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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023150799
(43)【公開日】2023-10-16
(54)【発明の名称】荷電粒子ビーム装置
(51)【国際特許分類】
H01J 37/147 20060101AFI20231005BHJP
【ＦＩ】
H01J37/147 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022060084
(22)【出願日】2022-03-31
(71)【出願人】
【識別番号】501387839
【氏名又は名称】株式会社日立ハイテク
(74)【代理人】
【識別番号】110002572
【氏名又は名称】弁理士法人平木国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】亀田 寿昌
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 智世
(72)【発明者】
【氏名】水谷 俊介
【テーマコード（参考）】
5C101
【Ｆターム（参考）】
5C101AA03
5C101BB08
5C101EE23
5C101EE48
5C101JJ07
(57)【要約】
【課題】ブランキングによる関心領域の帯電や関心領域のダメージを抑制する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置は、ビーム源から放出されたビームを関心領域で走査する偏向器と、関心領域を走査したビームを関心領域外に退避させる第２の偏向器と、記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、１以上のコンピュータシステムは、ビームの関心領域での走査方向に基づいて（ステップＳ４０１）、ビームの退避方向又は退避位置を決定する（ステップＳ４０２）。
【選択図】図４
【解決手段】荷電粒子ビーム装置は、ビーム源から放出されたビームを関心領域で走査する偏向器と、関心領域を走査したビームを関心領域外に退避させる第２の偏向器と、記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、１以上のコンピュータシステムは、ビームの関心領域での走査方向に基づいて（ステップＳ４０１）、ビームの退避方向又は退避位置を決定する（ステップＳ４０２）。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ビーム源から放出されたビームを関心領域で走査する第１の偏向器と、
前記関心領域を走査した前記ビームを前記関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの前記関心領域での走査方向に基づいて、（i）前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する、又は（ii）前記ビームの退避方向又は退避位置に関する特性情報を出力する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
前記関心領域を走査した前記ビームを前記関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの前記関心領域での走査方向に基づいて、（i）前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する、又は（ii）前記ビームの退避方向又は退避位置に関する特性情報を出力する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項2】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切らないように、前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切らないように、前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項3】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を除く他の領域に前記ビームが照射されるように、前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を除く他の領域に前記ビームが照射されるように、前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項4】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記第２の偏向器を制御して、前記ビームを前記退避位置から前記関心領域外を通過して解除位置まで移動させ、前記解除位置から次の走査の開始位置まで移動させる
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記第２の偏向器を制御して、前記ビームを前記退避位置から前記関心領域外を通過して解除位置まで移動させ、前記解除位置から次の走査の開始位置まで移動させる
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項5】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記第１の偏向器を制御して、前記ビームの前記退避位置から近い順に前記走査方向に沿って前記ビームを複数回走査させる
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記第１の偏向器を制御して、前記ビームの前記退避位置から近い順に前記走査方向に沿って前記ビームを複数回走査させる
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項6】
ビーム源から放出されたビームを複数の関心領域で走査する第１の偏向器と、
前記関心領域を走査した前記ビームを前記複数の関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記複数の関心領域の位置又は前記複数の関心領域に対する前記ビームの照射位置に関する第１の情報、及び前記ビームの退避位置に関する第２の情報に基づいて、（i）前記複数の関心領域の処理順を決定する、又は（ii）前記処理順に関する順番情報を出力する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
前記関心領域を走査した前記ビームを前記複数の関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記複数の関心領域の位置又は前記複数の関心領域に対する前記ビームの照射位置に関する第１の情報、及び前記ビームの退避位置に関する第２の情報に基づいて、（i）前記複数の関心領域の処理順を決定する、又は（ii）前記処理順に関する順番情報を出力する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項7】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの退避時に前記複数の関心領域の未走査領域を横切らないように、前記複数の関心領域の前記処理順を決定する
ことを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記ビームの退避時に前記複数の関心領域の未走査領域を横切らないように、前記複数の関心領域の前記処理順を決定する
ことを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項8】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの退避時に前記複数の関心領域の未走査領域を除く他の領域に前記ビームが照射されるように、前記複数の関心領域の前記処理順を決定する
ことを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記ビームの退避時に前記複数の関心領域の未走査領域を除く他の領域に前記ビームが照射されるように、前記複数の関心領域の前記処理順を決定する
ことを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項9】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記第１の偏向器及び前記第２の偏向器を制御して、前記複数の関心領域と前記退避位置とを往復しつつ、決定された前記処理順に従って前記複数の関心領域を処理する
ことを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記第１の偏向器及び前記第２の偏向器を制御して、前記複数の関心領域と前記退避位置とを往復しつつ、決定された前記処理順に従って前記複数の関心領域を処理する
ことを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項10】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記決定した前記処理順を前記関心領域間の移動距離に基づいて調整する
ことを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記決定した前記処理順を前記関心領域間の移動距離に基づいて調整する
ことを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項11】
ビーム源から放出されたビームを関心領域で走査する第１の偏向器と、
前記関心領域を走査した前記ビームを前記関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記関心領域の位置又は前記関心領域に対する前記ビームの照射位置に関する第１の情報、及び前記関心領域の前に走査される事前照射領域の位置に関する第２の情報に基づいて、（i）前記事前照射領域での走査中における前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する、又は（ii）前記事前照射領域での走査中における前記ビームの退避方向又は退避位置に関する特性情報を出力する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
前記関心領域を走査した前記ビームを前記関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記関心領域の位置又は前記関心領域に対する前記ビームの照射位置に関する第１の情報、及び前記関心領域の前に走査される事前照射領域の位置に関する第２の情報に基づいて、（i）前記事前照射領域での走査中における前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する、又は（ii）前記事前照射領域での走査中における前記ビームの退避方向又は退避位置に関する特性情報を出力する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項12】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切らないように、前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切らないように、前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項13】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切るように、前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切るように、前記ビームの退避方向又は退避位置を決定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項14】
ビーム源から放出されたビームを関心領域で走査する第１の偏向器と、
前記関心領域を走査した前記ビームを前記関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記関心領域の位置又は前記関心領域に対する前記ビームの照射位置に関する第１の情報、及び前記関心領域の前に走査される事前照射領域での走査中における前記ビームの退避方向又は退避位置に関する第２の情報に基づいて、（i）前記事前照射領域の位置を決定する、又は（ii）前記事前照射領域の位置に関する特性情報を出力する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
