特開 2023-123096 成膜装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023123096

(43)【公開日】2023-09-05

(54)【発明の名称】成膜装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/24 20060101AFI20230829BHJP

【ＦＩ】

C23C14/24 G

【審査請求】有

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022026971

(22)【出願日】2022-02-24

(71)【出願人】

【識別番号】591065413

【氏名又は名称】キヤノントッキ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】菅原 由季

【テーマコード（参考）】

4K029

【Ｆターム（参考）】

4K029AA24

4K029BA31

4K029BA62

4K029DA12

4K029DB23

4K029HA01

4K029KA01

(57)【要約】

【課題】 シャッタに付着した成膜材料の落下を防ぐ技術を提供すること。
【解決手段】 本発明の成膜装置は、基板に成膜材料を放出する成膜源と基板との少なくともいずれかを所定の方向に移動させる第１移動手段と、成膜源から基板への成膜材料の入射を制限する第１の位置と、成膜源から基板への成膜材料の入射を制限しない１の位置との間でシャッタを移動するよう制御する第２移動手段と、を備え、第２移動手段は、成膜源及びシャッタが基板からみて所定の方向において同じ方向に位置し、成膜源の放出方向に基板が位置していない場合に、成膜源の放出方向に位置するシャッタを、所定の方向及び該所定の方向と反対方向にシャッタを移動するよう制御する。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

成膜装置であって、
基板に成膜材料を放出する成膜源と前記基板との少なくともいずれかを所定の方向に移動させる第１移動手段と、
前記成膜源から前記基板への成膜材料の入射を制限する第１の位置と、前記成膜源から前記基板への成膜材料の入射を制限しない１の位置との間でシャッタを移動するよう制御する第２移動手段と、
を備え、
前記第２移動手段は、前記成膜源及び前記シャッタが前記基板からみて前記所定の方向において同じ方向に位置し、前記成膜源の放出方向に前記基板が位置していない場合に、前記成膜源の前記放出方向に位置する前記シャッタを、前記所定の方向及び該所定の方向と反対方向に前記シャッタを移動するよう制御することを特徴とする成膜装置。

【請求項2】

成膜装置であって、
基板に成膜材料を放出する成膜源と前記基板との少なくともいずれかを所定の方向に移動させる第１移動手段と、
前記成膜源から前記基板への成膜材料の入射を制限する第１の位置と、前記成膜源から前記基板への成膜材料の入射を制限しない第１の位置との間でシャッタを移動するよう制御する第２移動手段と、
を備え、
前記第２移動手段は、前記成膜源及び前記シャッタが前記基板からみて前記所定の方向において同じ方向に位置し、前記成膜源の放出方向に前記基板が位置していない場合に、前記成膜源の放出方向の基準位置に位置する前記シャッタを、前記基準位置よりも前記所定の方向に位置する第１位置及び該所定の方向と反対方向に位置する第２位置に移動させることを特徴とする成膜装置。

【請求項3】

成膜装置であって、
基板に成膜材料を放出する成膜源と前記基板との少なくともいずれかを所定の方向に移動させる第１移動手段と、
前記成膜源から前記基板への成膜材料の入射を制限する第一の位置と、前記成膜源から前記基板への成膜材料の入射を制限しない第二の位置との間でシャッタを移動するよう制御する第２移動手段と、
を備え、
前記第２移動手段は、前記基板が前記成膜源の成膜範囲外に位置する場合、前記成膜源の放出方向に位置する前記シャッタを、前記所定の方向及び該所定の方向と反対の方向に移動させることを特徴とする成膜装置。

【請求項4】

前記第１移動手段は、前記所定の方向および前記所定の方向と反対の方向のいずれかに前記成膜源が移動するよう制御することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の成膜装置。

【請求項5】

前記第１移動手段は、前記成膜源が前記基板の下方に位置する成膜範囲から前記成膜範囲外に前記成膜源を移動させたあと、前記成膜源が再び前記成膜範囲へ進入するように制御することを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。

【請求項6】

前記第２移動手段は、前記成膜源が前記成膜範囲外に位置する間に前記シャッタの移動を制御することを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。

【請求項7】

前記第２移動手段は、前記成膜源が前記成膜範囲外から前記成膜範囲に移動することに応じて前記シャッタの移動動作を終了して前記シャッタの開閉動作を開始させることを特徴とする請求項６に記載の成膜装置。

【請求項8】

成膜装置であって、
成膜時にマスク及び基板を保持する保持部と、
前記成膜装置内を往復移動して成膜を行う成膜源と、
前記保持部に配置された前記基板への前記成膜源からの成膜材料の入射を制限する第一の位置と、前記保持部に配置された前記基板への前記成膜源からの成膜材料の入射を制限しない第二の位置との間でシャッタを移動させる移動手段と、
を備え、
前記移動手段は、前記保持部によって保持される前記基板への成膜時であって、前記成膜源の移動方向の切り替えに伴って前記成膜源が減速を開始してから加速を終了するまでの間に前記シャッタを移動させることを特徴とする成膜装置。

【請求項9】

前記移動手段は、前記成膜源の移動方向と逆の方向に前記シャッタを移動させることを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。

【請求項10】

前記移動手段は、前記シャッタが上下方向で前記基板の少なくとも一部に重なるように前記シャッタを移動させることを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。

【請求項11】

前記移動手段は、前記保持部によって保持される前記基板への成膜時であって、前記成膜源が移動していない状態において前記シャッタを移動させることを特徴とする請求項８から１０の何れか１項に記載の成膜装置。

【請求項12】

前記移動手段は、前記保持部によって保持される前記基板への成膜時であって、前記成膜源の移動方向の切り替えに伴って前記成膜源が減速してから加速するまでの間に、前記第一の位置と前記第二の位置との間の複数の位置のいずれかで前記シャッタを停止させることを特徴とする請求項８から１１の何れかに記載の成膜装置。

【請求項13】

前記移動手段は、前記成膜源の移動方向の切り替え回数に応じて前記複数の位置のいずれの位置に前記シャッタを停止させるかを決定することを特徴とする請求項１２に記載の成膜装置。

