(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023165645
(43)【公開日】2023-11-16
(54)【発明の名称】モールド型パワー半導体パッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20231109BHJP
H01L 23/48 20060101ALI20231109BHJP
【ＦＩ】
H01L25/04 C
H01L23/48 G
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023073890
(22)【出願日】2023-04-27
(31)【優先権主張番号】17/736,519
(32)【優先日】2022-05-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】501209070
【氏名又は名称】インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
【氏名又は名称原語表記】ＩＮＦＩＮＥＯＮ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ ＡＧ
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ニキーチン， イヴァン
(72)【発明者】
【氏名】シャーフ， トシュテン
(72)【発明者】
【氏名】ベスラー， マルコ
(72)【発明者】
【氏名】グラスマン， アンドレアス
(72)【発明者】
【氏名】ヤコビ， ヴァルデマー
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高出力に適したモールド型パワー半導体パッケージを提供する。
【解決手段】モールド型パワー半導体パッケージ１００は、電気絶縁基板１０６、１１４上に配設された金属配線層１０４、１１２を有する第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２と、第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第１のパワー半導体ダイ１０８と、電気絶縁基板上に配設された金属配線層を有する第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０と、第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第２のパワー半導体ダイ１１６と、複数の第１のパワー半導体ダイ及び複数の第２のパワー半導体ダイを内包し、第１のパワーエレクトロニクスキャリア及び第２のパワーエレクトロニクスキャリアを少なくとも部分的に内包するモールドコンパウンド１１８と、を含む。前記両パワーエレクトロニクスキャリアは同じ平面内にある。
【選択図】図２
【解決手段】モールド型パワー半導体パッケージ１００は、電気絶縁基板１０６、１１４上に配設された金属配線層１０４、１１２を有する第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２と、第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第１のパワー半導体ダイ１０８と、電気絶縁基板上に配設された金属配線層を有する第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０と、第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第２のパワー半導体ダイ１１６と、複数の第１のパワー半導体ダイ及び複数の第２のパワー半導体ダイを内包し、第１のパワーエレクトロニクスキャリア及び第２のパワーエレクトロニクスキャリアを少なくとも部分的に内包するモールドコンパウンド１１８と、を含む。前記両パワーエレクトロニクスキャリアは同じ平面内にある。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
モールド型パワー半導体パッケージであって、
電気絶縁基板（１０６）上に配設された金属配線層（１０４）を含む少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）と、
前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の前記金属配線層に取り付けられた複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）と、
電気絶縁基板（１１４）上に配設された金属配線層（１１２）を含む少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）と、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の前記金属配線層（１１２）に取り付けられた複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）と、
前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）及び前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）を内包し、前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）及び前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）を少なくとも部分的に内包するモールドコンパウンドと、
を備え、
前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）及び前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）が同じ平面内にある、モールド型パワー半導体パッケージ。
電気絶縁基板（１０６）上に配設された金属配線層（１０４）を含む少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）と、
前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の前記金属配線層に取り付けられた複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）と、
電気絶縁基板（１１４）上に配設された金属配線層（１１２）を含む少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）と、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の前記金属配線層（１１２）に取り付けられた複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）と、
前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）及び前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）を内包し、前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）及び前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）を少なくとも部分的に内包するモールドコンパウンドと、
を備え、
前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）及び前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）が同じ平面内にある、モールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項2】
前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）が単一の第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の前記金属配線層（１０４）に取り付けられており、前記複数の第１のパワー半導体ダイの第１の部分セット及び第２の部分セットが前記モールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線（ＡＡ’）に関して前記単一の第１のパワーエレクトロニクスキャリア上に対称的に配置されており、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）が単一の第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の前記金属配線層（１１２）に取り付けられており、前記複数の第２のパワー半導体ダイの第１の部分セット及び第２の部分セットが前記モールド型パワー半導体パッケージの前記長手方向中心線（ＡＡ’）に関して前記単一の第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）上に対称的に配置されている、請求項１に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項3】
前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）の第１及び第２の部分セットが別個の第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）に取り付けられており、前記別個の第１のパワーエレクトロニクスキャリアが前記モールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線（ＡＡ’）に関して互いに対称的に配置されており、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の第１及び第２の部分セットが別個の第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）に取り付けられており、前記別個の第２のパワーエレクトロニクスキャリアが前記モールド型パワー半導体パッケージの前記長手方向中心線（ＡＡ’）に関して互いに対称的に配置されている、請求項１に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項4】
前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の上方に配設され、前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）の各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第１の構造化金属フレーム（１４８）と、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の上方に配設され、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第２の構造化金属フレーム（１５０）と、
をさらに備える、請求項１に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の上方に配設され、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第２の構造化金属フレーム（１５０）と、
をさらに備える、請求項１に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項5】
前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）の第１の部分セット及び第２の部分セットが前記モールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線（ＡＡ’）の反対側に配置されており、
前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の第１の部分セット及び第２の部分セットが前記長手方向中心線（ＡＡ’）の前記反対側に配置されており、
前記第１の構造化金属フレーム（１４８）が、前記長手方向中心線に沿って延びる第１の中心部分（１）、近位端部において前記第１の中心部分に各々結合し、前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）の前記第１の部分セット上において、前記長手方向中心線を横切る第１の横方向に並列に延びる第１の枝路（２）、及び近位端部において前記第１の中心部分（１）に各々結合し、前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）の前記第２の部分セット上において、前記第１の横方向と反対の第２の横方向に並列に延びる第２の枝路（３）を含み、
前記第２の構造化金属フレーム（１５０）が、前記長手方向中心線に沿って延びる第２の中心部分（４）、近位端部において前記第２の中心部分（４）に各々結合し、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の前記第１の部分セット上において前記第１の横方向に並列に延びる第３の枝路（５）、及び近位端部において前記第２の中心部分に各々結合し、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の前記第２の部分セット上において前記第２の横方向に並列に延びる第４の枝路（６）を含む、請求項４に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の第１の部分セット及び第２の部分セットが前記長手方向中心線（ＡＡ’）の前記反対側に配置されており、
前記第１の構造化金属フレーム（１４８）が、前記長手方向中心線に沿って延びる第１の中心部分（１）、近位端部において前記第１の中心部分に各々結合し、前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）の前記第１の部分セット上において、前記長手方向中心線を横切る第１の横方向に並列に延びる第１の枝路（２）、及び近位端部において前記第１の中心部分（１）に各々結合し、前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）の前記第２の部分セット上において、前記第１の横方向と反対の第２の横方向に並列に延びる第２の枝路（３）を含み、
