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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023013682
(43)【公開日】2023-01-26
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20230119BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 651Z
H01L21/304 651B
H01L21/304 643A
H01L21/304 647A
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021118041
(22)【出願日】2021-07-16
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100122507
【弁理士】
【氏名又は名称】柏岡 潤二
(74)【代理人】
【識別番号】100171099
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 茂樹
(74)【代理人】
【識別番号】100153969
【弁理士】
【氏名又は名称】松澤 寿昭
(72)【発明者】
【氏名】岩永 耕治
(72)【発明者】
【氏名】田中 暁
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA09
5F157AB02
5F157AB13
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB48
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB91
5F157AC04
5F157AC56
5F157BB23
5F157BB44
5F157BF22
5F157CB14
5F157CB26
5F157CD11
5F157CD29
5F157CD46
5F157CE03
5F157CE05
5F157CE07
5F157CE51
5F157CE82
5F157CE83
5F157CF04
5F157CF14
5F157CF42
5F157CF44
5F157CF60
5F157CF99
5F157DA21
5F157DB32
5F157DB37
5F157DC21
(57)【要約】
【課題】本開示は、基板の表面に形成される液膜の液量を精度よく調節することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を説明する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転させつつ処理液を供給して、基板の表面に液膜を形成するように構成された液処理部と、基板に供給される処理液の温度を測定するように構成された測定部と、液膜が形成された基板を乾燥させるように構成された乾燥処理部と、制御部とを備える。制御部は、基板に供給される処理液の温度と、基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルと、測定部によって測定された温度とに基づいて、基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第１の処理と、第１の処理で算出された予測液量となるような処理条件を設定する第２の処理と、第２の処理で設定された処理条件に基づいて、液処理部において基板の表面に液膜を形成する第３の処理とを実行するように構成されている。
【選択図】図２
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転させつつ処理液を供給して、基板の表面に液膜を形成するように構成された液処理部と、基板に供給される処理液の温度を測定するように構成された測定部と、液膜が形成された基板を乾燥させるように構成された乾燥処理部と、制御部とを備える。制御部は、基板に供給される処理液の温度と、基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルと、測定部によって測定された温度とに基づいて、基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第１の処理と、第１の処理で算出された予測液量となるような処理条件を設定する第２の処理と、第２の処理で設定された処理条件に基づいて、液処理部において基板の表面に液膜を形成する第３の処理とを実行するように構成されている。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を回転させつつ処理液を供給して、前記基板の表面に液膜を形成するように構成された液処理部と、
前記基板に供給される処理液の温度を測定するように構成された測定部と、
前記液膜が形成された前記基板を乾燥させるように構成された乾燥処理部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記基板に供給される処理液の温度と、前記基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルと、前記測定部によって測定された温度とに基づいて、前記基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第１の処理と、
前記第１の処理で算出された前記予測液量となるような処理条件を設定する第２の処理と、
前記第２の処理で設定された前記処理条件に基づいて、前記液処理部において前記基板の表面に液膜を形成する第３の処理とを実行するように構成されている、基板処理装置。
前記基板に供給される処理液の温度を測定するように構成された測定部と、
前記液膜が形成された前記基板を乾燥させるように構成された乾燥処理部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記基板に供給される処理液の温度と、前記基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルと、前記測定部によって測定された温度とに基づいて、前記基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第１の処理と、
前記第１の処理で算出された前記予測液量となるような処理条件を設定する第２の処理と、
前記第２の処理で設定された前記処理条件に基づいて、前記液処理部において前記基板の表面に液膜を形成する第３の処理とを実行するように構成されている、基板処理装置。
【請求項2】
前記第３の処理は、
前記基板を回転させつつ処理液を供給して、前記基板の表面に処理液を拡げることと、
前記基板の表面に形成される液膜の液量が前記予測液量となるように、前記基板の表面に供給された処理液のうちの余剰部分を、前記基板を回転させることにより前記基板から振り切ることとを含む、請求項１に記載の装置。
前記基板を回転させつつ処理液を供給して、前記基板の表面に処理液を拡げることと、
前記基板の表面に形成される液膜の液量が前記予測液量となるように、前記基板の表面に供給された処理液のうちの余剰部分を、前記基板を回転させることにより前記基板から振り切ることとを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項3】
前記第２の処理は、前記余剰部分を前記基板から振り切る際の処理条件と、前記基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す処理条件モデルと、前記第１の処理で算出された前記予測液量とに基づいて、前記処理条件を設定することを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項4】
前記処理条件は、前記余剰部分を前記基板から振り切る際における、前記基板の回転数、前記基板の回転加速度及び前記基板の回転時間のうちの少なくとも一つである、請求項２又は３に記載の装置。
【請求項5】
前記制御部は、前記第３の処理の前に、前記基板を回転させつつ洗浄液及びリンス液を順次供給して前記基板の表面を洗浄する第４の処理をさらに実行するように構成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項6】
前記液処理部は、処理液が流通するように構成された供給ラインを含み、
前記供給ラインは、処理液が吐出される吐出ノズルと接続された先端部を含み、
前記測定部は、前記先端部を流れる処理液の温度を測定するように構成されている、請求項５に記載の装置。
前記供給ラインは、処理液が吐出される吐出ノズルと接続された先端部を含み、
前記測定部は、前記先端部を流れる処理液の温度を測定するように構成されている、請求項５に記載の装置。
【請求項7】
前記基板に供給される処理液はイソプロピルアルコールである、請求項１～６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項8】
前記乾燥処理部は、前記液膜が形成された前記基板を超臨界処理によって乾燥させるように構成されている、請求項１～７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項9】
重さを測定するように構成された計量部をさらに備え、
前記制御部は、
前記第３の処理の後に、前記第３の処理において表面に液膜が形成されている状態の前記基板の重さを前記計量部によって測定する第５の処理と、
前記第５の処理で測定された重さに基づいて前記基板の表面に形成された液膜の液量を算出する第６の処理と、
前記第６の処理で算出された液量と所定の基準値との差分に基づいて、後続の基板の処理に際して設定される前記処理条件を補正する第７の処理とをさらに実行するように構成されている、請求項１～８のいずれか一項に記載の装置。
