(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023137929
(43)【公開日】2023-09-29
(54)【発明の名称】亀裂検出装置
(51)【国際特許分類】
G01B 11/00 20060101AFI20230922BHJP
G01B 11/22 20060101ALI20230922BHJP
H01L 21/301 20060101ALI20230922BHJP
【ＦＩ】
G01B11/00 H
G01B11/22 H
H01L21/78 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022044376
(22)【出願日】2022-03-18
(71)【出願人】
【識別番号】000151494
【氏名又は名称】株式会社東京精密
(74)【代理人】
【識別番号】100083116
【弁理士】
【氏名又は名称】松浦 憲三
(74)【代理人】
【識別番号】100170069
【弁理士】
【氏名又は名称】大原 一樹
(74)【代理人】
【識別番号】100128635
【弁理士】
【氏名又は名称】松村 潔
(74)【代理人】
【識別番号】100140992
【弁理士】
【氏名又は名称】松浦 憲政
(72)【発明者】
【氏名】一廼穂 直聡
【テーマコード（参考）】
2F065
5F063
【Ｆターム（参考）】
2F065AA03
2F065AA04
2F065AA25
2F065CC19
2F065DD03
2F065DD06
2F065FF04
2F065FF44
2F065JJ19
2F065JJ26
2F065LL04
2F065MM06
2F065TT03
5F063AA37
5F063AA48
5F063DE14
5F063DE23
5F063DE34
(57)【要約】
【課題】 ワークの内部に形成された亀裂の３次元位置を非破壊かつ精度よく検出することができ、ワークの割断前にチップの加工状態の良否を正確に予測することが可能な亀裂検出装置を提供する。
【解決手段】 亀裂検出装置（１、１Ａ）は、ワークに第１の検出光を集光してワークからの第１の反射光を撮像することにより、ワークの内部に形成された亀裂の平面位置を検出する亀裂平面位置検出手段（２００）と、ワークの内部に第２の検出光を集光してワークからの第２の反射光を撮像することにより、亀裂の深さ位置を検出する亀裂深さ検出手段であって、ワークの加工進行方向に沿って亀裂平面位置検出手段と一体的に移動可能であり、加工進行方向に移動させた場合に、第２の検出光が集光される測定点が亀裂平面位置検出手段の視野内に収まるように配置された亀裂深さ検出手段（１００）とを備える。
【選択図】 図１
【解決手段】 亀裂検出装置（１、１Ａ）は、ワークに第１の検出光を集光してワークからの第１の反射光を撮像することにより、ワークの内部に形成された亀裂の平面位置を検出する亀裂平面位置検出手段（２００）と、ワークの内部に第２の検出光を集光してワークからの第２の反射光を撮像することにより、亀裂の深さ位置を検出する亀裂深さ検出手段であって、ワークの加工進行方向に沿って亀裂平面位置検出手段と一体的に移動可能であり、加工進行方向に移動させた場合に、第２の検出光が集光される測定点が亀裂平面位置検出手段の視野内に収まるように配置された亀裂深さ検出手段（１００）とを備える。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ワークに第１の検出光を集光して前記ワークからの第１の反射光を撮像することにより、前記ワークの内部に形成された亀裂の平面位置を検出する亀裂平面位置検出手段と、
前記ワークの内部に第２の検出光を集光して前記ワークからの第２の反射光を撮像することにより、前記亀裂の深さ位置を検出する亀裂深さ検出手段であって、前記ワークの加工進行方向に沿って前記亀裂平面位置検出手段と一体的に移動可能であり、前記加工進行方向に移動させた場合に、前記第２の検出光が集光される測定点が前記亀裂平面位置検出手段の視野内に収まるように配置された亀裂深さ検出手段と、
を備える亀裂検出装置。
前記ワークの内部に第２の検出光を集光して前記ワークからの第２の反射光を撮像することにより、前記亀裂の深さ位置を検出する亀裂深さ検出手段であって、前記ワークの加工進行方向に沿って前記亀裂平面位置検出手段と一体的に移動可能であり、前記加工進行方向に移動させた場合に、前記第２の検出光が集光される測定点が前記亀裂平面位置検出手段の視野内に収まるように配置された亀裂深さ検出手段と、
を備える亀裂検出装置。
【請求項2】
前記亀裂深さ検出手段は、前記加工進行方向に移動させた場合に、前記第２の検出光が集光される測定点が前記亀裂平面位置検出手段の視野の中心に対して、前記加工進行方向に沿って同軸上になるように配置される、請求項１に記載の亀裂検出装置。
【請求項3】
前記亀裂平面位置検出手段に含まれる光学素子と、前記亀裂深さ検出手段に含まれる光学素子の一部が共用である、請求項１又は２に記載の亀裂検出装置。
【請求項4】
前記第１の検出光を前記ワークに集光するための集光レンズと、前記第２の検出光を前記ワークの内部に集光するための集光レンズが共用である、請求項３に記載の亀裂検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は亀裂検出装置に係り、ワークの内部に形成された亀裂を検出する亀裂検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、シリコン等のウェーハの内部に集光点を合わせてレーザー光を切断予定ラインに沿って照射し、加工ラインに沿ってウェーハ内部に切断の起点となるレーザー加工領域を形成するレーザーダイシング装置が知られている。レーザー加工領域が形成されたウェーハは、その後、エキスパンドやブレーキングといった割断プロセスによって切断予定ラインで割断されて個々のチップに分断される。
