(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023156155
(43)【公開日】2023-10-24
(54)【発明の名称】真空処理装置及び真空処理方法
(51)【国際特許分類】
C23C 14/35 20060101AFI20231017BHJP
【ＦＩ】
C23C14/35 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022065848
(22)【出願日】2022-04-12
(71)【出願人】
【識別番号】000231464
【氏名又は名称】株式会社アルバック
(74)【代理人】
【識別番号】110003339
【氏名又は名称】弁理士法人南青山国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】氏原 祐輔
【テーマコード（参考）】
4K029
【Ｆターム（参考）】
4K029DA03
4K029DC13
4K029DC16
4K029DC42
4K029DC43
4K029DC45
(57)【要約】
【課題】スパッタリング成膜の歩留向上。
【解決手段】真空処理装置は、ロータリターゲットと、磁場発生機構と、基板ホルダと、防着板と、複数の第１センサと、複数の第２センサとを具備する。上記磁場発生機構は、上記第２主面に対向し、上記一軸方向に並設され、上記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、上記複数の磁気回路部のそれぞれと上記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する。上記複数の第１センサは、上記第１主面から上記スパッタリング粒子が放出した後の上記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する。上記複数の第２センサは、上記複数の磁気回路部のいずれかが上記防着板に対向した際に、上記複数の磁気回路部のいずれかから上記ロータリターゲットの上記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する。
【選択図】図１
【解決手段】真空処理装置は、ロータリターゲットと、磁場発生機構と、基板ホルダと、防着板と、複数の第１センサと、複数の第２センサとを具備する。上記磁場発生機構は、上記第２主面に対向し、上記一軸方向に並設され、上記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、上記複数の磁気回路部のそれぞれと上記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する。上記複数の第１センサは、上記第１主面から上記スパッタリング粒子が放出した後の上記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する。上記複数の第２センサは、上記複数の磁気回路部のいずれかが上記防着板に対向した際に、上記複数の磁気回路部のいずれかから上記ロータリターゲットの上記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
スパッタリング粒子を放出する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、一軸方向に延在する中心軸を有し、前記中心軸の周りに回転する筒状のロータリターゲットと、
前記第２主面に対向し、前記一軸方向に並設され、前記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、前記複数の磁気回路部のそれぞれと前記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する磁場発生機構と、
前記第１主面に対向し前記スパッタリング粒子を堆積させる基板を支持することが可能な基板ホルダと、
前記基板ホルダとは前記ロータリターゲットを介して反対側に配置された防着板と、
前記防着板に前記ロータリターゲットの前記第１主面に対向するように設けられ、前記第１主面から前記スパッタリング粒子が放出した後の前記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する複数の第１センサと、
前記防着板に前記ロータリターゲットの前記第１主面に対向するように設けられ、前記複数の磁気回路部のいずれかが前記防着板に対向した際に、前記複数の磁気回路部のいずれかから前記ロータリターゲットの前記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する複数の第２センサと
を具備する真空処理装置。
前記第２主面に対向し、前記一軸方向に並設され、前記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、前記複数の磁気回路部のそれぞれと前記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する磁場発生機構と、
前記第１主面に対向し前記スパッタリング粒子を堆積させる基板を支持することが可能な基板ホルダと、
前記基板ホルダとは前記ロータリターゲットを介して反対側に配置された防着板と、
前記防着板に前記ロータリターゲットの前記第１主面に対向するように設けられ、前記第１主面から前記スパッタリング粒子が放出した後の前記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する複数の第１センサと、
前記防着板に前記ロータリターゲットの前記第１主面に対向するように設けられ、前記複数の磁気回路部のいずれかが前記防着板に対向した際に、前記複数の磁気回路部のいずれかから前記ロータリターゲットの前記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する複数の第２センサと
を具備する真空処理装置。
【請求項2】
請求項１に記載された真空処理装置であって、
前記ロータリターゲット、前記磁場発生機構、前記第１センサ、及び前記第２センサのそれぞれの動作を制御する制御部をさらに具備し、
前記制御部には、
前記複数の第１センサのいずれかと前記第１主面との間の距離と、前記複数の第１センサのいずれかが対向する前記ロータリターゲットの厚みの前記減少量との関係と、
前記複数の第２センサのいずれかが検出した磁場強度と、前記複数の第２センサのいずれかと前記磁気回路部との間の距離との関係と
が格納され、
前記制御部は、前記複数の磁気回路部のいずれかから前記第１主面に形成される磁場強度が目的値となるように、前記複数の第２センサのいずれかと前記複数の第２センサのいずれかが対向する前記磁気回路部との間の前記距離を調整する
真空処理装置。
前記ロータリターゲット、前記磁場発生機構、前記第１センサ、及び前記第２センサのそれぞれの動作を制御する制御部をさらに具備し、
前記制御部には、
前記複数の第１センサのいずれかと前記第１主面との間の距離と、前記複数の第１センサのいずれかが対向する前記ロータリターゲットの厚みの前記減少量との関係と、
前記複数の第２センサのいずれかが検出した磁場強度と、前記複数の第２センサのいずれかと前記磁気回路部との間の距離との関係と
が格納され、
前記制御部は、前記複数の磁気回路部のいずれかから前記第１主面に形成される磁場強度が目的値となるように、前記複数の第２センサのいずれかと前記複数の第２センサのいずれかが対向する前記磁気回路部との間の前記距離を調整する
真空処理装置。
【請求項3】
請求項１または２に記載された真空処理装置であって、
前記ロータリターゲットが前記一軸方向と交差する方向に複数並設された
真空処理装置。
前記ロータリターゲットが前記一軸方向と交差する方向に複数並設された
真空処理装置。
【請求項4】
スパッタリング粒子を放出する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、一軸方向に延在する中心軸を有し、前記中心軸の周りに回転する筒状のロータリターゲットと、
前記第２主面に対向し、前記一軸方向に並設され、前記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、前記複数の磁気回路部のそれぞれと前記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する磁場発生機構と、
前記第１主面に対向し前記スパッタリング粒子を堆積させる基板を支持することが可能な基板ホルダと、
前記基板ホルダとは前記ロータリターゲットを介して反対側に配置された防着板と、
前記防着板に前記ロータリターゲットの前記第１主面に対向するように設けられ、前記第１主面から前記スパッタリング粒子が放出した後の前記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する複数の第１センサと、
前記防着板に前記ロータリターゲットの前記第１主面に対向するように設けられ、前記複数の磁気回路部のいずれかが前記防着板に対向した際に、前記複数の磁気回路部のいずれかから前記ロータリターゲットの前記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する複数の第２センサと
を準備して、前記基板に前記スパッタリング粒子を堆積する
真空処理方法。
前記第２主面に対向し、前記一軸方向に並設され、前記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、前記複数の磁気回路部のそれぞれと前記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する磁場発生機構と、
前記第１主面に対向し前記スパッタリング粒子を堆積させる基板を支持することが可能な基板ホルダと、
前記基板ホルダとは前記ロータリターゲットを介して反対側に配置された防着板と、
