特開 2023-143716 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023143716

(43)【公開日】2023-10-06

(54)【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/268 20060101AFI20230928BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20230928BHJP

   H01L 21/31 20060101ALN20230928BHJP

【ＦＩ】

H01L21/268 Z

H01L21/68 N

H01L21/31 B

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023010521

(22)【出願日】2023-01-26

(31)【優先権主張番号】P 2022049018

(32)【優先日】2022-03-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】318009126

【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】山本 克彦

(72)【発明者】

【氏名】西堂 周平

(72)【発明者】

【氏名】中川 崇

(72)【発明者】

【氏名】柳沢 愛彦

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 伸也

(72)【発明者】

【氏名】道田 典明

【テーマコード（参考）】

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F045AB31

5F045AB39

5F045BB17

5F045DQ10

5F045DQ17

5F045EK01

5F045HA16

5F131AA02

5F131BA24

5F131BB03

5F131BB14

5F131DA22

5F131DA42

5F131EC02

(57)【要約】      （修正有）

【課題】熱処理による面内温度の不均一な基板の反りや割れを防止する基板処理装置及びプログラム並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板保持部２１７に保持される複数の基板２００を処理する処理室２０１と、処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器６５５－１、６５５－２と、複数の基板が保持される間隔に合うように設けられた複数のガス供給口から、複数の基板間に冷却ガスを供給するガス供給部１０５と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板保持部に保持される複数の基板を処理する処理室と、
前記処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器と、
前記複数の基板が保持される間隔に合うように設けられた複数のガス供給口から、前記複数の基板間に冷却ガスを供給するガス供給部と、
を備える基板処理装置。

【請求項2】

前記複数のガス供給口の数は、前記複数の基板の数と同数である請求項１の基板処理装置。

【請求項3】

前記複数のガス供給口は、前記基板の中心からエッジ方向にずれた方向に向けて前記冷却ガスを供給するように開口している請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記冷却ガスの流速は、０．２ｍ／ｓ以上、４０．０ｍ／ｓ以下である請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記冷却ガスの流量は、１ｓｌｍ以上、５０ｓｌｍ以下である請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記複数のガス供給口の径は、０．２ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下である請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記電磁波発生器が発生する電磁波のＯＮ／ＯＦＦを制御することが可能なよう構成される制御部を備える請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記基板保持部に保持される基板を回転させる回転機構を備え、
前記制御部は、前記回転機構を制御することが可能なよう構成される請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記制御部は、前記電磁波のＯＮ／ＯＦＦのサイクルと前記基板の回転とが非同期となるように前記電磁波発生器と前記回転機構とを制御することが可能なよう構成される請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記電磁波発生器は、前記処理室の側壁に設けられる請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記電磁波は、マイクロ波である請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記複数のガス供給口は、前記基板が保持される方向に設けられる請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

基板保持部に保持される複数の基板を処理する処理室と、前記処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器と、前記複数の基板が保持される間隔に合うように設けられた複数のガス供給口から、前記複数の基板間に冷却ガスを供給するガス供給部と、を備える基板処理装置の前記処理室に前記基板を搬入する工程と、
前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【請求項14】

前記基板を処理する工程では、前記冷却ガスを供給する請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項15】

前記基板を処理する工程では、前記基板の中心からエッジ方向にずれた方向に前記冷却ガスを供給する請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項16】

前記基板を処理する工程では、前記冷却ガスの流速は、０．２ｍ／ｓ以上、４０．０ｍ／ｓ以下である、または前記冷却ガスの流量は、１ｓｌｍ以上、５０ｓｌｍ以下である請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項17】

基板保持部に保持される複数の基板を処理する処理室と、前記処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器と、前記複数の基板が保持される間隔に合うように設けられた複数のガス供給口から、前記複数の基板間に冷却ガスを供給するガス供給部と、を備える基板処理装置の前記処理室に前記基板を搬入する手順と、
前記基板を処理する手順と、
を前記基板処理装置に実行させるプログラム。

【請求項18】

前記基板を処理する工程では、前記冷却ガスを供給する請求項１７に記載のプログラム。

【請求項19】

前記基板を処理する工程では、前記基板の中心からエッジ方向にずれた方向に前記冷却ガスを供給する請求項１７に記載のプログラム。

【請求項20】

前記基板を処理する工程では、前記冷却ガスの流速は、０．２ｍ／ｓ以上、４０．０ｍ／ｓ以下である、または前記冷却ガスの流量は、１ｓｌｍ以上、５０ｓｌｍ以下である請求項１７に記載のプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、例えば、加熱装置を用いて処理室内の基板を加熱し、基板の表面に成膜された薄膜中の組成や結晶構造を変化させたり、成膜された薄膜内の結晶欠陥等を修復したりするアニール処理に代表される改質処理がある。近年の半導体デバイスにおいては、微細化、高集積化が著しくなっており、これに伴い、高いアスペクト比を有するパターンが形成された高密度の基板への改質処理が求められている。このような高密度基板への改質処理方法として例えば特許文献１に見るような電磁波を用いた熱処理方法が検討されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－０７００４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

