特開 2023-14738 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023014738

(43)【公開日】2023-01-31

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20230124BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 G

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021118871

(22)【出願日】2021-07-19

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】郷津 雄資

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB16

5E316CC06

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316DD02

5E316DD25

5E316DD33

5E316FF03

5E316FF15

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH07

(57)【要約】

【課題】多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性を向上すること。
【解決手段】配線基板は、配線層と、絶縁層と、複数の開口部と、接続端子とを有する。配線層は、配線パターンを備える。絶縁層は、配線層上に積層され、配線パターンを被覆する。複数の開口部は、絶縁層を配線パターンまで貫通し、径及びピッチの少なくともいずれか一方が異なる。接続端子は、各開口部に形成され、各開口部から露出する配線パターンの上面に接触する。配線層は、単層の金属層からなる第１配線パターンと、積層された複数の金属層からなり、第１配線パターンよりも厚い第２配線パターンとを有する。第２配線パターンの最上層の金属層は、接続端子との接触面であり、最上層以外の層の金属層の上面と幅が同一である上面を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線パターンを備える配線層と、
前記配線層上に積層され、前記配線パターンを被覆する絶縁層と、
前記絶縁層を前記配線パターンまで貫通し、径及びピッチの少なくともいずれか一方が異なる複数の開口部と、
各前記開口部に形成され、各前記開口部から露出する前記配線パターンの上面に接触する接続端子とを有し、
前記配線層は、
単層の金属層からなる第１配線パターンと、
積層された複数の金属層からなり、前記第１配線パターンよりも厚い第２配線パターンとを有し、
前記第２配線パターンの最上層の前記金属層は、
前記接続端子との接触面であり、最上層以外の層の前記金属層の上面と幅が同一である上面、又は最上層以外の層の前記金属層の上面よりも幅が大きい上面を有することを特徴とする配線基板。

【請求項2】

前記第２配線パターンの最上層の前記金属層は、
断面形状において、側面が最上層以外の層の前記金属層の側面と同一直線上に位置し且つ直線状である
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記第２配線パターンの最上層の前記金属層は、
断面形状において、側面が最上層以外の層の前記金属層の側面と同一直線上に位置し且つテーパ状である
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項4】

前記第２配線パターンの最上層の前記金属層は、
断面形状において、側面が最上層以外の層の前記金属層の側面よりも外方に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項5】

前記第２配線パターンの最上層の前記金属層は、
最上層以外の層の前記金属層とは異なる金属の層である
ことを特徴とする請求項１～４のいずれか一つに記載の配線基板。

【請求項6】

前記複数の開口部は、
第１開口部と、
前記第１開口部よりも径及びピッチが小さい第２開口部とを有し、
前記第１開口部は、
前記絶縁層を前記第１配線パターンまで貫通し、
前記第２開口部は、
前記絶縁層を前記第２配線パターンまで貫通する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項7】

前記複数の開口部は、
第１開口部と、
前記第１開口部よりも径及びピッチが大きい第２開口部とを有し、
前記第１開口部は、
前記絶縁層を前記第１配線パターンまで貫通し、
前記第２開口部は、
前記絶縁層を前記第２配線パターンまで貫通する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項8】

配線パターンを備える配線層を形成する工程と、
前記配線層上に、前記配線パターンを被覆する絶縁層を積層する工程と、
前記絶縁層に、前記配線パターンまで貫通し、径及びピッチの少なくともいずれか一方が異なる複数の開口部を形成する工程と、
各前記開口部に、各前記開口部から露出する前記配線パターンの上面に接触する接続端子を形成する工程とを有し、
前記配線層を形成する工程は、
単層の金属層を積層して、第１配線パターンを形成する工程と、
複数の金属層を積層して、前記第１配線パターンよりも厚い第２配線パターンを形成する工程とを有し、
前記第２配線パターンを形成する工程では、
前記第２配線パターンの最上層の前記金属層の、前記接続端子との接触面である上面の幅を、最上層以外の層の前記金属層の上面の幅と同一にする、又は最上層以外の層の前記金属層の上面の幅よりも大きくする
ことを特徴とする配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体チップが搭載される配線基板には、半導体チップとの接続端子が形成される。接続端子は、配線基板における配線層の配線パターンに接触する金属の突起であり、配線パターンを被覆する絶縁層に設けられる開口部から外方へ突出する。

【0003】

配線基板と半導体チップは、一般に、複数の接続端子を介して接続される。このような場合、接続端子の径及びピッチは、すべて同一であるとは限らず、径及びピッチの少なくともいずれか一方が異なる接続端子が設けられることがある。例えば、電気信号の入出力のための接続端子は比較的小径且つ小ピッチである一方、電源電圧の印可のための接続端子は比較的大径且つ大ピッチである等のように、小径且つ小ピッチの接続端子と大径且つ大ピッチの接続端子とが混在する。

【0004】

かかる複数の接続端子は、配線パターンを被覆する絶縁層に、配線パターンまで貫通し且つ径及びピッチの少なくともいずれか一方が異なる複数の開口部を形成し、各開口部において、例えば電解銅めっきが施されることにより、形成される。例えば、小径及び小ピッチの開口部において、小径且つ小ピッチの接続端子が形成され、大径及び大ピッチの開口部において、大径且つ大ピッチの接続端子が形成される。

【0005】

しかしながら、径及びピッチの少なくともいずれか一方が異なる複数の開口部において電解銅めっきが施される場合、各開口部の径及びピッチの差等の種々の要因に応じて電解銅の析出速度に差が生じるため、これら複数の開口部に形成される複数の接続端子の高さに差が生じることがある。このように高さが異なる複数の接続端子が混在すると、配線基板と半導体チップの接続信頼性が低下するおそれがある。例えば、高さが低い接続端子では、接続端子の頂部と半導体チップの電極とが十分に接触せずにオープン不良が発生することがある。また、オープン不良を回避するために接続用のはんだ量を多くすると、高さが高い接続端子では、余剰なはんだが横方向へ伸張し、近隣の接続端子と接触するショート不良が発生することがある。

【0006】

これに対して、複数の接続端子の高さを等しくする目的から、接続端子が接触する配線層の配線パターンとして、単層構造の配線パターンと、単層構造の配線パターンよりも厚い多層構造の配線パターンとを有する配線基板が提案されている。単層構造の配線パターンは、単層の金属層を積層して形成され、多層構造の配線パターンは、複数の金属層を積層して形成される。かかる配線基板では、多層構造の配線パターンの厚さを適宜調整することにより、複数の接続端子の高さを等しくすることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２００８－２２７３５５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