前記制御部は、
前記第３の処理の後に、前記第３の処理において表面に液膜が形成されている状態の前記基板の重さを前記計量部によって測定する第５の処理と、
前記第５の処理で測定された重さに基づいて前記基板の表面に形成された液膜の液量を算出する第６の処理と、
前記第６の処理で算出された液量と所定の基準値との差分に基づいて、後続の基板の処理に際して設定される前記処理条件を補正する第７の処理とをさらに実行するように構成されている、請求項１～８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項10】
前記制御部は、前記第６の処理で算出された液量が所定の目標範囲外であった場合、前記第７の処理を実行することなく前記基板の処理を停止する第８の処理をさらに実行するように構成されている、請求項９に記載の装置。
【請求項11】
液処理部において基板に供給される処理液の温度と、前記基板に処理液が供給されることによって前記基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルを構築する第１の工程と、
前記液処理部において前記基板に供給される前の処理液の温度を測定部によって測定する第２の工程と、
前記液膜モデルと、前記測定部によって測定された温度とに基づいて、前記液処理部において前記基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第３の工程と、
前記第３の工程で算出された前記予測液量となるような処理条件を設定する第４の工程と、
前記第４の工程で設定された前記処理条件に基づいて、前記液処理部において前記基板を回転させつつ処理液を供給して、前記基板の表面に液膜を形成する第５の工程と、
前記第５の工程の後に、前記液膜が形成された前記基板を乾燥処理部において乾燥させる第６の工程とを含む、基板処理方法。
前記液処理部において前記基板に供給される前の処理液の温度を測定部によって測定する第２の工程と、
前記液膜モデルと、前記測定部によって測定された温度とに基づいて、前記液処理部において前記基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第３の工程と、
前記第３の工程で算出された前記予測液量となるような処理条件を設定する第４の工程と、
前記第４の工程で設定された前記処理条件に基づいて、前記液処理部において前記基板を回転させつつ処理液を供給して、前記基板の表面に液膜を形成する第５の工程と、
前記第５の工程の後に、前記液膜が形成された前記基板を乾燥処理部において乾燥させる第６の工程とを含む、基板処理方法。
【請求項12】
前記第５の工程は、
前記基板を回転させつつ処理液を供給して、前記基板の表面に処理液を拡げることと、
前記基板の表面に形成される液膜の液量が前記予測液量となるように、前記基板の表面に供給された処理液のうちの余剰部分を、前記基板を回転させることにより前記基板から振り切ることとを含む、請求項１１に記載の方法。
前記基板を回転させつつ処理液を供給して、前記基板の表面に処理液を拡げることと、
前記基板の表面に形成される液膜の液量が前記予測液量となるように、前記基板の表面に供給された処理液のうちの余剰部分を、前記基板を回転させることにより前記基板から振り切ることとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記第４の工程は、前記余剰部分を前記基板から振り切る際の処理条件と、前記基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す処理条件モデルと、前記第３の工程で算出された前記予測液量とに基づいて、前記処理条件を設定することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
前記処理条件は、前記余剰部分を前記基板から振り切る際における、前記基板の回転数、前記基板の回転加速度及び前記基板の回転時間のうちの少なくとも一つである、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項15】
前記第５の工程の前に、前記基板を回転させつつ洗浄液及びリンス液を順次供給して前記基板の表面を洗浄する第７の工程をさらに含む、請求項１１～例１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項16】
前記液処理部は、処理液が流通するように構成された供給ラインを含み、
前記供給ラインは、処理液が吐出される吐出ノズルと接続された先端部を含み、
前記測定部は、前記先端部を流れる処理液の温度を測定するように構成されている、請求項１５に記載の方法。
前記供給ラインは、処理液が吐出される吐出ノズルと接続された先端部を含み、
前記測定部は、前記先端部を流れる処理液の温度を測定するように構成されている、請求項１５に記載の方法。
【請求項17】
前記基板に供給される処理液はイソプロピルアルコールである、請求項１１～１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項18】
前記乾燥処理部は、前記液膜が形成された前記基板を超臨界処理によって乾燥させるように構成されている、請求項１１～１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項19】
前記第５の工程の後で且つ前記第６の工程の前に、前記第５の工程において表面に液膜が形成されている状態の前記基板の重さを計量部によって測定する第８の工程と、
前記第８の工程で測定された重さに基づいて前記基板の表面に形成された液膜の液量を算出する第９の工程と、
前記第９の工程で算出された液量と所定の基準値との差分に基づいて、後続の基板の処理に際して設定される前記処理条件を補正する第１０の工程とをさらに含む、請求項１１～１８のいずれか一項に記載の方法。
前記第８の工程で測定された重さに基づいて前記基板の表面に形成された液膜の液量を算出する第９の工程と、
前記第９の工程で算出された液量と所定の基準値との差分に基づいて、後続の基板の処理に際して設定される前記処理条件を補正する第１０の工程とをさらに含む、請求項１１～１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項20】
前記第９の工程で算出された液量が所定の目標範囲外であった場合、前記第１０の工程を実行することなく前記基板の処理を停止する第１１の工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造方法は、例えば、基板（例えば、半導体ウエハなど）を微細加工することにより、基板の表面に集積回路の積層構造を形成することを含む。基板の微細加工することは、基板の表面における微小なパーティクルや自然酸化膜を除去するために、処理液を基板に供給して基板を洗浄及び乾燥することを含む。特許文献１は、基板の乾燥処理の一例として、超臨界流体を利用して基板を乾燥する手法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－０３３２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板の表面に形成される液膜の液量を精度よく調節することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を説明する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
基板処理装置の一例は、基板を回転させつつ処理液を供給して、基板の表面に液膜を形成するように構成された液処理部と、基板に供給される処理液の温度を測定するように構成された測定部と、液膜が形成された基板を乾燥させるように構成された乾燥処理部と、制御部とを備える。制御部は、基板に供給される処理液の温度と、基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルと、測定部によって測定された温度とに基づいて、基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第１の処理と、第１の処理で算出された予測液量となるような処理条件を設定する第２の処理と、第２の処理で設定された処理条件に基づいて、液処理部において基板の表面に液膜を形成する第３の処理とを実行するように構成されている。
【発明の効果】
【0006】
本開示に係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、基板の表面に形成される液膜の液量を精度よく調節することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。なお、本明細書において、図の上、下、右、左というときは、図中の符号の向きを基準とすることとする。
【0009】
［基板処理システム］
まず、図１及び図２を参照して、基板Ｗを処理するように構成された基板処理システム１（基板処理装置）について説明する。基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、コントローラＣｔｒ（制御部）とを備える。搬入出ステーション２及び処理ステーション３は、例えば水平方向に一列に並んでいてもよい。
まず、図１及び図２を参照して、基板Ｗを処理するように構成された基板処理システム１（基板処理装置）について説明する。基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、コントローラＣｔｒ（制御部）とを備える。搬入出ステーション２及び処理ステーション３は、例えば水平方向に一列に並んでいてもよい。
【0010】
