特開 2023-119253 クロムスパッタリングターゲットおよびクロムスパッタリングターゲットの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023119253

(43)【公開日】2023-08-28

(54)【発明の名称】クロムスパッタリングターゲットおよびクロムスパッタリングターゲットの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/34 20060101AFI20230821BHJP

   C22C 1/04 20230101ALI20230821BHJP

   B22F 3/24 20060101ALI20230821BHJP

   B22F 3/15 20060101ALI20230821BHJP

   B22F 1/00 20220101ALI20230821BHJP

【ＦＩ】

C23C14/34 A

C22C1/04 E

B22F3/24 C

B22F3/15 M

B22F1/00 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022022050

(22)【出願日】2022-02-16

(71)【出願人】

【識別番号】000101710

【氏名又は名称】アルバック成膜株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】000006644

【氏名又は名称】日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100141139

【弁理士】

【氏名又は名称】及川 周

(74)【代理人】

【識別番号】100134359

【弁理士】

【氏名又は名称】勝俣 智夫

(72)【発明者】

【氏名】細谷 守男

(72)【発明者】

【氏名】中畦 修

(72)【発明者】

【氏名】赤峰 隆義

(72)【発明者】

【氏名】大山 准平

【テーマコード（参考）】

4K018

4K029

【Ｆターム（参考）】

4K018AA40

4K018BA20

4K018BB04

4K018BB06

4K018BD09

4K018EA11

4K018FA06

4K018FA08

4K018KA29

4K029AA09

4K029AA24

4K029BA07

4K029CA05

4K029DC03

4K029DC04

4K029DC09

(57)【要約】

【課題】パーティクルの発生が抑制されたクロムスパッタリングターゲットおよびクロムスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】金属クロム又はクロム合金の多結晶体からなり、ターゲットの表面における、多結晶体に含まれる結晶粒２０の結晶粒界３０の幅が０．６５μｍ以下であるクロムスパッタリングターゲット１０およびその製造方法を提供する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属クロム又はクロム合金の多結晶体からなり、
ターゲットの表面における、前記多結晶体に含まれる結晶粒の結晶粒界の幅が０．６５μｍ以下である
ことを特徴とするクロムスパッタリングターゲット。

【請求項2】

結晶粒界の幅が０．４０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載のクロムスパッタリングターゲット。

【請求項3】

前記結晶粒の平均結晶粒径が２５０～４００μｍである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のクロムスパッタリングターゲット。

【請求項4】

不純物濃度が３０～１００ｐｐｍである
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のクロムスパッタリングターゲット。

【請求項5】

クロムスパッタリングターゲットの製造方法であって、
金属クロム又はクロム合金を含有する原料粉末を準備する準備工程と、
前記原料粉末にＨＩＰ処理を行いターゲット素材を得るＨＩＰ処理工程と、
前記ＨＩＰ処理工程の後に、前記ターゲット素材を再加熱する再加熱工程と、を含み、
前記ＨＩＰ処理工程における加熱温度よりも、前記再加熱工程における再加熱温度が高い
ことを特徴とするクロムスパッタリングターゲットの製造方法。

【請求項6】

前記ＨＩＰ処理工程における加熱温度が１１００℃以上１３００℃以下であり、圧力が１１０ＭＰａ以上１３０ＭＰａ以下であり、
前記再加熱工程における再加熱温度が１２００℃以上１６００℃以下である
ことを特徴とする請求項５に記載のクロムスパッタリングターゲットの製造方法。

【請求項7】

前記ＨＩＰ処理工程の保定時間が２時間以上６時間以下であり、
前記再加熱工程における再加熱の保定時間が２時間以上５時間以下である
ことを特徴とする請求項５又は６に記載のクロムスパッタリングターゲットの製造方法。

【請求項8】

前記準備工程において、粒度３００μｍ以下の前記原料粉末を得る
ことを特徴とする
ことを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載のクロムスパッタリングターゲットの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、クロムスパッタリングターゲットおよびクロムスパッタリングターゲットの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