【0003】
ところで、レーザーダイシング装置によりウェーハにレーザー加工領域を形成すると、そのレーザー加工領域からウェーハの厚さ方向に亀裂（クラック）が伸展する。
【0004】
レーザーダイシング装置によりレーザー加工領域を形成した後、割断プロセス前において、ウェーハを分断する際の起点となるレーザー加工領域が適正に形成されたか否か、すなわち、ウェーハの内部に形成された亀裂の亀裂Ｋの深さ位置を検出することによって、割断プロセスにおけるチップへの分断の良否を正確に予測することが可能となる。
【0005】
特許文献１には、ワークの内部に形成された亀裂を非破壊で検査する技術が提案されている。特許文献１に開示された技術では、亀裂の一方から光を入射させ、亀裂を含む領域を透過した光を検出し、亀裂の散乱による検出光量の低下を利用して亀裂の深さ位置の検査を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００８－２２２５１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
特許文献１に開示された技術では、切断予定ライン上に亀裂検査手段の検査位置を合わせて亀裂の深さ寸法の検査を行うことになっており、亀裂の深さ位置の測定と亀裂の平面方向の位置の測定（以下、ダイシングライン位置確認ともいう。）については開示されていない。そして、従来の亀裂検出装置では、ダイシングライン位置確認を行う場合、亀裂の深さ寸法の検査とは別個の工程として異なるタイミングで行う必要があった。このため、レーザー加工を行う際における測定時間が長くなり、加工スループットが低下するという問題がある。
【0008】
また、亀裂の深さ位置の測定だけではワークに配置されたストリート上のどの位置に亀裂が形成されているかわからず、ダイシングライン位置確認だけでは亀裂がワークの厚み方向のどこまで形成されたかがわからない。このように、従来の亀裂検出装置では、亀裂の深さ位置の測定と亀裂の平面方向の位置の測定とが別々に行う必要があるため、亀裂の３次元的な位置を効率よくかつ正確に測定することができなかった。そのため、ワークの割断前にチップの加工状態の良否を正確に予測することが困難であった。
【0009】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ワークの内部に形成された亀裂の３次元位置を非破壊かつ精度よく検出することができ、ワークの割断前にチップの加工状態の良否を正確に予測することが可能な亀裂検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を達成するため、本発明の第１の態様に係る亀裂検出装置は、ワークに第１の検出光を集光してワークからの第１の反射光を撮像することにより、ワークの内部に形成された亀裂の平面位置を検出する亀裂平面位置検出手段と、ワークの内部に第２の検出光を集光してワークからの第２の反射光を撮像することにより、亀裂の深さ位置を検出する亀裂深さ検出手段であって、ワークの加工進行方向に沿って亀裂平面位置検出手段と一体的に移動可能であり、加工進行方向に移動させた場合に、第２の検出光が集光される測定点が亀裂平面位置検出手段の視野内に収まるように配置された亀裂深さ検出手段とを備える。
【0011】
本発明の第２の態様に係る亀裂検出装置は、第１の態様において、亀裂深さ検出手段は、加工進行方向に移動させた場合に、第２の検出光が集光される測定点が亀裂平面位置検出手段の視野の中心に対して、加工進行方向に沿って同軸上になるように配置される。
【0012】
本発明の第３の態様に係る亀裂検出装置は、第１又は第２の態様において、亀裂平面位置検出手段に含まれる光学素子と、亀裂深さ検出手段に含まれる光学素子の一部が共用である。
【0013】
本発明の第４の態様に係る亀裂検出装置は、第３の態様において、第１の検出光をワークに集光するための集光レンズと、第２の検出光をワークの内部に集光するための集光レンズが共用である。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、亀裂の深さ位置の測定と亀裂の平面方向の位置の測定を略同時に（並行して）行うことができる。これにより、ワークの内部に形成された亀裂の３次元位置を非破壊かつ精度よく検出することができ、ワークの割断前にチップの加工状態の良否を正確に予測することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、添付図面に従って本発明に係る亀裂検出装置の実施の形態について説明する。
【0017】
［第１の実施形態］
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る亀裂検出装置を示すブロック図である。以下の説明では、ワークＷが載置されるステージＳＴ（ＸＹθ）をＸＹ平面と平行な平面とし、Ｚ方向をワークＷの深さ方向とする３次元直交座標系を用いる。
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る亀裂検出装置を示すブロック図である。以下の説明では、ワークＷが載置されるステージＳＴ（ＸＹθ）をＸＹ平面と平行な平面とし、Ｚ方向をワークＷの深さ方向とする３次元直交座標系を用いる。
【0018】
なお、亀裂検出装置１は、ワーク（例えば、シリコンウェーハ）Ｗの内部にレーザー加工領域を形成するレーザーダイシング装置（不図示）と組み合わせて使用されるが、以下の説明では、亀裂検出装置１に係る構成要素について説明し、レーザーダイシング装置の構成については説明を省略する。
【0019】
本実施形態に係る亀裂検出装置１は、ワークＷの内部に形成された亀裂Ｋの亀裂Ｋの深さ位置を検出する亀裂深さ検出装置１００と、亀裂ＫのＸＹ平面上における位置を検出する亀裂平面位置検出装置（以下、ダイシングライン位置確認用光学系という。）２００とを備える。ここで、亀裂深さ検出装置１００及び亀裂平面位置検出装置２００は、それぞれ亀裂深さ検出手段及び亀裂平面位置検出手段の一例である。
