特開 2023-165156 気流形成装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023165156

(43)【公開日】2023-11-15

(54)【発明の名称】気流形成装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20231108BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 564C

H01L21/30 569C

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022075832

(22)【出願日】2022-05-02

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(74)【代理人】

【識別番号】100183438

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 泰史

(72)【発明者】

【氏名】高木 功志郎

(72)【発明者】

【氏名】川上 浩平

(72)【発明者】

【氏名】矢田 健二

(72)【発明者】

【氏名】安藤 和哉

(72)【発明者】

【氏名】有馬 裕

(72)【発明者】

【氏名】宮窪 祐允

【テーマコード（参考）】

5F146

【Ｆターム（参考）】

5F146JA07

5F146LA07

(57)【要約】

【課題】処理空間上風速の変化を抑えることにより液処理後の基板の膜厚のばらつきを抑えること。
【解決手段】気流形成ユニット２は、塗布処理部１００の上方から該塗布処理部１００の処理空間ＰＳに向かう下方に気流を発生させる気流形成ユニットである。気流形成ユニット２は、導入した気体を、処理空間ＰＳに対向する吹出面１２ａから下方に吹き出す気体供給部１０を備える。また、気流形成ユニット２は、吹出面１２ａの下方且つ処理空間ＰＳの上方において処理空間ＰＳの直上の開口部３００を囲うように配置された気流制御板５０を備える。気流制御板５０は、吹出面１２ａから下方に吹き出された気体について、開口部３００の周辺にその外側の領域よりも強い気流が発生した環状の強気流形成領域ＳＡを形成する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

液処理部の上方から該液処理部の処理空間に向かう下方に気流を発生させる気流形成装置であって、
導入した気体を、前記処理空間に対向する第１面から下方に吹き出す気体供給部と、
前記第１面の下方且つ前記処理空間の上方において前記処理空間の直上の開口部を囲うように配置され、前記第１面から下方に吹き出された気体について、前記開口部の周辺にその外側の領域よりも強い気流が発生した環状の強気流形成領域を形成する気流形成部と、を備える、気流形成装置。

【請求項2】

前記気流形成部は、前記開口部を囲うように上下方向に延びる環状の壁部と、前記壁部の下端に連続すると共に前記第１面と対向するように水平に延びる底部と、を有し、
前記壁部は、その上端と前記第１面との間に狭ＧＡＰが形成されるように前記上下方向に延びている、請求項１記載の気流形成装置。

【請求項3】

前記底部には、気体を下方に送り出す複数の穴部が形成されており、
前記底部は、前記壁部の下端に連続する領域である第１領域と、前記第１領域よりも外側の領域である第２領域と、を有し、
前記第１領域における複数の前記穴部が占める割合である第１開口率は、前記第２領域における複数の前記穴部が占める割合である第２開口率よりも低い、請求項２記載の気流形成装置。

【請求項4】

上端が前記第１面に接続されると共に下端が前記底部に接続された複数のスペーサーを更に備え、
前記複数のスペーサーは、互いに、上下方向における高さが同じである、請求項２記載の気流形成装置。

【請求項5】

前記スペーサーは、前記壁部に沿って設けられている、請求項４記載の気流形成装置。

【請求項6】

平面視すると、前記開口部の領域は、前記処理空間に配置される基板の領域よりも狭い、請求項１記載の気流形成装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、気流形成装置に関する。

【背景技術】

【0002】

液処理部の上方から該液処理部の処理空間に向かう気流（ダウンフロー）を発生させる気流形成装置が知られている（例えば特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５－９３７９４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ここで、装置環境状態によっては、上述した処理空間に向かう気流が安定せず、このことを原因として、液処理後の基板の膜厚にばらつきが生じてしまう（基板間で膜厚がばらつく）場合がある。例えば、隣接する塗布カップの排気状態や、日間差要因として挙げられる装置陽圧値によっては、処理空間に向かう気流が安定せず、基板の膜厚にばらつきが生じてしまうことがある。特に、気流感度が高い薬液・プロセスにおいては、気流が安定しないことによる膜厚のばらつきが顕著に現れてしまう。

