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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023153076
(43)【公開日】2023-10-17
(54)【発明の名称】金属シリサイド層を有する半導体デバイス
(51)【国際特許分類】
H01L 21/28 20060101AFI20231010BHJP
H01L 21/52 20060101ALI20231010BHJP
【ＦＩ】
H01L21/28 301S
H01L21/52 D
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023057564
(22)【出願日】2023-03-31
(31)【優先権主張番号】17/712,738
(32)【優先日】2022-04-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】501209070
【氏名又は名称】インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
【氏名又は名称原語表記】ＩＮＦＩＮＥＯＮ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ ＡＧ
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ランゲル， グレゴール
(72)【発明者】
【氏名】ケルン， ロニー
(72)【発明者】
【氏名】ケーニッヒ， アクセル
(72)【発明者】
【氏名】ポエナリュー， ヴィクトリーナ
(72)【発明者】
【氏名】ローズナー， ミヒャエル
(72)【発明者】
【氏名】ヴィルチェ， エヴァルト
【テーマコード（参考）】
4M104
5F047
【Ｆターム（参考）】
4M104AA01
4M104AA02
4M104AA03
4M104AA04
4M104AA05
4M104BB04
4M104BB05
4M104BB14
4M104BB16
4M104BB17
4M104BB18
4M104BB30
4M104BB31
4M104BB32
4M104BB33
4M104CC01
4M104DD37
4M104DD77
4M104DD79
4M104DD81
4M104DD84
4M104FF02
4M104GG02
4M104GG06
4M104GG09
4M104HH15
5F047AA11
5F047BB01
5F047BB19
(57)【要約】 （修正有）
【課題】金属シリサイド層を有する半導体デバイス及び半導体デバイスを製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスを製造する方法は、第１の層１１２を、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む半導体層１０２の上に形成する。第１の層１１２は金属を含み、半導体層層から遠い第１の面１１４及び半導体層に近い第２の面１１６を有する。方法はまた、第１の熱エネルギー１１９を、第１の層１１２の第１の面１１４に向け、第１の層１１２の金属及び半導体層層１０２のケイ素から金属シリサイド層１２０を形成する。金属シリサイド層１２０は、半導体層１０２から遠い第１の面１２２及び半導体層１０２に近い第２の面１２４を有する。方法はさらに、第２の熱エネルギーを、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２に向け、金属シリサイド層１２０の第１の面の表面粗さを減少させる。
【選択図】図１Ｂ
【解決手段】半導体デバイスを製造する方法は、第１の層１１２を、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む半導体層１０２の上に形成する。第１の層１１２は金属を含み、半導体層層から遠い第１の面１１４及び半導体層に近い第２の面１１６を有する。方法はまた、第１の熱エネルギー１１９を、第１の層１１２の第１の面１１４に向け、第１の層１１２の金属及び半導体層層１０２のケイ素から金属シリサイド層１２０を形成する。金属シリサイド層１２０は、半導体層１０２から遠い第１の面１２２及び半導体層１０２に近い第２の面１２４を有する。方法はさらに、第２の熱エネルギーを、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２に向け、金属シリサイド層１２０の第１の面の表面粗さを減少させる。
【選択図】図１Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体デバイスを製造する方法であって、
第１の層を炭化ケイ素（ＳｉＣ）層の上に形成するステップであって、
前記第１の層は、前記ＳｉＣ層から遠い第１の面、及び前記ＳｉＣ層に近い第２の面を有し、
前記第１の層は、金属を含むステップと、
第１の熱エネルギーを、前記第１の層の前記第１の面に向け、前記第１の層の前記金属及び前記ＳｉＣ層のケイ素から金属シリサイド層を形成するステップであって、前記金属シリサイド層は、前記ＳｉＣ層から遠い第１の面、及び前記ＳｉＣ層に近い第２の面を有するステップと、
第２の熱エネルギーを、前記金属シリサイド層の前記第１の面に向け、前記金属シリサイド層の前記第１の面の表面粗さを減少するステップと
を含む方法。
第１の層を炭化ケイ素（ＳｉＣ）層の上に形成するステップであって、
前記第１の層は、前記ＳｉＣ層から遠い第１の面、及び前記ＳｉＣ層に近い第２の面を有し、
前記第１の層は、金属を含むステップと、
第１の熱エネルギーを、前記第１の層の前記第１の面に向け、前記第１の層の前記金属及び前記ＳｉＣ層のケイ素から金属シリサイド層を形成するステップであって、前記金属シリサイド層は、前記ＳｉＣ層から遠い第１の面、及び前記ＳｉＣ層に近い第２の面を有するステップと、
第２の熱エネルギーを、前記金属シリサイド層の前記第１の面に向け、前記金属シリサイド層の前記第１の面の表面粗さを減少するステップと
を含む方法。
【請求項2】
前記第１の熱エネルギーを前記第１の層の前記第１の面に向ける第１の時刻と前記第２の熱エネルギーを前記金属シリサイド層の前記第１の面に向ける第２の時刻との間の持続時間は、少なくとも持続時間閾値である、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記第１の層の前記第１の面に向けられる前記第１の熱エネルギーは、前記第１の層の金属を溶融させ、溶融金属を形成し、
前記持続時間閾値は、前記溶融金属の凝固時間に基づいており、
前記溶融金属は、前記第２の時刻の前に凝固する、請求項２に記載の方法。
前記持続時間閾値は、前記溶融金属の凝固時間に基づいており、
前記溶融金属は、前記第２の時刻の前に凝固する、請求項２に記載の方法。
【請求項4】
前記第２の熱エネルギーを前記金属シリサイド層の前記第１の面に向けた後に、１つ又は複数の金属層を前記金属シリサイド層の上に形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記１つ又は複数の金属層の層をリードフレームに貼着するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項6】
前記金属は、ニッケルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項7】
２００ｎｍ未満の厚さを有するように前記第１の層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項8】
半導体デバイスを製造する方法であって、
第１の層を炭化ケイ素（ＳｉＣ）層の上に形成するステップであって、
前記第１の層の電気的接触部形成領域は、前記ＳｉＣ層から遠い第１の面、及び前記ＳｉＣ層に近い第２の面を有し、
前記第１の層は、金属を含むステップと、
前記第１の層の前記電気的接触部形成領域の前記第１の面に複数のレーザーショットを実行し、前記第１の層の前記金属及び前記ＳｉＣ層のケイ素から金属シリサイド層を形成するステップであって、
前記複数のレーザーショットのうちのレーザーショットは、レーザーパルスを前記第１の面の区分に照明するステップを含み、
前記複数のレーザーショットのうちの少なくとも２つのレーザーショットを介して、前記第１の面の各区分に照明するステップと
を含む方法。
第１の層を炭化ケイ素（ＳｉＣ）層の上に形成するステップであって、
前記第１の層の電気的接触部形成領域は、前記ＳｉＣ層から遠い第１の面、及び前記ＳｉＣ層に近い第２の面を有し、
前記第１の層は、金属を含むステップと、
前記第１の層の前記電気的接触部形成領域の前記第１の面に複数のレーザーショットを実行し、前記第１の層の前記金属及び前記ＳｉＣ層のケイ素から金属シリサイド層を形成するステップであって、
前記複数のレーザーショットのうちのレーザーショットは、レーザーパルスを前記第１の面の区分に照明するステップを含み、
前記複数のレーザーショットのうちの少なくとも２つのレーザーショットを介して、前記第１の面の各区分に照明するステップと
を含む方法。
【請求項9】
前記複数のレーザーショットは、第１のレーザーショット及び第２のレーザーショットを含み、
前記第１のレーザーショットは、第１のレーザーパルスを前記第１の面の第１の区分に照明するステップを含み、
前記第２のレーザーショットは、第２のレーザーパルスを前記第１の面の前記第１の区分に照明するステップを含み、
前記第１のレーザーショットと前記第２のレーザーショットとの間の持続時間は、少なくとも持続時間閾値である、請求項８に記載の方法。
前記第１のレーザーショットは、第１のレーザーパルスを前記第１の面の第１の区分に照明するステップを含み、
前記第２のレーザーショットは、第２のレーザーパルスを前記第１の面の前記第１の区分に照明するステップを含み、
前記第１のレーザーショットと前記第２のレーザーショットとの間の持続時間は、少なくとも持続時間閾値である、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記第１のレーザーショットは、前記第１の層の金属を溶融させ、溶融金属を形成し、
前記持続時間閾値は、前記溶融金属の凝固時間に基づいており、
前記溶融金属は、前記第２のレーザーショットの前に凝固する、請求項９に記載の方法。
前記持続時間閾値は、前記溶融金属の凝固時間に基づいており、
前記溶融金属は、前記第２のレーザーショットの前に凝固する、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記第１のレーザーショットの後、及び前記第２のレーザーショットの前に、前記第１の面の前記第１の区分は、第１の表面粗さを有し、
前記第２のレーザーショットの後に、前記第１の面の前記第１の区分は、前記第１の表面粗さ未満の第２の表面粗さを有する、請求項９に記載の方法。
前記第２のレーザーショットの後に、前記第１の面の前記第１の区分は、前記第１の表面粗さ未満の第２の表面粗さを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項12】
前記第１の面の前記第１の区分を含む前記第１の面の第２の区分に前記第１のレーザーパルスを照明し、
前記第１の面の前記第１の区分を含む前記第１の面の第３の区分に前記第２のレーザーパルスを照明し、
前記第１の面の前記第３の区分を、前記第１の面の前記第２の区分からずらし、
前記第３の区分及び前記第２の区分は、前記第１の区分で重複する、請求項９に記載の方法。
前記第１の面の前記第１の区分を含む前記第１の面の第３の区分に前記第２のレーザーパルスを照明し、
