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特開2023-154863基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法およびプログラム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023154863
(43)【公開日】2023-10-20
(54)【発明の名称】基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法およびプログラム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20231013BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 644G
H01L21/304 644E
H01L21/304 648G
H01L21/304 621B
H01L21/304 622Q
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022064479
(22)【出願日】2022-04-08
(71)【出願人】
【識別番号】000000239
【氏名又は名称】株式会社荏原製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100146710
【弁理士】
【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男
(74)【代理人】
【識別番号】100186613
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 誠
(72)【発明者】
【氏名】石井 遊
【テーマコード（参考）】
5F057
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F057AA21
5F057DA01
5F057DA39
5F057FA37
5F157AA02
5F157AA96
5F157AB02
5F157AB13
5F157AB33
5F157AB48
5F157AB51
5F157AB62
5F157AB94
5F157BA03
5F157BA07
5F157BA14
5F157BA31
5F157BB02
5F157BB73
5F157BH14
5F157CC03
5F157CD23
5F157CD24
5F157CE07
5F157CE27
5F157CF02
5F157CF42
5F157CF44
5F157CF56
5F157DB02
5F157DB37
(57)【要約】
【課題】洗浄条件を調整して基板を洗浄し、より清浄な基板を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、基板を第１方向に搬送する搬送機構を含み、第１方向に搬送されている基板に、第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行う洗浄モジュールと、基板および洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、上記回転軸の方向、洗浄部材の回転速度、および、基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する制御装置と、を備える。
【選択図】図８
【解決手段】基板洗浄装置は、基板を第１方向に搬送する搬送機構を含み、第１方向に搬送されている基板に、第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行う洗浄モジュールと、基板および洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、上記回転軸の方向、洗浄部材の回転速度、および、基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する制御装置と、を備える。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を第１方向に搬送する搬送機構を含み、前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行う洗浄モジュールと、
前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する制御装置と、を備える基板洗浄装置。
前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する制御装置と、を備える基板洗浄装置。
【請求項2】
前記制御装置は、前記洗浄モジュールによる洗浄の際に、前記基板洗浄装置の部品が正常に動作しているか否かに基づいて、前記洗浄条件を変更する、請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項3】
前記制御装置は、前記搬送機構または前記洗浄部材を駆動するモータの、駆動電流および駆動トルクの少なくとも一つに基づいて、前記洗浄条件を変更する、請求項１または２に記載の基板洗浄装置。
【請求項4】
前記洗浄モジュールは、前記第１方向に搬送されている前記基板の少なくとも一方の面に、異なる複数の前記第２方向に伸びる各回転軸の周りに回転する複数の洗浄部材を当接させて洗浄する、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項5】
前記搬送機構または前記洗浄モジュールは、前記基板の位置を検出する検出器を備え、
前記制御装置は、検出された前記基板の位置に基づいて、前記洗浄条件を変更する、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
前記制御装置は、検出された前記基板の位置に基づいて、前記洗浄条件を変更する、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項6】
前記制御装置は、前記洗浄部材が前記基板に当接を開始する時間より前の所定の時間内に、前記回転軸の方向を前記第２方向に変更する、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項7】
前記制御装置は、前記洗浄部材が前記基板から離間を開始する時間より前の所定の時間内に、前記回転軸の方向を前記第２方向に変更する、請求項１から６のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項8】
前記制御装置は、前記洗浄部材が前記基板から完全に離間したら、前記基板の搬送および前記洗浄部材の回転を逆向きに変更する、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項9】
前記制御装置は、前記逆向きへの変更を、予め定められた回数行う、請求項８に記載の基板洗浄装置。
【請求項10】
前記洗浄部材は、スポンジを含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項11】
前記洗浄部材は、前記基板に当接する面に複数の突起が形成されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項12】
前記洗浄部材は、円筒状である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項13】
前記洗浄モジュールには、第１洗浄部材および第２洗浄部材が配置され、
前記第１洗浄部材は、前記基板の一方の面を洗浄する前記洗浄部材であり、
前記第２洗浄部材は、前記基板の他方の面を洗浄する前記洗浄部材である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
前記第１洗浄部材は、前記基板の一方の面を洗浄する前記洗浄部材であり、
前記第２洗浄部材は、前記基板の他方の面を洗浄する前記洗浄部材である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項14】
前記基板は、角型基板である、請求項１から１３のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項15】
前記第１方向および前記第２方向は前記基板の表面に沿った方向である、請求項１から１４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項16】
請求項１から１５のいずれか一項に記載の基板洗浄装置を備える基板処理装置。
【請求項17】
基板研磨装置と、乾燥モジュールとをさらに備える、請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項18】
基板を第１方向に搬送することと、
前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行うことと、
前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更することと、を備える基板洗浄方法。
前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行うことと、
前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更することと、を備える基板洗浄方法。
【請求項19】
基板を第１方向に搬送する搬送機構を含む洗浄モジュールであって、前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行う洗浄モジュールを備える基板洗浄装置の処理装置に、前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する変更処理を行わせるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイス等の製造のための基板の処理では、洗浄ブラシ等の洗浄部材を基板の表面に接触させ、基板の洗浄が行われる。
【0003】
特許文献１および２では、基板の移動方向と直交する方向に対して傾斜して設けられたブラシにより基板の洗浄を行っている。特許文献３の基板洗浄方法では、送りローラによりウェハを水平方向に往復駆動移動しながら、洗浄液中に浸漬した状態でウェハの両面を洗浄している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第４２８７５５１号公報
【特許文献2】特開２００９－１２８９１０号公報
【特許文献3】特公平０６－０９１９８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上述した基板洗浄方法では、基板に対してブラシの表面が相対的に移動する方向が一定である等の理由により、十分に基板を洗浄することができない可能性がある。
【0006】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、洗浄により、より清浄な基板を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一実施形態によれば、基板洗浄装置は、基板を第１方向に搬送する搬送機構を含み、前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行う洗浄モジュールと、前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する制御装置と、を備える。
【0008】
本発明の別の一実施形態によれば、基板洗浄方法は、基板を第１方向に搬送することと、前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行うことと、前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更することと、を備える。
【0009】
本発明の別の一実施形態によれば、プログラムは、基板を第１方向に搬送する搬送機構を含む洗浄モジュールであって、前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行う洗浄モジュールを備える基板洗浄装置の処理装置に、前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する変更処理を
行わせるためのプログラムである。
行わせるためのプログラムである。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【0012】
図１は、本実施形態に係る基板処理装置１０００の全体構成を模式的に示す平面図である。図１に示される基板処理装置１０００は、ロードモジュール１００、搬送モジュール２００Ａおよび２００Ｂ、研磨モジュール３００Ａおよび３００Ｂ、洗浄モジュール４００、乾燥モジュール５００、アンロードモジュール６００および制御装置９００を有する。基板処理装置１０００の各構成要素は制御装置９００により制御される。本実施形態の基板処理装置１０００は、基板を研磨する基板研磨装置である。しかし、基板処理装置１０００は、洗浄モジュールを備えれば、その処理の種類は特に限定されない。
【0013】
＜ロードモジュール＞
ロードモジュール１００は、研磨等の処理が行われる前の基板ＷＦを基板処理装置１０００内へ導入する。ロードモジュール１００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インターフェース規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成されることが好ましい。なお、後述する洗浄モジュール４００による洗浄を行うことが可能であれば、ロードモジュール１００の構成は特に限定されない。
ロードモジュール１００は、研磨等の処理が行われる前の基板ＷＦを基板処理装置１０００内へ導入する。ロードモジュール１００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インターフェース規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成されることが好ましい。なお、後述する洗浄モジュール４００による洗浄を行うことが可能であれば、ロードモジュール１００の構成は特に限定されない。
