ホーム > 特許ランキング > 東京エレクトロン株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023114769
(43)【公開日】2023-08-18
(54)【発明の名称】基板処理方法及び基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20230810BHJP
C23F 1/12 20060101ALI20230810BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 104C
H01L21/302 101H
H01L21/302 101C
C23F1/12
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022017271
(22)【出願日】2022-02-07
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】小濱 直道
【テーマコード（参考）】
4K057
5F004
【Ｆターム（参考）】
4K057DB08
4K057DD01
4K057DE01
4K057DE06
4K057DJ03
4K057DN01
5F004AA05
5F004AA15
5F004AA16
5F004BA04
5F004BA20
5F004BB13
5F004BB14
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB29
5F004BC03
5F004BC05
5F004BC06
5F004CA06
5F004CB15
5F004DA04
5F004DA18
5F004DA26
5F004DB08
5F004EA28
(57)【要約】
【課題】基板表面のモリブデン膜のエッチング時に生じた反応生成物を、生産性の悪化を抑制しながら除去する。
【解決手段】複数の基板を前記基板毎に順次処理する基板処理方法であって、前記基板は、モリブデン膜を表面に有し、（Ａ）前記基板を、処理容器の内部に搬入し載置台に載置する工程と、（Ｂ）前記（Ａ）工程の後、フッ素を含む第１の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、（Ｃ）前記（Ｂ）工程の後、塩素を含む第２の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、（Ｄ）前記（Ａ）工程と前記（Ｂ）工程との間において、前記処理容器の内部に前記第１の処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器の内部をクリーニングする工程と、を有し、前記（Ｄ）工程は、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される。
【選択図】図３
【解決手段】複数の基板を前記基板毎に順次処理する基板処理方法であって、前記基板は、モリブデン膜を表面に有し、（Ａ）前記基板を、処理容器の内部に搬入し載置台に載置する工程と、（Ｂ）前記（Ａ）工程の後、フッ素を含む第１の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、（Ｃ）前記（Ｂ）工程の後、塩素を含む第２の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、（Ｄ）前記（Ａ）工程と前記（Ｂ）工程との間において、前記処理容器の内部に前記第１の処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器の内部をクリーニングする工程と、を有し、前記（Ｄ）工程は、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の基板を前記基板毎に順次処理する基板処理方法であって、
前記基板は、モリブデン膜を表面に有し、
（Ａ）前記基板を、処理容器の内部に搬入し載置台に載置する工程と、
（Ｂ）前記（Ａ）工程の後、フッ素を含む第１の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、
（Ｃ）前記（Ｂ）工程の後、塩素を含む第２の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、
（Ｄ）前記（Ａ）工程と前記（Ｂ）工程との間において、前記処理容器の内部に前記第１の処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器の内部をクリーニングする工程と、を有し、
前記（Ｄ）工程は、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される、基板処理方法。
前記基板は、モリブデン膜を表面に有し、
（Ａ）前記基板を、処理容器の内部に搬入し載置台に載置する工程と、
（Ｂ）前記（Ａ）工程の後、フッ素を含む第１の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、
（Ｃ）前記（Ｂ）工程の後、塩素を含む第２の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、
（Ｄ）前記（Ａ）工程と前記（Ｂ）工程との間において、前記処理容器の内部に前記第１の処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器の内部をクリーニングする工程と、を有し、
前記（Ｄ）工程は、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される、基板処理方法。
【請求項2】
前記（Ｄ）工程と前記（Ｂ）工程は連続して実施される、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
前記第１の処理ガスは六フッ化硫黄ガスを含み、前記第２の処理ガスは塩素ガスを含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項4】
