特開 2023-125724 配線基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023125724

(43)【公開日】2023-09-07

(54)【発明の名称】配線基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20230831BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20230831BHJP

【ＦＩ】

H05K3/34 501D

H01L23/12 K

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022029986

(22)【出願日】2022-02-28

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】田中 輝

【テーマコード（参考）】

5E319

【Ｆターム（参考）】

5E319AA03

5E319AA08

5E319AB05

5E319AC02

5E319AC11

5E319AC20

5E319BB05

5E319CC33

5E319GG20

(57)【要約】

【課題】外部接続用のパッドの外縁が平面視で絶縁層の開口部の外縁よりも内側に位置する配線基板の提供。
【解決手段】本配線基板は、外部接続用のパッドと、絶縁層と、を有し、前記パッドの下面の一部は、前記絶縁層に被覆され、前記絶縁層には、平面視で前記パッドの周囲に位置し、前記絶縁層の上面側に開口する溝が設けられ、前記溝の底面は、前記パッドの下面と面一である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

外部接続用のパッドと、絶縁層と、を有し、
前記パッドの下面の一部は、前記絶縁層に被覆され、
前記絶縁層には、平面視で前記パッドの周囲に位置し、前記絶縁層の上面側に開口する溝が設けられ、
前記溝の底面は、前記パッドの下面と面一である、配線基板。

【請求項2】

前記パッドは、前記溝の底面と接するシード層と、前記シード層上に積層された電解めっき層と、を含む、請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記電解めっき層は、積層構造であり、
前記電解めっき層は、前記シード層上に積層された銅層と、前記銅層上に積層された表面被覆層と、を含む、請求項２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記表面被覆層の外周部は、前記銅層の側面よりも前記溝の内側面側に突出している、請求項３に記載の配線基板。

【請求項5】

前記表面被覆層の最上層は金層である、請求項３又は４に記載の配線基板。

【請求項6】

前記表面被覆層の最上層は錫層である、請求項３又は４に記載の配線基板。

【請求項7】

前記錫層の上面は、凸状に湾曲している、請求項６に記載の配線基板。

【請求項8】

前記パッドの前記絶縁層から露出する面に有機被膜が形成されている、請求項１又は２に記載の配線基板。

【請求項9】

前記パッドの上面は、前記絶縁層の上面よりも低い位置にある、請求項１乃至８の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項10】

支持体の上面の所定位置に、犠牲層を形成する工程と、
前記支持体の上面に、前記犠牲層を被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に配線層を形成する工程と、
前記支持体及び前記犠牲層を除去し、前記絶縁層の前記犠牲層を除去した領域に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に、前記配線層と接続するように、外部接続用のパッドを形成する工程と、を有し、
前記パッドの下面の一部は、前記絶縁層に被覆され、
前記絶縁層には、平面視で前記パッドの周囲に位置し、前記絶縁層の上面側に開口する溝が設けられ、
前記溝の底面は、前記パッドの下面と面一となる、配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

配線基板は、例えば、最外層に配置された絶縁層から露出するパッドを有する。このパッドは、例えば、マザーボード等と電気的に接続するための外部接続用のパッドとなる。この配線基板の製造工程は、例えば、支持体の上面に外部接続用のパッドを形成する工程と、支持体の上面に外部接続用のパッドを被覆する絶縁層を形成する工程と、支持体を除去する工程とを含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００８－１４１０７０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、パッドの上面の面積が大きいと、静電容量が大きくなって電気信号が劣化する場合がある。そこで、近年では、静電容量を低減するために、パッドの上面の面積を小さくしたいという要求がある。一方、配線基板との接続に用いるソケット等に関して従来の配線基板との互換性を確保する観点から、パッドは小型化しても、パッドの周囲の絶縁層の開口の大きさは変えたくないという要求がある。

