特開2023-138130高特性エピ用種基板、高特性エピ用種基板の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法

発明の名称　高特性エピ用種基板、高特性エピ用種基板の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法

出願人　信越化学工業株式会社　（識別番号 2060）

　　　　特許公開件数ランキング 65 位（373件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 64 位（371件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2023-138130

公報発行日　2023年9月29

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-138130

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