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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023173096
(43)【公開日】2023-12-07
(54)【発明の名称】絶縁性熱伝導シート
(51)【国際特許分類】
C08L 83/07 20060101AFI20231130BHJP
C08K 3/38 20060101ALI20231130BHJP
C08L 83/05 20060101ALI20231130BHJP
H01L 23/36 20060101ALI20231130BHJP
H01L 23/373 20060101ALI20231130BHJP
【ＦＩ】
C08L83/07
C08K3/38
C08L83/05
H01L23/36 D
H01L23/36 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022085096
(22)【出願日】2022-05-25
(71)【出願人】
【識別番号】000002060
【氏名又は名称】信越化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003063
【氏名又は名称】弁理士法人牛木国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】塚田 淳一
(72)【発明者】
【氏名】今泉 圭司
【テーマコード（参考）】
4J002
5F136
【Ｆターム（参考）】
4J002CP04X
4J002CP13W
4J002CP14W
4J002DD047
4J002DE187
4J002DK006
4J002FD206
4J002FD207
4J002GN00
4J002GQ00
5F136BC07
5F136FA14
5F136FA15
5F136FA16
5F136FA18
5F136FA53
5F136FA63
5F136FA82
5F136GA17
5F136GA35
(57)【要約】
【課題】厚さ方向の熱伝導性に優れ、かつ柔軟な絶縁性熱伝導シートの提供。
【解決手段】
（Ａ）下記（Ａ１）～（Ａ３）を含む熱硬化性シリコーン樹脂：１００質量部
（Ａ１）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン
（Ａ２）特定の構造を有する（Ａ２－ａ）及び特定の構造を有する（Ａ２－ｂ）からなる１分子中に２個以上のヒドリシリル基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン
（Ａ３）ヒドロシリル化触媒
（Ｂ）レーザー回折・散乱法により計測される平均粒径が４０～１００μｍでアスペクト比が２０～１００の窒化ホウ素：１５０～５００質量部
を含む熱伝導性シリコーン樹脂組成物の硬化物である絶縁性熱伝導シート。
【選択図】なし
【解決手段】
（Ａ）下記（Ａ１）～（Ａ３）を含む熱硬化性シリコーン樹脂：１００質量部
（Ａ１）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン
（Ａ２）特定の構造を有する（Ａ２－ａ）及び特定の構造を有する（Ａ２－ｂ）からなる１分子中に２個以上のヒドリシリル基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン
（Ａ３）ヒドロシリル化触媒
（Ｂ）レーザー回折・散乱法により計測される平均粒径が４０～１００μｍでアスペクト比が２０～１００の窒化ホウ素：１５０～５００質量部
を含む熱伝導性シリコーン樹脂組成物の硬化物である絶縁性熱伝導シート。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記（Ａ）及び（Ｂ）成分；
（Ａ）下記（Ａ１）～（Ａ３）を含む熱硬化性シリコーン樹脂：１００質量部
（Ａ１）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン
（Ａ２）下記（Ａ２－ａ）及び（Ａ２－ｂ）からなるオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記（Ａ１）成分中のケイ素原子に結合したアルケニル基に対する前記（Ａ２）成分中のヒドロシリル基の総量のモル比が０．７～１．２となる量
（Ａ２－ａ）下記式（ａ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
（ｍは２または３であり、ｎは１０～５０の数であり、ｍ、ｎで括られた各シロキサン単位の結合順序は、ブロックでもランダムでもよい）
（Ａ２－ｂ）下記式（ｂ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
（ｐは１０～３０の数である）
（上記（Ａ２－ａ）成分と（Ａ２－ｂ）成分とのモル比は、（Ａ２－ａ）成分：（Ａ２－ｂ）成分＝１：０．２～１：２である）
（Ａ３）ヒドロシリル化触媒：（Ａ１）成分１００質量部に対して白金族金属原子換算で１００～３，０００ｐｐｍとなる量
（Ｂ）レーザー回折・散乱法により計測される平均粒径が４０～１００μｍでアスペクト比が２０～１００の窒化ホウ素：１５０～５００質量部
を含む熱伝導性シリコーン樹脂組成物の硬化物である絶縁性熱伝導シートであって、
前記絶縁性熱伝導シートのＸ線回折法により検出される厚さ方向の配向度が［２θ＝４１～４３°］のカウント和／［２θ＝２５～２７°］のカウント和＝１以上である絶縁性熱伝導シート。
（Ａ）下記（Ａ１）～（Ａ３）を含む熱硬化性シリコーン樹脂：１００質量部
（Ａ１）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン
（Ａ２）下記（Ａ２－ａ）及び（Ａ２－ｂ）からなるオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記（Ａ１）成分中のケイ素原子に結合したアルケニル基に対する前記（Ａ２）成分中のヒドロシリル基の総量のモル比が０．７～１．２となる量
（Ａ２－ａ）下記式（ａ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
【化1】
（Ａ２－ｂ）下記式（ｂ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
【化2】
（上記（Ａ２－ａ）成分と（Ａ２－ｂ）成分とのモル比は、（Ａ２－ａ）成分：（Ａ２－ｂ）成分＝１：０．２～１：２である）
（Ａ３）ヒドロシリル化触媒：（Ａ１）成分１００質量部に対して白金族金属原子換算で１００～３，０００ｐｐｍとなる量
（Ｂ）レーザー回折・散乱法により計測される平均粒径が４０～１００μｍでアスペクト比が２０～１００の窒化ホウ素：１５０～５００質量部
を含む熱伝導性シリコーン樹脂組成物の硬化物である絶縁性熱伝導シートであって、
前記絶縁性熱伝導シートのＸ線回折法により検出される厚さ方向の配向度が［２θ＝４１～４３°］のカウント和／［２θ＝２５～２７°］のカウント和＝１以上である絶縁性熱伝導シート。
【請求項2】
アスカーＣ硬度が２０～６０である請求項１に記載の絶縁性熱伝導シート。
【請求項3】
厚さ方向の熱伝導率が１６～３０Ｗ／ｍＫである請求項１または２に記載の絶縁性熱伝導シート。
【請求項4】
絶縁破壊電圧が５ｋＶ／ｍｍ以上である請求項１に記載の絶縁性熱伝導シート。
【請求項5】
比重が１．２～２．０である請求項１に記載の絶縁性熱伝導シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は電気絶縁性を備える熱伝導シートに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子機器の更なる高性能化に伴い、半導体素子の高密度化、および高実装化が進んでいる。これに伴い、電子機器を構成する電子部品から発生する熱量も増加し、効率よく放熱する事が重要になっている。これに対し、発熱体から生じる熱を放熱するため、一般的にヒートシンクなどの放熱体が用いられる。発熱体と放熱体の間には伝熱効率を高める目的で放熱シートを配置されることが知られている。
【0003】
特に自動車の電子化が著しく、電子部品搭載個数が増加し、放熱部材の需要が増えている。放熱部材にはシートタイプやグリースタイプがあるが、実装のし易さなどからシートタイプが好んで使用されている場合が多い。また、自動運転を背景としてこのような放熱部材においては、さらなる熱伝導性の向上が要求されている。一般的に高熱伝導性を目的としてポリマー内に分散されたフィラーの充填率を高める必要があるため、比重が高くなる傾向があるが、ガソリン車の燃費、ＥＶ車の電費を向上させる軽量化を進めるうえで問題となっている。
【0004】
例えば、特許文献１において、ポリマー、異方性フィラー、および充填剤を含有する熱伝導性組成物を押出機で押出すことにより、当該押出成形物を硬化させて硬化物を得る硬化工程と、当該硬化物を、超音波カッターを用いて押出し方向に対し垂直方向に所定の厚さに切断する切断工程と、を少なくとも含む熱伝導性樹脂シートの製造方法が提案されている。
【0005】
また、例えば特許文献２においても、ポリマー、異方性フィラー、および充填剤を含有する熱伝導性組成物に磁場を印加して異方性熱伝導フィラーを配向させ、塊状成形体を形成し、所望のシート厚みにスライスを実行する熱伝導性シートの製造方法が提案されている。
【0006】