【0020】
亀裂深さ検出装置１００及びダイシングライン位置確認用光学系２００は、ＺステージＳＴ（Ｚ）に取り付けられており、Ｚ方向に一体的に移動可能となっている。
【0021】
制御装置１０は、亀裂検出装置１の各部の動作を制御するＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサ、制御プログラム及び各種のデータを格納するストレージデバイス（例えば、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）又はＳＳＤ（Solid State Drive））、及びＣＰＵの作業領域として使用可能なＲＡＭ（Random Access Memory）を含んでいる。制御装置１０としては、汎用のコンピュータ（例えば、パーソナルコンピュータ等）を用いることも可能である。
【0022】
制御装置１０は、操作者による操作入力を受け付けるための操作部（例えば、キーボード、並びにマウス及びタッチパネル等のポインティングデバイス）を含んでおり、操作入力に応じた制御信号を亀裂検出装置１の各部に送信して各部の動作を制御する。また、制御装置１０は、ＧＵＩ（Graphical User Interface）、画像及び各種の演算結果（例えば、亀裂の検出結果等）を表示するための表示部（例えば、液晶ディスプレイ）を含んでいる。
【0023】
亀裂測定制御部１２は、制御装置１０からの制御信号に従って、亀裂深さ検出装置１００及びダイシングライン位置確認用光学系２００を制御する。図２に示すように、亀裂測定制御部１２は、亀裂深さ検出装置１００による測定結果（受光データＤＡＴ１）を受信し、ダイシングライン位置確認用光学系２００による測定結果（観察結果ＤＡＴ２）を制御装置１０に送信する。
【0024】
ステージ制御部１４は、制御装置１０からの制御信号に従ってステージＳＴ（ＸＹθ）に移動指示を出力して、ステージＳＴ（ＸＹθ）に載置されたワークＷをＸＹ方向に移動させ、かつ、ＸＹ平面上でＺ軸周りに回転させることが可能となっている。また、ステージ制御部１４は、制御装置１０からの制御信号に従ってＺステージＳＴ（Ｚ）に移動指示を出力して、亀裂深さ検出装置１００及びダイシングライン位置確認用光学系２００をＺ方向に移動させることが可能となっている。ステージ制御部１４は、制御装置１０からの制御信号に従って、ステージＳＴ（ＸＹθ）及びＺステージＳＴ（Ｚ）を制御して、亀裂深さ検出装置１００及びダイシングライン位置確認用光学系２００とワークＷとの相対位置を調整する。
【0025】
図３は、亀裂深さ検出装置１００及び亀裂平面位置検出装置（ダイシングライン位置確認用光学系）２００の配置を説明するための平面図である。
【0026】
図３において、符号Ｃ１は、亀裂深さ検出装置１００の測定点の位置を示しており、符号Ｃ２は、ダイシングライン位置確認用光学系２００の観察位置（視野）Ｖ２の中心の位置を示している。
【0027】
また、図３の白抜き矢印は、レーザーダイシング装置によりレーザー加工領域を形成する方向（以下、加工進行方向という。）を示している。図３に示すように、亀裂Ｋは、加工進行方向に沿って形成される。図３に示す例では、加工進行方向をＸ方向としている。
【0028】
図３に示すように、亀裂Ｋの検出を行う際には、亀裂深さ検出装置１００の測定点Ｃ１と、ダイシングライン位置確認用光学系２００の視野中心Ｃ２が、加工進行方向に沿って同軸上になるように、亀裂深さ検出装置１００及びダイシングライン位置確認用光学系２００とワークＷとの相対位置を調整する。そして、亀裂Ｋの平面位置の測定（ダイシングライン位置確認）と深さ位置の測定とを同時に又は並行して実施する。これにより、亀裂Ｋの平面位置（ＸＹ方向の位置）と深さ方向（Ｚ方向）の位置を一緒に取得することができ、亀裂Ｋの形成状態を３次元の情報として測定することが可能となる。
【0029】
また、ダイシングライン位置確認では、加工進行方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）の亀裂Ｋの位置データを取得することができる。したがって、亀裂Ｋの深さ位置測定時のＹ軸方向の位置ずれを補正することができ、亀裂Ｋの深さ位置測定時のＹ方向の位置調整を容易に行うことができる。そのため、測定スループットも向上する。
【0030】
本実施形態によれば、亀裂ＫがワークＷの平面上の形成位置と深さ方向の位置（亀裂Ｋの進展位置）を取得することができるので、加工不良の判別及び加工条件の可否判断を行うことが可能となる。
【0031】
なお、図３に示す例では、亀裂深さ検出装置１００の測定点Ｃ１と、ダイシングライン位置確認用光学系２００の視野中心Ｃ２が、加工進行方向に沿って同軸上になるようにしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、亀裂深さ検出装置１００の測定点Ｃ１を加工進行方向に移動させた場合に、ダイシングライン位置確認用光学系２００の視野Ｖ２内に収まる範囲内であれば、亀裂深さ検出装置１００の測定点Ｃ１と、ダイシングライン位置確認用光学系２００の視野中心Ｃ２とを加工進行方向に直交する方向（Ｙ方向）にずらして配置することも可能である。
【0032】
また、図３に示す例では、ダイシングライン位置確認用光学系２００を亀裂深さ検出装置１００の加工進行方向に沿って前方側に配置して、亀裂Ｋの平面位置の測定を亀裂Ｋの深さ位置の測定に先行して実施しているが、本発明はこれに限定されない。ダイシングライン位置確認用光学系２００と亀裂深さ検出装置１００の加工進行方向に沿う並び順を図３の例とは逆にして、亀裂Ｋの深さ位置の測定を先行して実施することも可能である。
【0033】
以下、亀裂平面位置検出装置（ダイシングライン位置確認用光学系）２００及び亀裂深さ検出装置１００について説明する。
【0034】