従来の電磁波を用いた処理では、熱処理により半導体基板の面内温度の不均一による基板の反りや割れが発生する場合がある。

【0005】

本開示は、熱処理による基板反りや割れを防止することが可能となる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様によれば、基板保持部に保持される複数の基板を処理する処理室と、前記処理室内に電磁波を供給する電磁波発生器と、前記複数の基板が保持される間隔に合うように設けられた複数のガス供給口から、前記複数の基板間に冷却ガスを供給するガス供給部と、を備える技術が提供される。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、熱処理による基板の反りや割れを防止することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉部分を縦断面図で示した概略構成図。

【図2】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の概略構成を処理炉の位置で示した縦断面図。

【図3】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の断面構成を示した横断面図。

【図4】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図。

【図5】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の熱こもりを説明するための図。

【図6】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置ノズルの穴間隔、穴数、穴径、実施例を説明するための図。

【図7】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置ノズルの基板への吹き出し方向変化の結果を示す図。

【図8A】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置複数本のノズル設置の実施例を説明するための図。

【図8B】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置ノズルのホットスポットへの吹き出し制御を示す図。

【図9】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理のフローの一例を示す図。

【図10】本開示の実施形態で好適に用いられるサーモカメラを付加した基板処理装置の一例を示す図。

【図11】本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置のシミュレーション結果の一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本開示の実施形態について図１～図１１を参照しながら説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

【0010】

以下、図面に従い、本開示の実施形態について説明する。

【0011】

（１）基板処理装置の構成
本開示の実施形態に係る基板処理装置は、複数枚のウエハに各種の熱処理を施す枚葉式熱処理装置として構成されており、後述する電磁波を用いたアニール処理（すなわち、改質処理）を行う装置として説明を行う。本実施例における基板処理装置では、基板としてのウエハを処理室内部に収容した収納容器（キャリア）としてＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：以下、ポッドと称する）が使用される。ポッドは、ウエハを種々の基板処理装置間を搬送する為の搬送容器としても用いられる。

【0012】

図１、図２および図３に示すように、基板処理装置１００は、ウエハ２００を搬送する搬送室２０３を内部に有する搬送筐体２０２と、搬送筐体２０２の側壁に設けられ、ウエハ２００を処理する処理室２０１－１、２０１－２をそれぞれ内部に有する後述する処理容器としてのケース１０２－１、１０２－２を備えている。また、処理室２０１－１、２０１－２の間には、冷却室２０４を形成する冷却ケース１０９が設けられている。

【0013】

搬送筐体２０２の前側である図２の向かって右側（図３の向かって下側）には、ポッド１１０の蓋を開閉し、ウエハ２００を搬送室２０３に搬入・搬出するための、ポッド開閉機構としてのロードポートユニット（ＬＰ）１０６が配置されている。ロードポートユニット１０６は、筐体１０６ａと、ステージ１０６ｂと、オープナ１０６ｃとを備え、ステージ１０６ｂは、ポッド１１０を載置し、搬送室２０３の筐体前方に形成された基板搬入搬出口１３４にポッド１１０を近接させるように構成され、オープナ１０６ｃによってポッド１１０に設けられている図示しない蓋を開閉させる。また、ロードポートユニット１０６は、ポッド１１０内部をＮ_２ガス等のパージガスでパージする可能な機能を有していてもよい。また、搬送筐体２０２は、搬送室２０３内にパージガスを循環させるための後述するパージガス循環構造を有している。

【0014】

搬送筐体２０２の後側である図２の向かって左側（図３の向かって上側）には、処理室２０１－１、２０１－２を開閉するゲートバルブ（ＧＶ）２０５－１、２０５－２がそれぞれ配置されている。搬送室２０３には、ウエハ２００を移載する基板移載機構である基板移載ロボット、基板搬送部としての移載機１２５が設置されている。移載機１２５は、ウエハ２００を載置する載置部としてのツィーザ（アーム）１２５ａ－１、１２５ａ―２と、ツィーザ１２５ａ－１、１２５ａ―２のそれぞれを水平方向に回転または直動可能な移載装置１２５ｂと、移載装置１２５ｂを昇降させる移載装置エレベータ１２５ｃとで構成されている。ツィーザ１２５ａ－１、１２５ａ－２、移載装置１２５ｂ、移載装置エレベータ１２５ｃの連続動作により、後述する基板保持具（基板保持部）２１７、冷却室２０４やポッド１１０にウエハ２００を装填（チャージング）または脱装（ディスチャージング）することを可能な構成としている。以降、ケース１０２－１、１０２－２、処理室２０１－１、２０１－２、ツィーザ１２５ａ－１および１２５ａ－２のそれぞれは、特に区別して説明する必要が無い場合には、単にケース１０２、処理室２０１、ツィーザ１２５ａとして記載する。

【0015】

ツィーザ１２５ａ－１は、通常のアルミ材質であって、低温および常温のウエハの搬送に用いられる。ツィーザ１２５ａ－２は、耐熱性が高く、熱伝導率の悪いアルミや石英部材等の材質であって、高温および常温のウエハの搬送に用いられる。つまり、ツィーザ１２５ａ－１は低温用の基板搬送部であり、ツィーザ１２５ａ－２は高温用の基板搬送部である。高温用のツィーザ１２５ａ－２は、例えば、１００℃以上、より好ましくは、２００℃以上の耐熱性を有する様に構成するのが良い。低温用ツィーザ１２５ａ－１には、マッピングセンサを設置することが出来る。低温用ツィーザ１２５ａ－１にマッピングセンサを設けることにより、ロードポートユニット１０６内のウエハ２００の枚数の確認、反応室２０１内のウエハ２００の枚数の確認、冷却室２０４内のウエハ２００の枚数の確認を行うことが可能になる。