【0005】

これらの要求に答えるためには、平面視で、パッドの周囲の絶縁層の開口部の外縁は移動させずに、パッドの外縁を絶縁層の開口部の外縁よりも内側に移動させる必要がある。しかし、上記の配線基板では、パッドの外縁のみを絶縁層の開口部の外縁よりも内側に移動させることは困難である。

【0006】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、外部接続用のパッドの外縁が平面視で絶縁層の開口部の外縁よりも内側に位置する配線基板の提供を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本配線基板は、外部接続用のパッドと、絶縁層と、を有し、前記パッドの下面の一部は、前記絶縁層に被覆され、前記絶縁層には、平面視で前記パッドの周囲に位置し、前記絶縁層の上面側に開口する溝が設けられ、前記溝の底面は、前記パッドの下面と面一である。

【発明の効果】

【0008】

開示の技術によれば、外部接続用のパッドの外縁が平面視で絶縁層の開口部の外縁よりも内側に位置する配線基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係る配線基板を例示する図である。

【図2】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。

【図4】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。

【図5】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。

【図6】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。

【図7】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。

【図8】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。

【図9】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。

【図10】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。

【図11】第１実施形態の変形例１に係る配線基板を例示する図である。

【図12】第１実施形態の変形例２に係る配線基板を例示する図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0011】

〈第１実施形態〉
［配線基板の構造］
図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する図であり、図１（ａ）は部分平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ－Ａ線に沿う部分断面図である。

【0012】

図１を参照すると、配線基板１は、パッド１０と、絶縁層２０と、配線層３０と、絶縁層４０と、配線層５０と、ソルダーレジスト層６０と、配線層７０とを有している。配線基板１において、さらに多数の絶縁層及び配線層が積層されてもよい。

【0013】

なお、本実施形態では、便宜上、図１（ｂ）における配線基板１の絶縁層２０側を上側又は一方の側、ソルダーレジスト層６０側を下側又は他方の側とする。また、各部位の絶縁層２０側の面を上面又は一方の面、ソルダーレジスト層６０側の面を下面又は他方の面とする。但し、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、平面視とは対象物を絶縁層２０の上面２０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層２０の上面２０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

【0014】

パッド１０は、外部接続用のパッドである。パッド１０は、例えば、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するために使用できる。パッド１０は、絶縁層２０の上面２０ａ側に開口する溝２０ｇ内に設けられている。パッド１０は積層構造である。パッド１０は、例えば、溝２０ｇの底面と接するシード層１１と、シード層１１上に積層された金属層１２と、金属層１２上に積層された表面被覆層１３とを含む。金属層１２及び表面被覆層１３は、電解めっき層である。

【0015】

言い換えれば、シード層１１上に形成されている電解めっき層は、積層構造である。金属層１２は、例えば、銅層（Ｃｕ層）である。金属層１２上に積層された表面被覆層１３は、例えば、金層（Ａｕ層）である。表面被覆層１３は、最上層をＡｕ層とする積層構造であってもよい。表面被覆層１３は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ層（金属層１２上にＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（金属層１２上にＮｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等とすることができる。表面被覆層１３がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ層である場合、例えば、Ｎｉ層の厚さは５～１０μｍ程度であり、Ｐｄ層の厚さは０．０１５～０．０６５μｍ程度であり、Ａｕ層の厚さは０．０３０～０．０９０μｍ程度である。

【0016】

シード層１１及び金属層１２の側面は、溝２０ｇの底面に対して略垂直であることが好ましい。シード層１１及び金属層１２の側面が溝２０ｇの底面に対して略垂直であると、溝２０ｇ内にはんだやアンダーフィル樹脂を設ける場合にボイドが生じにくくなる。

【0017】

表面被覆層１３の外周部は、金属層１２の側面よりも溝２０ｇの内側面側に庇状に突出している。つまり、表面被覆層１３の上面の面積は、金属層１２の上面の面積よりも大きい。表面被覆層１３の外周部の金属層１２の側面からの突出量は、例えば、２μｍ～３μｍ程度である。シード層１１の上面の面積は、金属層１２の上面の面積と同一である。