（亀裂平面位置検出装置（ダイシングライン位置確認用光学系））
図４は、亀裂平面位置検出装置（ダイシングライン位置確認用光学系）２００を示すブロック図である。
図４は、亀裂平面位置検出装置（ダイシングライン位置確認用光学系）２００を示すブロック図である。
【0035】
図４に示すように、ダイシングライン位置確認用光学系２００は、光源２１０から出射された照明光（第１の検出光）Ｌ２１をワークＷに照射し、ワークＷからの反射光Ｌ２２をカメラ２１８により撮像することにより、亀裂ＫのＸＹ方向の位置を検出する。
【0036】
光源２１０は、観察光学系２１２のハーフミラー２１４に向けて照明光Ｌ２１を出射する。光源２１０としては、例えば、ワーク（シリコンウェーハ）Ｗの内部を透過可能な赤外線を出射する赤外線光源（例えば、赤外線レーザー光源、ＩＲ ＬＥＤ（Infrared Emitting Diode））を用いることが可能である。
【0037】
なお、ワークＷの表面（照明光Ｌ２１の入射側の面）まで亀裂Ｋが進展する加工条件で、かつ、観察方向がパターン側である場合には、光源２１０として赤外線光源以外の光源（例えば、可視光源）を使用することも可能である。
【0038】
また、光源２１０としては、亀裂Ｋの深さ位置の検出時における検出光Ｌ１（反射光Ｌ２）の反射率を評価するために、検出光Ｌ１（反射光Ｌ２）と同一（略同一を含む）の波長域の光を選択してもよい。
【0039】
照明光Ｌ２１は、ハーフミラー２１４により反射され、観察光学系２１２（例えば、リレーレンズを含む）を通って集光レンズ２１６によりワークＷの表面又は内部に集光される。そして、ワークＷにより反射された反射光（第１の反射光）Ｌ２２は、集光レンズ２１６、観察光学系２１２及びハーフミラー２１４を透過してカメラ２１８により撮像される。カメラ２１８により撮像されたワークＷの観察像（図２の観察結果ＤＡＴ２）は、亀裂測定制御部１２を介して制御装置１０に送信される。
【0040】
ここで、カメラ２１８としては、光源２１０から出射される照明光Ｌ２１に感応性が高いカメラが使用される。すなわち、光源２１０が赤外線光源の場合には、カメラ２１８として赤外線に対して感応性が高い赤外線カメラが使用される。
【0041】
図５は、ワークＷの観察像を示す平面図である。なお、図中の符号ＤＰは、半導体デバイスのデバイスパターンを示しており、符号ＳＲは、ワーク（シリコンウェーハ）Ｗ上の半導体デバイス間に形成されたストリート（切断予定ライン）を示している。
【0042】
図５に示すように、カメラ２１８により撮像された観察像から、亀裂ＫがストリートＳＲのどこに形成されているかを測定することができる。
【0043】
次に、ダイシングライン位置確認用光学系２００の制御系について説明する。図４に示すように、ダイシングライン位置確認用光学系２００は、光学系制御部２０２、エリア記憶部２０４、画像記録部２０６及び画像解析部２０８を含んでいる。
【0044】
光学系制御部２０２は、ＣＰＵ等のプロセッサ、制御プログラム及び各種のデータを格納するメモリ（例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory））、及びＣＰＵの作業領域として使用可能なＲＡＭを含んでいる。
【0045】
画像記録部２０６は、カメラ２１８により撮像された観察像を記録するためのメモリである。なお、画像記録部２０６は、観察像を一時的に記録するためのバッファメモリであってもよい。
【0046】
画像解析部２０８は、カメラ２１８により撮像された観察像から、亀裂ＫのＸＹ方向の位置を検出する。
【0047】
また、画像解析部２０８は、カメラ２１８により撮像された観察像から、亀裂Ｋの深さ位置の検出を実施する測定可能エリアの位置を検出してもよい。この場合、測定可能エリアとは、亀裂Ｋの深さ位置の検出に適したストリートＳＲ上の小領域をいう。亀裂Ｋの深さ位置の検出光Ｌ１（図６参照）に対する反射率が異なる領域が混在している領域に検出光Ｌ１を照射すると、これら複数の領域に跨ってワークＷの内部に検出光Ｌ１を集光させることになり、亀裂Ｋの深さ位置の検出精度が低下してしまう。測定可能エリアは、亀裂Ｋの深さ位置の検出光Ｌ１（図６参照）に対する反射率が異なる領域が混在している領域を避けて決定される。
【0048】
具体的には、測定可能エリアとは、観察像（視野Ｖ２）内の小領域ごとの反射率の分布に基づき、ストリートＳＲの幅方向（Ｙ方向）に沿った反射率の変化及びその勾配が小さくなる小領域、すなわち、反射率の分布が略フラットになる小領域を測定可能エリアとして決定する。例えば、画像解析部２０８は、各小領域の中でストリートＳＲの幅方向に沿った反射率の変化（幅方向の両端部は除く）が所定の基準値（例えば１０％）以下となる１又は複数の小領域を測定可能エリアとして決定する。または、画像解析部２０８は、各小領域の中でストリートＳＲの幅方向に沿った反射率の変化が最も小さくなる小領域を測定可能エリアとして決定する。
【0049】
このようにして決定されたワークＷの測定可能エリアの位置は、エリア記憶部２０４に記憶され、亀裂Ｋの深さ位置の検出に使用される。
【0050】
（亀裂深さ検出装置）
次に、亀裂深さ検出装置１００について、図６を参照して説明する。
次に、亀裂深さ検出装置１００について、図６を参照して説明する。
【0051】
図６に示すように、本実施形態に係る亀裂深さ検出装置１００は、光源部１２０、照明光学系１４０、界面検出用光学系１６０、亀裂検出用光学系１８０、検出信号処理部１０２、アライメント機構１０４及び集光レンズ１０６を含んでいる。
【0052】
光源部１２０は、ワークＷの界面の検出及びワークＷの内部に形成された亀裂Ｋの検出に用いられる検出光Ｌ１を出射する。ここで、ワークＷがシリコンウェーハの場合、検出光Ｌ１としては、波長１，０００ｎｍ以上の赤外光を用いるのが望ましい。
【0053】