【0016】

本開示の実施形態の基板処理装置において、ツィーザ１２５ａ－１を低温用ツィーザとし、ツィーザ１２５ａ－２は高温用ツィーザとして説明を行うが、これに限定されない。ツィーザ１２５ａ－１を耐熱性が高く、熱伝導率の悪いアルミや石英部材等の材質で構成し、高温および常温のウエハの搬送に用い、ツィーザ１２５ａ－２を、通常のアルミ材質で構成し、低温および常温のウエハの搬送に用いても良い。また、ツィーザ１２５ａ－１、１２５ａ－２の両方を、耐熱性が高く、熱伝導率の悪いアルミや石英部材等の材質で構成しても良い。

【0017】

（処理炉）
図２の破線で囲まれた領域Ａには、図１に示すような基板処理構造を有する処理炉（処理室）２０１が構成される。図３に示すように、本実施例においては処理炉が複数設けられているが、処理炉の構成は同一である為、一つの構成を説明するに留め、他方の処理炉構成の説明は省略する。

【0018】

図１に示すように、処理炉は、金属などの電磁波を反射する材料で構成されるキャビティ（処理容器）としてのケース１０２を有している。また、金属材料で構成されたキャップフランジ（閉塞板）１０４が、図示を省略したシール部材としてのＯリングを介してケース１０２の上端を閉塞するように構成する。主にケース１０２とキャップフランジ１０４の内側空間をシリコンウエハ等の基板を処理する処理室２０１として構成している。ケース１０２の内部に電磁波を透過させる石英製の図示しない反応管を設置してもよく、反応管内部が処理室となるように処理容器を構成してもよい。また、キャップフランジ１０４を設けずに、天井が閉塞したケース１０２を用いて処理室２０１を構成するようにしてもよい。

【0019】

処理室２０１内には載置台２１０が設けられており、載置台２１０の上面には、基板としてのウエハ２００を保持する基板保持具としてのボート２１７が載置されている。ボート２１７には、処理対象であるウエハ２００と、ウエハ２００を挟み込むようにウエハ２００の垂直方向上下に載置されたサセプタ１０３ａ、１０３ｂが所定の間隔で保持されている。このサセプタ１０３ａ、１０３ｂは、例えば、シリコンプレート（Ｓｉ板）や炭化シリコンプレート（ＳｉＣ板）などの材料としてウエハ２００の上下に配置することにより、ウエハ２００のエッジに対する電界強度が集中することを抑制する。すなわち、サセプタは、ウエハのエッジに対する電磁波の吸収を抑制するものである。また、サセプタ１０３ａ、１０３ｂの上面及び下面に、断熱板としての石英プレート１０１ａ、１０１ｂが所定の間隔で保持されるようにしても良い。本実施例において、石英プレート１０１ａと１０１ｂのそれぞれ、サセプタ１０３ａと１０３ｂのそれぞれは同一の部品で構成されており、以後、特に区別して説明する必要が無い場合には、石英プレート１０１、サセプタ１０３と称して説明する。

【0020】

処理容器としてのケース１０２は、例えば横断面が円形であり、平らな密閉容器として構成されている。また、下部容器としての搬送筐体２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料、または、石英などにより構成されている。なお、ケース１０２に囲まれた空間を処理空間としての処理室２０１又は反応エリア２０１と称し、搬送筐体２０２に囲まれた空間を搬送空間としての搬送室又は搬送エリア２０３と称する場合もある。なお、処理室２０１と搬送室２０３は、本実施形態のように水平方向に隣接させて構成することに限らず、垂直方向に隣接させ、所定の構造を有する基板保持具を昇降させる構成としてもよい。

【0021】

図１、図２および図３に示すように、搬送筐体２０２の側面には、ゲートバルブ２０５に隣接した基板搬入搬出口２０６が設けられており、ウエハ２００は基板搬入搬出口２０６を介して処理室２０１と搬送室２０３との間を移動する。ゲートバルブ２０５または基板搬入搬出口２０６の周辺には、後述する電磁波の漏洩対策として、使用される電磁波の１／４波長の長さを有するチョーク構造が設けられている。

【0022】

ケース１０２の側面には、後に詳述する加熱装置としての電磁波供給部が設置されており、電磁波供給部から供給されたマイクロ波等の電磁波が処理室２０１に導入されてウエハ２００等を加熱し、ウエハ２００を処理する。

【0023】

載置台２１０は回転軸としてのシャフト２５５によって支持される。シャフト２５５は、処理室２０１の底部を貫通しており、更には処理室２０１の外部で回転動作を行う駆動機構２６７に接続されている。駆動機構２６７を作動させてシャフト２５５及び載置台２１０を回転させることにより、ボート２１７上に載置されるウエハ２００を回転させることが可能となっている。なお、シャフト２５５下端部の周囲はベローズ２１２により覆われており、処理室２０１および搬送エリア２０３内は気密に保持されている。

【0024】

ここで、載置台２１０は基板搬入搬出口２０６の高さに応じて、駆動機構２６７によって、ウエハ２００の搬送時にはウエハ２００がウエハ搬送位置となるよう上昇または下降し、ウエハ２００の処理時にはウエハ２００が処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）まで上昇または下降するよう構成されていてもよい。