前記第２の構造化金属フレーム（１５０）が、前記長手方向中心線に沿って延びる第２の中心部分（４）、近位端部において前記第２の中心部分（４）に各々結合し、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の前記第１の部分セット上において前記第１の横方向に並列に延びる第３の枝路（５）、及び近位端部において前記第２の中心部分に各々結合し、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の前記第２の部分セット上において前記第２の横方向に並列に延びる第４の枝路（６）を含む、請求項４に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項6】
前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）の第１の部分セット及び第２の部分セットが前記モールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線（ＡＡ’）の反対側に配置されており、
前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の第１の部分セット及び第２の部分セットが前記モールド型パワー半導体パッケージの前記長手方向中心線の前記反対側に配置されており、
前記第１の構造化金属フレーム（１４８）が、前記第１のパワー半導体ダイ（１０８）内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子にワイヤボンディングされた第１の中心部分（１）を含み、
前記第２の構造化金属フレーム（１５０）が、前記第２のパワー半導体ダイ（１１６）内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子にワイヤボンディングされた第２の中心部分（４）を含む、請求項４に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の第１の部分セット及び第２の部分セットが前記モールド型パワー半導体パッケージの前記長手方向中心線の前記反対側に配置されており、
前記第１の構造化金属フレーム（１４８）が、前記第１のパワー半導体ダイ（１０８）内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子にワイヤボンディングされた第１の中心部分（１）を含み、
前記第２の構造化金属フレーム（１５０）が、前記第２のパワー半導体ダイ（１１６）内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子にワイヤボンディングされた第２の中心部分（４）を含む、請求項４に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項7】
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの前記金属配線層に電気接続され、前記モールドコンパウンドの第１の側面から突出した第１のパワーリード（１３６）と、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの前記金属配線層に電気接続され、前記モールドコンパウンドの前記第１の側面から突出した第２のパワーリード（１３８）と、
をさらに備え、
前記第１のパワーリード（１３６）が前記第１の構造化金属フレーム（１４８）の第１の側の側面に並んでおり、
前記第２のパワーリード（１３８）が前記第１の側と反対の前記第１の構造化金属フレーム（１４８）の第２の側の側面に並んでいる、請求項４～６のいずれか一項に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの前記金属配線層に電気接続され、前記モールドコンパウンドの前記第１の側面から突出した第２のパワーリード（１３８）と、
をさらに備え、
前記第１のパワーリード（１３６）が前記第１の構造化金属フレーム（１４８）の第１の側の側面に並んでおり、
前記第２のパワーリード（１３８）が前記第１の側と反対の前記第１の構造化金属フレーム（１４８）の第２の側の側面に並んでいる、請求項４～６のいずれか一項に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項8】
モールド型パワー半導体パッケージであって、
モールドコンパウンドと、
前記モールドコンパウンド内に埋め込まれた複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）と、
前記モールドコンパウンド内に埋め込まれ、前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）に電気接続されて半ブリッジを形成する、複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）と、
前記複数の第１のパワー半導体ダイの上方の第１の構造化金属フレーム（１４８）であって、前記モールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線の第１の側に配置された前記第１のパワー半導体ダイの第１のグループの前側負荷端子に電気接続された複数の第１の並列枝路（２）、及び前記第１の側と反対の前記長手方向中心線の第２の側に配置された前記第１のパワー半導体ダイの第２のグループの前側負荷端子に電気接続された複数の第２の並列枝路（３）を含む、第１の構造化金属フレーム（１４８）と、
前記複数の第２のパワー半導体ダイの上方の第２の構造化金属フレーム（１５０）であって、前記長手方向中心線の前記第１の側に配置された前記第２のパワー半導体ダイの第１のグループの前側負荷端子に電気接続された複数の第１の並列枝路（５）、及び前記長手方向中心線の前記第２の側に配置された前記第２のパワー半導体ダイの第２のグループの前側負荷端子に電気接続された複数の第２の並列枝路（６）を含む、第２の構造化金属フレーム（１５０）と、
を備える、モールド型パワー半導体パッケージ。
モールドコンパウンドと、
前記モールドコンパウンド内に埋め込まれた複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）と、
前記モールドコンパウンド内に埋め込まれ、前記複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）に電気接続されて半ブリッジを形成する、複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）と、
前記複数の第１のパワー半導体ダイの上方の第１の構造化金属フレーム（１４８）であって、前記モールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線の第１の側に配置された前記第１のパワー半導体ダイの第１のグループの前側負荷端子に電気接続された複数の第１の並列枝路（２）、及び前記第１の側と反対の前記長手方向中心線の第２の側に配置された前記第１のパワー半導体ダイの第２のグループの前側負荷端子に電気接続された複数の第２の並列枝路（３）を含む、第１の構造化金属フレーム（１４８）と、
前記複数の第２のパワー半導体ダイの上方の第２の構造化金属フレーム（１５０）であって、前記長手方向中心線の前記第１の側に配置された前記第２のパワー半導体ダイの第１のグループの前側負荷端子に電気接続された複数の第１の並列枝路（５）、及び前記長手方向中心線の前記第２の側に配置された前記第２のパワー半導体ダイの第２のグループの前側負荷端子に電気接続された複数の第２の並列枝路（６）を含む、第２の構造化金属フレーム（１５０）と、
を備える、モールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項9】
前記モールドコンパウンドの第１の側面から突出した前記半ブリッジのための第１のパワーリード（１３６）と、
前記モールドコンパウンドの前記第１の側面から突出した前記半ブリッジのための第２のパワーリード（１３８）と、
をさらに備え、
前記第１のパワーリード（１３６）が前記第１の構造化金属フレーム（１４８）の第１の側の側面に並んでおり、
前記第２のパワーリード（１３８）が前記第１の側と反対の前記第１の構造化金属フレーム（１４８）の第２の側の側面に並んでいる、請求項８に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
前記モールドコンパウンドの前記第１の側面から突出した前記半ブリッジのための第２のパワーリード（１３８）と、
をさらに備え、
前記第１のパワーリード（１３６）が前記第１の構造化金属フレーム（１４８）の第１の側の側面に並んでおり、
前記第２のパワーリード（１３８）が前記第１の側と反対の前記第１の構造化金属フレーム（１４８）の第２の側の側面に並んでいる、請求項８に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項10】
前記第１のパワーリード（１３６）及び前記第２のパワーリード（１３８）が各々、前記第１の構造化金属フレーム及び前記第２の構造化金属フレームの双方よりも厚い、請求項９に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項11】
前記第１の構造化金属フレーム（１４８）及び前記第２の構造化金属フレーム（１５０）が第１のリードフレーム（３００）の部分であり、前記第１のパワーリード（１３６）及び前記第２のパワーリード（１３８）が第２のリードフレーム（３０２）の部分であり、前記第２のリードフレーム（３０２）が前記第１のリードフレーム（３００）の上に横たわり、それに取り付けられており、前記第２のリードフレーム（３０２）が前記第１のリードフレーム（３００）よりも厚い、請求項９に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項12】
第１の端部において前記第１のパワーリード（１３６）に、及び第２の端部において前記第２のパワーリード（１３８）に接続された複数の金属ストリップ（４００）又は単一の金属シートをさらに備え、
前記複数の金属ストリップ（４００）又は単一の金属シートが前記第１の構造化金属フレーム（１４８）にまたがっている、請求項９に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
前記複数の金属ストリップ（４００）又は単一の金属シートが前記第１の構造化金属フレーム（１４８）にまたがっている、請求項９に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【請求項13】
パワー半導体パッケージであって、
少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）と、
前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の金属配線層（１０４）に取り付けられた複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）と、
少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）と、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の金属配線層（１１２）に取り付けられた複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）と、
前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の上方に配設され、前記複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイ（１０８）の負荷端子に電気接続された第１の構造化金属フレーム（１４８）、並びに前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の上方に配設され、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の各パワー半導体ダイの負荷端子に、及び前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の前記金属配線層に電気接続された第２の構造化金属フレーム（１５０）を含む第１のリードフレーム（３００）と、
前記第１のリードフレーム（３００）の上方に配設された第２のリードフレーム（３０２）であって、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の前記金属配線層（１１２）に電気接続された第１のリード（１３６）、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の前記金属配線層（１１２）に電気接続された第２のリード（１３８）、
前記第１及び第２のリードの間に挟まれ、前記第１のリードフレーム（３００）の前記第１の構造化金属フレーム（１４８）に電気接続された第３のリード（１４０）、並びに
前記第１のリードフレーム（３００）の前記第２の構造化金属フレーム（１５０）に電気接続された第４のリード（１４４）、
を含む、第２のリードフレーム（３０２）と、
を備えるパワー半導体パッケージ。
少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）と、
前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の金属配線層（１０４）に取り付けられた複数の第１のパワー半導体ダイ（１０８）と、
少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）と、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の金属配線層（１１２）に取り付けられた複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）と、
