特開 2023-170412 配線形成用部材、配線形成用積層フィルム、及び半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023170412

(43)【公開日】2023-12-01

(54)【発明の名称】配線形成用部材、配線形成用積層フィルム、及び半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20231124BHJP

   B32B 7/06 20190101ALI20231124BHJP

   B32B 15/08 20060101ALI20231124BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20231124BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 Z

H01L23/12 501P

B32B7/06

B32B15/08 J

H05K1/03 630H

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022082146

(22)【出願日】2022-05-19

(71)【出願人】

【識別番号】000004455

【氏名又は名称】株式会社レゾナック

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100128381

【弁理士】

【氏名又は名称】清水 義憲

(74)【代理人】

【識別番号】100169454

【弁理士】

【氏名又は名称】平野 裕之

(72)【発明者】

【氏名】井上 裕紀子

(72)【発明者】

【氏名】榎本 哲也

(72)【発明者】

【氏名】宮澤 笑

(72)【発明者】

【氏名】赤須 雄太

【テーマコード（参考）】

4F100

【Ｆターム（参考）】

4F100AB00B

4F100AB00D

4F100AK01C

4F100AK01E

4F100AT00A

4F100BA04

4F100BA05

4F100BA07

4F100EJ08C

4F100EJ08E

4F100EJ43

4F100GB43

4F100JB13C

4F100JB13E

4F100JG10E

(57)【要約】

【課題】配線層付き半導体部材の製造プロセスに使用することが可能であり、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能な配線形成用部材を提供すること。
【解決手段】配線形成用部材１０Ａが提供される。当該配線形成用部材１０Ａは、支持部材１と、第１の金属層３ａと、第１の樹脂層５ａと、第２の金属層３ｂとをこの順に備える。第１の樹脂層５ａは、第１の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持部材と、第１の金属層と、第１の樹脂層と、第２の金属層とをこの順に備え、
前記第１の樹脂層が、第１の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する、
配線形成用部材。

【請求項2】

前記支持部材と前記第１の金属層との間に、第２の樹脂層をさらに備え、
前記第２の樹脂層が、第２の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する、
請求項１に記載の配線形成用部材。

【請求項3】

第１の金属層と、
前記第１の金属層の一方の面上に設けられた、第１の硬化性樹脂組成物を含有する第１の硬化性樹脂層と、
前記第１の金属層の他の一方の面上に設けられた、第２の硬化性樹脂組成物を含有する第２の硬化性樹脂層と、
前記第１の硬化性樹脂層の前記第１の金属層とは反対側の面上に設けられた第２の金属層と、
を備える、
配線形成用積層フィルム。

【請求項4】

請求項１又は２に記載の配線形成用部材を準備する工程と、
前記第２の金属層を加工して配線層を形成する工程と、
前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、
前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。

【請求項5】

請求項１又は２に記載の配線形成用部材を準備する工程と、
前記第２の金属層上に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、
前記積層体の前記第１の金属層に対して前記支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、前記支持部材と前記配線層付き半導体部材とを分離する工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、配線形成用部材、配線形成用積層フィルム、及び半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

高密度実装可能な先端パッケージの１つとして、ＦＯ－ＷＬＰ（Ｆａｎ－Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）が知られている。ＦＯ－ＷＬＰは、チップ上に形成された微細な再配線層（ＲＤＬ：Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）が、チップの外形より外側に拡張されて形成されている構造のパッケージである。ＦＯ－ＷＬＰの組み立て工程は、２つに大別することができる。１つは、チップをはじめに搭載してから再配線層を形成する方法であり、Ｃｈｉｐ Ｆｉｒｓｔ法と呼ばれる。もう１つは、再配線層をはじめに形成してからチップを搭載する方法であり、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ－Ｆｉｒｓｔ）法と呼ばれる。

【0003】

近年、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法によるパッケージ（配線層付き半導体部材）の製造プロセスに好適に使用される配線形成用部材の開発が進められている。例えば、特許文献１には、キャリア（支持部材）と、ニッケル合金層と、炭素層と、極薄銅層とを備えるキャリア付銅箔（配線形成用部材）が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１７－１１４０７０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法による配線層付き半導体部材の製造プロセスにおいては、支持部材上の最表面にある金属層を加工して配線層（再配線層）を形成し、又は、金属層上に配線層（再配線層）を設け、必要に応じて、半導体チップを搭載してパッケージ（配線層付き半導体部材）を作製した後に、支持部材と配線層付き半導体部材とを分離する必要がある。しかしながら、従来の配線形成用部材では、支持部材と配線層付き半導体部材との分離が容易ではなく、この点の改善が求められている。

【0006】

そこで、本開示は、配線層付き半導体部材の製造プロセスに使用することが可能であり、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能な配線形成用部材を提供することを主な目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の一側面は、配線形成用部材に関する。当該配線形成用部材は、支持部材と、第１の金属層と、第１の樹脂層と、第２の金属層とをこの順に備える。第１の樹脂層は、第１の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。配線形成用部材は、支持部材と第１の金属層との間に、第２の樹脂層をさらに備えていてもよい。この場合、第２の樹脂層は、第２の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。このような配線形成用部材によれば、パッケージ（配線層付き半導体部材）の製造プロセスに好適に使用することが可能であり、支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射することによって、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能となる。

【0008】

本開示の他の側面は、配線形成用積層フィルムに関する。当該配線形成用積層フィルムは、第１の金属層と、第１の金属層の一方の面上に設けられた、第１の硬化性樹脂組成物を含有する第１の硬化性樹脂層と、第１の金属層の他の一方の面上に設けられた、第２の硬化性樹脂組成物を含有する第２の硬化性樹脂層と、第１の硬化性樹脂層の第１の金属層とは反対側の面上に設けられた第２の金属層とを備える。