【0005】

本開示は上記実情に鑑みてなされたものであり、気流変化のパラメータとして挙げられる処理空間上風速の変化を抑えることにより、液処理後の基板の膜厚のばらつきを抑えることができる気流形成装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一側面に係る気流形成装置は、液処理部の上方から該液処理部の処理空間に向かう下方に気流を発生させる気流形成装置であって、導入した気体を、処理空間に対向する第１面から下方に吹き出す気体供給部と、第１面の下方且つ処理空間の上方において処理空間の直上の開口部を囲うように配置され、第１面から下方に吹き出された気体について、開口部の周辺にその外側の領域よりも強い気流が発生した環状の強気流形成領域を形成する気流形成部と、を備える。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、処理空間上風速の変化を抑えることにより液処理後の基板の膜厚のばらつきを抑えることができる気流形成装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本実施形態に係る気流形成ユニットを含んだレジスト塗布装置の概略構成を示した垂直断面図である。

【図2】図２は、気流制御板の底面図である。

【図3】図３（ａ）は気体供給部及び気流制御板の垂直断面図であり、図３（ｂ）は気流制御板の上面図である。

【図4】図４は、強気流形成領域を説明する図である。

【図5】図５は、装置陽圧値毎のセンター風速を示す図である。

【図6】図６は、装置陽圧値毎の基板膜厚を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図１は、本実施形態に係るレジスト塗布装置１の概略構成を示した垂直断面図である。レジスト塗布装置１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施す基板処理システムに含まれる装置（基板処理装置）である。処理対象の基板としては、半導体ウエハ、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。基板は、半導体ウエハ等の上に、前段の処理において被膜等が形成されたものも含む。レジスト塗布装置１は、基板処理システムに含まれる露光装置（不図示）による露光処理の前に、基板の表面にレジスト膜を形成する処理を行う。より具体的には、レジスト塗布装置１は、レジスト膜形成用の塗布液を基板の表面に供給し、上記ベーク前レジスト膜を形成する。また、レジスト塗布装置１は、基板の表面にベーク前レジスト膜を形成した後に、基板の周縁部に除去液を供給することで、ベーク前レジスト膜の周縁部を除去する。

【0010】

レジスト塗布装置１は、図１に示されるように、塗布処理部１００（液処理部）と、気流形成ユニット２（気流形成装置）と、を含んで構成されている。

【0011】

塗布処理部１００は、２つの処理部１００ａ，１００ｂを有している。２つの処理部１００ａ，１００ｂは、互いに隣り合って並んで配置されており、互いに同じ構成とされている。２つの処理部１００ａ，１００ｂは、それぞれ、スピンチャック（不図示）及びカップ１０１を含んで構成されている。

【0012】

スピンチャック（不図示）は、基板Ｗの裏面中央部を吸着して水平に保持すると共に基板Ｗを回転させる回転保持部である。スピンチャックは、回転軸（不図示）を介して回転駆動機構（不図示）と接続されている。スピンチャックは、回転駆動機構を介して基板Ｗを保持した状態で鉛直軸回りに回転自在に構成されており、その回転軸上に基板Ｗの中心が位置するように設定されている。回転駆動機構は、制御部（不図示）からの制御信号を受けてスピンチャックの回転速度を制御する。

【0013】

カップ１０１は、スピンチャック上の基板Ｗを囲むようにして上方側に開口が形成されている。カップ１０１に囲われた領域が、基板Ｗに対する塗布処理の処理空間ＰＳとされている。カップ１０１の下方には排気管路（不図示）が設けられている。また、カップ１０１内には、３本の昇降ピン（不図示）が設けられている。昇降ピンは、昇降機構（不図示）により昇降することで、レジスト塗布装置１に基板Ｗを搬送する図示しない基板搬送機構とスピンチャックとの間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。さらに、塗布処理部１００は、基板Ｗにレジスト液を供給するための、図示しない種々の部品を有している。

