特開 2023-170396 クーリングプレート

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023170396

(43)【公開日】2023-12-01

(54)【発明の名称】クーリングプレート

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20231124BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20231124BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20231124BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20231124BHJP

   H01L 21/324 20060101ALI20231124BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/205

H01L21/31 C

H01L21/302 101G

H01L21/324 W

H01L21/324 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022082118

(22)【出願日】2022-05-19

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山田 陽一

【テーマコード（参考）】

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F004AA01

5F004BB18

5F004BB25

5F004BB28

5F004BC05

5F004BC06

5F004BD04

5F004BD07

5F004DA23

5F004DA25

5F045AA08

5F045AC15

5F045AC16

5F045BB02

5F045DQ17

5F045EB08

5F045EB09

5F045EE14

5F045EE20

5F045EF01

5F045EJ02

5F045EJ10

5F045EM02

5F045EN04

5F131AA02

5F131BA12

5F131BA14

5F131CA03

5F131CA06

5F131EA06

5F131EB42

5F131EB55

(57)【要約】

【課題】より速く基板を均一に冷却できるクーリングプレートを提供する。
【解決手段】クーリングプレートは、基板を支持するリフトピンと、基板を載置可能な載置面と、載置面内に配置され、リフトピンで載置面から持ち上げられた状態の基板に対して、不活性ガスを直進流と旋回流とを組み合わせて吹き付けるノズルとを有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を支持するリフトピンと、
前記基板を載置可能な載置面と、
前記載置面内に配置され、前記リフトピンで前記載置面から持ち上げられた状態の前記基板に対して、不活性ガスを直進流と旋回流とを組み合わせて吹き付けるノズルと、
を有するクーリングプレート。

【請求項2】

前記ノズルは、前記直進流の噴出口と、前記旋回流の噴出口とを１つのノズル内に設けた、
請求項１に記載のクーリングプレート。

【請求項3】

前記旋回流の噴出口は、出口部分に固定された羽根を備える、
請求項２に記載のクーリングプレート。

【請求項4】

前記旋回流の噴出口は、出口近傍の内部に固定されたスパイラル形状部を備える、
請求項２に記載のクーリングプレート。

【請求項5】

前記ノズルは、前記載置面内に複数配置される、
請求項１に記載のクーリングプレート。

【請求項6】

前記載置面は、円形であり、中心部と、外周部とを備え、
前記ノズルは、前記中心部と前記外周部とで異なる配置である、
請求項５に記載のクーリングプレート。

【請求項7】

前記ノズルは、前記中心部に配置される数が、前記外周部に配置される数よりも多い、
請求項６に記載のクーリングプレート。

【請求項8】

前記ノズルは、前記中心部に配置される前記ノズルの密度が、前記外周部に配置される前記ノズルの密度よりも高い、
請求項６に記載のクーリングプレート。

【請求項9】

前記外周部に配置される前記ノズルは、同一円周上に均等に配置される、
請求項６に記載のクーリングプレート。

【請求項10】

前記ノズルは、前記中心部に配置される前記ノズルの直径と、前記外周部に配置される前記ノズルの直径とが異なる、
請求項６に記載のクーリングプレート。

【請求項11】

前記ノズルは、前記中心部に配置される前記ノズルの直径が、前記外周部に配置される前記ノズルの直径よりも大きい、
請求項１０に記載のクーリングプレート。

【請求項12】

前記不活性ガスは、窒素ガスである、
請求項１に記載のクーリングプレート。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、クーリングプレートに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの基板（以下、ウェハともいう。）を回転させつつ、回転する基板の中心部に処理液を供給することにより、回転に伴う遠心力によって処理液を基板上に広げて基板を処理する基板処理が行われている。この様な場合、基板の中心部と外周部とで処理液の温度差が生じ、面内均一性が低下することがある。これに対し、基板の下面から気体を供給することで、基板処理の面内均一性を向上させることが提案されている（特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－６３０９３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、より速く基板を均一に冷却できるクーリングプレートを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様によるクーリングプレートは、基板を支持するリフトピンと、基板を載置可能な載置面と、載置面内に配置され、リフトピンで載置面から持ち上げられた状態の基板に対して、不活性ガスを直進流と旋回流とを組み合わせて吹き付けるノズルとを有する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、より速く基板を均一に冷却できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本開示の一実施形態における基板処理システムの一例を示す横断平面図である。