【請求項14】

前記移動手段は、成膜処理の経過時間に応じて前記複数の位置のいずれの位置に前記シャッタを停止させるかを決定することを特徴とする請求項１２に記載の成膜装置。

【請求項15】

前記移動手段は、前記保持部によって保持される前記基板への成膜時であって、前記成膜源が前記基板の直下を移動している間、前記シャッタが上下方向で前記成膜源と前記基板との間に位置しないように前記シャッタを移動させることを特徴とする請求項８から１４のいずれか１項に記載の成膜装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、成膜源を移動させて基板に成膜材料を成膜する成膜装置に関する。

【0002】

有機ＥＬディスプレイ等の製造設備として、成膜室に基板を搬送して基板に対する成膜を行う装置が知られている。特許文献１には、蒸発源を移動して成膜材料の放出を行うスキャン成膜型の成膜装置が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－１９６６８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ここで、成膜材料の経路を開閉するためのシャッタには蒸発源から放出された成膜材料が付着する。また、シャッタに付着した成膜材料の厚みが大きくなると、成膜材料が落下し、ノズルに付着する場合がある。このような場合、基板に成膜材料を成膜するために必要な時間が変化したり、均一な成膜ができなくなるなど、成膜処理の品質が下がることが問題であった。

【0005】

本発明は、上記問題に鑑み、シャッタに付着した成膜材料の落下を防ぐ技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明によれば、成膜装置であって、
基板に成膜材料を放出する成膜源と前記基板との少なくともいずれかを所定の方向に移動させる第１移動手段と、
前記成膜源から前記基板への成膜材料の入射を制限する第１の位置と、前記成膜源から前記基板への成膜材料の入射を制限しない１の位置との間でシャッタを移動するよう制御する第２移動手段と、
を備え、
前記第２移動手段は、前記成膜源及び前記シャッタが前記基板からみて前記所定の方向において同じ方向に位置し、前記成膜源の放出方向に前記基板が位置していない場合に、前記成膜源の前記放出方向に位置する前記シャッタを、前記所定の方向及び該所定の方向と反対方向に前記シャッタを移動するよう制御することを特徴とする成膜装置が提供される。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、シャッタに付着した成膜材料の落下を防ぐ技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態に係る成膜システムのレイアウト図。

【図2】成膜室１０内の搬送ユニットの説明図。

【図3】成膜室１０の説明図。

【図4】（Ａ）～（Ｃ）は成膜処理における成膜源３１の移動を示す図。

【図5】シャッタ２１に付着する成膜材料の分布を示す図。

【図6】（Ａ）～（Ｃ）は本実施形態に係る成膜処理における成膜源３１とシャッタ２１の移動を示す図。

【図7】本実施形態に係る成膜処理におけるシャッタ２１の折り返し位置を示す図。

【図8】（Ａ）～（Ｃ）は本実施形態に係る成膜処理における成膜源３１とシャッタ２１の移動を示す図。

【図9】成膜室１０００の説明図。

【図10】成膜室１０００の搬送ローラの配置を示す図。

【図11】（Ａ）～（Ｅ）は本実施形態に係る成膜処理における成膜源１０１０とシャッタ１０３１、１０３２の移動を示す図。

【図12】本実施形態に係る成膜処理におけるシャッタ１０３１の移動例を示す図。

【図13】本実施形態に係る成膜処理におけるシャッタ１０３２の移動例を示す図。

【図14】（Ａ）は有機ＥＬ表示装置の全体図、（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0010】

＜第一実施形態＞
（システムの概要）
図１は成膜システム１のレイアウト図である。なお、各図において矢印Ｚは上下方向（重力方向）を示し、矢印Ｘ及び矢印Ｙは互いに直交する水平方向を示す。矢印θはＺ軸周りの回転方向を示す。

【0011】

成膜システム１は、中間搬送装置１０１、成膜装置３及び中間搬送装置１０２がＸ方向に配列された構成であり、基板Ｗがこの順番で搬送され、処理される。中間搬送装置１０１は基板Ｗの搬送方向で上流側に位置しており、中間搬送装置１０２は基板Ｗの搬送方向で下流側に位置している。図示の例では、成膜システム１は、成膜装置３を一つ備えているが、中間搬送装置１０１の上流側、或いは、中間搬送装置１０２の下流側にも成膜装置３を設けることができる。制御装置２は、ＣＰＵ等のプロセッサ、半導体メモリやハードディスクなどの記憶デバイス、入出力インタフェースを備え、成膜システム１を制御する。

【0012】

中間搬送装置１０１及び１０２は、搬送ロボット１１０を備える。搬送ロボット１１０は、ベース部上に二組のアーム及びハンドが支持されたダブルアーム型のロボットである。二組のアーム及びハンドは、ベース部上でθ方向に旋回し、また、伸縮自在である。中間搬送装置１０１及び１０２に隣接して、マスクＭが収容されるストッカ１０４が設けられいる。搬送ロボット１１０は、基板Ｗの搬送の他、マスクＭの搬送も行う。中間搬送装置１０２のハンドはフォーク形状を有しており、基板ＭやマスクＭは当該ハンド上に載置されて搬送される。

【0013】

成膜装置３は、中間搬送装置１０１から搬入される基板Ｗに対して成膜処理を行い、中間搬送装置１０２へ搬出する装置である。成膜装置３は、基板Ｗの受渡を行う受渡室４と、受渡室４に隣接して配置された複数の成膜室１０Ａおよび１０Ｂ（以下、区別せずに成膜室１０と呼ぶ場合がある）とを備える。本実施形態では成膜室１０は、二つ設けられており、受渡室４のＹ方向の両側にそれぞれ一つずつ配置されている。受渡室４及び成膜室１０はそれぞれ壁部に囲まれ、気密に維持可能である。

【0014】

成膜室１０では基板Ｗに蒸着物質（成膜材料）が成膜される。基板ＷにはマスクＭを用いて所定のパターンの蒸着物質の薄膜を形成可能である。基板Ｗの材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能であり、代表的にはガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが用いられる。本実施形態の場合、基板Ｗは矩形である。蒸着物質としては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの物質である。成膜装置３は、例えば表示装置（フラットパネルディスプレイなど）や薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ＥＬパネルを製造する製造装置に適用可能である。