前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の上方に配設され、前記複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイ（１０８）の負荷端子に電気接続された第１の構造化金属フレーム（１４８）、並びに前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の上方に配設され、前記複数の第２のパワー半導体ダイ（１１６）の各パワー半導体ダイの負荷端子に、及び前記少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア（１０２）の前記金属配線層に電気接続された第２の構造化金属フレーム（１５０）を含む第１のリードフレーム（３００）と、
前記第１のリードフレーム（３００）の上方に配設された第２のリードフレーム（３０２）であって、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の前記金属配線層（１１２）に電気接続された第１のリード（１３６）、
前記少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア（１１０）の前記金属配線層（１１２）に電気接続された第２のリード（１３８）、
前記第１及び第２のリードの間に挟まれ、前記第１のリードフレーム（３００）の前記第１の構造化金属フレーム（１４８）に電気接続された第３のリード（１４０）、並びに
前記第１のリードフレーム（３００）の前記第２の構造化金属フレーム（１５０）に電気接続された第４のリード（１４４）、
を含む、第２のリードフレーム（３０２）と、
を備えるパワー半導体パッケージ。
【請求項14】
前記第２のリードフレーム（３０２）が前記第１のリードフレーム（３００）よりも厚い、請求項１３に記載のパワー半導体パッケージ。
【請求項15】
前記第１のリードフレーム（３００）が、０．５ｍｍよりも小さい厚さを有し、前記第２のリードフレーム（３０２）が、０．５ｍｍよりも大きく、１ｍｍよりも小さい厚さを有する、請求項１３に記載のパワー半導体パッケージ。
【請求項16】
前記第１のリード（１３６）及び前記第２のリード（１３８）が各々、前記第１の構造化金属フレーム（１４８）及び前記第２の構造化金属フレーム（１５０）の双方よりも厚い、請求項１３に記載のパワー半導体パッケージ。
【請求項17】
前記第３のリード（１４０）が前記第１のリード（１３６）と前記第２のリード（１３８）との間に横方向に挟まれており、前記第３のリード（１４０）が前記第１の構造化金属フレーム（１４８）に縦方向に接続されており、前記第１の構造化金属フレーム（１４８）及び前記第２の構造化金属フレーム（１５０）の双方よりも厚い、請求項１３に記載のパワー半導体パッケージ。
【請求項18】
前記第４のリード（１４４）が前記第２の構造化金属フレーム（１５０）に縦方向に接続されており、前記第１の構造化金属フレーム（１４８）及び前記第２の構造化金属フレーム（１５０）の双方よりも厚い、請求項１３に記載のパワー半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
複数のパワーＳｉＣダイ（チップ）の対称的スイッチングは、１２００Ｖ及び最大５８０Ａ以上のための高出力適用物を可能にする。従来のモールド型パワー半導体パッケージの設計はハイサイド及びローサイドスイッチングノード接続のための対称的接続を提供するが、ハイサイド及びローサイドのためのゲート接続は対称的でなく、これは、ハイサイド及びローサイドのための異なる最大可能スイッチング速度を生じさせる。これは、強いディレーティングが適用物のために適用されない限り、ゲート接続の高誘導結合のゆえにモジュールを破壊し得る、増大した周波数における発振をもたらし得る。
【0002】
それゆえ、１２００Ｖ及び最大５８０Ａ以上のための高出力適用物のために適した、改善されたモールド型パワー半導体パッケージの設計を形成する必要がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
モールド型パワー半導体パッケージの一実施形態によれば、モールド型パワー半導体パッケージは、電気絶縁基板上に配設された金属配線層を含む少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアと、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第１のパワー半導体ダイと、電気絶縁基板上に配設された金属配線層を含む少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアと、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第２のパワー半導体ダイと、複数の第１のパワー半導体ダイ及び複数の第２のパワー半導体ダイを内包し、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア及び少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアを少なくとも部分的に内包するモールドコンパウンドと、を備え、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア及び少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアは同じ平面内にある。
【0004】
モールド型パワー半導体パッケージの別の実施形態によれば、モールド型パワー半導体パッケージは、モールドコンパウンドと、モールドコンパウンド内に埋め込まれた複数の第１のパワー半導体ダイと、モールドコンパウンド内に埋め込まれ、複数の第１のパワー半導体ダイに電気接続されて半ブリッジを形成する、複数の第２のパワー半導体ダイと、複数の第１のパワー半導体ダイの上方に配設され、複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第１の構造化金属フレームと、複数の第１のパワー半導体ダイの上方に配設され、複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第２の構造化金属フレームと、を備え、第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームはどちらもモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線に関して対称である。
【0005】
当業者は、以下の詳細な説明を読み、添付の図面を見れば、追加の特徴及び利点を認識するであろう。
【0006】
図面の要素は必ずしも互いに対して原寸に比例しているとは限らない。同様の参照符号は、対応する類似の部分を指定する。様々な例示された実施形態の特徴は、それらが互いを排除しない限り、組み合わせることができる。実施形態は図面において示され、以下の説明において詳述される。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
本明細書において説明される実施形態は、パッケージ内に含まれるパワー半導体ダイの上に横たわり、パワー半導体ダイへのパワー及びゲート接続を提供する接続フレームを有するモールド型パワー半導体パッケージを提供する。パワー半導体ダイの第１のグループは半ブリッジのローサイドスイッチを形成し得、パワー半導体ダイの第２のグループは半ブリッジのハイサイドスイッチを形成し得る。ハイサイド及びローサイドパワー半導体ダイは、漂遊インダクタンスを低減するために別個の絶縁基板の金属化面に実装されている。パワー半導体ダイへのパワー及びゲート接続を提供する接続フレームは、均一な厚さ、又は漂遊インダクタンスをさらに低減し、よりいっそう高いスイッチング速度を可能にするために、異なる厚さの領域を有し得る。接続フレームの漂遊インダクタンスを低減するためのさらなる構造的特徴が説明される。
【0009】
モールド型パワー半導体パッケージの内部のゲート接続構造がモールド型パワー半導体パッケージの中心線に沿って延びている。ゲート接続構造は、金属クリップフレーム、ＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ（プリント回路板））、金属化面を有する絶縁基板の部分であるか、又は例えば、モールドコンパウンド、絶縁、接着剤、絶縁箔等によって、接続フレームから絶縁された追加の金属ストリップとしてのものであり得る。プレスフィットコネクタが、外部ゲート接続を証明するために、ゲート接続構造に接続され、部分的にオーバーモールドされ得る。
【0010】
本明細書において説明される接続フレームを有するモールド型パワー半導体パッケージは、７ｎＨ以下の漂遊インダクタンス、低いゲートインダクタンスを有する複数のパワー半導体ダイのためのほぼ対称的なコンタクト構造、及び半ブリッジのハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの間の高い対称性を有し得る。モールド型パワー半導体パッケージは、最大１２００Ｖ以上及び最大５８０Ａ以上のための高出力適用物を可能にするために４つ以上のパワーＳｉＣダイ（チップ）を含み得る。
【0011】
次に図を参照して説明されるのは、モールド型パワー半導体パッケージ、及びこのようなパワー半導体パッケージを作製する方法の例示的な実施形態である。本明細書において説明される接続フレーム及びモールド型パワー半導体パッケージの実施形態のうちの任意のものは、特に明記しない限り、互換的に用いられ得る。
【0012】
図１は、モールド型パワー半導体パッケージ１００の一実施形態の上面斜視図を示す。モールド型パワー半導体パッケージ１００は、ＤＣ／ＡＣインバータ、ＤＣ／ＤＣ変換器、ＡＣ／ＤＣ変換器、ＤＣ／ＡＣ変換器、ＡＣ／ＡＣ変換器、多相インバータ、Ｈブリッジ等におけるものなどの様々なパワー適用物における使用のためのパワーエレクトロニクス回路の部分を形成し得る。
【0013】
モールド型パワー半導体パッケージ１００は、電気絶縁基板１０６上に配設された金属配線層１０４を有する少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２を含む。第１のパワー半導体ダイ１０８が少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２の金属配線層１０４に取り付けられている。モールド型パワー半導体パッケージ１００はまた、電気絶縁基板１１４上に配設された金属配線層１１２を有する少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０を含む。第２のパワー半導体ダイ１１６が少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０の金属配線層１１２に取り付けられている。モールドコンパウンド１１８が第１のパワー半導体ダイ１０８及び第２のパワー半導体ダイ１１６を内包し、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２及び少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０を少なくとも部分的に内包する。一実施形態では、それぞれの金属配線層１０４、１１２と反対の第１及び第２のパワーエレクトロニクスキャリア１０２、１１０の表面（図１では隠れて見えない）は、モールド型パワー半導体パッケージ１００の片面冷却を提供するために、モールドコンパウンド１１８から露出している。
【0014】
モールドコンパウンド１１８によって内包される要素の遮るもののない図を提供するために、図１にはモールドコンパウンド１１８の外形が示されている。少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２及び少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０は、一方がｚ方向に他方の上に縦方向に積層されているのではなく、ｘ－ｙ平面内で互いに傍らに位置付けられている。
【0015】
各々の少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２及び各々の少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０は、例えば、ＤＣＢ（ｄｉｒｅｃｔ ｃｏｐｐｅｒ ｂｏｎｄｅｄ（直接銅接合））基板、ＡＭＢ（ａｃｔｉｖｅ ｍｅｔａｌ ｂｒａｚｅｄ（活性金属ろう付け））基板、ＩＭＳ（ｉｎｓｕｌａｔｅｄ ｍｅｔａｌ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ（絶縁金属基板））等であり得る。第１のパワー半導体ダイ１０８及び第２のパワー半導体ダイ１１６は、パワーＳｉ又はＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ））ダイ、ＨＥＭＴ（ｈｉｇｈ－ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（高電子移動度トランジスタ））ダイ、ＩＧＢＴ（ｉｎｓｕｌａｔｅｄ－ｇａｔｅ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ））ダイ、ＪＦＥＴ（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｆｉｌｅｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（接合型電界効果トランジスタ））ダイ等であり得る。
【0016】
図１に示されるように、第１のパワー半導体ダイ１０８及び第２のパワー半導体ダイ１１６は縦型パワートランジスタダイである。縦型パワートランジスタダイについては、１次電流経路はダイの前側と後側との間にある。ドレイン端子は、典型的には、ダイの後側に配設されており、ゲート及びソース端子（及び任意選択的に、１つ以上のセンス端子）はダイ１１０の前側に配設されている。パワーダイオードダイ、論理ダイ、コントローラダイ、ゲートドライバダイ等などの、さらなる種類の半導体ダイがモールド型パワー半導体パッケージ１００内に含まれてもよい。
【0017】