【図2】図２は、本実施形態におけるクーリングプレートの表面の一例を示す図である。

【図3】図３は、本実施形態におけるクーリングプレートの断面の一例を示す図である。

【図4】図４は、直進流と旋回流の一例を示す図である。

【図5】図５は、本実施形態におけるノズルの一例を示す図である。

【図6】図６は、本実施形態における噴流による基板の冷却の一例を示す図である。

【図7】図７は、本実施形態におけるノズル近傍の噴流領域の一例を示す図である。

【図8】図８は、本実施形態における冷却処理の一例を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、開示するクーリングプレートの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。

【0009】

基板の冷却としては、上述の処理液を用いる場合だけでなく、様々な処理においても行われる。処理室内で基板が高温となる処理、例えば、プラズマ処理やアニール処理等が行われた基板は、処理室から搬出された状態においても高温であるので、その後の搬送や他の処理までに冷却されることが求められる。基板を冷却するためには、例えば、上述のように基板の下面から気体を供給することが行われる。しかしながら、気体を供給するノズルの位置により、基板を速く冷却するほど基板内の温度にムラが生じる。このため、基板に反りや割れが発生する場合がある。そこで、より速く基板を均一に冷却することが期待されている。

【0010】

［基板処理システム１の構成］
図１は、本開示の一実施形態における基板処理システムの一例を示す横断平面図である。図１に示す基板処理システム１は、枚葉でウェハ（例えば、半導体ウェハ。）にプラズマ処理等の各種処理を施すことが可能な基板処理システムである。

【0011】

図１に示すように、基板処理システム１は、トランスファモジュール１０と、６つのプロセスモジュール２０と、ローダモジュール３０と、２つのロードロックモジュール４０と、を備える。

【0012】

トランスファモジュール１０は、平面視において略五角形状を有する。トランスファモジュール１０は、真空室を有し、内部に搬送機構１１が配置されている。搬送機構１１は、ガイドレール（図示せず）と、２つのアーム１２と、各アーム１２の先端に配置されてウェハを支持するフォーク１３とを有する。各アーム１２は、スカラアームタイプであり、旋回、伸縮自在に構成されている。搬送機構１１は、ガイドレールに沿って移動し、プロセスモジュール２０やロードロックモジュール４０の間でウェハを搬送する。なお、搬送機構１１は、プロセスモジュール２０やロードロックモジュール４０の間でウェハを搬送することが可能であればよく、図１に示される構成に限定されるものではない。例えば、搬送機構１１の各アーム１２は、旋回、伸縮自在に構成されると共に、昇降自在に構成されていてもよい。

【0013】

プロセスモジュール２０は、トランスファモジュール１０の周りに放射状に配置されてトランスファモジュール１０に接続されている。プロセスモジュール２０は、処理室を有し、内部に配置された円柱状のステージ２１（載置台）を有する。ステージ２１は、上面から突出自在な複数の細棒状の３つのリフトピン２２を有する。各リフトピン２２は平面視において同一円周上に配置され、ステージ２１の上面から突出することによってステージ２１に載置されたウェハを支持して持ち上げると共に、ステージ２１内へ退出することによって支持するウェハをステージ２１へ載置させる。プロセスモジュール２０は、ステージ２１にウェハが載置された後、内部を減圧して処理ガスを導入し、さらに内部に高周波電力を印加してプラズマを生成し、プラズマによってウェハにプラズマ処理を施す。トランスファモジュール１０とプロセスモジュール２０とは、開閉自在なゲートバルブ２３で仕切られている。