【0014】

気流形成ユニット２は、塗布処理部１００の上方から該塗布処理部１００の処理空間ＰＳに向かう下方に、気流を発生させる構成である。気流形成ユニット２は、気体供給部１０と、気流制御板５０（気流形成部）と、複数のスペーサー７０（図３（ａ）及び図３（ｂ）参照）と、を有している。

【0015】

気体供給部１０は、導入した気体を処理空間ＰＳに向けて吹き出す構成である。気体供給部１０は、吹出ユニット１１と、ＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタ１２と、を有している。

【0016】

吹出ユニット１１は、扁平な箱状の部材であり、その下面が開口して吹出面１１ａを構成している。吹出ユニット１１の側部には、気体を導入するための導入穴が形成されている。吹出ユニット１１の下部には、ＵＬＰＡフィルタ１２が取り付けられている。

【0017】

ＵＬＰＡフィルタ１２は、気体中の微細なパーティクルを除去するフィルタである。ＵＬＰＡフィルタ１２は、吹出ユニット１１の吹出面１１ａから下方に流れ出た気体中のパーティクルを除去し、その下面である吹出面１２ａ（第１面）から下方に気体を吹き出す。吹出面１２ａにおいては、くり抜かれた開口から、整流された気体がそのまま流れ出る構造とされている。吹出面１２ａから吹き出す気体の風量は、領域によらずに概ね一定とされている。すなわち、２つの処理部１００ａ，１００ｂのカップ１０１間で、ＵＬＰＡフィルタ１２からの気体の風量の差は生じていない。

【0018】

気流制御板５０は、ＵＬＰＡフィルタ１２の吹出面１２ａの下方且つ処理部１００ａ，１００ｂの処理空間ＰＳの上方に配置されている。気流制御板５０は、処理空間ＰＳの直上の開口部３００を囲うように配置されている。気流制御板５０は、吹出面１２ａから下方に吹き出された気体について、開口部３００の周辺に、その外側の領域よりも強い気流が発生した環状の強気流形成領域ＳＡ（図１及び図４参照。詳細は後述）を形成する気流形成部である。なお、平面視すると、開口部３００の領域は、処理空間ＰＳに配置される基板Ｗの領域より狭い。すなわち、開口部３００は、平面視した際の基板Ｗの外縁部よりも内側の領域にのみ形成されている。気流制御板５０の詳細について、図２～図４も参照しながら説明する。図２は、気流制御板５０の底面図である。図３（ａ）は気体供給部１０及び気流制御板５０の垂直断面図であり、図３（ｂ）は気流制御板５０の上面図である。図４は、強気流形成領域を説明する図である。

【0019】

図２に示されるように、気流制御板５０は、処理部１００ａ，１００ｂに対応する開口部３００，３００の領域を除いて（開口部３００，３００を囲うように）配置されている。図２及び図３（ａ）に示されるように、気流制御板５０は、開口部３００を囲うように上下方向に延びる環状の壁部５１と、壁部５１の下端に連続すると共に、ＵＬＰＡフィルタ１２の吹出面１２ａに対向するように水平に延びる底部５２と、を有している。底部５２は、吹出面１２ａの下方の領域の内、開口部３００に対応する領域以外の全ての領域と対向するように、水平に延びている。

【0020】

図３（ａ）に示されるように、壁部５１は、その上端とＵＬＰＡフィルタ１２の吹出面１２ａとの間に狭ＧＡＰ５１ａが形成されるように、上下方向に延びている。狭ＧＡＰ５１ａは、例えば吹出面１２ａと底部５２との離間距離の５０％程度の長さとされており、具体的には、例えば１．５～４．５ｍｍ程度の長さとされていてもよい。このような構成によれば、吹出面１２ａと底部５２との間に一度蓄積された気体が、狭ＧＡＰ５１ａから開口部３００側に吹き出すこととなる（図１参照）。狭ＧＡＰ５１ａにおける圧力損失によって、狭ＧＡＰ５１ａから吹き出した気体が形成する気流の流速が速くなり、開口部３００の周辺に、その外側の領域よりも強い気流が発生した環状の強気流形成領域ＳＡが形成される（図１及び図４参照）。

