特開 2023-125886 洗浄槽、洗浄機、洗浄方法、ガラス基板の製造方法、およびＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023125886

(43)【公開日】2023-09-07

(54)【発明の名称】洗浄槽、洗浄機、洗浄方法、ガラス基板の製造方法、およびＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法

(51)【国際特許分類】

   B08B 3/08 20060101AFI20230831BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20230831BHJP

   B08B 3/02 20060101ALI20230831BHJP

   B08B 3/12 20060101ALI20230831BHJP

【ＦＩ】

B08B3/08 Z

H01L21/304 643D

B08B3/02 B

B08B3/12 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022030237

(22)【出願日】2022-02-28

(71)【出願人】

【識別番号】000000044

【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】宮本 尚明

(72)【発明者】

【氏名】嶋崎 剛

(72)【発明者】

【氏名】酒井 佑典

【テーマコード（参考）】

3B201

5F157

【Ｆターム（参考）】

3B201AA03

3B201AB34

3B201AB47

3B201BA01

3B201BB02

3B201BB22

3B201BB83

3B201BB92

3B201BB98

5F157AA02

5F157AA03

5F157AA73

5F157AB02

5F157AB14

5F157AB33

5F157AB90

5F157AC01

5F157BB73

5F157BE12

5F157BE43

5F157BE44

5F157BE45

5F157CC01

5F157CF02

5F157CF06

(57)【要約】      （修正有）

【課題】洗浄室に溜めた洗浄液の排出効率を向上することで、対象物から洗浄液に剥落したパーティクルの排出効率を向上する、技術を提供すること。
【解決手段】洗浄槽１１０は、対象物１９０が浸漬される洗浄液１０１を溜める洗浄室１１１を内部に有し、前記洗浄室１１１の下面の供給口１１２から供給された前記洗浄液１０１を、前記洗浄室１１１の上面の周縁から流出させる。前記洗浄室１１１は、前記下面の面積が、前記上面の面積よりも小さい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

対象物が浸漬される洗浄液を溜める洗浄室を内部に有し、前記洗浄室の下面の供給口から供給された前記洗浄液を、前記洗浄室の上面の周縁から流出させる、洗浄槽であって、
前記洗浄室は、前記下面の面積が、前記上面の面積よりも小さい、洗浄槽。

【請求項2】

前記洗浄室は、前記下面と前記上面のそれぞれが円形である、請求項１に記載の洗浄槽。

【請求項3】

前記洗浄室の少なくとも下部は、下方から上方に向かうほど、水平な断面の面積が徐々に大きくなる、請求項１又は２に記載の洗浄槽。

【請求項4】

前記洗浄室の少なくとも下部は、円錐台形状を有する、請求項３に記載の洗浄槽。

【請求項5】

前記洗浄槽は、前記洗浄室の前記上面の前記周縁に、前記周縁に沿って間隔をおいて複数の溝を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の洗浄槽。

【請求項6】

前記洗浄室は、前記下面の面積に対する、前記下面の面積と前記供給口の面積との差の割合が１０％以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の洗浄槽。

【請求項7】

請求項１～６のいずれか１項に記載の洗浄槽と、前記洗浄室の前記上面の前記周縁から流出した前記洗浄液を回収する回収槽と、を備える洗浄機。

【請求項8】

請求項１～６のいずれか１項に記載の洗浄槽の内部で前記洗浄液に前記対象物を浸漬させ、前記洗浄液の流れによって前記対象物を洗浄することを有する、洗浄方法。

【請求項9】

前記対象物は、基板を洗浄する洗浄ツール、又は基板である、請求項８に記載の洗浄方法。

【請求項10】

前記洗浄ツールは、基板を覆う液膜に接する振動面と、前記振動面を振動させる超音波振動子とを含む洗浄ヘッドである、請求項９に記載の洗浄方法。

【請求項11】

前記洗浄ヘッドの前記振動面を前記洗浄液に浸漬させた状態で、前記超音波振動子によって前記振動面を振動させることを有する、請求項１０に記載の洗浄方法。

【請求項12】

前記洗浄液は、純水、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液、または純水、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液にガスを溶存したものである、請求項８～１１のいずれか１項に記載の洗浄方法。

【請求項13】

ガラス基板の上に液膜を形成すると共に、前記液膜に洗浄ヘッドの振動面を接触させた状態で、前記振動面を超音波振動子で振動させることで、前記ガラス基板を洗浄することと、
請求項１～６のいずれか１項に記載の洗浄槽の内部で前記洗浄液に前記洗浄ヘッドの前記振動面を浸漬させ、前記洗浄液の流れによって前記洗浄ヘッドの前記振動面を洗浄することと、
を有する、ガラス基板の製造方法。

【請求項14】

ガラス基板または前記ガラス基板の上に形成された機能膜の上に液膜を形成すると共に、前記液膜に洗浄ヘッドの振動面を接触させた状態で、前記振動面を超音波振動子で振動させることで、前記ガラス基板または前記機能膜を洗浄することと、
請求項１～６のいずれか１項に記載の洗浄槽の内部で前記洗浄液に前記洗浄ヘッドの前記振動面を浸漬させ、前記洗浄液の流れによって前記洗浄ヘッドの前記振動面を洗浄することと、
を有する、ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、洗浄槽、洗浄機、洗浄方法、ガラス基板の製造方法、およびＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－Ｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィー（ＥＵＶＬ）が開発されている。ＥＵＶとは、軟Ｘ線および真空紫外線を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ～１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶが主に検討されている。

【0003】

ＥＵＶＬでは、反射型マスクが用いられる。反射型マスクは、ガラス基板などの基板と、ＥＵＶを反射する多層反射膜と、ＥＵＶを吸収する吸収膜と、をこの順で有する。吸収膜には、開口パターンが形成される。ＥＵＶＬでは、吸収膜の開口パターンを半導体基板などの対象基板に転写する。転写することは、縮小して転写することを含む。