光源部１２０は、光源１２２、コリメートレンズ１２４及び制限部材１２６を含んでいる。光源１２２、コリメートレンズ１２４及び制限部材１２６は、集光レンズ１０６のレンズ光軸と同軸の主光軸ＡＸに沿って配置されている。
【0054】
光源１２２は、主光軸ＡＸに沿って検出光Ｌ１を出射する。光源１２２としては、例えば、赤外線光源（例えば、赤外線レーザー光源、ＩＲ ＬＥＤ（Infrared Emitting Diode））、又はＬＥＤ（Light Emitting Diode）光源を用いることができる。光源１２２は、検出信号処理部１０２と接続されており、検出信号処理部１０２により光源１２２の出射制御が行われる。
【0055】
コリメートレンズ１２４は、光源１２２から出射された検出光Ｌ１が平行光になるように調整する。
【0056】
制限部材１２６には、選択的に開閉可能な２つの開口部１２６Ａ及び１２６Ｂが形成されている。制限部材１２６は、コリメートレンズ１２４からの検出光Ｌ１の一部を遮光する遮光部材である。制限部材１２６は、不図示の駆動機構により、検出光Ｌ１の光路上に対して出没させることが可能となっている。検出信号処理部１０２は、不図示のアクチュエータを制御して、制限部材１２６の出没の制御を行う。制限部材１２６は、亀裂検出用光学系１８０により亀裂Ｋを検出するときに、検出光Ｌ１の一部を遮光して、検出光Ｌ１を主光軸ＡＸに対して偏心させる。制限部材１２６については後述する。
【0057】
照明光学系１４０は、光源部１２０から出射された検出光Ｌ１を集光レンズ１０６に導光する。照明光学系１４０は、リレーレンズ１４２及び１４６並びにミラー１４４を含んでいる。光源部１２０から出射された検出光Ｌ１は、リレーレンズ１４２を透過して、ミラー（例えば、全反射ミラー）１４４により反射されて光路が折り曲げられる。ミラー１４４によって反射された検出光Ｌ１は、リレーレンズ１４６を透過して集光レンズ１０６に向けて出射される。
【0058】
集光レンズ１０６は、照明光学系１４０から出射された検出光Ｌ１をワークＷに集光（合焦）させる。集光レンズ１０６は、ワークＷに対向する位置に配置され、主光軸ＡＸと同軸に配置される。
【0059】
アライメント機構１０４は、ワークＷにおける検出光Ｌ１の集光位置を調整する。アライメント機構１０４は、ステージＳＴ（Ｚ）（集光レンズ１０６）、及びワークＷが載置されるステージＳＴ（ＸＹθ）のうちの少なくとも一方を移動させる駆動部を含んでいる。アライメント機構１０４は、集光レンズ１０６とステージＳＴ（ＸＹθ）との間のＸＹＺ方向の相対位置を調整することにより、検出光Ｌ１の集光位置をＸＹＺ方向に移動させることが可能となっている。
【0060】
集光レンズ１０６によって集光され、ワークＷによって反射された反射光Ｌ２は、界面検出用光学系１６０及び亀裂検出用光学系１８０に導光され、それぞれ、ワークＷの界面検出及び亀裂の検出に用いられる。
【0061】
検出信号処理部１０２は、亀裂深さ検出装置１００の各部の動作を制御するＣＰＵ、制御プログラムを格納するメモリ（例えば、ＲＯＭ）、及びＣＰＵの作業領域として使用可能なＲＡＭを含んでいる。
【0062】
（界面検出用光学系）
次に、ワークＷの界面検出について説明する。以下の説明では、ワークＷの裏面（ステージＳＴ（ＸＹθ）に接する面）の界面の検出を行って、ワークＷの裏面の界面位置を基準として亀裂Ｋの深さ位置を検出する場合について説明する。なお、亀裂Ｋの深さ位置の検出では、ワークＷの表面を基準としてもよいし、ワークＷの表裏両方の面を基準として検出した亀裂Ｋの深さ位置の平均値をとるようにすることも可能である。
次に、ワークＷの界面検出について説明する。以下の説明では、ワークＷの裏面（ステージＳＴ（ＸＹθ）に接する面）の界面の検出を行って、ワークＷの裏面の界面位置を基準として亀裂Ｋの深さ位置を検出する場合について説明する。なお、亀裂Ｋの深さ位置の検出では、ワークＷの表面を基準としてもよいし、ワークＷの表裏両方の面を基準として検出した亀裂Ｋの深さ位置の平均値をとるようにすることも可能である。
【0063】
界面検出用光学系１６０は、ワークＷの界面（表面又は裏面）の検出を行うための光学系であり、ハーフミラー１６２、リレーレンズ１６４、ハーフミラー１６６及び光検出器１６８を含んでいる。
【0064】
ワークＷの界面を検出するときには、検出信号処理部１０２は、制限部材１２６を検出光Ｌ１の光路から退避させた状態で、検出光Ｌ１をワークＷに照射する。
【0065】
ハーフミラー１６２は、照明光学系１４０から入射する検出光Ｌ１を集光レンズ１０６側に透過させ、ワークＷからの反射光Ｌ２を反射する。ワークＷからの反射光Ｌ２は、ハーフミラー１６２によって反射されて光路が折り曲げられ、リレーレンズ１６４に導光される。リレーレンズ１６４を透過した反射光Ｌ２は、ハーフミラー１６６によって反射されて光検出器１６８に導光される。
【0066】
光検出器１６８は、ワークＷからの反射光Ｌ２を受光して、ワークＷの界面の検出を行うための装置であり、検出器本体１６８Ａ及びピンホールパネル１６８Ｂを含んでいる。
【0067】
検出器本体１６８Ａとしては、受光した光を電気信号に変換して検出信号処理部１０２に出力するフォトディテクタ（例えば、フォトダイオード）を用いることができる。
【0068】
ピンホールパネル１６８Ｂには、入射光の一部を通過させるためのピンホールが形成されている。ピンホールパネル１６８Ｂは、検出器本体１６８Ａの受光面側に、ピンホールが反射光Ｌ２の光軸上になるように配置されている。
【0069】
界面検出用光学系１６０は、ピンホールパネル１６８Ｂのピンホールの位置が、集光レンズ１０６の集光点の位置と光学的に共役関係にある光学系となっている。
【0070】
検出信号処理部１０２は、制限部材１２６を検出光Ｌ１の光路から退避させて検出光Ｌ１をワークＷに照射しながら、集光レンズ１０６とステージＳＴ（ＸＹθ）とをＺ方向に相対的に移動させる。検出信号処理部１０２は、ワークＷの界面（表面又は裏面）において検出光Ｌ１が合焦したときの反射光Ｌ２を検出し、そのときの集光点の位置からワークＷの界面のＺ方向の位置を算出する。
