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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023142410
(43)【公開日】2023-10-05
(54)【発明の名称】極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20230928BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20230928BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022049319
(22)【出願日】2022-03-25
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105212
【弁理士】
【氏名又は名称】保坂 延寿
(72)【発明者】
【氏名】本田 能之
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197GA01
2H197GA05
2H197GA12
2H197GA24
4C092AA06
4C092AA15
4C092AB21
4C092AC09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】極端紫外光生成装置を提供する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、プラズマ生成領域２５を含むチャンバと、プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３であって、プラズマ生成領域から拡散するイオンのプラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に反射面が収まるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】極端紫外光生成装置は、プラズマ生成領域２５を含むチャンバと、プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３であって、プラズマ生成領域から拡散するイオンのプラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に反射面が収まるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プラズマ生成領域を含むチャンバと、
前記プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
前記プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーであって、前記プラズマ生成領域から拡散するイオンの前記プラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、前記イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に前記反射面が収まるように配置された、前記ＥＵＶ集光ミラーと、
を備える、極端紫外光生成装置。
前記プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
前記プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーであって、前記プラズマ生成領域から拡散するイオンの前記プラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、前記イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に前記反射面が収まるように配置された、前記ＥＵＶ集光ミラーと、
を備える、極端紫外光生成装置。
【請求項2】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置と、
前記プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに照射される前記パルスレーザ光を出力するメインパルスレーザ装置と、
をさらに備え、
前記レーザ光集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に前記プリパルスレーザ光及び前記パルスレーザ光の両方を集光する、
極端紫外光生成装置。
前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置と、
前記プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに照射される前記パルスレーザ光を出力するメインパルスレーザ装置と、
をさらに備え、
前記レーザ光集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に前記プリパルスレーザ光及び前記パルスレーザ光の両方を集光する、
極端紫外光生成装置。
【請求項3】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プリパルスレーザ光のフルーエンスは、０．１Ｊ／ｃｍ２以上１００Ｊ／ｃｍ２以下であり、
前記プリパルスレーザ光のパルス幅は、１ｐｓ以上１００ｎｓ以下であり、
前記パルスレーザ光のフルーエンスは、１０Ｊ／ｃｍ２以上３０００Ｊ／ｃｍ２以下であり、
前記パルスレーザ光のパルス幅は、１ｎｓ以上１００ｎｓ以下である、
極端紫外光生成装置。
前記プリパルスレーザ光のフルーエンスは、０．１Ｊ／ｃｍ２以上１００Ｊ／ｃｍ２以下であり、
前記プリパルスレーザ光のパルス幅は、１ｐｓ以上１００ｎｓ以下であり、
前記パルスレーザ光のフルーエンスは、１０Ｊ／ｃｍ２以上３０００Ｊ／ｃｍ２以下であり、
前記パルスレーザ光のパルス幅は、１ｎｓ以上１００ｎｓ以下である、
極端紫外光生成装置。
【請求項4】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プリパルスレーザ光のフルーエンスは、１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下であり、
前記プリパルスレーザ光のパルス幅は、１ｐｓ以上１００ｎｓ以下であり、
前記パルスレーザ光のフルーエンスは、１００Ｊ／ｃｍ２以上２０００Ｊ／ｃｍ２以下であり、
前記パルスレーザ光のパルス幅は、４ｎｓ以上２０ｎｓ以下である、
極端紫外光生成装置。
前記プリパルスレーザ光のフルーエンスは、１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下であり、
前記プリパルスレーザ光のパルス幅は、１ｐｓ以上１００ｎｓ以下であり、
前記パルスレーザ光のフルーエンスは、１００Ｊ／ｃｍ２以上２０００Ｊ／ｃｍ２以下であり、
前記パルスレーザ光のパルス幅は、４ｎｓ以上２０ｎｓ以下である、
極端紫外光生成装置。
【請求項5】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記平均値は、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する０°から１８０°までの間の複数の角度の各々について計測された前記イオンエネルギーの平均である、
極端紫外光生成装置。
前記平均値は、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する０°から１８０°までの間の複数の角度の各々について計測された前記イオンエネルギーの平均である、
極端紫外光生成装置。
【請求項6】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記レーザ光集光ミラーは、前記パルスレーザ光が前記ＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して前記プラズマ生成領域に集光されるように配置された、
極端紫外光生成装置。
前記レーザ光集光ミラーは、前記パルスレーザ光が前記ＥＵＶ集光ミラーの外側を通過して前記プラズマ生成領域に集光されるように配置された、
極端紫外光生成装置。
【請求項7】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲットはスズを含み、
前記パルスレーザ光のパルス幅は３．６ｎｓ以上４．４ｎｓ以下の範囲内であり、
前記角度範囲は、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が９０°より大きく１８０°以下となる範囲である、
極端紫外光生成装置。
前記ターゲットはスズを含み、
前記パルスレーザ光のパルス幅は３．６ｎｓ以上４．４ｎｓ以下の範囲内であり、
前記角度範囲は、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が９０°より大きく１８０°以下となる範囲である、
極端紫外光生成装置。
【請求項8】