ところで、上述した配線基板の多層構造の配線パターンにおいては、最上層の金属層の幅が小さくなって、配線パターンと接続端子の接続信頼性が低下することがあるという問題がある。

【0009】

すなわち、多層構造の配線パターンを形成する際には、一般に、相対的に幅が大きい金属層上に相対的に幅が小さい金属層が積層される。このため、多層構造の配線パターンにおいて、接続端子との接触面である、最上層の金属層の上面は、最上層以外の層の金属層の上面よりも幅が小さくなる。最上層の金属層の上面の幅が小さいと、配線基板では、配線パターンを被覆する絶縁層に配線パターンまで貫通する開口部を形成する際に、配線パターンの上面と開口部の底部の接触領域の面積が小さくなることがある。その結果、配線パターンの上面と開口部に形成される接続端子の接触領域の面積も小さくなり、多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性が低下してしまう。

【0010】

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性を向上することができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本願の開示する配線基板は、一つの態様において、配線層と、絶縁層と、複数の開口部と、接続端子とを有する。配線層は、配線パターンを備える。絶縁層は、配線層上に積層され、配線パターンを被覆する。複数の開口部は、絶縁層を配線パターンまで貫通し、径及びピッチの少なくともいずれか一方が異なる。接続端子は、各開口部に形成され、各開口部から露出する配線パターンの上面に接触する。配線層は、単層の金属層からなる第１配線パターンと、積層された複数の金属層からなり、第１配線パターンよりも厚い第２配線パターンとを有する。第２配線パターンの最上層の金属層は、接続端子との接触面であり、最上層以外の層の金属層の上面と幅が同一である上面を有する。

【発明の効果】

【0012】

本願の開示する配線基板の一つの態様によれば、多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性を向上することができる、という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、第１実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である。

【図2】図２は、配線層の第２配線パターンの構造を拡大して示す図である。

【図3】図３は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。

【図4】図４は、配線層形成工程の具体例を示す図である。

【図5】図５は、絶縁層積層工程の具体例を示す図である。

【図6】図６は、開口部形成工程の具体例を示す図である。

【図7】図７は、シード層形成工程の具体例を示す図である。

【図8】図８は、ＤＦＲ層形成工程の具体例を示す図である。

【図9】図９は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。

【図10】図１０は、ＤＦＲ層除去工程の具体例を示す図である。

【図11】図１１は、第１実施形態における配線層形成工程の流れを示すフローチャートである。

【図12】図１２は、シード層形成工程の具体例を示す図である。

【図13】図１３は、ＤＦＲ層積層工程の具体例を示す図である。

【図14】図１４は、現像工程の具体例を示す図である。

【図15】図１５は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。

【図16】図１６は、ＤＦＲ層積層工程の具体例を示す図である。

【図17】図１７は、現像工程の具体例を示す図である。

【図18】図１８は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。

【図19】図１９は、ＤＦＲ層除去工程の具体例を示す図である。

【図20】図２０は、第２実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である。

【図21】図２１は、第２実施形態における配線層形成工程の流れを示すフローチャートである。

【図22】図２２は、レーザ加工工程の具体例を示す図である。

【図23】図２３は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。

【図24】図２４は、ＤＦＲ層積層工程の具体例を示す図である。

【図25】図２５は、現像工程の具体例を示す図である。

【図26】図２６は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。

【図27】図２７は、ＤＦＲ層除去工程の具体例を示す図である。

【図28】図２８は、第３実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である。

【図29】図２９は、第３実施形態における配線層形成工程の流れを示すフローチャートである。

【図30】図３０は、電解ニッケルめっき工程の具体例を示す図である。

【図31】図３１は、ＤＦＲ層除去工程の具体例を示す図である。

【図32】図３２は、シード層エッチング工程の具体例を示す図である。

【図33】図３３は、変形例に係る配線基板の構成を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下に、本願の開示する配線基板及び配線基板の製造方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により開示技術が限定されるものではない。

【0015】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る配線基板１００の構成を示す断面図である。図１においては、接続端子が形成される配線基板１００の表面付近の断面を示す。以下の説明においては、接続端子が形成される側の面を配線基板１００の「上面」と呼ぶとともに、これに準じて上下方向を規定するが、配線基板１００は、例えば上下反転して製造及び使用されても良く、任意の姿勢で製造及び使用されて良い。

【0016】

配線基板１００は、絶縁層１１０、１２０、配線層１１１及び接続端子１３１、１３２を有する。図１においては図示を省略しているが、絶縁層１１０の下方には、他の絶縁層及び配線層が形成されても良く、例えばガラス等を材料とするコア層が形成されても良い。

【0017】

絶縁層１１０は、例えばエポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いて形成される。絶縁性樹脂としては、例えば、熱硬化性の絶縁性樹脂又は感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１１０は、シリカ（ＳｉＯ₂）などのフィラーを含んでいても良い。

【0018】

配線層１１１は、絶縁層１１０上に積層される。配線層１１１の材料としては、例えば銅等を用いることができる。配線層１１１は、絶縁層１１０を貫通する図示しないビア配線等を介して、絶縁層１１０の下方の図示しない配線層と接続されていても良い。

【0019】

配線層１１１は、第１配線パターン２１０と、第１配線パターン２１０よりも厚い第２配線パターン２２０とを有する。第１配線パターン２１０は、単層の金属層から構成される。第２配線パターン２２０は、金属層２２１上に金属層２２２が積層されて構成される。金属層２２２は、最上層の金属層である。図１においては、２層の金属層２２１、２２２が積層されているが、積層される金属層の数は３つ以上であっても良い。後述するように、第２配線パターン２２０の最上層の金属層２２２の上面は、最上層と隣接する層の金属層２２１の上面と幅が同一となっている。

【0020】

絶縁層１２０は、配線層１１１の配線パターン（つまり、第１配線パターン２１０及び第２配線パターン２２０）を被覆するように形成される。絶縁層１２０は、配線基板１００の上面側の最外絶縁層である。絶縁層１２０の材料や厚さは、例えば絶縁層１１０と同様とすることができる。絶縁層１２０も絶縁層１１０と同様に、シリカ（ＳｉＯ₂）などのフィラーを含んでいても良い。

