付近や、ガス供給口１１１ｅ付近、供給流路１１５ａ、供給流路１１５ｂ内でアーキングなどの異常放電が発生する場合がある。
【0045】
そこで、本実施形態では、制御部２は、基板Ｗ又はリングアセンブリ１１２を交換した場合、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する前に、当該交換した基板Ｗ又はリングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うようにガス供給部１１６を制御する。例えば、制御部２は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うようにガス供給部１１６を制御する。図５は、実施形態に係る不純物を除去する流れの一例を説明する図である。図５には、基板支持部１１の環状領域１１１ｂ付近の状態が概略的に示されている。図５の上側は、リングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間に伝熱ガスを供給した状態を示している。図５の下側は、リングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間の伝熱ガスを排気した状態を示している。図５の上側では、リングアセンブリ１１２の裏面に不純物１２０が付着している。伝熱ガスを排気して伝熱ガスの圧力を下げ、伝熱ガスの圧力を、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げることにより、不純物１２０が、図５の下側に示したように、供給流路１１５ｂに流れて除去される。これにより、不純物１２０によって発生するアーキングなどの異常放電を抑制できる。
【0046】
次に、実施形態に係るプラズマ処理装置１が実施する異常放電抑制方法の処理の流れについて説明する。図６は、実施形態に係る異常放電抑制方法の処理順序の一例を説明する図である。図６は、リングアセンブリ１１２での異常放電の抑制に異常放電抑制方法の処理を適用したものである。リングアセンブリ１１２は、例えば、プラズマ処理装置１の新規の立ち上げ時や、プラズマ処理装置１のメンテナンス、リングアセンブリ１１２の消耗による交換などにより、基板支持部１１に載置される。プラズマ処理装置１は、リングアセンブリ１１２が基板支持部１１に載置されると、リングアセンブリ１１２のシーズニングを実施する。図６に示す処理は、リングアセンブリ１１２のシーズニングを実施する際に実行される。
【0047】
制御部２は、排気システム４０を制御し、排気システム４０により、プラズマ処理チャンバ１０内を減圧する（Ｓ１０）。
【0048】
制御部２は、リングアセンブリ１１２を基板支持部１１に固定する（Ｓ１１）。例えば、制御部２は、不図示の直流電源を制御して静電チャック１１１１に電圧が印加すると共に、電源３０を制御して電源３０から吸着用の高周波電力を基板支持部１１に印加して、リングアセンブリ１１２を静電吸着によって基板支持部１１に固定する。
【0049】
制御部２は、ガス供給部１１６を制御し、ガス供給部１１６からリングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間の伝熱ガスを供給する（Ｓ１２）。制御部２は、ガス供給部１１６を制御し、リングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間の伝熱ガスをガス供給部１１６により排気する（Ｓ１３）。
【0050】
制御部２は、伝熱ガスの供給と排気を所定回繰り返し実施したかを判定する（Ｓ１４）。所定回とする回数は、不純物１２０を除去可能な回数として事前に実験やシミュレーションにより定める。所定回実施していない場合（Ｓ１４：Ｎｏ）、上述したＳ１２の処理へ移行する。
【0051】
一方、所定回実施した場合（Ｓ１４：Ｙｅｓ）、制御部２は、水分を除去する処理を実行する（Ｓ１５）。例えば、制御部２は、ガス供給部２０を制御し、ガス供給部２０から処理ガスを供給してシャワーヘッド１３からプラズマ処理チャンバ１０内に処理ガスを導入する。また、制御部２は、ガス供給部１１６を制御し、ガス供給部１１６から基板支持部１１とリングアセンブリ１１２の間に供給する伝熱ガスの圧力を、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げる。また、制御部２は、電源３０を制御し、電源３０から供給する高周波電力のパワーを、基板Ｗに対するプラズマ処理時以下にする。例えば、制御部２は、電源３０から、基板Ｗに対するプラズマ処理時以下かつ、基板Ｗの温度が２００℃以上となるパワーのＲＦ信号を供給するよう制御する。なお、制御部２は、Ｓ１５の処理を、Ｓ１２及びＳ１３の処理と並列に実施してもよい。これにより、プラズマ処理装置１では、プラズマ処理チャンバ１０内にプラズマを生成され、リングアセンブリ１１２から水分が除去される。
【0052】
これにより、リングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間でのアーキングなどの異常放電の発生を抑制できる。
【0053】
