特開 2023-1618 プラズマ処理装置及びクリーニング方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023001618

(43)【公開日】2023-01-06

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置及びクリーニング方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20221226BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20221226BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20221226BHJP

   H05H 1/46 20060101ALN20221226BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101H

H01L21/302 101B

H01L21/31 C

C23C16/44 J

H05H1/46 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021102449

(22)【出願日】2021-06-21

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】土屋 和樹

【テーマコード（参考）】

2G084

4K030

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA04

2G084AA05

2G084BB29

2G084CC04

2G084CC05

2G084CC09

2G084CC12

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD15

2G084DD23

2G084DD24

2G084DD37

2G084DD38

2G084DD55

2G084FF15

2G084FF20

2G084FF23

4K030DA06

4K030EA11

4K030FA03

4K030KA11

4K030KA41

5F004AA13

5F004BA09

5F004BB13

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB28

5F004CA06

5F004DA00

5F004DA01

5F004DA04

5F004DA26

5F004DB08

5F045BB14

5F045DP03

5F045EF05

5F045EG02

5F045EG06

5F045EH13

5F045EM05

(57)【要約】

【課題】排気空間の堆積物を効率良く除去すること。
【解決手段】チャンバは、内部に基板を配置するステージが設けられ、ステージの周囲に排気系につながる排気口が設けられている。バッフルは、ステージの周囲に設けられ、チャンバ内の空間を基板にプラズマ処理が実施される処理空間と、排気口につながる排気空間とに分ける。切替機構は、バッフルを、プラズマを遮蔽する遮蔽状態とプラズマが通過可能な透過状態に切り替える。制御部は、バッフルが遮蔽状態から透過状態、もしくは透過状態から遮蔽状態となるように切替機構を制御する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

内部に基板を配置するステージが設けられ、前記ステージの周囲に排気系につながる排気口が設けられたチャンバと、
前記ステージの周囲に設けられ、前記チャンバ内の空間を前記基板にプラズマ処理が実施される処理空間と、前記排気口につながる排気空間とに分けるバッフルと、
前記バッフルを、プラズマを遮蔽する遮蔽状態とプラズマが通過可能な透過状態に切り替える切替機構と、
前記バッフルが遮蔽状態から透過状態、もしくは透過状態から遮蔽状態となるように前記切替機構を制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記チャンバ内でプラズマを生成して前記基板に対してプラズマ処理を実施する場合、前記バッフルが前記遮蔽状態となり、前記チャンバ内のプラズマクリーニングを実施する場合、前記バッフルが前記透過状態となるように前記切替機構を制御する
請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記バッフルは、複数のスリットが形成され、
前記切替機構は、前記複数のスリットの幅を変えることにより、前記バッフルを前記遮蔽状態と前記透過状態に切り替える
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記バッフルは、ステージの周囲に沿って開口が形成され、それぞれ軸に固定された複数のブレードが前記開口に並べて配置され、各ブレードの間にスリットが形成され、
前記切替機構は、前記複数のブレードの前記軸を回転させて前記スリットの幅を変えることにより、前記遮蔽状態と前記透過状態に切り替える
請求項１～３の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記切替機構は、前記スリットの幅をプラズマのシース幅の２倍よりも小さくすることにより前記バッフルを前記遮蔽状態とし、前記スリットの幅を前記シース幅の２倍以上に大きくすることにより前記バッフルを前記透過状態とする、
請求項３又は４に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

前記切替機構は、前記バッフルを接地電位とフロート状態に切り替え可能とし、前記バッフルを接地電位とすることにより前記バッフルを前記遮蔽状態とし、前記バッフルをフロート状態とすることにより前記バッフルを前記透過状態とする、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項7】

前記切替機構は、接地電位とされた導電部材と前記バッフルとの接続箇所に設けられ、導電部材とバッフルを導通状態と非導通状態に切り替えるスイッチとされた、
請求項６に記載のプラズマ処理装置。

【請求項8】

前記バッフルは、ステージの周方向に沿って複数の領域に区分され、前記複数の領域が個別に遮蔽状態と透過状態に切り替え可能とされ、
前記切替機構は、前記複数の領域でそれぞれ個別に遮蔽状態と透過状態に切り替える、
請求項１～７の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。

【請求項9】

前記制御部は、前記基板に対して前記プラズマ処理を実施する場合、前記バッフルの前記複数の領域が前記遮蔽状態となり、前記チャンバ内のプラズマクリーニングを実施する場合、前記バッフルの前記複数の領域のうちの一部又は全部が前記透過状態となるように前記切替機構を制御する、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。

【請求項10】

前記制御部は、前記チャンバ内のプラズマクリーニングを実施する場合、前記バッフルの前記複数の領域を順に前記透過状態となるように前記切替機構を制御する、
請求項９に記載のプラズマ処理装置。