【0021】

絶縁層１２０には、絶縁層１２０を貫通し、底部から配線層１１１の配線パターン（つまり、第１配線パターン２１０及び第２配線パターン２２０）の上面を露出させる開口部１２１、１２２が形成されている。開口部１２１、１２２の径及びピッチの少なくともいずれか一方は異なっており、開口部１２２は、開口部１２１よりも径及びピッチの少なくともいずれか一方が小さい。本実施形態においては、開口部１２２は、開口部１２１よりも径及びピッチの両方が小さい。開口部１２１は、絶縁層１２０を第１配線パターン２１０まで貫通し、底部から第１配線パターン２１０の上面を露出させている。開口部１２２は、絶縁層１２０を第２配線パターン２２０まで貫通し、底部から第２配線パターン２２０の上面を露出させている。

【0022】

開口部１２１、１２２には、配線層１１１の配線パターンと半導体チップの電極とを接続するための接続端子１３１、１３２が形成される。開口部１２１、１２２の径及びピッチが異なるため、接続端子１３１、１３２の径及びピッチも異なる。すなわち、大径且つ大ピッチの開口部１２１には大径且つ大ピッチの接続端子１３１が形成され、小径且つ小ピッチの開口部１２２には小径且つ小ピッチの接続端子１３２が形成される。接続端子１３１、１３２は、開口部１２１、１２２から露出する配線パターン（つまり、第１配線パターン２１０及び第２配線パターン２２０）の上面に接触している。

【0023】

開口部１２１、１２２の径及びピッチが異なるため、接続端子１３１、１３２の高さに差が生じる可能性がある。例えば、小径且つ小ピッチの開口部１２２に形成される接続端子１３２の絶縁層１２０の上面からの高さが接続端子１３１の高さよりも低くなる可能性がある。本実施形態においては、接続端子１３２と接触する第２配線パターン２２０が接続端子１３１と接触する第１配線パターン２１０よりも厚くなっている。このため、第２配線パターン２２０の厚さを適宜調整することにより、接続端子１３１、１３２の高さを等しくすることができる。

【0024】

図２を参照して、接続端子１３２と第２配線パターン２２０の接触部分の構成について、具体的に説明する。図２は、配線層１１１の第２配線パターン２２０の構造を拡大して示す図である。上述の通り、第２配線パターン２２０は、金属層２２１上に金属層２２２が積層された２層構造を有する。

【0025】

第２配線パターン２２０の最上層の金属層２２２の上面は、接続端子１３２との接触面である。最上層の金属層２２２の上面は、最上層に隣接する層の金属層２２１の上面と幅が同一である。すなわち、金属層２２２の上面の幅Ｗ１が金属層２２１の上面の幅Ｗ２と同一である。

【0026】

このように、第２配線パターン２２０の最上層の金属層２２２は、最上層以外の層の金属層２２１の上面と幅が同一である上面を有し、かかる上面において接続端子１３２と接触する。このため、最上層の金属層の上面が最上層以外の層の金属層の上面よりも幅が小さい場合と比較して、最上層の金属層２２２の上面（つまり、第２配線パターン２２０の上面）の表面積を大きくすることができる。これにより、絶縁層１２０に第２配線パターン２２０まで貫通する開口部１２２を形成する際に、第２配線パターン２２０の上面と開口部１２２の底部の接触領域の面積を大きくすることができる。その結果、第２配線パターン２２０の上面と開口部１２２に形成される接続端子１３２の接触領域の面積を大きくすることができ、多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性を向上することができる。

【0027】

また、第２配線パターン２２０の最上層の金属層２２２の断面形状は、側面が最上層に隣接する層の金属層２２１の側面と同一直線上に位置し且つ直線状の断面形状である。すなわち、第２配線パターン２２０の最上層の金属層２２２の側面と最上層に隣接する層の金属層２２１の側面とは、断面形状において、連続し且つ直線状に延びるように形成されている。このように、第２配線パターン２２０の最上層の金属層２２２の側面と最上層に隣接する層の金属層２２１の側面とが連続して直線状に延びることにより、絶縁層１２０から第２配線パターン２２０の側面へ付与される応力を均等に分散することができる。その結果、最上層の金属層２２２と最上層に隣接する層の金属層２２１との剥離を抑制することができ、多層構造の配線パターンにおける電気特性の低下を抑制することができる。

【0028】

次に、上記のように構成される配線基板１００の製造方法について、具体的に例を挙げながら、図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る配線基板１００の製造方法の流れを示すフローチャートである。

【0029】

まず、絶縁層１１０上に、配線パターンを備える配線層１１１が形成される（ステップＳ１０１）。具体的には、例えば図４に示すように、絶縁層１１０上に、第１配線パターン２１０及び第１配線パターン２１０よりも厚い第２配線パターン２２０を備える配線層１１１が形成される。図４は、配線層形成工程の具体例を示す図である。第１配線パターン２１０は、例えばセミアディティブ法により、単層の金属層を積層して形成される。第２配線パターンは、例えばセミアディティブ法により、金属層２２１、２２２を積層して形成される。第２配線パターン２２０は、最上層の金属層２２２の、接続端子１３２との接触面である上面の幅（図２の幅Ｗ１）が最上層に隣接する層の金属層２２１の上面の幅（図２の幅Ｗ２）と同一となるように、形成される。なお、配線層１１１の形成工程に関しては、後に詳述する。

【0030】

配線層１１１が形成されると、絶縁層１１０上及び配線層１１１上に、配線層１１１の配線パターンを被覆するように絶縁層１２０が積層される（ステップＳ１０２）。具体的には、例えば図５に示すように、絶縁層１１０上及び配線層１１１上に、配線層１１１の配線パターンを被覆するように絶縁層１２０が積層される。図５は、絶縁層積層工程の具体例を示す図である。絶縁層１２０は、配線基板１００の上面側の最外絶縁層である。