前記防着板に前記ロータリターゲットの前記第１主面に対向するように設けられ、前記第１主面から前記スパッタリング粒子が放出した後の前記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する複数の第１センサと、
前記防着板に前記ロータリターゲットの前記第１主面に対向するように設けられ、前記複数の磁気回路部のいずれかが前記防着板に対向した際に、前記複数の磁気回路部のいずれかから前記ロータリターゲットの前記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する複数の第２センサと
を準備して、前記基板に前記スパッタリング粒子を堆積する
真空処理方法。
【請求項5】
請求項４に記載された真空処理方法であって、
前記複数の第１センサのいずれかと前記第１主面との間の距離と、前記複数の第１センサのいずれかが対向する前記ロータリターゲットの厚みの前記減少量との関係と、
前記複数の第２センサのいずれかが検出した磁場強度と、前記複数の第２センサのいずれかと前記複数の第２センサのそれぞれが対向する前記磁気回路部との間の距離との関係と
を取得し、
前記複数の磁気回路部のいずれかから前記第１主面に形成される磁場強度が目的値となるように、前記複数の第２センサのいずれかと前記複数の第２センサのいずれかが対向する前記磁気回路部との間の前記距離を調整する
真空処理方法。
前記複数の第１センサのいずれかと前記第１主面との間の距離と、前記複数の第１センサのいずれかが対向する前記ロータリターゲットの厚みの前記減少量との関係と、
前記複数の第２センサのいずれかが検出した磁場強度と、前記複数の第２センサのいずれかと前記複数の第２センサのそれぞれが対向する前記磁気回路部との間の距離との関係と
を取得し、
前記複数の磁気回路部のいずれかから前記第１主面に形成される磁場強度が目的値となるように、前記複数の第２センサのいずれかと前記複数の第２センサのいずれかが対向する前記磁気回路部との間の前記距離を調整する
真空処理方法。
【請求項6】
請求項４または５に記載された真空処理方法であって、
前記ロータリターゲットを前記一軸方向と交差する方向に複数並設させて、前記基板に前記スパッタリング粒子を堆積する
真空処理方法。
前記ロータリターゲットを前記一軸方向と交差する方向に複数並設させて、前記基板に前記スパッタリング粒子を堆積する
真空処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、真空処理装置及び真空処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
スパッタリング成膜の中に、スパッタリングターゲットの裏面に磁石を配置してスパッタリング成膜を行うマグネトロンスパッタリング法がある。マグネトロンスパッタリングでは、基板に形成されるスパッタリング膜の膜質（例えば、膜厚）が基板面内で、より均一であることが望まれる。
【0003】
このような状況のなか、膜質が均一であるスパッタリング膜を得るために、スパッタリングターゲットとしてロータリターゲットを利用し、スパッタリング成膜の際、ロータリターゲット内に配置された磁石の向きを定期的に変える技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第６３８５４８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しなしながら、スパッタリング膜を量産するため、スパッタリング成膜を長時間にわたり連続して行うと、スパッタリングターゲットが部分的に掘れたりするほか、磁石がプラズマから熱を受けて、磁石を支持する支持台が変形して、成膜速度が経時的に変化するという現象に陥る。この結果、スパッタリング成膜の歩留まりが向上しないという状況に至る。
【0006】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、スパッタリング成膜の歩留まりを向上させた真空処理装置及び真空処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空処理装置は、筒状のロータリターゲットと、磁場発生機構と、基板ホルダと、防着板と、複数の第１センサと、複数の第２センサとを具備する。
上記ロータリターゲットは、スパッタリング粒子を放出する第１主面と、上記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、一軸方向に延在する中心軸を有し、上記中心軸の周りに回転する。
上記磁場発生機構は、上記第２主面に対向し、上記一軸方向に並設され、上記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、上記複数の磁気回路部のそれぞれと上記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する。
上記基板ホルダは、上記第１主面に対向し上記スパッタリング粒子を堆積させる基板を支持することができる。
上記防着板は、上記基板ホルダとは上記ロータリターゲットを介して反対側に配置される。
上記複数の第１センサは、上記防着板に上記ロータリターゲットの上記第１主面に対向するように設けられ、上記第１主面から上記スパッタリング粒子が放出した後の上記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する。
上記複数の第２センサは、上記防着板に上記ロータリターゲットの上記第１主面に対向するように設けられ、上記複数の磁気回路部のいずれかが上記防着板に対向した際に、上記複数の磁気回路部のいずれかから上記ロータリターゲットの上記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する。
上記ロータリターゲットは、スパッタリング粒子を放出する第１主面と、上記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、一軸方向に延在する中心軸を有し、上記中心軸の周りに回転する。
上記磁場発生機構は、上記第２主面に対向し、上記一軸方向に並設され、上記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、上記複数の磁気回路部のそれぞれと上記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する。
上記基板ホルダは、上記第１主面に対向し上記スパッタリング粒子を堆積させる基板を支持することができる。
上記防着板は、上記基板ホルダとは上記ロータリターゲットを介して反対側に配置される。
上記複数の第１センサは、上記防着板に上記ロータリターゲットの上記第１主面に対向するように設けられ、上記第１主面から上記スパッタリング粒子が放出した後の上記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する。
上記複数の第２センサは、上記防着板に上記ロータリターゲットの上記第１主面に対向するように設けられ、上記複数の磁気回路部のいずれかが上記防着板に対向した際に、上記複数の磁気回路部のいずれかから上記ロータリターゲットの上記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する。
【0008】
このような真空処理装置によれば、スパッタリング成膜の歩留まりを向上する。
【0009】
上記真空処理装置においては、上記ロータリターゲット、上記磁場発生機構、上記第１センサ、及び上記第２センサのそれぞれの動作を制御する制御部をさらに具備してもよい。
上記制御部には、
上記複数の第１センサのいずれかと上記第１主面との間の距離と、上記複数の第１センサのいずれかが対向する上記ロータリターゲットの厚みの上記減少量との関係と、
上記複数の第２センサのいずれかが検出した磁場強度と、上記複数の第２センサのいずれかと上記磁気回路部との間の距離との関係と
が格納されてもよい。
上記制御部は、上記複数の磁気回路部のいずれかから上記第１主面に形成される磁場強度が目的値となるように、上記複数の第２センサのいずれかと上記複数の第２センサのいずれかが対向する上記磁気回路部との間の上記距離を調整してもよい。
上記制御部には、
上記複数の第１センサのいずれかと上記第１主面との間の距離と、上記複数の第１センサのいずれかが対向する上記ロータリターゲットの厚みの上記減少量との関係と、
上記複数の第２センサのいずれかが検出した磁場強度と、上記複数の第２センサのいずれかと上記磁気回路部との間の距離との関係と
が格納されてもよい。
上記制御部は、上記複数の磁気回路部のいずれかから上記第１主面に形成される磁場強度が目的値となるように、上記複数の第２センサのいずれかと上記複数の第２センサのいずれかが対向する上記磁気回路部との間の上記距離を調整してもよい。
【0010】
このような真空処理装置によれば、スパッタリング成膜の歩留まりを向上する。
【0011】
上記真空処理装置においては、上記ロータリターゲットが上記一軸方向と交差する方向に複数並設されてもよい。
【0012】
このような真空処理装置によれば、スパッタリング成膜の歩留まりを向上する。
【0013】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空処理方法では、
スパッタリング粒子を放出する第１主面と、上記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、一軸方向に延在する中心軸を有し、上記中心軸の周りに回転する筒状のロータリターゲットと、
上記第２主面に対向し、上記一軸方向に並設され、上記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、上記複数の磁気回路部のそれぞれと上記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する磁場発生機構と、