前記（Ｄ）工程において、前記基板は、前記第１の処理ガスのプラズマに晒されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項5】
複数の基板を前記基板毎に順次処理する基板処理装置であって、
表面にモリブデン膜を有する前記基板が載置される載置台と、
減圧可能に構成され、前記載置台を内部に収容する処理容器と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（Ａ）前記基板を、前記処理容器の内部に搬入し前記載置台に載置する工程と、
（Ｂ）前記（Ａ）工程の後、フッ素を含む第１の処理ガスをプラズマ化し、前記基板の表面に形成された前記モリブデン膜を、エッチングする工程と、
（Ｃ）前記（Ｂ）工程の後、塩素を含む第２の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、
（Ｄ）前記（Ａ）工程と前記（Ｂ）工程との間において、前記処理容器の内部に前記第１の処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器の内部をクリーニングする工程と、を実行し、且つ、
前記（Ｄ）工程を、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続するよう制御する、基板処理装置。
表面にモリブデン膜を有する前記基板が載置される載置台と、
減圧可能に構成され、前記載置台を内部に収容する処理容器と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（Ａ）前記基板を、前記処理容器の内部に搬入し前記載置台に載置する工程と、
（Ｂ）前記（Ａ）工程の後、フッ素を含む第１の処理ガスをプラズマ化し、前記基板の表面に形成された前記モリブデン膜を、エッチングする工程と、
（Ｃ）前記（Ｂ）工程の後、塩素を含む第２の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、
（Ｄ）前記（Ａ）工程と前記（Ｂ）工程との間において、前記処理容器の内部に前記第１の処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器の内部をクリーニングする工程と、を実行し、且つ、
前記（Ｄ）工程を、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続するよう制御する、基板処理装置。
【請求項6】
前記制御部は、前記（Ｄ）工程と前記（Ｂ）工程を連続して実行するよう制御する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記第１の処理ガスは六フッ化硫黄ガスを含み、前記第２の処理ガスは塩素ガスを含む、請求項５または６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記（Ｄ）工程において、前記基板は、前記第１の処理ガスのプラズマに晒されている、請求項５～７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に開示のエッチング装置のクリーニング方法は、金属膜を有する試料を１枚エッチングする毎に、ダミー基板と試料を入れ替える。この方法では、第１工程となる酸素と四フッ化炭素のプラズマ処理により炭素系物質の堆積物を除去し、第２工程となる三塩化ホウ素と塩素のプラズマ処理により第１工程で除去できなかった残留物及び金属膜の除去を行って、真空容器内のクリーニングを行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００６－２３７４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、基板表面のモリブデン膜のエッチング時に生じた反応生成物を、生産性の悪化を抑制しながら除去する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、複数の基板を前記基板毎に順次処理する基板処理方法であって、前記基板は、モリブデン膜を表面に有し、（Ａ）前記基板を、処理容器の内部に搬入し載置台に載置する工程と、（Ｂ）前記（Ａ）工程の後、フッ素を含む第１の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、（Ｃ）前記（Ｂ）工程の後、塩素を含む第２の処理ガスをプラズマ化し前記モリブデン膜をエッチングする工程と、（Ｄ）前記（Ａ）工程と前記（Ｂ）工程との間において、前記処理容器の内部に前記第１の処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器の内部をクリーニングする工程と、を有し、前記（Ｄ）工程は、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板表面のモリブデン膜のエッチング時に生じた反応生成物を、生産性の悪化を抑制しながら除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施形態にかかる基板処理装置としてのプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図4】基板処理中の基板の状態を示す図である。
【図5】基板処理中の基板の状態を示す図である。
【図6】比較例のステップＳ３における第１の処理ガスのプラズマによるモリブデン膜のエッチング時に発光モニタで検出された、特定のプラズマ光の発光強度の時間変化を示す図である。
【図7】実施例のステップＳ２における第１の処理ガスのプラズマによるクリーニング及びステップＳ２に連続して行われるステップＳ３における同プラズマによるモリブデン膜のエッチング時に、発光モニタで検出された、特定のプラズマ光の発光強度の時間変化を示す図である。