【0031】

絶縁層１２０が積層されると、絶縁層１２０には、半導体チップとの接続端子が設けられる位置に開口部１２１、１２２が形成される（ステップＳ１０３）。具体的には、例えば図６に示すように、絶縁層１２０を貫通し、底部から配線層１１１の配線パターン（つまり、第１配線パターン２１０及び第２配線パターン２２０）の上面が露出する開口部１２１、１２２が形成される。このとき、例えば半導体チップの電極の種類によって接続端子の大きさが異なるため、開口部１２１の径及びピッチと開口部１２２の径及びピッチとは異なる。すなわち、例えば電気信号の入出力のための接続端子が形成される開口部１２２は比較的小径且つ小ピッチであるのに対し、電源電圧の印加のための接続端子が形成される開口部１２１は比較的大径且つ大ピッチである。図６は、開口部形成工程の具体例を示す図である。

【0032】

開口部１２１、１２２は、例えばＣＯ₂レーザを用いたレーザ加工法などにより形成することができる。開口部１２１は、レーザ加工法によって絶縁層１２０を第１配線パターン２１０まで貫通するように形成される。開口部１２２は、レーザ加工法によって絶縁層１２０を第２配線パターン２２０まで貫通するように形成される。

【0033】

第２配線パターン２２０は、最上層の金属層２２２の、接続端子１３２との接触面である上面の幅が最上層に隣接する層の金属層２２１の上面の幅と同一となるように、形成されている。このため、開口部１２２がレーザ加工法によって形成される場合には、第２配線パターン２２０の上面と開口部１２２の底部の接触領域の面積を大きくすることができ、第２配線パターン２２０の上面に対する開口部１２２の脱落の可能性を低減できる。

【0034】

開口部１２１、１２２の形成後、絶縁層１２０の上面にシード層１２３が形成される（ステップＳ１０４）。具体的には、例えば図７に示すように、絶縁層１２０の上面と、開口部１２１、１２２の内面と、開口部１２１、１２２の底部において露出する配線層１１１の配線パターンの上面とを連続的に被覆するシード層１２３が、例えばスパッタ法又は無電解めっき法により形成される。シード層１２３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又は銅ニッケル合金（Ｃｕ－Ｎｉ）などを用いることが可能であるが、ここでは銅（Ｃｕ）が用いられるものとする。シード層１２３の厚さは、例えば１００～３００ｎｍ程度とすることができる。図７は、シード層形成工程の具体例を示す図である。

【0035】

シード層１２３の形成後、シード層１２３の上面に電解銅めっきのマスクとなるドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）層が形成される（ステップＳ１０５）。具体的には、シード層１２３上にＤＦＲが積層され、接続端子１３１、１３２の位置に応じた露光及び現像が行われることにより、例えば図８に示すように、接続端子１３１、１３２が形成される位置に開口部を有するＤＦＲ１４０が形成される。図８は、ＤＦＲ層形成工程の具体例を示す図である。

【0036】

そして、シード層１２３を給電層として利用する電解銅めっきが施されることにより（ステップＳ１０６）、開口部１２１、１２２に接続端子が形成される。具体的には、例えば図９に示すように、開口部１２１、１２２の内部とＤＦＲ１４０の開口部内部とに、銅（Ｃｕ）が析出し、接続端子１３１、１３２が形成される。図９は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。このとき、開口部１２１、１２２内が銅により充填され、接続端子１３１が開口部１２１から露出する第１配線パターン２１０の上面に接触するとともに、接続端子１３２が開口部１２２から露出する第２配線パターン２２０の上面に接触する。上述の通り、第２配線パターン２２０の上面と開口部１２２の底部の接触領域の面積が大きくなっているため、第２配線パターン２２０の上面と開口部１２２に形成される接続端子１３２の接触領域の面積も大きくなる。その結果、配線パターンと接続端子の接続信頼性を向上することができる。

【0037】

接続端子１３１、１３２が形成されると、例えばアルカリ性の剥離液により、ＤＦＲ１４０が除去される（ステップＳ１０７）。これにより、例えば図１０に示すように、接続端子１３１、１３２が絶縁層１２０から上方へ突起する構造体が得られる。図１０は、ＤＦＲ層除去工程の具体例を示す図である。

【0038】

そして、接続端子１３１、１３２をマスクとして、接続端子１３１、１３２と重ならない部分のシード層１２３がエッチングにより除去される（ステップＳ１０８）。これにより、図１に示した配線基板１００が得られる。なお、図１においては、シード層１２３が省略されている。

【0039】

次に、第１実施形態における配線層１１１の形成工程について、より具体的に図１１を参照しながら説明する。図１１は、第１実施形態における配線層形成工程の流れを示すフローチャートである。

【0040】

まず、絶縁層１１０上にシード層が形成される（ステップＳ２０１）。具体的には、例えば図１２に示すように、絶縁層１１０の上面に、例えば無電解銅めっきによってシード層１１２が形成される。シード層１１２の厚さは、例えば１μｍであり、０．５～１．５μｍの範囲に含まれる。図１２は、シード層形成工程の具体例を示す図である。

【0041】

そして、シード層１１２上にＤＦＲが積層される（ステップＳ２０２）。具体的には、例えば図１３に示すように、シード層１１２の上面に、ＤＦＲ２３０が積層される。図１３は、ＤＦＲ層積層工程の具体例を示す図である。

【0042】

ＤＦＲ２３０が積層されると、配線パターンの位置に応じた露光及び現像が行われる（ステップＳ２０３）。これにより、例えば図１４に示すように、ＤＦＲ２３０の配線パターンが形成される位置に、径及びピッチが異なる開口部２３０ａ、２３０ｂが形成される。図１４は、現像工程の具体例を示す図である。ここでは、ＤＦＲ２３０に、比較的に径及びピッチが大きい開口部２３０ａと、比較的に径及びピッチが小さい開口部２３０ｂとが形成されるものとしている。開口部２３０ａ、２３０ｂの断面形状は、内側面が直線状の断面形状である。

【0043】

そして、シード層１１２を給電層として利用する電解銅めっきが施されることにより（ステップＳ２０４）、開口部２３０ａ、２３０ｂに銅（Ｃｕ）が析出し、単層の金属層が形成される。具体的には、例えば図１５に示すように、ＤＦＲ２３０の開口部から露出するシード層１１２上に単層の金属層である金属層２１１、２２１が積層される。図１５は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。ＤＦＲ２３０の開口部２３０ａから露出するシード層１１２上に金属層２１１が積層されることにより、単層の金属層２１１からなる第１配線パターン２１０が形成される。また、ＤＦＲ２３０の開口部２３０ｂから露出するシード層１１２上には、第２配線パターン２２０の最下層となる金属層２２１が積層される。なお、金属層２１１、２２１は、開口部２３０ａ、２３０ｂを完全に埋め込まない膜厚で積層される。