基板Ｗは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。基板Ｗは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。基板Ｗは、例えば、半導体基板（シリコンウエハ）、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。基板Ｗの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。
【0011】
搬入出ステーション２は、載置部４と、搬入搬出部５と、棚ユニット６とを含む。載置部４は、幅方向（図１の上下方向）において並ぶ複数の載置台（図示せず）を含んでいる。各載置台は、キャリア７（収容容器）を載置可能に構成されている。キャリア７は、少なくとも一つの基板Ｗを密封状態で収容するように構成されている。キャリア７は、基板Ｗを出し入れするための開閉扉（図示せず）を含む。
【0012】
搬入搬出部５は、搬入出ステーション２及び処理ステーション３が並ぶ方向（図１の左右方向）において、載置部４に隣接して配置されている。搬入搬出部５は、載置部４に対して設けられた開閉扉（図示せず）を含む。載置部４上にキャリア７が載置された状態で、キャリア７の開閉扉と搬入搬出部５の開閉扉とが共に開放されることで、搬入搬出部５内とキャリア７内とが連通する。
【0013】
搬入搬出部５は、搬送アームＡ１及び棚ユニット６を内蔵している。搬送アームＡ１は、搬入搬出部５の幅方向（図１の上下方向）における水平移動と、鉛直方向における上下動と、鉛直軸周りにおける旋回動作とが可能に構成されている。搬送アームＡ１は、キャリア７から基板Ｗを取り出して棚ユニット６に渡し、また、棚ユニット６から基板Ｗを受け取ってキャリア７内に戻すように構成されている。棚ユニット６は、処理ステーション３の近傍に位置しており、搬入搬出部５と処理ステーション３との間での基板Ｗの受け渡しを仲介するように構成されている。
【0014】
処理ステーション３は、搬送部８と、複数の基板処理ユニットＵ（基板処理装置）とを含む。搬送部８は、例えば、搬入出ステーション２及び処理ステーション３が並ぶ方向（図１の左右方向）において水平に延びている。搬送部８は、搬送アームＡ２を内蔵している。搬送アームＡ２は、搬送部８の長手方向（図１の左右方向）における水平移動と、鉛直方向における上下動と、鉛直軸周りにおける旋回動作とが可能に構成されている。搬送アームＡ２は、棚ユニット６から基板Ｗを取り出して基板処理ユニットＵに渡し、また、基板処理ユニットＵから基板Ｗを受け取って棚ユニット６内に戻すように構成されている。
【0015】
図１及び図２に示される例では、複数の基板処理ユニットＵは、搬送部８の一方の側において上下に並ぶ複数（例えば３つ）の基板処理ユニットＵと、搬送部８の他方の側において上下に並ぶ複数（例えば３つ）の基板処理ユニットＵとを含んでいる。基板処理ユニットＵは、液処理ユニットＵ１と、乾燥処理ユニットＵ２とを含んでいる。図１及び図２に示される例では、液処理ユニットＵ１と乾燥処理ユニットＵ２とが、搬送部８の長手方向（図１の左右方向）に沿って隣り合うように配置されている。
【0016】
［液処理ユニット］
続いて、図１～図３を参照して、液処理ユニットＵ１について詳しく説明する。図１及び図２に例示されるように、液処理ユニットＵ１は、計量部Ｕ１１と、液処理部Ｕ１２と、測定部Ｕ１３を含む。
続いて、図１～図３を参照して、液処理ユニットＵ１について詳しく説明する。図１及び図２に例示されるように、液処理ユニットＵ１は、計量部Ｕ１１と、液処理部Ｕ１２と、測定部Ｕ１３を含む。
【0017】
計量部Ｕ１１は、液処理ユニットＵ１に搬入された基板Ｗの重量を測定するように構成されている。計量部Ｕ１１は、測定した重量のデータをコントローラＣｔｒに送信するように構成されている。
【0018】
液処理部Ｕ１２は、基板Ｗに所定の液処理を行うように構成されている。当該所定の液処理は、例えば、基板Ｗの洗浄処理、基板Ｗの表面Ｗａ（図３参照）に液膜Ｒ（図３参照）を形成する処理を含む。液処理部Ｕ１２は、例えば、スピン洗浄により基板Ｗを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置であってもよい。図３に例示されるように、液処理部Ｕ１２は、回転保持部１０と、洗浄液供給部２０と、リンス液供給部３０と、処理液供給部４０とを含む。
【0019】
回転保持部１０は、回転部１１と、シャフト１２と、保持部１３とを含む。回転部１１は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、シャフト１２を回転させるように構成されている。回転部１１は、例えば電動モータ等の動力源であってもよい。
【0020】
保持部１３は、シャフト１２の先端部に設けられている。保持部１３は、例えば吸着等により、基板Ｗの裏面を吸着保持するように構成されている。すなわち、回転保持部１０は、基板Ｗの姿勢が略水平の状態で、基板Ｗの表面Ｗａに対して垂直な中心軸（回転軸）周りで基板Ｗを回転させるように構成されていてもよい。図３に例示されるように、回転保持部１０は、上方から見て時計回りに基板Ｗを回転させてもよい。
【0021】
洗浄液供給部２０は、基板Ｗに洗浄液Ｌ１を供給するように構成されている。洗浄液Ｌ１は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａの薄膜（例えば、シリコン酸化膜などの自然酸化膜）を除去するための薬液であってもよいし、基板Ｗの表面Ｗａに付着した異物（例えば、パーティクル、有機物など）を除去するための薬液であってもよい。当該薬液は、酸性又はアルカリ性の薬液を含んでいてもよい。酸性の薬液は、例えば、ＳＣ－２液（塩酸、過酸化水素及び純水の混合液）、ＳＰＭ（硫酸及び過酸化水素水の混合液）、ＨＦ液（フッ酸）、ＤＨＦ液（希フッ酸）、ＨＮＯ３＋ＨＦ液（硝酸及びフッ酸の混合液）などを含んでいてもよい。アルカリ性の薬液は、例えば、ＳＣ－１液（アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液）、過酸化水素水などを含んでいてもよい。洗浄液Ｌ１の温度は、基板Ｗの洗浄条件によって種々の値に設定されうるが、例えば、２０℃～１６０℃程度であってもよい。
【0022】
洗浄液供給部２０は、液源２１と、ポンプ２２と、バルブ２３と、ノズル２４と、配管２５と、駆動源２６とを含む。液源２１は、洗浄液Ｌ１の供給源である。図１及び図２に例示されるように、液源２１は、搬入搬出部５内に配置されていてもよい。図３に戻って、ポンプ２２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源２１から吸引した洗浄液Ｌ１を、配管２５及びバルブ２３を介してノズル２４に送り出すように構成されている。
【0023】
バルブ２３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管２５における流体の流通を許容する開状態と、配管２５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル２４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル２４は、ポンプ２２から送り出された洗浄液Ｌ１を吐出口から吐出するように構成されている。
【0024】
配管２５は、上流側から順に、液源２１、ポンプ２２、バルブ２３及びノズル２４を接続している。図１及び図２に例示されるように、配管２５は、搬入搬出部５内の液源２１と、複数の液処理ユニットＵ１の液処理部Ｕ１２におけるそれぞれのノズル２４とを接続するように、途中で分岐しつつ延びていてもよい。
【0025】
図３に戻って、駆動源２６は、ノズル２４に対して直接的又は間接的に接続されている。駆動源２６は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル２４を移動させるように構成されている。
【0026】
リンス液供給部３０は、基板Ｗにリンス液Ｌ２を供給するように構成されている。リンス液Ｌ２は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに供給された洗浄液Ｌ１及び洗浄液Ｌ１による膜の溶解成分を表面Ｗａから除去する（洗い流す）ための液であってもよい。リンス液Ｌ２は、例えば、純水（ＤＩＷ：deionized water）、オゾン水、炭酸水（ＣＯ２水）、アンモニア水などを含んでいてもよい。
【0027】
リンス液供給部３０は、液源３１と、ポンプ３２と、バルブ３３と、ノズル３４と、配管３５と、駆動源３６とを含む。液源３１は、リンス液Ｌ２の供給源である。図示してないが、液源３１は、搬入搬出部５内に配置されていてもよい。ポンプ３２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源３１から吸引したリンス液Ｌ２を、配管３５及びバルブ３３を介してノズル３４に送り出すように構成されている。
【0028】
バルブ３３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管３５における流体の流通を許容する開状態と、配管３５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル３４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル３４は、ポンプ３２から送り出されたリンス液Ｌ２を吐出口から吐出するように構成されている。
【0029】
配管３５は、上流側から順に、液源３１、ポンプ３２、バルブ３３及びノズル３４を接続している。図示してないが、配管３５は、搬入搬出部５内の液源３１と、複数の液処理ユニットＵ１の液処理部Ｕ１２におけるそれぞれのノズル３４とを接続するように、途中で分岐しつつ延びていてもよい。