【0015】

（受渡室）
受渡室４は、中間搬送装置１０１及び１０２と、成膜装置３との間での基板ＷやマスクＭの受け渡しの他、成膜室１０に対する基板ＷやマスクＭの振り分けを行う。したがって、受渡室４は仕分室と呼ぶこともできる。

【0016】

（多方向の搬送ユニット）
受渡室４には基板Ｗ及びマスクＭを搬送する搬送ユニット４０が設けられている。搬送ユニット４０は、中間搬送装置１０１から基板Ｗ又はマスクＭを受け取り、保持ユニット６Ａ～６Ｄに受け渡す。また、保持ユニット６Ａ～６Ｄから受け取った基板Ｗ又はマスクＭを中間搬送装置１０２へ搬出する。保持ユニット６Ａ～６Ｄは基板Ｗを静電気力により保持する保持手段の一例である。

【0017】

本実施形態の搬送ユニット４０は、Ｘ－Ｙ平面上の多方向に基板Ｗ等を移動可能な水平多関節型のロボットであり、円筒形状のベース部と、ベース部上に支持されたアーム部と、アーム部に支持されたハンドとを備える。ベース部は駆動軸を有し、駆動軸のθ方向の回転によるＺ１軸周りのアーム部の旋回と、駆動軸の上下の移動によるアーム部の昇降とを行う。アーム部の一端は駆動軸に連結され、他端はアーム部材の一端に連結されている。アーム部材はアーム部材に対してＺ２軸周りに旋回可能に連結されている。ハンドはアーム部材の他端にＺ３軸周りに旋回自在に連結されている。

【0018】

（スライド式の搬送ユニット）
図１に示すように、成膜装置３は、受渡室４から二つの成膜室１０に渡って配置された二組の搬送ユニット５Ａ及び５Ｂを備える。搬送ユニット５Ａは保持ユニット６Ａ及び６Ｃと、これらを独立してＹ方向に平行移動する移動ユニット１１Ａを備える。搬送ユニット５Ｂは、搬送ユニット５Ａと同様の構造であり、保持ユニット６Ｂ及び６Ｄと、これらを独立してＹ方向に平行移動する移動ユニット１１Ｂとを備える。

【0019】

本実施形態の移動ユニット１１Ａ及び１１Ｂは、保持ユニット６Ａ～６Ｄを磁力により移動する機構であり、特に磁力により浮上移動する機構である。図２に搬送ユニット５Ａの構造を示す。移動ユニット１１Ａ及び１１Ｂは、それぞれ、保持ユニット６Ａ～６ＤのＹ方向の移動軌道を規定する一対のガイド部材７０を備える。各ガイド部材７０はＣ字型の断面を有し、Ｙ方向に延設されたレール部材である。一対のガイド部材７０は互いに、Ｘ方向に離間している。

【0020】

各ガイド部材７０は、Ｚ方向に離間した一対の磁気素子７１を多数備える。多数の一対の磁気素子７１は、Ｙ方向に等ピッチで配列されている。一対の磁気素子７１のうちの少なくとも一方は電磁石であり、他方は電磁石又は永久磁石である。

【0021】

保持ユニット６Ａ～６Ｄは、基板ＷやマスクＭを搬送するためのキャリアである。保持ユニット６Ａ～６Ｄは、それぞれ、平面視で矩形状の本体部材６０を備える。本体部材６０のＸ方向の各端部は、対応するガイド部材７０に差し込まれている。本体部材６０のＸ方向の各端部の上面、下面にはそれぞれ不図示のヨークが設けられた永久磁石６１が固定されている。上下の永久磁石６１は本体部材６０にＹ方向に複数設けられている。永久磁石６１は、ガイド部材７０の磁気素子７１と対向している。永久磁石６１と磁気素子７１との反発力によって保持ユニット６Ａ～６Ｄに浮上力を生じさせることができる。Ｙ方向に多数設けられた磁気素子（電磁石）７１のうち、磁力を発生させる磁気素子７１を順次切り替えることにより、永久磁石６１と磁気素子７１との吸引力によって保持ユニット６Ａ～６ＤにＹ方向の移動力を生じさせることができる。

【0022】

なお、本実施形態では、移動ユニット１１Ａ及び１１Ｂを、磁気浮上搬送機構としたがローラ搬送機構、ベルト搬送機構、ラック－ピニオン機構等、保持ユニット６Ａ～６Ｄを移動可能な他の搬送機構であってもよい。

【0023】

保持ユニット６Ａ～６Ｄは、それぞれ、基板Ｗを保持する保持部６２を備える。保持部６２は本実施形態の場合、静電気力により基板Ｗを吸着する静電チャックであり、保持部６２は保持ユニット６Ａ～６Ｄの下面に配置された複数の電極６２ａを含む。保持ユニット６Ａ～６Ｄは、また、それぞれ、マスクＭを保持する保持部６３を備える。保持部６３は、例えば、磁力によりマスクＭを吸着するマグネットチャックであり、保持部６２のＸ方向で外側に位置している。保持部６３は、マスクＭを機械的に挟持するクランプ機構であってもよい。

【0024】

ガイド部材７０にはＹ方向に延設されたスケール７２が配置されており、本体部材６０にはスケール７２を読み取るセンサ６４が設けられている。センサ６４の検知結果により、各保持ユニット６Ａ～６ＤのＹ方向の位置を特定することができる。

【0025】

（成膜室）
成膜室１０では、マスクＭを用いて基板Ｗに対する成膜を行う。図１に示すように、二つの成膜室１０には、それぞれ、二つのマスク台１５Ａ、１５Ｂ（以下、区別せずにマスク台１５と呼ぶ場合がある）が配置されている。合計で四つのマスク台１５により、成膜処理を行う成膜位置ＪＡ～ＪＤが規定される。二つの成膜室１０の構造は同じである。

【0026】

図３に成膜室１０の構造を示す。各成膜室１０には、成膜源３１と、成膜源３１を移動する移動ユニット３４とが設けられている。

【0027】

成膜源３１は、蒸着物質の原材料を収容する坩堝や、坩堝を加熱するヒータ等を備え、原材料を加熱してその蒸気である蒸着物質を開口部から上方へ放出する成膜ユニットである。移動ユニット３４は、駆動源を備えるアクチュエータを備え、成膜源３１の移動動作を実行するための第１移動手段として機能する。アクチュエータによって、移動ユニット３４は一対の固定レール上を＋Ｙ方向および－Ｙ方向に往復移動することができる。