【0004】

ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造工程の途中で、ガラス基板またはガラス基板の上に形成された機能膜を洗浄することがある。その洗浄方法の一つとして、超音波洗浄が行われることがある。

【0005】

特許文献１に記載の洗浄方法は、回転する基板の上面に対し、予め超音波を印可した洗浄液をノズルから噴射することを有する。特許文献２に記載の洗浄方法は、回転する基板の上面と超音波洗浄ヘッドの下面との間に洗浄液を供給し、この洗浄液に対して超音波洗浄ヘッドの下面から超音波を付与することで、基板の上面を洗浄する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１３－１５８６６４号公報

【特許文献2】特開２００１－８７７２５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

基板を洗浄する洗浄ツールまたは基板などの対象物を、オーバーフロー型の洗浄機で洗浄することがある。洗浄機は、洗浄室を有し、洗浄室に洗浄液を溜める。対象物は洗浄室に溜めた洗浄液に浸漬され、洗浄液の流れによって洗浄される。洗浄液は、洗浄室の下面の供給口から供給され、洗浄室の上面から流出される。

【0008】

本開示の一態様は、洗浄室に溜めた洗浄液の排出効率を向上することで、対象物から洗浄液に剥落したパーティクルの排出効率を向上する、技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本開示の一態様に係る洗浄槽は、対象物が浸漬される洗浄液を溜める洗浄室を内部に有し、前記洗浄室の下面の供給口から供給された前記洗浄液を、前記洗浄室の上面から流出させる。前記洗浄室は、前記下面の面積が、前記上面の面積よりも小さい。

【発明の効果】

【0010】

本開示の一態様によれば、洗浄室の下面の面積を上面の面積よりも小さくすることで、洗浄室の下部を絞ることができ、洗浄室の下部の流れに渦が発生するのを抑制できる。その結果、洗浄室に溜めた洗浄液の排出効率を向上でき、対象物から洗浄液に剥落したパーティクルの排出効率を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、一実施形態に係る洗浄機を示す断面図である。

【図2】図２は、第１変形例に係る洗浄機を示す断面図である。

【図3】図３は、第２変形例に係る洗浄機を示す断面図である。

【図4】図４は、洗浄室の上面の周縁に形成される溝の一例を示す斜視図である。

【図5】図５は、従来例に係る洗浄機を示す断面図である。

【図6】図６は、一実施形態に係る基板洗浄装置を示す側面図である。

【図7】図７は、洗浄ヘッドの内部構造の一例を示す断面図である。

【図8】図８は、洗浄ヘッドの内部構造の別の一例を示す断面図である。

【図9】図９は、洗浄ヘッドの移動軌跡の一例を示す平面図である。

【図10】図１０は、一実施形態に係るＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。

【図11】図１１は、基板の一例を示す断面図である。

【図12】図１２は、図１１の基板の平面図である。

【図13】図１３は、ＥＵＶＬ用マスクブランクの一例を示す断面図である。

【図14】図１４は、ＥＵＶＬ用マスクの一例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。

【0013】

図１を参照して、一実施形態に係る洗浄機１００について説明する。洗浄機１００は、オーバーフロー型であって、例えば、洗浄槽１１０と回収槽１２０とを備える。洗浄槽１１０は、洗浄室１１１を内部に有し、洗浄室１１１に洗浄液１０１を溜める。対象物１９０は、洗浄室１１１に溜めた洗浄液１０１に浸漬され、洗浄液１０１の流れによって洗浄される。洗浄液１０１は、洗浄室１１１の下面１１１Ｄの供給口１１２から供給され、洗浄室１１１の上面１１１Ｕの周縁から流出される。回収槽１２０は、洗浄槽１１０から流出した洗浄液１０１を回収する。

【0014】

洗浄液１０１は、特に限定されないが、例えば、純水、酸性溶液、またはアルカリ性溶液である。洗浄液１０１は、例えば、純水（例えば脱イオン水）、純水とＸ（塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、ギ酸、酢酸からなる群から選択される少なくとも１つの成分）の混合物、純水とＹ（アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエタノールアミン、コリン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウムからなる群から選択される少なくとも１つの成分）の混合物、純水とＺ（過酸化水素、過塩素酸イオン、過ヨウ素酸イオンからなる群から選択される少なくとも１つの成分）の混合物、純水とＸとＺの混合物、または純水とＹとＺの混合物である。

【0015】

洗浄液１０１は、Ｈ_２ガス、ＣＯ_２ガス、Ｎ_２ガス、Ｏ_２ガス、Ｏ_３ガス、及びＡｒガスからなる群から選択される少なくとも１つのガスを溶存してもよい。ガスの溶存量を制御することで、対象物１９０の洗浄効率を向上できる。洗浄液に溶存するガスは、好ましくはＨ_２ガス、ＣＯ_２ガスまたはＮ_２ガスであり、より好ましくはＣＯ_２ガスである。

【0016】

洗浄機１００は、供給管１３０と排出管１４０とを備える。供給管１３０は、洗浄槽１１０の供給口１１２に接続され、供給口１１２に洗浄液１０１を供給する。一方、排出管１４０は、回収槽１２０の排出口１２２に接続され、排出口１２２から洗浄液１０１を排出する。排出した洗浄液１０１は、廃棄されるか、フィルターに通した後に供給管１３０に還流される。フィルターは、パーティクルを捕集することで、洗浄液１０１を浄化する。

【0017】

対象物１９０は、例えば、基板を洗浄する洗浄ツール、又は基板である。洗浄ツールは、例えば、洗浄ヘッド３０である（図７～図８参照）。洗浄ヘッド３０は、詳しくは後述するが、基板Ｗを覆う液膜Ｆに接する振動面３１ａと、振動面３１ａを振動させる超音波振動子３２とを含む。