【0030】
駆動源３６は、ノズル３４に対して直接的又は間接的に接続されている。駆動源３６は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル３４を移動させるように構成されている。
【0031】
処理液供給部４０は、基板Ｗに処理液Ｌ３を供給するように構成されている。処理液Ｌ３は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに供給されたリンス液Ｌ２を表面Ｗａから除去する（洗い流す）ための液である。リンス液Ｌ２が処理液Ｌ３に置換されると、基板Ｗの表面Ｗａには処理液Ｌ３の液膜Ｒが形成される。処理液Ｌ３は、例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などを含んでいてもよい。
【0032】
処理液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズル４４（吐出ノズル）と、配管４５（供給ライン）と、駆動源３６とを含む。液源４１は、処理液Ｌ３の供給源である。図１及び図２に例示されるように、液源４１は、搬入搬出部５内に配置されていてもよい。図３に戻って、ポンプ４２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源４１から吸引した処理液Ｌ３を、配管４５及びバルブ４３を介してノズル４４に送り出すように構成されている。
【0033】
バルブ４３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管４５における流体の流通を許容する開状態と、配管４５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル４４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル４４は、ポンプ４２から送り出された処理液Ｌ３を吐出口から吐出するように構成されている。
【0034】
配管４５は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３及びノズル４４を接続している。図１及び図２に例示されるように、配管４５は、搬入搬出部５内の液源４１から出発し、複数の液処理ユニットＵ１の液処理部Ｕ１２内をそれぞれ通過するように分岐した後に再び合流して、液源４１に戻るように延びていてもよい。すなわち、処理液Ｌ３は、配管４５を循環するように流れていてもよい。
【0035】
図２に例示されるように、各液処理部Ｕ１２内において、配管４５は、配管２５の近傍に配置された中間部４５ａと、中間部４５ａから分岐してノズル４４に接続された先端部４５ｂとを含んでいてもよい。すなわち、処理液Ｌ３の流動方向を基準として、中間部４５ａは、先端部４５ｂの上流側に配置されている。中間部４５ａを流れる処理液Ｌ３は、その近傍に位置する配管２５を流れる洗浄液Ｌ１の熱の影響を受けて、加熱されうる。
【0036】
図３に戻って、駆動源４６は、ノズル４４に対して直接的又は間接的に接続されている。駆動源４６は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル４４を移動させるように構成されている。
【0037】
測定部Ｕ１３は、配管４５を流れる処理液Ｌ３の温度を測定するように構成されている。測定部Ｕ１３は、図２に例示されるように、先端部４５ｂを流れる処理液Ｌ３の温度を測定するように構成されていてもよいし、配管４５のうち先端部４５ｂ以外の部分を流れる処理液Ｌ３の温度を測定するように構成されていてもよい。測定部Ｕ１３は、測定した温度のデータをコントローラＣｔｒに送信するように構成されている。
【0038】
［乾燥処理ユニットＵ２］
続いて、図１、図２及び図４を参照して、乾燥処理ユニットＵ２について詳しく説明する。図１及び図２に例示されるように、乾燥処理ユニットＵ２は、乾燥処理ユニットＵ２は、計量部Ｕ２１と、乾燥処理部Ｕ２２とを含む。
続いて、図１、図２及び図４を参照して、乾燥処理ユニットＵ２について詳しく説明する。図１及び図２に例示されるように、乾燥処理ユニットＵ２は、乾燥処理ユニットＵ２は、計量部Ｕ２１と、乾燥処理部Ｕ２２とを含む。
【0039】
計量部Ｕ２１は、乾燥処理ユニットＵ２に搬入された基板Ｗの重量を測定するように構成されている。計量部Ｕ２１は、測定した重量のデータをコントローラＣｔｒに送信するように構成されている。
【0040】
乾燥処理部Ｕ２２は、表面Ｗａに液膜Ｒが形成された基板Ｗに対して超臨界処理を行うように構成されている。超臨界処理とは、表面Ｗａに液膜Ｒが形成された基板Ｗに超臨界状態の処理流体（超臨界流体）を接触させることによって、基板Ｗを乾燥させる処理である。図４に例示されるように、乾燥処理部Ｕ２２は、本体５１と、保持板５２と、蓋部材５３とを含む。
【0041】
本体５１は、基板Ｗを内部に収容可能に構成された容器である。本体５１の前面には、基板Ｗが出入りするための開口部５１ａが形成されている。本体５１の壁部には、供給ポート５４，５５と排出ポート５６とが設けられている。
【0042】
供給ポート５４，５５はそれぞれ、供給配管を介して処理流体（例えば、二酸化炭素）の供給源（図示せず）に接続されている。供給ポート５４は、本体５１の背面に取り付けられた供給ヘッダ５７に接続されている。供給ポート５５は、本体５１の底面に取り付けられた供給ヘッダ５８に接続されている。供給ヘッダ５７，５８はそれぞれ、所定の方向に一列に並んだ複数の供給口を含んでおり、当該供給口から超臨界流体を本体５１内に供給するように構成されている。
【0043】
排出ポート５６は、本体５１外に延びる排出配管に接続されている。排出ポート５６は、本体５１の開口部５１ａ近傍に取り付けられた排出ヘッダ５９に接続されている。排出ヘッダ５９は、所定の方向に一列に並んだ複数の排出口を含んでおり、当該排出口から超臨界流体を本体５１外に排出するように構成されている。なお、排出ヘッダ５９から本体５１の外部に排出される超臨界流体には、基板Ｗの表面から超臨界状態の超臨界流体に溶け込んだ処理液Ｌ３が含まれうる。
【0044】
保持板５２は、処理対象の基板Ｗを水平に保持可能に構成されている。蓋部材５３は、保持板５２に取り付けられており、保持板５２が開口部５１ａを通じて本体５１内に挿入された状態で開口部５１ａを密閉するように構成されている。
【0045】
［コントローラの詳細］
コントローラＣｔｒは、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御するように構成されている。コントローラＣｔｒは、図５に例示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
コントローラＣｔｒは、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御するように構成されている。コントローラＣｔｒは、図５に例示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
【0046】
読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取るように構成されている。記録媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭは、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。なお、以下では、基板処理システム１の各部は、液処理部Ｕ１２及び乾燥処理部Ｕ２２の各部を含みうる。
【0047】
記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶するように構成されている。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データなどを記憶してもよい。記憶部Ｍ２は、例えば、計量部Ｕ１１，Ｕ２１によって取得された重量のデータ、測定部Ｕ１３によって取得された温度のデータを記憶してもよい。記憶部Ｍ２は、例えば、基板Ｗの処理のための処理条件と、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの予測液量を推定するための液膜モデルＤ１と、基板Ｗの処理条件を推定するための処理条件モデルＤ２とを記憶してもよい。液膜モデルＤ１及び処理条件モデルＤ２の詳細については、後述する。
【0048】
処理部Ｍ３は、各種データを処理するように構成されている。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、基板処理システム１の各部を動作させるための信号を生成してもよい。
【0049】
指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を、基板処理システム１の各部に送信するように構成されている。
【0050】
コントローラＣｔｒのハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成されていてもよい。コントローラＣｔｒは、図６に例示されるように、ハードウェア上の構成として回路Ｃ１を含んでいてもよい。回路Ｃ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｃ１は、例えば、プロセッサＣ２と、メモリＣ３と、ストレージＣ４と、ドライバＣ５と、入出力ポートＣ６とを含んでいてもよい。
【0051】
