特開2023-138311電磁波吸収／反射体、平面アンテナ、及び電磁波吸収／反射体の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023138311
(43)【公開日】2023-10-02
(54)【発明の名称】電磁波吸収／反射体、平面アンテナ、及び電磁波吸収／反射体の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01Q 15/14 20060101AFI20230922BHJP
H05K 9/00 20060101ALI20230922BHJP
H01Q 17/00 20060101ALI20230922BHJP
H01Q 13/08 20060101ALI20230922BHJP
H01Q 21/06 20060101ALI20230922BHJP
H01P 11/00 20060101ALI20230922BHJP
【ＦＩ】
H01Q15/14 Z
H05K9/00 M
H01Q17/00
H01Q13/08
H01Q21/06
H01P11/00
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022197447
(22)【出願日】2022-12-09
(31)【優先権主張番号】P 2022044204
(32)【優先日】2022-03-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000006747
【氏名又は名称】株式会社リコー
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(74)【代理人】
【識別番号】100107515
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 浩一
(72)【発明者】
【氏名】志連 陽平
(72)【発明者】
【氏名】平野 由希子
(72)【発明者】
【氏名】畑中 伸一
(72)【発明者】
【氏名】福田 智男
(72)【発明者】
【氏名】藤田 貴史
(72)【発明者】
【氏名】平塚 弘行
(72)【発明者】
【氏名】田村 麻人
(72)【発明者】
【氏名】長谷川 徹
(72)【発明者】
【氏名】中森 英雄
(72)【発明者】
【氏名】若林 幸弘
(72)【発明者】
【氏名】竹内 弘司
【テーマコード（参考）】
5E321
5J020
5J021
5J045
【Ｆターム（参考）】
5E321AA31
5E321BB21
5E321GG11
5J020AA03
5J020BA06
5J020CA05
5J020EA04
5J020EA05
5J020EA07
5J020EA09
5J020EA10
5J021AA05
5J021AA09
5J021AA11
5J021AB06
5J021JA07
5J045AB05
5J045DA10
5J045FA02
5J045GA05
5J045MA07
(57)【要約】
【課題】基材の表面に形成される導電体パターンのサイズを増大させずに、数ＧＨｚ以下の周波数に対応可能な薄型の電磁波吸収／反射体を提供する。
【解決手段】電磁波吸収／反射体は、基材と、前記基材の表面に周期的に設けられた導電体の単位パターンとを有し、前記単位パターンの一部は、隣接する単位パターンの一部と、間に誘電体層を挟んで前記基材の積層方向に重なり合っている。
【選択図】図３
【解決手段】電磁波吸収／反射体は、基材と、前記基材の表面に周期的に設けられた導電体の単位パターンとを有し、前記単位パターンの一部は、隣接する単位パターンの一部と、間に誘電体層を挟んで前記基材の積層方向に重なり合っている。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材と、
前記基材の表面に周期的に設けられた導電体の単位パターンと、
を有し、前記単位パターンの一部は、隣接する単位パターンの一部と、間に誘電体層を挟んで前記基材の積層方向に重なり合っている、
電磁波吸収／反射体。
前記基材の表面に周期的に設けられた導電体の単位パターンと、
を有し、前記単位パターンの一部は、隣接する単位パターンの一部と、間に誘電体層を挟んで前記基材の積層方向に重なり合っている、
電磁波吸収／反射体。
【請求項2】
前記単位パターンは、前記隣接する単位パターンに向かって延びるアームを有し、前記アームが前記誘電体層を挟んで前記隣接する単位パターンのアームと前記積層方向に重なり合って容量結合部が形成されている、
請求項１に記載の電磁波吸収／反射体。
請求項１に記載の電磁波吸収／反射体。
【請求項3】
前記容量結合部は、第１の面積で前記積層方向に重なり合う第１の容量結合部と、前記第１の面積と異なる第２の面積で前記積層方向に重なり合う第２の容量結合部とを含む、
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
【請求項4】
前記容量結合部は、前記積層方向に重なり合う第１の容量結合部と、隣接する２つの単位パターンを面内方向に分離する間隙に形成される第２の容量結合部と、を含む、
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
【請求項5】
前記第２の容量結合部は前記間隙に絶縁層を含む、
請求項４に記載の電磁波吸収／反射体。
請求項４に記載の電磁波吸収／反射体。
【請求項6】
前記アームは、前記隣接する単位パターンのアームと長さ方向で重なり合う、
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
【請求項7】
前記アームは、前記隣接する単位パターンのアームと幅方向で重なり合う、
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
【請求項8】
前記アームは前記アームの幅が広がった幅広部を有し、前記アームは前記隣接する単位パターンのアームと前記幅広部で重なり合う、
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
【請求項9】
前記容量結合部は導電性インクで形成されている、
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
請求項２に記載の電磁波吸収／反射体。
【請求項10】
前記誘電体層の厚み、前記単位パターンの大きさ、前記容量結合部の面積、前記基材の厚みの少なくとも１種にばらつきをもっている、
請求項２から９のいずれか１項に記載の電磁波吸収／反射体。
請求項２から９のいずれか１項に記載の電磁波吸収／反射体。