【0071】
（亀裂検出用光学系）
次に、ワークＷの内部に形成された亀裂Ｋの検出について説明する。
次に、ワークＷの内部に形成された亀裂Ｋの検出について説明する。
【0072】
亀裂検出用光学系１８０は、リレーレンズ１８２、ハーフミラー１８４、光検出器１８６及び１８８を含んでいる。
【0073】
ワークＷの内部に形成された亀裂Ｋを検出するときには、検出信号処理部１０２は、制限部材１２６を検出光Ｌ１の光路上に挿入する。ここで、検出信号処理部１０２、制限部材１２６及び亀裂検出用光学系１８０は、それぞれ亀裂検出手段の一部として機能する。制限部材１２６には、主光軸ＡＸからずれた位置に、選択的に開閉可能な２つの開口部１２６Ａ及び１２６Ｂが設けられており、検出光Ｌ１のうち開口部１２６Ａ又は１２６Ｂを透過した光がワークＷに照射される。図６に示す例では、２つの開口部１２６Ａ及び１２６Ｂは、例えば、主光軸ＡＸを挟んで互いに対称となる位置に配置されている。これにより、主光軸ＡＸに対して偏心した検出光（第２の検出光）Ｌ１がワークＷに照射される。
【0074】
ここで、図６には、亀裂Ｋの深さ位置の検出時に開口部１２６Ａ及び１２６Ｂを透過した検出光を重畳して示してあるが、実際には、開口部１２６Ａ及び１２６Ｂのうちの一方を開放し他方を閉鎖して亀裂Ｋの深さ位置の検出を２回行う。そして、検出信号処理部１０２は、開口部１２６Ａ及び１２６Ｂを透過した検出光Ｌ１を用いてそれぞれ検出した亀裂Ｋの深さ位置の平均値を亀裂Ｋの深さ位置として算出する。
【0075】
【0076】
開口部１２６Ａ及び１２６Ｂのうちの一方を透過した検出光Ｌ１がワークＷに照射されると、ワークＷからの反射光（第２の反射光）Ｌ２は、ハーフミラー１６２によって反射された後、リレーレンズ１６４及びハーフミラー１６６を順次透過してリレーレンズ１８２に入射する。リレーレンズ１８２を透過した反射光Ｌ２は、ハーフミラー１８４を介して光検出器１８６及び１８８により受光される。ここで、ハーフミラー１８４に入射する光の透過率及び反射率はそれぞれ約５０％とする。
【0077】
光検出器１８６及び１８８は、ワークＷからの反射光Ｌ２を受光して、ワークＷの内部の亀裂Ｋの検出を行うための装置である。光検出器１８６は、検出器本体１８６Ａ及びピンホールパネル１８６Ｂを含んでおり、光検出器１８８は、検出器本体１８８Ａ及びピンホールパネル１８８Ｂを含んでいる。
【0078】
検出器本体１８６Ａ及び１８８Ａとしては、受光した光を電気信号に変換して検出信号処理部１０２に出力するフォトディテクタ（例えば、フォトダイオード）を用いることができる。
【0079】
ピンホールパネル１８６Ｂ及び１８８Ｂには、入射光の一部を通過させるためのピンホールが形成されている。ピンホールパネル１８６Ｂ及び１８８Ｂは、それぞれ検出器本体１８６Ａ及び１８８Ａの受光面側に配置されている。ピンホールパネル１８６Ｂ及び１８８Ｂは、それぞれピンホールが反射光Ｌ２の光軸からずれた位置になるように配置されている。
【0080】
図７から図９は、ワークＷに対して検出光Ｌ１の偏射照明が行われたときの様子を示した説明図である。図７は集光レンズ１０６の集光点に亀裂Ｋが存在する場合、図８は集光レンズ１０６の集光点に亀裂Ｋが存在しない場合、図９は集光レンズ１０６の集光点と亀裂Ｋの亀裂Ｋの深さ位置（亀裂下端位置）とが一致する場合をそれぞれ示している。図１０から図１２は、光検出器１８６及び１８８に受光される反射光Ｌ２の様子を示した図であり、それぞれ図７から図９に示した場合に対応するものである。図１３は、ワークＷからの反射光Ｌ２が集光レンズ瞳１０６ａに到達する経路を説明するための図である。なお、ここでは、検出光Ｌ１は、集光レンズ瞳１０６ａの一方側（図１３の右側）の第１領域Ｇ１を通過して、ワークＷに対して偏射照明が行われる場合について説明する。
【0081】
図７に示すように、集光レンズ１０６の集光点に亀裂Ｋが存在する場合には、検出光Ｌ１は亀裂Ｋで全反射して、その反射光Ｌ２は主光軸ＡＸに対して検出光Ｌ１の光路と同じ側の経路をたどって、集光レンズ瞳１０６ａの検出光Ｌ１と同じ側の領域に到達する成分となる。すなわち、図８に示すように、光源１２２からの検出光Ｌ１が集光レンズ１０６を介してワークＷに照射されるときの検出光Ｌ１の経路をＲ１としたとき、ワークＷの内部の亀裂Ｋで全反射した反射光Ｌ２は、検出光Ｌ１の経路Ｒ１とは主光軸ＡＸに対して同じ側（図８の右側）の経路Ｒ２をたどって集光レンズ瞳１０６ａの第１領域Ｇ１を通過する。
【0082】
図８に示すように、集光レンズ１０６の集光点に亀裂Ｋが存在しない場合には、検出光Ｌ１はワークＷの裏面で反射し、その反射光Ｌ２は集光レンズ瞳１０６ａの検出光Ｌ１と反対側の領域に到達する成分となる。すなわち、図１３に示すように、ワークＷの裏面で反射した反射光Ｌ２は、検出光Ｌ１の経路Ｒ１とは主光軸ＡＸに対して反対側（図１３の左側）の経路Ｒ３をたどって集光レンズ瞳１０６ａの第２領域Ｇ２を通過する。
【0083】
図９に示すように、集光レンズ１０６の集光点と亀裂Ｋの下端位置とが一致する場合には、検出光Ｌ１は、亀裂Ｋで全反射して集光レンズ瞳１０６ａの検出光Ｌ１と同じ側の領域に到達する反射光成分Ｌ２ａと、亀裂Ｋで全反射されずにワークＷの裏面で反射して集光レンズ瞳１０６ａの検出光Ｌ１と反対側の領域に到達する非反射光成分Ｌ２ｂとに分割される。すなわち、図１３に示すように、反射光Ｌ２のうち、ワークＷの内部の亀裂Ｋで全反射した反射光成分Ｌ２ａは、検出光Ｌ１の経路Ｒ１とは主光軸ＡＸに対して同じ側（図１３の右側）の経路Ｒ２をたどって集光レンズ瞳１０６ａの第１領域Ｇ１を通過するとともに、亀裂Ｋで全反射されずにワークＷの裏面で反射した非反射光成分Ｌ２ｂは、検出光Ｌ１の経路Ｒ１とは主光軸ＡＸに対して反対側（図１３の左側）の経路Ｒ３をたどって集光レンズ瞳１０６ａの第２領域Ｇ２を通過する。
【0084】