【0009】

本開示の他の側面は、半導体装置の製造方法に関する。当該半導体装置の製造方法の一実施形態は、上記の配線形成用部材を準備する工程と、第２の金属層を加工して配線層を形成する工程と、配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、積層体の第１の金属層に対して支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、支持部材と配線層付き半導体部材とを分離する工程とを備える。当該半導体装置の製造方法の他の実施形態は、上記の配線形成用部材を準備する工程と、第２の金属層上に配線層を形成する工程と、配線層上に半導体部材を配置し、配線層付き半導体部材を備える積層体を作製する工程と、積層体の第１の金属層に対して支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射して、支持部材と配線層付き半導体部材とを分離する工程とを備える。

【発明の効果】

【0010】

本開示によれば、配線層付き半導体部材の製造プロセスに使用することが可能であり、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能な配線形成用部材が提供される。また、本開示によれば、このような配線形成用部材を形成するために有用な配線形成用積層フィルムが提供される。さらに、本開示によれば、このような配線形成用部材を用いた半導体装置の製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１（ａ）及び（ｂ）は、配線形成用部材の一実施形態を示す模式断面図である。

【図2】図２は、配線形成用積層フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。

【図3】図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図３（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、各工程を示す模式断面図である。

【図4】図４は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は、各工程を示す模式断面図である。

【図5】図５は、半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図であり、図５（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、各工程を示す模式断面図である。

【図6】図６は、半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、及び（ｅ）は、各工程を示す模式断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。

【0013】

本開示における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

【0014】

本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。

【0015】

本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。

【0016】

本明細書中、以下で例示する材料は、特に断らない限り、条件に該当する範囲で、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。各成分の含有量は、各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、当該複数の物質の合計量を意味する。

【0017】

［配線形成用部材及び配線形成用積層フィルム］
図１（ａ）及び（ｂ）は、配線形成用部材の一実施形態を示す模式断面図である。図１（ａ）に示される配線形成用部材１０Ａは、支持部材１と、第１の金属層３ａと、第１の樹脂層５ａと、第２の金属層３ｂとをこの順に備える。

【0018】

支持部材１は、高い透過率を有し、配線形成時に受ける負荷に耐え得る板状体である。支持部材１としては、例えば、無機ガラス基板、透明樹脂基板等が挙げられる。

【0019】

支持部材１の厚さは、例えば、０．１～２．０ｍｍであってよい。支持部材１の厚さが０．１ｍｍ以上であると、ハンドリングが容易となる傾向にある。支持部材１の厚さが２．０ｍｍ以下であると、材料費を抑制することができる傾向にある。

【0020】

第１の金属層３ａは、赤外光を含む光を吸収して熱を発生する層である。第１の金属層３ａを構成する金属は、赤外光を含む光を吸収して熱を発生する金属であれば特に制限されない。このような金属としては、例えば、クロム、銅、チタン、銀、白金、金等の金属、ニッケル－クロム、ステンレス鋼、銅－亜鉛等の合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化ニオブ等の金属酸化物などが挙げられる。これらの中でも、第１の金属層３ａを構成する金属は、クロム、チタン、銅、アルミニウム、銀、金、又は白金であってよい。

【0021】

第１の金属層３ａは、複数の金属層から構成されていてもよい。このような第１の金属層３ａとしては、例えば、金属層（１）と金属層（２）とを支持部材１からこの順に含む層等が挙げられる。金属層（１）を構成する金属は、支持部材との密着性、成膜性、熱伝導性、低熱容量等の観点から、チタンであってよい。金属層（２）を構成する金属は、高膨張係数、高熱伝導等の観点から、銅、アルミニウム、銀、金、又は白金であってよく、銅又はアルミニウムであってもよい。

【0022】

第１の金属層３ａは、金属箔を用いて形成される金属層、又は、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）によって形成される金属層であってよい。第１の金属層３ａは、支持部材との密着性の観点から、ＰＶＤによって形成される金属層であることが好ましい。

【0023】

第１の金属層３ａの厚さは、軽剥離性の観点から、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）又は５０～３０００ｎｍ（０．０５～３μｍ）であってよい。第１の金属層３ａが金属層（１）と金属層（２）とから構成される層である場合、金属層（１）の厚さは、１～１０００ｎｍ（０．００１～１μｍ）、５～５００ｎｍ（０．００５～０．５μｍ）、又は１０～１００ｎｍ（０．０１～０．１μｍ）であってよく、金属層（２）の厚さは、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）、１０～５００ｎｍ（０．０１～０．５μｍ）、又は５０～２００ｎｍ（０．０５～０．２μｍ）であってよい。

【0024】

第１の樹脂層５ａは、第１の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。第１の硬化性樹脂組成物は、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂組成物であり得る。すなわち、第１の樹脂層５ａは、少なくとも一部が硬化し、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、その後に加熱処理によって硬化（Ｃステージ）状態となり得るものであってよい。

【0025】

Ｂステージとは、ある種の熱硬化性樹脂の反応において、材料がある種の液体に接触する場合には膨潤しかつ加熱する場合には軟化するが、しかし完全には溶解又は溶融しない中間段階を意味し、Ｃステージとは、ある種の熱硬化性樹脂の反応において、その材料が事実上不溶不融となる最終段階を意味する。

【0026】

第１の硬化性樹脂組成物は、一実施形態において、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含む。このとき、第１の硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤、重合性モノマー、重合開始剤、その他の成分等をさらに含んでいてもよい。

【0027】

熱可塑性樹脂は、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であってよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、炭化水素樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、石油樹脂、ノボラック樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、熱可塑性樹脂は、炭化水素樹脂であってよい。