【0018】

パッド１０の平面形状は、例えば、直径が６００μｍ～８００μｍ程度の円形である。ただし、パッド１０の平面形状は、楕円形や矩形、その他の任意の形状であってもよい。

【0019】

パッド１０は、絶縁層２０の上面２０ａ側に露出している。絶縁層２０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層２０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層２０の厚さは、例えば、１０～７０μｍ程度とすることができる。

【0020】

パッド１０の下面の一部（ビア配線と接続される部分を除く部分）は、絶縁層２０に被覆されている。また、パッド１０の上面１０ａは、絶縁層２０の上面２０ａよりも低い位置にあることが好ましい。パッド１０の上面１０ａと絶縁層２０の上面２０ａとの距離は、例えば、５～２０μｍ程度である。

【0021】

絶縁層２０には、平面視でパッド１０の周囲に位置し、絶縁層２０の上面２０ａ側に開口する溝２０ｇが設けられている。パッド１０の平面形状が円形である場合、溝２０ｇは、例えば、平面視において、内縁及び外縁が径の異なる円形となるようにリング状に形成することができる。溝２０ｇの幅は、例えば、８０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。溝２０ｇの底面は、パッド１０の下面（シード層１１の下面）と面一である。すなわち、溝２０ｇの底面とパッド１０の下面とは、同一平面上にある。

【0022】

配線層３０は、絶縁層２０の他方の側に形成されている。配線層３０は、例えば、絶縁層２０を貫通しパッド１０の下面を露出するビアホール２０ｘ内に充填されたビア配線、絶縁層２０の下面に形成されたビア受けパッド、及び配線パターンを含んで構成されている。ビア配線は、絶縁層２０を貫通してパッド１０の下面と接する。ビアホール２０ｘは、絶縁層４０側に開口されている開口部の径がパッド１０の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。配線層３０の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。配線層３０を構成するビア受けパッド、及び配線パターンの厚さは、例えば、１０～３０μｍ程度とすることができる。

【0023】

絶縁層４０は、絶縁層２０の下面に配線層３０を覆うように形成されている。絶縁層４０の材料や厚さは、例えば、絶縁層２０と同様とすることができる。絶縁層４０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0024】

配線層５０は、絶縁層４０の他方の側に形成されている。配線層５０は、例えば、絶縁層４０を貫通し配線層３０のビア受けパッドの下面を露出するビアホール４０ｘ内に充填されたビア配線、絶縁層４０の下面に形成されたパッド、及び配線パターンを含んで構成されている。ビアホール４０ｘは、絶縁層４０の下面側に開口されている開口部の径が配線層３０のビア受けパッドの下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。配線層５０の材料や配線層５０を構成する配線パターンの厚さは、例えば、配線層３０と同様とすることができる。

【0025】

ソルダーレジスト層６０は、絶縁層４０の下面に配線層５０を覆うように形成されている絶縁層である。ソルダーレジスト層６０は、例えば、感光性のエポキシ系絶縁性樹脂やアクリル系絶縁性樹脂等により形成できる。ソルダーレジスト層６０厚さは、例えば、絶縁層２０と同様とすることができる。

【0026】

配線層７０は、ソルダーレジスト層６０の他方の側に形成されている。配線層７０は、例えば、ソルダーレジスト層６０を貫通し配線層５０のビア受けパッドの下面を露出するビアホール６０ｘ内に充填されたビア配線、ソルダーレジスト層６０の下面に形成されたパッド、及び配線パターンを含んで構成されている。ビアホール６０ｘは、ソルダーレジスト層６０の下面側に開口されている開口部の径が配線層５０のビア受けパッドの下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。配線層７０の材料や配線層７０を構成する配線パターンの厚さは、例えば、配線層３０と同様とすることができる。