なお、上記の実施形態では、シーズニングにおいて異常放電抑制方法の処理を実施する場合を例に説明した。しかし、これに限定されるものではない。基板Ｗを交換した際に異常放電抑制方法の処理を実施してもよい。例えば、基板Ｗの裏面に付着した不純物１２０などによって、不具体が発生する場合がある。そこで、制御部２は、基板Ｗを交換した場合、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する前に、当該交換した基板Ｗと基板支持部１１との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うようにガス供給部１１６を制御してもよい。図７は、実施形態に係る不純物を除去する流れの他の一例を説明する図である。図７には、基板支持部１１の中央領域１１１ａ付近の状態が概略的に示されている。図７の上側は、基板Ｗと基板支持部１１との間に伝熱ガスを供給した状態を示している。図７の下側は、基板Ｗと基板支持部１１との間の伝熱ガスを排気した状態を示している。図７の上側では、基板Ｗの裏面に不純物１２０が付着している。伝熱ガスを排気して伝熱ガスの圧力を下げ、伝熱ガスの圧力を、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げることにより、不純物１２０が、図７の下側に示したように、供給流路１１５ａに流れて除去される。これにより、基板Ｗの裏面に付着した不純物１２０を除去でき、不純物１２０によって発生するアーキングなどの異常放電を抑制できる。
【0054】
図８は、実施形態に係る異常放電抑制方法の処理順序の他の一例を説明する図である。図８は、基板Ｗでの異常放電の抑制に、実施形態に係る異常放電抑制方法の処理を適用したものである。基板Ｗは、例えば、プラズマ処理装置１においてプラズマ処理を実施する際に、基板支持部１１に載置される。プラズマ処理装置１は、基板Ｗが基板支持部１１に載置されると、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する前に、図８に示す処理を実行する。
【0055】
制御部２は、排気システム４０を制御し、排気システム４０により、プラズマ処理チャンバ１０内を減圧する（Ｓ２０）。
【0056】
制御部２は、ガス供給部１１６を制御し、ガス供給部１１６からプラズマ処理チャンバ１０内に処理ガスを導入する（Ｓ２１）。例えば、制御部２は、ガス供給部１１６を制御し、ガス供給部１１６から処理ガスを供給してＡｒガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入する。
【0057】
制御部２は、電源３０を制御してＲＦ電源３１からプラズマ処理チャンバ１０内に、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも小さいパワーのＲＦ信号を供給する（Ｓ２２）。例えば、制御部２は、ＲＦ電源３１から基台１１１０の下部電極として機能する導電性部材に、例えば、３００Ｗ等の比較的パワーの低いＲＦ信号を供給して、弱いプラズマを発生させ、この弱いプラズマを基板Ｗに作用させる。
【0058】
なお、Ｓ２１の処理では、処理ガスをＡｒガスとし、Ａｒガスのプラズマを基板Ｗに作用させる場合について説明した。しかし、処理ガスのガス種はこれに限るものではない。処理ガスは、例えば、Ｏ２ガス、ＣＦ４ガス、Ｎ２ガス等のガスであってもよい。但し、処理ガスは、発生させるガスによるプラズマが、基板Ｗに対して、及び、プラズマ処理チャンバ１０の内壁に対して、エッチング等の不所望な作用の少ないガス種である必要がある。また、処理ガスは、プラズマが着火し易いガス種である必要がある。さらに、処理ガスは、プラズマ処理を行う基板Ｗが、前工程でどのような処理を施されたものであるかによっても、最適なガス種が変わる場合がある。処理ガスは、これらを考慮して適宜選択することが好ましい。
【0059】
ここで、弱いプラズマを基板Ｗに作用させる理由は、以下のとおりである。プラズマ処理を行う基板Ｗは、前工程（例えば、ＣＶＤ等の成膜工程）における処理の状態等によって、その状態が一様でない。例えば、基板Ｗは、内部に電荷が蓄積されている場合がある。基板Ｗは、内部に電荷が蓄積された状態で、強いプラズマが作用すると、表面アーキング等が生じる可能性が高い。このため、強いプラズマを作用させる前に、基板Ｗに弱いプラズマを作用させる。基板Ｗは、弱いプラズマが作用すると、基板Ｗの内部に蓄積された電荷の状態等が一様に調整（初期化）される。
【0060】
基板Ｗには、静電チャック１１１１に直流電圧（ＨＶ）を印加しない状態で、弱いプラズマを作用させる。これにより、基板Ｗの内部の電荷を移動し易くすることができる。
【0061】
このような弱いプラズマを発生させるためのＲＦ信号の電力は、０．１５Ｗ／ｃｍ２～１．０Ｗ／ｃｍ２程度、例えば、１００～５００Ｗ程度である。弱いプラズマを基板Ｗに作用させる時間は、例えば、５～２０秒程度である。
【0062】
制御部２は、基板Ｗを静電吸着によって基板支持部１１に固定する（Ｓ２３）。例えば、制御部２は、不図示の直流電源を制御して静電チャック１１１１に電圧が印加し、基板Ｗを静電吸着によって基板支持部１１に固定する。
【0063】
制御部２は、ガス供給部１１６を制御し、ガス供給部１１６から基板Ｗと基板支持部１１との間の伝熱ガスを供給する（Ｓ２４）。制御部２は、ガス供給部１１６を制御し、基板Ｗと基板支持部１１との間の伝熱ガスをガス供給部１１６により排気する（Ｓ２５）。
【0064】
制御部２は、伝熱ガスの供給と排気を所定回繰り返し実施したかを判定する（Ｓ２６）。所定回とする回数は、不純物１２０を除去可能な回数として事前に実験やシミュレーションにより定める。所定回実施していない場合（Ｓ２６：Ｎｏ）、上述したＳ２４の処理へ移行する。
【0065】
一方、所定回実施した場合（Ｓ２６：Ｙｅｓ）、制御部２は、水分を除去する処理を実行する（Ｓ２７）。例えば、制御部２は、ガス供給部２０を制御し、ガス供給部２０から処理ガスを供給してシャワーヘッド１３からプラズマ処理チャンバ１０内に処理ガスを導入する。また、制御部２は、ガス供給部１１６を制御し、ガス供給部１１６から基板支持部１１と基板Ｗの間に供給する伝熱ガスの圧力を、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げる。また、制御部２は、電源３０を制御し、電源３０から供給する高周波電力のパワーを、基板Ｗに対するプラズマ処理時以下にする。例えば、制御部２は、電源３０から、基板Ｗに対するプラズマ処理時以下かつ、基板Ｗの温度が２００℃以上となるパワーのＲＦ信号を供給するよう制御する。なお、制御部２は、Ｓ２４、Ｓ２５とＳ２７の工程の間にＲＦ電源３１から基板支持部１１にバイアスＲＦ信号を供給する。制御部２は、Ｓ２７の処理を、Ｓ２４及びＳ２５の処理と並列に実施してもよい。これにより、プラズマ処理装置１では、プラズマ処理チャンバ１０内にプラズマを生成され、基板Ｗから水分が除去される。