【0014】
図２は、ロードモジュール１００における基板搬送機構１０１を模式的に示す斜視図である。ロードモジュール１００は、搬入時に基板ＷＦが通過する入口開口が形成された不図示の筐体を備え、当該筐体の内部に基板搬送機構１０１が配置されている。基板搬送機構１０１は、複数の搬送ローラ２０２と、搬送ローラ２０２が取り付けられる複数のロー
ラシャフト２０４とを有する。図示の実施形態においては、各ローラシャフト２０４には３つの搬送ローラ２０２が取り付けられている。基板ＷＦ（二点鎖線で模式的に示す）は、搬送ローラ２０２上に配置され、搬送ローラ２０２が回転することで基板ＷＦが搬送される。ローラシャフト２０４上の搬送ローラ２０２の取り付け位置は、基板ＷＦを安定的に搬送することができる位置であれば任意とすることができる。ただし、搬送ローラ２０２は基板ＷＦに接触するので、処理対象の基板ＷＦにおける接触しても問題の無い領域に搬送ローラ２０２が接触するように配置すべきである。ロードモジュール１００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーにより構成することができる。搬送ローラ２０２は、ローラシャフト２０４などを介して電気的に接地され得る。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦを損傷することを防止するためである。また、ロードモジュール１００に、基板ＷＦの帯電を防止するためにイオナイザー（図示せず）を設けてもよい。
ラシャフト２０４とを有する。図示の実施形態においては、各ローラシャフト２０４には３つの搬送ローラ２０２が取り付けられている。基板ＷＦ（二点鎖線で模式的に示す）は、搬送ローラ２０２上に配置され、搬送ローラ２０２が回転することで基板ＷＦが搬送される。ローラシャフト２０４上の搬送ローラ２０２の取り付け位置は、基板ＷＦを安定的に搬送することができる位置であれば任意とすることができる。ただし、搬送ローラ２０２は基板ＷＦに接触するので、処理対象の基板ＷＦにおける接触しても問題の無い領域に搬送ローラ２０２が接触するように配置すべきである。ロードモジュール１００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーにより構成することができる。搬送ローラ２０２は、ローラシャフト２０４などを介して電気的に接地され得る。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦを損傷することを防止するためである。また、ロードモジュール１００に、基板ＷＦの帯電を防止するためにイオナイザー（図示せず）を設けてもよい。
【0015】
図３は、処理対象物である基板ＷＦを概略的に示す平面図である。図示の例では、基板ＷＦは略長方形（正方形を含む）の薄い板状の角型基板である。基板ＷＦは、処理面１１にパターン領域１０および非パターン領域２０を備えている。「パターン領域」は、配線や機能性チップなどを備えた領域であり、基板上に形成されるデバイスとして使用される領域であり、デバイスの機能に意味のある配線や機能性チップなどが備えられている。また、「非パターン領域」とは、基板上のデバイスとして使用されない領域である。図示の例では、基板ＷＦは２つのパターン領域１０を備え、それぞれパターン領域１０が非パターン領域２０に囲まれている。また、基板ＷＦは、非パターン領域２０に基板ＷＦのＩＤ情報を含むものとすることができ、たとえば、ＩＤタグ１２などを備えるものとすることができる。基板ＷＦのＩＤは、ロードモジュール１００に配置された不図示のＩＤリーダーで読み取り可能とすることができる。基板ＷＦの処理面１１の裏側の面の態様は特に限定されない。
【0016】
ロードモジュール１００は、図３に示される基板ＷＦのパターン領域１０が形成されている面が下面となるように基板ＷＦを受け入れ、搬送する。そのため、搬送ローラ２０２は、基板ＷＦの非パターン領域２０にのみ接触するように配置されている。具体的には、図２および３に示されるように、搬送ローラ２０２は、基板ＷＦの端部の非パターン領域２０に接触する位置、および基板ＷＦの中央の非パターン領域２０に接触する位置に設けられている。搬送ローラ２０２の位置は、処理対象である基板ＷＦに応じて変更することができる。そのため、図示の実施形態によれば、搬送ローラ２０２のローラシャフト２０４への取り付け位置を変更することで、異なる寸法や異なるパターンを備える基板ＷＦの搬送に用いることができる。角型基板は、円形の半導体基板のように規格により寸法が決まっていないので、基板搬送機構１０１は、わずかな変更で様々な寸法の基板を搬送できるようになるので有利である。
【0017】
図２に示すように、ローラシャフト２０４は、ギア２０６を介してモータ２０８により回転駆動される。モータ２０８は、サーボモータとすることができる。サーボモータを使用することで、ローラシャフト２０４および搬送ローラ２０２の回転速度、つまり基板ＷＦの搬送速度を制御することができる。また、ギア２０６は、マグネットギアとすることができる。マグネットギアは非接触式の動力伝達機構なので、接触式のギアのように摩耗による微粒子の発生が生じず、また、給油などのメンテナンスも不要になる。
【0018】
基板搬送機構１０１は、搬送される基板ＷＦの幅方向に関して基板ＷＦを支持するための複数のガイドローラ２１２を備える。ここで、幅方向は、基板ＷＦが搬送される方向に垂直であり、基板ＷＦの表面に平行な方向である。ガイドローラ２１２は、搬送中の基板ＷＦの側面を支持するように構成される。ガイドローラ２１２の位置は、搬送する基板ＷＦの寸法に応じて変更することができる。図示のガイドローラ２１２は、動力源に接続されておらず、自由に回転可能に構成される。ガイドローラ２１２は、搬送する基板ＷＦの
幅に応じて位置を変更することができるように構成されてもよい。
幅に応じて位置を変更することができるように構成されてもよい。
【0019】
ロードモジュール１００には、入口側および出口側に、補助ローラ２１４が設けられている。補助ローラ２１４は、搬送ローラ２０２と同程度の高さに配置される。補助ローラ２１４の位置は、搬送する基板ＷＦの寸法に応じて変更することができる。補助ローラ２１４は、モジュールと他のモジュールとの間に搬送中の基板ＷＦが落ちないように基板ＷＦを支持する。補助ローラ２１４は、動力源に接続されておらず、自由に回転可能に構成される。また、ロードモジュール１００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するための不図示のセンサを有する。センサにより検知された基板ＷＦの位置に基づいて、基板ＷＦの搬送が制御される。
【0020】
なお、基板ＷＦの種類、大きさおよび形状は特に限定されない。基板ＷＦは、半導体基板、特に、円板形状の基板または角型基板とすることができる。基板ＷＦは、角型基板であることが好ましい。ＣＣＬ基板（Copper Clad Laminate基板）、ＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板、フォトマスク基板およびディスプレイパネル等の四角形の角型基板に対する精度の要求が高まっており、清浄な基板が必要とされている。しかし、角型基板は、通常、搬送される際に、角型基板が回転等せずに洗浄されるため、洗浄部材により一方向からしかこすられず、十分な洗浄ができない場合がある。本実施形態の基板洗浄方法では、角型基板に対しても洗浄部材を複数の方向からこすって清浄な基板を提供することができる。したがって、角型基板は、本実施形態に好ましく適用される。以下の実施形態では、基板ＷＦが角型基板の場合を例に説明する。
【0021】
＜搬送モジュール＞
図１に示される基板処理装置１０００は、２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂを備えている。２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括してそれぞれを搬送モジュール２００として説明する。また、研磨モジュール３００Ａおよび３００Ｂを互いに区別せずにそれぞれを指すときは、研磨モジュール３００と呼ぶ。なお、基板処理装置１０００に含まれる搬送モジュール２００の数は特に限定されず、同一または異なる１以上の搬送モジュール２００を基板処理装置１０００に設置することができる。
図１に示される基板処理装置１０００は、２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂを備えている。２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括してそれぞれを搬送モジュール２００として説明する。また、研磨モジュール３００Ａおよび３００Ｂを互いに区別せずにそれぞれを指すときは、研磨モジュール３００と呼ぶ。なお、基板処理装置１０００に含まれる搬送モジュール２００の数は特に限定されず、同一または異なる１以上の搬送モジュール２００を基板処理装置１０００に設置することができる。
【0022】
図４は、搬送モジュール２００の構成を模式的に示す断面図である。搬送モジュール２００は、基板ＷＦを搬送しつつ、適宜研磨モジュール３００と基板ＷＦの授受を行う。搬送モジュール２００は、筐体２０１内に配置されており、基板ＷＦを搬送するための複数の搬送ローラ２０２を備える。搬送モジュール２００は、搬送ローラ２０２を回転させることで、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを所定の方向に搬送することができる。搬送モジュール２００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから形成されても、導電性のないポリマーから形成されてもよい。搬送ローラ２０２は、ローラシャフト２０４に取り付けられており、ギア２０６を介して、モータ２０８により駆動される。モータ２０８は、搬送速度を制御する観点から、サーボモータとすることができる。ギア２０６は、マグネットギアとすることができる。図示の例では、搬送モジュール２００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するためのセンサ２１６を有する。センサ２１６は任意の形式のセンサとすることができ、たとえば光学式のセンサとすることができる。図示の例では、センサ２１６は搬送モジュール２００に７個（２１６ａ～２１６ｇ）設けられているが、センサ２１６の種類および数等は特に限定されない。制御装置９００（図１）は、これらのセンサ２１６ａ～２１６ｇによる基板ＷＦの検知に応じて、搬送モジュール２００の動作を制御することができる。搬送モジュール２００は、搬送モジュール２００内に基板ＷＦを受け入れるために開閉可能な入口シャッタ２１８を有する。搬送モジュール２００は、搬送モジュール２００から基板ＷＦを搬出するために開閉可能な出口シャッタ２８６を有する。
【0023】
搬送モジュール２００は、ストッパ２２０を有する。ストッパ２２０は、ストッパ移動機構２２２に接続されており、ストッパ２２０は搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの搬送経路内に進入可能である。ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路内に位置しているときは、搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの側面がストッパ２２０に接触し、移動中の基板ＷＦをストッパ２２０の位置で停止させることができる。また、ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路から退避した位置にあるときは、基板ＷＦは、ストッパ２２０に妨げられず搬送ローラ２０２上を移動することができる。ストッパ２２０による基板ＷＦの停止位置は、後述のプッシャ２３０が搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取ることができる位置である。
【0024】
搬送モジュール２００はプッシャ２３０を有する。プッシャ２３０は、複数の搬送ローラ２０２の上にある基板ＷＦを、複数の搬送ローラ２０２から離れるように持ち上げることができるように構成される。またプッシャ２３０は、保持している基板ＷＦを研磨モジュール３００のトップリング３０２に受け渡すことができるように構成される。
【0025】
プッシャ２３０は、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０を備える。第１ステージ２３２は、基板ＷＦをプッシャ２３０からトップリング３０２に受け渡す時に、トップリング３０２の不図示のリテーナ部材を支持するためのステージである。第１ステージ２３２は、トップリング３０２のリテーナ部材を支持するための複数の支持柱２３４を備える。第２ステージ２７０は、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取るためのステージである。第２ステージ２７０は、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取るための複数の支持柱２７２を備える。第１ステージ２３２および第２ステージ２７０は、第１昇降機構により基板ＷＦに垂直な高さ方向に移動可能である。第２ステージ２７０はさらに第２昇降機構により、第１ステージ２３２に対して高さ方向に移動可能である。第１昇降機構および第２昇降機構により、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上昇すると、第１ステージ２３２の支持柱２３４および第２ステージ２７０の支持柱２７２の一部が搬送ローラ２０２およびローラシャフト２０４の間を通って、搬送ローラ２０２よりも高い位置にくる。搬送ローラ２０２上を搬送された基板ＷＦは、ストッパ２２０により停止位置で停止される。その後、第１昇降機構により第１ステージ２３２および第２ステージ２７０を上昇させて、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを第２ステージ２７０の支持柱２７２により持ち上げる。その後、トップリング３０２のリテーナ部材を第１ステージ２３２の支持柱２３４で支持しながら、第２昇降機構で基板ＷＦを保持した第２ステージ２７０を上昇させる。トップリング３０２は、真空吸着により第２ステージ２７０上の基板ＷＦを受け取り保持する。