【0014】

ローダモジュール３０は、トランスファモジュール１０に対向して配置されている。ローダモジュール３０は、直方体状であり、大気圧雰囲気に保持された大気搬送室である。ローダモジュール３０の長手方向に沿った一の側面には、２つのロードロックモジュール４０が接続されている。ローダモジュール３０の長手方向に沿った他の側面には、３つのロードポート３１が接続されている。ロードポート３１には、複数のウェハを収容する容器であるＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod)（図示せず）が載置される。ローダモジュール３０の短手方向に沿った一の側面には、アライナ３２が接続されている。また、ローダモジュール３０内には、搬送機構３５が配置されている。

【0015】

アライナ３２は、ウェハの位置合わせを行う。アライナ３２は、駆動モータ（図示せず）によって回転される回転ステージ３３を有する。回転ステージ３３は、例えばウェハの直径よりも小さい直径を有し、上面にウェハを載置した状態で回転可能に構成されている。回転ステージ３３の近傍には、ウェハの外周縁を検知するための光学センサ３４が設けられている。アライナ３２では、光学センサ３４により、ウェハの中心位置およびウェハの中心に対するノッチの方向が検出され、ウェハの中心位置およびノッチの方向が所定位置および所定方向となるように、後述のフォーク３７にウェハが受け渡される。これにより、ロードロックモジュール４０内においてウェハの中心位置およびノッチの方向が所定位置および所定方向となるように、ウェハの搬送位置が調整される。

【0016】

搬送機構３５は、ガイドレール（図示せず）と、アーム３６と、フォーク３７とを有する。アーム３６は、スカラアームタイプであり、ガイドレールに沿って移動自在に構成されると共に、旋回、伸縮、昇降自在に構成される。フォーク３７は、アーム３６の先端に配置されてウェハを支持する。ローダモジュール３０では、搬送機構３５が各ロードポート３１に載置されたＦＯＵＰ、アライナ３２およびロードロックモジュール４０の間でウェハを搬送する。なお、搬送機構３５は、ＦＯＵＰ、アライナ３２およびロードロックモジュール４０の間でウェハを搬送することが可能であればよく、図１に示される構成に限定されるものではない。

【0017】

ロードロックモジュール４０は、トランスファモジュール１０とローダモジュール３０との間に配置されている。ロードロックモジュール４０は、内部を真空、大気圧に切り換え可能な内圧可変室を有し、内部に配置された円柱状のステージ４１を有する。ロードロックモジュール４０は、ウェハをローダモジュール３０からトランスファモジュール１０へ搬入する際、内部を大気圧に維持してローダモジュール３０からウェハを受け取った後、内部を減圧してトランスファモジュール１０へウェハを搬入する。また、ウェハをトランスファモジュール１０からローダモジュール３０へ搬出する際、内部を真空に維持してトランスファモジュール１０からウェハを受け取った後、内部を大気圧まで昇圧してローダモジュール３０へウェハを搬入する。ステージ４１は、上面から突出自在な複数の細棒状の３つのリフトピン４２を有する。各リフトピン４２は平面視において同一円周上に配置され、ステージ４１の上面から突出することによってウェハを支持して持ち上げると共に、ステージ４１内へ退出することによって支持するウェハをステージ４１へ載置させる。また、ステージ４１では、各リフトピン４２で持ち上げられた状態の基板に対して、不活性ガスが吹き付けられることで基板が冷却される。つまり、ステージ４１は、クーリングプレートの一例である。ロードロックモジュール４０とトランスファモジュール１０とは、開閉自在なゲートバルブ（図示せず）で仕切られている。また、ロードロックモジュール４０とローダモジュール３０とは、開閉自在なゲートバルブ（図示せず）で仕切られている。

【0018】

基板処理システム１は、制御装置５０を有する。制御装置５０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭまたは補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、基板処理システム１の各構成要素の動作を制御する。

【0019】

［クーリングプレート］
次に図２および図３を用いてクーリングプレートであるステージ４１について説明する。図２は、本実施形態におけるクーリングプレートの表面の一例を示す図である。図２に示すように、ステージ４１は、表面４３が円形であり、中心部４４と外周部４５とを備える。中心部４４には、各リフトピン４２と、不活性ガスを吹き付ける複数のノズル４６とが配置される。外周部４５には、複数のノズル４６が、例えば、同一円周上に均等に配置される。なお、不活性ガスとしては、例えば、窒素（Ｎ２）ガスや、アルゴンガス等の希ガスを用いることができる。