また、例えば特許文献３においても、ポリマー、異方性フィラー、および充填剤を含有する熱伝導性組成物を異方性フィラー長径の平均値の２０倍以下の厚さに圧延成形、プレス成形、押出成形又は塗工することで配向した一次シートを作製し、該一次シートを積層した成形体をスライスする熱伝導シートの製造方法が提案されている。
【0007】
さらに、特許文献４においても同様に、扁平状の窒化ホウ素をアラミド樹脂に高充填し配向させた一次シートを作製後、絶縁接着層を塗布し積層した成型体をスライスする絶縁熱伝導シートの製造方法が提案されている。
【0008】
しかしながら、これらの従来の方法によって得られる熱伝導シートは、窒化ホウ素等の異方性フィラーを高充填し、配向することにより、シートの硬度が高くなる傾向がある。このため、従来の方法によって得られる熱伝導シートは発熱部品との密着が低下し、十分な放熱性を発揮できない問題があった。
また、熱伝導シートは発熱部品の昇温・降温の影響を受け、膨張・収縮することが一般的である。このため、積層界面が異なる材料や硬度で構成される場合、長期的信頼性の面で大きな懸念があった。
また、熱伝導シートは発熱部品の昇温・降温の影響を受け、膨張・収縮することが一般的である。このため、積層界面が異なる材料や硬度で構成される場合、長期的信頼性の面で大きな懸念があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開２０１２－０２３３３５号公報
【特許文献2】特開２０１９－１８６５５５号公報
【特許文献3】特開２０１７－１２６６１４号公報
【特許文献4】国際公開第２０２１／０９０９２９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
従って、本発明は、厚さ方向の熱伝導性に優れ、かつ柔軟な絶縁性熱伝導シートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明者らは上記課題を解決するため鋭意研究した結果、窒化ホウ素を高配向し、シリコーン樹脂の架橋構造をコントロールすることで、厚さ方向の熱伝導性に優れ、かつ柔軟な絶縁性熱伝導シートが得られることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は、次の絶縁性熱伝導シートを提供するものである。
即ち、本発明は、次の絶縁性熱伝導シートを提供するものである。
【0012】
［１］
下記（Ａ）及び（Ｂ）成分；
（Ａ）下記（Ａ１）～（Ａ３）を含む熱硬化性シリコーン樹脂：１００質量部
（Ａ１）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン
（Ａ２）下記（Ａ２－ａ）及び（Ａ２－ｂ）からなるオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記（Ａ１）成分中のケイ素原子に結合したアルケニル基に対する前記（Ａ２）成分中のヒドロシリル基の総量のモル比が０．７～１．０となる量
（Ａ２－ａ）下記式（ａ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
（ｍは２または３であり、ｎは１０～５０の数であり、ｍ、ｎで括られた各シロキサン単位の結合順序は、ブロックでもランダムでもよい）
（Ａ２－ｂ）下記式（ｂ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
（ｐは１０～３０の数である）
（上記（Ａ２－ａ）成分と（Ａ２－ｂ）成分とのモル比は、（Ａ２－ａ）成分：（Ａ２－ｂ）成分＝１：０．２～１：２である）
（Ａ３）ヒドロシリル化触媒：（Ａ１）成分１００質量部に対して白金族金属原子換算で１００～３，０００ｐｐｍとなる量
（Ｂ）レーザー回折・散乱法により計測される平均粒径が４０～１００μｍでアスペクト比が２０～１００の窒化ホウ素：１５０～５００質量部
を含む熱伝導性シリコーン樹脂組成物の硬化物である絶縁性熱伝導シートであって、
前記絶縁性熱伝導シートのＸ線回折法により検出される厚さ方向の配向度が［２θ＝４１～４３°］のカウント和／［２θ＝２５～２７°］のカウント和＝１以上である絶縁性熱伝導シート。
［２］
アスカーＣ硬度が２０～６０である［１］に記載の絶縁性熱伝導シート。
［３］
厚さ方向の熱伝導率が１６～３０Ｗ／ｍＫである［１］または［２］に記載の絶縁性熱伝導シート。
［４］
絶縁破壊電圧が５ｋＶ／ｍｍ以上である［１］～［３］のいずれか１項に記載の絶縁性熱伝導シート。
［５］
比重が１．２～２．０である［１］～［４］のいずれか１項に記載の絶縁性熱伝導シート。
下記（Ａ）及び（Ｂ）成分；
（Ａ）下記（Ａ１）～（Ａ３）を含む熱硬化性シリコーン樹脂：１００質量部
（Ａ１）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン
（Ａ２）下記（Ａ２－ａ）及び（Ａ２－ｂ）からなるオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記（Ａ１）成分中のケイ素原子に結合したアルケニル基に対する前記（Ａ２）成分中のヒドロシリル基の総量のモル比が０．７～１．０となる量
（Ａ２－ａ）下記式（ａ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
【化1】
（Ａ２－ｂ）下記式（ｂ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
【化2】
（上記（Ａ２－ａ）成分と（Ａ２－ｂ）成分とのモル比は、（Ａ２－ａ）成分：（Ａ２－ｂ）成分＝１：０．２～１：２である）
（Ａ３）ヒドロシリル化触媒：（Ａ１）成分１００質量部に対して白金族金属原子換算で１００～３，０００ｐｐｍとなる量
（Ｂ）レーザー回折・散乱法により計測される平均粒径が４０～１００μｍでアスペクト比が２０～１００の窒化ホウ素：１５０～５００質量部
を含む熱伝導性シリコーン樹脂組成物の硬化物である絶縁性熱伝導シートであって、
前記絶縁性熱伝導シートのＸ線回折法により検出される厚さ方向の配向度が［２θ＝４１～４３°］のカウント和／［２θ＝２５～２７°］のカウント和＝１以上である絶縁性熱伝導シート。
［２］
アスカーＣ硬度が２０～６０である［１］に記載の絶縁性熱伝導シート。
［３］
厚さ方向の熱伝導率が１６～３０Ｗ／ｍＫである［１］または［２］に記載の絶縁性熱伝導シート。
［４］
絶縁破壊電圧が５ｋＶ／ｍｍ以上である［１］～［３］のいずれか１項に記載の絶縁性熱伝導シート。
［５］
比重が１．２～２．０である［１］～［４］のいずれか１項に記載の絶縁性熱伝導シート。
【発明の効果】
【0013】
本発明の絶縁性熱伝導シートは、厚さ方向の熱伝導性に優れ、電気絶縁性にも優れていながら、低硬度で柔軟性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［絶縁性熱伝導シート］
本発明の絶縁性熱伝導シートは、熱硬化性シリコーン樹脂及び窒化ホウ素を含有する熱伝導性シリコーン樹脂組成物の硬化物であり、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂中に窒化ホウ素を含有する熱伝導性シリコーン樹脂組成物を、後述する方法で成型したものである。以下詳述する。
［絶縁性熱伝導シート］
本発明の絶縁性熱伝導シートは、熱硬化性シリコーン樹脂及び窒化ホウ素を含有する熱伝導性シリコーン樹脂組成物の硬化物であり、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂中に窒化ホウ素を含有する熱伝導性シリコーン樹脂組成物を、後述する方法で成型したものである。以下詳述する。
【0016】
［熱伝導性シリコーン樹脂組成物］
熱伝導性シリコーン樹脂組成物は、（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂と、（Ｂ）窒化ホウ素とを含むことを特徴とする。（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂は、下記（Ａ１）～（Ａ３）を含む熱硬化性シリコーン樹脂（付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物）である。
（Ａ１）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン
（Ａ２）オルガノハイドロジェンポリシロキサン
（Ａ３）ヒドロシリル化触媒
熱伝導性シリコーン樹脂組成物は、（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂と、（Ｂ）窒化ホウ素とを含むことを特徴とする。（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂は、下記（Ａ１）～（Ａ３）を含む熱硬化性シリコーン樹脂（付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物）である。
（Ａ１）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン
（Ａ２）オルガノハイドロジェンポリシロキサン
（Ａ３）ヒドロシリル化触媒
【0017】
［（Ａ１）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン］
