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特開2023-150312磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023150312
(43)【公開日】2023-10-16
(54)【発明の名称】磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置
(51)【国際特許分類】
G11B 5/712 20060101AFI20231005BHJP
G11B 5/70 20060101ALI20231005BHJP
G11B 5/78 20060101ALI20231005BHJP
G11B 5/738 20060101ALI20231005BHJP
G11B 5/84 20060101ALI20231005BHJP
G11B 5/735 20060101ALI20231005BHJP
【ＦＩ】
G11B5/712
G11B5/70
G11B5/78
G11B5/738
G11B5/84 A
G11B5/735
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022059356
(22)【出願日】2022-03-31
(71)【出願人】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000109
【氏名又は名称】弁理士法人特許事務所サイクス
(72)【発明者】
【氏名】小柳 典子
(72)【発明者】
【氏名】山下 達也
【テーマコード（参考）】
5D006
5D112
【Ｆターム（参考）】
5D006BA06
5D006BA10
5D006CA05
5D006CC03
5D006DA04
5D006FA05
5D112AA05
5D112AA22
5D112BB04
5D112JJ03
(57)【要約】
【課題】高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が少ない磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａは２．５ｎｍ以下であり、かつ磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理済の画像において暗部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤと、磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理より高諧調側で行われる第二の二値化処理済の画像において明部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢと、の突出高さ差Δ（ＨＤ－ＨＢ）は０．７ｎｍ以上である磁気記録媒体。この磁気記録媒体を含む磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置。
【選択図】なし
【解決手段】磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａは２．５ｎｍ以下であり、かつ磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理済の画像において暗部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤと、磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理より高諧調側で行われる第二の二値化処理済の画像において明部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢと、の突出高さ差Δ（ＨＤ－ＨＢ）は０．７ｎｍ以上である磁気記録媒体。この磁気記録媒体を含む磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体であって、
前記磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａは２．５ｎｍ以下であり、かつ
前記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理済の画像において暗部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤと、
前記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の前記第一の二値化処理より高諧調側で行われる第二の二値化処理済の画像において明部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢと、
の突出高さ差Δ、ＨＤ－ＨＢ、は０．７ｎｍ以上である磁気記録媒体。
前記磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａは２．５ｎｍ以下であり、かつ
前記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理済の画像において暗部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤと、
前記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の前記第一の二値化処理より高諧調側で行われる第二の二値化処理済の画像において明部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢと、
の突出高さ差Δ、ＨＤ－ＨＢ、は０．７ｎｍ以上である磁気記録媒体。
【請求項2】
前記突出高さ差Δは、０．７ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項3】
前記算術平均粗さＲａは、０．８ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項4】
前記磁性層は、２種以上の非磁性粉末を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項5】
前記磁性層の非磁性粉末は、アルミナ粉末を含む、請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項6】
前記磁性層の非磁性粉末は、カーボンブラックを含む、請求項４または５に記載の磁気記録媒体。
【請求項7】
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項8】
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項9】
磁気テープである、請求項１～８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項10】
請求項９に記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
【請求項11】
請求項１～９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を含む磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【0002】
各種データを記録するための記録媒体として、磁気記録媒体が広く用いられている（例えば特許文献１および特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－２０９４０３号公報
【特許文献2】特開２００４－３４８８９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
磁気記録媒体には、優れた電磁変換特性を発揮することが求められ、電磁変換特性のより一層の向上が望まれている。
【0005】
磁気記録媒体は、通常、非磁性支持体上に強磁性粉末を含む磁性層を有し、磁気記録媒体の性能には、磁性層の表面形状が影響し得る。磁性層の表面形状に関して、先に示した特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）および特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）には、磁性層表面の突起の存在状態を制御することが提案されている。これに対し本発明者は、従来提案されていた磁性層表面の突起の存在状態の制御によって達成され得る電磁変換特性より更に電磁変換特性に優れる磁気記録媒体、詳しくは、高温環境下（例えば雰囲気温度４０℃以上、更には６０℃以上の過酷な高温環境下）での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が少ない磁気記録媒体を提供することを目指した。
【0006】
即ち、本発明の一態様は、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が少ない磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、下記［１］の磁気記録媒体に関する。
［１］非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体であって、
上記磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａ（以下、「磁性層表面Ｒａ」とも記載する。）は２．５ｎｍ以下であり、かつ
上記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理済の画像において暗部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤと、
上記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理より高諧調側で行われる第二の二値化処理済の画像において明部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢと、
の突出高さ差Δ（ＨＤ－ＨＢ）は０．７ｎｍ以上である磁気記録媒体。
［１］非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体であって、
上記磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａ（以下、「磁性層表面Ｒａ」とも記載する。）は２．５ｎｍ以下であり、かつ
上記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理済の画像において暗部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤと、
上記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理より高諧調側で行われる第二の二値化処理済の画像において明部領域として特定された領域について、原子間力顕微鏡によって測定される、周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢと、
の突出高さ差Δ（ＨＤ－ＨＢ）は０．７ｎｍ以上である磁気記録媒体。
【0008】
一形態では、上記［１］の磁気記録媒体は、以下の磁気記録媒体であることができる。
【0009】
［２］上記突出高さ差Δは、０．７ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である、［１］に記載の磁気記録媒体。
［３］上記算術平均粗さＲａは、０．８ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である、［１］または［２］に記載の磁気記録媒体。
［４］上記磁性層は、２種以上の非磁性粉末を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［５］上記磁性層の非磁性粉末は、アルミナ粉末を含む、［４］に記載の磁気記録媒体。
［６］上記磁性層の非磁性粉末は、カーボンブラックを含む、［４］または［５］に記載の磁気記録媒体。
［７］上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有する、［１］～［６］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［８］上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有する、［１］～［７］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［９］磁気テープである、［１］～［８］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［３］上記算術平均粗さＲａは、０．８ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である、［１］または［２］に記載の磁気記録媒体。
［４］上記磁性層は、２種以上の非磁性粉末を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［５］上記磁性層の非磁性粉末は、アルミナ粉末を含む、［４］に記載の磁気記録媒体。
［６］上記磁性層の非磁性粉末は、カーボンブラックを含む、［４］または［５］に記載の磁気記録媒体。
［７］上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有する、［１］～［６］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［８］上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有する、［１］～［７］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［９］磁気テープである、［１］～［８］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【0010】
本発明の一態様は、下記［１０］の磁気テープカートリッジに関する。
［１０］［９］に記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
［１０］［９］に記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
【0011】
本発明の一態様は、下記［１１］の磁気記録再生装置に関する。
［１１］［１］～［９］のいずれかに記載の磁気記録媒体を含む磁気記録再生装置。
［１１］［１］～［９］のいずれかに記載の磁気記録媒体を含む磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【0012】
本発明の一態様によれば、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が少ない磁気記録媒体を提供することができる。また、本発明の一態様によれば、かかる磁気記録媒体を含む磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。
【図2】ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープのサーボパターン配置例を示す。
【図3】実施例および比較例の磁気テープを走行させるために使用したリールテスターの概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0014】
[磁気記録媒体]
本発明の一態様は、非磁性支持体と強磁性粉末を含む磁性層とを有する磁気記録媒体に関する。上記磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。更に、上記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理済の画像において暗部領域として特定された領域について原子間力顕微鏡によって測定される周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤと上記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理より高諧調側で行われる第二の二値化処理済の画像において明部領域として特定された領域について原子間力顕微鏡によって測定される周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢとの突出高さ差Δ（ＨＤ－ＨＢ）は、０．７ｎｍ以上である。「ＨＤ」および「ＨＢ」について、「Ｈ」は高さ（Ｈｅｉｇｈｔ）の略称として用いている。「ＨＤ」について、「Ｄ」は暗部領域（Ｄａｒｋ ｒｅｇｉｏｎ）の略称として用いている。「ＨＢ」について、「Ｂ」は明部領域（Ｂｒｉｇｈｔ ｒｅｇｉｏｎ）の略称として用いている。
本発明の一態様は、非磁性支持体と強磁性粉末を含む磁性層とを有する磁気記録媒体に関する。上記磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。更に、上記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理済の画像において暗部領域として特定された領域について原子間力顕微鏡によって測定される周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤと上記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により撮像して得られた反射電子像の第一の二値化処理より高諧調側で行われる第二の二値化処理済の画像において明部領域として特定された領域について原子間力顕微鏡によって測定される周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢとの突出高さ差Δ（ＨＤ－ＨＢ）は、０．７ｎｍ以上である。「ＨＤ」および「ＨＢ」について、「Ｈ」は高さ（Ｈｅｉｇｈｔ）の略称として用いている。「ＨＤ」について、「Ｄ」は暗部領域（Ｄａｒｋ ｒｅｇｉｏｎ）の略称として用いている。「ＨＢ」について、「Ｂ」は明部領域（Ｂｒｉｇｈｔ ｒｅｇｉｏｎ）の略称として用いている。
【0015】
通常、磁気記録媒体の走行中、磁性層表面と磁気ヘッドとは接触して摺動する。かかる走行を繰り返すことで磁気ヘッドが摩耗すること（以下、「ヘッド摩耗」と記載する。）は、繰り返し走行後の電磁変換特性の低下をもたらし得る。本発明者は鋭意検討を重ねた結果、算術平均粗さＲａが２．５ｎｍ以下の表面平滑性に優れる磁性層の表面に、上記暗部領域として特定される領域（詳しくは突起）と上記明部領域として特定される領域（詳しくは突起）とを、上記突出高さ差Δが０．７ｎｍ以上の状態で存在させることによって、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が少ない磁気記録媒体の提供が可能になることを新たに見出した。これは、かかる磁気記録媒体によれば、高温環境下での繰り返し走行におけるヘッド摩耗を抑制できるためと本発明者は考えている。
なお、突起の高さに関して、特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）では、磁性層表面の突起の高さを原子間力顕微鏡によって測定し、凸成分と凹成分との体積が等しくなる面を基準面として定め、この基準面の高さを０ｎｍとして、突起の高さを求めている（特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）の段落００１６参照）。また、特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）では、磁性層表面の突起の高さを原子間力顕微鏡によって測定し、突起と窪みの体積が等しくなる面を基準面として定め、この基準面の高さを０ｎｍとして、突起の高さを求めている（特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）の段落００２５参照）。磁性層の表面にうねりが存在することを考慮し、このように突起の高さを求めていると考えられる。
しかし実際には、磁気記録媒体の走行時、通常、磁気記録再生装置内で磁気記録媒体はテンションをかけられながら走行するため、磁気記録媒体は、磁性層の表面のうねりが引き延ばされた状態で走行していると推察される。中でも、高温環境下では磁性層は軟化し易い傾向があるため、磁性層の表面のうねりがより引き延ばされた状態になり得ると考えられる。この点に関し、上記突出高さＨＤおよびＨＢは、詳細を後述する「周辺素地領域」の高さを０ｎｍとして求められる。こうして求められる突出高さＨＤおよびＨＢは、うねりが引き延ばされた状態の磁性層の表面における突起の突出状態の指標になり得ると本発明者は考えている。そして本発明者は、かかる突出高さに関して磁性層の表面の突起の存在状態を制御することによって（即ち、突出高さ差Δを制御することによって）、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が少ない磁気記録媒体の提供が可能になることを見出すに至った。
以下、突出高さ差Δおよび磁性層表面Ｒａについて、更に詳細に説明する。本発明および本明細書において、磁気記録媒体の突出高さΔおよび磁性層表面Ｒａは、製品として出荷された後に使用されていない新品の磁気記録媒体を使用して測定される値とする。
なお、突起の高さに関して、特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）では、磁性層表面の突起の高さを原子間力顕微鏡によって測定し、凸成分と凹成分との体積が等しくなる面を基準面として定め、この基準面の高さを０ｎｍとして、突起の高さを求めている（特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）の段落００１６参照）。また、特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）では、磁性層表面の突起の高さを原子間力顕微鏡によって測定し、突起と窪みの体積が等しくなる面を基準面として定め、この基準面の高さを０ｎｍとして、突起の高さを求めている（特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）の段落００２５参照）。磁性層の表面にうねりが存在することを考慮し、このように突起の高さを求めていると考えられる。
しかし実際には、磁気記録媒体の走行時、通常、磁気記録再生装置内で磁気記録媒体はテンションをかけられながら走行するため、磁気記録媒体は、磁性層の表面のうねりが引き延ばされた状態で走行していると推察される。中でも、高温環境下では磁性層は軟化し易い傾向があるため、磁性層の表面のうねりがより引き延ばされた状態になり得ると考えられる。この点に関し、上記突出高さＨＤおよびＨＢは、詳細を後述する「周辺素地領域」の高さを０ｎｍとして求められる。こうして求められる突出高さＨＤおよびＨＢは、うねりが引き延ばされた状態の磁性層の表面における突起の突出状態の指標になり得ると本発明者は考えている。そして本発明者は、かかる突出高さに関して磁性層の表面の突起の存在状態を制御することによって（即ち、突出高さ差Δを制御することによって）、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が少ない磁気記録媒体の提供が可能になることを見出すに至った。
以下、突出高さ差Δおよび磁性層表面Ｒａについて、更に詳細に説明する。本発明および本明細書において、磁気記録媒体の突出高さΔおよび磁性層表面Ｒａは、製品として出荷された後に使用されていない新品の磁気記録媒体を使用して測定される値とする。
【0016】
＜突出高さ差Δ＞
本発明および本明細書における上記突出高さＨＤおよびＨＢは、磁性層の表面において、以下の方法によって求められる値である。本発明および本明細書において、「磁性層（の）表面」は、磁気記録媒体の磁性層側表面と同義である。以下の測定は、測定対象の磁気記録媒体から切り出したサンプル片を用いて行われる。サンプル片のサイズは以下の測定が可能なサイズであればよい。測定環境は、雰囲気温度が２５℃±２℃であって相対湿度が４５％±２５％の環境とする。