前記関心領域を走査した前記ビームを前記関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記関心領域の位置又は前記関心領域に対する前記ビームの照射位置に関する第１の情報、及び前記関心領域の前に走査される事前照射領域での走査中における前記ビームの退避方向又は退避位置に関する第２の情報に基づいて、（i）前記事前照射領域の位置を決定する、又は（ii）前記事前照射領域の位置に関する特性情報を出力する
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項15】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切らないように、前記事前照射領域の位置を決定する
ことを特徴とする請求項１４に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切らないように、前記事前照射領域の位置を決定する
ことを特徴とする請求項１４に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項16】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切るように、前記事前照射領域の位置を決定する
ことを特徴とする請求項１４に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記ビームの退避時に前記関心領域の未走査領域を横切るように、前記事前照射領域の位置を決定する
ことを特徴とする請求項１４に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項17】
ビーム源から放出されたビームを関心領域及び事前照射領域で走査する第１の偏向器と、
前記関心領域を走査した前記ビームを前記関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記第１の偏向器を制御して、前記事前照射領域を走査し、前記事前照射領域の走査後に、前記関心領域を走査し、
前記事前照射領域の走査中は、前記ビームを前記関心領域外に退避させず、
前記関心領域の走査中は、前記第２の偏向器を制御して、前記ビームを前記関心領域外に退避させる
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
前記関心領域を走査した前記ビームを前記関心領域外に退避させる第２の偏向器と、
記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記第１の偏向器を制御して、前記事前照射領域を走査し、前記事前照射領域の走査後に、前記関心領域を走査し、
前記事前照射領域の走査中は、前記ビームを前記関心領域外に退避させず、
前記関心領域の走査中は、前記第２の偏向器を制御して、前記ビームを前記関心領域外に退避させる
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項18】
前記１以上のコンピュータシステムは、
前記事前照射領域の走査中は、前記第２の偏向器をオフにし、前記関心領域の走査中は、前記第２の偏向器をオンにする
ことを特徴とする請求項１７に記載の荷電粒子ビーム装置。
前記事前照射領域の走査中は、前記第２の偏向器をオフにし、前記関心領域の走査中は、前記第２の偏向器をオンにする
ことを特徴とする請求項１７に記載の荷電粒子ビーム装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、荷電粒子ビーム装置に関し、荷電粒子ビームを退避領域に退避可能な荷電粒子ビーム装置に関する。
【背景技術】
【0002】
荷電粒子ビームを試料表面上で走査することによって試料の観察、測長、検査、分析などを行うシステムが知られている。このようなシステムでは、不必要に荷電粒子ビームが試料に照射されることを抑制するために、電場もしくは磁場で荷電粒子ビームを大きく偏向し、絞り板等に荷電粒子ビームを照射することで試料から電子ビームを退避させる。この機能は、ブランキングと呼ばれる。
【0003】
特許文献１には、ブランキングを行う荷電粒子線装置が開示されている。特許文献１に記載の荷電粒子線装置では、荷電粒子線の走査ライン毎にブランキング方向を変えることによって、複数方向の帯電のバランスをとることによって、軸ずれ等の発生を抑制する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１３－２５４６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１では、ブランキング方向と走査領域との関係について言及されていない。つまり、特許文献１では、ブランキング方向に走査領域が存在する場合、ブランキング時の荷電粒子線が測長点を横切り、走査領域が帯電してしまう。その結果、走査領域の帯電に起因して、測長点の正確な測定が困難となる。特に、低加速電圧（例えば、１００Ｖ）で加速された１次ビームは、ブランキングによる帯電によって大きな影響を受ける。
【0006】
また、ブランキング時の荷電粒子線が走査領域を横切ることによって、走査領域にダメージ（シュリンク）が発生する。特に、ＥＵＶによる微細加工技術で製造された半導体デバイスの微細パターンの計測においては、走査領域のダメージ（シュリンク）を最小限にする必要がある。
【0007】
そこで、本開示は、ブランキングによる走査領域（関心領域）の帯電や関心領域のダメージを抑制することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本開示の荷電粒子ビーム装置は、ビーム源から放出されたビームを関心領域で走査する第１の偏向器と、関心領域を走査したビームを関心領域外に退避させる第２の偏向器と、記憶媒体に記憶されたプログラムを実行するように構成される１以上のプロセッサを含む１以上のコンピュータシステムと、を備え、１以上のコンピュータシステムは、ビームの関心領域での走査方向に基づいて、（i）ビームの退避方向又は退避位置を決定する、(ii)又はビームの退避方向又は退避位置に関する特性情報を出力することを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本開示によれば、ブランキングによる関心領域の帯電や関心領域のダメージを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1A】実施例１の荷電粒子ビーム装置の概略構成図である。
【図1B】実施例１のコンピュータシステムのハードウェアブロック図である。
【図2】実施例１のブランキング方向と荷電粒子ビームの照射軌跡とを示した図である。
【図3】実施例１の荷電粒子ビームの走査方向とブランキング方向との関係を示す図である。
【図4】実施例１のブランキング方向の決定処理を示すフローチャートである。
【図5】実施例２の荷電粒子ビームの走査方向とブランキング方向との関係を示す図である。
【図6】実施例３の荷電粒子ビームの走査方向とブランキング方向との関係を示す図である。
【図7】実施例３のブランキング方向の最適化処理を示すフローチャートである。
【図8】実施例４の複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を示した図である。
【図9】実施例４の複数の走査領域の処理順の決定処理を示すフローチャートである。
【図10】実施例５の複数の走査領域の処理順を示した図である。
【図11】実施例５の複数の走査領域の処理順の最適化処理を示すフローチャートである。
【図12】実施例６の複数の走査領域の処理順を示した図である。
【図13】実施例６のウェハ上の複数の走査領域の処理順を示した図である。
【図14】実施例６の複数の走査領域の処理順の調整処理を示すフローチャートである。
【図15】実施例７の事前照射領域と走査領域との位置関係を示した図である。
【図16】実施例７のブランキング方向の決定処理を示すフローチャートである。
【図17】実施例８の事前照射領域と走査領域との位置関係を示した図である。
【図18】実施例８のブランキング方向の最適化処理を示すフローチャートである。
【図19】実施例９の事前照射領域と走査領域との位置関係を示した図である。
【図20】実施例９の事前照射領域の決定処理を示すフローチャートである。
【図21】実施例１０の事前照射領域と走査領域との位置関係を示した図である。
【図22】実施例１０の事前照射領域の最適化処理を示すフローチャートである。
【図23】実施例１１のブランキングの実施有無判定処理を示すフローチャートである。
【図24】実施例１２の試料に対する荷電粒子ビームの照射時間と試料の帯電量との関係を示した図である。
【図25】実施例１２のブランキング方向の最適化処理を示すフローチャートである。
【図26】実施例１２の事前照射領域の最適化処理を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合及び原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【0012】
＜実施例１＞
（荷電粒子ビーム装置１００）
図１Ａは、実施例１の荷電粒子ビーム装置の概略構成図である。実施例１では、荷電粒子ビームを走査ライン単位で退避又は遮断（以下、適宜「ブランキング」とする）する荷電粒子ビーム装置について説明する。なお、ブランキングは、フレーム単位で行ってもよいし、ピクセル単位で行ってもよい。
（荷電粒子ビーム装置１００）
図１Ａは、実施例１の荷電粒子ビーム装置の概略構成図である。実施例１では、荷電粒子ビームを走査ライン単位で退避又は遮断（以下、適宜「ブランキング」とする）する荷電粒子ビーム装置について説明する。なお、ブランキングは、フレーム単位で行ってもよいし、ピクセル単位で行ってもよい。
【0013】
図１Ａに示すように、荷電粒子ビーム装置１００は、荷電粒子ビーム２のビーム源である電子銃１と、収束レンズ３と、ブランキング偏向器（第２の偏向器）４と、絞り板５と、イメージシフト偏向器（第１の偏向器）６と、対物レンズ７と、ステージ９と、検出器１１と、ブランキング電圧印加装置１２と、ブランキング電圧制御装置１３と、収束レンズ制御装置１４と、コンピュータシステム１５と、を備える。
【0014】
電子銃１から放出された荷電粒子ビーム（一次ビーム）２は、収束レンズ３の磁場による収束作用によって、絞り板５の絞り穴５ａを通過する。絞り穴５ａを通過した荷電粒子ビーム２は、イメージシフト偏向器６の電場又は磁場によって、ステージ９に載置された試料８上を走査され、対物レンズ７の磁場による収束作用によって、試料８上で収束される。荷電粒子ビーム２の照射によって試料８から発生した二次電子１０は、検出器１１によって検出される。これにより、試料８上における荷電粒子ビーム２の走査領域の拡大像が得られる。
【0015】
荷電粒子ビーム２の照射による試料８のダメージを最小限にするために、荷電粒子ビーム２を出来る限り試料８にまき散らさないようにする必要がある。そこで、荷電粒子ビーム装置１００では、ライン間、フレーム間、ピクセル間でブランキングを実行する。荷電粒子ビーム２のブランキングを実行する際には、ブランキング偏向器４の電場又は磁場によって、荷電粒子ビーム２を大きく偏向し、試料８より外側の関心領域外（例えば、絞り板５上）に照射する。
【0016】
ブランキング偏向器４は、４つの電極４ａ～４ｄを有し、ブランキング電圧印加装置１２の４つの駆動回路１２ａ～１２ｄのそれぞれが、４つの電極４ａ～４ｄに電圧を印加する。４つの駆動回路１２ａ～１２ｄが印加する電圧の大きさ、方向、及びタイミングは、ブランキング電圧制御装置１３によって制御される。ブランキング電圧制御装置１３の制御によって、任意の大きさと方向の電場を任意のタイミングで形成することができる。なお、ブランキング偏向器４の電極の数、及びブランキング電圧印加装置１２の駆動回路の数は、４つに限定されない。ブランキングの際に、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４の電場の方向に偏向されて、絞り板５で遮蔽される。ブランキング電圧制御装置１３は、コンピュータシステム１５からブランキング制御情報を受信し、ブランキング制御情報に従って４つの駆動回路１２ａ～１２ｄの動作を制御する。ブランキング制御情報は、荷電粒子ビーム２が走査される走査領域から退避領域に向かって荷電粒子ビーム２を退避させる方向（以下、ブランキング退避方向とする）、退避領域から走査領域に向かって荷電粒子ビーム２を進入させる方向（以下、ブランキング解除方向）、ブランキングのタイミングを示すタイミング情報、等を含む。