上記第１主面に対向し上記スパッタリング粒子を堆積させる基板を支持することが可能な基板ホルダと、
上記基板ホルダとは上記ロータリターゲットを介して反対側に配置された防着板と、
上記防着板に上記ロータリターゲットの上記第１主面に対向するように設けられ、上記第１主面から上記スパッタリング粒子が放出した後の上記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する複数の第１センサと、
上記防着板に上記ロータリターゲットの上記第１主面に対向するように設けられ、上記複数の磁気回路部のいずれかが上記防着板に対向した際に、上記複数の磁気回路部のいずれかから上記ロータリターゲットの上記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する複数の第２センサと
が準備され、上記基板に上記スパッタリング粒子を堆積させる。
スパッタリング粒子を放出する第１主面と、上記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、一軸方向に延在する中心軸を有し、上記中心軸の周りに回転する筒状のロータリターゲットと、
上記第２主面に対向し、上記一軸方向に並設され、上記中心軸の周りに回転可能な複数の磁気回路部と、上記複数の磁気回路部のそれぞれと上記ロータリターゲットとの間の距離を変更する移動機構とを有する磁場発生機構と、
上記第１主面に対向し上記スパッタリング粒子を堆積させる基板を支持することが可能な基板ホルダと、
上記基板ホルダとは上記ロータリターゲットを介して反対側に配置された防着板と、
上記防着板に上記ロータリターゲットの上記第１主面に対向するように設けられ、上記第１主面から上記スパッタリング粒子が放出した後の上記ロータリターゲットの厚みの減少量を計測する複数の第１センサと、
上記防着板に上記ロータリターゲットの上記第１主面に対向するように設けられ、上記複数の磁気回路部のいずれかが上記防着板に対向した際に、上記複数の磁気回路部のいずれかから上記ロータリターゲットの上記第１主面を介して漏洩する磁力を計測する複数の第２センサと
が準備され、上記基板に上記スパッタリング粒子を堆積させる。
【0014】
このような真空処理方法によれば、スパッタリング成膜の歩留まりを向上する。
【0015】
上記真空処理方法においては、
上記複数の第１センサのいずれかと上記第１主面との間の距離と、上記複数の第１センサのいずれかが対向する上記ロータリターゲットの厚みの上記減少量との関係と、
上記複数の第２センサのいずれかが検出した磁場強度と、上記複数の第２センサのいずれかと上記複数の第２センサのそれぞれが対向する上記磁気回路部との間の距離との関係と
が取得されてもよい。
上記複数の磁気回路部のいずれかから上記第１主面に形成される磁場強度が目的値となるように、上記複数の第２センサのいずれかと上記複数の第２センサのいずれかが対向する上記磁気回路部との間の上記距離が調整されてもよい。
上記複数の第１センサのいずれかと上記第１主面との間の距離と、上記複数の第１センサのいずれかが対向する上記ロータリターゲットの厚みの上記減少量との関係と、
上記複数の第２センサのいずれかが検出した磁場強度と、上記複数の第２センサのいずれかと上記複数の第２センサのそれぞれが対向する上記磁気回路部との間の距離との関係と
が取得されてもよい。
上記複数の磁気回路部のいずれかから上記第１主面に形成される磁場強度が目的値となるように、上記複数の第２センサのいずれかと上記複数の第２センサのいずれかが対向する上記磁気回路部との間の上記距離が調整されてもよい。
【0016】
このような真空処理方法によれば、スパッタリング成膜の歩留まりを向上する。
【0017】
上記真空処理方法においては、上記ロータリターゲットを上記一軸方向と交差する方向に複数並設させて、上記基板に上記スパッタリング粒子を堆積させてもよい。
【0018】
このような真空処理方法によれば、スパッタリング成膜の歩留まりを向上する。
【発明の効果】
【0019】
以上述べたように、本発明によれば、スパッタリング成膜の歩留まりを向上させた真空処理装置及び真空処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本実施形態の真空処理装置の一例を示す模式的断面図である。
【図3】スパッタリング成膜の一例を示す模式的断面図である。
【図4】スパッタリング成膜の一例を示す模式的断面図である。
【図5】スパッタリング成膜の一例を示す模式的断面図である。
【図6】部材間同士の距離の定義を示す模式的断面図である。
【図7】表１～表３に掲げられた磁気回路部の動作手順を総括的に表したフロー図である。
【図8】本実施形態の真空処理装置の別の一例を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。また、以下に示す数値は例示であり、この例に限らない。
【0022】
【0023】
真空処理装置１は、筒状のロータリターゲット２０と、磁場発生機構３０と、基板ホルダ９１と、複数の距離センサ４１、４２、４３、４４、４５（第１センサ）と、複数の磁気センサ５１、５２、５３、５４、５５（第１センサ）と、防着板６０とを具備する。ロータリターゲット２０、磁場発生機構３０、基板ホルダ９１、複数の距離センサ４１～４５、複数の磁気センサ５１～５５、及び防着板６０は、減圧維持可能な真空槽（不図示）に収容される。真空槽は、排気機構（不図示）に接続される。真空槽には、ガス供給機構（不図示）からＡｒ等の放電ガスが供給される。また、真空処理装置１は、ロータリターゲット２０と、磁場発生機構３０とを回転させる回転機構（不図示）を備える。また、真空処理装置１は、ロータリターゲット２０、磁場発生機構３０、距離センサ４１～４５、及び磁気センサ５１～５５、排気機構、ガス供給機構、回転機構のそれぞれの動作を制御する制御部７０を具備する。
【0024】
ロータリターゲット２０は、例えば、円筒状のスパッタリングターゲットである。ロータリターゲット２０には、電源（不図示）から所定の電力（ＤＣ電力、ＡＣ電力等）が供給される。ロータリターゲット２０は、円筒状のターゲット材２１と、円筒状であってターゲット材２１を支持するバッキングチューブ２２とを有する。また、ロータリターゲット２０は、一軸方向（Ｘ軸方向）に延在する中心軸２０ｃを有する。ロータリターゲット２０は、中心軸２０ｃの周りに回転する。ロータリターゲット２０は、スパッタリング粒子を放出するスパッタリング面２０１（第１主面）と、スパッタリング面２０１とは反対側の裏面２０２（第２主面）とを含む。
【0025】
磁場発生機構３０は、ロータリターゲット２０の内部に設けられる。磁場発生機構３０は、複数の磁気回路部３１１、３１２、３１３、３１４、３１５と、複数の移動機構３３１、３３２、３３３、３３４、３３５と、支持板３２とを有する。
【0026】
複数の磁気回路部３１１～３１５のそれぞれは、ロータリターゲット２０の裏面２０２に対向する。複数の磁気回路部３１１～３１５のそれぞれは、一軸方向（中心軸２０ｃ方向）に並設される。複数の磁気回路部３１１～３１５のそれぞれは、例えば、永久磁石を含む。これにより、スパッタリング面２０１には、磁気回路部３１１～３１５のそれぞれからの漏洩磁場が形成される。複数の磁気回路部３１１～３１５のそれぞれは、中心軸２０ｃの周りに回転可能に構成される。
【0027】
移動機構３３１～３３５のそれぞれは、複数の磁気回路部３１１～３１５のいずれかを支持する。例えば、移動機構３３１は、磁気回路部３１１を支持する。移動機構３３２は、磁気回路部３１２を支持する。移動機構３３３は、磁気回路部３１３を支持する。移動機構３３４は、磁気回路部３１４を支持する。移動機構３３５は、磁気回路部３１５を支持する。
【0028】
移動機構３３１～３３５のそれぞれは、複数の磁気回路部３１１～３１５のいずれかとロータリターゲット２０との間の距離を変更することができる。例えば、移動機構３３１は、磁気回路部３１１とロータリターゲット２０との間の距離を変更することができる。移動機構３３２は、磁気回路部３１２とロータリターゲット２０との間の距離を変更することができる。移動機構３３３は、磁気回路部３１３とロータリターゲット２０との間の距離を変更することができる。移動機構３３４は、磁気回路部３１４とロータリターゲット２０との間の距離を変更することができる。移動機構３３５は、磁気回路部３１５とロータリターゲット２０との間の距離を変更することができる。
【0029】
複数の磁気回路部の数は、図示される数に限らずロータリターゲット２０の長さに応じて適宜変更される。複数の磁気回路部の数に応じて、移動機構の数も変更される。
【0030】
支持板３２は、移動機構３３１～３３５のそれぞれを支持する。支持板３２は、移動機構３３１を介して磁気回路部３１１を支持する。支持板３２は、移動機構３３２を介して磁気回路部３１２を支持する。支持板３２は、移動機構３３３を介して磁気回路部３１３を支持する。支持板３２は、移動機構３３４を介して磁気回路部３１４を支持する。支持板３２は、移動機構３３５を介して磁気回路部３１５を支持する。また、支持板３２は、一軸方向に延在する。支持板３２は、中心軸２０ｃの周りに回転することができる。これにより、複数の磁気回路部３１１～３１５のそれぞれが中心軸２０ｃの周りに回転できる。
【0031】
防着板６０は、基板ホルダ９１とはロータリターゲット２０を介して反対側に配置される。防着板６０と基板ホルダ９１との間には、ロータリターゲット２０が配置される。防着板６０には、ロータリターゲット２０に向けて、複数の距離センサ４１～４５と、複数の磁気センサ５１～５５とが設けられている。防着板６０は、例えば、接地電位に接続される。
【0032】