前記第１の面の前記第３の区分を、前記第１の面の前記第２の区分からずらし、
前記第３の区分及び前記第２の区分は、前記第１の区分で重複する、請求項９に記載の方法。
【請求項13】
前記複数のレーザーショットを実行した後に、１つ又は複数の金属層を前記金属シリサイド層の上に形成するステップと、
前記１つ又は複数の金属層の層をリードフレームに貼着するステップと
を含む、請求項８に記載の方法。
前記１つ又は複数の金属層の層をリードフレームに貼着するステップと
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項14】
前記第１の層は、ケイ素を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項15】
前記金属は、ニッケルを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項16】
２００ｎｍ未満の厚さを有するように前記第１の層を形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項17】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）層と、
前記ＳｉＣ層の上の金属シリサイド層であって、
前記金属シリサイド層は、前記ＳｉＣ層から遠い第１の面、及び前記ＳｉＣ層に近い第２の面を有し、
前記第１の面の表面粗さは、多くても２００ｎｍである金属シリサイド層と、
前記金属シリサイド層の上の１つ又は複数の金属層と
を含む半導体デバイス。
前記ＳｉＣ層の上の金属シリサイド層であって、
前記金属シリサイド層は、前記ＳｉＣ層から遠い第１の面、及び前記ＳｉＣ層に近い第２の面を有し、
前記第１の面の表面粗さは、多くても２００ｎｍである金属シリサイド層と、
前記金属シリサイド層の上の１つ又は複数の金属層と
を含む半導体デバイス。
【請求項18】
前記金属シリサイド層の厚さは、３００ｎｍ未満である、請求項１７に記載の半導体デバイス。
【請求項19】
前記金属シリサイド層は、ニッケルを含む、請求項１７に記載の半導体デバイス。
【請求項20】
前記１つ又は複数の金属層の層は、リードフレームに貼着されている、請求項１７に記載の半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスを、携帯電話、ラップトップ、デスクトップ、タブレット、腕時計、ゲーム機、産業用エレクトロニクス、商業用エレクトロニクス、及び／又は家庭用エレクトロニクスで使用してもよい。半導体デバイスは、半導体デバイス内の構成要素を外部回路に接続するために使用可能な半導体と金属との間の電気的接触部を含んでもよい。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
この概要は、詳細な説明で更に後述される簡単な形で概念の選択を導入するために与えられる。この概要は、特許請求の範囲に記載の主題の主要な要因又は基本的な特徴を識別するように意図されておらず、また特許請求の範囲に記載の主題の範囲を限定するために使用されるように意図されていない。
【0004】
実施形態において、半導体デバイスを製造する方法を提供する。第１の層を、炭化ケイ素（ＳｉＣ）層の上に形成する。第１の層は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有する。第１の層は、金属を含む。第１の熱エネルギーを、第１の層の第１の面に向け、第１の層の金属及びＳｉＣ層のケイ素から金属シリサイド層を形成してもよい。金属シリサイド層は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有する。第２の熱エネルギーを、金属シリサイド層の第１の面に向け、金属シリサイド層の第１の面の表面粗さを減少してもよい。
【0005】
実施形態において、半導体デバイスを製造する方法を提供する。第１の層を、ＳｉＣ層の上に形成する。第１の層の電気的接触部形成領域は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有する。第１の層は、金属を含む。第１の層の電気的接触部形成領域の第１の面に複数のレーザーショットを実行し、第１の層の金属及びＳｉＣ層のケイ素から金属シリサイド層を形成してもよい。複数のレーザーショットのうちのレーザーショットは、レーザーパルスを第１の面の区分に照明するステップを含む。複数のレーザーショットのうちの少なくとも２つのレーザーショットを介して、第１の面の各区分に照明する。
【0006】
実施形態において、半導体デバイスを提供する。半導体デバイスは、ＳｉＣ層を含んでもよい。半導体デバイスは、ＳｉＣ層の上の金属シリサイド層を含んでもよい。金属シリサイド層は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有する。第１の面の表面粗さは、多くても２００ｎｍである。半導体デバイスは、金属シリサイド層の上の１つ又は複数の金属層を含んでもよい。
【0007】
上述の関連目的を達成するために、下記の説明及び添付図面は、特定の例示的な態様及び実装形態を示す。これらの説明及び添付図面は、１つ又は複数の態様を使用することができる様々な方法のうち少数の方法を示す。開示の他の態様、利点、及び新規な特徴は、添付図面と併せて考えれば、下記の詳細な説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1A】様々な例による半導体デバイスを製造する動作を概略的に例示する。
【図1B】様々な例による半導体デバイスを製造する動作を概略的に例示する。
【図1C】様々な例による半導体デバイスを製造する動作を概略的に例示する。
【図1D】様々な例による半導体デバイスを製造する動作を概略的に例示する。
【図1E】様々な例による半導体デバイスを製造する動作を概略的に例示する。
【図2】ここに提示の技法による方法の例示である。
【図3A】様々な例による層の上面にレーザーショットを実行するステップを概略的に例示する。
【図3B】様々な例による層の上面にレーザーショットを実行するステップを概略的に例示する。
【図3C】様々な例による層の上面にレーザーショットを実行するステップを概略的に例示する。
【図4A】様々な例による層の上面にレーザーショットを実行するステップを概略的に例示する。
【図4B】様々な例による層の上面にレーザーショットを実行するステップを概略的に例示する。
【図5】ここに提示の技法による方法の例示である。
【図6】様々な例による半導体デバイスを製造する動作を概略的に例示する。
【発明を実施するための形態】
【0009】
さて、特許請求の範囲に記載の主題について、全体にわたって同じ要素を意味するために同じ参照符号を使用する図面を参照して説明する。下記の明細書において、説明の目的で、特許請求の範囲に記載の主題の完全な理解を与えるために、多くの特定の詳細を記載する。しかし、特許請求の範囲に記載の主題をこれらの特定の詳細無しで実施することができることは明らかである。他の場合、特許請求の範囲に記載の主題の説明を容易にするために、周知の構造及びデバイスを、ブロック図の形で示す。
【0010】
実施形態の下記の説明は、限定する意味で解釈されるべきではないものとする。本開示の範囲は、例示に過ぎないと解釈される後述の実施形態又は図面によって限定されるように意図されていない。図面は、略図と見なされるべきであり、図面に例示の要素を、必ずしも原寸に比例して示すとは限らない。むしろ、要素の機能及び汎用が当業者に明らかになるように、様々な要素を示す。
【0011】
ここに記載の詳細な説明及び特許請求の範囲内の全数値は、「約」又は「略」指示値によって修正され、当業者によって予期される実験誤差及び変動を考慮する。
【0012】
用語「の上に（ｏｖｅｒ）」及び／又は「の上に横たわって（ｏｖｅｒｌｙｉｎｇ）」は、「の真上に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｖｅｒ）」及び／又は「と直接接触する（ｈａｖｉｎｇ ｄｉｒｅｃｔ ｃｏｎｔａｃｔ ｗｉｔｈ）」だけを意味すると解釈されるべきではない。むしろ、１つの要素が、別の要素「の上に（ｏｖｅｒ）」ある、及び／又は別の要素「の上に横たわって（ｏｖｅｒｌｙｉｎｇ）」いる（例えば、領域が、別の領域の上に横たわっている）場合、更なる要素（例えば、更なる領域）を、２つの要素の間に位置決めしてもよい（例えば、第１の領域が、第２の領域「の上に（ｏｖｅｒ）」ある、及び／又は第２の領域「の上に横たわって（ｏｖｅｒｌｙｉｎｇ）」いる場合、更なる領域を、第１の領域と第２の領域との間に位置決めしてもよい）。更に、第１の要素が、第２の要素「の上に（ｏｖｅｒ）」ある、及び／又は第２の要素「の上に横たわって（ｏｖｅｒｌｙｉｎｇ）」いる場合、垂直線が第１の要素及び第２の要素と交差可能であるように、第１の要素の少なくとも一部は、第２の要素と垂直に一致してもよい。
【0013】
半導体基板又は本体は、主延在面に沿って延在してもよい。この明細書で使用されるような用語「水平な」は、この主延在面と実質的に平行な向きを記述するように意図されている。半導体基板又は本体の第１又は主水平の側は、水平方向と実質的に平行してもよく、又は主延在面と多くても８度（又は多くても６度）の角度を成す面区分を有してもよい。第１又は主水平の側は、例えば、ウェハー又はダイの面であることができる。水平方向は、横方向と呼ばれることもある。
【0014】
この明細書で使用されるような用語「垂直な」は、水平方向と実質的に直角に配置される向き（例えば、半導体基板又は本体の第１の側の法線方向と平行、又は半導体基板又は本体の第１の側の面区分の法線方向と平行）を記述するように意図されている。
【0015】
半導体デバイスは、半導体層と金属との間に電気的接触部（例えば、オーミック接触部）を含んでもよい。半導体層と金属との間の金属シリサイド層を用いて、電気的接触部を形成してもよい。金属シリサイド層の面は、第１の表面粗さを有してもよく、及び／又は突起（例えば、金属シリサイド層の高さの局所ピーク（例えば、隆起、丘及び／又は小丘））を有してもよい。金属の面（裏側面）の表面粗さ及び／又は突起は、金属シリサイド層の面の表面粗さ及び／又は突起に左右される。例えば、より高い表面粗さ及び／又はより大きい突起を有する金属シリサイド層は、より高い表面粗さ及び／又はより大きい突起を有する金属の面になることがある。幾つかの例において、金属の面を、構成要素（例えば、ウェハー試験用の測定チャック、リードフレームなどのうちの少なくとも１つ）に電気的に接続してもよい。面のより高い表面粗さ及び／又はより大きい突起は、例えば、金属と構成要素との間のボイドの増加のために、金属と構成要素との間の電気的接続の伝導性を減少することがある。
【0016】
本開示によれば、半導体デバイス、及び半導体デバイスを製造する方法を提供する。半導体デバイスは、金属シリサイド層を含んでもよい。幾つかの例において、金属シリサイド層の面は、金属シリサイド層のより低い表面粗さ、より小さい及び／又はより短い突起、及び／又は減少した量の突起を有してもよい。幾つかの例において、半導体層（例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）層）、及び金属を含む半導体層の上に横たわる第１の層から、金属シリサイド層を形成してもよい。例において、第１の熱エネルギーを、第１の層の面に向け、第１の層の金属及び半導体層のケイ素から金属シリサイド層を形成してもよい。第２の熱エネルギーを、金属シリサイド層の面に向け、金属シリサイド層の上面の表面粗さを減少してもよい。第２の熱エネルギーは、金属シリサイド層の面の突起の量、大きさ及び／又は高さを減少してもよい。１つ又は複数の金属層を、金属シリサイド層の上に形成してもよい（例えば、金属シリサイド層は、１つ又は複数の金属層と半導体層との間に電気的接触部を設けてもよい）。面の減少した表面粗さ、及び／又は面の減少した量、大きさ及び／又は高さの突起は、１つ又は複数の金属層と半導体層との間の改良した電気的接触部（例えば、オーミック接触部）、及び／又は１つ又は複数の金属層と１つ又は複数の金属層に接続される構成要素との間のより高い伝導性を与えることができ、これによって、半導体デバイスの動作及び／又は性能を向上させることができる。