【0018】

洗浄ヘッド３０の振動面３１ａは、下に向けて設置され、基板Ｗの上面に対して平行に設置される。超音波振動子３２は、振動面３１ａを振動させることで液膜Ｆに超音波振動を付与し、基板Ｗに音圧を付与する。これにより、基板上面Ｗａに付着したパーティクルを剥離できる。

【0019】

洗浄ヘッド３０が基板Ｗを洗浄する際に、洗浄ヘッド３０の振動面３１ａと基板Ｗとの距離が近く、基板Ｗから剥落したパーティクルが洗浄ヘッド３０の振動面３１ａに付着することがある。振動面３１ａに付着したパーティクルが意図しないタイミングで剥落すると、基板Ｗが汚染されてしまう。

【0020】

そこで、洗浄ヘッド３０は、ｎ（ｎは１以上の整数）枚目の基板Ｗを洗浄した後、ｎ＋１枚目の基板Ｗを洗浄する前に、洗浄槽１１０の内部で待機させられる。洗浄ヘッド３０の振動面３１ａを洗浄液１０１に濡らすことで、振動面３１ａの乾燥を防止でき、振動面３１ａに対するパーティクルの固着を防止できる。

【0021】

洗浄ヘッド３０の振動面３１ａは、洗浄液１０１に浸漬され、洗浄液１０１の流れによって洗浄される。洗浄液１０１の流れは、振動面３１ａに付着したパーティクルに対してせん断応力を付与し、振動面３１ａからパーティクルを剥落させる。その後、パーティクルは、洗浄液１０１と共に洗浄室１１１から流出する。これにより、パーティクルが振動面３１ａに再付着するのを防止できる。

【0022】

洗浄ヘッド３０の振動面３１ａが洗浄液１０１に浸漬した状態で、超音波振動子３２が振動面３１ａを振動させてもよい。洗浄液１０１の流れだけではなく、振動面３１ａの振動をも利用して、振動面３１ａからパーティクルを剥落でき、パーティクルの除去効率を向上できる。

【0023】

なお、対象物１９０としての洗浄ツールは、洗浄ヘッド３０には限定されない。洗浄ツールは、接触式でもよいし、非接触式でもよい。接触式の洗浄ツールとしては、基板Ｗを擦る摩擦体が挙げられる。摩擦体は、ブラシでもよいし、スポンジでもよい。非接触式の洗浄ツールとしては、洗浄ヘッド３０の他に、流体を噴射するノズルなどが挙げられる。ノズルは、二流体ノズルであってもよい。

【0024】

洗浄機１００は、上記の通り、洗浄液１０１の流れによって対象物１９０を洗浄する。洗浄液１０１の流れ方によって、パーティクルに付与されるせん断応力の大きさと、洗浄室１１１の各点から洗浄室１１１の外まで洗浄液１０１が流出するのにかかる時間が決まる。せん断応力の大きさが大きいほど、パーティクルが剥離し易い。また、洗浄室１１１の各点から洗浄室１１１の外まで洗浄液１０１が流出するのにかかる時間が短いほど、洗浄液１０１の排出効率が良い。せん断応力の大きさが大きいほど、また、洗浄液１０１の排出効率が良いほど、パーティクルの排出効率が良い。洗浄液１０１の流れ方は、主に、洗浄室１１１の形状で決まる。

【0025】

まず、図５を参照して従来例の洗浄室１１１の形状について説明する。従来例の洗浄室１１１は、直方体形状を有する。洗浄室１１１は、下面１１１Ｄと上面１１１Ｕのそれぞれが矩形である。下面１１１Ｄの面積（Ｓ１）が上面１１１Ｕの面積（Ｓ２）と同じである。洗浄室１１１は、下面１１１Ｄから上面１１１Ｕまで、水平な断面の面積が一定である。下面１１１Ｄは、その中央に供給口１１２を有する。供給口１１２の面積（Ｓ１Ａ）は、下面１１１Ｄの面積（Ｓ１）よりも小さい（Ｓ１Ａ＜Ｓ１）。Ｓ１に対するΔＳ（ΔＳ＝Ｓ１－Ｓ１Ａ）の割合（ΔＳ／Ｓ１）が、１０％を超えている。上面１１１Ｕの四辺のうち、少なくとも一辺（図５では一辺）から洗浄液１０１が流出する。

【0026】

従来例の洗浄室１１１は、下面１１１Ｄの面積（Ｓ１）が上面１１１Ｕの面積（Ｓ２）と同じである。この場合、図５に矢印で示すように、洗浄室１１１の下部の流れに渦が生じてしまい、洗浄液１０１が供給管１３０に逆流してしまう。その結果、供給管１３０から吐出される流れの速さが遅くなってしまい、パーティクルに付与されるせん断応力の大きさが小さくなってしまう。また、洗浄液１０１の排出効率が悪くなってしまう。せん断応力の大きさが小さく、洗浄液１０１の排出効率も悪いので、パーティクルの排出効率が悪くなってしまう。

【0027】

次に、図１を再度参照して本実施形態に係る洗浄室１１１の形状について説明する。本実施形態の洗浄室１１１は、下面１１１Ｄの面積（Ｓ１）が上面１１１Ｕの面積（Ｓ２）よりも小さい（Ｓ１＜Ｓ２）。洗浄室１１１の下部を絞ることで、洗浄室１１１の下部の流れに渦が生じるのを抑制でき、洗浄液１０１が供給管１３０に逆流するのを抑制できる。その結果、供給管１３０から吐出される流れの速さが速くなり、パーティクルに付与されるせん断応力の大きさが大きくなる。また、洗浄液１０１の排出効率も向上する。せん断応力の大きさが大きく、洗浄液１０１の排出効率も良いので、パーティクルの排出効率が良くなる。

【0028】

好ましくは、洗浄室１１１の少なくとも下部は、下方から上方に向かうほど、水平な断面の面積が徐々に大きくなる。洗浄室１１１の少なくとも下部において、下方から上方に向かうほど放射状に広がる流れを形成でき、流れに渦が生じるのを抑制できる。洗浄室１１１の下部とは、洗浄室１１１の上下方向寸法をＨとすると、洗浄室１１１の下面１１１Ｄからの距離がＨ／２以下の領域を意味する。

