特開 2023-166015 基板処理システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023166015

(43)【公開日】2023-11-17

(54)【発明の名称】基板処理システム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20231110BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 Z

【審査請求】有

【請求項の数】31

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023171344

(22)【出願日】2023-10-02

(62)【分割の表示】P 2019151748の分割

【原出願日】2019-08-22

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】茂木 卓

(72)【発明者】

【氏名】熊谷 隆

(72)【発明者】

【氏名】小田島 章

(72)【発明者】

【氏名】吉村 啓佑

(57)【要約】

【課題】設置面積を抑制すること。
【解決手段】真空搬送モジュールは水平な一方向に伸長する。複数の第１プロセスモジュールは、真空搬送モジュールの第１側面に沿って真空搬送モジュールに結合され、複数の第２プロセスモジュールは真空搬送モジュールの第２側面に沿って真空搬送モジュールに結合される。複数の第１電装ユニットはそれぞれ第１プロセスモジュールに配置され、複数の第２電装ユニットはそれぞれ第２プロセスモジュールに配置される。下部空間は、真空搬送モジュールの下に一方向に沿って真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、複数の第１プロセスモジュールと複数の第２プロセスモジュールとの間に画定される。上部空間は、真空搬送モジュールの上に一方向に沿って真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、複数の第１電装ユニットと複数の第２電装ユニットとの間に画定される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理システムであって、
前記基板処理システムの水平な一方向に沿って伸長する真空搬送モジュールと、
複数の第１プロセスモジュールおよび複数の第２プロセスモジュールを含む複数のプロセスモジュールであって、前記複数の第１プロセスモジュールは、前記真空搬送モジュールの第１側面に沿って前記真空搬送モジュールに結合され、前記複数の第２プロセスモジュールは、前記真空搬送モジュールの第２側面に沿って前記真空搬送モジュールに結合されている、複数のプロセスモジュールと、
複数の第１電装ユニットおよび複数の第２電装ユニットを含む複数の電装ユニットであって、前記複数の第１電装ユニットはそれぞれ、前記複数の第１プロセスモジュールに対応し、該対応する第１プロセスモジュールに配置され、前記複数の第２電装ユニットはそれぞれ、前記複数の第２プロセスモジュールに対応し、該対応する第２プロセスモジュールに配置される、複数の電装ユニットと、
前記真空搬送モジュールの下に画定される下部空間であって、前記基板処理システムの前記一方向に沿って前記真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、前記複数の第１プロセスモジュールと前記複数の第２プロセスモジュールとの間に画定される、下部空間と、
前記真空搬送モジュールの上に画定される上部空間であって、前記基板処理システムの前記一方向に沿って前記真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、前記複数の第１電装ユニットと前記複数の第２電装ユニットとの間に画定される、上部空間と、
を備える基板処理システム。

【請求項2】

前記真空搬送モジュールは、長尺で平板な矩形状に形成される、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項3】

複数の第１ガスボックスおよび複数の第２ガスボックスを含む複数のガスボックスであって、
前記複数の第１ガスボックスはそれぞれ、前記複数の第１プロセスモジュールに対応し、該対応する第１プロセスモジュールに配置された前記第１電装ユニットに隣接して配置され、
前記複数の第２ガスボックスはそれぞれ、前記複数の第２プロセスモジュールに対応し、該対応する第２プロセスモジュールに配置された前記第２電装ユニットに隣接して配置される、
複数のガスボックスをさらに備える請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項4】

前記ガスボックスは、前記対応するプロセスモジュールにガスを供給する、請求項３に記載の基板処理システム。

【請求項5】

前記複数の第１ガスボックスは、前記複数の第２ガスボックスに対向し、前記上部空間は、前記複数の第１ガスボックスと前記複数の第２ガスボックスとの間に画定される、
請求項３に記載の基板処理システム。

【請求項6】

前記真空搬送モジュールの上面は、前記プロセスモジュールの上面よりも低い、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項7】

前記下部空間の垂直方向の長さは１８０ｃｍ以下である、請求項６に記載の基板処理システム。

【請求項8】

前記下部空間の垂直方向の長さは１７０ｃｍ以下である、請求項６に記載の基板処理システム。

【請求項9】

前記真空搬送モジュールの前端に沿って前記真空搬送モジュールに結合された複数のロードロックモジュールと、
前記複数のロードロックモジュールに結合された常圧搬送モジュールと、
をさらに備える請求項６に記載の基板処理システム。