【0026】
搬送モジュール２００は洗浄部を有する。この洗浄部は洗浄ノズル２８４を有する。洗浄ノズル２８４は、搬送ローラ２０２の上側に配置される上洗浄ノズル２８４ａと、下側に配置される下洗浄ノズル２８４ｂとを有する。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、図示しない洗浄液の供給源に接続される。上洗浄ノズル２８４ａは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの上面に洗浄液を供給するように構成される。下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの下面に洗浄液を供給するように構成される。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの幅と同程度、またはそれ以上の幅を備え、基板ＷＦが搬送ローラ２０２上を搬送されることで、基板ＷＦの全面が洗浄されるように構成される。洗浄部は、プッシャ２３０の基板受け渡し場所である基板ＷＦの停止位置よりも下流側に位置している。
【0027】
搬送モジュール２００は、研磨モジュール３００で研磨された基板ＷＦをトップリング３０２から受け取り、適宜洗浄した後、他の搬送モジュール２００または洗浄モジュール
４００に搬出する。図１の例では、搬送モジュール２００Ａは、ロードモジュール１００から搬入された基板ＷＦを研磨モジュール３００Ａに搬出し、研磨モジュール３００Ａで研磨された基板ＷＦを搬送モジュール２００Ｂに搬出する。また、搬送モジュール２００Ｂは、搬送モジュール２００Ａから搬入された基板ＷＦを研磨モジュール３００Ｂに搬出し、研磨モジュール３００Ｂで研磨された基板ＷＦを洗浄モジュール４００に搬出する。搬送モジュール２００が、基板ＷＦの研磨モジュール３００への搬出および研磨モジュール３００からの搬入ができ、他の搬送モジュール２００または洗浄モジュール４００への搬出ができれば、搬送モジュール２００の構成は特に限定されない。
４００に搬出する。図１の例では、搬送モジュール２００Ａは、ロードモジュール１００から搬入された基板ＷＦを研磨モジュール３００Ａに搬出し、研磨モジュール３００Ａで研磨された基板ＷＦを搬送モジュール２００Ｂに搬出する。また、搬送モジュール２００Ｂは、搬送モジュール２００Ａから搬入された基板ＷＦを研磨モジュール３００Ｂに搬出し、研磨モジュール３００Ｂで研磨された基板ＷＦを洗浄モジュール４００に搬出する。搬送モジュール２００が、基板ＷＦの研磨モジュール３００への搬出および研磨モジュール３００からの搬入ができ、他の搬送モジュール２００または洗浄モジュール４００への搬出ができれば、搬送モジュール２００の構成は特に限定されない。
【0028】
＜研磨モジュール＞
図１に示される基板処理装置１０００は、２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂを備えている。２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括してそれぞれを研磨モジュール３００として説明する。なお、基板処理装置１０００に含まれる研磨モジュール３００の数は特に限定されず、同一または異なる１以上の研磨モジュール３００を基板処理装置１０００に設置することができる。
図１に示される基板処理装置１０００は、２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂを備えている。２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括してそれぞれを研磨モジュール３００として説明する。なお、基板処理装置１０００に含まれる研磨モジュール３００の数は特に限定されず、同一または異なる１以上の研磨モジュール３００を基板処理装置１０００に設置することができる。
【0029】
図５に示されるように、研磨モジュール３００は、研磨テーブル３５０と、トップリング３０２と、を備える。研磨テーブル３５０は、テーブルシャフト３５１に支持される。研磨テーブル３５０は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＣで示すように、テーブルシャフト３５１の軸心周りに回転するようになっている。研磨テーブル３５０には、研磨パッド３５２が貼り付けられる。トップリング３０２は、基板ＷＦを保持して研磨パッド３５２に押圧する。
【0030】
研磨モジュール３００は、研磨パッド３５２に研磨液又はドレッシング液を供給するための研磨液供給ノズル３５４を備える。研磨液は、例えば、スラリである。ドレッシング液は、例えば、純水である。また、研磨テーブル３５０およびテーブルシャフト３５１には、研磨液を供給するための通路３５３が設けられている。通路３５３は、研磨テーブル３５０の表面の開口部３５５に連通している。研磨テーブル３５０の開口部３５５に対応する位置において研磨パッド３５２は貫通孔３５７が形成されており、通路３５３を通る研磨液は、研磨テーブル３５０の開口部３５５および研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の表面に供給される。また、研磨モジュール３００は、研磨パッド３５２のコンディショニングを行うためのドレッサ３５６を備える。また、研磨モジュール３００は、液体、又は、液体と気体との混合流体、を研磨パッド３５２に向けて噴射するためのアトマイザ３５８を備える。アトマイザ３５８から噴射される液体は、例えば、純水であり、気体は、例えば、窒素ガスである。
【0031】
トップリング３０２は、トップリングシャフト３０４によって支持される。トップリング３０２は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＢで示すように、トップリングシャフト３０４の軸心周りに回転するようになっている。また、トップリングシャフト３０４は、図示しない駆動機構により、上下方向に移動可能である。
【0032】
基板ＷＦは、トップリング３０２の研磨パッド３５２と対向する面に真空吸着によって保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３５４から、および／または研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の研磨面に研磨液が供給される。また、研磨時には、研磨テーブル３５０及びトップリング３０２が回転駆動される。基板ＷＦは、トップリング３０２によって研磨パッド３５２の研磨面に押圧されることによって研磨される。
【0033】
図５に示されるように、トップリングシャフト３０４は、アーム３６０に連結されており、アーム３６０は、回転軸３６２を中心に揺動可能である。基板ＷＦの研磨中に、トッ
プリング３０２が研磨パッド３５２の中心を通過するように、アーム３６０を固定あるいは揺動させてもよい。また、基板ＷＦの研磨中に、基板ＷＦが研磨パッド３５２の貫通孔３５７を覆うようにアーム３６０を固定または揺動させてもよい。図１に示されるように、揺動可能なアーム３６０により、トップリング３０２は、搬送モジュール２００の方へ移動可能である。トップリング３０２が、搬送モジュール２００の基板受け渡し場所に移動することで、トップリング３０２は、プッシャ２３０から基板ＷＦを受け取ることができる。また、研磨モジュール３００での基板ＷＦの研磨後に、トップリング３０２からプッシャ２３０に基板ＷＦを受け渡すことができる。
プリング３０２が研磨パッド３５２の中心を通過するように、アーム３６０を固定あるいは揺動させてもよい。また、基板ＷＦの研磨中に、基板ＷＦが研磨パッド３５２の貫通孔３５７を覆うようにアーム３６０を固定または揺動させてもよい。図１に示されるように、揺動可能なアーム３６０により、トップリング３０２は、搬送モジュール２００の方へ移動可能である。トップリング３０２が、搬送モジュール２００の基板受け渡し場所に移動することで、トップリング３０２は、プッシャ２３０から基板ＷＦを受け取ることができる。また、研磨モジュール３００での基板ＷＦの研磨後に、トップリング３０２からプッシャ２３０に基板ＷＦを受け渡すことができる。
【0034】
なお、基板ＷＦの研磨または研削を行うことができれば研磨モジュール３００の構成は特に限定されない。例えば、研磨テープまたは固定砥粒定盤等を用いて研磨または研削を行ってもよい。また、上記の例では基板ＷＦが鉛直方向下側に向くフェースダウン式の研磨を行っているが、基板ＷＦが鉛直方向上側に向くフェースアップ式の研磨を行ってもよい。
【0035】
＜洗浄モジュール＞
本実施形態の基板処理装置１０００は、搬送モジュール２００の洗浄機構（上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂ）によって洗浄しきれないスラリなどの残渣を基板ＷＦから除去するために洗浄モジュール４００を備える。図６は、洗浄モジュール４００を模式的に示す平面図である。なお、洗浄モジュール４００および制御装置９００は、基板洗浄装置として独立に構成することができる。
本実施形態の基板処理装置１０００は、搬送モジュール２００の洗浄機構（上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂ）によって洗浄しきれないスラリなどの残渣を基板ＷＦから除去するために洗浄モジュール４００を備える。図６は、洗浄モジュール４００を模式的に示す平面図である。なお、洗浄モジュール４００および制御装置９００は、基板洗浄装置として独立に構成することができる。
【0036】
洗浄モジュール４００には、研磨モジュール３００によって研磨された基板ＷＦが処理面１１（図３）を下方に向けた状態で入口シャッタ４１０を介して搬入される。洗浄モジュール４００は、搬送ローラ２０２およびローラシャフト２０４を備え、被研磨面を下に向けた状態の基板ＷＦを直線状の搬送路４０５に沿って搬送するための搬送機構２０００を備える。搬送機構２０００には、基板ＷＦを移載機４２０に受け渡す位置（基板受け渡し位置Ｐ１０）を除き、搬送ローラ２０２の鉛直方向上側に上搬送ローラ２９０（図７）が配置されている。
【0037】
洗浄モジュール４００の搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０は、導電性ポリマーから構成することができる。搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０は、ローラシャフト２０４および上搬送ローラシャフト２９１（図７）などを介して電気的に接地される。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦを損傷することを防止するためである。搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０は、搬送モジュール２００において説明したものと同様にギア２０６およびモータ２０８により駆動されるので、構造および駆動機構の詳細な説明を省略する。
【0038】
洗浄モジュール４００は、搬送路４０５と直交する方向に搬送路４０５から離れた位置に配置された超音波洗浄槽４４０を備える。超音波洗浄槽４４０は、処理面１１を下方に向けた状態の基板ＷＦを洗浄するための洗浄槽である。超音波洗浄槽４４０は、超音波洗浄槽４４０内に収容された洗浄液に浸漬された基板ＷＦに対して超音波を印加するための超音波照射器４４２を含む。超音波洗浄槽４４０は、超音波照射器４４２から超音波を照射することによって基板ＷＦの処理面１１および裏面に付着したスラリなどの残渣を洗浄することができる。
【0039】
洗浄モジュール４００は、搬送路４０５上の基板受け渡し位置Ｐ１０にある基板ＷＦを超音波洗浄槽４４０に移載し、超音波洗浄槽４４０で洗浄された基板ＷＦを搬送路４０５上に移載するための移載機４２０を備える。移載機４２０は、搬送路４０５の上方にある搬送位置Ｐ１と、超音波洗浄槽４４０の上方にある洗浄位置Ｐ２との間を移動可能に構成
されている。移載機４２０は、搬送位置Ｐ１において、搬送路上の基板ＷＦを把持し、洗浄位置Ｐ２において基板ＷＦを把持したまま下降させ、超音波洗浄槽４４０内の洗浄液に浸漬する。超音波洗浄槽４４０で基板ＷＦの洗浄が行われた後は、移載機４２０は基板ＷＦを把持したまま搬送位置Ｐ１に移動し、搬送路４０５上に基板ＷＦを解放する。なお、洗浄モジュール４００は、複数の超音波洗浄槽４４０を含んでいてもよい。これにより、使用できる洗浄液の種類を増やすことができるので基板ＷＦに付着した種々の残渣に対応でき、また、洗浄モジュール４００のスループットを向上させることができる。
されている。移載機４２０は、搬送位置Ｐ１において、搬送路上の基板ＷＦを把持し、洗浄位置Ｐ２において基板ＷＦを把持したまま下降させ、超音波洗浄槽４４０内の洗浄液に浸漬する。超音波洗浄槽４４０で基板ＷＦの洗浄が行われた後は、移載機４２０は基板ＷＦを把持したまま搬送位置Ｐ１に移動し、搬送路４０５上に基板ＷＦを解放する。なお、洗浄モジュール４００は、複数の超音波洗浄槽４４０を含んでいてもよい。これにより、使用できる洗浄液の種類を増やすことができるので基板ＷＦに付着した種々の残渣に対応でき、また、洗浄モジュール４００のスループットを向上させることができる。
【0040】
図６に示すように、洗浄モジュール４００は、搬送路４０５の基板受け渡し位置Ｐ１０よりも基板搬送下流側に配置された２つのスクラブ洗浄機構４５０Ａ、４５０Ｂを含む。２つのスクラブ洗浄機構４５０Ａ、４５０Ｂは同様の構成とすることができるので、以下において、一括してそれぞれをスクラブ洗浄機構４５０として説明する。スクラブ洗浄機構４５０は、洗浄部材を基板ＷＦに当接させてこすることにより基板ＷＦを洗浄するスクラブ洗浄を行う。なお、基板処理装置１０００に含まれるスクラブ洗浄機構４５０の数は特に限定されず、同一または異なる１以上のスクラブ洗浄機構４５０を基板処理装置１０００に設置することができる。
【0041】