【0027】

配線層７０は、ソルダーレジスト層６０の下面、ビアホール６０ｘの内壁面、及びビアホール６０ｘ内に露出する配線層５０の下面と接するシード層７１と、シード層７１上に積層された金属層７２と、金属層７２上に積層された表面被覆層７３とを含む。金属層７２及び表面被覆層７３は、電解めっき層である。シード層７１、金属層７２、及び表面被覆層７３の材料は、例えば、シード層１１、金属層１２、及び表面被覆層１３と同様とすることができる。シード層７１、金属層７２、及び表面被覆層７３の厚さは、例えば、シード層１１、金属層１２、及び表面被覆層１３より薄くてもよい。また、シード層７１、金属層７２、及び表面被覆層７３の平面形状は、例えば、シード層１１、金属層１２、及び表面被覆層１３より小さくてもよい。配線層７０は、外部接続用のパッドを含む。配線層７０のパッドは、例えば、半導体チップ等と電気的に接続するために使用できる。

【0028】

このように、配線基板１において、絶縁層２０には、平面視でパッド１０の周囲に位置し、絶縁層２０の上面２０ａ側に開口する溝２０ｇが設けられている。これにより、パッド１０の外縁が平面視で絶縁層２０の開口部の外縁（溝２０ｇの外縁）よりも内側に位置することが可能となるため、パッド１０の上面１０ａの面積を小さくできる。パッド１０の上面１０ａの面積を小さくすることで、パッド１０の静電容量を低減することが可能となり、パッド１０を通過する電気信号の劣化を抑制できる。

【0029】

また、仮に、溝２０ｇを設けないとすると、パッド１０の上面１０ａを露出する絶縁層２０の開口部の外縁とパッド１０の外縁とが同じ位置になる。この場合、パッド１０の上面１０ａの面積を従来より小さくすると、開口部の大きさも小さくなってしまい、従来の配線基板との互換性を確保できなくなる。

【0030】

すなわち、パッド１０をマザーボード等の実装基板に接続する際にソケットが使用されるが、パッド１０の上面１０ａを露出する絶縁層２０の開口部は、ソケットが絶縁層２０に接触しない大きさとされている。したがって、従来の配線基板との互換性を確保しながらパッド１０の静電容量を低減するためには、絶縁層２０の開口部の大きさを変えることなく、パッド１０の上面１０ａの面積を小さくする必要がある。平面視でパッド１０の周囲に位置し、絶縁層２０の上面２０ａ側に開口する溝２０ｇを設けることで、従来の配線基板との互換性を確保しつつ、パッド１０の上面１０ａの面積を小さくすることが可能となる。

【0031】

また、パッド１０とマザーボード等の実装基板とを、はんだを介して接続する場合には、余剰のはんだがパッド１０の上面１０ａから溝２０ｇ内に流れ込むため、隣接するパッド同士の短絡を抑制できる。また、はんだが溝２０ｇ内に入り込むことで、パッド１０の上面１０ａ及び側面がはんだと３次元的に接合されるため、パッド１０とはんだとの接合強度を向上できる。

【0032】

また、表面被覆層１３の外周部が金属層１２の側面よりも溝２０ｇの内側面側に突出しているため、はんだが溝２０ｇ内に入り込んだときにアンカー効果が生じ、パッド１０とはんだとの接合強度を向上できる。あるいは、アンダーフィル樹脂を溝２０ｇ内に充填する場合もあり、その場合も、アンカー効果が生じ、パッド１０とアンダーフィル樹脂との接合強度を向上できる。

【0033】

また、配線基板１では、パッド１０の上面１０ａが絶縁層２０の上面２０ａよりも低い位置にある場合、はんだ全体の重心が配線基板１の中心側に位置するようになるため、パッド１０とはんだとの接続の安定性を向上できる。特に、配線基板１の水平方向（上面１０ａと平行な方向）にかかる力に対するはんだの耐久性を大幅に向上できる。