【請求項11】
基材と、
前記基材の表面に第１導電体で形成される第１グループの単位パターンと、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層と、
前記誘電体層の上に設けられ、前記誘電体層を間に挟んで前記第１グループの単位パターンと積層方向に重なり合わないように第２導電体で形成される第２グループの単位パターンと、
を有する電磁波吸収／反射体。
前記基材の表面に第１導電体で形成される第１グループの単位パターンと、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層と、
前記誘電体層の上に設けられ、前記誘電体層を間に挟んで前記第１グループの単位パターンと積層方向に重なり合わないように第２導電体で形成される第２グループの単位パターンと、
を有する電磁波吸収／反射体。
【請求項12】
請求項１または１１に記載の電磁波吸収／反射体と、
前記単位パターンに設けられた給電点と、
を有するアンテナ。
前記単位パターンに設けられた給電点と、
を有するアンテナ。
【請求項13】
基材の表面に、第１グループの単位パターンを導電体で形成し、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に、前記誘電体層を間に挟んで前記第１グループの単位パターンの前記一部と積層方向に重なり合うように第２グループの単位パターンを導電体で形成する、
電磁波吸収／反射体の製造方法。
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に、前記誘電体層を間に挟んで前記第１グループの単位パターンの前記一部と積層方向に重なり合うように第２グループの単位パターンを導電体で形成する、
電磁波吸収／反射体の製造方法。
【請求項14】
前記誘電体層の厚み、前記第１グループの単位パターンの大きさ、前記第２グループの単位パターンの大きさ、前記積層方向に重なり合う領域の面積、前記基材の厚みの少なくとも１種についてばらつきを持たせる、
請求項１３に記載の電磁波吸収／反射体の製造方法。
請求項１３に記載の電磁波吸収／反射体の製造方法。
【請求項15】
基材の表面に、第１グループの単位パターンを導電体で形成し、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に、前記誘電体層を間に挟んで、前記第１グループの単位パターンの前記一部と積層方向に重なり合わないように第２グループの単位パターンを導電体で形成する、
電磁波吸収／反射体の製造方法。
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に、前記誘電体層を間に挟んで、前記第１グループの単位パターンの前記一部と積層方向に重なり合わないように第２グループの単位パターンを導電体で形成する、
電磁波吸収／反射体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電磁波吸収／反射体、平面アンテナ、及び電磁波吸収／反射体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
メタマテリアルは、物質の電磁的または熱的な特性、機械的な振動などを操作する人工的な構造体である。メタサーフェスや周波数選択板は二次元的なメタマテリアルの一種であり、物質の電磁波等に対する特性を操作する人工的な表面を有する。たとえば、図１に示すように、導電性のパターンＰの周期的な二次元配列でメタサーフェスが形成される。パターンＰのサイズ、ピッチ（中心間距離）、導電性のパターンＰを担持する基材の誘電率等を適切に設計することで、特定周波数の電磁波に対する吸収、反射、発振等の特性が制御される。特定周波数、すなわち共振周波数ｆは、パターンＰの等価ＬＣ回路のインダクタンスＬeffとキャパシタンスＣeffを用いて
ｆ＝１／２π（Ｌeff・Ｃeff）^1/2
と概算される。
ｆ＝１／２π（Ｌeff・Ｃeff）^1/2
と概算される。
【0003】
周期構造をもつパターンＰのサイズは、ターゲットの電磁波の波長λの１／２以下に設定され、一般的には波長の１／１０から１／４程度に設定される。現在、５Ｇ移動体通信規格で用いられる２８ＧＨｚ帯以上において、通信機器内部での電磁波自家中毒を防ぐため電磁波吸収体が求められている。メタマテリアルまたはメタサーフェスで２８ＧＨｚ帯を吸収するサイズは数ｍｍ程度となり、小型の通信機器内部に導入するにはサイズが大きく、導入することが難しい。また、数ＧＨｚ以下の低周波の電磁波を扱う場合、導電性パターンのサイズとピッチは、数センチメートル以上になる。このように大きなサイズのパターンを繰り返し配置する構成では、電磁波吸収体として狭い空間内に導入することが難しい。発振用途では、低周波用のアンテナのサイズが増大する。
【0004】
１ＧＨｚ以下の低周波吸収体として、磁性損失を利用した軟磁性体のノイズ抑制シートが用いられている。軟磁性体のノイズ抑制シートの電磁波吸収量は厚さに依存し、シートの厚さと重量がかさむ。また、１ＧＨｚを超える周波数では、電磁波に対する吸収量が低下する。メタマテリアルの単位パターンを構成する導電体パッチの間にコンデンサを半田付けして、低周波の電磁波吸収を実現する構成が提案されている（たとえば、特許文献１、及び非特許文献１参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
導電体パッチの間にコンデンサ素子を半田付けする構成は、コストが高く、量産に不向きである。半田付けされたコンデンサ素子を用いる場合、メタマテリアル層の厚さに加えてコンデンサ素子の厚みが生じる。１ＧＨｚの電磁波に対しては、メタマテリアル層のみの厚さはサブミリメートルであるが、コンデンサ素子を含むと、１ミリメートルからで数ミリメートルの厚さになる。
【0006】
ひとつの側面で、本発明は、基材の表面に形成される導電体パターンのサイズを増大させずに、所望の周波数に対応可能な薄型の電磁波吸収または反射体を提供する。以下で「電磁波吸収または反射体」を「電磁波吸収／反射体」と表記する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施形態において、電磁波吸収／反射体は、
基材と、
前記基材の表面に周期的に設けられた導電体の単位パターンと、
を有し、前記単位パターンの一部は、隣接する単位パターンの一部と、間に誘電体層を挟んで前記基材の積層方向に重なり合っている。
基材と、
前記基材の表面に周期的に設けられた導電体の単位パターンと、
