特開 2023-147570 発光素子及び発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023147570

(43)【公開日】2023-10-13

(54)【発明の名称】発光素子及び発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/36 20100101AFI20231005BHJP

   H01L 33/48 20100101ALN20231005BHJP

【ＦＩ】

H01L33/36

H01L33/48

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022055141

(22)【出願日】2022-03-30

(71)【出願人】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(74)【代理人】

【識別番号】100168332

【弁理士】

【氏名又は名称】小崎 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100172188

【弁理士】

【氏名又は名称】内田 敬人

(72)【発明者】

【氏名】宮城 明宏

【テーマコード（参考）】

5F142

5F241

【Ｆターム（参考）】

5F142AA12

5F142BA02

5F142BA32

5F142CB11

5F142CB22

5F142CD02

5F142CD17

5F142CD18

5F142CG03

5F142CG23

5F142CG25

5F142CG43

5F142DA12

5F142DA72

5F142DA73

5F142DB12

5F142DB16

5F142DB24

5F142GA28

5F241AA05

5F241CA05

5F241CA22

5F241CA40

5F241CA93

5F241CB11

5F241CB22

(57)【要約】

【課題】所望の発光分布を有する発光素子及び発光装置を提供すること。
【解決手段】上面視において、第１方向に延びる長辺と、第１方向に直交する第２方向に延び長辺よりも短い短辺とを有する半導体構造体であって、ｎ側層とｐ側層と活性層とを有し、ｎ側層は、活性層及びｐ側層から露出された複数の第１領域と、活性層及びｐ側層が配置された第２領域とを有する半導体構造体と、第２領域の上方に配置されｎ側電極と電気的に接続された複数のｎ側外部接続部と、ｐ側電極上に配置されｐ側電極と電気的に接続された複数のｐ側外部接続部と、を備え、上面視において、第１領域は、複数のｎ側外部接続部間及び複数のｐ側外部接続部間に配置されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面視において、第１方向に延びる長辺と、前記第１方向に直交する第２方向に延び、前記長辺よりも短い短辺とを有する半導体構造体であって、ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に位置する活性層とを有し、前記ｎ側層は、前記活性層及び前記ｐ側層から露出された複数の第１領域と、前記活性層及び前記ｐ側層が配置された第２領域と、を有する、前記半導体構造体と、
前記半導体構造体を覆い、前記第１領域に位置する複数の第１開口部と、前記第２領域の上方の前記ｐ側層上に位置する複数の第２開口部とを有する絶縁膜と、
複数の前記第１開口部において前記ｎ側層と電気的に接続されたｎ側電極と、
複数の前記第２開口部において前記ｐ側層と電気的に接続されたｐ側電極と、
前記第２領域の上方に配置され、前記ｎ側電極と電気的に接続された複数のｎ側外部接続部と、
前記ｐ側電極上に配置され、前記ｐ側電極と電気的に接続された複数のｐ側外部接続部と、
を備えた発光素子であって、
上面視において、前記発光素子は、複数の前記ｎ側外部接続部が配置されたｎ側領域と、前記第１方向において前記ｎ側領域と隣り合い、複数の前記ｐ側外部接続部が配置されたｐ側領域とを有し、
上面視において、前記第１領域は、複数の前記ｎ側外部接続部間及び複数の前記ｐ側外部接続部間に配置されている発光素子。

【請求項2】

複数の前記ｎ側外部接続部は前記第１方向及び前記第２方向に並んで配置され、複数の前記ｐ側外部接続部は前記第１方向及び前記第２方向に並んで配置され、
上面視において、前記第１開口部は、前記第１方向において隣り合う前記ｎ側外部接続部間、前記第２方向において隣り合う前記ｎ側外部接続部間、前記第１方向において隣り合う前記ｐ側外部接続部間、及び前記第２方向において隣り合う前記ｐ側外部接続部間にそれぞれ配置されている請求項１に記載の発光素子。

