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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023175121
(43)【公開日】2023-12-12
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20231205BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20231205BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20231205BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20231205BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 C
H01L21/302 101G
H01L21/68 N
C23C16/44 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022087409
(22)【出願日】2022-05-30
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】梅原 直己
(72)【発明者】
【氏名】野沢 秀二
(72)【発明者】
【氏名】米田 崚平
(72)【発明者】
【氏名】山口 達也
【テーマコード（参考）】
4K030
5F004
5F045
5F131
【Ｆターム（参考）】
4K030AA09
4K030EA05
4K030EA11
4K030GA02
4K030KA02
5F004BB21
5F004BB25
5F004BB26
5F004BB28
5F045AA06
5F045AB39
5F045BB08
5F045DP03
5F045EF05
5F045EH05
5F045EJ03
5F045EJ09
5F045EK07
5F045EM03
5F131AA02
5F131BA04
5F131BA19
5F131CA09
5F131CA32
5F131EB33
5F131EB72
5F131EB81
5F131EB82
(57)【要約】
【課題】処理後の基板を迅速に搬出する。
【解決手段】基板処理装置であって、処理容器と、ステージと、排気口と、駆動部と、クランプリングと、圧力調整機構とを備える。ステージは、処理容器内に設けられ、基板が載せられる。排気口は、処理容器の内側壁に沿って、ステージの周囲に配置されている。駆動部は、ステージを、ステージに載せられた基板に対して処理を行う際の位置である処理位置と、処理位置よりも低い位置であって、基板をステージ上に搬入する際、および、基板をステージ上から搬出する際の位置である搬送位置との間でステージを昇降させる。クランプリングは、ステージが処理位置にある場合にステージ上の基板の周縁上に配置され基板の周縁を覆い、ステージが搬送位置にある場合に、処理容器の側壁に設けられた棚部に支持される。圧力調整機構は、ステージ上の基板の上方の空間と、ステージの下方の空間との圧力差を抑制する。
【選択図】図２
【解決手段】基板処理装置であって、処理容器と、ステージと、排気口と、駆動部と、クランプリングと、圧力調整機構とを備える。ステージは、処理容器内に設けられ、基板が載せられる。排気口は、処理容器の内側壁に沿って、ステージの周囲に配置されている。駆動部は、ステージを、ステージに載せられた基板に対して処理を行う際の位置である処理位置と、処理位置よりも低い位置であって、基板をステージ上に搬入する際、および、基板をステージ上から搬出する際の位置である搬送位置との間でステージを昇降させる。クランプリングは、ステージが処理位置にある場合にステージ上の基板の周縁上に配置され基板の周縁を覆い、ステージが搬送位置にある場合に、処理容器の側壁に設けられた棚部に支持される。圧力調整機構は、ステージ上の基板の上方の空間と、ステージの下方の空間との圧力差を抑制する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、基板が載せられるステージと、
前記処理容器の内側壁に沿って、前記ステージの周囲に配置された排気口と、
前記ステージを、前記ステージに載せられた前記基板に対して処理を行う際の位置である処理位置と、前記処理位置よりも低い位置であって、前記基板を前記ステージ上に搬入する際、および、前記基板を前記ステージ上から搬出する際の位置である搬送位置との間で前記ステージを昇降させる駆動部と、
前記ステージが前記処理位置にある場合に前記ステージ上の前記基板の周縁上に配置され前記基板の周縁を覆い、前記ステージが前記搬送位置にある場合に、前記処理容器の側壁に設けられた棚部に支持されるクランプリングと、
前記ステージ上の前記基板の上方の空間と、前記ステージの下方の空間との圧力差を抑制する圧力調整機構と
を備える基板処理装置。
前記処理容器内に設けられ、基板が載せられるステージと、
前記処理容器の内側壁に沿って、前記ステージの周囲に配置された排気口と、
前記ステージを、前記ステージに載せられた前記基板に対して処理を行う際の位置である処理位置と、前記処理位置よりも低い位置であって、前記基板を前記ステージ上に搬入する際、および、前記基板を前記ステージ上から搬出する際の位置である搬送位置との間で前記ステージを昇降させる駆動部と、