を有し、前記単位パターンの一部は、隣接する単位パターンの一部と、間に誘電体層を挟んで前記基材の積層方向に重なり合っている。
【0008】
別の実施形態で、電磁波吸収／反射体は、
基材と、
前記基材の表面に第１導電体で形成される第１グループの単位パターンと、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層と、
前記誘電体層の上に設けられ、前記誘電体層を間に挟んで前記第１グループの単位パターンと積層方向に重なり合わないように第２導電体で形成される第２グループの単位パターンと、
を有する。
基材と、
前記基材の表面に第１導電体で形成される第１グループの単位パターンと、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層と、
前記誘電体層の上に設けられ、前記誘電体層を間に挟んで前記第１グループの単位パターンと積層方向に重なり合わないように第２導電体で形成される第２グループの単位パターンと、
を有する。
【発明の効果】
【0009】
基材の表面に形成される導電体パターンのサイズを増大させずに、薄型の電磁波吸収／反射体とその製造方法が実現される。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】メタサーフェスに用いられる一般的な導電性パターンを示す図である。
【図2】実施形態の電磁波吸収／反射体の基本構成図である。
【図3】第１実施形態の電磁波吸収／反射体の平面模式図である。
【図10】第２実施形態の電磁波吸収／反射体のキャパシタ調整例を示す図である。
【図11】電磁波吸収／反射体の別のキャパシタ調整例を示す図である。
【図12】第３実施形態の電磁波吸収／反射体の構成例を示す図である。
【図13】第３実施形態の電磁波吸収／反射体の別の構成例を示す図である。
【図14】間隙を利用した容量結合の構成例である。
【図15】特性評価用モデルの構成図である。
【図16】上層と下層の単位パターンの面内方向の重なり量を変えたときの吸収周波数特性の変化を示す図である。
【図17】上層と下層の単位パターンの積層方向の間隔を変えたときの吸収周波数特性の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
ひとつの実施形態では、繰り返し配置される導電体の単位パターンの一部が、誘電体層を挟んで隣接する単位パターンの一部と積層方向に重なり合う構成を提供し、上下のパターンの間で容量結合させる。容量結合の大きさ（すなわちキャパシタンス）は、重なり合いの面積、誘電体層の厚さ、及び誘電率を設計することで、所望の値に設定可能である。別の実施形態では、基板と垂直な方向から見たときに上層と下層の単位パターンは面内方向には重なり合わずに、基板と水平な方向に容量結合を形成する。単位パターンの一部を用いてパターン間に所望の大きさの容量結合を設けることで、単位パターンのサイズを小さく保ったまま、より低い周波数の電磁波に対する吸収、反射、発振等の特性を実現することができる。
【0012】
隣接する単位パターンと単位パターンの間に設けられる容量結合は、インクジェット、スクリーン印刷、スプレイ法などの印刷法で形成可能である。容量結合部を塗布薄膜で形成することにより、薄型の電磁波吸収／反射体が作製される。容量結合部の重なり合いの面積、誘電体層の厚さ、材料を変えるだけで、電磁波に対する特性を容易に制御できる。また、複数種類の容量結合を形成することで、吸収あるいは反射のスペクトルを複数持たせる、あるいはブロードにすることができる。
【0013】
以下で、実施形態の電磁波吸収／反射体の具体的な構成を示す。実施形態で、同じ構成要素には同じ符号を付けて、重複する記載を省略する場合がある。
【0014】
図２は、実施形態の電磁波吸収／反射体１０の基本構成図である。電磁波吸収／反射体１０は、基材１１の表面に周期的に設けられた導電体の単位パターン１５を有する。図示の便宜上、電磁吸収／反射体１０の繰り返しパターンの一部だけを示している。隣接する単位パターン１５と単位パターン１５の間に、容量結合部１２が設けられている。容量結合部１２は、隣り合う単位パターン１５同士の重なり合いにより形成されている。ある単位パターン１５の一部と、隣接する単位パターン１５の一部が、間に誘電体を挟んで基材１１と垂直な方向（積層方向）で重なり合っている。
【0015】
導電体パッチと導電体パッチの間にコンデンサ素子を半田付けする構成と異なり、単位パターン１５と同じ塗布膜を用いて容量結合部１２が形成される。単位パターン１５同士の重なり合いの面積と、間に挿入される誘電体層の厚さ、及び誘電率を選択することで、所望の大きさの容量結合が得られる。単位パターン１５が形成される基材１１は、誘電体の基材、あるいは金属フォイル上に誘電体膜が形成された基材であってもよい。基材１１は、薄いガラスプレートのような無機誘電体であってもよいし、絶縁性の樹脂フィルムを用いてもよい。また、インクジェット、スクリーン印刷、スプレイ法などの印刷法で形成した樹脂膜でもよい。基材１１として樹脂材料を用いる場合、フレキシブルな電磁波吸収／反射体１０が得られ、曲面、屈曲面などに電磁波吸収／反射体１０を適用することができる。
【0016】
単位パターン１５の縦方向及び横方向のサイズと中心間距離は、一般的にはターゲットの周波数の波長に応じて決定される。これに対し、実施形態では塗布薄膜で容量結合部１２を形成し、容量結合の大きさを所望の値に設定できる。したがって、より高い周波数に対するパターンサイズを維持しながら、電磁波吸収／反射体１０の共振周波数を低周波側にシフトさせて、薄型、かつ小型の電磁波吸収／反射体１０が実現される。
【0017】
電磁波吸収／反射体１０を電磁波吸収シートとして用いる場合、入射波に対する反射波の比（反射波／入射波）で表される反射係数Γがゼロに近づくように、容量結合部１２を含む全体のインピーダンスが調整される。反射係数Γがゼロに近づくと、電磁波吸収／反射体１０の固有インピーダンスが、電磁波伝搬媒体である空気のインピーダンスと見かけ上整合する。この場合、入射した電磁波はほとんど反射されず、電磁波吸収／反射体１０の内部で吸収される。
【0018】
電磁波吸収／反射体１０をリフレクタとして用いる場合、反射係数Γが最大となるように、すなわち電磁波吸収／反射体１０のインピーダンスが見かけ上無限大になるように、容量結合部１２のインピーダンスを調整してもよい。あるいは、隣接する単位パターン１５で反射された電磁波が所望の方向に向かうように、位相差を制御してもよい。電磁波吸収／反射体１０を平面アレイアンテナとして用いる場合は、ターゲットの周波数において最大パワーで電波が放射され、受信されるように、容量結合の大きさが決定される。