複数の距離センサ４１～４５のそれぞれは、ロータリターゲット２０のスパッタリング面２０１に対向するように防着板６０に設けられる。複数の距離センサ４１～４５のそれぞれは、一軸方向に並設される。例えば、距離センサ４１は、磁気センサ５１と隣り合うように防着板６０に設けられる。距離センサ４２は、磁気センサ５２と隣り合うように防着板６０に設けられる。距離センサ４３は、磁気センサ５３と隣り合うように防着板６０に設けられる。距離センサ４４は、磁気センサ５４と隣り合うように防着板６０に設けられる。距離センサ４５は、磁気センサ５５と隣り合うように防着板６０に設けられる。それぞれが隣り合う方向は、一軸方向でもよく、ロータリターゲット２０の回転方向でもよい。
【0033】
複数の距離センサ４１～４５のそれぞれは、例えば、レーザ距離計等の光学的計測手段を備える。複数の距離センサ４１～４５のそれぞれによって、スパッタリング面２０１からスパッタリング粒子が放出した後のロータリターゲット２０の厚みの減少量が計測される。
【0034】
複数の磁気センサ５１～５５のそれぞれは、ロータリターゲット２０のスパッタリング面２０１に対向するように防着板６０に設けられる。複数の磁気センサ５１～５５のそれぞれは、一軸方向に並設される。複数の磁気センサ５１～５５のそれぞれは、複数の磁気回路部３１１～３１５のいずれかが中心軸２０ｃを中心とした回転動作によって防着板６０に対向した際に、複数の磁気回路部３１１～３１５のいずれかからロータリターゲット２０のスパッタリング面２０１を介して漏洩する磁場強度（磁力）を計測する。
【0035】
例えば、磁気センサ５１は、磁気回路部３１１が防着板６０に対向した際に、磁気回路部３１１に対向し、磁気回路部３１１からロータリターゲット２０のスパッタリング面２０１を介して漏洩する磁力を計測する。磁気センサ５２は、磁気回路部３１２が防着板６０に対向した際に、磁気回路部３１２に対向し、磁気回路部３１２からロータリターゲット２０のスパッタリング面２０１を介して漏洩する磁力を計測する。磁気センサ５３は、磁気回路部３１３が防着板６０に対向した際に、磁気回路部３１３に対向し、磁気回路部３１３からロータリターゲット２０のスパッタリング面２０１を介して漏洩する磁力を計測する。磁気センサ５４は、磁気回路部３１４が防着板６０に対向した際に、磁気回路部３１４に対向し、磁気回路部３１４からロータリターゲット２０のスパッタリング面２０１を介して漏洩する磁力を計測する。磁気センサ５５は、磁気回路部３１５が防着板６０に対向した際に、磁気回路部３１５に対向し、磁気回路部３１５からロータリターゲット２０のスパッタリング面２０１を介して漏洩する磁力を計測する。
【0036】
基板ホルダ９１は、真空処理の対象物である基板９０を支持することができる。基板９０は、スパッタリング面２０１に対向する。基板９０には、スパッタリング面２０１から放出されたスパッタリング粒子が堆積する。基板ホルダ９１は、スパッタリング成膜時、基板ホルダ９１とロータリターゲット２０との相対距離が変わらない固定式の基板ホルダでもよく、基板ホルダ９１とロータリターゲット２０との相対距離が変わるスライド式の基板ホルダでもよい。例えば、基板ホルダ９１がスライド式の基板ホルダである場合、スパッタリング成膜時、基板９０及び基板ホルダ９１は、一軸方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に移動する。
【0037】
真空処理装置１の動作、真空処理方法について、図１のＡ１－Ａ２断面を参照しながら説明する。
【0038】
図２（ａ）、（ｂ）は、図１のＡ１－Ａ２断面を示す模式的断面図である。以下では、磁気回路部３１１～３１５のうち、磁気回路部３１１が示され、移動機構３３１～３３５のうち、移動機構３３１が示される。磁気回路部３１１と移動機構３３１とを用いて示される断面構造及び動作は、磁気回路部３１１以外の磁気回路部３１２～３１５、移動機構３３１以外の移動機構３３２～３３５、距離センサ４１以外の距離センサ４２～４５、磁気センサ５１以外の磁気センサ５２～５５にも適用される。
【0039】
図２（ａ）には、真空処理装置１がスパッタリング成膜を行っているときの一例が示される。スパッタリング成膜時、磁気回路部３１１は、基板９０側または基板ホルダ９１の側に向けられる。ロータリターゲット２０は、スパッタリング成膜時、所定の角速度で回転する。図２（ａ）では、磁気回路部３１１（例えば、中央の磁石３１１ａ）が基板９０に最も近くなる状態が例示される。本実施形態では、この状態での磁気回路部３１１の回転角θを０度（基準値）とする。また、０度（基準値）から時計回りを正の角度、反時計回りを負の角度とする。スパッタリング成膜時、回転角θは０度に設定される必要はなく、正側または負側にずらしてもよい。この例については後述する。
【0040】
磁気回路部３１１は、中央に配置された磁石３１１ａと、磁石３１１ａの両側に配置された磁石３１１ｂ、３１１ｃとを有する。磁石３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃは、例えば、基材（ヨーク板）３１１ｐに支持される。磁気回路部３１１の極性は、中央の磁石３１１ａからＳ極と、その両側の磁石３１１ｂ、３１１ｃからＮ極の構成とされる。このような構成により、磁気回路部３１１からスパッタリング面２０１を漏洩してスパッタリング面２０１に形成される磁場が効率よく電子や電荷粒子を収束する。
【0041】
ロータリターゲット２０の中心軸２０ｃの周りに磁気回路部３１１を回転移動させることにより、マグネトロン放電時においては、磁気回路部３１１が対向するスパッタリング面２０１付近にプラズマが集中する。この結果、磁気回路部３１１が対向するスパッタリング面２０１から優先的にスパッタリング粒子を放出することができる。また、磁気回路部３１１の回転角θに応じて、スパッタリング粒子がスパッタリング面２０１から放出する指向を変えることができる。
【0042】
支持板３２に支持された移動機構３３１は、スライド機構（伸縮ロッド）３３１ｒを有する。スライド機構３３１ｒがスライド機構３３１ｒの長手方向に伸縮することにより、磁気回路部３１１がロータリターゲット２０に近づいたり、離れたりする。これにより、スパッタリング面２０１に形成される磁場を基板９０の側に押し出したり、中心軸２０ｃの側に引き込めたりできる。換言すれば、スライド機構３３１ｒの伸縮によって、スパッタリング面２０１に形成される磁場を強めたり、弱めたりすることができる。
【0043】
図２（ｂ）には、真空処理装置１がスパッタリング成膜を停止しているときの一例が示される。スパッタリング成膜を停止している際には、磁気回路部３１１が基板９０または基板ホルダ９１とは反対側に回転移動し、磁気回路部３１１（例えば、中央の磁石３１１ａ）が防着板６０に最も近くなるように位置する。この際、磁気センサ５１によって、磁気センサ５１が対向するスパッタリング面２０１から漏洩する磁場強度（例えば、水平磁場強度（gauss））が測定される。
【0044】
磁気センサ５１が検出した磁場強度は、磁気センサ５１と磁気センサ５１が対向する磁気回路部３１１との間の距離に応じて変化する。例えば、磁気センサ５１と磁気センサ５１が対向する磁気回路部３１１との間の距離が長くなるほど、磁気センサ５１が検出した磁場強度は弱く検出される。
【0045】
例えば、制御部７０には、複数の磁気センサ５１～５５のいずれかが検出した磁場強度と、複数の磁気センサ５１～５５のいずれかと複数の磁気センサ５１～５５のいずれかが対向する磁気回路部３１１～３１５との間の距離との関係とが格納されている。例えば、複数の磁気センサ５１～５５のいずれかが検出した磁場強度と、前記いずれかの磁気センサと、前記いずれかの磁気センサが対向する磁気回路部との間の距離との関係とが格納されている。この相関関係は、予め実験、シミュレーション等で求められている。例えば、複数の磁気センサ５１～５５のいずれかが検出した磁場強度と、前記いずれかの磁気センサが対向する磁気回路部との間の距離との関係は、（磁場強度）＝Ａ×ｅｘｐ（－Ｂ×（距離））の関係式（１）で示される（Ａ、Ｂは係数）。換言すれば、磁気センサ５１が磁気センサ５１が対向する磁気回路部３１１の磁場強度を検出することで、磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離を算出することができる。
【0046】
また、スパッタリング成膜を停止している際には、距離センサ４１によって、距離センサ４１と、距離センサ４１が対向するスパッタリング面２０１との間の距離（ｍｍ）が測定される。距離センサ４１とスパッタリング面２０１との間の距離（ｍｍ）と、ターゲット材２１の厚さ（ｍｍ）との相関関係は、予め実験、シミュレーション等で求められている。その相関関係は、制御部７０に格納されている。
【0047】
例えば、ターゲット材２１の初期（スパッタリング成膜を開始する前の状態）の厚さがＴ０（ｍｍ）で、距離センサ４１とスパッタリング面２０１との間の初期の距離がＤ０（ｍｍ）の場合、スパッタリング成膜によって、ターゲット材２１がｔ（ｍｍ）だけ減少したとすれば、ターゲット材２１の厚みは、Ｔ０－ｔ（ｍｍ）となり（ｔ≦Ｔ０）、距離センサ４１とスパッタリング面２０１との間の距離は、Ｄ０＋ｔ（ｍｍ）となる。すなわち、距離センサ４１とスパッタリング面２０１との間の距離を計測することによって、スパッタリング成膜開始後のターゲット材２１の厚みＴ０－ｔ（ｍｍ）を求めることができる。
【0048】
制御部７０には、複数の距離センサ４１～４５のいずれかとスパッタリング面２０１との間の距離（Ｄ０＋ｔ（ｍｍ））と、距離センサ４１～４５のいずれかが対向するロータリターゲット２０（ターゲット材２１）の厚みの減少量（－ｔ（ｍｍ））との関係が格納されている。例えば、複数の距離センサ４１～４５のいずれかとスパッタリング面２０１との間の距離と、前記いずれかの距離センサが対向するターゲット材２１の厚みの減少量との関係が格納されている。制御部７０は、距離（Ｄ０＋ｔ（ｍｍ））から減少量（－ｔ（ｍｍ））を求め、さらにターゲット材２１の厚み（Ｔ０－ｔ（ｍｍ））を算出する。
【0049】