ピンホールパネル１８６Ｂ及び１８８Ｂは、それぞれピンホールが集光レンズ瞳１０６ａの第１領域Ｇ１及び第２領域Ｇ２と光学的に共役な位置となるように配置されている。これにより、検出器本体１８６Ａ及び検出器本体１８８Ａは、それぞれ集光レンズ瞳１０６ａの第１領域Ｇ１及び第２領域Ｇ２を通過した光を選択的に受光可能となっている。
【0085】
図７に示す例（集光レンズ１０６の集光点に亀裂Ｋが存在する場合）では、図１０に示すように、検出器本体１８６Ａ及び検出器本体１８８Ａのうち、検出器本体１８６Ａの受光面１８６Ｃに反射光Ｌ２が受光し、受光面１８６Ｃから出力される検出信号のレベルが検出器本体１８８Ａの受光面１８８Ｃから出力される検出信号のレベルよりも高くなる。
【0086】
一方、図８に示す例（集光レンズ１０６の集光点に亀裂Ｋが存在しない場合）では、図１１に示すように、検出器本体１８６Ａ及び検出器本体１８８Ａのうち、検出器本体１８８Ａの受光面１８８Ｃに反射光が受光し、受光面１８８Ｃから出力される検出信号のレベルが受光面１８６Ｃから出力される検出信号のレベルよりも高くなる。
【0087】
また、図９に示す例（集光レンズ１０６の集光点と亀裂Ｋの下端位置とが一致する場合）では、図１２に示すように、受光面１８６Ｃ及び１８８Ｃに反射光Ｌ２の各成分Ｌ２ａ、Ｌ２ｂがそれぞれ受光し、受光面１８６Ｃ及び１８８Ｃから出力される検出信号のレベルが略等しくなる。
【0088】
このように、受光面１８６Ｃ及び１８８Ｃで受光される光量は、集光レンズ１０６の集光点に亀裂Ｋが存在するか否かによって変化する。本実施形態では、このような性質を利用して、ワークＷの内部に形成された亀裂Ｋの亀裂Ｋの深さ位置（亀裂下端位置又は亀裂上端位置）を検出することができる。
【0089】
具体的には、受光面１８６Ｃ及び１８８Ｃから出力される検出信号の出力をそれぞれＤ１及びＤ２としたとき、集光レンズ１０６の集光点と亀裂Ｋの亀裂Ｋの深さ位置との関係を示す評価値Ｓは、次式で表すことができる。
【0090】
Ｓ＝（Ｄ１－Ｄ２）／（Ｄ１＋Ｄ２） ・・・（１）
式（１）において、Ｓ＝０の条件を満たすとき、すなわち、受光面１８６Ｃ及び１８８Ｃによって受光される光量が一致するとき、集光レンズ１０６の集光点と亀裂下端位置（又は亀裂上端位置）とが一致した状態を示す。
式（１）において、Ｓ＝０の条件を満たすとき、すなわち、受光面１８６Ｃ及び１８８Ｃによって受光される光量が一致するとき、集光レンズ１０６の集光点と亀裂下端位置（又は亀裂上端位置）とが一致した状態を示す。
【0091】
検出信号処理部１０２は、アライメント機構１０４を制御して、集光レンズ１０６の集光点を、裏面の界面位置Ｚ（０）からワークＷの厚さ方向（Ｚ方向）に順次変化させながら、受光面１８６Ｃ及び１８８Ｃから出力される検出信号を順次取得し、この検出信号に基づいて式（１）で示される評価値Ｓを算出し、この評価値Ｓを評価することによって亀裂Ｋの亀裂Ｋの深さ位置（亀裂下端位置又は亀裂上端位置）を検出することができる。
【0092】
次に、開放する開口部を変更して亀裂Ｋの深さ位置の検出を行い、亀裂Ｋの深さ位置の２回分の検出値の平均値を亀裂Ｋの深さ位置として算出する。
【0093】
本実施形態では、集光レンズ１０６の光軸（主光軸ＡＸ）と亀裂Ｋとの間に位置ずれ（加工進行方向に直交する方向（Ｙ方向）の位置ずれ）があったとしても、主光軸ＡＸを挟んで互いに対称となる位置（偏心位置）から照射した２つの検出光Ｌ１を用いて検出することにより、その位置ずれの影響をキャンセルして精度よく亀裂Ｋの深さ位置を検出することができる。また、ダイシングライン位置確認によって亀裂Ｋの平面位置を亀裂Ｋの深さ位置と同時に（並行して）測定することが可能であるので、上述した２つの検出光Ｌ１を用いた亀裂Ｋの深さ位置の検出による効果と相まって亀裂Ｋの３次元情報を精度よく取得することが可能となる。
【0094】
なお、本実施形態では、開口部１２６Ａ及び１２６Ｂを透過した検出光Ｌ１を用いて亀裂Ｋの深さ位置の検出を２回行うようにしたが、いずれか一方の開口部のみを用いて１回だけ亀裂Ｋの深さ位置の検出を行ってもよい。
【0095】
また、偏光子を用いることにより、開口部１２６Ａ及び１２６Ｂを透過した検出光Ｌ１を用いて亀裂Ｋの深さ位置の検出を同時に行うようにしてもよい（例えば、特開２０２１－１４３８７３号公報参照）。
【0096】
なお、本実施形態では、検出器本体１６８Ａ、１８６Ａ及び１８８Ａとしてフォトディテクタを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、フォトディテクタに代えて、赤外線カメラ等を用いてもよい。
【0097】
また、亀裂Ｋの検出を行う場合には、反射光Ｌ２の光路上からハーフミラー１６６を退避させるようにしてもよい。この場合、界面検出用光学系１６０のハーフミラー１６６は、全反射ミラー又はダイクロイックミラー等に置換してもよい。
【0098】
また、本実施形態では、ハーフミラー１８４に入射する光の透過率及び反射率をそれぞれ約５０％としたが、本発明はこれに限定されない。ハーフミラー１８４の透過率と反射率が異なる場合には、評価値Ｓの算出に当たって、光検出器１８６及び１８８からの検出信号の出力Ｄ１及びＤ２に、ハーフミラー１８４の透過率と反射率に応じた重み係数を掛けてもよい。
【0099】
なお、本実施形態では、開閉可能な２つの開口部１２６Ａ及び１２６Ｂを設けたが、偏射照明のための構成は上記に限定されるものではない。例えば、制限部材１２６に開口部を３つ以上形成して、偏射照明の方法を３以上としてもよい。また、例えば、制限部材１２６に設ける開口部を１つのみとして、この制限部材を主光軸ＡＸ周りに回転させることにより、偏射照明の方法を変更可能としてもよい。
【0100】
また、本実施形態では、制限部材１２６を用いて検出光Ｌ１の一部を遮光することにより偏射照明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、光源部１２０の光源１２２を主光軸ＡＸからずらして配置することにより、偏射照明を行ってもよい。この場合、光源１２２の光軸は主光軸ＡＸと平行であることが好ましい。また、第２の実施形態では、主光軸ＡＸからずれた複数の位置にそれぞれ光源１２２を設けるようにしてもよい。