第１のパワー半導体ダイ１０８は単一の第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２の金属配線層１０４に取り付けられ得、第１のパワー半導体ダイ１０８の第１の部分セット１２０及び第２の部分セット１２２が、モールド型パワー半導体パッケージ１００の長手方向中心線Ａ－Ａ’に関して単一の第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２上に対称的に配置されている。第２のパワー半導体ダイ１１６は、同様に、単一の第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０の金属配線層１１２に取り付けられ得、第２のパワー半導体ダイ１１６の第１の部分セット１２４及び第２の部分セット１２６もまた、モールド型パワー半導体パッケージ１００の長手方向中心線Ａ－Ａ’に関して単一の第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０上に対称的に配置されている。
【0018】
第１のパワー半導体ダイ１０８の第１及び第２の部分セット１２０、１２２は、代わりに、図１に示されるように、別個の第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２に取り付けられてもよく、別個の第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２はモールド型パワー半導体パッケージ１００の長手方向中心線Ａ－Ａ’に関して互いに対称的に配置されている。第２のパワー半導体ダイ１１６の第１及び第２の部分セット１２４、１２６は、同様に、別個の第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０に取り付けられてもよく、別個の第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０もまた、モールド型パワー半導体パッケージ１００の長手方向中心線Ａ－Ａ’に関して互いに対称的に配置されている。
【0019】
図１に示される例では、第１のパワー半導体ダイ１０８は３つの列（ｘ方向）内にパッケージ長手方向中心線Ａ－Ａ’に関して対称的に配置されており、各列内に４つの（長手方向中心線Ａ－Ａ’の各側に２つの）第１のパワー半導体ダイ１０８がある。第２のパワー半導体ダイ１１６もまた、３つの列（ｘ方向）内にパッケージ長手方向中心線Ａ－Ａ’に関して対称的に配置されており、各列内に４つの（長手方向中心線Ａ－Ａ’の各側に２つの）第２のパワー半導体ダイ１１６がある。より一般的には、モールド型パワー半導体パッケージ１００は少なくとも２つの第１のパワー半導体ダイ１０８及び少なくとも２つの第２のパワー半導体ダイ１１６を含み得、同数の第１のパワー半導体ダイ１０８及び同数の第２のパワー半導体ダイ１１６がパッケージ１００の長手方向中心線Ａ－Ａ’の両側に配置されている。これは、パッケージ１００のモールド体１１８内におけるパワー半導体ダイ１０８、１１６及びパワーエレクトロニクスキャリア１０２、１１０の双方の対称的レイアウトを確実にする。
【0020】
第１のパワー半導体ダイ１０８及び第２のパワー半導体ダイ１１６は半ブリッジとして電気結合されてもよく、第１のパワー半導体ダイ１０８は半ブリッジのローサイドスイッチを形成し、第２のパワー半導体ダイ１１６は半ブリッジのハイサイドスイッチを形成する。図１に示される縦方向ダイ配置については、各第１のパワー半導体ダイ１０８のドレイン端子（図１では隠れて見えない）は少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２の金属配線層１０４に接続されており、第１のダイ１０８の反対の前側にゲート及びソース端子１２８、１３０（及び任意選択的に、１つ以上のセンス端子）がある。各第２のパワー半導体ダイ１１６のドレイン端子（図１では隠れて見えない）は、同様に、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０の金属配線層１１２に接続されており、第２のダイ１１６の反対の前側にゲート及びソース端子１３２、１３４（及び任意選択的に、１つ以上のセンス端子）がある。
【0021】
少なくとも１つのリード１３６、１３８、１４０がモールドコンパウンド１１８の第１の側面１４２から突出しており、少なくとも１つのリード１４４が第１の側面１４２と反対のモールドコンパウンド１１８の第２の側面１４６から突出している。モールド型パワー半導体パッケージ１００の長手方向中心線Ａ－Ａ’はモールドコンパウンド１１８の第１及び第２の側面１４２、１４６の間に延びている。
【0022】
図１では、２つのハイサイド位相又はパワーリード１３６、１３８がモールドコンパウンド１１８の第１の側面１４２から突出しており、第２の（ハイサイド）パワー半導体ダイ１１６へのパワー／位相接続「ＤＣ＋」を提供する。第１のハイサイド位相／パワーリード１３６は第２のパワー半導体ダイ１１６の第１の部分セット１２４へのＤＣ＋パワー／位相接続を提供し、第２のハイサイド位相／パワーリード１３８は第２のパワー半導体ダイ１１６の第２の部分セット１２６へのＤＣ＋パワー／位相接続を提供する。ローハイサイド位相／接地リード１４０もモールドコンパウンド１１８の第１の側面１４２から突出しており、第１の（ローサイド）パワー半導体ダイ１０８へのパワー／位相接続「ＤＣ－」を提供する。ローサイド位相／接地リード１４０は第１及び第２のハイサイド位相／パワーリード１３６、１３８の間に挟まれている。
【0023】
スイッチノードリード１４４がモールドコンパウンド１１８の第２の側面１４６から突出しており、半ブリッジのハイサイドパワー半導体ダイ１１６とローサイドパワー半導体ダイ１０８との間のスイッチノード「ＳＷ」に電気接続されている。この場合には、スイッチノードリード１４４はモールド型パワー半導体パッケージ１００のための出力リードである。
【0024】
パッケージリード１３６、１３８、１４０、１４４と、モールドコンパウンド１１８内に内包されたパワー半導体ダイ１０８、１１６との間の内部電気接続は、パワー半導体ダイ１０８、１１６の上に横たわる接続フレームによって提供され得る。図１では、接続フレームは、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２の上方に配設された第１の構造化金属フレーム１４８、及び少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０の上方に配設された第２の構造化金属フレーム１５０を含む。第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０はリードフレームの部分であってもよく、構造化金属フレーム１４８、１５０の特徴は、スタンピング、パンチング、エッチング等によって形成される。
【0025】
図１では、第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０はどちらもモールド型パワー半導体パッケージ１００の長手方向中心線Ａ－Ａ’に関して対称である。用語「対称（ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ）」及び「対称的（ｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌ）」は、本明細書で使用するとき、製作公差のゆえに生じ得る不可避の非対称性を含む。しかし、非対称性は、第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０によって形成された接続フレーム内に意図的に導入されてもよい。例えば、全ての半導体ダイ１０８、１１６は同じ方向を向いていてもよく、これは、モールド型パワー半導体パッケージ１００の中心線Ａ－Ａ’に対する若干の非対称性を接続フレーム内に導入し得る。
【0026】
いずれの場合にも、第１の構造化金属フレーム１４８は、例えば、第１の構造化金属フレーム１４８の後側におけるバンプ又は打ち抜き特徴１５２によって、或いははんだ、導電性接着剤等によって、各第１の（ローサイド）パワー半導体ダイ１０８のソース端子１３０に電気接続されている。第２の構造化金属フレーム１５０は、例えば、第２の構造化金属フレーム１５０の後側におけるバンプ又は打ち抜き特徴１５４によって、或いははんだ、導電性接着剤等によって、各第２の（ハイサイド）パワー半導体ダイ１１６のソース端子１３４に電気接続されている。
【0027】
本明細書において以前に説明されたように、第１のパワー半導体ダイ１０８の第１の部分セット１２０及び第２の部分セット１２２がモールド型パワー半導体パッケージ１００の長手方向中心線Ａ－Ａ’の反対側に配置され得る。第２のパワー半導体ダイ１１６の第１の部分セット１２４及び第２の部分セット１２６が、同様に、長手方向中心線Ａ－Ａ’の反対側に配置され得る。
【0028】
図１に示されるように、第１の構造化金属フレーム１４８は、長手方向中心線Ａ－Ａ’に沿って延びる第１の中心部分「１」を含み得る。近位端部において第１の中心部分「１」に各々結合する第１の枝路「２」が、第１のパワー半導体ダイ１０８の第１の部分セット１２０上で、長手方向中心線Ａ－Ａ’を横切る第１の横方向（図１における－ｘ方向）に並列に延びている。近位端部において第１の中心部分「１」に各々結合する第２の枝路「３」が、第１のパワー半導体ダイ１１６の第２の部分セット１２２上で、第１の横方向と反対の第２の横方向（図１におけるｘ方向）に並列に延びている。
【0029】
さらに、図１に示されるように、第２の構造化金属フレーム１５０は、長手方向中心線Ａ－Ａ’に沿って延びる第２の中心部分「４」を含む。近位端部において第２の中心部分「４」に各々結合する第３の枝路「５」が第２のパワー半導体ダイ１１６の第１の部分セット１２４上で第１の横方向に並列に延びている。近位端部において第２の中心部分「４」に各々結合する第４の枝路「６」が第２のパワー半導体ダイ１１６の第２の部分セット１２６上で第２の横方向に並列に延びている。
【0030】
接続フレームの第１の枝路「２」は、第１のパワー半導体ダイ１０８の第１の部分セット１２０内に含まれる各パワー半導体ダイ１０８のソース端子１３０に縦方向に接続されている。接続フレームの第２の枝路「３」は、第１のパワー半導体ダイ１０８の第２の部分セット１２２内に含まれる各パワー半導体ダイ１０８のソース端子１３０に縦方向に接続されている。接続フレームの第３の枝路「５」は、第２のパワー半導体ダイ１１６の第１の部分セット１２４内に含まれる各パワー半導体ダイ１１６のソース端子１３４に縦方向に接続されている。接続フレームの第４の枝路「６」は、第２のパワー半導体ダイ１１６の第２の部分セット１２６内に含まれる各パワー半導体ダイ１１６のソース端子１３４に縦方向に接続されている。
【0031】
接続フレームの第１の構造化金属フレーム１４８は、第１の枝路「２」の遠位端部において第１の枝路「２」を接続する第１のさらなる「７」枝路、及び第２の枝路「３」の遠位端部において第２の枝路「３」を接続する第２のさらなる枝路「８」を含み得る。接続フレームの第２の構造化金属フレーム１５０は、第３の枝路「５」の遠位端部において第３の枝路「５」を接続する第３のさらなる枝路「９」、及び第４の枝路「６」の遠位端部において第４の枝路「６」を接続する第４のさらなる枝路「１０」を含み得る。
【0032】
接続フレームの第１の構造化金属フレーム１４８は、第１の構造化金属フレーム１４８の第１の中心部分「１」内に形成された開口部１５６内に配設され、第１の中心部分「１」、第１の枝路「２」、及び第２の枝路「３」から電気絶縁された第１のゲート金属配線「１２」を含み得る。第１のゲート金属配線「１２」は、例えば、ボンドワイヤ１５８によって、各第１のパワー半導体ダイ１０８のゲート端子１２８に電気接続されている。接続フレームの第２の構造化金属フレーム１５０は、第２の構造化金属フレーム１５０の第２の中心部分「４」内に形成された開口部１６０内に配設され、第２の中心部分「４」、第３の枝路「５」、及び第４の枝路「６」から電気絶縁された第２のゲート金属配線「１４」を含み得る。第２のゲート金属配線「１４」は、例えば、ボンドワイヤ１６２によって、各第２のパワー半導体ダイ１１８のゲート端子１３２に電気接続されている。
【0033】
第１及び第２のゲート金属配線「１２」、「１４」は、上述されたように、リードフレームの部分であってもよい。その代わりに、第１及び第２のゲート金属配線「１２」、「１４」は、接続フレームの第１の中心部分「１」及び第２の中心部分「４」内に形成された対応する開口部１５６、１６０内に配設されたそれぞれの第１及び第２のＰＣＢの部分であってもよい。さらに別の例では、第１及び第２のゲート金属配線「１２」、「１４」は、接続フレームの第１の中心部分「１」及び第２の中心部分「４」内に形成された対応する開口部１５６、１６０内に配設されたそれぞれの第１及び第２の追加のパワーエレクトロニクスキャリアの部分であってもよい。
【0034】
第１のプレスフィットピン１６４が第１のゲート金属配線「１２」に取り付けられ、モールドコンパウンド１１８の前（上）面を貫いて突出し得る。第２のプレスフィットピン１６８が第２のゲート金属配線「１４」に取り付けられ、モールドコンパウンド１１８の前面を貫いて突出し得る。モールド型パワー半導体パッケージ１００は、例えば、外部電流感知、温度感知等のための、１つ以上が第１の構造化金属フレーム１４８及び／又は第２の構造化金属フレーム１５０に取り付けられ、モールドコンパウンド１１８の前（上）面を貫いて突出していてもよい、追加のプレスフィットピン１７０を含み得る。
【0035】
接続フレームの第２の構造化金属フレーム１５０は、第２の構造化金属フレーム１５０の第２の中心部分「４」の端部にあり、第１の構造化金属フレーム１４８に面したさらなる枝路「１６」を含み得る。さらなる枝路「１６」は、第２の構造化金属フレーム１５０の第３の枝路「５」及び第４の枝路「６」の双方と平行に延びている。さらなる枝路「１６」は、例えば、さらなる枝路「１６」の後側におけるバンプ又は打ち抜き特徴１７２によって、或いは、はんだ、導電性接着剤等によって、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２の金属配線層１０４に縦方向に接続されている。
【0036】
