特開 2023-131531 パッケージ基板の加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023131531

(43)【公開日】2023-09-22

(54)【発明の名称】パッケージ基板の加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/56 20060101AFI20230914BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20230914BHJP

【ＦＩ】

H01L21/56 R

H01L21/304 622S

H01L21/304 631

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022036353

(22)【出願日】2022-03-09

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】キム ヨンソク

(72)【発明者】

【氏名】リュウ ガンヒ

【テーマコード（参考）】

5F057

5F061

【Ｆターム（参考）】

5F057AA02

5F057AA19

5F057BA11

5F057BA30

5F057BB40

5F057CA14

5F057DA11

5F057DA14

5F057EB20

5F057FA13

5F057GA13

5F057GA27

5F057GB02

5F057GB13

5F057GB20

5F057GB31

5F061AA01

5F061BA03

5F061CB03

5F061CB13

5F061GA03

(57)【要約】

【課題】モールド樹脂等の封止材で封止されたチップを含むパッケージ基板の封止材を所望する仕上げ厚みに薄化できるパッケージ基板の加工方法を提供する事。
【解決手段】支持基板１０１の上に積層されたチップ１０２を封止材１１０で封止したパッケージ基板１００の加工方法は、支持基板１０１の側を保持テーブル１０に保持する保持ステップと、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板１００の封止材１１０を仕上げ厚みまで薄化する薄化ステップと、を備える。パッケージ基板１００は、支持基板１０１の上に積層され、仕上げ厚みよりも厚い柱材１０３をさらに有する。薄化ステップは、厚み測定器３０で柱材１０３に光を照射し、柱材１０３の表面１０８からの反射光と裏面１０９からの反射光とで生成される分光干渉波によって柱材１０３の厚みを測定しながら、封止材１１０を仕上げ厚みまで薄化する。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持基板の上に積層されたチップを封止材で封止したパッケージ基板の封止材を仕上げ厚みに薄化するパッケージ基板の加工方法であって、
該支持基板の側を保持テーブルに保持する保持ステップと、
該保持テーブルに保持された該パッケージ基板の該封止材を仕上げ厚みまで薄化する薄化ステップと、を備え、
該パッケージ基板は、支持基板の上に積層され、該仕上げ厚みよりも厚い柱材をさらに有し、
該薄化ステップは、
該パッケージ基板を該柱材が露出するまで研削する柱材露出ステップと、
該柱材露出ステップの実施後に、厚み測定器で該柱材の厚みを測定しながら、該封止材を該仕上げ厚みまで薄化する測定ステップと、
を有する事を特徴とするパッケージ基板の加工方法。

【請求項2】

配線基板の上に積層されたチップを封止材で封止したパッケージ基板の封止材を仕上げ厚みに薄化するパッケージ基板の加工方法であって、
該配線基板の側を保持テーブルに保持する保持ステップと、
該保持テーブルに保持された該パッケージ基板の該封止材を仕上げ厚みまで薄化する薄化ステップと、を備え、
該パッケージ基板は、該配線基板の上に積層され、該仕上げ厚みよりも厚い柱材をさらに有し、
該薄化ステップは、
該パッケージ基板を該柱材が露出するまで研削する柱材露出ステップと、
該柱材露出ステップの実施後に、厚み測定器で該柱材の厚みを測定しながら、該封止材を該仕上げ厚みまで薄化する測定ステップと、
を有する事を特徴とするパッケージ基板の加工方法。

【請求項3】

該厚み測定器は、該柱材に光を照射し、該柱材の表面からの反射光と裏面からの反射光とで生成される分光干渉波によって該柱材の厚みを測定する事を特徴とする請求項１または請求項２に記載のパッケージ基板の加工方法。

【請求項4】

該柱材は、該パッケージ基板の外周部に配設される事を特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載のパッケージ基板の加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チップがモールド樹脂等で封止されたパッケージ基板の加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＷＬ－ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）とは、ウエーハの状態で配線基板上に積層したチップをモールド樹脂等で封止し、切削ブレード等で各デバイスパッケージに分割する技術であり、ウエーハを個片化したデバイスパッケージの大きさが半導体デバイスチップの大きさになるため、小型化及び軽量化の観点から広く採用されている（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