【請求項3】

上面視において、前記ｎ側外部接続部及び前記ｐ側外部接続部のそれぞれは、前記第１方向に延びる第１辺と、前記第２方向に延び、前記第１辺よりも短い第２辺とを有し、
上面視において、対向する前記ｎ側外部接続部の前記第１辺間に配置された前記第１開口部の数は、対向する前記ｎ側外部接続部の前記第２辺間に配置された前記第１開口部の数よりも多く、
上面視において、対向する前記ｐ側外部接続部の前記第１辺間に配置された前記第１開口部の数は、対向する前記ｐ側外部接続部の前記第２辺間に配置された前記第１開口部の数よりも多く、
上面視において、対向する前記ｎ側外部接続部の前記第１辺間、対向する前記ｎ側外部接続部の前記第２辺間、対向する前記ｐ側外部接続部の前記第１辺間、及び対向する前記ｐ側外部接続部の前記第２辺間に配置されたそれぞれの前記第１開口部の面積は同じである請求項２に記載の発光素子。

【請求項4】

前記長辺の長さは、前記短辺の長さの２倍以上５倍以下である請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項5】

上面視において、前記第１開口部は、前記ｎ側外部接続部と前記ｐ側外部接続部との間に配置されている請求項１～４のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項6】

上面視において、前記ｎ側層は、前記第１方向において離れて位置する２つの角部を有し、
上面視において、前記ｎ側層は、前記２つの角部のそれぞれに位置し、前記活性層及び前記ｐ側層から露出された第３領域を有し、
前記ｎ側電極は、前記第３領域において前記ｎ側層と電気的に接続されている請求項１～５のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項7】

基板と、
前記基板上に配置された請求項６に記載の２つの発光素子と、
を備え、
前記第２方向において、前記２つの発光素子の前記第３領域が配置された前記角部同士が対向するように前記基板上に配置される発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光素子及び発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、上面視形状が長方形である発光素子が提案されている。上面視形状が長方形の発光素子において発光分布が悪化しやすい傾向がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１１２７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明は、所望の発光分布を有する発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一態様によれば、発光素子は、上面視において、第１方向に延びる長辺と、前記第１方向に直交する第２方向に延び、前記長辺よりも短い短辺とを有する半導体構造体であって、ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に位置する活性層とを有し、前記ｎ側層は、前記活性層及び前記ｐ側層から露出された複数の第１領域と、前記活性層及び前記ｐ側層が配置された第２領域と、を有する、前記半導体構造体と、前記半導体構造体を覆い、前記第１領域に位置する複数の第１開口部と、前記第２領域の上方の前記ｐ側層上に位置する複数の第２開口部とを有する絶縁膜と、複数の前記第１開口部において前記ｎ側層と電気的に接続されたｎ側電極と、複数の前記第２開口部において前記ｐ側層と電気的に接続されたｐ側電極と、前記第２領域の上方に配置され、前記ｎ側電極と電気的に接続された複数のｎ側外部接続部と、前記ｐ側電極上に配置され、前記ｐ側電極と電気的に接続された複数のｐ側外部接続部と、を備えた発光素子であって、上面視において、前記発光素子は、複数の前記ｎ側外部接続部が配置されたｎ側領域と、前記第１方向において前記ｎ側領域と隣り合い、複数の前記ｐ側外部接続部が配置されたｐ側領域とを有し、上面視において、前記第１領域は、複数の前記ｎ側外部接続部間及び複数の前記ｐ側外部接続部間に配置されている。

【発明の効果】

【0006】

本発明によれば、所望の発光分布を有する発光素子及び発光装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態の発光素子の模式上面図である。

【図2】図１のII-II線における模式断面図である。

【図3】図１のIII-III線における模式断面図である。

【図4】第２実施形態の発光素子の模式上面図である。

【図5】第３実施形態の発光装置の模式上面図である。

【図6】図５のＶI-ＶI線における模式断面図である。

【図7A】第３実施形態の発光装置における複数の発光素子の配置関係を説明するための模式上面図である。

【図7B】第３実施形態の発光装置における複数の発光素子の配置関係を説明するための模式上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。なお、各図面は、実施形態を模式的に示したものであるため、各部材のスケール、間隔若しくは位置関係などが誇張、又は部材の一部の図示を省略する場合がある。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。

【0009】

以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。また、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本明細書において「上」と表現する位置関係は、接している場合と、接していないが上方に位置している場合も含む。