【請求項11】

内部に基板を配置するステージが設けられ、前記ステージの周囲に排気系につながる排気口が設けられたチャンバと、
前記ステージの周囲に設けられ、前記チャンバ内の空間を前記基板にプラズマ処理が実施される処理空間と、前記排気口につながる排気空間とに分けるバッフルと、
前記バッフルを、プラズマを遮蔽する遮蔽状態とプラズマが通過可能な透過状態に切り替え可能な切替機構と、
を備えたプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
前記バッフルが遮蔽状態から透過状態、もしくは透過状態から遮蔽状態となるように前記切替機構を制御する工程、
を有するクリーニング方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマ処理装置及びクリーニング方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、チャンバの基板を配置するステージの周囲に、真空ポンプにつながる排出口と、コンダクタンス制御構造とを備えたプラズマ処理チャンバシステムを開示する。コンダクタンス制御構造は、スリット形状の開口が形成され、排出口と開口とを揃わせるかずらせるかにより、排気の制御が可能とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０１５／００６０４０４号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、排気空間の堆積物を効率良く除去する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様によるプラズマ処理装置は、チャンバと、バッフルと、切替機構と、制御部とを有する。チャンバは、内部に基板を配置するステージが設けられ、ステージの周囲に排気系につながる排気口が設けられている。バッフルは、ステージの周囲に設けられ、チャンバ内の空間を基板にプラズマ処理が実施される処理空間と、排気口につながる排気空間とに分ける。切替機構は、バッフルを、プラズマを遮蔽する遮蔽状態とプラズマが通過可能な透過状態に切り替える。制御部は、バッフルが遮蔽状態から透過状態、もしくは透過状態から遮蔽状態となるように切替機構を制御する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、排気空間の堆積物を効率良く除去できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理システムの概略的な構成の一例を示す図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る排気空間への堆積物の堆積を説明する図である。

【図3】図３は、第１実施形態に係るバッフルプレートの構成の一例を説明する図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係るブレードの一例を説明する図である。

【図5】図５は、第１実施形態に係るスリットの変化の一例を説明する図である。

【図6】図６は、第１実施形態に係るバッフルプレートによる遮蔽状態と透過状態を説明する図である。

【図7】図７は、実施形態に係るクリーニング方法の処理順序の一例を説明する図である。

【図8】図８は、第１実施形態に係るバッフルプレートの構成の他の一例を説明する図である。

【図9】図９は、第１実施形態に係るプラズマクリーニングの際の透過状態とする領域１８の切り替わりの一例を示す図である。

【図10】図１０は、第２実施形態に係るプラズマ処理装置１の構成を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本願の開示するプラズマ処理装置及びクリーニング方法の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示するプラズマ処理装置及びクリーニング方法が限定されるものではない。

【0009】

チャンバ内を減圧して基板に、プラズマエッチングなどのプラズマ処理を実施するプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、基板を載置するステージがチャンバ内の中央に設けられ、スペースの制限やメンテナンス性を考慮して、チャンバの底面の端付近に排気口が形成されることが多い。このようなプラズマ処理装置は、排気口から排気してチャンバ内を減圧した場合、排気特性の偏りが発生する。このため、プラズマ処理装置では、ステージの周囲にバッフルプレートを設けて排気特性を均一化している。

【0010】

ところで、プラズマ処理装置では、チャンバ内に堆積物が堆積する。例えば、プラズマ処理装置は、チャンバ内のプラズマ処理を実施する処理空間に堆積物が堆積するが、チャンバ内のバッフルプレートよりも排気口側となる排気空間にも堆積物が堆積する。

【0011】

そこで、排気空間の堆積物を効率良く除去する技術が期待されている。

【0012】

［第１実施形態］
［装置構成］
本開示のプラズマ処理装置の一例について説明する。以下に説明する実施形態では、本開示のプラズマ処理装置をシステム構成のプラズマ処理システムとした場合を例に説明する。図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理システムの概略的な構成の一例を示す図である。

【0013】

以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。プラズマ処理システムは、容量結合プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。側壁１０ａは接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０筐体とは電気的に絶縁される。

【0014】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板（ウェハ）Ｗを支持するための中央領域（基板支持面）１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域（リング支持面）１１１ｂとを有する。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。一実施形態において、本体部１１１は、基台及び静電チャックを含む。基台は、導電性部材を含む。基台の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャックは、基台の上に配置される。静電チャックの上面は、基板支持面１１１ａを有する。リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。１又は複数の環状部材のうち少なくとも１つはエッジリングである。また、図示は省略するが、基板支持部１１は、静電チャック、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と基板支持面１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0015】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、導電性部材を含む。シャワーヘッド１３の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0016】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

【0017】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を基板支持部１１の導電性部材に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0018】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給される。第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0019】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、基板支持部１１の導電性部材に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、基板支持部１１の導電性部材に印加される。一実施形態において、第１のＤＣ信号が、静電チャック内の電極のような他の電極に印加されてもよい。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、シャワーヘッド１３の導電性部材に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、シャワーヘッド１３の導電性部材に印加される。種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0020】