【0020】

ノズル４６は、各リフトピン４２で持ち上げられた状態の基板（ウェハ）に対して、不活性ガスを吹き付けることで基板の冷却を行うためのノズルである。ここで、ノズル４６は、不活性ガスを直進流と旋回流とを組み合わせて吹き付けるハイブリッドノズルである。ノズル４６は、例えば、中心部４４では外周部４５よりも密度が高くなるよう配置される。つまり、ノズル４６は、外周部４５では中心部４４よりも密度が低くなるよう配置される。また、図２に示すように、例えば、中心部４４では、ノズル４６が各リフトピン４２を避けて等間隔となるように配置される。一方、外周部４５では、例えば、ノズル４６が同一円周上に均等に配置される。すなわち、ノズル４６は、中心部４４と外周部４５とで異なる配置である。また、ノズル４６は、中心部４４に配置される数が、外周部４５に配置される数よりも多い。なお、外周部４５では、ノズル４６が複数の同心円上に、それぞれ均等に配置されるようにしてもよい。このように、中心部４４では、ノズル４６の数や密度が多いので不活性ガスが高流量となり、外周部４５では、ノズル４６の数や密度が少ないので不活性ガスが低流量となる。また、以下の説明では、このように、中心部４４と外周部４５とでゾーン分けを行い、それぞれ噴出する不活性ガスの流量を制御することをゾーン噴流冷却という場合がある。

【0021】

図３は、本実施形態におけるクーリングプレートの断面の一例を示す図である。図３では、ステージ４１に対する不活性ガスの供給方法を示している。図３（ａ）は、ステージ４１の側面から不活性ガスを供給するパターンであり、図３（ｂ）は、ステージ４１の下部から不活性ガスを供給するパターンである。なお、図３では、不活性ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを供給している。

【0022】

図３（ａ）では、中心部４４の下部に設けられたタンク部４４ａに対して、配管４４ｂから不活性ガスが供給される。また、タンク部４４ａには、排気用の配管４４ｃが接続され、ノズル４６から噴出せずに余剰となった不活性ガスが配管４４ｃから排出される。同様に、外周部４５の下部に設けられたタンク部４５ａに対して、配管４５ｂから不活性ガスが供給される。また、タンク部４５ａには、排気用の配管４５ｃが接続され、ノズル４６から噴出せずに余剰となった不活性ガスが配管４５ｃから排出される。

【0023】

図３（ｂ）では、中心部４４の下部に設けられたタンク部４４ｄに対して、配管４４ｅから不活性ガスが供給される。また、タンク部４４ｄには、排気用の配管４４ｆが接続され、ノズル４６から噴出せずに余剰となった不活性ガスが配管４４ｆから排出される。同様に、外周部４５の下部に設けられたタンク部４５ｄに対して、配管４５ｅから不活性ガスが供給される。また、タンク部４５ｄには、排気用の配管４５ｆが接続され、ノズル４６から噴出せずに余剰となった不活性ガスが配管４５ｆから排出される。なお、タンク部４５ｄは、例えば、円周方向に複数に分割されてもよく、図３（ｂ）に示すように、各タンク部４５ｄに配管４５ｅ，４５ｆが接続されるようにしてもよい。また、タンク部４４ｄ，４５ｄには、配管４４ｅ，４５ｅから供給される不活性ガスが偏ってノズル４６から噴出しないように、仕切り板が設けられている。