【0010】

［第１実施形態］
第１実施形態の発光素子１は、半導体構造体１０を備える。図１に示す発光素子１の上面視において、互いに直交する２つの方向を第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとする。半導体構造体１０の上面視における形状は長方形である。この長方形における角部は、直角でもよいし、丸みを帯びていてもよい。半導体構造体１０は、上面視において、第１方向Ｘに延びる２つの長辺１０ａと、第２方向Ｙに延びる２つの短辺１０ｂとを有する。短辺１０ｂの長さは、長辺１０ａの長さよりも短い。例えば、長辺１０ａの長さは、短辺１０ｂの長さの２倍以上５倍以下である。長辺１０ａの長さは、例えば、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。短辺１０ｂの長さは、例えば、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。

【0011】

半導体構造体１０は、窒化物半導体からなる。本明細書において「窒化物半導体」とは、例えば、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。また、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、半導体の導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むものも「窒化物半導体」に含まれるものとする。

【0012】

図２に示すように、半導体構造体１０は、ｎ側層１１と、活性層１２と、ｐ側層１３とを有する。ｎ側層１１からｐ側層１３に向かう方向であって、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交する方向を第３方向Ｚとする。活性層１２は、第３方向Ｚにおいて、ｎ側層１１とｐ側層１３との間に位置する。活性層１２は、光を発する発光層であり、例えば複数の障壁層と、複数の井戸層を含むＭＱＷ（Multiple Quantum well）構造を有する。ｎ側層１１は、ｎ型不純物を含む半導体層を有する。ｐ側層１３は、ｐ型不純物を含む半導体層を有する。活性層１２が発する光は、例えば、紫外光または可視光である。青色光の発光ピーク波長は、例えば、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下である。緑色光の発光ピーク波長は、例えば、５００ｎｍ以上５４０ｎｍ以下である。紫外光の発光ピーク波長は、４００ｎｍ以下である。

【0013】

ｎ側層１１は、活性層１２及びｐ側層１３から露出された複数の第１領域１１ａと、活性層１２及びｐ側層１３が配置された第２領域１１ｂとを有する。上面視において、第２領域１１ｂの面積は、第１領域１１ａの面積よりも広い。

【0014】

半導体構造体１０は基板９０上に配置される。第３方向Ｚにおいて、基板９０側から順に、ｎ側層１１、活性層１２、及びｐ側層１３が位置する。基板９０は、例えば、サファイアまたはスピネルのような絶縁性基板を用いることができる。また、基板９０として、ＧａＮ、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、またはＳｉなどの導電性の基板を用いてもよい。また、発光素子１は、基板９０を有していなくてもよい。

【0015】

発光素子１は、ｐ側電極２０、ｎ側電極２３、被覆膜３０、絶縁膜４０、保護膜５０、複数のｎ側外部接続部６１、及び複数のｐ側外部接続部６２をさらに備える。ｐ側電極２０は、第１ｐ側電極２１と、第２ｐ側電極２２とを含む。

【0016】

第１ｐ側電極２１は、第２領域１１ｂの上方のｐ側層１３の上面１３ａに配置され、ｐ側層１３と電気的に接続される。第１ｐ側電極２１は、金属材料からなる。第１ｐ側電極２１の材料として、例えば、銀、アルミニウムなどの金属、又はこれらの金属を含む合金を用いることができる。

【0017】

被覆膜３０は、半導体構造体１０及び第１ｐ側電極２１を覆う。被覆膜３０は、第１ｐ側電極２１上に位置する複数の第６開口部３１を有する。被覆膜３０は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。被覆膜３０は、単層構造としてよいし、複数の絶縁膜が積層された積層構造としてもよい。

【0018】

絶縁膜４０は、半導体構造体１０及び被覆膜３０を覆う。絶縁膜４０は、第１領域１１ａに位置する複数の第１開口部４１と、第２領域１１ｂの上方のｐ側層１３上に位置する複数の第２開口部４２とを有する。絶縁膜４０は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。絶縁膜４０は、単層構造としてよいし、複数の絶縁膜が積層された積層構造としてもよい。

【0019】

第１領域１１ａは、第１開口部４１において絶縁膜４０から露出する部分を有する。図１に示す例においては、第１領域１１ａ及び第１開口部４１を、破線の円で表す。上面視において、円形の第１領域１１ａの内側に、円形の第１開口部４１が位置する。なお、第１領域１１ａ及び第１開口部４１の上面視における形状は、円形に限らず、楕円形、四角形、または五角形以上の多角形であってもよい。なお、上面視における第１領域１１ａの形状はすべて同じとすることに限らず、上面視における形状が異なる第１領域１１ａを備えていてもよい。また、第１開口部４１の上面視における形状はすべて同じとすることに限らず、上面視における形状が異なる形状の第１開口部４１を配置してもよい。