【0028】

炭化水素樹脂は、主骨格が炭化水素で構成される樹脂である。このような炭化水素樹脂としては、例えば、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１－ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・１－ブテン共重合体エラストマー、エチレン・１－ヘキセン共重合体、エチレン・１－オクテン共重合体、エチレン・スチレン共重合体、エチレン・ノルボルネン共重合体、プロピレン・１－ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・非共役ジエン共重合体、エチレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体、エチレン・プロピレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体、ポリイソプレン、ポリブタジエン、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）等が挙げられる。これらの炭化水素樹脂は、水添処理が施されていてもよい。また、これらの炭化水素樹脂は、無水マレイン酸等によってカルボキシ変性されていてもよい。これらのうち、炭化水素樹脂は、スチレンに由来するモノマー単位を含む炭化水素樹脂（スチレン系樹脂）を含んでいてもよく、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）を含んでいてもよい。

【0029】

熱可塑性樹脂のＴｇは、－１００～５００℃、－５０～３００℃、又は－５０～５０℃であってよい。熱可塑性樹脂のＴｇが５００℃以下であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性を確保し易く、低温貼付性を向上させることができる傾向にある。熱可塑性樹脂のＴｇが－１００℃以上であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性が高くなり過ぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる傾向にある。

【0030】

熱可塑性樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。熱可塑性樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１に準拠した方法によって算出される中間点ガラス転移温度である。

【0031】

熱可塑性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万～５００万又は１０万～２００万であってよい。重量平均分子量が１万以上であると、樹脂層の耐熱性を確保し易くなる傾向にある。重量平均分子量が５００万以下であると、フィルム状の樹脂層を形成したときに、フローの低下及び貼付性の低下を抑制し易い傾向にある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

【0032】

熱可塑性樹脂の含有量は、第１の硬化性樹脂組成物の総量１００質量部に対して、４０～９０質量部であってよい。熱可塑性樹脂の含有量は、第１の硬化性樹脂組成物の総量１００質量部に対して、５０質量部以上又は６０質量部以上であってもよく、８５質量部以下又は８０量部以下あってもよい。熱可塑性樹脂の含有量が上記範囲にあると、樹脂層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。

【0033】

熱硬化性樹脂は、熱により硬化する樹脂を意味し、上記炭化水素樹脂を包含しない概念である。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、熱硬化性樹脂は、耐熱性、作業性、及び信頼性により優れることから、エポキシ樹脂であってよい。熱硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂硬化剤（熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂硬化剤）と組み合わせて用いてもよい。

【0034】

エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。また、エポキシ樹脂は、例えば、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、又は複素環含有エポキシ樹脂であってもよい。これらの中でも、エポキシ樹脂は、耐熱性及び耐候性の観点から、脂環式エポキシ樹脂を含んでいてもよい。

【0035】

熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、第１の硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂硬化剤を含んでいてもよい。エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型等のフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。

【0036】

熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の合計の含有量は、第１の硬化性樹脂組成物の総量１００質量部に対して、１０～６０質量部であってよい。熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の合計の含有量は、第１の硬化性樹脂組成物の総量１００質量部に対して、１５質量部以上又は２０質量部以上であってもよく、５０質量部以下又は４０質量部以下であってもよい。熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の合計の含有量が上記範囲にあると、樹脂層の薄膜形成性、平坦性、耐熱性等により優れる傾向にある。

【0037】

第１の硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤をさらに含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール誘導体、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【0038】

硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂硬化剤の総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。硬化促進剤の含有量が上記範囲内であると、硬化性が向上し、耐熱性がより優れる傾向にある。

【0039】

第１の硬化性樹脂組成物は、重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含んでいてもよい。重合性モノマーは、加熱又は紫外光等の照射によって重合するものであれば特に制限されない。重合性モノマーは、材料の選択性及び入手の容易さの観点から、例えば、エチレン性不飽和基等の重合性官能基を有する化合物であってよい。重合性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルピリジン、ビニルアミド、アリール化ビニル等が挙げられる。これらのうち、重合性モノマーは、（メタ）アクリレートであってもよい。（メタ）アクリレートは、単官能（１官能）、２官能、又は３官能以上のいずれであってもよいが、充分な硬化性を得る観点から、２官能以上の（メタ）アクリレートであってもよい。

【0040】

重合性モノマーの含有量は、第１の硬化性樹脂組成物の総量１００質量部に対して、１～６０質量部であってよい。

【0041】

重合開始剤は、加熱又は紫外光等の照射によって重合を開始させるものであれば特に制限されない。例えば、重合性モノマーとして、エチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合、重合性開始剤は熱ラジカル重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤であってよい。

【0042】

重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。

【0043】

第１の硬化性樹脂組成物は、絶縁性フィラー、増感剤、酸化防止剤等のその他の成分をさらに含んでいてもよい。

【0044】

絶縁性フィラーは、樹脂層に低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加され得る。絶縁性フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。これらの絶縁性フィラーは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。絶縁性フィラーは、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。表面処理剤は、例えば、シランカップリング剤であってよい。

【0045】

絶縁性フィラーの含有量は、第１の硬化性樹脂組成物の総量１００質量部に対して、５～２０質量部であってよい。絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、光透過を妨げることなく耐熱性をより向上させることができる傾向にある。また、絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、軽剥離性にも寄与する可能性がある。

【0046】

増感剤としては、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンゾピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン－９－オン、２－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、４－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、１－クロロ－４‐プロポキシチオキサントン等が挙げられる。