【0017】
本開示の実施形態のうち実施形態において、半導体デバイスを製造する方法を提供する。方法は、第１の層を半導体層（例えば、半導体基板）の上に形成するステップを含んでもよい。幾つかの例において、半導体層は、ＳｉＣ層（例えば、ＳｉＣ基板）である。幾つかの例において、第１の層は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有する。第１の層は、金属を含む。幾つかの例において、金属は、ニッケル、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、ニッケルアルミナイド（ＮｉＡｌ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）及び／又は他の金属を含む。
【0018】
方法は、第１の熱エネルギーを、第１の層の第１の面に向け、第１の層の金属及び半導体層のケイ素から金属シリサイド層を形成するステップを含んでもよい。第１の層の第１の面に向けられている第１の熱エネルギーは、第１の層の金属を溶融させ、及び／又は金属と半導体層のケイ素との間のケイ素化反応が生じるようにする。幾つかの例において、第１の層の金属が第１の熱エネルギーの熱エネルギーによって十分に溶融されたか否かを示す１つ又は複数の測定を実行するために、測定デバイスを使用してもよい。幾つかの例において、第１の層の金属が熱エネルギーによって十分に溶融されていないという判定に基づいて、第１の熱エネルギーの更なる熱エネルギーを、第１の層の第１の面に向けてもよい。幾つかの例において、第１の熱エネルギーは、第１の層の第１の面の少なくとも一部に照明するレーザーを介して、第１の層及び／又は半導体層に導入されるエネルギーを含む。例えば、レーザーは、レーザー源によって出力されるレーザーパルスを含んでもよい。幾つかの例において、第１の熱エネルギーは、多数のレーザーパルス（例えば、第１の層の第１の面の異なる区分に照明するために、多数のレーザーパルスをレーザー源によって出力してもよい）を介して、第１の層及び／又は半導体層に導入されるエネルギーを含んでもよい。代わりに及び／又は更に、レーザーは、レーザー源によって出力される連続レーザーを含んでもよい。
【0019】
金属シリサイド層は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有する。方法は、第２の熱エネルギーを、金属シリサイド層の第１の面に向けるステップを含んでもよい。金属シリサイド層の第１の面に向けられている第２の熱エネルギーは、金属シリサイド層の金属を溶融（例えば、再溶融）させる。幾つかの例において、第２の熱エネルギーは、金属シリサイド層の第１の面の少なくとも一部に照明するレーザーを介して、金属シリサイド層及び／又は半導体層に導入されるエネルギーを含む。例えば、レーザーは、レーザー源によって出力されるレーザーパルスを含んでもよい。幾つかの例において、第２の熱エネルギーは、多数のレーザーパルス（例えば、金属シリサイド層の第１の面の異なる区分に照明するために、多数のレーザーパルスをレーザー源によって出力してもよい）を介して、金属シリサイド層及び／又は半導体層に導入されるエネルギーを含んでもよい。代わりに及び／又は更に、レーザーは、レーザー源によって出力される連続レーザーを含んでもよい。
【0020】
幾つかの例において、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向ける前に、金属シリサイド層の第１の面は、第１の表面粗さを有する。第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向けた後に、金属シリサイド層の第１の面は、第２の表面粗さを有する。第２の表面粗さは、第１の表面粗さ未満である（例えば、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向けると、第１の面の表面粗さが減少する）。例えば、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向けると、金属シリサイド層の第１の面が平滑になる。
【0021】
代わりに及び／又は更に、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向ける前に、金属シリサイド層の第１の面は、第１の量の突起（例えば、金属シリサイド層の高さの局所ピーク（例えば、隆起、丘及び／又は小丘））を有してもよい。幾つかの例において、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向けた後に、金属シリサイド層の第１の面は、第２の量の突起を有する。第２の量の突起は、第１の量の突起よりも少なくてもよい（例えば、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向けると、第１の面の突起の量が減少する）。代わりに及び／又は更に、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向ける前の金属シリサイド層の第１の面の突起は、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向けた後の第１の面の突起と比較して大きい及び／又は高くてもよい（例えば、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向けると、第１の面の突起の大きさ及び／又は高さが減少する）。
【0022】
幾つかの例において、第１の熱エネルギーを第１の層の第１の面に向ける第１の時刻と第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向ける第２の時刻との間の持続時間は、少なくとも持続時間閾値である。例において、第１の熱エネルギーは、第１の層の金属を溶融させ、溶融金属を形成し、持続時間閾値は、溶融金属の凝固時間に基づいている。凝固時間は、溶融金属が凝固するのにかかる時間に対応する。幾つかの例において、凝固時間は、金属の１つ又は複数の特性、第１のレーザーパルスのエネルギー準位、及び／又は溶融金属に導入される第１の熱エネルギーのエネルギーが散逸するのにかかる時間に左右される。例において、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向ける第２の時刻の前に溶融金属が凝固するように、持続時間閾値は、凝固時間以上である。持続時間閾値は、少なくとも３ｍｓから多くても１０００ｍｓの範囲、及び／又は少なくとも３ｍｓから多くても３３３ｍｓの範囲にあってもよい。
【0023】
幾つかの例において、第１の層は、ケイ素を含む。ケイ素は、金属シリサイド層の形成中に炭素放出を抑制してもよい。例えば、半導体層（例えば、ＳｉＣ層）からの炭素は、金属シリサイド層の形成中に金属シリサイド層に抑えてもよい。例において、炭素クラスターは、金属シリサイド層内に形成してもよく、及び／又は、炭素層は、金属シリサイド層の第１の面の上に形成してもよい。第１の層にケイ素を含むと、金属シリサイド層に存在する炭素量を減少することができる。
【0024】
方法は、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向けた後に、１つ又は複数の金属層を金属シリサイド層の上に形成するステップを含んでもよい。方法は、１つ又は複数の金属層の金属層をリードフレームに貼着するステップを含んでもよい。幾つかの例において、金属層をリードフレームにはんだ付けしてもよい。金属シリサイド層は、半導体層と１つ又は複数の金属層との間に電気的接触部（例えば、オーミック接触部）を設けてもよい。
【0025】
幾つかの例において、２００ｎｍ未満の厚さを有するように第１の層を形成する。第１の層の厚さは、少なくとも１０ｎｍから多くても２００ｎｍの範囲、少なくとも１０ｎｍから多くても１００ｎｍの範囲、及び／又は少なくとも１０ｎｍから多くても３０ｎｍの範囲にあってもよい。第１のシナリオにおいて、第１の層の厚さは、少なくとも１０ｎｍから多くても３０ｎｍの範囲にあってもよい。第２のシナリオにおいて、第１の層の厚さは、４０ｎｍ以上であってもよい。第１のシナリオで形成される金属シリサイド層の第１の面の表面粗さは、第２のシナリオで形成される金属シリサイド層の第１の面の表面粗さ未満であってもよい。代わりに及び／又は更に、第１のシナリオで形成される金属シリサイド層の第１の面の突起は、第２のシナリオで形成される金属シリサイド層の第１の面の突起よりも小さい及び／又は短くてもよい。
【0026】
本開示の実施形態のうち実施形態において、半導体デバイスを製造する方法を提供する。方法は、第１の層を半導体層（例えば、半導体基板）の上に形成するステップを含んでもよい。幾つかの例において、半導体層は、ＳｉＣ層（例えば、ＳｉＣ基板）である。
【0027】
幾つかの例において、第１の層の電気的接触部形成領域は、半導体層から遠い第１の面、及び半導体層に近い第２の面を有する。第１の層は、金属を含む。幾つかの例において、金属は、ニッケル、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、ＮｉＡｌ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＭｏＮ、ＷＮ及び／又は他の金属を含む。幾つかの例において、第１の層の電気的接触部形成領域は、半導体層と１つ又は複数の金属層との間に電気的接触部（例えば、オーミック接触部）を形成するために金属シリサイド層を形成する、第１の層の領域に対応する。
【0028】
第１の例において、電気的接触部形成領域は、第１の層の全部を含む。例において、電気的接触部形成領域の第１の面は、第１の層の面である。
【0029】
第２の例において、電気的接触部形成領域は、第１の層の一部を含む。例において、電気的接触部形成領域の第１の面は、第１の層の面の一部である。
【0030】
方法は、第１の層の電気的接触部形成領域の第１の面に複数のレーザーショットを実行し、第１の層の金属及び半導体層のケイ素から金属シリサイド層を形成するステップを含んでもよい。複数のレーザーショットのうちのレーザーショット（及び／又は複数のレーザーショットのうち各レーザーショット）は、レーザーパルスを第１の面の区分に照明するステップを含む。複数のレーザーショットのうちの少なくとも２つのレーザーショットを介して、第１の面の各区分に照明する。
【0031】
幾つかの例において、複数のレーザーショットは、第１のレーザーショット及び第２のレーザーショットを含む。第１のレーザーショットは、第１のレーザーパルスを第１の面の第１の区分に照明するステップを含む。第２のレーザーショットは、第２のレーザーパルスを第１の面の第１の区分に照明するステップを含む。第１のレーザーショットと第２のレーザーショットとの間の持続時間は、少なくとも持続時間閾値である。
【0032】
