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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023125792
(43)【公開日】2023-09-07
(54)【発明の名称】接続構造体、半導体装置及び接続構造体の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20230831BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 311S
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022030088
(22)【出願日】2022-02-28
(71)【出願人】
【識別番号】000190688
【氏名又は名称】新光電気工業株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】504180239
【氏名又は名称】国立大学法人信州大学
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】相澤 光浩
(72)【発明者】
【氏名】新井 進
【テーマコード（参考）】
5F044
【Ｆターム（参考）】
5F044KK01
5F044KK16
5F044LL00
5F044QQ03
(57)【要約】
【課題】隣接する接続端子同士のショートを抑制できる接続構造体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、第１対向面３１を有する第１接続端子３０と、第１対向面３１に形成された第１粗面化銅金属膜４０と、第１対向面３１と対向する第２対向面６１を有する第２接続端子６０と、第２対向面６１に形成されるとともに、第１粗面化銅金属膜４０と接合された第２粗面化銅金属膜７０とを有する。第１粗面化銅金属膜４０は、銅からなる第１析出物４１が第１対向面３１上に交錯して重なり合う構造を有する。第２粗面化銅金属膜７０は、銅からなる第２析出物７１が第２対向面６１上に交錯して重なり合う構造を有する。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、第１析出物４１と第２析出物７１とが重なり合う構造を有し、空隙を有している。
【選択図】図３
【解決手段】半導体装置１０は、第１対向面３１を有する第１接続端子３０と、第１対向面３１に形成された第１粗面化銅金属膜４０と、第１対向面３１と対向する第２対向面６１を有する第２接続端子６０と、第２対向面６１に形成されるとともに、第１粗面化銅金属膜４０と接合された第２粗面化銅金属膜７０とを有する。第１粗面化銅金属膜４０は、銅からなる第１析出物４１が第１対向面３１上に交錯して重なり合う構造を有する。第２粗面化銅金属膜７０は、銅からなる第２析出物７１が第２対向面６１上に交錯して重なり合う構造を有する。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、第１析出物４１と第２析出物７１とが重なり合う構造を有し、空隙を有している。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１対向面を有する第１接続端子と、
前記第１対向面に形成された第１粗面化銅金属膜と、
前記第１対向面と対向する第２対向面を有する第２接続端子と、
前記第２対向面に形成された第２粗面化銅金属膜と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜は、銅からなる第１析出物が前記第１対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、銅からなる第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、前記第１析出物と前記第２析出物とが重なり合う構造を有し、空隙を有している接続構造体。
前記第１対向面に形成された第１粗面化銅金属膜と、
前記第１対向面と対向する第２対向面を有する第２接続端子と、
前記第２対向面に形成された第２粗面化銅金属膜と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜は、銅からなる第１析出物が前記第１対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、銅からなる第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、前記第１析出物と前記第２析出物とが重なり合う構造を有し、空隙を有している接続構造体。
【請求項2】
前記第１粗面化銅金属膜は、シート状の前記第１析出物が前記第１対向面上に交錯して重なり合う構造を有するとともに、シート状の前記第１析出物の間に空隙が形成された構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、シート状の前記第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有するとともに、シート状の前記第２析出物の間に空隙が形成された構造を有する請求項１に記載の接続構造体。
前記第２粗面化銅金属膜は、シート状の前記第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有するとともに、シート状の前記第２析出物の間に空隙が形成された構造を有する請求項１に記載の接続構造体。
【請求項3】
前記第１粗面化銅金属膜は、粒状の前記第１析出物が前記第１対向面上に交錯して重なり合う構造を有するとともに、粒状の前記第１析出物の間に空隙が形成された構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、粒状の前記第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有するとともに、粒状の前記第２析出物の間に空隙が形成された構造を有する請求項１に記載の接続構造体。
前記第２粗面化銅金属膜は、粒状の前記第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有するとともに、粒状の前記第２析出物の間に空隙が形成された構造を有する請求項１に記載の接続構造体。
【請求項4】
前記第１粗面化銅金属膜は、前記第１粗面化銅金属膜の厚さ方向において、前記第１対向面に近づくに連れて前記第１析出物の密度が高くなるように形成されており、
前記第２粗面化銅金属膜は、前記第２粗面化銅金属膜の厚さ方向において、前記第２対向面に近づくに連れて前記第２析出物の密度が高くなるように形成されている請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の接続構造体。
前記第２粗面化銅金属膜は、前記第２粗面化銅金属膜の厚さ方向において、前記第２対向面に近づくに連れて前記第２析出物の密度が高くなるように形成されている請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の接続構造体。
【請求項5】
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分における空隙率は、前記第１粗面化銅金属膜の内部における空隙率よりも高く、且つ前記第２粗面化銅金属膜の内部における空隙率よりも高い請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の接続構造体。
【請求項6】
前記第１接続端子は、銅からなり、
前記第２接続端子は、銅からなる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の接続構造体。
前記第２接続端子は、銅からなる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の接続構造体。
【請求項7】
第１粗面化銅金属膜と、
前記第１粗面化銅金属膜と接合された第２粗面化銅金属膜と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜は、銅からなる第１析出物が交錯して重なり合う構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、銅からなる第２析出物が交錯して重なり合う構造を有し、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、前記第１析出物と前記第２析出物とが重なり合う構造を有し、空隙を有している接続構造体。
前記第１粗面化銅金属膜と接合された第２粗面化銅金属膜と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜は、銅からなる第１析出物が交錯して重なり合う構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、銅からなる第２析出物が交錯して重なり合う構造を有し、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、前記第１析出物と前記第２析出物とが重なり合う構造を有し、空隙を有している接続構造体。
【請求項8】
配線基板と、
前記配線基板に実装された半導体素子と、を有し、
前記配線基板は、
前記半導体素子と対向する第１対向面を有する第１接続端子と、
前記第１対向面に形成された第１粗面化銅金属膜と、を有し、
前記半導体素子は、
前記第１対向面と対向する第２対向面を有する第２接続端子と、
前記第２対向面に形成された第２粗面化銅金属膜と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜は、銅からなる第１析出物が前記第１対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、銅からなる第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、前記第１析出物と前記第２析出物とが重なり合う構造を有し、空隙を有している半導体装置。
前記配線基板に実装された半導体素子と、を有し、
前記配線基板は、
前記半導体素子と対向する第１対向面を有する第１接続端子と、
前記第１対向面に形成された第１粗面化銅金属膜と、を有し、
前記半導体素子は、
前記第１対向面と対向する第２対向面を有する第２接続端子と、
前記第２対向面に形成された第２粗面化銅金属膜と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜は、銅からなる第１析出物が前記第１対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、銅からなる第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、前記第１析出物と前記第２析出物とが重なり合う構造を有し、空隙を有している半導体装置。
【請求項9】
第１粗面化銅金属膜を有する配線基板と、
前記第１粗面化銅金属膜と接合された第２粗面化銅金属膜を有し、前記配線基板に実装された半導体素子と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜は、銅からなる第１析出物が交錯して重なり合う構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、銅からなる第２析出物が交錯して重なり合う構造を有し、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、前記第１析出物と前記第２析出物とが重なり合う構造を有し、空隙を有している半導体装置。
前記第１粗面化銅金属膜と接合された第２粗面化銅金属膜を有し、前記配線基板に実装された半導体素子と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜は、銅からなる第１析出物が交錯して重なり合う構造を有し、
前記第２粗面化銅金属膜は、銅からなる第２析出物が交錯して重なり合う構造を有し、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、前記第１析出物と前記第２析出物とが重なり合う構造を有し、空隙を有している半導体装置。
【請求項10】
第１対向面を有する第１接続端子を形成する工程と、
電解銅めっき法により、銅からなる第１析出物が前記第１対向面上に交錯して重なり合う構造を有する第１粗面化銅金属膜を形成する工程と、
第２対向面を有する第２接続端子を形成する工程と、
電解銅めっき法により、銅からなる第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有する第２粗面化銅金属膜を形成する工程と、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜とを重ね合わせた状態で加熱及び加圧することにより、前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜とを接合する工程と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜及び前記第２粗面化銅金属膜は、ポリアクリル酸を添加した電解銅めっき浴をめっき浴として使用する電解銅めっき法により形成され、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、空隙を有した状態で前記第１析出物と前記第２析出物とが拡散接合される接続構造体の製造方法。
電解銅めっき法により、銅からなる第１析出物が前記第１対向面上に交錯して重なり合う構造を有する第１粗面化銅金属膜を形成する工程と、
第２対向面を有する第２接続端子を形成する工程と、