【0024】

［直進流と旋回流］
続いて、図４を用いて直進流と旋回流について説明する。図４は、直進流と旋回流の一例を示す図である。図４（ａ）は、基板Ｗに対して垂直方向から噴流が当たるように、不活性ガスの流れを直進させた直進流６０を示す。図４（ｂ）は、基板Ｗに対して斜め方向から噴流が当たるように、不活性ガスの流れを旋回させた旋回流６１を示す。直進流６０では、衝突噴流の淀み点領域が冷却される。一方、旋回流６１では、淀み点から基板Ｗの下面を横方向に流れる壁噴流領域が冷却される。これらのことから、直進流６０と旋回流６１とを組み合わせることで、より速く基板Ｗを均一に冷却することができる。

【0025】

［ノズル４６の構成］
次に、図５を用いて直進流と旋回流の機能を融合したハイブリッドノズルであるノズル４６について説明する。図５は、本実施形態におけるノズルの一例を示す図である。図５（ａ）は、ノズル４６を側面から見た場合の断面を示す。図５（ｂ）は、ノズル４６を上面から見た場合を示す。ノズル４６は、中心部に直進流ノズル４６ａを有し、直進流ノズル４６ａを囲む外周部に旋回流ノズル４６ｂを有する。旋回流ノズル４６ｂの噴出口には、旋回流ノズル４６ｂの内壁に固定された羽根４６ｃが設けられ、噴出口から噴出する不活性ガスが旋回流となる。直進流ノズル４６ａの噴出口からは、直進流６０が噴出する。また、旋回流ノズル４６ｂの噴出口からは、羽根４６ｃによる旋回流６１が噴出する。すなわち、ノズル４６は、直進流６０の噴出口と、旋回流６１の噴出口とを１つのノズル４６内に設けた構造である。なお、ノズル４６は、旋回流ノズル４６ｂの噴出口部分に設けた羽根４６ｃに代えて、旋回流ノズル４６ｂの噴出口近傍の内部に固定されたスパイラル（ヘリカル）形状の部材（図示せず）により旋回流６１が噴出するようにしてもよい。

【0026】

［噴流冷却の適用領域］
続いて、図６および図７を用いて噴流冷却の適用領域、つまり噴流による基板の冷却について説明する。図６は、本実施形態における噴流による基板の冷却の一例を示す図である。図７は、本実施形態におけるノズル近傍の噴流領域の一例を示す図である。図６に示すように、ステージ４１上において各リフトピン４２により支持された基板Ｗと、当該ステージ４１との間の領域６２では、各ノズル４６から噴出した不活性ガスが基板Ｗの裏面に衝突する。衝突後の不活性ガスは、内圧可変室が真空雰囲気であるため、ステージ４１の中心部４４から外周部４５側に向けて流れる。つまり、噴流冷却の適用領域は、基板Ｗの裏面全体である。なお、図６では、各ノズル４６のうち一部のノズル４６を示し、他のノズル４６は省略している。

【0027】

ここで、１つのノズル４６に着目すると、図７に示すように、直進流ノズル４６ａから噴出した直進流６０が基板Ｗに衝突した領域６２ａは、淀み点領域となる。また、直進流６０が衝突後に領域６２ａから基板Ｗの裏面に沿って流れる不活性ガスと、旋回流ノズル４６ｂから噴出した旋回流６１が基板Ｗに衝突して基板Ｗの裏面に沿って流れる不活性ガスとを含む領域６２ｂは、壁噴流領域となる。つまり、直進流と旋回流とを組み合わせることで、淀み点領域である領域６２ａだけでなく、壁噴流領域である領域６２ｂについても冷却することができる。

【0028】

［冷却方法］
次に、本実施形態に係る冷却方法について説明する。図８は、本実施形態における冷却処理の一例を示すフローチャートである。

【0029】

本実施形態に係る冷却方法では、制御装置５０は、トランスファモジュール１０側のゲートバルブ（図示せず）を開放するようにロードロックモジュール４０を制御する。制御装置５０は、フォーク１３に保持された基板Ｗをロードロックモジュール４０に搬入するように搬送機構１１を制御する（ステップＳ１）。制御装置５０は、ステージ４１のリフトピン４２を突出させて基板Ｗを受け取るようにロードロックモジュール４０を制御する。なお、この時点では、ロードロックモジュール４０の内圧可変室内は真空雰囲気である。