【0017】
（コンピュータシステム１５）
図１Ｂは、実施例１のコンピュータシステムのハードウェアブロック図である。図１Ｂを参照して、実施例１のコンピュータシステム１５の詳細を説明する。コンピュータシステム１５は、後述するフローチャートの各処理を実行する。コンピュータシステム１５は、プロセッサ１５１と、主記憶部１５２と、補助記憶部１５３と、入出力インタフェース（以下、インタフェースをＩ／Ｆと略記する）１５４と、通信Ｉ／Ｆ１５５と、表示器１５６と、上記した各モジュールを通信可能に接続するバス１５７と、を有する。
図１Ｂは、実施例１のコンピュータシステムのハードウェアブロック図である。図１Ｂを参照して、実施例１のコンピュータシステム１５の詳細を説明する。コンピュータシステム１５は、後述するフローチャートの各処理を実行する。コンピュータシステム１５は、プロセッサ１５１と、主記憶部１５２と、補助記憶部１５３と、入出力インタフェース（以下、インタフェースをＩ／Ｆと略記する）１５４と、通信Ｉ／Ｆ１５５と、表示器１５６と、上記した各モジュールを通信可能に接続するバス１５７と、を有する。
【0018】
プロセッサ１５１は、中央処理演算装置である。プロセッサ１５１は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等である。プロセッサ１５１は、補助記憶部１５３に記憶されるプログラムを主記憶部１５２の作業領域に実行可能に展開して実行する。主記憶部１５２は、プロセッサ１５１が実行するプログラム、当該プロセッサが処理するデータ等を記憶する。主記憶部１５２は、フラッシュメモリ、ＲＡＭ（Random Access Memory）等である。補助記憶部（記憶媒体）１５３は、例えば、ブランキング方向の決定処理に係るプログラムなどを記憶する。補助記憶部１５３は、例えば、ソリッドステートドライブ装置、ハードディスクドライブ装置等である。
【0019】
入出力Ｉ／Ｆ１５４は、ブランキング電圧制御装置１３、及び収束レンズ制御装置１４と通信可能に接続される。上記したブランキング制御情報は、入出力Ｉ／Ｆ１５４を介して、ブランキング電圧制御装置１３に送信される。通信Ｉ／Ｆ１５５は、ネットワークを介して外部機器と通信可能に接続するためのインタフェースである。表示器１５６は、各種情報を表示する。
【0020】
コンピュータシステム１５は、オンプレミスのコンピュータシステムであってもよいし、クラウド上のコンピュータシステムであってもよい。コンピュータシステム１５は、１以上のコンピュータシステムから構成される。
【0021】
（ブランキング）
図２は、実施例１のブランキング方向と荷電粒子ビームの照射軌跡とを示した図である。図２には、説明の簡略化のために、ブランキング偏向器４の２つの電極４ａ及び４ｃのみ図示される。図２では、ブランキング偏向器４の電極４ａ及び４ｃと、荷電粒子ビーム２が走査される走査領域（関心領域、測長領域、又は検査領域）Ａと、ブランキング時に荷電粒子ビーム２が照射されるブランキング照射領域Ｂとの位置関係を示している。
図２は、実施例１のブランキング方向と荷電粒子ビームの照射軌跡とを示した図である。図２には、説明の簡略化のために、ブランキング偏向器４の２つの電極４ａ及び４ｃのみ図示される。図２では、ブランキング偏向器４の電極４ａ及び４ｃと、荷電粒子ビーム２が走査される走査領域（関心領域、測長領域、又は検査領域）Ａと、ブランキング時に荷電粒子ビーム２が照射されるブランキング照射領域Ｂとの位置関係を示している。
【0022】
まず、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、退避領域Ｃ（絞り板５の上）からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って走査領域Ａまで偏向される。そして、荷電粒子ビーム２は、イメージシフト偏向器６の電場又は磁場によって、走査領域Ａ上を走査方向Ｓに沿って走査される。走査領域Ａの走査中に、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、走査領域Ａからブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避領域Ｃまで偏向される。
【0023】
（走査方向とブランキング方向との関係）
図３は、実施例１の荷電粒子ビームの走査方向とブランキング方向との関係を示す図である。図３を参照して、荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓとブランキング方向（ブランキング退避方向ＢＬＫ２、ブランキング解除方向ＢＬＫ１）との関係について説明する。
図３は、実施例１の荷電粒子ビームの走査方向とブランキング方向との関係を示す図である。図３を参照して、荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓとブランキング方向（ブランキング退避方向ＢＬＫ２、ブランキング解除方向ＢＬＫ１）との関係について説明する。
【0024】
実施例１では、荷電粒子ビーム２のブランキング時に後続の走査領域（未走査領域）を横切らないように、走査方向Ｓに基づいてブランキング方向又はブランキング位置が自動的に決定される。また、実施例１では、荷電粒子ビーム２のブランキング時に走査領域Ａの未走査領域を除く他の領域に荷電粒子ビーム２が照射されるように、走査方向Ｓに基づいてブランキング方向又はブランキング位置を自動的に決定してもよい。図３（ａ）に示すように、走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓが＋Ｘ方向の場合、ブランキング解除方向ＢＬＫ１は－Ｙ方向となり、ブランキング退避方向ＢＬＫ２は＋Ｙ方向となる。また、図３（ｂ）に示すように、走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓが－Ｙ方向の場合、ブランキング解除方向ＢＬＫ１は－Ｘ方向となり、ブランキング退避方向ＢＬＫ２は＋Ｘ方向となる。また、図３（ｃ）に示すように、走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓが－Ｘ方向の場合、ブランキング解除方向ＢＬＫ１は＋Ｙ方向となり、ブランキング退避方向ＢＬＫ２は－Ｙ方向となる。また、図３（ｄ）に示すように、走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓが＋Ｙ方向の場合、ブランキング解除方向ＢＬＫ１は＋Ｘ方向となり、ブランキング退避方向ＢＬＫ２は－Ｘ方向となる。
【0025】
また、実施例１では、荷電粒子ビーム２は、荷電粒子ビーム２の退避位置から近い順に走査方向Ｓに沿って複数回走査される。すなわち、走査領域Ａにおける走査の進行方向Ｔは、ブランキング退避方向ＢＬＫ２の反対方向（ブランキング解除方向ＢＬＫ１）に進行する。例えば、実施例１では、図３（ａ）に示すように、走査領域Ａにおいて－Ｙ方向に向かって第１の走査（Ｎｏ．１）、第２の走査（Ｎｏ．２）、第３の走査（Ｎｏ．３）、及び第４の走査（Ｎｏ．４）が順次実行される。
【0026】
なお、ブランキング方向及びブランキング位置は、走査領域Ａにおける走査の進行方向Ｔに基づいて決定してもよい。
【0027】
（ブランキング方向の決定処理）
図４は、実施例１のブランキング方向の決定処理を示すフローチャートである。図４のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の決定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図４は、実施例１のブランキング方向の決定処理を示すフローチャートである。図４のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の決定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0028】
コンピュータシステム１５は、走査領域Ａの走査条件や手順などを含むレシピ情報から走査領域Ａの位置、及び走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓを取得する（ステップＳ４０１）。なお、走査領域Ａの位置とは、処理対象であるパターンの位置、処理対象を含むＦＯＶ（Field of View（視野））の位置を意味する。次に、コンピュータシステム１５は、走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓに基づいて、ブランキング方向又はブランキング位置を決定する（ステップＳ４０２）。例えば、コンピュータシステム１５は、走査方向Ｓに対して、時計回りに約９０°回転させた方向をブランキング解除方向ＢＬＫ１とし、反時計回りに約９０°回転させた方向をブランキング退避方向ＢＬＫ２とする。
【0029】
なお、コンピュータシステム１５は、走査方向Ｓ及び走査領域Ａにおける走査の進行方向Ｔに基づいてブランキング方向を決定してもよい。さらに、コンピュータシステム１５は、表示器１５６やコンピュータシステム１５と通信可能に接続される他の表示器に、ブランキング方向又はブランキング位置に関する情報を表示してもよい。
【0030】
（実施例１の効果）
実施例１では、走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓに基づいて、ブランキング方向又はブランキング位置を決定することができる。これにより、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａにおける未走査領域を横切るのを防止することができる。その結果、ブランキングによる走査領域の帯電や走査領域のダメージを防止することができる。
実施例１では、走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓに基づいて、ブランキング方向又はブランキング位置を決定することができる。これにより、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａにおける未走査領域を横切るのを防止することができる。その結果、ブランキングによる走査領域の帯電や走査領域のダメージを防止することができる。
【0031】
実施例１では、荷電粒子ビーム２が退避位置から近い順に走査方向Ｓに沿って複数回走査される。これにより、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が、走査領域Ａにおける未走査領域を横切るのを防止することができる。
【0032】
＜実施例２＞
実施例１では、ブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避された荷電粒子ビーム２をその退避位置からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って荷電粒子ビーム２を次の走査の開始位置まで移動させる。一方、実施例２では、ブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避された荷電粒子ビーム２を、その退避位置から走査領域外を通過して解除位置まで移動させ、この解除位置からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って次の走査の開始位置まで移動させる。
実施例１では、ブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避された荷電粒子ビーム２をその退避位置からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って荷電粒子ビーム２を次の走査の開始位置まで移動させる。一方、実施例２では、ブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避された荷電粒子ビーム２を、その退避位置から走査領域外を通過して解除位置まで移動させ、この解除位置からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って次の走査の開始位置まで移動させる。
【0033】
図５は、実施例２の荷電粒子ビームの走査方向とブランキング方向との関係を示す図である。図５を参照して、実施例２の走査方向Ｓとブランキング方向（ブランキング解除方向ＢＬＫ１、ブランキング退避方向ＢＬＫ２、ブランキング移動方向ＢＬＫ３）との関係について説明する。
【0034】