電解銅めっき法により、銅からなる第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有する第２粗面化銅金属膜を形成する工程と、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜とを重ね合わせた状態で加熱及び加圧することにより、前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜とを接合する工程と、を有し、
前記第１粗面化銅金属膜及び前記第２粗面化銅金属膜は、ポリアクリル酸を添加した電解銅めっき浴をめっき浴として使用する電解銅めっき法により形成され、
前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、空隙を有した状態で前記第１析出物と前記第２析出物とが拡散接合される接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、接続構造体、半導体装置及び接続構造体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体素子の有する電極パッドと、配線基板の有する接続端子とをはんだ層によって接合した半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－９３５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、近年では、半導体素子の高性能化に伴って配線基板の接続端子の狭ピッチ化が進められている。しかし、接続端子の狭ピッチ化が進むと、隣接するはんだ層同士がリフロー後にショートしやすくなる。隣接するはんだ層同士がショートすると、隣接する接続端子同士がショートするという問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一観点によれば、第１対向面を有する第１接続端子と、前記第１対向面に形成された第１粗面化銅金属膜と、前記第１対向面と対向する第２対向面を有する第２接続端子と、前記第２対向面に形成された第２粗面化銅金属膜と、を有し、前記第１粗面化銅金属膜は、銅からなる第１析出物が前記第１対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、前記第２粗面化銅金属膜は、銅からなる第２析出物が前記第２対向面上に交錯して重なり合う構造を有し、前記第１粗面化銅金属膜と前記第２粗面化銅金属膜との接合部分は、前記第１析出物と前記第２析出物とが重なり合う構造を有し、空隙を有している。
【発明の効果】
【0006】
本発明の一観点によれば、隣接する接続端子同士のショートを抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１実施形態の半導体装置を示す概略断面図である。
【図2】第１実施形態の半導体装置の一部を示す概略分解断面図である。
【図3】第１実施形態の半導体装置の一部を示す概略断面図である。
【図4】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図5】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図6】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図7】第１実施形態の第１粗面化銅金属膜の表面を上方から観察した走査型電子顕微鏡写真である。
【図8】第１実施形態の接続構造体の断面構造を観察した走査型イオン顕微鏡写真である。
【図9】第２実施形態の半導体装置の一部を示す概略分解断面図である。
【図10】第２実施形態の半導体装置の一部を示す概略断面図である。
【図11】第２実施形態の第１粗面化銅金属膜の表面を上方から観察した走査型電子顕微鏡写真である。
【図12】第２実施形態の接続構造体の断面構造を観察した走査型イオン顕微鏡写真である。
【図13】第３実施形態の半導体装置を示す概略断面図である。
【図14】第３実施形態の半導体装置の一部を示す概略分解断面図である。
【図15】第３実施形態の半導体装置の一部を示す概略断面図である。
【図16】変更例の半導体装置を示す概略断面図である。
【図17】比較例の粗面構造を示す概略断面図である。
【図18】比較例の半導体装置を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率については各図面で異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から見ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から見た形状のことを言う。本明細書における「上下方向」及び「左右方向」は、各図面において各部材を示す符号が正しく読める向きを正位置とした場合の方向である。また、本明細書における「平行」、「直交」や「垂直」は、厳密に平行、直交や垂直の場合のみでなく、本実施形態における作用効果を奏する範囲内で概ね平行、直交や垂直の場合も含まれる。
【0009】
（第１実施形態）
以下、図１～図８に従って第１実施形態を説明する。
（半導体装置１０の全体構成）
図１に示すように、半導体装置１０は、配線基板２０と、１つ又は複数（ここでは、１つ）の半導体素子５０と、外部接続端子８０とを有している。
以下、図１～図８に従って第１実施形態を説明する。
（半導体装置１０の全体構成）
図１に示すように、半導体装置１０は、配線基板２０と、１つ又は複数（ここでは、１つ）の半導体素子５０と、外部接続端子８０とを有している。
【0010】
（配線基板２０の全体構成）
配線基板２０は、例えば、基板本体２１を有している。基板本体２１の下面には、配線層２２と、ソルダーレジスト層２３とが順に積層されている。基板本体２１の上面には、配線層２４と、絶縁層２５と、配線層２６と、第１粗面化銅金属膜４０とが順に積層されている。
配線基板２０は、例えば、基板本体２１を有している。基板本体２１の下面には、配線層２２と、ソルダーレジスト層２３とが順に積層されている。基板本体２１の上面には、配線層２４と、絶縁層２５と、配線層２６と、第１粗面化銅金属膜４０とが順に積層されている。
【0011】
基板本体２１としては、例えば、絶縁樹脂層と配線層とが交互に積層された配線構造体を用いることができる。配線構造体は、例えば、コア基板を有してもよいし、コア基板を有していなくてもよい。絶縁樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。また、絶縁樹脂層の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などの感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることもできる。絶縁樹脂層は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【0012】
基板本体２１の配線層や配線層２２，２４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。ソルダーレジスト層２３の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などの感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層２３は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【0013】
（配線層２２の構造）
配線層２２は、基板本体２１の下面に形成されている。配線層２２は、配線基板２０の最下層の配線層である。
配線層２２は、基板本体２１の下面に形成されている。配線層２２は、配線基板２０の最下層の配線層である。
【0014】
（ソルダーレジスト層２３の構造）
ソルダーレジスト層２３は、配線層２２を被覆するように、基板本体２１の下面に積層されている。ソルダーレジスト層２３は、配線基板２０の最外層（ここでは、最下層）の絶縁層である。
ソルダーレジスト層２３は、配線層２２を被覆するように、基板本体２１の下面に積層されている。ソルダーレジスト層２３は、配線基板２０の最外層（ここでは、最下層）の絶縁層である。
【0015】
ソルダーレジスト層２３には、配線層２２の下面の一部を外部接続用パッドＰ１として露出させるための複数の開口部２３Ｘが形成されている。外部接続用パッドＰ１には、配線基板２０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用される外部接続端子８０が接続されている。
【0016】
開口部２３Ｘの底部に露出する配線層２２の下面には、必要に応じて、表面処理層が形成されている。表面処理層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。表面処理層の他の例としては、Ｎｉ層／Ｐｄ層（Ｎｉ層とＰｄ層をこの順番で積層した金属層）、Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｐｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。ここで、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。これらＡｕ層、Ｎｉ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき層）や、電解めっき法により形成された金属層（電解めっき層）を用いることができる。また、表面処理層としては、開口部２３Ｘに露出する配線層２２の下面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して形成されるＯＳＰ膜を用いることができる。ＯＳＰ膜としては、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜を用いることができる。なお、配線層２２の下面に表面処理層が形成されている場合には、その表面処理層が外部接続用パッドＰ１として機能する。
【0017】
本例では、配線層２２の下面に外部接続端子８０を設けるようにしたが、開口部２３Ｘに露出する配線層２２自体、又は配線層２２の下面に表面処理層が形成されている場合にはその表面処理層自体を、外部接続端子としてもよい。
【0018】
（配線層２４の構造）
配線層２４は、基板本体２１の上面に形成されている。配線層２４は、例えば、基板本体２１内の配線層や貫通電極を介して、配線層２２と電気的に接続されている。
配線層２４は、基板本体２１の上面に形成されている。配線層２４は、例えば、基板本体２１内の配線層や貫通電極を介して、配線層２２と電気的に接続されている。
【0019】
（絶縁層２５の構造）
絶縁層２５は、配線層２４の一部を被覆するように、基板本体２１の上面に積層されている。絶縁層２５は、配線基板２０の最外層（ここでは、最上層）に設けられた最外絶縁層である。絶縁層２５は、例えば、基板本体２１で用いた絶縁樹脂層と同じ絶縁樹脂層とすることができる。また、絶縁層２５としては、例えば、ソルダーレジスト層を用いることもできる。ソルダーレジスト層の材料としては、例えば、ソルダーレジスト層２３と同様の材料を用いることができる。
絶縁層２５は、配線層２４の一部を被覆するように、基板本体２１の上面に積層されている。絶縁層２５は、配線基板２０の最外層（ここでは、最上層）に設けられた最外絶縁層である。絶縁層２５は、例えば、基板本体２１で用いた絶縁樹脂層と同じ絶縁樹脂層とすることができる。また、絶縁層２５としては、例えば、ソルダーレジスト層を用いることもできる。ソルダーレジスト層の材料としては、例えば、ソルダーレジスト層２３と同様の材料を用いることができる。
【0020】
絶縁層２５には、当該絶縁層２５を厚さ方向（図中上下方向）に貫通して配線層２４の上面の一部を露出する開口部２５Ｘが形成されている。開口部２５Ｘの平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。本例の開口部２５Ｘの平面形状は、円形状に形成されている。本例の開口部２５Ｘは、図１において上側（絶縁層２５の上面側）から下側（配線層２４側）に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。
【0021】
（配線層２６の構造）
配線層２６は、開口部２５Ｘから露出された配線層２４上に形成されている。配線層２６は、例えば、開口部２５Ｘ内に形成されたビア配線２６Ｖと、ビア配線２６Ｖを介して配線層２４と電気的に接続されるとともに絶縁層２５の上面に形成された第１接続端子３０とを有している。第１接続端子３０は、例えば、半導体素子５０などの電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。
配線層２６は、開口部２５Ｘから露出された配線層２４上に形成されている。配線層２６は、例えば、開口部２５Ｘ内に形成されたビア配線２６Ｖと、ビア配線２６Ｖを介して配線層２４と電気的に接続されるとともに絶縁層２５の上面に形成された第１接続端子３０とを有している。第１接続端子３０は、例えば、半導体素子５０などの電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。
【0022】
ビア配線２６Ｖは、例えば、開口部２５Ｘを充填するように形成されている。ビア配線２６Ｖは、開口部２５Ｘと同様の形状に形成されている。ビア配線２６Ｖは、例えば、上面の直径が下面の直径よりも大径となる逆円錐台形状に形成されている。
【0023】