【0020】

絶縁膜４０の第２開口部４２の少なくとも一部は、上面視において、被覆膜３０の第６開口部３１に重なる。第１ｐ側電極２１は、第６開口部３１において被覆膜３０から露出し、且つ上面視において第６開口部３１に重なる第２開口部４２において絶縁膜４０から露出する部分を有する。

【0021】

ｎ側電極２３の一部は、絶縁膜４０上に配置され、絶縁膜４０を介してｐ側層１３の上方に配置されている。ｎ側電極２３は、複数の第１開口部４１において第１領域１１ａに接し、ｎ側層１１と電気的に接続されている。上面視における複数の第１開口部４１の形状をすべて同じとし、複数の第１開口部４１それぞれにおいてｎ側電極２３とｎ側層１１とが接する面積をすべて同じとすることが好ましい。なお、複数の第１開口部４１それぞれにおいてｎ側電極２３とｎ側層１１とが接する面積が、すべて同じであるとは、それぞれの面積が±３％程度の範囲で異なる場合を含む。また、複数の第１開口部４１それぞれにおいてｎ側電極２３とｎ側層１１とが接する面積がすべて同じであれば、上面視における複数の第１開口部４１の形状のうち一部の形状を異ならせてもよい。

【0022】

第２ｐ側電極２２は、複数の第２開口部４２それぞれに配置され、第１ｐ側電極２１に接している。第２ｐ側電極２２は、第１ｐ側電極２１を介して、ｐ側層１３と電気的に接続されている。図１及び図２に示す例では、複数の第２ｐ側電極２２はそれぞれ離隔し、４つのｐ側外部接続部６２と第１ｐ側電極２１との間にそれぞれ配置されている。上面視において、第２ｐ側電極２２は、第１領域１１ａと重ならないように配置されている。

【0023】

ｎ側電極２３及び第２ｐ側電極２２は、金属材料からなる。ｎ側電極２３及び第２ｐ側電極２２の材料として、例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、プラチナ、タングステンなどの金属、又はこれらの金属を含む合金を用いることができる。ｎ側電極２３及び第２ｐ側電極２２のそれぞれは、単層構造としてよいし、複数の金属層が積層された積層構造としてもよい。

【0024】

第１ｐ側電極２１が第２領域１１ｂにおいてｐ側層１３と接する面積は、ｎ側電極２３が第１領域１１ａにおいてｎ側層１１と接する面積よりも広い。

【0025】

保護膜５０は、ｎ側電極２３及び第２ｐ側電極２２を覆う。保護膜５０は、ｎ側電極２３上に位置する複数の第４開口部５１と、第２ｐ側電極２２上に位置する複数の第５開口部５２とを有する。保護膜５０は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。保護膜５０は、単層構造としてよいし、複数の絶縁膜が積層された積層構造としてもよい。

【0026】

ｎ側電極２３は、第４開口部５１において保護膜５０から露出する部分を有する。第２ｐ側電極２２は、第５開口部５２において保護膜５０から露出する部分を有する。

【0027】

ｎ側外部接続部６１は、第２領域１１ｂの上方に配置され、ｎ側電極２３と電気的に接続されている。ｎ側外部接続部６１は、第４開口部５１においてｎ側電極２３に接している。ｎ側外部接続部６１は、ｎ側電極２３を介して、ｎ側層１１と電気的に接続されている。

【0028】

ｐ側外部接続部６２は、第２ｐ側電極２２上に配置され、第２ｐ側電極２２と電気的に接続されている。ｐ側外部接続部６２は、第５開口部５２において第２ｐ側電極２２に接している。ｐ側外部接続部６２は、第１ｐ側電極２１及び第２ｐ側電極２２を介して、ｐ側層１３と電気的に接続されている。

【0029】

ｎ側外部接続部６１及びｐ側外部接続部６２は、金属材料からなる。ｎ側外部接続部６１及びｐ側外部接続部６２の材料として、例えば、チタン、ニッケル、プラチナ、金、タングステンなどの金属、又はこれらの金属を含む合金を用いることができる。ｎ側外部接続部６１及びｐ側外部接続部６２のそれぞれは、単層構造としてよいし、複数の金属層が積層された積層構造としてもよい。