（１）原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって、タッピングモードで測定対象の磁気記録媒体の磁性層の表面の面積１０．０μｍ×１０．０μｍの領域を撮像してＡＦＭ像を取得する。撮像にあたり、サンプル片を、磁性層表面を上方に向けた状態で、磁性層表面と反対側の表面をＡＦＭの試料台に、固定用フィルムによって貼り合わせて固定する。固定用フィルムとしては、例えば市販の固定用フィルムを使用することができる。かかる固定用フィルムとしては、フジコピアン社製ＦＩＸＦＩＬＭシリーズを挙げることができる。後述の実施例および比較例については、固定用フィルムとしてフジコピアン社製ＦＩＸＦＩＬＭ ＨＧＡ２を使用した。ＦＩＸＦＩＬＭ ＨＧＡ２は、片面が粘着面であり、もう一方の片面が吸着面である。後述の実施例および比較例については、ＦＩＸＦＩＬＭ ＨＧＡ２を粘着面によってＡＦＭの試料台に貼り付け、ＦＩＸＦＩＬＭ ＨＧＡ２の吸着面をサンプル片の磁性層表面の反対側の表面と貼り合わせた。撮像条件は、走査周波数：０．７０Ｈｚ、解像度：５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとする。こうして撮像することによって、撮像領域についてＡＦＭ高さデータを取得する。ＡＦＭとしては、日立ハイテクサイエンス社製Ｓ－ｉｍａｇｅ／Ｎａｎｏｎａｖｉを測定モードＤＦＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて使用することができ、探針としては日立ハイテクサイエンス社製ＳＩ－ＤＦ４０（背面Ａｌコート）を使用することができる。後述の実施例および比較例についての測定では、このＡＦＭおよび探針を使用し、測定モードはＤＦＭとした。
（２）ＡＦＭ像を取得した領域と同じ領域について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によってＳＥＭ像を取得する。走査型電子顕微鏡としては、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ－Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を使用する。ＦＥ－ＳＥＭとしては、例えば、日立ハイテクノロジーズ社製ＦＥ－ＳＥＭ ＳＵ８２２０を用いることができ、後述の実施例および比較例についての測定では、このＦＥ－ＳＥＭを用いた。また、ＳＥＭ像を撮像する前に磁性層表面へのコーティング処理は行わない。取得するＳＥＭ像は、低角反射電子（ＬＡ－ＢＳＥ：Ｌｏｗ Ａｎｇｌｅ－Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）像である。以下、単に「反射電子像」と記載する。
撮像条件は、加速電圧：２ｋＶ、エミッション：１０μＡ、作動距離：４ｍｍ、撮影倍率：１３，０００倍である。上記の撮像条件下でフォーカス調整を行い、ＳＥＭ像（反射電子像）を撮像する。撮像された画像からサイズ等を表示する部分（ミクロンバー、クロスマーク等）を消した反射電子像を画像処理ソフトに取り込み、上記（１）で撮像されたＡＦＭ像と位置合わせした後、二値化処理する。位置合わせは、先に記載した面積１０．０μｍ×１０．０μｍの撮像領域内の中央の面積８．５μｍ×８．５μｍの領域について行う。画像解析ソフトとしては、例えば、フリーソフトのＩｍａｇｅＪを使用することができる。後述の実施例および比較例については、ＩｍａｇｅＪを使用した。二値化処理によって、画像は明部領域（白色部分）と暗部領域（黒色部分）とに区分けされる。二値化処理としては、以下の２通りの処理（第一の二値化処理および第二の二値化処理）を行う。
上記の撮像条件下で撮像された反射電子像において、以下のように、第一の二値化処理を行い、第一の二値化処理済画像を作成する。
下限値を０諧調、上限値を７５諧調～９０諧調の範囲の値に設定し、これら２つの閾値（下限値および上限値）により二値化処理を実行する。二値化処理前に画像解析ソフトによってノイズ成分除去処理を行う。ノイズ成分除去処理は、例えば以下の方法により行うことができる。後述の実施例および比較例については、以下の方法によってノイズ除去処理を行った。
画像解析ソフトＩｍａｇｅＪにおいて、ぼかし処理Ｇａｕｓｓ Ｆｉｌｔｅｒを選択しノイズ成分の除去を行う。
こうして得られた第一の二値化処理済画像を暗部領域特定用画像として使用し、この画像において暗部領域（即ち黒色部分）として表示されている部分を、「暗部領域」と特定する。画像解析ソフトによって、第一の二値化処理済画像に含まれるすべての暗部領域について、それぞれ、その面積を求める。求められた面積から、各暗部領域の円相当径を求める。具体的には、求められた面積Ａから、（Ａ／π）＾（１／２）×２＝Ｌにより、円相当径Ｌを算出する。ここで、演算子「＾」は、べき乗を表す。
円相当径は、小数点以下１桁を四捨五入し、小数点以下２桁以降は切り捨てて、１ｎｍ刻みで求めるものとする。
上記二値化処理とは別に、以下のように、第二の二値化処理を行い、第二の二値化処理済画像を作成する。
上記の撮像条件下で撮像された反射電子像において、下限値を１４０諧調～１７０諧調の範囲の値に設定し、上限値を２５５諧調に設定し、これら２つの閾値（下限値および上限値）により二値化処理を実行する。二値化処理前に画像解析ソフトによってノイズ成分除去処理を行う。ノイズ成分除去処理は、例えば以下の方法により行うことができる。後述の実施例および比較例については、以下の方法によってノイズ除去処理を行った。
画像解析ソフトＩｍａｇｅＪにおいて、ぼかし処理Ｇａｕｓｓ Ｆｉｌｔｅｒを選択しノイズ成分の除去を行う。
こうして得られた第二の二値化処理済画像を明部領域特定用画像として使用し、この画像において明部領域（即ち白色部分）として表示されている部分を、「明部領域」と特定する。画像解析ソフトによって、第二の二値化処理済画像に含まれるすべての明部領域について、それぞれ、その面積を求める。求められた面積から、各暗部領域の円相当径を求める。具体的には、求められた面積Ａから、（Ａ／π）＾（１／２）×２＝Ｌにより、円相当径Ｌを算出する。
（３）先に記載した位置合わせによって暗部領域として特定された領域のＡＦＭ高さデータから、暗部領域として特定されたすべての領域について、それぞれ、基準面からの高さ、即ち、基準面を０ｎｍとする高さを求める。かかる高さは、各暗部領域内のＡＦＭ高さデータの算術平均として求めるものとする。本発明および本明細書において、「基準面」とは、撮像領域中の凸成分と凹成分との体積が等しくなる面とする。
こうして、暗部領域として特定されたすべての領域について、基準面を０ｎｍとする高さを求める。
また、暗部領域として特定されたすべての領域について、以下のように、「周辺素地領域」を特定する。
各暗部領域について、この領域の重心位置を円の中心とし、この領域の円相当径を円の直径とする円を基準円として設定する。こうして設定された基準円と同心円状に余白領域および周辺素地領域を特定する。基準円の半径をＲ（単位：ｎｍ）とすると、Ｒ＝Ｌ／２であり、余白領域は、半径が（Ｒ＋５０）ｎｍの円で囲まれる領域から上記基準円で囲まれる領域を除いた、幅５０ｎｍのドーナツ状領域である。周辺素地領域は、半径が（Ｒ＋５０＋１００）ｎｍの円で囲まれる領域から、上記の半径が（Ｒ＋５０）ｎｍの円で囲まれる領域を除いた、幅１００ｎｍのドーナツ状領域である。ただし、暗部領域として特定された領域の形状は円形に限定されるものではないため、実際の暗部領域の形状の一部が周辺素地領域として特定されたドーナツ状領域と重なる場合もあり得る。かかる場合には、重なっている部分は周辺素地領域から除外するものとする。ＡＦＭ高さデータから、こうして特定された周辺素地領域の高さ、即ち、基準面を０ｎｍとする高さを求める。かかる高さは、各周辺素地領域内のＡＦＭ高さデータの算術平均として求めるものとする。
こうして、すべての暗部領域の周辺素地領域について、基準面を０ｎｍとする高さを求める。
すべての暗部領域（ただし、基準面を０ｎｍとする場合に周辺素地領域の高さが負の値になる暗部領域を除く）について、それぞれ「基準面を０ｎｍとする高さ」から「基準面を０ｎｍとする周辺素地領域の高さ」を差し引いた値を求める。こうして求められた値の算術平均を、「周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤ」とする。
以上の処理は、画像解析ソフト（例えばフリーソフトのＩｍａｇｅＪ）によって行うことができ、後述の実施例および比較例については、ＩｍａｇｅＪを使用した。
（４）上記（３）とは別に、先に記載した位置合わせによって明部領域として特定された領域のＡＦＭ高さデータから、明部領域として特定されたすべての領域について、それぞれ、基準面からの高さ、即ち、基準面を０ｎｍとする高さを求める。かかる高さは、各明部領域内のＡＦＭ高さデータの算術平均として求めるものとする。
こうして、明部領域として特定されたすべての領域について、基準面を０ｎｍとする高さを求める。
また、明部領域として特定されたすべての領域について、暗部領域の周辺素地領域の特定について先に記載した方法によって、「周辺素地領域」を特定する。詳しくは、以下のように、「周辺素地領域」を特定する。
各明部領域について、この領域の重心位置を円の中心とし、この領域の円相当径を円の直径とする円を基準円として設定する。こうして設定された基準円と同心円状に余白領域および周辺素地領域を特定する。基準円の半径をＲ（単位：ｎｍ）とすると、Ｒ＝Ｌ／２であり、余白領域は、半径が（Ｒ＋５０）ｎｍの円で囲まれる領域から上記基準円で囲まれる領域を除いた、幅５０ｎｍのドーナツ状領域である。周辺素地領域は、半径が（Ｒ＋５０＋１００）ｎｍの円で囲まれる領域から、上記の半径が（Ｒ＋５０）ｎｍの円で囲まれる領域を除いた、幅１００ｎｍのドーナツ状領域である。ただし、明部領域として特定された領域の形状は円形に限定されるものではないため、実際の明部領域の形状の一部が周辺素地領域として特定されたドーナツ状領域と重なる場合もあり得る。かかる場合には、重なっている部分は周辺素地領域から除外するものとする。ＡＦＭ高さデータから、こうして特定された周辺素地領域の高さ、即ち、基準面を０ｎｍとする高さを求める。かかる高さは、各周辺素地領域内のＡＦＭ高さデータの算術平均として求めるものとする。
こうして、すべての明部領域の周辺素地領域について、基準面を０ｎｍとする高さを求める。
すべての明部領域（ただし、基準面を０ｎｍとする場合に周辺素地領域の高さが負の値になる明部領域を除く）について、それぞれ「基準面を０ｎｍとする高さ」から「基準面を０ｎｍとする周辺素地領域の高さ」を差し引いた値を求める。こうして求められた値の算術平均を、「周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢ」とする。
以上の処理は、画像解析ソフト（例えばフリーソフトのＩｍａｇｅＪ）によって行うことができ、後述の実施例および比較例については、ＩｍａｇｅＪを使用した。
本発明および本明細書における上記突出高さＨＤおよびＨＢは、磁性層の表面において、以下の方法によって求められる値である。本発明および本明細書において、「磁性層（の）表面」は、磁気記録媒体の磁性層側表面と同義である。以下の測定は、測定対象の磁気記録媒体から切り出したサンプル片を用いて行われる。サンプル片のサイズは以下の測定が可能なサイズであればよい。測定環境は、雰囲気温度が２５℃±２℃であって相対湿度が４５％±２５％の環境とする。
（１）原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって、タッピングモードで測定対象の磁気記録媒体の磁性層の表面の面積１０．０μｍ×１０．０μｍの領域を撮像してＡＦＭ像を取得する。撮像にあたり、サンプル片を、磁性層表面を上方に向けた状態で、磁性層表面と反対側の表面をＡＦＭの試料台に、固定用フィルムによって貼り合わせて固定する。固定用フィルムとしては、例えば市販の固定用フィルムを使用することができる。かかる固定用フィルムとしては、フジコピアン社製ＦＩＸＦＩＬＭシリーズを挙げることができる。後述の実施例および比較例については、固定用フィルムとしてフジコピアン社製ＦＩＸＦＩＬＭ ＨＧＡ２を使用した。ＦＩＸＦＩＬＭ ＨＧＡ２は、片面が粘着面であり、もう一方の片面が吸着面である。後述の実施例および比較例については、ＦＩＸＦＩＬＭ ＨＧＡ２を粘着面によってＡＦＭの試料台に貼り付け、ＦＩＸＦＩＬＭ ＨＧＡ２の吸着面をサンプル片の磁性層表面の反対側の表面と貼り合わせた。撮像条件は、走査周波数：０．７０Ｈｚ、解像度：５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとする。こうして撮像することによって、撮像領域についてＡＦＭ高さデータを取得する。ＡＦＭとしては、日立ハイテクサイエンス社製Ｓ－ｉｍａｇｅ／Ｎａｎｏｎａｖｉを測定モードＤＦＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて使用することができ、探針としては日立ハイテクサイエンス社製ＳＩ－ＤＦ４０（背面Ａｌコート）を使用することができる。後述の実施例および比較例についての測定では、このＡＦＭおよび探針を使用し、測定モードはＤＦＭとした。
（２）ＡＦＭ像を取得した領域と同じ領域について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によってＳＥＭ像を取得する。走査型電子顕微鏡としては、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ－Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を使用する。ＦＥ－ＳＥＭとしては、例えば、日立ハイテクノロジーズ社製ＦＥ－ＳＥＭ ＳＵ８２２０を用いることができ、後述の実施例および比較例についての測定では、このＦＥ－ＳＥＭを用いた。また、ＳＥＭ像を撮像する前に磁性層表面へのコーティング処理は行わない。取得するＳＥＭ像は、低角反射電子（ＬＡ－ＢＳＥ：Ｌｏｗ Ａｎｇｌｅ－Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）像である。以下、単に「反射電子像」と記載する。
撮像条件は、加速電圧：２ｋＶ、エミッション：１０μＡ、作動距離：４ｍｍ、撮影倍率：１３，０００倍である。上記の撮像条件下でフォーカス調整を行い、ＳＥＭ像（反射電子像）を撮像する。撮像された画像からサイズ等を表示する部分（ミクロンバー、クロスマーク等）を消した反射電子像を画像処理ソフトに取り込み、上記（１）で撮像されたＡＦＭ像と位置合わせした後、二値化処理する。位置合わせは、先に記載した面積１０．０μｍ×１０．０μｍの撮像領域内の中央の面積８．５μｍ×８．５μｍの領域について行う。画像解析ソフトとしては、例えば、フリーソフトのＩｍａｇｅＪを使用することができる。後述の実施例および比較例については、ＩｍａｇｅＪを使用した。二値化処理によって、画像は明部領域（白色部分）と暗部領域（黒色部分）とに区分けされる。二値化処理としては、以下の２通りの処理（第一の二値化処理および第二の二値化処理）を行う。
上記の撮像条件下で撮像された反射電子像において、以下のように、第一の二値化処理を行い、第一の二値化処理済画像を作成する。
下限値を０諧調、上限値を７５諧調～９０諧調の範囲の値に設定し、これら２つの閾値（下限値および上限値）により二値化処理を実行する。二値化処理前に画像解析ソフトによってノイズ成分除去処理を行う。ノイズ成分除去処理は、例えば以下の方法により行うことができる。後述の実施例および比較例については、以下の方法によってノイズ除去処理を行った。
画像解析ソフトＩｍａｇｅＪにおいて、ぼかし処理Ｇａｕｓｓ Ｆｉｌｔｅｒを選択しノイズ成分の除去を行う。
こうして得られた第一の二値化処理済画像を暗部領域特定用画像として使用し、この画像において暗部領域（即ち黒色部分）として表示されている部分を、「暗部領域」と特定する。画像解析ソフトによって、第一の二値化処理済画像に含まれるすべての暗部領域について、それぞれ、その面積を求める。求められた面積から、各暗部領域の円相当径を求める。具体的には、求められた面積Ａから、（Ａ／π）＾（１／２）×２＝Ｌにより、円相当径Ｌを算出する。ここで、演算子「＾」は、べき乗を表す。
円相当径は、小数点以下１桁を四捨五入し、小数点以下２桁以降は切り捨てて、１ｎｍ刻みで求めるものとする。
上記二値化処理とは別に、以下のように、第二の二値化処理を行い、第二の二値化処理済画像を作成する。
上記の撮像条件下で撮像された反射電子像において、下限値を１４０諧調～１７０諧調の範囲の値に設定し、上限値を２５５諧調に設定し、これら２つの閾値（下限値および上限値）により二値化処理を実行する。二値化処理前に画像解析ソフトによってノイズ成分除去処理を行う。ノイズ成分除去処理は、例えば以下の方法により行うことができる。後述の実施例および比較例については、以下の方法によってノイズ除去処理を行った。
画像解析ソフトＩｍａｇｅＪにおいて、ぼかし処理Ｇａｕｓｓ Ｆｉｌｔｅｒを選択しノイズ成分の除去を行う。
こうして得られた第二の二値化処理済画像を明部領域特定用画像として使用し、この画像において明部領域（即ち白色部分）として表示されている部分を、「明部領域」と特定する。画像解析ソフトによって、第二の二値化処理済画像に含まれるすべての明部領域について、それぞれ、その面積を求める。求められた面積から、各暗部領域の円相当径を求める。具体的には、求められた面積Ａから、（Ａ／π）＾（１／２）×２＝Ｌにより、円相当径Ｌを算出する。
（３）先に記載した位置合わせによって暗部領域として特定された領域のＡＦＭ高さデータから、暗部領域として特定されたすべての領域について、それぞれ、基準面からの高さ、即ち、基準面を０ｎｍとする高さを求める。かかる高さは、各暗部領域内のＡＦＭ高さデータの算術平均として求めるものとする。本発明および本明細書において、「基準面」とは、撮像領域中の凸成分と凹成分との体積が等しくなる面とする。
こうして、暗部領域として特定されたすべての領域について、基準面を０ｎｍとする高さを求める。
また、暗部領域として特定されたすべての領域について、以下のように、「周辺素地領域」を特定する。
各暗部領域について、この領域の重心位置を円の中心とし、この領域の円相当径を円の直径とする円を基準円として設定する。こうして設定された基準円と同心円状に余白領域および周辺素地領域を特定する。基準円の半径をＲ（単位：ｎｍ）とすると、Ｒ＝Ｌ／２であり、余白領域は、半径が（Ｒ＋５０）ｎｍの円で囲まれる領域から上記基準円で囲まれる領域を除いた、幅５０ｎｍのドーナツ状領域である。周辺素地領域は、半径が（Ｒ＋５０＋１００）ｎｍの円で囲まれる領域から、上記の半径が（Ｒ＋５０）ｎｍの円で囲まれる領域を除いた、幅１００ｎｍのドーナツ状領域である。ただし、暗部領域として特定された領域の形状は円形に限定されるものではないため、実際の暗部領域の形状の一部が周辺素地領域として特定されたドーナツ状領域と重なる場合もあり得る。かかる場合には、重なっている部分は周辺素地領域から除外するものとする。ＡＦＭ高さデータから、こうして特定された周辺素地領域の高さ、即ち、基準面を０ｎｍとする高さを求める。かかる高さは、各周辺素地領域内のＡＦＭ高さデータの算術平均として求めるものとする。
こうして、すべての暗部領域の周辺素地領域について、基準面を０ｎｍとする高さを求める。
すべての暗部領域（ただし、基準面を０ｎｍとする場合に周辺素地領域の高さが負の値になる暗部領域を除く）について、それぞれ「基準面を０ｎｍとする高さ」から「基準面を０ｎｍとする周辺素地領域の高さ」を差し引いた値を求める。こうして求められた値の算術平均を、「周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤ」とする。
以上の処理は、画像解析ソフト（例えばフリーソフトのＩｍａｇｅＪ）によって行うことができ、後述の実施例および比較例については、ＩｍａｇｅＪを使用した。
（４）上記（３）とは別に、先に記載した位置合わせによって明部領域として特定された領域のＡＦＭ高さデータから、明部領域として特定されたすべての領域について、それぞれ、基準面からの高さ、即ち、基準面を０ｎｍとする高さを求める。かかる高さは、各明部領域内のＡＦＭ高さデータの算術平均として求めるものとする。
こうして、明部領域として特定されたすべての領域について、基準面を０ｎｍとする高さを求める。
また、明部領域として特定されたすべての領域について、暗部領域の周辺素地領域の特定について先に記載した方法によって、「周辺素地領域」を特定する。詳しくは、以下のように、「周辺素地領域」を特定する。
各明部領域について、この領域の重心位置を円の中心とし、この領域の円相当径を円の直径とする円を基準円として設定する。こうして設定された基準円と同心円状に余白領域および周辺素地領域を特定する。基準円の半径をＲ（単位：ｎｍ）とすると、Ｒ＝Ｌ／２であり、余白領域は、半径が（Ｒ＋５０）ｎｍの円で囲まれる領域から上記基準円で囲まれる領域を除いた、幅５０ｎｍのドーナツ状領域である。周辺素地領域は、半径が（Ｒ＋５０＋１００）ｎｍの円で囲まれる領域から、上記の半径が（Ｒ＋５０）ｎｍの円で囲まれる領域を除いた、幅１００ｎｍのドーナツ状領域である。ただし、明部領域として特定された領域の形状は円形に限定されるものではないため、実際の明部領域の形状の一部が周辺素地領域として特定されたドーナツ状領域と重なる場合もあり得る。かかる場合には、重なっている部分は周辺素地領域から除外するものとする。ＡＦＭ高さデータから、こうして特定された周辺素地領域の高さ、即ち、基準面を０ｎｍとする高さを求める。かかる高さは、各周辺素地領域内のＡＦＭ高さデータの算術平均として求めるものとする。
こうして、すべての明部領域の周辺素地領域について、基準面を０ｎｍとする高さを求める。
すべての明部領域（ただし、基準面を０ｎｍとする場合に周辺素地領域の高さが負の値になる明部領域を除く）について、それぞれ「基準面を０ｎｍとする高さ」から「基準面を０ｎｍとする周辺素地領域の高さ」を差し引いた値を求める。こうして求められた値の算術平均を、「周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢ」とする。
以上の処理は、画像解析ソフト（例えばフリーソフトのＩｍａｇｅＪ）によって行うことができ、後述の実施例および比較例については、ＩｍａｇｅＪを使用した。
【0017】
上記（１）～（４）を、磁性層の表面の無作為に選択した３箇所の異なる測定領域について行う（ｎ＝３）。こうして得られる３つのＨＤの値の算術平均を、測定対象の磁気記録媒体についての「周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤ」とする。こうして得られる３つのＨＢの値の算術平均を、測定対象の磁気記録媒体についての「周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢ」とする。そして、測定対象の磁気記録媒体について、「周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＤ」から「周辺素地領域の高さを０ｎｍとする突出高さＨＢ」を差し引いた値（ＨＤ－ＨＢ）を、「突出高さ差Δ」とする。
【0018】
上記突出高さ差Δについて、本発明者は以下のように推察している。
磁気記録媒体の磁性層には、通常、磁性層表面に研磨性を付与するための非磁性粉末（以下、「研磨剤」とも呼ぶ。）と、摩擦特性制御のために磁性層表面に適度な突起を形成するための非磁性粉末（以下、「フィラー」とも呼ぶ。）と、が含まれる。本発明者は、上記（２）によって暗部領域として特定される領域はフィラーによって磁性層表面に形成された突起であり、上記（２）によって明部領域として特定される領域は研磨剤によって磁性層表面に形成された突起であると考えている。ヘッド摩耗は主に研磨剤によって形成された突起がヘッドと接触することが原因で発生すると推察される。そして、フィラーによって形成された突起を研磨剤によって形成された突起より高く突出させることは、かかる原因で発生するヘッド摩耗を抑制することにつながると考えられる。更に上記磁気記録媒体については、基準面ではなく周辺素地領域の高さを基準として（即ち、周辺素地領域の高さを０ｎｍとして）、突出高さ差Δが定められる。かかる突出高さ差Δを０．７ｎｍ以上にすることは、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下を抑制することに寄与し得る。この点の詳細は、先に記載した通りである。
磁気記録媒体の磁性層には、通常、磁性層表面に研磨性を付与するための非磁性粉末（以下、「研磨剤」とも呼ぶ。）と、摩擦特性制御のために磁性層表面に適度な突起を形成するための非磁性粉末（以下、「フィラー」とも呼ぶ。）と、が含まれる。本発明者は、上記（２）によって暗部領域として特定される領域はフィラーによって磁性層表面に形成された突起であり、上記（２）によって明部領域として特定される領域は研磨剤によって磁性層表面に形成された突起であると考えている。ヘッド摩耗は主に研磨剤によって形成された突起がヘッドと接触することが原因で発生すると推察される。そして、フィラーによって形成された突起を研磨剤によって形成された突起より高く突出させることは、かかる原因で発生するヘッド摩耗を抑制することにつながると考えられる。更に上記磁気記録媒体については、基準面ではなく周辺素地領域の高さを基準として（即ち、周辺素地領域の高さを０ｎｍとして）、突出高さ差Δが定められる。かかる突出高さ差Δを０．７ｎｍ以上にすることは、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下を抑制することに寄与し得る。この点の詳細は、先に記載した通りである。