第１接続端子３０は、例えば、絶縁層２５の上面から上方に突出するように柱状に形成されている。第１接続端子３０は、例えば、金属ポストである。本例の第１接続端子３０は、円柱状に形成されている。第１接続端子３０は、例えば、ビア配線２６Ｖと一体に形成されている。第１接続端子３０の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。第１接続端子３０の平面形状は、例えば、直径が１５μｍ以上４０μｍ以下の範囲の円形状とすることができる。第１接続端子３０の厚さは、例えば、２μｍ以上５０μｍ以下の範囲とすることができる。
【0024】
第１接続端子３０は、半導体素子５０と対向する第１対向面３１（ここでは、上面）を有している。第１接続端子３０の第１対向面３１は、例えば、平面に形成されている。第１対向面３１は、例えば、基板本体２１の上面と平行に広がるように形成されている。第１対向面３１は、例えば、凹凸の少ない平滑面である。
【0025】
ここで、本明細書における「対向」とは、面同士又は部材同士が互いに正面の位置にあることを指し、互いが完全に正面の位置にある場合だけでなく、互いが部分的に正面の位置にある場合を含む。また、本明細書における「対向」とは、２つの部分の間に、２つの部分とは別の部材が介在している場合と、２つの部分の間に何も介在していない場合の両方を含む。
【0026】
ビア配線２６Ｖ及び第１接続端子３０の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。本例の第１接続端子３０は、銅からなる。ビア配線２６Ｖ及び第１接続端子３０としては、例えば、無電解めっき法により形成された無電解めっき層や電解めっき法により形成された電解めっき層を用いることができる。
【0027】
（第１粗面化銅金属膜４０の構造）
第１粗面化銅金属膜４０は、第１接続端子３０の第１対向面３１に形成されている。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、第１対向面３１全面を被覆するように形成されている。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、第１接続端子３０の側面を露出するように形成されている。換言すると、第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、第１接続端子３０の表面のうち第１対向面３１のみを被覆するように形成されている。第１粗面化銅金属膜４０の厚さ（膜厚）は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下の範囲とすることができる。
第１粗面化銅金属膜４０は、第１接続端子３０の第１対向面３１に形成されている。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、第１対向面３１全面を被覆するように形成されている。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、第１接続端子３０の側面を露出するように形成されている。換言すると、第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、第１接続端子３０の表面のうち第１対向面３１のみを被覆するように形成されている。第１粗面化銅金属膜４０の厚さ（膜厚）は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下の範囲とすることができる。
【0028】
図２に示すように、第１粗面化銅金属膜４０は、表面（上面及び側面、又は上面のみ）が粗面化されためっき膜である。第１粗面化銅金属膜４０の表面は、微細な凹凸構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０は、第１接続端子３０の第１対向面３１上に、銅からなる第１析出物４１が交錯して重なり合う構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０は、第１対向面３１上に、銅からなる板状体の第１析出物４１が交錯して重なり合う構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０は、電解銅めっき法により形成されためっき膜である。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、銅のみのめっき膜からなる金属膜である。ここで、「銅からなる第１析出物４１が交錯して重なり合う構造」とは、めっき金属である銅からなる多数の第１析出物４１（電析物）がランダムな向きに交錯して重なり合い、金属膜（めっき膜）中に多数の空隙が形成された構造（ポーラス構造）のことである。なお、図２は、半導体素子５０が配線基板２０に接合される前の状態における半導体装置１０の一部の断面構造を示している。
【0029】
本実施形態の第１粗面化銅金属膜４０は、銅からなるシート状（薄板状）の第１析出物４１がさまざまな向きに折り重なる構造を有し、且つシート状の第１析出物４１の間に空隙が形成された構造を有している。ここで、シート状の第１析出物４１の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲とすることができる。シート状の第１析出物４１の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲とすることがより好ましい。第１粗面化銅金属膜４０は、シート状の第１析出物４１が多数の層状に積層された構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０は、ナノサイズの微細なシート状の第１析出物４１がランダムな向きに交錯して多数の層状に折り重なって形成された三次元ナノ構造を有している。このような第１粗面化銅金属膜４０は、第１粗面化銅金属膜４０の厚さ方向の全体にわたって、シート状の第１析出物４１が緻密に折り重なって内部に多数の空隙が設けられた構造に形成されている。すなわち、第１粗面化銅金属膜４０は、厚さ方向の全体にわたって、多数の微細な空隙が内部に設けられた構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０では、例えば、厚さ方向において第１析出物４１の密度が異なっている。換言すると、第１粗面化銅金属膜４０では、例えば、厚さ方向において空隙率が異なっている。例えば、第１粗面化銅金属膜４０では、厚さ方向において、第１対向面３１に近づくに連れて第１析出物４１の密度が高くなっている、つまり第１対向面３１に近づくに連れて空隙率が低くなっている。なお、第１粗面化銅金属膜４０全体における空隙率は、例えば、８％以上２０％以下の範囲とすることができる。
【0030】
このように、第１粗面化銅金属膜４０は、多数の第１析出物４１が交錯して重なり合う構造を有することで、表面に凹凸を有するとともに厚さ方向に多数の空隙を有する粗面構造を有している。このような第１粗面化銅金属膜４０における粗面構造は、一般的な粗化処理、例えば薬液による粗化処理や物理的な加工によって形成される粗面構造とは異なる。なお、一般的な粗化処理としては、例えば、黒化処理、エッチング処理やブラスト処理などが挙げられる。
【0031】
詳述すると、図１７に示すように、第１接続端子３０に対して一般的な粗化処理を施して形成される粗面構造１００は、第１接続端子３０の表面のみに凹凸が形成された構造になる。粗面構造１００は、厚さ方向及び幅方向（つまり、厚さ方向と直交する方向）全体において、粗面構造１００の内部の銅の析出物の密度は高い。このような粗面構造１００は、図２に示したような第１析出物４１が交錯して重なり合う構造を有しておらず、厚さ方向及び金属膜の内部に空隙を有していない。そして、粗面構造１００には、厚さ方向において空隙率が異なる構造はない。
【0032】
図２に示すように、第１粗面化銅金属膜４０は、第１接続端子３０の第１対向面３１に接合されている。ここで、第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４０との界面（接合界面）には、金属間化合物が形成されていない。すなわち、銅からなる第１接続端子３０と銅からなる第１粗面化銅金属膜４０とは、銅以外の材料からなる他の部材を介さずに、互いに直接接合されている。第１粗面化銅金属膜４０は、第１接続端子３０と一体化されている。なお、各図面では、第１接続端子３０及び第１粗面化銅金属膜４０を判り易くするため、それら第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４０とを実線にて区別している。実際には、第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４０との界面は消失していることがあり、境界は明確ではないことがある。
【0033】
（半導体素子５０の構成）
図１に示すように、半導体素子５０は、半導体素子５０の回路形成面（ここでは、下面）に形成された複数の第２接続端子６０と、第２粗面化銅金属膜７０とを有している。半導体素子５０は、配線基板２０にフリップチップ実装されている。具体的には、半導体素子５０の第２接続端子６０は、配線基板２０の第１接続端子３０に電気的に接続されている。第２接続端子６０は、第２粗面化銅金属膜７０及び第１粗面化銅金属膜４０を介して第１接続端子３０に電気的に接続されている。これにより、半導体素子５０は、第２接続端子６０、第２粗面化銅金属膜７０及び第１粗面化銅金属膜４０を介して第１接続端子３０と電気的に接続されている。
図１に示すように、半導体素子５０は、半導体素子５０の回路形成面（ここでは、下面）に形成された複数の第２接続端子６０と、第２粗面化銅金属膜７０とを有している。半導体素子５０は、配線基板２０にフリップチップ実装されている。具体的には、半導体素子５０の第２接続端子６０は、配線基板２０の第１接続端子３０に電気的に接続されている。第２接続端子６０は、第２粗面化銅金属膜７０及び第１粗面化銅金属膜４０を介して第１接続端子３０に電気的に接続されている。これにより、半導体素子５０は、第２接続端子６０、第２粗面化銅金属膜７０及び第１粗面化銅金属膜４０を介して第１接続端子３０と電気的に接続されている。
【0034】
半導体素子５０としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体素子５０としては、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることができる。なお、配線基板２０に複数の半導体素子５０を搭載する場合には、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板２０に搭載するようにしてもよい。
【0035】
（第２接続端子６０の構造）
複数の第２接続端子６０は、複数の第１接続端子３０にそれぞれ対向するように設けられている。第２接続端子６０は、例えば、半導体素子５０の回路形成面から下方に突出するように柱状に形成されている。第２接続端子６０は、例えば、金属ポストである。本例の第２接続端子６０は、円柱状に形成されている。第２接続端子６０の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。第２接続端子６０の平面形状は、例えば、直径が１５μｍ以上４０μｍ以下の範囲の円形状とすることができる。第２接続端子６０の厚さは、例えば、２μｍ以上５０μｍ以下の範囲とすることができる。
複数の第２接続端子６０は、複数の第１接続端子３０にそれぞれ対向するように設けられている。第２接続端子６０は、例えば、半導体素子５０の回路形成面から下方に突出するように柱状に形成されている。第２接続端子６０は、例えば、金属ポストである。本例の第２接続端子６０は、円柱状に形成されている。第２接続端子６０の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。第２接続端子６０の平面形状は、例えば、直径が１５μｍ以上４０μｍ以下の範囲の円形状とすることができる。第２接続端子６０の厚さは、例えば、２μｍ以上５０μｍ以下の範囲とすることができる。
【0036】
第２接続端子６０の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。本例の第２接続端子６０は、銅からなる。第２接続端子６０としては、無電解めっき層や電解めっき層を用いることができる。
【0037】
第２接続端子６０は、第１接続端子３０の第１対向面３１と対向する第２対向面６１（ここでは、下面）を有している。第２接続端子６０の第２対向面６１は、例えば、平面に形成されている。第２対向面６１は、例えば、半導体素子５０の回路形成面と平行に広がるように形成されている。第２対向面６１は、例えば、凹凸の少ない平滑面である。
【0038】
（第２粗面化銅金属膜７０の構造）
第２粗面化銅金属膜７０は、第２接続端子６０の第２対向面６１に形成されている。第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、第２対向面６１全面を被覆するように形成されている。第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、第２接続端子６０の側面を露出するように形成されている。換言すると、第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、第２接続端子６０の表面のうち第２対向面６１のみを被覆するように形成されている。第２粗面化銅金属膜７０の厚さ（膜厚）は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下の範囲とすることができる。