前記ステージが前記処理位置にある場合に前記ステージ上の前記基板の周縁上に配置され前記基板の周縁を覆い、前記ステージが前記搬送位置にある場合に、前記処理容器の側壁に設けられた棚部に支持されるクランプリングと、
前記ステージ上の前記基板の上方の空間と、前記ステージの下方の空間との圧力差を抑制する圧力調整機構と
を備える基板処理装置。
【請求項2】
前記圧力調整機構は、
前記クランプリングの厚さ方向に沿って形成された貫通孔である請求項１に記載の基板処理装置。
前記クランプリングの厚さ方向に沿って形成された貫通孔である請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記処理容器の上部に設けられ、前記ステージ上の前記基板を処理するための処理ガスを、下面に設けられた吐出口から前記処理容器内に供給するシャワーヘッドを備え、
前記貫通孔は、平面視において、前記吐出口が設けられる領域よりも外側の領域に形成される請求項２に記載の基板処理装置。
前記貫通孔は、平面視において、前記吐出口が設けられる領域よりも外側の領域に形成される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記処理容器の上部には、前記上部から下方に突出する凸部が設けられており、
前記凸部は、
前記ステージが前記処理位置にある場合に、前記クランプリングの前記貫通孔に挿入されることにより、前記貫通孔の開口部を塞ぎ、
前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングの前記貫通孔から離れることにより、前記貫通孔の開口部を開放する請求項２または３に記載の基板処理装置。
前記凸部は、
前記ステージが前記処理位置にある場合に、前記クランプリングの前記貫通孔に挿入されることにより、前記貫通孔の開口部を塞ぎ、
前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングの前記貫通孔から離れることにより、前記貫通孔の開口部を開放する請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記圧力調整機構は、
前記クランプリングと前記棚部との間に形成された隙間である請求項１に記載の基板処理装置。
前記クランプリングと前記棚部との間に形成された隙間である請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記棚部の上面には、凸部が設けられており、
前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングが前記凸部に支持されることにより、前記クランプリングの下面と前記棚部の上面との間に隙間が形成される請求項５に記載の基板処理装置。
前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングが前記凸部に支持されることにより、前記クランプリングの下面と前記棚部の上面との間に隙間が形成される請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記棚部の上面には、平面視において前記クランプリングの領域の外側まで延在する溝が形成されており、前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングの下面と前記棚部の前記溝との間で隙間が形成される請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記圧力調整機構は、
前記ステージ上の前記基板の上方の空間と、前記ステージの下方の空間とを接続する配管である請求項１に記載の基板処理装置。
前記ステージ上の前記基板の上方の空間と、前記ステージの下方の空間とを接続する配管である請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記配管には、前記ステージが前記処理位置にある場合に閉じられ、前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に開けられるバルブが設けられている請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記ステージの下方の空間には、パージガスが供給される請求項１に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の種々の側面および実施形態は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
基板に膜を形成する基板処理装置において、成膜ガスが基板の裏面に回り込むと、基板の裏面に反応副生成物（いわゆるデポ）が付着する。基板の裏面にデポが付着すると、基板を搬送する際に、デポが基板から剥がれ、基板処理装置内にパーティクルとなって飛散する場合がある。基板処理装置内にパーティクルが飛散すると、パーティクルが基板に付着し、基板が汚染される場合がある。そこで、基板の周縁に、基板の周縁を覆うように環状のクランプリングが設けられる場合がある（例えば下記の特許文献１参照）。これにより、基板の裏面への成膜ガスの回り込みが抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－７６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、処理後の基板を迅速に搬出することができる基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一側面は、基板処理装置であって、処理容器と、ステージと、排気口と、駆動部と、クランプリングと、圧力調整機構とを備える。