荷電粒子ビーム２は、イメージシフト偏向器６の電場又は磁場によって、走査領域Ａ上を走査方向Ｓに沿って走査される。そして、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、走査領域Ａからブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避領域Ｃまで偏向される。電極４ａの近傍の退避位置まで偏向された荷電粒子ビーム２は、絞り板５上をブランキング移動方向ＢＬＫ３に沿って、電極４ｄの近傍の解除位置まで偏向される。そして、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、電極４ｄの近傍の解除位置からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って次の走査の開始位置まで偏向される。
【0035】
（実施例２の効果）
実施例２では、ブランキングの退避位置とブランキングの解除位置とを異ならせることができるので、ブランキング退避方向ＢＬＫ２及びブランキング解除方向ＢＬＫ１の自由度が大きくなる。その結果、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域を横切らないように、容易にブランキング退避方向ＢＬＫ２及びブランキング解除方向ＢＬＫ１を決定することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
実施例２では、ブランキングの退避位置とブランキングの解除位置とを異ならせることができるので、ブランキング退避方向ＢＬＫ２及びブランキング解除方向ＢＬＫ１の自由度が大きくなる。その結果、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域を横切らないように、容易にブランキング退避方向ＢＬＫ２及びブランキング解除方向ＢＬＫ１を決定することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0036】
＜実施例３＞
実施例１では、走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓに基づいてブランキング方向及びブランキング位置を決定したが、実施例３では、ブランキング時に後続の走査領域を横切らないか否かを判断して、ブランキング方向及びブランキング位置を変更する。
実施例１では、走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓに基づいてブランキング方向及びブランキング位置を決定したが、実施例３では、ブランキング時に後続の走査領域を横切らないか否かを判断して、ブランキング方向及びブランキング位置を変更する。
【0037】
図６は、実施例３の荷電粒子ビームの走査方向とブランキング方向との関係を示す図である。実施例３では、ブランキング時に後続の走査領域を横切らないか否かを判断して、ブランキング方向又はブランキング位置を変更する。そして、実施例３では、荷電粒子ビーム２のブランキング時に走査領域Ａの未走査領域を除く他の領域に荷電粒子ビーム２が照射されるように、ブランキング方向又はブランキング位置を決定する。図６に示すように、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、退避領域からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って走査領域Ａまで偏向される。そして、荷電粒子ビーム２は、イメージシフト偏向器６の電場又は磁場によって、走査領域Ａ上を走査方向Ｓ（＋Ｘ方向）に沿って走査される。そして、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、走査領域Ａからブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避領域まで偏向される。
【0038】
しかし、ブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って偏向される荷電粒子ビーム２は、走査領域Ａの後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切る。これでは、後続の走査領域（未走査領域）Ｕがブランキング時の荷電粒子ビーム２によって帯電したりダメージを受けたりしてしまう。そこで、実施例３では、ブランキング時に、荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切らないように、ブランキング方向及びブランキング位置を変更する。例えば、図６の例では、ブランキング解除方向ＢＬＫ１が＋Ｘ方向から－Ｙ方向に、ブランキング退避方向ＢＬＫ２が－Ｘ方向から＋Ｙ方向に変更される。すなわち、変更後のブランキング解除方向ＢＬＫ１´は－Ｙ方向となり、変更後のブランキング退避方向ＢＬＫ２´は＋Ｙ方向となる。
【0039】
（ブランキング方向の最適化処理）
図７は、実施例３のブランキング方向の最適化処理を示すフローチャートである。図７のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図７は、実施例３のブランキング方向の最適化処理を示すフローチャートである。図７のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0040】
コンピュータシステム１５は、変更前のブランキング方向、走査領域Ａの位置、及び走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向Ｓを取得する（ステップＳ７０１）。次に、コンピュータシステム１５は、取得したブランキング方向、走査領域Ａの位置、及び走査方向Ｓに基づいて、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切るか否かを判断する（ステップＳ７０２）。ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切ると判断した場合（ステップＳ７０２：Ｙｅｓ）、コンピュータシステム１５は、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切らないようにブランキング方向を変更する（ステップＳ７０３）。なお、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切らないと判断した場合（ステップＳ７０２：Ｎｏ）、ブランキング方向を変更せずに、本処理を終了する。
【0041】
ステップＳ７０３は、ブランキング方向を所定角度（例えば、９０°）回転させるステップであってもよい。この場合、ステップ７０２の判断を再度実行し、回転後のブランキングにおいて荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切るか否かを判断する。回転後のブランキングにおいて荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切らないと判断するまで、ブランキング方向を繰り返し所定角度変更してもよい。
【0042】
コンピュータシステム１５は、表示器１５６やコンピュータシステム１５と通信可能に接続される他の表示器に、ブランキング方向又はブランキング位置に関する特性情報を表示してもよい。特性情報とは、例えば、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域を横切ることを示唆するメッセージ、ブランキング方向の変更を促すメッセージなどを含む。
【0043】
（実施例３の効果）
実施例３では、ステップＳ７０２において、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切るか否かを判断しているので、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを確実に横切らないようにすることができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
実施例３では、ステップＳ７０２において、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを横切るか否かを判断しているので、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域（未走査領域）Ｕを確実に横切らないようにすることができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0044】
＜実施例４＞
実施例４では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２を走査する例について説明する。実施例４では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理（例えば、観察、測長、検査、分析など）順を決定することによって、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域を横切らないようにする。そして、実施例４では、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の未走査領域を除く他の領域に照射されるように、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を決定する。
実施例４では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２を走査する例について説明する。実施例４では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理（例えば、観察、測長、検査、分析など）順を決定することによって、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域を横切らないようにする。そして、実施例４では、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の未走査領域を除く他の領域に照射されるように、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を決定する。
【0045】
図８は、実施例４の複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を示した図である。図８を参照して、実施例４の複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を説明する。説明の簡略化のため、図８では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の走査方向Ｓは、全て同じ方向とする。実施例４では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の各位置に関する第１の情報、及び荷電粒子ビーム２の退避位置に関する第２の情報に基づいて、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を決定する。走査領域Ａ１～Ａ１２の位置とは、測定対象となるパターン、又は測定対象を含むＦＯＶの位置を含む。また、第２の情報は、荷電粒子ビーム２の退避位置、荷電粒子ビーム２の退避方向を含む。
【0046】
まず、実施例１で説明したように、走査方向Ｓに基づいてブランキング方向が決定される。そして、そのブランキング退避方向ＢＬＫ２にある退避位置から各走査領域Ａ１～Ａ１２の位置までの距離を算出し、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を決定する。図８の例では、退避位置から近い順に、走査領域Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ１、Ａ２、及びＡ３が配置されている。そのため、図８の例では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２は、走査領域Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ１、Ａ２、及びＡ３の順に処理される。なお、図８中の番号は、処理順を示す。
【0047】
（複数の走査領域の処理順の決定処理）