クロムスパッタリングターゲットは、クロム薄膜の形成に広く用いられている。特に近年、クロム薄膜を用いたフォトマスクの高品質化が要望されており、ターゲットに由来するパーティクル汚染の問題が深刻化している。パーティクルとはクロム薄膜上の微粒子のことで、たとえば、径がサブミクロン以上の大きさのものを指す。このようなパーティクルがフォトマスク上に存在すると、フォトマスクパターンの欠陥などを引き起こし、製品の歩留まりを著しく低下させる。

【0003】

ここで、クロムターゲットの製造方法としては、一般的に溶解法、粉末冶金法に大別される。粉末冶金法としては、Ｈｏｔ Ｐｒｅｓｓ（ＨＰ）法、Ｈｏｔ Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓ（ＨＩＰ：熱間等方加圧）法等が知られている。ＨＩＰ法では、金属クロム微粉末を軟鉄製などの缶に入れて真空脱気し、この金属クロム微粉末を軟鉄製の缶ごと高温下において不活性ガスで加圧することでインゴット（ターゲット素材）を作製し、さらにインゴットを機械加工することでクロムスパッタリングターゲットを製造する方法である。

【0004】

例えば、特許文献１に開示される技術では、出発原料となる電解金属クロムフレークを微粉砕することなく、直接または粗粉砕してＨＩＰ処理にて成型することで、電解精製で得られた高純度金属クロムの品質を損なうことなく、極低酸素量のクロムターゲットが得られるとされている。また、特許文献２に開示される技術では、ターゲット表面に露出した、ターゲット中に存在する介在物の径およびその面積の割合を規定することで、パーティクルの少ないスパッタリング表面が得られるとされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１５－１９６８８５号公報

【特許文献2】特開平０６－１７２４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、特許文献１又は特許文献２に開示される技術を用いたとしても、不純物を低減させるための原料の調製などが必要でありコスト増加につながるなどして、パーティクル（異物）の発生を効果的に抑制することはできなかった。

【0007】

本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、パーティクルの発生が抑制されたクロムスパッタリングターゲットおよびクロムスパッタリングターゲットの製造方法を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

クロムスパッタリングターゲットは結晶粒を含む焼結体から構成されるが、本発明者らが鋭意検討した結果によれば、クロムスパッタリングターゲットを構成する結晶粒の間に形成される結晶粒界に異物が析出することがわかった。そして、本発明者らは、ターゲットの表面においてこのような異物が所定量以上生じた部分では、スパッタリングをした際にスパッタレートが他の部分より遅くなり、ターゲットの表面で突起が形成された結果、電界集中が起こり、このような電界集中が起こった箇所においてパーティクルの発生確率が高いことを見出した。

【0009】

（１）本発明の一態様に係るクロムスパッタリングターゲットは、
金属クロム又はクロム合金の多結晶体からなり、
ターゲットの表面における、前記多結晶体に含まれる結晶粒の結晶粒界の幅が０．６５μｍ以下である
ことを特徴とする。
（２）上記（１）に記載のクロムスパッタリングターゲットでは、
結晶粒界の幅が０．４０μｍ以下であってもよい。
（３）上記（１）又は（２）に記載のクロムスパッタリングターゲットでは、
前記結晶粒の平均結晶粒径が２５０～４００μｍであってもよい。
（４）上記（１）から（３）のいずれか１項に記載のクロムスパッタリングターゲットでは、
不純物濃度が３０～１００ｐｐｍであってもよい。
（５）本発明の一態様に係るクロムスパッタリングターゲットの製造方法は、
クロムスパッタリングターゲットの製造方法であって、
金属クロム又はクロム合金を含有する原料粉末を準備する準備工程と、
前記原料粉末にＨＩＰ処理を行いターゲット素材を得るＨＩＰ処理工程と、
前記ＨＩＰ処理工程の後に、前記ターゲット素材を再加熱する再加熱工程と、を含み、
前記ＨＩＰ処理工程における加熱温度よりも、前記再加熱工程における再加熱温度が高いことを特徴とする。
（６）上記（５）に記載のクロムスパッタリングターゲットの製造方法では、
前記ＨＩＰ処理工程における加熱温度が１１００℃以上１３００℃以下であり、圧力が１１０ＭＰａ以上１３０ＭＰａ以下であり、
前記再加熱工程における再加熱温度が１２００℃以上１６００℃以下であってもよい。
（７）上記（５）又は（６）に記載のクロムスパッタリングターゲットの製造方法では、
前記ＨＩＰ処理工程の保定時間が２時間以上６時間以下であり、
前記再加熱工程における再加熱の保定時間が２時間以上５時間以下であってもよい。
（８）上記（５）から（７）のいずれか１項に記載のクロムスパッタリングターゲットの製造方法では、
前記準備工程において、粒度３００μｍ以下の前記原料粉末を得るようにしてもよい。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、パーティクルの発生が抑制されたクロムスパッタリングターゲットおよびクロムスパッタリングターゲットの製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット中の結晶粒と結晶粒界を説明するための模式図である。