【請求項10】

前記ロードロックモジュールの上面は、前記プロセスモジュールの上面よりも低い、請求項９に記載の基板処理システム。

【請求項11】

前記プロセスモジュールの上面は、前記常圧搬送モジュールの上面よりも低い、請求項１０に記載の基板処理システム。

【請求項12】

前記常圧搬送モジュールの上面は、前記電装ユニットの上面よりも低い、請求項１１に記載の基板処理システム。

【請求項13】

前記電装ユニットは、前記対応するプロセスモジュールを制御する電装部品を含む、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項14】

前記複数の第１プロセスモジュールは、６個の第１プロセスモジュールを含み、
前記複数の第２プロセスモジュールは、６個の第２プロセスモジュールを含む、
請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項15】

基板処理システムであって、
前記基板処理システムの水平な一方向に沿って伸長する真空搬送モジュールと、
前記真空搬送モジュールの第１側面に沿って前記真空搬送モジュールに結合された複数の第１プロセスモジュールと、
前記真空搬送モジュールの第２側面に沿って前記真空搬送モジュールに結合された複数の第２プロセスモジュールと、
前記複数の第１プロセスモジュールに配置された複数の第１電装ユニットと、
前記複数の第２プロセスモジュールに配置された複数の第２電装ユニットと、
前記真空搬送モジュールの下に画定される下部空間であって、前記基板処理システムの水平な一方向に沿って前記真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、前記複数の第１プロセスモジュールと前記複数の第２プロセスモジュールとの間に画定される、下部空間と、
前記真空搬送モジュールの上に画定される上部空間であって、前記基板処理システムの前記一方向に沿って前記真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、前記複数の第１電装ユニットと前記複数の第２電装ユニットとの間に画定される、上部空間と、
を備える基板処理システム。

【請求項16】

前記真空搬送モジュールは、長尺で平板な矩形状に形成される、請求項１５に記載の基板処理システム。

【請求項17】

前記複数の第１電装ユニットに隣接して配置された複数の第１ガスボックスと、
前記複数の第２電装ユニットに隣接して配置された複数の第２ガスボックスと、
をさらに備える請求項１５に記載の基板処理システム。

【請求項18】

前記複数の第１ガスボックスは、前記複数の第２ガスボックスに対向し、前記上部空間は、前記複数の第１ガスボックスと前記複数の第２ガスボックスとの間に画定される、
請求項１７に記載の基板処理システム。

【請求項19】

前記複数の第１プロセスモジュールは、６個の第１プロセスモジュールを含み、
前記複数の第２プロセスモジュールは、６個の第２プロセスモジュールを含む、
請求項１５に記載の基板処理システム。

【請求項20】

基板処理システムであって、
前記基板処理システムの水平な一方向に沿って伸長する真空搬送モジュールと、
複数の第１プロセスモジュールおよび複数の第２プロセスモジュールを含む複数のプロセスモジュールであって、前記複数の第１プロセスモジュールは、前記真空搬送モジュールの第１側面に沿って前記真空搬送モジュールに結合され、前記複数の第２プロセスモジュールは、前記真空搬送モジュールの第２側面に沿って前記真空搬送モジュールに結合されている、複数のプロセスモジュールと、
複数の第１ガスボックスおよび複数の第２ガスボックスを含む複数のガスボックスであって、前記複数の第１ガスボックスはそれぞれ、前記複数の第１プロセスモジュールに対応し、該対応する第１プロセスモジュールの上に配置され、前記複数の第２ガスボックスはそれぞれ、前記複数の第２プロセスモジュールに対応し、該対応する第２プロセスモジュールの上に配置される、複数のガスボックスと、
前記真空搬送モジュールの下に画定される下部空間であって、前記基板処理システムの前記一方向に沿って前記真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、前記複数の第１プロセスモジュールと前記複数の第２プロセスモジュールとの間に画定される、下部空間と、
前記真空搬送モジュールの上に画定される上部空間であって、前記基板処理システムの前記一方向に沿って前記真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、前記複数の第１ガスボックスと前記複数の第２ガスボックスとの間に画定される、上部空間と、
を備える基板処理システム。

【請求項21】

前記真空搬送モジュールは、長尺で平板な矩形状に形成される、請求項２０に記載の基板処理システム。

【請求項22】

前記真空搬送モジュールの上面は、前記プロセスモジュールの上面よりも低い、請求項２０に記載の基板処理システム。

【請求項23】

前記下部空間の垂直方向の長さは１８０ｃｍ以下である、請求項２２に記載の基板処理システム。

【請求項24】

前記下部空間の垂直方向の長さは１７０ｃｍ以下である、請求項２２に記載の基板処理システム。

【請求項25】

前記真空搬送モジュールの前端に沿って前記真空搬送モジュールに結合された複数のロードロックモジュールと、
前記複数のロードロックモジュールに結合された常圧搬送モジュールと、
をさらに備える請求項２０に記載の基板処理システム。