図９は、実施例４の複数の走査領域の処理順の決定処理を示すフローチャートである。フローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される複数の走査領域の処理順の決定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図９は、実施例４の複数の走査領域の処理順の決定処理を示すフローチャートである。フローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される複数の走査領域の処理順の決定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0048】
コンピュータシステム１５は、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の位置に関する位置情報及び走査方向Ｓを取得する（ステップＳ９０１）。位置情報は、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２に対する荷電粒子ビーム２の照射位置に関する情報であってもよい。そして、コンピュータシステム１５は、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の走査方向Ｓに基づいて、ブランキング方向を決定する（ステップＳ９０２）。このブランキング方向を決定する処理は、実施例１と同様である。そして、コンピュータシステム１５は、ブランキング方向（ブランキング退避方向）にある退避位置と、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の位置との間の距離を算出し（ステップＳ９０３）、算出した距離順に従って、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を決定する（ステップＳ９０４）。
【0049】
そして、コンピュータシステム１５は、イメージシフト偏向器６及びブランキング偏向器４を制御して、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２と退避位置とを往復しつつ、決定された処理順に従って複数の走査領域Ａ１～Ａ１２を処理する。
【0050】
コンピュータシステム１５は、表示器１５６やコンピュータシステム１５と通信可能に接続される他の表示器に、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順に関する順番情報を表示してもよい。順番情報とは、例えば、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域を横切ることを示唆するメッセージ、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順の変更を促すメッセージなどを含む。
【0051】
（実施例４の効果）
実施例４では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の位置と荷電粒子ビーム２の退避位置とに基づいて複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順が決定されるので、先に処理された走査領域Ａ１～Ａ１２でのブランキングによって、後続の走査領域が帯電したりダメージを受けたりすることを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
実施例４では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の位置と荷電粒子ビーム２の退避位置とに基づいて複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順が決定されるので、先に処理された走査領域Ａ１～Ａ１２でのブランキングによって、後続の走査領域が帯電したりダメージを受けたりすることを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0052】
＜実施例５＞
実施例４では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の位置及び走査方向Ｓに基づいて複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を決定したが、実施例５では、ブランキング時に後続の走査領域を横切らないか否かを判断して、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を最適化する。
実施例４では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の位置及び走査方向Ｓに基づいて複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を決定したが、実施例５では、ブランキング時に後続の走査領域を横切らないか否かを判断して、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を最適化する。
【0053】
図１０は、実施例５の複数の走査領域の処理順を示した図である。実施例５では、ブランキング時に後続の走査領域を横切らないか否かを判断して、複数の走査領域の処理順が自動的に最適化される。図１０（ａ）に示すように、最適化前では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２は、この処理順で処理される。この場合、例えば、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、退避位置からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って走査領域Ａ１まで偏向される。そして、荷電粒子ビーム２は、イメージシフト偏向器６の電場又は磁場によって、走査領域Ａ１上を走査方向Ｓに沿って走査される。そして、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、走査領域Ａ１からブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避位置まで偏向される。荷電粒子ビーム２がブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って走査領域Ａ１まで偏向されるとき、及び荷電粒子ビーム２がブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避位置まで偏向されるとき、荷電粒子ビーム２は、走査領域Ａ１の後に処理される走査領域Ａ４、Ａ７及びＡ１０を横切る。そのため、走査領域Ａ１の後に処理される走査領域Ａ４、Ａ７及びＡ１０が帯電したり、ダメージ受けたりしてしまう。
【0054】
そこで、実施例５では、図１０（ｂ）に示すように、最適化後では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２は、退避位置から近い順に、走査領域Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ１、Ａ２、及びＡ３の順に処理される。なお、図１０中の番号は、処理順を示す。
【0055】
（複数の走査領域の処理順の最適化処理）
図１１は、実施例５の複数の走査領域の処理順の最適化処理を示すフローチャートである。フローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される複数の走査領域の処理順の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図１１は、実施例５の複数の走査領域の処理順の最適化処理を示すフローチャートである。フローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される複数の走査領域の処理順の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0056】
コンピュータシステム１５は、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の位置、ブランキング方向、及び複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を取得する（ステップＳ１１０１）。そして、コンピュータシステム１５は、取得した複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の位置、ブランキング方向、及び複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順に基づいて、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域Ａ１～Ａ１２を横切るか否かを判断する（ステップＳ１１０２）。ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域Ａ１～Ａ１２を横切ると判断した場合（ステップＳ１１０２：Ｙｅｓ）、コンピュータシステム１５は、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域Ａ１～Ａ１２を横切らないように走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を変更する（ステップＳ１１０３）。なお、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域Ａ１～Ａ１２を横切らないと判断した場合（ステップＳ１１０２：Ｎｏ）、走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を変更せずに、本処理を終了する。
【0057】
コンピュータシステム１５は、表示器１５６やコンピュータシステム１５と通信可能に接続される他の表示器に、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順に関する特性情報を表示してもよい。特性情報とは、例えば、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域を横切ることを示唆するメッセージ、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順の変更を促すメッセージなどを含む。
【0058】
（実施例５の効果）
実施例５では、ステップＳ１１０２において、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域Ａ１～Ａ１２を横切るか否かを判断しているので、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域Ａ１～Ａ１２を確実に横切らないようにすることができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
実施例５では、ステップＳ１１０２において、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域Ａ１～Ａ１２を横切るか否かを判断しているので、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域Ａ１～Ａ１２を確実に横切らないようにすることができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0059】
＜実施例６＞
実施例５で説明した走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順は、ブランキング時の荷電粒子ビーム２の影響を受けない範囲であれば、他の基準に従って変更してもよい。例えば、実施例６では、走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順は、ブランキング時の荷電粒子ビーム２の影響を受けない範囲で、走査領域Ａ１～Ａ１２の移動距離に従って調整される。
実施例５で説明した走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順は、ブランキング時の荷電粒子ビーム２の影響を受けない範囲であれば、他の基準に従って変更してもよい。例えば、実施例６では、走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順は、ブランキング時の荷電粒子ビーム２の影響を受けない範囲で、走査領域Ａ１～Ａ１２の移動距離に従って調整される。
【0060】