【図2】従来のクロムスパッタリングターゲット中の結晶粒と結晶粒界を説明するための模式図である。

【図3】実施例１の試料断面の光学顕微鏡像である。

【図4】比較例１の試料断面の光学顕微鏡像である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明の実施形態について例を挙げて説明するが、本発明は以下で説明する例に限定されないことは自明である。以下の説明では、具体的な数値や材料を例示する場合があるが、本発明の効果が得られる限り、他の数値や材料を適用してもよい。また、以下の実施形態の各構成要素は、互いに組み合わせることができる。

【0013】

以下、本発明に係るクロムスパッタリングターゲットの一実施形態を説明する。図１は、本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット中の結晶粒と結晶粒界を説明するための図であって、クロムスパッタリングターゲットの断面の模式図ある。図１に示すように、本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット１０は、結晶粒２０を有し、結晶粒２０の間に結晶粒界３０が形成される。

【0014】

［結晶粒］
本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット１０は、結晶粒２０を有する。結晶粒２０は、主な成分としてクロムを含む。結晶粒中のクロムの含有量は９９．９９％以上である。また結晶粒２０は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｗ等の不可避不純物元素を含んでいてもよい。

【0015】

結晶粒２０の平均結晶粒径は、２５０～４００μｍであることが好ましく、３５０～４００μｍであることがより好ましい。結晶粒２０の平均結晶粒径がこの大きさであることで、結晶粒界の幅がより狭くなるという効果がある。結晶粒２０の平均結晶粒径は、クロムスパッタリングターゲットの任意の１視野について、倍率１００倍の光学顕微鏡で観察した画像から、画像解析ソフトウェアを用いて複数の結晶粒径を測定し、その算術平均値とする。

【0016】

［結晶粒界］
結晶粒界３０は、結晶粒２０の間に形成される。本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット１０では、クロムスパッタリングターゲット１０の表面における、結晶粒界３０の幅（粒界幅）が０．６５μｍ以下である。

【0017】

結晶粒界３０は以下の方法で確認できる。測定の対象とするクロムスパッタリングターゲット１０と同じ材料から試料を切り出し、切り出した試料を一般的な組織観察ができる鏡面まで研磨した後、王水もしくはそれに相当するエッチング液でエッチングを行う。エッチングされた試料を光学顕微鏡にて倍率１００倍で観察し、この観察視野において、黒い線状帯として認識される箇所を結晶粒界３０とする。なお、この観察視野において、結晶粒２０は結晶粒界３０に囲まれた平面領域のように観察される。

【0018】

結晶粒界３０の幅とは、上述した観察視野において、結晶粒界３０に沿った方向に直交する方向における結晶粒界３０の長さを意味する。本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット１０では、結晶粒界の幅が０．６５μｍ以下である。結晶粒界３０の幅は、複数の測定箇所の算術平均値とし、結晶粒界の幅が０．６５μｍ以下であるとは、この平均値が０．６５μｍ以下であることを意味する。