また、ＷＬ－ＣＳＰでは、配線基板を利用する先述のフリップチップＢＧＡ（Ball Grid Array）というプロセスの他にも、支持基板の上にチップを配置しモールド樹脂で封止した後、支持基板を除去して支持基板が貼着されていた方の面に再配線層を形成するファンアウト型パッケージ（Fan Out Wafer Level Package：ＦＯ－ＷＬＰ）というプロセスも提案されている。また、さらに生産性を高めるために、ウエーハの代わりにウエーハより大きなサイズのパネルの配線基板を使用する（Panel Level Package：ＰＬＰ）も開発が進められている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１９－０３８０６１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

通常モールド樹脂等で封止されたパッケージ基板は仕上げ厚みまで薄化されるが、近年パッケージ基板の仕上げ厚みに求める精度が上がっている。仕上げ厚みの精度を上げるにはパッケージ基板の厚みを測定しながら薄化ステップを実施する事が好ましいが、保持テーブルの上面と、パッケージ基板の上面とに測定針を接触させ、差分からパッケージ基板の厚みを求める接触式の測定器では、支持基板と支持基板とチップとの間に介在する接着材の厚みが含まれてしまうため、パッケージ基板の厚みを正確に測定できないという問題があった。また、パッケージ基板に測定光を照射し、パッケージ基板の上面と下面からの反射光によってパッケージ基板の厚みを測定する方法は、モールド樹脂に含まれるフィラーが光を散乱させたり吸収したりしてしまうため、パッケージ基板の厚みを精度良く測定できないという問題があった。さらに、研削面にチップの上面を露出させ、チップの厚みを非接触型の厚み測定器で測定しながら研削する方法もとりうるが、チップを露出させない仕上げ厚みに薄化する場合は利用できず、さらにチップが積層される領域が厚み測定器の測定可能範囲外であると利用できないという問題があった。

【0006】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、モールド樹脂等の封止材で封止されたチップを含むパッケージ基板の封止材を所望する仕上げ厚みに薄化できるパッケージ基板の加工方法を提供する事である。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のパッケージ基板の加工方法は、支持基板の上に積層されたチップを封止材で封止したパッケージ基板の封止材を仕上げ厚みに薄化するパッケージ基板の加工方法であって、該支持基板の側を保持テーブルに保持する保持ステップと、該保持テーブルに保持された該パッケージ基板の該封止材を仕上げ厚みまで薄化する薄化ステップと、を備え、該パッケージ基板は、支持基板の上に積層され、該仕上げ厚みよりも厚い柱材をさらに有し、該薄化ステップは、該パッケージ基板を該柱材が露出するまで研削する柱材露出ステップと、該柱材露出ステップの実施後に、厚み測定器で該柱材の厚みを測定しながら、該封止材を該仕上げ厚みまで薄化する測定ステップと、を有する事を特徴とする。

【0008】

本発明のパッケージ基板の加工方法は、配線基板の上に積層されたチップを封止材で封止したパッケージ基板の封止材を仕上げ厚みに薄化するパッケージ基板の加工方法であって、該配線基板の側を保持テーブルに保持する保持ステップと、該保持テーブルに保持された該パッケージ基板の該封止材を仕上げ厚みまで薄化する薄化ステップと、を備え、該パッケージ基板は、該配線基板の上に積層され、該仕上げ厚みよりも厚い柱材をさらに有し、該薄化ステップは、該パッケージ基板を該柱材が露出するまで研削する柱材露出ステップと、該柱材露出ステップの実施後に、厚み測定器で該柱材の厚みを測定しながら、該封止材を該仕上げ厚みまで薄化する測定ステップと、を有する事を特徴とする。