【0030】

図１に示すように、上面視において、発光素子１は、複数のｎ側外部接続部６１が配置されたｎ側領域２００ｎと、第１方向Ｘにおいてｎ側領域２００ｎと隣り合い、複数のｐ側外部接続部６２が配置されたｐ側領域２００ｐとを有する。ｎ側領域２００ｎ及びｐ側領域２００ｐには、それぞれ複数の第１領域１１ａが配置されている。上面視において、ｎ側領域２００ｎに配置された第１領域１１ａ間の距離と、ｐ側領域２００ｐに配置された第１領域１１ａ間の距離とは同じである。なお、ｎ側領域２００ｎに配置された第１領域１１ａ間の距離及びｐ側領域２００ｐに配置された第１領域１１ａ間の距離はすべて同じとすることに限らず、上面視における距離が一部異なるように第１領域１１ａを配置してもよい。

【0031】

上面視において、第１領域１１ａは、複数のｎ側外部接続部６１間、及び複数のｐ側外部接続部６２間に配置されている。換言すると、ｎ側電極２３とｎ側層１１との接続部が、複数のｎ側外部接続部６１間、及び複数のｐ側外部接続部６２間に配置されている。これにより、長方形の発光素子１に対して、ｎ側電極２３とｎ側層１１との接続部の配置の偏りを低減することができ、発光分布の偏りを低減することができる。

【0032】

発光素子１が基板に実装される場合、ｎ側外部接続部６１と基板との間、及びｐ側外部接続部６２と基板との間に接合部材が配置される。発光素子１は、例えば、基板にフリップチップ実装により配置される。上面視において第１領域１１ａには、ｎ側外部接続部６１及びｐ側外部接続部６２が配置されないため、基板への実装時における接合部材からの荷重が第１領域１１ａに対してかかりにくい。これにより、第１領域１１ａに配置された絶縁膜４０、第１領域１１ａと第２領域１１ｂとの間の段差を覆うように配置された絶縁膜４０、及び第１領域１１ａに配置された保護膜５０における亀裂の発生を低減できる。その結果、発光装置の信頼性を向上することができる。

【0033】

例えば、複数のｎ側外部接続部６１は第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置され、複数のｐ側外部接続部６２は第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置されている。図１に示す例では、ｎ側領域２００ｎにおいて４つのｎ側外部接続部６１が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置され、ｐ側領域２００ｐにおいて４つのｐ側外部接続部６２が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置されている。ｎ側領域２００ｎにおいて、５以上のｎ側外部接続部６１が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置され、ｐ側領域２００ｐにおいて、５以上のｐ側外部接続部６２が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置されてもよい。また、ｎ側領域２００ｎにおいて、２以上のｎ側外部接続部６１が第１方向Ｘのみに並んで配置され、または２以上のｎ側外部接続部６１が第２方向Ｙのみに並んで配置されてもよい。ｐ側領域２００ｐにおいて、２以上のｐ側外部接続部６２が第１方向Ｘのみに並んで配置され、または２以上のｐ側外部接続部６２が第２方向Ｙのみに並んで配置されてもよい。

【0034】

上面視において、第１開口部４１は、第１方向Ｘにおいて隣り合うｎ側外部接続部６１間、第２方向Ｙにおいて隣り合うｎ側外部接続部６１間、第１方向Ｘにおいて隣り合うｐ側外部接続部６２間、及び第２方向Ｙにおいて隣り合うｐ側外部接続部６２間にそれぞれ配置されることが好ましい。これにより、複数のｎ側外部接続部６１が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置され、複数のｐ側外部接続部６２が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置された構成において、発光分布の偏りを低減することができる。

【0035】

例えば、上面視において、１つのｎ側外部接続部６１は、第１方向Ｘに延びる第１辺６１ａと、第２方向Ｙに延び、第１辺６１ａよりも短い第２辺６１ｂとを有する。また、１つのｐ側外部接続部６２は、第１方向Ｘに延びる第１辺６２ａと、第２方向Ｙに延び、第１辺６２ａよりも短い第２辺６２ｂとを有する。ｎ側外部接続部６１及びｐ側外部接続部６２の上面視における形状は、それぞれ長方形である。図１に示す例では、ｎ側外部接続部６１及びｐ側外部接続部６２の上面視における形状はすべて同じである。ｎ側外部接続部６１及びｐ側外部接続部６２の上面視における形状をすべて同じとすることに限らず、上面視における形状が異なるｎ側外部接続部６１及び／又はｐ側外部接続部６２を備えていてもよい。例えば、第１辺６１ａ、６２ａの長さは、長辺１０ａの長さの１０％以上３０％以下である。例えば、第１辺６１ａ、６２ａの長さは、３００μｍ以上６００μｍ以下である。例えば、第２辺６１ｂ、６２ｂの長さは、短辺１０ｂの長さの１５％以上５０％以下である。例えば、第２辺６１ｂ、６２ｂの長さは、２００μｍ以上５００μｍ以下である。