図１２は、実施例６の複数の走査領域の処理順を示した図である。実施例６では、荷電粒子ビーム２の移動距離に従って、決定又は最適化した走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を調整する。図１２（ａ）に示すように、調整前では、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２は、走査領域Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ１、Ａ２、及びＡ３の順に処理される。この場合、後続の走査領域Ａ１～Ａ１２はブランキング時の荷電粒子ビーム２の影響は受けないが、例えば、走査領域Ａ１２の次に走査領域Ａ７を処理することになり、走査領域Ａ１２の次に走査領域Ａ９を処理する場合に比べて、走査領域間の移動距離が長くなる。その結果、計測にかかる時間も増加してしまう。
【0061】
そこで、実施例６では、図１２（ｂ）に示すように、調整後では、荷電粒子ビーム２の移動距離に従って、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２は、走査領域Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ９、Ａ８、Ａ７、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ３、Ａ２、及びＡ１の順に処理される。なお、図１２中の番号は、処理順を示す。
【0062】
また、図１３は、実施例６のウェハ上の複数の走査領域の処理順を示した図である。図１３に示した例も図１２の例と同様で、走査領域Ａ１～Ａ１２の移動距離に従って、決定又は最適化した走査領域Ａ１～Ａ１１の処理順を調整する。図１３（ａ）に示すように、変更前では、ウェハＷ上の複数の走査領域Ａ１～Ａ１１は、走査領域Ａ１、Ａ３、Ａ８、Ａ１１、Ａ９、Ａ４、Ａ２、Ａ７、Ａ１０、Ａ５、及びＡ６の順に処理される。この場合、後続の走査領域Ａ１～Ａ１２はブランキング時の荷電粒子ビーム２の影響は受けないが、例えば、走査領域Ａ１の次に走査領域Ａ３を処理することになり、走査領域Ａ１の次に走査領域Ａ２を処理する場合に比べて、走査領域間の移動距離が長くなる。
【0063】
そこで、実施例６では、図１３（ｂ）に示すように、調整後では、荷電粒子ビーム２の移動距離に従って、複数の走査領域Ａ１～Ａ１１は、走査領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ８、Ａ７、Ａ６、Ａ５、Ａ４、Ａ９、Ａ１０、及びＡ１１の順に処理される。なお、図１３中の番号は、処理順を示す。
【0064】
（複数の走査領域の処理順の調整処理）
図１４は、実施例６の複数の走査領域の処理順の調整処理を示すフローチャートである。フローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される複数の走査領域の処理順の調整処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図１４は、実施例６の複数の走査領域の処理順の調整処理を示すフローチャートである。フローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される複数の走査領域の処理順の調整処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0065】
コンピュータシステム１５は、ステップＳ１４０１～Ｓ１４０３の処理を実行する。ステップＳ１４０１～Ｓ１４０３の内容は、図１１のステップＳ１１０１～Ｓ１１０３の内容と同じであるので、その説明を省略する。次に、コンピュータシステム１５は、荷電粒子ビーム２の移動距離が最短であるか否かを判断し（ステップＳ１４０４）、移動距離が最短であると判断すると（ステップＳ１４０４：Ｙｅｓ）、本処理を終了する。一方で、移動距離が最短でないと判断すると（ステップＳ１４０４：Ｎｏ）、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が後続の走査領域Ａ１～Ａ１２を横切らない範囲で、荷電粒子ビーム２の移動距離が最短となるように、走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を調整する（ステップＳ１４０５）。
【0066】
コンピュータシステム１５は、表示器１５６やコンピュータシステム１５と通信可能に接続される他の表示器に、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順に関する特性情報を表示してもよい。特性情報とは、例えば、荷電粒子ビーム２の移動距離が長いことを示唆するメッセージ、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順の調整を促すメッセージなどを含む。
【0067】
（実施例６の効果）
実施例６では、走査領域Ａ１～Ａ１２の移動距離が最短となるように走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順が調整されるので、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理が完了するまでの時間を短縮することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
実施例６では、走査領域Ａ１～Ａ１２の移動距離が最短となるように走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順が調整されるので、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理が完了するまでの時間を短縮することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0068】
＜実施例７＞
実施例１～６では、走査領域Ａの走査前後のブランキング時に走査領域Ａの未走査領域を横切らないように、ブランキング方向やブランキング位置を決定及び変更したり、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の後続の未走査領域を横切らないように複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を決定及び変更したりする。実施例７では、走査領域Ａの前に走査される事前照射領域Ｐの走査前後のブランキング時に走査領域Ａを横切らないように、ブランキング方向又はブランキング位置を決定する。事前照射領域Ｐは、オートフォーカス、アドレッシング、パターンマッチングのために使用される。
実施例１～６では、走査領域Ａの走査前後のブランキング時に走査領域Ａの未走査領域を横切らないように、ブランキング方向やブランキング位置を決定及び変更したり、複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の後続の未走査領域を横切らないように複数の走査領域Ａ１～Ａ１２の処理順を決定及び変更したりする。実施例７では、走査領域Ａの前に走査される事前照射領域Ｐの走査前後のブランキング時に走査領域Ａを横切らないように、ブランキング方向又はブランキング位置を決定する。事前照射領域Ｐは、オートフォーカス、アドレッシング、パターンマッチングのために使用される。
【0069】
図１５は、実施例７の事前照射領域と走査領域との位置関係を示した図である。実施例７では、事前照射領域Ｐの位置と走査領域Ａの位置とに基づいて、事前照射領域Ｐの走査前後のブランキング方向及びブランキング位置を決定する。なお、図１５では、説明の簡略化のために、事前照射領域Ｐ及び走査領域Ａにおける荷電粒子ビーム２の走査方向ＰＳ及びＳを＋Ｘ方向とする。図１５（ａ）に示すように、事前照射領域Ｐが走査領域Ａの＋Ｘ方向側に配置される場合、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング解除方向ＢＬＫ１は－Ｙ方向となり、ブランキング退避方向ＢＬＫ２は＋Ｙ方向となる。また、図１５（ｂ）に示すように、事前照射領域Ｐが走査領域Ａの－Ｙ方向側に配置される場合、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング解除方向ＢＬＫ１は＋Ｙ方向となり、ブランキング退避方向ＢＬＫ２は－Ｙ方向となる。また、図１５（ｃ）に示すように、事前照射領域Ｐが走査領域Ａの－Ｘ方向側に配置される場合、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング解除方向ＢＬＫ１は－Ｙ方向となり、ブランキング退避方向ＢＬＫ２は＋Ｙ方向となる。また、図１５（ｄ）に示すように、事前照射領域Ｐが走査領域Ａの＋Ｙ方向側に配置される場合、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング解除方向ＢＬＫ１は－Ｙ方向となり、ブランキング退避方向ＢＬＫ２は＋Ｙ方向となる。
【0070】
（ブランキング方向の最適化処理）
図１６は、実施例７のブランキング方向の決定処理を示すフローチャートである。図１６のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の決定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図１６は、実施例７のブランキング方向の決定処理を示すフローチャートである。図１６のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の決定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0071】
コンピュータシステム１５は、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置を取得する（ステップＳ１６０１）。次に、コンピュータシステム１５は、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置に基づいて、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング方向又はブランキング位置を決定する（ステップＳ１６０２）。また、コンピュータシステム１５は、走査領域Ａの位置、事前照射領域Ｐの位置、及び走査方向ＰＳに基づいて、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング方向又はブランキング位置を決定してもよい。
【0072】
コンピュータシステム１５は、表示器１５６やコンピュータシステム１５と通信可能に接続される他の表示器に、ブランキング方向又はブランキング位置に関する特性情報を表示してもよい。特性情報とは、例えば、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域を横切ることを示唆するメッセージ、ブランキング方向の変更を促すメッセージなどを含む。
【0073】
（実施例７の効果）
実施例７では、走査領域Ａの位置及び事前照射領域Ｐの位置に基づいて、事前照射領域Ｐでの走査中におけるブランキング方向又はブランキング位置を決定することができる。これにより、このブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、ブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
実施例７では、走査領域Ａの位置及び事前照射領域Ｐの位置に基づいて、事前照射領域Ｐでの走査中におけるブランキング方向又はブランキング位置を決定することができる。これにより、このブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、ブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0074】
＜実施例８＞
実施例７では、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置に基づいて、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング方向又はブランキング位置を決定したが、実施例８では、事前照射領域Ｐの走査中のブランキング時に走査領域を横切らないか否かを判断して、ブランキング方向及びブランキング位置を変更する。
実施例７では、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置に基づいて、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング方向又はブランキング位置を決定したが、実施例８では、事前照射領域Ｐの走査中のブランキング時に走査領域を横切らないか否かを判断して、ブランキング方向及びブランキング位置を変更する。