【0025】

処理室２０１の下方であって、載置台２１０の外周側には、処理室２０１の雰囲気を排気する排気部が設けられている。図１に示すように、排気部には排気口２２１が設けられている。排気口２２１には排気管２３１が接続されており、排気管２３１には、処理室２０１内の圧力に応じて弁開度を制御するＡＰＣバルブなどの圧力調整器２４４、真空ポンプ２４６が順に直列に接続されている。

【0026】

ここで、圧力調整器２４４は、処理室２０１内の圧力情報、後述する圧力センサ２４５からのフィードバック信号を受信して排気量を調整することができるものであればＡＰＣバルブに限らず、通常の開閉バルブと圧力調整弁を併用するように構成されていてもよい。

【0027】

主に、排気口２２１、排気管２３１、圧力調整器２４４により排気部（排気系または排気ラインとも称する）が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めてもよい。なお、載置台２１０を囲むように排気口を設け、ウエハ２００の全周からガスを排気可能に構成してもよい。

【0028】

キャップフランジ１０４には、不活性ガス、原料ガス、反応ガスなどの各種基板処理のための処理ガスを処理室２０１内に供給するためのガス供給管２３２が設けられている。このガス供給管２３２には、上流から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１、および、開閉弁であるバルブ２４３が設けられている。ガス供給管２３２の上流側には、例えば不活性ガス源が接続され、ＭＦＣ２４１、バルブ２４３を介して処理室２０１内へ供給される。基板処理の際に複数種類のガスを使用する場合には、ガス供給管２３２のバルブ２４３よりも下流側に、上流側から順に流量制御器であるＭＦＣおよび開閉弁であるバルブが設けられたガス供給管が接続された構成を用いることで複数種類のガスを供給することができる。ガス種毎にＭＦＣ、バルブが設けられたガス供給管を設置してもよい。

【0029】

処理室２０１にはガス供給管２３２に接続されるノズル１０５が設けられている。ノズル１０５の側面にはガスを供給するガス供給口が設けられている。ガス供給口はウエハ２００に向けて開口し、ウエハ２００の表面と平行にガスを供給する。このガス供給口は処理室２０１の下部から上部にわたって（すなわち、基板保持具２１７にウエハ２００が保持（積載）される方向（垂直方向）に）複数設けられ、基板保持具２１７に保持されるウエハ２００の間隔に合うように設けられている。複数のガス供給口は、それぞれが同一の開口面積を有し、さらに同じ開口ピッチで設けられている。
主に、ガス供給管２３２、ＭＦＣ２４１、バルブ２４３、ノズル１０５によりガス供給系（ガス供給部）が構成される。ガス供給系に不活性ガスを流す場合には、不活性ガス供給系とも称する。不活性ガスとしては、例えば、Ｎ_２ガスや、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。

【0030】

キャップフランジ１０４には、非接触式の温度測定装置として温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づき後述するマイクロ波発振器６５５の出力を調整することで、基板を加熱し、基板温度が所望の温度分布となる。温度センサ２６３は、例えばＩＲ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）センサなどの放射温度計で構成されている。温度センサ２６３は、石英プレート１０１ａの表面温度、または、ウエハ２００の表面温度を測定するように設置される。上述した発熱体としてのサセプタが設けられている場合にはサセプタの表面温度を測定するように構成してもよい。なお、本実施例においてウエハ２００の温度（ウエハ温度）と記載した場合は、後述する温度変換データによって変換されたウエハ温度、すなわち、推測されたウエハ温度のことを意味する場合と、温度センサ２６３によって直接ウエハ２００の温度を測定して取得した温度を意味する場合と、それらの両方を意味する場合を指すものとして説明する。

【0031】

温度センサ２６３によって石英プレート１０１またはサセプタ１０３と、ウエハ２００のそれぞれに対し、温度変化の推移を予め取得しておくことで石英プレート１０１またはサセプタ１０３と、ウエハ２００の温度の相関関係を示した温度変換データを記憶装置１２１ｃまたは外部記憶装置１２３に記憶させてもよい。このように予め温度変換データを作成することによって、ウエハ２００の温度は、石英プレート１０１の温度のみを測定することで、ウエハ２００の温度を推測可能とし、推測されたウエハ２００の温度を基に、マイクロ波発振器６５５の出力、すなわち加熱装置の制御を行うことが可能となる。

【0032】

なお、基板の温度を測定する温度測定部として、上述した放射温度計に限らず、熱電対を用いて温度測定を行ってもよいし、熱電対と非接触式温度計を併用して温度測定を行ってもよい。ただし、熱電対を用いて温度測定を行った場合、熱電対をウエハ２００の近傍に配置して温度測定を行う必要がある。すなわち、処理室２０１内に熱電対を配置する必要があるため、後述するマイクロ波発振器から供給されたマイクロ波によって熱電対自体が加熱されてしまうので正確に測温することができない。したがって、非接触式温度計を温度センサ２６３として用いることが好ましい。