【0019】
容量結合部１２がない場合、周波数選択性は単位パターン１５のサイズとピッチで決まり、数ＧＨｚ以下の低い周波数に対しては、単位パターン１５を大きくせざるをえない。実施形態では、単位パターン１５の一部で容量結合部１２を形成し、所望の大きさの容量結合を実現することで、単位パターン１５を小さいサイズに維持しつつ、より低い周波数帯に対応することができる。
【0020】
図２の例では、単位パターン１５として正方形の導電体パターンを用いているが、単位パターン１５の形状は正方形に限定されない。三角形または六角形の導電体パターンを、繰り返し周期性を持つ配置で並べ、隣接する単位パターンの間に、互いの単位パターンの一部が基材１１と垂直な方向で重なり合う容量結合部１２を設けてもよい。あるいは、円、楕円、多角形の単位パターンを格子配置、または互い違いに並べて、隣接する単位パターン１５の間に容量結合部１２を設けてもよい。
【0021】
容量結合部１２は、すべての隣接する単位パターン１５の間に設ける必要はなく、少なくとも２つの隣接する単位パターン１５の間に設けられていればよい。電磁波吸収／反射体１０に設けられる容量結合の大きさは同じである必要はなく、複数種類の容量結合を設けてもよい。これらの具体的な構成は以下の実施形態で説明する。
【0022】
＜第１実施形態＞
図３は、第１実施形態の電磁波吸収／反射体１０の平面模式図である。電磁波吸収体／反射体１０は、図２の基本構成を採用している。基材１１の表面に、略同じ大きさと形状の導電体の単位パターン１５が周期的に形成されている。「略同じ」というのは、設計上大きさと形状が同じに設定されていることを意味し、許容範囲内の製造誤差が含まれていてもよい。
図３は、第１実施形態の電磁波吸収／反射体１０の平面模式図である。電磁波吸収体／反射体１０は、図２の基本構成を採用している。基材１１の表面に、略同じ大きさと形状の導電体の単位パターン１５が周期的に形成されている。「略同じ」というのは、設計上大きさと形状が同じに設定されていることを意味し、許容範囲内の製造誤差が含まれていてもよい。
【0023】
複数の単位パターン１５の少なくとも一部は、隣接する単位パターン１５に向かって延びるアーム１５１を有する。ある単位パターン１５のアーム１５１と、隣接する単位パターン１５のアーム１５１は、間に誘電体層１３を挟んで、積層方向に重なり合っている。積層方向で重なり合う上下のアーム１５１と、間に挟まれる誘電体層１３で、容量結合部１２が形成される。
【0024】
アーム１５１を含む単位パターン１５の全体を、インクジェット、スクリーン印刷などの印刷法で形成してもよい。あるいは、単位パターン１５のアーム１５１を除く本体部分を室温スパッタリング等で形成し、容量結合部１２を印刷法で形成してもよい。印刷法のうちインクジェット法は、導電体性の材料と絶縁性の材料を、所望のタイミングで、基材１１上の正確な位置に吐出できるので、有利である。基材１１にフレキシブルな高分子材料を用いる場合も、室温で簡単にパターン形成できる印刷法が有利である。
【0025】
図４は、図３の電磁波吸収／反射体１０のＡ－Ａ断面の構成例を示す。図４の電磁波吸収／反射体１０Ａにおいて、誘電体層１３は、単位パターン１５が重なり合う領域にだけ設けられている。基材１１の上に設けられた単位パターン１５は、端部にアーム１５１を有し、アーム１５１で隣接する単位パターンのアーム１５１と重なり合う。下側のアーム１５１と上側のアーム１５１の間に誘電体層１３が挿入され、容量結合部１２を形成するとともに、隣接する単位パターン１５の間を電気的に隔離する。
【0026】
図５は、図３の電磁波吸収／反射体１０のＡ－Ａ断面の別の構成例を示す。図５の電磁波吸収／反射体１０Ｂにおいて、誘電体層１３は、基材１１の上の全面に形成されている。誘電体層１３の下に設けられる単位パターン１５－１と、誘電体層１３の上に設けられる単位パターン１５－２が、間に誘電体層１３を挟んで、アーム１５１で互いに重なり合っている。誘電体層１３を挟む下側のアーム１５１と上側のアーム１５１の間に容量結合部１２が形成されるとともに、隣接する単位パターン１５の間が電気的に隔離される。
【0027】
図６は、図３の電磁波吸収／反射体１０のＡ－Ａ断面のさらに別の構成例を示す。図６の電磁波吸収／反射体１０Ｃは、図４の構成に加えて、基材１１の裏面にグランド層１６を有する。各単位パターン１５とグランド層１６の間にキャパシタンスが形成され、単位パターン１５ごとに位相遅れの大きさを制御することができる。図６では、図４の構成にグランド層１６を設けているが、図５の構成にグランド層１６を適用してもよいことは言うまでもない。
【0028】
図７Ａ～図７Ｃは、図４の電磁波吸収／反射体１０Ａの製造工程を上面図と断面図で示す。図７Ａで、基材１１の上に、第１グループの単位パターン１５－１を形成する。最終的な単位パターン１５を、図３のような格子配置とする場合、第１グループの単位パターン１５－１は、一つ置きの交互配置で形成される。
【0029】
図７Ｂで、第１グループの単位パターン１５－１のアーム１５１を覆って、誘電体層１３が部分的に設けられる。誘電体層１３は、インクジェットでアーム１５１の上に形成されてもよい。誘電体層１３は、すべてのアーム１５１の上に設ける必要はなく、選択されたアーム１５１の上にだけ形成されてもよい。
【0030】
図７Ｃで、第２グループの単位パターン１５－２が形成され、電磁波吸収／反射体１０Ａが得られる。第２グループの単位パターン１５－２のアーム１５１は誘電体層１３の上に形成され、誘電体層１３の下に形成されている第１グループの単位パターン１５－１のアーム１５１と、積層方向で重なる。第２グループの単位パターン１５－２の全体をインクジェットで形成してもよいし、単位パターン１５－２のアーム１５１を除く領域をスクリーン印刷で形成し、アーム１５１をインクジェットで形成してもよい。
【0031】
アーム１５１の幅、または重なり合う長さを調整することで、容量結合部１２の面積を調整することができる。誘電体層１３の厚さは、成膜プロセスを制御することで制御可能である。したがって、２つの隣接する単位パターン１５の間に、所望の大きさの容量結合を形成することができる。図７Ａの工程の前、あるいは図７Ｃの工程の後に、基材１１の裏面にグランド層１６（図６参照）を形成してもよい。
【0032】
図８Ａ～図８Ｃは、図５の電磁波吸収／反射体１０Ｂの製造工程を上面図と断面図で示す。図８Ａで、基材１１の上に、第１グループの単位パターン１５－１を形成する。最終的な単位パターン１５を、図３のような格子配置とする場合、第１グループの単位パターン１５－１は、一つ置きの交互配置で形成される。単位パターン１５－１は、印刷法、室温スパッタリングなど、適切な方法で形成される。