第２粗面化銅金属膜７０は、第２接続端子６０の第２対向面６１に形成されている。第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、第２対向面６１全面を被覆するように形成されている。第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、第２接続端子６０の側面を露出するように形成されている。換言すると、第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、第２接続端子６０の表面のうち第２対向面６１のみを被覆するように形成されている。第２粗面化銅金属膜７０の厚さ（膜厚）は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下の範囲とすることができる。
【0039】
図２に示すように、第２粗面化銅金属膜７０は、第１粗面化銅金属膜４０と同様の構造を有している。第２粗面化銅金属膜７０は、表面（下面及び側面、又は下面のみ）が粗面化されためっき膜である。第２粗面化銅金属膜７０の表面は、微細な凹凸構造を有している。第２粗面化銅金属膜７０は、第２接続端子６０の第２対向面６１上に、銅からなる第２析出物７１が交錯して重なり合う構造を有している。第２粗面化銅金属膜７０は、第２対向面６１上に、銅からなる板状体の第２析出物７１が交錯して重なり合う構造を有している。第２粗面化銅金属膜７０は、電解銅めっき法により形成されためっき膜である。第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、銅のみのめっき膜からなる金属膜である。ここで、「銅からなる第２析出物７１が交錯して重なり合う構造」とは、めっき金属である銅からなる多数の第２析出物７１（電析物）がランダムな向きに交錯して重なり合い、めっき膜中に多数の空隙が形成された構造のことである。
【0040】
本実施形態の第２粗面化銅金属膜７０は、銅からなるシート状（薄板状）の第２析出物７１がさまざまな向きに折り重なる構造を有し、且つシート状の第２析出物７１の間に空隙が形成された構造を有している。ここで、シート状の第２析出物７１の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲とすることができる。シート状の第２析出物７１の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲とすることがより好ましい。第２粗面化銅金属膜７０は、シート状の第２析出物７１が多数の層状に積層された構造を有している。第２粗面化銅金属膜７０は、第２粗面化銅金属膜７０の厚さ方向の全体にわたって、シート状の第２析出物７１が緻密に折り重なって内部に多数の空隙が設けられた構造に形成されている。第２粗面化銅金属膜７０は、ナノサイズの微細なシート状の第２析出物７１がランダムな向きに交錯して多数の層状に折り重なって形成された三次元ナノ構造を有している。このような第２粗面化銅金属膜７０は、厚さ方向の全体にわたって、多数の微細な空隙が内部に設けられた構造に形成されている。第２粗面化銅金属膜７０では、例えば、厚さ方向において第２析出物７１の密度が異なっている。換言すると、第２粗面化銅金属膜７０では、例えば、厚さ方向において空隙率が異なっている。例えば、第２粗面化銅金属膜７０では、厚さ方向において、第２対向面６１に近づくに連れて第２析出物７１の密度が高くなっている、つまり第２対向面６１に近づくに連れて空隙率が低くなっている。なお、第２粗面化銅金属膜７０全体における空隙率は、例えば、８％以上２０％以下の範囲とすることができる。
【0041】
このように、第２粗面化銅金属膜７０は、多数の第２析出物７１が交錯して重なり合う構造を有することで、表面に凹凸を有するとともに厚さ方向に多数の空隙を有する粗面構造を有している。
【0042】
第２粗面化銅金属膜７０は、第２接続端子６０の第２対向面６１に接合されている。ここで、第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７０との界面（接合界面）には、金属間化合物が形成されていない。すなわち、銅からなる第２接続端子６０と銅からなる第２粗面化銅金属膜７０とは、銅以外の材料からなる他の部材を介さずに、互いに直接接合されている。第２粗面化銅金属膜７０は、第２接続端子６０と一体化されている。なお、各図面では、第２接続端子６０及び第２粗面化銅金属膜７０を判り易くするため、それら第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７０とを実線にて区別している。実際には、第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７０との界面は消失していることがあり、境界は明確ではないことがある。
【0043】
図３に示すように、第２粗面化銅金属膜７０は、第１粗面化銅金属膜４０と接合されている。第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、第１粗面化銅金属膜４０と焼結により拡散接合されている。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との界面（接合界面）には、金属間化合物が形成されていない。すなわち、銅からなる第１粗面化銅金属膜４０と銅からなる第２粗面化銅金属膜７０とは、銅以外の材料からなる他の部材を介さずに、互いに直接接合されている。
【0044】
第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、第１析出物４１と第２析出物７１とが重なり合う構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分では、例えば、第１析出物４１と第２析出物７１とが焼結により拡散接合されている。これにより、第１析出物４１と第２析出物７１とが一体化され、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とが一体化されている。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、空隙を有した状態で第１析出物４１と第２析出物７１とが拡散接合された構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分における空隙率は、例えば、５％以上１８％以下の範囲とすることができる。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分における空隙率は、第１粗面化銅金属膜４０の内部における空隙率よりも高く、且つ第２粗面化銅金属膜７０の内部における空隙率よりも高い。換言すると、第１粗面化銅金属膜４０と、第２粗面化銅金属膜７０と、それら第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分とにおいては、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分が最も空隙率が高くなっている。なお、第１粗面化銅金属膜４０では、厚さ方向において、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分から第１対向面３１に近づくに連れて空隙率が低くなっている。また、第２粗面化銅金属膜７０では、厚さ方向において、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分から第２対向面６１に近づくに連れて空隙率が低くなっている。
【0045】
第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、例えば、第１接続端子３０の側面よりも外方に突出していない。すなわち、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、平面方向（図中左右方向）において、接合金属部材（はんだ等）の余剰な部材が第１接続端子３０の側面よりも外側に突出していない。ここで、平面方向は、例えば、第１粗面化銅金属膜４０の厚さ方向と断面視で直交する方向である。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、例えば、第２接続端子６０の側面よりも外方に突出していない。これら第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０により、第１接続端子３０と第２接続端子６０とが垂直に接合されている。
【0046】
以上説明した第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４０と第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７０とによって、接続構造体が構成されている。
（外部接続端子８０の構造）
図１に示すように、外部接続端子８０は、配線基板２０の外部接続用パッドＰ１上に形成されている。外部接続端子８０は、例えば、図示しないマザーボード等の実装基板に設けられたパッドと電気的に接続される接続端子である。外部接続端子８０としては、例えば、はんだボールやリードピンを用いることができる。本実施形態では、外部接続端子８０として、はんだボールを用いている。
（外部接続端子８０の構造）
図１に示すように、外部接続端子８０は、配線基板２０の外部接続用パッドＰ１上に形成されている。外部接続端子８０は、例えば、図示しないマザーボード等の実装基板に設けられたパッドと電気的に接続される接続端子である。外部接続端子８０としては、例えば、はんだボールやリードピンを用いることができる。本実施形態では、外部接続端子８０として、はんだボールを用いている。
【0047】
（半導体装置１０の製造方法）
次に、図４～図６に従って、半導体装置１０の製造方法について説明する。ここでは、接続構造体の製造方法について詳述する。なお、説明の便宜上、最終的に半導体装置１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
次に、図４～図６に従って、半導体装置１０の製造方法について説明する。ここでは、接続構造体の製造方法について詳述する。なお、説明の便宜上、最終的に半導体装置１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
【0048】
まず、図４に示すように、基板本体２１の下面に配線層２２とソルダーレジスト層２３とが形成され、基板本体２１の上面に配線層２４と絶縁層２５と配線層２６とが形成された配線基板２０を準備する。この配線基板２０は、公知の製造方法により製造することが可能であるため、ここでは詳細な説明を省略する。ビア配線２６Ｖ及び第１接続端子３０を有する配線層２６は、例えば、セミアディティブ法によって形成することができる。具体的には、まず、開口部２５Ｘの内面と開口部２５Ｘの底部に露出する配線層２４の上面と絶縁層２５の上面とを被覆するシード層（図示略）を形成した後、シード層上に第１接続端子３０の形状に対応した開口部を有するレジストパターン（図示略）を形成する。その後、レジストパターンをめっきマスクとした電解銅めっき法により、ビア配線２６Ｖ及び第１接続端子３０を形成する。また、図４に示す工程では、回路形成面に第２接続端子６０が形成された半導体素子５０を準備する。
【0049】
続いて、図５に示す工程では、配線層２６の第１接続端子３０の第１対向面３１上に、第１粗面化銅金属膜４０を形成する。第１粗面化銅金属膜４０は、電解銅めっき法により形成することができる。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、粗面化剤（添加剤）を添加した電解銅めっき浴をめっき浴として使用し、第１接続端子３０等をめっき給電層に利用する電解銅めっき法により形成することができる。本工程の電解銅めっき法では、例えば、配線層２６を形成する際に使用したレジストパターン（図示略）をめっきマスクとして利用することができる。また、電解銅めっき浴に添加する粗面化剤としては、ポリアクリル酸を用いることができる。ここで、第１粗面化銅金属膜４０を所望の粗面構造、つまり銅からなる第１析出物４１（図２参照）が交錯して重なり合う構造に形成するためには、電解銅めっき法において使用するめっき浴の組成、電流密度や通電量を適切に調整する必要がある。以下に、第１粗面化銅金属膜４０を形成する際のめっき条件の一例を説明する。具体的には、ポリアクリル酸を添加した電解銅めっき浴を使用する場合のめっき浴の組成及び電析条件は、次の通りである。
【0050】
（第１めっき条件）
［１］めっき浴組成
基本浴：
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：０．８５Ｍ
Ｈ２ＳＯ４：０．５５Ｍ
添加剤：
ポリアクリル酸（分子量５０００）：３．０×１０－４Ｍ
［２］電析条件
電流モード：電流規制法
通電量：４Ｃｃｍ－２
電流密度：１Ａｄｍ－２
温度：室温
攪拌：なし
アノード：Ｃｕ板
カソード：被めっき物（配線基板又は半導体素子）
このように、使用するめっき浴の組成や電析条件を適切に調整することにより、第１粗面化銅金属膜４０を所望の粗面構造に形成することができる。
［１］めっき浴組成
基本浴：
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：０．８５Ｍ
Ｈ２ＳＯ４：０．５５Ｍ
添加剤：
ポリアクリル酸（分子量５０００）：３．０×１０－４Ｍ
［２］電析条件
電流モード：電流規制法
通電量：４Ｃｃｍ－２
電流密度：１Ａｄｍ－２
温度：室温
攪拌：なし
アノード：Ｃｕ板
カソード：被めっき物（配線基板又は半導体素子）
このように、使用するめっき浴の組成や電析条件を適切に調整することにより、第１粗面化銅金属膜４０を所望の粗面構造に形成することができる。
【0051】