プラズマ処理チャンバ１０は、内部に空間が形成された円筒状に形成され、内部の中央に上述した基板支持部１１が配置されている。基板支持部１１には、円柱状に形成され、プラズマ処理の対象とされた基板Ｗが載置される。また、プラズマ処理チャンバ１０は、基板支持部１１の周囲の基板支持部１１よりも低い位置に内部を排気するガス排出口１０ｅが形成されている。第１実施形態に係るプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０の底部にガス排出口１０ｅが形成されている。

【0021】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0022】

プラズマ処理チャンバ１０は、基板支持部１１の周囲にバッフルプレート１４が設けられている。バッフルプレート１４は、平坦な環状とされている。第１実施形態に係るバッフルプレート１４は、内周側と外周側に平坦な平面が形成され、内周側よりも外周側が高くなるよう段差が形成されている。なお、バッフルプレート１４は、段差の無い平面で形成されてもよい。バッフルプレート１４は、基板支持部１１の周囲を囲むように配置されている。バッフルプレート１４は、内周側が基板支持部１１に固定され、外周側がプラズマ処理チャンバ１０の内側壁に固定されている。バッフルプレート１４は、導電性を有するように形成されている。例えば、バッフルプレート１４は、導電性金属などの導電性材料により形成されている。バッフルプレート１４は、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａと電気的に導通しており、側壁１０ａを介して接地されている。バッフルプレート１４は、多数のスリットが形成されており、ガスが通過可能とされている。プラズマ処理チャンバ１０の内部は、バッフルプレート１４により、基板Ｗに対して基プラズマ処理を実施する処理空間であるプラズマ処理空間１０ｓと、ガス排出口１０ｅを含む排気空間１０ｔとに分かれている。プラズマ処理空間１０ｓは、ガス排出口１０ｅへの排気の流れに対して、バッフルプレート１４よりも上流側の空間である。排気空間１０ｔは、ガス排出口１０ｅへの排気の流れに対して、バッフルプレート１４よりも下流側の空間である。

【0023】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0024】

次に、実施形態に係るプラズマ処理システムにより、基板Ｗに対してプラズマエッチングなどのプラズマ処理を実施する流れを簡単に説明する。不図示の搬送アーム等の搬送機構により基板Ｗが基板支持部１１に載置される。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理を実施する場合、排気システム４０により、プラズマ処理チャンバ１０内を減圧する。プラズマ処理装置１は、ガス供給部２０から処理ガスを供給してシャワーヘッド１３からプラズマ処理チャンバ１０内に処理ガスを導入する。そして、プラズマ処理装置１は、ＲＦ電源３１から少なくとも１つのＲＦ信号を供給してプラズマ処理空間１０ｓにプラズマを生成し、基板Ｗに対して、プラズマ処理を実施する。

【0025】

ところで、プラズマ処理を実施すると、プラズマ処理チャンバ１０内に堆積物が堆積する。堆積物は、プラズマ処理空間１０ｓに堆積物が堆積するが、プラズマ処理チャンバ１０内のバッフルプレート１４のガス排出口１０ｅ側となる排気空間１０ｔにも堆積物が堆積しやすい。堆積物には、プラズマ処理により生成される生成物や、熱による灰などが含まれる。

【0026】

プラズマ処理装置１は、プラズマ処理を実施すると、プラズマ処理空間１０ｓや排気空間１０ｔに堆積物が堆積する。そこで、プラズマ処理装置１は、堆積物を除去するクリーニング処理を実施する。プラズマ処理装置１は、クリーニング処理を実施する場合、排気システム４０により、プラズマ処理チャンバ１０内を減圧する。プラズマ処理装置１は、ガス供給部２０からクリーニングガスを供給してシャワーヘッド１３からプラズマ処理チャンバ１０内にクリーニングガスを導入する。そして、プラズマ処理装置１は、ＲＦ電源３１から少なくとも１つのＲＦ信号を供給してプラズマ処理空間１０ｓにプラズマを生成し、プラズマクリーニングを実施する。ドライクリーニングは、基板支持部１１の表面を保護するため、基板支持部１１にダミー基板を載置して実施してもよい。