【0075】
図１７は、実施例８の事前照射領域と走査領域との位置関係を示した図である。実施例８では、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時に走査領域Ａを横切らないか否かを判断して、ブランキング方向又はブランキング位置を変更する。図１７に示すように、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、退避領域からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って事前照射領域Ｐまで偏向される。そして、荷電粒子ビーム２は、イメージシフト偏向器６の電場又は磁場によって、事前照射領域Ｐ上を走査方向ＰＳ（＋Ｘ方向）に沿って走査される。そして、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、事前照射領域Ｐからブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避領域まで偏向される。
【0076】
しかし、ブランキング解除方向ＢＬＫ１及びブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って偏向される荷電粒子ビーム２は、事前照射領域Ｐの走査後に走査される走査領域Ａを横切る。これでは、走査領域Ａがブランキング時の荷電粒子ビーム２によって帯電したりダメージを受けたりしてしまう。そこで、実施例８では、ブランキング時に、荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切らないように、ブランキング方向及びブランキング位置を変更する。例えば、図１７の例では、ブランキング解除方向ＢＬＫ１が＋Ｘ方向から－Ｙ方向に、ブランキング退避方向ＢＬＫ２が－Ｘ方向から＋Ｙ方向に変更される。すなわち、変更後のブランキング解除方向ＢＬＫ１´は－Ｙ方向となり、変更後のブランキング退避方向ＢＬＫ２´は＋Ｙ方向となる。
【0077】
（ブランキング方向の最適化処理）
図１８は、実施例８のブランキング方向の最適化処理を示すフローチャートである。図１８のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図１８は、実施例８のブランキング方向の最適化処理を示すフローチャートである。図１８のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0078】
コンピュータシステム１５は、ブランキング方向、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置を取得する（ステップＳ１８０１）。次に、コンピュータシステム１５は、取得したブランキング方向、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置に基づいて、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るか否かを判断する（ステップＳ１８０２）。ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切ると判断した場合（ステップＳ１８０２：Ｙｅｓ）、コンピュータシステム１５は、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切らないようにブランキング方向を変更する（ステップＳ１８０３）。なお、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切らないと判断した場合（ステップＳ１８０２：Ｎｏ）、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング方向を変更せずに、本処理を終了する。
【0079】
コンピュータシステム１５は、表示器１５６やコンピュータシステム１５と通信可能に接続される他の表示器に、ブランキング方向又はブランキング位置に関する特性情報を表示してもよい。特性情報とは、例えば、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域を横切ることを示唆するメッセージ、ブランキング方向の変更を促すメッセージなどを含む。
【0080】
（実施例８の効果）
実施例８では、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
実施例８では、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0081】
＜実施例９＞
実施例７及び８では、走査領域Ａの位置と事前照射領域Ｐの位置とに基づいて、ブランキング方向又はブランキング位置を決定又は変更したが、実施例９では、ブランキング方向は変更せずに事前照射領域Ｐの位置を決定する。
実施例７及び８では、走査領域Ａの位置と事前照射領域Ｐの位置とに基づいて、ブランキング方向又はブランキング位置を決定又は変更したが、実施例９では、ブランキング方向は変更せずに事前照射領域Ｐの位置を決定する。
【0082】
図１９は、実施例９の事前照射領域と走査領域との位置関係を示した図である。実施例９では、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時に走査領域Ａを横切らないように、事前照射領域Ｐを決定する。図１９（ａ）に示すように、例えば、事前照射領域の候補Ｐ１～Ｐ４のうちの候補Ｐ３を選択した場合、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、退避領域からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って事前照射領域の候補Ｐ３まで偏向される。そして、荷電粒子ビーム２は、イメージシフト偏向器６の電場又は磁場によって、事前照射領域の候補Ｐ３上を走査方向ＰＳ（＋Ｘ方向）に沿って走査される。そして、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、事前照射領域の候補Ｐ３からブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避領域まで偏向される。荷電粒子ビーム２がブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って事前照射領域の候補Ｐ３まで偏向されるとき、及び荷電粒子ビーム２がブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って事前照射領域の候補Ｐ３から退避領域まで偏向されるとき、荷電粒子ビーム２が事前照射領域の候補Ｐ３の後に走査される走査領域Ａ１を横切る。そのため、事前照射領域の候補Ｐ３の後に処理される走査領域Ａが帯電してしまう。
【0083】
そこで、実施例９では、図１９（ｂ）に示すように、事前照射領域の走査中におけるブランキング時に走査領域Ａを横切らないように、事前照射領域の候補Ｐ１を事前照射領域とする。事前照射領域の走査中におけるブランキング時に走査領域Ａを横切らなければ、事前照射領域の候補Ｐ２やＰ４を事前照射領域としてもよい。事前照射領域Ｐ１は、走査領域Ａよりブランキングの退避領域側に配置されるので、事前照射領域Ｐ１の走査中におけるブランキング時に、荷電粒子ビーム２は走査領域Ａを横切らない。
【0084】
（事前照射領域の決定処理）
図２０は、実施例９の事前照射領域の決定処理を示すフローチャートである。フローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される事前照射領域の決定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図２０は、実施例９の事前照射領域の決定処理を示すフローチャートである。フローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される事前照射領域の決定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0085】
コンピュータシステム１５は、走査領域Ａの位置、及び走査方向を取得する（ステップＳ２００１）。次に、コンピュータシステム１５は、走査領域Ａの位置、及び走査方向Ｓに基づいて、事前照射領域Ｐの位置を決定する（ステップＳ２００２）。
【0086】
コンピュータシステム１５は、表示器１５６やコンピュータシステム１５と通信可能に接続される他の表示器に、事前照射領域の位置に関する情報を表示してもよい。
【0087】
（実施例９の効果）
実施例９では、走査領域Ａの位置及び走査方向ＰＳに基づいて、事前照射領域Ｐの位置を決定することができる。これにより、決定した位置の事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、ブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
実施例９では、走査領域Ａの位置及び走査方向ＰＳに基づいて、事前照射領域Ｐの位置を決定することができる。これにより、決定した位置の事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、ブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0088】
＜実施例１０＞
実施例９では、走査領域Ａの位置及び走査方向ＰＳに基づいて、事前照射領域Ｐの位置を決定する。一方、実施例１０では、事前照射領域の走査中におけるブランキング時に走査領域を横切らないか否かを判断して、ブランキング方向は変更せずに事前照射領域Ｐの位置を変更する。
実施例９では、走査領域Ａの位置及び走査方向ＰＳに基づいて、事前照射領域Ｐの位置を決定する。一方、実施例１０では、事前照射領域の走査中におけるブランキング時に走査領域を横切らないか否かを判断して、ブランキング方向は変更せずに事前照射領域Ｐの位置を変更する。
【0089】
図２１は、実施例１０の事前照射領域と走査領域との位置関係を示した図である。実施例１０では、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時に走査領域Ａを横切らないか否かを判断して、事前照射位置を変更する。図２１（ａ）に示すように、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、退避領域からブランキング解除方向ＢＬＫ１に沿って事前照射領域Ｐ３まで偏向される。そして、荷電粒子ビーム２は、イメージシフト偏向器６の電場又は磁場によって、事前照射領域Ｐ３上を走査方向ＰＳ（＋Ｘ方向）に沿って走査される。そして、荷電粒子ビーム２は、ブランキング偏向器４による電場によって、事前照射領域Ｐ３からブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って退避領域まで偏向される。
【0090】
しかし、ブランキング解除方向ＢＬＫ１及びブランキング退避方向ＢＬＫ２に沿って偏向される荷電粒子ビーム２は、事前照射領域Ｐ３の走査後に走査される走査領域Ａを横切る。これでは、走査領域Ａがブランキング時の荷電粒子ビーム２によって帯電したりダメージを受けたりしてしまう。そこで、実施例１０では、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時に、荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切らないように、事前照射領域Ｐの位置を変更する。例えば、図２１の例では、事前照射領域の位置が、事前照射領域Ｐ３から事前照射領域Ｐ１に変更される。すなわち、実施例１０では、退避領域から見て、走査領域Ａより遠いところに配置された事前照射領域Ｐ３が、走査領域Ｂより近いことに配置された事前照射領域Ｐ１に変更される。
【0091】
（事前照射領域の位置の最適化処理）
図２２は、実施例１０の事前照射領域の最適化処理を示すフローチャートである。図２２のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される事前照射領域の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図２２は、実施例１０の事前照射領域の最適化処理を示すフローチャートである。図２２のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される事前照射領域の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0092】