図７は、上述の第１めっき条件を用いた電解銅めっき法により形成された第１粗面化銅金属膜４０の表面を上方から観察した走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）写真である。図７のＳＥＭ像から、第１粗面化銅金属膜４０は、シート状（薄板状又は板状体）の多数の第１析出物４１がランダムに交錯して重なり合い、内部に空隙が形成された粗面構造に形成されていることが分かる。換言すると、図７のＳＥＭ像から、上述の第１めっき条件を用いて電解銅めっき法を実施することにより、第１粗面化銅金属膜４０を所望の粗面構造に形成できることを確認できた。図７のＳＥＭ像における第１析出物４１の厚さは、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲である。
【0052】
なお、上述しためっき条件（めっき浴の組成及び電析条件）は一例であり、第１粗面化銅金属膜４０が所望の粗面構造になるように調整されるのであれば、その組成及び条件は特に限定されない。電解銅めっき法におけるポリアクリル酸の濃度、電流密度、通電量、めっき浴の浴温度等を調整することによって、第１粗面化銅金属膜４０における第１析出物４１の形状や密度を制御することができる。
【0053】
また、図５に示す工程では、第２接続端子６０の第２対向面６１上に、第２粗面化銅金属膜７０を形成する。第２粗面化銅金属膜７０は、第１粗面化銅金属膜４０の形成と同様に、ポリアクリル酸を添加した電解銅めっき浴を使用する電解銅めっき法により形成することができる。なお、本工程におけるめっき条件は、第１粗面化銅金属膜４０の形成時の第１めっき条件と同じ条件に設定することができる。このような電解銅めっき法により形成された第２粗面化銅金属膜７０は、図７に示したＳＥＭ像と同様の粗面構造に形成される。
【0054】
次に、図６に示す工程では、配線基板２０の上方に、第２接続端子６０及び第２粗面化銅金属膜７０を有する半導体素子５０を配置する。このとき、第１接続端子３０と第２接続端子６０とが互いに対向するように、配線基板２０及び半導体素子５０を配置する。そして、第１粗面化銅金属膜４０上に、第２粗面化銅金属膜７０を重ね合わせる。
【0055】
続いて、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを接合する。本例では、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを焼結により拡散接合する。本工程では、第１粗面化銅金属膜４０上に第２粗面化銅金属膜７０を重ね合わせた状態で、配線基板２０及び半導体素子５０を加熱及び加圧することにより接合を行う。加熱温度は、例えば、１８０℃以上２５０℃以下の範囲とすることができる。圧力は、例えば、８ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下の範囲とすることができる。加熱及び加圧処理の処理時間は、例えば、３分以上１０分以下の範囲とすることができる。加熱及び加圧処理は、例えば、大気中で行うことができる。このような加熱及び加圧処理によって、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とが焼結により拡散接合する。具体的には、図３に示すように、第１粗面化銅金属膜４０の第１析出物４１と第２粗面化銅金属膜７０の第２析出物７１とが焼結により拡散接合され、それら第１析出物４１と第２析出物７１とが一体化される。これにより、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とが接合されるとともに一体化される。
【0056】
図８は、加熱温度を２００℃、圧力を１０ＭＰａ、処理時間を５分に設定した加熱及び加圧処理により、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを接合したときの接合部分の断面構造を観察した走査型イオン顕微鏡（ＳＩＭ：Scanning Ion Microscope）写真である。図８のＳＩＭ像から、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分では、空隙を有した状態で第１析出物４１と第２析出物７１とが接合されていることが分かる。そして、これら第１析出物４１と第２析出物７１との接合により、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とが接合されるとともに一体化されている。換言すると、図８のＳＩＭ像から、加熱温度を２００℃、圧力を１０ＭＰａ、処理時間を５分に設定した加熱及び加圧処理により、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを接合できることを確認できた。このように、本工程の加熱及び加圧処理では、比較的低い温度（２００℃程度）により第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを接合することができる。これは、第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０がそれぞれ、厚さ数十ｎｍのシート状の第１析出物４１及び第２析出物７１により構成されている、つまりナノサイズの微細な析出物によって構成されているためと考えられる。ナノサイズの第１析出物４１及び第２析出物７１では表面の反応性が高くなるため、本来の融点よりも低い温度であっても、粒子界面における拡散が進行して焼結することが可能になる。これにより、第１析出物４１と第２析出物７１とでは低温での焼結が可能になると考えられる。
【0057】
これに対し、一般的な粗化処理で生成された粗面構造、つまり図１７に示したような粗面構造１００は、表面に凹凸が形成された構造を有するのみで、析出物が交錯して重なり合う構造を有しておらず、ナノサイズの金属粒子を有していない。このため、２つの粗面構造１００を重ね合わせた状態で上述した条件と同様の条件で加熱及び加圧処理を行ったとしても、２つの粗面構造１００同士を接合することはできない。なお、本発明者らは、重ね合わせた２つの粗面構造１００を２５０℃程度に加熱しながら１５ＭＰａの圧力で１０分間加圧した場合に、２つの粗面構造１００同士が接合されなかったことを実験で確認した。
【0058】
また、図１８に示すように、銅からなる接続端子１１０の平滑面１１１と銅からなる接続端子１２０の平滑面１２１とでは、加熱及び加圧処理を実施することにより平滑面１１１，１２１同士を拡散接合することが可能である。しかし、平滑面１１１，１２１同士を拡散接合するためには、重ね合わせた平滑面１１１，１２１を５００℃～９００℃程度の高温に加熱する必要がある。このため、半導体素子５０の実装時に平滑面１１１，１２１同士を拡散接合する場合には、半導体素子５０が５００℃以上の高温に曝されるという問題がある。
【0059】
これに対し、図６に示した第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合工程では、平滑面１１１，１２１（図１８参照）同士を接合する場合の加熱温度よりも低い温度、つまり２００℃程度の温度で処理することができる。これにより、半導体素子５０の実装時の温度を低くできるため、半導体素子５０が高温に曝されることを抑制でき、半導体素子５０における熱ストレスを低減することができる。
【0060】
なお、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合工程の前に、必要に応じて、第１粗面化銅金属膜４０の表面及び第２粗面化銅金属膜７０の表面に、プラズマ処理を施すようにしてもよい。プラズマ処理を施すことにより、第１粗面化銅金属膜４０の表面及び第２粗面化銅金属膜７０の表面に酸化膜が形成されている場合であっても、その酸化膜を除去することができる。これにより、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との焼結性を高めることができる。
【0061】
以上説明した工程により、半導体素子５０を配線基板２０に実装することができる。その後、外部接続用パッドＰ１上に、図１に示した外部接続端子８０を形成する。これにより、図１に示した半導体装置１０を製造することができる。
【0062】
次に、本実施形態の作用効果を説明する。
（１）第１接続端子３０の第１対向面３１に第１粗面化銅金属膜４０を形成するとともに、第２接続端子６０の第２対向面６１に第２粗面化銅金属膜７０を形成した。そして、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを接合するようにした。この構成によれば、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とが接合されることにより、それら第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０を介して第１接続端子３０と第２接続端子６０とを接合することができる。すなわち、第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０によって、第１接続端子３０と第２接続端子６０とを接合することができる。このような第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０は、はんだ層に比べて、平面方向に広がることを抑制できる。このため、第１接続端子３０と第２接続端子６０とをはんだ層により接合する場合に比べて、接合部分が平面方向に広がることを抑制できる。この結果、第１接続端子３０の狭ピッチ化が進んだ場合であっても、隣接する第１接続端子３０同士がショートすることを好適に抑制できる。換言すると、隣接する第１接続端子３０を狭ピッチに設計することができる。
（１）第１接続端子３０の第１対向面３１に第１粗面化銅金属膜４０を形成するとともに、第２接続端子６０の第２対向面６１に第２粗面化銅金属膜７０を形成した。そして、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを接合するようにした。この構成によれば、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とが接合されることにより、それら第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０を介して第１接続端子３０と第２接続端子６０とを接合することができる。すなわち、第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０によって、第１接続端子３０と第２接続端子６０とを接合することができる。このような第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０は、はんだ層に比べて、平面方向に広がることを抑制できる。このため、第１接続端子３０と第２接続端子６０とをはんだ層により接合する場合に比べて、接合部分が平面方向に広がることを抑制できる。この結果、第１接続端子３０の狭ピッチ化が進んだ場合であっても、隣接する第１接続端子３０同士がショートすることを好適に抑制できる。換言すると、隣接する第１接続端子３０を狭ピッチに設計することができる。
【0063】
（２）第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０は共に銅からなる。このため、第１接続端子３０と第２接続端子６０とを接合する接合部分を銅により構成することができる。これにより、第１接続端子３０と第２接続端子６０とをはんだ層により接合する場合に比べて、第１接続端子３０と第２接続端子６０との接合部分における電気抵抗を低くすることができる。
【0064】
（３）第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、第１析出物４１と第２析出物７１とが重なり合う構造を有している。そして、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、空隙を有した状態で第１析出物４１と第２析出物７１とが接合された構造を有している。この構成によれば、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分に空隙が設けられることにより、その接合部分における第１析出物４１及び第２析出物７１が変形しやすくなる。このため、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分にかかる応力を緩和させやすい。これにより、応力に起因して第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分にクラック等が発生することを好適に抑制できる。この結果、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接続信頼性を向上させることができる。
【0065】
（４）第１粗面化銅金属膜４０は、厚さ数十ｎｍのシート状の第１析出物４１が第１対向面３１上に交錯して重なり合う構造を有するとともに、シート状の第１析出物４１の間に空隙が形成された構造を有する。第２粗面化銅金属膜７０は、厚さ数十ｎｍのシート状の第２析出物７１が第２対向面６１上に交錯して重なり合う構造を有するとともに、シート状の第２析出物７１の間に空隙が形成された構造を有する。このように、第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０が共にナノサイズの多数の金属粒子によって構成されている。これにより、第１析出物４１の表面及び第２析出物７１の表面の反応性を高めることができ、第１析出物４１及び第２析出物７１における焼結性を高めることができる。このため、第１析出物４１と第２析出物７１とを低温で焼結させることができる。この結果、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合時、つまり半導体素子５０の実装時における温度を低くできる。したがって、半導体素子５０が高温に曝されることを抑制でき、半導体素子５０における熱ストレスを低減することができる。
【0066】