ステージは、処理容器内に設けられ、基板が載せられる。排気口は、処理容器の内側壁に沿って、ステージの周囲に配置されている。駆動部は、ステージを、ステージに載せられた基板に対して処理を行う際の位置である処理位置と、処理位置よりも低い位置であって、基板をステージ上に搬入する際、および、基板をステージ上から搬出する際の位置である搬送位置との間でステージを昇降させる。クランプリングは、ステージが処理位置にある場合にステージ上の基板の周縁上に配置され基板の周縁を覆い、ステージが搬送位置にある場合に、処理容器の側壁に設けられた棚部に支持される。圧力調整機構は、ステージ上の基板の上方の空間と、ステージの下方の空間との圧力差を抑制する。
【発明の効果】
【0006】
本開示の種々の側面および実施形態によれば、処理後の基板を迅速に搬出することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、開示される基板処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される基板処理装置が限定されるものではない。
【0009】
ところで、基板に対する処理が終了した場合、基板の搬送が行われる前に、基板の上方の空間内に残存する処理ガスが排気される。これにより、基板の上方の空間の圧力が、基板を支持するステージの下方の空間の圧力よりも低くなる。この状態で、基板を搬出するためにステージを下降させると、クランプリングが処理容器の側壁に支持された位置で、基板とクランプリングと処理容器によって閉空間が形成される。これにより、基板が基板の上方の空間に吸い寄せられ、クランプリングに密着する。そして、ステージがさらに下降すると、基板がクランプリングに吸着したままステージが下降する。
【0010】
そして、基板とクランプリングとの間、および、クランプリングと処理容器の側壁との間から、ステージの下方の空間内のガスがリークすると、基板の上方の空間とステージの下方の空間との圧力差が小さくなる。基板の上方の空間とステージの下方の空間との圧力差が所定値未満になると、基板がクランプリングから離れ、ステージ上に落下する。これにより、基板が破損する場合がある。
【0011】
基板の上方の空間とステージの下方の空間との圧力差が所定値未満になるまで、ステージの下降を待機することで基板の破損を回避することも考えられるが、この場合、基板の処理におけるスループットが低下する。
【0012】
そこで、本開示は、処理後の基板を迅速に搬出することができる技術を提供する。
【0013】
（第１の実施形態）
［基板処理装置１０の構成］
図１は、本開示の一実施形態における基板処理装置１０の一例を示す概略断面図である。基板処理装置１０は、装置本体２００と、装置本体２００を制御する制御装置１００とを備える。装置本体２００は、処理容器２０９を有する。処理容器２０９は、下部容器２０１、排気ダクト２０２、支持構造体２１０、およびシャワーヘッド２３０を有する。
［基板処理装置１０の構成］
図１は、本開示の一実施形態における基板処理装置１０の一例を示す概略断面図である。基板処理装置１０は、装置本体２００と、装置本体２００を制御する制御装置１００とを備える。装置本体２００は、処理容器２０９を有する。処理容器２０９は、下部容器２０１、排気ダクト２０２、支持構造体２１０、およびシャワーヘッド２３０を有する。
【0014】
下部容器２０１は、例えばアルミニウム等の金属により形成されている。排気ダクト２０２は、下部容器２０１の上部の周縁に設けられている。排気ダクト２０２は、縦断面が中空の角型形状であり、下部容器２０１の上部に沿って環状に延在している。排気ダクト２０２には、スリット状の排気口２０３が形成されている。また、排気ダクト２０２の上には、環状の絶縁部材２０４が配置されている。シャワーヘッド２３０は、下部容器２０１の上方に設けられており、絶縁部材２０４に支持されている。下部容器２０１の略中央には、基板Ｗを支持する支持構造体２１０が設けられている。支持構造体２１０とシャワーヘッド２３０との間の空間を処理空間ＳPと定義する。
【0015】
下部容器２０１の側壁には、基板Ｗの搬入および搬出を行うための開口部２０５が形成されている。開口部２０５は、ゲートバルブＧによって開閉される。
【0016】
排気ダクト２０２には、排気管２０６の一端が接続されている。排気管２０６の他端は、ＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ等の圧力調整バルブ２０７を介して真空ポンプ等を有する排気装置２０８に接続されている。圧力調整バルブ２０７は、制御装置１００によって制御され、処理空間ＳP内の圧力を予め設定された圧力に制御する。
【0017】
排気ダクト２０２の側壁およびシャワーヘッド２３０の上面には図示しないヒータが設けられており、排気ダクト２０２およびシャワーヘッド２３０は、例えば２００℃以上の温度となるように加熱される。これにより、排気ダクト２０２およびシャワーヘッド２３０への反応副生成物（いわゆるデポ）の付着を抑制することができる。なお、排気管２０６、圧力調整バルブ２０７、および排気装置２０８においても、ヒータが設けられ、デポが付着しにくい温度に加熱されてもよい。
【0018】