【0021】

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されるように、気流制御板５０は、複数のスペーサー７０を介してＵＬＰＡフィルタ１２に固定されている。スペーサー７０は、上端がＵＬＰＡフィルタ１２の吹出面１２ａに接続されると共に、下端が底部５２に接続されている。複数のスペーサー７０は、互いに上下方向における高さが同じである。各スペーサー７０は、図３（ｂ）に示されるように、開口部３００を囲うように立設した環状の壁部５１に沿って、一定の間隔で設けられている。また、スペーサー７０は、壁部５１に沿った領域だけでなく、スペーサー７０間の離間距離が大きくなり過ぎない程度に、底部５２の各領域に設けられている（図３（ｂ）参照）。このように、互いに同じ高さの複数のスペーサー７０が満遍なく底部５２に設けられることにより、吹出面１２ａと底部５２との間の気体が蓄積される空間の大きさを一定とすることができ、領域によって差圧が生じ気流がばらつくことを抑制することができる。

【0022】

また、図２に示されるように、底部５２には、気体を下方に送り出す複数の穴部５５が形成されている。底部５２は、壁部５１に連続する領域である第１領域５２ａ（中央側の領域）と、第１領域５２ａよりも外側の領域である第２領域５２ｂと、を有している。そして、上述した複数の穴部５５に関して、第１領域５２ａにおける複数の穴部５５が占める割合である第１開口率は、第２領域５２ｂにおける複数の穴部５５が占める割合である第２開口率よりも低い。すなわち、第１領域５２ａと第２領域５２ｂとを同じ面積の条件で比較すると、第１領域５２ａの方が、下方に気体を逃がす穴部５５の領域が少ない。このことによって、相対的に、第１領域５２ａから吹き出す気体が形成する気流の流速が速くなり、壁部５１の近傍（すなわち、開口部３００の周辺）に、強気流形成領域ＳＡが形成される（図１及び図４参照）。また、例えば、図２にも表れているように、第１領域５２ａにおける複数の穴部５５は、円状の開口部３００を基準とした周方向の間隔に規則性を持つような、開口部３００から外側に向いた放射状の配置になっている。第２領域５２ｂにおける複数の穴部５５は、上記の第１領域５２ａにおける配置とは異なり全体的に均等な配置になっている。この全体的に均等な配置としての一例を、図２を基に説明すると、各穴部５５間の間隔が図２における縦方向と横方向とで一定の規則性を持つ配置、と言える。この様な第１領域と第２領域での複数の穴部５５の配置の違いにより、第２領域からは略均等なダウンフローを発生させ、その内側に強気流形成領域ＳＡを周状に安定して形成し易くなると考えられる。

【0023】

なお、第２領域５２ｂの第２開口率は、第２領域５２ｂから下方に向かう気流の流速が、開口部３００の中心付近においてＵＬＰＡフィルタ１２の吹出面１２ａから下方に向かう気流の流速よりも遅くなるように設定されていてもよい。このように、処理空間ＰＳよりも外側の気流の流速が遅くされることにより、処理空間上風速の変化がより抑制される。

【0024】

図４では、各処理部１００ａ，１００ｂの処理空間ＰＳにおける気流ＡＦの流れが矢印で示されてる。図４に示されるように、環状の強気流形成領域ＳＡが形成されている。このような強気流形成領域ＳＡは、エアカーテンの機能を果たし、エアカーテンである強気流形成領域ＳＡの外側の外乱因子の影響が強気流形成領域ＳＡの内側（すなわち処理空間ＰＳ）の領域に及ぼされることを抑制することができる。このことにより、図４に示されるように、処理空間上風速の変化が抑制され、処理空間ＰＳ上の気流ＡＦの流れが一定（概ね下方に向かう一直線の流れ）になる。