【0034】

［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図１０は、第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施形態では、単品の配線基板を形成する工程を示すが、配線基板となる複数の部分を作製後、個片化して各配線基板とする工程としてもよい。また、図２～図６に示す工程では、支持体の両面に同じ構造を形成するため、一方側についてのみ説明する場合がある。

【0035】

まず、図２に示す工程では、上面及び下面が平坦面である支持体３００を準備する。支持体３００としては、金属板や金属箔等を用いることができるが、本実施形態では、支持体３００として銅箔を用いる例を示す。支持体３００の厚さは、例えば１８～１００μｍ程度とすることができる。

【0036】

次に、支持体３００の上面及び下面の所定位置に、形成を予定しているパッド１０よりも大きな開口部４００ｘを備えたレジスト層４００（例えば、ドライフィルムレジスト等）を形成する。そして、支持体３００をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、レジスト層４００の開口部４００ｘ内に露出する支持体３００の上面及び下面に、犠牲層３１０及び３２０を順次積層する。ここでは、一例として、犠牲層３１０は銅層、犠牲層３２０はニッケル層とする。犠牲層３１０及び３２０の厚さは、形成を予定しているパッド１０の厚さを考慮して適宜決定できる。犠牲層３１０及び３２０を形成後、レジスト層４００を除去する。

【0037】

次に、図３（ａ）に示す工程では、支持体３００の上面に、犠牲層３１０及び３２０の上面及び側面を被覆するように半硬化状態のフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、硬化させて絶縁層２０を形成する。或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等のラミネートに代えて、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等を塗布後、硬化させて絶縁層２０を形成してもよい。絶縁層２０の厚さ等は、前述のとおりである。支持体３００の下面側についても同様である。

【0038】

次に、絶縁層２０に、絶縁層２０を貫通し犠牲層３２０の上面を露出させるビアホール２０ｘを形成する。ビアホール２０ｘは、例えばＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。その後、デスミア処理を行い、ビアホール２０ｘの底部に露出する犠牲層３２０の上面に付着した樹脂残渣を除去してもよい。支持体３００の下面側についても同様である。

【0039】

次に、図３（ｂ）に示す工程では、絶縁層２０上に配線層３０を形成する。配線層３０は、例えば、ビアホール２０ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２０上に形成されたビア受けパッド、及び配線パターンを含んで構成される。配線層３０は、ビアホール２０ｘの底部に露出したパッド１０と電気的に接続される。配線層３０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層３０は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線層形成方法を用いて形成できる。支持体３００の下面側についても同様である。

【0040】

次に、図４に示す工程では、図３（ａ）及び図３（ｂ）と同様の工程を繰り返し、配線層３０上に絶縁層４０を形成し、絶縁層４０に配線層３０のビア受けパッドの上面を露出するビアホール４０ｘを形成し、さらに配線層５０を形成する。絶縁層４０の材料や厚さは、例えば、絶縁層２０の材料や厚さと同様とすることができる。配線層５０の材料や厚さは、例えば、配線層３０の材料や厚さと同様とすることができる。支持体３００の下面側についても同様である。

【0041】

次に、図５に示す工程では、絶縁層４０の上面に、配線層５０を被覆するソルダーレジスト層６０を形成し、ソルダーレジスト層６０に配線層５０のビア受けパッドの上面を露出するビアホール６０ｘを形成する。ソルダーレジスト層６０は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂やアクリル系絶縁性樹脂を、配線層５０を被覆するように絶縁層４０の上面にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。あるいは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂やアクリル系絶縁性樹脂を、配線層５０を被覆するように絶縁層４０の上面にラミネートすることにより形成してもよい。ビアホール６０ｘは、例えば、ソルダーレジスト層６０を露光及び現像することで形成できる。なお、ソルダーレジスト層６０を形成する前に、配線層５０の表面に粗化処理を施すことが好ましい。