【0009】

該厚み測定器は、該柱材に光を照射し、該柱材の表面からの反射光と裏面からの反射光とで生成される分光干渉波によって該柱材の厚みを測定してもよい。

【0010】

該柱材は、該パッケージ基板の外周部に配設されてもよい。

【発明の効果】

【0011】

本発明は、支持基板の上にチップと、パッケージ基板の仕上げ厚みよりも厚い柱材が積層され、封止材で封止されたパッケージ基板を加工する加工方法であって、柱材露出ステップによって柱材を露出させ、測定ステップで露出させた柱材の厚みを厚み測定器で測定しながら仕上げ厚みまで薄化するため、支持基板や支持基板とパッケージ基板を接着する接着材の厚みを除外した封止材の厚みを測定しながら研削することができ、使用する支持基板や接着材の厚みがパッケージ基板毎にばらついていたとしても、モールド樹脂等で封止されたチップを含むパッケージ基板の封止材を所望する仕上げ厚みに薄化できる。

【0012】

また、配線基板の上にチップと柱材が積層される場合も、同様に柱材露出ステップと測定ステップとを有する薄化ステップを実施する事で、配線基板の厚みを除外した封止材の厚みを測定しながら研削することができ、配線基板の厚みが設計値よりばらついていたとしてもモールド樹脂等で封止されたチップを含むパッケージ基板の封止材を所望する仕上げ厚みに薄化できる。

【0013】

また、柱材を外周部に設置する事で、パッケージ基板内の封止材の割合の差を少なくする事ができ、パッケージ基板の反りを低減する事ができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法の処理手順を示すフローチャートである。

【図2】図２は、図１の積層ステップを説明する上面図である。

【図3】図３は、図１の積層ステップを説明する断面図である。

【図4】図４は、図１の封止ステップを説明する断面図である。

【図5】図５は、図１の保持ステップ及び薄化ステップを説明する断面図である。

【図6】図６は、図１の保持ステップ及び薄化ステップを説明する他の断面図である。

【図7】図７は、図１の薄化ステップを説明する上面図である。

【図8】図８は、実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法により加工されたパッケージ基板の構成を模式的に示す断面図である。

【図9】図９は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法の変形例の一例を説明する上面図である。

【図10】図１０は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法の変形例の別の一例を説明する上面図である。

【図11】図１１は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法の変形例の別の一例を説明する上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0016】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法の処理手順を示すフローチャートである。実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、図１に示すように、積層ステップ１００１と、封止ステップ１００２と、保持ステップ１００３と、薄化ステップ１００４と、を備える。実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、積層ステップ１００１及び封止ステップ１００２により得られる、支持基板１０１（図２，３等参照）の上に積層されたチップ１０２（図２，３等参照）を封止材１１０（図４参照）で封止したパッケージ基板１００（図４参照）の封止材１１０を、保持ステップ１００３及び薄化ステップ１００４により仕上げ厚みに薄化する方法である。

【0017】

図２は、図１の積層ステップ１００１を説明する上面図である。図３は、図１の積層ステップ１００１を説明する断面図である。積層ステップ１００１は、図２及び図３に示すように、支持基板１０１の上に、チップ１０２と、パッケージ基板１００の封止材１１０の仕上げ厚みよりも厚い柱材１０３とを積層するステップである。積層ステップ１００１では、支持基板１０１の上面に厚みが均一なシート状の接着剤１０４を供給し、もしくは接着剤１０４を供給して厚みが均一な層状に形成し、接着剤１０４の上面にチップ１０２と柱材１０３とを配設して、接着剤１０４を介してチップ１０２と柱材１０３とを支持基板１０１の上面に立設した状態に固定する。

【0018】

ここで、パッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０（図４，５参照）は、本明細書では、接着剤１０４の上面から上方の部分の厚みを指し、本実施形態では、具体的には、封止材１１０の下面すなわち接着剤１０４の上面から、追って実施する封止ステップ１００２で供給されて薄化ステップ１００４で薄化される封止材１１０の上面までの厚みを指す。すなわち、パッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０は、本明細書では、支持基板１０１及び接着剤１０４の厚みを含まない。また、パッケージ基板１００の封止材１１０の仕上げ厚みは、本明細書では、パッケージ基板の加工方法の処理が薄化ステップ１００４まで完了したときに得られるパッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０を指す。