請求項７に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が９５°となる位置から１５０°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が９５°となる位置から１５０°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
【請求項9】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記平均値の９０％未満となる角度範囲に前記反射面が収まるように配置された、
極端紫外光生成装置。
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記平均値の９０％未満となる角度範囲に前記反射面が収まるように配置された、
極端紫外光生成装置。
【請求項10】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲットはスズを含み、
前記パルスレーザ光のパルス幅は３．６ｎｓ以上４．４ｎｓ以下の範囲内であり、
前記角度範囲は、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が１２５°より大きく１８０°以下となる範囲である、
極端紫外光生成装置。
前記ターゲットはスズを含み、
前記パルスレーザ光のパルス幅は３．６ｎｓ以上４．４ｎｓ以下の範囲内であり、
前記角度範囲は、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が１２５°より大きく１８０°以下となる範囲である、
極端紫外光生成装置。
【請求項11】
請求項１０に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が１３０°となる位置から１６５°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が１３０°となる位置から１６５°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
【請求項12】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲットはスズを含み、
前記パルスレーザ光のパルス幅は１８ｎｓ以上２２ｎｓ以下の範囲内であり、
前記角度範囲は、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きく１２７°より小さい範囲である、
極端紫外光生成装置。
前記ターゲットはスズを含み、
前記パルスレーザ光のパルス幅は１８ｎｓ以上２２ｎｓ以下の範囲内であり、
前記角度範囲は、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きく１２７°より小さい範囲である、
極端紫外光生成装置。
【請求項13】
請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が４０°となる位置から８０°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が４０°となる位置から８０°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
【請求項14】
請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が３５°となる位置から１００°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が３５°となる位置から１００°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
【請求項15】
請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、
前記パルスレーザ光が通過する貫通孔を有し、
前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きくなる位置に前記貫通孔の外縁が配置された、
極端紫外光生成装置。
前記ＥＵＶ集光ミラーは、
前記パルスレーザ光が通過する貫通孔を有し、
前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きくなる位置に前記貫通孔の外縁が配置された、
極端紫外光生成装置。
【請求項16】
請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、
前記パルスレーザ光が通過する貫通孔を有し、
前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が２５°となる位置から８０°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
前記ＥＵＶ集光ミラーは、
前記パルスレーザ光が通過する貫通孔を有し、
前記プラズマ生成領域に入射する前記パルスレーザ光の進行方向と逆の方向に対する角度が２５°となる位置から８０°となる位置まで前記反射面が及ぶように配置された、
極端紫外光生成装置。
【請求項17】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記イオンエネルギーは、前記所定距離の位置における最大イオンエネルギーである、
極端紫外光生成装置。
前記イオンエネルギーは、前記所定距離の位置における最大イオンエネルギーである、
極端紫外光生成装置。
【請求項18】
請求項１７に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記最大イオンエネルギーは、前記所定距離の位置において検出された検出イオンエネルギーと検出イオン個数との関係から、単位面積当たりのイオン個数が１個である場合に対応するイオンエネルギーとしてカーブフィッティングにより算出されたエネルギーである、
極端紫外光生成装置。
前記最大イオンエネルギーは、前記所定距離の位置において検出された検出イオンエネルギーと検出イオン個数との関係から、単位面積当たりのイオン個数が１個である場合に対応するイオンエネルギーとしてカーブフィッティングにより算出されたエネルギーである、
極端紫外光生成装置。
【請求項19】
電子デバイスの製造方法であって、
プラズマ生成領域を含むチャンバと、
前記プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
前記プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーであって、前記プラズマ生成領域から拡散するイオンの前記プラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、前記イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に前記反射面が収まるように配置された、前記ＥＵＶ集光ミラーと、
を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
プラズマ生成領域を含むチャンバと、
前記プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
前記プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーであって、前記プラズマ生成領域から拡散するイオンの前記プラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、前記イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に前記反射面が収まるように配置された、前記ＥＵＶ集光ミラーと、
を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項20】
電子デバイスの製造方法であって、
プラズマ生成領域を含むチャンバと、
前記プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
前記プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーであって、前記プラズマ生成領域から拡散するイオンの前記プラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、前記イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に前記反射面が収まるように配置された、前記ＥＵＶ集光ミラーと、
を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
プラズマ生成領域を含むチャンバと、
前記プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、