図７は、スクラブ洗浄機構４５０を模式的に示す側面図である。以下では、基板ＷＦが搬送される方向を搬送方向（矢印ＡＥで模式的に示す）、洗浄部材４５１の回転軸ＡＸ１、ＡＸ２の方向を軸方向と呼ぶ。搬送方向および軸方向は、それぞれ第１方向および第２方向と適宜呼ぶ。より確実に清浄な基板ＷＦを提供する観点から、搬送方向および軸方向は、基板ＷＦの表面に沿った方向であることが好ましく、基板ＷＦの表面に略平行な方向であることがより好ましく、基板ＷＦの表面に平行な方向であることがさらに好ましい。基板ＷＦは、ローラシャフト２０４に取り付けられた搬送ローラ２０２と、上搬送ローラシャフト２９１に取り付けられた上搬送ローラ２９０との間を搬送方向に沿って搬送される。基板ＷＦは、搬送ローラ２０２または上搬送ローラ２９０の回転（矢印ＡＤ）により搬送方向に駆動される。スクラブ洗浄機構４５０は、搬送方向に搬送されている基板ＷＦに、基板ＷＦの処理面１１に沿って搬送方向と垂直でない軸方向に伸びる回転軸ＡＸ１およびＡＸ２の周りにそれぞれ回転する洗浄部材４５１－１および４５１－２を当接させて洗浄を行う。洗浄部材４５１－１および４５１－２は、基板ＷＦの表面を回転しながらスクラブ洗浄を行うロール洗浄部材とすることができる。
【0042】
スクラブ洗浄機構４５０は、搬送機構２０００によって搬送される基板ＷＦの処理面１１に接触して不図示の回転機構により所定の回転数で回転（矢印ＡＲ１１で模式的に示す）する第１洗浄部材４５１－１と、ロードセル４５９－１を介して第１洗浄部材４５１－１を昇降させる（矢印ＡＲ１２で模式的に示す）ための昇降機構４５３－１と、を含む。また、スクラブ洗浄機構４５０は、搬送機構２０００によって搬送される基板ＷＦの裏面に接触して不図示の回転機構により所定の回転数で回転（矢印ＡＲ２１で模式的に示す）する第２洗浄部材４５１－２と、第２洗浄部材４５１－２を保持するためのロールホルダ４５４と、を含む。さらに、スクラブ洗浄機構４５０は、ロールホルダ４５４に取り付けられたロードセル４５９－２を介して第２洗浄部材４５１－２を昇降させる（矢印ＡＲ２２で模式的に示す）ための昇降機構４５３－２と、第２洗浄部材４５１－２を搬送路４０５と平行に伸びるシャフト４５２に沿って駆動する（矢印ＡＲ２３で模式的に示す）ための水平駆動機構４５７と、を含む。第１洗浄部材４５１－１と第２洗浄部材４５１－２は、搬送機構２０００を挟んで対向して配置される。昇降機構４５３－１および４５３－２、ならびに水平駆動機構４５７は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。昇降機構４５３－１および４５３－２は、それぞれ第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２を基板ＷＦに対して上下対称に昇降させてもよいし、個別に昇降させることもできる。以下では、昇降機構４５３－１および４５３－２を区別せずそれぞれを指すときは、昇降機構４５３と呼ぶ。なお、第１洗浄部材４５１－１についても
水平駆動機構を配置して基板ＷＦに沿った方向に移動可能にしてもよい。または、１つの水平駆動機構４５７により第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の両方を基板ＷＦに沿った方向に移動可能にしてもよい。所望の回転軸角度θ（後述）を有する洗浄部材を基板ＷＦに当接および離間できれば、洗浄部材は適宜移動可能にすることができる。
水平駆動機構を配置して基板ＷＦに沿った方向に移動可能にしてもよい。または、１つの水平駆動機構４５７により第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の両方を基板ＷＦに沿った方向に移動可能にしてもよい。所望の回転軸角度θ（後述）を有する洗浄部材を基板ＷＦに当接および離間できれば、洗浄部材は適宜移動可能にすることができる。
【0043】
第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２は、所定の方向に伸びる回転軸ＡＸ１およびＡＸ２の周りに回転し、基板ＷＦに当接して基板ＷＦを洗浄することができればその態様は特に限定されない。第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２は、回転により基板ＷＦを効率よくこする観点から、円筒状であることが好ましい。同様の観点から、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２は、軸方向に伸びるスポンジまたはブラシが好ましく、円筒状のスポンジまたはブラシがより好ましい。スポンジは柔軟性、弾力性または吸水性等が優れており、特に好ましい。以下では、第１洗浄部材４５１－１と第２洗浄部材４５１－２とを区別せずにそれぞれを指すときは、洗浄部材４５１と適宜呼ぶ。第１洗浄部材４５１－１の回転軸ＡＸ１と第２洗浄部材４５１－２の回転軸ＡＸ２とを区別せずにそれぞれを指すときは、回転軸ＡＸと適宜呼ぶ。各洗浄部材４５１は円筒状の内周面を有し、当該内周面が、回転軸ＡＸを回転中心線とする不図示の円柱状のコア部材の外周面に取り付けられ、洗浄部材４５１がコア部材と一体として回転する構成とすることができる。
【0044】
スクラブ洗浄機構４５０は、第１センサ４２１６Ａおよび第２センサ４２１６Ｂを備える。第１センサ４２１６Ａおよび第２センサ４２１６Ｂは、基板ＷＦの位置を検出する。基板ＷＦを検出することができれば第１センサ４２１６Ａおよび第２センサ４２１６Ｂの種類は特に限定されず、光学式のセンサ等とすることができる。第１センサ４２１６Ａおよび第２センサ４２１６Ｂが基板ＷＦを検出して生成した検出信号は、制御装置９００に送信され解析される。あるいは、第１センサ４２１６Ａおよび第２センサ４２１６Ｂにおいて検出信号を解析してデータを生成し、制御装置９００に送信してもよい。
【0045】
ロードセル４５９－１は、昇降機構４５３－１によって第１洗浄部材４５１－１を基板ＷＦに対して押圧する力を測定する測定器である。ロードセル４５９－２は、昇降機構４５３－２によって第２洗浄部材４５１－２を基板ＷＦに対して押圧する力を測定する測定器である。第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２を個別に昇降させる場合、スクラブ洗浄機構４５０は、ロードセル４５９－１の測定値に基づいて第１洗浄部材４５１－１の基板ＷＦに対する押圧力を閉ループ制御するように構成される。同様に第２洗浄部材４５１－２はロードセル４５９－２の測定値に基づいて閉ループ制御される。例えば、スクラブ洗浄機構４５０は、ロードセル４５９－１およびロードセル４５９－２の測定値が予め設定された指定値となるように第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の位置制御を行うことができる。また、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２を基板ＷＦに対して上下対称に昇降させる場合、スクラブ洗浄機構４５０は閉ループ制御に用いる測定値としてロードセル４５９－１を参照しても良いし、ロードセル４５９－２を参照しても良い。ただし、ロードセル４５９－１とロードセル４５９－２のどちらか一方を参照すると、基板ＷＦが反り等によって第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の一方に片当たりしている状況を検知できない可能性がある。例えばロードセル４５９－２の測定値に基づいて閉ループ制御を行った場合、基板ＷＦが第１洗浄部材４５１－１に接触しておらず、基板ＷＦの上面を洗浄できていなくても、スクラブ洗浄機構４５０はこれを検知できない。そこで、スクラブ洗浄機構４５０は、ロードセル４５９－１の測定値とロードセル４５９－２の測定値の平均値に基づいて第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の位置制御を行うことができる。この場合、基板ＷＦが片当たりすると、ロードセル４５９－１とロードセル４５９－２のどちらか一方の測定値が０となり、これらの平均値も半減する。するとスクラブ洗浄機構４５０
は、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２を基板ＷＦに接近させることで押圧力を増大させようと制御する。結果として基板ＷＦが片当たりしている状況から復帰でき、スクラブ洗浄機構４５０は基板ＷＦの上下両面を洗浄できる。また、スクラブ洗浄機構４５０は、ロードセル４５９－１およびロードセル４５９－２の測定値と予め設定された指定値との差が閾値を超えたら第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の位置のフィードバック制御を行うことができる。これは、ロードセル４５９－１およびロードセル４５９－２の測定値と予め設定された指定値との差が小さいのにフィードバック制御を行うとハンチングする可能性があるためである。また、ロードセル４５９－１およびロードセル４５９－２の測定値には、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の段差および基板ＷＦの振動などがノイズとして乗ることも考えられるので、スクラブ洗浄機構４５０は、測定値の移動平均を求めて位置制御に用いることもできる。
は、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２を基板ＷＦに接近させることで押圧力を増大させようと制御する。結果として基板ＷＦが片当たりしている状況から復帰でき、スクラブ洗浄機構４５０は基板ＷＦの上下両面を洗浄できる。また、スクラブ洗浄機構４５０は、ロードセル４５９－１およびロードセル４５９－２の測定値と予め設定された指定値との差が閾値を超えたら第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の位置のフィードバック制御を行うことができる。これは、ロードセル４５９－１およびロードセル４５９－２の測定値と予め設定された指定値との差が小さいのにフィードバック制御を行うとハンチングする可能性があるためである。また、ロードセル４５９－１およびロードセル４５９－２の測定値には、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の段差および基板ＷＦの振動などがノイズとして乗ることも考えられるので、スクラブ洗浄機構４５０は、測定値の移動平均を求めて位置制御に用いることもできる。
【0046】
スクラブ洗浄機構４５０は、第１洗浄部材４５１－１を用いて基板ＷＦを洗浄する際に、洗浄液を基板ＷＦの被研磨面に噴射するための複数の第１洗浄ノズル４５６－１を含む。また、スクラブ洗浄機構４５０は、第２洗浄部材４５１－２を用いて基板ＷＦを洗浄する際に、洗浄液を基板ＷＦの裏面に噴射するための複数の第２洗浄ノズル４５６－２を含む。なお、第１洗浄ノズル４５６－１および第２洗浄ノズル４５６－２から洗浄液を供給する構成に加えて、洗浄液やリンス液を、洗浄部材４５１の内側に配置された前述のコア部材の液通路を介して洗浄部材４５１内を通過させ、洗浄部材４５１の外周面から供給してもよい。
【0047】
また、スクラブ洗浄機構４５０は、第１洗浄部材４５１－１に接触して第１洗浄部材４５１－１を洗浄するための不図示のクリーニング機構を含んでもよい。クリーニング機構は、一例では、第１洗浄部材４５１－１と接触することによって第１洗浄部材４５１－１に付着したゴミなどの汚れを落とすための石英板で構成することができるが、これに限定されない。第２洗浄部材４５１－２についても、同様にクリーニング機構を設置することができる。
【0048】
第１洗浄部材４５１－１の回転軸ＡＸ１の方向は、可変である。第１洗浄部材４５１－１は、基板ＷＦの処理面１１に垂直な軸の周りに回転可能に構成されている（矢印ＡＲ１３で模式的に示す）。第１洗浄部材４５１－１は、サーボ機構等の不図示の回転機構により回転し、回転軸ＡＸ１が連続的または離散的な複数の方向のいずれかに変更可能に構成されている。例えば、第１洗浄部材４５１－１は、基板ＷＦの処理面１１に垂直な中心軸を有する第１シャフト４５８－１が中心軸のまわりに回転し得る。後述する制御装置９００の洗浄制御部９５２の制御により、回転軸ＡＸ１の方向は変更される。
【0049】
第２洗浄部材４５１－２の回転軸ＡＸ２の方向は、可変である。第２洗浄部材４５１－２は、基板ＷＦの処理面１１に垂直な軸の周りに回転可能に構成されている（矢印ＡＲ２４で模式的に示す）。第２洗浄部材４５１－２は、サーボ機構等の不図示の回転機構により回転し、回転軸ＡＸ２が連続的または離散的な複数の方向のいずれかに変更可能に構成されている。例えば、第２洗浄部材４５１－２は、基板ＷＦの処理面１１に垂直な中心軸を有する第２シャフト４５８－２が中心軸のまわりに回転し得る。後述する制御装置９００の洗浄制御部９５２の制御により、回転軸ＡＸ２の方向は変更される。
【0050】
図８は、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２と基板ＷＦとを模式的に示す概念図である。図８の矩形Ｒ１で囲まれていない部分には、第１洗浄部材４５１－１、第２洗浄部材４５１－２および基板ＷＦを模式的に示す平面図を示した。矩形Ｒ１で囲まれた部分には、矢印ＡＲ３０の方向から見た、第１洗浄部材４５１－１、第２洗浄部材４５１－２および基板ＷＦを模式的に示す側面図を示した。
【0051】
第２洗浄部材４５１－２の回転軸ＡＸ２は、基板ＷＦに沿った平面上で、搬送方向（矢印ＡＥ）に垂直な線ＷＬとθの角度をなしている。この角度を回転軸角度θとする。回転軸角度θは、０度以上３６０度未満の範囲で定義される。以下では、第１洗浄部材４５１－１の回転軸ＡＸ１と第２洗浄部材４５１－２の回転軸ＡＸ２が、共に搬送方向に垂直な方向に対し同一の回転軸角度θをなすものとして説明する。回転軸角度θは複数の角度に変更可能であるが、少なくとも搬送方向に垂直でない一方向に設定することが可能となっている。また、基板ＷＦを効率よくスクラブ洗浄する観点から、回転軸角度θは搬送方向に垂直でも平行でもない方向に設定することが可能となっていることが好ましい。同様の観点から、回転軸角度θは１度から４５度、１３５度から１７９度、１８１度から２２５度または３１５度から３５９度の間が好ましく、５度から４５度、１３５度から１７５度、１８５度から２２５度または３１５度から３５５度の間がより好ましく、以下において０度でなく１８０度でもない角度に回転軸角度θを設定する場合も同様である。なお、第１洗浄部材４５１－１の回転軸角度と、第２洗浄部材４５１－２の回転軸角度とを、異なる角度とし、それぞれの回転軸角度を独立に制御してもよい。