【0019】
上記磁気記録媒体において、突出高さ差Δは、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下を抑制する観点から、０．７ｎｍ以上であり、０．８ｎｍ以上であることが好ましく、０．９ｎｍ以上であることがより好ましく、１．０ｎｍ以上であることが更に好ましい。また、突出高さ差Δは、例えば３．０ｎｍ以下であることができる。一形態では、突出高さ差Δが３．０ｎｍ以下であることは、走行初期の電磁変換特性を高める観点から好ましい。
【0020】
突出高さ差Δの制御については、例えば、研磨剤としてサイズが小さいものを使用することによって、および／または、フィラーとしてサイズが大きいものを使用することによって、突出高さ差Δの値は大きくなる傾向がある。磁性層形成用組成物の調製時にフィラーを含む分散液（以下、「フィラー液」とも記載する。）の分散処理を強化することによって（例えば分散処理の回数を増やすことによって）、突出高さ差Δの値は小さくなる傾向がある。また、製品として出荷する前の任意の段階で、テンションをかけながら磁気記録媒体を走行させつつ磁性層表面を摺動部材と摺動させることによって、磁性層表面に突出した非磁性粉末（例えばフィラーおよび／または研磨剤）の粒子が削られるか、および／または、粒子が磁性層内部に向かって押し込まれることにより、ＨＤおよびＨＢの一方または両方を変化させることができる。摺動部材としては、任意の摺動部材を使用することができる。例えば、磁気ヘッドを摺動部材として使用することもできる。例えば上記手段の１つ以上を採用することによって、突出高さ差Δを０．７ｎｍ以上に制御することができる。
【0021】
＜磁性層表面Ｒａ＞
本発明および本明細書における、磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａ（磁性層表面Ｒａ）は、以下の方法によって求められる。
算術平均粗さＲａの測定には、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いる。測定領域は、４０μｍ角（４０μｍ×４０μｍ）の領域とする。測定は、磁性層表面の無作為に選択した３箇所の異なる測定箇所において行う（ｎ＝３）。かかる測定により得られた３つの値の算術平均を、測定対象の磁気記録媒体の磁性層表面Ｒａとする。ＡＦＭの測定条件の一例としては、下記の測定条件を挙げることができる。後述の実施例および比較例については、下記の測定条件を採用した。
ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて磁気記録媒体の磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を測定する。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ－３００を使用し、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとし、スキャン速度は１画面（５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌ）を３４１秒で測定する速度とする。
本発明および本明細書における、磁性層の表面において測定される算術平均粗さＲａ（磁性層表面Ｒａ）は、以下の方法によって求められる。
算術平均粗さＲａの測定には、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いる。測定領域は、４０μｍ角（４０μｍ×４０μｍ）の領域とする。測定は、磁性層表面の無作為に選択した３箇所の異なる測定箇所において行う（ｎ＝３）。かかる測定により得られた３つの値の算術平均を、測定対象の磁気記録媒体の磁性層表面Ｒａとする。ＡＦＭの測定条件の一例としては、下記の測定条件を挙げることができる。後述の実施例および比較例については、下記の測定条件を採用した。
ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて磁気記録媒体の磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を測定する。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ－３００を使用し、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとし、スキャン速度は１画面（５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌ）を３４１秒で測定する速度とする。
【0022】
上記磁気記録媒体の磁性層表面Ｒａは、２．５ｎｍ以下であり、２．４ｎｍ以下であることが好ましく、２．３ｎｍ以下であることがより好ましい。磁性層表面Ｒａが２．５ｎｍ以下の表面平滑性に優れる磁性層の表面において求められる突出高さ差Δを０．７ｎｍ以上とすることが、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下を抑制することに寄与し得る。また、上記磁気記録媒体の磁性層表面Ｒａは、例えば、０．８ｎｍ以上、０．９ｎｍ以上、１．０ｎｍ以上、１．１ｎｍ以上もしくは１．２ｎｍ以上であることができ、または、ここに例示した値を下回ることもできる。
【0023】
磁性層表面Ｒａは、磁気記録媒体の製造条件の調整等の公知の方法によって制御することができる。
【0024】
以下、上記磁気記録媒体について、更に詳細に説明する。
【0025】
＜磁性層＞
（強磁性粉末）
磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において用いられる強磁性粉末として公知の強磁性粉末を１種または２種以上組み合わせて使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
（強磁性粉末）
磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において用いられる強磁性粉末として公知の強磁性粉末を１種または２種以上組み合わせて使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
【0026】
強磁性粉末の粒子サイズに関して、粒子サイズの指標としては、平均粒子体積を挙げることもできる。平均粒子体積は、記録密度向上の観点から、２５００ｎｍ３以下であることが好ましく、２３００ｎｍ３以下であることがより好ましく、２０００ｎｍ３以下であることが更に好ましく、１５００ｎｍ３以下であることが一層好ましい。磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子体積は、５００ｎｍ３以上であることが好ましく、６００ｎｍ３以上であることがより好ましく、６５０ｎｍ３以上であることが更に好ましく、７００ｎｍ３以上であることが一層好ましい。上記の平均粒子体積は、後述する方法によって求められる平均粒子サイズから、球相当体積として求められる値である。
【0027】
六方晶フェライト粉末
強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。
【0028】
本発明および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライトの結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライトの結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライトの結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライトの結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本発明および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいい、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。
【0029】
以下に、六方晶フェライト粉末の一形態である六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、更に詳細に説明する。
【0030】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００～１６００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化された六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気記録媒体の作製のために好適である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００ｎｍ３以上であり、例えば８５０ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、１５００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１４００ｎｍ３以下であることが更に好ましく、１３００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１２００ｎｍ３以下であることがより一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることが更により一層好ましい。六方晶バリウムフェライト粉末の活性化体積についても、同様である。
【0031】
「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本発明および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁力計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０－１Ｊ／ｍ３である。
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］
【0032】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０５Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【0033】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含んでいてもよく、含まなくてもよい。六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、鉄原子１００原子％に対して、０．５～５．０原子％の含有率（バルク含有率）で希土類原子を含むことが好ましい。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一形態では、希土類原子表層部偏在性を有することができる。本発明および本明細書における「希土類原子表層部偏在性」とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により部分溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子表層部含有率」または希土類原子に関して単に「表層部含有率」と記載する。）が、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により全溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子バルク含有率」または希土類原子に関して単に「バルク含有率」と記載する。）と、
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。
【0034】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、希土類原子含有率（バルク含有率）は、鉄原子１００原子％に対して０．５～５．０原子％の範囲であることが好ましい。上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることは、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することに寄与すると考えられる。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることにより、異方性定数Ｋｕを高めることができるためと推察される。異方性定数Ｋｕは、この値が高いほど、いわゆる熱揺らぎと呼ばれる現象の発生を抑制すること（換言すれば熱的安定性を向上させること）ができる。熱揺らぎの発生が抑制されることにより、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の粒子表層部に希土類原子が偏在することが、表層部の結晶格子内の鉄（Ｆｅ）のサイトのスピンを安定化することに寄与し、これにより異方性定数Ｋｕが高まるのではないかと推察される。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気記録媒体の走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気記録媒体の走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。
【0035】
上記バルク含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる含有率である。本発明および本明細書において、特記しない限り、原子について含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められるバルク含有率をいうものとする。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子として１種の希土類原子のみ含んでもよく、２種以上の希土類原子を含んでもよい。２種以上の希土類原子を含む場合の上記バルク含有率は、２種以上の希土類原子の合計について求められる。この点は、本発明および本明細書における他の成分についても同様である。即ち、特記しない限り、ある成分は、１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。２種以上用いられる場合の含有量または含有率とは、２種以上の合計についていうものとする。
【0036】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、含まれる希土類原子は、希土類原子のいずれか１種以上であればよい。繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点から好ましい希土類原子としては、ネオジム原子、サマリウム原子、イットリウム原子およびジスプロシウム原子を挙げることができ、ネオジム原子、サマリウム原子およびイットリウム原子がより好ましく、ネオジム原子が更に好ましい。
【0037】
希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、偏在の程度は限定されるものではない。例えば、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は１．０超であり、１．５以上であることができる。「表層部含有率／バルク含有率」が１．０より大きいことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。また、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は、例えば、１０．０以下、９．０以下、８．０以下、７．０以下、６．０以下、５．０以下、または４．０以下であることができる。ただし、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、上記の「表層部含有率／バルク含有率」は、例示した上限または下限に限定されるものではない。
【0038】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の部分溶解および全溶解について、以下に説明する。粉末として存在している六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、部分溶解および全溶解する試料粉末は、同一ロットの粉末から採取する。一方、磁気記録媒体の磁性層に含まれている六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、磁性層から取り出した六方晶ストロンチウムフェライト粉末の一部を部分溶解に付し、他の一部を全溶解に付す。磁性層からの六方晶ストロンチウムフェライト粉末の取り出しは、例えば、特開２０１５－９１７４７号公報の段落００３２に記載の方法によって行うことができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。
【0039】
磁気記録媒体に記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気記録媒体に含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本発明および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１５ｋＯｅで測定される値とする。１［ｋＯｅ］＝１０６／４π［Ａ／ｍ］である。
【0040】
六方晶ストロンチウムフェライト粉末の構成原子の含有率（バルク含有率）に関して、ストロンチウム原子含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば２．０～１５．０原子％の範囲であることができる。一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、この粉末に含まれる二価金属原子がストロンチウム原子のみであることができる。また他の一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、ストロンチウム原子に加えて１種以上の他の二価金属原子を含むこともできる。例えば、バリウム原子および／またはカルシウム原子を含むことができる。ストロンチウム原子以外の他の二価金属原子が含まれる場合、六方晶ストロンチウムフェライト粉末におけるバリウム原子含有率およびカルシウム原子含有率は、それぞれ、例えば、鉄原子１００原子％に対して、０．０５～５．０原子％の範囲であることができる。
【0041】
六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または２種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ１２Ｏ１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表し、六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、ストロンチウム原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。更に、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、これら原子以外の原子を含んでもよく、含まなくてもよい。一例として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、アルミニウム原子（Ａｌ）を含むものであってもよい。アルミニウム原子の含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば０．５～１０．０原子％であることができる。繰り返し再生における再生出力低下をより一層抑制する観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子を含み、これら原子以外の原子の含有率が、鉄原子１００原子％に対して、１０．０原子％以下であることが好ましく、０～５．０原子％の範囲であることがより好ましく、０原子％であってもよい。即ち、一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子以外の原子を含まなくてもよい。上記の原子％で表示される含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる各原子の含有率（単位：質量％）を、各原子の原子量を用いて原子％表示の値に換算して求められる。また、本発明および本明細書において、ある原子について「含まない」とは、全溶解してＩＣＰ分析装置により測定される含有率が０質量％であることをいう。ＩＣＰ分析装置の検出限界は、通常、質量基準で０．０１ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。上記の「含まない」とは、ＩＣＰ分析装置の検出限界未満の量で含まれることを包含する意味で用いるものとする。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一形態では、ビスマス原子（Ｂｉ）を含まないものであることができる。
【0042】
金属粉末
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３７～０１４１および特開２００５－２５１３５１号公報の段落０００９～００２３を参照できる。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３７～０１４１および特開２００５－２５１３５１号公報の段落０００９～００２３を参照できる。
【0043】
ε－酸化鉄粉末
強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε－酸化鉄粉末を挙げることもできる。本発明および本明細書において、「ε－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε－酸化鉄の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε－酸化鉄の結晶構造に帰属される場合、ε－酸化鉄の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε－酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε－酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ． Ｊｐｎ． Ｓｏｃ． Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ Ｖｏｌ． ６１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， ｐｐ． Ｓ２８０－Ｓ２８４、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． Ｃ， ２０１３， １， ｐｐ．５２００－５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気記録媒体の磁性層において強磁性粉末として使用可能なε－酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε－酸化鉄粉末を挙げることもできる。本発明および本明細書において、「ε－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε－酸化鉄の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε－酸化鉄の結晶構造に帰属される場合、ε－酸化鉄の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε－酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε－酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ． Ｊｐｎ． Ｓｏｃ． Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ Ｖｏｌ． ６１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， ｐｐ． Ｓ２８０－Ｓ２８４、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． Ｃ， ２０１３， １， ｐｐ．５２００－５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気記録媒体の磁性層において強磁性粉末として使用可能なε－酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。