【0066】
これにより、基板Ｗと基板支持部１１との間でのアーキングなどの異常放電の発生を抑制できる。
【0067】
以上のように、実施形態に係るプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０と、基板支持部１１（載置台）と、静電チャック１１１１（固定部）と、ガス供給部１１６（伝熱ガス供給部、伝熱ガス排気部）と、電源３０（ＲＦ電源）と、制御部２とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、内部でプラズマ処理が実施される。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置され、基板Ｗ及び基板Ｗの周囲にリングアセンブリ１１２が載置される。静電チャック１１１１は、基板支持部１１に設けられ、基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２の少なくとも一方を基板支持部１１に固定する。ガス供給部１１６は、基板Ｗ支持部１１と基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２の少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する。ガス供給部１１６は、基板Ｗ支持部１１と基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２の少なくとも一方との間から伝熱ガスを排気する。電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０内にプラズマ生成用のＲＦ信号を供給する。制御部２は、基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２の少なくとも一方を基板支持部１１に載置した場合、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する前に、ガス供給部１１６から供給する伝熱ガスの圧力を、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する。これにより、プラズマ処理装置１は、基板Ｗやリングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間でのアーキングなどの異常放電の発生を抑制できる。
【0068】
制御部２は、（ａ）基板支持部１１とリングアセンブリ１１２との間に伝熱ガスを供給する工程（Ｓ１２）と、（ｂ）基板支持部１１とリングアセンブリ１１２との間に供給する伝熱ガスの圧力を、（ａ）よりも下げる工程（Ｓ１３）と、を実行する。これにより、プラズマ処理装置１は、リングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間でのアーキングなどの異常放電の発生を抑制できる。
【0069】
また、制御部２は、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する前に、リングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うようにガス供給部１１６を制御する。これにより、プラズマ処理装置１は、リングアセンブリ１１２の裏面に付着した不純物１２０を除去でき、不純物１２０によって発生するアーキングなどの異常放電の発生を抑制できる。
【0070】
制御部２は、（ａ）と（ｂ）の工程（Ｓ１２とＳ１３）において、電源３０から、基板Ｗに対するプラズマ処理時以下かつ、基板Ｗの温度が２００℃以上となるパワーのＲＦ信号を供給するよう制御する。これにより、プラズマ処理装置１は、リングアセンブリ１１２に付着した水分を速やかに除去できる。
【0071】
制御部２は、（ｂ）の工程（Ｓ１３）において、ガス供給部１１６から基板支持部１１とリングアセンブリ１１２の間に供給する伝熱ガスの圧力を１５Ｔｏｒｒ以下に制御する。これにより、プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０内にＲＦ信号を供給した場合でも、リングアセンブリ１１２と基板支持部１１との間でのアーキングなどの異常放電の発生を抑制できる。
【0072】
制御部２は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うようにガス供給部１１６を制御する。これにより、プラズマ処理装置１は、基板Ｗ又はリングアセンブリ１１２の裏面に付着した不純物１２０を除去できる。
【0073】
静電チャック１１１１は、リングアセンブリ１１２を静電吸着によって基板支持部１１に固定する。これにより、プラズマ処理装置１は、リングアセンブリ１１２を基板支持部１１に安定して固定できる。
【0074】
伝熱ガスは、ヘリウムガス又は水素ガスである。これにより、プラズマ処理装置１は、基板Ｗ支持部１１と基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２の間を安定して伝熱できる。
【0075】
制御部２は、基板Ｗを基板支持部１１に載置した場合、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する前に、基板Ｗと基板支持部１１との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うようにガス供給部１１６を制御する。これにより、プラズマ処理装置１は、基板Ｗの裏面に付着した不純物１２０を除去でき、不純物１２０によって発生するアーキングなどの異常放電の発生を抑制できる。