磁気センサ５１によって、スパッタリング面２０１から漏洩する磁場強度を計測する際、または、距離センサ４１によって、ターゲット材２１の厚みを検出する際には、ロータリターゲット２０を回転させてもよく、ロータリターゲット２０の回転を停止してもよい。但し、距離センサ４１によってターゲット材２１の外周の一周分の平均的な厚みを検出する場合には、ロータリターゲット２０を回転しながらターゲット材２１の厚みを検出することが望ましい。
【0050】
図３（ａ）～図５（ｂ）は、スパッタリング成膜の一例を示す模式的断面図である。図３（ａ）～図５（ｂ）では、防着板６０、距離センサ４１、及び磁気センサ５１が略されたり、基板９０、基板ホルダ９１が略されたりしている。
【0051】
まず、スパッタリング成膜を開始する前に、図３（ａ）に示すように、磁気回路部３１１を防着板６０に対向させる。磁気センサ５１は、磁気回路部３１１を防着板６０に対向させた状態での磁場強度を測定する。ここで、制御部７０には、磁気センサ５１が検出した磁場強度と、磁気センサ５１と磁気センサ５１が対向する磁気回路部３１１との間の距離との関係とが格納されている。従って、磁気センサ５１が検出した磁場強度から、スパッタリング成膜開始前における、磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離が判明する。なお、次回に行うスパッタリング成膜では、図３（ａ）に示す検出は適宜省略してもよい。
【0052】
次に、図３（ｂ）に示すように、磁気回路部３１１の回転角θが基準値から所定の回転角にずらされた状態でロータリターゲット２０に所定の電力が供給され、スパッタリング成膜が開始される。ここで、スパッタリング面２０１に形成される磁場には、電子や電荷粒子が収束されるため、スパッタリング面２０１に形成される磁場付近には、プラズマ密度の濃いプラズマが形成される。このため、基板９０に形成されるスパッタリング膜がプラズマによってダメージを受ける場合がある。これを回避するため、例えば、回転角θを時計回りにずらして（例えば、＋２０～＋４０度）、スパッタリング成膜を行う。回転角θを時計回りに所定の角度でずらすことにより、基板９０とプラズマとの距離が回転角θが０度のときよりも離れ、スパッタリング膜がプラズマによってダメージを受けにくくなる。
【0053】
但し、この状態でスパッタリング成膜を続けていくと、支持板３２がプラズマから熱を受ける。これにより、支持板３２、基材３１１ｐが変形する場合がある。例えば、支持板３２、基材３１１ｐが反ったり、支持板３２、基材３１１ｐが部分的に曲がったりする場合がある。以下、変形は、反りを例に説明する。
【0054】
例えば、図１に示す支持板３２がプラズマから受ける熱履歴によって全体的に下に凸に反った場合、支持板３２は、熱を受ける前の状態（例えば、一軸方向にストレート状態）であるときよりも支持板３２の両端部が防着板６０の側に移動し、支持板３２の中央部は基板９０の側に移動することになる。これにより、例えば、支持板３２の両端部付近に配置された磁気回路部３１１は、ロータリターゲット２０の裏面２０２から離れることになる。この状態を図４（ａ）に示す。
【0055】
図４（ａ）に示すように、磁気回路部３１１がロータリターゲット２０の裏面２０２から離れてしまうと、スパッタリング面２０１における磁場強度が減少して、スパッタリング面２０１から放出するスパッタリング粒子の放出量が変化する。これにより、成膜速度が経時的に安定しないという現象が起き得る。
【0056】
この現象を回避するために、本実施形態では、磁気回路部３１１がロータリターゲット２０の裏面２０２から離れたたり、あるいは近づいたりした場合の距離の変動分を移動機構３３１によって修正する。この修正によって、スパッタリング成膜時、磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離が一定になるように維持される。換言すれば、磁気回路部３１１がロータリターゲット２０の裏面２０２から離れたたり、近づいたりしても、移動機構３３１によってスパッタリング面２０１に形成される磁場強度が同じになるように調整される。以下に、その方法を説明する。
【0057】
例えば、スパッタリング成膜時には、定期的にロータリターゲット２０への電力の投入を停止して、図４（ｂ）に示すように、磁気回路部３１１を防着板６０に対向させる。磁気回路部３１１を防着板６０に対向させた後においては、支持板３２がスパッタリング成膜時に反った状態を暫定的に維持する。磁気センサ５１は、磁気回路部３１１を防着板６０に対向させた状態での磁場強度を測定する。ここで、制御部７０には、磁気センサ５１が検出した磁場強度と、磁気センサ５１と磁気センサ５１が対向する磁気回路部３１１との間の距離との関係とが格納されている。このため、磁気センサ５１が検出した磁場強度から、支持板３２が反った状態での磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離が判明する。
【0058】
この後、移動機構３３１のスライド機構３３１ｒによって、磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離が支持板３２が反る前の磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離に戻される。この状態を図５（ａ）示す。
【0059】
次に、図５（ｂ）に示すように、磁気回路部３１１の回転角θが図３（ｂ）に示された状態と同じ回転角θに設定される。そして、ロータリターゲット２０に電力が投入されて、スパッタリング成膜が開始される。この際、スパッタリング面２０１における磁場強度は、図３（ｂ）に示された状態と同程度になっているため、スパッタリング面２０１から放出するスパッタリング粒子の放出量は、図３（ｂ）に示された状態と同程度になる。これにより、長時間にわたりスパッタリング成膜を行っても、スパッタリング成膜の成膜速度が安定する。
【0060】
なお、長時間にわたりスパッタリング成膜を行った場合、支持板３２が反るほかに、ロータリターゲット２０のターゲット材２１にエロージョンが形成される場合がある。この場合、上述した方法で距離センサ４１によってターゲット材２１の厚みが算出される。この計測によって、ターゲット材２１の厚みが（Ｔ０－ｔ（ｍｍ））と算出されれば、スパッタリング面２０１がロータリターゲット２０の厚みの減少量のｔ（ｍｍ）分、磁気回路部３１１の側に近づいたと判断できる。換言すれば、スパッタリング面２０１では、磁気回路部３１１からスパッタリング面２０１に漏れ出る磁場がより強くなっており、磁気センサ５１が検出する磁場強度が不変であったとしても、スパッタリング面２０１における磁場強度は、減少量のｔ（ｍｍ）分、強くなっている。
【0061】
従って、エロージョンによって、スパッタリング面２０１がｔ（ｍｍ）分、掘れた場合は、磁気回路部３１１を磁気センサ５１（または、ロータリターゲット２０）からｔ（ｍｍ）分、離すことで、スパッタリング面２０１に形成する磁場強度をエロージョンが形成される前の状態と同程度に設定できる。
【0062】
このように、真空処理装置１の制御部７０は、磁気センサのほか、距離センサを用いて、複数の磁気回路部３１１～３１５のいずれかからスパッタリング面２０１に形成される磁場強度が目的値となるように、複数の磁気センサ５１～５５のいずれかと複数の磁気センサ５１～５５のいずれかが対向する磁気回路部との間の距離を調整する。例えば、制御部７０は、磁気センサと、距離センサとを用いて、複数の磁気回路部３１１～３１５のいずれかからスパッタリング面２０１に形成される磁場強度が目的値となるように、前記いずれかの磁気センサと前記いずれかの磁気センサが対向する磁気回路部との間の距離を調整する。
【0063】
これにより、長時間にわたりスパッタリング成膜を行った結果、支持板３２が熱履歴によって反ったり、あるいはターゲット材２１にエロージョンが形成されたりしても、スパッタリング面２０１に形成される磁場強度が支持板３２が熱履歴によって反る前の状態、または、ターゲット材２１にエロージョンが形成される前の状態と同程度に設定できる。この結果、長時間にわたりスパッタリング成膜を行っても安定した成膜速度が得られ、基板９０に形成されるスパッタリング膜の膜厚変動が起きにくくなる。すなわち、スパッタリング成膜の歩留まりが向上する。
【0064】
次に、磁気回路部３１１～３１５を動作する手順の一例について説明する。この手順は、制御部７０によって自動的に行われる。図６には、部材間同士の距離の定義を示す模式的断面図が示される。図６では、磁気回路部３１１～３１５のうち、磁気回路部３１１が示されている。図６に示される定義は、磁気回路部３１２～３１５にも適用される。
【0065】
例えば、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離は、磁気回路部３１１の磁石３１１ａの先端部と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌ（ｍｍ）で定義される。磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離は、磁気センサ５１と磁気回路部３１１の磁石３１１ａの先端部との間の距離Ｍ（ｍｍ）で定義される。ターゲット部材２１と磁気回路部３１１との間の距離は、ターゲット部材２１のスパッタリング面２０１と磁気回路部３１１の磁石３１１ａの先端部との間の距離Ｎ（ｍｍ）で定義される。ターゲット材２１の厚みは、ターゲット材２１のスパッタリング面２０１と裏面２０２との間の厚みＴで定義される。厚みＴは、上述した（Ｔ０－ｔ（ｍｍ））に対応する。また、距離Ｌ＋距離Ｍは、磁気センサ５１と、中心軸２０ｃとの間の距離に対応するため固定値になる。
【0066】
（動作１）
【0067】
【表1】
【0068】
表では、距離センサ４１と磁気センサ５１との組、距離センサ４２と磁気センサ５２との組、距離センサ４３と磁気センサ５３との組、距離センサ４４と磁気センサ５４との組、距離センサ４５と磁気センサ５５との組における（図１参照）、それぞれのセンサの測定値、各組の位置における部材間同士の初期設定値、各組の位置における部材間同士の距離計算値が示されている。なお、初期の状態（スパッタリング成膜開始前）での部材間同士の距離、厚みは予め実測済である。