図１では、最少の１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２の金属配線層１０４は各第１のパワー半導体ダイ１０８のドレイン端子（隠れて見えない）に電気接続されている。最少の１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０の金属配線層１１２は各第２のパワー半導体ダイ１１６のドレイン端子（隠れて見えない）に電気接続されている。第１の構造化金属フレーム１４８は各第１のパワー半導体ダイ１０８のソース端子１３０に電気接続されている。第２の構造化金属フレーム１５０は各第２のパワー半導体ダイ１１６のソース端子１３４に電気接続されている。第２の構造化金属フレーム１５０のさらなる枝路「１６」は、各第１のパワー半導体ダイ１０８のドレイン端子と各第２のパワー半導体ダイ１１６のソース端子１３４との間のスイッチノード接続「ＳＷ」を形成する。
【0037】
図１では、第１のハイサイド位相／パワーリード１３６及び第２のハイサイド位相／パワーリード１３８はどちらも、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリア１１０の金属配線層１１２に電気接続されている。第１のハイサイド位相／パワーリード１３６は第１の構造化金属フレーム１４８の一方の側の側面に並んでおり、第２のハイサイド位相／パワーリード１３８は第１のハイサイド位相／パワーリード１３６のように第１の構造化金属フレーム１４８の反対側の側面に並んでいる。
【0038】
第１の構造化金属フレーム１４８の端部はモールドコンパウンド１１８の第１の側面１４２から突出しており、モールド型パワー半導体パッケージ１００のローハイサイド位相／接地リード１４０を形成し得る。第２の構造化金属フレーム１５０の端部はモールドコンパウンド１１８の第２の側面１４６から突出しており、モールド型パワー半導体パッケージ１００のスイッチノードリード１４４を形成し得る。
【0039】
図２はモールド型パワー半導体パッケージ１００の別の実施形態の上面斜視図を示す。図２における実施形態によれば、第１のパワー半導体ダイ１０８へのソース接続は、第１の構造化金属フレーム１４８の第１の中心部分「１」を各第１のパワー半導体ダイ１０８のソース端子１３０に接続する第１のボンドワイヤ２００によって形成される。第２のパワー半導体ダイ１１６へのソース接続は、同様に、第２の構造化金属フレーム１５０の第２の中心部分「４」を各第２のパワー半導体ダイ１１６のソース端子１３４に接続する第２のボンドワイヤ２０２によって形成される。したがって、第１の構造化金属フレーム１４８の枝路「２」、「３」、「７」、及び「８」、並びに第２の構造化金属フレーム１５０の枝路「５」、「６」、「９」、及び「１０」は、接続フレームから省かれ、図２におけるボンドワイヤ２００、２０２によって置換されている。第２の構造化金属フレーム１５０のさらなる枝路「１６」は、スイッチノード接続「ＳＷ」を完成するために図２における第３のボンドワイヤ２０４によって少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２の金属配線層１０４に電気接続されている。
【0040】
図２では、パワー半導体ダイ１０８、１１６へのゲート接続は、第１の構造化金属フレーム１４８の第１の中心部分「１」内に形成された開口部１５６内、及び第２の構造化金属フレーム１５０の第２の中心部分「４」内に形成された開口部１６０内に配設された少なくとも１つのＰＣＢ２０６によって提供される。少なくとも１つのＰＣＢ２０６は、各第１のパワー半導体ダイ１０８のゲート端子１２８に電気接続された１つ以上の第１の金属トレース２０８、及び各第２のパワー半導体ダイ１１６のゲート端子１３２に電気接続された１つ以上の第２の金属トレース２１０を有する。外部ゲート接続はそれぞれのプレスフィットコネクタ２１２、２１４によって提供され得る。その代わりに、少なくとも１つのＰＣＢ２０６は、ＤＣＢ基板、ＡＭＢ基板、ＩＭＳ等などの少なくとも１つの追加のパワーエレクトロニクスキャリアによって提供されてもよい。
【0041】
図２では、第１の構造化金属フレーム１４８は各第１のパワー半導体ダイ１０８のソース端子１３０にワイヤボンディングされており、第２の構造化金属フレーム１５０は各第２のパワー半導体ダイ１１６のソース端子１３４にワイヤボンディングされている。第２の構造化金属フレーム１５０のさらなる枝路「１６」は、パワー半導体ダイ１０８、１１６へのゲート接続を提供する少なくとも１つのＰＣＢ／パワーエレクトロニクスキャリア２０６を収容するための２つのセグメント「１６ａ」、「１６ｂ」に分割され得る。第２の構造化金属フレーム１５０のさらなる枝路「１６」の各セグメント「１６ａ」、「１６ｂ」は、各第１のパワー半導体ダイ１０８のドレイン端子（隠れて見えない）と各第２のパワー半導体ダイ１１６のソース端子１３４との間のスイッチノード接続「ＳＷ」を形成するために、第１のパワーエレクトロニクスキャリア１０２の金属配線層１０４にワイヤボンディングされている。
【0042】
図３はモールド型パワー半導体パッケージ１００の別の実施形態の平面図を示す。モールドコンパウンド１１８は、モールドコンパウンド１１８によって内包される要素の遮るもののない図を提供するために、パッケージ１００の縁部の周りにのみ示されている。
【0043】
図３では、２つのハイサイド位相又はパワーリード１３６、１３８は各々、第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０の双方よりも厚い。ハイサイド位相又はパワーリード１３６、１３８の間に横方向に挟まれた、半ブリッジのためのローハイサイド位相／接地リード１４０は、第１の構造化金属フレーム１４８に縦方向に接続されており、第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０の双方よりも厚い。半ブリッジのためのスイッチノードリード１４４は第２の構造化金属フレーム１５０に縦方向に接続されており、第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０の双方よりも厚い。第１及び第２の構造化金属フレーム１４８、１５０は、漂遊インダクタンスを低減するために、図２におけるパッケージリード１３６、１３８、１４０、１４４よりも薄くされている。
【0044】
【0045】
図４Ａは第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０を示す。第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０は第１のリードフレーム３００の部分であってもよく、構造化金属フレーム１４８、１５０の特徴は、スタンピング、パンチング、エッチング等によって形成される。
【0046】
図４Ｂは、第１のリードフレーム３００の上に横たわり、それに取り付けられた第２のリードフレーム３０２を示す。第１及び第２のリードフレーム３００、３０２は互いにはんだ付け又は溶接され、例えば、単一のリードフレームとしてさらに加工され得る多層リードフレーム３０４を形成し得る。第２のリードフレーム３０２は、パッケージリード１３６、１３８、１４０、１４４、及び例えば、図３に示されるように、一部がＮＴＣ（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ（負温度係数））温度センサなどのセンサ３０６に電気接続され得る追加の金属構造を含む。第２のリードフレーム３０２の金属構造は、スタンピング、パンチング、エッチング等によって形成され得る。第２のリードフレーム３０２は第１のリードフレーム３００よりも厚く、これはさらなる配線を可能にし、モールド体１１８の外部のリード１３６、１３８、１４０、１４４を提供する。
【0047】
例えば、第１及び第２の構造化金属フレーム１４８、１５０を含む、第１のリードフレーム３００は、０．５ｍｍよりも小さい、例えば、約０．２５ｍｍの厚さを有し得る。パッケージリード１３６、１３８、１４０、１４４を含む、第２のリードフレーム３０２は、０．５ｍｍよりも大きく、１ｍｍよりも小さい、例えば、約０．８ｍｍの厚さを有し得る。第２のリードフレーム３０２が第１のリードフレーム３００よりも厚い、他のリードフレーム厚さの組み合わせが用いられてもよい。多層リードフレーム３０４は、次に、本明細書において以前に説明されたように、及び図３に示されるように、パワーエレクトロニクスキャリア１０２、１１０及びパワー半導体ダイ１０８、１１６に取り付けられる。
【0048】
【0049】
図５Ａは第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０を示す。第１の構造化金属フレーム１４８及び第２の構造化金属フレーム１５０は第１のリードフレーム３００の部分であってもよく、構造化金属フレーム１４８、１５０の特徴は、スタンピング、パンチング、エッチング等によって形成される。
【0050】
図５Ｂは、本明細書において図１に関して以前に説明されたようにパワー半導体ダイ１０８、１１６のソース端子１２８、１３２に取り付けられた第１のリードフレーム３００を示す。図４Ａ及び図４Ｂに示される実施形態とは異なり、第１のリードフレーム３００は、第２のリードフレーム３０２を第１のリードフレーム３００に取り付ける前に、図５Ａにおいてパワー半導体ダイ１０８、１１６のソース端子１２８、１３２に取り付けられる。第１のリードフレーム３００がパワー半導体ダイ１０８のソース端子１２８、１３２に取り付けられた後に、第２のリードフレーム３０２は、例えば、はんだ付け、溶接等によって、第１のリードフレーム３００に取り付けられ、図３に示される構造をもたらす。
【0051】
図６Ａ及び図６Ｂはモールド型パワー半導体パッケージ１００の別の実施形態を示す。図６Ａはモールド型パワー半導体パッケージ１００の上面斜視図である。図６Ｂは、図６ＡにおいてＢ－Ｂ’とラベル付けされた線に沿ったモールド型パワー半導体パッケージ１００の断面図である。モールドコンパウンド１１８は、モールドコンパウンド１１８によって内包される要素の遮るもののない図を提供するために、図６Ａ及び図６Ｂに示されていない。
【0052】
図６Ａは、図１と同じキャリア、ダイ、及び接続フレームレイアウトを示す。したがって、参照符号の大部分は、図６Ａに最初に示された追加の特徴をより明瞭に観察できるようにするために、図６Ａから省略されている。
【0053】
図６Ａでは、金属ストリップ又は単一の金属シート４００が、第１の端部４０２において第１のハイサイド位相／パワーリード１３６に、及び第２の端部４０４において第２のハイサイド位相／パワーリード１３８に接続されている。金属ストリップ又は単一の金属シート４００は、図６Ｂに示されるように、第１の構造化金属フレーム１４８にまたがっている。金属ストリップの場合には、Ｃｕリボン又はＡｌリボンが超音波溶接又はレーザ支援超音波溶接などのリボン接合プロセスによってハイサイド位相／パワーリード１３６、１３８に接続され得る。単一の金属シートの場合には、Ｃｕ又はＡｌシートがハイサイド位相／パワーリード１３６、１３８にはんだ付けされ得る。
【0054】
金属ストリップ又は単一の金属シート４００をモールド型パワー半導体パッケージ１００の内部のパワーコンタクトの上に配置することは、冷却器の良い影響なしに計算したときに、漂遊インダクタンスを、例えば、図１における実施形態についての約９．１ｎＨから図６Ａ及び図６Ｂにおける実施形態についての約６．６ｎＨへ、約２８％低減する。漂遊インダクタンスの改善は、約１１ｎＨの漂遊インダクタンスを有する図２のワイヤボンドの実施形態と比べると、よりいっそう大きい。
【0055】
図６Ｂに示されるように、金属ストリップ又は単一の金属シート４００は第１のコンタクト金属層の上に規定の形状及び高さ「Ｈ」をもって配置され得る。高さ「Ｈ」は、絶縁特性を確実にするために５０～１０００μｍに及び得る。高さ「Ｈ」が小さいほど、低い漂遊インダクタンスが期待される。典型的には、３００～５００μｍの範囲内の隙間高さが標準的なモールディングコンパウンドのために必要とされる。
【0056】
図７はモールド型パワー半導体パッケージ１００の別の実施形態の上面斜視図を示す。モールドコンパウンド１１８は、モールドコンパウンド１１８によって内包される要素の遮るもののない図を提供するために、図７に示されていない。
【0057】
図７では、第１の金属ストリップ又はシート５００が、第１の端部５０２において第１のハイサイド位相／パワーリード１３６の第１の部分５０４に、及び第２の端部５０６において第１のハイサイド位相／パワーリード１３６の第２の端部５０８に接続されている。第１の金属ストリップ又はシート５００は第１のハイサイド位相／パワーリード１３６の第１の部分５０４と第２の部分５０８との間で第１の構造化金属フレーム１４８にまたがっている。本実施形態では、第１のハイサイド位相／パワーリード１３６はモールド型パッケージ本体の内部でＣ字形状を有し、第１の構造化金属フレーム１４８の部分１４８ａはＣ字形状の開放部分内に配設されている。第１の金属ストリップ又はシート５００はＣ字形状の両端部５０２、５０８に接続されており、Ｃ字形状の開放部分内に配設された第１の構造化金属フレーム１４８の部分１４８ａにまたがっている。
【0058】
図７では、第２の金属ストリップ又はシート５１０が、第１の端部５１２において第２のハイサイド位相／パワーリード１３８の第１の部分５１４に、及び第２の端部５１６において第２のハイサイド位相／パワーリード１３８の第２の端部５１８に接続されている。第２の金属ストリップ又はシート５００は第２のハイサイド位相／パワーリード１３８の第１の部分５１４と第２の部分５１８との間で第１の構造化金属フレーム１４８にまたがっている。本実施形態では、第２のハイサイド位相／パワーリード１３８はモールド型パッケージ本体の内部でＣ字形状を有し、第１の構造化金属フレーム１４８の部分１４８ｂはＣ字形状の開放部分内に配設されている。第２の金属ストリップ又はシート５１０はＣ字形状の両端部５１２、５１８に接続されており、Ｃ字形状の開放部分内に配設された第１の構造化金属フレーム１４８の部分１４８ｂにまたがっている。ハイサイド位相／パワーリード１３６、１３８の２つのＣ字形状の部分は、図７における長手方向中心線Ａ－Ａ’に関して対称的な構成で互いに向かい合っている。本明細書において以前に説明されたように、第１のパワー半導体ダイ１０８及び第２のパワー半導体ダイ１１６はどちらも長手方向中心線Ａ－Ａ’の両側で等しく分布し得る。
【0059】
本開示はかように限定されるわけではないが、以下の番号付けされた実施例は本開示の１つ以上の態様を示す。
【0060】