【0042】

次に、ソルダーレジスト層６０の上面、ビアホール６０ｘの内壁面、及びビアホール６０ｘ内に露出する配線層５０の上面を連続的に被覆するように、無電解めっき法等によりシード層７１を形成する。そして、シード層７１から給電する電解めっき法により、シード層７１上に選択的に金属層７２及び表面被覆層７３を形成する。具体的には、シード層７１上に、ドライフィルムレジスト等を用いて、金属層７２及び表面被覆層７３を形成する部分に開口部を有するレジスト層を形成する。そして、シード層７１を給電層とする電解めっき法により、開口部内に露出するシード層７１上に電解めっき層である金属層７２及び表面被覆層７３を順次積層する。シード層７１、金属層７２、及び表面被覆層７３の材料や厚さは、前述の通りである。その後、レジスト層を剥離する。支持体３００の下面側についても同様である。

【0043】

次に、図６に示す工程では、シード層７１、金属層７２、及び表面被覆層７３を被覆する保護フィルム４１０をソルダーレジスト層６０上に配置する。支持体３００の下面側についても同様である。

【0044】

次に、図７（ａ）に示す工程では、支持体３００の両側に形成された構造体を支持体３００から剥離する。そして、図７（ｂ）に示す工程では、犠牲層３１０及び３２０をエッチングで除去し、絶縁層２０の犠牲層３１０及び３２０を除去した領域に凹部２０ｙを形成する。犠牲層３１０が銅層である場合は、例えば、過酸化水素／硫酸系水溶液や、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等のエッチング液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。犠牲層３２０がニッケル層である場合は、例えば、過酸化水素／硝酸系水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。なお、シード層７１、金属層７２、及び表面被覆層７３は、保護フィルム４１０に被覆されているため、犠牲層３１０及び３２０のエッチングでは除去されない。

【0045】

次に、図８～図１０に示す工程では、凹部２０ｙ内に、配線層３０と接続するように、外部接続用のパッド１０を形成する。具体的には、図８（ａ）に示す工程では、図７（ｂ）に示す保護フィルム４１０を除去した後、絶縁層２０の上面、凹部２０ｙの内壁面、凹部２０ｙの底面、及び凹部２０ｙ内に露出する配線層３０の上面を連続的に被覆するように、無電解めっき法等によりシード層１１を形成する。また、シード層７１、金属層７２、及び表面被覆層７３を被覆するように、無電解めっき法等によりシード層７４を形成する。シード層１１の材料や厚さは、前述の通りである。シード層７４の材料や厚さは、例えば、シード層１１と同様とすることができる。

【0046】

次に、図８（ｂ）に示す工程では、シード層１１上に、ドライフィルムレジスト等を配置し、露光及び現像して、開口部４２０ｘを有するレジスト層４２０を形成する。開口部４２０ｘ内には、凹部２０ｙの底面に形成したシード層１１の上面の一部が露出する。また、シード層７４上に、ドライフィルムレジスト等によりレジスト層４３０を形成する。

【0047】

次に、図９（ａ）に示す工程では、開口部４２０ｘ内に露出するシード層１１を給電層とする電解めっき法により、開口部４２０ｘ内に露出するシード層１１上に電解めっき層である金属層１２及び表面被覆層１３を順次積層する。金属層１２及び表面被覆層１３の材料や厚さは、前述の通りである。

【0048】

次に、図９（ｂ）に示す工程では、図９（ａ）に示すレジスト層４２０を剥離する。これにより、金属層１２及び表面被覆層１３の周囲に溝２０ｇが形成される。

【0049】

次に、図１０に示す工程では、金属層１２及び表面被覆層１３をマスクとしてエッチングを行い、金属層１２及び表面被覆層１３から露出するシード層１１を除去する。これにより、シード層１１、金属層１２、及び表面被覆層１３を含むパッド１０を得ることができる。シード層１１及び金属層１２がいずれも銅層である場合は、シード層１１をエッチングする際に金属層１２の側面がエッチングされる。そのため、表面被覆層１３の外周部は、銅層である金属層１２の側面よりも溝２０ｇの内側面側に突出する。