【請求項26】

前記ロードロックモジュールの上面は、前記プロセスモジュールの上面よりも低い、請求項２５に記載の基板処理システム。

【請求項27】

前記プロセスモジュールの上面は、前記常圧搬送モジュールの上面よりも低い、請求項２６に記載の基板処理システム。

【請求項28】

前記複数の第１プロセスモジュールは、６個の第１プロセスモジュールを含み、
前記複数の第２プロセスモジュールは、６個の第２プロセスモジュールを含む、
請求項２０に記載の基板処理システム。

【請求項29】

基板処理システムであって、
前記基板処理システムの水平な一方向に沿って伸長する真空搬送モジュールと、
前記真空搬送モジュールの第１側面に沿って前記真空搬送モジュールに結合された複数の第１プロセスモジュールと、
前記真空搬送モジュールの第２側面に沿って前記真空搬送モジュールに結合された複数の第２プロセスモジュールと、
前記複数の第１プロセスモジュールの上に配置された複数の第１ガスボックスと、
前記複数の第２プロセスモジュールの上に配置された複数の第２ガスボックスと、
前記真空搬送モジュールの下に画定される下部空間であって、前記基板処理システムの前記一方向に沿って前記真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、前記複数の第１プロセスモジュールと前記複数の第２プロセスモジュールとの間に画定される、下部空間と、
前記真空搬送モジュールの上に画定される上部空間であって、前記基板処理システムの前記一方向に沿って前記真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、前記複数の第１ガスボックスと前記複数の第２ガスボックスとの間に画定される、上部空間と、
を備える基板処理システム。

【請求項30】

前記真空搬送モジュールは、長尺で平板な矩形状に形成される、請求項２９に記載の基板処理システム。

【請求項31】

前記複数の第１プロセスモジュールは、６個の第１プロセスモジュールを含み、
前記複数の第２プロセスモジュールは、６個の第２プロセスモジュールを含む、
請求項２９に記載の基板処理システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理システムに関するものである。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、半導体を製造する製造工場において、複数の処理チャンバおよび各処理チャンバに基板を搬送する搬送モジュールと、各処理チャンバにそれぞれ電力を供給する複数の電源系ユニットとを別フロアに配置する構成を開示する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－６９５６６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、設置面積を抑制する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理システムは、真空搬送モジュールと、複数のプロセスモジュールと、複数の電装ユニットと、下部空間と、上部空間とを備える。真空搬送モジュールは、基板処理システムの水平な一方向に沿って伸長する。複数のプロセスモジュールは、複数の第１プロセスモジュールおよび複数の第２プロセスモジュールを含む。複数の第１プロセスモジュールは、真空搬送モジュールの第１側面に沿って真空搬送モジュールに結合され、複数の第２プロセスモジュールは、真空搬送モジュールの第２側面に沿って真空搬送モジュールに結合されている。複数の電装ユニットは、複数の第１電装ユニットおよび複数の第２電装ユニットを含む。複数の第１電装ユニットはそれぞれ、複数の第１プロセスモジュールに対応し、該対応する第１プロセスモジュールに配置され、複数の第２電装ユニットはそれぞれ、複数の第２プロセスモジュールに対応し、該対応する第２プロセスモジュールに配置される。下部空間は、真空搬送モジュールの下に画定される下部空間であって、基板処理システムの一方向に沿って真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、複数の第１プロセスモジュールと複数の第２プロセスモジュールとの間に画定される。上部空間は、真空搬送モジュールの上に画定される上部空間であって、基板処理システムの一方向に沿って真空搬送モジュールの前端から後端に伸長し、複数の第１電装ユニットと複数の第２電装ユニットとの間に画定される。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、設置面積を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成の一例を示す斜視図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成の一例を示す上面図である。

【図3】図３は、第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成の一例を示す側面図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係る基板処理システムを複数配置した一例を示す図である。

【図5】図５は、第１実施形態に係る基板処理システムのパワーボックスの概略構成の一例を示す図である。

【図6】図６は、第１実施形態に係る基板処理システムにおいてレールおよびフレームを折り畳んだ状態とした図である。

【図7】図７は、第１実施形態に係る基板処理システムにおいてレールおよびフレームをメンテナンス時の状態とした図である。

【図8】図８は、第１実施形態に係る基板処理システムのユニットを移動する一例を示す図である。

【図9】図９は、第１実施形態に係る基板処理システムを複数配置した一例を示す図である。

【図10】図１０は、第２実施形態に係る基板処理システムの概略構成の一例を示す側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本願の開示する基板処理システムの実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する基板処理システムが限定されるものではない。