幾つかの例において、第１のレーザーショットは、第１の層の金属を溶融させ、溶融金属を形成し、持続時間閾値は、溶融金属の凝固時間（例えば、溶融金属が凝固するのにかかる時間）に基づいている。幾つかの例において、凝固時間は、金属の１つ又は複数の特性、第１のレーザーパルスのエネルギー準位、及び／又は溶融金属に導入される第１のレーザーパルスのエネルギーが散逸するのにかかる時間に左右される。例において、溶融金属が第２のレーザーショットの前に凝固するように、持続時間閾値は、凝固時間以上である。持続時間閾値は、少なくとも３ｍｓから多くても１０００ｍｓの範囲、及び／又は少なくとも３ｍｓから多くても３３３ｍｓの範囲にあってもよい。
【0033】
幾つかの例において、第１のレーザーショットの後、及び第２のレーザーショットの前に、第１の面の第１の区分は、第１の表面粗さを有する。第２のレーザーショットの後に、第１の面の第１の区分は、第２の表面粗さを有する。第２の表面粗さは、第１の表面粗さ未満である（例えば、第２のレーザーショットを実行すると、第１の面の第１の区分の表面粗さが減少する）。例えば、第２のレーザーショットの実行を指示すると、第１の面の第１の区分が平滑になる。
【0034】
代わりに及び／又は更に、第１のレーザーショットの後、及び第２のレーザーショットの前に、第１の面の第１の区分は、第１の量の突起を有してもよい。幾つかの例において、第２のレーザーショットの後に、第１の面の第１の区分は、第２の量の突起を有する。第２の量の突起は、第１の量の突起よりも少なくてもよい（例えば、第２のレーザーショットを実行すると、第１の面の第１の区分の突起の量が減少する）。代わりに及び／又は更に、第２のレーザーショットの前の金属シリサイド層の第１の面の第１の区分の突起は、第２のレーザーショットの後の第１の面の第１の区分の突起と比較して大きい及び／又は高くてもよい（例えば、第２のレーザーショットを実行すると、第１の面の第１の区分の突起の大きさ及び／又は高さが減少する）。
【0035】
幾つかの例において、第１の面の第１の区分を含む第１の面の第２の区分に、第１のレーザーパルスを照明する。第１の面の第１の区分を含む第１の面の第３の区分に、第２のレーザーパルスを照明する。第１の面の第３の区分を、第１の面の第２の区分からずらす。第３の区分及び第２の区分は、第１の区分で重複する。
【0036】
幾つかの例において、２００ｎｍ未満の厚さを有するように第１の層を形成する。第１の層の厚さは、少なくとも１０ｎｍから多くても２００ｎｍの範囲、少なくとも１０ｎｍから多くても１００ｎｍの範囲、及び／又は少なくとも１０ｎｍから多くても３０ｎｍの範囲にあってもよい。
【0037】
幾つかの例において、第１の層は、ケイ素を含む。ケイ素は、金属シリサイド層の形成中に炭素放出を抑制してもよい。
【0038】
方法は、複数のレーザーショットを実行した後に、１つ又は複数の金属層を金属シリサイド層の上に形成するステップを含んでもよい。方法は、１つ又は複数の金属層の金属層をリードフレームに貼着するステップを含んでもよい。金属層は、リードフレームにはんだ付けされていてもよい。
【0039】
本開示の実施形態のうち実施形態において、半導体デバイスを提供する。半導体デバイスは、半導体層（例えば、半導体基板）を含んでもよい。幾つかの例において、半導体層は、ＳｉＣ層（例えば、ＳｉＣ基板）である。半導体デバイスは、半導体層の上の金属シリサイド層を含んでもよい。金属シリサイド層は、半導体層から遠い第１の面、及び半導体層に近い第２の面を有する。第１の面の表面粗さは、多くても２００ｎｍである。半導体デバイスは、金属シリサイド層の上の１つ又は複数の金属層を含んでもよい。表面粗さは、第１の面の平均表面粗さ（例えば、第１の面にわたって平均された表面粗さ）に対応してもよい。例えば、第１の面の突起及び／又は窪みの平均垂直延在部は、多くても２００ｎｍであってもよい（例えば、平均垂直延在部は、第１の面の突起及び／又は窪みの垂直延在部の平均に対応してもよい）。
【0040】
幾つかの例において、金属シリサイド層の厚さは、３００ｎｍ未満である。
【0041】
幾つかの例において、金属は、ニッケル、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、ＮｉＡｌ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＭｏＮ、ＷＮ及び／又は他の金属を含む。
【0042】
幾つかの例において、１つ又は複数の金属層の金属層は、リードフレームに貼着されている。金属層は、リードフレームにはんだ付けされていてもよい。
【0043】
図１Ａ～図１Ｅは、本開示の様々な例による半導体デバイスの製造に関する態様を例示する。１００１（図１Ａに例示）で、半導体層１０２を設ける。半導体層１０２は、結晶性半導体材料を含んでもよい。半導体層１０２は、半導体素子（例えば、ケイ素、ゲルマニウム及び／又は他の半導体素子）及び／又は半導体化合物（例えば、ＳｉＣ、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）及び／又は他の半導体化合物）を含んでもよい。半導体層１０２は、ドーパント（例えば、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）及び／又は他のドーパント）を含んでもよい。代わりに及び／又は更に、半導体層１０２は、不純物（例えば、水素、フッ素、酸素及び／又は他の不純物）を含んでもよい。幾つかの例において、半導体層１０２は、半導体基板（例えば、ＳｉＣ基板）である。半導体層１０２の厚さ１０８は、少なくとも１０μｍから多くても５００μｍの範囲、少なくとも５０μｍから多くても２００μｍの範囲、及び／又は少なくとも８０μｍから多くても１４０μｍの範囲にあってもよい。半導体層１０２は、第１の面１０４、及び第１の面１０４と反対側の第２の面１０６を有する。幾つかの例において、第１の面１０４は、半導体層１０２の裏側（例えば、ウェハー裏側）に対応する。幾つかの例において、第２の面１０６は、半導体層１０２の表側（例えば、ウェハー表側）に対応する。
【0044】
１００２（図１Ａに例示）で、第１の層１１２を、半導体層１０２の上に形成する。第１の層１１２は、金属を含む。幾つかの例において、金属は、ニッケル、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、ＮｉＡｌ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＭｏＮ、ＷＮ及び／又は他の金属を含む。第１の層１１２は、半導体層１０２の上に横たわってもよい。幾つかの例において、第１の層１１２は、第１の層１１２及び半導体層１０２から金属シリサイド形成中に炭素放出を抑制するために、（例えば、金属に加えて）非金属（例えば、ケイ素）を含んでもよい。例において、第１の層１１２は、ニッケル及びケイ素を含み、ニッケルは、少なくとも重量で２％から多くても重量で９５％の範囲、少なくとも重量で２％から多くても重量で５０％の範囲、少なくとも重量で６％から多くても重量で１６％の範囲、及び／又は少なくとも重量で１０％から多くても重量で１２％の範囲にあってもよい。第１の層１１２は、半導体層１０２から遠い第１の面１１４、及び半導体層１０２に近い第２の面１１６を有する。幾つかの例において、第１の層１１２の第１の面１１４は、半導体層１０２の第１の面１０４に隣接していてもよく、及び／又は半導体層１０２の第１の面１０４と接触（例えば、直接接触）していてもよい。幾つかの例において、半導体層１０２の第１の面１０４に第１の層１１２をスパッターするステップを含むスパッタリング処理を介して、第１の層１１２を形成する。幾つかの例において、第１の層１１２は、２００ｎｍ未満の厚さ１１８を有する。第１の層１１２の厚さ１１８は、少なくとも１０ｎｍから多くても２００ｎｍの範囲、少なくとも１０ｎｍから多くても１００ｎｍの範囲、及び／又は少なくとも１０ｎｍから多くても３０ｎｍの範囲にあってもよい。
【0045】
１００３（図１Ｂ及び図１Ｃに示す例）で、第１の熱エネルギー１１９を、第１の層１１２の第１の面１１４に向け、第１の層１１２の金属及び半導体層１０２のケイ素から金属シリサイド層１２０を形成する。金属シリサイド層１２０は、半導体層１０２から遠い第１の面１２２、及び半導体層１０２に近い第２の面１２４を有する。幾つかの例において、金属シリサイド層１２０は、半導体層１０２と１つ又は複数の金属層（例えば、図６に示す１つ又は複数の金属層６０６）との間に電気的接触部（例えば、オーミック接触部）を形成する。例えば、金属シリサイド層１２０は、外部回路と半導体デバイスに配設された１つ又は複数の構成要素（例えば、半導体層１０２に埋設された１つ又は複数の構成要素）との間に接続部を設けてもよい。幾つかの例において、半導体デバイスに配設された１つ又は複数の構成要素は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、金属酸化膜半導体ＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）を含むトランジスタ、及び／又は他のタイプのトランジスタを含む。例において、電気的接触部は、トランジスタのドレイン（例えば、ＭＯＳＦＥＴのドレイン）に接続されてもよく、及び／又はトランジスタのドレインに対応してもよい。幾つかの例において、半導体デバイスに配設された１つ又は複数の構成要素は、ダイオードを含み、電気的接触部は、ダイオードの電極に接続されてもよく、及び／又はダイオードの電極に対応してもよい。
【0046】
図１Ｂは、第１の熱エネルギー１１９を第１の層１１２の第１の面１１４の全部に向ける動作１００３の例１００３ａを示す。
【0047】
図１Ｃは、第１の熱エネルギー１１９を第１の層１１２の第１の面１１４の一部１２６に向ける動作１００３の例１００３ｂを示す。幾つかの例において、第１の面１１４の一部１２６は、第１の層１１２の電気的接触部形成領域１２７の上面に対応する。幾つかの例において、第１の層１１２の電気的接触部形成領域１２７は、金属シリサイド層１２０を形成して電気的接触部を形成する、第１の層１１２の領域に対応する。例えば図１Ｃに示す幾つかの例において、電気的接触部形成領域１２７は、第１の層１１２の単に一部であってもよい。例えば図１Ｂに示す幾つかの例において、電気的接触部形成領域１２７は、第１の層１１２の全部を含んでもよい。
【0048】
幾つかの例において、第１の熱エネルギー１１９を、第１の層１１２の第１の面１１４に向け、第１の層１１２の少なくとも一部及び／又は半導体層１０２の少なくとも一部を第１の温度に加熱する。第１の温度は、少なくとも９００℃から多くても１３００℃の範囲、少なくとも９５０℃から多くても１１００℃の範囲、及び／又は少なくとも９７０℃から多くても１０１０℃の範囲にあってもよい。第１の層１１２の第１の面１１４に向けられている第１の熱エネルギー１１９は、第１の層１１２の金属を溶融させ、及び／又はケイ素化反応が生じるようにする。第１の層１１２がニッケルを含み、半導体層１０２がＳｉＣを含む例において、ケイ素化反応は、ＳｉＣ＋２Ｎｉ→Ｎｉ２Ｓｉ＋Ｃを含んでもよい。代わりに及び／又は更に、第１の層１１２がニッケルを含み、半導体層１０２がＳｉＣを含む例において、金属シリサイド層１２０は、Ｎｉ２Ｓｉ、Ｎｉ３１Ｓｉ１２、Ｎｉ３Ｓｉなどのうちの少なくとも１つを含む。
【0049】