【0044】

金属層２１１、２２１が積層されると、ＤＦＲ２３０上に他のＤＦＲが積層される（ステップＳ２０５）。具体的には、例えば図１６に示すように、ＤＦＲ２３０の上面に、ＤＦＲ２４０が積層され、同時に、ＤＦＲ２４０の一部がＤＦＲ２３０の開口部２３０ａ、２３０ｂ内の空間まで伸展し、開口部２３０ａ、２３０ｂ内の空間に充填される。図１６は、ＤＦＲ層積層工程の具体例を示す図である。

【0045】

ＤＦＲ２４０が積層されると、第２配線パターン２２０の位置に応じた露光及び現像が行われる（ステップＳ２０６）。これにより、例えば図１７に示すように、ＤＦＲ２４０の開口部２３０ａ、２３０ｂと重複する領域に開口部２４０ａが形成され、同時に開口部２３０ｂ内の空間からＤＦＲ２４０の一部が除去される。図１７は、現像工程の具体例を示す図である。開口部２３０ｂ内の空間からＤＦＲ２４０の一部が除去されることにより、開口部２３０ｂの底部において金属層２２１の上面が露出する。

【0046】

そして、シード層１１２を給電層として利用する電解銅めっきが施されることにより（ステップＳ２０７）、開口部２３０ｂから露出する金属層２２１の上面に銅（Ｃｕ）が析出し、金属層が形成される。具体的には、例えば図１８に示すように、開口部２３０ｂから露出する金属層２２１上に金属層２２２が積層される。図１８は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。開口部２３０ｂから露出する金属層２２１上に金属層２２２が積層されることにより、開口部２３０ｂに、積層された金属層２２１、２２２からなり、第１配線パターン２１０よりも厚い第２配線パターン２２０が形成される。

【0047】

開口部２３０ｂの断面形状は、内側面が直線状の断面形状であることから、開口部２３０ｂの内側面に沿って形成される第２配線パターン２２０の幅は上端から下端まで一定である。このため、第２配線パターン２２０の最上層の金属層２２２の上面の幅は、最上層に隣接する層の金属層２２１の上面の幅と同一である。また、第２配線パターン２２０の最上層の金属層２２２の側面は、開口部２３０ｂの直線状の内側面に沿って形成される。このため、第２配線パターン２２０の最上層の金属層２２２の断面形状は、側面が金属層２２１の側面と同一直線上に位置し且つ直線状の断面形状である。

【0048】

第２配線パターン２２０が形成されると、例えばアルカリ性の剥離液により、ＤＦＲ２３０、２４０が除去される（ステップＳ２０８）。ＤＦＲ２３０、２４０の剥離により、例えば図１９示すように、シード層１１２上に第１配線パターン２１０及び第２配線パターン２２０が形成された状態の配線層１１１が得られる。図１９は、ＤＦＲ層除去工程の具体例を示す図である。

【0049】

そして、第１配線パターン２１０及び第２配線パターン２２０をマスクとして、第１配線パターン２１０及び第２配線パターン２２０と重ならない部分のシード層１１２がエッチングにより除去される（ステップＳ２０９）。これにより、配線層１１１の形成が完了する。

【0050】

以上のように、第１実施形態に係る配線基板（例えば、配線基板１００）は、配線層（例えば、配線層１１１）と、絶縁層（例えば、絶縁層１２０）と、複数の開口部（例えば、開口部１２１、１２２）と、接続端子（例えば、接続端子１３１、１３２）とを有する。配線層は、配線パターン（例えば、第１配線パターン２１０及び第２配線パターン２２０）を備える。絶縁層は、配線層上に積層され、配線パターンを被覆する。複数の開口部は、絶縁層を配線パターンまで貫通し、径及びピッチの少なくともいずれか一方が異なる。接続端子は、各開口部に形成され、各開口部から露出する配線パターンの上面に接触する。配線層は、単層の金属層（例えば、金属層２１１）からなる第１配線パターンと、積層された複数の金属層（例えば、金属層２２１、２２２）からなり、第１配線パターンよりも厚い第２配線パターンとを有する。第２配線パターンの最上層の金属層（例えば、金属層２２２）は、接続端子との接触面であり、最上層以外の層の金属層（例えば、金属層２２１）の上面と幅が同一である上面を有する。これにより、第１実施形態に係る配線基板によれば、多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性を向上することができる。

【0051】

また、第１実施形態に係る第２配線パターンの最上層の金属層は、断面形状において、側面が最上層以外の層の金属層の側面と同一直線上に位置し且つ直線状である。これにより、第１実施形態に係る配線基板によれば、多層構造の配線パターンにおける電気特性の低下を抑制することができる。

【0052】

また、第１実施形態に係る複数の開口部は、第１開口部（例えば、開口部１２１）と、第１開口部よりも径及びピッチが小さい第２開口部（例えば、開口部１２２）とを有する。第１開口部は、絶縁層を第１配線パターンまで貫通し、第２開口部は、絶縁層を第２配線パターンまで貫通する。これにより、第１実施形態に係る配線基板によれば、多層構造の配線パターンと径及びピッチが小さい開口部に形成された接続端子の接続信頼性を向上することができる。

【0053】

（第２実施形態）
第２実施形態は、第１実施形態における配線層１１１の構造のバリエーションに関する。

【0054】

図２０は、第２実施形態に係る配線基板１００の構成を示す断面図である。図２０において、図１と同じ部分には同じ符号を付す。図２０においては、接続端子が形成される配線基板１００の表面付近の断面を示す。図２０に示す配線基板１００は、絶縁層１１０、１２０、配線層１１１及び接続端子１３１、１３２を有する。図２０においては図示を省略しているが、絶縁層１１０の下方には、他の絶縁層及び配線層が形成されても良く、例えばガラス等を材料とするコア層が形成されても良い。

【0055】

配線層１１１は、第１配線パターン２１０Ａと、第１配線パターン２１０Ａよりも厚い第２配線パターン２２０Ａとを有する。第１配線パターン２１０Ａは、単層の金属層から構成される。第２配線パターン２２０Ａは、金属層２２１Ａ上に金属層２２２Ａが積層されて構成される。金属層２２２Ａは、最上層の金属層である。図２０においては、２層の金属層２２１Ａ、２２２Ａが積層されているが、積層される金属層の数は３つ以上であっても良い。