【0069】
例えば、距離センサ４１と磁気センサ５１との検出によって、磁気回路部３１１がどのように動作するのか以下に説明する。
【0070】
例えば、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌ（ｍｍ）が初期設定値Ｌ０として、４８．５（ｍｍ）に設定される（ステップ１ａ）。
【0071】
次に、磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離Ｍ（ｍｍ）が初期設定値Ｍ０として、５９．０（ｍｍ）に設定される（ステップ２ａ）。
【0072】
このときの磁気センサ５１の位置での目標磁場強度は、初期設定値Ｂ０として３８（Ｇａｕｓｓ）に設定される（ステップ３ａ）。換言すれば、距離Ｌ（ｍｍ）と距離Ｍ（ｍｍ）とが初期値として上記の値に設定された場合、磁気センサ５１の位置で磁場強度が３８（Ｇａｕｓｓ）となる磁気回路部３１１が用いられる。
【0073】
次に、磁気センサ５１によって磁場強度が測定される（ステップ４ａ）。ここでの測定値Ｂは、当然に、３８（Ｇａｕｓｓ）となる。
【0074】
次に、磁気センサ５１が検出した磁場強度の測定値から、磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離Ｍ（ｍｍ）として、計算値Ｍ１が算出される（ステップ５ａ）。例えば、磁場強度３８（Ｇａｕｓｓ）から、計算値Ｍ１は、５９．０（ｍｍ）に算出される。これは、制御部７０に格納されている、磁気センサ５１が検出した磁場強度と、磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離との関係式（１）から算出される。
【0075】
次に、支持板３２の反り等によって磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ６ａ）。ここでは、ステップ５ａで、計算値Ｍ１が初期設定値Ｍ０と一致したため、支持板３２は反ってなく、ストレート状であると判断できる。従って、距離Ｌを変更する必要はなく、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、０．０（ｍｍ）になる。
【0076】
一方、本実施形態では、磁場強度の変動のほか、ターゲット材２１の減りも考慮される。例えば、ターゲット材２１の初期の厚み（ｍｍ）が設定される（ステップ７ａ）。厚みの初期設定値（Ｔ０）は、例えば、２０．０（ｍｍ）である。
【0077】
次に、ターゲット材２１と磁気回路部３１１との間の距離Ｎ（ｍｍ）として、初期設定値（Ｎ０）が設定される（ステップ８ａ）。初期設定値Ｎ０は、初期設定値Ｍ０から、距離センサ４１とスパッタリング面２０１との間の距離を差し引いた値に該当する。初期設定値Ｎ０は、３９．０（ｍｍ）である。
【0078】
次に、距離センサ４１によって、ターゲット材２１の厚みＴ（ｍｍ）が測定される（ステップ９ａ）。ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１は、初期設定値Ｔ０のままで、２０．０（ｍｍ）になる。
【0079】
次に、ターゲット材２１と磁気回路部３１１との間の距離Ｎ（ｍｍ）として、ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１から、ターゲット材２１と磁気回路部３１１との間の距離の計算値Ｎ１が算出される（ステップ１０ａ）。ここでは、ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１が初期設定値Ｔ０のままなので、計算値Ｎ１は、３９．０（ｍｍ）である。
【0080】
次に、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１１ａ）。ここで、ステップ９ａで、ターゲット材２１の測定値Ｔ１が初期設定値Ｔ０と一致したので、ターゲット材２１と磁気回路部３１１との間の距離Ｎ（ｍｍ）を変える必要はなく、従って、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）を変える必要はない。従って、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、０．０（ｍｍ）となる。
【0081】
次に、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１２ａ）。ここでは、磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）と、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）とがともに、０．０（ｍｍ）のため、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、０．０（ｍｍ）となる。
【0082】
次に、距離センサ４２と磁気センサ５２との検出によって、磁気回路部３１２がどのように動作するのか以下に説明する。
【0083】
例えば、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌ（ｍｍ）が初期設定値Ｌ０として、４７．５（ｍｍ）に設定される（ステップ１ａ）。
【0084】
次に、磁気センサ５２と磁気回路部３１２との間の距離Ｍ（ｍｍ）が初期設定値Ｍ０として、６０．０（ｍｍ）に設定される（ステップ２ａ）。
【0085】
このときの磁気センサ５２の位置での目標磁場強度は、初期設定値Ｂ０として３５（Ｇａｕｓｓ）に設定される（ステップ３ａ）。
【0086】
次に、磁気センサ５２によって磁場強度が測定される（ステップ４ａ）。ここでの測定値Ｂは、当然に、３５（Ｇａｕｓｓ）となる。
【0087】
次に、磁気センサ５２が検出した磁場強度の測定値から、磁気センサ５２と磁気回路部３１２との間の距離Ｍ（ｍｍ）として、計算値Ｍ１である６０．０（ｍｍ）が算出される。
【0088】
次に、支持板３２の反り等によって磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ６ａ）。ここでは、ステップ５ａで、計算値Ｍ１が初期設定値Ｍ０と一致したため、支持板３２は反ってなく、ストレート状であると判断できる。従って、距離Ｌを変更する必要はなく、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、０．０（ｍｍ）になる。
【0089】
次に、ターゲット材２１の初期の厚み（ｍｍ）が設定される（ステップ７ａ）。厚みの初期設定値（Ｔ０）は、例えば、２０．０（ｍｍ）である。
【0090】
次に、ターゲット材２１と磁気回路部３１２との間の距離Ｎ（ｍｍ）として、初期設定値（Ｎ０）が設定される（ステップ８ａ）。初期設定値Ｎ０は、４０．０（ｍｍ）である。
【0091】
次に、距離センサ４２によって、ターゲット材２１の厚みＴ（ｍｍ）が測定される（ステップ９ａ）。ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１は、初期設定値Ｔ０のままで、２０．０（ｍｍ）になる。
【0092】
次に、ターゲット材２１と磁気回路部３１２との間の距離Ｎ（ｍｍ）として、ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１から、ターゲット材２１と磁気回路部３１２との間の距離の計算値Ｎ１が算出される（ステップ１０ａ）。ここでは、ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１が初期設定値Ｔ０のままなので、計算値Ｎ１は、４０．０（ｍｍ）である。
【0093】
次に、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１１ａ）。ここで、ステップ９ａで、ターゲット材２１の測定値Ｔ１が初期設定値Ｔ０と一致したので、ターゲット材２１と磁気回路部３１２との間の距離Ｎ（ｍｍ）を変える必要はなく、従って、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）を変える必要はない。従って、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、０．０（ｍｍ）となる。
【0094】
次に、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１２ａ）。ここでは、磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）と、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）とがともに、０．０（ｍｍ）のため、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、０．０（ｍｍ）となる。
【0095】
このように、支持板３２が熱履歴によって反ってもなく、ターゲット材２１の減りが生じていない場合には、磁気回路部と中心軸との間の距離を初期状態から変更することなく、スパッタリング成膜を実行する。
【0096】
（動作２）
【0097】
次に、スパッタリング成膜を開始した後、支持板３２が熱履歴によって反った場合に、例えば、距離センサ４１と磁気センサ５１との検出によって、磁気回路部３１１がどのように動作するのか表２を用いて説明する。
【0098】
【表2】
【0099】
まず、ステップ１ｂ～ステップ３ｂまでは、ステップ１ａ～ステップ３ａまでと同じ処理が行われる。
【0100】
次に、磁気センサ５１によって磁場強度が測定される（ステップ４ｂ）。ここで、測定値Ｂが初期値の３８（Ｇａｕｓｓ）でなく、２０（Ｇａｕｓｓ）であったとする。
【0101】