前記プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーであって、前記プラズマ生成領域から拡散するイオンの前記プラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、前記イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に前記反射面が収まるように配置された、前記ＥＵＶ集光ミラーと、
を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するＥＵＶ光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０１０／０７８５７９号明細書
【概要】
【0005】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、プラズマ生成領域を含むチャンバと、プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーであって、プラズマ生成領域から拡散するイオンのプラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に反射面が収まるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、を備える。
【0006】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、プラズマ生成領域を含むチャンバと、プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーであって、プラズマ生成領域から拡散するイオンのプラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に反射面が収まるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
【0007】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、プラズマ生成領域を含むチャンバと、プラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、プラズマ生成領域にパルスレーザ光を集光するレーザ光集光ミラーと、プラズマ生成領域から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ集光ミラーであって、プラズマ生成領域から拡散するイオンのプラズマ生成領域から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、イオンエネルギーの平均値未満となる角度範囲に反射面が収まるように配置されたＥＵＶ集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
＜内容＞
１．比較例
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例の課題
３．９０°～１８０°の角度範囲に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３
３．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
３．２ イオンエネルギーの空間的分布
３．３ イオンエネルギーの空間的分布が発生する原因
３．４ 作用
４．１２５°～１８０°の角度範囲に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３
４．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
４．２ イオンエネルギーの空間的分布
４．３ 作用
５．２１°～１２７°の角度範囲に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３
５．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
５．２ イオンエネルギーの空間的分布
５．３ イオンエネルギーの空間的分布が発生する原因
５．４ 作用
６．２１°の角度範囲を取り囲む貫通孔２４を有するＥＵＶ集光ミラー２３
６．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
６．２ 作用
７．その他
７．１ イオンエネルギーの計測
７．１．１ イオン検出器の配置
７．１．２ イオンエネルギーの計算方法
７．１．３ 作用
７．２ ＥＵＶ光利用装置６の例
７．３ 補足
１．比較例
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例の課題
３．９０°～１８０°の角度範囲に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３
３．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
３．２ イオンエネルギーの空間的分布
３．３ イオンエネルギーの空間的分布が発生する原因
３．４ 作用
４．１２５°～１８０°の角度範囲に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３
４．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
４．２ イオンエネルギーの空間的分布
４．３ 作用
５．２１°～１２７°の角度範囲に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３
５．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
５．２ イオンエネルギーの空間的分布
５．３ イオンエネルギーの空間的分布が発生する原因
５．４ 作用
６．２１°の角度範囲を取り囲む貫通孔２４を有するＥＵＶ集光ミラー２３
６．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
６．２ 作用
７．その他
７．１ イオンエネルギーの計測
７．１．１ イオン検出器の配置
７．１．２ イオンエネルギーの計算方法
７．１．３ 作用
７．２ ＥＵＶ光利用装置６の例
７．３ 補足
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．比較例
１．１ 構成
図１に、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。
１．１ 構成
図１に、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３とともに用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。
【0012】
レーザシステム３は、パルスレーザ光３１を出力するメインパルスレーザ装置ＭＰＬの他に、図示しないプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置ＰＰＬを含む。パルスレーザ光３１をメインパルスレーザ光ともいう。
【0013】
ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
【0014】
チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
第１の焦点から第２の焦点へ向かう方向をＺ方向とする。Ｚ方向に垂直なターゲット２７の進行方向をＹ方向とする。Ｙ方向とＺ方向との両方に垂直な方向をＸ方向とする。
第１の焦点から第２の焦点へ向かう方向をＺ方向とする。Ｚ方向に垂直なターゲット２７の進行方向をＹ方向とする。Ｙ方向とＺ方向との両方に垂直な方向をＸ方向とする。
【0015】
ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。
【0016】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部とＥＵＶ光利用装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。ＥＵＶ光利用装置６の例については、図１９及び図２０を参照しながら後述する。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。
【0017】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。
【0018】
１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。プリパルスレーザ光は、レーザ光伝送装置３４によってパルスレーザ光３２と光路を共通化され、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３より前にターゲット２７に照射される。あるいは、プリパルスレーザ光は、パルスレーザ光３３とは別の光路を通ってターゲット２７に照射されてもよい。