【0009】

ところで、近年、基板処理システムは、処理チャンバの数が増加し、処理チャンバに対応して搭載されるユニットも大型化しており、設置面積が増大している。例えば、特許文献１では、処理チャンバおよび搬送モジュールと、電源系ユニットとが別フロアに配置されており、処理チャンバの数の増加や電源系ユニットの大型化により、設置面積が増大している。製造工場は、基板処理システムを配置可能な面積に限りがあり、基板処理システムを多く配置するため、設置面積を抑制することが求められている。

【0010】

（第１実施形態）
［基板処理システムの構成］
第１実施形態に係る基板処理システムの概略的な構成の一例を説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理システム１０の概略構成の一例を示す斜視図である。図２は、第１実施形態に係る基板処理システム１０の概略構成の一例を示す上面図である。図３は、第１実施形態に係る基板処理システム１０の概略構成の一例を示す側面図である。基板処理システム１０は、基板に基板処理を実施する装置である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を次のように規定する。図１に示すように、Ｘ方向およびＹ方向は、互いに直交する水平な２方向とする。Ｚ方向は、鉛直上向き方向とする。図３は、Ｘ方向から見た基板処理システム１０の側面図であり、後述するレールやフレームを省略している。

【0011】

図１に示すように、基板処理システム１０は、複数のプロセスモジュール１１を有する。なお、基板処理システム１０が有するプロセスモジュール１１の数は、図示するものに限定されない。

【0012】

複数のプロセスモジュール１１は、並べて配置されている。本実施形態では、複数のプロセスモジュール１１がＸ方向に直線状に２列、並んで配置されている。

【0013】

プロセスモジュール１１は、基板に基板処理を実施する装置である。基板処理としては、例えば、プラズマを用いた成膜やエッチングなどが挙げられる。基板は、半導体ウエハ（以下、ウエハとも称する。）とする。

【0014】

プロセスモジュール１１は、真空チャンバなどの真空処理室を内部に有し、真空処理室に配置されたウエハに基板処理を実施する。プロセスモジュール１１は、ウエハの処理中、真空処理室内が減圧雰囲気に維持される。なお、基板処理システム１０は、各プロセスモジュール１１が同一種類の基板処理を実施してもよい。また、基板処理システム１０は、一部のプロセスモジュール１１が他のプロセスモジュール１１と異なる種類の基板処理を実施してもよい。例えば、基板処理システム１０は、複数種類の基板処理を各プロセスモジュール１１で分散して実施してもよい。

【0015】

２列のプロセスモジュール１１の間には、真空搬送モジュール１２が配置されている。真空搬送モジュール１２は、図２に示すように、長尺で平板な矩形状に形成され、内部に真空搬送室を有する。真空搬送モジュール１２は、ウエハの処理中、真空搬送室内が減圧雰囲気に維持される。真空搬送モジュール１２は、プロセスモジュール１１にウエハを搬送するための搬送口が各プロセスモジュール１１と対向する側面に設けられ、搬送口を介して各プロセスモジュール１１の真空処理室と導通している。真空搬送モジュール１２の各搬送口には、搬送口を開閉可能な不図示のゲートバルブがそれぞれ設けられている。

【0016】

真空搬送モジュール１２のＸ方向の一端には、２つのロードロックモジュール１３が不図示のゲートバルブを介して接続されている。２つのロードロックモジュール１３は、不図示のゲートバルブを介して常圧搬送モジュール１４に接続されている。

【0017】

ロードロックモジュール１３を挟んで真空搬送モジュール１２の反対側には、常圧搬送モジュール１４が設けられている。常圧搬送モジュール１４は、平面形状が、略矩形の形状に形成されている。常圧搬送モジュール１４は、内部が常圧雰囲気に維持される。常圧搬送モジュール１４の一方の長辺に２つのロードロックモジュール１３が並設されている。また、常圧搬送モジュール１４は、ロードロックモジュール１３が設けられて壁部とは反対側の壁部にウエハを収容するキャリアが取り付け可能とされている。

【0018】

常圧搬送モジュール１４は、アームなどの搬送機構が内部に配置され、搬送機構により、ロードロックモジュール１３とキャリアとの間でウエハを搬送する。

【0019】

ロードロックモジュール１３は、真空搬送モジュール１２と常圧搬送モジュール１４との間でウエハを搬送する際に、大気圧と真空との間で圧力を制御する。

【0020】

真空搬送モジュール１２は、アームなどの搬送機構が真空搬送室に配置され、搬送機構により、プロセスモジュール１１とロードロックモジュール１３との間でウエハを搬送する。