【図8】比較例のステップＳ４における第２の処理ガスのプラズマによるモリブデン膜のエッチング時に発光モニタで検出された、特定のプラズマ光の発光強度の時間変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造に際し、ガラス基板等の基板表面に形成されたモリブデン（Ｍｏ）膜を、プラズマによりエッチングする場合がある。Ｍｏ膜のエッチングは基板処理装置の処理容器内の載置台に基板が載置された状態で行われる。
【0009】
ところで、Ｍｏ膜をエッチングすると、反応生成物が生じる。一の基板についてＭｏ膜のエッチングが終わった後、この反応生成物が処理容器内に残った状態で、次の基板についてエッチングを行うと、基板に欠陥が生じる等、問題となる場合がある。そのため、処理容器内の反応生成物を除去するクリーニングが行われている。
【0010】
クリーニング方法としては、エッチングが終わった後、処理容器内の基板をダミー基板に入れ替えて載置台に載置し、その状態で、クリーニング用ガスのプラズマを生成し、処理容器内の反応生成物を除去する方法がある。また、ダミー基板を用いないクリーニング方法も存在する。この方法では、エッチング後の基板を処理容器から搬出した後、次の基板を搬入する前に、クリーニング用ガスのプラズマを生成し、処理容器内の反応生成物を除去する。
【0011】
しかし、ダミー基板を用いる方法では、通常の製品用の基板とダミー基板との入れ替えに要する時間等があるため、生産性が悪化する。また、ダミー基板を用いない方法では、載置台の基板載置面がプラズマに晒されるため、プラズマの強度を高くすることができないので、処理容器内の反応生成物の除去に時間を要する。したがって、ダミー基板を用いない方法も生産性の点で改善の余地がある。
【0012】
そこで、本開示にかかる技術は、基板表面のモリブデン膜のエッチング時に生じた反応生成物を、生産性の悪化を抑制しながら除去する。
【0013】
以下、本実施形態にかかる基板処理方法及び基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0014】
【0015】
図１のプラズマ処理装置１は、複数の基板を基板毎に順次処理する枚葉式の装置である。プラズマ処理装置１の処理対象の基板は、平面視矩形のガラス基板Ｇ（以下、「基板Ｇ」という。）である。基板Ｇの表面には図２に示すようにモリブデン（Ｍｏ）膜Ｆ１が形成されている。
プラズマ処理装置１は、処理ガスのプラズマにより基板Ｇを処理して、Ｍｏ膜Ｆ１をエッチングする。
プラズマ処理装置１は、処理ガスのプラズマにより基板Ｇを処理して、Ｍｏ膜Ｆ１をエッチングする。
【0016】
本実施形態において、Ｍｏ膜Ｆ１は、ゲート絶縁（ＧＩ）膜Ｆ２上に形成されており、ゲート電極として機能するようプラズマ処理装置１にエッチングされる。ＧＩ膜Ｆ２は例えばシリコン系絶縁膜である。Ｍｏ膜Ｆ１上にはエッチングマスクとしてのフォトレジスト（ＰＲ）膜Ｆ３が形成されている。
また、Ｍｏ膜Ｆ１の厚さは例えば２００ｎｍ～３００ｎｍである。
また、Ｍｏ膜Ｆ１の厚さは例えば２００ｎｍ～３００ｎｍである。
【0017】
プラズマ処理装置１は、図１に示すように、有底の角筒形状の容器本体１０を備える。容器本体１０は、導電性材料、例えばアルミニウムから形成され、電気的に接地されている。また、容器本体１０の上面には開口が形成されている。この開口は、容器本体１０と絶縁されて設けられた矩形状の金属窓２０によって気密に塞がれ、具体的には、金属窓２０及び後述の金属枠１４によって気密に塞がれる。容器本体１０及び金属窓２０によって囲まれた空間は、プラズマ処理の処理対象の基板Ｇがプラズマ処理時に位置する処理空間Ｋ１となり、金属窓２０の上方側の空間は、後述の高周波アンテナ（プラズマアンテナ）８０が配置されるアンテナ室Ｋ２となる。容器本体１０の側壁には、処理空間Ｋ１内に基板Ｇを搬入出するための搬入出口１１及び搬入出口１１を開閉するゲートバルブ１２が設けられている。
【0018】
処理空間Ｋ１の下部側には、金属窓２０と対向するように、載置台３０が設けられている。載置台３０は、その上面が、基板Ｇが載置される基板載置面となる台本体３１を有し、台本体３１が脚部３２を介して容器本体１０の底面に設置されている。
【0019】
台本体３１は、導電性材料、例えばアルミニウムで構成された基部３１ａと、基板Ｇを静電吸着により保持する静電チャック３１ｂが設けられている。
基部３１ａには、整合器４０を介して高周波電源４１が接続されている。高周波電源４１は、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が３．２ＭＨｚの高周波電力を基部３１ａに供給する。これにより、処理空間Ｋ１内に生成されたプラズマ中のイオンを基板Ｇに引き込むことができる。
基部３１ａには、整合器４０を介して高周波電源４１が接続されている。高周波電源４１は、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が３．２ＭＨｚの高周波電力を基部３１ａに供給する。これにより、処理空間Ｋ１内に生成されたプラズマ中のイオンを基板Ｇに引き込むことができる。
【0020】
容器本体１０の底壁には、排気口１３が形成され、この排気口１３には不図示の圧力制御バルブや真空ポンプ等を有する排気部５０が接続されている。処理空間Ｋ１は、この排気部５０によって減圧され、クリーニング処理やエッチング処理などの間、所定の圧力に維持されうる。排気部５０は、複数の排気口１３のそれぞれに設けられてもよいし、複数の排気口１３に共通に設けられてもよい。
【0021】
容器本体１０の側壁の上面側には、アルミニウム等の金属材料から形成された矩形状の枠体である金属枠１４が設けられている。容器本体１０と金属枠１４と金属窓２０とが、減圧可能に構成され載置台３０を収容する処理容器Ｃを構成する。
【0022】
金属窓２０は、例えば平面視矩形状に形成されている。また、金属窓２０は、処理空間Ｋ１に処理ガスを供給するシャワーヘッドとして機能する。例えば、金属窓２０には、処理ガスを下方に吐出する多数のガス吐出孔２１と、処理ガスを拡散させる拡散室２２が形成されており、ガス吐出孔２１と拡散室２２とが連通している。