【0033】
図８Ｂで、単位パターン１５－１が形成された基材１１の全面を覆って、誘電体層１３が形成される。誘電体層１３は塗布膜として印刷法で形成されてもよいし、印刷法以外の方法で形成されてもよい。図８Ｃで、誘電体層１３の上に第２グループの単位パターン１５－２が形成され、電磁波吸収／反射体１０Ｂが得られる。第２グループの単位パターン１５－２のアーム１５１は、誘電体層１３を間に挟んで、下層の単位パターン１５－１のアーム１５１と積層方向で重なっている。
【0034】
第２グループの単位パターン１５－２の全体を印刷法で形成してもよい。単位パターン１５－２のアーム１５１を除く領域をスクリーン印刷で形成し、アーム１５１をインクジェット法やスプレイ法で形成してもよい。アーム１５１の幅と、重なり合いの長さの少なくとも一方を調整して容量結合部１２の面積を調整する、または、誘電体層１３の厚さを制御することで、所望の大きさの容量結合を形成することができる。図８Ａの工程の前、または図８Ｃの工程の後に、基材１１の裏面にグランド層１６（図６参照）を形成してもよい。
【0035】
図９Ａは、図４の電磁波吸収／反射体の容量増強の構成例を示す断面模式図、図９Ｂは図５の電磁波吸収／反射体の容量増強の構成例を示す断面模式図である。容量結合部１２にさらに誘電体層１３Ｄ（または１３Ｅ）と導電層１５－３を重ねることで、容量を増大することができる。この場合、積層コンデンサと同様に、キャパシタンスＣは、
Ｃ＝ε（Ｓ／ｄ）Ｎ［Ｆ］
と表される。ここで、Ｓは導電層が積層方向に重なり合う面積、ｄは導電層間の積層方向の間隔、εは誘電率、Ｎは積層数である。積層数を増やすことで、キャパシタンスを大きくすることができる。
Ｃ＝ε（Ｓ／ｄ）Ｎ［Ｆ］
と表される。ここで、Ｓは導電層が積層方向に重なり合う面積、ｄは導電層間の積層方向の間隔、εは誘電率、Ｎは積層数である。積層数を増やすことで、キャパシタンスを大きくすることができる。
【0036】
第１実施形態では、単位パターン１５のアーム１５１の幅と、重なり合いの長さの少なくとも一方を調整することで、容量結合部１２の面積を大きくすることができる。また、隣接する単位パターン１５間の電気的な絶縁が確保される範囲内で、誘電体層１３を薄く形成することができる。アーム１５１の重なり合いの面積を大きくする、あるいは、誘電体層１３の厚さを低減することで容量結合を大きくして、共振周波数を低周波側にシフトさせることができる。容量結合部１２は、単位パターン１５の形成過程で形成される。薄膜工程で形成される容量結合部１２の基材１１の表面からの高さは、数μｍ～数十μｍ以下である。コンデンサ素子を半田付けする構成と比較して、簡単なプロセスで薄い容量結合が形成される。電磁波吸収／反射体１０（または１０Ａ～１０Ｅ）は、単位パターン１５のサイズを小さく保ったまま、所望の周波数に調整することができる。
【0037】
＜第２実施形態＞
図１０は、第２実施形態の電磁波吸収／反射体２０のキャパシタ調整例を示す。第１実施形態では、隣接する単位パターン１５のアーム１５１の幅と、重なり合いの長さの少なくとも一方を調整することで、容量結合部１２の面積を制御していた。図１０では、アームの形状を部分的に変えることで、容量結合の大きさを調整する。
図１０は、第２実施形態の電磁波吸収／反射体２０のキャパシタ調整例を示す。第１実施形態では、隣接する単位パターン１５のアーム１５１の幅と、重なり合いの長さの少なくとも一方を調整することで、容量結合部１２の面積を制御していた。図１０では、アームの形状を部分的に変えることで、容量結合の大きさを調整する。
【0038】
電磁波吸収／反射体２０は、基材２１の表面に、複数の単位パターン２５の周期的な配列を有する。複数の単位パターン２５の少なくとも一部は、隣接する単位パターン２５に向かって延びるアーム２５１を有する。隣接する２つの単位パターン２５のアーム２５１は、間に誘電体層１３を挟んで積層方向（基材１１と垂直な方向）に重なり合い、容量結合部２２が形成される。
【0039】
アーム２５１は、単位パターン１５の外周に接続されるベース２５２と、ベース２５２の先端の幅広部２５３を含む。幅広部２５３は、隣接する単位パターン２５のアーム２５１の幅広部２５３と積層方向に重なり合って、容量結合部２２を形成する。幅広部２５３の面積を大きくすることで、容量結合を大きくすることができる。あるいは、誘電体層１３の膜厚を薄くすることで容量結合を大きくしてもよい。
【0040】
第１実施形態と同様に、単位パターン２５と誘電体層１３は、インクジェット法などの印刷法により、簡単、かつ高い位置合わせ精度で形成される。
【0041】
図１１は、電磁波吸収／反射体３０のキャパシタ調整例を示す。第１実施形態では、隣接する２つの単位パターン１５の重なり合いを、アーム１５１が延びる方向の重なり合いの長さで調整した。図１１では、アーム３５１の幅（ｗ）方向の重なり合いを調整して、容量結合の大きさを調整する。
【0042】
電磁波吸収／反射体３０は、基材３１の表面に、複数の単位パターン３５の周期的な配列を有する。複数の単位パターン３５の少なくとも一部は、隣接する単位パターン３５に向かって延びるアーム３５１を有する。アーム３５１の一部は、誘電体層１３を挟んで、隣接する単位パターン３５のアーム３５１の一部と積層方向で重なり合い、容量結合部３２が形成される。
【0043】
アーム３５１の幅（ｗ）方向の重なり量を変えることで、容量結合部３２の面積が変わるが、単位パターン３５の縦方向と横方向の長さＬ（サイズ）は変わらない。単位パターン３５の長さＬの変化は、特性周波数に影響する。単位パターン３５の縦方向と横方向の長さＬを一定に保って、容量結合の大きさを変えることができる。これにより、単位パターン３５のサイズ変動による特性周波数への影響を抑え、容量結合部３２による共振周波数の制御を容易にする。
【0044】
第１実施形態と同様に、単位パターン２５と誘電体層１３は、インクジェット法などの印刷法を用いて簡単に、かつ高い位置合わせ精度で形成可能である。下層のアーム３５１－１と、上層のアーム３５１－２の幅方向の重なり量を、インクジェットの位置合わせ精度で制御することができる。隣接するアーム間の幅方向の重なり合いの量は必ずしも一定でなくてもよいし、一部のアームでのみ、間に誘電体層１３をはさんで幅方向に重ね合わせてもよい。これにより、単位パターン３５の増大を抑制しつつ、数ＧＨｚ以下の低周波帯に対応可能な薄型の電磁波吸収／反射体３０が実現される。
【0045】
＜第３実施形態＞