【0028】

また、本実施形態では、成膜源３１は１組の坩堝とヒータを備えるものとして説明しているが、坩堝とヒータとは複数設けられてもよい。また、坩堝が複数設けられる場合、坩堝ごとに種類の異なる複数の成膜材料を収容してもよい。具体的には、複数の成膜源３１のうち、１つの坩堝にはホスト材料、別の坩堝にはドーパント材料を夫々収容している。なお、複数の坩堝に夫々同一の成膜材料を収容しても良い。また、本実施形態では成膜源３１は蒸着源であるものとして説明を行うが、成膜材料を放出して薄膜の形成を行うスパッタなどの他の成膜源に適用することができる。

【0029】

アクチュエータの駆動により、成膜源３１は、成膜位置ＪＡの下（マスク台１５Ａの下）をＹ方向にスライドし、また、成膜位置ＪＡの側から成膜位置ＪＢの側へスライドし、更に、成膜位置ＪＢの下（マスク台１５Ｂの下）をＹ方向にスライドする。

【0030】

このように本実施形態では、一つの成膜源３１を移動させることで、成膜位置ＪＡと成膜位置ＪＢの二つの成膜位置で成膜源３１を共用できる。

【0031】

上述したように、マスク台１５にはマスクＭａ、Ｍｂが載置され、マスク台１５は図２を参照して説明した保持部６３によって保持される。マスクＭａ、Ｍｂの上方には図２を参照して説明した保持部６２によって基板Ｗａ、Ｗｂが保持される。

【0032】

また、成膜源３１の上方には、成膜源３１から基板Ｗへの成膜材料の入射を制限するか否かを切り替えるシャッタユニット２０Ａおよび２０Ｂ（以下、区別せずにシャッタユニット２０と呼ぶ場合がある）が配置される。シャッタユニット２０ＡおよびＢは、それぞれシャッタ２１ａ、２１ｂ（以下、区別せずにシャッタ２１と呼ぶ場合がある）、およびシャッタ２１をＹ方向に移動させる移動ユニット２２Ａ、２２Ｂ（以下、区別せずに移動ユニット２２と呼ぶ場合がある）を有する。移動ユニット２２は、本実施形態に係るシャッタを移動させる移動手段（第２移動手段）の一例である。

【0033】

シャッタユニット２０は、成膜源３１からの成膜材料の入射を制限するようシャッタ２１がマスクＭと上下方向（Ｚ方向）で重なる閉位置（第一の位置）と、成膜源３１からの成膜材料を入射させるようシャッタ２１がマスクＭと上下方向で重ならない開位置（第二の位置）との間でシャッタ２１を移動させるシャッタの開閉動作を制御する。

【0034】

成膜源３１は、成膜装置内をＹ方向に往復移動しながら上方向（＋Ｚ方向）へ成膜材料を放出することで、所定の放出範囲３２に成膜材料を放出して基板Ｗへの成膜を行う。一例では、放出範囲３２において、成膜源３１の上方ではＸ方向で均一に成膜材料の放出が行われる。一方、Ｙ方向において、成膜源３１の開口の中央部の直上、すなわち放出範囲３２の中央部では端部と比較してより多くの成膜材料の放出が行われる。成膜源３１が移動することでＹ方向においても均一に成膜材料の放出を行うことができる。

【0035】

続いて、図４（Ａ）～図４（Ｃ）を参照して、成膜時にシャッタ２１が移動しない場合の成膜処理の流れについて説明する。なお、図４（Ａ）～図４（Ｃ）の例では、基板ＷａおよびＷｂに成膜を行うためにシャッタ２１Ａおよび２１Ｂが開状態に配置されている。

【0036】

図４（Ａ）は、成膜源３１が折り返し位置ＰａからＰｂに向かって移動する。図４（Ｂ）は、成膜源３１が折り返し位置Ｐｂに到着し、折り返し位置Ｐｂにおいて停止する。続いて、図４（Ｃ）に示すように、成膜源３１は折り返し位置ＰｂからＰａに向かって移動する。ここで、基板Ｗ上に均一な膜厚の成膜を行うために、放出範囲３２がＹ方向で基板Ｗと重なる場合、成膜源３１は一定の速度で移動する。そして、放出範囲３２がＹ方向で基板Ｗと重ならない、すなわち放出範囲３２が基板の直下から外れると、成膜源３１は減速、停止、そして加速を行い、成膜源３１の移動方向の切り替えを行う。

【0037】

この際、成膜源３１は折り返し位置Ｐｂでも成膜材料の放出を継続するため、シャッタ２１Ｂには成膜材料が付着する。例えば、成膜源３１が折り返し位置Ｐａ、Ｐｂに位置する場合に成膜源３１の放出範囲３２の中央部の上方に位置するシャッタ２１Ｂの位置には、他の位置と比べてより多くの成膜材料が付着しうる。また、より長い時間放出範囲３２の上方に位置する、シャッタ２１Ａ、２１Ｂの端部にもシャッタの他の位置と比べてより多くの成膜材料が付着しうる。

【0038】

結果として、図５に示すように、シャッタ２１Ａ、２１Ｂに付着する成膜材料の厚みは、Ｙ方向で偏りが生じうる。また、シャッタ２１に付着した成膜材料は、その厚みが大きくなると落下しやすくなる傾向があるため、シャッタ２１Ａ、２１Ｂの対向する辺から成膜源３１の折り返し位置の直上に対応する部分までの範囲５０１からは成膜材料が落下しやすくなる。また、シャッタ２１Ａ、２１Ｂの待機位置（基準位置）において放出範囲３２の上方に位置する範囲５０２にも、待機位置において放出範囲３２の上方に位置しない範囲５０１と比較して多くの成膜材料が付着しうる。付着した成膜材料が落下してノズルに付着すると、付着した材料によって成膜源３１からの成膜材料の放出が遮られることで成膜レートが不安定になり、均一な膜厚の成膜を行うことができなくなる。