プロセッサＣ２は、メモリＣ３及びストレージＣ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＣ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを実現するように構成されていてもよい。メモリＣ３及びストレージＣ４は、記憶部Ｍ２として機能してもよい。ドライバＣ５は、基板処理システム１の各部をそれぞれ駆動するように構成された回路であってもよい。入出力ポートＣ６は、ドライバＣ５と基板処理システム１の各部との間で、信号の入出力を仲介するように構成されていてもよい。
【0052】
基板処理システム１は、一つのコントローラＣｔｒを備えていてもよいし、複数のコントローラＣｔｒで構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラＣｔｒによって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラＣｔｒの組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒが複数のコンピュータ（回路Ｃ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｃ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｃ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒは、複数のプロセッサＣ２を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＣ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＣ２の組み合わせによって実現されていてもよい。
【0053】
［モデルの生成方法］
続いて、図７及び図８を参照して、液膜モデルＤ１の生成方法について説明する。まず、テスト基板を液処理ユニットＵ１に搬送する（図７のステップＳ１参照）。次に、テスト基板を計量部Ｕ１１に載置し、テスト基板の重量を測定する（図７のステップＳ２参照）。測定された重量のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。
続いて、図７及び図８を参照して、液膜モデルＤ１の生成方法について説明する。まず、テスト基板を液処理ユニットＵ１に搬送する（図７のステップＳ１参照）。次に、テスト基板を計量部Ｕ１１に載置し、テスト基板の重量を測定する（図７のステップＳ２参照）。測定された重量のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。
【0054】
次に、テスト基板を液処理部Ｕ１２の回転保持部１０に保持させる。次に、コントローラＣｔｒが回転保持部１０を制御して、テスト基板の裏面を保持部１３で吸着保持しつつ回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒが洗浄液供給部２０を制御して、ノズル２４からテスト基板の表面に洗浄液Ｌ１を供給させる（図７のステップＳ３参照）。
【0055】
テスト基板の表面に供給された洗浄液Ｌ１は、テスト基板の回転によって、テスト基板の中央部から外周縁に向けて表面全体を流れた後、外周縁から外方に振り切られる。そのため、ノズル２４からの洗浄液Ｌ１の供給が継続されている間、テスト基板の表面に洗浄液Ｌ１の液膜が形成される。これにより、テスト基板が洗浄液Ｌ１によって洗浄される。
【0056】
次に、コントローラＣｔｒが回転保持部１０を制御して、テスト基板の裏面を保持部１３で吸着保持しつつ回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒがリンス液供給部３０を制御して、ノズル３４からテスト基板の表面にリンス液Ｌ２を供給させる（図７のステップＳ４参照）。
【0057】
テスト基板の表面に供給されたリンス液Ｌ２は、テスト基板の回転によって、テスト基板の中央部から外周縁に向けて洗浄液Ｌ１と置き換わりながら表面全体を流れた後、テスト基板の外周縁から外方に振り切られる。そのため、テスト基板の表面から洗浄液Ｌ１が排出されると共に、ノズル３４からのリンス液Ｌ２の供給が継続されている間、テスト基板の表面にリンス液Ｌ２の液膜が形成される。
【0058】
次に、テスト基板の表面に供給される処理液Ｌ３の温度を測定部Ｕ１３によって測定する（図７のステップＳ５参照）。測定された温度のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。
【0059】
次に、コントローラＣｔｒが回転保持部１０を制御して、テスト基板の裏面を保持部１３で吸着保持しつつ回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒが処理液供給部４０を制御して、ノズル４４からテスト基板の表面に処理液Ｌ３を供給させる（図７のステップＳ６参照）。
【0060】
テスト基板の表面に供給された処理液Ｌ３は、テスト基板の回転によって、テスト基板の中央部から外周縁に向けてリンス液Ｌ２と置き換わりながら表面全体を流れた後、テスト基板の外周縁から外方に振り切られる（図８の処理期間Ｔ１を参照）。テスト基板の表面のリンス液Ｌ２が処理液Ｌ３に置き換わったタイミングで、コントローラＣｔｒが処理液供給部４０を制御して、処理液Ｌ３の供給を徐々に停止させる（図８の処理期間Ｔ２を参照）。その後、コントローラＣｔｒが回転保持部１０を制御して、テスト基板の回転数を上昇させ（図８の処理期間Ｔ３を参照）、所定時間が経過したらテスト基板の回転を停止させる。これにより、テスト基板上の処理液Ｌ３の余剰部分がテスト基板から振り切られ、テスト基板の表面上に所定の液量の液膜Ｒが形成される。
【0061】
処理期間Ｔ３において、基板の回転数は、例えば、１０ｒｐｍ～３００ｒｐｍ程度に設定されていてもよい。処理期間Ｔ３において、基板の回転加速度は、例えば、２００ｒ．ｐ．ｓ２～１５００ｒ．ｐ．ｓ２程度に設定されていてもよい。処理期間Ｔ３において、基板の回転時間は、例えば、０．１ｓｅｃ～５ｓｅｃ程度に設定されていてもよい。
【0062】
次に、表面に液膜Ｒが形成されたテスト基板を計量部Ｕ１１に載置し、テスト基板及び液膜Ｒの重量を測定する（図７のステップＳ７参照）。測定された重量のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。コントローラＣｔｒは、ステップＳ７において測定された重量のデータから、ステップＳ２において測定された重量のデータを減算することにより、液膜Ｒの重量を算出する。さらに、コントローラＣｔｒは、当該重量を処理液Ｌ３の密度で除算することにより、液膜Ｒの液量、すなわち、液膜Ｒの体積を算出する（図７のステップＳ８参照）。こうして、ステップＳ５で計測された処理液Ｌ３の温度と、テスト基板の表面に形成された液膜Ｒの液量とが対応付けられて、コントローラＣｔｒに記憶される。
【0063】
そして、処理期間Ｔ３におけるテスト基板の回転数、回転加速度及び回転時間（以下、これらのパラメータをまとめて「処理条件」ということがある。）を変えずに、処理液Ｌ３の温度を変えつつ、複数のテスト基板の表面に液膜Ｒを形成し、液膜Ｒの液量を取得する処理を繰り返す。これにより、処理液Ｌ３の温度と液膜Ｒの液量との対応関係を示す複数のデータが得られる（図９（ａ）参照）。これらの複数のデータに基づいて、例えば最小二乗法などによって近似直線を算出することで、処理液Ｌ３の温度と、液膜Ｒの液量とが対応付けられた液膜モデルＤ１が得られる（図７のステップＳ９参照）。なお、液膜モデルＤ１を得るにあたり、処理液Ｌ３の種類や、処理期間Ｔ３における処理条件が、複数のテスト基板の間で同じに設定されていればよい。
【0064】
続いて、処理条件モデルＤ２の生成方法について説明する。処理条件モデルＤ２の生成方法は、液膜モデルＤ１の生成方法とほぼ同じである。ただし、処理期間Ｔ３におけるテスト基板の回転加速度及び回転時間と処理液Ｌ３の温度とを変えずに、処理期間Ｔ３におけるテスト基板の回転速度を変えつつ、複数のテスト基板の表面に液膜Ｒを形成し、液膜Ｒの液量を取得する処理を繰り返す点が異なる。そのため、処理期間Ｔ３における基板の回転速度と液膜Ｒの液量との対応関係を示す複数のデータが得られる（図９（ｂ）参照）。これらの複数のデータに基づいて、例えば最小二乗法などによって近似直線を算出することで、処理期間Ｔ３における基板の回転数と、液膜Ｒの液量とが対応付けられた処理条件モデルＤ２が得られる。なお、処理期間Ｔ３における基板の回転数に代えて、処理期間Ｔ３における基板の回転加速度と、液膜Ｒの液量とが対応付けられた処理条件モデルＤ２を生成してもよい。また、処理期間Ｔ３における基板の回転数に代えて、処理期間Ｔ３における基板の回転時間と、液膜Ｒの液量とが対応付けられた処理条件モデルＤ２を生成してもよい。あるいは、処理期間Ｔ３における、基板の回転数、回転加速度及び回転時間の少なくとも一つと、液膜Ｒの液量とが対応付けられた処理条件モデルＤ２を生成してもよい。
【0065】
［基板処理方法］
続いて、図１０を参照して、基板Ｗの処理方法について説明する。まず、コントローラＣｔｒが搬送アームＡ１，Ａ２を制御して、基板Ｗをキャリア７から液処理ユニットＵ１に搬送する（図１０のステップＳ１１参照）。次に、基板Ｗを計量部Ｕ１１に載置し、基板Ｗの重量を測定する（図１０のステップＳ１２参照）。測定された重量のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。
続いて、図１０を参照して、基板Ｗの処理方法について説明する。まず、コントローラＣｔｒが搬送アームＡ１，Ａ２を制御して、基板Ｗをキャリア７から液処理ユニットＵ１に搬送する（図１０のステップＳ１１参照）。次に、基板Ｗを計量部Ｕ１１に載置し、基板Ｗの重量を測定する（図１０のステップＳ１２参照）。測定された重量のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。
【0066】