【0076】
静電チャック１１１１は、基板Ｗを静電吸着によって基板支持部１１に固定する。これにより、プラズマ処理装置１は、基板Ｗを基板支持部１１に安定して固定できる。
【0077】
制御部２は、（ａ）プラズマ処理チャンバ１０内に処理ガスを導入する工程（Ｓ２１）と、（ｂ）ＲＦ電源からプラズマ処理チャンバ１０内に、基板Ｗに対するプラズマ処理時よりも小さいパワーのＲＦ信号を供給する工程（Ｓ２２）と、（ｃ）基板支持部１１に基板Ｗを静電吸着する工程（Ｓ２３）と、（ｄ）基板Ｗと基板支持部１１との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行う工程（Ｓ２４、Ｓ２５）と、（ｅ）プラズマ処理チャンバ１０内に処理ガスとプラズマ生成用のＲＦ信号とを供給する工程（Ｓ２６）とを、実行する。これにより、プラズマ処理装置１は、基板Ｗと基板支持部１１との間でのアーキングなどの異常放電の発生を抑制できる。
【0078】
制御部２は、Ｓ２４、Ｓ２５とＳ２７の工程の間にＲＦ電源３１（バイアス電源）から基板支持部１１にバイアスＲＦ信号（バイアス信号）を供給する工程を実行する。これにより、プラズマ処理装置１は、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
【0079】
以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上述した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上述した実施形態は、請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【0080】
例えば、上記の実施形態では、基板Ｗとして半導体ウェハにプラズマ処理を行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。基板Ｗは、何れであってもよい。
【0081】
また、上記の実施形態では、供給流路１１５ａ，１１５ｂにより、伝熱ガスの供給と排気を同じ流路で行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。伝熱ガスの供給する流路と排気する流路を分けて設けてもよい。
【0082】
また、上記の実施形態では、静電チャック１１１１による静電吸着により基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２を基板支持部１１に固定する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。基板Ｗ及びリングアセンブリ１１２は、フックなどの物理的な固定機構により基板支持部１１に固定されてもよい。
【0083】
また、上記の実施形態では、プラズマ処理装置１を、プラズマ処理としてプラズマエッチングを実施する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。プラズマ処理装置１は、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する装置であれば何れであってもよい。例えば、プラズマ処理装置１は、プラズマを生成して成膜する成膜装置等であってもよい。
【0084】
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【0085】
なお、以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【0086】
（付記１）
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバと、
チャンバ内に配置され、基板及び基板の周囲にリングアセンブリが載置される載置台と、
前記載置台に設けられ、前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を前記載置台に固定する固定部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間から前記伝熱ガスを排気する伝熱ガス排気部と、
前記チャンバ内にプラズマ生成用のＲＦ（Radio Frequency）信号を供給するＲＦ電源と、
前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を前記載置台に載置した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記伝熱ガス供給部から供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバと、
チャンバ内に配置され、基板及び基板の周囲にリングアセンブリが載置される載置台と、
前記載置台に設けられ、前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を前記載置台に固定する固定部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間から前記伝熱ガスを排気する伝熱ガス排気部と、
前記チャンバ内にプラズマ生成用のＲＦ（Radio Frequency）信号を供給するＲＦ電源と、
前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を前記載置台に載置した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記伝熱ガス供給部から供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。