幾つかの例において、半導体デバイスの１つ又は複数の部分を第１の温度に加熱しないように、動作１００３を実行する。例において、半導体デバイスの１つ又は複数の部分に配設された１つ又は複数の構成要素を損傷することなく、ケイ素化反応が生じるように、第１の熱エネルギー１１９を、第１の層１１２の第１の面１１４に向けてもよい（例えば、第１の熱エネルギー１１９を、半導体デバイスの第１の部分に限局し、ケイ素化反応を引き起こしてもよく、第１の部分は、第１の層１１２の少なくとも一部及び／又は半導体デバイスの少なくとも一部を含んでもよい）。幾つかの例において、半導体デバイスの１つ又は複数の部分は、半導体層１０２の第２の面１０６に近い半導体層１０２の一部を含んでもよい（例えば、１つ又は複数の構成要素を、半導体層１０２の一部に配設する）。例において、動作１００３は、第１の層１１２の第１の面１１４に１つ又は複数のレーザーショット、例えば、レーザー熱アニール（ＬＴＡ）処理の１つ又は複数のレーザーショット（例えば、１つ又は複数のレーザーショットは、図３Ａ～図３Ｃに関して図示及び／又は記載の第１の複数のレーザーショットを含んでもよい）を実行するステップを含む。
【0050】
１００４（図１Ｄ及び図１Ｅに示す例）で、第２の熱エネルギー１２１を、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２に向け、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２の表面粗さを減少する。幾つかの例において、金属シリサイド層１２０の厚さ１２８（図１Ｄに示す）は、３００ｎｍ未満である（例えば、厚さ１２８は、第１の層１１２の厚さ１１８よりも厚くてもよい）。
【0051】
図１Ｄは、動作１００３の例１００３ａ（図１Ｂに示す）を実行した後に動作１００４を実行する動作１００４の例１００４ａを示す。図１Ｅは、動作１００３の例１００３ｂ（図１Ｃに示す）を実行した後に動作１００４を実行する動作１００４の例１００４ｂを示す。
【0052】
幾つかの例において、第２の熱エネルギー１２１を、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２に向け、金属シリサイド層１２０の少なくとも一部を第２の温度に加熱する。第２の温度は、少なくとも９００℃から多くても１３００℃の範囲、少なくとも９５０℃から多くても１１００℃の範囲、及び／又は少なくとも９７０℃から多くても１０１０℃の範囲にあってもよい。幾つかの例において、第２の温度は、第１の温度と略同じである。幾つかの例において、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２に向けられている第２の熱エネルギー１２１は、金属シリサイド層１２０の金属を溶融させる。
【0053】
幾つかの例において、半導体デバイスの１つ又は複数の部分を第２の温度に加熱しないように、動作１００４を実行する。例えば、半導体デバイスの１つ又は複数の部分に配設された１つ又は複数の構成要素を損傷することなく、半導体デバイスの第２の部分（例えば、第２の部分は、金属シリサイド層１２０及び／又は半導体デバイスの少なくとも一部を含んでもよい）を加熱するように、第２の熱エネルギー１２１を、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２に向けてもよい（例えば、第２の熱エネルギー１２１を、半導体デバイスの第２の部分に限局してもよい）。例において、動作１００４は、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２に１つ又は複数のレーザーショット、例えば、ＬＴＡ処理の１つ又は複数のレーザーショット（例えば、１つ又は複数のレーザーショットは、図３Ａ～図３Ｃに関して図示及び／又は記載の第２の複数のレーザーショットを含んでもよい）を実行するステップを含む。
【0054】
幾つかの例において、第１の熱エネルギー１１９を第１の層１１２の第１の面１１４に向ける第１の時刻と第２の熱エネルギー１２１を金属シリサイド層１２０の第１の面１２２に向ける第２の時刻との間の持続時間は、少なくとも持続時間閾値である。幾つかの例において、持続時間閾値は、溶融金属（例えば、第１の熱エネルギー１１９によって溶融される金属）の凝固時間に基づいている（例えば、凝固時間以上である）。
【0055】
幾つかの例において、動作１００３を実行した後、及び動作１００４を実行する前に、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２は、第１の表面粗さを有する。幾つかの例において、動作１００４を実行した後に、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２は、第２の表面粗さを有する。第２の表面粗さは、第１の表面粗さ未満である（例えば、動作１００４を実行するステップは、第１の面１２２の表面粗さを減少する）。例えば、動作１００４を実行するステップは、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２を平滑化する。
【0056】
代わりに及び／又は更に、動作１００３を実行した後、及び動作１００４を実行する前に、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２は、第１の量の突起を有してもよい。幾つかの例において、動作１００４を実行した後に、金属シリサイド層１２０の第１の面１２２は、第２の量の突起を有する。第２の量の突起は、第１の量の突起よりも少なくてもよい（例えば、動作１００４を実行するステップは、第１の面１２２の突起の量を減少する）。代わりに及び／又は更に、動作１００４を実行する前の金属シリサイド層１２０の第１の面１２２の突起は、動作１００４を実行した後の第１の面１２２の突起と比較して大きい及び／又は高くてもよい（例えば、動作１００４を実行するステップは、第１の面１２２の突起の大きさ及び／又は高さを減少する）。
【0057】
図２は、半導体デバイスを製造する方法２００の例示である。２０２で、第１の層（例えば、第１の層１１２）を、半導体層（例えば、ＳｉＣ層などの半導体層１０２）の上に形成する。第１の層は、半導体層から遠い第１の面（例えば、第１の面１１４）、及び半導体層に近い第２の面（例えば、第２の面１１６）を有する。第１の層は、金属を含む。２０４で、第１の熱エネルギー（第１の熱エネルギー１１９）を、第１の層の第１の面に向け、第１の層の金属及び半導体層のケイ素から金属シリサイド層（例えば、金属シリサイド層１２０）を形成する。金属シリサイド層は、半導体層から遠い第１の面（例えば、第１の面１２２）、及び半導体層に近い第２の面（例えば、第２の面１２４）を有する。２０６で、第２の熱エネルギー（例えば、第２の熱エネルギー１２１）を、金属シリサイド層の第１の面に向け、金属シリサイド層の第１の面の表面粗さを減少する。
【0058】
図３Ａ～図３Ｃ及び図４Ａ～図４Ｂは、第１の層（例えば、第１の層１１２）の上面３０６に複数のレーザーショットを実行し、第１の層の金属及び第１の層の下にある半導体層（例えば、半導体層１０２）のケイ素から金属シリサイド層（例えば、金属シリサイド層１２０）を形成するステップに関する態様を例示する。例において、第１の層の上面３０６は、図１Ｂに示す第１の層１１２の第１の面１１４に対応する。例において、第１の層の上面３０６は、図１Ｃに示す第１の層１１２の第１の面１１４の一部１２６に対応する（例えば、上面３０６は、第１の層１１２の電気的接触部形成領域１２７の上面に対応する）。複数のレーザーショットのうちのレーザーショットは、レーザーパルスを上面３０６の区分に照明するステップを含む。複数のレーザーショットのうちの少なくとも２つのレーザーショットを介して、上面３０６の各区分に照明する。
【0059】
図３Ａ～図３Ｃは、複数のレーザーショットを実行するステップの第１の例を示す。第１の層の上面３０６の境界の例を、点線ボックスで示す。複数のレーザーショットは、第１の複数のレーザーショット（例えば、図３Ａ～図３Ｂの動作３００１～３００３に対して記載）及び第２の複数のレーザーショット（例えば、図３Ｂ～図３Ｃの動作３００４～３００５に対して記載）を含んでもよい。幾つかの例において、少なくとも１回上面３０６（例えば、上面３０６の全部）に照明する（例えば、照射する）ように実行される第１のＬＴＡ処理で、第１の複数のレーザーショットを実行する。例えば、第１の層の上面３０６にわたる第１の層の金属を、第１のＬＴＡ処理中に少なくとも１回溶融させてもよい。
【0060】
３００１（図３Ａに示す）で、第１の複数のレーザーショットのうち第１のレーザーショットは、上面３０６の一部を含む照明区域ＬＳ１にレーザーパルスを照明する（例えば、照射する）。例えば、レーザー源を用いて、第１のレーザーショットを実行してもよい。第１のレーザーショットは、照明区域ＬＳ１内の第１の層の金属が、溶融して溶融金属を形成するようにする。幾つかの例において、照明区域ＬＳ１の幅３０２は、少なくとも１０ｍｍと多くても２０ｍｍとの間（例えば、約１５ｍｍ）である。幾つかの例において、照明区域ＬＳ１の長さ３０４は、少なくとも１０ｍｍと多くても２０ｍｍとの間（例えば、約１５ｍｍ）である。幾つかの例において、幅３０２は、長さ３０４と略同じである。幾つかの例において、照明区域ＬＳ１のサイズは、レーザー源（例えば、レーザー源によるレーザーショットの電力容量）に左右される。例えば、サイズは、電力容量の関数であってもよく、サイズは、電力容量の増加に伴って増加してもよい。
【0061】
３００２（図３Ａに示す）で、第２のレーザーショットは、上面３０６の一部を含む照明区域ＬＳ２にレーザーパルスを照明する。幾つかの例において、照明区域ＬＳ２は、重複領域ＯＲ１で照明区域ＬＳ１と重複する。幾つかの例において、レーザーショットを介して上面３０６の各区分に照明することを保証するために照明区域ＬＳ２が照明区域ＬＳ１と重複するように（例えば、照明区域ＬＳ１と照明区域ＬＳ２との間の区域が第１の複数のレーザーショットの全体にわたって非アニールのままでないように）、第２のレーザーショットを実行する。従って、２つのレーザーショット（例えば、第１のレーザーショット及び第２のレーザーショット）を介して、重複領域ＯＲ１内の上面３０６の区分に照明する。
【0062】
幾つかの例において、第１の層を含むウェハーを、ウェハーの位置を制御するウェハーステージに設定する。例えば、第１のレーザーショット（例えば、動作３００１）と第２のレーザーショット（例えば、動作３００２）との間で、照明区域ＬＳ２（レーザー源によって出力されるレーザーパルスによって照明される）を照明区域ＬＳ１からずらすように、及び／又は照明区域ＬＳ２が重複領域ＯＲ１で照明区域ＬＳ１と重複するように、ウェハー及び／又はウェハーステージの位置を、第１の位置（例えば、第１のレーザーショットを実行する場合のウェハー及び／又はウェハーステージの位置）から第２の位置（例えば、第２のレーザーショットを実行する場合のウェハー及び／又はウェハーステージの位置）に変更する。幾つかの例において、ウェハーステージの位置を制御するモーター（例えば、ステッピングモーター）を用いて、ウェハー及び／又はウェハーステージの位置を、第１の位置から第２の位置に変更する。
【0063】
３００３（図３Ｂに示す）で、上面３０６の一部を含む他の照明区域（例えば、照明区域ＬＳ１及びＬＳ２以外）にレーザーパルスを照明するように、第１の複数のレーザーショットのうちのレーザーショット（例えば、第１のレーザーショット及び第２のレーザーショットの後の第１の複数のレーザーショットのうち残りのレーザーショット）を実行する。例において、他の照明区域は、第１の複数のレーザーショットのうち第３のレーザーショットによって照明される照明区域ＬＳ３、第１の複数のレーザーショットのうち第４のレーザーショットによって照明される照明区域ＬＳ４などを含む。第１の複数のレーザーショットの照明区域が上面３０６の全部を含む区域を覆うまで、第１の複数のレーザーショットのうちのレーザーショットを連続的に実行してもよい。図３Ｂに示すように、第１の複数のレーザーショットの照明区域は、上面３０６の全部を覆ってもよい。幾つかの例において、第１の複数のレーザーショットのうちの少なくとも１つのレーザーショットを介して上面３０６の全部に照明することを保証するために、第１の複数のレーザーショットの１つ又は複数の照明区域（例えば、照明区域ＬＳ１、照明区域ＬＳ２、照明区域ＬＳ４など）の少なくとも一部は、上面３０６の外側にある。