【0027】

クリーニングガスは、堆積物を除去可能であれば、何れのガス種であってもよい。例えば、堆積物が基板Ｗのエッチングプロセス時のエッチングガスから生じる有機系の生成物である場合、クリーニングガスとしては、Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２など酸素含有ガスが挙げられる。また、堆積物がＷ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）などの金属が含まれる有機膜である場合、クリーニングガスは、Ｏ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＣＯ_２など酸素含有ガスや、酸素含有ガスにＣＦ_４、Ｃｌ_２などのハロゲン含有ガスを添加したガス、Ｆ_２ガス、ＣｌＦ_３ガスが挙げられる。また、堆積物がＲｕ（ルテニウム）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）などメタルエッチングでの堆積物である場合、クリーニングガスとしては、メタノール（ＣＨ_３ＯＨ）ガスが挙げられる。また、クリーニングガスとして、複数種類のガスを切り替えて供給してもよい。堆積物が複数の生成物や有機膜の積層膜である場合、クリーニングガスは、積層膜の最表面に露出している膜種に応じてガス種を選択して供給すればよい。堆積物となる反応生成物が異なる複数のステップ処理を実施するプラズマ処理と同時にクリーニング処理を行う場合、クリーニングガスは、ステップ処理毎に切り替えてもよい。

【0028】

ここで、従来のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理の処理効率の向上や、基板Ｗに対する均一性を良くするため、プラズマ処理空間１０ｓに生成されたプラズマが排気空間１０ｔへ流れないようにバッフルプレート１４でプラズマを遮蔽する。

【0029】

しかし、従来のプラズマ処理装置１は、プラズマクリーニングの際のクリーニングガスのプラズマもバッフルプレート１４で遮蔽されるため、排気空間１０ｔでの堆積物のクリーニングレートが低く、堆積物を完全に取り切ることはできていない。

【0030】

図２は、第１実施形態に係る排気空間１０ｔへの堆積物の堆積を説明する図である。図２には、プラズマ処理チャンバ１０の基板支持部１１の側面付近が拡大して示されている。図２は、プラズマは、バッフルプレート１４で遮蔽される。このため、従来のプラズマ処理装置１では、プラズマ処理の累積時間が長くなると、例えば、バッフルプレート１４下の基板支持部１１や側壁１０ａの壁面に堆積物５０が堆積する。排気空間１０ｔに堆積物５０が堆積すると、例えば、次のような問題が発生する。排気空間１０ｔの堆積物５０は、パーティクルの発塵源となる。また、排気空間１０ｔの堆積物５０が、排気システム４０の圧力調整弁に落ちて圧力調整弁の開度が変わり、プラズマ処理チャンバ１０内の圧力が変わってしまう場合がある。従来のプラズマ処理装置１は、メンテナンスサイクル毎に、手動で堆積物５０を除去する必要があり、メンテナンスに時間がかかる。

【0031】

そこで、実施形態に係るプラズマ処理装置１では、バッフルプレート１４を、プラズマを遮蔽する遮蔽状態とプラズマが通過可能な透過状態に切り替え可能な構成としている。例えば、第１実施形態に係るバッフルプレート１４は、複数のスリットが形成されており、複数のスリットの幅を変えることにより、遮蔽状態と透過状態に切り替え可能とされている。バッフルプレート１４は、基板支持部１１の周方向に沿って開口が形成されている。第１実施形態に係るバッフルプレート１４は、内周側の平坦な平面に開口が形成されている。なお、バッフルプレート１４は、外周側の平坦な平面や段差となる面に、後述する開口１４ｂやブレード１５が設けられてもよい。

【0032】

図３は、第１実施形態に係るバッフルプレート１４の構成の一例を説明する図である。図３には、バッフルプレート１４の内周側の平坦な平面１４ａが示されている。平面１４ａには、バッフルプレート１４の周方向に沿って開口１４ｂが形成されている。開口１４ｂには、複数のブレード１５が並べて配置されている。各ブレード１５は、棒状の軸１５ａに固定されており、軸１５ａを回転軸として回転可能とされている。各ブレード１５の間には、スリット１６として機能する隙間が形成される。各ブレード１５の軸１５ａは、バッフルプレート１４の開口１４ｂを挟んだ平面１４ａに回転可能に支持されている。各ブレード１５の軸１５ａは、切替機構により回転する。バッフルプレート１４の平面１４ａには、切替機構として、シャフト１７が設けられている。各ブレード１５の軸１５ａは、ウォームギヤが設けられ、ウォームギヤを介してシャフト１７と回転が伝達されて回転する。シャフト１７は、不図示のサーボモータなどの動力源の駆動力により回転する。制御部２は、動力源を制御してシャフト１７の回転を制御することで、各ブレード１５の回転角度を制御可能とされている。なお、第１実施形態に係る切替機構は、軸１５ａを回転軸として各ブレード１５を回転可能な構成であればどのような構成を用いてもよい。

【0033】

図４は、第１実施形態に係るブレード１５の一例を説明する図である。上述のように、各ブレード１５は、軸１５ａを回転軸として回転可能とされている。バッフルプレート１４は、各ブレード１５の回転角度を変えることで、ブレード１５間のスリット１６（隙間）の幅が変化する。図５は、第１実施形態に係るスリット１６の変化の一例を説明する図である。例えば、バッフルプレート１４は、各ブレード１５の平面を水平な状態とすることでスリット１６の幅が狭くなり、各ブレード１５の平面を垂直な状態とすることでスリット１６の幅が広くなる。