【0047】

増感剤の含有量は、第１の硬化性樹脂組成物の総量１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であってよい。増感剤の含有量が上記範囲内であると、第１の硬化性樹脂組成物の特性及び薄膜性への影響が少ない傾向にある。

【0048】

酸化防止剤としては、例えば、ベンゾキノン、ハイドロキノン等のキノン誘導体、４－メトキシフェノール、４－ｔ－ブチルカテコール等のフェノール誘導体（ヒンダードフェノール誘導体）、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル等のアミノキシル誘導体、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体などが挙げられる。

【0049】

酸化防止剤の含有量は、第１の硬化性樹脂組成物の総量１００質量部に対して、０．１～１０質量部であってよい。酸化防止剤の含有量が上記範囲内であると、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の分解を抑制し、汚染を防ぐことができる傾向にある。

【0050】

第１の硬化性樹脂組成物の硬化物は、第１の硬化性樹脂組成物を熱硬化（又は光硬化）させることによって得ることができる。熱硬化の条件は、例えば、３００℃以下又は１００～２５０℃で、１～１８０分間又は１～１２０分間であってよい。

【0051】

第１の硬化性樹脂組成物及びその硬化物は、第１の樹脂層５ａの主成分であり得る。第１の硬化性樹脂組成物及びその硬化物の合計の含有量は、第１の樹脂層５ａの総量を基準として、８０質量％以上、８５質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、又は１００質量％であってよい。第１の樹脂層５ａは、第１の硬化性樹脂組成物及びその硬化物からなるものであってよい。

【0052】

第１の樹脂層５ａの厚さは、応力緩和の観点から、例えば、２００μｍ以下であってよい。第１の硬化性樹脂層１４の厚さは、１～１５０μｍ又は１０～１００μｍであってもよい。

【0053】

第２の金属層３ｂは、加工されて配線層となる層又はめっき等の下地となる層である。第２の金属層３ｂを構成する金属は、銅又はチタンであってよく、銅であってもよい。

【0054】

第２の金属層３ｂは、金属箔を用いて形成される金属層、又は、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）によって形成される金属層であってよい。金属箔は、銅箔又はチタン箔であってよく、銅箔であってもよい。

【0055】

第２の金属層３ｂが金属箔から形成される金属層である場合、第２の金属層３ｂの厚さは、取扱性の観点から、１～４０μｍ、３～３５μｍ、又は５～３０μｍであってよい。第２の金属層３ｂがＰＶＤによって形成される金属層である場合、第２の金属層３ｂの厚さは、取扱性の観点から、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）又は５０～３０００ｎｍ（０．０５～３μｍ）であってよい。

【0056】

図１（ａ）に示される配線形成用部材１０Ａの製造方法は、所定の構成を有する部材を得ることができるのであれば特に制限されない。配線形成用部材１０Ａは、例えば、支持部材１上に第１の金属層３ａを設ける工程（工程１Ａ）と、第１の金属層３ａ上に第１の樹脂層５ａを設ける工程（工程１Ｂ）と、第１の樹脂層５ａ上に第２の金属層３ｂを設ける工程（工程１Ｃ）とを備える方法によって得ることができる。

【0057】

（工程１Ａ）
第１の金属層３ａは、支持部材１上に、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）を実施することによって設けることができる。第１の金属層３ａは、支持部材１上に、電解めっき又は無電解めっきを実施することによっても設けることができる。物理気相成長によれば、支持部材１が大きな面積を有していても、支持部材１の表面を覆う第１の金属層３ａを効率的に形成することができる。

【0058】

（工程１Ｂ）
第１の金属層３ａ上に第１の樹脂層５ａを設ける方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。まず、第１の硬化性樹脂組成物の各成分を、溶剤中で撹拌、混錬等を行うことによって、溶解又は分散させ、第１の硬化性樹脂組成物を含有する第１の樹脂ワニスを調製する。次いで、離型処理を施した支持フィルム上に、第１の樹脂ワニスをナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター、コンマコーター、ダイコーター等を用いて塗工した後、加熱によって溶剤を揮発させて、支持フィルム上に、第１の樹脂フィルムを形成する。このとき、第１の樹脂ワニスの塗工量を調整することによって、第１の樹脂フィルム（第１の樹脂層５ａ）の厚さを調整することができる。第１の樹脂フィルムの厚さは、上記の第１の樹脂層５ａの厚さと同様であってよい。次いで、第１の金属層３ａに、得られた第１の樹脂フィルム（第１の樹脂層５ａ）を貼り付けることによって、第１の樹脂層５ａを設けることができる。

【0059】

第１の樹脂ワニスで使用される溶剤は、各成分を均一に溶解又は分散し得る特性を有するものであれば特に制限されない。このような溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。

【0060】

第１の樹脂ワニスを調製する際の撹拌又は混錬は、例えば、撹拌機、らいかい機、３本ロール、ボールミル、ビーズミル、ホモディスパー等を用いて行うことができる。

【0061】

支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ（メタ）アクリレート、ポリスルホン、液晶ポリマのフィルム等が挙げられる。支持フィルムの厚さは、例えば、１～２５０μｍであってよい。

【0062】

支持フィルムへ塗工した第１の樹脂ワニスから溶剤を揮発させる際の加熱条件は、使用する溶剤の種類等に合わせて適宜設定することができる。加熱条件は、例えば、４０～１２０℃で０．１～３０分間であってよい。

【0063】

第１の金属層３ａに第１の樹脂フィルム（第１の樹脂層５ａ）を貼り付ける方法としては、例えば、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等の方法が挙げられる。ラミネートは、例えば、０～１２０℃の温度条件下で行うことができる。