（Ａ１）成分はケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサンであり、熱伝導性シリコーン樹脂組成物の主剤となるものである。通常は主鎖部分が基本的にジオルガノシロキサン単位の繰り返しからなるものが一般的である。なお、分子構造の一部に分枝状の構造を含んでも、環状体でもよいが、硬化物の機械的強度等、物性の点から直鎖状のジオルガノポリシロキサンが好ましい。
前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の通常炭素原子数が２～８程度のものが挙げられ、中でもビニル基、アリル基等の炭素数２～４の低級アルケニル基が好ましく、特に好ましくはビニル基である。なお、アルケニル基は、１分子中に２個以上存在することが必要であり、得られる硬化物の柔軟性がよいものとするためには、（Ａ１）成分は分子鎖両末端のケイ素原子にのみアルケニル基が結合したものがより好ましい。
前記アルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、１価炭化水素基であり、中でも、炭素原子数が１～１０、特には炭素原子数が１～６のものが好ましい。該１価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基等のアラルキル基などが挙げられる。好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基等の炭素原子数１～３のアルキル基及びフェニル基である。また、アルケニル基以外のケイ素原子に結合した基は全てが同一であることに限定するものではなく、異なる複数種の基がケイ素原子に結合したものでもよい。
（Ａ１）成分のオルガノポリシロキサンの２５℃における動粘度は、通常、１０～１００，０００ｍｍ2／ｓの範囲であること好ましく、特に好ましくは１００～１００，０００ｍｍ2／ｓの範囲である。前記動粘度が１０ｍｍ2／ｓ以上であれば、得られる樹脂組成物の保存安定性が良好であり、また１００，０００ｍｍ2／ｓ以下であれば、得られる樹脂組成物の伸展性が悪くなることもない。
なお、本明細書中において、動粘度はＪＩＳ Ｚ ８８０３：２０１１記載のキャノンフェンスケ型粘度計を用いた場合の２５℃における値である。
この（Ａ１）成分のオルガノポリシロキサンは、１種単独でも、構造又は動粘度が異なる２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ａ１）成分はケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサンであり、熱伝導性シリコーン樹脂組成物の主剤となるものである。通常は主鎖部分が基本的にジオルガノシロキサン単位の繰り返しからなるものが一般的である。なお、分子構造の一部に分枝状の構造を含んでも、環状体でもよいが、硬化物の機械的強度等、物性の点から直鎖状のジオルガノポリシロキサンが好ましい。
前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の通常炭素原子数が２～８程度のものが挙げられ、中でもビニル基、アリル基等の炭素数２～４の低級アルケニル基が好ましく、特に好ましくはビニル基である。なお、アルケニル基は、１分子中に２個以上存在することが必要であり、得られる硬化物の柔軟性がよいものとするためには、（Ａ１）成分は分子鎖両末端のケイ素原子にのみアルケニル基が結合したものがより好ましい。
前記アルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、１価炭化水素基であり、中でも、炭素原子数が１～１０、特には炭素原子数が１～６のものが好ましい。該１価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基等のアラルキル基などが挙げられる。好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基等の炭素原子数１～３のアルキル基及びフェニル基である。また、アルケニル基以外のケイ素原子に結合した基は全てが同一であることに限定するものではなく、異なる複数種の基がケイ素原子に結合したものでもよい。
（Ａ１）成分のオルガノポリシロキサンの２５℃における動粘度は、通常、１０～１００，０００ｍｍ2／ｓの範囲であること好ましく、特に好ましくは１００～１００，０００ｍｍ2／ｓの範囲である。前記動粘度が１０ｍｍ2／ｓ以上であれば、得られる樹脂組成物の保存安定性が良好であり、また１００，０００ｍｍ2／ｓ以下であれば、得られる樹脂組成物の伸展性が悪くなることもない。
なお、本明細書中において、動粘度はＪＩＳ Ｚ ８８０３：２０１１記載のキャノンフェンスケ型粘度計を用いた場合の２５℃における値である。
この（Ａ１）成分のオルガノポリシロキサンは、１種単独でも、構造又は動粘度が異なる２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0018】
［（Ａ２）オルガノハイドロジェンポリシロキサン］
（Ａ２）成分は、オルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、下記（Ａ２－ａ）成分と（Ａ２－ｂ）成分の混合物であることを特徴とする。
（Ａ２）成分は、オルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、下記（Ａ２－ａ）成分と（Ａ２－ｂ）成分の混合物であることを特徴とする。
【0019】
（Ａ２－ａ）下記式（ａ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
（ｍは２または３であり、ｎは１０～５０の数であり、ｍ、ｎで括られた各シロキサン単位の結合順序は、ブロックでもランダムでもよい。）
【化3】
【0020】
（Ａ２－ｂ）下記式（ｂ）で示されるオルガノハイドロポリシロキサン
（ｐは１０～３０の数である。）
【化4】
【0021】
（Ａ２－ａ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、１分子中に２個または３個のケイ素原子に直接結合した水素原子（ヒドロシリル基）を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、（Ａ１）成分の架橋剤として作用する成分である。即ち、（Ａ２－ａ）成分中のヒドロシリル基が（Ａ１）成分中のアルケニル基に、後述の（Ａ３）成分のヒドロシリル化触媒により促進されるヒドロシリル化反応で付加することにより、３次元網目構造を与える。
一方、（Ａ２－ｂ）成分の両末端にのみヒドロシリル基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、（Ａ１）成分中のアルケニル基に付加した場合でも、分子鎖を延長するのみに留まり分子の自由な運動を妨げないものである。
一方、（Ａ２－ｂ）成分の両末端にのみヒドロシリル基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、（Ａ１）成分中のアルケニル基に付加した場合でも、分子鎖を延長するのみに留まり分子の自由な運動を妨げないものである。
【0022】
（Ａ２－ａ）成分と（Ａ２－ｂ）成分のモル比は、（Ａ２－ａ）成分：（Ａ２－ｂ）成分＝１：０．２から１：２であり、１：０．３から１：１．６がより好ましく、１：０．４から１：０．８がさらに好ましい。（Ａ２－ａ）成分：（Ａ２－ｂ）成分＝１：０．２未満となる場合、鎖長延長の割合が低下し、硬化物の柔軟性が損なわれる。反対に、（Ａ２－ａ）成分：（Ａ２－ｂ）成分＝１：２を超える場合は３次元架橋構造の割合が低下し組成物の硬化が困難となる。
【0023】
（Ａ２）成分の添加量は、（Ａ２）成分由来のヒドロシリル基が（Ａ１）成分由来のアルケニル基１モルに対して０．７～１．２モルとなる量（すなわち、ヒドロシリル基のモル数が（Ａ１）成分由来のアルケニル基のモル数の０．７～１．２倍量となる量）である。（Ａ２）成分由来のヒドロシリル基の量が（Ａ１）成分由来のアルケニル基１モルに対して、０．７モル未満であると硬化しない。また１．２モルを超えると硬化物の柔軟性がなくなり、硬化物が脆くなるおそれがある。
【0024】
［（Ａ３）ヒドロシリル化触媒］
（Ａ３）成分のヒドロシリル化触媒は、（Ａ１）成分由来のアルケニル基と、（Ａ２）成分由来のヒトロシリル基の付加反応を促進するための触媒であり、ヒドロシリル化反応に用いられる触媒として周知の触媒が挙げられる。その具体例としては、例えば、白金（白金黒を含む）、ロジウム、パラジウム等の白金族金属単体；Ｈ2ＰｔＣｌ4・ｎＨ2Ｏ、Ｈ2ＰｔＣｌ6・ｎＨ2Ｏ、ＮａＨＰｔＣｌ6・ｎＨ2Ｏ、ＫＨＰｔＣｌ6・ｎＨ2Ｏ、Ｎａ2ＰｔＣｌ6・ｎＨ2Ｏ、Ｋ2ＰｔＣｌ4・ｎＨ2Ｏ、ＰｔＣｌ4・ｎＨ2Ｏ、ＰｔＣｌ2、Ｎａ2ＨＰｔＣｌ4・ｎＨ2Ｏ（但し、式中、ｎは０～６の整数であり、好ましくは０又は６である。）等の塩化白金、塩化白金酸及び塩化白金酸塩；アルコール変性塩化白金酸（米国特許第３，２２０，９７２号明細書参照）；塩化白金酸とオレフィンとのコンプレックス（米国特許第３，１５９，６０１号明細書、同第３，１５９，６６２号明細書、同第３，７７５，４５２号明細書参照）；白金黒、パラジウム等の白金族金属をアルミナ、シリカ、カーボン等の担体に担持させたもの；ロジウム－オレフィンコンプレックス；クロロトリス（トリフェニルフォスフィン）ロジウム（ウィルキンソン触媒）；塩化白金、塩化白金酸又は塩化白金酸塩とビニル基含有シロキサン、特にビニル基含有環状シロキサンとのコンプレックス等が挙げられる。