【0021】

プロセスモジュール１１は、ウエハに基板処理を実施する。例えば、プロセスモジュール１１は、真空処理室に、上部電極、下部電極を備えた平行平板型のプラズマ処理装置として構成されている。プロセスモジュール１１は、真空処理室に処理ガスを供給するためのガスボックス２０と、電装ユニット２１とが上部に配置されている。電装ユニット２１には、プロセスモジュール１１を制御する電装部品などの各種の機器が配置される。

【0022】

ところで、基板処理システム１０は、設置面積を抑制することが求められている。

【0023】

そこで、第１実施形態では、プロセスモジュール１１に電力を供給する電源系ユニットをプロセスモジュール１１の下部に配置する。例えば、基板処理システム１０が設置されるフロアには、床面をかさ上げする台３０が設けられている。例えば、台３０により、床面を５０ｃｍ～７０ｃｍ程度かさ上げする。台３０は、複数の支柱３１によって天板３２が支持されており、プロセスモジュール１１などの重量に対して十分な耐荷重を有するように構成されている。各プロセスモジュール１１は、台３０の上に配置されている。台３０によりフロアをかさ上げしたことにより、台３０の下部に空間を確保できる。台３０は、プロセスモジュール１１に対して真空搬送モジュール１２の反対側となる前方側に天板３２が延長して配置されている。天板３２は、取り外しが可能とされている。

【0024】

基板処理システム１０は、台３０の下部の空間に電源系ユニットを配置する。基板処理システム１０は、プロセスモジュール１１ごとに、電源系ユニットとして、パワーボックス４０と、ジェネレーター４１とを備える。パワーボックス４０は、プロセスモジュール１１の下部となる天板３２の下に配置する。ジェネレーター４１は、下部電極にそれぞれ異なる周波数の高周波電力を供給するため、プロセスモジュール１１ごとに２つ設けており、プロセスモジュール１１の前方側の天板３２の下に配置する。

【0025】

このように、基板処理システム１０は、プロセスモジュール１１に電力を供給する電源系ユニットをプロセスモジュール１１の下部に配置することで、設置面積を抑制できる。このように設置面積を抑制できることで、基板処理システム１０は、複数配置する場合でも、少ない面積で配置できる。図４は、第１実施形態に係る基板処理システム１０を複数配置した一例を示す図である。図４には、２つの基板処理システム１０を並列に隣接させて配置した例を示している。基板処理システム１０は、複数配置する場合でも隣接させることができ、少ない面積で配置できる。

【0026】

パワーボックス４０には、電力が供給される電源ラインに接続される。従来、パワーボックス４０は、プロセスモジュール１１などの他のユニットと離して配置され、電源ラインを配設した配線エリアが上部に設けられ、上部から電源ラインが配設される。

【0027】

しかし、第１実施形態に係る基板処理システム１０は、プロセスモジュール１１の下部にパワーボックス４０を配置したため、上部から電源ラインを配設できない。

【0028】

そこで、第１実施形態に係る基板処理システム１０では、電源ラインを側面側から配設できるようにパワーボックス４０を構成している。

【0029】

図５は、第１実施形態に係る基板処理システム１０のパワーボックス４０の概略構成の一例を示す図である。パワーボックス４０には、ブレーカ７０が設けられている。ブレーカ７０は、電力を遮断するスイッチなど電力供給を制御する操作部が設けられている。

【0030】

ブレーカ７０は、スイッチなどの操作部が設けられるため、パワーボックス４０内で上部に配置されることが好ましい。ブレーカ７０には、電源ラインを接続するためのコネクタ７１が設けられる。コネクタ７１は、例えば、銅などの導電性の金属で形成されている。コネクタ７１は、ニッケルなどでメッキされていてもよい。コネクタ７１は、真空搬送モジュール１２が配置される一方側の側面側に屈曲した形状に形成されている。電源ライン７２は、真空搬送モジュール１２が配置される一方側の側面からパワーボックス４０の上部を配設され、コネクタ７１に接続される。これにより、第１実施形態に係る基板処理システム１０は、真空搬送モジュール１２が配置される一方側の側面から電源ライン７２を配設してコネクタ７１に接続できるため、パワーボックス４０内でブレーカ７０を上部に配置できる。