【0064】

第１の金属層３ａ上に第１の樹脂層５ａを設ける方法の他の例としては、例えば、第１の樹脂ワニスを第１の金属層３ａ上に直接塗工し、溶剤を加熱によって揮発させて、第１の樹脂層５ａを形成する方法が挙げられる。

【0065】

（工程１Ｃ）
第２の金属層３ｂは、第１の樹脂層５ａ上に金属箔を配置することによって形成することができる。第２の金属層３ｂは、第１の樹脂層５ａ上に真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）を実施することによっても形成することができる。

【0066】

第１の樹脂層５ａ上に金属箔を用いて第２の金属層３ｂを形成する場合、第１の樹脂層５ａは、Ｂステージ状態であることが好ましい。また、第１の樹脂層５ａは、第２の金属層３ｂを加工する前に、第１の硬化性樹脂組成物を硬化させ、第１の硬化性樹脂組成物の硬化物を多く含み得るＣステージ状態とすることが好ましい。

【0067】

第１の樹脂層５ａ上にＰＶＤを実施することによって第２の金属層３ｂを形成する場合、第１の樹脂層５ａは、Ｂステージ状態であっても、第１の硬化性樹脂組成物の硬化物を多く含み得るＣステージ状態であってもよいが、低分子成分の揮発を抑制する観点から、Ｃステージ状態であることが好ましい。第１の樹脂層５ａ中の第１の硬化性樹脂組成物を熱硬化（又は光硬化）させる条件は、上記と同様であってよい。

【0068】

配線形成用部材１０Ａは、例えば、支持部材１と第１の金属層３ａとを含む積層体Ａを作製する工程（工程１Ｄ）と、第１の樹脂層５ａと第２の金属層３ｂとを含む積層体Ｂを作製する工程（工程１Ｅ）と、積層体Ａの第１の金属層３ａに積層体Ｂの第１の樹脂層５ａを貼り付ける工程（工程１Ｆ）とを備える方法によっても得ることができる。

【0069】

（工程１Ｄ）
積層体Ａは、工程１Ａと同様にして、支持部材１上に第１の金属層３ａを形成することによって得ることができる。

【0070】

（工程１Ｅ）
積層体Ｂは、工程１Ｂと同様にして、支持フィルム上に第１の樹脂フィルム（第１の樹脂層５ａ）を形成し、工程１Ｃと同様にして、第１の樹脂層５ａ上に、第２の金属層３ｂを形成することによって得ることができる。

【0071】

（工程１Ｆ）
配線形成用部材１０Ａは、積層体Ａの第１の金属層３ａに積層体Ｂの第１の樹脂層５ａを貼り付けることによって得ることができる。積層体Ａの第１の金属層３ａに積層体Ｂの第１の樹脂層５ａを貼り付ける方法は、上記の第１の金属層３ａに第１の樹脂フィルムを貼り付ける方法と同様であってよい。

【0072】

図１（ｂ）に示される配線形成用部材１０Ｂは、支持部材１と、第２の樹脂層５ｂと、第１の金属層３ａと、第１の樹脂層５ａと、第２の金属層３ｂとをこの順に備える。第２の樹脂層５ｂは、第２の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。配線形成用部材１０Ｂは、配線形成用部材１０Ａにおいて、支持部材１と第１の金属層３ａとの間に、第２の樹脂層５ｂをさらに備えるものということができる。

【0073】

第２の樹脂層５ｂは、第２の硬化性樹脂組成物又はその硬化物を含有する。第２の硬化性樹脂組成物は、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂組成物であり得る。すなわち、第２の樹脂層５ｂは、少なくとも一部が硬化した、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、その後に加熱処理によって硬化（Ｃステージ）状態となり得るものであってよい。第２の硬化性樹脂組成物は、第１の硬化性樹脂組成物と同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。第２の硬化性樹脂組成物は、一実施形態において、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含む。このとき、第２の硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤、重合性モノマー、重合開始剤、その他の成分等をさらに含んでいてもよい。第２の硬化性樹脂組成物の各成分としては、第１の硬化性樹脂組成物の各成分と同様のものが例示される。また、第２の硬化性樹脂組成物の各成分の含有量は、第１の硬化性樹脂組成物の各成分の含有量と同様である。したがって、ここでは、重複する説明を省略する。

【0074】

第２の硬化性樹脂組成物又はその硬化物は、第２の樹脂層５ｂの主成分であり得る。第２の硬化性樹脂組成物及びその硬化物の合計の含有量は、第２の樹脂層５ｂの総量を基準として、８０質量％以上、８５質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、又は１００質量％であってよい。第２の樹脂層５ｂは、第２の硬化性樹脂組成物及びその硬化物からなるものであってよい。

【0075】

第２の樹脂層５ｂの厚さは、光透過性の観点から、例えば、２００μｍ以下であってよい。第２の樹脂層５ｂの厚さは、１～１５０μｍ又は１０～１００μｍであってもよい。

【0076】

支持部材１と第１の金属層３ａとの間に第２の樹脂層５ｂをさらに備える場合、第１の金属層３ａは、金属箔を用いて形成される金属層、又は、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）によって形成される金属層であってよく、金属箔を用いて形成される金属層であることが好ましい。

【0077】

金属箔は、赤外光を含む光を吸収して熱を発生する金属からなる金属箔であれば特に制限されない。このような金属箔を構成する金属としては、例えば、銀、金、白金、銅、チタン、ニッケル、モリブデン、クロム、アルミニウム等の単一金属；ＳＵＳ、ニクロム、ジュラルミン、青銅、白銅、黄銅、鋼等の合金などが挙げられる。金属箔を構成する金属は、高膨張係数、高熱伝導等の観点から、銀、金、白金、銅、チタン、ニッケル、モリブデン、クロム、及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよく、銅であってもよい。