【0029】

洗浄室１１１の全体において、下方から上方に向かうほど、水平な断面の面積が徐々に大きくなってもよい。なお、洗浄室１１１は、図２及び図３に示すように、下方から上方に向かうほど水平な断面の面積が徐々に大きくなる下室１１１－１と、水平な断面の面積が一定である上室１１１－２と、を有してもよい。上室１１１－２は、下室１１１－１の上に配置される。この場合も、洗浄室１１１の下部の流れに渦が生じるのを抑制できる。

【0030】

図１に示すように、洗浄室１１１は、好ましくは、割合（ΔＳ／Ｓ１）が０％以上１０％以下である。割合（ΔＳ／Ｓ１）が１０％以下であれば、下面１１１Ｄの面積（Ｓ１）と供給口１１２の面積（Ｓ１Ａ）がほぼ同じであるので、洗浄液１０１が供給管１３０に逆流するのを抑制できる。割合（ΔＳ／Ｓ１）は小さいほど好ましく、その割合（ΔＳ／Ｓ１）は０％であってもよい。

【0031】

洗浄室１１１は、好ましくは、下面１１１Ｄと上面１１１Ｕのそれぞれが円形である。従来例のように下面１１１Ｄと上面１１１Ｕのそれぞれが矩形である場合に矩形の四つ角に流れの淀みが生じてしまうのに対し、下面１１１Ｄと上面１１１Ｕのそれぞれが円形であれば、角を無くすことができ、流れに淀みが生じるのを抑制できる。従って、洗浄液１０１の排出効率を向上でき、パーティクルの排出効率も向上できる。

【0032】

また、上面１１１Ｕが円形であれば、上面１１１Ｕの周縁から放射状に均等に洗浄液１０１が流出する。従来例のように上面１１１Ｕが矩形であって上面１１１Ｕの四辺のうち、一辺から洗浄液１０１が流出する場合に比べて、洗浄液１０１の流れの偏りを低減でき、せん断応力の大きさのばらつきを低減できる。

【0033】

洗浄室１１１は、より好ましくは、上面１１１Ｕから下面１１１Ｄまでの鉛直方向各点において、水平な断面が円形である。換言すれば、洗浄室１１１は、回転体の形状を有する。回転体は、供給口１１２の中心を通る鉛直線を中心に、鉛直な平面図形を１回転させることで得られる立体である。回転体は、例えば、円錐台である（図１参照）。回転体は、円錐台と円柱を組み合わせた立体であってもよい（図２参照）。

【0034】

上面１１１Ｕから下面１１１Ｄまでの鉛直方向各点において、洗浄室１１１の水平な断面が円形であれば、各断面において、角を無くすことができ、流れに淀みが生じるのを抑制できる。また、各断面において、上記の鉛直線を中心に対称な流れを形成でき、流れの偏りを低減できる。

【0035】

洗浄室１１１は、例えば図１に示すように、全体が円錐台形状を有する。洗浄室１１１は、水平面に対する側面１１１Ｓの傾斜角θが、例えば５０°～８０°である。下面１１１Ｄの面積（Ｓ１）と上面１１１Ｕの面積（Ｓ２）をそれぞれ一定に保ちつつ、傾斜角θを小さくすれば、洗浄室１１１の上下方向寸法Ｈが小さくなり、洗浄室１１１の容積が小さくなる。洗浄室１１１の容積が小さいほど、洗浄室１１１の各点から洗浄室１１１の外まで洗浄液１０１が流出するのにかかる時間が短くなる。

【0036】

図１に示す洗浄室１１１は全体が円錐台形状のみを有するが、図２に示すように洗浄室１１１は下室１１１－１が円錐台形状を有し、上室１１１－２が円柱形状を有してもよい。対象物１９０は、上室１１１－２に配置され、下室１１１－１には配置されない。対象物１９０が円柱形状を有する場合、上室１１１－２も円柱形状を有することが好ましい。

【0037】

なお、下室１１１－１は、図３に示すように、下方から上方に向かうほど、傾斜角θが大きくなる回転体の形状を有してもよい。図３と図２を比較すれば明らかなように、傾斜角θが一定である場合に比べて、下室１１１－１の上下方向寸法Ｈ１を短縮でき、下室１１１－１の容積を小さくできる。

【0038】

図示しないが、下室１１１－１だけではなく、洗浄室１１１の全体において、下方から上方に向かうほど、傾斜角θが大きくなってもよい。洗浄室１１１の上下方向寸法Ｈを短縮でき、洗浄室１１１の容積を小さくできる。なお、傾斜角θが一定である場合、形状が単純であるので、加工が容易である。

【0039】

図４に示すように、洗浄槽１１０は、洗浄室１１１の上面１１１Ｕの周縁に、その周縁に沿って間隔をおいて複数の溝１１４を有することが好ましい。溝１１４は、等間隔で配置されることが好ましい。洗浄槽１１０の設置精度が低く洗浄室１１１の上面１１１Ｕが傾斜している場合にも、溝１１４が複数存在すれば、放射状に均等に洗浄液１０１を流出させることができる。従って、洗浄槽１１０の設置精度を緩和でき、洗浄槽１１０の設置作業を易化できる。

【0040】

洗浄室１１１の上面１１１Ｕが傾斜している場合にも、上面１１１Ｕの周縁から均等に洗浄液１０１が流出するように、溝１１４の深さと数が決められる。溝１１４の深さは、特に限定されないが、例えば５ｍｍ～２５ｍｍである。溝１１４の数は、特に限定されないが、例えば８～２０である。溝１１４の形状は、図４に示すようにＶ字形状であるが、Ｕ字形状などであってもよい。