【0056】

第２配線パターン２２０Ａの最上層の金属層２２２Ａの上面は、接続端子１３２との接触面である。最上層の金属層２２２Ａの上面は、最上層と隣接する層の金属層２２１Ａの上面よりも幅が大きい。すなわち、金属層２２２Ａの上面の幅Ｗ１（図２参照）が金属層２２１Ａの上面の幅Ｗ２（図２参照）よりも大きい。

【0057】

このように、第２配線パターン２２０Ａの最上層の金属層２２２Ａは、最上層以外の層の金属層２２１Ａの上面よりも幅が大きい上面を有し、かかる上面において接続端子１３２と接触する。このため、最上層の金属層の上面が最上層以外の層の金属層の上面よりも幅が小さい場合と比較して、最上層の金属層２２２Ａの上面（つまり、第２配線パターン２２０Ａの上面）の表面積をより大きくすることができる。これにより、絶縁層１２０に第２配線パターン２２０Ａまで貫通する開口部１２２を形成する際に、第２配線パターン２２０Ａの上面と開口部１２２の底部の接触領域の面積をより大きくすることができる。その結果、第２配線パターン２２０Ａの上面と開口部１２２に形成される接続端子１３２の接触領域の面積をより大きくすることができ、多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性をより向上することができる。

【0058】

また、第２配線パターン２２０Ａの最上層の金属層２２２Ａの断面形状は、側面が最上層に隣接する層の金属層２２１Ａの側面と同一直線上に位置し且つテーパ状の断面形状である。すなわち、第２配線パターン２２０Ａの最上層の金属層２２２Ａの側面と最上層に隣接する層の金属層２２１Ａの側面とは、断面形状において、連続し且つ直線状に延びるように形成されている。このように、第２配線パターン２２０Ａの最上層の金属層２２２Ａの側面と最上層に隣接する層の金属層２２１Ａの側面とが連続してテーパ状に形成されることにより、絶縁層１２０から第２配線パターン２２０Ａの側面へ付与される応力を均等に分散することができる。その結果、最上層の金属層２２２と最上層に隣接する層の金属層２２１との剥離を抑制することができ、多層構造の配線パターンにおける電気特性の低下を抑制することができる。

【0059】

次に、上記のように構成される配線基板１００の製造方法について説明する。第２実施形態に係る配線基板１００の製造方法は、配線層１１１の形成工程が第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法と異なる。そこで、以下においては、第２実施形態における配線層１１１の形成工程について、具体的に例を挙げながら図２１を参照して説明する。図２１は、第２実施形態における配線層形成工程の流れを示すフローチャートである。図２１において、ステップＳ３０１、Ｓ３０２、Ｓ３０９の工程は、それぞれ図１１に示すステップＳ２０１、Ｓ２０２、Ｓ２０９と同じ工程であるため、その詳細な説明を省略する。

【0060】

まず、絶縁層１１０上にシード層１１２が形成される（ステップＳ３０１）。そして、シード層１１２上にＤＦＲ２３０が積層される（ステップＳ３０２）。

【0061】

ＤＦＲ２３０が積層されると、配線パターンの位置に応じたレーザ加工が施される（ステップＳ３０３）。これにより、例えば図２２に示すように、ＤＦＲ２３０の配線パターンが形成される位置に、径及びピッチが異なる開口部２３０ｃ、２３０ｄが形成される。図２２は、レーザ加工工程の具体例を示す図である。ここでは、ＤＦＲ２３０に、比較的に径及びピッチが大きい開口部２３０ａと、比較的に径及びピッチが小さい開口部２３０ｂとが形成されるものとしている。レーザ加工には、ＣＯ₂レーザなどが用いられる。レーザ加工によって形成される開口部２３０ｃ、２３０ｄの断面形状は、内側面がテーパ状の断面形状である。

【0062】

そして、シード層１１２を給電層として利用する電解銅めっきが施されることにより（ステップＳ３０４）、開口部２３０ｃ、２３０ｄに銅（Ｃｕ）が析出し、単層の金属層が形成される。具体的には、例えば図２３に示すように、ＤＦＲ２３０の開口部から露出するシード層１１２上に単層の金属層である金属層２１１Ａ、２２１Ａが積層される。図２３は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。ＤＦＲ２３０の開口部２３０ｃから露出するシード層１１２上に金属層２１１Ａが積層されることにより、単層の金属層２１１Ａからなる第１配線パターン２１０Ａが形成される。また、ＤＦＲ２３０の開口部２３０ｄから露出するシード層１１２上には、第２配線パターン２２０Ａの最下層となる金属層２２１Ａが積層される。なお、金属層２１１Ａ、２２１Ａは、開口部２３０ｃ、２３０ｄを完全に埋め込まない膜厚で積層される。

【0063】

金属層２１１Ａ、２２１Ａが積層されると、ＤＦＲ２３０上に他のＤＦＲが積層される（ステップＳ３０５）。具体的には、例えば図２４に示すように、ＤＦＲ２３０の上面に、ＤＦＲ２４０が積層され、同時に、ＤＦＲ２４０の一部がＤＦＲ２３０の開口部２３０ｃ、２３０ｄ内の空間まで伸展し、開口部２３０ｃ、２３０ｄ内の空間に充填される。図２４は、ＤＦＲ層積層工程の具体例を示す図である。

【0064】

ＤＦＲ２４０が積層されると、第２配線パターン２２０の位置に応じた露光及び現像が行われる（ステップＳ３０６）。これにより、例えば図２５に示すように、ＤＦＲ２４０の開口部２３０ｃ、２３０ｄと重複する領域に開口部２４０ａが形成され、同時に開口部２３０ｄ内の空間からＤＦＲ２４０の一部が除去される。図２５は、現像工程の具体例を示す図である。開口部２３０ｄ内の空間からＤＦＲ２４０の一部が除去されることにより、開口部２３０ｄの底部において金属層２２１Ａの上面が露出する。