【0019】

より具体的には、結晶粒界３０の幅は、走査型電子顕微鏡によって得られた画像（ＳＥＭ像）を基に、その大きさを測定することにより得られる。結晶粒界３０は、ＳＥＭ像のコントラストを画像処理ソフトで変更することで結晶粒界３０の境界を際立たせることで測定することが好ましい。

【0020】

本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット１０では、結晶粒界３０の幅が０．４０μｍ以下であることがより好ましい。

【0021】

本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット１０では、不純物濃度が３０～１００ｐｐｍであることが好ましい。不純物濃度が３０～１００ｐｐｍであることで、結晶粒径が大きくなるという効果がある。不純物濃度は、ＩＣＰ発光分光分析装置やグロー放電質量分析装置で測定できる。

【0022】

ここで、図２は、従来のクロムスパッタリングターゲットを説明するための図あって、図１と同様の模式図である。図２に示すように、従来のクロムスパッタリングターゲット１１では、結晶粒２１の間に結晶粒界３１が形成されるが、結晶粒界３１の幅が、例えば０．９０μｍ程度であった。

【0023】

これに対し、本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲットでは、結晶粒界３０の幅を０．６５μｍ以下とすることで、スパッタリングをした際に電解集中が生じるような突起の形成が抑制される。そのため、パーティクルの発生が抑制され、その結果スパッタリング処理によって製造される製品の歩留まりが向上する。

【0024】

結晶粒界３０は結晶の配向が乱れた領域であり、一般的には、結晶粒２０の内部に比べて、不純物が偏析しやすい傾向がある。本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット１０では、結晶粒２０の内部に不純物が存在することがあるが、不純物が結晶粒２０の内部に存在していたとしても、上述したような電解集中の要因となる突起の生成には関与しない。そのため、本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット１０では、クロムスパッタリングターゲット１０の全体に含まれる不純物の濃度を下げずとも、スパッタリング時のパーティクルの発生を抑制できる。

【0025】

なお、本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲット１０は、金属クロム又はクロム合金の多結晶体からなる。

【0026】

次に、本発明に係るクロムスパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態を説明する。下記の実施形態に係るクロムスパッタリングターゲットの製造方法では、準備工程、ＨＩＰ処理工程、再加熱工程をこの順に含む。各工程の前後には、他の工程が含まれてもよい。

【0027】

［準備工程］
準備工程では、クロム（Ｃｒ）を含有する原料粉末を準備する。原料粉末においては、クロムの純度が９９．９９％以上であることが好ましい。原料粉末の粒度は、焼結を安定させるという理由から、３００μｍ以下であることが好ましい。また原料粉末においては、後処理による結晶粒界の幅の細線化という理由から、酸素濃度が５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。

【0028】

［ＨＩＰ処理工程］
ＨＩＰ（熱間等方加圧）処理工程では、まず上記の原料粉末を成形型に充填する。成形型としては、ステンレス、鋼等からなる金属缶が用いられる。

【0029】

上述のようにして、原料粉末が充填された金属缶を真空密封する。原料粉末を真空密封した金属缶を、ＨＩＰ処理を実施する熱間静水圧プレス装置の圧力容器内に装入する。そして、加熱および加圧により、金属缶に真空密封されたクロム粉末を焼結する。

【0030】

ＨＩＰ処理工程では、加熱温度を１１００℃以上１３００℃以下、加圧圧力を１１０ＭＰａ以上１３０ＭＰａ以下とすることが好ましい。前述の条件を用いることで、焼結体をより緻密化することができる。なお、ＨＩＰ処理工程の保定時間（加熱および加圧時間）は、２時間以上６時間以下であることが好ましい。上記条件で焼結させることでターゲット素材が製造できる。