実施例１．モールド型パワー半導体パッケージであって、電気絶縁基板上に配設された金属配線層を含む少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアと、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第１のパワー半導体ダイと、電気絶縁基板上に配設された金属配線層を含む少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアと、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第２のパワー半導体ダイと、複数の第１のパワー半導体ダイ及び複数の第２のパワー半導体ダイを内包し、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア及び少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアを少なくとも部分的に内包するモールドコンパウンドと、を備え、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア及び少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアが同じ平面内にある、モールド型パワー半導体パッケージ。
【0061】
実施例２．複数の第１のパワー半導体ダイが単一の第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられており、複数の第１のパワー半導体ダイの第１の部分セット及び第２の部分セットがモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線に関して単一の第１のパワーエレクトロニクスキャリア上に対称的に配置されており、複数の第２のパワー半導体ダイが単一の第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられており、複数の第２のパワー半導体ダイの第１の部分セット及び第２の部分セットがモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線に関して単一の第２のパワーエレクトロニクスキャリア上に対称的に配置されている、実施例１に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0062】
実施例３．複数の第１のパワー半導体ダイの第１及び第２の部分セットが別個の第１のパワーエレクトロニクスキャリアに取り付けられており、別個の第１のパワーエレクトロニクスキャリアがモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線に関して互いに対称的に配置されており、複数の第２のパワー半導体ダイの第１及び第２の部分セットが別個の第２のパワーエレクトロニクスキャリアに取り付けられており、別個の第２のパワーエレクトロニクスキャリアがモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線に関して互いに対称的に配置されている、実施例１に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0063】
実施例４．複数の第１のパワー半導体ダイ及び複数の第２のパワー半導体ダイが半ブリッジとして電気結合されており、複数の第１のパワー半導体ダイが半ブリッジのローサイドスイッチデバイスを形成し、複数の第２のパワー半導体ダイが半ブリッジのハイサイドスイッチデバイスを形成する、実施例１～３のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0064】
実施例５．モールドコンパウンドの第１の側面から突出した少なくとも１つのリードと、第１の側面と反対のモールドコンパウンドの第２の側面から突出した少なくとも１つのリードと、をさらに備え、モールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線がモールドコンパウンドの第１の側面と第２の側面との間に延びている、実施例１～４のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0065】
実施例６．少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの上方に配設され、複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第１の構造化金属フレームと、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの上方に配設され、複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第２の構造化金属フレームと、をさらに備える、実施例１～５のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0066】
実施例７．複数の第１のパワー半導体ダイの第１の部分セット及び第２の部分セットがモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線の反対側に配置されており、複数の第２のパワー半導体ダイの第１の部分セット及び第２の部分セットが長手方向中心線の反対側に配置されており、第１の構造化金属フレームが、長手方向中心線に沿って延びる第１の中心部分、近位端部において第１の中心部分に各々結合し、複数の第１のパワー半導体ダイの第１の部分セット上において、長手方向中心線を横切る第１の横方向に並列に延びる第１の枝路、及び近位端部において第１の中心部分に各々結合し、複数の第１のパワー半導体ダイの第２の部分セット上において、第１の横方向と反対の第２の横方向に並列に延びる第２の枝路を含み、第２の構造化金属フレームが、長手方向中心線に沿って延びる第２の中心部分、近位端部において第２の中心部分に各々結合し、複数の第２のパワー半導体ダイの第１の部分セット上において第１の横方向に並列に延びる第３の枝路、及び近位端部において第２の中心部分に各々結合し、複数の第２のパワー半導体ダイの第２の部分セット上において第２の横方向に並列に延びる第４の枝路を含む、実施例６に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0067】
実施例８．第１の枝路が、複数の第１のパワー半導体ダイの第１の部分セット内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子に縦方向に接続されており、第２の枝路が、複数の第１のパワー半導体ダイの第２の部分セット内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子に縦方向に接続されており、第３の枝路が、複数の第２のパワー半導体ダイの第１の部分セット内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子に縦方向に接続されており、第４の枝路が、複数の第２のパワー半導体ダイの第２の部分セット内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子に縦方向に接続されている、実施例７に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0068】
実施例９．第１の構造化金属フレームが、第１の枝路の遠位端部において第１の枝路を接続する第１のさらなる枝路、及び第２の枝路の遠位端部において第２の枝路を接続する第２のさらなる枝路を含み、第２の構造化金属フレームが、第３の枝路の遠位端部において第３の枝路を接続する第３のさらなる枝路、及び第４の枝路の遠位端部において第４の枝路を接続する第４のさらなる枝路を含む、実施例７又は８に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0069】
実施例１０．第１の構造化金属フレームが、第１の中心部分内に形成された開口部内に配設され、第１の中心部分、第１の枝路、及び第２の枝路から電気絶縁された第１のゲート金属配線を含み、第１のゲート金属配線が、複数の第１のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続されており、第２の構造化金属フレームが、第２の中心部分内に形成された開口部内に配設され、第２の中心部分、第３の枝路、及び第４の枝路から電気絶縁された第２のゲート金属配線を含み、第２のゲート金属配線が、複数の第２のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続されている、実施例７～９のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0070】
実施例１１．第１のゲート金属配線に取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第１のプレスフィットピンであって、モールドコンパウンドがまた、前面と反対の後面、及び前面と後面との間に延びる側面を有する、第１のプレスフィットピンと、第２のゲート金属配線に取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第２のプレスフィットピンと、をさらに備える、実施例１０に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0071】
実施例１２．第１の中心部分内に形成された開口部内、及び第２の中心部分内に形成された開口部内に配設された少なくとも１つのプリント回路板（ＰＣＢ）をさらに備え、少なくとも１つのＰＣＢが、複数の第１のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された１つ以上の第１の金属トレース、及び複数の第２のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された１つ以上の第２の金属トレースを有する、実施例７～１１のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0072】
実施例１３．第１の中心部分内に形成された開口部内に配設され、複数の第１のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続されたゲート金属配線を有する第１の追加のパワーエレクトロニクスキャリアと、第２の中心部分内に形成された開口部内に配設され、複数の第２のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続されたゲート金属配線を有する第２の追加のパワーエレクトロニクスキャリアと、をさらに備える、実施例７～１２のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0073】
実施例１４．第２の構造化金属フレームが、第１の構造化金属フレームに面した第２の中心部分の端部におけるさらなる枝路を含み、さらなる枝路が第３の枝路及び第４の枝路と平行に延びており、さらなる枝路が少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に縦方向に接続されている、実施例７に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0074】
実施例１５．最少の１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層が複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのドレイン端子に電気接続されており、最少の１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層が複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのドレイン端子に電気接続されており、第１の構造化金属フレームが複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのソース端子に電気接続されており、第２の構造化金属フレームが複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのソース端子に電気接続されており、第２の構造化金属フレームのさらなる枝路が複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのドレイン端子と複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのソース端子との間のスイッチノード接続を形成する、実施例１４に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0075】
実施例１６．複数の第１のパワー半導体ダイの第１の部分セット及び第２の部分セットがモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線の反対側に配置されており、複数の第２のパワー半導体ダイの第１の部分セット及び第２の部分セットがモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線の反対側に配置されており、第１の構造化金属フレームが、第１のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子にワイヤボンディングされた第１の中心部分を含み、第２の構造化金属フレームが、第２のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイの負荷端子にワイヤボンディングされた第２の中心部分を含む、実施例６～１５のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0076】
実施例１７．第１の中心部分内及び第２の中心部分内に形成された開口部内に配設されたプリント回路板（ＰＣＢ）をさらに備え、ＰＣＢが、複数の第１のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された１つ以上の第１の金属トレースを有し、ＰＣＢが、複数の第２のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された１つ以上の第２の金属トレースを有する、実施例１６に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0077】