【0065】

そして、シード層１１２を給電層として利用する電解銅めっきが施されることにより（ステップＳ３０７）、開口部２３０ｄから露出する金属層２２１Ａの上面に銅（Ｃｕ）が析出し、金属層が形成される。具体的には、例えば図２６に示すように、開口部２３０ｄから露出する金属層２２１Ａ上に金属層２２２Ａが積層される。図２６は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。開口部２３０ｄから露出する金属層２２１上Ａに金属層２２２Ａが積層されることにより、開口部２３０ｄに、積層された金属層２２１Ａ、２２２Ａからなり、第１配線パターン２１０Ａよりも厚い第２配線パターン２２０Ａが形成される。

【0066】

開口部２３０ｄの断面形状は、内側面がテーパ状の断面形状であることから、開口部２３０ｄの内側面に沿って形成される第２配線パターン２２０Ａの幅は上端から下端に向かうにつれて大きくなる。このため、第２配線パターン２２０Ａの最上層の金属層２２２Ａの上面の幅は、最上層に隣接する層の金属層２２１Ａの上面の幅よりも大きい。また、第２配線パターン２２０Ａの最上層の金属層２２２Ａの側面は、開口部２３０ｄのテーパ状の内側面に沿って形成される。このため、第２配線パターン２２０Ａの最上層の金属層２２２Ａの断面形状は、側面が金属層２２１Ａの側面と同一直線上に位置し且つテーパ状の断面形状である。

【0067】

第２配線パターン２２０Ａが形成されると、例えばアルカリ性の剥離液により、ＤＦＲ２３０、２４０が除去される（ステップＳ３０８）。ＤＦＲ２３０、２４０の剥離により、例えば図２７示すように、シード層１１２上に第１配線パターン２１０Ａ及び第２配線パターン２２０Ａが形成された状態の配線層１１１が得られる。図２７は、ＤＦＲ層除去工程の具体例を示す図である。

【0068】

そして、第１配線パターン２１０Ａ及び第２配線パターン２２０Ａをマスクとして、第１配線パターン２１０Ａ及び第２配線パターン２２０Ａと重ならない部分のシード層１１２がエッチングにより除去される（ステップＳ３０９）。これにより、配線層１１１の形成が完了する。

【0069】

以上のように、第２実施形態に係る第２配線パターン（例えば、第２配線パターン２２０Ａ）の最上層の金属層（例えば、金属層２２２Ａ）は、接続端子との接触面であり、最上層以外の層の金属層（例えば、金属層２２１Ａ）の上面よりも幅が大きい上面を有する。これにより、第２実施形態に係る配線基板によれば、多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性をより向上することができる。

【0070】

また、第２実施形態に係る第２配線パターンの最上層の金属層は、断面形状において、側面が最上層以外の層の金属層の側面と同一直線上に位置し且つテーパ状である。これにより、第２実施形態に係る配線基板によれば、多層構造の配線パターンにおける電気特性の低下を抑制することができる。

【0071】

（第３実施形態）
第３実施形態は、第１実施形態における配線層１１１の構造のバリエーションに関する。

【0072】

図２８は、第３実施形態に係る配線基板１００の構成を示す断面図である。図２８において、図１と同じ部分には同じ符号を付す。図２８においては、接続端子が形成される配線基板１００の表面付近の断面を示す。図２８に示す配線基板１００は、絶縁層１１０、１２０、配線層１１１及び接続端子１３１、１３２を有する。図２８においては図示を省略しているが、絶縁層１１０の下方には、他の絶縁層及び配線層が形成されても良く、例えばガラス等を材料とするコア層が形成されても良い。

【0073】

配線層１１１は、第１配線パターン２１０Ｂと、第１配線パターン２１０Ｂよりも厚い第２配線パターン２２０Ｂとを有する。第１配線パターン２１０Ｂは、単層の金属層から構成される。第２配線パターン２２０Ｂは、金属層２２１Ｂ上に金属層２２２Ｂが積層されて構成される。金属層２２２Ｂは、最上層の金属層である。図２８においては、２層の金属層２２１Ｂ、２２２Ｂが積層されているが、積層される金属層の数は３つ以上であっても良い。

【0074】

第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂの上面は、接続端子１３２との接触面である。最上層の金属層２２２Ｂの上面は、最上層と隣接する層の金属層２２１Ｂの上面よりも幅が大きい。すなわち、金属層２２２Ｂの上面の幅Ｗ１（図２参照）が金属層２２１Ｂの上面の幅Ｗ２（図２参照）よりも大きい。

【0075】

このように、第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂは、最上層以外の層の金属層２２１Ｂの上面よりも幅が大きい上面を有し、かかる上面において接続端子１３２と接触する。このため、最上層の金属層の上面が最上層以外の層の金属層の上面よりも幅が小さい場合と比較して、最上層の金属層２２２Ｂの上面（つまり、第２配線パターン２２０Ｂの上面）の表面積をより大きくすることができる。これにより、絶縁層１２０に第２配線パターン２２０Ｂまで貫通する開口部１２２を形成する際に、第２配線パターン２２０Ｂの上面と開口部１２２の底部の接触領域の面積をより大きくすることができる。その結果、第２配線パターン２２０Ｂの上面と開口部１２２に形成される接続端子１３２の接触領域の面積をより大きくすることができ、多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性をより向上することができる。

【0076】

また、第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂの断面形状は、側面が最上層に隣接する層の金属層２２１Ｂの側面よりも外方に位置する断面形状である。すなわち、第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂの側面と最上層に隣接する層の金属層２２１Ｂの側面とは、断面形状において、幅方向の段差を介して接続するように形成されている。このように、第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂの側面と最上層に隣接する層の金属層２２１Ｂの側面との間に幅方向の段差が形成されることにより、第２配線パターン２２０Ｂの上面の表面積を増大させることができる。その結果、第２配線パターン２２０Ｂの抵抗損失を低減することができ、多層構造の配線パターンにおける電気特性の低下を抑制することができる。

【0077】

次に、上記のように構成される配線基板１００の製造方法について説明する。第３実施形態に係る配線基板１００の製造方法は、配線層１１１の形成工程が第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法と異なる。そこで、以下においては、第３実施形態における配線層１１１の形成工程について、具体的に例を挙げながら図２９を参照して説明する。図２９は、第３実施形態における配線層形成工程の流れを示すフローチャートである。図２９において、ステップＳ４０１～Ｓ４０６の工程は、それぞれ図１１に示すステップＳ２０１～Ｓ２０６と同じ工程であるため、その詳細な説明を省略する。