【0039】

続いて、図６（Ａ）～図６（Ｃ）を参照して、本実施形態に係る成膜処理の流れについて説明する。図６（Ａ）～図６（Ｃ）の例でも、基板ＷａおよびＷｂに成膜を行うためにシャッタ２１Ａおよび２１Ｂが開状態に配置される。

【0040】

図６（Ａ）は、成膜源３１が折り返し位置ＰａからＰｂに向かって－Ｙ方向に移動する。図６（Ａ）は図４（Ａ）と同様である。図６（Ｂ）では、成膜源３１が折り返し位置Ｐｂに到着する。ここで、移動ユニット２２Ｂは、成膜源３１が減速している間に、シャッタ２１Ｂを成膜源３１の移動方向とは反対方向に移動させる。これによって、シャッタ２１Ａ、２１Ｂの範囲５０１が放出範囲３２の直上に位置する時間を短くすることができ、範囲５０１に付着する成膜材料の厚みを低減することができる。

【0041】

また、成膜源３１が折り返し位置で停止している間、移動ユニット２２Ｂはシャッタ２１Ｂを＋Ｙ方向および－Ｙ方向に移動させる。これによって、成膜源３１が停止している間にノズルの直上に位置するシャッタ２１の部位を分散させることができ、シャッタ２１に付着する成膜材料の厚みの偏りを低減することができる。

【0042】

その後、成膜源３１が移動方向を切り替え、折り返し位置Ｐａに向かって加速する際に、移動ユニット２２Ｂはシャッタ２１Ｂを成膜源３１と逆方向に移動させる。これによって、シャッタ２１Ａ、２１Ｂの範囲５０１が放出範囲３２の直上に位置する時間を短くすることができ、範囲５０１に付着する成膜材料の厚みを低減することができる。

【0043】

なお、一例では、成膜源３１が停止している間に、シャッタ２１Ｂは開位置に移動し、成膜源３１が加速している間にはシャッタ２１Ｂは移動しなくてもよい。言い換えると、シャッタ２１Ｂは成膜源３１が減速を開始してから加速を終了するまでの間に往復移動すればよい。

【0044】

以上説明したように、本実施形態に係るシャッタユニット２０は、成膜源３１が基板に成膜している場合であって、成膜源３１の加減速時、および停止時にシャッタ２１が成膜源３１の移動方向および移動方向の反対方向に移動するように制御する。これによって、シャッタ２１の特定の部位に成膜材料が付着し、シャッタ２１に付着した成膜材料が落下することを防ぐことができる。

【0045】

＜第２実施形態＞
図７を参照して、第２実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、第１実施形態と同様の構成、機能、または処理については説明を省略する。

【0046】

図７に示すように、本実施形態に係る成膜装置３は、シャッタ２１の折り返し位置７０１～７０３を複数有する。折り返し位置７０１～７０３はＹ方向で開位置と閉位置との間に位置する。なお、図７の例では、シャッタ２１の折り返し位置は３つであるものとして説明するが、２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。

【0047】

図７に示すように、成膜源３１が折り返し位置Ｐｂで停止している間、シャッタユニット２０Ｂは折り返し位置７０１～７０３の何れかの位置でシャッタ２１Ｂを停止させる。

【0048】

一例では、シャッタ２１の折り返し位置の数をｍとして、それぞれの折り返し位置に０～ｍ－１の識別子を関連付け、成膜源３１が折り返し位置Ｐｂに停止する回数をｎとして、ｎをシャッタ２１Ｂの折り返し位置の数ｍで割った余りｎ ｍｏｄ ｍ の識別子に対応する折り返し位置にシャッタ２１を停止させるよう決定してもよい。あるいは、成膜源３１が折り返し位置Ｐｂに停止する回数の範囲ごとに、例えばｆｌｏｏｒ（ｎ／１００） ｍｏｄ ｍ の識別子に対応する折り返し位置にシャッタ２１を停止させるよう決定してもよい。ここで、ｆｌｏｏｒ（）は床関数である。

【0049】

別の例では、成膜処理の経過時間ごとに、例えば０～１２時間では識別子０、１２～２４時間では識別子１、と対応付けて折り返し位置にシャッタ２１を停止させるよう決定してもよい。

【0050】

これによって、成膜源３１が複数回折り返し位置Ｐｂに停止した場合に成膜材料が付着するシャッタの位置を分散させることができ、シャッタの特定の部位に成膜材料が付着し、シャッタに付着した成膜材料が落下することを防ぐことができる。

【0051】

＜第３実施形態＞
第１実施形態では、シャッタ２１が開位置にある場合に、成膜源３１から放出された成膜材料がシャッタ２１に付着する部位が偏り、シャッタ２１から成膜材料がシャッタ２１から落下することを防止する実施形態について説明した。第３実施形態では、シャッタ２１が閉位置にある場合に、成膜源３１から放出された成膜材料がシャッタ２１に付着する部位が偏り、シャッタ２１から成膜材料がシャッタ２１から落下することを防止する実施形態について説明する。なお、第１実施形態と同様の構成、機能、処理については説明を省略する。

【0052】

図８（Ａ）～図８（Ｃ）に第３実施形態に係る成膜室１０を示す。図８（Ａ）に示すように、シャッタ２１Ａは閉位置に位置している。このように、基板Ｗａに成膜しない場合、成膜源３１は折り返し位置ＰａとＰｂとの間より距離の短い折り返し位置Ｐａ’とＰｂとの間で往復移動をしてもよい。

【0053】

また、図８（Ｂ）に示すように、シャッタユニット２０Ｂは、第１または第２実施形態のように、成膜源３１が折り返し位置Ｐｂの周辺で加減速または停止している際に、シャッタ２１Ｂを移動させる。また、この際、シャッタユニット２０Ａは、シャッタ２１Ａを蒸着源３１の方向に移動させる。そして、成膜源３１が成膜対象の基板Ｗｂを保持している保持ユニット６Ｂの直下を移動する場合には、シャッタユニット２０はシャッタ２１を図８（Ａ）に示す位置に移動させ、成膜源３１から基板Ｗｂへの成膜材料の放出を遮らないようにする。