【0052】
本実施形態では、制御装置９００の制御により、回転軸角度θで定まる回転軸ＡＸ１およびＡＸ２の方向、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２の回転速度、および、基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する。
【0053】
以下の実施形態では、洗浄部材４５１について「回転速度」と記載したときは、特に断りがない限り、回転軸ＡＸの周りの回転についての回転速度を指す。洗浄部材４５１の「回転軸角度θを変更する」または「回転軸ＡＸの方向を変更する」と記載した場合には、回転軸ＡＸにおける、基板ＷＦの処理面１１に沿った成分と、基板ＷＦの幅方向（搬送方向と垂直な方向）とがなす角度が少なくとも変更される。回転軸角度θを変更する場合は、基板ＷＦに沿って洗浄部材４５１を移動させてもよいし、一旦洗浄部材４５１を一定の高さまで上昇させた後、洗浄部材４５１を基板ＷＦに垂直な軸の周りに回転させ、再度基板ＷＦに当接させてもよい。回転軸角度θが変更できれば、途中の動作は特に限定されない。
【0054】
図９は、基板ＷＦの表面における洗浄部材４５１による洗浄の効率を説明するための概念図である。以下では、洗浄部材４５１が一回転する間に、洗浄部材４５１の表面のある点が基板ＷＦをこする長さをこすり長さ、こする方向をこすり方向と呼ぶ。洗浄の効率を高めるためには、こすり長さがより長く、複数のこすり方向から基板ＷＦをこすることが望ましい。
【0055】
洗浄部材４５１を円筒形状のスポンジとし、回転軸ＡＸに垂直な横断面の直径をＤとする。スポンジのうち、基板ＷＦとの接触により径方向に押し込まれている最大の長さを押し込み長さｄとする。スポンジにおいて回転軸ＡＸと垂直で基板ＷＦに沿った方向に基板ＷＦと接触する幅をＬｓとする。当該幅の両側の点をそれぞれ点Ｐおよび点Ｑとする。回転軸ＡＸを中心に、点Ｐから点Ｑまでの基板ＷＦに接触している部分に対応する中心角の２分の１をφとする。搬送方向に平行にＸ軸をとり、基板ＷＦにおける洗浄する面に垂直にＺ軸をとり（矢印ＡＺ参照）、Ｘ軸およびＺ軸に垂直にＹ軸をとる。基板の搬送速度をｖとする。スポンジの回転速度をＲとする。
【0056】
このとき、スポンジが一回転する間の、基板上におけるスポンジ表面のある点（例えばＰ）の移動量Ｌを、ＸＹ座標によりＬ（Ｌｘ，Ｌｙ）と表す。すると、移動量ＬのＸ成分Ｌｘは、スポンジの回転が寄与する移動量のＸ成分Ｌｓｘと、基板ＷＦの移動が寄与する移動量のＸ成分Ｌｖとの和になる。移動量ＬのＹ成分Ｌｙは、スポンジの回転が寄与する移動量のＹ成分Ｌｓｙとなる。したがって、以下の式（１）（２）のように記述される。
以下の式（１）～（９）では、スポンジ回転速度Ｒは１分間当たりの回転数であり、他の変数はＭＫＳＡ単位系で示される。
Ｌｘ＝Ｌｓｘ＋Ｌｖ …（１）
Ｌｙ＝Ｌｓｙ …（２）
以下の式（１）～（９）では、スポンジ回転速度Ｒは１分間当たりの回転数であり、他の変数はＭＫＳＡ単位系で示される。
Ｌｘ＝Ｌｓｘ＋Ｌｖ …（１）
Ｌｙ＝Ｌｓｙ …（２）
【0057】
ここで、ＬｓｘおよびＬｓｙは、幅Ｌｓ（図９）に対応するベクトルのＸ成分およびＹ成分である。幅Ｌｓは、スポンジの横断面の直径Ｄと押し込み長さｄから、以下の式（３）により算出される。したがって、ＬｓｘおよびＬｓｙは、以下の式（４）および（５）により算出される。スポンジが一回転する間の、基板ＷＦの移動が寄与する移動量のＸ成分Ｌｖは、搬送速度ｖ、角度φおよびスポンジ回転速度Ｒを用いて、以下の式（６）により算出される。角度φは、スポンジの横断面の直径Ｄと押し込み長さｄから、以下の式（７）により算出される。
Ｌｓ＝２（（Ｄ／２）２－（Ｄ／２－ｄ）２）０．５＝２（（Ｄ－ｄ）×ｄ）０．５ …（３）
Ｌｓｘ＝Ｌｓ×ｃｏｓθ …（４）
Ｌｓｙ＝Ｌｓ×ｓｉｎθ …（５）
Ｌｖ＝ｖ×（２φ）／（２πＲ／６０） …（６）
φ＝ｃｏｓ－１（１－ｄ／（Ｄ／２）） …（７）
Ｌｓ＝２（（Ｄ／２）２－（Ｄ／２－ｄ）２）０．５＝２（（Ｄ－ｄ）×ｄ）０．５ …（３）
Ｌｓｘ＝Ｌｓ×ｃｏｓθ …（４）
Ｌｓｙ＝Ｌｓ×ｓｉｎθ …（５）
Ｌｖ＝ｖ×（２φ）／（２πＲ／６０） …（６）
φ＝ｃｏｓ－１（１－ｄ／（Ｄ／２）） …（７）
【0058】
上述の式（１）（２）に、式（３）～（７）を適用すると、ＬｘおよびＬｙは、以下の式（８）および（９）により算出されることが導出できる。
Ｌｘ＝２（（Ｄ－ｄ）×ｄ）０．５ ×ｃｏｓθ＋６０ｖ／（πＲ）×ｃｏｓ－１（１－ｄ／（Ｄ／２）） …（８）
Ｌｙ＝２（（Ｄ－ｄ）×ｄ）０．５ ×ｓｉｎθ …（９）
Ｌｘ＝２（（Ｄ－ｄ）×ｄ）０．５ ×ｃｏｓθ＋６０ｖ／（πＲ）×ｃｏｓ－１（１－ｄ／（Ｄ／２）） …（８）
Ｌｙ＝２（（Ｄ－ｄ）×ｄ）０．５ ×ｓｉｎθ …（９）
【0059】
式（８）および（９）から、洗浄部材４５１の回転軸角度θ、洗浄部材４５１の回転速度Ｒまたは基板ＷＦの搬送速度ｖを変更することで、ＬｘとＬｙの比が変化することから、洗浄部材４５１の各部分が基板ＷＦをこする方向（こすり方向）が変化することがわかる。したがって、本実施形態では、洗浄部材４５１が、複数のこすり方向から基板ＷＦをこすることで、より清浄な基板ＷＦを提供することができる。
【0060】
なお、上記では、第１洗浄部材４５１－１の回転軸角度θと第２洗浄部材４５１－２の回転軸角度θが同一として説明した。この場合、第１洗浄部材４５１－１と第２洗浄部材４５１－２が基板ＷＦを挟んで対向して配置されていると、基板ＷＦに平行な面（ＸＹ平面）で同じ位置に力がかかる。したがって、モーメントが発生せず、安定的に洗浄を行うことができるため好ましい。しかし、スクラブ洗浄機構４５０は、同一または異なる回転軸角度θを有する任意の個数の洗浄部材４５１を用いてスクラブ洗浄を行うことができる。
【0061】
図１および図６に示すように、洗浄モジュール４００は、搬送路４０５のスクラブ洗浄機構４５０よりも基板搬送下流側に配置されたリンス洗浄機構４６０を含む。リンス洗浄機構４６０は、スクラブ洗浄機構４５０によって洗浄された基板ＷＦの処理面１１にリンス液（例えば純水）を供給するための不図示のリンス液供給ノズルを含む。基板ＷＦはリンス洗浄機構４６０によってリンス液で洗浄される。リンス洗浄機構４６０によって洗浄された基板ＷＦは図６に示す出口シャッタ４７０を介して洗浄モジュール４００から搬出され、乾燥モジュール５００に搬入される。なお、本実施形態では、超音波洗浄槽４４０による超音波洗浄、およびスクラブ洗浄機構４５０によるスクラブ洗浄の両方を基板ＷＦに対して行った後にリンス洗浄機構４６０によるリンス洗浄を行う例を示したが、これに限定されない。洗浄モジュール４００は、基板ＷＦの材質、基板ＷＦに付着した汚れの種類、または基板ＷＦの大きさなどに応じて、超音波洗浄およびリンス洗浄の少なくとも一
つを省略してもよい。また、超音波洗浄槽４４０およびスクラブ洗浄機構４５０は、薬液を供給するシステムを含んでいてもよい。これにより、物理的洗浄方法と化学的洗浄方法の両方を使用できる洗浄モジュール４００を実現することができる。
つを省略してもよい。また、超音波洗浄槽４４０およびスクラブ洗浄機構４５０は、薬液を供給するシステムを含んでいてもよい。これにより、物理的洗浄方法と化学的洗浄方法の両方を使用できる洗浄モジュール４００を実現することができる。
【0062】
＜乾燥モジュール＞
図１に戻って、乾燥モジュール５００は、基板ＷＦを乾燥させるための装置である。図示の基板処理装置１０００においては、乾燥モジュール５００は、洗浄モジュール４００で洗浄された基板ＷＦを乾燥させる。乾燥モジュール５００は、洗浄モジュール４００の下流に配置される。
図１に戻って、乾燥モジュール５００は、基板ＷＦを乾燥させるための装置である。図示の基板処理装置１０００においては、乾燥モジュール５００は、洗浄モジュール４００で洗浄された基板ＷＦを乾燥させる。乾燥モジュール５００は、洗浄モジュール４００の下流に配置される。
【0063】
乾燥モジュール５００は、基板ＷＦに向けてガスを噴射するためのノズル５３０を備える。このガスは、圧縮された空気または窒素とすることができる。乾燥モジュール５００では、ローラシャフト２０４に取り付けられた搬送ローラ２０２により基板ＷＦが搬送される。この搬送の間に、基板ＷＦに向けてノズル５３０からガスが噴射されて基板ＷＦが乾燥に供される。乾燥モジュール５００から搬出された基板ＷＦは、アンロードモジュール６００に搬入される。なお、乾燥モジュール５００は、所望の程度に基板ＷＦを乾燥させることができれば、その構成は特に限定されない。
【0064】
＜アンロードモジュール＞
アンロードモジュール６００は、研磨および洗浄などの処理が行われた後の基板ＷＦを基板処理装置１０００の外へ搬出するためのユニットである。アンロードモジュール６００では、ローラシャフト２０４に取り付けられた搬送ローラ２０２により基板ＷＦが搬送される。アンロードモジュール６００は、不図示のセンサを備え、当該センサにより基板ＷＦを検知すると、基板ＷＦを基板処理装置１０００の外部に搬出する構成とすることができる。なお、アンロードモジュール６００は、基板ＷＦを基板処理装置１０００の外部へと搬出することができれば、その態様は特に限定されない。
アンロードモジュール６００は、研磨および洗浄などの処理が行われた後の基板ＷＦを基板処理装置１０００の外へ搬出するためのユニットである。アンロードモジュール６００では、ローラシャフト２０４に取り付けられた搬送ローラ２０２により基板ＷＦが搬送される。アンロードモジュール６００は、不図示のセンサを備え、当該センサにより基板ＷＦを検知すると、基板ＷＦを基板処理装置１０００の外部に搬出する構成とすることができる。なお、アンロードモジュール６００は、基板ＷＦを基板処理装置１０００の外部へと搬出することができれば、その態様は特に限定されない。
【0065】
＜制御装置＞
図１０は、制御装置９００の構成を模式的に示す概念図である。制御装置９００は、通信部９１０と、入力部９２０と、記憶部９３０と、表示部９４０と、処理部９５０とを備える。処理部９５０は、基板処理制御部９５１と、洗浄制御部９５２と、表示制御部９５３と、メモリ９５９とを備える。
図１０は、制御装置９００の構成を模式的に示す概念図である。制御装置９００は、通信部９１０と、入力部９２０と、記憶部９３０と、表示部９４０と、処理部９５０とを備える。処理部９５０は、基板処理制御部９５１と、洗浄制御部９５２と、表示制御部９５３と、メモリ９５９とを備える。
【0066】
制御装置９００は、一般的なコンピュータまたは専用コンピュータ等の情報処理装置を備え、適宜基板処理装置１０００のユーザ（以下、単にユーザと呼ぶ）とのインターフェースとなるほか、様々なデータに関する通信、記憶および演算等の処理を行う。なお、制御装置９００は、各部を物理的に異なる装置に配置してもよい。また、制御装置９００で処理するデータの少なくとも一部は、遠隔のサーバ等に保存してもよい。
【0067】
通信部９１０は、無線または有線の接続により通信可能な通信装置を備える。通信部９１０は、処理部９５０の処理に必要なデータを受信したり、当該処理で得られたデータを送信したりする。
【0068】
入力部９２０は、マウス、キーボード、各種ボタンまたはタッチパネル等の入力装置を備える。入力部９２０は、基板処理装置１０００の動作に必要な入力をユーザから受け付ける。
【0069】
記憶部９３０は、不揮発性または揮発性の記憶媒体を備える。記憶部９３０は、処理部９５０が処理を実行するためのプログラムおよびデータを記憶する。
【0070】
表示部９４０は、液晶モニタ等の表示装置を備える。表示部９４０には、処理部９５０の処理により得られた情報等が表示される。
【0071】
処理部９５０は、ＣＰＵ等のプロセッサを含む処理装置を備える。処理部９５０は、基板処理装置１０００を制御する動作の主体として機能する。処理部９５０は、記憶部９３０等に記憶されたプログラムをメモリ９５９に読み込んで実行することにより各種処理を行う。このプログラムには、以下に記述する処理部９５０が行う処理が含まれる。このプログラムは、ＤＶＤ－ＲＯＭ等の記録媒体に記録されたものを取得するか、またはネットワークを介して取得されてもよい。なお、処理部９５０による処理が可能であれば、処理部９５０の物理的な構成等は特に限定されない。
【0072】
基板処理制御部９５１は、基板ＷＦに対する研磨等の処理を行うため基板処理装置１０００の各部を制御する。基板処理制御部９５１は、ロードモジュール１００およびアンロードモジュール６００を制御して、基板ＷＦの、基板処理装置１０００への搬入および基板処理装置１０００からの搬出を行う。また、搬送モジュール２００Ａおよび２００Ｂ等を制御し、基板ＷＦの搬送を制御する。基板処理制御部９５１は、搬送モジュール２００Ａを制御し、基板ＷＦを搬送モジュール２００Ａの基板受け渡し場所に移動させる。基板処理制御部９５１は、研磨モジュール３００Ａを制御し、当該基板受け渡し場所にある基板ＷＦを研磨し、基板受け渡し場所に戻す。本実施形態では、基板処理制御部９５１は、研磨制御部としても機能する。基板処理制御部９５１は、搬送モジュール２００Ａおよび２００Ｂを制御し、基板ＷＦを搬送モジュール２００Ｂの基板受け渡し場所に移動させる。基板処理制御部９５１は、研磨モジュール３００Ｂを制御し、当該基板受け渡し場所にある基板ＷＦを研磨し、基板受け渡し場所に戻す。基板処理制御部９５１は、搬送モジュール２００Ｂを制御し、基板ＷＦを洗浄モジュール４００に移動させる。
【0073】
洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００を制御して、基板ＷＦの洗浄を行う。洗浄制御部９５２は、移載機４２０（図６）および超音波洗浄槽４４０を制御して、基板受け渡し位置Ｐ１０にある基板ＷＦを超音波洗浄する。洗浄制御部９５２は、スクラブ洗浄機構４５０Ａおよび４５０Ｂを制御して基板ＷＦのスクラブ洗浄を行う。洗浄制御部９５２は、リンス洗浄機構４６０を制御して、基板ＷＦのリンス洗浄を行う。洗浄制御部９５２は、搬送機構２０００を制御して、基板ＷＦを乾燥モジュールへ搬出する。
【0074】
以下では、洗浄制御部９５２によるスクラブ洗浄機構４５０の制御について説明する。洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１の上流に配置された第１センサ４２１６Ａ（図７）から基板ＷＦの検出を示す検出信号を受信する。洗浄制御部９５２は、第１センサ４２１６Ａからの検出信号を受信したら、スクラブ洗浄を開始する。