【0031】

［再加熱工程］
再加熱工程では、上記のようにして得られたターゲット素材に対して、ＨＩＰ処理工程における加熱温度よりも高い温度で再加熱処理を行う。再加熱工程における再加熱温度は、１２００℃以上１６００℃以下であることが好ましい。再加熱温度を１２００℃以上１６００℃以下とすることで再結晶を生じさせ結晶粒径を拡大させる効果がある。

【0032】

再加熱工程における再加熱の保定時間は、安定した再結晶粒を得るため、２時間以上５時間以下であることが好ましい。再加熱工程においては、加熱と共に、ターゲット素材に圧力を付与してもよい。

【0033】

ターゲット素材の再加熱は、不活性ガスを用いた公知の加熱炉などを用いて実施することが好ましい。

【0034】

本実施形態では、上記の再加熱工程を経たものをクロムスパッタリングターゲットと称する。本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲットの製造方法によれば、結晶粒界の幅を小さくすることができ、クロムスパッタリングターゲットを使用した際のパーティクルの発生を抑制することができる。また、本実施形態に係るクロムスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度の原料を必要としないため、クロムスパッタリングターゲットの製造コストの面でも有利である。

【0035】

上記の実施形態に係るクロムスパッタリングターゲットは、スパッタリング装置において、ガラスなどの基板上にクロムを形成するためのターゲットとして用いられる。

【実施例0036】

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。ただし本発明はこの実施例に限定されるものではない。

【0037】

本実施例では、表１に示す３種のクロムスパッタリングターゲットを作成した。以下に、各クロムスパッタリングターゲットの製造方法を説明する。

【0038】

［実施例１］
実施例１では、以下の条件の原料粉末を準備した。この原料粉末に対し、以下の条件のＨＩＰ処理を行った。また、ＨＩＰ処理の後に、以下の条件で再加熱処理を行った。

【0039】

（準備工程）
準備工程として、クロムの純度が９９．９９％、粒度３００μｍ以下、酸素濃度５０ｐｐｍ以下である原料粉末を準備した。原料粉末の粒度は、ふるい分け法により測定した。原料粉末の酸素濃度は、不活性ガス融解―赤外線吸収法により測定した。

【0040】

（ＨＩＰ処理工程）
次に、肉厚が２．８ｍｍで、内径２１６．３ｍｍ×高さ１００ｍｍの空間を有する円筒のステンレス缶の空間内に、上述の原料粉末を充填した。このとき、ステンレス缶の外面に振動を与えることによってタッピングを実施した。粉末充填密度は、４ｇ／ｃｍ^３であった。粉末充填密度は、ステンレス缶の空間内に充填されたクロム粉末の重量を測定し、空間の容積で割ることによって算出した。

【0041】

次に、クロム粉末をステンレス缶内に真空密封し、原料粉末を真空密封したステンレス缶を、熱間静水圧プレス装置の圧力容器内に装入し、この圧力容器内の雰囲気を、温度１１５０℃、圧力１２０ＭＰａで３時間保持し、クロム粉末を焼結した。その後、室温まで冷却したインゴットを切削し、内部の焼結体（径１６４ｍｍ×高さ６８ｍｍ）を取り出した。この焼結体を、機械加工により径１６４ｍｍ×厚さ８ｍｍの大きさに加工し、ターゲット素材を得た。

【0042】

（再加熱処理）
次に、上述のターゲット素材を加熱炉にて温度１４００℃で、２時間加熱し、冷却後径１６０ｍｍ×厚さ６ｍｍの大きさに加工して、クロムスパッタリングターゲットを得た。

【0043】

（比較例１）
比較例１では、実施例１と同じ粉末を準備し、この原料粉末に対し、以下の条件のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後のターゲット素材に対して再加熱処理は実施せず、ＨＩＰ処理後に機械加工を施したものをクロムスパッタリングターゲットとした。