【0033】

また、温度センサ２６３は、キャップフランジ１０４に設けることに限らず、載置台２１０に設けるようにしてもよい。また、温度センサ２６３は、キャップフランジ１０４や載置台２１０に直接設置するだけでなく、キャップフランジ１０４や載置台２１０に設けられた測定窓からの放射光を鏡等で反射させて間接的に測定するように構成されてもよい。さらに、温度センサ２６３は１つ設置することに限らず、複数設置するようにしてもよい。

【0034】

ケース１０２の側壁には電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２が設置されている。電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２のそれぞれには処理室２０１内に電磁波（マイクロ波）を供給するための導波管６５４－１、６５４－２のそれぞれの一端が接続されている。導波管６５４－１、６５４－２それぞれの他端には処理室２０１内に電磁波を供給して加熱する加熱源としてのマイクロ波発振器（電磁波源、電磁波発生器）６５５－１、６５５－２が接続されている。マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２はマイクロ波などの電磁波を導波管６５４－１、６５４－２にそれぞれ供給する。また、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２は、マグネトロンやクライストロンなどが用いられる。以降、電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２、導波管６５４－１、６５４－２、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２は、特にそれぞれを区別して説明する必要のない場合には、電磁波導入ポート６５３、導波管６５４、マイクロ波発振器６５５と記載して説明する。

【0035】

マイクロ波発振器６５５によって生じる電磁波の周波数は、好ましくは１３．５６ＭＨｚ以上２４．１２５ＧＨｚ以下の周波数範囲となるように制御される。さらに好適には、２．４５ＧＨｚまたは５．８ＧＨｚの周波数となるように制御されることが好ましい。ここで、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２のそれぞれの周波数は同一の周波数としてもよいし、異なる周波数で設置されてもよい。

【0036】

また、本実施例において、マイクロ波発振器６５５は、ケース１０２の側面に２つ配置されるように記載されているが、これに限らず、１つ以上設けられていればよく、また、ケース１０２の対向する側面等の異なる側面に設けられるように配置してもよい。主に、マイクロ波発振器６５５―１、６５５－２、導波管６５４－１、６５４－２および電磁波導入ポート６５３－１、６５３－２によって加熱装置としての電磁波供給部（電磁波供給装置、マイクロ波供給部、マイクロ波供給装置とも称する）が構成される。

【0037】

マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２のそれぞれには後述するコントローラ１２１が接続されている。コントローラ１２１には処理室２０１内に収容される石英プレート１０１ａまたは１０１ｂ、若しくはウエハ２００の温度を測定する温度センサ２６３が接続されている。温度センサ２６３は、上述した方法によって石英プレート１０１、またはウエハ２００の温度を測定してコントローラ１２１に送信し、コントローラ１２１によってマイクロ波発振器６５５－１、６５５－２の出力を制御し、ウエハ２００の加熱を制御する。なお、加熱装置による加熱制御の方法としては、マイクロ波発振器６５５へ入力する電圧を制御することでウエハ２００の加熱を制御する方法と、マイクロ波発振器６５５の電源をＯＮとする時間とＯＦＦとする時間の比率を変更することでウエハ２００の加熱を制御する方法などを用いることができる。

【0038】

ここで、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２は、コントローラ１２１から送信される同一の制御信号によって制御される。しかし、これに限らず、マイクロ波発振器６５５－１、６５５－２それぞれにコントローラ１２１から個別の制御信号を送信することでマイクロ波発振器６５５－１、６５５－２が個々に制御されるように構成してもよい。

【0039】

（制御装置）
図４に示すように、制御部（制御装置、制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

【0040】

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、アニール（改質）処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単にレシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

【0041】

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述の移載機１２５、ＭＦＣ２４１、バルブ２４３、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、温度センサ２６３、駆動機構２６７、マイクロ波発振器６５５等に接続されている。

【0042】

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、移載機による基板の移載動作、ＭＦＣ２４１による各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３の開閉動作、圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくマイクロ波発振器６５５の出力調整動作、駆動機構２６７による載置台２１０（または、ボート２１７）の回転および回転速度調節動作、または、昇降動作等を制御することが可能なように構成されている。

【0043】

コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

【0044】

ここで、本実施形態においては、基板を加熱する加熱時にノズルから冷却ガスを供給することで基板を所定の温度に維持しながら所定時間マイクロ波照射を行うことにより、基板を所定の温度維持によりウエハ基板上の温度バラツキを抑制して半導体基板の反りや割れの発生を抑制することができる。本実施例により、半導体基板の面内温度均一性の向上のためのノズルからのガス吹き付けにより、半導体基板の処理品質向上（または、処理不良低減）、反り割れを抑制し、同時処理枚数を増加するので、上述した従来技術の問題点を十分に解決することができる。