（５）第１接続端子３０が銅からなり、第２接続端子６０が銅からなる。この構成によれば、第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４０と第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７０とが全て銅からなる。このため、第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４０と第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７０とは、単一の金属、つまり銅のみによって接続されている。したがって、第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４０と第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７０とのそれぞれの界面に金属間化合物が形成されない。これにより、金属間化合物の生成に起因するカーケンダルボイドの発生を好適に抑制できる。さらに、カーケンダルボイドに起因する破断等の問題の発生を好適に抑制できる。換言すると、第１接続端子３０と第２接続端子６０との接続信頼性を向上させることができる。ひいては、半導体素子５０の実装信頼性を向上させることができる。
【0067】
（第２実施形態）
以下、図９～図１２に従って第２実施形態を説明する。この実施形態の半導体装置は、第１粗面化銅金属膜及び第２粗面化銅金属膜における粗面構造が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図８に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。なお、図９は、配線基板２０に半導体素子５０が実装される前の状態における接続構造体の断面構造を示している。
以下、図９～図１２に従って第２実施形態を説明する。この実施形態の半導体装置は、第１粗面化銅金属膜及び第２粗面化銅金属膜における粗面構造が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図８に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。なお、図９は、配線基板２０に半導体素子５０が実装される前の状態における接続構造体の断面構造を示している。
【0068】
図９及び図１０に示すように、半導体装置１０は、第１接続端子３０と第１接続端子３０の第１対向面３１に形成された第１粗面化銅金属膜４５とを有する配線基板２０を有している。すなわち、本実施形態の配線基板２０では、図１に示した第１粗面化銅金属膜４０の代わりに、第１粗面化銅金属膜４５が第１対向面３１上に形成されている。半導体装置１０は、第２接続端子６０と第２接続端子６０の第２対向面６１に形成された第２粗面化銅金属膜７５とを有する半導体素子５０を有している。すなわち、本実施形態の半導体素子５０では、図１に示した第２粗面化銅金属膜７０の代わりに、第２粗面化銅金属膜７５が第２対向面６１上に形成されている。
【0069】
（第１粗面化銅金属膜４５の構造）
図９に示すように、第１粗面化銅金属膜４５は、例えば、第１対向面３１全面を被覆するように形成されている。第１粗面化銅金属膜４５は、第１対向面３１に直接接合されている。第１粗面化銅金属膜４５は、第１接続端子３０と一体化されている。なお、各図面では、第１接続端子３０及び第１粗面化銅金属膜４５を判り易くするため、それら第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４５とを実線にて区別している。実際には、第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４５との界面は消失していることがあり、境界は明確ではないことがある。なお、第１粗面化銅金属膜４５の厚さ（膜厚）は、例えば、０．５μｍ以上２μｍ以下の範囲とすることができる。
図９に示すように、第１粗面化銅金属膜４５は、例えば、第１対向面３１全面を被覆するように形成されている。第１粗面化銅金属膜４５は、第１対向面３１に直接接合されている。第１粗面化銅金属膜４５は、第１接続端子３０と一体化されている。なお、各図面では、第１接続端子３０及び第１粗面化銅金属膜４５を判り易くするため、それら第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４５とを実線にて区別している。実際には、第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４５との界面は消失していることがあり、境界は明確ではないことがある。なお、第１粗面化銅金属膜４５の厚さ（膜厚）は、例えば、０．５μｍ以上２μｍ以下の範囲とすることができる。
【0070】
第１粗面化銅金属膜４５の表面（上面及び側面、又は上面のみ）は、微細な凹凸構造を有している。第１粗面化銅金属膜４５は、第１接続端子３０の第１対向面３１上に、めっき金属である銅からなる粒状の第１析出物４６が交錯して重なり合う構造を有している。第１粗面化銅金属膜４５は、粒状の第１析出物４６の間に空隙が形成された構造を有している。第１粗面化銅金属膜４５は、電解銅めっき法により形成されためっき膜である。第１粗面化銅金属膜４５は、例えば、銅のみのめっき膜からなる金属膜である。
【0071】
粒状の第１析出物４６は、例えば、球状に形成されている。ここで、粒状の第１析出物４６の粒径は、例えば、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲とすることができる。粒状の第１析出物４６の粒径は、例えば、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲とすることがより好ましい。第１粗面化銅金属膜４５は、粒状の第１析出物４６が多数の層状に積層された構造を有している。第１粗面化銅金属膜４５は、ナノサイズの微細な粒状の第１析出物４６がランダムな向きに交錯して多数の層状に折り重なって形成された三次元ナノ構造を有している。このような第１粗面化銅金属膜４５は、第１粗面化銅金属膜４５の厚さ方向の全体にわたって、粒状の第１析出物４６が緻密に折り重なって内部に多数の空隙が設けられた構造に形成されている。すなわち、第１粗面化銅金属膜４５は、厚さ方向の全体にわたって、多数の微細な空隙が内部に設けられた構造を有している。第１粗面化銅金属膜４５では、例えば、厚さ方向において第１析出物４６の密度が異なっている。例えば、第１粗面化銅金属膜４５では、厚さ方向において、第１対向面３１に近づくに連れて第１析出物４６の密度が高くなっている。なお、第１粗面化銅金属膜４５全体における空隙率は、例えば、１０％以上２５％以下の範囲とすることができる。
【0072】
このように、第１粗面化銅金属膜４５は、多数の粒状の第１析出物４６が交錯して重なり合う構造を有することで、表面に凹凸を有するとともに厚さ方向に多数の空隙を有する粗面構造を有している。
【0073】
（第２粗面化銅金属膜７５の構造）
第２粗面化銅金属膜７５は、例えば、第２対向面６１全面を被覆するように形成されている。第２粗面化銅金属膜７５は、第２対向面６１に直接接合されている。第２粗面化銅金属膜７５は、第２接続端子６０と一体化されている。なお、各図面では、第２接続端子６０及び第２粗面化銅金属膜７５を判り易くするため、それら第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７５とを実線にて区別している。実際には、第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７５との界面は消失していることがあり、境界は明確ではないことがある。なお、第２粗面化銅金属膜７５の厚さ（膜厚）は、例えば、０．５μｍ以上２μｍ以下の範囲とすることができる。
第２粗面化銅金属膜７５は、例えば、第２対向面６１全面を被覆するように形成されている。第２粗面化銅金属膜７５は、第２対向面６１に直接接合されている。第２粗面化銅金属膜７５は、第２接続端子６０と一体化されている。なお、各図面では、第２接続端子６０及び第２粗面化銅金属膜７５を判り易くするため、それら第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７５とを実線にて区別している。実際には、第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７５との界面は消失していることがあり、境界は明確ではないことがある。なお、第２粗面化銅金属膜７５の厚さ（膜厚）は、例えば、０．５μｍ以上２μｍ以下の範囲とすることができる。
【0074】
第２粗面化銅金属膜７５の表面（下面及び側面、又は下面のみ）は、微細な凹凸構造を有している。第２粗面化銅金属膜７５は、第２接続端子６０の第２対向面６１上に、めっき金属である銅からなる粒状の第２析出物７６が交錯して重なり合う構造を有している。第２粗面化銅金属膜７５は、粒状の第２析出物７６の間に空隙が形成された構造を有している。第２粗面化銅金属膜７５は、電解銅めっき法により形成されためっき膜である。第２粗面化銅金属膜７５は、例えば、銅のみのめっき膜からなる金属膜である。
【0075】
粒状の第２析出物７６は、例えば、球状に形成されている。ここで、粒状の第２析出物７６の粒径は、例えば、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲とすることができる。粒状の第２析出物７６の粒径は、例えば、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲とすることがより好ましい。第２粗面化銅金属膜７５は、粒状の第２析出物７６が多数の層状に積層された構造を有している。第２粗面化銅金属膜７５は、ナノサイズの微細な粒状の第２析出物７６がランダムな向きに交錯して多数の層状に折り重なって形成された三次元ナノ構造を有している。このような第２粗面化銅金属膜７５は、第２粗面化銅金属膜７５の厚さ方向の全体にわたって、粒状の第２析出物７６が緻密に折り重なって内部に多数の空隙が設けられた構造に形成されている。すなわち、第２粗面化銅金属膜７５は、厚さ方向の全体にわたって、多数の微細な空隙が内部に設けられた構造を有している。第２粗面化銅金属膜７５では、例えば、厚さ方向において第２析出物７６の密度が異なっている。例えば、第２粗面化銅金属膜７５では、厚さ方向において、第２対向面６１に近づくに連れて第２析出物７６の密度が高くなっている。なお、第２粗面化銅金属膜７５全体における空隙率は、例えば、１０％以上２５％以下の範囲とすることができる。
【0076】
このように、第２粗面化銅金属膜７５は、多数の粒状の第２析出物７６が交錯して重なり合う構造を有することで、表面に凹凸を有するとともに厚さ方向に多数の空隙を有する粗面構造を有している。
【0077】
図１０に示すように、第２粗面化銅金属膜７５は、第１粗面化銅金属膜４５と接合されている。第２粗面化銅金属膜７５は、例えば、第１粗面化銅金属膜４５と焼結により拡散接合されている。第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との界面（接合界面）には、金属間化合物が形成されていない。すなわち、銅からなる第１粗面化銅金属膜４５と銅からなる第２粗面化銅金属膜７５とは、銅以外の材料からなる他の部材を介さずに、互いに直接接合されている。
【0078】
第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分は、第１析出物４６と第２析出物７６とが重なり合う構造を有している。第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分では、例えば、第１析出物４６と第２析出物７６とが焼結により拡散接合されている。これにより、第１析出物４６と第２析出物７６とが一体化され、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とが一体化されている。第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分は、空隙を有した状態で第１析出物４６と第２析出物７６とが拡散接合された構造を有している。第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分における空隙率は、例えば、７％以上２０％以下の範囲とすることができる。第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分における空隙率は、第１粗面化銅金属膜４５の内部における空隙率よりも高く、且つ第２粗面化銅金属膜７５の内部における空隙率よりも高い。換言すると、第１粗面化銅金属膜４５と、第２粗面化銅金属膜７５と、それら第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分とにおいては、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分が最も空隙率が高くなっている。なお、第１粗面化銅金属膜４５では、厚さ方向において、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分から第１対向面３１に近づくに連れて空隙率が低くなっている。また、第２粗面化銅金属膜７５では、厚さ方向において、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分から第２対向面６１に近づくに連れて空隙率が低くなっている。
【0079】