【0030】

制御装置５０は、トランスファモジュール１０側のゲートバルブ（図示せず）を閉じるようにロードロックモジュール４０を制御する。制御装置５０は、リフトピン４２で基板Ｗを支持した状態で不活性ガスの噴出を開始するようにロードロックモジュール４０を制御する（ステップＳ２）。ここで、基板Ｗは、不活性ガスの噴出により冷却される。また、制御装置５０は、ロードロックモジュール４０の内圧可変室内にパージガス、例えば不活性ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを供給するようにロードロックモジュール４０を制御してもよい。

【0031】

制御装置５０は、例えば、所定時間経過すると、不活性ガスの噴出を停止するようにロードロックモジュール４０を制御する（ステップＳ３）。なお、この時点でロードロックモジュール４０の内圧可変室内は大気圧雰囲気となっているものとする。また、基板Ｗの冷却は完了しているものとする。

【0032】

制御装置５０は、ローダモジュール３０側のゲートバルブ（図示せず）を開放するようにロードロックモジュール４０を制御する。制御装置５０は、リフトピン４２で支持された基板Ｗをロードロックモジュール４０から搬出するように搬送機構３５を制御する（ステップＳ４）。これにより、ステージ４１では、より速く基板Ｗを均一に冷却できる。すなわち、基板Ｗ内の温度のムラを抑えるので、基板Ｗの反りや割れの発生を抑えることができる。また、冷却時間を短縮できるので、搬送時のスループットを向上させることができる。また、基板Ｗを均一に冷却できるので、搬送精度を向上させることができる。また、熱負荷低減により各装置の信頼性および耐久性を向上させることができる。

【0033】

なお、上記した実施形態では、ノズル４６の直径は全て同一として説明したが、これに限定されない。例えば、中心部４４に配置されるノズル４６の直径と、外周部４５に配置されるノズル４６の直径とが異なるようにしてもよい。例えば、中心部４４側の不活性ガスの流量を大きくするために、中心部４４に配置されるノズル４６の直径が、外周部４５に配置されるノズル４６の直径よりも大きくなるようにしてもよい。

【0034】

以上、本実施形態によれば、クーリングプレート（ステージ４１）は、基板Ｗを支持するリフトピン４２と、基板Ｗを載置可能な載置面（表面４３）と、載置面内に配置され、リフトピン４２で載置面から持ち上げられた状態の基板Ｗに対して、不活性ガスを直進流と旋回流とを組み合わせて吹き付けるノズル４６と、を有する。その結果、より速く基板Ｗを均一に冷却できる。

【0035】

また、本実施形態によれば、旋回流の噴出口（旋回流ノズル４６ｂ）は、出口部分に固定された羽根４６ｃを備える。その結果、不活性ガスを旋回流として噴出できる。

【0036】

また、本実施形態によれば、旋回流の噴出口は、出口近傍の内部に固定されたスパイラル形状部を備える。その結果、不活性ガスを旋回流として噴出できる。

【0037】

また、本実施形態によれば、ノズル４６は、載置面内に複数配置される。その結果、より速く基板Ｗを均一に冷却できる。

【0038】

また、本実施形態によれば、載置面は、円形であり、中心部４４と外周部４５とを備え、ノズル４６は、中心部４４と外周部４５とで異なる配置である。その結果、中心部４４と外周部４５とで不活性ガスの流量を異なる流量とすることができる。

【0039】

また、本実施形態によれば、ノズル４６は、中心部４４に配置される数が、外周部４５に配置される数よりも多い。その結果、中心部４４をより冷却することができる。

【0040】

また、本実施形態によれば、ノズル４６は、中心部４４に配置されるノズル４６の密度が、外周部４５に配置されるノズル４６の密度よりも高い。その結果、中心部４４をより冷却することができる。

【0041】

また、本実施形態によれば、外周部４５に配置されるノズル４６は、同一円周上に均等に配置される。その結果、外周部４５を均等に冷却することができる。

【0042】

また、本実施形態によれば、ノズル４６は、中心部４４に配置されるノズル４６の直径と、外周部４５に配置されるノズル４６の直径とが異なる。その結果、中心部４４と外周部４５とで不活性ガスの流量を異なる流量とすることができる。