【0078】

第１の金属層３ａが金属箔を用いて形成される金属層である場合、第１の金属層３ａの厚さは、取扱性の観点から、１～４０μｍ、３～３５μｍ、又は５～３０μｍであってよい。第１の金属層３ａがＰＶＤによって形成される金属層である場合、第１の金属層３ａの厚さは、取扱性の観点から、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）又は５０～３０００ｎｍ（０．０５～３μｍ）であってよい。

【0079】

図１（ｂ）に示される配線形成用部材１０Ｂの製造方法は、所定の構成を有する部材を得ることができるのであれば特に制限されない。配線形成用部材１０Ｂは、例えば、支持部材１上に第２の樹脂層５ｂを設ける工程（工程２Ａ）と、第２の樹脂層５ｂ上に第１の金属層３ａを設ける工程（工程２Ｂ）と、第１の金属層３ａ上に第１の樹脂層５ａを設ける工程（工程２Ｃ）と、第１の樹脂層５ａ上に第２の金属層３ｂを設ける工程（工程２Ｄ）とを備える方法によって得ることができる。

【0080】

（工程２Ａ）
支持部材１上に第２の樹脂層５ｂを設ける方法としては、上記の工程１Ｂと同様にして、第２の硬化性樹脂組成物を含有する第２の樹脂ワニスを調製し、第２の樹脂フィルムを形成する。次いで、支持部材１に、得られた第２の樹脂フィルム（第２の樹脂層５ｂ）を貼り付けることによって、第２の樹脂層５ｂを設けることができる。第２の樹脂フィルムの厚さは、上記の第２の樹脂層５ｂの厚さと同様であってよい。支持部材１上に第２の樹脂層５ｂを設ける方法の他の例としては、例えば、第２の樹脂ワニスを支持部材１上に直接塗工し、溶剤を加熱によって揮発させて、第２の樹脂層５ｂを形成する方法が挙げられる。

【0081】

（工程２Ｂ）
第１の金属層３ａは、第２の樹脂層５ｂ上に金属箔を配置することによって形成することができる。第１の金属層３ａは、第２の樹脂層５ｂ上に真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）を実施することによっても形成することができる。

【0082】

第２の樹脂層５ｂ上に金属箔を配置する方法は、第１の樹脂層５ａ上に金属箔を配置する方法と同様であってよい。金属箔を配置する場合、第２の樹脂層５ｂは、Ｂステージ状態であることが好ましい。また、第２の樹脂層５ｂは、第２の金属層３ｂを加工する前に、第２の硬化性樹脂組成物を硬化させ、第２の硬化性樹脂組成物の硬化物を多く含み得るＣステージ状態とすることが好ましい。第２の硬化性樹脂組成物を硬化させる場合、第１の硬化性樹脂組成物も硬化し得ることから、第２の樹脂層５ｂがＣステージ状態である場合は、第１の樹脂層５ａもＣステージ状態であり得る。熱硬化の条件は、上記と同様であってよい。

【0083】

第２の樹脂層５ｂ上にＰＶＤを実施することによって第１の金属層３ａを形成する場合、第２の樹脂層５ｂは、Ｂステージ状態であっても、第２の硬化性樹脂組成物の硬化物を多く含み得るＣステージ状態であってもよいが、低分子成分の揮発を抑制する観点から、Ｃステージ状態であることが好ましい。第２の樹脂層５ｂ中の第２の硬化性樹脂組成物を熱硬化（又は光硬化）させる条件は、上記と同様であってよい。

【0084】

（工程２Ｃ）
第１の金属層３ａ上に第１の樹脂層５ａを設ける方法は、上記の工程１Ｂと同様であってよい。

【0085】

（工程２Ｄ）
第２の金属層３ｂは、工程１Ｃと同様にして、第１の樹脂層５ａ上に形成することができる。

【0086】

図２は、配線形成用積層フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図２に示される配線形成用積層フィルム２０は、第１の金属層３ａと、第１の金属層３ａの一方の面上に設けられた、第１の硬化性樹脂組成物を含有する第１の硬化性樹脂層７ａと、第１の金属層３ａの他の一方の面上に設けられた、第２の硬化性樹脂組成物を含有する第２の硬化性樹脂層７ｂと、第１の硬化性樹脂層７ａの第１の金属層３ａとは反対側の面上に設けられた第２の金属層３ｂとを備える。配線形成用積層フィルム２０は、第２の硬化性樹脂層７ｂと、第１の金属層３ａと、第１の硬化性樹脂層７ａと、第２の金属層３ｂとをこの順に備える。第１の硬化性樹脂層７ａに含有される第１の硬化性樹脂組成物は、第１の樹脂層５ａに含有される第１の硬化性樹脂組成物と同一であり、第２の硬化性樹脂層７ｂに含有される第２の硬化性樹脂組成物は、第２の樹脂層５ｂに含有される第２の硬化性樹脂組成物と同一である。

【0087】

配線形成用部材１０Ｂは、例えば、配線形成用積層フィルム２０を作製する工程（工程２Ｅ）と、支持部材１に配線形成用積層フィルム２０の第２の硬化性樹脂層７ｂを貼り付ける工程（工程２Ｆ）とを備える方法によっても得ることができる。

【0088】

（工程２Ｅ）
配線形成用積層フィルム２０は、例えば、工程２Ａと同様にして、支持フィルム上に第２の硬化性樹脂層７ｂを形成し、工程２Ｂと同様にして、第２の硬化性樹脂層７ｂ上に第１の金属層３ａを形成し、工程２Ｃと同様にして、第１の金属層３ａ上に第１の硬化性樹脂層７ａを形成し、さらに第１の硬化性樹脂層７ａ上に第１の金属層３ａを形成することによって得ることができる。