【0054】

続いて、図８（Ｃ）に示すように、成膜源３１が折り返し位置Ｐｂから折り返し位置Ｐａ’に移動する際、シャッタ２１Ａは閉位置、シャッタ２１Ｂは開位置に移動して成膜源３１から保持ユニット６Ｂに保持されている基板への成膜を可能にする。続いて、成膜源３１が折り返し位置Ｐａ’の周辺で加速、減速、停止している間に、シャッタユニット２０Ａ、２０Ｂはシャッタ２１Ａ、２１Ｂを移動させる。この場合、成膜源３１から基板Ｗａへの入射を制限していれば、シャッタ２１Ａの一部は基板ＷａとＹ方向で重ならなくてもよい。例えば、図８（Ｃ）に示すように、シャッタ２１Ａの一部は、成膜源３１から基板Ｗａへの入射を制限しながら、基板Ｗｂの一部とＹ方向で重なるように移動してもよい。また、シャッタ２１Ｂの一部も基板Ｗｂの一部とＹ方向で重なるように移動してもよい。あるいは、基板Ｗａの一部がＹ方向でシャッタ２１Ａと重ならないようにシャッタ２１Ａが移動してもよい。

【0055】

これによって、成膜源３１が折り返し位置Ｐａ’の周辺で加速、減速、停止している間に、シャッタ２１に成膜材料が付着する部位が偏り、シャッタ２１から成膜材料がシャッタ２１から落下することを防止することができる。

【0056】

また、本実施形態に係るシャッタユニット２０は、成膜源３１の直上に位置する一方のシャッタ２１を移動させる際に、他方のシャッタ２１も移動させる。これによって、成膜源３１が折り返し位置Ｐａ’とＰｂのいずれの位置の周辺で減速、停止、そして加速する際であっても、シャッタ２１Ａ、２１Ｂを左右対称に移動させることでいずれの停止位置に成膜源３１が位置する場合であってもシャッタ２１に成膜材料が付着する部位が偏ることを抑えることができる。

【0057】

＜第４実施形態＞
第１～第３実施形態では、成膜源３１が移動して基板に成膜を行う実施形態について説明した。本実施形態では、成膜源は移動せず、搬送ユニットによる基板の搬送中に成膜を行う実施形態について説明する。

【0058】

図９は本実施形態に係る成膜室９００の構造を示す。成膜室９００は、成膜源９１０と、搬送ユニット９２０と、シャッタユニット９３０、および防着壁９４０が設けられている。成膜源９１０は、成膜源３１と同様のため説明を省略する。

【0059】

搬送ユニット９２０は、マスク済み基板Ｗを＋Ｙ方向に搬送するための構造である。図１０に、搬送ユニット９２０の構造を示す。搬送ユニット９２０は、搬送方向に対して平行なマスク済み基板Ｗの端部を支持して搬送する複数の搬送ローラ１０００を備える。搬送ローラ１０００は、本実施形態に係る基板を搬送するための第１移動手段として機能する。また、搬送ローラ１０００によって搬送されるマスク済み基板Ｗが成膜源９１０の上方を通過することで、搬送されるマスク済み基板Ｗに対して成膜処理を行うことができる。なお、本実施形態では搬送ユニット９２０はローラ搬送機構であるものとして説明を行うが、磁気浮上搬送機構、ベルト搬送機構、ラック－ピニオン機構等、マスク済み基板Ｗを搬送可能な他の搬送機構であってもよい。また、本実施形態では、搬送ユニット９２０は＋Ｙ方向（順方向）にマスク済み基板Ｗを搬送し、成膜範囲１０５０に進入したマスク済み基板Ｗに成膜処理を行うものとして説明を行うが、搬送ユニット９２０は、＋Ｙ方向（順方向）に加えて－Ｙ方向（逆方向）にもマスク済み基板Ｗを搬送可能であってもよい。これによって、１つのマスク済み基板Ｗが成膜源９１０の上方の成膜範囲９５０を複数回通過することが可能になる。

【0060】

ここで、図９に示すように、複数のマスク済み基板Ｗが搬送ユニット９２０によって搬送される場合、１つのマスク済み基板Ｗへの成膜が終了してから別のマスク済み基板Ｗ’への成膜が開始されるまでの期間において、成膜源９１０から放出された成膜材料が２つのマスク済み基板Ｗの間を通って成膜室内に拡散してしまい、成膜室９００が汚染されうる。これを防ぐために、成膜源９１０から放出された成膜材料が拡散しないよう、成膜室９００にはシャッタユニット９３０および防着壁９４０が設けられる。

【0061】

防着壁９４０は、図１０に示すように、成膜源９１０の上方に配置された開口９４１を有し、成膜源９１０の上方の成膜範囲９５０にのみ成膜材料が放出されるように成膜材料の放出範囲を規制する。シャッタユニット９３０は、シャッタ９３１およびシャッタ９３２の移動を制御する。シャッタ９３１、９３２は、防着壁９４０の開口９４１を覆わずに成膜源９１０から基板への成膜材料の放出を可能にする開位置と、防着壁９４０の開口９４１を覆い成膜源９１０から基板への成膜材料の放出を可能する閉位置との間を移動する。シャッタユニット９３０は、基板への成膜を行っていない間、シャッタ９３１または９３２を閉位置に配置することで、成膜材料が成膜室９００内に拡散することを防ぐことができる。

【0062】

図１１（Ａ）～図１１（Ｆ）を参照して、マスク済み基板Ｗに成膜を行う処理の流れについて説明する。

【0063】

図１１（Ａ）は１枚目のマスク済み基板Ｗが成膜室９００内に搬入された状況を示す。図１１（Ａ）に示すように、シャッタユニット９３０は、シャッタ９３１を閉位置、シャッタ９３２を開位置に配置している。

【0064】

続いて、図１１（Ｂ）に示すように、マスク済み基板Ｗが成膜源９１０の上方の成膜範囲９５０に到達すると、シャッタユニット９３０はマスク済み基板Ｗの移動と対応させて、シャッタ９３１を開位置へ移動させる。一例では、シャッタユニット９３０は、搬送方向（＋Ｙ方向）におけるマスク済み基板Ｗの先端１１０１と、シャッタ９３１の後端１１０２とが、マージンを含めてＹ方向で所定の距離以下になるようにシャッタ９３１の移動を制御する。これによって、成膜源９１０から放出された成膜材料が成膜室９００に拡散することを防ぐことができる。