【0101】
また、本実施形態では、亀裂検出用光学系１８０に光検出器を２つ設けたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ハーフミラー１８４、光検出器１８６及び１８８に代えて、受光面が２つに分割された２分割フォトディテクタを１つ設け、各受光面の出力から評価値Ｓを算出してもよい。また、受光面が照明方法の種類に応じた数に分割されたフォトディテクタを用いてもよい。
【0102】
また、検出光Ｌ１及び反射光Ｌ２の導光のための構成はあくまで一例であって、本実施形態に限定されるものではない。例えば、ミラー１４４を設けずに、光源１２２、集光レンズ１０６及びワークＷが載置されるステージＳＴ（ＸＹθ）を一直線上に配置することも可能である。
【0103】
（亀裂検出方法）
図１４は、本発明の第１の実施形態に係る亀裂検出装置の動作を示すフローチャートである。
図１４は、本発明の第１の実施形態に係る亀裂検出装置の動作を示すフローチャートである。
【0104】
まず、ステージ制御部１４により、ステージＳＴ（ＸＹθ）及びＺステージＳ（Ｚ）を制御して、亀裂深さ検出装置１００及び亀裂平面位置検出装置（ダイシングライン位置確認用光学系）２００を亀裂測定位置に移動させる（ステップＳ１０）。
【0105】
次に、亀裂測定位置において、亀裂平面位置の観察像ＤＡＴ２と、亀裂深さの受光データＤＡＴ１を取得して（ステップＳ１２）、制御装置１０に送信する（ステップＳ１４）。
【0106】
次に、制御装置１０により、亀裂平面位置の観察像ＤＡＴ２と、亀裂深さの受光データＤＡＴ１を用いて亀裂の３次元情報（亀裂Ｋの位置を示す３次元データ）を作成する（ステップＳ１６）。
【0107】
上記のようにして作成した亀裂Ｋの位置を示す３次元データを用いることにより、ワークの割断前にチップの加工状態の良否を正確に予測することができる。
【0108】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。以下の説明において、第１の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。以下の説明において、第１の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0109】
本実施形態に係る亀裂検出装置１Ａは、亀裂深さ検出装置１００とダイシングライン位置確認用光学系２００の光学素子の一部を共用にしたものである。
【0110】
図１５及び図１６は、本発明の第２の実施形態に係る亀裂検出装置を示すブロック図である。図１５には、亀裂Ｋの深さ検出時における光路を示してあり、図１６には、亀裂Ｋの平面位置検出時における光路を示してある。なお、図１５及び図１６では、簡単のため界面検出用光学系１６０を省略している。
【0111】
本実施形態に係る亀裂検出装置１Ａは、ダイシングライン位置確認用照明光学系２１２Ａ及びダイシングライン位置確認用結像光学系２１２Ｂを含んでいる。
【0112】
ダイシングライン位置確認用照明光学系２１２Ａは、リレーレンズ２２０及びハーフミラー２２２を含んでいる。ハーフミラー２２２は、亀裂深さ検出用の照明光学系１４０のリレーレンズ１４２とハーフミラー１４４Ａの間に配置されている。
【0113】
ダイシングライン位置確認用結像光学系２１２Ｂは、ハーフミラー１４４Ａ、リレーレンズ１４６及び集光レンズ１０６を含んでいる。亀裂深さ検出用の照明光学系１４０のハーフミラー１４４Ａ及びリレーレンズ１４６と、集光レンズ１０６は、ダイシングライン位置確認用結像光学系２１２Ｂと共用となっている。
【0114】
ダイシングライン位置確認時には、図１６に示すように、光源２１０から出射される照明光Ｌ２１は、リレーレンズ２２０を介してハーフミラー２２２に到達し、ハーフミラー２２２及びハーフミラー１４４Ａにより順次反射されて、集光レンズ１０６によりワークＷに集光される。そして、ワークＷからの反射光Ｌ２２は、集光レンズ１０６、ハーフミラー１６２、リレーレンズ１４６及びハーフミラー１４４Ａを通過して、カメラ２１８により撮像可能となっている。これにより、カメラ２１８により撮像した観察像から亀裂Ｋの平面位置を検出することができる。
【0115】
一方、亀裂Ｋの深さ検出時には、図１５に示すように、検出光Ｌ１は、ダイシングライン位置確認用照明光学系２１２Ａのハーフミラー２２２を透過し、ハーフミラー１４４Ａにより反射されてワークＷに到達する。これにより、第１の実施形態と同様に、亀裂Ｋの深さを検出することができる。
【0116】
本実施形態によれば、亀裂検出装置を構成する光学素子の一部を共用とすることにより、構成部品を削減して装置の小型化を実現することができる。
【0117】
また、本実施形態によれば、亀裂Ｋの平面位置と深さ位置の検出を同一の集光レンズ１０６を用いて行うことができるので、亀裂Ｋの３次元情報をより容易に取得することができる。
【0118】
なお、本実施形態では、亀裂Ｋの深さ検出用の光源１２２と亀裂Ｋの平面位置検出用の光源２１０を別々に設けたが、本発明はこれに限定されない。例えば、亀裂Ｋの平面位置検出用の光源２１０を省略して、亀裂Ｋの深さ検出用の光源１２２と共用としてもよい。この場合、亀裂Ｋの平面位置検出時（ダイシングライン位置確認時）には、制限部材１２６を光路上から退避させればよい。
【符号の説明】
【0119】
１、１Ａ…亀裂検出装置、１０…制御装置、１２…亀裂測定制御部、１４…ステージ制御部、１００…亀裂深さ検出装置、２００…亀裂平面位置検出装置（ダイシングライン位置確認用光学系）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】