【0034】

第１実施形態に係るバッフルプレート１４は、各ブレード１５の回転角度を制御してスリット１６の幅を変えることで、プラズマを遮蔽する遮蔽状態とプラズマが通過可能な透過状態に切り替え可能とされている。図６は、第１実施形態に係るバッフルプレート１４による遮蔽状態と透過状態を説明する図である。バッフルプレート１４は、スリット１６の幅がプラズマのシース幅の２倍よりも小さくなると、プラズマがスリット１６を通過できず、プラズマを遮蔽する。また、バッフルプレート１４は、スリット１６の幅がプラズマのシース幅の２倍以上に大きくと、プラズマがスリット１６を通過でき、プラズマが透過する。バッフルプレート１４は、各ブレード１５の平面を水平にすると、スリット１６の幅ｄ₁がプラズマのシース幅ｄ_shの２倍よりも小さくなり、各ブレード１５の平面を垂直にすると、スリット１６の幅ｄ₂がシース幅ｄ_shの２倍以上となるように構成されている。

【0035】

制御部２は、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する場合、バッフルプレート１４を遮蔽状態に制御し、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマクリーニングを実施する場合、バッフルプレート１４を透過状態に制御する。

【0036】

例えば、制御部２は、動力源を制御することで各ブレード１５の回転角度を制御して、バッフルプレート１４のスリット１６の幅を制御する。制御部２は、プラズマ処理を実施する場合、バッフルプレート１４のスリット１６の幅をプラズマのシース幅の２倍よりも小さくしてバッフルプレート１４を遮蔽状態とする。例えば、制御部２は、プラズマ処理を実施する場合、各ブレード１５の平面が水平な状態となるように回転角度を制御してバッフルプレート１４を遮蔽状態とする。これにより、プラズマ処理装置１は、基板Ｗに対するプラズマ処理でプラズマ処理空間１０ｓに生成されたプラズマがバッフルプレート１４で遮蔽されてプラズマ処理空間１０ｓ内に留まるため、プラズマ処理の処理効率が向上する。また、プラズマ処理装置１は、基板Ｗに対して均一性を良くプラズマ処理を実施できる。

【0037】

また、制御部２は、プラズマクリーニングを実施する場合、バッフルプレート１４のスリット１６の幅をプラズマのシース幅の２倍以上に大きくしてバッフルプレート１４を透過状態とする。例えば、制御部２は、プラズマ処理を実施する場合、各ブレード１５の平面が垂直な状態となるように回転角度を制御してバッフルプレート１４を透過状態とする。これにより、プラズマ処理装置１は、プラズマクリーニングでプラズマ処理空間１０ｓに生成されたプラズマがバッフルプレート１４を透過して排気空間１０ｔに流れるため、排気空間１０ｔの堆積物を効率良く除去できる。

【0038】

次に、実施形態に係るプラズマ処理装置１が実施するクリーニング方法の処理の流れについて説明する。図７は、実施形態に係るクリーニング方法の処理順序の一例を説明する図である。図７に示すクリーニング方法の処理は、基板Ｗに対するプラズマ処理又はプラズマクリーニングを実施する際に実行される。

【0039】

制御部２は、実施する処理がプラズマ処理であるか判定する（Ｓ１０）。実施する処理がプラズマ処理である場合（Ｓ１０：Ｙｅｓ）、制御部２は、バッフルプレート１４を遮蔽状態に制御し（Ｓ１１）、処理を終了する。例えば、制御部２は、動力源を制御することで各ブレード１５の回転角度を制御し、バッフルプレート１４のスリット１６の幅をプラズマのシース幅の２倍よりも小さくしてバッフルプレート１４を遮蔽状態とする。

【0040】

一方、制御部２は、実施する処理がプラズマクリーニングであり、プラズマ処理ではない場合（Ｓ１０：Ｎｏ）、制御部２は、バッフルプレート１４を透過状態に制御し（Ｓ１２）、処理を終了する。例えば、制御部２は、動力源を制御することで各ブレード１５の回転角度を制御し、バッフルプレート１４のスリット１６の幅をプラズマのシース幅の２倍以上に大きくしてバッフルプレート１４を透過状態とする。

【0041】

なお、上記第１実施形態では、バッフルプレート１４の全周を一様に遮蔽状態と透過状態に切り替え可能な構成とした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。バッフルプレート１４は、基板支持部１１の周方向に沿って複数の領域に区分され、複数の領域を個別に遮蔽状態と透過状態に切り替え可能な構成とされてもよい。図８は、第１実施形態に係るバッフルプレート１４の構成の他の一例を説明する図である。バッフルプレート１４は、平坦な環状とされている。バッフルプレート１４は、周方向に沿って例えば４つの領域１８（１８ａ－１８ｄ）に区分されている。４つの領域１８には、それぞれ開口１９が形成され、開口１９には、複数のブレード１５が並べて配置されている。バッフルプレート１４は、領域１８ごとに、ブレード１５の回転角度を切替機構により制御可能とされている。