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。プリパルスレーザ光は、レーザ光伝送装置３４によってパルスレーザ光３２と光路を共通化され、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３より前にターゲット２７に照射される。あるいは、プリパルスレーザ光は、パルスレーザ光３３とは別の光路を通ってターゲット２７に照射されてもよい。
【0019】
パルスレーザ光３３及びプリパルスレーザ光の波長は、ＹＡＧ（yttrium aluminum garnet）レーザによる１．０６μｍが適するが、ＹＡＧレーザの第３高調波による３５５ｎｍ、ＹＡＧレーザの第２高調波による５３２ｎｍ、ＹＬＦ（yttrium lithium fluoride）レーザによる１．３μｍ、あるいはＣＯ２レーザによる１０．６μｍでもよい。
【0020】
プリパルスレーザ光のフルーエンスはターゲット２７への照射位置において０．１Ｊ／ｃｍ２以上１００Ｊ／ｃｍ２以下であり、パルス幅は１ｐｓ以上１００ｎｓ以下である。パルスレーザ光３３のフルーエンスはターゲット２７への照射位置において１０Ｊ／ｃｍ２以上３０００Ｊ／ｃｍ２以下であり、パルス幅は１ｎｓ以上１００ｎｓ以下である。
【0021】
プリパルスレーザ光のフルーエンスは、１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下であることがより望ましい。パルスレーザ光３３のフルーエンスは、１００Ｊ／ｃｍ２以上２０００Ｊ／ｃｍ２以下であることがより望ましい。パルスレーザ光３３のパルス幅は、４ｎｓ以上２０ｎｓ以下であることがより望ましい。
【0022】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、ＥＵＶ光利用装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【0023】
プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザシステム３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【0024】
２．比較例の課題
図２は、比較例におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。プラズマ生成領域２５へ向かうパルスレーザ光３３の進行方向と反対の方向を０°とする。０°の方向に対する角度が１５、３０、４５、・・・、１８０の各数値で示されている。
ＥＵＶ集光ミラー２３は、その貫通孔２４が０°の方向に位置するように配置される。反射面２３ａの第１の焦点はプラズマ生成領域２５に位置し、第２の焦点である反射光２５２の中間集光点２９２は１８０°の方向に位置する。
図２は、比較例におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。プラズマ生成領域２５へ向かうパルスレーザ光３３の進行方向と反対の方向を０°とする。０°の方向に対する角度が１５、３０、４５、・・・、１８０の各数値で示されている。
ＥＵＶ集光ミラー２３は、その貫通孔２４が０°の方向に位置するように配置される。反射面２３ａの第１の焦点はプラズマ生成領域２５に位置し、第２の焦点である反射光２５２の中間集光点２９２は１８０°の方向に位置する。
【0025】
図２は、さらに、比較例におけるイオンエネルギーの空間的分布についての極座標グラフを重ねて示す。プラズマ生成領域２５を原点とし、原点から各方向の太い破線までの距離が、プラズマ生成領域２５から所定距離の位置におけるターゲット物質のイオンエネルギーの高さに対応する。イオンエネルギーの高さはプラズマ生成領域２５を中心とした細い破線の同心円に付された２、４、６、・・・、１４の各数値で示され、単位はｋｅＶである。イオンエネルギーの計測方法については図１６～図１８を参照しながら後述する。
【0026】
イオンエネルギーの空間的分布はパルスレーザ光３３の光路軸に対してほぼ軸対称である。この空間的分布のうち、０°から９０°までの角度範囲では、９０°から１８０°までの角度範囲よりもイオンエネルギーが高い。比較例においてはＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａが０°から９０°までのイオンエネルギーが高い角度範囲に位置している。ＥＵＶ集光ミラー２３は、高いイオンエネルギーを有するターゲット物質のイオンによって汚染され、あるいは劣化し、あるいは短寿命化する可能性がある。
【0027】
３．９０°～１８０°の角度範囲に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３
３．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
図３は、第１の実施形態におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。図２においてはパルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４を通過してプラズマ生成領域２５に集光されるのに対し、図３においてはパルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３の外側を通過してプラズマ生成領域２５に集光される。中間集光点２９２から見た反射面２３ａの外縁はほぼ円形である。イオンエネルギーの空間的分布については図２と同様である。
３．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
図３は、第１の実施形態におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。図２においてはパルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４を通過してプラズマ生成領域２５に集光されるのに対し、図３においてはパルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３の外側を通過してプラズマ生成領域２５に集光される。中間集光点２９２から見た反射面２３ａの外縁はほぼ円形である。イオンエネルギーの空間的分布については図２と同様である。
【0028】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が９０°より大きく１８０°以下となる角度範囲に反射面２３ａの全体が収まるように配置される。すなわち、０°以上９０°以下の角度範囲には反射面２３ａの全部又は一部が配置されないことが望ましい。
また、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３が通過する１８０°の位置にはＥＵＶ集光ミラー２３を配置しないことが望ましい。プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外側を通過して図示しないレーザダンパに入射する。
また、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３が通過する１８０°の位置にはＥＵＶ集光ミラー２３を配置しないことが望ましい。プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外側を通過して図示しないレーザダンパに入射する。
【0029】
但し、反射面２３ａが位置する角度範囲が狭すぎると中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の光量が不十分となり得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、上記角度が９５°となる位置から１５０°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置されることが望ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、９０°より大きく１８０°以下となる角度範囲内であれば、９５°以上１５０°以下の角度範囲外に及んでもよい。
【0030】
３．２ イオンエネルギーの空間的分布
図４は、パルスレーザ光３３のパルス幅を４ｎｓとした場合のイオンエネルギーの空間的分布を示すグラフである。図４における白抜きの円はいくつかの方向における計測結果を示し、太い破線は計測結果から導かれた近似直線を示す。図２及び図３に示されるイオンエネルギーの空間的分布は、図４を極座標グラフに書き換えたものに相当する。
図４は、パルスレーザ光３３のパルス幅を４ｎｓとした場合のイオンエネルギーの空間的分布を示すグラフである。図４における白抜きの円はいくつかの方向における計測結果を示し、太い破線は計測結果から導かれた近似直線を示す。図２及び図３に示されるイオンエネルギーの空間的分布は、図４を極座標グラフに書き換えたものに相当する。
【0031】
図４において、角度０°から１８０°までの間の複数の角度の各々について計測されたターゲット物質のイオンエネルギーの平均値をＥａｖｇとする。ターゲット物質は例えばスズである。９０°より大きく１８０°以下となる角度範囲において、イオンエネルギーは平均値Ｅａｖｇ未満となる。平均値Ｅａｖｇ未満となる角度範囲に反射面２３ａが収まるようにＥＵＶ集光ミラー２３を配置することで、ターゲット物質のイオンによる反射面２３ａの汚染を抑制し得る。パルスレーザ光３３のパルス幅は４ｎｓに限らず、３．６ｎｓ以上４．４ｎｓ以下の範囲内であれば同様の結果となる。