【0064】
例において、照明区域ＬＳ２は、重複領域ＯＲ２で照明区域ＬＳ３と重複する（例えば、２つのレーザーショット（例えば、第２のレーザーショット及び第３のレーザーショット）を介して、重複領域ＯＲ２内の上面３０６の区分に照明する）。照明区域ＬＳ３は、重複領域ＯＲ３で照明区域ＬＳ４と重複してもよい（例えば、２つのレーザーショット（例えば、第３のレーザーショット及び第４のレーザーショット）を介して、重複領域ＯＲ３内の上面３０６の区分に照明する）。照明区域ＬＳ４は、重複領域ＯＲ４で照明区域ＬＳ１と重複してもよい（例えば、２つのレーザーショット（例えば、第４のレーザーショット及び第１のレーザーショット）を介して、重複領域ＯＲ４内の上面３０６の区分に照明する）。重複領域ＯＲ５で、照明区域ＬＳ１、照明区域ＬＳ２、照明区域ＬＳ３及び照明区域ＬＳ４は、重複してもよい（４つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ５内の上面３０６の区分に照明する）。
【0065】
幾つかの例において、第１の面の突起は、第１の複数のレーザーショットのうちただ１つのレーザーショットを介して照明される上面３０６の区分と比較して、第１の複数のレーザーショットの照明区域の重複領域（例えば、重複領域ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、ＯＲ４、ＯＲ５など）内の量、大きさ及び／又は高さがより大きくてもよい。
【0066】
幾つかの例において、少なくとも１回上面３０６（例えば、上面３０６の全部）に照明する（例えば、照射する）ように実行される第２のＬＴＡ処理で、第２の複数のレーザーショットを実行する。例えば、第１の層の上面３０６にわたる第１の層の金属を、第２のＬＴＡ処理中に少なくとも１回溶融させてもよい。
【0067】
３００４（図３Ｂに示す）で、第２の複数のレーザーショットのうち第５のレーザーショットは、上面３０６の一部を含む照明区域ＬＳ５にレーザーパルスを照明する（例えば、照射する）。第５のレーザーショットは、照明区域ＬＳ５内の第１の層の金属を溶融させ、溶融金属を形成する。明確にするために、図３Ｂにおいて、破線ボックスで示す第１の複数のレーザーショットの照明区域を重ねる実線ボックスで、照明区域ＬＳ５を示す。幾つかの例において、図３Ｂに示すように、照明区域ＬＳ５を照明区域ＬＳ１からずらす（３２２）。例において、照明区域ＬＳ５の隅部３２３が照明区域ＬＳ１内の点（例えば、照明区域ＬＳ１の略中心点）であるように、照明区域ＬＳ５と照明区域ＬＳ１との間のずれ３２２を実施する。幾つかの例において、第２の複数のレーザーショットの照明区域を、第１の複数のレーザーショットの照明区域からずらしてもよい（３２２）（例えば、第２の複数のレーザーショットの照明区域の隅部が点（例えば、第１の複数のレーザーショットの照明区域の略中心点）であるように、第２の複数のレーザーショットの各照明区域を、第１の複数のレーザーショットの照明区域からずらしてもよい（３２２））。
【0068】
例において、照明区域ＬＳ５は、重複領域ＯＲ６で照明区域ＬＳ１と重複する（例えば、複数のレーザーショットのうち２つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ６内の上面３０６の区分に照明する）。重複領域ＯＲ７で、照明区域ＬＳ５、照明区域ＬＳ１及び照明区域ＬＳ２は、重複してもよい（例えば、複数のレーザーショットのうち３つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ７内の上面３０６の区分に照明する）。照明区域ＬＳ５は、重複領域ＯＲ８で照明区域ＬＳ２と重複してもよい（例えば、複数のレーザーショットのうち２つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ８内の上面３０６の区分に照明する）。重複領域ＯＲ９で、照明区域ＬＳ５、照明区域ＬＳ２及び照明区域ＬＳ３は、重複してもよい（例えば、複数のレーザーショットのうち３つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ９内の上面３０６の区分に照明する）。照明区域ＬＳ５は、重複領域ＯＲ１０で照明区域ＬＳ３と重複してもよい（例えば、複数のレーザーショットのうち２つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ１０内の上面３０６の区分に照明する）。重複領域ＯＲ１１で、照明区域ＬＳ５、照明区域ＬＳ３及び照明区域ＬＳ４は、重複してもよい（例えば、複数のレーザーショットのうち３つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ１１内の上面３０６の区分に照明する）。照明区域ＬＳ５は、重複領域ＯＲ１２で照明区域ＬＳ４と重複してもよい（例えば、複数のレーザーショットのうち２つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ１２内の上面３０６の区分に照明する）。重複領域ＯＲ１３で、照明区域ＬＳ５、照明区域ＬＳ４及び照明区域ＬＳ１は、重複してもよい（例えば、複数のレーザーショットのうち３つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ１３内の上面３０６の区分に照明する）。重複領域ＯＲ１４で、照明区域ＬＳ５、照明区域ＬＳ４、照明区域ＬＳ３、照明区域ＬＳ２、及び照明区域ＬＳ１は、重複してもよい（例えば、複数のレーザーショットのうち５つのレーザーショットを介して、重複領域ＯＲ１４内の上面３０６の区分に照明する）。
【0069】
３００５（図３Ｃに示す）で、上面３０６の一部を含む他の照明区域（例えば、照明区域ＬＳ５以外）にレーザーパルスを照明するように、第２の複数のレーザーショットのうちのレーザーショット（例えば、第５のレーザーショットの後の第２の複数のレーザーショットのうち残りのレーザーショット）を実行する。明確にするために、図３Ｃにおいて、第２の複数のレーザーショットの照明区域を実線ボックスで示し、第１の複数のレーザーショットの照明区域を破線ボックスで示す。幾つかの例において、第２の複数のレーザーショットの照明区域を含む区域を、第１の複数のレーザーショットの照明区域を含む区域からずらす（３２２）（例えば、第２の複数のレーザーショットのパターンを、第１の複数のレーザーショットのパターンからずらす（３２２））。第２の複数のレーザーショットの照明区域が上面３０６の全部を含む区域を覆うまで、第２の複数のレーザーショットのうちのレーザーショットを連続的に実行してもよい。図３Ｃに示すように、第２の複数のレーザーショットの照明区域は、上面３０６の全部を覆ってもよい。幾つかの例において、第２の複数のレーザーショットの幾つかの照明区域の少なくとも一部は、上面３０６の外側にあり、これによって、第２の複数のレーザーショットのうちの少なくとも１つのレーザーショットを介して上面３０６の全部に照明することを保証する。
【0070】
幾つかの例において、第２の複数のレーザーショットの照明区域と第２の複数のレーザーショットの照明区域との間のずれ３２２を実施すると、レーザーショットを、上面の区分に一層均一に照射することができる。例えば、ずれ３２２を実施することによって、複数のレーザーショットのうち２つのレーザーショットを介して上面３０６の１つ又は複数の区分のうちの少なくとも１つに照明する（例えば、２つのレーザーショットを介して照明される上面３０６の１つ又は複数の区分は、重複領域ＯＲ６、ＯＲ８、ＯＲ１０、ＯＲ１２などのうちの少なくとも１つの内部にあってもよい）、複数のレーザーショットのうち３つのレーザーショットを介して上面３０６の１つ又は複数の区分に照明する（例えば、３つのレーザーショットを介して照明される上面３０６の１つ又は複数の区分は、重複領域ＯＲ７、ＯＲ９、ＯＲ１１、ＯＲ１３などのうちの少なくとも１つの内部にあってもよい）、及び／又は複数のレーザーショットのうち５つのレーザーショットを介して上面３０６の１つ又は複数の区分に照明する（例えば、５つのレーザーショットを介して照明される上面３０６の１つ又は複数の区分は、重複領域ＯＲ１４及び他の重複領域の内部にあってもよい）ように、複数のレーザーショットを実行してもよい。従って、ずれ３２２を実施することによって、上面３０６の単一区分に照射される最大量のレーザーショット（例えば、５つ）と上面３０６の単一区分に照射される最小量のレーザーショット（例えば、２つ）との間の差は、３つであることがある。しかし、ずれ３２２を実施しないシナリオ（例えば、第２の複数のレーザーショットの照明区域が第１の複数のレーザーショットの照明区域と一致するシナリオ）において、複数のレーザーショットのうち２つのレーザーショットを介して上面３０６の１つ又は複数の区分に照明してもよく、複数のレーザーショットのうち４つのレーザーショットを介して上面３０６の１つ又は複数の区分に照明してもよく、及び／又は複数のレーザーショットのうち８つのレーザーショットを介して上面３０６の１つ又は複数の区分に照明してもよい。従って、ずれ３２２を実施することなく、上面３０６の単一区分に照射される最大量のレーザーショット（例えば、８つ）と上面３０６の単一区分に照射される最小量のレーザーショット（例えば、２つ）との間の差は、６つであることがある。ずれ３２２を実施することによって得られるより小さい差は、複数のレーザーショットを実行することによって形成される金属シリサイド層のより低い表面粗さ、及び／又はより小さい及び／又はより短い突起を与えることができる。第２の複数のレーザーショットの照明区域が第１の複数のレーザーショットの照明区域と一致する（例えば、第２の複数のレーザーショットの各照明区域が第１の複数のレーザーショットの照明区域と略同じである）実施形態が考えられることが分かる。
【0071】
幾つかの例において、複数のレーザーショットのうちのレーザーショットを、持続時間閾値に基づいて実行してもよい。例えば、第１のレーザーショットに先行する第２のレーザーショットの第２の照明区域と重複する第１の照明区域に関する対する第１のレーザーショットを、第２のレーザーショットを実行した時刻から持続時間閾値が経過した時又は後に実行してもよい。例において、照明区域ＬＳ５に関連する第５のレーザーショットを、第１の時刻に実行してもよく、第１の時刻は、照明区域ＬＳ５と重複する照明区域に関連する１つ又は複数のレーザーショットを実行する時刻に基づいてもよい。例えば、１つ又は複数のレーザーショットは、照明区域ＬＳ１に関連する第１のレーザーショット、照明区域ＬＳ２に関連する第２のレーザーショット、照明区域ＬＳ３に関連する第３のレーザーショット、及び照明区域ＬＳ５に関連する第５のレーザーショットを含んでもよい。第１の時刻と１つ又は複数のレーザーショットを実行する時刻との間の持続時間は、持続時間閾値以上であってもよい。従って、持続時間閾値が凝固時間以上である例において、１つ又は複数のレーザーショットを介して、照明区域ＬＳ５内の第１の層の金属を溶融させ、溶融金属は、照明区域ＬＳ５に実行される第５のレーザーショットの前に凝固する。