【0031】

図１に戻る。パワーボックス４０は、電源ライン７２から供給された電力をプロセスモジュール１１で使用する各種の電圧に変圧してプロセスモジュール１１内に配電する。例えば、パワーボックス４０は、電装ユニット２１やジェネレーター４１に電力を配電する。なお、電装ユニット２１には、別な配電系統で電力を供給してもよい。

【0032】

ジェネレーター４１は、真空処理室の下部電極に不図示の配線を介して接続されている。ジェネレーター４１は、真空処理室にプラズマを生成する際、下部電極に高周波電力を供給する。

【0033】

プロセスモジュール１１は、ガスボックス２０から真空処理室に処理ガスを供給しつつ、２つのジェネレーター４１から下部電極に異なる周波数の高周波電力を印加してプラズマを生成することで、ウエハにプラズマを用いた基板処理を実施する。

【0034】

また、プロセスモジュール１１の前方側の天板３２上には、プロセスモジュール１１ごとに収納ボックス４２がそれぞれ並んで配置されている。収納ボックス４２は、プロセスモジュール１１に関連する機器が内部に配置される。例えば、プロセスモジュール１１がウエハの温調を実施する場合、収納ボックス４２は、温調ユニットが内部に配置される。なお、収納ボックス４２は、内部に何も配置されず、空とされてもよい。収納ボックス４２は、上面が平坦に形成され、人が乗ることができるよう数百ｋｇ程度の耐荷重を有するように構成されている。基板処理システム１０は、台３０に配置された収納ボックス４２の上面に人が乗って移動することで、各プロセスモジュール１１に沿って人が移動できる。

【0035】

ところで、基板処理システム１０は、各プロセスモジュール１１に対して設けられる各種のユニットが大型化し、重量も増加している。基板処理システム１０は、大型で重量のあるユニットをメンテナンス等で取り外す機会が増加している。また、製造工場は、基板処理システム１０を多く配置するため、メンテナンスの作業時に広くスペースを取ることが困難になってきている。例えば、図４に示すように、２つの基板処理システム１０を並列に隣接して配置した場合、基板処理システム１０の間にスペースが無い。

【0036】

そこで、基板処理システム１０は、プロセスモジュール１１に対して真空搬送モジュール１２の反対側となる前方側の上部に各プロセスモジュール１１に沿ってレール５０を設置している。レール５０は、フレーム５１により支持されている。フレーム５１は、レール５０と同程度の高さで各プロセスモジュール１１に沿って配置され、複数の支柱５２によって支持されている。

【0037】

また、基板処理システム１０は、真空搬送モジュール１２のロードロックモジュール１３が配置されていないＸ方向の他端側にもレール５５およびフレーム５６を設置している。レール５５は、端部が湾曲してレール５０と繋がっている。フレーム５６は、フレーム５１に接続されると共に、複数の支柱５７により支持される。

【0038】

レール５５およびフレーム５６は、Ｘ方向の他端側に対して、プロセスモジュール１１の端よりも外側に突き出した状態となり、物品を移動させる際の妨げとなる場合がある。そこで、支柱５７は、取外し可能とする。また、レール５５およびフレーム５６は、レール５０およびフレーム５１との接続部分を回転可能に構成し、下方側に回転させて折り畳み可能としてもよい。図６は、第１実施形態に係る基板処理システム１０においてレール５５およびフレーム５６を折り畳んだ状態とした図である。図７は、第１実施形態に係る基板処理システム１０においてレール５５およびフレーム５６をメンテナンス時の状態とした図である。メンテナンス以外は、図６に示すように、レール５５およびフレーム５６を折り畳んだ状態とする。レール５５およびフレーム５６が物品を移動させる際の妨げとなることを防止できる。メンテナンスの際には、図７に示すように、レール５５およびフレーム５６を水平状態に回転させ、支柱５７を設置する。

【0039】

レール５０、５５には、吊り下げ機構が設けられている。例えば、レール５０、５５には、吊り下げ機構として、クレーン６０が着脱可能とされている。クレーン６０は、レール５０、５５に沿って移動可能とされている。クレーン６０は、ワイヤ６２を巻き取ったウインチ６３が設けられている。ワイヤ６２は、先端にフック６１が固定されている。クレーン６０は、ウインチ６３を回転させることでフック６１を昇降させることが可能とさている。ウインチ６３は、電動で回転するものでもよく、手動で回転するものでもよい。

【0040】

基板処理システム１０では、メンテナンスの際、クレーン６０のフック６１をメンテナンス対象のユニットに固定し、ウインチ６３を回転させてメンテナンス対象のユニットを上昇させる。そして、クレーン６０をレール５０、５５に沿って移動させる。これにより、基板処理システム１０は、大型で重量のあるユニットを容易に移動させることができる。