【0089】

（工程２Ｆ）
配線形成用部材１０Ｂは、支持部材１に配線形成用積層フィルム２０の第２の硬化性樹脂層７ｂを貼り付けることによって得ることができる。支持部材１に配線形成用積層フィルム２０の第２の硬化性樹脂層７ｂを貼り付ける方法は、上記の第１の金属層３ａに第１の樹脂フィルムを貼り付ける方法と同様であってよい。

【0090】

このようにして、配線形成用部材１０Ａ，１０Ｂを得ることができる。配線形成用部材１０Ａ，１０Ｂにおいて、第１の樹脂層５ａは、第１の硬化性樹脂組成物の硬化物を含有することが好ましく、第２の樹脂層５ｂは、第２の硬化性樹脂組成物の硬化物を含有することが好ましい。すなわち、第１の樹脂層５ａ及び第２の樹脂層５ｂは、Ｃステージ状態にあることが好ましい。

【0091】

このような配線形成用部材１０Ａ，１０Ｂによれば、パッケージ（配線層付き半導体部材）の製造プロセスに好適に使用することが可能であり、支持部材側から少なくとも赤外光を含む光を照射することによって、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能となる。

【0092】

［半導体装置の製造方法］
図３及び図４は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。半導体装置の製造方法の一実施形態は、上記の配線形成用部材１０Ｂを準備する工程（工程３Ａ、図３（ａ）参照）と、第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する工程（工程３Ｂ、図３（ｂ）参照）と、配線層１１上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材３０を備える積層体４０を作製する工程（工程３Ｃ、図３（ｃ）参照）と、積層体４０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離する工程（工程３Ｄ、図４（ａ）、（ｂ）参照）とを備える。

【0093】

（工程３Ａ）
本工程では、上記の配線形成用部材を準備する。以下では、主に、配線形成用部材１０Ｂを用いた態様について詳細に説明する。

【0094】

（工程３Ｂ）
本工程では、第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する。第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する方法としては、例えば、サブトラクティブ法（エッチング法）等が挙げられる。

【0095】

サブトラクティブ法は、金属層上に、所望のパターン形状に対応した形状のエッチングレジスト層を形成し、その後の現像処理によって、レジストの除去された部分の金属層を薬液で溶解して除去することによって、所望の回路を有する配線層を形成する方法である。第２の金属層３ｂを加工して配線層１１を形成する方法としてサブトラクティブ法を適用する場合、従来公知のレジスト、薬液等を使用することができる。また、サブトラクティブ法を適用する場合、第２の金属層３ｂは、金属箔を用いて形成される金属層であってよい。

【0096】

（工程３Ｃ）
本工程では、配線層１１上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材３０を備える積層体４０を作製する。半導体部材１５としては、例えば、半導体ウェハ、半導体ウェハを分割して得られる半導体チップ等が挙げられる。配線層１１上に配置される半導体部材１５の数は、１個であってもよく、複数であってもよい。半導体部材１５の厚さは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時、加工工程等の際の割れ抑制の観点から、１～１０００μｍ、１０～５００μｍ、又は２０～２００μｍであってよい。

【0097】

半導体部材１５を配線層１１上に配置する場合、半導体部材１５が配置される面における配線層１１が形成されていない部分には、絶縁層１３が形成されていてもよい。

【0098】

半導体部材１５は、配線層１１上に配置した後に所望の加工が実施されてもよい。半導体部材の加工は、例えば、半導体ウェハ又は半導体チップの薄化、半導体部材の分割（ダイシング）、貫通電極の形成、エッチング処理、めっきリフロー処理、スパッタリング処理、又はこれらの組み合わせを含むことができる。加工された半導体部材は、封止層で封止されていてもよい。封止層は、半導体部材（半導体装置）の製造のために通常用いられる封止材を用いて形成することができる。封止層を形成した後、封止層及び配線層を、半導体部材を１個ずつ含む複数の部分に分割してもよい。

【0099】

（工程３Ｄ）
本工程では、積層体４０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離する。光Ａの照射によって、第１の金属層３ａが光を吸収して熱を瞬間的に発生する。発生した熱によって、第１の樹脂層５ａの溶融、支持部材１と配線層付き半導体部材３０との間に生じる熱応力等が発生し得る。これらの現象が主な原因となって、例えば、界面剥離（例えば、第１の金属層３ａと第１の樹脂層５ａとの界面における界面剥離）、凝集剥離（例えば、第１の樹脂層５ａにおける凝集剥離）などが発生して、支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離し得る。支持部材１と配線層付き半導体部材３０とを分離するために、光Ａの照射とともに、配線層付き半導体部材３０に対して応力をわずかに加えてもよい。

【0100】

光Ａは、少なくとも赤外光を含む。赤外光の波長は、通常、７００ｎｍ～１ｍｍである。

【0101】

光Ａは、コヒーレント光であってよい。コヒーレント光は、可干渉性が高い、指向性が高い、単色性が高いといった性質を有する電磁波である。コヒーレント光は、同一波長で同位相の光が互いに強め合って合成されるため、強度が高い傾向を有する。レーザー光は、一般にコヒーレント光である。レーザー光は、ＹＡＧレーザー、ファイバレーザー、半導体レーザー、ヘリウムーネオンレーザー、アルゴンレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。レーザー光の波長は、１３００ｎｍ以下であってもよい。波長が１３００ｎｍ以下であることにより、支持部材１の光吸収が抑制され、かつ、第１の金属層３ａの光吸収が高くなるため、より低い光照射エネルギーではく離することが可能である。コヒーレント光は、パルス光であってもよい。