【0072】
図４Ａ～図４Ｂは、複数のレーザーショットを実行する第２の例を示す。第１の層の上面３０６の境界の例を、点線ボックスで示す。４００１（図４Ａに示す）で、複数のレーザーショットのうち第１のレーザーショットは、上面３０６の一部を含む照明区域ＬＳ１にレーザーパルスを照明する（例えば、照射する）。４００２（図４Ａに示す）で、複数のレーザーショットのうち第２のレーザーショットは、上面３０６の一部を含む照明区域ＬＳ２にレーザーパルスを照明する。図３Ａ～図３Ｃに示す複数のレーザーショットを実行する第１の例と比較して、第２の例における第２のレーザーショット（図４Ａ～図４Ｂに関して図示及び／又は記載）は、第１の例における第２の複数のレーザーショットのうちのレーザーショットに対応してもよい（例えば、第２のレーザーショットの照明区域ＬＳ２は、第２の複数のレーザーショットのうち第５のレーザーショットの照明区域ＬＳ５と一致してもよい）。一方、第２の例において、第１の複数のレーザーショットの完了の前に、第２のレーザーショットを実行してもよい。幾つかの例において、照明区域ＬＳ２を、照明区域ＬＳ１からずらす（３２２）。例において、照明区域ＬＳ２の隅部４０２が照明区域ＬＳ１内の点（例えば、照明区域ＬＳ１の略中心点）であるように、照明区域ＬＳ２と照明区域ＬＳ１との間のずれ３２２を実施する。照明区域ＬＳ２は、重複領域ＯＲ１で照明区域ＬＳ１と重複してもよい。幾つかの例において、第１のレーザーショットと第２のレーザーショットとの間の持続時間は、持続時間閾値以上である。
【0073】
４００３（図４Ｂに示す）で、複数のレーザーショットのうち第３のレーザーショットは、上面３０６の一部を含む照明区域ＬＳ３にレーザーパルスを照明する（例えば、照射する）。照明区域ＬＳ３は、重複領域ＯＲ２、ＯＲ３及び／又はＯＲ４で照明区域ＬＳ１及び／又は照明区域ＬＳ２と重複してもよい。幾つかの例において、第２のレーザーショットと第３のレーザーショットとの間の持続時間は、持続時間閾値以上である。
【0074】
４００４（図４Ｂに示す）で、複数のレーザーショットのうち第４のレーザーショットは、上面３０６の一部を含む照明区域ＬＳ４にレーザーパルスを照明する（例えば、照射する）。幾つかの例において、第３のレーザーショットと第４のレーザーショットとの間の持続時間は、持続時間閾値以上である。幾つかの例において、照明区域ＬＳ４を、照明区域ＬＳ３からずらす（３２２）。例において、照明区域ＬＳ４の隅部４０４が照明区域ＬＳ３内の点（例えば、照明区域ＬＳ３の略中心点）であるように、照明区域ＬＳ４と照明区域ＬＳ３との間のずれ３２２を実施する。照明区域ＬＳ４は、重複領域ＯＲ５、ＯＲ６及び／又はＯＲ７で照明区域ＬＳ２及び／又は照明区域ＬＳ３と重複してもよい。幾つかの例において、第３のレーザーショットと第４のレーザーショットとの間の持続時間は、持続時間閾値以上である。
【0075】
幾つかの例において、第４のレーザーショットを実行した後、複数のレーザーショットのうち残りのレーザーショットを実行する（例えば、複数のレーザーショットの照明区域が上面３０６の全部を含む区域を覆うまで、複数のレーザーショットのうちのレーザーショットを実行する、及び／又は複数のレーザーショットのうちの少なくとも２つのレーザーショットを介して上面３０６の各区分に照明する）。例において、複数のレーザーショットの照明区域は、図３Ｃに示す照明区域の配置を有してもよい。
【0076】
【0077】
幾つかの例において、ここに提供（例えば、図３Ａ～図４Ｂ及び／又は図４Ａ～図４Ｂに関して図示及び／又は記載）の技法のうち１つ又は複数の技法に従って複数のレーザーショットを実行することによって、第１の層の金属及び半導体層のケイ素から形成される金属シリサイド層（例えば、金属シリサイド層１２０）の上面は、ここに提供の技法のうち１つ又は複数の技法を使用することなく形成される金属シリサイド層と比較して、より低い表面粗さ（及び／又は少量の突起及び／又はより小さい及び／又はより短い突起）を有する上面（例えば、第１の面１２２）を有してもよい。例えば、より低い表面粗さ（及び／又は少量の突起及び／又はより小さい及び／又はより短い突起）は、（例えば、ただ１つのレーザーショットによって上面３０６の各区分に照明するのではなく）少なくとも２つのレーザーショットによって上面３０６の各区分に照明するように複数のレーザーショットを実行した結果であってもよい。
【0078】
図５は、半導体デバイスを製造する方法５００の例示である。５０２で、第１の層（例えば、第１の層１１２）を、半導体層（例えば、ＳｉＣ層などの半導体層１０２）の上に形成する。第１の層の電気的接触部形成領域は、半導体層から遠い第１の面（例えば、上面３０６）、及び半導体層に近い第２の面を有する。幾つかの例において、電気的接触部形成領域は、第１の層の全部を含む（例えば、第１の面は、第１の層１１２の第１の面１１４に対応する）。幾つかの例において、電気的接触部形成領域は、第１の層の一部を含む（例えば、第１の面は、図１Ｃに示す第１の層１１２の第１の面１１４の一部１２６に対応する）。第１の層は、金属を含む。５０４で、複数のレーザーショット（例えば、図３Ａ～図３Ｃ及び／又は図４Ａ～図４Ｂに関して図示及び／又は記載の複数のレーザーショット）を、第１の層の電気的接触部形成領域の第１の面に実行し、第１の層の金属及び半導体層のケイ素から金属シリサイド層（例えば、金属シリサイド層１２０）を形成する。複数のレーザーショットのうちのレーザーショットは、レーザーパルスを第１の面の区分に照明するステップを含む。複数のレーザーショットのうちの少なくとも２つのレーザーショットを介して、第１の面の各区分に照明する。
【0079】
図６は、本開示の様々な例による半導体デバイスの製造に関する態様を例示する。６００１で、半導体層１０２及び金属シリサイド層６０２を含む半導体構造体を設ける。ここに提供（例えば、図１Ａ～図１Ｅ、図２、図３Ａ～図３Ｃ、図４Ａ～図４Ｂ及び／又は図５に関して図示及び／又は記載）の技法のうち１つ又は複数の技法を用いて、金属シリサイド層６０２を形成してもよい。例えば、金属シリサイド層を形成するためにここに記載の技法のうち１つ又は複数の技法を使用することなく形成される第２の金属シリサイド層と比較して表面粗さが減少した面６０４を有するように金属シリサイド層６０２を形成してもよい。例において、ただ１つのレーザーパルスを層の面の少なくとも幾つかの区分に照明するＬＴＡ処理を用いて、第２の金属シリサイド層を形成してもよい。第２の金属シリサイド層の面は、最大約４００ｎｍ及び／又は最大約１０００ｎｍの局所高さを有する突起を有してもよい。しかし、ここに提供の技法のうち１つ又は複数の技法を用いて形成される金属シリサイド層６０２の面６０４は、第２の金属シリサイド層の面よりも小さい突起を有してもよく、及び／又は、金属シリサイド層６０２の面６０４の突起は、約１４０ｎｍの最大局所高さを有してもよい。
【0080】
６００２で、１つ又は複数の金属層６０６を、金属シリサイド層６０２の上に形成する。例えば、１つ又は複数の金属層６０６を、バックサイド金属（ＢＳＭ）処理で形成してもよい。幾つかの例において、１つ又は複数の金属層６０６は、金属シリサイド層６０２の面６０４と接触（例えば、直接接触）していてもよい。例において、金属シリサイド層６０２は、１つ又は複数の金属層６０６と半導体層１０２との間に電気的接触部（例えば、オーミック接触部）を形成する。幾つかの例において、スパッタリング処理、蒸発蒸着処理、及び／又は１つ又は複数の他の蒸着処理を介して、１つ又は複数の金属層６０６のうち金属層を形成してもよい。
【0081】
幾つかの例において、金属シリサイド層６０２の面６０４の表面粗さの減少は、１つ又は複数の金属層６０６の面６０８の表面粗さの減少をもたらす。例において、１つ又は複数の金属層６０６の面６０８は、１つ又は複数の金属層６０６のうち最上金属層の上面に対応してもよい。幾つかの例において、面６０８は、半導体層１０２、金属シリサイド層６０２及び／又は１つ又は複数の金属層６０６を含むウェハーの裏側に対応する。幾つかの例において、ここに提供の技法のうち１つ又は複数の技法を用いて金属シリサイド層６０２を形成した結果、１つ又は複数の金属層６０６の面６０８は、減少した表面粗さを有してもよく、及び／又は、減少した量の突起及び／又は減少した大きさ及び／又は高さの突起を有してもよい。
【0082】
幾つかの例において、１つ又は複数の動作を、動作６００１の後に、動作６００２の前に、実行してもよい。幾つかの例において、１つ又は複数の動作は、１つ又は複数の液体及び／又は気体を用いて、金属シリサイド層６０２から炭素を除去する（例えば、面６０４上の炭素を除去する）ステップを含む。例において、炭素を除去するために、（例えば、Ｏ２フラッシュを実行することによって）酸素プラズマを面６０４に照射してもよい。幾つかの例において、１つ又は複数の動作は、１つ又は複数の液体及び／又は１つ又は複数の気体を用いて、例えば、１つ又は複数のエッチング化学物質（例えば、フッ化水素酸及び／又は１つ又は複数の他のエッチング化学物質）を用いて、金属シリサイド層６０２から酸化物を除去する（例えば、面６０４から酸化物を除去する）ステップを含む。例において、酸化物は、金属酸化物（例えば、ニッケルを含む層から金属シリサイド層６０２を形成するシナリオにおける酸化ニッケル）及び／又は酸化ケイ素（例えば、酸素プラズマを面６０４に照射した結果、酸化物を形成してもよい）を含んでもよい。
【0083】
６００３で、ウェハーを、リードフレーム６１０に貼着する。幾つかの例において、面６０８を有する１つ又は複数の金属層６０６のうち最上金属層を、リードフレーム６１０に貼着する。例えば、１つ又は複数の金属層６０６のうち最上金属層の面６０８を、リードフレーム６１０にはんだ付けしてもよく、最上金属層は、１つ又は複数の金属層６０６のうち他の金属層の１つを超える、他の金属層の一部及び／又は全部である厚さを有してもよい。幾つかの例において、例えば、減少した表面粗さを有する面６０８のために、及び／又は、減少した量の突起及び／又は減少した大きさ及び／又は高さの突起を有する面６０８のために、金属層の面６０８とリードフレーム６１０との間により少ない及び／又はより小さいボイドがあってもよい。より少ない及び／又はより小さいボイドは、１つ又は複数の金属層６０６とリードフレーム６１０との間の電気的接続を向上させることができ、ウェハーを含むシステムの動作及び／又は性能を向上させることができる。
【0084】
幾つかの例において、ウェハーは、ウェハー試験処理を受けてもよい（例えば、動作６００３の前に、ウェハー試験処理をウェハーに対して実行してもよい）。ウェハー試験処理において、面６０８は、１つ又は複数の金属層６０６から電流を測定するように構成されている測定チャックと接触（例えば、直接接触）していてもよい。減少した表面粗さを有する面６０８、及び／又は、減少した量の突起及び／又は減少した大きさ及び／又は高さの突起を有する面６０８は、ウェハー試験処理における電流測定（例えば、電流測定）をより正確に実行するように、測定チャックと面６０８との間の接触の向上（即ち、１つ又は複数の金属層６０６と測定チャックとの間の伝導性の増加）が得られる。
【0085】
代わりに及び／又は更に、金属シリサイド層６０２を含むウェハーは、ここに提供の技法のうち１つ又は複数の技法を使用することなく形成される金属シリサイド層（例えば、第２の金属シリサイド層）を有する他のウェハーと比較して、改善されたＶＦ（順方向バイアス接合電圧）分布及び／又は改善されたＶＦ値を有してもよい。
【0086】