【0023】
拡散室２２は、ガス供給管６０を介してガス供給源６１に接続されている。ガス供給管６０には、ガス供給機構６２が接続されている。ガス供給機構６２は、流量調整弁（図示せず）や開閉弁（図示せず）等を備え、ガス供給源６１からの処理ガス等を拡散室２２に供給する。
なお、金属窓２０は、絶縁部材２３によって金属枠１４から電気的に絶縁されている。
なお、金属窓２０は、絶縁部材２３によって金属枠１４から電気的に絶縁されている。
【0024】
さらに、金属窓２０の上方側には天板部７０が配置されている。天板部７０は、金属枠１４上に設けられた側壁部７１によって支持されている。
【0025】
上述の金属窓２０、側壁部７１及び天板部７０にて囲まれた空間はアンテナ室Ｋ２を構成し、アンテナ室Ｋ２の内部には、金属窓２０に面するように高周波アンテナ８０が配置されている。
【0026】
高周波アンテナ８０は、例えば、絶縁材料から形成されるスペーサ（図示せず）を介して金属窓２０から離間して配置される。
高周波アンテナ８０には、整合器４２を介して、プラズマ生成手段としての高周波電源４３が接続されている。高周波アンテナ８０には、高周波電源４３から整合器４２を介して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。これにより、金属窓２０を介して、処理空間Ｋ１の内部に誘導電界が形成され、ガス吐出孔２１から吐出された処理ガスが誘導電界によってプラズマ化される。
高周波アンテナ８０には、整合器４２を介して、プラズマ生成手段としての高周波電源４３が接続されている。高周波アンテナ８０には、高周波電源４３から整合器４２を介して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。これにより、金属窓２０を介して、処理空間Ｋ１の内部に誘導電界が形成され、ガス吐出孔２１から吐出された処理ガスが誘導電界によってプラズマ化される。
【0027】
さらに、プラズマ処理装置１では、容器本体１０の側壁に窓１５が設けられている。また、プラズマ処理装置１には、処理容器Ｃの内部のプラズマ光が窓１５を介して検出器としての発光モニタ９０に入射するよう、当該発光モニタ９０が接続されている。発光モニタ９０は、プラズマ光の特定の波長の光について、発光強度を検出する。発光モニタ９０による検出結果は後述の制御部Ｕに出力される。
【0028】
さらに、プラズマ処理装置１には制御部Ｕが設けられている。制御部Ｕは、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１による後述の基板処理を制御するプログラムが格納されている。上述のプログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部Ｕにインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体は一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。
なお、制御部Ｕは、基板Ｇを搬送し処理容器Ｃ内に搬入出する搬送機構１００も制御する。
なお、制御部Ｕは、基板Ｇを搬送し処理容器Ｃ内に搬入出する搬送機構１００も制御する。
【0029】
＜基板処理＞
次に、プラズマ処理装置１による基板処理について説明する。図３は、プラズマ処理装置１による基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。図４及び図５は、基板処理中の基板Ｇの状態を示す図である。
次に、プラズマ処理装置１による基板処理について説明する。図３は、プラズマ処理装置１による基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。図４及び図５は、基板処理中の基板Ｇの状態を示す図である。
【0030】
（ステップＳ１）
まず、図３に示すように、制御部Ｕの制御の下、基板Ｇが、処理容器Ｃの内部に搬入され、載置台３０に載置される。
具体的には、制御部Ｕが、容器本体１０の側壁の搬入出口１１が開状態となるよう、ゲートバルブ１２を制御する。また、基板Ｇが、処理容器Ｃに隣接する真空雰囲気の搬送室（図示せず）から搬入出口１１を介して処理空間Ｋ１内に搬送され、載置台３０の上面すなわち基板載置面に載置されるよう、制御部Ｕが搬送機構１００等を制御する。なお、図１においては、説明上の都合により搬送機構１００が上述の搬送室から離れて図示されているが、実際の装置においては搬送機構１００は処理容器Ｃに隣接する搬送室の内部に配置され、搬送室と処理容器Ｃとの間で基板Ｇを搬送可能なように構成されている。
その後、制御部Ｕが、搬入出口１１が閉状態となるよう、ゲートバルブ１２を制御する。そして、制御部Ｕが、処理空間Ｋ１内が排気され所定の圧力になるよう、排気部５０を制御する。
まず、図３に示すように、制御部Ｕの制御の下、基板Ｇが、処理容器Ｃの内部に搬入され、載置台３０に載置される。
具体的には、制御部Ｕが、容器本体１０の側壁の搬入出口１１が開状態となるよう、ゲートバルブ１２を制御する。また、基板Ｇが、処理容器Ｃに隣接する真空雰囲気の搬送室（図示せず）から搬入出口１１を介して処理空間Ｋ１内に搬送され、載置台３０の上面すなわち基板載置面に載置されるよう、制御部Ｕが搬送機構１００等を制御する。なお、図１においては、説明上の都合により搬送機構１００が上述の搬送室から離れて図示されているが、実際の装置においては搬送機構１００は処理容器Ｃに隣接する搬送室の内部に配置され、搬送室と処理容器Ｃとの間で基板Ｇを搬送可能なように構成されている。
その後、制御部Ｕが、搬入出口１１が閉状態となるよう、ゲートバルブ１２を制御する。そして、制御部Ｕが、処理空間Ｋ１内が排気され所定の圧力になるよう、排気部５０を制御する。
【0031】
（ステップＳ２）
続いて、制御部Ｕの制御の下、後述のステップＳ３におけるフッ素を含む第１の処理ガスのプラズマによるＭｏ膜Ｆ１のエッチングの前に、処理容器Ｃの内部に同じ第１の処理ガスのプラズマが生成され、処理容器Ｃの内部がクリーニングされる。