第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分は、例えば、第１接続端子３０の側面及び第２接続端子６０の側面よりも外方に突出していない。すなわち、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分は、平面方向において、接合金属部材（はんだ等）の余剰な部材が第１接続端子３０の側面及び第２接続端子６０の側面よりも外側に突出していない。これら第１粗面化銅金属膜４５及び第２粗面化銅金属膜７５により、第１接続端子３０と第２接続端子６０とが垂直に接合されている。
【0080】
以上説明した第１接続端子３０と第１粗面化銅金属膜４５と第２接続端子６０と第２粗面化銅金属膜７５とによって、本実施形態の接続構造体が構成されている。
（半導体装置１０の製造方法）
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。なお、本実施形態の製造方法は、図５に示した工程のみが上記第１実施形態の製造方法と異なる。このため、以下の説明では、第１粗面化銅金属膜４５及び第２粗面化銅金属膜７５を形成する工程について詳述する。
（半導体装置１０の製造方法）
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。なお、本実施形態の製造方法は、図５に示した工程のみが上記第１実施形態の製造方法と異なる。このため、以下の説明では、第１粗面化銅金属膜４５及び第２粗面化銅金属膜７５を形成する工程について詳述する。
【0081】
図９に示すように、第１粗面化銅金属膜４５は、第１接続端子３０の第１対向面３１上に形成される。第１粗面化銅金属膜４５は、上記第１実施形態と同様に、ポリアクリル酸を添加した電解銅めっき浴をめっき浴として使用し、第１接続端子３０等をめっき給電層に利用する電解銅めっき法により形成することができる。但し、上記第１実施形態とは、電解銅めっき法において使用するめっき浴の組成や電析条件が異なる。以下に、第１粗面化銅金属膜４５を形成する際のめっき条件の一例を説明する。具体的には、ポリアクリル酸を添加した電解銅めっき浴を使用する場合のめっき浴の組成及び電析条件は、次の通りである。
【0082】
（第２めっき条件）
［１］めっき浴組成
基本浴：
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：０．８５Ｍ
Ｈ２ＳＯ４：０．５５Ｍ
添加剤：
ポリアクリル酸（分子量５０００）：５．０×１０－４Ｍ
［２］電析条件
電流モード：電流規制法
通電量：２Ｃｃｍ－２
電流密度：１Ａｄｍ－２
温度：室温
攪拌：なし
アノード：Ｃｕ板
カソード：被めっき物（配線基板又は半導体素子）
このように、使用するめっき浴の組成や電析条件を適切に調整することにより、第１粗面化銅金属膜４５を所望の粗面構造に形成することができる。
［１］めっき浴組成
基本浴：
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：０．８５Ｍ
Ｈ２ＳＯ４：０．５５Ｍ
添加剤：
ポリアクリル酸（分子量５０００）：５．０×１０－４Ｍ
［２］電析条件
電流モード：電流規制法
通電量：２Ｃｃｍ－２
電流密度：１Ａｄｍ－２
温度：室温
攪拌：なし
アノード：Ｃｕ板
カソード：被めっき物（配線基板又は半導体素子）
このように、使用するめっき浴の組成や電析条件を適切に調整することにより、第１粗面化銅金属膜４５を所望の粗面構造に形成することができる。
【0083】
図１１は、上述の第２めっき条件を用いた電解銅めっき法により形成された第１粗面化銅金属膜４５の表面を上方から観察した走査型電子顕微鏡写真である。図１１のＳＥＭ像から、第１粗面化銅金属膜４５は、粒状の多数の第１析出物４６がランダムに交錯して重なり合い、内部に空隙が形成された粗面構造に形成されていることが分かる。換言すると、図１１のＳＥＭ像から、上述の第２めっき条件を用いて電解銅めっき法を実施することにより、第１粗面化銅金属膜４５を所望の粗面構造に形成できることを確認できた。なお、図１１のＳＥＭ像における第１析出物４６の粒径は、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲である。
【0084】
なお、上述しためっき浴の組成や電析条件は一例であり、第１粗面化銅金属膜４５が所望の粗面構造になるように調整されるのであれば、その組成及び条件は特に限定されない。電解銅めっき法におけるポリアクリル酸の濃度、電流密度、通電量、めっき浴の浴温度等を調整することにより、第１粗面化銅金属膜４５における第１析出物４６の形状や密度を制御することができる。
【0085】
また、図９に示すように、第２粗面化銅金属膜７５は、第２接続端子６０の第２対向面６１上に形成される。第２粗面化銅金属膜７５は、第１粗面化銅金属膜４５の形成と同様に、ポリアクリル酸を添加した電解銅めっき浴をめっき浴として使用する電解銅めっき法により形成することができる。なお、本工程におけるめっき条件は、第１粗面化銅金属膜４５の形成時の第２めっき条件と同じ条件に設定することができる。このような電解銅めっき法により形成された第２粗面化銅金属膜７５は、図１１に示したＳＥＭ像と同様の粗面構造に形成される。
【0086】
続いて、図１０に示すように、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とを接合する。本例では、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とを焼結により拡散接合する。本工程では、第１粗面化銅金属膜４５上に第２粗面化銅金属膜７５を重ね合わせた状態で、配線基板２０及び半導体素子５０を加熱及び加圧することにより接合を行う。加熱温度は、例えば、１８０℃以上２５０℃以下の範囲とすることができる。圧力は、例えば、８ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下の範囲とすることができる。加熱及び加圧処理の処理時間は、例えば、３分以上１０分以下の範囲とすることができる。加熱及び加圧処理は、例えば、大気中で行うことができる。このような加熱及び加圧処理によって、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とが焼結により拡散接合する。具体的には、第１粗面化銅金属膜４５の第１析出物４６と第２粗面化銅金属膜７５の第２析出物７６とが焼結により拡散接合され、それら第１析出物４６と第２析出物７６とが一体化される。これにより、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とが接合されるとともに一体化される。
【0087】
図１２は、加熱温度を２００℃、圧力を１０ＭＰａ、処理時間を５分に設定した加熱及び加圧処理により、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とを接合したときの接合部分の断面構造を観察した走査型イオン顕微鏡写真である。図１２のＳＩＭ像から、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５との接合部分では、空隙を有した状態で第１析出物４６と第２析出物７６とが接合されていることが分かる。そして、これら第１析出物４６と第２析出物７６との接合により、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とが接合されるとともに一体化されている。換言すると、図１２のＳＩＭ像から、加熱温度を２００℃、圧力を１０ＭＰａ、処理時間を５分に設定した加熱及び加圧処理により、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とを接合できることを確認できた。このように、上記第１実施形態と同様に本実施形態においても、比較的低い温度（２００℃程度）により第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とを接合することができる。
【0088】
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
（第３実施形態）
以下、図１３～図１５に従って第３実施形態を説明する。この実施形態の半導体装置は、接続構造体の構成が第１実施形態及び第２実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１２に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。なお、図１４は、配線基板２０に半導体素子５０が実装される前の状態における接続構造体の断面構造を示している。
（第３実施形態）
以下、図１３～図１５に従って第３実施形態を説明する。この実施形態の半導体装置は、接続構造体の構成が第１実施形態及び第２実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１２に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。なお、図１４は、配線基板２０に半導体素子５０が実装される前の状態における接続構造体の断面構造を示している。
【0089】
図１３に示すように、本実施形態の配線基板２０は、基板本体２１上に形成された第１粗面化銅金属膜４０を有している。本実施形態の半導体素子５０は、半導体素子５０の回路形成面（ここでは、下面）に形成された第２粗面化銅金属膜７０を有している。第２粗面化銅金属膜７０は、第１粗面化銅金属膜４０と接合されている。本実施形態の半導体装置１０では、第２粗面化銅金属膜７０が第１粗面化銅金属膜４０に接合されることにより、半導体素子５０が配線基板２０上に実装されている。換言すると、本実施形態の半導体装置１０では、第１粗面化銅金属膜４０が半導体素子５０と接続される第１接続端子として機能するとともに、第２粗面化銅金属膜７０が配線基板２０と接続される第２接続端子として機能する。すなわち、本実施形態の半導体装置１０では、第１接続端子全体が第１粗面化銅金属膜４０により構成されるとともに、第２接続端子全体が第２粗面化銅金属膜７０により構成されている。
【0090】
（第１粗面化銅金属膜４０の構造）
第１粗面化銅金属膜４０は、基板本体２１の上面に形成されている。本実施形態の配線基板２０では、基板本体２１の上面に、複数の第１粗面化銅金属膜４０が形成されている。各第１粗面化銅金属膜４０は、基板本体２１の上面の一部に部分的に設けられている。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、基板本体２１内の配線層や貫通電極を介して、配線層２２と電気的に接続されている。第１粗面化銅金属膜４０の厚さ（膜厚）は、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲とすることができる。
第１粗面化銅金属膜４０は、基板本体２１の上面に形成されている。本実施形態の配線基板２０では、基板本体２１の上面に、複数の第１粗面化銅金属膜４０が形成されている。各第１粗面化銅金属膜４０は、基板本体２１の上面の一部に部分的に設けられている。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、基板本体２１内の配線層や貫通電極を介して、配線層２２と電気的に接続されている。第１粗面化銅金属膜４０の厚さ（膜厚）は、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲とすることができる。
【0091】
図１４に示すように、第１粗面化銅金属膜４０は、表面（上面及び側面、又は上面のみ）が粗面化されためっき膜である。第１粗面化銅金属膜４０の表面は、微細な凹凸構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０は、基板本体２１の上面に、めっき金属である銅からなるシート状の第１析出物４１が交錯して重なり合う構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０は、シート状の第１析出物４１の間に空隙が形成された構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０は、電解銅めっき法により形成されためっき膜である。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、銅のみのめっき膜からなる金属膜である。
【0092】
第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、基板本体２１の上面に形成されたシード層（図示略）上に形成されている。第１粗面化銅金属膜４０は、例えば、シード層と一体化されている。なお、シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【0093】
（第２粗面化銅金属膜７０の構造）
図１３に示すように、第２粗面化銅金属膜７０は、半導体素子５０の回路形成面に形成されている。本実施形態では、半導体素子５０の回路形成面に、複数の第２粗面化銅金属膜７０が形成されている。各第２粗面化銅金属膜７０は、半導体素子５０の回路形成面の一部に部分的に設けられている。各第２粗面化銅金属膜７０の厚さ（膜厚）は、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲とすることができる。
図１３に示すように、第２粗面化銅金属膜７０は、半導体素子５０の回路形成面に形成されている。本実施形態では、半導体素子５０の回路形成面に、複数の第２粗面化銅金属膜７０が形成されている。各第２粗面化銅金属膜７０は、半導体素子５０の回路形成面の一部に部分的に設けられている。各第２粗面化銅金属膜７０の厚さ（膜厚）は、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲とすることができる。
【0094】