金属シリサイド層の面の突起を埋めしようとして、ここに提供の技法のうち１つ又は複数の技法無しで形成される幾つかの半導体デバイスに、より厚い金属層が形成される。ここに提供の技法のうち１つ又は複数の技法を実施すると、例えば、減少した表面粗さを有する面６０８のために、及び／又は、減少した量の突起及び／又は減少した大きさ及び／又は高さの突起を有する面６０８のために、１つ又は複数の金属層６０６の厚さを減少することができることが分かる。１つ又は複数の金属層６０６の厚さの減少は、より低い材料コスト及び／又はより小さいサイズの半導体デバイスが得られる。
【0087】
金属シリサイド層６０２に実行される場合、半導体の表面平滑化のために典型的に使用される幾つかの技法（例えば、化学機械研磨及び／又は平坦化（ＣＭＰ））は、金属シリサイド層６０２を損傷する、及び／又は金属シリサイド層６０２を平滑化しないことがあることが分かる。例えば、金属シリサイド層６０２を平滑化するために金属シリサイド層６０２にＣＭＰを実行すると、金属シリサイド層６０２を損傷する、及び／又は金属シリサイド層６０２の一部を除去することがあり、その結果、正確に機能しない電気的接触部（例えば、オーミック接触部）が形成されることになる。
【0088】
幾つかの実施形態によれば、半導体デバイスを製造する方法を提供する。方法は、第１の層をＳｉＣ層の上に形成するステップであって、第１の層は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有し、第１の層は、金属を含むステップと、第１の熱エネルギーを、第１の層の第１の面に向け、第１の層の金属及びＳｉＣ層のケイ素から金属シリサイド層を形成するステップであって、金属シリサイド層は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有するステップと、第２の熱エネルギーを、金属シリサイド層の第１の面に向け、金属シリサイド層の第１の面の表面粗さを減少するステップとを含む。
【0089】
幾つかの実施形態によれば、第１の熱エネルギーを第１の層の第１の面に向ける第１の時刻と第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向ける第２の時刻との間の持続時間は、少なくとも持続時間閾値である。
【0090】
幾つかの実施形態によれば、第１の層の第１の面に向けられる第１の熱エネルギーは、第１の層の金属を溶融させ、溶融金属を形成し、持続時間閾値は、溶融金属の凝固時間に基づいており、溶融金属は、第２の時刻の前に凝固する。
【0091】
幾つかの実施形態によれば、方法は、第２の熱エネルギーを金属シリサイド層の第１の面に向けた後に、１つ又は複数の金属層を金属シリサイド層の上に形成するステップを含む。
【0092】
幾つかの実施形態によれば、方法は、１つ又は複数の金属層の層をリードフレームに貼着するステップを含む。
【0093】
幾つかの実施形態によれば、金属は、ニッケルを含む。
【0094】
幾つかの実施形態によれば、２００ｎｍ未満の厚さを有するように第１の層を形成する。
【0095】
幾つかの実施形態によれば、半導体デバイスを製造する方法を提供する。方法は、第１の層をＳｉＣ層の上に形成するステップであって、第１の層の電気的接触部形成領域は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有し、第１の層は、金属を含むステップと、第１の層の電気的接触部形成領域の第１の面に複数のレーザーショットを実行し、第１の層の金属及びＳｉＣ層のケイ素から金属シリサイド層を形成するステップであって、複数のレーザーショットのうちのレーザーショットは、レーザーパルスを第１の面の区分に照明するステップを含み、複数のレーザーショットのうちの少なくとも２つのレーザーショットを介して、第１の面の各区分に照明するステップとを含む。
【0096】
幾つかの実施形態によれば、複数のレーザーショットは、第１のレーザーショット及び第２のレーザーショットを含み、第１のレーザーショットは、第１のレーザーパルスを第１の面の第１の区分に照明するステップを含み、第２のレーザーショットは、第２のレーザーパルスを第１の面の第１の区分に照明するステップを含み、第１のレーザーショットと第２のレーザーショットとの間の持続時間は、少なくとも持続時間閾値である。
【0097】
幾つかの実施形態によれば、第１のレーザーショットは、第１の層の金属を溶融させ、溶融金属を形成し、持続時間閾値は、溶融金属の凝固時間に基づいており、溶融金属は、第２のレーザーショットの前に凝固する。
【0098】
幾つかの実施形態によれば、第１のレーザーショットの後、及び第２のレーザーショットの前に、第１の面の第１の区分は、第１の表面粗さを有し、第２のレーザーショットの後に、第１の面の第１の区分は、第１の表面粗さ未満の第２の表面粗さを有する。
【0099】
幾つかの実施形態によれば、第１の面の第１の区分を含む第１の面の第２の区分に第１のレーザーパルスを照明し、第１の面の第１の区分を含む第１の面の第３の区分に第２のレーザーパルスを照明し、第１の面の第３の区分を、第１の面の第２の区分からずらし、第３の区分及び第２の区分は、第１の区分で重複する。
【0100】
幾つかの実施形態によれば、方法は、複数のレーザーショットを実行した後に、１つ又は複数の金属層を金属シリサイド層の上に形成するステップと、１つ又は複数の金属層の層をリードフレームに貼着するステップとを含む。
【0101】
幾つかの実施形態によれば、第１の層は、ケイ素を含む。
【0102】
幾つかの実施形態によれば、金属は、ニッケルを含む。
【0103】
幾つかの実施形態によれば、２００ｎｍ未満の厚さを有するように第１の層を形成する。
【0104】
幾つかの実施形態によれば、半導体デバイスを提供する。半導体デバイスは、ＳｉＣ層と、ＳｉＣ層の上の金属シリサイド層であって、金属シリサイド層は、ＳｉＣ層から遠い第１の面、及びＳｉＣ層に近い第２の面を有し、第１の面の表面粗さは、多くても２００ｎｍである金属シリサイド層と、金属シリサイド層の上の１つ又は複数の金属層とを含む。
【0105】
幾つかの実施形態によれば、金属シリサイド層の厚さは、３００ｎｍ未満である。
【0106】
幾つかの実施形態によれば、金属シリサイド層は、ニッケルを含む。
【0107】
幾つかの実施形態によれば、１つ又は複数の金属層の層は、リードフレームに貼着されている。
【0108】
異なる図面に関して記載の実施形態の組み合わせを含む、ここに記載の１つ又は複数の実施形態の組み合わせがここで考えられることが分かる。
【0109】
構造的特徴及び／又は方法論的動作に特有の言語で主題を説明しているけれども、添付の特許請求の範囲に規定の主題は、上述の特定の特徴又は動作に必ずしも限定されるとは限らないものとする。むしろ、上述の特定の特徴及び動作を、特許請求の範囲を実施する形態の例として開示する。
【0110】
「例」としてここに記載の任意の態様又は設計は、他の態様又は設計よりも有利であると必ずしも解釈されるべきであるとは限らない。むしろ、用語「例」の使用は、ここに提示の技法に関連する１つの可能な態様及び／又は実装形態を提示するように意図されている。このような例は、このような技法に必要でなく、又は限定するように意図されていない。このような技法の様々な実施形態は、単独で、又は他の特徴と組み合わせて、このような例を含んでもよく、及び／又は、図示の例を変更及び／又は省略してもよい。
【0111】
この出願で使用されるように、用語「又は（ｏｒ）」は、排他的「又は（ｏｒ）」ではなく、包含的「又は（ｏｒ）」を意味するように意図されている。即ち、特に指定のない限り、又は文脈から明らかでない限り、「ＸはＡ又はＢを使用する（Ｘ ｅｍｐｌｏｙｓ Ａ ｏｒ Ｂ）」は、自然包含的順列の何れかを意味するように意図されている。即ち、ＸはＡを使用する、ＸはＢを使用する、又は、ＸはＡ及びＢを使用する場合、「ＸはＡ又はＢを使用する（Ｘ ｅｍｐｌｏｙｓ Ａ ｏｒ Ｂ）」を、上述の場合の何れかの下で満たす。更に、この出願及び添付の特許請求の範囲で使用されるように、冠詞「１つの（ａ）」及び「１つの（ａｎ）」は一般的に、単数形を対象にするように、特に指定のない限り、又は文脈から明らかでない限り、「１つ又は複数の（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ）」を意味するように解釈される。更に、特に指定のない限り、「第１の（ｆｉｒｓｔ）」、「第２の（ｓｅｃｏｎｄ）」などは、時間的態様、空間的態様、順序付けなどを意味するように意図されていない。むしろ、このような用語は、特徴、要素、項目などに対して、識別子、名前などとして単に使用される。例えば、第１の要素及び第２の要素は一般的に、要素Ａ及び要素Ｂ、又は２つの異なる又は２つの同じ要素又は同一要素に対応する。
【0112】
更に、開示は、１つ又は複数の実装形態に関して図示及び記載されているけれども、この出願及び添付図面の解釈及び理解に基づいて、均等な変更及び修正が、当業者の心に浮かぶ。開示は、このような全修正及び変更を含み、下記の特許請求の範囲によってのみ限定される。特に、上述の構成要素（例えば、要素、資源など）によって実行される様々な機能に関して、このような構成要素を記載するために使用される用語は、開示の実装形態の例に示すここに記載の機能を実行する開示の構造と構造的に同等でなくても、特に指定のない限り、記載の構成要素（例えば、機能的に同等）の指定の機能を実行する任意の構成要素に対応するように意図されている。更に、開示の特定の特徴は、幾つかの実装形態のうち１つだけに関して開示されているけれども、このような特徴を、任意の所与又は特定の用途に対して望ましくて有利であるように、他の実装形態の１つ又は複数の他の特徴と組み合わせてもよい。更に、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｗｉｔｈ）」、又はこれらの変型例を、詳細な説明又は特許請求の範囲で使用する範囲で、このような用語は、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」と同様な方法で包含的であるように意図されている。
【0113】
主題は、例示的な実施形態を参照して説明されているけれども、この説明は、限定する意味で解釈されるように意図されていない。例示的な実施形態の様々な修正及び組み合わせ、及び本開示の他の実施形態は、説明を参照すれば当業者に明らかになるであろう。従って、添付の特許請求の範囲は、任意のこのような修正又は実施形態を含むように意図されている。
【符号の説明】
【0114】
１０２ 半導体層
１０４ 第１の面
１０６ 第２の面
１０８ 厚さ
１１２ 第１の層
１１４ 第１の面
１１６ 第２の面
１１８ 厚さ
１１９ 第１の熱エネルギー
１２０ 金属シリサイド層
１２１ 第２の熱エネルギー
１２２ 第１の面
１２４ 第２の面
１２６ 一部
１２８ 厚さ
１２７ 電気的接触部形成領域
３０２ 幅
３０４ 長さ
３０６ 上面
３２２ ずれ
３２３ 隅部
４０２ 隅部
４０４ 隅部
６０２ 金属シリサイド層
６０４ 面
６０６ 金属層
６０８ 面
６１０ リードフレーム
１０４ 第１の面
１０６ 第２の面
１０８ 厚さ
１１２ 第１の層
１１４ 第１の面
１１６ 第２の面
１１８ 厚さ
１１９ 第１の熱エネルギー
１２０ 金属シリサイド層
１２１ 第２の熱エネルギー
１２２ 第１の面
１２４ 第２の面
１２６ 一部
１２８ 厚さ
１２７ 電気的接触部形成領域
３０２ 幅
３０４ 長さ
３０６ 上面
３２２ ずれ
３２３ 隅部
４０２ 隅部
４０４ 隅部
６０２ 金属シリサイド層
６０４ 面
６０６ 金属層
６０８ 面
６１０ リードフレーム
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【外国語明細書】