【0044】
ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００～１５００ｎｍ３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化されたε－酸化鉄粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気記録媒体の作製のために好適である。ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００ｎｍ３以上であり、例えば５００ｎｍ３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ３以下であることがより一層好ましい。
【0045】
熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。ε－酸化鉄粉末は、好ましくは３．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは８．０×１０４Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有することができる。また、ε－酸化鉄粉末のＫｕは、例えば３．０×１０５Ｊ／ｍ３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し、好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。
【0046】
磁気記録媒体に記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気記録媒体に含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、一形態では、ε－酸化鉄粉末のσｓは、８Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることができ、１２Ａ・ｍ２／ｋｇ以上であることもできる。一方、ε－酸化鉄粉末のσｓは、ノイズ低減の観点からは、４０Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることが好ましく、３５Ａ・ｍ２／ｋｇ以下であることがより好ましい。
【0047】
本発明および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントするか、ディスプレイに表示する等して、粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している形態に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している形態も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントするか、ディスプレイに表示する等して、粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している形態に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している形態も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
【0048】
粒子サイズ測定のために磁気記録媒体から試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。
【0049】
本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。
【0050】
また、粉末の針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、上記５００個の粒子について得た長軸長の算術平均（平均長軸長）と短軸長の算術平均（平均短軸長）から、「平均長軸長／平均短軸長」として求められる。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（平均長軸長／平均短軸長）は、便宜上１とみなす。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
【0051】
磁性層における強磁性粉末の含有率（充填率）は、磁性層の全質量に対して、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。
【0052】
（結合剤）
上記磁気記録媒体は塗布型の磁気記録媒体であることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤とは、１種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。
以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、特記しない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。結合剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部の量で使用することができる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ（Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
上記磁気記録媒体は塗布型の磁気記録媒体であることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤とは、１種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。
以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、特記しない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。結合剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部の量で使用することができる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ（Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
【0053】
（硬化剤）
結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０～８０．０質量部の量で使用することができる。
結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０～８０．０質量部の量で使用することができる。
【0054】
（添加剤）
磁性層には、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。例えば、潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０～００３３、００３５および００３６を参照できる。後述する非磁性層に潤滑剤が含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０、００３１、００３４～００３６を参照できる。分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。分散剤を非磁性層形成用組成物に添加してもよい。非磁性層形成用組成物に添加し得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。
磁性層には、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。例えば、潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０～００３３、００３５および００３６を参照できる。後述する非磁性層に潤滑剤が含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０、００３１、００３４～００３６を参照できる。分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。分散剤を非磁性層形成用組成物に添加してもよい。非磁性層形成用組成物に添加し得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。
【0055】
フィラー
磁性層に含まれ得る非磁性粉末としては、摩擦特性制御のために磁性層表面に適度な突起を形成するための非磁性粉末（フィラー）が挙げられる。フィラーとしては、例えば、平均粒子サイズが２０～２００ｎｍの非磁性粉末を使用することができる。フィラーの一形態としては、カーボンブラックを挙げることができる。また、フィラーの他の一形態としては、コロイド粒子を挙げることができる。コロイド粒子としては、入手容易性の点から無機コロイド粒子が好ましく、無機酸化物コロイド粒子がより好ましく、シリカコロイド粒子（コロイダルシリカ）がより一層好ましい。本発明および本明細書において、「コロイド粒子」とは、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエンもしくは酢酸エチル、または上記溶媒の２種以上を任意の混合比で含む混合溶媒の少なくとも１つの有機溶媒１００ｍＬあたり１ｇ添加した際に、沈降せず分散しコロイド分散体をもたらすことのできる粒子をいうものとする。磁性層のフィラー含有量は、例えば強磁性粉末１００．０質量部あたり、０．２～３．０質量部であることが好ましく、０．３～１．０質量部であることがより好ましい。
磁性層に含まれ得る非磁性粉末としては、摩擦特性制御のために磁性層表面に適度な突起を形成するための非磁性粉末（フィラー）が挙げられる。フィラーとしては、例えば、平均粒子サイズが２０～２００ｎｍの非磁性粉末を使用することができる。フィラーの一形態としては、カーボンブラックを挙げることができる。また、フィラーの他の一形態としては、コロイド粒子を挙げることができる。コロイド粒子としては、入手容易性の点から無機コロイド粒子が好ましく、無機酸化物コロイド粒子がより好ましく、シリカコロイド粒子（コロイダルシリカ）がより一層好ましい。本発明および本明細書において、「コロイド粒子」とは、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエンもしくは酢酸エチル、または上記溶媒の２種以上を任意の混合比で含む混合溶媒の少なくとも１つの有機溶媒１００ｍＬあたり１ｇ添加した際に、沈降せず分散しコロイド分散体をもたらすことのできる粒子をいうものとする。磁性層のフィラー含有量は、例えば強磁性粉末１００．０質量部あたり、０．２～３．０質量部であることが好ましく、０．３～１．０質量部であることがより好ましい。
【0056】
研磨剤
磁性層に含まれ得る非磁性粉末としては、磁性層表面に研磨性を付与するための非磁性粉末（研磨剤）を挙げることもできる。研磨剤としては、モース硬度８超の非磁性粉末が好ましく、モース硬度９以上の非磁性粉末がより好ましい。モース硬度の最大値は１０である。一方、フィラーとしては、研磨剤として使用される非磁性粉末と比べてモース硬度が低い非磁性粉末、例えばモース硬度８以下の非磁性粉末を使用することができる。研磨剤は、無機物質の粉末であることができ、有機物質の粉末であることもできる。研磨剤は、例えば、無機または有機の酸化物の粉末または炭化物（カーバイド）の粉末であることができる。カーバイドとしては、ボロンカーバイド（例えばＢ４Ｃ）、チタンカーバイド（例えばＴｉＣ）等を挙げることができる。また、研磨剤としては、ダイヤモンドも使用可能である。研磨剤は、一形態では、無機酸化物の粉末であることが好ましい。具体的には、無機酸化物としては、α－アルミナ等のアルミナ（例えばＡｌ２Ｏ３）、酸化チタン（例えばＴｉＯ２）、酸化セリウム（例えばＣｅＯ２）、酸化ジルコニウム（例えばＺｒＯ２）等を挙げることができ、中でもアルミナが好ましい。アルミナのモース硬度は約９である。アルミナ粉末については、特開２０１３－２２９０９０号公報の段落００２１も参照できる。研磨剤としては、例えば、平均粒子サイズが０．０５～０．２μｍの非磁性粉末を使用することができる。磁性層の研磨剤含有量は、例えば強磁性粉末１００．０質量部あたり、２．０～１０．０質量部であることが好ましく、４．０～８．０質量部であることがより好ましい。研磨剤を含む磁性層に研磨剤の分散性を向上するための添加剤を含有させることもできる。かかる添加剤の一例としては、特開２０１３－１３１２８５号公報の段落００１２～００２２に記載の分散剤を挙げることができる。
磁性層に含まれ得る非磁性粉末としては、磁性層表面に研磨性を付与するための非磁性粉末（研磨剤）を挙げることもできる。研磨剤としては、モース硬度８超の非磁性粉末が好ましく、モース硬度９以上の非磁性粉末がより好ましい。モース硬度の最大値は１０である。一方、フィラーとしては、研磨剤として使用される非磁性粉末と比べてモース硬度が低い非磁性粉末、例えばモース硬度８以下の非磁性粉末を使用することができる。研磨剤は、無機物質の粉末であることができ、有機物質の粉末であることもできる。研磨剤は、例えば、無機または有機の酸化物の粉末または炭化物（カーバイド）の粉末であることができる。カーバイドとしては、ボロンカーバイド（例えばＢ４Ｃ）、チタンカーバイド（例えばＴｉＣ）等を挙げることができる。また、研磨剤としては、ダイヤモンドも使用可能である。研磨剤は、一形態では、無機酸化物の粉末であることが好ましい。具体的には、無機酸化物としては、α－アルミナ等のアルミナ（例えばＡｌ２Ｏ３）、酸化チタン（例えばＴｉＯ２）、酸化セリウム（例えばＣｅＯ２）、酸化ジルコニウム（例えばＺｒＯ２）等を挙げることができ、中でもアルミナが好ましい。アルミナのモース硬度は約９である。アルミナ粉末については、特開２０１３－２２９０９０号公報の段落００２１も参照できる。研磨剤としては、例えば、平均粒子サイズが０．０５～０．２μｍの非磁性粉末を使用することができる。磁性層の研磨剤含有量は、例えば強磁性粉末１００．０質量部あたり、２．０～１０．０質量部であることが好ましく、４．０～８．０質量部であることがより好ましい。研磨剤を含む磁性層に研磨剤の分散性を向上するための添加剤を含有させることもできる。かかる添加剤の一例としては、特開２０１３－１３１２８５号公報の段落００１２～００２２に記載の分散剤を挙げることができる。
【0057】
以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。
【0058】
＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気記録媒体は、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体表面上に非磁性粉末を含む１層または２層以上の複数の非磁性層を介して磁性層を有していてもよい。
次に非磁性層について説明する。上記磁気記録媒体は、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体表面上に非磁性粉末を含む１層または２層以上の複数の非磁性層を介して磁性層を有していてもよい。
【0059】
磁性層表面の平滑性を高める観点からは、その上に磁性層が形成される面となる非磁性層の表面平滑性を高めることが好ましい。この点から、非磁性層に含まれる非磁性粉末として、平均粒子サイズが小さい非磁性粉末を使用することは好ましい。非磁性粉末の平均粒子サイズは、５００ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、２００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることが更に好ましく、５０ｎｍ以下であることが一層好ましい。また、非磁性粉末の分散性向上の容易性の観点からは、非磁性粉末の平均粒子サイズは、５ｎｍ以上であることが好ましく、７ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましい。
【0060】
非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機粉末でも有機粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。
【0061】
非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、例えば特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０～００４１を参照できる。カーボンブラックは一般に粒度分布が大きい傾向があり、分散性に乏しい傾向がある。そのため、カーボンブラックを含む非磁性層は表面平滑性が低い傾向がある。この点から、一形態では、磁性層と隣接する非磁性層としては、非磁性粉末としてカーボンブラック以外の非磁性粉末を含む非磁性層、または、複数種の非磁性粉末の１種としてカーボンブラックを含む非磁性層であって非磁性粉末全量に占めるカーボンブラックの割合が低い非磁性層を設けることが好ましい。また、非磁性層を複数設け、磁性層の最も近くに位置する非磁性層を非磁性粉末としてカーボンブラック以外の非磁性粉末を含む非磁性層とすることは好ましい。例えば、非磁性支持体と磁性層との間に２層の非磁性層を設け、非磁性支持体側の非磁性層（「下層非磁性層」とも記載する。）を非磁性粉末としてカーボンブラックを含む非磁性層とし、磁性層側の非磁性層（「上層非磁性層」とも記載する。）を非磁性粉末としてカーボンブラック以外の非磁性粉末を含む非磁性層とすることは好ましい。また、複数種の非磁性粉末を含む非磁性層形成用組成物では、１種の非磁性粉末を含む非磁性層形成用組成物と比べて非磁性粉末の分散性は低下し易い傾向がある。この点から、複数の非磁性層を設け、各非磁性層に含まれる非磁性粉末の種類を少なくすることは好ましい。また、一形態では、複数種の非磁性粉末を含む非磁性層形成用組成物において非磁性粉末の分散性を高めるために分散剤を使用することが好ましい。かかる分散剤については後述する。
【0062】
無機粉末としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。
【0063】
非磁性粉末の一形態としては、非磁性酸化鉄粉末を挙げることができる。その上に磁性層が形成される非磁性層の表面平滑性を高める観点からは、非磁性酸化鉄粉末として粒子サイズが小さいものを使用することは好ましい。この点から、平均粒子サイズが先に記載した範囲の非磁性酸化鉄粉末を使用することが好ましい。非磁性酸化鉄粉末としては、一形態では、α－酸化鉄粉末が好ましい。α－酸化鉄とは、主相がα相の酸化鉄である。
【0064】
非磁性層における非磁性粉末の含有率（充填率）は、非磁性層の全質量に対して、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。複数の非磁性層が設けられている場合、少なくとも１層の非磁性層において非磁性粉末の含有率が上記範囲であることが好ましく、より多くの非磁性層において非磁性粉末の含有率が上記範囲であることがより好ましい。
【0065】
非磁性層は、非磁性粉末を含み、非磁性粉末とともに結合剤を含むこともできる。非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。
【0066】
非磁性層に含まれ得る添加剤としては、非磁性粉末の分散性向上に寄与し得る分散剤を挙げることができる。かかる分散剤としては、例えば、ＲＣＯＯＨ（Ｒはアルキル基またはアルケニル基）で表される脂肪酸（例えばカプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エライジン酸、リノール酸、リノレン酸等）；上記脂肪酸のアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩；上記脂肪酸のエステル；上記脂肪酸のエステルのフッ素を含有した化合物；上記脂肪酸のアミド；ポリアルキレンオキサイドアルキルリン酸エステル；レシチン；トリアルキルポリオレフィンオキシ第四級アンモニウム塩（含有されるアルキル基は炭素数１～５のアルキル基、含有されるオレフィンはエチレン、プロピレン等）；フェニルフォスフォン酸；銅フタロシアニン等を使用することができる。これらは、１種のみ使用してもよく、２種以上を併用してもよい。分散剤の含有量は、非磁性粉末１００．０質量部に対して、０．２～５．０質量部であることが好ましい。
【0067】
また、添加剤の一例として、有機三級アミンを挙げることができる。有機三級アミンについては、特開２０１３－０４９８３２号公報の段落００１１～００１８および００２１を参照できる。有機三級アミンは、カーボンブラックの分散性向上に寄与し得る。有機三級アミンによりカーボンブラックの分散性を高めるための組成物の処方等については、同公報の段落００２２～００２４、００２７を参照できる。
【0068】
上記アミンは、より好ましくはトリアルキルアミンである。トリアルキルアミンが有するアルキル基は、好ましくは炭素数１～１８のアルキル基である。トリアルキルアミンが有する３つのアルキル基は、同一であっても異なっていてもよい。アルキル基の詳細については、特開２０１３－０４９８３２号公報の段落００１５～００１６を参照できる。トリアルキルアミンとしては、トリオクチルアミンが特に好ましい。
【0069】
本発明および本明細書において、非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。
【0070】
＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、熱処理等を行ってもよい。
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、熱処理等を行ってもよい。
【0071】
＜バックコート層＞
上記磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもでき、有さなくてもよい。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤および添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
上記磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもでき、有さなくてもよい。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤および添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
【0072】
＜各種厚み＞
磁気記録媒体の厚み（総厚）に関して、近年の情報量の莫大な増大に伴い、磁気記録媒体には記録容量を高めること（高容量化）が求められている。高容量化のための手段としては、磁気記録媒体の厚みを薄くし（以下、「薄型化」とも記載する。）、例えば磁気テープカートリッジ１巻あたりに収容される磁気テープ長を増すことが挙げられる。例えば上記の点から、上記磁気記録媒体の厚み（総厚）は、５．６μｍ以下であることが好ましく、５．５μｍ以下であることがより好ましく、５．４μｍ以下であることがより好ましく、５．３μｍ以下であることが更に好ましく、５．２μｍ以下であることが一層好ましい。また、ハンドリングの容易性の観点からは、磁気記録媒体の厚みは３．０μｍ以上であることが好ましく、３．５μｍ以上であることがより好ましい。
磁気記録媒体の厚み（総厚）に関して、近年の情報量の莫大な増大に伴い、磁気記録媒体には記録容量を高めること（高容量化）が求められている。高容量化のための手段としては、磁気記録媒体の厚みを薄くし（以下、「薄型化」とも記載する。）、例えば磁気テープカートリッジ１巻あたりに収容される磁気テープ長を増すことが挙げられる。例えば上記の点から、上記磁気記録媒体の厚み（総厚）は、５．６μｍ以下であることが好ましく、５．５μｍ以下であることがより好ましく、５．４μｍ以下であることがより好ましく、５．３μｍ以下であることが更に好ましく、５．２μｍ以下であることが一層好ましい。また、ハンドリングの容易性の観点からは、磁気記録媒体の厚みは３．０μｍ以上であることが好ましく、３．５μｍ以上であることがより好ましい。