具体的には、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとの混合ガスが第１の処理ガスとして金属窓２０を介して処理空間Ｋ１に供給されるよう、制御部Ｕがガス供給機構６２等を制御する。また、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスがプラズマ化されるよう、制御部Ｕが高周波電源４３等を制御する。これにより、処理容器Ｃの内部が、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスのプラズマでクリーニングされる。
続いて、制御部Ｕの制御の下、後述のステップＳ３におけるフッ素を含む第１の処理ガスのプラズマによるＭｏ膜Ｆ１のエッチングの前に、処理容器Ｃの内部に同じ第１の処理ガスのプラズマが生成され、処理容器Ｃの内部がクリーニングされる。
具体的には、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとの混合ガスが第１の処理ガスとして金属窓２０を介して処理空間Ｋ１に供給されるよう、制御部Ｕがガス供給機構６２等を制御する。また、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスがプラズマ化されるよう、制御部Ｕが高周波電源４３等を制御する。これにより、処理容器Ｃの内部が、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスのプラズマでクリーニングされる。
【0032】
このクリーニング中、プラズマの発光強度は発光モニタ９０により検出されており、検出結果は制御部Ｕに出力されている。
そして、このクリーニングは、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される。
具体的には、以下の通りである。
そして、このクリーニングは、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される。
具体的には、以下の通りである。
【0033】
すなわち、クリーニング中、フッ素の輝線スペクトルの波長のプラズマ光の発光強度は、一度ピークを迎えた後、クリーニングの進行すなわち処理容器Ｃ内の異物の減少に伴い徐々に低下し、処理容器Ｃ内の異物が無くなる付近では一定となる（後述の図７参照）。そのため、クリーニング中、発光モニタ９０が、フッ素の輝線スペクトルの波長のプラズマ光を受光し、その強度を測定し、測定結果を出力するよう、制御部Ｕが発光モニタ９０を制御する。そして、制御部Ｕが、フッ素の輝線スペクトルにかかる発光強度の単位時間当たりの低下量が閾値を超えていた状態から閾値以下となった否か判定し、閾値以下の判定が得られるまで、クリーニングが行われるよう制御する。
【0034】
（ステップＳ３）
次いで、制御部Ｕの制御の下、フッ素を含む第１の処理ガスがプラズマ化されＭｏ膜Ｆ１がエッチングされる。
具体的には、ステップＳ２と同様、ＳＦ６ガスとＯ２ガスとの混合ガスが第１の処理ガスとして金属窓２０を介して処理空間Ｋ１に供給され且つＳＦ６ガス及びＯ２ガスがプラズマ化されるよう、制御部Ｕがガス供給機構６２、高周波電源４３等を制御する。これにより、基板Ｇ上のＭｏ膜Ｆ１がエッチングされる。具体的には、図４に示すように、基板Ｇ上のＭｏ膜Ｆ１におけるＰＲ膜Ｆ３にマスクされていない部分（以下、非マスク部分）がエッチングされる。
次いで、制御部Ｕの制御の下、フッ素を含む第１の処理ガスがプラズマ化されＭｏ膜Ｆ１がエッチングされる。
具体的には、ステップＳ２と同様、ＳＦ６ガスとＯ２ガスとの混合ガスが第１の処理ガスとして金属窓２０を介して処理空間Ｋ１に供給され且つＳＦ６ガス及びＯ２ガスがプラズマ化されるよう、制御部Ｕがガス供給機構６２、高周波電源４３等を制御する。これにより、基板Ｇ上のＭｏ膜Ｆ１がエッチングされる。具体的には、図４に示すように、基板Ｇ上のＭｏ膜Ｆ１におけるＰＲ膜Ｆ３にマスクされていない部分（以下、非マスク部分）がエッチングされる。
【0035】
ステップＳ３の、フッ素を含む第１の処理ガスのプラズマ（具体的にはＳＦ６ガス及びＯ２ガスのプラズマ）を用いたＭｏ膜Ｆ１のエッチングは、エッチング速度及びＰＲ膜に対する選択比が高いがＧＩ膜Ｆ２に対する選択比が低い。そのため、ステップＳ３のエッチングはＧＩ膜Ｆ２が露出しないように行われる。具体的には、ステップＳ３のエッチングは、Ｍｏ膜Ｆ１における非マスク部分の厚さが３０～５０ｎｍになるまで行われる。
【0036】
また、ステップＳ３のエッチングはステップＳ２のクリーニングから連続して行われる。すなわち、ステップＳ３のエッチングとステップＳ２のクリーニングとの間で、プラズマ生成用の高周波電力の供給の停止等は行われない。
【0037】
ステップＳ３のエッチングの時間は、例えば、ステップＳ２のクリーニングの終了時点（すなわちフッ素の輝線スペクトルにかかる発光強度の単位時間当たりの変化量が閾値以下となった時点）を基準に設定される。つまり、ステップＳ３のエッチングは、例えば、ステップＳ２のクリーニングの終了時点（すなわち予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなった時点）から所定の時間が経過するまで継続される。そして、上記所定の時間は、ステップＳ３のエッチングにより上述のようにＧＩ膜Ｆ２が露出しないよう設定され、例えば数十秒である。
なお、ステップＳ３のエッチングとステップＳ２のクリーニングとで、フッ素を含む第１の処理ガス（具体的にはＳＦ６ガスとＯ２ガス）の流量や処理容器Ｃ内の圧力、高周波電源４３により供給される高周波電力などの処理条件は、基本的には同じであり、プラズマからの発光により特定されるクリーニングの終了時点よりも前をステップＳ２、それ以降をステップＳ３として判別する。ただし、必要に応じてステップＳ３とステップＳ２の処理条件を変えてもよい。