【0025】

次に、本実施形態に係る気流形成ユニット２（気流形成装置）の作用効果について説明する。

【0026】

本実施形態に係る気流形成ユニット２は、塗布処理部１００の上方から該塗布処理部１００の処理空間ＰＳに向かう下方に気流を発生させる気流形成ユニットである。気流形成ユニット２は、導入した気体を、処理空間ＰＳに対向する吹出面１２ａから下方に吹き出す気体供給部１０を備える。また、気流形成ユニット２は、吹出面１２ａの下方且つ処理空間ＰＳの上方において処理空間ＰＳの直上の開口部３００を囲うように配置された気流制御板５０を備える。気流制御板５０は、吹出面１２ａから下方に吹き出された気体について、開口部３００の周辺にその外側の領域よりも強い気流が発生した環状の強気流形成領域ＳＡを形成する。

【0027】

本実施形態に係る気流形成ユニット２では、処理空間ＰＳの直上の開口部３００の周辺に、環状の強気流形成領域ＳＡが形成され、該強気流形成領域ＳＡがエアカーテンとして機能する。このようにカップ１０１上の気流に分布をつけることにより、例えば強気流形成領域ＳＡの外側において外乱因子が発生しても、強気流形成領域ＳＡの内側、すなわち処理空間ＰＳの領域では、外乱因子の影響を受けることが抑制される。すなわち、本実施形態に係る気流形成ユニット２では、強気流形成領域ＳＡがエアカーテンとして機能することによって、処理空間上風速の変化が抑制される。以上のように、本実施形態に係る気流形成ユニット２によれば、気流変化のパラメータとして挙げられる処理空間上風速の変化を抑え、液処理後の基板Ｗの膜厚のばらつきを抑えることができる。

【0028】

図５は、装置陽圧値毎のセンター風速（処理空間の中央における風速）を示す図である。図５において、横軸は各装置陽圧値（０Ｐａ、０．４Ｐａ、０．８Ｐａ、１．５Ｐａ、２．０Ｐａ）毎の２つの処理部１００ａ，１００ｂのカップ１０１（ＣＵＰ１、ＣＵＰ２）を示している。また、縦軸は、センター風速を示している。ここで、装置陽圧値が変わることにより、処理空間上の気流（すなわちセンター風速）が変化し、基板Ｗの膜厚にばらつきが生じることが考えられる。本実施形態に係る気流制御板５０を備えない比較例に係る構成では、図５に示されるように、各装置陽圧値間で、最大で変動量Ｆｅ１だけセンター風速が変動する。これに対して、本実施形態に係る気流制御板５０を備える構成では、図５に示されるように、各装置陽圧値間でのセンター風速の変動量が、上述した比較例における変動量Ｆｅ１と比べると明らかに小さく、センター風速のばらつきを抑えることができた。

【0029】

そして、センター風速のばらつきを抑えることができたことによって、図６に示されるように、基板Ｗの膜厚のばらつきを抑えることができる。図６は、装置陽圧値毎の基板膜厚を示す図である。図６において、横軸は基板Ｗの径方向の位置を示しており、縦軸は基板Ｗの膜厚を示している。図６の各グラフは、条件を変えて複数測定された各装置陽圧値における、基板Ｗの径方向の各位置の膜厚を示している。例えば、本実施形態に係る気流制御板５０を備えない比較例に係る構成では、図６に示されるように、基板Ｗの中心において、各装置陽圧値間で最大で変動量Ｆｅ２だけ膜厚が変動する。これに対して、本実施形態に係る気流制御板５０を備える構成では、図６に示されるように、各装置陽圧値間での基板Ｗの中心における膜厚の変動量が、上述した比較例における変動量Ｆｅ２と比べて明らかに小さく、基板Ｗの膜厚のばらつきを抑えることができた。