【0032】
３．３ イオンエネルギーの空間的分布が発生する原因
図５は、プリパルスレーザ光３３ａがターゲット２７に照射される様子を示す。ターゲット２７はプリパルスレーザ光３３ａのエネルギーによって拡散又は膨張し、図６に示される二次ターゲット２７ａとなる。
図５は、プリパルスレーザ光３３ａがターゲット２７に照射される様子を示す。ターゲット２７はプリパルスレーザ光３３ａのエネルギーによって拡散又は膨張し、図６に示される二次ターゲット２７ａとなる。
【0033】
図６は、パルスレーザ光３３が二次ターゲット２７ａに照射される様子を示す。パルスレーザ光３３のパルス幅を４ｎｓとする。
【0034】
図７は、パルスレーザ光３３が照射された二次ターゲット２７ａからターゲット物質のイオンＩＯＮが拡散する様子を示す。第１の実施形態におけるパルスレーザ光３３はパルス幅が４ｎｓと短く、光強度が高いため二次ターゲット２７ａの一部を急激に加熱する。その結果、二次ターゲット２７ａの一部に、高エネルギーの粒子を含み密度の低い領域２７ｂが生成される。領域２７ｂからはターゲット物質のイオンＩＯＮが放射される。密度の低い領域２７ｂがパルスレーザ光３３の上流側、すなわち図７の－Ｚ側に偏っている場合、イオンＩＯＮは－Ｚ方向に多く放射される。図２～図４に示されるイオンエネルギーの空間的分布が発生する原因は以上の通りであると推定される。
【0035】
３．４ 作用
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５を含むチャンバ２と、ターゲット供給部２６と、レーザ光集光ミラー２２と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、を備える。ターゲット供給部２６は、プラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給する。レーザ光集光ミラー２２は、プラズマ生成領域２５にパルスレーザ光３３を集光する。ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面２３ａを有し、プラズマ生成領域２５から拡散するイオンのプラズマ生成領域２５から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、イオンエネルギーの平均値Ｅａｖｇ未満となる角度範囲に反射面２３ａが収まるように配置される。
これによれば、イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａが収まっているので、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５を含むチャンバ２と、ターゲット供給部２６と、レーザ光集光ミラー２２と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、を備える。ターゲット供給部２６は、プラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給する。レーザ光集光ミラー２２は、プラズマ生成領域２５にパルスレーザ光３３を集光する。ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５から放射されるＥＵＶ光を反射する反射面２３ａを有し、プラズマ生成領域２５から拡散するイオンのプラズマ生成領域２５から所定距離の位置におけるイオンエネルギーの空間的分布のうち、イオンエネルギーの平均値Ｅａｖｇ未満となる角度範囲に反射面２３ａが収まるように配置される。
これによれば、イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａが収まっているので、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
【0036】
（２）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置ＰＰＬと、プリパルスレーザ光が照射されたターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３を出力するメインパルスレーザ装置ＭＰＬと、をさらに備える。レーザ光集光ミラー２２は、プラズマ生成領域２５にプリパルスレーザ光及びパルスレーザ光３３の両方を集光する。
これによれば、プリパルスレーザ光とパルスレーザ光３３とを同じ方向からターゲット２７に照射するので、二次ターゲット２７ａの形状の回転対称軸とパルスレーザ光３３の光路軸とが一致し、イオンの拡散方向を安定化し得る。また、プリパルスレーザ光の光路軸とパルスレーザ光３３の光路軸とを一致させ、これらの光をターゲット２７に照射するためのレーザ光集光ミラー２２を含む光学系を共通化することで、これらの光のポインティング精度が向上し、イオンの拡散方向を安定化し得る。
これによれば、プリパルスレーザ光とパルスレーザ光３３とを同じ方向からターゲット２７に照射するので、二次ターゲット２７ａの形状の回転対称軸とパルスレーザ光３３の光路軸とが一致し、イオンの拡散方向を安定化し得る。また、プリパルスレーザ光の光路軸とパルスレーザ光３３の光路軸とを一致させ、これらの光をターゲット２７に照射するためのレーザ光集光ミラー２２を含む光学系を共通化することで、これらの光のポインティング精度が向上し、イオンの拡散方向を安定化し得る。
【0037】
（３）第１の実施形態によれば、プリパルスレーザ光のフルーエンスは０．１Ｊ／ｃｍ２以上１００Ｊ／ｃｍ２以下であり、パルス幅は１ｐｓ以上１００ｎｓ以下である。パルスレーザ光３３のフルーエンスは１０Ｊ／ｃｍ２以上３０００Ｊ／ｃｍ２以下であり、パルス幅は１ｎｓ以上１００ｎｓ以下である。
これによれば、プリパルスレーザ光によりターゲット２７を拡散又は膨張させて好ましい密度となった二次ターゲット２７ａにパルスレーザ光３３を照射することで、効率的にＥＵＶ光を生成し得る。
これによれば、プリパルスレーザ光によりターゲット２７を拡散又は膨張させて好ましい密度となった二次ターゲット２７ａにパルスレーザ光３３を照射することで、効率的にＥＵＶ光を生成し得る。
【0038】
（４）プリパルスレーザ光のフルーエンスは１Ｊ／ｃｍ２以上２０Ｊ／ｃｍ２以下であることがより望ましく、パルス幅は１ｐｓ以上１００ｎｓ以下であることがより望ましい。パルスレーザ光３３のフルーエンスは１００Ｊ／ｃｍ２以上２０００Ｊ／ｃｍ２以下であることがより望ましく、パルス幅は４ｎｓ以上２０ｎｓ以下であることがより望ましい。
これによれば、さらに効率的にＥＵＶ光を生成し得る。
これによれば、さらに効率的にＥＵＶ光を生成し得る。
【0039】
（５）第１の実施形態において、平均値Ｅａｖｇは、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する０°から１８０°までの間の複数の角度の各々について計測されたイオンエネルギーの平均である。
これによれば、イオンエネルギーの空間的分布がパルスレーザ光３３の光路軸周りに軸対称であるとみなすことで、ＥＵＶ光生成装置１の設計を単純化することができる。
これによれば、イオンエネルギーの空間的分布がパルスレーザ光３３の光路軸周りに軸対称であるとみなすことで、ＥＵＶ光生成装置１の設計を単純化することができる。
【0040】
（６）第１の実施形態によれば、レーザ光集光ミラー２２は、パルスレーザ光３３がＥＵＶ集光ミラー２３の外側を通過してプラズマ生成領域２５に集光されるように配置される。
これによれば、ＥＵＶ集光ミラー２３にパルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４を形成する必要がないので、集光効率を向上し、ＥＵＶ集光ミラー２３を小型化し得る。
これによれば、ＥＵＶ集光ミラー２３にパルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４を形成する必要がないので、集光効率を向上し、ＥＵＶ集光ミラー２３を小型化し得る。
【0041】
（７）第１の実施形態によれば、ターゲット２７はスズを含み、パルスレーザ光３３のパルス幅は３．６ｎｓ以上４．４ｎｓ以下の範囲内である。反射面２３ａが収まるべき角度範囲は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が９０°より大きく１８０°以下となる範囲である。
これによれば、イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａを収めることができ、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
これによれば、イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａを収めることができ、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
【0042】