【0045】

図６に示す本実施形態に係るガス供給部としてのガスノズル（ノズル）１０５の条件の一例を以下に示す。ガスノズル１０５は処理室２０１に設けられ、ウエハ２００に対してガスを供給するものである。
穴間隔：ウエハ間隔と同じにする。
ガス流量：各ウエハに供給するガスの流量は、１ｓｌｍ以上、５０ｓｌｍ以下とする。
ガス流速：各ウエハに供給するガスの流速は、０．２ｍ／ｓ以上、４０．０ｍ／ｓ以下とする。
ガス供給口の穴数：ウエハ枚数およびサセプタ枚数と同等とする。具体的には、ウエハ５枚とウエハの上下に配置されるサセプタ２枚の場合、穴数は７つである。
穴径：Φ０．２ｍｍ以上、Φ５．０ｍｍ以下とする。穴径が小さい方がガス流速を速くでき、ガス流量を削減できる。また、熱損失を最小にできる。
ガス流量について、１ｓｌｍ未満の場合、ウエハの中央までガスが届かないことがあり、また、５０ｓｌｍを超える場合、ガスの供給量が過剰となり冷却ガスの浪費につながってしまう。また、ガス流速について、０．２ｍ／ｓ未満の場合、ウエハの中央までガスが届かないことがあり、また、４０．０ｍ／ｓを超える場合、ウエハ間を通過したガスが壁面にぶつかってしまいガス流が乱れてウエハに悪影響を与えてしまう。また、穴径について、Φ０．２ｍｍ未満の場合、加工することが難しく、Φ５．０ｍｍを超える場合、所定のガス流量を確保するために多量のガスを使用しなければならずガスの浪費となる可能性がある。ノズルを用いて基板間にガスを供給しながら熱処理（改質処理）することで基板の処理不良低減、反りや割れを防止、同時処理枚数を増加することを図ることが可能となる。

【0046】

ガス供給部としてのガスノズルを設け、基板間にガスを供給することで基板面内の均一性を向上させることが可能となる。

【0047】

図７に本実施形態のノズル向きを調整した際の均一性の変化結果を示す。同図に示すように、ガス供給部としてのガスノズル１０５の向きを基板中心からエッジ方向にずらす、例えば、基板中心からエッジへ１／２方向に調整する事により面内均一性を改善できる。冷却ガスをウエハ間に流し、余分な熱こもりを除去する事により均一性を改善する。熱こもりは図５に示すように、ウエハ中央で大きくなるが、ノズル１０５が中心を向いているとウエハ中心部のみが冷えすぎる。一方、ノズル１０５から出た冷却ガスは広がり幅があるので、ウエハ中心を向いていなくても、ウエハ中央の熱こもりを除去可能である。

【0048】

（マイクロ波のサイクル供給）
ウエハにマイクロ波を間欠的に印加する際には、回転する基板に対してガスが供給される箇所が変化する（言い換えれば、同じ場所にならないようにタイミングをずらす）ように制御する。マイクロ波の供給時（Ｏｎ時）に発生した熱こもりを冷却ガスにより除去して、マイクロ波の停止時（Ｏｆｆ時）には冷却ガスの供給量を低減または停止してウエハの冷め過ぎを防止する。なお、ウエハが急激に高くなってしまった場合や出力が強いマイクロ波を印加して加熱する場合等においては、マイクロ波のＯｆｆ時に冷却ガスの供給を低減または停止することなく冷却ガスを供給するようにしてもよい。

【0049】

さらに、マイクロ波の出力（パワー）のパワーＯｎ／Ｏｆｆサイクルとウエハ回転が同期しないようにすると、面内分布への影響を低減させることが可能となる。具体的には、１回転する時間（この場合は、６０／ｒｐｍ）とマイクロ波サイクル（すなわち、Ｏｎ＋Ｏｆｆの時間）が整数倍とならないように制御する。図１１にウエハの回転数とマイクロ波のＯＮ／ＯＦＦのサイクルとのシミュレーション結果の一例を示す。本実施形態では、マイクロ波のＯＮ：２秒、ＯＦＦ：４秒とした。ウエハの回転数が２．５ｒｐｍとすると、冷却ガスの供給がウエハの特定箇所と重なってしまい、特定の箇所が冷却されることとなってしまう。すなわち、マイクロ波のＯＮ／ＯＦＦサイクルとウエハ回転が同期すると、同じ部分が重なり面内分布を悪化させる可能性がある。これに対して、ウエハの回転数が２．４ｒｐｍとすると、冷却ガスの供給がウエハの特定箇所から分散されるようになる。さらに、２．３ｒｐｍとすると、ウエハに対する冷却ガスの供給がさらに分散されることとなり、ウエハ面内の冷却をより均一に処理することが可能となる。

【0050】

図８Ａに、複数のノズル１０５を設置し、基板毎にガス流量を調整可能とする実施例を示す。例えば、ウエハの枚数と同じ数のノズル１０５を設置することにより、ウエハ毎に細かく調整することが可能となる。調整する条件としては、冷却ガスの流量、冷却ガスを供給する方向が挙げられる。最上段のウエハをＩＲセンサにより、中心、端、その間、など多点測定し、温度の高い部分へ向けて冷却ガスを供給すること、温度の高い部分に冷却ガスの供給量を多くして供給することが可能となり、冷却効率を向上させることが可能となる。

【0051】

（基板反り制御）
基板予備加熱時にガス流量、向き、タイミングを制御して、基板面内の温度差を低減させ変形（例えば、反り）を抑制する。更に、ＩＲセンサやサーモカメラにより検知して流し方を制御するとより効果的である。図１０に示すようなサーモカメラ１１１を用いれば、1台で複数個のＩＲセンサ相当の働きをして、温度分布を正確に測定できる。ウエハの斜め上から温度測定すれば、ウエハ間の温度測定可能である。図８Ｂにホットスポット７００を狙ってガスを流す様子を示す。ウエハを冷ますことなく変形を抑制できるため、高速昇温に有利である。