【0087】
（付記２）
前記制御部は、
（ａ）前記載置台と前記リングアセンブリとの間に伝熱ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記載置台と前記リングアセンブリとの間に供給する伝熱ガスの圧力を、（ａ）よりも下げる工程と、
を実行する付記１に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、
（ａ）前記載置台と前記リングアセンブリとの間に伝熱ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記載置台と前記リングアセンブリとの間に供給する伝熱ガスの圧力を、（ａ）よりも下げる工程と、
を実行する付記１に記載のプラズマ処理装置。
【0088】
（付記３）
前記制御部は、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記リングアセンブリと前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うように前記伝熱ガス供給部及び前記伝熱ガス排気部を制御する
付記２に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記リングアセンブリと前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うように前記伝熱ガス供給部及び前記伝熱ガス排気部を制御する
付記２に記載のプラズマ処理装置。
【0089】
（付記４）
前記制御部は、（ａ）と（ｂ）の工程において、前記ＲＦ電源から、前記基板に対するプラズマ処理時以下かつ、前記基板の温度が２００℃以上となるパワーのＲＦ信号を供給するよう制御する
付記２に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、（ａ）と（ｂ）の工程において、前記ＲＦ電源から、前記基板に対するプラズマ処理時以下かつ、前記基板の温度が２００℃以上となるパワーのＲＦ信号を供給するよう制御する
付記２に記載のプラズマ処理装置。
【0090】
（付記５）
前記制御部は、（ｂ）の工程において、前記伝熱ガス供給部から前記載置台と前記リングアセンブリとの間に供給する伝熱ガスの圧力を１５Ｔｏｒｒ以下に制御する
付記２に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、（ｂ）の工程において、前記伝熱ガス供給部から前記載置台と前記リングアセンブリとの間に供給する伝熱ガスの圧力を１５Ｔｏｒｒ以下に制御する
付記２に記載のプラズマ処理装置。
【0091】
（付記６）
前記制御部は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うように前記伝熱ガス供給部を制御する
付記３に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うように前記伝熱ガス供給部を制御する
付記３に記載のプラズマ処理装置。
【0092】
（付記７）
前記固定部は、前記リングアセンブリを静電吸着によって前記載置台に固定する
付記１～付記６の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記固定部は、前記リングアセンブリを静電吸着によって前記載置台に固定する
付記１～付記６の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0093】
（付記８）
前記伝熱ガスは、ヘリウムガス又は水素ガスである
付記１～付記７の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記伝熱ガスは、ヘリウムガス又は水素ガスである
付記１～付記７の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0094】
（付記９）
前記制御部は、前記基板を前記載置台に載置した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記基板と前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うように前記伝熱ガス供給部及び前記伝熱ガス排気部を制御する
付記１に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、前記基板を前記載置台に載置した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記基板と前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うように前記伝熱ガス供給部及び前記伝熱ガス排気部を制御する
付記１に記載のプラズマ処理装置。
【0095】
（付記１０）
前記制御部は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うように前記伝熱ガス供給部及び前記伝熱ガス排気部を制御する
付記９に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うように前記伝熱ガス供給部及び前記伝熱ガス排気部を制御する
付記９に記載のプラズマ処理装置。
【0096】
（付記１１）
前記固定部は、前記基板を静電吸着によって前記載置台に固定する
付記１～付記１０の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記固定部は、前記基板を静電吸着によって前記載置台に固定する
付記１～付記１０の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0097】
（付記１２）
前記制御部は、
（ａ）前記チャンバ内に処理ガスを導入する工程と、