【0065】

続いて、図１１（Ｃ）に示すように、マスク済み基板Ｗの搬送方向において、マスク済み基板Ｗの先端１１０１が成膜範囲９５０外へ退出すると、シャッタ９３１は開位置に移動される。

【0066】

続いて、図１１（Ｄ）に示すように、マスク済み基板Ｗの搬送方向（＋Ｙ方向）において、マスク済み基板Ｗの後端１１０３が成膜範囲９５０に進入すると、シャッタユニット９３０はマスク済み基板Ｗの後端１１０３とシャッタ９３２の先端１１０４とが、マージンを含めてＹ方向で所定の距離以下になるようにシャッタ９３２の移動を制御する。これによって、成膜源９１０から放出された成膜材料がマスク済み基板Ｗに成膜しながら、成膜室９００内に拡散することを防ぐことができる。

【0067】

続いて、図１１（Ｅ）に示すように、マスク済み基板Ｗの搬送が行われ、搬送方向（＋Ｙ方向）においてマスク済み基板Ｗの進行方向後端１１０３が成膜範囲９５０の外へ出るとともに、次のマスク済み基板Ｗ’が搬送される。この場合、シャッタ９３２は閉位置に配置され、シャッタ９３１は開位置に配置されている。

【0068】

続いて、図１１（Ｆ）に示すように、次のマスク済み基板Ｗが成膜範囲９５０に到達する前に、シャッタ９３２は開位置に移動し、シャッタ９３１は閉位置に移動する。この際、シャッタ９３１とシャッタ９３２とは上下方向（Ｚ方向）で一部が重なりながら移動する。これによって、成膜源９１０から放出された成膜材料が２つのマスク済み基板Ｗ、Ｗ’の間を通って成膜室９００内に拡散することを防ぐことができる。

【0069】

ここで、図１１（Ａ）および図１１（Ｅ）に示すように、シャッタ９３１、９３２によって成膜源９１０から放出された成膜材料が成膜室９００内に拡散することを防ぐ場合、基板Ｗの進行方向（＋Ｙ方向）におけるシャッタ９３１の後端１１０２およびシャッタ９３２の先端１１０４は、成膜源９１０の放出範囲９１１に他の部分より先に進入し、他の部分より後に退出する。したがって、シャッタ９３１の後端１１０２およびシャッタ９３２の先端１１０４には成膜材料が多く付着しうる。また、シャッタ９３１および９３２が閉位置に位置する場合に成膜源９１０の直上に位置する図９に示す範囲９３３、９３４にも成膜材料が多く付着しうる。

【0070】

このため、本実施形態に係るシャッタユニット９３０は、成膜源９１０から放出された成膜材料が成膜室内に拡散することを防ぐために、シャッタ９３１、９３２を閉位置に配置する。この際、シャッタユニット９３０は、シャッタ９３１、９３２の成膜材料が多く付着しうる範囲９３３、９３４が放出範囲９１１に含まれないようにシャッタ９３１、９３２の移動を制御する。

【0071】

図１２（Ａ）～図１２（Ｃ）に、マスク済み基板Ｗの先端１１０１が成膜範囲９５０に進入する前後の模式図を示す。

【0072】

図１２（Ａ）に示すように、シャッタユニット９３０は、図９に示すシャッタ９３１の成膜材料が多く付着しうる範囲９３３を放出範囲９１１に含まれないように移動する。例えば、マスク済み基板Ｗの搬送方向と逆方向（－Ｙ方向）に移動させる。これによって、図９に示すシャッタ９３１の範囲９３３以外の部分に成膜材料を付着させ、シャッタ９３１に成膜材料が偏って付着することを抑えることができる。

【0073】

続いて、図１２（Ｂ）に示すように、マスク済み基板Ｗが成膜範囲９５０に近づく。この際、シャッタユニット９３０は、シャッタ９３１をマスク済み基板Ｗの搬送方向と同じ方向（＋Ｙ方向）に移動させる。これによって、マスク済み基板Ｗが成膜範囲９５０に進入する際に、マスク済み基板Ｗの搬送方向において、シャッタ９３１の後端１１０２の位置とマスク済み基板Ｗの搬送方向における先端１１０１の位置とがＹ方向で所定の距離の範囲内となるように調整することができる。

【0074】

続いて、図１２（Ｃ）に示すように、マスク済み基板Ｗが成膜範囲９５０に進入すると、シャッタユニット９３０は、マスク済み基板Ｗの搬送方向における先端１１０１の位置とシャッタ９３１の後端１１０２の位置とが所定の距離の範囲内となるようにシャッタ９３１の移動を制御する。これによって、成膜源９１０から放出された成膜材料がマスク済み基板Ｗに成膜しながら成膜室９００内に拡散することを防ぐことができる。

【0075】

次に、図１３（Ａ）～図１３（Ｃ）を参照して、マスク済み基板Ｗが成膜範囲９５０から退出した後のシャッタユニット９３０の制御について説明する。

【0076】

図１３（Ａ）は、マスク済み基板Ｗａが成膜範囲９５０から退出した直後の図である。マスク済み基板Ｗａが成膜範囲９５０から退出すると、シャッタユニット９３０はシャッタ９３２を閉位置に移動させる。

【0077】

続いて、図１３（Ｂ）に示すように、シャッタユニット９３０はシャッタ９３２を閉位置からマスク済み基板Ｗａの搬送方向と同じ方向に移動させる。これによって、シャッタ９３２の成膜材料が多く付着する図９に示す範囲９３４のうち成膜源９１０の放出範囲９１１に含まれない範囲を大きくすることができ、シャッタ９３２の一部に成膜材料が偏って付着することを防ぐことができる。

【0078】

続いて、図１３（Ｃ）に示すように、シャッタユニット９３０はマスク済み基板Ｗａの後続のマスク済み基板Ｗｂが成膜範囲９５０に到達する前に、シャッタ９３１および９３２をマスク済み基板の搬送方向とは逆方向（－Ｙ方向）に移動させる。