（Ａ３）成分の含有量は、（Ａ１）成分に対する白金族金属元素の質量換算で１００～３，０００ｐｐｍであり、好ましくは１００～２，０００ｐｐｍである。（Ａ３）成分の含有量が１００ｐｐｍ以上であれば十分な触媒活性が得られ、３，０００ｐｐｍ以下であれば付加反応を促進する効果は十分であり、コストも抑えられる。
（Ａ３）成分のヒドロシリル化触媒は、（Ａ１）成分由来のアルケニル基と、（Ａ２）成分由来のヒトロシリル基の付加反応を促進するための触媒であり、ヒドロシリル化反応に用いられる触媒として周知の触媒が挙げられる。その具体例としては、例えば、白金（白金黒を含む）、ロジウム、パラジウム等の白金族金属単体；Ｈ2ＰｔＣｌ4・ｎＨ2Ｏ、Ｈ2ＰｔＣｌ6・ｎＨ2Ｏ、ＮａＨＰｔＣｌ6・ｎＨ2Ｏ、ＫＨＰｔＣｌ6・ｎＨ2Ｏ、Ｎａ2ＰｔＣｌ6・ｎＨ2Ｏ、Ｋ2ＰｔＣｌ4・ｎＨ2Ｏ、ＰｔＣｌ4・ｎＨ2Ｏ、ＰｔＣｌ2、Ｎａ2ＨＰｔＣｌ4・ｎＨ2Ｏ（但し、式中、ｎは０～６の整数であり、好ましくは０又は６である。）等の塩化白金、塩化白金酸及び塩化白金酸塩；アルコール変性塩化白金酸（米国特許第３，２２０，９７２号明細書参照）；塩化白金酸とオレフィンとのコンプレックス（米国特許第３，１５９，６０１号明細書、同第３，１５９，６６２号明細書、同第３，７７５，４５２号明細書参照）；白金黒、パラジウム等の白金族金属をアルミナ、シリカ、カーボン等の担体に担持させたもの；ロジウム－オレフィンコンプレックス；クロロトリス（トリフェニルフォスフィン）ロジウム（ウィルキンソン触媒）；塩化白金、塩化白金酸又は塩化白金酸塩とビニル基含有シロキサン、特にビニル基含有環状シロキサンとのコンプレックス等が挙げられる。
（Ａ３）成分の含有量は、（Ａ１）成分に対する白金族金属元素の質量換算で１００～３，０００ｐｐｍであり、好ましくは１００～２，０００ｐｐｍである。（Ａ３）成分の含有量が１００ｐｐｍ以上であれば十分な触媒活性が得られ、３，０００ｐｐｍ以下であれば付加反応を促進する効果は十分であり、コストも抑えられる。
【0025】
［（Ｂ）窒化ホウ素］
（Ｂ）成分の窒化ホウ素は絶縁性熱伝導シート（以下単に「シート」ともいう）の厚さ方向に配向し熱伝導を促す粒子である。シートの厚さ方向における熱伝導および電気絶縁性の観点から、（Ｂ）成分の窒化ホウ素は特に六方晶系窒化ホウ素が好ましい。さらに、その形状は後記の通り特定の平均粒径及びアスペクト比を有するものであり、扁平状、鱗片状、板状又はフレーク状であるものが好ましい。
（Ｂ）成分の窒化ホウ素は絶縁性熱伝導シート（以下単に「シート」ともいう）の厚さ方向に配向し熱伝導を促す粒子である。シートの厚さ方向における熱伝導および電気絶縁性の観点から、（Ｂ）成分の窒化ホウ素は特に六方晶系窒化ホウ素が好ましい。さらに、その形状は後記の通り特定の平均粒径及びアスペクト比を有するものであり、扁平状、鱗片状、板状又はフレーク状であるものが好ましい。
【0026】
窒化ホウ素のアスペクト比は２０～１００であり、好ましくは３０～１００であり、より好ましくは５０～１００である。アスペクト比が２０以上である場合には、熱伝導を高めるために重要な配向性が確保され、シートの厚さ方向に高い熱伝導を付与できる。また、アスペクト比が１００以下であれば、シートの柔軟性を保つことができる。
本明細書において、アスペクト比は、粒子の長径を、粒子の厚さで除した値であり、つまり長径／厚さである。粒子が球状の場合のアスペクト比は１であり、扁平な度合いが増すにつれてアスペクト比は高くなる。
本明細書において、アスペクト比は、走査型電子顕微鏡を用いて、倍率１５００倍で粒子の長径と厚さを測定し、長径／厚さを計算することによって、得た値である。
本明細書において、アスペクト比は、粒子の長径を、粒子の厚さで除した値であり、つまり長径／厚さである。粒子が球状の場合のアスペクト比は１であり、扁平な度合いが増すにつれてアスペクト比は高くなる。
本明細書において、アスペクト比は、走査型電子顕微鏡を用いて、倍率１５００倍で粒子の長径と厚さを測定し、長径／厚さを計算することによって、得た値である。
【0027】
窒化ホウ素の平均粒径は、４０～１００μｍであり、より好ましくは４０～９０μｍ、特に好ましくは５０～８０μｍである。シートの柔軟性を付与するためには、効率的に厚さ方向の熱伝導経路を形成する必要があり、４０μｍ未満では熱伝導率が不足する。また１００μｍを超える場合はシートの柔軟性が損なわれてしまう。窒化ホウ素は単一の平均粒径を有したものを用いてもよく、異なる平均粒径を有するものを複数種類混合してもよい。
平均粒径は、レーザー回折・散乱式粒子径分布測定装置を用いてレーザー回折・散乱法によって測定されるメジアン径（ある粉体をある粒径から二つに分けたとき、その粒径より大きい粒子と小さい粒子が等量となる粒径、一般にＤ５０とも呼ばれる）である。
平均粒径は、レーザー回折・散乱式粒子径分布測定装置を用いてレーザー回折・散乱法によって測定されるメジアン径（ある粉体をある粒径から二つに分けたとき、その粒径より大きい粒子と小さい粒子が等量となる粒径、一般にＤ５０とも呼ばれる）である。
【0028】
窒化ホウ素の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、１５０～５００質量部であり、好ましくは２００～４００質量部である。窒化ホウ素の含有量が、１５０質量部未満の場合、シートの厚さ方向に対して十分な熱伝導率が得られず、５００質量部を超える場合、シートが剛直となり柔軟性に欠けるものとなる。
【0029】
また、窒化ホウ素の配向を妨げない範囲で、アルミナ、マグネシア、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、シリカなどの絶縁性無機粒子を併用してもよい。他の絶縁性無機粒子と併用することで組成物の粘度を調整できるため、加工性の点で好ましい場合がある。
【0030】
［その他の成分］
前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物には、更に必要に応じて、例えば溶剤、チキソトロピー性付与剤、分散剤、硬化剤、硬化促進剤、遅延剤、微粘着付与剤、可塑剤、難燃剤、酸化防止剤、安定剤、着色剤等の成分を配合することができる。
前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物には、更に必要に応じて、例えば溶剤、チキソトロピー性付与剤、分散剤、硬化剤、硬化促進剤、遅延剤、微粘着付与剤、可塑剤、難燃剤、酸化防止剤、安定剤、着色剤等の成分を配合することができる。
【0031】
また、前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物には、前記（Ｂ）成分以外の充填材を配合してもよい。具体的はシリカ、酸化チタンなどが挙げられる。前記充填材の配合量としては、本発明の効果を損なわない程度であれば特に制限はないが、前記（Ａ）成分１００質量部に対して０～６０質量部が好ましく、０～４０質量部がより好ましい。
【0032】
［熱伝導性シリコーン樹脂組成物の製造方法］
前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物は、（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂及び（Ｂ）窒化ホウ素並びに更に必要に応じて前記その他の成分を、ミキサー等を用いて混合することにより製造することができる。
（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂は、（Ａ１）成分、（Ａ２－ａ）及び（Ａ２－ｂ）からなる（Ａ２）成分並びに（Ａ３）成分を、ミキサー等を用いてあらかじめ混合してから（Ｂ）窒化ホウ素等と混合してもよいし、あらかじめ混合せずに（Ｂ）窒化ホウ素等と混合時に一度に混合してもよい。
前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物は、（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂及び（Ｂ）窒化ホウ素並びに更に必要に応じて前記その他の成分を、ミキサー等を用いて混合することにより製造することができる。
（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂は、（Ａ１）成分、（Ａ２－ａ）及び（Ａ２－ｂ）からなる（Ａ２）成分並びに（Ａ３）成分を、ミキサー等を用いてあらかじめ混合してから（Ｂ）窒化ホウ素等と混合してもよいし、あらかじめ混合せずに（Ｂ）窒化ホウ素等と混合時に一度に混合してもよい。
【0033】
［絶縁性熱伝導シートの製造方法］
本発明の絶縁性熱伝導シートの製造方法としては、前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物を成形する工程や硬化する工程を含むものであるが、例えば、以下のような方法が挙げられる。
本発明の絶縁性熱伝導シートの製造方法としては、前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物を成形する工程や硬化する工程を含むものであるが、例えば、以下のような方法が挙げられる。
【0034】
［絶縁性熱伝導シートの製造方法（１）］
本発明の絶縁性熱伝導シートの製造方法の一例としては、
