特開2023-159508IP Force 特許公報全文掲載

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シーメンス法によって作成される多結晶シリコン及び多結晶シリコンロッドの製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】生産効率を極力下げることなく多結晶シリコンロッドの残留応力を低減させ、加工時にクラック伝播によって崩壊するリスクを低減させた多結晶シリコンロッドを提供する。
【解決手段】多結晶シリコンロッドは、シーメンス法により製造される長手方向の長さ１ｍ以上の多結晶シリコンロッドであって、ロッド側面長手方向の残留応力の圧縮応力と引っ張り応力の差の絶対値が２２Ｍｐａ以下となる。
【選択図】図７

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

そのため、ロッドを所定の長さにするなど次工程で加工する際に、ロッドの切削により一部で応力解放されることによって残留応力のバランスが崩れることを原因としたクラックが発生しやすい。また、一度クラックが発生するとロッド全体にクラックが伝播するためロッド形状で出荷する必要のある製品には使用できなくなってしまう問題があった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、本発明のシーメンス法により製造される１ｍ以上の多結晶シリコンロッドは、ロッド側面長手方向の残留応力の圧縮応力と引っ張り応力の差の絶対値が２２Ｍｐａ以下であることを特徴とする。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明により、成長終了後の多結晶シリコンの加工時に発生するクラックなどの損傷を低減させることが可能となる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の実施形態による反応装置を示した概略図。
【図2】 本発明の実施形態において高周波電源装置を用いた態様を示した反応容器内の上方平面図。
【図3】 本発明の実施形態においてダミー多結晶シリコンロッドを周縁外方で成長させる態様を示した反応容器内の上方平面図。
【図4】 多結晶シリコンロッドにひずみゲージを取り付けた態様を示した上方平面図。
【図5】 多結晶シリコンロッドにひずみゲージを取り付けた態様を示した斜視図。
【図6】 ひずみゲージを取り付けた多結晶シリコンロッドを切断する態様を示した斜視図。
【図7】 従来型及び本発明の実施の形態による多結晶シリコンロッドの残留応力を歪み開放法により測定した際のグラフ。

選択図 図7出願人が指定した本件の代表的な図

１０ 反応容器 １１０ 原料ガス供給部 １２０ ドーパント供給部 ２１０ 電極線 ２２０ 電極 ３５０ 制御部 ４００ 高周波電源装置

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