【0019】

支持基板１０１は、本実施形態では、ウエーハ形状（円板状）のシリコン板やガラス板などであるが、本発明ではこれに限定されず、パネル形状（矩形状）でもよい。また、支持基板１０１は、薄化ステップ１００４の実施後、パッケージ基板１００から剥離され、パッケージ基板１００の支持基板１０１が接着されていた面には再配線層が形成される（Fan Out：ＦＯ方式）。チップ１０２は、シリコン、サファイア、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ガリウムヒ素、ガラスなどを母材とする半導体チップやデバイスチップなどである。柱材１０３は、材質が一様の中実材であり、後述する厚み測定器３０（図５参照）が照射する光を一定の割合で透過するとともに、表面１０８（図５参照）と裏面１０９（図５参照）との両方で反射する。柱材１０３は、チップ１０２の母材と同様の材料と機械的物性が近い材料で形成される。柱材１０３は、チップ１０２の母材と同じ材料で形成されることが好ましく、この場合、追って実施する封止ステップ１００２を経て得られるパッケージ基板１００の反りを低減できる。柱材１０３は、例えば、チップ１０２の母材と同じ材料で形成され、柱状に形成されたダミーウエーハやダミーチップを使用することができる。柱材１０３の平面視の形状は、特に限定されない。接着剤１０４は、例えば、エポキシ系樹脂からなる接着剤を使用することができる。チップ１０２は、ＳｉやＳｉＣやＧａＡｓなどの基板の表面にデバイスが形成されており、チップ１０２の母材とはデバイスが積層される基板の事を示す。

【0020】

積層ステップ１００１では、本実施形態では、図２に示すように、柱材１０３は、支持基板１０１のチップ１０２よりも外周側即ちパッケージ基板１００の外周部に配設されることが好ましい。従来は、通常パッケージ基板１００の外周部にはチップ１０２がなく中央部に比べて封止材１１０の割合が多いため、パッケージ基板１００に含まれる材料に起因する収縮や膨張がパッケージ基板１００の面内で均等に発生せずパッケージ基板１００の反りの原因になる。しかし柱材１０３をチップ１０２がない外周部に設置することで、パッケージ基板１００の面全体で封止材１１０とチップ１０２もしくは柱材１０３との割合の差が少なくなり、パッケージ基板１００に含まれる材料の分布が均等に近づくため、特に封止材１１０の封止に起因してパッケージ基板１００が反る事を防止できるとともに、追って実施する薄化ステップ１００４で柱材１０３の厚みの測定を容易にできる。また、積層ステップ１００１では、図２に示すように、柱材１０３を周方向に沿って配設することが好ましく、この場合、薄化ステップ１００４で、厚み測定器３０の径方向の位置を一定にして好適に柱材１０３の厚みを測定できる。なお、積層ステップ１００１で配設する柱材１０３の個数は、１個でも複数個でもよい。

【0021】

図４は、図１の封止ステップ１００２を説明する断面図である。封止ステップ１００２は、図４に示すように、積層ステップ１００１で支持基板１０１の上に積層したチップ１０２及び柱材１０３を封止材１１０で封止して、パッケージ基板１００を得るステップである。封止材１１０は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、又はポリイミド樹脂等により構成された所謂モールド樹脂である。また、封止材１１０は、フィラーが含まれていてもよい。封止材１１０に含まれるフィラーは、例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、クレー、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ベリリウム、酸化鉄、酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、マイカ、ガラス、石英、雲母等の無機充填剤のうち１種類または２種類以上が使用される。封止材１１０は、フィラーにより光を散乱させたり吸収したりするものでもよい。

【0022】

図５は、図１の保持ステップ１００３及び薄化ステップ１００４を説明する断面図である。図６は、図１の保持ステップ１００３及び薄化ステップ１００４を説明する他の断面図である。図７は、図１の薄化ステップ１００４を説明する上面図である。保持ステップ１００３及び薄化ステップ１００４を実施する装置の一例である薄化装置１は、図５に示すように、保持テーブル１０と、薄化ユニット２０と、厚み測定器３０と、制御ユニット４０と、を備える。薄化装置１は、本実施形態では、薄化ユニット２０でパッケージ基板１００の封止材１１０を研削加工する研削装置であるが、本発明ではこれに限定されず、その他の加工方法によりパッケージ基板１００の封止材１１０を薄化する加工装置であってもよい。