【0042】

制御部２は、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する場合、バッフルプレート１４の全ての領域１８を遮蔽状態に制御し、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマクリーニングを実施する場合、バッフルプレート１４の領域１８の一部又は全部を透過状態に制御する。例えば、制御部２は、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマクリーニングを実施する場合、バッフルプレート１４の４つの領域１８を順に透過状態に制御する。図９は、第１実施形態に係るプラズマクリーニングの際の透過状態とする領域１８の切り替わりの一例を示す図である。図９では、遮蔽状態の領域１８に斜線のパターンを付し、透過状態の領域１８にドットのパターンを付している。図９（Ａ）では、領域１８ａ－１８ｄが何れも遮蔽状態とされている。図９（Ｂ）では、領域１８ｂ－１８ｄが遮蔽状態とされ、領域１８ａの遮蔽がＯＦＦとされて透過状態とされている。図９（Ｃ）では、領域１８を順に透過状態に制御しており、図９（Ｂ）から領域１８ｂが遮蔽状態に切り替わり、領域１８ｃが透過状態に切り替わっている。これにより、プラズマ処理装置１は、プラズマクリーニングの際に、クリーニングガスのプラズマを透過状態とされた領域１８の排気空間１０ｔに局所的に集中して流すことができる。これにより、プラズマ処理装置１は、透過状態とされた領域１８の排気空間１０ｔの堆積物を効率良く、高レートで除去できる。また、プラズマ処理装置１は、バッフルプレート１４の領域１８を順に透過状態に制御することで、透過状態の領域１８が順に切り替わり、排気空間１０ｔ全体をクリーニングできる。

【0043】

また、プラズマ処理装置１は、バッフルプレート１４を図８のような構成とすることで、各領域１８のブレード１５の傾きを調整することにより、プラズマ処理チャンバ１０内で部分的な圧力調整に使用できる。例えば、プラズマ処理中に、基板Ｗ面上の圧力を周方向で部分的に調整できるため、エッチングレートの偏りの解消にも使用できる。また、プラズマ処理中に、部分的に透過状態にするとバッフルプレート１４上のプラズマ密度が低下するため、基板Ｗ面上のプラズマ密度を周方向で部分的に調整でき、エッチングレートの偏りの解消にも使用できる。

【0044】

なお、図８では４つの領域に区分されているが、これに限定されない。例えば２つ以上であればよく、更に８つの領域，１２個の領域など多くの領域に区分することによって、透過状態とされた領域１８の排気空間１０ｔの堆積物をさらに効率良く、高レートで除去できる。また、プラズマ処理中の圧力もしくはプラズマ密度の周方向において、より細かく部分的な調整ができ、よりよいエッチングレートの偏りの解消にも使用できる。

【0045】

以上のように、第１実施形態に係るプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０（チャンバ）と、バッフルプレート１４と、切替機構（シャフト１７、シャフト１７を回転駆動するモータ等）と、制御部２と、を有する。プラズマ処理チャンバ１０は、内部に基板Ｗを配置する基板支持部１１（ステージ）が設けられ、基板支持部１１の周囲に排気系につながるガス排出口１０ｅ（排気口）が設けられている。バッフルプレート１４は、基板支持部１１の周囲に設けられ、プラズマ処理チャンバ１０内の空間を基板Ｗにプラズマ処理が実施されるプラズマ処理空間１０ｓと、ガス排出口１０ｅにつながる排気空間１０ｔとに分ける。切替機構は、バッフルプレート１４を、プラズマを遮蔽する遮蔽状態とプラズマが通過可能な透過状態に切り替える。制御部２は、プラズマ処理チャンバ１０内でプラズマを生成して基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する場合、バッフルプレート１４が遮蔽状態となるように切替機構を制御する。また、制御部２は、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマクリーニングを実施する場合、バッフルプレート１４が透過状態となるように切替機構を制御する。これにより、プラズマ処理装置１は、排気空間１０ｔの堆積物を効率良く除去できる。

【0046】

また、バッフルプレート１４は、複数のスリット１６が形成されている。切替機構は、複数のスリット１６の幅を変えることにより、遮蔽状態と透過状態に切り替える。このように、プラズマ処理装置１は、バッフルプレート１４のスリット１６の幅を変えることで、バッフルプレート１４を遮蔽状態と透過状態に切り替えることができる。

【0047】

また、バッフルプレート１４は、基板支持部１１の周囲に沿って開口１４ｂが形成され、それぞれ軸１５ａに固定された複数のブレード１５が開口１４ｂに並べて配置され、各ブレード１５の間にスリット１６が形成されている。切替機構は、複数のブレード１５の軸１５ａを回転させてスリット１６の幅を変えることにより、バッフルプレート１４を遮蔽状態と透過状態に切り替える。これにより、プラズマ処理装置１は、開口１４ｂに配置された複数のブレード１５を回転させることにより、バッフルプレート１４を遮蔽状態と透過状態に切り替えることができる。