（ｂ）前記ＲＦ電源から前記チャンバ内に、前記基板に対するプラズマ処理時よりも小さいパワーのＲＦ信号を供給する工程と、
（ｃ）前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と、
（ｄ）前記基板と前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行う工程と、
（ｅ）前記チャンバ内に処理ガスと前記プラズマ生成用のＲＦ信号とを供給する工程とを、実行する
付記１１に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、
（ａ）前記チャンバ内に処理ガスを導入する工程と、
（ｂ）前記ＲＦ電源から前記チャンバ内に、前記基板に対するプラズマ処理時よりも小さいパワーのＲＦ信号を供給する工程と、
（ｃ）前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と、
（ｄ）前記基板と前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行う工程と、
（ｅ）前記チャンバ内に処理ガスと前記プラズマ生成用のＲＦ信号とを供給する工程とを、実行する
付記１１に記載のプラズマ処理装置。
【0098】
（付記１３）
バイアス電源をさらに有し、
前記制御部は、（ｄ）と（ｅ）の工程の間に前記バイアス電源から前記載置台にバイアス信号を供給する工程を実行する、
付記１２に記載のプラズマ処理装置。
バイアス電源をさらに有し、
前記制御部は、（ｄ）と（ｅ）の工程の間に前記バイアス電源から前記載置台にバイアス信号を供給する工程を実行する、
付記１２に記載のプラズマ処理装置。
【0099】
（付記１４）
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバ内に配置された載置台に、基板、及び基板の周囲に載置されるリングアセンブリの少なくとも一方を載置する工程と、
前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げる工程と、
を有する異常放電抑制方法。
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバ内に配置された載置台に、基板、及び基板の周囲に載置されるリングアセンブリの少なくとも一方を載置する工程と、
前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げる工程と、
を有する異常放電抑制方法。
【0100】
（付記１５）
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバと、
チャンバ内に配置され、基板及び基板の周囲にリング状のリングアセンブリが載置される載置台と、
前記載置台に設けられ、前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を固定する固定部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する供給部と、
前記チャンバ内にプラズマを生成するための高周波電力を供給する電源部と、
前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を交換した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記供給部から供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバと、
チャンバ内に配置され、基板及び基板の周囲にリング状のリングアセンブリが載置される載置台と、
前記載置台に設けられ、前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を固定する固定部と、
前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に伝熱ガスを供給する供給部と、
前記チャンバ内にプラズマを生成するための高周波電力を供給する電源部と、
前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を交換した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記供給部から供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げるよう制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。
【0101】
（付記１６）
前記供給部は、前記載置台と前記リングアセンブリの間に伝熱ガスを供給し、
前記制御部は、前記リングアセンブリを交換した場合、前記チャンバ内のシーズニングの際に、前記供給部から前記載置台と前記リングアセンブリの間に供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げ、前記電源部から供給する高周波電力のパワーを、前記基板に対するプラズマ処理時以下にするよう制御する
付記１５に記載のプラズマ処理装置。
前記供給部は、前記載置台と前記リングアセンブリの間に伝熱ガスを供給し、
前記制御部は、前記リングアセンブリを交換した場合、前記チャンバ内のシーズニングの際に、前記供給部から前記載置台と前記リングアセンブリの間に供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げ、前記電源部から供給する高周波電力のパワーを、前記基板に対するプラズマ処理時以下にするよう制御する
付記１５に記載のプラズマ処理装置。
【0102】
（付記１７）