実施例１８．第１の中心部分内及び第２の中心部分内に形成された開口部内に配設された追加のパワーエレクトロニクスキャリアをさらに備え、追加のパワーエレクトロニクスキャリアが、複数の第１のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された第１のゲート金属配線を有し、追加のパワーエレクトロニクスキャリアが、複数の第２のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された第２のゲート金属配線を有する、実施例１６又は１７に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0078】
実施例１９．第２の構造化金属フレームが、第１の構造化金属フレームに面した第２の中心部分の端部における少なくとも１つの枝路を含み、少なくとも１つの枝路が少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層にワイヤボンディングされている、実施例１６～１８のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0079】
実施例２０．最少の１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層が複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのドレイン端子に電気接続されており、最少の１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層が複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのドレイン端子に電気接続されており、第１の構造化金属フレームが複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのソース端子にワイヤボンディングされており、第２の構造化金属フレームが複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのソース端子にワイヤボンディングされており、第２の構造化金属フレームの少なくとも１つの枝路が複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのドレイン端子と複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイのソース端子との間のスイッチノード接続を形成する、実施例１９に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0080】
実施例２１．少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に電気接続され、モールドコンパウンドの第１の側面から突出した第１のパワーリードと、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に電気接続され、モールドコンパウンドの第１の側面から突出した第２のパワーリードと、をさらに備え、第１のパワーリードが第１の構造化金属フレームの第１の側の側面に並んでおり、第２のパワーリードが、第１の側と反対の第１の構造化金属フレームの第２の側の側面に並んでいる、実施例６～２０のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0081】
実施例２２．第１の構造化金属フレームの端部がモールドコンパウンドの第１の側面から突出し、接地リードを形成する、実施例２１に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0082】
実施例２３．第２の構造化金属フレームの端部が第１の側面と反対のモールドコンパウンドの第２の側面から突出し、スイッチノードリードを形成する、実施例２１又は２２に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0083】
実施例２４．第１の構造化金属フレームに取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第１のプレスフィットピンであって、モールドコンパウンドがまた、前面と反対の後面を有し、モールドコンパウンドの第１及び第２の側面が前面と後面との間に延びている、第１のプレスフィットピンと、第２の構造化金属フレームに取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第２のプレスフィットピンと、をさらに備える、実施例２１～２３のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0084】
実施例２５．少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの上方でモールドコンパウンド内に埋め込まれ、複数の第１のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された第１のゲート金属配線と、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの上方でモールドコンパウンド内に埋め込まれ、複数の第２のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された第２のゲート金属配線と、第１のゲート金属配線に取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第１のプレスフィットピンであって、モールドコンパウンドがまた、前面と反対の後面を有し、モールドコンパウンドの第１及び第２の側面が前面と後面との間に延びている、第１のプレスフィットピンと、第２のゲート金属配線に取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第２のプレスフィットピンと、をさらに備える、実施例２１～２４のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0085】
実施例２６．それぞれの金属配線層と反対の第１及び第２のキャリアの表面がモールドコンパウンドから露出している、実施例１～２５のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0086】
実施例２７．モールド型パワー半導体パッケージであって、モールドコンパウンドと、モールドコンパウンド内に埋め込まれた複数の第１のパワー半導体ダイと、モールドコンパウンド内に埋め込まれ、複数の第１のパワー半導体ダイに電気接続され、半ブリッジを形成する複数の第２のパワー半導体ダイと、複数の第１のパワー半導体ダイの上方に配設され、複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第１の構造化金属フレームと、複数の第１のパワー半導体ダイの上方に配設され、複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第２の構造化金属フレームと、を備え、第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームがどちらもモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線に関して対称である、モールド型パワー半導体パッケージ。
【0087】
実施例２８．モールドコンパウンドの第１の側面から突出した半ブリッジのための第１のパワーリードと、モールドコンパウンドの第１の側面から突出した半ブリッジのための第２のパワーリードと、をさらに備え、第１のパワーリードが第１の構造化金属フレームの第１の側の側面に並んでおり、第２のパワーリードが、第１の側と反対の第１の構造化金属フレームの第２の側の側面に並んでいる、実施例２７に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0088】
実施例２９．第１の構造化金属フレームの端部がモールドコンパウンドの第１の側面から突出し、半ブリッジのための接地リードを形成する、実施例２８に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0089】
実施例３０．第２の構造化金属フレームの端部が第１の側面と反対のモールドコンパウンドの第２の側面から突出し、半ブリッジのためのスイッチノードリードを形成する、実施例２８又は２９に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0090】
実施例３１．第１の構造化金属フレームに取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第１のプレスフィットピンであって、モールドコンパウンドがまた、前面と反対の後面を有し、モールドコンパウンドの第１及び第２の側面が前面と後面との間に延びている、第１のプレスフィットピンと、第２の構造化金属フレームに取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第２のプレスフィットピンと、をさらに備える、実施例２８～３０のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0091】
実施例３２．複数の第１のパワー半導体ダイの上方でモールドコンパウンド内に埋め込まれ、複数の第１のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された第１のゲート金属配線と、複数の第２のパワー半導体ダイの上方でモールドコンパウンド内に埋め込まれ、複数の第２のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された第２のゲート金属配線と、第１のゲート金属配線に取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第１のプレスフィットピンであって、モールドコンパウンドがまた、前面と反対の後面を有し、モールドコンパウンドの第１及び第２の側面が前面と後面との間に延びている、第１のプレスフィットピンと、第２のゲート金属配線に取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第２のプレスフィットピンと、をさらに備える、実施例２８～３１のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0092】
実施例３３．第１のパワーリード及び第２のパワーリードが各々、第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームの双方よりも厚い、実施例２８～３２のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0093】
実施例３４．第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームが第１のリードフレームの部分であり、第１のパワーリード及び第２のパワーリードが第２のリードフレームの部分であり、第２のリードフレームが第１のリードフレームの上に横たわり、それに取り付けられており、第２のリードフレームが第１のリードフレームよりも厚い、実施例３３に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0094】
実施例３５．モールドコンパウンドの第１の側面から突出し、第１のパワーリードと第２のパワーリードとの間に横方向に挟まれた半ブリッジのための接地リードをさらに備え、接地リードが第１の構造化金属フレームに縦方向に接続されており、第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームの双方よりも厚い、実施例２８～３４のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0095】
実施例３６．第１の側面と反対のモールドコンパウンドの第１の側面から突出した半ブリッジのためのスイッチノードリードをさらに備え、スイッチノードリードが第２の構造化金属フレームに縦方向に接続されており、第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームの双方よりも厚い、実施例２８～３５のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0096】
実施例３７．第１の端部において第１のパワーリードに、及び第２の端部において第２のパワーリードに接続された複数の金属ストリップ又は単一の金属シートをさらに備え、複数の金属ストリップ又は単一の金属シートが第１の構造化金属フレームにまたがっている、実施例２８～３６のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0097】
実施例３８．第１の端部において第１のパワーリードの第１の部分に、及び第２の端部において第１のパワーリードの第２の端部に接続された第１の金属ストリップ又はシートと、第１の端部において第２のパワーリードの第１の部分に、及び第２の端部において第２のパワーリードの第２の端部に接続された第２の金属ストリップ又はシートと、をさらに備え、第１の金属ストリップ又はシートが第１のパワーリードの第１の部分と第２の部分との間で第１の構造化金属フレームにまたがっており、第２の金属ストリップ又はシートが第２のパワーリードの第１の部分と第２の部分との間で第１の構造化金属フレームにまたがっている、実施例２８～３６のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0098】
実施例３９．複数の第１のパワー半導体ダイが長手方向中心線の両側で等しく分布しており、複数の第２のパワー半導体ダイが長手方向中心線の両側で等しく分布している、実施例２７～３８のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0099】