図１２は、第３実施形態の電磁波吸収／反射体４０の構成例を示す。第３実施形態では大きさの異なる容量結合を設ける。電磁波吸収／反射体４０に複数種類の容量結合を持たせることで、吸収または反射される電磁波の帯域幅を広げることができる。
図１２は、第３実施形態の電磁波吸収／反射体４０の構成例を示す。第３実施形態では大きさの異なる容量結合を設ける。電磁波吸収／反射体４０に複数種類の容量結合を持たせることで、吸収または反射される電磁波の帯域幅を広げることができる。
【0046】
電磁波吸収／反射体４０は、基材４１の表面に、複数の単位パターン４５の周期的な配列を有する。複数の単位パターン４５の一部または全部は、隣接する単位パターン４５に向かって延びるアーム４５１と４５２の少なくとも一方を有する。アーム４５１と４５２の幅ｗは異なっていてもよい。アーム４５１、４５２の幅ｗ、あるいは、アームの幅ｗと直交する方向の重なり合いの長さを変えることで、容量結合部の面積を変えることができる。
【0047】
たとえば、重なり合いの面積が小さい方から順に、容量が異なる容量結合部４２ａ、４２ｂ、及び４２ｃを設けてもよい。容量結合部の種類の数は３種類に限定されず、２種類であってもよいし、４種類以上でもよい。容量結合の大きさを少しずつ変えることで、ターゲットの周波数帯の幅を広げることができる。
【0048】
図１２の構成でも、単位パターン４５のサイズを小さく保ったまま、共振周波数を低周波側にシフトさせて、数ＧＨｚ以下の周波数帯に対応することができる。
【0049】
図１３は、電磁波吸収／反射体５０の構成例を示す。図１３では、複数種類の容量結合の一部に、単位パターン平面に対して、空気層を挟んだ水平方向の容量結合を用いる。水平方向に容量結合を形成する単位パターン同士は、積層方向で重なり合っていなくてもよい。電磁波吸収／反射体５０は、基材５１の表面に、複数の単位パターン５５の周期的な配列を有する。複数の単位パターン５５の一部または全部は、隣接する単位パターン５５に向かって延びるアーム５５１を有する。隣接する２つの単位パターン５５のアーム５５１が、誘電体層１３を間に挟んで積層方向に重なり合う箇所で、第１の容量結合部５２ａが形成される。隣接する２つの単位パターンのアーム５５１が積層方向で重ならない箇所、すなわち面内方向で分離された箇所で、間隙５５２を挟む一対のアーム５５１によって、第２の容量結合部５２ｂが形成される。間隙５５２の幅を変えることで、容量結合の種類をさらに増やしてもよい。
【0050】
図１３の構成でも、単位パターン５５のサイズを小さく保ったまま、共振周波数を低周波側にシフトさせて、数ＧＨｚ以下の周波数帯に対応することができる。なお、図１４に示すように、間隙５５２に絶縁層１３１を適用して、第２の容量結合部５２ｂを形成しつつ絶縁破壊を抑制する構成にしてもよい。この構成により、隣接するアーム５５１間の電気的な絶縁を確実にすることができ、選択した工法の精度限界よりも狭い間隔での容量結合部を実現することができる。これにより、設計可能な波長の選択性を高めることができる。
【0051】
＜吸収特性の評価（計算値）＞
図１５に十字パターンを用いた評価用モデルを示す。十字の大きさをＬ、十字の線幅をｗ、下層の単位パターン１５－１と上層の単位パターン１５－２の重なり長さをＧ、基材１１の厚みをｔ＿ｆｉｌｍ、単位パターンを構成する導電層の厚みをｔ＿ｍｅｔａｌ、基材１１と下層の単位パターン１５－１との間の誘電体層１３の厚みをｄ１、下層の単位パターン１５－１と上層の単位パターン１５－２の間の誘電体層１３の厚みをｄ２とする。下層の単位パターン１５－１と上層の単位パターン１５－２が、面垂直方向から見て重なっているとき、重なり長さＧ、すなわち上層と下層の単位パターンの面内方向での重なり量が正となるようにとる。図１４のように面内方向に間隙がある場合は、重なり長さＧは負の値となる。
図１５に十字パターンを用いた評価用モデルを示す。十字の大きさをＬ、十字の線幅をｗ、下層の単位パターン１５－１と上層の単位パターン１５－２の重なり長さをＧ、基材１１の厚みをｔ＿ｆｉｌｍ、単位パターンを構成する導電層の厚みをｔ＿ｍｅｔａｌ、基材１１と下層の単位パターン１５－１との間の誘電体層１３の厚みをｄ１、下層の単位パターン１５－１と上層の単位パターン１５－２の間の誘電体層１３の厚みをｄ２とする。下層の単位パターン１５－１と上層の単位パターン１５－２が、面垂直方向から見て重なっているとき、重なり長さＧ、すなわち上層と下層の単位パターンの面内方向での重なり量が正となるようにとる。図１４のように面内方向に間隙がある場合は、重なり長さＧは負の値となる。
【0052】
上記構造について、基材１１の比誘電率ε＝３．４、誘電正接ｔａｎδ＝０．００４、誘電体層１３の比誘電率ε＝３．０２、誘電正接ｔａｎδ＝０．０２８、導電層の導電率は２×１０^７[Ｓｉｅｍｅｎｓ／ｍ]として行った計算結果を図１６及び図１７に示す。計算はパターン面への電磁波入射に対する反射強度から吸収量を求めたものである。
【0053】
図１６は、Ｌ＝１．０［ｍｍ］、ｗ＝０．３［ｍｍ］、ｔ＿ｍｅｔａｌ＝０．２［μｍ］、ｔ＿ｆｉｌｍ＝１００［μｍ］、ｄ＝１．６［μｍ］、ｄ２＝１０［μｍ］の時、重なり長さＧを０［ｍｍ］から０．３０［ｍｍ］まで変化させた場合の、周波数と吸収量の関係を示すグラフである。下層の単位パターン１５－１と上層の単位パターン１５－２の重なり長さＧが大きいほど、吸収周波数は低下するため、設計により重なり長さＧを調整することで所望の吸収周波数を持つ吸収体を得ることが出来る。
【0054】
金属パターンの面垂直方向の上下を考慮しなければ、面水平方向の繰り返しパターンの単位格子サイズはＬ－Ｇ＝０．７ｍｍ以上１．０ｍｍ以下となり、吸収ピーク波長に対し、最小で１／２０である。また、厚みは約１１２μｍであり、周波数ピークの波長に対し最小で１／１２０と、薄型化が実現できる。
【0055】
図１７は、Ｌ＝１．０［ｍｍ］、ｗ＝０．７［ｍｍ］、ｔ＿ｍｅｔａｌ＝０．２［μｍ］、ｔ＿ｆｉｌｍ＝１００［μｍ］、ｄ＝１．６［μｍ］、Ｇ＝０．１［ｍｍ］の時、ｄ２を５［μｍ］から２０［μｍ］に変化させた場合の、周波数と吸収量の関係を示すグラフである。下層の単位パターン１５－１と上層の単位パターン１５－２の間の誘電体層１３の厚みｄ２が小さいほど、吸収周波数は低下するため、設計によりｄ２を調整することで所望の吸収周波数を持つ吸収体を得ることが出来る。また、上層と下層の単位パターンの間を隔てる誘電体層１３の厚みｄ２にばらつきを持たせることにより、吸収体の吸収ピークをブロードにとることができる。ここでいう「ばらつき」は、製造ばらつき、プロセスばらつきの他に、設計で与えられたばらつきを含む。たとえば、インクジェット印刷による成膜時の着弾位置のばらつき、膜厚のばらつきは、ブロードな吸収特性に利用できる。設計で与えられるばらつきは、製造プロセスのばらつき量の制御を含む。例えば、ｄ２に１０［μｍ］から１５［μｍ］の範囲でばらつきを持たせた設計を行うことにより、およそ２４～３２［ＧＨｚ］に吸収をもつ吸収体を得ることができる。上層と下層の単位パターン間の誘電体層１３の厚みｄ２以外にも、単位パターンの大きさ、容量結合部の面積、基材１１の厚み、導電層の厚みについてもばらつきを与えることによりブロードな吸収を得ることができる。