【0073】
例えば、磁気記録媒体の厚み（総厚）は、以下の方法によって測定することができる。
磁気記録媒体の任意の部分からサンプル（例えば長さ５～１０ｃｍ）を１０枚切り出し、これらサンプルを重ねて厚みを測定する。測定された厚みを１０分の１して得られた値（サンプル１枚当たりの厚み）を、磁気記録媒体の厚みとする。上記厚み測定は、０．１μｍオーダーでの厚み測定が可能な公知の測定器を用いて行うことができる。
磁気記録媒体の任意の部分からサンプル（例えば長さ５～１０ｃｍ）を１０枚切り出し、これらサンプルを重ねて厚みを測定する。測定された厚みを１０分の１して得られた値（サンプル１枚当たりの厚み）を、磁気記録媒体の厚みとする。上記厚み測定は、０．１μｍオーダーでの厚み測定が可能な公知の測定器を用いて行うことができる。
【0074】
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．０～５．０μｍである。
【0075】
磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等により最適化することができ、一般には０．０１μｍ～０．１５μｍであり、高密度記録化の観点から、好ましくは０．０２μｍ～０．１２μｍであり、更に好ましくは０．０３μｍ～０．１μｍである。磁性層は少なくとも１層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。この点は、複数の非磁性層を有する磁気記録媒体における非磁性層の厚みについても同様である。
【0076】
非磁性層の厚みについては、厚い非磁性層を形成するほど、非磁性層形成用組成物の塗布工程および乾燥工程で非磁性粉末の粒子の存在状態が不均一になり易く、各位置での厚みの違いが大きくなって非磁性層の表面が粗くなる傾向がある。磁性層表面の平滑性を高める観点からは非磁性層の表面平滑性が高いことは好ましい。この点からは、非磁性層の厚みは１．５μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であることがより好ましい。また、非磁性層の厚みは、非磁性層形成用組成物の塗布の均一性向上の観点からは、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．１μｍ以上であることがより好ましい。
【0077】
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１～０．７μｍであることが更に好ましい。
【0078】
磁性層の厚み等の各種厚みは、以下の方法により求めることができる。
磁気記録媒体の厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡による断面観察を行う。断面観察において任意の２箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各種厚みは、製造条件等から算出される設計厚みとして求めることもできる。
磁気記録媒体の厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡による断面観察を行う。断面観察において任意の２箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各種厚みは、製造条件等から算出される設計厚みとして求めることもできる。
【0079】
＜製造工程＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ二段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体の製造に通常用いられる各種溶媒の１種または２種以上を用いることができる。溶媒については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１５３を参照できる。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。上記磁気記録媒体を製造するためには、公知の製造技術を各種工程において用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつものを使用することが好ましい。混練処理の詳細については、特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報を参照できる。分散機は公知のものを使用することができる。一形態では、研磨剤の分散液（以下、「研磨剤液」とも記載する。）は、強磁性粉末およびフィラーとは別分散して調製することができる。また、一形態では、フィラーの分散液（フィラー液）は、強磁性粉末および研磨剤とは別分散して調製することができる。各層形成用組成物を調製する任意の段階において、公知の方法によってろ過を行ってもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ二段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体の製造に通常用いられる各種溶媒の１種または２種以上を用いることができる。溶媒については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１５３を参照できる。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。上記磁気記録媒体を製造するためには、公知の製造技術を各種工程において用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつものを使用することが好ましい。混練処理の詳細については、特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報を参照できる。分散機は公知のものを使用することができる。一形態では、研磨剤の分散液（以下、「研磨剤液」とも記載する。）は、強磁性粉末およびフィラーとは別分散して調製することができる。また、一形態では、フィラーの分散液（フィラー液）は、強磁性粉末および研磨剤とは別分散して調製することができる。各層形成用組成物を調製する任意の段階において、公知の方法によってろ過を行ってもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
【0080】
（塗布工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体表面上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。磁性層表面の平滑性を高める観点からは、逐次重層塗布を行うことが好ましい。バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の非磁性層および／または磁性層を有する（または非磁性層および／または磁性層が追って設けられる）表面とは反対側の表面に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体表面上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。磁性層表面の平滑性を高める観点からは、逐次重層塗布を行うことが好ましい。バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の非磁性層および／または磁性層を有する（または非磁性層および／または磁性層が追って設けられる）表面とは反対側の表面に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
【0081】
（その他の工程）
塗布工程後には、乾燥処理、磁性層の配向処理、表面平滑化処理（カレンダ処理）等の各種処理を行うことができる。各種工程については、例えば特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２～００５７等の公知技術を参照できる。例えば、磁性層形成用組成物の塗布層には、この塗布層が未乾燥状態にあるうちに配向処理を施すことができる。配向処理については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける上記塗布層を形成した非磁性支持体の搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。また、カレンダ処理については、カレンダ条件を強化すると、磁性層表面の平滑性は高まる傾向がある。カレンダ条件としては、カレンダ処理を行う回数（以下、「カレンダ回数」とも記載する。）、カレンダ圧力、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）、カレンダ速度、カレンダロールの硬度等が挙げられる。カレンダ回数を増やすほど、カレンダ処理は強化される。カレンダ圧力、カレンダ温度およびカレンダロールの硬度は、これらの値を大きくするほどカレンダ処理は強化され、カレンダ速度は遅くするほどカレンダ処理は強化される。例えば、カレンダ圧力（線圧）は２００～５００ｋｇ／ｃｍであることができ、２５０～３５０ｋｇ／ｃｍであることが好ましい。カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）は、例えば８５～１２０℃であることができ、９０～１１０℃であることが好ましく、カレンダ速度は、例えば５０～３００ｍ／分であることができ、５０～２００ｍ／分であることが好ましい。
各種工程を経ることによって、長尺状の磁気テープ原反を得ることができる。得られた磁気テープ原反は、公知の裁断機によって、例えば、磁気テープカートリッジに巻装すべき磁気テープの幅に裁断（スリット）される。上記の幅は規格にしたがい決定され、通常、１／２インチである。１／２インチ＝１２．６５ｍｍである。
スリットして得られた磁気テープには、通常、サーボパターンが形成される。サーボパターンについて、詳細は後述する。
塗布工程後には、乾燥処理、磁性層の配向処理、表面平滑化処理（カレンダ処理）等の各種処理を行うことができる。各種工程については、例えば特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２～００５７等の公知技術を参照できる。例えば、磁性層形成用組成物の塗布層には、この塗布層が未乾燥状態にあるうちに配向処理を施すことができる。配向処理については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける上記塗布層を形成した非磁性支持体の搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。また、カレンダ処理については、カレンダ条件を強化すると、磁性層表面の平滑性は高まる傾向がある。カレンダ条件としては、カレンダ処理を行う回数（以下、「カレンダ回数」とも記載する。）、カレンダ圧力、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）、カレンダ速度、カレンダロールの硬度等が挙げられる。カレンダ回数を増やすほど、カレンダ処理は強化される。カレンダ圧力、カレンダ温度およびカレンダロールの硬度は、これらの値を大きくするほどカレンダ処理は強化され、カレンダ速度は遅くするほどカレンダ処理は強化される。例えば、カレンダ圧力（線圧）は２００～５００ｋｇ／ｃｍであることができ、２５０～３５０ｋｇ／ｃｍであることが好ましい。カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）は、例えば８５～１２０℃であることができ、９０～１１０℃であることが好ましく、カレンダ速度は、例えば５０～３００ｍ／分であることができ、５０～２００ｍ／分であることが好ましい。
各種工程を経ることによって、長尺状の磁気テープ原反を得ることができる。得られた磁気テープ原反は、公知の裁断機によって、例えば、磁気テープカートリッジに巻装すべき磁気テープの幅に裁断（スリット）される。上記の幅は規格にしたがい決定され、通常、１／２インチである。１／２インチ＝１２．６５ｍｍである。
スリットして得られた磁気テープには、通常、サーボパターンが形成される。サーボパターンについて、詳細は後述する。
【0082】
（熱処理）
一形態では、上記磁気記録媒体は、以下のような熱処理を経て製造された磁気テープであることができる。また、他の一形態では、上記磁気記録媒体は、以下のような熱処理を経ずに製造された磁気テープであることができる。
一形態では、上記磁気記録媒体は、以下のような熱処理を経て製造された磁気テープであることができる。また、他の一形態では、上記磁気記録媒体は、以下のような熱処理を経ずに製造された磁気テープであることができる。
【0083】
熱処理としては、スリットして規格にしたがい決定された幅に裁断された磁気テープを、芯状部材に巻き付け、巻き付けた状態で行う熱処理を行うことができる。
【0084】
一形態では、熱処理用の芯状部材（以下、「熱処理用巻芯」と呼ぶ。）に磁気テープを巻き付けた状態で上記熱処理を行い、熱処理後の磁気テープを磁気テープカートリッジのリールに巻き取り、磁気テープがリールに巻装された磁気テープカートリッジを作製することができる。
熱処理用巻芯は、金属製、樹脂製、紙製等であることができる。熱処理用巻芯の材料は、スポーキング等の巻き故障の発生を抑制する観点から、剛性が高い材料であることが好ましい。この点から、熱処理用巻芯は、金属製または樹脂製であることが好ましい。また、剛性の指標として、熱処理用巻芯の材料の曲げ弾性率は０．２ＧＰａ（ギガパスカル）以上が好ましく、０．３ＧＰａ以上がより好ましい。他方、高剛性の材料は一般に高価であるため、巻き故障の発生を抑制できる剛性を超える剛性を有する材料の熱処理用巻芯を用いることはコスト増につながる。以上の点を考慮すると、熱処理用巻芯の材料の曲げ弾性率は２５０ＧＰａ以下が好ましい。曲げ弾性率は、ＩＳＯ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ）１７８にしたがい測定される値であり、各種材料の曲げ弾性率は公知である。また、熱処理用巻芯は中実または中空の芯状部材であることができる。中空状の場合、剛性を維持する観点から、肉厚は２ｍｍ以上であることが好ましい。また、熱処理用巻芯は、フランジを有していてもよく、有さなくてもよい。
熱処理用巻芯に巻き付ける磁気テープとして最終的に磁気テープカートリッジに収容する長さ（以下、「最終製品長」と呼ぶ。）以上の磁気テープを準備し、この磁気テープを熱処理用巻芯に巻き付けた状態で熱処理環境下に置くことにより熱処理を行うことが好ましい。熱処理用巻芯に巻き付ける磁気テープ長は最終製品長以上であり、熱処理用巻芯等への巻き取りの容易性の観点からは、「最終製品長＋α」とすることが好ましい。このαは、上記の巻き取りの容易性の観点からは５ｍ以上であることが好ましい。熱処理用巻芯への巻き取り時のテンションは、０．１Ｎ（ニュートン）以上が好ましい。また、過度な変形が発生することを抑制する観点から、熱処理用巻芯への巻き取り時のテンションは１．５Ｎ以下が好ましく、１．０Ｎ以下がより好ましい。熱処理用巻芯の外径は、巻き付けの容易性およびコイリング（長手方向のカール）の抑制の観点から、２０ｍｍ以上が好ましく、４０ｍｍ以上がより好ましい。また、熱処理用巻芯の外径は１００ｍｍ以下が好ましく、９０ｍｍ以下がより好ましい。熱処理用巻芯の幅は、この巻芯に巻き付ける磁気テープの幅以上であればよい。また、熱処理後、熱処理用巻芯から磁気テープを取り外す際には、取り外す操作中に意図しないテープ変形が生じることを抑制するために、磁気テープおよび熱処理用巻芯が十分冷却された後に磁気テープを熱処理用巻芯から取り外すことが好ましい。取り外した磁気テープは、一度別の巻芯（「一時巻き取り用巻芯」と呼ぶ。）に巻き取り、その後、一時巻き取り用巻芯から磁気テープカートリッジのリール（一般に外径は４０～５０ｍｍ程度）へ磁気テープを巻き取ることが好ましい。これにより、熱処理時の磁気テープの熱処理用巻芯に対する内側と外側との関係を維持して、磁気テープカートリッジのリールへ磁気テープを巻き取ることができる。一時巻き取り用巻芯の詳細およびこの巻芯へ磁気テープを巻き取る際のテンションについては、熱処理用巻芯に関する先の記載を参照できる。上記熱処理を「最終製品長＋α」の長さの磁気テープに施す形態においては、任意の段階で、「＋α」の長さ分を切り取ればよい。例えば、一形態では、一時巻き取り用巻芯から磁気テープカートリッジのリールへ最終製品長分の磁気テープを巻き取り、残りの「＋α」の長さ分を切り取ればよい。切り取って廃棄される部分を少なくする観点からは、上記αは２０ｍ以下であることが好ましい。
熱処理用巻芯は、金属製、樹脂製、紙製等であることができる。熱処理用巻芯の材料は、スポーキング等の巻き故障の発生を抑制する観点から、剛性が高い材料であることが好ましい。この点から、熱処理用巻芯は、金属製または樹脂製であることが好ましい。また、剛性の指標として、熱処理用巻芯の材料の曲げ弾性率は０．２ＧＰａ（ギガパスカル）以上が好ましく、０．３ＧＰａ以上がより好ましい。他方、高剛性の材料は一般に高価であるため、巻き故障の発生を抑制できる剛性を超える剛性を有する材料の熱処理用巻芯を用いることはコスト増につながる。以上の点を考慮すると、熱処理用巻芯の材料の曲げ弾性率は２５０ＧＰａ以下が好ましい。曲げ弾性率は、ＩＳＯ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ）１７８にしたがい測定される値であり、各種材料の曲げ弾性率は公知である。また、熱処理用巻芯は中実または中空の芯状部材であることができる。中空状の場合、剛性を維持する観点から、肉厚は２ｍｍ以上であることが好ましい。また、熱処理用巻芯は、フランジを有していてもよく、有さなくてもよい。
熱処理用巻芯に巻き付ける磁気テープとして最終的に磁気テープカートリッジに収容する長さ（以下、「最終製品長」と呼ぶ。）以上の磁気テープを準備し、この磁気テープを熱処理用巻芯に巻き付けた状態で熱処理環境下に置くことにより熱処理を行うことが好ましい。熱処理用巻芯に巻き付ける磁気テープ長は最終製品長以上であり、熱処理用巻芯等への巻き取りの容易性の観点からは、「最終製品長＋α」とすることが好ましい。このαは、上記の巻き取りの容易性の観点からは５ｍ以上であることが好ましい。熱処理用巻芯への巻き取り時のテンションは、０．１Ｎ（ニュートン）以上が好ましい。また、過度な変形が発生することを抑制する観点から、熱処理用巻芯への巻き取り時のテンションは１．５Ｎ以下が好ましく、１．０Ｎ以下がより好ましい。熱処理用巻芯の外径は、巻き付けの容易性およびコイリング（長手方向のカール）の抑制の観点から、２０ｍｍ以上が好ましく、４０ｍｍ以上がより好ましい。また、熱処理用巻芯の外径は１００ｍｍ以下が好ましく、９０ｍｍ以下がより好ましい。熱処理用巻芯の幅は、この巻芯に巻き付ける磁気テープの幅以上であればよい。また、熱処理後、熱処理用巻芯から磁気テープを取り外す際には、取り外す操作中に意図しないテープ変形が生じることを抑制するために、磁気テープおよび熱処理用巻芯が十分冷却された後に磁気テープを熱処理用巻芯から取り外すことが好ましい。取り外した磁気テープは、一度別の巻芯（「一時巻き取り用巻芯」と呼ぶ。）に巻き取り、その後、一時巻き取り用巻芯から磁気テープカートリッジのリール（一般に外径は４０～５０ｍｍ程度）へ磁気テープを巻き取ることが好ましい。これにより、熱処理時の磁気テープの熱処理用巻芯に対する内側と外側との関係を維持して、磁気テープカートリッジのリールへ磁気テープを巻き取ることができる。一時巻き取り用巻芯の詳細およびこの巻芯へ磁気テープを巻き取る際のテンションについては、熱処理用巻芯に関する先の記載を参照できる。上記熱処理を「最終製品長＋α」の長さの磁気テープに施す形態においては、任意の段階で、「＋α」の長さ分を切り取ればよい。例えば、一形態では、一時巻き取り用巻芯から磁気テープカートリッジのリールへ最終製品長分の磁気テープを巻き取り、残りの「＋α」の長さ分を切り取ればよい。切り取って廃棄される部分を少なくする観点からは、上記αは２０ｍ以下であることが好ましい。
【0085】
上記のように芯状部材に巻き付けた状態で行われる熱処理の具体的形態について、以下に説明する。
熱処理を行う雰囲気温度（以下、「熱処理温度」と呼ぶ。）は、４０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましい。一方、過度な変形を抑制する観点からは、熱処理温度は７５℃以下が好ましく、７０℃以下がより好ましく、６５℃以下が更に好ましい。
熱処理を行う雰囲気の重量絶対湿度は、０．１ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒ以上が好ましく、１ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒ以上がより好ましい。重量絶対湿度が上記範囲の雰囲気は、水分を低減するための特殊な装置を用いずに準備できるため好ましい。一方、重量絶対湿度は、結露が生じて作業性が低下することを抑制する観点からは、７０ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒ以下が好ましく、６６ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒ以下がより好ましい。熱処理時間は、０．３時間以上が好ましく、０．５時間以上がより好ましい。また、熱処理時間は、生産効率の観点からは、４８時間以下が好ましい。
熱処理を行う雰囲気温度（以下、「熱処理温度」と呼ぶ。）は、４０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましい。一方、過度な変形を抑制する観点からは、熱処理温度は７５℃以下が好ましく、７０℃以下がより好ましく、６５℃以下が更に好ましい。
熱処理を行う雰囲気の重量絶対湿度は、０．１ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒ以上が好ましく、１ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒ以上がより好ましい。重量絶対湿度が上記範囲の雰囲気は、水分を低減するための特殊な装置を用いずに準備できるため好ましい。一方、重量絶対湿度は、結露が生じて作業性が低下することを抑制する観点からは、７０ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒ以下が好ましく、６６ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒ以下がより好ましい。熱処理時間は、０．３時間以上が好ましく、０．５時間以上がより好ましい。また、熱処理時間は、生産効率の観点からは、４８時間以下が好ましい。
【0086】
（サーボパターンの形成）
上記磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体（即ち磁気テープ）であることができ、またはディスク状の磁気記録媒体(即ち磁気ディスク)であることができる。いずれの形態においても、磁性層はサーボパターンを有することができる。 「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、磁気テープを例として、サーボパターンの形成について説明する。
上記磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体（即ち磁気テープ）であることができ、またはディスク状の磁気記録媒体(即ち磁気ディスク)であることができる。いずれの形態においても、磁性層はサーボパターンを有することができる。 「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、磁気テープを例として、サーボパターンの形成について説明する。
【0087】
サーボパターンは、通常、磁気テープの長手方向に沿って形成される。サーボ信号を利用する制御（サーボ制御）の方式としては、タイミングベースサーボ（ＴＢＳ）、アンプリチュードサーボ、周波数サーボ等が挙げられる。
【0088】
ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示される通り、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ）規格に準拠した磁気テープ（一般に「ＬＴＯテープ」と呼ばれる。）では、タイミングベースサーボ方式が採用されている。このタイミングベースサーボ方式において、サーボパターンは、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）が、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置されることによって構成されている。本発明および本明細書において、「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボ方式のサーボシステムにおけるヘッドトラッキングを可能とするサーボパターンをいう。上記のように、サーボパターンが互いに非平行な一対の磁気ストライプにより構成される理由は、サーボパターン上を通過するサーボ信号読み取り素子に、その通過位置を教えるためである。具体的には、上記の一対の磁気ストライプは、その間隔が磁気テープの幅方向に沿って連続的に変化するように形成されており、サーボ信号読み取り素子がその間隔を読み取ることによって、サーボパターンとサーボ信号読み取り素子との相対位置を知ることができる。この相対位置の情報が、データトラックのトラッキングを可能にする。そのために、サーボパターン上には、通常、磁気テープの幅方向に沿って、複数のサーボトラックが設定されている。
【0089】
サーボバンドは、磁気テープの長手方向に連続するサーボパターンにより構成される。このサーボバンドは、通常、磁気テープに複数本設けられる。例えば、ＬＴＯテープにおいて、その数は５本である。隣接する２本のサーボバンドに挟まれた領域が、データバンドである。データバンドは、複数のデータトラックで構成されており、各データトラックは、各サーボトラックに対応している。
【0090】
また、一形態では、特開２００４－３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」または「ＵＤＩＭ（Ｕｎｉｑｕｅ ＤａｔａＢａｎｄ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ信号読み取り素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。
【0091】
なお、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ信号読み取り素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。
【0092】
また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボストライプの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。
【0093】
上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
【0094】
サーボパターン形成用ヘッドは、サーボライトヘッドと呼ばれる。サーボライトヘッドは、通常、上記一対の磁気ストライプに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１～１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。
【0095】
磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、更に２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。
【0096】
形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。なお、特開２０１２－５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。
【0097】
また、一形態では、サーボ信号を利用して走行中の磁気テープの幅方向の寸法情報を取得し、取得された寸法情報に応じて磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整して変化させることによって、磁気テープの幅方向の寸法を制御することができる。このようなテンション調整を行うことは、記録または再生時、磁気テープの幅変形によってデータを記録または再生するための磁気ヘッドが狙いのトラック位置からずれてデータの記録または再生を行ってしまうことを抑制することに寄与し得る。
【0098】
［磁気テープカートリッジ］
上記磁気記録媒体は、一形態では、磁気テープであることができる。本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
上記磁気記録媒体は、一形態では、磁気テープであることができる。本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
【0099】
上記テープカートリッジに含まれる磁気テープの詳細は、先に記載した通りである。
【0100】
磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへのデータの記録および／または再生のために磁気テープ装置に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されて磁気テープ装置側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）と磁気テープ装置側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、データの記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジは、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。
【0101】
［磁気記録再生装置］
本発明の一態様は、上記磁気記録媒体を含む磁気記録再生装置に関する。
本発明の一態様は、上記磁気記録媒体を含む磁気記録再生装置に関する。
【0102】
本発明および本明細書において、「磁気記録再生装置」とは、磁気記録媒体へのデータの記録および磁気記録媒体に記録されたデータの再生の少なくとも一方を行うことができる装置を意味するものとする。かかる装置は、一般にドライブと呼ばれる。一形態では、上記磁気記録再生装置において、磁気記録媒体へのデータの記録および／または磁気記録媒体に記録されたデータの再生は、磁気記録媒体の磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることにより行うことができる。かかる形態の磁気記録再生装置は、一般に摺動型ドライブまたは接触摺動型ドライブと呼ばれる。上記磁気記録再生装置に含まれる磁気ヘッドは、磁気記録媒体へのデータの記録を行うことができる記録ヘッドであることができ、磁気記録媒体に記録されたデータの再生を行うことができる再生ヘッドであることもできる。また、上記磁気記録再生装置は、一形態では、別々の磁気ヘッドとして、記録ヘッドと再生ヘッドの両方を含むことができる。他の一形態では、上記磁気記録再生装置に含まれる磁気ヘッドは、記録素子と再生素子の両方を１つの磁気ヘッドに備えた構成を有することもできる。再生ヘッドとしては、磁気記録媒体に記録された情報を感度よく読み取ることができる磁気抵抗効果型（ＭＲ：Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を再生素子として含む磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が好ましい。ＭＲヘッドとしては、公知の各種ＭＲヘッド（例えば、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド等）を用いることができる。また、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドには、サーボ信号読み取り素子が含まれていてもよい。または、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドとは別のヘッドとして、サーボ信号読み取り素子を備えた磁気ヘッド（サーボヘッド）が上記磁気記録再生装置に含まれていてもよい。例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生を行う磁気ヘッド（以下、「記録再生ヘッド」とも呼ぶ。）は、サーボ信号読み取り素子を２つ含むことができ、２つのサーボ信号読み取り素子のそれぞれが、データバンドを挟んで隣り合う２本のサーボバンドを同時に読み取ることができる。２つのサーボ信号読み取り素子の間に、１つまたは複数のデータ用素子を配置することができる。データの記録のための素子（記録素子）とデータの再生のための素子（再生素子）を、「データ用素子」と総称する。
【0103】
データの記録および／または記録されたデータの再生の際には、まず、サーボ信号を用いたトラッキングを行うことができる。即ち、サーボ信号読み取り素子を所定のサーボトラックに追従させることによって、データ用素子が、目的とするデータトラック上を通過するように制御することができる。データトラックの移動は、サーボ信号読み取り素子が読み取るサーボトラックを、テープ幅方向に変更することにより行われる。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。
【0104】
図１に、データバンドおよびサーボバンドの配置例を示す。図１中、磁気テープＭＴの磁性層には、複数のサーボバンド１が、ガイドバンド３に挟まれて配置されている。２本のサーボバンドに挟まれた複数の領域２が、データバンドである。サーボパターンは、磁化領域であって、サーボライトヘッドにより磁性層の特定の領域を磁化することによって形成される。サーボライトヘッドにより磁化する領域（サーボパターンを形成する位置）は規格により定められている。例えば業界標準規格であるＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープには、磁気テープ製造時に、図２に示すようにテープ幅方向に対して傾斜した複数のサーボパターンが、サーボバンド上に形成される。詳しくは、図２中、サーボバンド１上のサーボフレームＳＦは、サーボサブフレーム１（ＳＳＦ１）およびサーボサブフレーム２（ＳＳＦ２）から構成される。サーボサブフレーム１は、Ａバースト（図２中、符号Ａ）およびＢバースト（図２中、符号Ｂ）から構成される。ＡバーストはサーボパターンＡ１～Ａ５から構成され、ＢバーストはサーボパターンＢ１～Ｂ５から構成される。一方、サーボサブフレーム２は、Ｃバースト（図２中、符号Ｃ）およびＤバースト（図２中、符号Ｄ）から構成される。ＣバーストはサーボパターンＣ１～Ｃ４から構成され、ＤバーストはサーボパターンＤ１～Ｄ４から構成される。このような１８本のサーボパターンが５本と４本のセットで、５、５、４、４、の配列で並べられたサブフレームに配置され、サーボフレームを識別するために用いられる。図２には、説明のために１つのサーボフレームを示した。ただし、実際には、タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングが行われる磁気テープの磁性層には、各サーボバンドに、複数のサーボフレームが走行方向に配置されている。図２中、矢印は走行方向を示している。例えば、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープは、通常、磁性層の各サーボバンドに、テープ長１ｍあたり５０００以上のサーボフレームを有する。
【0105】
上記磁気記録再生装置において、一形態では、磁気記録媒体は取り外し可能な媒体（いわゆる可換媒体）として扱われ、例えば、磁気テープを収容した磁気テープカートリッジが磁気記録再生装置に挿入され、取り出される。他の一形態では、磁気記録媒体は可換媒体として扱われず、例えば、磁気ヘッドを備えた磁気記録再生装置のリールに磁気テープが巻き取られ、磁気記録再生装置内に磁気テープが収容される。一形態では、かかる磁気記録再生装置において、磁気テープおよび磁気ヘッドを、磁気記録再生装置中の密閉空間内に収容することができる。本発明および本明細書において、「密閉空間」とは、ＪＩＳ Ｚ ２３３１：２００６ ヘリウム漏れ試験方法に規定されているヘリウム（Ｈｅ）を使用する浸せき法（ボンビング法）によって評価される密閉度が１０×１０－８Ｐａ・ｍ３／秒以下である空間をいうものとする。密閉空間の密閉度は、例えば、５×１０―９Ｐａ・ｍ３／秒以上１０×１０－８Ｐａ・ｍ３／秒以下であることができ、または上記範囲を下回ってもよい。一形態では、筐体中の空間全体が上記密閉空間であることができ、他の一形態では筐体中の一部空間が上記密閉空間であることができる。上記密閉空間は、磁気記録再生装置の全体または一部を覆う筐体の内部空間であることができる。筐体の材質および形状は特に限定されず、例えば、通常の磁気記録再生装置の筐体の材質および形状と同様であることができる。一例として、筐体の材質としては、金属、樹脂等を挙げることができる。
【実施例0106】
以下に、本発明の一態様を実施例に基づき説明する。ただし、本発明は実施例に示す実施形態に限定されるものではない。以下に記載の「部」、「％」の表示は、特に断らない限り、「質量部」、「質量％」を示す。「ｅｑ」は、当量（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。
また、以下の各種工程および操作は、特記しない限り、温度２０～２５℃および相対湿度４０～６０％の環境において行った。
また、以下の各種工程および操作は、特記しない限り、温度２０～２５℃および相対湿度４０～６０％の環境において行った。
【0107】
後掲の表１中、「ＢａＦｅ」は平均粒子サイズ（平均板径）２１ｎｍの六方晶バリウムフェライト粉末を示す。
【0108】
後掲の表１中、「金属粉末」と記載されている強磁性粉末としては、先に示した特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）の実施例１で使用されている金属粉末に類する鉄－コバルト合金系強磁性粉末（平均粒子サイズ（平均長軸長）５０ｎｍ）を使用した。
【0109】
後掲の表１中、「ＳｒＦｅ」は以下に記載の方法によって作製された六方晶ストロンチウムフェライト粉末を示し、「ε－酸化鉄」は以下に記載の方法によって作製されたε－酸化鉄粉末を示す。
以下に記載の各種強磁性粉末の平均粒子体積は、先に記載の方法により求められた値である。以下に記載の各種粉末の粒子のサイズに関する各種値も先に記載の方法により求められた値である。
異方性定数Ｋｕは、各強磁性粉末について振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて先に記載の方法により求められた値である。
また、質量磁化σｓは、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて磁場強度１５ｋＯｅで測定された値である。
以下に記載の各種強磁性粉末の平均粒子体積は、先に記載の方法により求められた値である。以下に記載の各種粉末の粒子のサイズに関する各種値も先に記載の方法により求められた値である。
異方性定数Ｋｕは、各強磁性粉末について振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて先に記載の方法により求められた値である。
また、質量磁化σｓは、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて磁場強度１５ｋＯｅで測定された値である。
【0110】
［強磁性粉末の作製方法］
＜六方晶ストロンチウムフェライト粉末の作製方法＞
ＳｒＣＯ３を１７０７ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６８７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１１２０ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を４５ｇ、ＢａＣＯ３を２４ｇ、ＣａＣＯ３を１３ｇ、およびＮｄ２Ｏ３を２３５ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３９０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
作製した非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、昇温速度３．５℃／分にて６３５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持して六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇと濃度１％の酢酸水溶液を８００ｍｌ加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末（後掲の表１中、「ＳｒＦｅ」）の平均粒子体積は９００ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２．２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは４９Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって部分溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子の表層部含有率を求めた。
別途、上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって全溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子のバルク含有率を求めた。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の鉄原子１００原子％に対するネオジム原子の含有率（バルク含有率）は、２．９原子％であった。また、ネオジム原子の表層部含有率は８．０原子％であった。表層部含有率とバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は２．８であり、ネオジム原子が粒子の表層に偏在していることが確認された。
＜六方晶ストロンチウムフェライト粉末の作製方法＞
ＳｒＣＯ３を１７０７ｇ、Ｈ３ＢＯ３を６８７ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を１１２０ｇ、Ａｌ（ＯＨ）３を４５ｇ、ＢａＣＯ３を２４ｇ、ＣａＣＯ３を１３ｇ、およびＮｄ２Ｏ３を２３５ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３９０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
作製した非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、昇温速度３．５℃／分にて６３５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持して六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇと濃度１％の酢酸水溶液を８００ｍｌ加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末（後掲の表１中、「ＳｒＦｅ」）の平均粒子体積は９００ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは２．２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは４９Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって部分溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子の表層部含有率を求めた。
別途、上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって全溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子のバルク含有率を求めた。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の鉄原子１００原子％に対するネオジム原子の含有率（バルク含有率）は、２．９原子％であった。また、ネオジム原子の表層部含有率は８．０原子％であった。表層部含有率とバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は２．８であり、ネオジム原子が粒子の表層に偏在していることが確認された。
【0111】
上記で得られた粉末が六方晶フェライトの結晶構造を示すことは、ＣｕＫα線を電圧４５ｋＶかつ強度４０ｍＡの条件で走査し、下記条件でＸ線回折パターンを測定すること（Ｘ線回折分析）により確認した。上記で得られた粉末は、マグネトプランバイト型（Ｍ型）の六方晶フェライトの結晶構造を示した。また、Ｘ線回折分析により検出された結晶相は、マグネトプランバイト型の単一相であった。
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度
【0112】
＜ε－酸化鉄粉末の作製方法＞
純水９０ｇに、硝酸鉄（ＩＩＩ）９水和物８．３ｇ、硝酸ガリウム（ＩＩＩ）８水和物１．３ｇ、硝酸コバルト（ＩＩ）６水和物１９０ｍｇ、硫酸チタン（ＩＶ）１５０ｍｇ、およびポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）１．５ｇを溶解させたものを、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、大気雰囲気中、雰囲気温度２５℃の条件下で、濃度２５％のアンモニア水溶液４．０ｇを添加し、雰囲気温度２５℃の温度条件のまま２時間撹拌した。得られた溶液に、クエン酸１ｇを純水９ｇに溶解させて得たクエン酸溶液を加え、１時間撹拌した。撹拌後に沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で乾燥させた。
乾燥させた粉末に純水８００ｇを加えて再度粉末を水に分散させて分散液を得た。得られた分散液を液温５０℃に昇温し、撹拌しながら濃度２５％アンモニア水溶液を４０ｇ滴下した。５０℃の温度を保ったまま１時間撹拌した後、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１４ｍＬを滴下し、２４時間撹拌した。得られた反応溶液に、硫酸アンモニウム５０ｇを加え、沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で２４時間乾燥させ、強磁性粉末の前駆体を得た。
得られた強磁性粉末の前駆体を、大気雰囲気下、炉内温度１０００℃の加熱炉内に装填し、４時間の熱処理を施した。
熱処理した強磁性粉末の前駆体を、４ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液中に投入し、液温を７０℃に維持して２４時間撹拌することにより、熱処理した強磁性粉末の前駆体から不純物であるケイ酸化合物を除去した。
その後、遠心分離処理により、ケイ酸化合物を除去した強磁性粉末を採集し、純水で洗浄を行い、強磁性粉末を得た。
得られた強磁性粉末の組成を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ－ＯＥＳ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ－Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により確認したところ、Ｇａ、ＣｏおよびＴｉ置換型ε－酸化鉄（ε－Ｇａ０．２８Ｃｏ０．０５Ｔｉ０．０５Ｆｅ１．６２Ｏ３）であった。また、先に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の作製方法について記載した条件と同様の条件でＸ線回折分析を行い、Ｘ線回折パターンのピークから、得られた強磁性粉末が、α相およびγ相の結晶構造を含まない、ε相の単相の結晶構造（ε－酸化鉄の結晶構造）を有することを確認した。
得られたε－酸化鉄粉末（後掲の表１中、「ε－酸化鉄」）の平均粒子体積は７５０ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは１．２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは１６Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