【0102】

光Ａは、インコヒーレント光であってよい。インコヒーレント光は、コヒーレントでない光であり、干渉縞が発生しない、可干渉性が低い、指向性が低いといった性質を有する電磁波である。インコヒーレント光は、光路長が長くなるほど、減衰する傾向を有する。太陽光、蛍光灯の光等の光は、インコヒーレント光である。インコヒーレント光は、レーザー光を除く光ということもできる。インコヒーレント光の照射面積は、一般にコヒーレント光（すなわち、レーザー光）よりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすることが可能である。例えば、１回の照射により、複数の配線層付き半導体部材３０の分離を生じさせ得る。インコヒーレント光は、パルス光であってもよい。

【0103】

光の光源は、特に制限されないが、キセノンランプであってよい。キセノンランプは、キセノンガスを封入した発光管での印加・放電による発光を利用したランプである。キセノンランプは、電離及び励起を繰り返しながら放電するため、紫外光領域から赤外光領域までの連続波長を安定的に有する。キセノンランプは、メタルハライドランプ等のランプと比較して始動に要する時間が短いため、工程に係る時間を大幅に短縮することができる。また、発光には、高電圧を印加する必要があるため、高熱が瞬間的に生じるが、冷却時間が短く、連続的な作業が可能な点でも、キセノンランプは有利である。

【0104】

配線層付き半導体部材３０の配線層１１上には、第１の樹脂層５ａの全部又は一部が残渣として付着することがある。付着した残さは、図４（ｃ）に示されるように除去される。付着した残さは、例えば、ピールにより剥離されてもよいし、溶剤で洗浄することにより除去されてもよい。溶剤としては、エタノール、メタノール、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ヘキサン等が挙げられる。付着した残さの除去のために、配線層付き半導体部材３０を溶剤に浸漬させてもよいし、超音波洗浄を行ってもよい。また、付着した残さの除去のために、必要に応じて、１００℃以下程度の低温で配線層付き半導体部材３０を加熱してもよい。

【0105】

このようにして、配線層付き半導体部材３０（半導体装置５０）を得ることができる。配線層付き半導体部材３０には、例えば、図４（ｄ）に示されるように、配線層付き半導体部材３０の配線層１１上にはんだボール１７が設けられていてもよい。

【0106】

半導体装置の製造方法の他の実施形態は、上記の配線形成用部材１０Ｂを準備する工程（工程４Ａ、図５（ａ）参照）と、第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する工程（工程４Ｂ、図５（ｂ）参照）と、配線層１２上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材６０を備える積層体７０を作製する工程（工程４Ｃ、図５（ｃ）参照）と、積層体７０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材６０とを分離する工程（工程４Ｄ、図６（ａ）、（ｂ）参照）とを備える。

【0107】

（工程４Ａ）
本工程では、上記の配線形成用部材を準備する。以下では、主に、配線形成用部材１０Ｂを用いた態様について詳細に説明する。

【0108】

（工程４Ｂ）
本工程では、第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する。第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する方法としては、例えば、セミアディティブ法等が挙げられる。

【0109】

セミアディティブ法は、金属層上に所望のパターンに対応した形状のめっきレジスト層を形成し、次いで、電解めっき法によって配線層を形成した後、レジスト層を除去することによって、所望の回路を有する配線層を形成する方法である。不要な金属層は、薬液等を用いてもよいし、配線層付き半導体部材を作製した後に除去してもよい。第２の金属層３ｂ上に配線層１２を形成する方法としてセミアディティブ法を適用する場合、従来公知のレジスト、薬液等を使用することができる。また、セミアディティブ法を適用する場合、第２の金属層３ｂは、ＰＶＤによって形成される金属層であってよい。

【0110】

（工程４Ｃ）
本工程では、配線層１２上に半導体部材１５を配置し、配線層付き半導体部材６０を備える積層体７０を作製する。本工程は、工程３Ｃと同様であることから、重複する説明を省略する。

【0111】

（工程４Ｄ）
本工程では、積層体７０の第１の金属層３ａに対して支持部材１側から少なくとも赤外光を含む光Ａを照射して、支持部材１と配線層付き半導体部材６０とを分離する。本工程は、工程３Ｄと同様であることから、重複する説明を省略する。

【0112】

配線層付き半導体部材６０の配線層１２上には、第２の金属層３ｂが付着することがある。第２の金属層３ｂは、図６（ｄ）に示されるように除去される。第２の金属層３ｂは、例えば、薬液；プラズマ等によるエッチングなどにより除去されてもよい。

【0113】

このようにして、配線層付き半導体部材６０（半導体装置８０）を得ることができる。配線層付き半導体部材６０には、例えば、図６（ｅ）に示されるように、配線層付き半導体部材６０の配線層１２上にはんだボール１７が設けられていてもよい。

【産業上の利用可能性】

【0114】

本開示の配線形成用部材は、配線層付き半導体部材の製造プロセスに使用することが可能であり、支持部材と配線層付き半導体部材とを容易に分離することが可能となる。また、本開示によれば、このような配線形成用部材を形成するために有用な配線形成用積層フィルムを提供することができる。さらに、本開示によれば、このような配線形成用部材を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

【符号の説明】

【0115】

１…支持部材、３ａ…第１の金属層、３ｂ…第２の金属層、５ａ…第１の樹脂層、５ｂ…第２の樹脂層、７ａ…第１の硬化性樹脂層、７ｂ…第２の硬化性樹脂層、１０Ａ，１０Ｂ…配線形成用部材、１１，１２…配線層、１３…絶縁層、１５…半導体部材、１７…はんだボール、２０…配線形成用積層フィルム、３０，６０…配線層付き半導体部材、４０，７０…積層体、５０，８０…半導体装置。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】