次に、磁気センサ５１が検出した磁場強度の測定値から、磁気センサ５１と磁気回路部３１１との間の距離Ｍ（ｍｍ）として、関係式（１）から計算値Ｍ１が算出される（ステップ５ｂ）。例えば、磁場強度２０（Ｇａｕｓｓ）から、計算値Ｍ１は、６７．１（ｍｍ）に算出される。
【0102】
次に、支持板３２の反り等によって磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ６ｂ）。ここでは、計算値Ｍ１が初期設定値Ｍ０と一致しないため、支持板３２は反っていると判断できる。従って、距離Ｌの変更量は、計算値Ｍ１が初期設定値Ｍ０との差の８．１（ｍｍ）になる。すなわち、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌが初期状態より遠ざかったとしても、８．１（ｍｍ）分の距離を中心軸２０ｃからロータリターゲット２０に向かう方向に戻すことで、磁気回路部３１１によってスパッタリング面２０１に形成される磁場強度が初期状態と同程度になる。
【0103】
次に、ターゲット材２１の減りが考慮される。ここでは、ターゲット材２１の減りは起きないことを想定しているため、ステップ７ｂ～ステップ１１ｂの処理は、ステップ７ａ～ステップ１１ａの処理と同じになる。
【0104】
次に、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１２ｂ）。ここでは、磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が８．１（ｍｍ）で、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が０．０（ｍｍ）のため、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、８．１（ｍｍ）となる。
【0105】
次に、距離センサ４２と磁気センサ５２との検出によって、磁気回路部３１２がどのように動作するのか以下に説明する。
【0106】
まず、ステップ１ｂ～ステップ３ｂまでは、ステップ１ａ～ステップ３ａまでと同じ処理が行われる。
【0107】
次に、磁気センサ５２によって磁場強度が測定される（ステップ４ｂ）。ここで、測定値Ｂが初期値の３５（Ｇａｕｓｓ）でなく、２０（Ｇａｕｓｓ）であったとする。
【0108】
次に、磁気センサ５２が検出した磁場強度の測定値から、磁気センサ５２と磁気回路部３１２との間の距離Ｍ（ｍｍ）として、関係式（１）から計算値Ｍ１が算出される（ステップ５ｂ）。例えば、磁場強度２０（Ｇａｕｓｓ）から、計算値Ｍ１は、６７．１（ｍｍ）に算出される。
【0109】
次に、支持板３２の反り等によって磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ６ｂ）。距離Ｌの変更量は、計算値Ｍ１が初期設定値Ｍ０との差の７．１（ｍｍ）になる。すなわち、７．１（ｍｍ）分の距離を中心軸２０ｃからロータリターゲット２０に向かう方向に戻すことで、磁気回路部３１２によってスパッタリング面２０１に形成される磁場強度が初期状態と同程度になる。
【0110】
次に、ターゲット材２１の減りが考慮される。ここでは、ターゲット材２１の減りは起きないことを想定しているため、ステップ７ｂ～ステップ１１ｂの処理は、ステップ７ａ～ステップ１１ａの処理と同じになる。
【0111】
次に、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１２ｂ）。ここでは、磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が８．１（ｍｍ）で、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が０．０（ｍｍ）のため、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、７．１（ｍｍ）となる。
【0112】
このように、支持板３２が熱履歴によって反った場合、磁気回路部と中心軸との間の距離を初期状態から所定の距離だけ中心軸２０ｃからロータリターゲット２０に向かう方向に戻してスパッタリング成膜を実行する。
【0113】
（動作３）
【0114】
次に、スパッタリング成膜を開始した後、支持板３２が熱履歴によって反り、ターゲット材２１の厚みが減少した場合に、例えば、距離センサ４１と磁気センサ５１との検出によって、磁気回路部３１１がどのように動作するのか表３を用いて説明する。
【0115】
【表3】
【0116】
まず、ステップ１ｃ～ステップ６ｃまでは、ステップ１ｂ～ステップ６ｂまでと同じ処理が行われる。すなわち、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌとして、８．１（ｍｍ）分の距離を中心軸２０ｃからロータリターゲット２０に向かう方向に戻す処理が行われる。
【0117】
次に、ターゲット材２１の減りが考慮される。まず、ステップ７ｃ～ステップ８ｃは、ステップ７ａ～ステップ８ａと同じ処理がなされる。
【0118】
次に、距離センサ４１によって、ターゲット材２１の厚みＴ（ｍｍ）が測定される（ステップ９ｃ）。ここでは、ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１が１８．０（ｍｍ）とされる。すなわち、スパッタリング成膜によって、ターゲット材２１の厚みが２．０（ｍｍ）、減少したとする。
【0119】
次に、ターゲット材２１と磁気回路部３１１との間の距離Ｎ（ｍｍ）として、ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１から、ターゲット材２１と磁気回路部３１１との間の距離の計算値Ｎ１が算出される（ステップ１０ｃ）。ここでは、計算値Ｎ１は、３７．０（ｍｍ）である。
【0120】
次に、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１１ｃ）。ここで、ステップ９ｃで、ターゲット材２１の測定値Ｔ１が初期設定値Ｔ０から２．０（ｍｍ）減少している。従って、スパッタリング面２０１が、この２．０（ｍｍ）分、磁気回路部３１１に近づいたことになるので、ターゲット材２１と磁気回路部３１１との間の距離Ｎ（ｍｍ）を変える必要があり、従って、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、－２．０（ｍｍ）となる。すなわち、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌとして、２．０（ｍｍ）分の距離を中心軸２０ｃからロータリターゲット２０に向かう方向とは逆方向に戻す処理が行われる。
【0121】
次に、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１２ａ）。ここでは、磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が８．１（ｍｍ）で、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）とが－２．０（ｍｍ）のため、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１１と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、６．１（ｍｍ）となる。
【0122】
次に、距離センサ４２と磁気センサ５２との検出によって、磁気回路部３１２がどのように動作するのか以下に説明する。
【0123】
まず、ステップ１ｃ～ステップ６ｃまでは、ステップ１ｂ～ステップ６ｂまでと同じ処理が行われる。
【0124】
次に、ターゲット材２１の減りが考慮される。まず、ステップ７ｃ～ステップ８ｃは、ステップ７ａ～ステップ８ａと同じ処理がなされる。
【0125】
次に、距離センサ４２によって、ターゲット材２１の厚みＴ（ｍｍ）が測定される（ステップ９ｃ）。ここでは、ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１が１９．０（ｍｍ）とされる。すなわち、スパッタリング成膜によって、ターゲット材２１の厚みが１．０（ｍｍ）、減少したとする。
【0126】
次に、ターゲット材２１と磁気回路部３１２との間の距離Ｎ（ｍｍ）として、ターゲット材２１の厚みの測定値Ｔ１から、ターゲット材２１と磁気回路部３１２との間の距離の計算値Ｎ１が算出される（ステップ１０ｃ）。ここでは、計算値Ｎ１は、３９．０（ｍｍ）である。
【0127】
次に、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１１ｃ）。ここで、ステップ９ｃで、ターゲット材２１の測定値Ｔ１が初期設定値Ｔ０から１．０（ｍｍ）減少している。従って、スパッタリング面２０１が、この１．０（ｍｍ）分、磁気回路部３１２に近づいたことになるので、ターゲット材２１と磁気回路部３１２との間の距離Ｎ（ｍｍ）を変える必要があり、従って、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、－１．０（ｍｍ）となる。すなわち、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌとして、１．０（ｍｍ）分の距離を中心軸２０ｃからロータリターゲット２０に向かう方向とは逆方向に戻す処理が行われる。
【0128】
次に、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が算出される（ステップ１２ａ）。ここでは、磁場強度の減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）が７．１（ｍｍ）で、ターゲット材の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）とが－１．０（ｍｍ）のため、磁場強度の減少及びターゲット材２１の厚みの減少を考慮した、磁気回路部３１２と中心軸２０ｃとの間の距離Ｌの変更量（ｍｍ）は、６．１（ｍｍ）となる。