熱伝導性シリコーン樹脂組成物を金型に充填する充填工程と、
金型を超音波で振動させ脱泡及び窒化ホウ素を整列させる振動工程と、
加熱により熱伝導性シリコーン樹脂組成物から紐状半硬化シリコーン組成物を得る加熱工程と、
紐状半硬化シリコーン組成物を長手方向に並べて加温、加圧し、熱伝導性シリコーン成型体を得る成型工程と、
熱伝導性シリコーン成型体をスライスすることで所望の厚さの絶縁性熱伝導シートを得るスライス工程と、
を経る製造方法（１）が挙げられる。
この方法により、窒化ホウ素を高配向させることで厚さ方向の熱伝導性に優れ、かつ柔軟な絶縁性熱伝導シートを得ることができる。
以下、製造方法（１）の各工程について詳述する。
本発明の絶縁性熱伝導シートの製造方法の一例としては、
熱伝導性シリコーン樹脂組成物を金型に充填する充填工程と、
金型を超音波で振動させ脱泡及び窒化ホウ素を整列させる振動工程と、
加熱により熱伝導性シリコーン樹脂組成物から紐状半硬化シリコーン組成物を得る加熱工程と、
紐状半硬化シリコーン組成物を長手方向に並べて加温、加圧し、熱伝導性シリコーン成型体を得る成型工程と、
熱伝導性シリコーン成型体をスライスすることで所望の厚さの絶縁性熱伝導シートを得るスライス工程と、
を経る製造方法（１）が挙げられる。
この方法により、窒化ホウ素を高配向させることで厚さ方向の熱伝導性に優れ、かつ柔軟な絶縁性熱伝導シートを得ることができる。
以下、製造方法（１）の各工程について詳述する。
【0035】
充填工程（１）
（充填工程に用いる金型）
充填工程で用いる金型は、幅が５．０ｍｍ以下、深さが幅長＋１．０ｍｍ以上、長さが１０．０ｍｍ以上、底面形状は特に限定されないが、くさび状、半円状、波状及び平面状などが挙げられる溝部を１ヵ所以上有するものである。図１は充填工程で用いる金型の一例を示す斜視図であり、図２は図１に示す金型のＡ－Ａ線における断面図である。
（充填工程に用いる金型）
充填工程で用いる金型は、幅が５．０ｍｍ以下、深さが幅長＋１．０ｍｍ以上、長さが１０．０ｍｍ以上、底面形状は特に限定されないが、くさび状、半円状、波状及び平面状などが挙げられる溝部を１ヵ所以上有するものである。図１は充填工程で用いる金型の一例を示す斜視図であり、図２は図１に示す金型のＡ－Ａ線における断面図である。
【0036】
（充填方法）
充填工程において、熱伝導性シリコーン樹脂組成物を金型溝部に規定量充填してもよいし、熱伝導性シリコーン樹脂組成物を多量に充填したあと、スキージなどで不要分を掻き落としてもよい。
熱伝導性シリコーン樹脂組成物に溶剤を添加すれば、組成物の粘度が低下し、充填性が向上するため好ましい。また、次工程の振動工程で脱泡及び窒化ホウ素を沈降させる際に、紐状半硬化シリコーン組成物の長軸方向に窒化ホウ素の長軸方向が整列しやすくなる。
充填工程において、熱伝導性シリコーン樹脂組成物を金型溝部に規定量充填してもよいし、熱伝導性シリコーン樹脂組成物を多量に充填したあと、スキージなどで不要分を掻き落としてもよい。
熱伝導性シリコーン樹脂組成物に溶剤を添加すれば、組成物の粘度が低下し、充填性が向上するため好ましい。また、次工程の振動工程で脱泡及び窒化ホウ素を沈降させる際に、紐状半硬化シリコーン組成物の長軸方向に窒化ホウ素の長軸方向が整列しやすくなる。
【0037】
振動工程（１）
振動工程は、熱伝導性シリコーン樹脂組成物を充填した前記金型を超音波で振動させ、脱泡及び窒化ホウ素を整列させるために行う。次工程の加熱工程で紐状半硬化シリコーン組成物を得るために、前記金型を超音波で振動させることで、脱泡及び窒化ホウ素を沈降、配向させ、紐状半硬化シリコーン組成物の長軸方向に窒化ホウ素を長軸方向に整列させることができる。
振動工程の周波数は２８～１２０ｋＨｚが好ましく、４０～１２０ｋＨｚがより好ましい。また、振動工程を行う際のシリコーン樹脂組成物の温度は硬化反応を促進させないように４０℃以下で行うことが好ましい。
振動工程は、熱伝導性シリコーン樹脂組成物を充填した前記金型を超音波で振動させ、脱泡及び窒化ホウ素を整列させるために行う。次工程の加熱工程で紐状半硬化シリコーン組成物を得るために、前記金型を超音波で振動させることで、脱泡及び窒化ホウ素を沈降、配向させ、紐状半硬化シリコーン組成物の長軸方向に窒化ホウ素を長軸方向に整列させることができる。
振動工程の周波数は２８～１２０ｋＨｚが好ましく、４０～１２０ｋＨｚがより好ましい。また、振動工程を行う際のシリコーン樹脂組成物の温度は硬化反応を促進させないように４０℃以下で行うことが好ましい。
【0038】
加熱工程（１）
加熱工程は、前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物を充填し、振動工程後の金型内の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を加熱することにより、金型の溝部の形状に沿った紐状半硬化シリコーン組成物を得る工程である。前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物中に溶剤が含まれていれば、加熱により溶剤分を揮発させる工程も含む。加熱工程の加熱温度は、４０～１００℃が好ましく、６０～８０℃がより好ましい。また、加熱時間は１～３０分間が好ましく、１～１０分間がより好ましい。
加熱工程は、前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物を充填し、振動工程後の金型内の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を加熱することにより、金型の溝部の形状に沿った紐状半硬化シリコーン組成物を得る工程である。前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物中に溶剤が含まれていれば、加熱により溶剤分を揮発させる工程も含む。加熱工程の加熱温度は、４０～１００℃が好ましく、６０～８０℃がより好ましい。また、加熱時間は１～３０分間が好ましく、１～１０分間がより好ましい。
【0039】
成型工程（１）
（成型工程で用いる金型）
成型工程で用いる金型は、金型の内寸が幅１０．０ｍｍ以上、長さ１０．０ｍｍ以上、深さ１０．０ｍｍ以上の凹型であり、底面形状が平面状の下型と、下型内寸より幅および長さがそれぞれ０．０１～０．２ｍｍ短い上型と、を有することを特徴とする。上型の高さは特に制限はないが上型を加圧出来うる高さが必要である。図３は成型工程で用いる金型の一例を示す分解斜視図である。図３に示す成型工程で用いる金型は、内寸が幅３３．０ｍｍ（Ｘ軸）、長さ５２．０ｍｍ（Ｙ軸）、深さ５０．０ｍｍ（Ｚ軸）の下型と、幅３２．９ｍｍ（Ｘ軸）、長さ５１．９ｍｍ（Ｙ軸）、高さ４０．０ｍｍ（Ｚ軸）の上型と、を有するものである。
（成型工程で用いる金型）
成型工程で用いる金型は、金型の内寸が幅１０．０ｍｍ以上、長さ１０．０ｍｍ以上、深さ１０．０ｍｍ以上の凹型であり、底面形状が平面状の下型と、下型内寸より幅および長さがそれぞれ０．０１～０．２ｍｍ短い上型と、を有することを特徴とする。上型の高さは特に制限はないが上型を加圧出来うる高さが必要である。図３は成型工程で用いる金型の一例を示す分解斜視図である。図３に示す成型工程で用いる金型は、内寸が幅３３．０ｍｍ（Ｘ軸）、長さ５２．０ｍｍ（Ｙ軸）、深さ５０．０ｍｍ（Ｚ軸）の下型と、幅３２．９ｍｍ（Ｘ軸）、長さ５１．９ｍｍ（Ｙ軸）、高さ４０．０ｍｍ（Ｚ軸）の上型と、を有するものである。
【0040】
（充填方法）
前記加熱工程で得た紐状半硬化シリコーン組成物を下型に下記（ｉ）又は（ｉｉ）のように充填する。
（ｉ）金型のＸ軸方向に紐状半硬化シリコーン組成物の長手方向が平行となるよう揃えて並べ、Ｚ軸方向に積み上げ、充填する。
（ｉｉ）金型のＹ軸方向に紐状半硬化シリコーン組成物の長手方向が平行となるよう揃えて並べ、Ｚ軸方向に積み上げ、充填する。
このようにすれば、窒化ホウ素が配向した成型体をより好ましく効率的に得ることができる。
Ｘ軸方向又はＹ軸方向に並べる紐状半硬化シリコーン組成物の数は特に制限はなく、下型の大きさ、紐状半硬化シリコーン組成物の大きさ等により適宜決定できるが、生産性の観点から、例えば、２～５，０００であることが好ましく、５～３，０００であることがより好ましい。
また、Ｚ軸方向に積み上げる紐状半硬化シリコーン組成物の数は、２個（２段）以上であることが好ましく、５～３，０００個（５～３，０００段）がより好ましい。
前記加熱工程で得た紐状半硬化シリコーン組成物を下型に下記（ｉ）又は（ｉｉ）のように充填する。
（ｉ）金型のＸ軸方向に紐状半硬化シリコーン組成物の長手方向が平行となるよう揃えて並べ、Ｚ軸方向に積み上げ、充填する。
（ｉｉ）金型のＹ軸方向に紐状半硬化シリコーン組成物の長手方向が平行となるよう揃えて並べ、Ｚ軸方向に積み上げ、充填する。
このようにすれば、窒化ホウ素が配向した成型体をより好ましく効率的に得ることができる。
Ｘ軸方向又はＹ軸方向に並べる紐状半硬化シリコーン組成物の数は特に制限はなく、下型の大きさ、紐状半硬化シリコーン組成物の大きさ等により適宜決定できるが、生産性の観点から、例えば、２～５，０００であることが好ましく、５～３，０００であることがより好ましい。
また、Ｚ軸方向に積み上げる紐状半硬化シリコーン組成物の数は、２個（２段）以上であることが好ましく、５～３，０００個（５～３，０００段）がより好ましい。
【0041】
（成型方法）