なお、ステップＳ３のエッチングとステップＳ２のクリーニングとで、フッ素を含む第１の処理ガス（具体的にはＳＦ６ガスとＯ２ガス）の流量や処理容器Ｃ内の圧力、高周波電源４３により供給される高周波電力などの処理条件は、基本的には同じであり、プラズマからの発光により特定されるクリーニングの終了時点よりも前をステップＳ２、それ以降をステップＳ３として判別する。ただし、必要に応じてステップＳ３とステップＳ２の処理条件を変えてもよい。
【0038】
ステップＳ３におけるエッチングが終了すると、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスのプラズマ生成用の高周波電力の供給が停止され、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスの供給が停止され、処理容器Ｃ内のＳＦ６ガス及びＯ２ガスの排出が行われるよう、制御部Ｕがガス供給機構６２、高周波電源４３、排気部５０等を制御する。
【0039】
なお、ステップＳ２においてもＭｏ膜Ｆ１のエッチングが多少進み、ステップＳ３においても処理容器Ｃ内のクリーニングが多少進む。そのため、ステップＳ２、ステップＳ３の２つのステップは、以下の１つのステップと捉えることができる。すなわち、フッ素を含む第１の処理ガスのプラズマ（具体的にはＳＦ６ガス及びＯ２ガスのプラズマ）を用いたＭｏ膜Ｆ１のエッチング及び処理容器Ｃ内のクリーニングが、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される、１つのステップと捉えることができる。
【0040】
（ステップＳ４）
続いて、制御部Ｕの制御の下、塩素を含む第２の処理ガスがプラズマ化されＭｏ膜Ｆ１がさらにエッチングされる。
具体的には、塩素（Ｃｌ２）ガスとＯ２ガスとの混合ガスが第２の処理ガスとして金属窓２０を介して処理空間Ｋ１に供給されるよう、制御部Ｕがガス供給機構６２等を制御する。また、Ｃｌ２ガス及びＯ２ガスがプラズマ化されるよう、制御部Ｕが高周波電源４３等を制御する。これにより、基板Ｇ上のＭｏ膜Ｆ１がエッチングされる。具体的には、図５に示すように、Ｍｏ膜Ｆ１におけるステップＳ３で薄くされた部分が除去されるよう、すなわち、非マスク部分においてＧＩ膜Ｆ２が露出するよう、エッチングが行われる。
続いて、制御部Ｕの制御の下、塩素を含む第２の処理ガスがプラズマ化されＭｏ膜Ｆ１がさらにエッチングされる。
具体的には、塩素（Ｃｌ２）ガスとＯ２ガスとの混合ガスが第２の処理ガスとして金属窓２０を介して処理空間Ｋ１に供給されるよう、制御部Ｕがガス供給機構６２等を制御する。また、Ｃｌ２ガス及びＯ２ガスがプラズマ化されるよう、制御部Ｕが高周波電源４３等を制御する。これにより、基板Ｇ上のＭｏ膜Ｆ１がエッチングされる。具体的には、図５に示すように、Ｍｏ膜Ｆ１におけるステップＳ３で薄くされた部分が除去されるよう、すなわち、非マスク部分においてＧＩ膜Ｆ２が露出するよう、エッチングが行われる。
【0041】
ステップＳ４の、塩素を含む第２の処理ガスのプラズマ（具体的にはＣｌ２ガス及びＯ２ガスのプラズマ）を用いたＭｏ膜Ｆ１のエッチングは、エッチング速度は低いが、ＧＩ膜Ｆ２に対する選択比が高い。そのため、ＧＩ膜Ｆ２の非マスク部分を、その厚さを変えずにＭｏ膜Ｆ１から露出させることができる。
【0042】
ステップＳ４のエッチング中、プラズマの発光強度は発光モニタ９０により検出されており、検出結果は制御部Ｕに出力されている。
そして、ステップＳ４のエッチングは、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される。
具体的には、以下の通りである。
そして、ステップＳ４のエッチングは、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続される。
具体的には、以下の通りである。
【0043】
すなわち、Ｃｌ２ガス及びＯ２ガスのプラズマを用いたＭｏ膜Ｆ１のエッチングが進むと、酸素の輝線スペクトルの波長のプラズマ光の発光強度は、徐々に強くなり、ＧＩ膜Ｆ２の所望の部分全体が露出する付近では一定となる（後述の図９参照）。そのため、エッチング中、発光モニタ９０が、酸素の輝線スペクトルの波長のプラズマ光を受光し、その強度を測定し、測定結果を出力するよう、制御部Ｕが発光モニタ９０を制御する。そして、制御部Ｕが、酸素の輝線スペクトルにかかる発光強度の単位時間当たりの上昇量が閾値を超えていた状態から閾値以下となったか否か判定し、閾値以下の判定が得られるまで、エッチングが行われるよう制御する。
【0044】
ステップＳ４におけるエッチングが終了すると、Ｃｌ２ガス及びＯ２ガスのプラズマ生成用の高周波電力の供給が停止され、Ｃｌ２ガス及びＯ２ガスの供給が停止され、処理容器Ｃ内のＣｌ２ガス及びＯ２ガスの排出が行われるよう、制御部Ｕがガス供給機構６２、高周波電源４３、排気部５０等を制御する。
【0045】
（ステップＳ５）
そして、制御部Ｕの制御の下、基板Ｇが、処理容器Ｃから搬出される。
具体的には、制御部Ｕが、容器本体１０の側壁の搬入出口１１が開状態となるよう、ゲートバルブ１２を制御する。また、載置台３０上に載置されていた基板Ｇが、搬入出口１１を介して処理容器Ｃから搬出されるよう、制御部Ｕが搬送機構１００等を制御する。その後、制御部Ｕが、搬入出口１１が閉状態となるよう、ゲートバルブ１２を制御する。
そして、制御部Ｕの制御の下、基板Ｇが、処理容器Ｃから搬出される。
具体的には、制御部Ｕが、容器本体１０の側壁の搬入出口１１が開状態となるよう、ゲートバルブ１２を制御する。また、載置台３０上に載置されていた基板Ｇが、搬入出口１１を介して処理容器Ｃから搬出されるよう、制御部Ｕが搬送機構１００等を制御する。その後、制御部Ｕが、搬入出口１１が閉状態となるよう、ゲートバルブ１２を制御する。
【0046】
これにより一連の基板処理が終了し、次の基板Ｇについて、ステップＳ１～Ｓ５が順に行われる。言い換えると、本実施形態では、プラズマ処理装置１で複数の基板Ｇを連続処理する場合、基板Ｇ毎にステップＳ１～Ｓ５を順に行う。
【0047】