【0129】
なお、距離センサ４３と磁気センサ５３との検出によって、磁気回路部３１３がどのように動作させるか、または、距離センサ４４と磁気センサ５４との検出によって、磁気回路部３１４がどのように動作させるかは、距離センサ４２と磁気センサ５２との検出によって、磁気回路部３１２を動作させる手順と同様に行う。また、距離センサ４５と磁気センサ５５との検出によって、磁気回路部３１５がどのように動作させるかは、距離センサ４１と磁気センサ５１との検出によって、磁気回路部３１１を動作させる手順と同様に行う。
【0130】
また、距離センサ４１と磁気センサ５１との位置に対応する磁気回路部３１１と、距離センサ４５と磁気センサ５５との位置に対応する磁気回路部３１５とは、他の磁気回路部に比べてロータリターゲット２０により近づけている。これは、磁気回路部３１１、３１５のそれぞれの両側には磁気回路部が配置されていない。磁気回路部３１１と、磁気回路部３１５とを他の磁気回路部に比べてロータリターゲット２０により近づけることで、スパッタリング面２０１に形成される磁場強度がより均一になる。これにより、ロータリターゲット２０の一軸方向における膜厚分布がより均一になる。
【0131】
図７は、表１～表３に掲げられた磁気回路部の動作手順を総括的に表したフロー図である。
【0132】
まず、磁気センサ５１～５５のいずれかによって磁場強度が測定される（Ｓ１００）。次に、磁気センサ５１～５５のいずれかによって測定された磁場強度の変更が必要か否かが判断される（Ｓ２００）。ここで、必要と判断された場合は、磁場強度の変動を考慮した、磁気回路部３１１～３１５のいずれかと中心軸２０ｃとの間の距離の変更量が算出される（Ｓ３００）。なお、Ｓ２００で不要と判断された場合は、Ｓ４００に進む。
【0133】
次に、距離センサ４１～４５のいずれかによって、ターゲット材２１の厚みが測定される（Ｓ４００）。次に、ターゲット材２１と磁気回路部３１１～３１５のいずれかとの間の距離の変更が必要か否かが判断される（Ｓ５００）。ここで、必要と判断された場合は、ターゲット材２１の厚みの変動を考慮した、磁気回路部３１１～３１５のいずれかと中心軸２０ｃとの間の距離の変更量が算出される（Ｓ６００）。なお、Ｓ５００で不要と判断された場合は、磁気回路部３１１～３１５のいずれかと中心軸２０ｃとの間の距離は変更されず、終了となる。
【0134】
次に、磁場強度の変動及びターゲット材厚みの変動を考慮したそれぞれの変更量に基づき、磁気回路部３１１～３１５のいずれかと中心軸２０ｃとの間の距離が変更され（Ｓ７００）、終了となる。
【0135】
例えば、スパッタリング成膜が開始されて、基板９０に形成されたスパッタリング膜の一軸方向（Ｘ軸方向）における膜厚分布が一時的に６．８％にまで落ち込んだ場合、上記の図７に示す磁気回路部の制御を行うことで、一軸方向における膜厚分布の目標値を５％以下に設定した場合、例えば、４．６％以下にまで回復することが判明している。なお、膜厚分布は、（（最大膜厚－最小膜厚）／（最大膜厚＋最小膜厚））×１００（％）で定義される。
【0136】
図８は、本実施形態の真空処理装置の別の一例を示す模式的断面図である。
【0137】
真空処理装置２では、複数のロータリターゲット２０が用いられ、基板９０にスパッタリング成膜（マグネトロンスパッタリング）がなされる。複数のロータリターゲットの数は、基板９０のサイズに応じて適宜変更される。複数のロータリターゲット２０は、減圧維持可能な真空槽１０に収容される。
【0138】
真空槽１０は、排気機構（不図示）に接続される。真空槽１０には、ガス供給機構（不図示）からＡｒ等の放電ガスが供給される。また、真空処理装置２は、複数のロータリターゲット２０と、それぞれの磁場発生機構３０とを回転させる回転機構（不図示）を備える。また、真空処理装置２は、ロータリターゲット２０、磁場発生機構３０、距離センサ４１～４５と磁気センサ５１～５５とを含むセンサ群Ｓ１、排気機構、ガス供給機構、回転機構のそれぞれの動作を制御する制御部７０を具備する。なお、センサ群Ｓ１に含まれる、距離センサ４１～４５のそれぞれと、磁気センサ５１～５５のぞれぞれは、中心軸２０ｃの方向に並設される。
【0139】
複数のロータリターゲット２０は、中心軸２０ｃが互いに平行で、中心軸２０ｃが基板９０と平行になるように配置される。例えば、複数のロータリターゲット２０は、中心軸２０ｃの方向（一軸方向）と交差する方向にスパッタリング面２０１が互いに対向するように等間隔で並設される。複数のロータリターゲット２０が並設された方向は、基板９０の長手方向に対応する。図８では、この方向がＹ軸方向になっている。なお、必要に応じて、複数のロータリターゲット２０が並設された方向は、基板９０の短手方向としてもよい。
【0140】
基板ホルダ９１の電位は、例えば、浮遊電位、接地電位等とする。複数のロータリターゲット２０のそれぞれのスパッタリング面２０１は、基板９０に対向している。
【0141】
また、Ｙ軸方向において、両端に配置された一対のロータリターゲット２０は、基板９０からはみ出すように配置される。例えば、一対のロータリターゲット２０のそれぞれの少なくとも一部と、基板９０とがＺ軸方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向）において重なるように、複数のロータリターゲット２０が配置される。
【0142】
Ｙ軸方向において、複数のロータリターゲット２０のピッチは、略均等に設定される。また、スパッタリング成膜中における、複数のロータリターゲット２０と基板９０との相対距離は、固定距離としてもよく、Ｙ軸方向において、その相対距離を変動させてもよい。
【0143】
複数のロータリターゲット２０のそれぞれに放電電力が投入され、複数のロータリターゲット２０のそれぞれの磁気回路部３１１～３１５が中心軸２０ｃの周りに回転移動して回転角θが所定の回転角で固定された後、基板９０にスパッタリング成膜がなされる。
【0144】
複数のロータリターゲット２０のそれぞれには、例えば、それぞれのロータリターゲットの消耗を略均等にするため、同じ電力が投入される。投入電力は、直流電力でもよく、ＲＦ帯、ＶＨＦ帯等の交流電力でもよい。また、複数のロータリターゲット２０のそれぞれは、時計回りまたは反時計回りに回転する。
【0145】
スパッタリング成膜は、磁気回路部３１１～３１５の回転角θが正側（例えば、＋２０～＋４０度）で少なくとも１回、磁気回路部３１１～３１５の回転角θが負側（例えば、－２０度～－４０度）で少なくとも１回、行われる。このような処理を行うことにより、スパッタリング膜へのダメージが抑制されるとともに、１回のみのスパッタリング成膜よりも、Ｙ軸方向における膜厚斑が複数回のスパッタリング成膜で補われて、Ｙ軸方向における膜厚分布が良好になる。
【0146】
さらに、本実施形態では、上述した手法によって、Ｘ軸方向（一軸方向）における膜厚分布が良好になる。この結果、本実施形態では、基板９０の全域にわたる膜厚分布がより良好になる。
【0147】
また、本実施形態では、真空処理装置１、２のほか、真空処理装置１、２を用いた処理方法が提供される。例えば、真空処理方法では、ロータリターゲット２０と、磁場発生機構３０と、基板ホルダ９１と、防着板６０と、複数の距離センサ４１～４５と、複数の磁気センサ５１～５５とを準備して、基板９０にスパッタリング粒子が堆積される。
【0148】
ここで、複数の距離センサ４１～４５のいずれかとスパッタリング面２０１との間の距離と、複数の距離センサ４１～４５のいずれかが対向するロータリターゲット２０の厚みの減少量との関係が予め取得される。さらに、複数の磁気センサ５１～５５のいずれかが検出した磁場強度と、複数の磁気センサ５１～５５のいずれかと複数の磁気センサ５１～５５のそれぞれが対向する磁気回路部３１１～３１５との間の距離との関係が予め取得される。
【0149】
次に、複数の磁気回路部３１１～３１５のいずれかからスパッタリング面２０１に形成される磁場強度が目的値となるように、複数の磁気センサ５１～５５のいずれかと複数の磁気センサ５１～５５のそれぞれが対向する磁気回路部３１１～３１５との間の距離が調整される。
【0150】
また、ロータリターゲット２０を一軸方向と交差する方向に複数並設して、基板９０にスパッタリング粒子を堆積してもよい。
【0151】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。
【符号の説明】
【0152】
１、２…真空処理装置
１０…真空槽
２０…ロータリターゲット
２０ｃ…中心軸
２１…ターゲット材
２２…バッキングチューブ
３０…磁場発生機構
３２…支持板
４１、４２、４３、４４、４５…距離センサ
５１、５２、５３、５４、５５…磁気センサ
６０…防着板
７０…制御部
９０…基板
９１…基板ホルダ
２０１…スパッタリング面
２０２…裏面
３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃ…磁石
３１１ｐ…基材
３３１ｒ…スライド機構
３１１、３１２、３１３、３１４、３１５…磁気回路部
３３１、３３２、３３３、３３４、３３５…移動機構
１０…真空槽
２０…ロータリターゲット
２０ｃ…中心軸
２１…ターゲット材
２２…バッキングチューブ
３０…磁場発生機構
３２…支持板
４１、４２、４３、４４、４５…距離センサ
５１、５２、５３、５４、５５…磁気センサ
６０…防着板
７０…制御部
９０…基板
９１…基板ホルダ
２０１…スパッタリング面
２０２…裏面
３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃ…磁石
３１１ｐ…基材
３３１ｒ…スライド機構
３１１、３１２、３１３、３１４、３１５…磁気回路部
３３１、３３２、３３３、３３４、３３５…移動機構
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