【0030】

気流制御板５０は、開口部３００を囲うように上下方向に延びる環状の壁部５１と、壁部５１の下端に連続すると共に吹出面１２ａと対向するように水平に延びる底部５２と、を有する。壁部５１は、その上端と吹出面１２ａとの間に狭ＧＡＰ５１ａが形成されるように上下方向に延びている。このような構成によれば、気体供給部１０から下方に吹き出された気体が、底部５２と吹出面１２ａとの間に一度蓄積され、蓄積された気体が壁部５１と吹出面１２ａとの間の狭ＧＡＰ５１ａから吹き出すこととなる。狭ＧＡＰ５１ａでの圧力損出によって、吹き出した気体が形成する気流の流速が速くなり、上述した強気流形成領域ＳＡが形成される。これにより、開口部３００の周辺に環状の強気流形成領域ＳＡを確実に形成することができる。

【0031】

底部５２には、図２に示されるように、気体を下方に送り出す複数の穴部５５が形成されている。底部５２は、壁部５１の下端に連続する領域である第１領域５２ａと、第１領域５２ａよりも外側の領域である第２領域５２ｂと、を有する。第１領域５２ａにおける複数の穴部５５が占める割合である第１開口率は、第２領域５２ｂにおける複数の穴部５５が占める割合である第２開口率よりも低くてもよい。このように、底部５２における壁部５１寄りの第１領域５２ａの開口率が、外側の第２領域５２ｂの開口率よりも低くされることにより、相対的に、第１領域５２ａの穴部５５から吹き出す気体が形成する気流の流速が速くなる。このことで、壁部５１の近傍（すなわち開口部３００の周辺）に強気流形成領域ＳＡを確実に形成することができる。

【0032】

気流形成ユニット２は、上端が吹出面１２ａに接続されると共に下端が底部５２に接続された複数のスペーサー７０を更に備え、複数のスペーサー７０は、互いに、上下方向における高さが同じであってもよい。このような構成によれば、互いに同じ高さの複数のスペーサー７０によって、吹出面１２ａと底部５２との離間距離（隙間）を一定値とすることができる。このように、気体が蓄積される空間の大きさが一定値とされることにより、領域によって（例えば互いに隣り合う複数の処理空間ＰＳ間で）差圧が生じ気流がばらついてしまうことを抑制することができる。

【0033】

スペーサー７０は、壁部５１に沿って設けられていてもよい。これにより、狭ＧＡＰ５１ａの大きさがばらつくことが回避され、領域による気流のばらつきをより抑制することができる。また、壁部５１に沿って設けられたスペーサー７０が気体の流れに対する抵抗として機能することにより、狭ＧＡＰ５１ａの抵抗としての機能と相まって、狭ＧＡＰ５１ａから吹き出す気流の流速を速くして強気流形成領域ＳＡをより好適に形成することができる。

【0034】

平面視すると、開口部３００の領域は、処理空間ＰＳに配置される基板Ｗの領域よりも狭くてもよい。処理空間ＰＳの直上に設けられる開口部３００の領域が、処理空間ＰＳに配置される基板Ｗの領域よりも狭くされることにより、開口部３００の周辺に強気流形成領域ＳＡを形成した場合において、基板Ｗ上の領域に適切にエアカーテンを形成することができる。これにより、液処理後の基板Ｗの膜厚のばらつきをより確実に抑えることができる。

【0035】

以上、本実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されない。例えば、気流形成ユニット２が、レジスト塗布装置１の塗布処理部１００の処理空間ＰＳに向かう気流を発生させるとして説明したが、これに限定されない。例えば、気流形成装置は、その他の液処理部（例えば現像処理部）の処理空間に向かう気流を発生させる装置であってもよい。

【符号の説明】

【0036】

２…気流形成ユニット（気流形成装置）、１０…気体供給部、１２ａ…吹出面（第１面）、５０…気流制御板（気流形成部）、５１…壁部、５１ａ…狭ＧＡＰ、５２…底部、５２ａ…第１領域、５２ｂ…第２領域、５５…穴部、７０…スペーサー、１００…塗布処理部（液処理部）、３００…開口部、ＰＳ…処理空間、ＳＡ…強気流形成領域、Ｗ…基板。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】