実施例４０．モールド型パワー半導体パッケージであって、モールドコンパウンドと、モールドコンパウンド内に埋め込まれた複数の第１のパワー半導体ダイと、モールドコンパウンド内に埋め込まれ、複数の第１のパワー半導体ダイに電気接続され、半ブリッジを形成する複数の第２のパワー半導体ダイと、複数の第１のパワー半導体ダイの上方に配設され、複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第１の構造化金属フレームと、複数の第２のパワー半導体ダイの上方に配設され、複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第２の構造化金属フレームと、を備え、第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームがどちらもモールド型パワー半導体パッケージの長手方向中心線に関して対称である、モールド型パワー半導体パッケージ。
【0100】
実施例４１．パワー半導体パッケージであって、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアと、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第１のパワー半導体ダイと、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアと、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に取り付けられた複数の第２のパワー半導体ダイと、第１のリードフレームであって、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの上方に配設され、複数の第１のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に電気接続された第１の構造化金属フレーム、並びに少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの上方に配設され、複数の第２のパワー半導体ダイの各パワー半導体ダイの負荷端子に、及び少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に電気接続された第２の構造化金属フレームを含む、第１のリードフレームと、第１のリードフレームの上方に配設された第２のリードフレームであって、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に電気接続された第１のリード、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの金属配線層に電気接続された第２のリード、第１及び第２のリードの間に挟まれ、第１のリードフレームの第１の構造化金属フレームに電気接続された第３のリード、並びに第１のリードフレームの第２の構造化金属フレームに電気接続された第４のリードを含む、第２のリードフレームと、を備える、パワー半導体パッケージ。
【0101】
実施例４２．複数の第１のパワー半導体ダイ及び複数の第２のパワー半導体ダイを内包し、少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリア及び少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアを少なくとも部分的に内包するモールドコンパウンドをさらに備える、実施例４１に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0102】
実施例４３．第１のリードがモールドコンパウンドの第１の側面から突出しており、第２のリードがモールドコンパウンドの第１の側面から突出している、実施例４２に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0103】
実施例４４ 第３のリードが第１のリードと第２のリードとの間でモールドコンパウンドの第１の側面から突出している、実施例４３に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0104】
実施例４５．第４のリードが第１の側面と反対のモールドコンパウンドの第２の側面から突出している、実施例４３又は４４に記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0105】
実施例４６．第１の構造化金属フレームに取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第１のプレスフィットピンであって、モールドコンパウンドがまた、前面と反対の後面を有し、モールドコンパウンドの第１及び第２の側面が前面と後面との間に延びている、第１のプレスフィットピンと、第２の構造化金属フレームに取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第２のプレスフィットピンと、をさらに備える、実施例４３～４５のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0106】
実施例４７．少なくとも１つの第１のパワーエレクトロニクスキャリアの上方でモールドコンパウンド内に埋め込まれ、複数の第１のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された第１のゲート金属配線と、少なくとも１つの第２のパワーエレクトロニクスキャリアの上方でモールドコンパウンド内に埋め込まれ、複数の第２のパワー半導体ダイ内に含まれる各パワー半導体ダイのゲート端子に電気接続された第２のゲート金属配線と、第１のゲート金属配線に取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第１のプレスフィットピンであって、モールドコンパウンドがまた、前面と反対の後面を有し、モールドコンパウンドの第１及び第２の側面が前面と後面との間に延びている、第１のプレスフィットピンと、第２のゲート金属配線に取り付けられ、モールドコンパウンドの前面を貫いて突出した第２のプレスフィットピンと、をさらに備える、実施例４３～４５のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0107】
実施例４８．複数の第２のパワー半導体ダイ及び複数の第１のパワー半導体ダイが電気接続され、半ブリッジを形成する、実施例４１～４７のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0108】
実施例４９．第１のリードが半ブリッジのための第１のＤＣ＋リードを形成し、第２のリードが半ブリッジのための第２のＤＣ＋リードを形成し、第３のリードが半ブリッジのためのＤＣ－リードを形成し、第４のリードが半ブリッジのためのスイッチノードリードを形成する、実施例４１～４８のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0109】
実施例５０．第２のリードフレームが第１のリードフレームよりも厚い、実施例４１～４９のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0110】
実施例５１．第１のリードフレームが、０．５ｍｍよりも小さい厚さを有し、第２のリードフレームが、０．５ｍｍよりも大きく、１ｍｍよりも小さい厚さを有する、実施例４１～５０のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0111】
実施例５２．第１のリード及び第２のリードが各々、第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームの双方よりも厚い、実施例４１～５１のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0112】
実施例５３．第３のリードが第１のリードと第２のリードとの間に横方向に挟まれており、第３のリードが第１の構造化金属フレームに縦方向に接続されており、第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームの双方よりも厚い、実施例４１～５２のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0113】
実施例５４．第４のリードが第２の構造化金属フレームに縦方向に接続されており、第１の構造化金属フレーム及び第２の構造化金属フレームの双方よりも厚い、実施例４１～５４のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0114】
実施例５５．センサをさらに備え、第２のリードフレームが、センサに電気接続された金属構造を含む、実施例４１～５４のいずれか１つに記載のモールド型パワー半導体パッケージ。
【0115】
「第１（ｆｉｒｓｔ）」、「第２（ｓｅｃｏｎｄ）」、及び同様のものなどの用語は、様々な要素、領域、区域などを記述するために使用され、同じく、限定を意図されてはいない。本記載全体を通じて同様の用語は同様の要素を指す。
【0116】
本明細書で使用するとき、用語「～を有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「～を包含する（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「～を含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「～を備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」及び同様のものは、述べられている要素又は特徴の存在を指示するが、追加の要素又は特徴を除外しないオープンエンドな用語である。冠詞「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」は、文脈が別途明確に指示しない限り、複数形も単数形も含むことが意図される。
【0117】
本明細書において説明されている様々な実施形態の特徴は、別途特に断りのない限り、互いに組み合わせられてもよいことを理解されたい。
【0118】
本明細書においては、特定の実施形態が例示され、説明されているが、種々の代替及び／又は同等の実装形態が、本発明の範囲から逸脱することなく、図示され、説明されている特定の実施形態と置き換えられ得ることが当業者によって理解されるであろう。本出願は、本明細書において説明されている特定の実施形態の任意の適応例又は変形例を包括することを意図されている。したがって、本発明は請求項及びそれらの均等物によってのみ限定されることが意図されている。
【符号の説明】
【0119】
１ 第１の中心部分
２ 第１の枝路
３ 第２の枝路
４ 第２の中心部分
５ 第３の枝路
６ 第４の枝路
７ 第１のさらなる枝路
８ 第２のさらなる枝路
９ 第３のさらなる枝路
１０ 第４のさらなる枝路
１２ 第１のゲート金属配線
１４ 第２のゲート金属配線
１６ さらなる枝路
１００ モールド型パワー半導体パッケージ
１０２ 第１のパワーエレクトロニクスキャリア
１０４、１１２ 金属配線層
１０６、１１４ 電気絶縁基板
１０８ 第１のパワー半導体ダイ
１１０ 第２のパワーエレクトロニクスキャリア
１１６ 第２のパワー半導体ダイ
１１８ モールドコンパウンド
１２０、１２４ 第１の部分セット
１２２、１２６ 第２の部分セット
１２８、１３２ ゲート端子
１３０、１３４ ソース端子
１３６ 第１のハイサイド位相／パワーリード
１３８ 第２のハイサイド位相／パワーリード
１４０ ローサイド位相／接地リード
１４２ 第１の側面
１４４ スイッチノードリード
１４６ 第２の側面
１４８ 第１の構造化金属フレーム
１５０ 第２の構造化金属フレーム
１５２、１５４、１７２ バンプ
１５６、１６０ 開口部
１５８、１６２ ボンドワイヤ
１６４ 第１のプレスフィットピン
１６８ 第２のプレスフィットピン
１７０ 追加のプレスフィットピン
２００ 第１のボンドワイヤ
２０２ 第２のボンドワイヤ
２０４ 第３のボンドワイヤ
２０６ プリント回路板
２０８ 第１の金属トレース
２１０ 第２の金属トレース
２１２、２１４ プレスフィットコネクタ
３００ 第１のリードフレーム
３０２ 第２のリードフレーム
３０４ 多層リードフレーム
３０６ センサ
４００ 金属ストリップ
４０２、５０２、５１２ 第１の端部
４０４、５０６、５１６ 第２の端部
５００ 第１の金属ストリップ
５０４、５１４ 第１の部分
５０８、５１８ 第２の部分
５１０ 第２の金属ストリップ
２ 第１の枝路
３ 第２の枝路
４ 第２の中心部分
５ 第３の枝路
６ 第４の枝路
７ 第１のさらなる枝路
８ 第２のさらなる枝路
９ 第３のさらなる枝路
１０ 第４のさらなる枝路
１２ 第１のゲート金属配線
１４ 第２のゲート金属配線
１６ さらなる枝路
１００ モールド型パワー半導体パッケージ
１０２ 第１のパワーエレクトロニクスキャリア
１０４、１１２ 金属配線層
１０６、１１４ 電気絶縁基板
１０８ 第１のパワー半導体ダイ
１１０ 第２のパワーエレクトロニクスキャリア
１１６ 第２のパワー半導体ダイ
１１８ モールドコンパウンド
１２０、１２４ 第１の部分セット
１２２、１２６ 第２の部分セット
１２８、１３２ ゲート端子
１３０、１３４ ソース端子
１３６ 第１のハイサイド位相／パワーリード
１３８ 第２のハイサイド位相／パワーリード
１４０ ローサイド位相／接地リード
１４２ 第１の側面
１４４ スイッチノードリード
１４６ 第２の側面
１４８ 第１の構造化金属フレーム
１５０ 第２の構造化金属フレーム
１５２、１５４、１７２ バンプ
１５６、１６０ 開口部
１５８、１６２ ボンドワイヤ
１６４ 第１のプレスフィットピン
１６８ 第２のプレスフィットピン
１７０ 追加のプレスフィットピン
２００ 第１のボンドワイヤ
２０２ 第２のボンドワイヤ
２０４ 第３のボンドワイヤ
２０６ プリント回路板
２０８ 第１の金属トレース
２１０ 第２の金属トレース
２１２、２１４ プレスフィットコネクタ
３００ 第１のリードフレーム
３０２ 第２のリードフレーム
３０４ 多層リードフレーム
３０６ センサ
４００ 金属ストリップ
４０２、５０２、５１２ 第１の端部
４０４、５０６、５１６ 第２の端部
５００ 第１の金属ストリップ
５０４、５１４ 第１の部分
５０８、５１８ 第２の部分
５１０ 第２の金属ストリップ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【外国語明細書】