【0023】

保持テーブル１０は、パッケージ基板１００を支持基板１０１の側から保持する。保持テーブル１０は、本実施形態では、例えば、凹部が形成された円板状の枠体と、凹部内に嵌め込まれた円板状の吸着部と、を有する所謂チャックテーブルである。保持テーブル１０の吸着部の上面は、水平面に平行に形成されており、吸着部に接続された不図示の吸引源から負圧が導入されることにより、支持基板１０１の側を下方に向けて載置されたパッケージ基板１００を、支持基板１０１の側から吸引保持する保持面１１である。保持テーブル１０は、不図示の回転駆動源により保持面１１に対して垂直で鉛直方向と平行な軸心周りに回転自在に設けられている。

【0024】

薄化ユニット２０は、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板１００の封止材１１０を仕上げ厚みまで薄化する。薄化ユニット２０は、本実施形態ではパッケージ基板１００の封止材１１０を研削加工して薄化する研削ユニットであるが、本発明ではこれに限定されず、その他の加工方法によりパッケージ基板１００の封止材１１０を薄化する加工ユニットであってもよい。

【0025】

薄化ユニット２０は、本実施形態では、スピンドル２１と、研削砥石２２を環状に配置した研削ホイール２３と、研削送りユニット２４とを備える。薄化ユニット２０では、スピンドル２１の下端に装着された研削ホイール２３は、スピンドル２１の回転動作により、鉛直方向と平行な軸心回りの回転動作が加えられる。研削送りユニット２４は、スピンドル２１及びスピンドル２１に装着された研削ホイール２３を、鉛直方向と平行な研削送り方向に沿って移動させる。薄化ユニット２０は、スピンドル２１により研削ホイール２３を回転させながら、回転する保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板１００の封止材１１０側に、研削送りユニット２４により研削送り方向に沿って押圧することによって、研削ホイール２３の研削砥石２２でパッケージ基板１００の封止材１１０を研削して薄化し、パッケージ基板１００の封止材１１０の被加工面（被研削面）を水平方向と平行に形成する。

【0026】

薄化装置１は、本実施形態では、保持テーブル１０の回転軸と、薄化ユニット２０のスピンドル２１及び研削ホイール２３の回転軸とが、水平方向にずれて配設されており、薄化ユニット２０で保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板１００の封止材１１０を研削して薄化している際に、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板１００の一部を上方に向けて露出させる。

【0027】

厚み測定器３０は、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板１００の上方に向けて露出した領域に鉛直方向に沿って対向して設けられている。厚み測定器３０は、不図示の径方向移動ユニットが接続されており、径方向移動ユニットにより、保持テーブル１０の径方向に沿って移動自在に設けられている。厚み測定器３０は、不図示の径方向移動ユニットによりパッケージ基板１００内の柱材１０３が配設された円周上に位置付けられ、保持テーブル１０の回転に伴うパッケージ基板１００内の柱材１０３の回転移動によりパッケージ基板１００内の柱材１０３が直下を通過する際に、柱材１０３に光を照射し、柱材１０３の表面１０８からの反射光と、柱材１０３の裏面１０９からの反射光とで生成される分光干渉波によって、柱材１０３の厚みを測定する。厚み測定器３０は、本実施形態では、保持テーブル１０の外周部に設けられ、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板１００の封止材１１０の外周部の厚みを測定するが、本発明ではこれに限定されず、前述した光を照射して前記反射光を受光する測定部を保持テーブル１０及びパッケージ基板１００の径方向に移動させる移動機構３１（図６に示す）を有し、移動機構３１によって径方向に移動させてパッケージ基板１００の封止材１１０の厚みを測定する機構が設けられていてもよい。移動機構３１でパッケージ基板１００の封止材１１０の厚みを測定する場合は、外周部だけで無くパッケージ基板１００の径方向に柱材１０３が複数形成され、柱材１０３の上部でパッケージ基板１００の封止材１１０の厚みを測定する。これによりパッケージ基板１００の外周部ではなく、パッケージ基板１００の封止材１１０の全体の厚み分布をより精度高く測定できるため、仕上げ厚みの精度を向上させる効果がある。