【0050】

また、このエッチングにより、金属層７２及び表面被覆層７３から露出するシード層７１も除去される。これにより、シード層７１、金属層７２、及び表面被覆層７３を含む配線層７０を得ることができる。シード層７１及び金属層７２がいずれも銅層である場合は、シード層７１をエッチングする際に金属層７２の側面がエッチングされる。そのため、表面被覆層７３の外周部は、銅層である金属層７２の側面よりも外側に突出する。以上により、配線基板１が完成する。

【0051】

なお、図６に示す工程で設けた保護フィルム４１０を図８に示す工程の前に除去せずに、図１０に示す工程の後に除去してもよい。この場合は、シード層７４やレジスト層４３０の形成は不要となる。

【0052】

〈第１実施形態の変形例１〉
第１実施形態の変形例１では、表面被覆層の形状が第１実施形態とは異なる例を示す。なお、第１実施形態の変形例１において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0053】

図１１は、第１実施形態の変形例１に係る配線基板を例示する部分断面図である。図１１を参照すると、配線基板１Ａは、パッド１０の表面被覆層１３ａの上面が平面ではなく、凸状に湾曲している点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。表面被覆層１３ａは、例えば、第１層１３１及び第２層１３２を含む２層構造である。第１層１３１は、例えば、ニッケル層であり、第２層１３２は錫層である。なお、錫層である第２層１３２の上面は、平面であってもよいが、ここでは、凸状に湾曲している。錫層である第２層１３２の上面は、リフローにより、凸状に湾曲させることができる。第２層１３２の形状は、例えば、ドーム状である。

【0054】

このように、表面被覆層の最上層は錫層であってもよい、その場合、錫層の上面は平面であってもよく、凸状に湾曲する面であってもよい。錫層の上面がドーム状等の凸状に湾曲する面であることで、被接続物との接続を容易にすることができる。また、表面被覆層の最上層を錫層とすることで、被接続物との接続する際に、配線基板１Ａのパッド１０側には、はんだボール等を形成しなくてよい点でも好適である。

【0055】

〈第１実施形態の変形例２〉
第１実施形態の変形例２では、表面被覆層の形状が第１実施形態とは異なる他の例を示す。なお、第１実施形態の変形例２において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0056】

図１２は、第１実施形態の変形例２に係る配線基板を例示する部分断面図である。図１２を参照すると、配線基板１Ｂは、シード層１１の側面、及び金属層１２の上面及び側面が表面被覆層１３ｂで被覆されている点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。表面被覆層１３ｂは、有機被膜である。有機被膜は、例えば、アゾール化合物やイミダゾール化合物等を含む。このように、パッド１０の絶縁層２０から露出する面に有機被膜が形成されていてもよい。

【0057】

なお、第１実施形態の変形例２は、第１実施形態、及び第１実施形態の変形例１と組み合わせることも可能である。例えば、図１（ｂ）において、パッド１０のシード層１１の側面、及び金属層１２の側面が有機被膜で被覆されてもよい。また、シード層７１の側面、及び金属層７２の側面が有機被膜で被覆されてもよい。

【0058】

以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0059】

１，１Ａ，１Ｂ 配線基板
１０ パッド
１０ａ，２０ａ 上面
１１，７１ シード層
１２，７２ 金属層
１３，１３ａ，１３ｂ，７３ 表面被覆層
２０，４０ 絶縁層
２０ｇ 溝
２０ｘ，４０ｘ，６０ｘ ビアホール
２０ｙ 凹部
３０，５０，７０ 配線層
６０ ソルダーレジスト層
１３１ 第１層
１３２ 第２層
３００ 支持体
３１０，３２０ 犠牲層
４００，４２０，４３０ レジスト層
４１０ 保護フィルム
４００ｘ，４２０ｘ 開口部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】