＜作用効果＞
本実施形態において、ステップＳ４のエッチングでは、前述のように、塩素を含む第２の処理ガスのプラズマ（具体的にはＣｌ２ガス及びＯ２ガスのプラズマ）を用いている。このプラズマによるＭｏ膜Ｆ１のエッチングは、ＧＩ膜Ｆ２に対する選択比が高いが、塩化モリブデン（ＭｏＣｌ）という蒸気圧の低い反応生成物が生成される。この反応生成物は、蒸気圧が低い故に、処理容器Ｃの内壁に付着しやすい。付着を防止するために、処理容器Ｃの内壁面が高温になるように構成しても、処理容器Ｃ内の圧力等によっては付着を完全に防ぐことはできない。
本実施形態において、ステップＳ４のエッチングでは、前述のように、塩素を含む第２の処理ガスのプラズマ（具体的にはＣｌ２ガス及びＯ２ガスのプラズマ）を用いている。このプラズマによるＭｏ膜Ｆ１のエッチングは、ＧＩ膜Ｆ２に対する選択比が高いが、塩化モリブデン（ＭｏＣｌ）という蒸気圧の低い反応生成物が生成される。この反応生成物は、蒸気圧が低い故に、処理容器Ｃの内壁に付着しやすい。付着を防止するために、処理容器Ｃの内壁面が高温になるように構成しても、処理容器Ｃ内の圧力等によっては付着を完全に防ぐことはできない。
【0048】
本実施形態では、上述のように処理容器Ｃの内部の反応生成物の除去すなわちクリーニングを行っているが、このクリーニングのためにダミー基板を用いていない。したがって、ダミー基板と製品用の基板と入れ替えが不要であるため、生産性の悪化を抑制しながら上記反応生成物を除去することができる。
【0049】
また、本実施形態では、載置台３０の基板載置面に基板Ｇが載置された状態でクリーニングが行われ、載置台３０の基板載置面がプラズマに晒されないため、載置台３０の基板載置面がプラズマに晒される場合と異なり、プラズマの強度を高くすることができる。この観点からも、本実施形態によれば、生産性の悪化を抑制しながら上記反応生成物を除去することができる。
【0050】
さらに、本実施形態では、ステップＳ２のクリーニングに連続してステップＳ３のエッチングを行っている。したがって、ステップＳ２のクリーニングとステップＳ３のエッチングの間に他のステップを挟む形態に比べて、本実施形態は基板処理に要する時間が短いため、高い生産性で上記反応生成物を除去しながら、Ｍｏ膜Ｆ１をエッチングすることができる。
【0051】
さらにまた、本実施形態では、上述のように基板Ｇ毎にステップＳ１～ステップＳ５を順で行っている。具体的には、本実施形態では、基板Ｇ毎に、ステップＳ３のＭｏ膜Ｆ１のエッチングの前に、ステップＳ２において処理容器Ｃの内部の反応生成物の除去すなわちクリーニングを行う。そのため、基板Ｇの処理を重ねたときに、ステップＳ４で生成された反応生成物が処理容器Ｃの内部に蓄積されるのを抑制することができる。
また、本実施形態では、ステップＳ２の処理容器Ｃの内部のクリーニングを、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続している。そのため、上記クリーニングにより、処理容器Ｃの内部の反応生成物の量を十分少なくすることができ、反応生成物が基板Ｇに悪影響を及ぼすのをさらに抑制することができる。
また、本実施形態では、ステップＳ２の処理容器Ｃの内部のクリーニングを、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続している。そのため、上記クリーニングにより、処理容器Ｃの内部の反応生成物の量を十分少なくすることができ、反応生成物が基板Ｇに悪影響を及ぼすのをさらに抑制することができる。
【0052】
ここで、本実施形態と異なり、ステップＳ２の処理容器Ｃ内のクリーニングを省略し、ステップＳ３のＭｏ膜Ｆ１のエッチングを所定の時間を行った後、ステップＳ４のＭｏ膜Ｆ１のエッチングを行う方法（以下、比較の方法）について説明する。この比較の方法で基板Ｇを連続して処理すると、処理容器Ｃの内部に反応生成物が蓄積していく。反応生成物が蓄積していくと、ステップＳ３において、第１の処理ガスのプラズマがＭｏ膜Ｆ１のエッチングではなく反応生成物との反応で利用される割合が増えていく。そうすると、比較の方法では、基板の処理枚数を重ねる毎に、ステップＳ３のエッチング後におけるＭｏ膜Ｆ１の非マスク部分が厚くなっていってしまう。
【0053】
ステップＳ３のエッチング後におけるＭｏ膜Ｆ１の非マスク部分は所望の厚さでなければならない。その理由は以下の通りである。
すなわち、ステップＳ３に続いて行われる、塩素を含む第２の処理ガスのプラズマを用いたステップＳ４のＭｏ膜Ｆ１のエッチングが、ＰＲ膜Ｆ３に対する選択比が低い。そのため、Ｍｏ膜Ｆ１の非マスク部分が厚くエッチングし切るのに時間を要すると、マスクが過度に消耗してマスクの線幅が細くなり、これにより、ステップＳ４のエッチング後のＭｏ膜Ｆ１の線幅が細くなってしまうから、である。
したがって、比較の方法では、基板の処理枚数を重ねる毎に、ステップＳ４のエッチング後のＭｏ膜Ｆ１の線幅が細くなっていってしまう。
すなわち、ステップＳ３に続いて行われる、塩素を含む第２の処理ガスのプラズマを用いたステップＳ４のＭｏ膜Ｆ１のエッチングが、ＰＲ膜Ｆ３に対する選択比が低い。そのため、Ｍｏ膜Ｆ１の非マスク部分が厚くエッチングし切るのに時間を要すると、マスクが過度に消耗してマスクの線幅が細くなり、これにより、ステップＳ４のエッチング後のＭｏ膜Ｆ１の線幅が細くなってしまうから、である。
したがって、比較の方法では、基板の処理枚数を重ねる毎に、ステップＳ４のエッチング後のＭｏ膜Ｆ１の線幅が細くなっていってしまう。
【0054】
それに対し、本実施形態では、ステップＳ２の処理容器Ｃの内部のクリーニングを、予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなるまで継続し、処理容器Ｃの内部の反応生成物の量を十分少なくすることを基板Ｇ毎に行う。そして、本実施形態では、ステップＳ３のＭｏ膜Ｆ１のエッチングを、ステップＳ２のクリーニングの終了時点（すなわち予め定められた波長のプラズマ光の発光強度が変化しなくなった時点）から所定の時間が経過するまで行う。そのため、本実施形態では、ステップＳ３のエッチング後におけるＭｏ膜Ｆ１の非マスク部分は所望の厚さで一定となる。したがって、本実施形態によれば、基板Ｇの処理を重ねたときに、各基板Ｇについて、ステップＳ４のエッチング後のＭｏ膜Ｆ１を、所望の形状（具体的には所望の線幅）にすることができる。