【0036】

上面視において、複数の第１開口部４１の面積をそれぞれ同じとする場合、対向するｎ側外部接続部６１の第１辺６１ａ間に配置された第１開口部４１の数は、対向するｎ側外部接続部６１の第２辺６１ｂ間に配置された第１開口部４１の数よりも多いことが好ましい。同様に、上面視において、複数の第１開口部４１の面積をそれぞれ同じとする場合、対向するｐ側外部接続部６２の第１辺６２ａ間に配置された第１開口部４１の数は、対向するｐ側外部接続部６２の第２辺６２ｂ間に配置された第１開口部４１の数よりも多いことが好ましい。これにより、第２辺６１ｂよりも長い第１辺６１ａを有する複数のｎ側外部接続部６１及び第２辺６２ｂよりも長い第１辺６２ａを有する複数のｐ側外部接続部６２が配置された構成において、発光分布の偏りを低減することができる。図１に示す例では、対向するｎ側外部接続部６１の第１辺６１ａ間に２つの第１開口部４１が配置され、対向するｎ側外部接続部６１の第２辺６１ｂ間に１つの第１開口部４１が配置されている。また、対向するｐ側外部接続部６２の第１辺６２ａ間に２つの第１開口部４１が配置され、対向するｐ側外部接続部６２の第２辺６２ｂ間に１つの第１開口部４１が配置されている。

【0037】

また、上面視において、第１開口部４１を、ｎ側外部接続部６１とｐ側外部接続部６２との間にも配置することが好ましい。これにより、発光分布の偏りをさらに低減することができる。図１に示す例では、第１方向Ｘにおいて隣り合うｎ側外部接続部６１とｐ側外部接続部６２との間に１つの第１開口部４１がそれぞれ配置されている。上面視において、ｎ側領域２００ｎとｐ側領域２００ｐとの間には、２つの第１開口部４１が配置されている。

【0038】

上面視において、隣り合うｎ側外部接続部６１とｐ側外部接続部６２との間の最短距離は、隣り合うｎ側外部接続部６１間の最短距離、及び隣り合うｐ側外部接続部６２間の最短距離よりも長いことが好ましい。これにより、後述するように発光素子を基板に接合部材を用いて接合する際、ｎ側外部接続部６１とｐ側外部接続部６２とが接合部材により電気的に接続されることを低減することができる。隣り合うｎ側外部接続部６１間の最短距離、及び隣り合うｐ側外部接続部６２間の最短距離は、例えば、８０μｍ以上１２０μｍ以下である。隣り合うｎ側外部接続部６１とｐ側外部接続部６２との間の最短距離は、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。

【0039】

また、ｎ側層１１は、活性層１２及びｐ側層１３から露出された第３領域１１ｃを有する。第３領域１１ｃは、被覆膜３０から露出する部分を有する。上面視において、第３領域１１ｃは、長辺１０ａ及び短辺１０ｂに沿って延び、第１領域１１ａ及び第２領域１１ｂを連続して囲んでいる。第３領域１１ｃは、半導体構造体１０の外周部に配置されている。

【0040】

ｎ側電極２３は、第１領域１１ａの他にさらに第３領域１１ｃにおいてもｎ側層１１に接し、ｎ側層１１と電気的に接続されている。これにより、発光分布の偏りをさらに低減することができる。例えば、第３領域１１ｃのうち被覆膜３０から露出する部分は、半導体構造体１０の外周部に連続して配置され、第３領域１１ｃにおけるｎ側電極２３とｎ側層１１との接続部は、第１領域１１ａ及び第２領域１１ｂを連続して囲んでいる。