（８）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が９５°となる位置から１５０°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置される。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲を広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲を広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
【0043】
４．１２５°～１８０°の角度範囲に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３
４．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
図８は、第２の実施形態におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。中間集光点２９２から見た反射面２３ａの外縁はほぼ円形である。イオンエネルギーの空間的分布については図２及び図３と同様である。
４．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
図８は、第２の実施形態におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。中間集光点２９２から見た反射面２３ａの外縁はほぼ円形である。イオンエネルギーの空間的分布については図２及び図３と同様である。
【0044】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が１２５°より大きく１８０°以下となる角度範囲に反射面２３ａの全体が収まるように配置される。すなわち、０°以上１２５°以下の角度範囲には反射面２３ａの全部又は一部が配置されないことが望ましい。
【0045】
但し、反射面２３ａが位置する角度範囲が狭すぎると中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の光量が不十分となり得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、上記角度が１３０°となる位置から１６５°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置されることが望ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、１２５°より大きく１８０°以下となる角度範囲内であれば、１３０°以上１６５°以下の角度範囲外に及んでもよい。
【0046】
４．２ イオンエネルギーの空間的分布
図４を再び参照し、１２５°より大きく１８０°以下となる角度範囲においてイオンエネルギーは平均値Ｅａｖｇの９０％未満となる。平均値Ｅａｖｇの９０％未満となる角度範囲に反射面２３ａが収まるようにＥＵＶ集光ミラー２３を配置することで、ターゲット物質のイオンによる反射面２３ａの汚染をさらに抑制し得る。
図４を再び参照し、１２５°より大きく１８０°以下となる角度範囲においてイオンエネルギーは平均値Ｅａｖｇの９０％未満となる。平均値Ｅａｖｇの９０％未満となる角度範囲に反射面２３ａが収まるようにＥＵＶ集光ミラー２３を配置することで、ターゲット物質のイオンによる反射面２３ａの汚染をさらに抑制し得る。
【0047】
４．３ 作用
（９）第２の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３は、平均値Ｅａｖｇの９０％未満となる角度範囲に反射面２３ａが収まるように配置される。
これによれば、第１の実施形態における角度範囲よりもイオンエネルギーが低い角度範囲に限定してＥＵＶ集光ミラー２３を配置することで、反射面２３ａの汚染をさらに抑制し得る。
（９）第２の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３は、平均値Ｅａｖｇの９０％未満となる角度範囲に反射面２３ａが収まるように配置される。
これによれば、第１の実施形態における角度範囲よりもイオンエネルギーが低い角度範囲に限定してＥＵＶ集光ミラー２３を配置することで、反射面２３ａの汚染をさらに抑制し得る。
【0048】
（１０）第２の実施形態によれば、ターゲット２７はスズを含み、パルスレーザ光３３のパルス幅は３．６ｎｓ以上４．４ｎｓ以下の範囲内である。反射面２３ａが収まるべき角度範囲は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が１２５°より大きく１８０°以下となる範囲である。
これによれば、イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａを収めることができ、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
これによれば、イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａを収めることができ、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
【0049】
（１１）第２の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が１３０°となる位置から１６５°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置される。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲を広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲を広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
【0050】
５．２１°～１２７°の角度範囲に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３
５．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
図９は、第３の実施形態におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。第３の実施形態において、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射された反射光２５２がプラズマ生成領域２５を通過しないように、ＥＵＶ集光ミラー２３が傾けて配置されている。中間集光点２９２から見た反射面２３ａの外縁はほぼ円形である。
図９は、さらに、第３の実施形態におけるイオンエネルギーの空間的分布についての極座標グラフを重ねて示す。この空間的分布のうち、０°から２１°まで及び１２７°から１８０°までの角度範囲では、２１°から１２７°までの角度範囲よりもイオンエネルギーが高い。
５．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
図９は、第３の実施形態におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。第３の実施形態において、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射された反射光２５２がプラズマ生成領域２５を通過しないように、ＥＵＶ集光ミラー２３が傾けて配置されている。中間集光点２９２から見た反射面２３ａの外縁はほぼ円形である。
図９は、さらに、第３の実施形態におけるイオンエネルギーの空間的分布についての極座標グラフを重ねて示す。この空間的分布のうち、０°から２１°まで及び１２７°から１８０°までの角度範囲では、２１°から１２７°までの角度範囲よりもイオンエネルギーが高い。
【0051】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きく１２７°より小さい角度範囲に反射面２３ａの全体が収まるように配置される。すなわち、０°以上２１°以下、又は１２７°以上１８０°以下の角度範囲には反射面２３ａの全部又は一部が配置されないことが望ましい。
【0052】
但し、反射面２３ａが位置する角度範囲が狭すぎると中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の光量が不十分となり得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、上記角度が４０°となる位置から８０°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置されることが望ましく、上記角度が３５°となる位置から１００°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置されることがさらに望ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、２１°より大きく１２７°より小さい角度範囲内であれば、３５°以上１００°以下の角度範囲外に及んでもよい。