純水９０ｇに、硝酸鉄（ＩＩＩ）９水和物８．３ｇ、硝酸ガリウム（ＩＩＩ）８水和物１．３ｇ、硝酸コバルト（ＩＩ）６水和物１９０ｍｇ、硫酸チタン（ＩＶ）１５０ｍｇ、およびポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）１．５ｇを溶解させたものを、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、大気雰囲気中、雰囲気温度２５℃の条件下で、濃度２５％のアンモニア水溶液４．０ｇを添加し、雰囲気温度２５℃の温度条件のまま２時間撹拌した。得られた溶液に、クエン酸１ｇを純水９ｇに溶解させて得たクエン酸溶液を加え、１時間撹拌した。撹拌後に沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で乾燥させた。
乾燥させた粉末に純水８００ｇを加えて再度粉末を水に分散させて分散液を得た。得られた分散液を液温５０℃に昇温し、撹拌しながら濃度２５％アンモニア水溶液を４０ｇ滴下した。５０℃の温度を保ったまま１時間撹拌した後、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１４ｍＬを滴下し、２４時間撹拌した。得られた反応溶液に、硫酸アンモニウム５０ｇを加え、沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で２４時間乾燥させ、強磁性粉末の前駆体を得た。
得られた強磁性粉末の前駆体を、大気雰囲気下、炉内温度１０００℃の加熱炉内に装填し、４時間の熱処理を施した。
熱処理した強磁性粉末の前駆体を、４ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液中に投入し、液温を７０℃に維持して２４時間撹拌することにより、熱処理した強磁性粉末の前駆体から不純物であるケイ酸化合物を除去した。
その後、遠心分離処理により、ケイ酸化合物を除去した強磁性粉末を採集し、純水で洗浄を行い、強磁性粉末を得た。
得られた強磁性粉末の組成を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ－ＯＥＳ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ－Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により確認したところ、Ｇａ、ＣｏおよびＴｉ置換型ε－酸化鉄（ε－Ｇａ０．２８Ｃｏ０．０５Ｔｉ０．０５Ｆｅ１．６２Ｏ３）であった。また、先に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の作製方法について記載した条件と同様の条件でＸ線回折分析を行い、Ｘ線回折パターンのピークから、得られた強磁性粉末が、α相およびγ相の結晶構造を含まない、ε相の単相の結晶構造（ε－酸化鉄の結晶構造）を有することを確認した。
得られたε－酸化鉄粉末（後掲の表１中、「ε－酸化鉄」）の平均粒子体積は７５０ｎｍ３、異方性定数Ｋｕは１．２×１０５Ｊ／ｍ３、質量磁化σｓは１６Ａ・ｍ２／ｋｇであった。
【0113】
後掲の表１では、非磁性層を一層のみ形成した実施例および比較例については、非磁性層に関する事項は、「下層非磁性層」の欄に示す。
【0114】
［実施例１］
（１）アルミナ分散物の調製
表１に示す平均粒子サイズのα－アルミナ粉末１００．０部に対し、３．０部の２，３－ジヒドロキシナフタレン（東京化成工業社製）、極性基としてＳＯ３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ－４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶媒はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒）を３１．３部、溶媒としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
（１）アルミナ分散物の調製
表１に示す平均粒子サイズのα－アルミナ粉末１００．０部に対し、３．０部の２，３－ジヒドロキシナフタレン（東京化成工業社製）、極性基としてＳＯ３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ－４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶媒はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒）を３１．３部、溶媒としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
【0115】
（２）磁性層形成用組成物処方
（磁性液）
強磁性粉末（種類：表１参照） １００．０部
ポリウレタン樹脂 １０．０部
東洋紡社製ＵＲ－４８００（スルホン酸基含有ポリエステルポリウレタン樹脂）
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １５０．０部
（研磨剤液）
上記（１）で調製したアルミナ分散物 ６．０部
（フィラー液）
フィラー ０．５部
種類：カーボンブラック（平均粒子サイズ：８０ｎｍ）
メチルエチルケトン １．４部
（その他の成分）
ステアリン酸 ２．０部
ステアリン酸アミド ０．２部
ブチルステアレート ２．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ） ２．５部
（仕上げ添加溶媒）
シクロヘキサノン ２００．０部
メチルエチルケトン ２００．０部
（磁性液）
強磁性粉末（種類：表１参照） １００．０部
ポリウレタン樹脂 １０．０部
東洋紡社製ＵＲ－４８００（スルホン酸基含有ポリエステルポリウレタン樹脂）
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １５０．０部
（研磨剤液）
上記（１）で調製したアルミナ分散物 ６．０部
（フィラー液）
フィラー ０．５部
種類：カーボンブラック（平均粒子サイズ：８０ｎｍ）
メチルエチルケトン １．４部
（その他の成分）
ステアリン酸 ２．０部
ステアリン酸アミド ０．２部
ブチルステアレート ２．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ） ２．５部
（仕上げ添加溶媒）
シクロヘキサノン ２００．０部
メチルエチルケトン ２００．０部
【0116】
（３）非磁性層形成用組成物処方
非磁性粉末：α－酸化鉄 １００．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：表１参照
針状比：７
ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック ２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 １８．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ステアリン酸 ２．０部
ステアリン酸アミド ０．２部
ブチルステアレート ２．０部
シクロヘキサノン ３００．０部
メチルエチルケトン ３００．０部
非磁性粉末：α－酸化鉄 １００．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：表１参照
針状比：７
ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック ２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 １８．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ステアリン酸 ２．０部
ステアリン酸アミド ０．２部
ブチルステアレート ２．０部
シクロヘキサノン ３００．０部
メチルエチルケトン ３００．０部
【0117】
（４）バックコート層形成用組成物処方
カーボンブラック １００．０部
ＤＢＰ（Ｄｉｂｕｔｙｌ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）吸油量：７４ｃｍ３／１００ｇ
ニトロセルロース ２７．０部
スルホン酸基および／またはその塩を含有するポリエステルポリウレタン樹脂
６２．０部
ポリエステル樹脂 ４．０部
アルミナ粉末（ＢＥＴ比表面積：１７ｍ２／ｇ） ０．６部
メチルエチルケトン ６００．０部
トルエン ６００．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ） １５．０部
カーボンブラック １００．０部
ＤＢＰ（Ｄｉｂｕｔｙｌ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）吸油量：７４ｃｍ３／１００ｇ
ニトロセルロース ２７．０部
スルホン酸基および／またはその塩を含有するポリエステルポリウレタン樹脂
６２．０部
ポリエステル樹脂 ４．０部
アルミナ粉末（ＢＥＴ比表面積：１７ｍ２／ｇ） ０．６部
メチルエチルケトン ６００．０部
トルエン ６００．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ） １５．０部
【0118】
（５）各層形成用組成物の調製
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
磁性液を、上記成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて２４時間分散（ビーズ分散）することにより調製した。分散ビーズとしては、ビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを使用した。
フィラー液については、撹拌機付きバッチ型超音波分散装置にて、上記フィラー液の成分を、撹拌回転数１５００ｒｐｍ（ｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎｓ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）で３０分処理して液化処理した。液化したフィラー液を横型ビーズミル分散機により、ビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分とし、表１中の「フィラー液分散処理」の欄に示すパス回数で分散処理を行った。分散処理後の液をディゾルバー撹拌機で周速１０ｍ／秒で３０分間撹拌後、フロー式超音波分散機にて流量３ｋｇ／分で３パス処理した。
上記サンドミルを用いて、調製した磁性液およびフィラー液を、上記研磨剤液および他の成分（その他の成分および仕上げ添加溶媒）と混合し５分間ビーズ分散した後、バッチ型超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間処理（超音波分散）を行った。その後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過を行い磁性層形成用組成物を調製した。
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびブチルステアレート）を除く上記成分を、オープンニーダにより混練および希釈処理し、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびブチルステアレート）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌および混合処理を施して非磁性層形成用組成物を調製した。
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。ポリイソシアネートを除く上記成分を、ディゾルバー撹拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間撹拌した後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、ポリイソシアネートを添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌および混合処理を施し、バックコート層形成用組成物を調製した。
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
磁性液を、上記成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて２４時間分散（ビーズ分散）することにより調製した。分散ビーズとしては、ビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを使用した。
フィラー液については、撹拌機付きバッチ型超音波分散装置にて、上記フィラー液の成分を、撹拌回転数１５００ｒｐｍ（ｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎｓ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）で３０分処理して液化処理した。液化したフィラー液を横型ビーズミル分散機により、ビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分とし、表１中の「フィラー液分散処理」の欄に示すパス回数で分散処理を行った。分散処理後の液をディゾルバー撹拌機で周速１０ｍ／秒で３０分間撹拌後、フロー式超音波分散機にて流量３ｋｇ／分で３パス処理した。
上記サンドミルを用いて、調製した磁性液およびフィラー液を、上記研磨剤液および他の成分（その他の成分および仕上げ添加溶媒）と混合し５分間ビーズ分散した後、バッチ型超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間処理（超音波分散）を行った。その後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過を行い磁性層形成用組成物を調製した。
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびブチルステアレート）を除く上記成分を、オープンニーダにより混練および希釈処理し、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびブチルステアレート）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌および混合処理を施して非磁性層形成用組成物を調製した。
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。ポリイソシアネートを除く上記成分を、ディゾルバー撹拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間撹拌した後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、ポリイソシアネートを添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌および混合処理を施し、バックコート層形成用組成物を調製した。
【0119】
（６）磁気テープおよび磁気テープカートリッジの作製
厚み４．１μｍの二軸延伸されたポリエチレンテレフタレート製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが表１に記載の厚みとなるように上記（５）で調製した非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて非磁性層を形成した。次いで、非磁性層上に乾燥後の厚みが０．１μｍとなるように上記（５）で調製した磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。その後に、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、磁場強度０．３Ｔの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加して垂直配向処理を行った後、乾燥させ、磁性層を形成した。即ち、塗布方式としては逐次塗布を採用した。その後、支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対側の表面に、乾燥後の厚みが０．３μｍとなるように上記（５）で調製したバックコート層形成用組成物を塗布および乾燥させてバックコート層を形成した。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールを用いて、速度１００ｍ／分、線圧３００ｋｇ／ｃｍ、および９０℃のカレンダ温度（カレンダロールの表面温度）にて、表面平滑化処理（カレンダ処理）を行った（カレンダ回数：２回）。
その後、長尺状の磁気テープ原反を雰囲気温度７０℃の熱処理炉内に保管することにより熱処理を行った（熱処理時間：３６時間）。熱処理後、１／２インチ幅にスリットして、磁気テープを得た。得られた磁気テープの磁性層に市販のサーボライターによってサーボ信号を記録することにより、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターン（タイミングベースサーボパターン）を有する磁気テープを得た。こうして形成されたサーボパターンは、ＪＩＳ（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ） Ｘ６１７５：２００６およびＳｔａｎｄａｒｄ ＥＣＭＡ－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）の記載にしたがうサーボパターンである。サーボバンドの合計本数は５、データバンドの合計本数は４である。
上記サーボパターン形成後の磁気テープ（長さ９７０ｍ）を熱処理用巻芯に巻き取り、この巻芯に巻き付けた状態で熱処理した。熱処理用巻芯としては、曲げ弾性率０．８ＧＰａの樹脂製の中実状の芯状部材（外径：５０ｍｍ）を使用し、巻き取り時のテンションは０．６Ｎとした。熱処理は、熱処理温度５０℃で５時間行った。熱処理を行った雰囲気の重量絶対湿度は、１０ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒであった。
上記熱処理後、磁気テープおよび熱処理用巻芯が十分冷却された後に磁気テープを熱処理用巻芯から取り外し、一時巻き取り用巻芯に巻き取り、その後、一時巻き取り用巻芯から磁気テープカートリッジのリール（リール外径：４４ｍｍ）へ最終製品長分（９６０ｍ）の磁気テープを巻き取り、残り１０ｍ分は切り取り、切り取り側の末端に、市販のスプライシングテープによって、Ｓｔａｎｄａｒｄ ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１） Ｓｅｃｔｉｏｎ ３の項目９にしたがうリーダーテープを接合させた。一時巻き取り用巻芯としては、熱処理用巻芯と同じ材料製で同じ外径を有する中実状の芯状部材を使用し、巻き取り時のテンションは０．６Ｎとした。
以上により、長さ９６０ｍの磁気テープがリールに巻装された単リール型の磁気テープカートリッジを作製した。
厚み４．１μｍの二軸延伸されたポリエチレンテレフタレート製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが表１に記載の厚みとなるように上記（５）で調製した非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて非磁性層を形成した。次いで、非磁性層上に乾燥後の厚みが０．１μｍとなるように上記（５）で調製した磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。その後に、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、磁場強度０．３Ｔの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加して垂直配向処理を行った後、乾燥させ、磁性層を形成した。即ち、塗布方式としては逐次塗布を採用した。その後、支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対側の表面に、乾燥後の厚みが０．３μｍとなるように上記（５）で調製したバックコート層形成用組成物を塗布および乾燥させてバックコート層を形成した。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールを用いて、速度１００ｍ／分、線圧３００ｋｇ／ｃｍ、および９０℃のカレンダ温度（カレンダロールの表面温度）にて、表面平滑化処理（カレンダ処理）を行った（カレンダ回数：２回）。
その後、長尺状の磁気テープ原反を雰囲気温度７０℃の熱処理炉内に保管することにより熱処理を行った（熱処理時間：３６時間）。熱処理後、１／２インチ幅にスリットして、磁気テープを得た。得られた磁気テープの磁性層に市販のサーボライターによってサーボ信号を記録することにより、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターン（タイミングベースサーボパターン）を有する磁気テープを得た。こうして形成されたサーボパターンは、ＪＩＳ（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ） Ｘ６１７５：２００６およびＳｔａｎｄａｒｄ ＥＣＭＡ－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）の記載にしたがうサーボパターンである。サーボバンドの合計本数は５、データバンドの合計本数は４である。
上記サーボパターン形成後の磁気テープ（長さ９７０ｍ）を熱処理用巻芯に巻き取り、この巻芯に巻き付けた状態で熱処理した。熱処理用巻芯としては、曲げ弾性率０．８ＧＰａの樹脂製の中実状の芯状部材（外径：５０ｍｍ）を使用し、巻き取り時のテンションは０．６Ｎとした。熱処理は、熱処理温度５０℃で５時間行った。熱処理を行った雰囲気の重量絶対湿度は、１０ｇ／ｋｇ Ｄｒｙ ａｉｒであった。
上記熱処理後、磁気テープおよび熱処理用巻芯が十分冷却された後に磁気テープを熱処理用巻芯から取り外し、一時巻き取り用巻芯に巻き取り、その後、一時巻き取り用巻芯から磁気テープカートリッジのリール（リール外径：４４ｍｍ）へ最終製品長分（９６０ｍ）の磁気テープを巻き取り、残り１０ｍ分は切り取り、切り取り側の末端に、市販のスプライシングテープによって、Ｓｔａｎｄａｒｄ ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）－３１９（Ｊｕｎｅ ２００１） Ｓｅｃｔｉｏｎ ３の項目９にしたがうリーダーテープを接合させた。一時巻き取り用巻芯としては、熱処理用巻芯と同じ材料製で同じ外径を有する中実状の芯状部材を使用し、巻き取り時のテンションは０．６Ｎとした。
以上により、長さ９６０ｍの磁気テープがリールに巻装された単リール型の磁気テープカートリッジを作製した。
【0120】
［実施例２］
研磨剤として表１に記載の平均粒子サイズのα－アルミナ粉末を使用した点およびフィラー液の分散処理のパス回数を表１に示すように変更した点以外、実施例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
研磨剤として表１に記載の平均粒子サイズのα－アルミナ粉末を使用した点およびフィラー液の分散処理のパス回数を表１に示すように変更した点以外、実施例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
【0121】
［実施例３］
非磁性層の非磁性粉末を、表１に示す平均粒子サイズのα－酸化鉄に変更した点以外は実施例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
非磁性層の非磁性粉末を、表１に示す平均粒子サイズのα－酸化鉄に変更した点以外は実施例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
【0122】
［実施例４］
乾燥後の厚みが表１に記載の厚みとなるように非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて非磁性層を形成した点以外は実施例３について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
乾燥後の厚みが表１に記載の厚みとなるように非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて非磁性層を形成した点以外は実施例３について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
【0123】
［実施例５］