【0043】

また、本実施形態によれば、ノズル４６は、中心部４４に配置されるノズル４６の直径が、外周部４５に配置されるノズル４６の直径よりも大きい。その結果、中心部４４をより冷却することができる。

【0044】

また、本実施形態によれば、不活性ガスは、窒素ガスである。その結果、窒素ガスは不活性で熱伝導性が高いので、基板Ｗ上に形成された膜等に影響を与えずに基板Ｗを冷却することができる。

【0045】

今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。

【0046】

また、上記した実施形態では、中心部４４と外周部４５とを均一に冷却する場合を説明したが、これに限定されない。例えば、中心部４４と外周部４５とが異なる温度となるプロセスの基板Ｗに対して、冷却後に基板Ｗ全体で温度が均一となるように冷却してもよいし、中心部４４と外周部４５とを冷却後に異なる温度となるように冷却するようにしてもよい。これにより、プロセスの自由度を向上させることができる。

【0047】

また、上記した実施形態では、ロードロックモジュール４０のステージ４１で基板Ｗを冷却したが、これに限定されない。例えば、プロセスモジュール２０のステージ２１や、図示しないパスのステージで基板Ｗを冷却するようにしてもよい。

【0048】

なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
基板を支持するリフトピンと、
前記基板を載置可能な載置面と、
前記載置面内に配置され、前記リフトピンで前記載置面から持ち上げられた状態の前記基板に対して、不活性ガスを直進流と旋回流とを組み合わせて吹き付けるノズルと、
を有するクーリングプレート。
（２）
前記ノズルは、前記直進流の噴出口と、前記旋回流の噴出口とを１つのノズル内に設けた、
前記（１）に記載のクーリングプレート。
（３）
前記旋回流の噴出口は、出口部分に固定された羽根を備える、
前記（１）または（２）に記載のクーリングプレート。
（４）
前記旋回流の噴出口は、出口近傍の内部に固定されたスパイラル形状部を備える、
前記（１）または（２）に記載のクーリングプレート。
（５）
前記ノズルは、前記載置面内に複数配置される、
前記（１）～（４）のいずれか１つに記載のクーリングプレート。
（６）
前記載置面は、円形であり、中心部と、外周部とを備え、
前記ノズルは、前記中心部と前記外周部とで異なる配置である、
前記（５）に記載のクーリングプレート。
（７）
前記ノズルは、前記中心部に配置される数が、前記外周部に配置される数よりも多い、
前記（６）に記載のクーリングプレート。
（８）
前記ノズルは、前記中心部に配置される前記ノズルの密度が、前記外周部に配置される前記ノズルの密度よりも高い、
前記（６）または（７）に記載のクーリングプレート。
（９）
前記外周部に配置される前記ノズルは、同一円周上に均等に配置される、
前記（６）～（８）のいずれか１つに記載のクーリングプレート。
（１０）
前記ノズルは、前記中心部に配置される前記ノズルの直径と、前記外周部に配置される前記ノズルの直径とが異なる、
前記（６）～（９）のいずれか１つに記載のクーリングプレート。
（１１）
前記ノズルは、前記中心部に配置される前記ノズルの直径が、前記外周部に配置される前記ノズルの直径よりも大きい、
前記（１０）に記載のクーリングプレート。
（１２）
前記不活性ガスは、窒素ガスである、
前記（１）～（１１）のいずれか１つに記載のクーリングプレート。

【符号の説明】

【0049】

１ 基板処理システム
１０ トランスファモジュール
２０ プロセスモジュール
３０ ローダモジュール
４０ ロードロックモジュール
４１ ステージ
４２ リフトピン
４３ 表面
４４ 中心部
４５ 外周部
４６ ノズル
４６ａ 直進流ノズル
４６ｂ 旋回流ノズル
４６ｃ 羽根
５０ 制御装置
６０ 直進流
６１ 旋回流
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】