【0041】

次に、表１に、洗浄室１１１の形状を表すパラメータと、流体シミュレーションの結果を示す。表１において、例１が比較例であり、例２～例１０が実施例である。例１の洗浄室１１１は、全体が直方体形状を有する（図５参照）。例２～例８の洗浄室１１１は、全体が円錐台形状を有する（図１参照）。例９の洗浄室１１１は、下室１１１－１が円錐台形状を有し、上室１１１－２が円柱形状を有する（図２参照）。例１０の洗浄室１１１は、下室１１１－１が後述する回転体形状Ａを有し、上室１１１－２が円柱形状を有する（図３参照）。回転体形状Ａは、下方から上方に向かうほど、傾斜角θが大きくなる形状である。例１～例１０において、表１に示すパラメータ以外、流体シミュレーションの条件は同じである。

【0042】

【表1】

表１において、「θ」は洗浄室１１１（または下室１１１－１）の側面１１１Ｓの傾斜角であり、「Ｎ」は溝１１４の数であり、「Ｓ１」は洗浄室１１１の下面１１１Ｄの面積であり、「Ｓ１Ａ」は供給口１１２の面積であり、「ΔＳ／Ｓ１」はＳ１に対するΔＳ（ΔＳ＝Ｓ１－Ｓ１Ａ）の割合であり、「Ｓ２」は洗浄室１１１の上面１１１Ｕの面積である。

【0043】

また、表１において、「Ｔ１」は洗浄室１１１の各点から洗浄室１１１の外まで洗浄液１０１が流出するのにかかる時間の最大値であり、「Ｔ２」は洗浄室１１１の各点から洗浄室１１１の外まで洗浄液１０１が流出するのにかかる時間の平均値である。

【0044】

表１から、例２～例１０によれば、例１に比べて、Ｔ１とＴ２を短縮でき、洗浄液１０１の排出効率を向上できることが分かる。

【0045】

次に、図６～図９を参照して、一実施形態に係る基板洗浄装置１について説明する。基板洗浄装置１は、基板Ｗの上に形成された液膜Ｆに対して超音波振動を付与することで、基板Ｗを洗浄する。基板Ｗに付着したパーティクルを除去できる。基板洗浄装置１は、保持部１０と、ノズル２０と、洗浄ヘッド３０と、回転部４０と、第１移動部５０と、第２移動部６０と、制御部９０と、を備える。

【0046】

保持部１０は、基板Ｗを水平に保持する。上方から見たときに、基板Ｗは、矩形であるが（図９参照）、円形であってもよい。基板Ｗは、ガラス基板、シリコンウエハ、又は化合物半導体ウエハを含む。基板Ｗは、ガラス基板などの上に形成される機能膜を含んでもよい。機能膜は、例えば光反射膜、光吸収膜、導電膜、または絶縁膜などである。

【0047】

保持部１０は、例えば図６に示すように、基板Ｗの周縁に沿って間隔をおいて配置される複数本のピン１１を含む。複数本のピン１１は、基板Ｗの周縁を保持する。基板Ｗは、複数本のピン１１の上に載置される。基板Ｗの下には空間が存在するので、基板Ｗの下面にセンサを取りけることも可能である。なお、保持部１０は、基板Ｗを吸着してもよい。

【0048】

ノズル２０は、保持部１０で保持している基板Ｗの上面Ｗａに洗浄液を供給することで液膜Ｆを形成する。基板Ｗの上面Ｗａを、基板上面Ｗａとも記載する。ノズル２０は、例えば、基板上面Ｗａの中心付近に洗浄液を供給する。基板Ｗは回転しており、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力によって基板Ｗの中心から周縁に向けて濡れ広がる。その結果、基板上面Ｗａの全体に液膜Ｆが形成される。ノズル２０は、図６に示すように洗浄ヘッド３０の外部に設けられてもよいし、図示しないが洗浄ヘッド３０の内部に設けられてもよい。

【0049】

ノズル２０は、供給ライン２１を介して洗浄液の供給源２２と接続されている。供給ライン２１の途中には、バルブ２３が設けられている。バルブ２３は、供給ライン２１の流路を開閉する。バルブ２３が供給ライン２１の流路を開放すると、洗浄液が供給源２２からノズル２０に供給され、ノズル２０が洗浄液を吐出する。バルブ２３が供給ライン２１の流路を閉塞すると、ノズル２０が洗浄液の吐出を停止する。

【0050】

洗浄液は、例えば、純水、純水とＸ（塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、ギ酸、酢酸からなる群から選択される少なくとも１つの成分）の混合物、純水とＹ（アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエタノールアミン、コリン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウムからなる群から選択される少なくとも１つの成分）の混合物、純水とＺ（過酸化水素、過塩素酸イオン、過ヨウ素酸イオンからなる群から選択される少なくとも１つの成分）の混合物、純水とＸとＺの混合物、または純水とＹとＺの混合物である。

【0051】

洗浄液は、Ｈ_２ガス、ＣＯ_２ガス、Ｎ_２ガス、Ｏ_２ガス、Ｏ_３ガス、及びＡｒガスからなる群から選択される少なくとも１つのガスを溶存してもよい。ガスの溶存量を制御することで、キャビテーションの発生効率を向上でき、パーティクルの除去効率を向上できる。洗浄液に溶存するガスは、好ましくはＨ_２ガス、ＣＯ_２ガスまたはＮ_２ガスであり、より好ましくはＣＯ_２ガスである。

【0052】

洗浄ヘッド３０は、図７に示すように、液膜Ｆに接触する振動面３１ａと、振動面３１ａを振動させる超音波振動子３２とを含む。洗浄ヘッド３０は、振動板３１を含む。振動板３１は、液膜Ｆに接触する下向きの振動面３１ａと、超音波振動子３２が取り付けられる上向きの取付面３１ｂと、を有する。