【0041】

図８は、第１実施形態に係る基板処理システム１０のユニットを移動する一例を示す図である。図８は、例えば、ジェネレーター４１をメンテナンスのため取り出す場合を示している。クレーン６０は、レール５０、５５に沿って移動可能とされている。最初に、メンテナンス対象のジェネレーター４１の上部の収納ボックス４２および天板３２を取り外す。次に、クレーン６０のフック６１をメンテナンス対象のジェネレーター４１に固定し、ウインチ６３を回転させてジェネレーター４１を上昇させる。そして、クレーン６０をレール５０、５５に沿って移動させ、適切な位置でウインチ６３を回転させてフック６１を下降させて、ジェネレーター４１を下す。図８の例では、メンテナンス対象のジェネレーター４１をＸ方向の他端側に移動させている。このように、基板処理システム１０は、メンテナンス対象のジェネレーター４１を容易に移動させることができる。また、基板処理システム１０は、メンテナンス対象のジェネレーター４１を広いスペースに移動できるため、メンテナンスの作業を行いやすくすることができる。

【0042】

なお、図１、図２および図８では、プロセスモジュール１１に対して真空搬送モジュール１２の反対側となる前方側に各プロセスモジュール１１に沿ってレール５０を設置している場合を図示したが、これに限定されるものではない。レールは、その他の部分にも設置してもよい。例えば、レールは、真空搬送モジュール１２の上部や常圧搬送モジュール１４の上部に設置してもよい。レールは、メンテナンスの際など、必要に応じて設置してもよい。この場合、基板処理システム１０は、図８の破線の矢印に示すように、真空搬送モジュール１２の上部や常圧搬送モジュール１４の上部にもクレーン６０を移動できる。これにより、真空搬送モジュール１２、常圧搬送モジュール１４の周辺のユニットについても、容易に移動できる。また、基板処理システム１０を複数配置する場合、互いのレール５５を接続してもよい。例えば、レール５５のレール５０との接続部分に、接続先をレール５０と他のレール５５とに切り換える可能な分岐機構を設けて、互いのレール５５を接続する。図９は、第１実施形態に係る基板処理システム１０を複数配置した一例を示す図である。図９には、２つの基板処理システム１０を並列に隣接させて配置し、互いのレール５５を接続した例を示している。図８には、実線の矢印でクレーン６０の移動可能な範囲を示している。クレーン６０は、レール５５を介して基板処理システム１０の間で移動できる。これにより、例えば、一方の基板処理システム１０の周囲に広い作業用のスペース９０がある場合、他の基板処理システム１０のユニットをスペース９０に移動させることができる。

【0043】

このように、本実施形態に係る基板処理システム１０は、複数のプロセスモジュール１１と、複数の電源系ユニットと有する。プロセスモジュール１１は、それぞれ基板処理を実施可能とされ、並べて配置される。複数の電源系ユニットは、複数のプロセスモジュール１１の下部にそれぞれ配置され、各プロセスモジュール１１に個別に電力を供給する。これにより、基板処理システム１０は、設置面積を抑制できる。

【0044】

また、複数のプロセスモジュール１１と床面の間には、台３０を有する。複数の電源系ユニットは、台３０の下に配置される。これにより、基板処理システム１０は、台３０により、プロセスモジュール１１と電源系ユニットを重ねて配置できるため、設置面積を抑制できる。

【0045】

また、本実施形態に係る基板処理システム１０は、真空搬送モジュール１２を有する。真空搬送モジュール１２は、複数のプロセスモジュール１１の一方側の側面に配置され、複数のプロセスモジュール１１にウエハを搬送する。台３０は、複数のプロセスモジュール１１の一方側に対する反対側となる前方側に天板３２が延長して配置され、プロセスモジュール１１の前方側の天板３２が取り外し可能とされている。基板処理システム１０は、電源系ユニットとして、パワーボックス４０と、ジェネレーター４１とを備える。パワーボックス４０は、プロセスモジュール１１の下部に配置される。ジェネレーター４１は、プロセスモジュール１１の前方側の天板３２の下に配置される。これにより、基板処理システム１０は、プロセスモジュール１１とパワーボックス４０を重ねて配置できるため、設置面積を抑制できる。また、基板処理システム１０は、取り外し可能な天板３２の下にジェネレーター４１を配置することで、天板３２上にスペースを確保でき、天板３２を取り外すことで天板３２の下に配置したジェネレーター４１をメンテナスすることができる。