成型工程は、前記下型を前記上型でＺ軸方向に加圧し、加熱することで前記紐状半硬化シリコーン組成物を完全硬化させ、熱伝導性シリコーン成型体を得る工程である。
加圧方法としては、大気圧から徐々に加圧していき、所望する圧力に到達することが好ましい。
前記金型を加圧する圧力は、所望する前記熱伝導性シリコーン成型体の形状や硬度などによって適宜選択されるが、０．１～２０．０ＭＰａが好ましく、０．５～５．０ＭＰａがより好ましい。
前記金型を加圧する際の下型表面温度は、－１０から４０℃が好ましく、０～３０℃がより好ましい。
前記紐状半硬化シリコーン組成物を硬化させる際の下型表面温度は５０～２００℃が好ましく、１００～１５０℃がより好ましい。また、硬化時間は１分～２４時間が好ましく、５分～１時間がより好ましい。
成型工程は、前記下型を前記上型でＺ軸方向に加圧し、加熱することで前記紐状半硬化シリコーン組成物を完全硬化させ、熱伝導性シリコーン成型体を得る工程である。
加圧方法としては、大気圧から徐々に加圧していき、所望する圧力に到達することが好ましい。
前記金型を加圧する圧力は、所望する前記熱伝導性シリコーン成型体の形状や硬度などによって適宜選択されるが、０．１～２０．０ＭＰａが好ましく、０．５～５．０ＭＰａがより好ましい。
前記金型を加圧する際の下型表面温度は、－１０から４０℃が好ましく、０～３０℃がより好ましい。
前記紐状半硬化シリコーン組成物を硬化させる際の下型表面温度は５０～２００℃が好ましく、１００～１５０℃がより好ましい。また、硬化時間は１分～２４時間が好ましく、５分～１時間がより好ましい。
【0042】
スライス工程（１）
スライス工程は、前記成型工程で得られた熱伝導性シリコーン成型体をスライスすることで所望の厚さの絶縁性熱伝導シートを得る工程である。具体的には、前記成型工程において、
（ｉ）の方法で充填した場合は、Ｙ－Ｚ平面に対して平行に、
（ｉｉ）の方法で充填した場合は、Ｘ－Ｚ平面に対して平行に、
それぞれ前記成型体の所望の厚さにスライスすることにより、窒化ホウ素の長手方向がシートの厚さ方向に配向した絶縁性熱伝導シートを得ることができる。
スライス工程は、前記成型工程で得られた熱伝導性シリコーン成型体をスライスすることで所望の厚さの絶縁性熱伝導シートを得る工程である。具体的には、前記成型工程において、
（ｉ）の方法で充填した場合は、Ｙ－Ｚ平面に対して平行に、
（ｉｉ）の方法で充填した場合は、Ｘ－Ｚ平面に対して平行に、
それぞれ前記成型体の所望の厚さにスライスすることにより、窒化ホウ素の長手方向がシートの厚さ方向に配向した絶縁性熱伝導シートを得ることができる。
【0043】
［絶縁性熱伝導シートの製造方法（２）］
また、前記製造方法とは異なる本発明の絶縁性熱伝導シートの製造方法としては、
熱伝導性シリコーン樹脂組成物をフィルムセパレーター上にベーカー式フィルムアプリケーター等を用い、均一厚みになる塗布を行う塗布工程と
加熱により熱伝導性シリコーン樹脂組成物からシート状半硬化シリコーン組成物を得る加熱工程と、
熱伝導性シリコーン樹脂組成物をフィルムセパレーターから剥離し、成型工程で用いる金型の大きさに合わせて断裁を行う断裁工程と、
シート状半硬化シリコーン組成物を塗布方向に並べて加温、加圧し、熱伝導性シリコーン成型体を得る成型工程と、
熱伝導性シリコーン成型体をスライスすることで所望の厚みに熱伝導シートを得るスライス工程と、
を経る製造方法（２）が挙げられる。
以下、製造方法（２）の各工程について詳述する。
また、前記製造方法とは異なる本発明の絶縁性熱伝導シートの製造方法としては、
熱伝導性シリコーン樹脂組成物をフィルムセパレーター上にベーカー式フィルムアプリケーター等を用い、均一厚みになる塗布を行う塗布工程と
加熱により熱伝導性シリコーン樹脂組成物からシート状半硬化シリコーン組成物を得る加熱工程と、
熱伝導性シリコーン樹脂組成物をフィルムセパレーターから剥離し、成型工程で用いる金型の大きさに合わせて断裁を行う断裁工程と、
シート状半硬化シリコーン組成物を塗布方向に並べて加温、加圧し、熱伝導性シリコーン成型体を得る成型工程と、
熱伝導性シリコーン成型体をスライスすることで所望の厚みに熱伝導シートを得るスライス工程と、
を経る製造方法（２）が挙げられる。
以下、製造方法（２）の各工程について詳述する。
【0044】
塗布工程（２）
塗布工程は、熱伝導性シリコーン樹脂組成物から、次工程の加熱工程でシート状半硬化シリコーン組成物が剥離しうるフィルムセパレーター上にベーカー式フィルムアプリケーター等を用い、均一な厚さになるように塗布する工程である。これにより、シート状半硬化シリコーン組成物の塗布方向（塗布面に平行）に窒化ホウ素の長軸方向を整列させることができる。フィルムセパレーター上に塗工する熱伝導性シリコーン樹脂組成物は、例えば、厚さが好ましくは１００～２，０００μｍになるように、より好ましくは３００～１０００μｍになるように、均一に塗工する。
塗布工程は、熱伝導性シリコーン樹脂組成物から、次工程の加熱工程でシート状半硬化シリコーン組成物が剥離しうるフィルムセパレーター上にベーカー式フィルムアプリケーター等を用い、均一な厚さになるように塗布する工程である。これにより、シート状半硬化シリコーン組成物の塗布方向（塗布面に平行）に窒化ホウ素の長軸方向を整列させることができる。フィルムセパレーター上に塗工する熱伝導性シリコーン樹脂組成物は、例えば、厚さが好ましくは１００～２，０００μｍになるように、より好ましくは３００～１０００μｍになるように、均一に塗工する。
【0045】
加熱工程（２）
加熱工程は、塗布工程でフィルムセパレーター上に塗工した前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物を加熱することにより、シート状半硬化シリコーン組成物を得る工程である。前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物に溶剤が含まれていれば、加熱により溶剤分を揮発させる工程も含む。加熱工程の加熱温度は、４０～１００℃が好ましく、６０～８０℃がより好ましい。また、加熱時間は１～３０分間が好ましく、１～１０分間がより好ましい。
加熱工程は、塗布工程でフィルムセパレーター上に塗工した前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物を加熱することにより、シート状半硬化シリコーン組成物を得る工程である。前記熱伝導性シリコーン樹脂組成物に溶剤が含まれていれば、加熱により溶剤分を揮発させる工程も含む。加熱工程の加熱温度は、４０～１００℃が好ましく、６０～８０℃がより好ましい。また、加熱時間は１～３０分間が好ましく、１～１０分間がより好ましい。
【0046】
断裁工程（２）
断裁工程は前記加熱工程で得た前記シート状半硬化シリコーン組成物をフィルムセパレーターから剥離し、次工程の成型工程で用いる金型の大きさに合わせて断裁を行う工程である。断裁するサイズは金型内寸に対し、幅及び長さを－０．３～－１．０ｍｍにすることで、次工程の成型工程でシート状半硬化シリコーン組成物が充填しやすくなるため好ましい。
断裁工程は前記加熱工程で得た前記シート状半硬化シリコーン組成物をフィルムセパレーターから剥離し、次工程の成型工程で用いる金型の大きさに合わせて断裁を行う工程である。断裁するサイズは金型内寸に対し、幅及び長さを－０．３～－１．０ｍｍにすることで、次工程の成型工程でシート状半硬化シリコーン組成物が充填しやすくなるため好ましい。
【0047】
成型工程（２）
（成型工程で用いる金型）
前記成型工程（１）と同様である。
（成型工程で用いる金型）
前記成型工程（１）と同様である。
【0048】
（充填方法）
前記断裁工程で得たシート状半硬化シリコーン組成物を下型に下記（ｉ）又は（ｉｉ）のように充填する。
（ｉ）金型のＸ軸方向にシート状半硬化シリコーン組成物の塗布流れ方向が平行となるよう揃えて並べ、Ｚ軸方向に積み上げ、充填する。
（ｉｉ）金型のＹ軸方向にシート状半硬化シリコーン組成物の塗布流れ方向が平行となるよう揃えて並べ、Ｚ軸方向に積み上げ、充填する。
このようにすれば、窒化ホウ素が配向した成型体をより好ましく効率的に得ることができる。
Ｘ軸方向又はＹ軸方向に並べるシート状半硬化シリコーン組成物の数は特に制限はなく、下型の大きさ、シート状半硬化シリコーン組成物の大きさ及び厚さ等により適宜決定できるが、生産性の観点から、１～１０であることが好ましく、１～５であることがより好ましい。
また、Ｚ軸方向に積み上げるシート状半硬化シリコーン組成物の数は、２枚（２段）以上であることが好ましく、５～３，０００枚（５～３，０００段）がより好ましい。
前記断裁工程で得たシート状半硬化シリコーン組成物を下型に下記（ｉ）又は（ｉｉ）のように充填する。
（ｉ）金型のＸ軸方向にシート状半硬化シリコーン組成物の塗布流れ方向が平行となるよう揃えて並べ、Ｚ軸方向に積み上げ、充填する。
（ｉｉ）金型のＹ軸方向にシート状半硬化シリコーン組成物の塗布流れ方向が平行となるよう揃えて並べ、Ｚ軸方向に積み上げ、充填する。
このようにすれば、窒化ホウ素が配向した成型体をより好ましく効率的に得ることができる。
Ｘ軸方向又はＹ軸方向に並べるシート状半硬化シリコーン組成物の数は特に制限はなく、下型の大きさ、シート状半硬化シリコーン組成物の大きさ及び厚さ等により適宜決定できるが、生産性の観点から、１～１０であることが好ましく、１～５であることがより好ましい。
また、Ｚ軸方向に積み上げるシート状半硬化シリコーン組成物の数は、２枚（２段）以上であることが好ましく、５～３，０００枚（５～３，０００段）がより好ましい。