【0041】

［第２実施形態］
第２実施形態の発光素子２は、図４に示すように、第３領域１１ｃにおいて、ｎ側電極２３が、絶縁膜４０の複数の第３開口部４３を通じて部分的にｎ側層１１と接していること以外は上記第１実施形態と基本的に同じ構造を有する。

【0042】

発光素子２のｎ側層１１は、上面視において、第１方向Ｘにおいて離れて位置する２つの角部Ｃを有する。それぞれの角部Ｃは、長辺１０ａの一部と短辺１０ｂの一部を含む。角部Ｃに含まれる長辺１０ａの一部の長さは、例えば、長辺１０ａの長さの５％以上２５％以下である。角部Ｃに含まれる短辺１０ｂの一部の長さは、例えば、短辺１０ｂの長さの１０％以上５０％以下である。

【0043】

上面視において、絶縁膜４０は、２つの角部Ｃのそれぞれに位置する複数の第３開口部４３を有する。１つの角部Ｃにおいて、複数の第３開口部４３が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置されている。図４において、角部Ｃに配置された第３開口部４３を破線の円で表す。第３開口部４３の上面視における形状は、円形に限らず、楕円形、四角形、または五角形以上の多角形であってもよい。

【0044】

第３領域１１ｃは、第３開口部４３において絶縁膜４０から露出する部分を有する。第３開口部４３以外の部分において、第３領域１１ｃは被覆膜３０及び絶縁膜４０に覆われている。ｎ側電極２３は、第３開口部４３において第３領域１１ｃに接し、ｎ側層１１と電気的に接続されている。第３領域１１ｃにおいて、第３開口部４３が配置されていない部分は、絶縁膜４０で覆われ、ｎ側電極２３と接していない。図４に示す例では、ｎ側電極２３は、第３領域１１ｃのうち第３開口部４３に位置する第３領域１１ｃのみにおいてｎ側層１１と電気的に接続されている。

【0045】

第２実施形態の発光素子２によれば、第３開口部４３を通じてｎ側電極２３が第３領域１１ｃに接続する部分を有する角部Ｃの輝度を、第３開口部４３が配置されていない角部よりも高くすることができる。これにより、発光素子の角部の一部が他の領域よりも高い輝度となる発光分布を有する発光素子とすることができる。

【0046】

［第３実施形態］
次に、第３実施形態として、複数の発光素子を含む発光装置について説明する。

【0047】

図５及び図６に示す発光装置１００は、発光素子として、上記第２実施形態の発光素子２を備える。発光装置１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された、例えば２つの発光素子２とを備える。

【0048】

基板１１０は、絶縁性基板であり、例えば、セラミック基板または樹脂基板である。基板１１０上には、複数の電子部品１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃも配置されている。電子部品１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃは、例えば、サーミスタ、トランジスタ、整流ダイオードなどである。

【0049】

上面視において、発光素子２は、第１被覆部材１１１に囲まれている。電子部品１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃは、第１被覆部材１１１で覆われている。上面視において、第１被覆部材１１１に囲まれた領域に配置された発光素子２は、第２被覆部材１１２で覆われている。第１被覆部材１１１及び第２被覆部材１１２には、例えば、フェニルシリコーン樹脂やジメチルシリコーン樹脂などの樹脂材料を用いることができる。第１被覆部材１１１及び第２被覆部材１１２は、例えば、光散乱性部材を含んでもよい。光散乱性部材としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムを用いることができる。また、第２被覆部材１１２はレンズとしての機能を有していてよい。

【0050】

第２被覆部材１１２は、蛍光体を含むことができる。蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ_８ＭｇＳｉ_４Ｏ_１６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）_３（Ｏ，Ｎ）_４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２Ｓｉ_０．９９Ａｌ_０．０１Ｆ_５．９９：Ｍｎ）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する蛍光体（例えば、ＣｓＰｂ（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）_３）、又は、量子ドット蛍光体（例えば、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、ＡｇＩｎＳ_２又はＡｇＩｎＳｅ_２）等を用いることができる。

【0051】

第２被覆部材１１２が配置された領域を発光領域１２０とする。図５には、発光領域１２０の上面視における形状を円形として示すが、発光領域１２０の上面視における形状は、楕円形、四角形、または五角形以上の多角形であってもよい。