次に、基板Ｗを液処理部Ｕ１２の回転保持部１０に保持させる。次に、コントローラＣｔｒが回転保持部１０を制御して、基板Ｗの裏面を保持部１３で吸着保持しつつ回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒが洗浄液供給部２０を制御して、ノズル２４から基板Ｗの表面Ｗａに洗浄液Ｌ１を供給させる（図１０のステップＳ１３参照）。
【0067】
基板Ｗの表面Ｗａに供給された洗浄液Ｌ１は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から外周縁に向けて表面Ｗａの全体を流れた後、外周縁から外方に振り切られる。そのため、ノズル２４からの洗浄液Ｌ１の供給が継続されている間、基板Ｗの表面Ｗａに洗浄液Ｌ１の液膜が形成される。これにより、基板Ｗが洗浄液Ｌ１によって洗浄される。
【0068】
次に、コントローラＣｔｒが回転保持部１０を制御して、基板Ｗの裏面を保持部１３で吸着保持しつつ回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒがリンス液供給部３０を制御して、ノズル３４から基板Ｗの表面Ｗａにリンス液Ｌ２を供給させる（図１０のステップＳ１４参照）。
【0069】
基板Ｗの表面Ｗａに供給されたリンス液Ｌ２は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から外周縁に向けて洗浄液Ｌ１と置き換わりながら表面Ｗａの全体を流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる。そのため、基板Ｗの表面Ｗａから洗浄液Ｌ１が排出されると共に、ノズル３４からのリンス液Ｌ２の供給が継続されている間、基板Ｗの表面Ｗａにリンス液Ｌ２の液膜が形成される。
【0070】
次に、テスト基板の表面に供給される処理液Ｌ３の温度を測定部Ｕ１３によって測定する（図１０のステップＳ１５参照）。測定された温度のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。コントローラＣｔｒは、受信した温度のデータと、記憶部Ｍ２に記憶されている液膜モデルＤ１とに基づいて、当該温度に対応する液膜Ｒの予測液量を算出する。また、コントローラＣｔｒは、算出した予測液量と、記憶部Ｍ２に記憶されている処理条件モデルＤ２とに基づいて、予測液量が得られる処理条件（例えば、処理期間Ｔ３における基板の回転数）を算出する（図１０のステップＳ１６参照）。
【0071】
次に、コントローラＣｔｒが回転保持部１０を制御して、基板Ｗの裏面を保持部１３で吸着保持しつつ回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒが処理液供給部４０を制御して、ノズル４４から基板Ｗの表面Ｗａに処理液Ｌ３を供給させる（図１０のステップＳ１７参照）。
【0072】
基板Ｗの表面Ｗａに供給された処理液Ｌ３は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から外周縁に向けてリンス液Ｌ２と置き換わりながら表面全体を流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる（図８の処理期間Ｔ１を参照）。基板Ｗの表面Ｗａのリンス液Ｌ２が処理液Ｌ３に置き換わったタイミングで、コントローラＣｔｒが処理液供給部４０を制御して、処理液Ｌ３の供給を徐々に停止させる（図８の処理期間Ｔ２を参照）。その後、コントローラＣｔｒが回転保持部１０を制御して、ステップＳ１６で算出された処理条件に基づいて、基板Ｗの回転数を上昇させ（図８の処理期間Ｔ３を参照）、所定時間が経過したら基板Ｗの回転を停止させる。これにより、基板Ｗの表面Ｗａ上に所定の液量の液膜Ｒが形成される。
【0073】
次に、表面に液膜Ｒが形成された基板Ｗを計量部Ｕ１１に載置し、基板Ｗ及び液膜Ｒの重量を測定する（図１０のステップＳ１８参照）。測定された重量のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。次に、コントローラＣｔｒは、ステップＳ１８において測定された重量のデータから、ステップＳ１２において測定された重量のデータを減算することにより、液膜Ｒの重量を算出する。さらに、コントローラＣｔｒは、当該重量を処理液Ｌ３の密度で除算することにより、液膜Ｒの液量を算出する（図１０のステップＳ１８参照）。
【0074】
ステップＳ１８で算出された液膜Ｒの液量（以下、実測液量１という。）は、ステップＳ１６で算出された予測液量と略等しくなっているはずである。しかしながら、液処理ユニットＵ１の不具合などの種々の要因の影響により、実測液量１が予測液量から離れた値となることがある。そこで、コントローラＣｔｒは、実測液量１が所定の目標範囲Ｈ１内にあるかどうかを判断する（図１０のステップＳ１９参照）。目標範囲Ｈ１は、例えば、予測液量を基準として、予測液量の±５％以下の範囲に設定されていてもよい。
【0075】
ステップＳ１９においてＮＯであるとコントローラＣｔｒが判断した場合には、基板Ｗが乾燥処理されておらず再利用できることから、ステップＳ２０に進んで処理条件の補正を経て、同じ基板Ｗに対して再びステップＳ１１以下の処理を実行する。ステップＳ１９において実測液量１が目標範囲Ｈ１よりも大きいと判断された場合には、ステップＳ２０において、例えば、処理期間Ｔ３における基板の回転数が大きくなるように補正してもよいし、処理期間Ｔ３における基板の回転加速度が大きくなるように補正してもよいし、処理期間Ｔ３における基板の回転時間が長くなるように補正してもよい。一方、ステップＳ１９において実測液量１が目標範囲Ｈ１よりも小さいと判断された場合には、ステップＳ２０において、例えば、処理期間Ｔ３における基板の回転数が小さくなるように補正してもよいし、処理期間Ｔ３における基板の回転加速度が小さくなるように補正してもよいし、処理期間Ｔ３における基板の回転時間が短くなるように補正してもよい。なお、ステップＳ１９において、実測液量１が目標範囲Ｈ１よりも大幅に大きいと判断された場合や、目標範囲Ｈ１よりも大幅に小さいと判断された場合には、想定外の不具合が発生していると推定して、基板Ｗの処理を停止してもよい。
【0076】
ステップＳ１９においてＹＥＳであるとコントローラＣｔｒが判断した場合には、コントローラＣｔｒが搬送アームＡ２を制御して、基板Ｗを液処理ユニットＵ１から乾燥処理ユニットＵ２に搬送する（図１０のステップＳ２１参照）。次に、基板Ｗを計量部Ｕ２１に載置し、基板Ｗの重量を測定する（図１０のステップＳ２２参照）。測定された重量のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。次に、コントローラＣｔｒは、ステップＳ２２において測定された重量のデータから、ステップＳ１２において測定された重量のデータを減算することにより、液膜Ｒの重量を算出する。さらに、コントローラＣｔｒは、当該重量を処理液Ｌ３の密度で除算することにより、液膜Ｒの液量を算出する（図１０のステップＳ２２参照）。
【0077】
ステップＳ２２で算出された液膜Ｒの液量（以下、実測液量２という。）は、実測液量１や、ステップＳ１６で算出された予測液量と略等しくなっているはずである。しかしながら、基板Ｗが乾燥処理ユニットＵ２に搬送される過程で基板Ｗから液がこぼれるなどの種々の要因の影響により、実測液量２が予測液量から離れた値となることがある。そこで、コントローラＣｔｒは、実測液量２が所定の目標範囲Ｈ２内にあるかどうかを判断する（図１０のステップＳ２３参照）。目標範囲Ｈ２は、例えば、予測液量を基準として、予測液量の±５％以下の範囲に設定されていてもよい。目標範囲Ｈ２は、目標範囲Ｈ１と同じであってもよい。
【0078】
ステップＳ２３においてＮＯであるとコントローラＣｔｒが判断した場合には、処理液Ｌ３のこぼれが発生した懸念があることから、ステップＳ２４に進んで基板Ｗの処理を停止する。当該基板Ｗは、再度処理することができないため、廃棄される。
【0079】
ステップＳ２３においてＹＥＳであるとコントローラＣｔｒが判断した場合には、保持板５２に基板Ｗを保持させ、基板Ｗを保持板５２と共に乾燥処理部Ｕ２２の本体５１内に挿入する。乾燥処理部Ｕ２２において基板Ｗに高圧状態（例えば１６ＭＰａ程度）の超臨界流体が供給されると、基板Ｗ上に形成されているパターンの間に満たされている液膜Ｒは、当該超臨界流体と接触することで徐々に超臨界流体に溶解し、徐々に超臨界流体と置き換わる。そして、最終的には、当該パターンの間が超臨界流体のみで満たされる。
【0080】
超臨界流体との置換により当該パターンの間から液膜Ｒが除去された後に、本体５１内の圧力が高圧状態から大気圧まで減圧されると、超臨界流体が気体状態に変化し、当該パターンの間が気体のみで占められる。このようにして、基板Ｗの表面Ｗａから液膜Ｒが除去され、基板Ｗの乾燥処理が完了する（図１０のステップＳ２５参照）。
【0081】
次に、基板Ｗを計量部Ｕ２１に載置し、基板Ｗの重量を測定する（図１０のステップＳ２６参照）。測定された重量のデータは、コントローラＣｔｒに送信される。次に、コントローラＣｔｒは、ステップＳ２２において測定された重量のデータから、ステップＳ２６において測定された重量のデータを減算することにより、液膜Ｒの重量を算出する。さらに、コントローラＣｔｒは、当該重量を処理液Ｌ３の密度で除算することにより、液膜Ｒの液量を算出する（図１０のステップＳ２６参照）。
【0082】
ステップＳ２６で算出された液膜Ｒの液量（以下、実測液量３という。）は、実測液量１，２や、ステップＳ１６で算出された予測液量と略等しくなっているはずである。しかしながら、乾燥処理ユニットＵ２の不具合などの種々の要因の影響により、実測液量３が予測液量から離れた値となることがある。そこで、コントローラＣｔｒは、実測液量３が所定の目標範囲Ｈ３内にあるかどうかを判断する（図１０のステップＳ２７参照）。目標範囲Ｈ３は、例えば、予測液量を基準として、予測液量の±５％以下の範囲に設定されていてもよい。目標範囲Ｈ３は、目標範囲Ｈ１と同じであってもよい。