前記制御部は、前記基板又は前記リングアセンブリを交換した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、当該交換した前記基板又は前記リングアセンブリと前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うように前記供給部を制御する
付記１６又は付記１７に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、前記基板又は前記リングアセンブリを交換した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、当該交換した前記基板又は前記リングアセンブリと前記載置台との間に伝熱ガスの供給と排気を少なくとも１回行うように前記供給部を制御する
付記１６又は付記１７に記載のプラズマ処理装置。
【0103】
（付記１８）
前記制御部は、前記シーズニングの際に、前記電源部から、前記基板に対するプラズマ処理時以下かつ、前記基板の温度が２００℃以上となるパワーの高周波電力を供給するよう制御する
付記１６に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、前記シーズニングの際に、前記電源部から、前記基板に対するプラズマ処理時以下かつ、前記基板の温度が２００℃以上となるパワーの高周波電力を供給するよう制御する
付記１６に記載のプラズマ処理装置。
【0104】
（付記１９）
前記制御部は、前記シーズニングの際に、前記供給部から前記載置台と前記リングアセンブリの間に供給する伝熱ガスの圧力を１５Ｔｏｒｒ以下に制御する
付記１６～付記１８の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、前記シーズニングの際に、前記供給部から前記載置台と前記リングアセンブリの間に供給する伝熱ガスの圧力を１５Ｔｏｒｒ以下に制御する
付記１６～付記１８の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0105】
（付記２０）
前記制御部は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うように前記供給部を制御する
付記１７に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、伝熱ガスの供給と排気を交互に複数回行うように前記供給部を制御する
付記１７に記載のプラズマ処理装置。
【0106】
（付記２１）
前記固定部は、前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を静電吸着によって前記載置台に固定する
付記１５～付記２０の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記固定部は、前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を静電吸着によって前記載置台に固定する
付記１５～付記２０の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0107】
（付記２２）
前記電源部は、前記載置台に高周波電力を供給可能とし、
前記制御部は、前記固定部が静電吸着する際に、前記電源部から吸着用の高周波電力を載置台に印加するよう制御する
付記２１に記載のプラズマ処理装置。
前記電源部は、前記載置台に高周波電力を供給可能とし、
前記制御部は、前記固定部が静電吸着する際に、前記電源部から吸着用の高周波電力を載置台に印加するよう制御する
付記２１に記載のプラズマ処理装置。
【0108】
（付記２３）
前記伝熱ガスは、ヘリウムガス又は水素ガスである
付記１５～付記２２の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記伝熱ガスは、ヘリウムガス又は水素ガスである
付記１５～付記２２の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0109】
（付記２４）
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバ内に配置された載置台に載置される基板及び基板の周囲に載置されるリング状のリングアセンブリの少なくとも一方を交換する工程と、
前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を交換した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げる工程と、
を有する異常放電抑制方法。
内部でプラズマ処理が実施されるチャンバ内に配置された載置台に載置される基板及び基板の周囲に載置されるリング状のリングアセンブリの少なくとも一方を交換する工程と、
前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方を交換した場合、前記基板に対してプラズマ処理を実施する前に、前記載置台と前記基板及び前記リングアセンブリの少なくとも一方との間に供給する伝熱ガスの圧力を、前記基板に対するプラズマ処理時よりも下げる工程と、
を有する異常放電抑制方法。
【符号の説明】
【0110】
１ プラズマ処理装置
２ 制御部
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
３０ 電源
１１２ リングアセンブリ
１１６ ガス供給部
１１１１ 静電チャック
Ｗ 基板
２ 制御部
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
３０ 電源
１１２ リングアセンブリ
１１６ ガス供給部
１１１１ 静電チャック
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】