【0056】
金属パターンの面垂直方向の上下を考慮しなければ、面水平方向の繰り返しパターンの単位格子サイズはＬ－Ｇ＝０．９ｍｍとなり、吸収ピーク波長に対し、最小で１／１９である。また、厚みは約１１２μｍであり、周波数ピークの波長に対し最小で１／１５０と、薄型化が実現できる。
【0057】
以上、実施形態の電磁波吸収／反射体を特定の構成例に基づいて説明したが、電磁波吸収／反射体の構成は上述した例に限定されない。矛盾がないかぎり、各構成例の特徴を互いに組み合わせてもよい。たとえば、図１５の評価用モデルを用いた図１６と図１７の計算結果は、第１実施形態から第３実施形態のいずれの構成にも当てはまる。誘電体層１３の厚み、単位パターン１５の大きさ、容量結合部の面積、基材１１の厚みの少なくとも１種について設計されたばらつきを持たせるで、ブロードな吸収特性を実現することができる。
【0058】
図１３の間隙５５２を利用した水平方向の容量結合部５２ｂを、電磁波吸収／反射体２０、３０、または４０に組み合わせてもよい。その場合に、印刷精度によっては間隙５５２が導通することを防ぐために、図１４のように間隙５５２に絶縁層１３１を設けてもよい。電磁波吸収／反射体２０、３０、４０、５０の積層方向の容量結合部の断面形状は、図４、図５のいずれを採用してもよいし、図６のように基材の裏面にグランド層１６を設けてもよい。電磁波吸収／反射体２０、３０、４０、５０の単位パターン２５、３５、４５、５５の形状は矩形に限定されず、円形（真円、楕円を含む）、矩形以外の多角形（例えば三角形、六角形、十字型など）であってもよい。単位パターン２５、３５、４５、５５の形状を六角形とした場合、複数の単位パターンの周期的な配列としてハニカム状に配列することができる。
【0059】
実施形態の電磁波吸収／反射体を平面状、または曲面状のアレイアンテナに適用する場合は、各単位パターンに給電点を設ける。給電点は、対応する単位パターンとインピーダンス整合する位置に設けられる。一般的に、二次元アレイアンテナの発振周波数（共振周波数）は、導電体パターンのサイズ（一辺の長さ）と、パターン間隔で決まり、数ＧＨｚ以下の低周波では、導電体パターンが大型化する。これに対し、実施形態の容量結合構成を用いることで、導電体パターンのサイズを増大させずに、数ＧＨｚ以下の電波の放射と受信に対応することができる。
【0060】
電磁波吸収／反射体の製造工程では、導電体の単位パターンの少なくとも一部を印刷法で形成する。導電性の材料として導電インクを用いて、容量結合部を構成するアームをインクジェット法で形成してもよい。また、誘電体層１３の少なくとも一部を印刷法で形成する。誘電体層１３のうち、容量結合部を構成する部分を、ポリイミド系等の絶縁性インクを用いてインクジェット法で形成してもよい。
【0061】
いずれの場合も、隣接する単位パターンの間の重なり合いの程度（重なり合わない間隙５５２を含む）、または誘電体層の厚さを制御することで、単位パターンの間に、薄膜構造の所望の容量結合を形成することができる。これにより、ターゲットの周波数を低周波側にシフトさせ、単位パターンの大型化が抑制された薄型の電磁波吸収／反射体を実現できる。
【0062】
電磁波吸収／反射体は、たとえば電磁波吸収シートとして、スマートフォンの筐体に適用できる。基材の裏面（グランド層側）に接着層を設けて、筐体の内部に貼り付ける構成にしてもよい。単位パターンのサイズが抑制されているので、小型のスマートフォンや携帯電話などの電子機器の内部への導入が容易である。
【0063】
以上の開示は、以下の態様をとり得る。
（項１）
基材と、
前記基材の表面に周期的に設けられた導電体の単位パターンと、
を有し、前記単位パターンの一部は、隣接する単位パターンの一部と、間に誘電体層を挟んで前記基材の積層方向に重なり合っている、
電磁波吸収／反射体。
（項２）
前記単位パターンは、前記隣接する単位パターンに向かって延びるアームを有し、前記アームが前記誘電体層を挟んで前記隣接する単位パターンのアームと前記積層方向に重なり合って容量結合部が形成されている、
項１に記載の電磁波吸収／反射体。
（項３）
前記容量結合部は、第１の面積で前記積層方向に重なり合う第１の容量結合部と、前記第１の面積と異なる第２の面積で前記積層方向に重なり合う第２の容量結合部とを含む、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項４）
前記容量結合部は、前記積層方向に重なり合う第１の容量結合部と、隣接する２つの単位パターンを面内方向に分離する間隙に形成される第２の容量結合部と、を含む、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項５）
前記第２の容量結合部は前記間隙に絶縁層を含む、
項４に記載の電磁波吸収／反射体。
（項６）
前記アームは、前記隣接する単位パターンのアームと長さ方向で重なり合う、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項７）
前記アームは、前記隣接する単位パターンのアームと幅方向で重なり合う、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項８）
前記アームは前記アームの幅が広がった幅広部を有し、前記アームは前記隣接する単位パターンのアームと前記幅広部で重なり合う、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項９）
前記容量結合部は導電性インクで形成されている、
項２から８のいずれかに記載の電磁波吸収／反射体。
（項１０）
前記誘電体層の厚み、前記単位パターンの大きさ、前記容量結合部の面積、前記基材の厚みの少なくとも１種に設計されたばらつきをもっている、
項２から９のいずれかに記載の電磁波吸収／反射体。
（項１１）
基材と、
前記基材の表面に第１導電体で形成される第１グループの単位パターンと、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層と、
前記誘電体層の上に設けられ、前記誘電体層を間に挟んで前記第１グループの単位パターンと積層方向に重なり合わないように第２導電体で形成される第２グループの単位パターンと、