【0028】

制御ユニット４０は、薄化装置１の各構成要素の動作を制御して、保持ステップ１００３及び薄化ステップ１００４を薄化装置１に実施させる。制御ユニット４０は、本実施形態では、コンピュータシステムを含む。制御ユニット４０が含むコンピュータシステムは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（Read Only Memory）又はＲＡＭ（Random Access Memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット４０の演算処理装置は、制御ユニット４０の記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、薄化装置１を制御するための制御信号を、制御ユニット４０の入出力インターフェース装置を介して薄化装置１の各構成要素に出力する。

【0029】

保持ステップ１００３は、図５に示すように、パッケージ基板１００の支持基板１０１の側を薄化装置１の保持テーブル１０に保持するステップである。薄化ステップ１００４は、保持ステップ１００３の後に実施され、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板１００の封止材１１０を仕上げ厚みまで薄化するステップである。薄化ステップ１００４は、本実施形態では、図５に示すように、研削ホイール２３に配置された研削砥石２２により、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板１００の封止材１１０を仕上げ厚みまで研削加工して薄化するが、本発明ではこれに限定されず、モーターで回転するスピンドルと、スピンドルの先端に固定されたマウンタと、マウンタに固定されバイト工具を備えるバイト切削装置で、バイト工具により封止材１１０を切削し薄化するなど、その他の加工方法によりパッケージ基板１００の封止材１１０を薄化してもよい。

【0030】

薄化ステップ１００４は、図１に示すように、柱材露出ステップ１００４－１と、測定ステップ１００４－２とを有する。柱材露出ステップ１００４－１は、パッケージ基板１００を柱材１０３が露出するまで研削するステップである。柱材露出ステップ１００４－１は、では、柱材１０３がパッケージ基板１００の封止材１１０の仕上げ厚みよりも厚いため、薄化ステップ１００４では、柱材露出ステップ１００４－１において、パッケージ基板１００の封止材１１０を研削加工して薄化していくと、図７に示すように、パッケージ基板１００の封止材１１０が仕上げ厚みまで薄化される前に、パッケージ基板１００の封止材１１０の被加工面に柱材１０３の表面１０８を露出させる。そこで、薄化ステップ１００４では、制御ユニット４０は、まず、薄化ユニット２０により、保持テーブル１０に保持したパッケージ基板１００の封止材１１０を薄化して、パッケージ基板１００の封止材１１０の被加工面に柱材１０３の表面１０８を露出させる。

【0031】

薄化ステップ１００４では、パッケージ基板１００の封止材１１０の被加工面に柱材１０３の表面１０８を露出させた後、測定ステップ１００４－２において、制御ユニット４０は、引き続き薄化ユニット２０でパッケージ基板１００の封止材１１０を薄化しながら、不図示の径方向移動ユニットにより厚み測定器３０を露出した柱材１０３が配設された円周上に位置付け、保持テーブル１０の回転に伴い回転移動するパッケージ基板１００内の柱材１０３が厚み測定器３０の直下を通過する際に、厚み測定器３０で柱材１０３に光を照射して、柱材１０３の表面１０８からの反射光と、柱材１０３の裏面１０９からの反射光とで生成される分光干渉波によって柱材１０３の厚みを測定する。なお、測定ステップ１００４－２は、柱材露出ステップ１００４－１の実施後に、厚み測定器３０で柱材１０３の厚みを測定しながら、封止材１１０を仕上げ厚みまで薄化するステップである。