【0044】

（準備工程）
実施例１と同じ準備工程を実施した。

【0045】

（ＨＩＰ処理工程）
充填の条件も実施例１と同じであり、充填密度も実施例１と同じであった。

【0046】

次に、クロム粉末をステンレス缶内に真空密封し、原料粉末を真空密封したステンレス缶を、熱間静水圧プレス装置の圧力容器内に装入し、この圧力容器内の雰囲気を、温度１１５０℃、圧力１２０ＭＰａで３時間保持し、クロム粉末を焼結した。その後、室温まで冷却したインゴットを切削し、内部の焼結体（径１６４ｍｍ×高さ６８ｍｍ）を取り出した。この焼結体を、機械加工により径１６０ｍｍ×厚さ６ｍｍの大きさに加工し、クロムスパッタリングターゲットを得た。

【0047】

（比較例２）
比較例２では、実施例１と同じ粉末を準備し、この原料粉末に対し、以下の条件のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後のターゲット素材に対して再加熱処理は実施せず、ＨＩＰ処理後に機械加工を施したものをクロムスパッタリングターゲットとした。

【0048】

（準備工程）
実施例１と同じ準備工程を実施した。

【0049】

（ＨＩＰ処理工程）
充填の条件も実施例１と同じであり、充填密度は実施例１と同じであった。

【0050】

次に、クロム粉末をステンレス缶内に真空密封し、原料粉末を真空密封したステンレス缶を、熱間静水圧プレス装置の圧力容器内に装入し、この圧力容器内の雰囲気を、温度１２５０℃、圧力１２０ＭＰａで３時間保持し、クロム粉末を焼結した。その後、室温まで冷却したインゴットを切削し、内部の焼結体（径１６４ｍｍ×高さ６８ｍｍ）を取り出した。この焼結体を、機械加工により径１６０ｍｍ×厚さ６ｍｍの大きさに加工し、クロムスパッタリングターゲットを得た。

【0051】

以上の製造方法によって得られた各クロムスパッタリングターゲットについて、以下の方法で、表１に示す各項目を測定した。
（平均結晶粒径）
平均結晶粒径は、三谷商事株式会社製ＷｉｎＲＯＯＦを用いて、画像解析法により測定した。

【0052】

（結晶粒界の幅）
各クロムスパッタリングターゲットから１０×１０×６ｍｍの大きさに試料を切り出し、切り出した試料を一般的な組織観察ができる鏡面まで研磨を行った。この試料に対し、王水またはそれに相当するエッチング液で、エッチングを行った。エッチングされた試料について、光学顕微鏡を用いて、倍率１００倍で結晶粒界を確認した。図３に、実施例１の試料の断面の光学顕微鏡像を示す。また、図４に、比較例１の試料の断面の光学顕微鏡像を示す。図３と図４からわかるように、実施例１の試料の断面では、比較例１の試料の断面と比較して、結晶粒界の幅が狭いことがわかる。図３及び図４は、結晶粒径の測定用の画像である。

【0053】

また、日立ハイテク社製ＳＵ－７０装置（走査型電子顕微鏡）を用いて、上記実施形態の手段によって結晶粒界の幅を測定した。

【0054】

各実施例および比較例に係るクロムスパッタリングターゲットを２個ずつ作成し、各クロムスパッタリングターゲットを用いて３５０枚のクロム薄膜を作成した。そして、各クロム薄膜上の欠陥の個数を調べた。表１に、クロム薄膜１枚当たりの、所定の大きさの欠陥の個数を示す。

【0055】

【表1】

【0056】

表１の結果より、同程度の平均結晶粒径を有する比較例２と比べて、本発明に係る実施例１のクロムスパッタリングターゲットでは、パーティクルの発生が抑制され、欠陥が少ないことが理解される。また、平均結晶粒径を小さくした比較例１のクロムスパッタリングターゲットと比較しても、本発明に係る実施例１のクロムスパッタリングターゲットでは、パーティクルの発生が抑制され、欠陥が少ないことが理解される。

【産業上の利用可能性】

【0057】

本発明に係るクロムスパッタリングターゲットおよびクロムスパッタリングターゲットの製造方法は、パーティクルの発生を抑制できるため、産業上極めて有用である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】