強磁性粉末として、表１の「強磁性粉末」の欄に記載の強磁性粉末を使用した点以外は実施例４について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
強磁性粉末として、表１の「強磁性粉末」の欄に記載の強磁性粉末を使用した点以外は実施例４について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
【0124】
［実施例６］
非磁性層を以下のように２層形成し、形成した上層非磁性層上に実施例１について記載したように磁性層形成用組成物を塗布して磁性層を形成した点およびカレンダ回数を１回にした点以外、実施例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
非磁性層を以下のように２層形成し、形成した上層非磁性層上に実施例１について記載したように磁性層形成用組成物を塗布して磁性層を形成した点およびカレンダ回数を１回にした点以外、実施例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
【0125】
＜下層非磁性層形成用組成物の処方＞
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ） １００．０部
トリオクチルアミン ４．０部
塩化ビニル樹脂 １２．０部
ステアリン酸 １．５部
ステアリン酸アミド ０．３部
ブチルステアレート １．５部
シクロヘキサノン ２００．０部
メチルエチルケトン ５１０．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ） １００．０部
トリオクチルアミン ４．０部
塩化ビニル樹脂 １２．０部
ステアリン酸 １．５部
ステアリン酸アミド ０．３部
ブチルステアレート １．５部
シクロヘキサノン ２００．０部
メチルエチルケトン ５１０．０部
【0126】
＜上層非磁性層形成用組成物の処方＞
非磁性粉末 α－酸化鉄 １００．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：３０ｎｍ
平均短軸長：１５ｎｍ
針状比：２．０
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 １８．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ステアリン酸 １．０部
シクロヘキサノン ３００．０部
メチルエチルケトン ３００．０部
非磁性粉末 α－酸化鉄 １００．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：３０ｎｍ
平均短軸長：１５ｎｍ
針状比：２．０
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 １８．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ステアリン酸 １．０部
シクロヘキサノン ３００．０部
メチルエチルケトン ３００．０部
【0127】
上記の下層非磁性層形成用組成物および上層非磁性層形成用組成物のそれぞれについて、上記成分をオープンニーダで２４０分間混練した後、サンドミルで分散させた。各非磁性層形成用組成物の分散条件としては、分散時間は２４時間とし、分散ビーズとしてはビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを使用した。こうして得られた各分散液にポリイソシアネート（東ソー社製コロネート３０４１）を４．０部加え、更に２０分間撹拌混合した後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過した。
以上により、下層非磁性層形成用組成物および上層非磁性層形成用組成物を調製した。 実施例１と同様の支持体の一方の表面上に、下層非磁性層形成用組成物を乾燥後の厚みが表１に記載の厚みとなるように塗布し、雰囲気温度１００℃の環境下で乾燥させて下層非磁性層を形成した。下層非磁性層上に、乾燥後の厚みが表１に記載の厚みとなるように上層非磁性層形成用組成物を塗布し、雰囲気温度１００℃の環境下で乾燥させて上層非磁性層を形成した。
以上により、下層非磁性層形成用組成物および上層非磁性層形成用組成物を調製した。 実施例１と同様の支持体の一方の表面上に、下層非磁性層形成用組成物を乾燥後の厚みが表１に記載の厚みとなるように塗布し、雰囲気温度１００℃の環境下で乾燥させて下層非磁性層を形成した。下層非磁性層上に、乾燥後の厚みが表１に記載の厚みとなるように上層非磁性層形成用組成物を塗布し、雰囲気温度１００℃の環境下で乾燥させて上層非磁性層を形成した。
【0128】
［実施例７、８］
強磁性粉末として、表１の「強磁性粉末」の欄に記載の強磁性粉末を使用した点以外は実施例６について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
強磁性粉末として、表１の「強磁性粉末」の欄に記載の強磁性粉末を使用した点以外は実施例６について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
【0129】
［比較例１］
研磨剤として表１に記載の平均粒子サイズのα－アルミナ粉末を使用した点以外は実施例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
研磨剤として表１に記載の平均粒子サイズのα－アルミナ粉末を使用した点以外は実施例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
【0130】
［実施例９］
比較例１について記載した方法によって磁気テープを作製した。作製した磁気テープを磁気テープカートリッジに収容する前に、磁気テープの全長に以下の摺動処理（以下、「製造工程中摺動処理」と呼ぶ）を施した。
ＩＢＭ社製ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ）８テープドライブに搭載されている記録再生ヘッド（ＬＴＯ８ヘッド）を摺動部材として使用した。磁気テープ搬送装置において、磁気テープを以下の走行条件で走行させて上記摺動部材と磁性層の表面とを接触させ摺動させた。以下の磁気テープの長手方向にかけるテンションの値および磁気テープの走行速度は、磁気テープ搬送装置における設定値である。単位に関して、「ｇｆ」はグラム重であり、１Ｎ（ニュートン）は約１０２ｇｆである。
（走行条件）
磁気テープの走行速度：４ｍ／秒
磁気テープの長手方向にかけるテンション：１００ｇｆ
磁気テープの走行パス：２０，０００シングルパス
ラップ角θ：１°
比較例１について記載した方法によって磁気テープを作製した。作製した磁気テープを磁気テープカートリッジに収容する前に、磁気テープの全長に以下の摺動処理（以下、「製造工程中摺動処理」と呼ぶ）を施した。
ＩＢＭ社製ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ）８テープドライブに搭載されている記録再生ヘッド（ＬＴＯ８ヘッド）を摺動部材として使用した。磁気テープ搬送装置において、磁気テープを以下の走行条件で走行させて上記摺動部材と磁性層の表面とを接触させ摺動させた。以下の磁気テープの長手方向にかけるテンションの値および磁気テープの走行速度は、磁気テープ搬送装置における設定値である。単位に関して、「ｇｆ」はグラム重であり、１Ｎ（ニュートン）は約１０２ｇｆである。
（走行条件）
磁気テープの走行速度：４ｍ／秒
磁気テープの長手方向にかけるテンション：１００ｇｆ
磁気テープの走行パス：２０，０００シングルパス
ラップ角θ：１°
【0131】
［比較例２］
フィラー液の分散処理のパス回数を表１に示すように変更した点以外、比較例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
フィラー液の分散処理のパス回数を表１に示すように変更した点以外、比較例１について記載した方法によって磁気テープおよび磁気テープカートリッジを作製した。
【0132】
［比較例３］
特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）の実施例１の記載にしたがって磁気テープを作製した。ただし、強磁性粉末としては実施例１等と同じ表１に示す強磁性粉末を使用し、研磨剤としては比較例１等と同じ表１に記載の平均粒子サイズのα－アルミナ粉末を使用し、非磁性層の非磁性粉末としては実施例１等と同じカーボンブラックおよび表１に記載の平均粒子サイズのα－酸化鉄を使用した。特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）の段落００６７に記載されているように、磁性層に含まれるフィラーはコロイダルシリカである。比較例３については、特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）の段落００７１の記載にしたがい磁性層形成用組成物を調製したため、コロイダルシリカを含む液に対して、他の成分と混合する前の分散処理（フィラー液の分散処理）は行わなかった。
作製した磁気テープを、実施例１と同じ方法で、サーボパターンを形成した後に磁気テープカートリッジに収容した。
こうして、長さ９６０ｍの磁気テープがリールに巻装された単リール型の磁気テープカートリッジを作製した。
特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）の実施例１の記載にしたがって磁気テープを作製した。ただし、強磁性粉末としては実施例１等と同じ表１に示す強磁性粉末を使用し、研磨剤としては比較例１等と同じ表１に記載の平均粒子サイズのα－アルミナ粉末を使用し、非磁性層の非磁性粉末としては実施例１等と同じカーボンブラックおよび表１に記載の平均粒子サイズのα－酸化鉄を使用した。特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）の段落００６７に記載されているように、磁性層に含まれるフィラーはコロイダルシリカである。比較例３については、特開２０１４－２０９４０３号公報（特許文献１）の段落００７１の記載にしたがい磁性層形成用組成物を調製したため、コロイダルシリカを含む液に対して、他の成分と混合する前の分散処理（フィラー液の分散処理）は行わなかった。
作製した磁気テープを、実施例１と同じ方法で、サーボパターンを形成した後に磁気テープカートリッジに収容した。
こうして、長さ９６０ｍの磁気テープがリールに巻装された単リール型の磁気テープカートリッジを作製した。
【0133】
［比較例４］
先に記載した金属粉末を使用し、特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）の実施例１の記載にしたがって磁気テープを作製した。特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）の段落００５０に記載されているように、磁性層と非磁性層の塗布方式は同時重層塗布である。比較例４については、特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）の段落００５０の記載にしたがい磁性層形成用組成物を調製したため、カーボンブラックを含む液に対して、他の成分と混合する前の分散処理（フィラー液の分散処理）は行わなかった。
作製した磁気テープを、実施例１と同じ方法で、サーボパターンを形成した後に磁気テープカートリッジに収容した。
こうして、長さ９６０ｍの磁気テープがリールに巻装された単リール型の磁気テープカートリッジを作製した。
先に記載した金属粉末を使用し、特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）の実施例１の記載にしたがって磁気テープを作製した。特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）の段落００５０に記載されているように、磁性層と非磁性層の塗布方式は同時重層塗布である。比較例４については、特開２００４－３４８８９７号公報（特許文献２）の段落００５０の記載にしたがい磁性層形成用組成物を調製したため、カーボンブラックを含む液に対して、他の成分と混合する前の分散処理（フィラー液の分散処理）は行わなかった。
作製した磁気テープを、実施例１と同じ方法で、サーボパターンを形成した後に磁気テープカートリッジに収容した。
こうして、長さ９６０ｍの磁気テープがリールに巻装された単リール型の磁気テープカートリッジを作製した。
【0134】
実施例および比較例について、それぞれ磁気テープカートリッジを２つ作製し、１つを以下の突出高さ差Δおよび磁性層表面Ｒａを求めるために使用し、他の１つを後述の高温環境下での繰り返し走行前後の電磁変換特性の評価に使用した。
【0135】
［物性評価］
（１）磁性層表面Ｒａ
ＡＦＭの測定条件として下記条件を採用し、実施例および比較例の各磁気テープについて、先に記載した方法により磁性層表面Ｒａを求めた。
ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて磁気テープの磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を測定する。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ－３００を使用し、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとし、スキャン速度は１画面（５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌ）を３４１秒で測定する速度とする。
（１）磁性層表面Ｒａ
ＡＦＭの測定条件として下記条件を採用し、実施例および比較例の各磁気テープについて、先に記載した方法により磁性層表面Ｒａを求めた。
ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて磁気テープの磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を測定する。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ－３００を使用し、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとし、スキャン速度は１画面（５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌ）を３４１秒で測定する速度とする。
【0136】
（２）突出高さ差Δ
実施例および比較例の各磁気テープについて、先に記載した方法により、突出高さＨＤおよび突出高さＨＢを求めた。求められた値から、突出高さ差Δ（ＨＤ－ＨＢ）を算出した。
後掲の表２に示す実施例および比較例については、磁性層の表面の３箇所の測定領域について先に記載した方法によって取得された測定結果から、以下のように参照突出高さ差Δｒｅｆを求めた。
各測定領域について、基準面を０ｎｍとする暗部領域の高さの算術平均を、すべての暗部領域の算術平均として求めた。こうして３箇所の測定領域について求められた３つの値の算術平均を算出し、これをＨＤｒｅｆとした。また、各測定領域について、基準面を０ｎｍとする明部領域の高さの算術平均を、すべての明部領域の算術平均として求めた。こうして３箇所の測定領域について求められた３つの値の算術平均を算出し、これをＨＢｒｅｆとした。
上記のＨＤｒｅｆとＨＢｒｅｆから、参照突出高さ差Δｒｅｆ＝ＨＤｒｅｆ－ＨＢｒｅｆを算出した。参照突出高さ差Δｒｅｆは、基準面を０ｎｍとして求められた暗部領域と明部領域との突出高さ差ということができる。ここで、「ｒｅｆ」は、「ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ」の略称として用いている。
実施例および比較例の各磁気テープについて、先に記載した方法により、突出高さＨＤおよび突出高さＨＢを求めた。求められた値から、突出高さ差Δ（ＨＤ－ＨＢ）を算出した。
後掲の表２に示す実施例および比較例については、磁性層の表面の３箇所の測定領域について先に記載した方法によって取得された測定結果から、以下のように参照突出高さ差Δｒｅｆを求めた。
各測定領域について、基準面を０ｎｍとする暗部領域の高さの算術平均を、すべての暗部領域の算術平均として求めた。こうして３箇所の測定領域について求められた３つの値の算術平均を算出し、これをＨＤｒｅｆとした。また、各測定領域について、基準面を０ｎｍとする明部領域の高さの算術平均を、すべての明部領域の算術平均として求めた。こうして３箇所の測定領域について求められた３つの値の算術平均を算出し、これをＨＢｒｅｆとした。
上記のＨＤｒｅｆとＨＢｒｅｆから、参照突出高さ差Δｒｅｆ＝ＨＤｒｅｆ－ＨＢｒｅｆを算出した。参照突出高さ差Δｒｅｆは、基準面を０ｎｍとして求められた暗部領域と明部領域との突出高さ差ということができる。ここで、「ｒｅｆ」は、「ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ」の略称として用いている。
【0137】
［高温環境下での繰り返し走行前後の電磁変換特性の評価］
（１）高温環境下での繰り返し走行前の電磁変換特性の評価
以下の電磁変換特性の評価は、雰囲気温度２３℃±１℃相対湿度５０％の環境において行った
図３に、磁気テープを走行させるために使用したリールテスターの概略図を示す。
実施例および比較例について、それぞれ、磁気テープカートリッジから取り出した磁気テープの長手方向の任意の位置から切り出した長さ１００ｍのテープ試料を、ＩＢＭ社製ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ）８テープドライブに搭載されている記録再生ヘッド（ＬＴＯ８ヘッド）を固定した１／２インチリールテスターに、図３に示すように取り付けた。具体的には、テープ試料の一方の端部をリールテスターの一方のテープリールに固定し、他方の端部をリールテスターの他方のテープリールに固定してテープ試料をリールテスターに取り付けた。「ＬＴＯ８ヘッド」とは、ＬＴＯ８規格にしたがう磁気ヘッドである。リールテスターにおいてテープ試料を走行させ、磁性層の表面を磁気ヘッドと接触させて摺動させてデータの記録および再生を行った。磁気テープ（上記テープ試料）の走行条件は、以下の条件とした。以下の磁気テープの長手方向にかけるテンションの値および磁気テープの走行速度は、リールテスターにおける設定値である。先に記載したように、単位に関して、「ｇｆ」はグラム重であり、１Ｎ（ニュートン）は約１０２ｇｆである。
（走行条件）
磁気テープの走行速度：４ｍ／秒
磁気テープの長手方向にかけるテンション：１００ｇｆ
磁気テープの走行パス：１シングルパス
ラップ角θ：１°
記録は線記録密度３００ｋｆｃｉで行い、再生を行った際の再生出力を測定し、信号対雑音比（再生出力とノイズとの比）としてＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ－ｔｏ－Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を求めた。単位ｋｆｃｉとは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。
（１）高温環境下での繰り返し走行前の電磁変換特性の評価
以下の電磁変換特性の評価は、雰囲気温度２３℃±１℃相対湿度５０％の環境において行った
図３に、磁気テープを走行させるために使用したリールテスターの概略図を示す。
実施例および比較例について、それぞれ、磁気テープカートリッジから取り出した磁気テープの長手方向の任意の位置から切り出した長さ１００ｍのテープ試料を、ＩＢＭ社製ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ）８テープドライブに搭載されている記録再生ヘッド（ＬＴＯ８ヘッド）を固定した１／２インチリールテスターに、図３に示すように取り付けた。具体的には、テープ試料の一方の端部をリールテスターの一方のテープリールに固定し、他方の端部をリールテスターの他方のテープリールに固定してテープ試料をリールテスターに取り付けた。「ＬＴＯ８ヘッド」とは、ＬＴＯ８規格にしたがう磁気ヘッドである。リールテスターにおいてテープ試料を走行させ、磁性層の表面を磁気ヘッドと接触させて摺動させてデータの記録および再生を行った。磁気テープ（上記テープ試料）の走行条件は、以下の条件とした。以下の磁気テープの長手方向にかけるテンションの値および磁気テープの走行速度は、リールテスターにおける設定値である。先に記載したように、単位に関して、「ｇｆ」はグラム重であり、１Ｎ（ニュートン）は約１０２ｇｆである。
（走行条件）
磁気テープの走行速度：４ｍ／秒
磁気テープの長手方向にかけるテンション：１００ｇｆ
磁気テープの走行パス：１シングルパス
ラップ角θ：１°
記録は線記録密度３００ｋｆｃｉで行い、再生を行った際の再生出力を測定し、信号対雑音比（再生出力とノイズとの比）としてＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ－ｔｏ－Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を求めた。単位ｋｆｃｉとは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。
【0138】
（２）高温環境下での繰り返し走行
上記（１）の評価後のテープ試料を、雰囲気温度６５℃相対湿度１０％の環境において上記（１）に記載したようにリールテスターに取り付けた状態で、上記（１）に記載の走行条件で走行させ、磁性層の表面と磁気ヘッドとを接触させ摺動させた。
上記（１）の評価後のテープ試料を、雰囲気温度６５℃相対湿度１０％の環境において上記（１）に記載したようにリールテスターに取り付けた状態で、上記（１）に記載の走行条件で走行させ、磁性層の表面と磁気ヘッドとを接触させ摺動させた。
【0139】
（３）高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の評価
上記（２）の繰り返し走行後の磁気テープについて、雰囲気温度２３℃±１℃相対湿度５０％の環境において、磁気テープの走行パスを２０，０００シングルパスとした点以外は上記（１）に記載したように電磁変換特性を評価した。
上記（２）の繰り返し走行後の磁気テープについて、雰囲気温度２３℃±１℃相対湿度５０％の環境において、磁気テープの走行パスを２０，０００シングルパスとした点以外は上記（１）に記載したように電磁変換特性を評価した。
【0140】
（４）高温環境下での繰り返し走行前後のＳＮＲ低下量（ΔＳＮＲ）
上記（１）において記録再生したときのＳＮＲを「繰り返し走行前ＳＮＲ」とし、上記（３）における２０，０００シングルパス目に記録再生したときのＳＮＲを「繰り返し走行後ＳＮＲ」として、以下の式によってΔＳＮＲを算出した。繰り返し走行前のＳＮＲに対する繰り返し走行後のＳＮＲの変化量が３．０ｄＢ以内であれば、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が少ないということができる。
ΔＳＮＲ＝（繰り返し走行後ＳＮＲ）－（繰り返し走行前ＳＮＲ）
上記（１）において記録再生したときのＳＮＲを「繰り返し走行前ＳＮＲ」とし、上記（３）における２０，０００シングルパス目に記録再生したときのＳＮＲを「繰り返し走行後ＳＮＲ」として、以下の式によってΔＳＮＲを算出した。繰り返し走行前のＳＮＲに対する繰り返し走行後のＳＮＲの変化量が３．０ｄＢ以内であれば、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が少ないということができる。
ΔＳＮＲ＝（繰り返し走行後ＳＮＲ）－（繰り返し走行前ＳＮＲ）
【0141】
比較例４は、上記（２）の高温環境下での繰り返し走行中、磁性層に多数の傷が生じてしまったため、上記（３）の電磁変換特性の評価を行うことができなかった（表１中、ΔＳＮＲの欄に「評価不可」と表記）。
【0142】
【表1】
【0143】
【表2】
【0144】
表１に示す結果から、実施例の磁気テープにおいて、比較例の磁気テープと比べて、高温環境下での繰り返し走行後の電磁変換特性の低下が抑制されていることが確認できる。
また、表２に示す結果から、周辺素地領域の高さを０ｎｍとして求められた突出高さ差Δの大小関係は、基準面を０ｎｍとして求められた参照突出高さΔｒｅｆの大小関係とは対応しないことが確認できる。
また、表２に示す結果から、周辺素地領域の高さを０ｎｍとして求められた突出高さ差Δの大小関係は、基準面を０ｎｍとして求められた参照突出高さΔｒｅｆの大小関係とは対応しないことが確認できる。
【産業上の利用可能性】
【0145】
本発明の一態様は、データストレージ用磁気テープの技術分野において有用である。
【図1】
【図2】
【図3】