【0049】
（成型方法）
成型工程は、前記下型を前記上型でＺ軸方向に加圧し、加熱することで前記シート状半硬化シリコーン組成物を完全硬化させ、熱伝導性シリコーン成型体を得る工程である。
加圧方法としては、大気圧から徐々に加圧していき、所望する圧力に到達することが好ましい。
前記金型を加圧する圧力は、所望する前記熱伝導性シリコーン成型体の形状や硬度などによって適宜選択されるが、０．１～２０．０ＭＰａが好ましく、０．５～５．０ＭＰａがより好ましい。
前記金型を加圧する際の下型表面温度は、－１０～４０℃が好ましく、０～３０℃がより好ましい。
前記シート状半硬化シリコーン組成物を硬化させる際の下型表面温度は５０～２００℃が好ましく、１００～１５０℃がより好ましい。また、硬化時間は１分～２４時間が好ましく、５分～１時間がより好ましい。
成型工程は、前記下型を前記上型でＺ軸方向に加圧し、加熱することで前記シート状半硬化シリコーン組成物を完全硬化させ、熱伝導性シリコーン成型体を得る工程である。
加圧方法としては、大気圧から徐々に加圧していき、所望する圧力に到達することが好ましい。
前記金型を加圧する圧力は、所望する前記熱伝導性シリコーン成型体の形状や硬度などによって適宜選択されるが、０．１～２０．０ＭＰａが好ましく、０．５～５．０ＭＰａがより好ましい。
前記金型を加圧する際の下型表面温度は、－１０～４０℃が好ましく、０～３０℃がより好ましい。
前記シート状半硬化シリコーン組成物を硬化させる際の下型表面温度は５０～２００℃が好ましく、１００～１５０℃がより好ましい。また、硬化時間は１分～２４時間が好ましく、５分～１時間がより好ましい。
【0050】
スライス工程（２）
スライス工程は、前記成型工程で得られた熱伝導性シリコーン成型体をスライスすることで所望の厚さの絶縁性熱伝導シートを得る工程である。具体的には、前記成型工程において、
（ｉ）の方法で充填した場合は、Ｙ－Ｚ平面に対して平行に、
（ｉｉ）の方法で充填した場合は、Ｘ－Ｚ平面に対して平行に、
それぞれ前記成型体を所望の厚さにスライスすることにより、窒化ホウ素の長手方向が厚さ方向に配向した絶縁性熱伝導シートを得ることができる。
スライス工程は、前記成型工程で得られた熱伝導性シリコーン成型体をスライスすることで所望の厚さの絶縁性熱伝導シートを得る工程である。具体的には、前記成型工程において、
（ｉ）の方法で充填した場合は、Ｙ－Ｚ平面に対して平行に、
（ｉｉ）の方法で充填した場合は、Ｘ－Ｚ平面に対して平行に、
それぞれ前記成型体を所望の厚さにスライスすることにより、窒化ホウ素の長手方向が厚さ方向に配向した絶縁性熱伝導シートを得ることができる。
【0051】
［絶縁性熱伝導シート］
本発明の絶縁性熱伝導シートは好ましくは下記の特性を備えるものである。
本発明の絶縁性熱伝導シートは好ましくは下記の特性を備えるものである。
【0052】
［配向度］
絶縁性熱伝導シートのＸ線回折法により検出される厚さ方向のピーク強度比、すなわち、［２θ＝４１～４３°］のカウント和／［２θ＝２５～２７°］のカウント和を配向度として、該配向度＝１以上であり、好ましくは２以上である。
絶縁性熱伝導シートのＸ線回折法により検出される厚さ方向のピーク強度比、すなわち、［２θ＝４１～４３°］のカウント和／［２θ＝２５～２７°］のカウント和を配向度として、該配向度＝１以上であり、好ましくは２以上である。
【0053】
［硬さ］
本発明の絶縁性熱伝導シートの硬さは、取扱い性と放熱性の観点から、アスカーＣ硬度が２０～６０であることが好ましく、２０～４０であることがより好ましい。アスカーＣ硬度が２０よりも小さいとシートの取り扱い時にシートが変形しやすく配向が崩れる可能性があり、硬さが６０を超える場合、シートと発熱体および冷却体との間の接触熱抵抗が大きくなってしまう。
本発明の絶縁性熱伝導シートの硬さは、取扱い性と放熱性の観点から、アスカーＣ硬度が２０～６０であることが好ましく、２０～４０であることがより好ましい。アスカーＣ硬度が２０よりも小さいとシートの取り扱い時にシートが変形しやすく配向が崩れる可能性があり、硬さが６０を超える場合、シートと発熱体および冷却体との間の接触熱抵抗が大きくなってしまう。
【0054】
［熱伝導率］
絶縁性熱伝導シートの厚さ方向の熱伝導率は、好ましくは１６～３０Ｗ／ｍＫであり、より好ましくは１８～２６Ｗ／ｍＫである。熱伝導率はＪＩＳ Ｒ １６１１：２０１０に準拠して、レーザーフラッシュ法（ＬＦＡ ４４７ Ｎａｎｏｆｌａｓｈ ネッチ社製）により測定される値である。
絶縁性熱伝導シートの厚さ方向の熱伝導率は、好ましくは１６～３０Ｗ／ｍＫであり、より好ましくは１８～２６Ｗ／ｍＫである。熱伝導率はＪＩＳ Ｒ １６１１：２０１０に準拠して、レーザーフラッシュ法（ＬＦＡ ４４７ Ｎａｎｏｆｌａｓｈ ネッチ社製）により測定される値である。
【0055】
［絶縁破壊電圧］
絶縁性熱伝導シートの絶縁破壊電圧は、好ましくは５ｋＶ／ｍｍ以上であり、より好ましくは８ｋＶ／ｍｍ以上である。絶縁破壊電圧はＪＩＳ Ｃ ２１１０に準拠した方法で測定される値である。
絶縁性熱伝導シートの絶縁破壊電圧は、好ましくは５ｋＶ／ｍｍ以上であり、より好ましくは８ｋＶ／ｍｍ以上である。絶縁破壊電圧はＪＩＳ Ｃ ２１１０に準拠した方法で測定される値である。
【0056】
［比重］
絶縁性熱伝導シートの比重は、好ましくは１．２～２．０であり、より好ましくは１．４～１．８である。比重はＪＩＳ Ｋ ６２４９：２００３に準拠し、自動比重測定装置（ＳＧＭ－６、メトラー社製）を用いて、水中置換法により２５℃で測定される値である。
絶縁性熱伝導シートの比重は、好ましくは１．２～２．０であり、より好ましくは１．４～１．８である。比重はＪＩＳ Ｋ ６２４９：２００３に準拠し、自動比重測定装置（ＳＧＭ－６、メトラー社製）を用いて、水中置換法により２５℃で測定される値である。
【実施例0057】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、動粘度はＪＩＳ Ｚ ８８０３：２０１１記載のキャノンフェンスケ型粘度計を用いた場合の２５℃における値であり、アスペクト比はＳＥＭ測定より求め、平均粒径はマイクロトラックベル社製の粒度分析計であるマイクロトラックＭＴ３３００ＥＸＩＩにより測定した体積基準の累積平均粒径（メジアン径）である。
なお、動粘度はＪＩＳ Ｚ ８８０３：２０１１記載のキャノンフェンスケ型粘度計を用いた場合の２５℃における値であり、アスペクト比はＳＥＭ測定より求め、平均粒径はマイクロトラックベル社製の粒度分析計であるマイクロトラックＭＴ３３００ＥＸＩＩにより測定した体積基準の累積平均粒径（メジアン径）である。
【0058】
（熱伝導性シリコーン樹脂組成物の調製）
下記実施例に用いられている（Ａ）～（Ｃ）成分を下記に示す。
下記実施例に用いられている（Ａ）～（Ｃ）成分を下記に示す。
【0059】
（Ａ１）成分：下記式で示されるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン
（Ａ１－ａ）上記式中のｑが２５℃における動粘度を６００ｍｍ2／ｓとする数であるオルガノポリシロキサン
（Ａ１－ｂ）上記式中のｑが２５℃における動粘度を１００，０００ｍｍ2／ｓとする数であるオルガノポリシロキサン
【化5】
（Ａ１－ｂ）上記式中のｑが２５℃における動粘度を１００，０００ｍｍ2／ｓとする数であるオルガノポリシロキサン
【0060】
（Ａ２）成分：下記式で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン
（Ａ２－ａ）
（括弧内のシロキサン単位の配列順は不定である。）
（Ａ２－ｂ）
（Ａ２－ａ）
【化6】
（Ａ２－ｂ）
【化7】
【0061】
（Ａ３）成分：５％塩化白金酸２－エチルヘキサノール溶液
【0062】
（Ｂ）成分：平均粒径、アスペクト比が下記の通りである窒化ホウ素
（Ｂ１）ＨＳＰＤ５０（平均粒径５０μｍ、アスペクト比７５、Ｄａｎｄｏｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｃｏ．製）
（Ｂ２）ＨＳＰＤ（平均粒径４５μｍ、アスペクト比５０、Ｄａｎｄｏｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｃｏ．製）
（Ｂ３）ＨＳＰ（平均粒径４０μｍ、アスペクト比３０、Ｄａｎｄｏｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｃｏ．製）
（Ｂ４）ＧＰ（平均粒径８μｍ、アスペクト比１０、電気化学工業製、比較例用）
（Ｂ５）ＰＴＸ－６０（平均粒径５５μｍ、アスペクト比１の球状凝集粉、Ｍｏｍｍｅｎｔｉｖｅ Ｃｏ．製、比較例用）
（Ｂ１）ＨＳＰＤ５０（平均粒径５０μｍ、アスペクト比７５、Ｄａｎｄｏｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｃｏ．製）
（Ｂ２）ＨＳＰＤ（平均粒径４５μｍ、アスペクト比５０、Ｄａｎｄｏｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｃｏ．製）
（Ｂ３）ＨＳＰ（平均粒径４０μｍ、アスペクト比３０、Ｄａｎｄｏｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｃｏ．製）
（Ｂ４）ＧＰ（平均粒径８μｍ、アスペクト比１０、電気化学工業製、比較例用）
（Ｂ５）ＰＴＸ－６０（平均粒径５５μｍ、アスペクト比１の球状凝集粉、Ｍｏｍｍｅｎｔｉｖｅ Ｃｏ．製、比較例用）