図１４に示すように、第２粗面化銅金属膜７０の表面（下面及び側面、又は下面のみ）は、微細な凹凸構造を有している。第２粗面化銅金属膜７０は、回路形成面上に、めっき金属である銅からなるシート状の第２析出物７１が交錯して重なり合う構造を有している。第２粗面化銅金属膜７０は、シート状の第２析出物７１の間に空隙が形成された構造を有している。第２粗面化銅金属膜７０は、電解銅めっき法により形成されためっき膜である。第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、銅のみのめっき膜からなる金属膜である。
【0095】
第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、半導体素子５０の回路形成面に形成されたシード層（図示略）上に形成されている。第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、シード層と一体化されている。なお、シード層の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。
【0096】
図１５に示すように、第２粗面化銅金属膜７０は、第１粗面化銅金属膜４０と接合されている。第２粗面化銅金属膜７０は、例えば、第１粗面化銅金属膜４０と焼結により拡散接合されている。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との界面（接合界面）には、金属間化合物が形成されていない。すなわち、銅からなる第１粗面化銅金属膜４０と銅からなる第２粗面化銅金属膜７０とは、銅以外の材料からなる他の部材を介さずに、互いに直接接合されている。
【0097】
第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、第１析出物４１と第２析出物７１とが重なり合う構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分では、例えば、第１析出物４１と第２析出物７１とが焼結により拡散接合されている。これにより、第１析出物４１と第２析出物７１とが一体化され、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とが一体化されている。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分は、空隙を有した状態で第１析出物４１と第２析出物７１とが拡散接合された構造を有している。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分における空隙率は、例えば、５％以上１８％以下の範囲とすることができる。第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分における空隙率は、第１粗面化銅金属膜４０の内部における空隙率よりも高く、且つ第２粗面化銅金属膜７０の内部における空隙率よりも高い。換言すると、第１粗面化銅金属膜４０と、第２粗面化銅金属膜７０と、それら第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分とにおいては、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分が最も空隙率が高くなっている。なお、第１粗面化銅金属膜４０では、厚さ方向において、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分から第１対向面３１に近づくに連れて空隙率が低くなっている。また、第２粗面化銅金属膜７０では、厚さ方向において、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０との接合部分から第２対向面６１に近づくに連れて空隙率が低くなっている。
【0098】
以上説明した第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とによって、本実施形態の接続構造体が構成されている。
（半導体装置１０の製造方法）
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。ここでは、第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０を形成する工程について詳述する。
（半導体装置１０の製造方法）
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。ここでは、第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０を形成する工程について詳述する。
【0099】
図１４に示すように、第１粗面化銅金属膜４０は、基板本体２１の上面に形成される。詳述すると、まず、基板本体２１の上面を被覆するシード層（図示略）を形成する。シード層は、例えば、無電解銅めっき法やスパッタ法などにより形成することができる。続いて、シード層上に第１粗面化銅金属膜４０の形状に対応した開口部を有するレジストパターン（図示略）を形成する。次いで、レジストパターンをめっきマスクとし、シード層をめっき給電層に利用する電解銅めっき法により、レジストパターンの開口部内に第１粗面化銅金属膜４０を形成する。本工程の電解銅めっき法におけるめっき条件は、上記第１実施形態の第１めっき条件と同じ条件に設定することができる。
【0100】
また、第２粗面化銅金属膜７０は、半導体素子５０の回路形成面に形成される。詳述すると、まず、回路形成面を被覆するシード層（図示略）を形成する。シード層は、例えば、無電解銅めっき法やスパッタ法などにより形成することができる。続いて、シード層上に第２粗面化銅金属膜７０の形状に対応した開口部を有するレジストパターン（図示略）を形成する。次いで、レジストパターンをめっきマスクとし、シード層をめっき給電層に利用する電解銅めっき法により、レジストパターンの開口部内に第２粗面化銅金属膜７０を形成する。本工程の電解銅めっき法におけるめっき条件は、上記第１実施形態の第１めっき条件と同じ条件に設定することができる。
【0101】
続いて、図１５に示すように、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを接合する。本工程では、第１粗面化銅金属膜４０上に第２粗面化銅金属膜７０を重ね合わせた状態で、配線基板２０及び半導体素子５０を加熱及び加圧することにより接合を行う。加熱温度は、例えば、１８０℃以上２５０℃以下の範囲とすることができる。圧力は、例えば、８ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下の範囲とすることができる。加熱及び加圧処理の処理時間は、例えば、３分以上１０分以下の範囲とすることができる。加熱及び加圧処理は、例えば、大気中で行うことができる。このような加熱及び加圧処理によって、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを焼結により拡散接合させることができる。
【0102】
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
（他の実施形態）
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
（他の実施形態）
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【0103】
・上記第１実施形態及び第２実施形態では、第１粗面化銅金属膜４０，４５を、第１接続端子３０の表面のうち第１対向面３１のみを被覆するように形成したが、これに限定されない。
【0104】
例えば図１６に示すように、第１接続端子３０の側面及び第１対向面３１を被覆するように第１粗面化銅金属膜４０を形成するようにしてもよい。同様に、第１接続端子３０の側面及び第１対向面３１を被覆するように第１粗面化銅金属膜４５（図９参照）を形成するようにしてもよい。
【0105】
・上記第１実施形態及び第２実施形態では、第２粗面化銅金属膜７０，７５を、第２接続端子６０の表面のうち第２対向面６１のみを被覆するように形成したが、これに限定されない。
【0106】
例えば図１６に示すように、第２接続端子６０の側面及び第２対向面６１を被覆するように第２粗面化銅金属膜７０を形成するようにしてもよい。同様に、第２接続端子６０の側面及び第２対向面６１を被覆するように第２粗面化銅金属膜７５（図９参照）を形成するようにしてもよい。
【0107】
・上記第１実施形態及び第２実施形態では、第１接続端子３０の第１対向面３１に第１粗面化銅金属膜４０，４５を直接接合するようにしたが、これに限定されない。例えば、第１接続端子３０の第１対向面３１を被覆する表面処理層を形成し、その表面処理層上に第１粗面化銅金属膜４０，４５を形成するようにしてもよい。なお、表面処理層としては、例えば、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層などの金属層を用いることができる。
【0108】
・上記第１実施形態及び第２実施形態では、第２接続端子６０の第２対向面６１に第２粗面化銅金属膜７０，７５を直接接合するようにしたが、これに限定されない。例えば、第２接続端子６０の第２対向面６１を被覆する表面処理層を形成し、その表面処理層上に第２粗面化銅金属膜７０，７５を形成するようにしてもよい。なお、表面処理層としては、例えば、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層などの金属層を用いることができる。
【0109】
・上記第１実施形態及び第２実施形態では、配線層２６の第１接続端子３０上に第１粗面化銅金属膜４０，４５を形成するようにしたが、これに限定されない。例えば、配線層２６全体を、第１粗面化銅金属膜４０，４５により構成するようにしてもよい。すなわち、ビア配線２６Ｖ及び第１接続端子３０を、第１粗面化銅金属膜４０，４５により構成するようにしてもよい。この場合には、開口部２５Ｘから露出する配線層２４の上面に第１粗面化銅金属膜４０，４５が形成される。すなわち、この場合の第１粗面化銅金属膜４０，４５は、開口部２５Ｘから露出する配線層２４の上面に、めっき金属である銅からなる第１析出物４１，４６が交錯して重なり合う構造に形成される。
【0110】
・上記第１実施形態及び第３実施形態では、第１粗面化銅金属膜４０と第２粗面化銅金属膜７０とを、互いに同じ粗面構造になるように形成したが、これに限定されない。すなわち、上記第１実施形態及び第３実施形態では、第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０を共に、第１めっき条件を用いた電解銅めっき法により形成するようにしたが、これに限定されない。例えば、第１粗面化銅金属膜４０及び第２粗面化銅金属膜７０を、互いに異なる粗面構造になるように形成してもよい。例えば、第１めっき条件を用いた電解銅めっき法により第１粗面化銅金属膜４０を形成するとともに、第２めっき条件を用いた電解銅めっき法により第２粗面化銅金属膜７０を形成してもよい。
【0111】
・上記第２実施形態では、第１粗面化銅金属膜４５と第２粗面化銅金属膜７５とを、互いに同じ粗面構造になるように形成したが、これに限定されない。すなわち、上記第２実施形態では、第１粗面化銅金属膜４５及び第２粗面化銅金属膜７５を共に、第２めっき条件を用いた電解銅めっき法により形成するようにしたが、これに限定されない。例えば、第１粗面化銅金属膜４５及び第２粗面化銅金属膜７５を、互いに異なる粗面構造になるように形成してもよい。例えば、第２めっき条件を用いた電解銅めっき法により第１粗面化銅金属膜４５を形成するとともに、第１めっき条件を用いた電解銅めっき法により第２粗面化銅金属膜７５を形成してもよい。
【0112】
・上記第３実施形態における第１粗面化銅金属膜４０を第１粗面化銅金属膜４５に変更してもよい。
・上記第３実施形態における第２粗面化銅金属膜７０を第２粗面化銅金属膜７５に変更してもよい。
・上記第３実施形態における第２粗面化銅金属膜７０を第２粗面化銅金属膜７５に変更してもよい。
【0113】
・上記各実施形態における配線基板２０の構造は適宜変更することができる。例えば、配線基板２０は、第１粗面化銅金属膜４０，４５を有する構造であれば、その他の構造は特に限定されない。
【0114】
・上記各実施形態における半導体素子５０の構造は適宜変更することができる。例えば、半導体素子５０は、第２粗面化銅金属膜７０，７５を有する構造であれば、その他の構造は特に限定されない。
【0115】
・上記第１実施形態及び第２実施形態における第１接続端子３０は金属ポストに限定されない。
・上記第１実施形態及び第２実施形態における第２接続端子６０は金属ポストに限定されない。
・上記第１実施形態及び第２実施形態における第２接続端子６０は金属ポストに限定されない。
【0116】
・上記第１実施形態及び第２実施形態における第１接続端子３０を、銅以外の金属材料により構成するようにしてもよい。
・上記第１実施形態及び第２実施形態における第２接続端子６０を、銅以外の金属材料により構成するようにしてもよい。
・上記第１実施形態及び第２実施形態における第２接続端子６０を、銅以外の金属材料により構成するようにしてもよい。
【0117】
・上記各実施形態の半導体装置１０における外部接続端子８０を省略してもよい。
【符号の説明】
【0118】
１０ 半導体装置
２０ 配線基板
２６ 配線層
３０ 第１接続端子
３１ 第１対向面
４０，４５ 第１粗面化銅金属膜
４１，４６ 第１析出物
５０ 半導体素子
６０ 第２接続端子
６１ 第２対向面
７０，７５ 第２粗面化銅金属膜
７１，７６ 第２析出物
２０ 配線基板
２６ 配線層
３０ 第１接続端子
３１ 第１対向面
４０，４５ 第１粗面化銅金属膜
４１，４６ 第１析出物
５０ 半導体素子
６０ 第２接続端子
６１ 第２対向面
７０，７５ 第２粗面化銅金属膜
７１，７６ 第２析出物
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】