【0048】

また、切替機構は、スリット１６の幅をプラズマのシース幅の２倍よりも小さくすることによりバッフルプレート１４を遮蔽状態とし、スリット１６の幅をシース幅の２倍以上に大きくすることによりバッフルプレート１４を透過状態とする。これにより、プラズマ処理装置１は、バッフルプレート１４を遮蔽状態と透過状態に切り替えることができる。

【0049】

また、バッフルプレート１４は、基板支持部１１の周方向に沿って複数の領域１８に区分され、複数の領域１８が個別に遮蔽状態と透過状態に切り替え可能とされている。切替機構は、複数の領域１８でそれぞれ個別に遮蔽状態と透過状態に切り替える。これにより、プラズマ処理装置１は、クリーニングガスのプラズマを排気空間１０ｔに局所的に集中して流すことができ、局所的にクリーニングを行うことができる。

【0050】

また、制御部２は、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する場合、バッフルプレート１４の複数の領域１８が遮蔽状態となるように切替機構を制御する。また、制御部２は、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマクリーニングを実施する場合、バッフルプレート１４の複数の領域１８のうちの一部又は全部が透過状態となるように切替機構を制御する。これにより、プラズマ処理装置１は、クリーニングガスのプラズマを透過状態とされた領域１８の排気空間１０ｔに流すことができ、排気空間１０ｔの一部を局所的に又は全部をクリーニングすることができる。

【0051】

また、制御部２は、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマクリーニングを実施する場合、バッフルプレート１４の複数の領域１８を順に透過状態となるように切替機構を制御する。これにより、プラズマ処理装置１は、クリーニングガスのプラズマを透過状態とされた領域１８の排気空間１０ｔに局所的に集中して流すことができるため、透過状態とされた領域１８の排気空間１０ｔの堆積物を効率良く、高レートで除去できる。また、プラズマ処理装置１は、バッフルプレート１４の領域１８を順に透過状態に制御することで、透過状態の領域１８が順に切り替わり、排気空間１０ｔ全体をクリーニングできる。

【0052】

［第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態に係るプラズマ処理システム、プラズマ処理装置１及び制御部２は、第１実施形態と同様の構成であるため、同一部分の説明を省略し、主に異なる点を説明する。

【0053】

図１０は、第２実施形態に係るプラズマ処理装置１の構成を説明する図である。図１０
には、プラズマ処理チャンバ１０の基板支持部１１の側面付近が拡大して示されている。

【0054】

基板支持部１１の周囲には、第２実施形態と同様に、バッフルプレート１４が設けられている。バッフルプレート１４は、多数のスリットが形成されており、ガスが通過可能とされている。各スリットは、プラズマのシース幅の２倍よりも小さい幅で形成されている。

【0055】

バッフルプレート１４は、プラズマを遮蔽する遮蔽状態とプラズマが通過可能な透過状態に切り替え可能な構成とされている。例えば、第２実施形態に係るバッフルプレート１４は、接地電位とフロート状態に切り替え可能とされている。バッフルプレート１４は、基板支持部１１と接する内周部、及び側壁１０ａと接する外周部に誘電体などの絶縁部材が設けられ、基板支持部１１及び側壁１０ａと絶縁されている。また、バッフルプレート１４の周方向に沿って１又は複数箇所に、基板支持部１１及び側壁１０ａとバッフルプレート１４を導通状態と非導通状態に切り替えるスイッチ６０（６０ａ、６０ｂ）が設けられている。制御部２は、スイッチ６０のオン、オフを制御することで、接地電位とフロート状態に切り替える。

【0056】

バッフルプレート１４は、スイッチ６０がオンされ、接地電位とされた側壁１０ａと導通して接地電位とされることにより遮蔽状態となり、スイッチ６０がオフされ、フロート状態とされることにより透過状態となる。

【0057】

制御部２は、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する場合、バッフルプレート１４を遮蔽状態に制御し、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマクリーニングを実施する場合、バッフルプレート１４を透過状態に制御する。例えば、制御部２は、スイッチ６０をオンに制御して、バッフルプレート１４を遮蔽状態とする。これにより、プラズマ処理装置１は、基板Ｗに対するプラズマ処理でプラズマ処理空間１０ｓに生成されたプラズマがバッフルプレート１４で遮蔽されてプラズマ処理空間１０ｓ内に留まるため、プラズマ処理の処理効率が向上する。また、プラズマ処理装置１は、基板Ｗに対して均一性を良くプラズマ処理を実施できる。また、制御部２は、プラズマクリーニングを実施する場合、スイッチ６０をオフに制御して、バッフルプレート１４を透過状態とする。これにより、プラズマ処理装置１は、プラズマクリーニングでプラズマ処理空間１０ｓに生成されたプラズマがバッフルプレート１４を透過して排気空間１０ｔに流れるため、排気空間１０ｔの堆積物を効率良く除去できる。