【0032】

薄化ステップ１００４の測定ステップ１００４－２でパッケージ基板１００の封止材１１０を薄化している際には、厚み測定器３０で測定する柱材１０３の厚みは、パッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０と等しいため、制御ユニット４０は、柱材１０３の厚みを測定することによりパッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０を測定し、パッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０をリアルタイムで監視することができる。そこで、薄化ステップ１００４の測定ステップ１００４－２では、制御ユニット４０は、厚み測定器３０で測定した柱材１０３の厚みがパッケージ基板１００の封止材１１０の仕上げ厚みとなるまで、薄化ユニット２０でパッケージ基板１００の封止材１１０を薄化し、厚み測定器３０で測定した柱材１０３の厚みがパッケージ基板１００の封止材１１０の仕上げ厚みに到達したときに、薄化ユニット２０によるパッケージ基板１００の封止材１１０の薄化を停止する。薄化ステップ１００４の測定ステップ１００４－２では、このように、厚み測定器３０で柱材１０３に光を照射し、柱材１０３の表面１０８からの反射光と裏面１０９からの反射光とで生成される分光干渉波によって柱材１０３の厚みを測定して監視しながら、封止材１１０を仕上げ厚みまで薄化する。

【0033】

このように、薄化ステップ１００４を実施することにより、パッケージ基板１００の封止材１１０を所望の仕上げ厚みまで薄化することができる。さらに、薄化ステップ１００４の実施後、支持基板１０１をパッケージ基板１００から剥離して除去し、パッケージ基板１００の支持基板１０１が接着されていた面に再配線層を形成することにより、チップ１０２と所望の仕上げ厚みの封止材１１０とを含むパッケージ基板１００を得ることができる。なお、本実施形態では、ウエーハ形状（円板状）の支持基板１０１を用いてウエーハレベル（Wafer Level）のパッケージ基板１００を得るが、本発明ではこれに限定されず、パネル形状（矩形状）の支持基板１０１を用いてパネルレベル（Panel Level）のパッケージ基板１００を得てもよい。

【0034】

以上のような構成を有する実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、パッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０の測定結果が、接着剤１０４や支持基板１０１の厚みが含まれないので、接着剤１０４や支持基板１０１の厚みが設計値よりばらついていたとしてもその影響を受けて封止材１１０の厚み１２０がばらつくことがない。接着剤１０４は毎回同じ厚みにする様に制御してもパッケージ基板１００毎に多少のばらつきは発生する。また支持基板１０１も同じロットで同じ厚みのものを使用しても個体差はどうしても生じる。よって本発明は接着剤１０４と支持基板１０１の厚みを除外して封止材１１０の厚み１２０を測定することで、仕上げ厚みの精度を向上させる。また、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、パッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０を測定するために照射する光が柱材１０３の内部を通り、封止材１１０の内部を通ることはないので、パッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０の測定結果が、封止材１１０に含まれるフィラー等の影響を受けることがない。このように、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、モールド樹脂等の封止材１１０で封止されたチップ１０２を含むパッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０を、接着剤１０４の厚みや封止材１１０に含まれるフィラー等の影響を受けることなく、柱材１０３の厚みを測定して監視しながら、パッケージ基板１００の封止材１１０を薄化できるので、モールド樹脂等の封止材１１０で封止されたチップ１０２を含むパッケージ基板１００の封止材１１０を所望する仕上げ厚みに薄化できるという作用効果を奏する。

【0035】

また、実施形態１に係るパッケージ基板の加工方法は、柱材１０３は、チップ１０２よりも外周に配設されるので、パッケージ基板１００の面全体で封止材１１０とチップ１０２もしくは柱材１０３との割合の差が少なくなり、封止材１１０の割合が多い部分がより収縮するまたは膨張するなど封止に起因してパッケージ基板１００が反る事を防止できるとともに、柱材１０３の厚みの測定を容易にできるという作用効果を奏する。さらにチップ１０２の母材（基板）と、柱材１０３と、が同じ素材を含んで形成されていると一層チップ１０２がある領域と柱材１０３がある領域とでパッケージ基板１００内の材料の分布が均等に近づくため、パッケージ基板１００の反りを防止する事ができる。

【0036】

〔実施形態２〕
実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法を図面に基づいて説明する。図８は、実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法により加工されたパッケージ基板１００－２の構成を模式的に示す断面図である。なお、図８は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0037】