を有する電磁波吸収／反射体。
（項１２）
項１から１１のいずれか記載の電磁波吸収／反射体と、
前記単位パターンに設けられた給電点と、
を有するアンテナ。
（項１３）
基材の表面に、第１グループの単位パターンを導電体で形成し、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に、前記誘電体層を間に挟んで、前記第１グループの単位パターンの前記一部と積層方向に重なり合うように第２グループの単位パターンを導電体で形成する、
電磁波吸収／反射体の製造方法。
（項１４）
前記誘電体層の厚み、前記第１グループの単位パターンの大きさ、前記第２グループの単位パターンの大きさ、前記積層方向に重なり合う領域の面積、前記基材の厚みの少なくとも１種についてばらつきを持たせる、
項１３に記載の電磁波吸収／反射体の製造方法。
（項１５）
基材の表面に、第１グループの単位パターンを導電体で形成し、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に、前記誘電体層を間に挟んで、前記第１グループの単位パターンの
前記一部と積層方向に重なり合わないように第２グループの単位パターンを導電体で形成する、
電磁波吸収／反射体の製造方法。
（項１）
基材と、
前記基材の表面に周期的に設けられた導電体の単位パターンと、
を有し、前記単位パターンの一部は、隣接する単位パターンの一部と、間に誘電体層を挟んで前記基材の積層方向に重なり合っている、
電磁波吸収／反射体。
（項２）
前記単位パターンは、前記隣接する単位パターンに向かって延びるアームを有し、前記アームが前記誘電体層を挟んで前記隣接する単位パターンのアームと前記積層方向に重なり合って容量結合部が形成されている、
項１に記載の電磁波吸収／反射体。
（項３）
前記容量結合部は、第１の面積で前記積層方向に重なり合う第１の容量結合部と、前記第１の面積と異なる第２の面積で前記積層方向に重なり合う第２の容量結合部とを含む、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項４）
前記容量結合部は、前記積層方向に重なり合う第１の容量結合部と、隣接する２つの単位パターンを面内方向に分離する間隙に形成される第２の容量結合部と、を含む、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項５）
前記第２の容量結合部は前記間隙に絶縁層を含む、
項４に記載の電磁波吸収／反射体。
（項６）
前記アームは、前記隣接する単位パターンのアームと長さ方向で重なり合う、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項７）
前記アームは、前記隣接する単位パターンのアームと幅方向で重なり合う、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項８）
前記アームは前記アームの幅が広がった幅広部を有し、前記アームは前記隣接する単位パターンのアームと前記幅広部で重なり合う、
項２に記載の電磁波吸収／反射体。
（項９）
前記容量結合部は導電性インクで形成されている、
項２から８のいずれかに記載の電磁波吸収／反射体。
（項１０）
前記誘電体層の厚み、前記単位パターンの大きさ、前記容量結合部の面積、前記基材の厚みの少なくとも１種に設計されたばらつきをもっている、
項２から９のいずれかに記載の電磁波吸収／反射体。
（項１１）
基材と、
前記基材の表面に第１導電体で形成される第１グループの単位パターンと、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層と、
前記誘電体層の上に設けられ、前記誘電体層を間に挟んで前記第１グループの単位パターンと積層方向に重なり合わないように第２導電体で形成される第２グループの単位パターンと、
を有する電磁波吸収／反射体。
（項１２）
項１から１１のいずれか記載の電磁波吸収／反射体と、
前記単位パターンに設けられた給電点と、
を有するアンテナ。
（項１３）
基材の表面に、第１グループの単位パターンを導電体で形成し、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に、前記誘電体層を間に挟んで、前記第１グループの単位パターンの前記一部と積層方向に重なり合うように第２グループの単位パターンを導電体で形成する、
電磁波吸収／反射体の製造方法。
（項１４）
前記誘電体層の厚み、前記第１グループの単位パターンの大きさ、前記第２グループの単位パターンの大きさ、前記積層方向に重なり合う領域の面積、前記基材の厚みの少なくとも１種についてばらつきを持たせる、
項１３に記載の電磁波吸収／反射体の製造方法。
（項１５）
基材の表面に、第１グループの単位パターンを導電体で形成し、
前記第１グループの単位パターンの少なくとも一部を覆う誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に、前記誘電体層を間に挟んで、前記第１グループの単位パターンの
前記一部と積層方向に重なり合わないように第２グループの単位パターンを導電体で形成する、
電磁波吸収／反射体の製造方法。
【符号の説明】
【0064】
１０、１０Ａ～１０Ｅ、２０、３０、４０、５０ 電磁波吸収／反射体
１１、２１、３１、４１、５１ 基材
１２、２２、３２、４２ａ～４２ｃ、５２ａ、５２ｂ 容量結合部
１３ 誘電体層
１３１ 絶縁層
１５、１５－１、１５－２、２５、３５、４５、５５ 単位パターン
１５１、２５１、３５１、４５１、４５２、５５１ アーム
５５２ 間隙
１１、２１、３１、４１、５１ 基材
１２、２２、３２、４２ａ～４２ｃ、５２ａ、５２ｂ 容量結合部
１３ 誘電体層
１３１ 絶縁層
１５、１５－１、１５－２、２５、３５、４５、５５ 単位パターン
１５１、２５１、３５１、４５１、４５２、５５１ アーム
５５２ 間隙
【先行技術文献】
【特許文献】
【0065】
【特許文献1】特許第４９２６０９９号公報
【非特許文献】
【0066】
【非特許文献1】Bui Xuan Khuyen, et al., "Ultra-subwavelength thickness for dual/triple-band methamaterial absorber at very low frequency", Sci Rep. (2018) 8(1):11632
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】