【0075】
洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１の回転軸角度θを設定する。洗浄制御部９５２は、記憶部９３０等に予め記憶された回転軸角度θの値を参照することができる。あるいは、洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１の回転速度または基板ＷＦの搬送速度に基づいて、回転軸角度θを算出して設定してもよい。例えば、洗浄制御部９５２は、所望のこすり方向で所望のこすり長さになるように、上述の式（８）（９）に基づいて回転軸角度θを算出し設定することができる。
【0076】
洗浄制御部９５２は、設定された回転軸角度θが実現するように、スクラブ洗浄機構４５０を制御する。洗浄制御部９５２は、不図示の回転機構を制御し、洗浄部材４５１を基板ＷＦに垂直な軸の周りに回転させ、回転軸角度θが設定値となるようにする。洗浄制御部９５２は、回転軸角度θの実現のための回転が終了したら、洗浄部材４５１を回転軸ＡＸの周りにそれぞれ回転させる。洗浄制御部９５２は、昇降機構４５３を制御して洗浄部材４５１を基板ＷＦに当接させスクラブ洗浄を行う。なお、洗浄制御部９５２は、シャフ
ト４５２および水平駆動機構４５７を制御して基板ＷＦに沿った方向に第２洗浄部材４５１－２を移動させてもよい。
ト４５２および水平駆動機構４５７を制御して基板ＷＦに沿った方向に第２洗浄部材４５１－２を移動させてもよい。
【0077】
洗浄制御部９５２は、基板ＷＦおよび洗浄モジュール４００の少なくとも一つに関する情報に基づいて、洗浄条件を変更する。この情報を、洗浄情報と呼ぶ。洗浄情報には、基板ＷＦの位置若しくは状態または洗浄モジュール４００の部品の状態を示す情報等を含むことができる。また、洗浄条件とは、洗浄部材４５１の回転軸角度θまたは回転軸ＡＸの方向、洗浄部材４５１の回転速度、および、基板ＷＦの搬送速度の少なくとも一つを含む、洗浄モジュール４００による洗浄の際の条件である。
【0078】
洗浄部材４５１の回転軸角度θを変更する場合、洗浄制御部９５２は、昇降機構４５３を制御して一旦洗浄部材４５１を基板ＷＦに垂直な方向に離間させる。その後、洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１を基板ＷＦに垂直な軸の周りに回転させる。続いて、洗浄制御部９５２は、昇降機構４５３を制御して洗浄部材４５１を基板ＷＦに当接させ再度スクラブ洗浄を行う。なお、洗浄部材４５１を基板ＷＦに当接させたまま回転軸角度θの変更を行ってもよい。洗浄部材４５１の回転速度を変更する場合は、洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの周りの回転を駆動するモータを制御して回転速度を変更する。基板ＷＦの搬送速度を変更する場合は、洗浄制御部９５２は、搬送機構２０００を制御して搬送速度を変更する。
【0079】
洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００の部品が正常に動作しているか否かに基づいて、洗浄条件を変更することができる。例えば、洗浄制御部９５２は、基板ＷＦの搬送機構２０００を駆動するモータ、または、洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの周りの回転を駆動するモータの駆動電流または駆動トルクに基づいて洗浄条件を変更する。洗浄制御部９５２は、駆動電流または駆動トルクが所定の範囲を逸脱する等、異常な値を示した場合に、基板ＷＦの搬送速度を遅くしたり、洗浄部材４５１の回転速度を遅くしたり、洗浄部材４５１の回転軸角度θを変更し得る。このような構成により、洗浄部材４５１、洗浄モジュール４００および基板ＷＦの破損を抑制することができる。洗浄制御部９５２は、記憶部９３０等に予め記憶された駆動電流または駆動トルクの閾値と、駆動電流または駆動トルクの測定値に基づいて、洗浄条件を変更するか否かの判定を行うことができる。例えば、洗浄制御部９５２は、当該閾値よりも測定された駆動電流または駆動トルクが大きい場合に、洗浄条件を変更するように判定することができる。なお、以下の判定において、閾値に基づいて判定が行われれば、そのアルゴリズムは特に限定されない。
【0080】
洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１の下流に配置された第２センサ４２１６Ｂ（図７）から基板ＷＦの検出を示す検出信号を受信する。洗浄制御部９５２は、第２センサ４２１６Ｂからの検出信号を受信したら、スクラブ洗浄を終了する。洗浄制御部９５２は、昇降機構４５３を制御して洗浄部材４５１を基板ＷＦから離間させる。洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１を不図示のクリーニング機構を用いてクリーニングしたり、洗浄を行わないときの退避位置に退避させたりすることができる。
【0081】
表示制御部９５３は、表示部９４０を制御して、表示装置に基板処理装置１０００についての情報を表示する。表示制御部９５３は、洗浄部材４５１の回転軸角度θ若しくは回転速度、または、スクラブ洗浄機構４５０における基板ＷＦの搬送速度等の基板ＷＦの洗浄に関する情報等を表示することができる。
【0082】
図１１は、本実施形態に係る基板洗浄方法を含む基板処理方法の流れを示すフローチャートである。この基板処理方法は、制御装置９００の処理部９５０により行われる。
【0083】
ステップＳ１０１において、基板処理制御部９５１は、基板ＷＦに対し研磨等の処理を
行う。処理された基板ＷＦは、洗浄モジュール４００に搬入される。ステップＳ１０１の後は、ステップＳ１０２が行われる。ステップＳ１０２において、洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００の搬送機構２０００を制御して、基板ＷＦを搬送する。搬送機構２０００は、搬送路４０５に沿って基板ＷＦを搬送し、適宜超音波洗浄等が行われる。ステップＳ１０２の後は、ステップＳ１０３が行われる。
行う。処理された基板ＷＦは、洗浄モジュール４００に搬入される。ステップＳ１０１の後は、ステップＳ１０２が行われる。ステップＳ１０２において、洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００の搬送機構２０００を制御して、基板ＷＦを搬送する。搬送機構２０００は、搬送路４０５に沿って基板ＷＦを搬送し、適宜超音波洗浄等が行われる。ステップＳ１０２の後は、ステップＳ１０３が行われる。
【0084】
ステップＳ１０３において、洗浄制御部９５２は、スクラブ洗浄機構４５１を制御して、基板ＷＦのスクラブ洗浄を行う。ステップＳ１０３の後は、ステップＳ１０４が行われる。ステップＳ１０４において、洗浄制御部９５２は、スクラブ洗浄を終了するか否かの判定を行う。終了条件が満たされている場合は、ステップＳ１０４は肯定判定され、ステップＳ１０８が行われる。終了条件とは、スクラブ洗浄を終了する条件であり、例えば、第２センサ４２１６Ｂによる洗浄部材４５１からの基板ＷＦの離間の検出、または、ユーザからのスクラブ洗浄終了指示の入力等が含まれる。終了条件が満たされていない場合は、ステップＳ１０４は否定判定され、ステップＳ１０５が行われる。
【0085】
ステップＳ１０５において、洗浄制御部９５２は、基板ＷＦまたは洗浄モジュール４００についての情報（洗浄情報）を取得する。例えば、搬送機構２０００の搬送を駆動するモータの駆動電流を洗浄情報とする場合、洗浄制御部９５２は、駆動電流の値を監視することができる。ステップＳ１０５の後は、ステップＳ１０６が行われる。ステップＳ１０６において、洗浄制御部９５２は、ステップＳ１０５で取得した洗浄情報に基づいて、洗浄条件を変更するか否かを判定する。例えば、搬送機構２０００の搬送を駆動するモータの駆動電流を洗浄情報とする場合、洗浄制御部９５２は、駆動電流が閾値以上のときに洗浄条件を変更する判定を行い、閾値未満のときに洗浄条件を変更しない判定を行うことができる。洗浄条件を変更する場合、ステップＳ１０６は肯定判定され、ステップＳ１０７が行われる。洗浄条件を変更しない場合、ステップＳ１０６は否定判定され、ステップＳ１０３に戻る。
【0086】
ステップＳ１０７において、洗浄制御部９５２は、洗浄条件を変更する。洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００の各部を制御し、洗浄部材４５１の回転軸角度θ若しくは回転速度、または基板ＷＦの搬送速度を変更する。ステップＳ１０７の後は、ステップＳ１０３に戻る。ステップＳ１０８において、洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１を基板ＷＦに当接する位置から移動させ、スクラブ洗浄を終了する。ステップＳ１０８の後は、処理が終了される。
【0087】
本実施形態に係る洗浄モジュール４００を含む基板洗浄装置は、基板ＷＦを搬送方向（第１方向）に搬送する搬送機構２０００を含み、搬送方向に搬送されている基板ＷＦに、搬送方向と垂直でない軸方向（第２方向）に伸びる回転軸ＡＸの周りに回転する洗浄部材４５１を当接させて洗浄を行う洗浄モジュール４００と、基板ＷＦおよび洗浄モジュール４００の少なくとも一つに関する情報（洗浄情報）に基づいて、回転軸ＡＸの方向、洗浄部材４５１の回転速度、および、基板ＷＦの搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する制御装置９００と、を備える。これにより、洗浄条件を調整してスクラブ洗浄を行い、より清浄な基板ＷＦを提供することができる。また、複数の方向から基板ＷＦをこすってスクラブ洗浄を行うことができ、さらに清浄な基板ＷＦを提供することができる。
【0088】
本実施形態に係る洗浄モジュール４００には、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２が配置され、第１洗浄部材４５１－１は、基板ＷＦの一方の面を洗浄する洗浄部材４５１とし、第２洗浄部材４５１－２は、基板ＷＦの他方の面を洗浄する洗浄部材４５１とすることができる。これにより、基板ＷＦの両面をスクラブ洗浄することができ、また、第１洗浄部材４５１－１および第２洗浄部材４５１－２が基板ＷＦの両面から互いに反対向きに押圧するため、基板ＷＦに強い負荷がかかり変形等を引き起こすことを
抑制することができる。
抑制することができる。
【0089】
次のような変形も本発明の範囲内であり、上述の実施形態若しくは他の変形と組み合わせることが可能である。以下の変形例において、上述の実施形態と同様の構造、機能を示す部位等に関しては、同一の符号で参照し、適宜説明を省略する。
【0090】
（変形例１）
上述の実施形態において、洗浄制御部９５２は、検出された基板ＷＦの位置に基づいて、洗浄条件を変更してもよい。これにより、基板ＷＦの洗浄条件を柔軟に設定することができる。
上述の実施形態において、洗浄制御部９５２は、検出された基板ＷＦの位置に基づいて、洗浄条件を変更してもよい。これにより、基板ＷＦの洗浄条件を柔軟に設定することができる。
【0091】
図１２は、本変形例における第１センサ４２１６Ａの配置を模式的に示す平面図である。第１センサ４２１６Ａは、洗浄部材４５１から搬送方向（矢印ＡＥ）に沿って第１距離ＤＳ１だけ上流の位置の基板ＷＦを検出するように構成されている。第１センサ４２１６Ａは、より精密に制御を行う観点から、基板ＷＦの洗浄部材４５１側の先端が当該位置に来たことを検出することが好ましい。第１距離ＤＳ１は、洗浄部材４５１が基板ＷＦに当接する前に回転軸角度θを変更できれば特に限定されない。例えば、第１距離ＤＳ１は、搬送方向に沿った基板ＷＦの幅Ｗ１に基づく距離とすることができ、幅Ｗ１と同程度、または同一の長さとすることができる。
【0092】
洗浄制御部９５２は、第１センサ４２１６Ａから基板ＷＦの検出信号を受信したら、回転軸角度θを０度でなく１８０度でもない角度に変更する。言い換えれば、回転軸ＡＸの方向を、基板ＷＦに沿って搬送方向と垂直でない方向に変更する。基板ＷＦの全体を効率よく洗浄する観点から、回転軸角度θは９０度でなく２７０度でもない、言い換えれば、回転軸ＡＸの方向は、搬送方向と平行でない方向に変更されることが好ましい。例えば、回転軸角度θは、好ましくは１度から４５度、１３５度から１７９度、１８１度から２２５度または３１５度から３５９度の間、より好ましくは、５度から４５度、１３５度から１７５度、１８５度から２２５度または３１５度から３５５度の間に設定され得る。基板に沿って基板の幅方向（搬送方向に垂直な方向（線ＷＬの方向））に伸びる洗浄部材が基板に当接すると、基板の幅方向の全体にわたって押付荷重が急激に変化し、十分な洗浄ができなかったり、洗浄部材が基板の縁にひっかかることで洗浄モジュールまたは基板に負荷がかかり損傷の原因となる。本変形例では、洗浄制御部９５２は、基板ＷＦの洗浄が開始される直前に洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの方向を変更するため、このような悪影響を抑制することができる。また、搬送方向と垂直でない洗浄部材４５１の回転により洗浄後の汚れた液が幅方向にも流されるため、基板ＷＦ上に滞留しにくい。第１距離ＤＳ１と基板ＷＦの搬送速度から、第１センサ４２１６Ａの検出からスクラブ洗浄開始までの時間を算出できる。したがって、洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１が基板ＷＦに当接を開始する時間より前の所定の時間内に、基板ＷＦに沿って回転軸ＡＸの方向を搬送方向と垂直でない方向（回転軸角度θが０度でなく１８０度でもない）に変更することができる。どの程度回転軸角度θを変更するかについては、洗浄部材４５１の表面の移動速度と基板ＷＦの搬送速度との相対速度、または、上述のこすり長さ若しくはこすり方向等に基づいて決定してもよい。なお、回転軸ＡＸの方向の変更は、連続的に行っても、段階的に行ってもよい。また、洗浄部材４５１の回転速度または基板ＷＦの搬送速度を変更してもよい。
【0093】