【0053】

振動面３１ａは、基板上面Ｗａに対して平行に設置される。振動面３１ａの大きさは、例えば基板上面Ｗａの大きさよりも小さい。振動面３１ａの形状は、例えば円形である。なお、ノズル２０が洗浄ヘッド３０の内部に設けられる場合、ノズル２０の吐出口が振動面３１ａに形成される。

【0054】

取付面３１ｂは、図７に示すように振動面３１ａに対して平行に設置されてもよいし、図８に示すように振動面３１ａに対して斜めに設置されてもよい。図８において、θは、振動面３１ａの法線と、取付面３１ｂの法線とのなす角である。取付面３１ｂの法線方向が、超音波振動子３２の振動方向である。

【0055】

超音波振動子３２は、振動面３１ａを振動させることで液膜Ｆに超音波振動を付与し、基板Ｗに音圧を付与する。これにより、基板上面Ｗａに付着したパーティクルを剥離できる。超音波振動子３２の出力は、制御部９０によって制御する。洗浄ヘッド３０と基板Ｗの距離Ｄが一定の場合、超音波振動子３２の出力が大きくなるほど、基板Ｗに作用する音圧が大きくなる。

【0056】

図６に示すように、回転部４０は、保持部１０と共に基板Ｗを回転させる。保持部１０の回転中心線１０Ｒは、鉛直に設置される。保持部１０は、その回転中心線１０Ｒが基板Ｗの中心を通るように基板Ｗを保持する。回転部４０は、例えばサーボモータ４１を含む。サーボモータ４１の回転駆動力は、図示しないプーリとベルト、またはギヤを介して保持部１０に伝達されてもよい。サーボモータ４１は、保持部１０の回転位置に関する情報を制御部９０に送信する。保持部１０の回転位置は、回転角で表される。サーボモータ４１の代わりに、ステッピングモータが用いられてもよい。

【0057】

第１移動部５０は、保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向に洗浄ヘッド３０を移動させる。洗浄ヘッド３０は、例えば、基板Ｗの中心の真上の位置と、基板Ｗの周縁の真上の位置との間で移動させられる。第１移動部５０は、例えばサーボモータ５１を含む。サーボモータ５１は、洗浄ヘッド３０の水平方向位置に関する情報を制御部９０に送信する。サーボモータ５１の代わりに、ステッピングモータが用いられてもよい。

【0058】

図９に示すように、上方から見たときに、洗浄ヘッド３０の移動経路には洗浄槽１１０が設けられている。洗浄ヘッド３０は、ｎ（ｎは１以上の整数）枚目の基板Ｗを洗浄した後、ｎ＋１枚目の基板Ｗを洗浄する前に、洗浄槽１１０の内部で待機させられる。洗浄ヘッド３０の振動面３１ａを洗浄液１０１に濡らすことで、振動面３１ａの乾燥を防止でき、振動面３１ａに対するパーティクルの固着を防止できる。また、洗浄ヘッド３０の振動面３１ａを洗浄液１０１の流れによって洗浄できる。

【0059】

図６に示すように、第１移動部５０は、例えば旋回軸５２を回転させることで、保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向に洗浄ヘッド３０を移動させる。旋回軸５２は旋回アーム５３の一端に固定されており、洗浄ヘッド３０は旋回アーム５３の他端に固定されている。洗浄ヘッド３０の旋回中心線３０Ｒは、鉛直に設置される。

【0060】

なお、図示しないが、第１移動部５０は、水平なガイドレールに沿って、保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向に洗浄ヘッド３０を移動させてもよい。

【0061】

第２移動部６０は、洗浄ヘッド３０を鉛直方向に移動させる。例えば、第２移動部６０は、旋回軸５２を鉛直方向に移動させることで、洗浄ヘッド３０を鉛直方向に移動させる。第２移動部６０は、例えばサーボモータ６１を含む。第２移動部６０は、サーボモータ６１の回転運動を直線運動に変換するボールねじを含んでもよい。サーボモータ６１は、洗浄ヘッド３０の鉛直方向位置に関する情報を制御部９０に送信する。サーボモータ６１の代わりに、ステッピングモータが用いられてもよい。第２移動部６０は、モータの代わりに、エアシリンダで洗浄ヘッド３０を鉛直方向に移動させてもよい。

【0062】

なお、図示しないが、第２移動部６０は、洗浄ヘッド３０を鉛直方向に移動させる代わりに、保持部１０を鉛直方向に移動させてもよい。いずれにしろ、基板Ｗと洗浄ヘッド３０の距離Ｄを変更できる。

【0063】

制御部９０は、バルブ２３と超音波振動子３２と回転部４０と第１移動部５０と第２移動部６０とを制御する。制御部９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板洗浄装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板洗浄装置１の動作を制御する。

【0064】

次に、基板洗浄装置１の動作、つまり基板洗浄方法について説明する。まず、図示しない搬送ロボットが、基板洗浄装置１の内部に進入し、搬送ロボットが保持している基板Ｗを保持部１０に渡す。保持部１０が基板Ｗを水平に保持した後、搬送ロボットが基板洗浄装置１から退出する。このようにして基板Ｗの搬入が行われる。

【0065】

次に、回転部４０が保持部１０と共に基板Ｗを回転させると共に、ノズル２０が基板Ｗの中心付近に洗浄液を供給する。基板Ｗ上の洗浄液は遠心力によって基板Ｗの中心から周縁に向けて濡れ広がる。その結果、基板上面Ｗａの全体に液膜Ｆが形成される。洗浄液の供給量は、例えば０．１Ｌ／ｍｉｎ～５．０Ｌ／ｍｉｎ、好ましくは０．８Ｌ／ｍｉｎ～１．６Ｌ／ｍｉｎである。

【0066】

次に、洗浄ヘッド３０の振動面３１ａが液膜Ｆに接触するように、第１移動部５０が洗浄ヘッド３０の水平方向位置を調整すると共に、第２移動部６０が洗浄ヘッド３０の鉛直方向位置を調整する。洗浄ヘッド３０と基板Ｗの間には、所望の間隔が形成される。その間隔は、例えば０．１ｍｍ～５．０ｍｍ、好ましくは１．０ｍｍ～４．０ｍｍである。