【0083】
ステップＳ２７においてＮＯであるとコントローラＣｔｒが判断した場合には、液膜Ｒの乾燥が正常に行われていない懸念があることから、ステップＳ２４に進んで基板Ｗの処理を停止する。当該基板Ｗは、再度処理することができないため、廃棄される。
【0084】
ステップＳ２７においてＹＥＳであるとコントローラＣｔｒが判断した場合には、コントローラＣｔｒは、実測液量３が所定の目標範囲Ｈ４内にあるかどうかを判断する（図１０のステップＳ２８参照）。目標範囲Ｈ４は、目標範囲Ｈ３よりも狭い範囲であり、例えば、予測液量を基準として、予測液量の±３％以下の範囲に設定されていてもよい。
【0085】
ステップＳ２８においてＮＯであるとコントローラＣｔｒが判断した場合には、実測液量３が、目標範囲Ｈ３内であるので一応は適切な基板処理がなされているものの、基準値である予測液量からはやや離れている。そのため、ステップＳ２０に進んで処理条件の補正を経て、後続の基板Ｗに対してステップＳ１１以下の処理を実行する。
【0086】
ステップＳ２８においてＹＥＳであるとコントローラＣｔｒが判断した場合には、コントローラＣｔｒが搬送アームＡ１，Ａ２を制御して、基板Ｗをキャリア７に搬送する（図１０のステップＳ２９参照）。以上により、基板Ｗの処理が完了する。
【0087】
［作用］
以上の例によれば、基板Ｗに供給される処理液Ｌ３の温度と、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量との関係を表す液膜モデルＤ１を事前に準備しておき、実際の基板処理時において測定された処理液Ｌ３の温度と、液膜モデルＤ１とに基づいて算出される予測液量となるように、基板Ｗの処理条件を設定している。そのため、実際の基板処理時において基板Ｗに供給される処理液Ｌ３の温度に応じて、適切な液量の液膜Ｒが基板Ｗの表面Ｗａに形成される。したがって、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量を精度よく調節することが可能となる。
以上の例によれば、基板Ｗに供給される処理液Ｌ３の温度と、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量との関係を表す液膜モデルＤ１を事前に準備しておき、実際の基板処理時において測定された処理液Ｌ３の温度と、液膜モデルＤ１とに基づいて算出される予測液量となるように、基板Ｗの処理条件を設定している。そのため、実際の基板処理時において基板Ｗに供給される処理液Ｌ３の温度に応じて、適切な液量の液膜Ｒが基板Ｗの表面Ｗａに形成される。したがって、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量を精度よく調節することが可能となる。
【0088】
以上の例によれば、基板Ｗを回転させて基板Ｗ上の処理液Ｌ３の余剰部分を基板Ｗから振り切ることにより、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量を調節している。そのため、基板Ｗを回転させるという極めて簡易な手法で、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量を調節することが可能となる。
【0089】
以上の例によれば、処理期間Ｔ３における処理条件と、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量との関係を表す処理条件モデルＤ２と事前に準備しておき、処理条件モデルＤ２と、ステップＳ１６において算出された予測液量とに基づいて、処理条件を設定している。そのため、予測液量となるような液膜Ｒが得られるまで基板Ｗに何度も液膜Ｒを形成するといった試行錯誤を経ることなく、素早く基板Ｗが処理される。したがって、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量を精度よく調節しつつ、基板Ｗを迅速に処理することが可能となる。
【0090】
以上の例によれば、処理条件は、処理期間Ｔ３における基板Ｗの回転数、基板Ｗの回転加速度及び基板Ｗの回転時間のうちの少なくとも一つでありうる。これらは、基板Ｗの回転を制御する際に特に用いられる指標であるので、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量をより簡易に調節することが可能となる。
【0091】
以上の例によれば、基板Ｗに対して、洗浄液Ｌ１、リンス液Ｌ２及び処理液Ｌ３が順次供給される。この場合、洗浄液Ｌ１及びリンス液Ｌ２によって洗浄された基板Ｗに対して、処理液Ｌ３の供給及び乾燥処理がさらに実行される。そのため、洗浄後の基板Ｗの清浄度を維持することが可能となる。
【0092】
以上の例によれば、測定部Ｕ１３が、先端部４５ｂを流れる処理液Ｌ３の温度を測定するように構成されている。すなわち、基板Ｗに吐出される直前又は少し前の処理液Ｌ３の温度が測定部Ｕ１３によって測定される。そのため、基板Ｗに供給される処理液Ｌ３の温度がより精度よく取得される。したがって、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの予測液量をより正確に把握することが可能となる。特に、以上の例によれば、洗浄液Ｌ１が流れる配管２５の近傍に中間部４５ａが位置しており、洗浄液Ｌ１によって温められた後に先端部４５ｂを流れる処理液Ｌ３の温度が、測定部Ｕ１３によって測定されている。そのため、基板Ｗに吐出される前で且つ外部からの熱の影響を受けた後の処理液Ｌ３の温度が測定される。したがって、先端部４５ｂよりも上流側を流れる処理液Ｌ３の温度が測定される場合と比較して、基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの予測液量をいっそう正確に把握することが可能となる。
【0093】
以上の例によれば、基板Ｗが超臨界処理によって乾燥されうる。そのため、基板Ｗにパターンが形成されている場合に、乾燥処理においてパターンが倒れることを抑制することができる。
【0094】
以上の例によれば、実測液量１と目標範囲Ｈ１との比較に基づいて、処理条件を補正しうる。同様に、実測液量３と目標範囲Ｈ４との比較に基づいて、処理条件を補正しうる。この場合、基板Ｗの表面に実際に形成された液膜Ｒの液量が基準となる予測液量から乖離していた度合いに応じて、処理条件が補正される。そのため、後続の基板Ｗの表面Ｗａに形成される液膜Ｒの液量をより精度よく調節することが可能となる。
【0095】
以上の例によれば、実測液量１～３と目標範囲Ｈ１～Ｈ３との比較に基づいて、基板Ｗの処理を停止しうる。この場合、液膜Ｒの形成後の基板Ｗや乾燥処理後の基板Ｗに不具合が生じている懸念があるので、当該基板Ｗの処理を停止することで、当該基板Ｗを後続の処理から除外しうる。そのため、基板処理の生産性を高めることが可能となる。
【0096】
［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。
【0097】
（１）ステップＳ２４において基板Ｗの処理を停止する際に、アラーム等を用いた警告を作業者に通知してもよい。
【0098】
（２）測定部Ｕ１３によって測定した処理液Ｌ３の温度に応じて、処理液Ｌ３の吐出流量を変化させてもよい。
【0099】
（３）乾燥処理ユニットＵ２内の環境温度と、基板の表面に形成された液膜Ｒの液量とが対応付けられた液膜モデルＤ１を生成してもよい。
【0100】
［他の例］
例１．基板処理装置の一例は、基板を回転させつつ処理液を供給して、基板の表面に液膜を形成するように構成された液処理部と、基板に供給される処理液の温度を測定するように構成された測定部と、液膜が形成された基板を乾燥させるように構成された乾燥処理部と、制御部とを備える。制御部は、基板に供給される処理液の温度と、基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルと、測定部によって測定された温度とに基づいて、基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第１の処理と、第１の処理で算出された予測液量となるような処理条件を設定する第２の処理と、第２の処理で設定された処理条件に基づいて、液処理部において基板の表面に液膜を形成する第３の処理とを実行するように構成されている。
例１．基板処理装置の一例は、基板を回転させつつ処理液を供給して、基板の表面に液膜を形成するように構成された液処理部と、基板に供給される処理液の温度を測定するように構成された測定部と、液膜が形成された基板を乾燥させるように構成された乾燥処理部と、制御部とを備える。制御部は、基板に供給される処理液の温度と、基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルと、測定部によって測定された温度とに基づいて、基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第１の処理と、第１の処理で算出された予測液量となるような処理条件を設定する第２の処理と、第２の処理で設定された処理条件に基づいて、液処理部において基板の表面に液膜を形成する第３の処理とを実行するように構成されている。
【0101】