【0052】

発光装置１００は、例えば車両に搭載された照明に用いることができる。発光装置１００は、例えば、赤色、白色、アンバー色を発する。赤色を発する発光装置１００は、例えば、車両に搭載されるテールランプ、ブレーキランプなどに用いることができる。基板１１０には、例えば２つのピン孔１１５が形成されている。発光装置１００を車載照明のソケット等に搭載する際、ピン孔１１５にソケットの外部端子が挿入される。ピン孔１１５の内周面には、基板１１０の表面に形成された配線パターンと接続された導体が形成されている。ピン孔１１５に挿入された外部端子は、導体に接し、基板１１０の表面の配線パターンと電気的に接続される。配線パターンは、発光素子２及び電子部品１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃと電気的に接続されている。

【0053】

２つの発光素子２は、第３開口部４３を通じてｎ側電極２３が第３領域１１ｃに接続する部分を有する角部Ｃ同士が第２方向Ｙにおいて対向するように、基板１１０上に配置される。これにより、発光領域１２０において、角部Ｃ同士が対向する部分の輝度を、角部Ｃ同士が対向しない部分の輝度よりも高くすることができる。角部Ｃ同士が対向しない部分は、発光領域１２０の外周に位置する。したがって、発光領域１２０において外周よりも内側の輝度を高くすることができる。

【0054】

基板１１０の表面には、配線パターンと電気的に接続されたｎ側パッドとｐ側パッドが配置されている。それぞれの発光素子２の複数（図４の例では４つ）のｎ側外部接続部６１は、１つのｎ側パッドに接合部材を介して接合される。それぞれの発光素子２の複数（図４の例では４つ）のｐ側外部接続部６２は、１つのｐ側パッドに接合部材を介して接合される。１つの発光素子２の複数のｎ側外部接続部６１が接合されるｎ側パッドは分割されていない。１つの発光素子２の複数のｐ側外部接続部６２が接合されるｐ側パッドは分割されていない。接合部材として、例えば、はんだを用いることができる。

【0055】

基板１１０上に３つ以上の発光素子を配置してもよい。図７Ａ及び図７Ｂには、基板１１０上に３つの発光素子が配置された例を示す。

【0056】

図７Ａに示す例では、角部Ｃ同士を第２方向Ｙにおいて対向するように配置された２つの発光素子２の間に、発光素子３が配置されている。上面視において、発光素子３の第１方向Ｘの長さは、発光素子２の第１方向Ｘの長さよりも短い。発光素子３と、２つの発光素子２とはそれぞれ個別に発光の制御ができるように接続されている。これにより、発光装置は、発光素子３を発光させず、２つの発光素子２を発光させる第１モードと、２つの発光素子２を発光させず、発光素子３を発光させる第２モードと、２つの発光素子２及び発光素子３を発光させる第３モードとを切り替える制御が可能となる。また、それぞれの発光素子を発光させる際、発光素子３を、発光素子２の輝度よりも低く発光させてもよい。

【0057】

図７Ｂに示す例では、角部Ｃ同士を第２方向Ｙにおいて対向するように配置された２つの発光素子２の間に、第１実施形態の発光素子１が配置されている。発光素子１において、それぞれの発光素子２の長辺１０ａに対向する長辺１０ａ側に、ｎ側電極２３とｎ側層１１の第３領域１１ｃとの接続部が第１方向Ｘに延びて配置されている。または、２つの発光素子２の間に配置する発光素子は、第３開口部４３を通じてｎ側電極２３が第３領域１１ｃに接続する部分を有する角部Ｃを、４つの角部に有する発光素子であってもよい。

【0058】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。

【符号の説明】

【0059】

１～３…発光素子、１０…半導体構造体、１０ａ…長辺、１０ｂ…短辺、１１…ｎ側層、１１ａ…第１領域、１１ｂ…第２領域、１１ｃ…第３領域、１２…活性層、１３…ｐ側層、２０…ｐ側電極、２１…第１ｐ側電極、２２…第２ｐ側電極、２３…ｎ側電極、３０…被覆膜、３１…第６開口部、４０…絶縁膜、４１…第１開口部、４２…第２開口部、４３…第３開口部、５０…保護膜、５１…第４開口部、５２…第５開口部、６１…ｎ側外部接続部、６１ａ…第１辺、６１ｂ…第２辺、６２…ｐ側外部接続部、６２ａ…第１辺、６２ｂ…第２辺、９０…基板、１００…発光装置、１１０…基板、２００ｐ…ｐ側領域、２００ｎ…ｎ側領域、Ｃ…角部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】