【0046】

また、本実施形態に係る基板処理システム１０は、レール５０と、クレーン６０とを有する。レール５０は、プロセスモジュール１１の前方側の上部にプロセスモジュール１１に沿って設置される。クレーン６０は、レール５０に取り付けられ、ジェネレーター４１を吊り下げて昇降可能かつレール５０に沿って移動可能とされている。これにより、基板処理システム１０は、ジェネレーター４１を容易に移動させることができる。

【0047】

また、本実施形態に係る基板処理システム１０は、真空搬送モジュール１２を有する。真空搬送モジュール１２は、複数のプロセスモジュール１１の一方側の側面に配置され、複数のプロセスモジュール１１にウエハを搬送する。パワーボックス４０は、プロセスモジュール１１の下部に隣接して配置され、一方側の側面側に屈曲した形状とされ、電源ライン７２を接続するコネクタ７１を備えたブレーカ７０が上部に設けられている。これにより、基板処理システム１０は、プロセスモジュール１１の下部に隣接してパワーボックス４０を配置した場合でも、パワーボックス４０内でブレーカ７０を上部に配置できる。

【0048】

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る基板処理システム１０の概略的な構成の一例を説明する。第２実施形態に係る基板処理システム１０は、図１－９に示した第１実施形態に係る基板処理システム１０と一部同様の構成であるため、同一部分に同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分について主に説明する。

【0049】

図１０は、第２実施形態に係る基板処理システム１０の概略構成の一例を示す側面図である。第２実施形態に係る基板処理システム１０でも、プロセスモジュール１１に電力を供給する電源系ユニットをプロセスモジュール１１の下部に配置する。例えば、基板処理システム１０が設置されるフロアにジェネレーター４１を配置し、ジェネレーター４１上にプロセスモジュール１１を配置する。すなわち、ジェネレーター４１は、プロセスモジュール１１の下部に隣接して配置される。ジェネレーター４１は、収納ボックスなどに収容した状態でプロセスモジュール１１の下部に隣接して配置してもよい。パワーボックス４０は、プロセスモジュール１１の前方に配置してもよく、離して配置してもよい。また、パワーボックス４０は、プロセスモジュール１１およびジェネレーター４１とは別なフロアに配置してもよい。例えば、パワーボックス４０は、プロセスモジュール１１およびジェネレーター４１が配置されたフロアの下のフロアに配置してもよい。なお、プロセスモジュール１１の下部にパワーボックス４０を配置してもよい。また、パワーボックス４０およびジェネレーター４１をプロセスモジュール１１とは別なフロアに配置してもよい。例えば、パワーボックス４０およびジェネレーター４１は、プロセスモジュール１１が配置されたフロアの下のフロアに配置してもよい。

【0050】

このように、基板処理システム１０は、プロセスモジュール１１に電力を供給する電源系ユニットをプロセスモジュール１１の下部に配置することで、設置面積を抑制できる。

【0051】

なお、フロアに設置したジェネレーター４１上にプロセスモジュール１１を配置した場合、基板処理システム１０は、フロアからの高さが高くなる。製造工場では、設置可能な基板処理システム１０の高さに制限がある。このため、基板処理システム１０は、フロアからの高さを一定の高さ以下に抑えることが好ましい。例えば、基板処理システム１０は、真空搬送モジュール１２の下面のフロアからの高さが１８０ｃｍ以下となるように構成することが好ましく、真空搬送モジュール１２の下面のフロアからの高さが１７０ｃｍ以下となるように構成することがより好ましい。これにより、基板処理システム１０のフロアからの高さを抑えることができる。

【0052】

以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0053】

例えば、第１実施形態では、天板３２上に収納ボックス４２を配置した場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。収納ボックス４２は無くてもよい。

【0054】

例えば、実施形態では、基板を半導体ウエハとした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。半導体ウエハはシリコンであっても、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体でもよい。さらに、基板は、半導体ウエハに限定されず、液晶表示装置等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いるガラス基板や、セラミック基板等にも適用することができる。

【符号の説明】

【0055】

１０ 基板処理システム
１１ プロセスモジュール
１２ 真空搬送モジュール
１３ ロードロックモジュール
１４ 常圧搬送モジュール
２０ ガスボックス
２１ 電装ユニット
３０ 台
３１ 支柱
３２ 天板
４０ パワーボックス
４１ ジェネレーター
５０ レール
５１ フレーム
５２ 支柱
５５ レール
５６ フレーム
５７ 支柱
６０ クレーン
６１ フック
６２ ワイヤ
６３ ウインチ
７０ ブレーカ
７１ コネクタ
７２ 電源ライン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】