【0078】

ＤＦＲ２４０の積層後、第２配線パターン２２０Ｂの位置に応じた露光及び現像が行われると（ステップＳ４０６）、シード層１１２を給電層として利用する電解ニッケルめっきが施される（ステップＳ４０７）。電解ニッケルめっきが施されることにより、開口部２３０ｂから露出する、銅（Ｃｕ）の金属層２２１Ｂの上面に、ニッケル（Ｎｉ）が析出し、金属層が形成される。具体的には、例えば図３０に示すように、開口部２３０ｂから露出する金属層２２１Ｂ上に金属層２２２Ｂが積層される。図３０は、電解ニッケルめっき工程の具体例を示す図である。開口部２３０ｂから露出する金属層２２１Ｂ上に金属層２２２Ｂが積層されることにより、開口部２３０ｂに、積層された金属層２２１Ｂ、２２２Ｂからなり、第１配線パターン２１０Ｂよりも厚い第２配線パターン２２０Ｂが形成される。

【0079】

この段階では、第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂの上面の幅は、最上層に隣接する層の金属層２２１Ｂの上面の幅と同一である。また、この段階では、第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂの断面形状は、側面が金属層２２１Ｂの側面と同一直線上に位置し且つ直線状の断面形状である。

【0080】

第２配線パターン２２０Ｂが形成されると、例えばアルカリ性の剥離液により、ＤＦＲ２３０、２４０が除去される（ステップＳ４０８）。ＤＦＲ２３０、２４０の剥離により、例えば図３１示すように、シード層１１２上に第１配線パターン２１０Ｂ及び第２配線パターン２２０Ｂが形成された状態の配線層１１１が得られる。図３１は、ＤＦＲ層除去工程の具体例を示す図である。

【0081】

そして、第１配線パターン２１０Ｂ及び第２配線パターン２２０Ｂをマスクとして、シード層１１２のエッチングが行われる（ステップＳ４０９）。具体的には、シード層１１２とシード層１１２上に形成された第１配線パターン２１０Ｂ及び第２配線パターン２２０Ｂとが、例えば銅（Ｃｕ）を選択的に溶解するエッチング液に浸漬される。これにより、第１配線パターン２１０Ｂ及び第２配線パターン２２０Ｂの間に露出するシード層１１２が除去される。第１配線パターン２１０Ｂ及び第２配線パターン２２０Ｂの金属層２２１Ｂがシード層１１２と同じ金属（つまり、銅）から形成されている。このため、シード層１１２が溶解されると同時に、第１配線パターン２１０Ｂ及び第２配線パターン２２０Ｂの金属層２２１Ｂも側方から溶解される。一方で、第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂは、ニッケル（Ｎｉ）を材料として形成されていることから、シード層１１２のエッチングに用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有し、エッチング液によって溶解されない。

【0082】

この結果、例えば図３２に示すように、最上層の金属層２２２Ｂの幅よりも最上層に隣接する層の金属層２２１Ｂの幅が小さい第２配線パターン２２０Ｂが形成される。図３２は、シード層エッチング工程の具体例を示す図である。つまり、第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂの側面と最上層に隣接する層の金属層２２１Ｂの側面との間に幅方向の段差が形成される。言い換えると、第２配線パターン２２０Ｂの最上層の金属層２２２Ｂの断面形状は、側面が最上層に隣接する層の金属層２２１Ｂの側面よりも外方に位置する断面形状である。これにより、配線層１１１の形成が完了する。

【0083】

以上のように、第３実施形態に係る第２配線パターン（例えば、第２配線パターン２２０Ｂ）の最上層の金属層（例えば、金属層２２２Ｂ）は、接続端子との接触面であり、最上層以外の層の金属層（例えば、金属層２２１Ｂ）の上面よりも幅が大きい上面を有する。これにより、第３実施形態に係る配線基板によれば、多層構造の配線パターンと接続端子の接続信頼性をより向上することができる。

【0084】

また、第３実施形態に係る第２配線パターン（例えば、第２配線パターン２２０Ｂ）の最上層の金属層（例えば、金属層２２２Ｂ）は、断面形状において、側面が最上層以外の層の金属層（例えば、金属層２２１Ｂ）の側面よりも外方に位置する。これにより、第２実施形態に係る配線基板によれば、多層構造の配線パターンにおける電気特性の低下を抑制することができる。

【0085】

（その他の変形例）
上記各実施形態では、開口部１２１の下方に第１配線パターン２１０が位置し且つ開口部１２２の下方に第２配線パターン２２０が位置する場合を例に説明したが、第１配線パターン２１０及び第２配線パターン２２０の位置は入れ替え可能である。例えば、図３３に示すように、開口部１２１の下方に第２配線パターン２２０が位置し且つ開口部１２２の下方に第１配線パターン２１０が位置するようにしてもよい。図３３は、変形例に係る配線基板１００の構成を示す断面図である。図３３に示す配線基板１００においては、開口部１２１は、絶縁層１２０を第２配線パターン２２０まで貫通し、底部から第２配線パターン２２０の上面を露出させている。また、開口部１２２は、絶縁層１２０を第１配線パターン２１０まで貫通し、底部から第１配線パターン２１０の上面を露出させている。かかる構成によれば、多層構造の第２配線パターン２２０と径及びピッチが大きい開口部１２１に形成された接続端子１３１の接続信頼性を向上することができる。

【0086】

また、上記第１及び第２実施形態では、第２配線パターン２２０、２２０Ａの最上層の金属層を銅めっきにより形成する例を示したが、これに限らず、ＮｉやＡｌ等の電解めっきなどの方法で析出可能な金属を最上層の金属層に適用しても良い。

【符号の説明】

【0087】

１００ 配線基板
１１０ 絶縁層
１１１ 配線層
１２０ 絶縁層
１２１ 開口部
１２２ 開口部
１３１、１３２ 接続端子
２１０、２１０Ａ、２１０Ｂ 第１配線パターン
２１１、２１１Ａ 金属層
２２０、２２０Ａ、２２０Ｂ 第２配線パターン
２２１、２２１Ａ、２２１Ｂ 金属層
２２２、２２２Ａ、２２２Ｂ 金属層
２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃ、２３０ｄ 開口部
２４０ａ 開口部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】