【実施例0055】
比較例では、前述の比較の方法で複数枚の基板Ｇを連続して処理した。
一方、実施例では本実施形態にかかる方法で５枚の基板Ｇを連続して処理した。
比較例及び実施例では、第１の処理ガスとしてＳＦ６ガス及びＯ２ガスを用いて、第２の処理ガスとしてＣｌ２ガス及びＯ２ガスを用いた。
また、比較例において、ステップＳ３のＭｏ膜Ｆ１のエッチングは約４０秒行われた。一方、実施例では、ステップＳ３のＭｏ膜のエッチングは、フッ素の輝線スペクトルの波長（７０４ｎｍ）にかかるプラズマ光の発光強度の単位時間当たりの変化量が前述のように閾値以下となった時点から約４０秒経過するまで行われた。
一方、実施例では本実施形態にかかる方法で５枚の基板Ｇを連続して処理した。
比較例及び実施例では、第１の処理ガスとしてＳＦ６ガス及びＯ２ガスを用いて、第２の処理ガスとしてＣｌ２ガス及びＯ２ガスを用いた。
また、比較例において、ステップＳ３のＭｏ膜Ｆ１のエッチングは約４０秒行われた。一方、実施例では、ステップＳ３のＭｏ膜のエッチングは、フッ素の輝線スペクトルの波長（７０４ｎｍ）にかかるプラズマ光の発光強度の単位時間当たりの変化量が前述のように閾値以下となった時点から約４０秒経過するまで行われた。
【0056】
図６は、比較例のステップＳ３におけるＳＦ６ガス及びＯ２ガスのプラズマによるＭｏ膜Ｆ１のエッチング時に発光モニタ９０で検出された、特定のプラズマ光の発光強度の時間変化を示す図である。図７は、実施例のステップＳ２におけるＳＦ６ガス及びＯ２ガスのプラズマによるクリーニング及びステップＳ２に連続して行われるステップＳ３における同プラズマによるＭｏ膜Ｆ１のエッチング時に、発光モニタ９０で検出された、特定のプラズマ光の発光強度の時間変化を示す図である。図６において、横軸は、ステップＳ３の開始すなわちＳＦ６ガス及びＯ２ガスのプラズマ生成開始からの経過時間を示し、図７において、横軸は、ステップＳ２の開始すなわちＳＦ６ガス及びＯ２ガスのプラズマ生成開始からの経過時間を示している。また、図６及び図７において、縦軸はフッ素の輝線スペクトルの波長（７０４ｎｍ）にかかるプラズマ光の発光強度を示している。
【0057】
図６に示すように、比較例では、基板Ｇの処理を重ねる毎に、フッ素の輝線スペクトルの波長（７０４ｎｍ）にかかるプラズマ光の発光強度のピークが遅れて発生するようになっていた。これは、基板Ｇの処理を重ねる毎に、処理容器Ｃ内に反応生成物が蓄積されていることを示している。
【0058】
一方、図７に示すように、実施例では、基板Ｇの処理を重ねても、フッ素の輝線スペクトルの波長（７０４ｎｍ）にかかるプラズマ光の発光強度のピークの位置が変わらなかった。これは、処理容器Ｃ内への反応生成物の蓄積を抑制できていることを示している。
【0059】
図８は、比較例のステップＳ４におけるＣｌ２ガス及びＯ２ガスのプラズマによるＭｏ膜Ｆ１のエッチング時に発光モニタ９０で検出された、特定のプラズマ光の発光強度の時間変化を示す図である。図９は、実施例において図８と同様に検出された特定のプラズマ光の発光強度の時間変化を示す図である。図８及び図９において、横軸は、ステップＳ４の開始すなわちＣｌ２ガス及びＯ２ガスのプラズマ生成開始からの経過時間を示し、縦軸は酸素の輝線スペクトルの波長（７７７ｎｍ）にかかるプラズマ光の発光強度を示している。
【0060】
図８に示すように、比較例では、基板Ｇの処理を重ねる毎に、酸素の輝線スペクトルの波長（７７７ｎｍ）にかかるプラズマ光の発光強度の単位時間当たりの上昇量が前述のように閾値以下となるタイミング（二点鎖線参照）が遅れるようになっていた。具体的には、４枚目の基板Ｇでは、１枚目の基板Ｇに比べて、上記タイミングが約１４秒遅れていた。これは、基板Ｇの処理を重ねる毎に、Ｍｏ膜Ｆ１の非マスク部分をステップＳ４でエッチングし切るのに要する時間が長くなっていることを示している。Ｍｏ膜Ｆ１の非マスク部分をエッチングし切るのに要する時間が長くなれば、ステップＳ４のエッチング後におけるＭｏ膜Ｆ１のマスク部分の線幅が細くなってしまう。
【0061】
一方、図９に示すように、実施例では、基板Ｇの処理を重ねても、上記タイミング（二点鎖線参照）がほとんど変わらなかった。具体的には、２枚目の基板Ｇでは、１枚目の基板Ｇに比べて、上記タイミングが約４秒遅れているが、３枚目以降の基板Ｇは２枚目の基板Ｇと上記タイミングがほとんど変わらなかった。これは、基板Ｇの処理を重ねても、Ｍｏ膜Ｆ１の非マスク部分をステップＳ４でエッチングし切るのに要する時間がほとんど変わらないことを示している。したがって、実施例では、各基板Ｇについて、ステップＳ４のエッチング後におけるＭｏ膜Ｆ１のマスク部分を、所望の線幅とすることができる。
【0062】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【0063】
例えば、以上では、本実施形態にかかるプラズマ処理装置について、金属窓を有する誘導結合プラズマ装置として説明したが、金属窓の代わりに誘電体窓を有する誘導結合プラズマ装置であってもよい。この場合、処理ガスは、側壁から供給されてもよく、或いは、誘電体窓を下側から支持する梁をシャワーヘッドとして構成し、梁から供給するようにしてもよい。また、本開示にかかる技術は、誘導結合プラズマ装置に限らず、容量結合プラズマ装置や、マイクロ波プラズマ装置など、他の方式のプラズマ装置においても適用しうる。
【符号の説明】
【0064】
１ プラズマ処理装置
３０ 載置台
Ｃ 処理容器
Ｆ１ モリブデン膜
Ｇ ガラス基板
Ｕ 制御部
３０ 載置台
Ｃ 処理容器
Ｆ１ モリブデン膜
Ｇ ガラス基板
Ｕ 制御部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】