図１３は、本変形例に係る基板洗浄方法を含む基板処理方法の流れを示すフローチャートである。この基板処理方法は、制御装置９００の処理部９５０により行われる。ステップＳ２０１およびＳ２０２は、上述の図１１のフローチャートにおけるステップＳ１０１およびＳ１０２とそれぞれ同様であるため、説明を省略する。ステップＳ２０２の後は、ステップＳ２０３が行われる。ステップＳ２０３における洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの方向は特に限定されない。
【0094】
ステップＳ２０３において、洗浄制御部９５２は、第１センサ４２１６Ａを制御して、基板ＷＦの位置を検出する。ステップＳ２０３の後は、ステップＳ２０４が行われる。ステップＳ２０４において、洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１の基板ＷＦに垂直な軸の周りの回転を駆動するモータ等を制御し、洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの方向を変更する。回転軸ＡＸの方向は、基板ＷＦに沿って搬送方向と垂直でない方向に変更される。ステップＳ２０４の後は、ステップＳ２０５が行われる。
【0095】
ステップＳ２０５において、洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００を制御し、基板ＷＦのスクラブ洗浄を行う。ここで、洗浄制御部９５２は、スクラブ洗浄の効率を高める観点から、洗浄条件を再度変更してもよい。例えば、洗浄制御部９５２は、回転軸ＡＸが搬送方向に垂直な方向に近づくように（回転軸角度θが小さくなるように）回転軸ＡＸの方向を変更することができる。あるいは、洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１の回転速度を速くしたり、基板ＷＦの搬送速度を速めたりすることができる。このように基板ＷＦに洗浄部材４５１を当接させるときと、スクラブ洗浄の際とで洗浄条件を変えることで、基板ＷＦおよび洗浄モジュール４００の損傷の可能性を低減しつつ、効率的にスクラブ洗浄を行うことができる。洗浄制御部９５２は、ステップＳ２０５の後は、ステップＳ２０６が行われる。ステップＳ２０６において、洗浄制御部９５２は、例えば、上述の終了条件が満たされる等により、スクラブ洗浄を終了する。ステップＳ２０６の後は、処理が終了される。
【0096】
本変形例の洗浄モジュール４００を含む基板洗浄装置では、制御装置９００は、洗浄部材４５１が基板ＷＦに当接を開始する時間より前の所定の時間内に、回転軸ＡＸの方向を基板ＷＦに沿って搬送方向に垂直でない方向（第２方向）に変更する。これにより、基板ＷＦの洗浄部材４５１側の先端が洗浄部材４５１に当接する直前に、回転軸ＡＸを搬送方向に対して非垂直に変更できる。この場合、基板ＷＦの幅方向の全体にわたって押付荷重が急激に変化して十分な洗浄ができないことを防止することができる。また、洗浄部材４５１が基板ＷＦの縁にひっかかることで洗浄モジュール４００または基板ＷＦに負荷がかかり損傷の原因となることを抑制することができる。
【0097】
（変形例２）
上述の実施形態において、洗浄部材４５１が基板ＷＦから離間を開始する時間より前の所定の時間内に、洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの方向を変更する構成としてもよい。この場合、洗浄モジュール４００は、図１２と同様の構成を備え、ただし洗浄部材４５１と第１センサ４２１６Ａとの間の第１距離ＤＳ１を、例えば搬送方向に沿った基板ＷＦの幅Ｗ１よりも短く設定し、基板ＷＦの後端を検出する構成とすることができる。
上述の実施形態において、洗浄部材４５１が基板ＷＦから離間を開始する時間より前の所定の時間内に、洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの方向を変更する構成としてもよい。この場合、洗浄モジュール４００は、図１２と同様の構成を備え、ただし洗浄部材４５１と第１センサ４２１６Ａとの間の第１距離ＤＳ１を、例えば搬送方向に沿った基板ＷＦの幅Ｗ１よりも短く設定し、基板ＷＦの後端を検出する構成とすることができる。
【0098】
洗浄制御部９５２は、第１センサ４２１６Ａから基板ＷＦの検出信号を受信したら、回転軸角度θを０度でなく１８０度でもない角度に変更する。言い換えれば、回転軸ＡＸの方向を、基板ＷＦに沿って搬送方向と垂直でない方向に変更する。基板に沿って基板の幅方向（搬送方向に垂直な方向（線ＷＬの方向））に伸びる洗浄部材が基板から離間する際、基板の幅方向の全体にわたって押付荷重が急激に変化したり、洗浄部材が基板の縁にひっかかることで洗浄モジュールまたは基板に負荷がかかる。本変形例では、洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１が基板ＷＦから離間する直前に洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの方向を基板ＷＦに沿って搬送方向と垂直でない方向に変更するため、このような悪影響を抑制することができる。どの程度回転軸角度θを変更するかについては、洗浄部材４５１の表面の移動速度と基板ＷＦの搬送速度との相対速度、または、上述のこすり長さ若しくはこすり方向等に基づいて決定してもよい。なお、回転軸ＡＸの方向の変更は、連続的に行ってもよいし、段階的に行ってもよい。また、洗浄部材４５１の回転速度または基板ＷＦの搬送速度を変更してもよい。
【0099】
図１４は、本変形例に係る基板洗浄方法を含む基板処理方法の流れを示すフローチャートである。この基板処理方法は、制御装置９００の処理部９５０により行われる。ステップＳ３０１およびＳ３０２は、上述の図１１のフローチャートにおけるステップＳ１０１およびＳ１０２とそれぞれ同様であるため、説明を省略する。ステップＳ３０２の後は、ステップＳ３０３が行われる。ステップＳ３０３における洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの方向は特に限定されない。
【0100】
ステップＳ３０３において、洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００を制御し、基板ＷＦのスクラブ洗浄を行う。ステップＳ３０３の後は、ステップＳ３０４が行われる。ステップＳ３０４において、洗浄制御部９５２は、第１センサ４２１６Ａを制御して、基板ＷＦの位置を検出する。例えば、第１センサ４２１６Ａが基板ＷＦの後端を検出することで、洗浄制御部９５２は、基板ＷＦが離間する所定の時間前であることを検知する構成となっている。ステップＳ３０４の後は、ステップＳ３０５が行われる。
【0101】
ステップＳ３０５において、洗浄制御部９５２は、洗浄部材４５１の基板ＷＦに垂直な軸の周りの回転を駆動するモータ等を制御し、洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの方向を変更する。回転軸ＡＸの方向は、基板ＷＦに沿って搬送方向と垂直でない方向に変更される。ステップＳ３０５の後は、ステップＳ３０６が行われる。ステップＳ３０６において、洗浄制御部９５２は、昇降機構４５３を制御し、洗浄部材４５１を基板ＷＦから離間させて、スクラブ洗浄を終了する。ステップＳ３０６の後は、処理が終了される。
【0102】
本変形例の洗浄モジュール４００を含む基板洗浄装置では、制御装置９００は、洗浄部材４５１が基板ＷＦから離間を開始する時間より前の所定の時間内に、回転軸ＡＸの方向を基板ＷＦに沿って搬送方向に垂直でない方向（第２方向）に変更する。これにより、基板ＷＦの洗浄部材４５１と反対側の端部が洗浄部材４５１から離間する直前に回転軸ＡＸの方向を搬送方向に対して非垂直に変更できる。この場合、洗浄部材４５１の離間により、基板ＷＦの幅方向の全体にわたって押付荷重が急激に変化したり、洗浄部材４５１が基板ＷＦの縁にひっかかることで、洗浄モジュール４００または基板ＷＦに負荷がかかり損傷の原因となることを抑制することができる。
【0103】
（変形例３）
上述の実施形態において、基板ＷＦを搬送路に沿って往復させ、異なる複数の向きに移動する基板ＷＦに対し、スクラブ洗浄を行ってもよい。搬送の向きが異なると、上述の式（８）が示すようにこすり方向等が異なるため、複数のこすり方向についてスクラブ洗浄を行うことにより、より清浄な基板ＷＦを提供することができる。
上述の実施形態において、基板ＷＦを搬送路に沿って往復させ、異なる複数の向きに移動する基板ＷＦに対し、スクラブ洗浄を行ってもよい。搬送の向きが異なると、上述の式（８）が示すようにこすり方向等が異なるため、複数のこすり方向についてスクラブ洗浄を行うことにより、より清浄な基板ＷＦを提供することができる。
【0104】
図１５は、本変形例における第１センサ４２１６Ａおよび第２センサ４２１６Ｂの配置を模式的に示す平面図である。第１センサ４２１６Ａは、洗浄部材４５１から搬送方向に沿って一方の側（図中右側）に第１距離ＤＳ１だけ離間した位置の基板ＷＦを検出するように構成されている。第２センサ４２１６Ｂは、洗浄部材４５１から搬送方向に沿って他方の側（図中左側）に第２距離ＤＳ２だけ離間した位置の基板ＷＦを検出するように構成されている。本変形例における第１距離ＤＳ１および第２距離ＤＳ２は、所望の効率で基板ＷＦを搬送方向に沿って往復させてスクラブ洗浄を行うことができれば、特に限定されない。第１距離ＤＳ１はおよび第２距離ＤＳ２は、例えば基板ＷＦの搬送方向に沿った幅Ｗ１と同程度の長さから幅Ｗ１の１０倍程度とすることができる。
【0105】
洗浄制御部９５２は、第１センサ４２１６Ａから、例えばＩＤ等で識別される基板ＷＦの最初の検出信号を受信したら、洗浄モジュール４００を制御して、搬送方向に沿った第１の向き（矢印ＡＥ１）に移動する基板ＷＦをスクラブ洗浄する。その後、洗浄制御部９
５２は、第２センサ４２１６Ｂから基板ＷＦの検出信号を受信したら、搬送機構２０００を制御して、基板ＷＦを第１の向きの逆向きの第２の向き（矢印ＡＥ２）に移動するように制御する。洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００を制御して、搬送方向に沿った第２の向き（矢印ＡＥ２）に移動する基板ＷＦをスクラブ洗浄する。このとき洗浄の効率を下げないように洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの周りの回転も逆向きにすることが好ましい。洗浄制御部９５２は、第１センサ４２１６Ａから、基板ＷＦの検出信号を再度受信したら、基板ＷＦを逆向き（搬送方向に沿った第１の向き（矢印ＡＥ１））に移動するように制御する。その後、洗浄制御部９５２は、第１の向きに移動する基板ＷＦをスクラブ洗浄する。洗浄制御部９５２は、このように基板ＷＦの搬送を逆向きにすることを繰り返して、記憶部９３０等に記憶された数値に基づく所定の回数、スクラブ洗浄を行うことができる。各スクラブ洗浄において、回転軸ＡＸの方向、洗浄部材４５１の回転速度および基板ＷＦの搬送速度等の洗浄条件は、同一でもよいし、異ならせてもよい。
５２は、第２センサ４２１６Ｂから基板ＷＦの検出信号を受信したら、搬送機構２０００を制御して、基板ＷＦを第１の向きの逆向きの第２の向き（矢印ＡＥ２）に移動するように制御する。洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００を制御して、搬送方向に沿った第２の向き（矢印ＡＥ２）に移動する基板ＷＦをスクラブ洗浄する。このとき洗浄の効率を下げないように洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの周りの回転も逆向きにすることが好ましい。洗浄制御部９５２は、第１センサ４２１６Ａから、基板ＷＦの検出信号を再度受信したら、基板ＷＦを逆向き（搬送方向に沿った第１の向き（矢印ＡＥ１））に移動するように制御する。その後、洗浄制御部９５２は、第１の向きに移動する基板ＷＦをスクラブ洗浄する。洗浄制御部９５２は、このように基板ＷＦの搬送を逆向きにすることを繰り返して、記憶部９３０等に記憶された数値に基づく所定の回数、スクラブ洗浄を行うことができる。各スクラブ洗浄において、回転軸ＡＸの方向、洗浄部材４５１の回転速度および基板ＷＦの搬送速度等の洗浄条件は、同一でもよいし、異ならせてもよい。
【0106】
図１６は、本変形例に係る基板洗浄方法を含む基板処理方法の流れを示すフローチャートである。この基板処理方法は、制御装置９００の処理部９５０により行われる。ステップＳ４０１およびＳ４０２は、上述の図１１のフローチャートにおけるステップＳ１０１およびＳ１０２とそれぞれ同様であるため、説明を省略する。ステップＳ４０２の後は、ステップＳ４０３が行われる。ステップＳ４０３における洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの方向は特に限定されない。
【0107】
ステップＳ４０３において、洗浄制御部９５２は、洗浄モジュール４００を制御して、基板ＷＦのスクラブ洗浄を開始する。ステップＳ４０３の後は、ステップＳ４０４が行われる。ステップＳ４０４において、洗浄制御部９５２は、第１センサ４２１６Ａまたは第２センサ４２１６Ｂを制御して、洗浄部材４５１から離間した位置で基板ＷＦを検出する。ステップＳ４０４の後は、ステップＳ４０５が行われる。
【0108】
ステップＳ４０５において、洗浄制御部９５２は、洗浄回数が閾値以下か否かを判定する。例えば、洗浄制御部９５２は、新しいＩＤの基板ＷＦの洗浄を行う前に所定の変数を０にリセットし、ステップＳ４０３でスクラブ洗浄を開始する度に１ずつインクリメントすることができる。この場合、ステップＳ４０５において、洗浄制御部９５２は、当該変数が記憶部９３０等に記憶された閾値未満か否かを判定すればよい。洗浄回数が閾値未満の場合、ステップＳ４０５は肯定判定され、ステップＳ４０６が行われる。洗浄回数が閾値以上の場合、ステップＳ４０５は否定判定され、ステップＳ４０７が行われる。
【0109】
ステップＳ４０６において、洗浄制御部９５２は、搬送機構２０００および洗浄部材４５１の回転を駆動するモータ等を制御し、基板ＷＦの搬送および洗浄部材４５１の回転軸ＡＸの周りの回転を逆向きにする。ステップＳ４０６の後は、ステップＳ４０３に戻る。ステップＳ４０７において、洗浄制御部９５２は、洗浄を終了し、搬送機構２０００を制御してスクラブ洗浄機構４５０から基板ＷＦを搬出する。ステップＳ４０７の後は、処理が終了される。
【0110】