【0067】

次に、超音波振動子３２が洗浄ヘッド３０の振動面３１ａを振動させることで液膜Ｆに超音波振動を付与し、基板上面Ｗａに音圧を付与する。

【0068】

次に、第１移動部５０が洗浄ヘッド３０を保持部１０の回転中心線１０Ｒと直交する水平方向に移動させる。洗浄ヘッド３０は、基板Ｗの中心の真上の位置と、基板Ｗの周縁の真上の位置との間を往復移動させられる。基板Ｗは回転しており、基板上面Ｗａの全体が洗浄される。

【0069】

次に、第２移動部６０が洗浄ヘッド３０を上昇させた後、第１移動部５０が洗浄ヘッド３０の水平方向位置を待機位置まで移動させる。待機位置は、例えば洗浄槽１１０の内部の位置である。また、超音波振動子３２が振動面３１ａの振動を停止し、ノズル２０が洗浄液の供給を停止する。

【0070】

次に、ノズル２０が洗浄液の供給を停止した状態で、回転部４０が保持部１０と共に基板Ｗを回転させることで、基板Ｗ上の洗浄液が遠心力によって基板Ｗの周縁から振り切られる。基板Ｗから液膜Ｆが除去され、基板Ｗが乾燥させられる。

【0071】

次に、図示しない搬送ロボットが基板洗浄装置１の内部に進入し、保持部１０から基板Ｗを受け取る。搬送ロボットが基板Ｗを保持した後、搬送ロボットが基板洗浄装置１から退出する。このようにして基板Ｗの搬出が行われる。

【0072】

次に、図１０を参照して、図１３に示すＥＵＶＬ用マスクブランク２００の製造方法について説明する。ＥＵＶＬ用マスクブランク２００の製造方法は、ステップＳ１０１～Ｓ１０７を有する。例えば図１１及び図１２に示す基板２１０が予め準備される。基板２１０がガラス基板である場合、ステップＳ１０１～Ｓ１０４はガラス基板の製造方法に含まれる。

【0073】

基板２１０は、第１主面２１１と、第１主面２１１とは反対向きの第２主面２１２とを含む。第１主面２１１は、矩形状である。本明細書において、矩形状とは、角に面取加工を施した形状を含む。また、矩形は、正方形を含む。第２主面２１２は、第１主面２１１とは反対向きである。第２主面２１２も、第１主面２１１と同様に、矩形状である。

【0074】

また、基板２１０は、４つの端面２１３と、４つの第１面取面２１４と、４つの第２面取面２１５とを含む。端面２１３は、第１主面２１１及び第２主面２１２に対して垂直である。第１面取面２１４は、第１主面２１１と端面２１３の境界に形成される。第２面取面２１５は、第２主面２１２と端面２１３の境界に形成される。第１面取面２１４及び第２面取面２１５は、本実施形態では、いわゆるＣ面取面であるが、Ｒ面取面であってもよい。

【0075】

基板２１０は、例えばガラス基板である。基板２１０のガラスは、ＴｉＯ_２を含有する石英ガラスが好ましい。石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、線膨張係数が小さく、温度変化による寸法変化が小さい。石英ガラスは、ＳｉＯ_２を８０質量％～９５質量％、ＴｉＯ_２を４質量％～１７質量％含んでよい。ＴｉＯ_２含有量が４質量％～１７質量％であると、室温付近での線膨張係数が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。石英ガラスは、ＳｉＯ_２およびＴｉＯ_２以外の第三成分又は不純物を含んでもよい。

【0076】

平面視にて基板２１０のサイズは、例えば縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍである。縦寸法及び横寸法は、１５２ｍｍ以上であってもよい。

【0077】

基板２１０は、第１主面２１１に中央領域２１１Ａと周縁領域２１１Ｂとを有する。中央領域２１１Ａは、その中央領域２１１Ａを取り囲む矩形枠状の周縁領域２１１Ｂを除く、正方形の領域であり、ステップＳ１０１～Ｓ１０４によって所望の平坦度に加工される領域であり、品質保証領域である。品質保証領域は、例えば縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍのサイズを有する。中央領域２１１Ａの４つの辺は、４つの端面２１３に平行である。中央領域２１１Ａの中心は、第１主面２１１の中心に一致する。

【0078】

なお、図示しないが、基板２１０の第２主面２１２も、第１主面２１１と同様に、中央領域と、周縁領域とを有する。第２主面２１２の中央領域は、第１主面２１１の中央領域と同様に、正方形の領域であって、図１０のステップＳ１０１～Ｓ１０４によって所望の平坦度に加工される領域であり、品質保証領域である。品質保証領域は、例えば縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍのサイズを有する。

【0079】

ステップＳ１０１は、基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２を研磨することを含む。第１主面２１１及び第２主面２１２は、本実施形態では不図示の両面研磨機で同時に研磨されるが、不図示の片面研磨機で順番に研磨されてもよい。ステップＳ１０１では、研磨パッドと基板２１０の間に研磨スラリーを供給しながら、基板２１０を研磨する。

【0080】

研磨パッドとしては、例えばウレタン系研磨パッド、不織布系研磨パッド、又はスウェード系研磨パッドなどが用いられる。研磨スラリーは、研磨剤と分散媒とを含む。研磨剤は、例えば酸化セリウム粒子である。分散媒は、例えば水又は有機溶剤である。第１主面２１１及び第２主面２１２は、異なる材質又は粒度の研磨剤で、複数回研磨されてもよい。

【0081】

なお、ステップＳ１０１で用いられる研磨剤は、酸化セリウム粒子には限定されず、例えば、酸化シリコン粒子、酸化アルミニウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化チタン粒子、ダイヤモンド粒子、又は炭化珪素粒子などであってもよい。