【0058】

なお、上記第２実施形態では、バッフルプレート１４の全周を一様に遮蔽状態と透過状態に切り替え可能な構成とした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。第２実施形態でも、バッフルプレート１４は、基板支持部１１の周方向に沿って複数の領域に区分され、複数の領域を個別に遮蔽状態と透過状態に切り替え可能な構成としてよい。バッフルプレート１４は、基板支持部１１の周方向に沿って複数の領域に区分され、複数の領域を個別に接地電位とフロート状態に切り替え可能な構成とすることにより、複数の領域を個別に遮蔽状態と透過状態に切り替え可能とする。

【0059】

また、スイッチ６０は、基板支持部１１とバッフルプレート１４との間のスイッチ６０ａと側壁１０ａとバッフルプレート１４との間のスイッチ６０ｂの二つ備えているが、これに限定されない。例えば、スイッチ６０ａとスイッチ６０ｂのいずれか一方のみで、スイッチではない他方は絶縁物によって固定されてもよい。また、基板支持部１１とバッフルプレート１４との間、側壁１０ａとバッフルプレート１４の間は、ともに絶縁物によって固定され、バッフルプレート１４からリード線によって、他の接地電位の箇所と他のスイッチを介して接続され、そのスイッチのオン／オフによってバッフルプレート１４が遮蔽状態と透過状態とが切り替えられてもよい。

【0060】

以上のように、第２実施形態に係るプラズマ処理装置１は、切替機構を有する。切替機構は、バッフルプレート１４を接地電位とフロート状態に切り替え可能とする。切替機構は、バッフルプレート１４を接地電位とすることによりバッフルプレート１４を遮蔽状態とし、バッフルプレート１４をフロート状態とすることによりバッフルプレート１４を透過状態とする。このように、プラズマ処理装置１は、バッフルプレート１４を接地電位とフロート状態に切り替えることで、バッフルプレート１４を遮蔽状態と透過状態に切り替えることができる。

【0061】

また、切替機構は、接地電位とされた導電部材とバッフルプレート１４との接続箇所に設けられ、導電部材とバッフルプレート１４を導通状態と非導通状態に切り替えるスイッチ６０とする。これにより、プラズマ処理装置１は、スイッチ６０により、バッフルプレート１４を接地電位とフロート状態に簡易に切り替えることができる。

【0062】

以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上述した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上述した実施形態は、請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0063】

例えば、上記の実施形態では、基板Ｗとして半導体ウェハにプラズマ処理を行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。基板Ｗは、何れであってもよい。

【0064】

また、制御部２が、プラズマ処理時にバッフルプレート１４が遮蔽状態となり、クリーニング処理時にバッフルプレート１４が透過状態となるように切替機構を制御する場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、同じクリーニング処理時であっても基板Ｗ上や基板支持部１１上、およびプラズマ処理空間１０ｓの側壁１０ａの壁面にある堆積物５０を主にクリーニングするときは、バッフルプレート１４を遮蔽状態としてもよい。すなわち、制御部２は、クリーニング処理時にバッフルプレート１４が透過状態となるように切替機構を制御してもよい。また、プラズマ処理であっても、例えば基板Ｗ上のマスクの除去を行うアッシング時に、バッフルプレート１４を透過状態にすることによって、排気空間の側壁１０ａの壁面のクリーニングを同時に行うことができ、スループットの改善が図れる。また、プラズマ処理中に、部分的に透過状態にするとバッフルプレート１４上のプラズマ密度が低下するため、基板Ｗ面上のプラズマ密度を周方向で部分的に調整でき、エッチングレートの偏りの解消にも使用できる。すなわち、制御部２は、プラズマ処理時にバッフルプレート１４が透過状態となるように切替機構を制御してもよい。

【0065】

また、上記の実施形態では、プラズマ処理装置を、プラズマ処理としてプラズマエッチングを実施する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。プラズマ処理装置は、基板Ｗに対してプラズマ処理を実施する装置であれば何れであってもよい。例えば、プラズマ処理装置は、プラズマを生成して成膜する成膜装置等であってもよい。

【0066】

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0067】

１ プラズマ処理装置
２ 制御部
１０ プラズマ処理チャンバ
１０ａ 側壁
１０ｅ ガス排出口
１０ｓ プラズマ処理空間
１０ｔ 排気空間
１１ 基板支持部
１４ バッフルプレート
１４ａ 平面
１４ｂ 開口
１５ ブレード
１５ａ 軸
１６ スリット
１７ シャフト
１８ 領域
５０ 堆積物
６０、６０ａ、６０ｂ スイッチ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】