【0063】
（Ｃ）成分：混練時の希釈溶剤としてトルエン
【0064】
下記表１に示す各成分所定量を、プラネタリーミキサーで６０分間混練し、熱伝導性シリコーン組成物を得た。
【0065】
以下、実施例及び比較例で用いる金型について図面を参照しながら説明する。
図１に、充填工程で用いる金型の斜視図を示す。図２に、図１に示す充填工程で用いる金型のＡ－Ａ線における断面図を示す。充填工程で用いる金型は、幅１．５ｍｍ、長さ５０．０ｍｍ、深さ２．５ｍｍ、底面形状が半円状の溝部を、金型の長軸方向に平行に、複数有するものである。
図３に、成型工程で用いる金型の分解斜視図を示す。成型工程で用いる金型は、内寸が幅３３．０ｍｍ（Ｘ軸）、長さ５２．０ｍｍ（Ｙ軸）、深さ５０．０ｍｍ（Ｚ軸）の下型と、幅３２．９ｍｍ（Ｘ軸）、長さ５１．９ｍｍ（Ｙ軸）、高さ４０．０ｍｍ（Ｚ軸）の上型と、を有するものである。
図１に、充填工程で用いる金型の斜視図を示す。図２に、図１に示す充填工程で用いる金型のＡ－Ａ線における断面図を示す。充填工程で用いる金型は、幅１．５ｍｍ、長さ５０．０ｍｍ、深さ２．５ｍｍ、底面形状が半円状の溝部を、金型の長軸方向に平行に、複数有するものである。
図３に、成型工程で用いる金型の分解斜視図を示す。成型工程で用いる金型は、内寸が幅３３．０ｍｍ（Ｘ軸）、長さ５２．０ｍｍ（Ｙ軸）、深さ５０．０ｍｍ（Ｚ軸）の下型と、幅３２．９ｍｍ（Ｘ軸）、長さ５１．９ｍｍ（Ｙ軸）、高さ４０．０ｍｍ（Ｚ軸）の上型と、を有するものである。
【0066】
（充填工程）
上記調製した熱伝導性シリコーン樹脂組成物を、充填工程で用いる金型の溝部からオーバーフローするよう充填し、オーバーフローした部分をスキージで掻き落とした。
上記調製した熱伝導性シリコーン樹脂組成物を、充填工程で用いる金型の溝部からオーバーフローするよう充填し、オーバーフローした部分をスキージで掻き落とした。
【0067】
（振動工程）
上記実施例１～６および比較例１～８の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を充填した金型を、シャープ社製卓上型超音波洗浄機ＵＴ－１０６を用いて、水温２５℃、周波数３７ｋＨｚ、出力１００％の条件で３０分間振動させた。比較例９の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を充填した金型は、振動工程を省略し、続く加熱工程に供した。
上記実施例１～６および比較例１～８の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を充填した金型を、シャープ社製卓上型超音波洗浄機ＵＴ－１０６を用いて、水温２５℃、周波数３７ｋＨｚ、出力１００％の条件で３０分間振動させた。比較例９の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を充填した金型は、振動工程を省略し、続く加熱工程に供した。
【0068】
（加熱工程）
振動工程後、金型内の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を８０℃環境下で２分間加熱し、紐状半硬化シリコーン組成物を得た。また比較例９については、振動工程を省略し、充填工程後の金型内の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を８０℃環境下で２分間加熱させ、紐状半硬化シリコーン組成物を得た。
振動工程後、金型内の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を８０℃環境下で２分間加熱し、紐状半硬化シリコーン組成物を得た。また比較例９については、振動工程を省略し、充填工程後の金型内の熱伝導性シリコーン樹脂組成物を８０℃環境下で２分間加熱させ、紐状半硬化シリコーン組成物を得た。
【0069】
（成型工程）
上記紐状半硬化シリコーン組成物を図３の金型の下型に、紐状半硬化シリコーン組成物の長手方向が金型のＹ軸方向と平行となるようにＸ軸方向２１列並べ、さらにＺ軸方向には４０段となるように充填し、上型で油圧プレス機にてＺ軸方向に１．０ＭＰａで加圧した状態で、１２０℃で３０分間加熱し、成型体を得た。
上記紐状半硬化シリコーン組成物を図３の金型の下型に、紐状半硬化シリコーン組成物の長手方向が金型のＹ軸方向と平行となるようにＸ軸方向２１列並べ、さらにＺ軸方向には４０段となるように充填し、上型で油圧プレス機にてＺ軸方向に１．０ＭＰａで加圧した状態で、１２０℃で３０分間加熱し、成型体を得た。
【0070】
（スライス工程）
前記成型体をＸ－Ｚ平面に対して平行にカッターナイフでスライスし、シートを得た。
前記成型体をＸ－Ｚ平面に対して平行にカッターナイフでスライスし、シートを得た。
【0071】
実施例１～６および比較例１～９で得たシートについて下記評価をおこなった結果を表１に示す。
【0072】
（硬度）
１２ｍｍ厚にスライスしたシートを、アスカーＣ硬度計を用いて２５℃で測定した。
１２ｍｍ厚にスライスしたシートを、アスカーＣ硬度計を用いて２５℃で測定した。
【0073】
（熱伝導率）
２ｍｍ厚にスライスしたシートを直径１２．７ｍｍの円形となるように打ち抜き、これを試験片として、ＪＩＳ Ｒ １６１１：２０１０に準拠して、レーザーフラッシュ法（ＬＦＡ ４４７ Ｎａｎｏｆｌａｓｈ ネッチ社製）を用いて熱伝導率を測定した。
２ｍｍ厚にスライスしたシートを直径１２．７ｍｍの円形となるように打ち抜き、これを試験片として、ＪＩＳ Ｒ １６１１：２０１０に準拠して、レーザーフラッシュ法（ＬＦＡ ４４７ Ｎａｎｏｆｌａｓｈ ネッチ社製）を用いて熱伝導率を測定した。
【0074】
（絶縁破壊電圧）
１ｍｍ厚にスライスしたシートを油中に浸漬しＪＩＳ Ｃ ２１１０に準拠した方法で絶縁破壊電圧を測定した。
１ｍｍ厚にスライスしたシートを油中に浸漬しＪＩＳ Ｃ ２１１０に準拠した方法で絶縁破壊電圧を測定した。
【0075】
（比重）
２ｍｍ厚にスライスしたシートをＪＩＳ Ｋ ６２４９：２００３に準拠し、自動比重測定装置（ＳＧＭ－６、メトラー社製）を用いて、水中置換法により２５℃における比重を測定した。
２ｍｍ厚にスライスしたシートをＪＩＳ Ｋ ６２４９：２００３に準拠し、自動比重測定装置（ＳＧＭ－６、メトラー社製）を用いて、水中置換法により２５℃における比重を測定した。
【0076】
（配向度）
２ｍｍ厚にスライスしたシートを直径１２．７ｍｍの円形となるように打抜き、これを試験片としてＢＲＵＫＥＲ ＪＡＰＡＮ社製 卓上型粉末Ｘ線回析装置 Ｄ２ ＰＨＡＳＥＲ２ｎｄ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎにて、
スキャン範囲：２０－９０°、
ステップサイズ：０．０２４°、
試料回転：１０ｒｐｍ、
電圧：３０ｋＶ、
電流：１０ｍＡ
の条件で測定を行い２θ＝４１～４３°（１００面）および２５～２７°（００２面）のカウント数の和を算出した。
配向度は下記式と定義した。
配向度＝［２θ＝４１～４３°］のカウント和／［２θ＝２５～２７°］のカウント和
２ｍｍ厚にスライスしたシートを直径１２．７ｍｍの円形となるように打抜き、これを試験片としてＢＲＵＫＥＲ ＪＡＰＡＮ社製 卓上型粉末Ｘ線回析装置 Ｄ２ ＰＨＡＳＥＲ２ｎｄ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎにて、
スキャン範囲：２０－９０°、
ステップサイズ：０．０２４°、
試料回転：１０ｒｐｍ、
電圧：３０ｋＶ、
電流：１０ｍＡ
の条件で測定を行い２θ＝４１～４３°（１００面）および２５～２７°（００２面）のカウント数の和を算出した。
配向度は下記式と定義した。
配向度＝［２θ＝４１～４３°］のカウント和／［２θ＝２５～２７°］のカウント和
【0077】
【表1】
【0078】
実施例１～３と比較例１、２をみると、（Ａ１）成分のアルケニル基に対する（Ａ２）成分のヒドロシリル基のモル比を調整することで、適切な硬度のシートが得られることがわかった。一方で、比較例５、６のように（Ａ２）成分の割合が適切でない場合、シートの硬度が高くなり、成型自体が困難であった。他方、比較例７、８から、窒化ホウ素の含有量が多すぎると、シートの硬度が高くなり、含有量が少なすぎると熱伝導率が低くなることがわかった。
実施例４～５と比較例３をみると、窒化ホウ素の平均粒径が４０μｍ以上であれば好適な熱伝導率となることがわかった。
また、製造過程で振動工程を経ずに製造された、シートの厚さ方向の窒化ホウ素の配向度が１未満のシートは、良好な熱伝導パスが形成されず、シート中の窒化ホウ素の含有量が同程度の実施例２のシートに比べて低い熱伝導率となった。
実施例４～５と比較例３をみると、窒化ホウ素の平均粒径が４０μｍ以上であれば好適な熱伝導率となることがわかった。
また、製造過程で振動工程を経ずに製造された、シートの厚さ方向の窒化ホウ素の配向度が１未満のシートは、良好な熱伝導パスが形成されず、シート中の窒化ホウ素の含有量が同程度の実施例２のシートに比べて低い熱伝導率となった。
【符号の説明】
【0079】
１０ 充填工程に用いる金型
１１ 充填工程に用いる金型の溝部
２０ 成型工程に用いる金型
１ 成型工程に用いる金型の上型
２ 成型工程に用いる金型の下型
１１ 充填工程に用いる金型の溝部
２０ 成型工程に用いる金型
１ 成型工程に用いる金型の上型
２ 成型工程に用いる金型の下型
【図1】
【図2】
【図3】