【0079】

以上説明したように、本実施形態によれば、基板からみて成膜源およびシャッタが成膜源の移動方向において同じ方向に位置し、基板が成膜源から成膜材料が放出される放出範囲内に位置しない場合に、放出範囲内に位置するシャッタを搬送方向および搬送方向と逆の方向に往復移動させる。これによって、シャッタの部位ごとに、当該部位に付着する成膜材料の量の偏りを抑えることができる。

【0080】

また、以上説明したように、本実施形態によれば、基板からみて成膜源およびシャッタが成膜源の移動方向において同じ方向に位置し、基板が成膜源から成膜材料が放出される放出範囲内に位置しない場合に、放出範囲内に位置するシャッタを、基準位置から搬送方向にある第１の位置と、第１の位置から搬送方向と逆の方向にある第２の位置との間で往復移動させる。これによって、シャッタに付着する成膜材料の偏りを抑えることができる。

【0081】

また、以上説明したように、本実施形態によれば、基板が成膜源の放出範囲外に位置する場合、シャッタが成膜源の上方で往復移動する。これによって、板が成膜源の放出範囲外に位置する場合に成膜材料の拡散を防ぐためのシャッタの部位ごとに、当該部位に付着する成膜材料の量の偏りを抑えることができる。

【0082】

＜電子デバイスの製造方法＞
電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。

【0083】

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１４（Ａ）は有機ＥＬ表示装置１４００の全体図、図１４（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。

【0084】

図１４（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置１４００の表示領域１４０１には、発光素子を複数備える画素１４０２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。

【0085】

なお、ここでいう画素とは、表示領域１４０１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子１４０２Ｒ、第２発光素子１４０２Ｇ、第３発光素子１４０２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素１４０２が構成されている。画素１４０２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素１４０２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素１４０２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。

【0086】

図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素１４０２は、基板１４０３上に、第１の電極（陽極）１４０４と、正孔輸送層１４０５と、赤色層１４０６Ｒ・緑色層１４０６Ｇ・青色層１４０６Ｂのいずれかと、電子輸送層１４０７と、第２の電極（陰極）１４０８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層１４０５、赤色層１４０６Ｒ、緑色層１４０６Ｇ、青色層１４０６Ｂ、電子輸送層１４０７が有機層に当たる。赤色層１４０６Ｒ、緑色層１４０６Ｇ、青色層１４０６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。

【0087】

また、第１の電極１４０４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層１４０５と電子輸送層１４０７と第２電極１４０８は、複数の発光素子１４０２Ｒ、１４０２Ｇ、１４０２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図１４（Ｂ）に示すように正孔輸送層１４０５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層１４０６Ｒ、緑色層１４０６Ｇ、青色層１４０６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層１４０７と第２電極１４０８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。

【0088】

なお、近接した第１の電極１４０４の間でのショートを防ぐために、第１の電極１４０４間に絶縁層１４０９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層１４１０が設けられている。

【0089】

図１４（Ｂ）では正孔輸送層１４０５や電子輸送層１４０７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極１４０４と正孔輸送層１４０５との間には第１の電極１４０４から正孔輸送層１４０５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極９８と電子輸送層９７の間にも電子注入層を形成してもよい。

【0090】

赤色層１４０６Ｒ、緑色層１４０６Ｇ、青色層１４０６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層１４０６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。

【0091】

なお、ここでは赤色層１４０６Ｒの例を示したが、緑色層１４０６Ｇや青色層１４０６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。

【0092】

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層１４０６Ｒが下側層１４０６Ｒ１と上側層１４０６Ｒ２の２層からなり、緑色層１４０６Ｇと青色層１４０６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。

【0093】

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１の電極１４０４が形成された基板１４０３を準備する。なお、基板１４０３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板１４０３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。

【0094】

第１の電極１４０４が形成された基板１４０３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第１の電極１４０４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層１４０９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。

【0095】

絶縁層１４０９がパターニングされた基板１４０３を第１の成膜室に搬入し、正孔輸送層１４０５を、表示領域の第１の電極１４０４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層１４０５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域１４０１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。

【0096】

次に、正孔輸送層１４０５までが形成された基板１４０３を第２の成膜室に搬入する。基板１４０３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層１４０５の上の、基板１４０３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層１４０６Ｒを成膜する。ここで、第２の成膜室で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板１４０３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層１４０６Ｒは、基板１４０３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層１４０６Ｒは、基板１４０３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。

【0097】

赤色層１４０６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜室において緑色層１４０６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜室において青色層１４０６Ｂを成膜する。赤色層１４０６Ｒ、緑色層１４０６Ｇ、青色層１４０６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜室において表示領域１４０１の全体に電子輸送層１４０７を成膜する。電子輸送層１４０７は、３色の層１４０６Ｒ、１４０６Ｇ、１４０６Ｂに共通の層として形成される。

【0098】

電子輸送層１４０７までが形成された基板を第６の成膜室に移動し、第２電極１４０８を成膜する。本実施形態では、第１の成膜室～第６の成膜室では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第６の成膜室における第２電極１４０８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第２電極１４０８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層１４１０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置１４００が完成する。なお、ここでは保護層１４１０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。

【0099】

ここで、第１の成膜室～第６の成膜室での成膜は、形成されるそれぞれの層のパターンに対応した開口が形成されたマスクを用いて成膜される。成膜の際には、基板１４０３とマスクとの相対的な位置調整（アライメント）を行った後に、マスクの上に基板１４０３を載置して成膜が行われる。

【0100】

＜他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

【0101】

第一実施形態では基板Ｗを保持する保持部６２を静電チャックで構成したが、他の吸着方式であってもよい。たとえば、保持部６２の下面に設けられた複数の吸着パッドの粘着力により基板Ｗを保持してもよい。或いは、吸着パッドはバキュームパッドであってもよい。

【0102】

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

【符号の説明】

【0103】

１０ 成膜室、１１Ａ及び１１Ｂ 搬送ユニット、６Ａ～６Ｄ 保持ユニット、２０Ａ及び２０Ｂ シャッタユニット、３１：成膜源

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】