【0052】

（流量制御テーブル）
処理基板の膜種とガス流量（または、流速）とマイクロ波出力と処理時間とをテーブル形式で予め記憶部に記憶しておき、処理基板に対応した条件で処理を行うようにする。ここで、制御テーブルによる制御を行うことにより、時間（または、レシピステップ）による変化、処理膜種類による変化に対応することが可能となる。更に、複数のＩＲセンサ（もしくは、サーモカメラ）により分布測定して熱こもり量を制御することが可能となる。

【0053】

図９に本実施例に係る基板処理のフローの一例を示した。ここで、上述の基板処理装置を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、例えば、基板上に形成されたシリコン含有膜としてのアモルファスシリコン膜の改質（例えば、結晶化）方法の一例について、図９に示した処理フローに沿って説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は図４で説明した制御部により制御される。ここで、「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。

【0054】

まず、基板取出し工程（Ｓ８０１）の後、基板搬入工程（Ｓ８０２）が実施され、ウエハ２００はゲートバルブ２０５の開閉動作によって所定の処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。つまり、低温用のツィーザ１２５ａ－１、高温用のツィーザ１２５ａ－２を用いて、例えば５枚のウエハを、処理室２０１に搬入する。

【0055】

（炉内圧力・温度調整工程（Ｓ８０３））
処理室２０１へウエハ２００の搬入が完了したら、所定の圧力（例えば、１０～１０２０００Ｐａ）となるよう処理室２０１内の雰囲気を制御する。具体的には、真空ポンプ２４６により排気しつつ、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて圧力調整器２４４の弁開度をフィードバック制御し、処理室２０１内を所定の圧力とする。なお、本明細書における「１０～１０２０００Ｐａ」のような数値範囲の表記は、下限値および上限値がその範囲に含まれることを意味する。よって、例えば、「１０～１０２０００Ｐａ」とは「１０Ｐａ以上、１０２０００Ｐａ以下」を意味する。他の数値範囲についても同様である。

【0056】

（不活性ガス供給工程（Ｓ８０４））
炉内圧力・温度調整工程Ｓ８０３によって処理室２０１内の圧力と温度を所定の値に制御すると、駆動機構２６７は、シャフト２５５を回転させ、載置台２１０上のボート２１７を介してウエハ２００を回転させる。このとき、窒素ガス等の不活性ガスがガス供給管２３２を介して供給される（Ｓ８０４）。さらにこのとき、処理室２０１内の圧力は１０Ｐａ以上１０２０００Ｐａ以下の範囲となる所定の値であって、例えば１０１３００Ｐａ以上１０１６５０Ｐａ以下となるように調整される。なお、シャフトは基板搬入工程Ｓ４０２時、すなわち、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入完了後に回転させてもよい。

【0057】

（予備加熱工程（Ｓ８０５））
続いて、処理室２０１内を所定の圧力になると、マイクロ波発振器６５５は上述した各部を介して処理室２０１内に第１のマイクロ波が供給する。第１のマイクロ波出力（例えば、３６００Ｗ）で、マイクロ波供給のＯＮ時間（例えば、１５０秒）として、ウエハ２００を加熱する予備加熱処理を行う。これにより、基板の温度上昇を緩やかにすることで、基板の反りや割れを防止できる。

【0058】

（改質工程（Ｓ８０６））
処理室２０１内を所定の圧力となるように維持しながら、マイクロ波発振器６５５は上述した各部を介して処理室２０１内に第２のマイクロ波（例えば、５１３０Ｗ）を、所定時間（例えば、６００秒）供給する。処理室２０１内に第２のマイクロ波が供給されることによって、ウエハ２００が１００℃以上、１０００℃以下の温度、好適には４００℃以上、９００℃以下の温度となるように加熱し、さらに好適には、５００℃以上、７００℃以下の温度となるように加熱される。このような温度で基板処理することによって、ウエハ２００が効率よくマイクロ波を吸収する温度下での基板処理となり、改質処理の速度向上が可能となる。換言すると、ウエハの温度を１００℃よりも低い温度、または１０００℃よりも高い温度下で処理してしまうと、ウエハの表面が変質してしまい、マイクロ波を吸収し難くなってしまうためにウエハを加熱し難くなってしまうこととなる。このため、上述した温度帯で基板処理を行うことが望まれる。

【0059】

（基板搬出工程（Ｓ８０７））
処理室２０１内の圧力を大気圧復帰させた後、ゲートバルブ２０５を開放し処理室２０１と搬送室２０３とを空間的に連通させる。その後、ボート２１７に載置されている加熱（処理）後のウエハ２００を移載機１２５の高温用のツィーザ１２５ａ－２によって、搬送室２０３に搬出する（Ｓ８０７）。

【0060】

（基板冷却工程（Ｓ８０８））
高温用のツィーザ１２５ａ－２によって搬出された加熱（すなわち、処理）後のウエハ２００は、移載装置１２５ｂ、移載装置エレベータ１２５ｃの連続動作により、冷却室２０４まで移動され、高温用のツィーザ１２５ａ－２によって、冷却室２０４内に、例えば５枚のウエハ２００が載置され、所定時間載置されることで冷却される（Ｓ８０８）。