本変形例に係る洗浄モジュール４００を含む基板洗浄装置において、制御装置９００は、洗浄部材４５１が基板ＷＦから完全に離間したら、基板ＷＦの搬送および洗浄部材４５１の回転を逆向きに変更することができる。ここで、「完全に離間」とは、基板ＷＦの後端の全てが洗浄部材４５１から離間したことを指す。例えば、角型基板の場合、基板ＷＦの後端を構成する一辺全体が洗浄部材４５１から離間したことを指す。これにより、同一の洗浄部材４５１を利用して複数のこすり方向についてスクラブ洗浄を行うことができ、効率よく基板ＷＦをスクラブ洗浄することができる。
【0111】
本変形例に係る洗浄モジュールを含む基板洗浄装置において、制御装置９００は、基板
ＷＦの搬送および洗浄部材４５１の回転についての逆向きへの変更を、予め定められた回数行う。これにより、基板ＷＦの種類等に合わせて適切に洗浄回数を設定することができ、効率の良いスクラブ洗浄を行うことができる。
ＷＦの搬送および洗浄部材４５１の回転についての逆向きへの変更を、予め定められた回数行う。これにより、基板ＷＦの種類等に合わせて適切に洗浄回数を設定することができ、効率の良いスクラブ洗浄を行うことができる。
【0112】
（変形例４）
上述の実施形態において、洗浄部材の基板に当接する面に複数の突起が形成されていてもよい。
上述の実施形態において、洗浄部材の基板に当接する面に複数の突起が形成されていてもよい。
【0113】
図１７は、本変形例に係る洗浄部材４５１０を模式的に示す上面図である。洗浄部材４５１０には、洗浄の効率を上げるため、円筒状の基部４５１１の、円柱面に対応する側面４５１１Ｓに、複数の突起４５１２が形成されている。図１７は、洗浄部材４５１０を、円筒状の基部４５１１の回転軸ＡＸ３の伸びる方向から見た図に相当する。複数の突起４５１２の形状は、スクラブ洗浄が可能であれば特に限定されない。しかし、基板ＷＦに引っかかると基板ＷＦまたは洗浄モジュール４００を破損する可能性があるため、各突起は、基板ＷＦに引っかかりにくいよう回転軸ＡＸ３から径方向に沿って突起の幅が小さくなることが好ましい。
【0114】
上述のように、洗浄部材４５１０に複数の突起４５１２が形成されていると、基板ＷＦに引っかかりやすくなるという問題が生じ得る。しかし、上述の実施形態に係る洗浄モジュールでは、基板の搬送方向に垂直でない方向に洗浄部材の回転軸が設定されており、洗浄部材を基板に当接する際、および基板から離間する際に、基板に急激な荷重変化が起きず、洗浄部材が基板に引っかかりにくい。したがって、本変形例のような複数の突起４５１２が形成された洗浄部材４５１０を上述の実施形態に適用すると、上記問題が起きにくく、かつ、洗浄の効率を高めることができるため特に好ましい。
【0115】
（変形例５）
上述の実施形態において、基板ＷＦの一方の面に対し、回転軸角度が異なる複数の洗浄部材を当接させてスクラブ洗浄を行ってもよい。これにより、複数のこすり方向について効率的にスクラブ洗浄を行うことができる。
上述の実施形態において、基板ＷＦの一方の面に対し、回転軸角度が異なる複数の洗浄部材を当接させてスクラブ洗浄を行ってもよい。これにより、複数のこすり方向について効率的にスクラブ洗浄を行うことができる。
【0116】
図１８は、本変形例に係る洗浄部材４５１の配置を説明するための概念図である。本変形例に係る洗浄モジュール４０１は、基板ＷＦの一方の面に当接しスクラブ洗浄する複数の洗浄部材４５１－３および４５１－４を備える。洗浄部材４５１－３の回転軸角度θ１と洗浄部材４５１－４の回転軸角度θ２は異なっている。洗浄部材４５１を基板ＷＦに当接する際、および基板ＷＦから離間する際に、基板ＷＦの幅方向（線ＷＬの方向）にわたって急激に荷重がかかることによる悪影響を抑制するため、回転軸角度θ１は０度でなく１８０度でもなく、回転軸角度θ２も０度でなく１８０度でもないことが好ましい。効率よくスクラブ洗浄を行う観点から、洗浄部材４５１－３の回転軸ＡＸ１０の方向と洗浄部材４５１－４の回転軸ＡＸ２０の方向は、搬送方向（矢印ＡＥ１）と異なる方向であること（θ１が９０度でなく２７０度でもなく、θ２も９０度でなく２７０度でもない）が好ましい。
【0117】
なお、基板ＷＦの両方の面に対し、回転軸角度θが異なる複数の洗浄部材４５１を当接させてスクラブ洗浄を行ってもよい。洗浄制御部９５２は、各洗浄部材４５１の洗浄条件を変更してもよく、変更しなくてもよい。
【0118】
本変形例に係る洗浄モジュール４０１は、搬送方向に搬送されている基板ＷＦの少なくとも一方の面に、異なる複数の軸方向に伸びる各回転軸の周りに回転する複数の洗浄部材４５１を当接させて洗浄する。これにより、複数のこすり方向についてスクラブ洗浄を行うことにより、さらに清浄な基板ＷＦを提供することができる
【0119】
以上説明した実施形態は、以下の形態としても記載することができる。［形態１］形態１によれば、基板洗浄装置が提案され、基板を第１方向に搬送する搬送機構を含み、前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行う洗浄モジュールと、前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する制御装置と、を備える。形態１によれば、洗浄条件を調整することにより、より清浄な基板を提供することができる。
【0120】
［形態２］形態２によれば、形態１において、前記制御装置は、前記洗浄モジュールによる洗浄の際に、前記基板洗浄装置の部品が正常に動作しているか否かに基づいて、前記洗浄条件を変更する。形態２によれば、基板洗浄装置の部品の異常な動作により基板または洗浄モジュールが破損することを抑制することができる。
【0121】
［形態３］形態３によれば、形態１または形態２において、前記制御装置は、前記搬送機構または前記洗浄部材を駆動するモータの、駆動電流および駆動トルクの少なくとも一つに基づいて、前記洗浄条件を変更する。形態３によれば、当該モータの異常な動作により基板または洗浄モジュールが破損することを抑制することができる。
【0122】
［形態４］形態４によれば、形態１から３において、前記洗浄モジュールは、前記第１方向に搬送されている前記基板の少なくとも一方の面に、異なる複数の前記第２方向に伸びる各回転軸の周りに回転する複数の洗浄部材を当接させて洗浄する。形態４によれば、複数のこすり方向についてスクラブ洗浄を行うことにより、さらに清浄な基板を提供することができる。
【0123】
［形態５］形態５によれば、形態１から４において、前記搬送機構または前記洗浄モジュールは、前記基板の位置を検出する検出器を備え、前記制御装置は、検出された前記基板の位置に基づいて、前記洗浄条件を変更する。形態５によれば、洗浄条件を柔軟に設定することができ、さらに清浄な基板を提供することができる。
【0124】
［形態６］形態６によれば、形態１から５において、前記制御装置は、前記洗浄部材が前記基板に当接を開始する時間より前の所定の時間内に、前記回転軸の方向を前記第２方向に変更する。形態６によれば、洗浄部材が基板に当接する際、基板の幅方向の全体にわたって押付荷重が急激に変化し、十分な洗浄ができないことを防止することができる。また、洗浄部材が基板の縁にひっかかることで洗浄モジュールまたは基板に負荷がかかることを抑制することができる。
【0125】
［形態７］形態７によれば、形態１から６において、前記制御装置は、前記洗浄部材が前記基板から離間を開始する時間より前の所定の時間内に、前記回転軸の方向を前記第２方向に変更する。形態７によれば、洗浄部材が基板から離間する際、基板の幅方向の全体にわたって押付荷重が急激に変化したり、洗浄部材が基板の縁にひっかかることで洗浄モジュールまたは基板に負荷がかかることを抑制することができる。
【0126】
［形態８］形態８によれば、形態１から７において、前記制御装置は、前記洗浄部材が前記基板から完全に離間したら、前記基板の搬送および前記洗浄部材の回転を逆向きに変更する。形態８によれば、同一の洗浄部材を利用して複数のこすり方向についてスクラブ洗浄を行うことができ、効率よく基板をスクラブ洗浄することができる。
【0127】
［形態９］形態９によれば、形態８において、前記制御装置は、前記逆向きへの変更を、予め定められた回数行う。形態９によれば、基板の種類等に合わせて適切に洗浄回数を設定することができ、効率の良いスクラブ洗浄を行うことができる。
【0128】
［形態１０］形態１０によれば、形態１から９において、前記洗浄部材は、スポンジを含む。形態１０によれば、スポンジは柔軟性、弾力性または吸水性等が優れており、さらに効率よくスクラブ洗浄を行うことができる。
【0129】
［形態１１］形態１１によれば、形態１から１０において、前記洗浄部材は、前記基板に当接する面に複数の突起が形成されている。形態１１によれば、洗浄の効率を高めることができ、また、形態１から１０と組み合わせることにより、複数の突起が基板に引っかかり基板または洗浄モジュールを損傷することが抑制される。
【0130】
［形態１２］形態１２によれば、形態１から１１において、前記洗浄部材は、円筒状である。形態１２によれば、円筒状の洗浄部材を円筒軸の周りに回転させることにより、効率よく基板をスクラブ洗浄することができる。
【0131】
［形態１３］形態１３によれば、形態１から１２において、前記洗浄モジュールには、第１洗浄部材および第２洗浄部材が配置され、前記第１洗浄部材は、前記基板の一方の面を洗浄する前記洗浄部材であり、前記第２洗浄部材は、前記基板の他方の面を洗浄する前記洗浄部材である。形態１３によれば、基板の両面を効率的に洗浄し、両面が清浄な基板を提供することができる。
【0132】
［形態１４］形態１４によれば、形態１から１３において、前記基板は、角型基板である。形態１４によれば、基板に対して同じ向きに搬送される角型基板に対しても、複数のこすり方向等についてスクラブ洗浄を行うことができ、より清浄な基板を提供することができる。
【0133】
［形態１５］形態１５によれば、形態１から１４において、前記第１方向および前記第２方向は前記基板の表面に沿った方向である。形態１５によれば、より確実に、洗浄条件を調整することによる清浄な基板を提供することができる。
【0134】
［形態１６］形態１６によれば、基板処理装置が提案され、当該基板処理装置は、形態１から１５の基板洗浄装置、を備える。形態１６によれば、洗浄条件を調整することにより、より清浄な、処理された基板を提供することができる。
【0135】
［形態１７］形態１７によれば、形態１６において、基板研磨装置と、乾燥モジュールとを備える。形態１７によれば、清浄な、研磨および乾燥された基板を提供することができる。
【0136】
［形態１８］形態１８によれば、基板洗浄方法が提案され、当該基板洗浄方法は、基板を第１方向に搬送することと、前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行うことと、前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更することと、を備える。形態１８によれば、洗浄条件を調整することにより、より清浄な基板を提供することができる。
【0137】
［形態１９］形態１９によれば、プログラムが提案され、当該プログラムは、基板を第１方向に搬送する搬送機構を含み、前記第１方向に搬送されている前記基板に、前記第１方
向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行う洗浄モジュールと、を備える基板洗浄装置の処理装置に、前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する変更処理を行わせるためのプログラムである。形態１９によれば、洗浄条件を調整することにより、より清浄な基板を提供することができる。
向と垂直でない第２方向に伸びる回転軸の周りに回転する洗浄部材を当接させて洗浄を行う洗浄モジュールと、を備える基板洗浄装置の処理装置に、前記基板および前記洗浄モジュールの少なくとも一つに関する情報に基づいて、前記回転軸の方向、前記洗浄部材の回転速度、および、前記基板の搬送速度の少なくとも一つを含む洗浄条件を変更する変更処理を行わせるためのプログラムである。形態１９によれば、洗浄条件を調整することにより、より清浄な基板を提供することができる。
【0138】
以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
【符号の説明】
【0139】
１１…処理面
１００…ロードモジュール
２００，２００Ａ，２００Ｂ…搬送モジュール
２０２…搬送ローラ
２０４…ローラシャフト
２２０…ストッパ
２３０…プッシャ
３００，３００Ａ，３００Ｂ…研磨モジュール
３０２…トップリング
３５２…研磨パッド
４００，４０１…洗浄モジュール
４０５…搬送路
４５０，４５０Ａ，４５０Ｂ…スクラブ洗浄機構
４５３，４５３－１，４５３－２…昇降機構
４５１，４５１－１，４５１－２，４５１－３，４５１－４，４５１０…洗浄部材
５００…乾燥モジュール
６００…アンロードモジュール
９００…制御装置
９５０…処理部
９５１…基板処理制御部
９５２…洗浄制御部
９５３…表示制御部
９５９…メモリ
１０００…基板処理装置
２０００…搬送機構
４２１６Ａ…第１センサ
４２１６Ｂ…第２センサ
４５１２…複数の突起
ＡＸ，ＡＸ１，ＡＸ２，ＡＸ３，ＡＸ１０，ＡＸ２０…洗浄部材の回転軸
ＷＦ…基板
θ，θ１，θ２…回転軸角度
１００…ロードモジュール
２００，２００Ａ，２００Ｂ…搬送モジュール
２０２…搬送ローラ
２０４…ローラシャフト
２２０…ストッパ
２３０…プッシャ
３００，３００Ａ，３００Ｂ…研磨モジュール
３０２…トップリング
３５２…研磨パッド
４００，４０１…洗浄モジュール
４０５…搬送路
４５０，４５０Ａ，４５０Ｂ…スクラブ洗浄機構
４５３，４５３－１，４５３－２…昇降機構
４５１，４５１－１，４５１－２，４５１－３，４５１－４，４５１０…洗浄部材
５００…乾燥モジュール
６００…アンロードモジュール
９００…制御装置
９５０…処理部
９５１…基板処理制御部
９５２…洗浄制御部
９５３…表示制御部
９５９…メモリ
１０００…基板処理装置
２０００…搬送機構
４２１６Ａ…第１センサ
４２１６Ｂ…第２センサ
４５１２…複数の突起
ＡＸ，ＡＸ１，ＡＸ２，ＡＸ３，ＡＸ１０，ＡＸ２０…洗浄部材の回転軸
ＷＦ…基板
θ，θ１，θ２…回転軸角度
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】