【0082】

ステップＳ１０２は、基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２の表面形状を測定することを含む。表面形状の測定には、例えば、表面が傷付かないように、レーザー干渉式などの非接触式の測定機が用いられる。測定機は、第１主面２１１の中央領域２１１Ａ、及び第２主面２１２の中央領域の表面形状を測定する。

【0083】

ステップＳ１０３は、ステップＳ１０２の測定結果を参照し、平坦度を向上すべく、基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２を局所加工することを含む。第１主面２１１と第２主面２１２は、順番に局所加工される。その順番は、どちらが先でもよく、特に限定されない。

【0084】

局所加工には、例えば、ＧＣＩＢ（Ｇａｓ Ｃｌｕｓｔｅｒ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）法、ＰＣＶＭ（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）法、磁性流体による研磨法、及び回転研磨工具による研磨から選ばれる少なくとも１つが用いられる。

【0085】

ステップＳ１０４は、基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２の仕上げ研磨を行うことを含む。第１主面２１１及び第２主面２１２は、本実施形態では不図示の両面研磨機で同時に研磨されるが、不図示の片面研磨機で順番に研磨されてもよい。ステップＳ１０４では、研磨パッドと基板２１０の間に研磨スラリーを供給しながら、基板２１０を研磨する。研磨スラリーは、研磨剤を含む。研磨剤は、例えばコロイダルシリカ粒子である。

【0086】

ステップＳ１０５は、基板２１０の第２主面２１２の中央領域に、図１３に示す導電膜２４０を形成することを含む。導電膜２４０は、ＥＵＶＬ用マスクを露光装置の静電チャックに吸着するのに用いられる。導電膜２４０は、例えば窒化クロム（ＣｒＮ）などで形成される。導電膜２４０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。

【0087】

ステップＳ１０６は、基板２１０の第１主面２１１の中央領域２１１Ａに、図１３に示す多層反射膜２２０を形成することを含む。多層反射膜２２０は、ＥＵＶを反射する。多層反射膜２２０は、例えば高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層したものである。高屈折率層は例えばシリコン（Ｓｉ）で形成され、低屈折率層は例えばモリブデン（Ｍｏ）で形成される。多層反射膜２２０の成膜方法としては、例えばイオンビームスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法などのスパッタリング法が用いられる。

【0088】

ステップＳ１０７は、ステップＳ１０６で形成された多層反射膜２２０の上に、図１３に示す吸収膜２３０を形成することを含む。吸収膜２３０は、ＥＵＶを吸収する。吸収膜２３０は、位相シフト膜であってもよく、ＥＵＶの位相をシフトさせてもよい。吸収膜２３０は、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む単金属、合金、窒化物、酸化物、酸窒化物などで形成される。吸収膜２３０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。

【0089】

なお、ステップＳ１０６～Ｓ１０７は、本実施形態ではステップＳ１０５の後に実施されるが、ステップＳ１０５の前に実施されてもよい。

【0090】

上記ステップＳ１０１～Ｓ１０７により、図１３に示すＥＵＶＬ用マスクブランク２００が得られる。ＥＵＶＬ用マスクブランク２００は、導電膜２４０と、基板２１０と、多層反射膜２２０と、吸収膜２３０とをこの順番で有する。なお、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００は、導電膜２４０と、基板２１０と、多層反射膜２２０と、吸収膜２３０とに加えて、別の膜を含んでもよい。

【0091】

例えば、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００は、更に、低反射膜を含んでもよい。低反射膜は、吸収膜２３０上に形成される。その後、低反射膜と吸収膜２３０の両方に、開口パターン２３１が形成される。低反射膜は、開口パターン２３１の検査に用いられ、検査光に対して吸収膜２３０よりも低反射特性を有する。低反射膜は、例えばＴａＯＮまたはＴａＯなどで形成される。低反射膜の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。

【0092】

また、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００は、更に、保護膜を含んでもよい。保護膜は、多層反射膜２２０と吸収膜２３０との間に形成される。保護膜は、吸収膜２３０に開口パターン２３１を形成すべく吸収膜２３０をエッチングする際に、多層反射膜２２０がエッチングされないように、多層反射膜２２０を保護する。保護膜は、例えばＲｕ、Ｓｉ、またはＴｉＯ_２などで形成される。保護膜の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。

【0093】

図１４に示すように、ＥＵＶＬ用マスク２０１は、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００の吸収膜２３０に開口パターン２３１を形成することで得られる。開口パターン２３１の形成には、フォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられる。従って、開口パターン２３１の形成に用いられるレジスト膜が、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００に含まれてもよい。

【0094】

ところで、ＥＵＶＬ用マスクブランク２００の製造工程の途中で、基板２１０または基板２１０の上に形成された各種の機能膜を洗浄することがある。酸またはアルカリによる化学反応を利用する洗浄、物理作用を利用する洗浄、またはこれらの組み合せの洗浄などが行われる。物理作用を利用する洗浄は、超音波洗浄、スクラブ洗浄、または二流体洗浄などである。二流体洗浄は、洗浄液とガスを混合しながら噴射する。

【0095】

超音波洗浄は、例えば図６に示す基板洗浄装置１を用いて行われる。超音波洗浄は、好ましくは、ステップＳ１０４とＳ１０５の間、ステップＳ１０５とＳ１０６の間、ステップＳ１０６とＳ１０７の間、ステップＳ１０７の後のうちの少なくとも１つで実施される。また、超音波洗浄は、図示しないが、低反射膜、ハードマスク膜または保護膜の前後で実施されてもよい。

【0096】

以上、本開示に係る洗浄槽、洗浄機、洗浄方法、ガラス基板の製造方法、およびＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

【符号の説明】

【0097】

１０１ 洗浄液
１１０ 洗浄槽
１１１ 洗浄室
１１１Ｄ 下面
１１１Ｕ 上面
１１２ 供給口
１９０ 対象物

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】