実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法は、パッケージ基板１００－２が、支持基板１０１の代わりに配線基板１２１を備える事以外、実施形態１と同じである。実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法は、保持ステップ１００３において配線基板１２１の側を保持テーブル１０に保持し、薄化ステップ１００４において研削する。しかしながら、封止材１１０の上面に接触式の厚み測定器を接触させ、保持テーブル１０の保持面にもう一つの接触式の厚み測定器を接触させ、差分を配線基板１２１と封止材１１０とを含んだ総厚とみなし、研削厚みを管理することが従来技術であるが、そうすると配線基板１２１も同じロットであっても厚みが多少ばらつくため、配線基板１２１の厚みがばらついた時に封止材１１０の厚みもばらついてしまうという問題がある。

【0038】

そこで、実施形態２に係るパッケージ基板の加工方法は、実施形態１と同様に柱材露出ステップ１００４－１において柱材１０３を露出させ、測定ステップ１００４－２において柱材１０３の厚みによって研削厚みを制御する事で、配線基板１２１の厚みばらつきによらず封止材１１０の厚み１２０を管理する事ができる。なお、実施形態２では、配線基板１２１を利用するので、配線基板１２１も含んでその後チップ化されるため、パッケージ基板１００－２は、配線基板１２１とチップ１０２と封止材１１０とを含む。

【0039】

〔変形例〕
本発明の変形例１，２，３に係るパッケージ基板の加工方法を図面に基づいて説明する。図９、図１０及び図１１は、それぞれ、実施形態１，２に係るパッケージ基板の加工方法の変形例の一例である変形例１，２，３を説明する上面図である。図９、図１０及び図１１は、いずれも、変形例１，２，３の積層ステップ１００１を説明する上面図である。図９、図１０及び図１１は、実施形態１，２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0040】

変形例１，２，３は、いずれも、上記した実施形態１，２において、積層ステップ１００１における支持基板１０１上に配設する柱材１０３の形状もしくは配設する位置を変更したものである。

【0041】

変形例１は、図９に示すように、実施形態１，２において、柱材１０３を平面視で円環状に変更したものである。このため、変形例１は、パッケージ基板１００において柱材１０３が周方向に連続的に配設されたものとなり、厚み測定器３０での柱材１０３の厚みを測定できる測定ポイントが多くなるので、実施形態１，２よりもさらに、薄化ステップ１００４で、厚み測定器３０で連続的により高い頻度で柱材１０３の厚みを測定して、パッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０をより精度よく監視できる。

【0042】

変形例２は、図１０に示すように、実施形態１，２において、柱材１０３を平面視で約１／４円弧状のものを４個に変更したものである。このため、変形例２は、パッケージ基板１００において柱材１０３が周方向に非連続的ではあるがほぼ全周に配設されたものとなり、厚み測定器３０での柱材１０３の厚みを測定できる測定ポイントが多くなるので、実施形態１，２よりもさらに、薄化ステップ１００４で、厚み測定器３０で非連続的ではあるがより高い頻度で柱材１０３の厚みを測定して、連続的にパッケージ基板１００の封止材１１０の厚み１２０をより精度よく監視できる。

【0043】

変形例３は、図１１に示すように、実施形態１，２において、柱材１０３を平面視でチップ１０２と同じ形状及び同じ大きさのもの４個に変更し、柱材１０３をチップ１０２と並んで配列するように変更したものである。変形例３は、パッケージ基板１００において、柱材１０３が、パッケージ基板１００の面全体におけるチップ１０２と柱材１０３とのバランスを好適に維持できる最小限だけ配設されたものとなるので、実施形態１，２よりもさらに、パッケージ基板１００の封止材１１０の薄化に与える影響を最小限に留めることができる。

【0044】

なお、本発明は上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

【符号の説明】

【0045】

１０ 保持テーブル
３０ 厚み測定器
１００，１００－２ パッケージ基板
１０１ 支持基板
１０２ チップ
１０３ 柱材
１０８ 表面
１０９ 裏面
１１０ 封止材
１２０ 厚み
１２１ 配線基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】