ところで、基板の表面に形成される液膜は、基板が乾燥処理部に搬送されて乾燥処理されるまでに基板の表面が乾燥してしまい、当該表面にパーティクルが発生するのを防止する役割を有している。しかしながら、基板の表面における液膜の液量が少なすぎると、基板にパターンが形成されている場合に、乾燥処理でパターンが倒れてしまう場合がある。一方、基板の表面における液膜の液量が多すぎると、乾燥処理後に基板にパーティクルが発生してしまう場合がある。そこで、本発明者らが鋭意検討したところ、基板に供給される処理液の温度が変化すると、基板の表面に形成される液膜の体積が膨張又は収縮して液膜の液量にばらつきが生じ、その後の基板の乾燥処理に影響を及ぼしうるとの新たな知見を得て、本発明を完成するに至った。すなわち、例１によれば、基板に供給される処理液の温度と、基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルを事前に準備しておき、実際の基板処理時において測定された処理液の温度と、当該液膜モデルとに基づいて算出される予測液量となるように、基板の処理条件を設定している。そのため、実際の基板処理時において基板に供給される処理液の温度に応じて、適切な液量の液膜が基板の表面に形成される。したがって、基板の表面に形成される液膜の液量を精度よく調節することが可能となる。
【0102】
例２．例１の装置において、第３の処理は、基板を回転させつつ処理液を供給して、基板の表面に処理液を拡げることと、基板の表面に形成される液膜の液量が予測液量となるように、基板の表面に供給された処理液のうちの余剰部分を、基板を回転させることにより基板から振り切ることとを含んでいてもよい。この場合、基板を回転させるという極めて簡易な手法で、基板の表面に形成される液膜の液量を調節することが可能となる。
【0103】
例３．例２の装置において、第２の処理は、余剰部分を基板から振り切る際の処理条件と、基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す処理条件モデルと、第１の処理で算出された予測液量とに基づいて、処理条件を設定することを含んでいてもよい。この場合、処理条件モデルを事前に準備しておくことにより、予測液量となる処理条件が直ちに算出される。そのため、予測液量となるような液膜が得られるまで基板に何度も液膜を形成するといった試行錯誤を経ることなく、素早く基板が処理される。したがって、基板の表面に形成される液膜の液量を精度よく調節しつつ、基板を迅速に処理することが可能となる。
【0104】
例４．例２又は３の装置において、処理条件は、余剰部分を基板から振り切る際における、基板の回転数、基板の回転加速度及び基板の回転時間のうちの少なくとも一つであってもよい。これらは、基板の回転を制御する際に特に用いられる指標であるので、基板の表面に形成される液膜の液量をより簡易に調節することが可能となる。
【0105】
例５．例１～例４のいずれかの装置において、制御部は、第３の処理の前に、基板を回転させつつ洗浄液及びリンス液を順次供給して基板の表面を洗浄する第４の処理をさらに実行するように構成されていてもよい。この場合、洗浄液及びリンス液によって洗浄された基板に対して、処理液の供給及び乾燥処理がさらに実行される。そのため、洗浄後の基板の清浄度を維持することが可能となる。
【0106】
例６．例５の装置において、液処理部は、処理液が流通するように構成された供給ラインを含み、供給ラインは、処理液が吐出される吐出ノズルと接続された先端部を含み、測定部は、先端部を流れる処理液の温度を測定するように構成されていてもよい。この場合、基板に吐出される直前又は少し前の処理液の温度が測定部によって測定される。そのため、基板に供給される処理液の温度がより精度よく取得される。したがって、基板の表面に形成される液膜の予測液量をより正確に把握することが可能となる。
【0107】
例７．例１～例６のいずれかの装置において、基板に供給される処理液はイソプロピルアルコールであってもよい。
【0108】
例８．例１～例７のいずれかの装置において、乾燥処理部は、液膜が形成された基板を超臨界処理によって乾燥させるように構成されていてもよい。この場合、超臨界流体は、処理液と比べて粘度が小さく、処理液を溶解する能力も高い。また、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間に界面が存在しない。そのため、超臨界処理（超臨界流体を用いた乾燥処理）では、表面張力の影響を受けることなく処理液を乾燥させることができる。したがって、基板にパターンが形成されている場合に、乾燥処理においてパターンが倒れることを抑制することができる。
【0109】
例９．例１～例８のいずれかの装置は、重さを測定するように構成された計量部をさらに備え、制御部は、第３の処理の後に、第３の処理において表面に液膜が形成されている状態の基板の重さを計量部によって測定する第５の処理と、第５の処理で測定された重さに基づいて基板の表面に形成された液膜の液量を算出する第６の処理と、第６の処理で算出された液量と所定の基準値との差分に基づいて、後続の基板の処理に際して設定される処理条件を補正する第７の処理とをさらに実行するように構成されていてもよい。この場合、基板の表面に実際に形成された液膜の液量が基準値から乖離していた度合いに応じて、処理条件が補正される。そのため、後続の基板の表面に形成される液膜の液量をより精度よく調節することが可能となる。
【0110】
例１０．例９の装置において、制御部は、第６の処理で算出された液量が所定の目標範囲外であった場合、第７の処理を実行することなく基板の処理を停止する第８の処理をさらに実行するように構成されていてもよい。この場合、乾燥処理後の基板に不具合が生ずる懸念があるので、当該基板の処理を停止することで、当該基板を後続の処理から除外しうる。そのため、基板処理の生産性を高めることが可能となる。
【0111】
例１１．基板処理方法の一例は、液処理部において基板に供給される処理液の温度と、基板に処理液が供給されることによって基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す液膜モデルを構築する第１の工程と、液処理部において基板に供給される前の処理液の温度を測定部によって測定する第２の工程と、液膜モデルと、測定部によって測定された温度とに基づいて、液処理部において基板の表面に形成される液膜の予測液量を算出する第３の工程と、第３の工程で算出された予測液量となるような処理条件を設定する第４の工程と、第４の工程で設定された処理条件に基づいて、液処理部において基板を回転させつつ処理液を供給して、基板の表面に液膜を形成する第５の工程と、第５の工程の後に、液膜が形成された基板を乾燥処理部において乾燥させる第６の工程とを含む。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。
【0112】
例１２．例１１の方法において、第５の工程は、基板を回転させつつ処理液を供給して、基板の表面に処理液を拡げることと、基板の表面に形成される液膜の液量が予測液量となるように、基板の表面に供給された処理液のうちの余剰部分を、基板を回転させることにより基板から振り切ることとを含んでいてもよい。この場合、例２の装置と同様の作用効果が得られる。
【0113】
例１３．例１２の方法において、第４の工程は、余剰部分を基板から振り切る際の処理パラメータと、基板の表面に形成される液膜の液量との関係を表す処理条件モデルと、第３の工程で算出された予測液量とに基づいて、処理条件を設定することを含んでいてもよい。この場合、例３の装置と同様の作用効果が得られる。
【0114】
例１４．例１２又は例１３の方法において、処理条件は、余剰部分を基板から振り切る際における、基板の回転数、基板の回転加速度及び基板の回転時間のうちの少なくとも一つであってもよい。この場合、例４の装置と同様の作用効果が得られる。
【0115】
例１５．例１１～例１４のいずれかの方法は、第５の工程の前に、基板を回転させつつ洗浄液及びリンス液を順次供給して基板の表面を洗浄する第７の工程をさらに含んでいてもよい。この場合、例５の装置と同様の作用効果が得られる。
【0116】
例１６．例１５の方法において、液処理部は、処理液が流通するように構成された供給ラインを含み、供給ラインは、処理液が吐出される吐出ノズルと接続された先端部を含み、測定部は、先端部を流れる処理液の温度を測定するように構成されていてもよい。この場合、例６の装置と同様の作用効果が得られる。
【0117】
例１７．例１１～例１６のいずれかの方法において、基板に供給される処理液はイソプロピルアルコールであってもよい。
【0118】
例１８．例１１～例１７のいずれかの方法において、乾燥処理部は、液膜が形成された基板を超臨界処理によって乾燥させるように構成されていてもよい。この場合、例８の装置と同様の作用効果が得られる。
【0119】
例１９．例１１～例１８のいずれかの方法は、第５の工程の後で且つ第６の工程の前に、第５の工程において表面に液膜が形成されている状態の基板の重さを計量部によって測定する第８の工程と、第８の工程で測定された重さに基づいて基板の表面に形成された液膜の液量を算出する第９の工程と、第９の工程で算出された液量と所定の基準値との差分に基づいて、後続の基板の処理に際して設定される処理条件を補正する第１０の工程とをさらに含んでいてもよい。この場合、例９の装置と同様の作用効果が得られる。
【0120】
例２０．例１９の方法は、第９の工程で算出された液量が所定の目標範囲外であった場合、第１０の工程を実行することなく基板の処理を停止する第１１の工程をさらに含んでいてもよい。この場合、例１０の装置と同様の作用効果が得られる。
【符号の説明】
【0121】
１…基板処理システム（基板処理装置）、２０…洗浄液供給部、４０…処理液供給部、４４…ノズル（吐出ノズル）、４５…配管（供給ライン）、４５ｂ…先端部、Ｃｔｒ…コントローラ（制御部）、Ｌ１…洗浄液、Ｌ２…リンス液、Ｌ３…処理液、Ｄ１…液膜モデル、Ｒ…液膜、Ｕ…基板処理ユニット（基板処理装置）、Ｕ１…液処理ユニット、Ｕ１１…計量部、Ｕ１２…液処理部、Ｕ１３…測定部、Ｕ２…乾燥処理ユニット、Ｕ２１…計量部、Ｕ２２…乾燥処理部、Ｗ…基板、Ｗａ…表面。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】