【0053】
５．２ イオンエネルギーの空間的分布
図１０は、パルスレーザ光３３のパルス幅を２０ｎｓとした場合のイオンエネルギーの空間的分布を示すグラフである。図１０における白抜きの円はいくつかの方向における計測結果を示し、太い破線は計測結果から導かれた近似曲線を示す。図９に示されるイオンエネルギーの空間的分布は、図１０を極座標グラフに書き換えたものに相当する。
図１０は、パルスレーザ光３３のパルス幅を２０ｎｓとした場合のイオンエネルギーの空間的分布を示すグラフである。図１０における白抜きの円はいくつかの方向における計測結果を示し、太い破線は計測結果から導かれた近似曲線を示す。図９に示されるイオンエネルギーの空間的分布は、図１０を極座標グラフに書き換えたものに相当する。
【0054】
図１０において、角度０°から１８０°までの間の複数の角度の各々について計測されたターゲット物質のイオンエネルギーの平均値をＥａｖｇとする。ターゲット物質は例えばスズである。２１°より大きく１２７°より小さい角度範囲において、イオンエネルギーは平均値Ｅａｖｇ未満となる。平均値Ｅａｖｇ未満となる角度範囲に反射面２３ａが収まるようにＥＵＶ集光ミラー２３を配置することで、ターゲット物質のイオンによる反射面２３ａの汚染を抑制し得る。パルスレーザ光３３のパルス幅は２０ｎｓに限らず、１８ｎｓ以上２２ｎｓ以下の範囲内であれば同様の結果となる。
【0055】
【0056】
図１２～図１４は、パルスレーザ光３３が二次ターゲット２７ａに照射される様子を時系列で示す。パルスレーザ光３３のパルス幅を２０ｎｓとする。
第３の実施形態におけるパルスレーザ光３３はパルス幅が２０ｎｓと長く、同じフルーエンスでパルス幅を４ｎｓと短くした場合よりも光強度が低いため二次ターゲット２７ａを緩やかに加熱する。その結果、図１４に示されるように、高エネルギーの粒子を含み密度の低い領域２７ｂが二次ターゲット２７ａを貫通するように生成される。領域２７ｂからはターゲット物質のイオンＩＯＮが放射される。密度の低い領域２７ｂがパルスレーザ光３３の上流側から下流側に貫通している場合、イオンＩＯＮは＋Ｚ方向と－Ｚ方向との両方に放射される。図９及び図１０に示されるイオンエネルギーの空間的分布が発生する原因は以上の通りであると推定される。
第３の実施形態におけるパルスレーザ光３３はパルス幅が２０ｎｓと長く、同じフルーエンスでパルス幅を４ｎｓと短くした場合よりも光強度が低いため二次ターゲット２７ａを緩やかに加熱する。その結果、図１４に示されるように、高エネルギーの粒子を含み密度の低い領域２７ｂが二次ターゲット２７ａを貫通するように生成される。領域２７ｂからはターゲット物質のイオンＩＯＮが放射される。密度の低い領域２７ｂがパルスレーザ光３３の上流側から下流側に貫通している場合、イオンＩＯＮは＋Ｚ方向と－Ｚ方向との両方に放射される。図９及び図１０に示されるイオンエネルギーの空間的分布が発生する原因は以上の通りであると推定される。
【0057】
５．４ 作用
（１２）第３の実施形態によれば、ターゲット２７はスズを含み、パルスレーザ光３３のパルス幅は１８ｎｓ以上２２ｎｓ以下の範囲内である。反射面２３ａが収まるべき角度範囲は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きく１２７°より小さい範囲である。
これによれば、イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａを収めることができ、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
（１２）第３の実施形態によれば、ターゲット２７はスズを含み、パルスレーザ光３３のパルス幅は１８ｎｓ以上２２ｎｓ以下の範囲内である。反射面２３ａが収まるべき角度範囲は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きく１２７°より小さい範囲である。
これによれば、イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａを収めることができ、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
【0058】
（１３）第３の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が４０°となる位置から８０°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置される。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲を広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲を広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
【0059】
（１４）第３の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が３５°となる位置から１００°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置される。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲をさらに広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
その他の点については、第３の実施形態は第１の実施形態と同様である。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲をさらに広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
その他の点については、第３の実施形態は第１の実施形態と同様である。
【0060】
６．２１°の角度範囲を取り囲む貫通孔２４を有するＥＵＶ集光ミラー２３
６．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
図１５は、第４の実施形態におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。中間集光点２９２から見た反射面２３ａの外縁はほぼ円形である。イオンエネルギーの空間的分布については図９及び図１０と同様である。
６．１ ＥＵＶ集光ミラー２３の配置
図１５は、第４の実施形態におけるＥＵＶ集光ミラー２３の配置を示す。中間集光点２９２から見た反射面２３ａの外縁はほぼ円形である。イオンエネルギーの空間的分布については図９及び図１０と同様である。
【0061】
第４の実施形態におけるＥＵＶ集光ミラー２３は、その貫通孔２４が０°の方向に位置するように配置される点で比較例と同様である。貫通孔２４は比較例におけるものよりも大きく、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きくなる位置に、貫通孔２４の外縁が配置される。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きく１２７°より小さい角度範囲に反射面２３ａの全体が収まる。
【0062】
但し、反射面２３ａが位置する角度範囲が狭すぎると中間集光点２９２に到達するＥＵＶ光の光量が不十分となり得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、上記角度が２５°となる位置から８０°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置されることが望ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、２１°より大きく１２７°より小さい角度範囲内であれば、２５°以上８０°以下の角度範囲外に及んでもよい。
【0063】
６．２ 作用
（１５）第４の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３は、パルスレーザ光３３が通過する貫通孔２４を有し、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きくなる位置に貫通孔２４の外縁が配置される。
これによれば、パルスレーザ光３３を通過させる貫通孔２４を大きくすることで、貫通孔２４付近の反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
（１５）第４の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３は、パルスレーザ光３３が通過する貫通孔２４を有し、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が２１°より大きくなる位置に貫通孔２４の外縁が配置される。
これによれば、パルスレーザ光３３を通過させる貫通孔２４を大きくすることで、貫通孔２４付近の反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