【0061】

（基板収容工程（Ｓ８０９））
基板冷却工程Ｓ８０８によって冷却されたウエハ２００を、冷却室２０４から取り出し、所定のポッドに搬送する。

【0062】

なお上記の実施例の説明において、マイクロ波の第１の出力は、３６００Ｗで説明したが、第１の出力は、２０００Ｗ～４０００Ｗとする。第１の出力について、２０００Ｗ～４０００Ｗの時のメリットは、ウエハの反り始めから最大になり収まるまでの時間を短縮できるからである。２０００Ｗより低い時のデメリットは、ウエハの温度が上昇し始めるまで時間がかかり過ぎることにある。また、４０００Ｗより高い時のデメリットは、ウエハ温度が急速に上昇しウエハ反りが大きくなりすぎることにより、他と接触する懸念があることである。

【0063】

また、上記の実施例の説明において、第２のマクロ波は、５１３０Ｗで説明したが、第２の出力は、４０００Ｗ～１２０００Ｗとする。４０００Ｗ～１２０００Ｗの時のメリットは、プロセスウエハをトリートメントに適正な温度に調整できることにある。４０００Ｗより低い時のデメリットは、トリートメントに長時間必要か、処理不足になることにある。また、１２０００Ｗより高い時のデメリットは、一度に処理するウエハ枚数にもよるが、ウエハがマイクロ波を吸収できる限度を超え、放電やプラズマが発生するおそれがある。

【0064】

以上説明した本実施例の装置によれば、半導体基板の面内温度分布を均一にするために基板を加熱時に、ノズルからガスを供給することで基板を所定の温度に維持しながら基板に所定時間供給して改質処理を行うことにより半導体基板上の温度差を低減することで半導体基板の処理品質の向上、反りや割れの発生抑制することができる。更に、複数枚の基板を同時に処理することが可能となり、生産性も向上可能となる。

【0065】

以上説明した実施形態は、適宜変更して用いることができ、その効果も得ることができる。例えば、上述の説明では、シリコンを主成分とする膜として、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に改質する処理について記載したが、これに限らず、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）のうち、少なくとも１つ以上を含むガスを供給させて、ウエハ２００の表面に形成された膜を改質しても良い。例えば、ウエハ２００に、高誘電体膜としてのハフニウム酸化膜（ＨｆｘＯｙ膜）が形成されている場合に、酸素を含むガスを供給しながらマイクロ波を供給して加熱させることによって、ハフニウム酸化膜中の欠損した酸素を補充し、高誘電体膜の特性を向上させることができる。

【0066】

なお、ここでは、ハフニウム酸化膜について示したが、これに限らず、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）、鉛（Ｐｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の少なくともいずれかを含む金属元素を含む酸化膜、すなわち、金属系酸化膜を改質する場合においても、好適に適用可能である。すなわち、上述の成膜シーケンスは、ウエハ２００上に、ＴｉＯＣＮ膜、ＴｉＯＣ膜、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＯ膜、ＺｒＯＣＮ膜、ＺｒＯＣ膜、ＺｒＯＮ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯＣＮ膜、ＨｆＯＣ膜、ＨｆＯＮ膜、ＨｆＯ膜、ＴａＯＣＮ膜、ＴａＯＣ膜、ＴａＯＮ膜、ＴａＯ膜、ＮｂＯＣＮ膜、ＮｂＯＣ膜、ＮｂＯＮ膜、ＮｂＯ膜、ＡｌＯＣＮ膜、ＡｌＯＣ膜、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＯ膜、ＭｏＯＣＮ膜、ＭｏＯＣ膜、ＭｏＯＮ膜、ＭｏＯ膜、ＷＯＣＮ膜、ＷＯＣ膜、ＷＯＮ膜、ＷＯ膜を改質する場合にも、好適に適用することが可能となる。

【0067】

また、高誘電体膜に限らず、不純物がドーピングされたシリコンを主成分とする膜を加熱させるようにしてもよい。シリコンを主成分とする膜としては、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）シリコン酸炭化膜（ＳｉＯＣ膜）、シリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）等のＳｉ系酸化膜がある。不純物としては、例えば、臭素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン（Ｐ）、ガリウム（Ｇａ）、砒素（Ａｓ）などの少なくとも１つ以上を含む。

【0068】

また、メタクリル酸メチル樹脂（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、ポリビニルフェニール樹脂などの少なくともいずれかをベースとするレジスト膜であってもよい。

【0069】

また、上述では、半導体装置の製造工程の一工程について記したが、これに限らず、液晶パネルの製造工程のパターニング処理、太陽電池の製造工程のパターニング処理や、パワーデバイスの製造工程のパターニング処理などの、基板を処理する技術にも適用可能である。

【0070】

なお、本開示は、以上に説明した実施例に限定されるものではなく、さらに、様々な変形例が含まれる。例えば、前記した実施例は、本開示を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。

【0071】

更に、上述した各構成、機能、制御部であるコントローラ等は、それらの一部又は全部を実現するプログラムを作成する例を中心に説明したが、それらの一部又は全部を例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現しても良いことは言うまでもない。すなわち、処理部の全部または一部の機能は、プログラムに代え、例えば、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）などの集積回路などにより実現してもよい。

【符号の説明】

【0072】

１００ 基板処理装置
１０５ ノズル
２００ ウエハ（半導体基板）
６５５ マイクロ波発振器（電磁波源、電磁波発生器）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図9】

【図10】

【図11】