コンピュータシステム１５は、ブランキング方向、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置を取得する（ステップＳ２２０１）。次に、コンピュータシステム１５は、取得したブランキング方向、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置に基づいて、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るか否かを判断する（ステップＳ２２０２）。事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切ると判断した場合（ステップＳ２２０２：Ｙｅｓ）、コンピュータシステム１５は、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切らないように事前照射領域Ｐの位置を変更する（ステップＳ２２０３）。なお、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切らないと判断した場合（ステップＳ２２０２：Ｎｏ）、事前照射領域Ｐの位置を変更せずに、本処理を終了する。
【0093】
コンピュータシステム１５は、表示器１５６やコンピュータシステム１５と通信可能に接続される他の表示器に、事前照射領域の位置に関する特性情報を表示してもよい。特性情報とは、例えば、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域を横切ることを示唆するメッセージ、事前照射領域の位置の変更を促すメッセージなどを含む。
【0094】
（実施例１０の効果）
実施例１０では、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
実施例１０では、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0095】
＜実施例１１＞
実施例１１では、事前照射領域Ｐの走査時にはブランキングを実施しない例について説明する。図２３は、実施例１１のブランキングの実施有無判定処理を示すフローチャートである。図２３のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキングの実施有無判定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
実施例１１では、事前照射領域Ｐの走査時にはブランキングを実施しない例について説明する。図２３は、実施例１１のブランキングの実施有無判定処理を示すフローチャートである。図２３のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキングの実施有無判定処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0096】
（ブランキングの実施有無判定処理）
図２３に示すように、コンピュータシステム１５は、レシピ情報を取得する（ステップＳ２３０１）。コンピュータシステム１５は、取得したレシピ情報に従って、事前照射領域Ｐ、及び走査領域Ａの走査を行う。コンピュータシステム１５は、荷電粒子ビーム２の走査が事前照射領域Ｐに対する走査か否かを判断し（ステップＳ２３０２）、事前照射領域Ｐに対する走査でないと判断した場合（ステップＳ２３０２：Ｎｏ）、走査領域Ａに対する走査中にブランキングを実施する（ステップＳ２３０３）。一方で、コンピュータシステム１５は、事前照射領域Ｐに対する走査であると判断した場合（ステップＳ２３０２：Ｙｅｓ）、事前照射領域Ｐの走査中にブランキングを実施しない。例えば、荷電粒子ビーム２は、事前照射領域Ｐの一の走査ラインを走査した後、ブランキングせずに、次の走査ラインを走査する。
図２３に示すように、コンピュータシステム１５は、レシピ情報を取得する（ステップＳ２３０１）。コンピュータシステム１５は、取得したレシピ情報に従って、事前照射領域Ｐ、及び走査領域Ａの走査を行う。コンピュータシステム１５は、荷電粒子ビーム２の走査が事前照射領域Ｐに対する走査か否かを判断し（ステップＳ２３０２）、事前照射領域Ｐに対する走査でないと判断した場合（ステップＳ２３０２：Ｎｏ）、走査領域Ａに対する走査中にブランキングを実施する（ステップＳ２３０３）。一方で、コンピュータシステム１５は、事前照射領域Ｐに対する走査であると判断した場合（ステップＳ２３０２：Ｙｅｓ）、事前照射領域Ｐの走査中にブランキングを実施しない。例えば、荷電粒子ビーム２は、事前照射領域Ｐの一の走査ラインを走査した後、ブランキングせずに、次の走査ラインを走査する。
【0097】
なお、コンピュータシステム１５は、事前照射領域Ｐに対する走査であると判断した場合（ステップＳ２３０２：Ｙｅｓ）、ブランキング偏向器４をオフにし、事前照射領域Ｐに対する走査でないと判断した場合（ステップＳ２３０２：Ｎｏ）、ブランキング偏向器４をオンにしてもよい。
【0098】
（実施例１１の効果）
実施例１１では、事前照射領域Ｐの走査中にブランキングを実施しない。これにより、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、ブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。
実施例１１では、事前照射領域Ｐの走査中にブランキングを実施しない。これにより、事前照射領域Ｐの走査中におけるブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るのを防止することができる。その結果、ブランキングによる走査領域Ａの帯電や走査領域Ａのダメージを防止することができる。
【0099】
また、実施例１１では、事前照射領域Ｐの走査中にブランキングを実施しないため、荷電粒子ビーム２の退避領域への移動がなくなる。そのため、事前照射領域Ｐの走査時間を短縮することができる。その他の効果は、他の実施例と同様である。
【0100】
＜実施例１２＞
上記した実施例１～１１では、ブランキング時の荷電粒子ビームが走査領域を横切らないようにブランキング方向を決定する等したが、実施例１２では、予備帯電として、あえてブランキング時の荷電粒子ビームを走査領域に照射する。
上記した実施例１～１１では、ブランキング時の荷電粒子ビームが走査領域を横切らないようにブランキング方向を決定する等したが、実施例１２では、予備帯電として、あえてブランキング時の荷電粒子ビームを走査領域に照射する。
【0101】
図２４は、実施例１２の試料に対する荷電粒子ビームの照射時間と試料の帯電量との関係を示した図である。一般的に荷電粒子ビームを試料に照射すると試料帯電が進行し、あるところで飽和する。図２４に示すように、荷電粒子ビームの照射初期では、試料の帯電量の変化が激しく、像のドリフトやコントラスト異常によって計測が安定しないことがある。そこで、実施例１２では、事前照射領域の走査中におけるブランキング時に、あえて走査領域を横切らせて、走査領域の予備帯電を行う。
【0102】
（ブランキング方向の最適化処理）
図２５は、実施例１２のブランキング方向の最適化処理を示すフローチャートである。図２５のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
図２５は、実施例１２のブランキング方向の最適化処理を示すフローチャートである。図２５のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶されるブランキング方向の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0103】
コンピュータシステム１５は、ブランキング方向、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置を取得する（ステップＳ２５０１）。次に、コンピュータシステム１５は、取得したブランキング方向、走査領域Ａの位置、及び事前照射領域Ｐの位置に基づいて、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るか否かを判断する（ステップＳ２５０２）。ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切ると判断した場合（ステップＳ２５０２：Ｙｅｓ）、ブランキング方向を変更せずに、本処理を終了する。一方、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切らないと判断した場合（ステップＳ２５０２：Ｎｏ）、コンピュータシステム１５は、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るようにブランキング方向を変更する（ステップＳ２５０３）。
【0104】
図２５のフローチャートでは、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るようにブランキング方向を変更したが、事前照射領域の位置を変更してもよい。図２６は、実施例１２の事前照射領域の最適化処理を示すフローチャートである。図２６のフローチャートの各ステップは、補助記憶部１５３に記憶される事前照射領域の最適化処理に係るプログラムをプロセッサ１５１が実行することによって、実行される。
【0105】
図２６に示すように、コンピュータシステム１５は、ステップＳ２６０１及びＳ２６０２を実行する。ステップＳ２６０１及びＳ２６０２の内容は、図２５のステップＳ２５０１及びＳ２５０２と同様であるので、その説明を省略する。そして、コンピュータシステム１５は、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るように事前照射領域の位置を変更する（ステップＳ２６０３）。
【0106】
また、実施例１２では、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るようにブランキング方向を変更したり事前照射領域の位置を変更したりするが、実施例７に倣って、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るように走査領域の位置及び事前照射領域の位置に基づいてブランキング方向を決定してもよいし、実施例９に倣って、ブランキング時の荷電粒子ビーム２が走査領域Ａを横切るように走査領域の位置及び走査方向に基づいて事前照射領域の位置を決定してもよい。
【0107】
（実施例１２の効果）
実施例１２では、ブランキング時の荷電粒子ビームが走査領域を横切るようにブランキング方向又はブランキング位置を変更したり事前照射領域の位置を変更したりすることによって、走査領域を予備帯電させることができる。これにより、走査領域の処理時に図２４に示した安定領域で処理（観察、測長、検査、分析など）することができる。
実施例１２では、ブランキング時の荷電粒子ビームが走査領域を横切るようにブランキング方向又はブランキング位置を変更したり事前照射領域の位置を変更したりすることによって、走査領域を予備帯電させることができる。これにより、走査領域の処理時に図２４に示した安定領域で処理（観察、測長、検査、分析など）することができる。
【0108】
なお、本開示は、上記の実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。上記の実施例は本開示を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることも可能である。
【符号の説明】
【0109】
１：電子銃、 ２：荷電粒子ビーム、 ３：収束レンズ、 ４：ブランキング偏向器、 ４ａ～４ｄ：電極、 ５：絞り板、 ５ａ：絞り穴、 ６：イメージシフト偏向器、 ７：対物レンズ、 ８：試料、 ９：ステージ、 １０：二次電子、 １１：検出器、 １２：ブランキング電圧印加装置、 １２ａ～１２ｄ：駆動回路、 １３：ブランキング電圧制御装置、 １４：収束レンズ制御装置、 １５：コンピュータシステム、 １００：荷電粒子ビーム装置、 １５１：プロセッサ、 １５２：主記憶部、 １５３：補助記憶部、 １５４：入出力Ｉ／Ｆ、 １５５：通信Ｉ／Ｆ、 １５６：表示器、 １５７：バス、 Ａ、Ａ１～Ａ１２：走査領域、 Ｂ：ブランキング照射領域、 Ｃ：退避領域、 ＢＬＫ１：ブランキング解除方向、 ＢＬＫ２：ブランキング退避方向、 ＢＬＫ３：ブランキング移動方向、 Ｓ：走査方向、 Ｔ：走査領域における走査の進行方向、 Ｕ：未走査領域、 Ｐ、Ｐ１～Ｐ４：事前照射領域、 ＰＳ：事前照射領域の走査方向
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】