【0064】
（１６）第４の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５に入射するパルスレーザ光３３の進行方向と逆の方向に対する角度が２５°となる位置から８０°となる位置まで反射面２３ａが及ぶように配置される。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲を広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
その他の点については、第４の実施形態は第３の実施形態と同様である。
これによれば、イオンエネルギーが低い角度範囲を広く使うことで、高いＥＵＶ集光効率を得ることができる。
その他の点については、第４の実施形態は第３の実施形態と同様である。
【0065】
７．その他
７．１ イオンエネルギーの計測
７．１．１ イオン検出器の配置
図１６は、イオンエネルギーを検出するために配置されるイオン検出器の第１の例を示す。イオンエネルギーを検出するために、ファラデーカップ等のイオン検出器ＦＣが、チャンバ２の内部のプラズマ生成領域２５から所定距離において移動できるようにステージＳＴに支持されている。所定距離は例えば１２５ｍｍである。ステージＳＴは、プラズマ生成領域２５を含むＹＺ面に平行な面内であって、プラズマ生成領域２５からの距離が一定となる移動経路に沿ってイオン検出器ＦＣを移動させる。イオンエネルギーを計測する際には、チャンバ２の内部にＥＵＶ集光ミラー２３を配置しなくてよい。この場合のイオンエネルギーの空間的分布はパルスレーザ光３３の光路軸に対してほぼ軸対称であるので、ＹＺ面に平行な面内でイオン検出器ＦＣを移動させながらイオンエネルギーを検出することで、各方向のイオンエネルギーを計測できる。
７．１ イオンエネルギーの計測
７．１．１ イオン検出器の配置
図１６は、イオンエネルギーを検出するために配置されるイオン検出器の第１の例を示す。イオンエネルギーを検出するために、ファラデーカップ等のイオン検出器ＦＣが、チャンバ２の内部のプラズマ生成領域２５から所定距離において移動できるようにステージＳＴに支持されている。所定距離は例えば１２５ｍｍである。ステージＳＴは、プラズマ生成領域２５を含むＹＺ面に平行な面内であって、プラズマ生成領域２５からの距離が一定となる移動経路に沿ってイオン検出器ＦＣを移動させる。イオンエネルギーを計測する際には、チャンバ２の内部にＥＵＶ集光ミラー２３を配置しなくてよい。この場合のイオンエネルギーの空間的分布はパルスレーザ光３３の光路軸に対してほぼ軸対称であるので、ＹＺ面に平行な面内でイオン検出器ＦＣを移動させながらイオンエネルギーを検出することで、各方向のイオンエネルギーを計測できる。
【0066】
図１７は、イオンエネルギーを検出するために配置されるイオン検出器の第２の例を示す。第２の例においては、チャンバ２の内部に複数のイオン検出器ＦＣ１～ＦＣ１０が配置される。イオン検出器ＦＣ１～ＦＣ１０は、図１６に示されるステージＳＴによるイオン検出器ＦＣの移動経路に対応する複数の位置に並べられる。イオン検出器ＦＣ１～ＦＣ１０でそれぞれイオンエネルギーを検出することで、各方向のイオンエネルギーを計測できる。
【0067】
７．１．２ イオンエネルギーの計算方法
図１８は、イオン検出器による検出結果の例を示す。チャンバ２の内部の１箇所で検出された検出イオンエネルギーと１ｃｍ２当たりの検出イオン個数とを図１８のような両対数グラフにプロットし、カーブフィッティングにより近似曲線を求める。この近似曲線から、単位面積当たりのイオン個数が１個である場合に対応するイオンエネルギーを最大イオンエネルギーとして計算することができる。この最大イオンエネルギーを各実施形態におけるイオンエネルギーとする。
図１８は、イオン検出器による検出結果の例を示す。チャンバ２の内部の１箇所で検出された検出イオンエネルギーと１ｃｍ２当たりの検出イオン個数とを図１８のような両対数グラフにプロットし、カーブフィッティングにより近似曲線を求める。この近似曲線から、単位面積当たりのイオン個数が１個である場合に対応するイオンエネルギーを最大イオンエネルギーとして計算することができる。この最大イオンエネルギーを各実施形態におけるイオンエネルギーとする。
【0068】
７．１．３ 作用
（１７）各実施形態において、イオンエネルギーは、プラズマ生成領域２５から所定距離の位置における最大イオンエネルギーである。
最大イオンエネルギーが汚染のしやすさに大きく影響するので、最大イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａを収めることで、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
（１７）各実施形態において、イオンエネルギーは、プラズマ生成領域２５から所定距離の位置における最大イオンエネルギーである。
最大イオンエネルギーが汚染のしやすさに大きく影響するので、最大イオンエネルギーが低い領域内に反射面２３ａを収めることで、反射面２３ａの汚染を抑制し得る。
【0069】
（１８）最大イオンエネルギーは、プラズマ生成領域２５から所定距離の位置において検出された検出イオンエネルギーと検出イオン個数との関係から、単位面積当たりのイオン個数が１個である場合に対応するイオンエネルギーとしてカーブフィッティングにより算出されたエネルギーである。
これによれば、最大イオンエネルギーの推定値を精度良く算出できる。
これによれば、最大イオンエネルギーの推定値を精度良く算出できる。
【0070】
７．２ ＥＵＶ光利用装置６の例
図１９は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図１９において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６０８とワークピース照射部６０９とを含む。マスク照射部６０８は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。
図１９は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図１９において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６０８とワークピース照射部６０９とを含む。マスク照射部６０８は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６０９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。
【0071】
図２０は、ＥＵＶ光生成システム１１に接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
図２０において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６０３と検出光学系６０６とを含む。照明光学系６０３は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６０４に配置されたマスク６０５を照射する。ここでいうマスク６０５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６０６は、照明されたマスク６０５からのＥＵＶ光を反射して検出器６０７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６０７はマスク６０５の画像を取得する。検出器６０７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６０５の画像により、マスク６０５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。
図２０において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６０３と検出光学系６０６とを含む。照明光学系６０３は、ＥＵＶ光生成システム１１から入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６０４に配置されたマスク６０５を照射する。ここでいうマスク６０５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６０６は、照明されたマスク６０５からのＥＵＶ光を反射して検出器６０７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６０７はマスク６０５の画像を取得する。検出器６０７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６０５の画像により、マスク６０５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。
【0072】
７．３ 補足
上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
【0073】
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】