支持構造体２１０は、ステージ２１１および支持部２１２を有する。ステージ２１１は、例えばアルミニウム等の金属により構成され、上面に基板Ｗが載せられる。支持部２１２は、例えばアルミニウム等の金属により筒状に構成され、ステージ２１１を下方から支持する。
【0019】
ステージ２１１には、ヒータ２１４が埋め込まれている。ヒータ２１４は、供給された電力に応じてステージ２１１上に載せられた基板Ｗを加熱する。ヒータ２１４に供給される電力は、制御装置１００によって制御される。
【0020】
また、ステージ２１１内には、冷媒が流通する流路２１５が形成されている。流路２１５には、配管２１６ａおよび配管２１６ｂを介して、図示しないチラーユニットが接続されている。チラーユニットによって予め定められた温度に調整された冷媒が配管２１６ａを介して流路２１５に供給され、流路２１５内を循環した冷媒が、配管２１６ｂを介してチラーユニットに戻される。流路２１５内を循環する冷媒によりステージ２１１が冷却される。チラーユニットは、制御装置１００によって制御される。
【0021】
支持部２１２は、下部容器２０１の底部に形成された開口部を貫通するように下部容器２０１内に配置されている。支持部２１２は、昇降機構２４０の駆動により上下に昇降する。昇降機構２４０は、駆動部の一例である。基板Ｗが搬入される際には、昇降機構２４０の駆動により支持構造体２１０が基板Ｗの搬送が行われる搬送位置まで下降し、ゲートバルブＧが開けられる。そして、開口部２０５を介して図示しない搬送ロボットによって基板Ｗが下部容器２０１内に搬入され、ステージ２１１上に突出した図示しないリフトピンに渡される。そして、図示しないリフトピンが下降することにより、基板Ｗがステージ２１１上に載せられる。そして、ゲートバルブＧが閉じられ、昇降機構２４０の駆動により支持構造体２１０が基板Ｗの処理が行われる処理位置まで上昇し、基板Ｗへの成膜処理が実行される。また、基板Ｗが搬出される際には、昇降機構２４０の駆動により支持構造体２１０が下降し、ゲートバルブＧが開けられる。そして、図示しないリフトピンが上昇することにより、基板Ｗがステージ２１１から持ち上げられる。そして、図示しないリフトピン上の基板Ｗが図示しない搬送ロボットによって開口部２０５を介して下部容器２０１の外部へ搬出される。
【0022】
ステージ２１１に対向する位置には、シャワーヘッド２３０が設けられている。シャワーヘッド２３０は、拡散室２３１ａおよび拡散室２３１ｂを有する。拡散室２３１ａおよび拡散室２３１ｂは互いに連通していない。拡散室２３１ａおよび拡散室２３１ｂには、ガス供給部２２０が接続されている。具体的には、拡散室２３１ａには、配管２２５ａを介して、バルブ２２４ａ、ＭＦＣ（Mass Flow Controller）２２３ａ、気化器２２２ａ、および原料供給源２２１ａが接続されている。原料供給源２２１ａは、第１のモノマーの一例であるイソシアネートの供給源である。気化器２２２ａは、原料供給源２２１ａから供給されたイソシアネートの液体を気化させる。ＭＦＣ２２３ａは、気化器２２２ａによって気化されたイソシアネートの蒸気の流量を制御する。バルブ２２４ａは、イソシアネートの蒸気の配管２２５ａへの供給および供給停止を制御する。
【0023】
拡散室２３１ｂには、配管２２５ｂを介して、バルブ２２４ｂ、ＭＦＣ２２３ｂ、気化器２２２ｂ、および原料供給源２２１ｂが接続されている。原料供給源２２１ｂは、第２のモノマーの一例であるアミンの供給源である。気化器２２２ｂは、原料供給源２２１ｂから供給されたアミンの液体を気化させる。ＭＦＣ２２３ｂは、気化器２２２ｂによって気化されたアミンの蒸気の流量を制御する。バルブ２２４ｂは、アミンの蒸気の配管２２５ｂへの供給および供給停止を制御する。イソシアネートの蒸気およびアミンの蒸気は、処理ガスの一例である。
【0024】
また、シャワーヘッド２３０には、配管２２５ａおよび配管２２５ｂを介して、バルブ２２４ｃ、ＭＦＣ２２３ｃ、およびクリーニングガス供給源２２１ｃが接続されている。クリーニングガス供給源２２１ｃは、例えば酸素原子またはフッ素原子を含む分子を含有するクリーニングガスの供給源である。ＭＦＣ２２３ｃは、クリーニングガス供給源２２１ｃから供給されたクリーニングガスの流量を制御する。バルブ２２４ｃは、クリーニングガスの配管２２５ａおよび配管２２５ｂへの供給および供給停止を制御する。
【0025】
拡散室２３１ａは、複数の吐出口２３２ａを介して処理空間ＳPと連通しており、拡散室２３１ｂは、複数の吐出口２３２ｂを介して処理空間ＳPと連通している。配管２２５ａを介して拡散室２３１ａ内に供給されたガスは、拡散室２３１ａ内を拡散し、吐出口２３２ａを介して処理空間ＳP内にシャワー状に吐出される。また、配管２２５ｂを介して拡散室２３１ｂ内に供給されたガスは、拡散室２３１ｂ内を拡散し、吐出口２３２ｂを介して処理空間ＳP内にシャワー状に吐出される。イソシアネートおよびアミンの蒸気は、吐出口２３２ａおよび吐出口２３２ｂを介して処理空間ＳP内に別々に吐出された後、処理空間ＳP内において混合され、ステージ２１１に載せられた基板Ｗの表面に尿素結合を有する重合体の有機膜を形成する。
【0026】
例えば、第１のモノマーとしてジイソシアネート、第２のモノマーとしてジアミン（例えば、第１級アミン）を用いることで、直鎖のポリ尿素を生成させることができる。ジイソシアネートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）および１，１２－ジアミノドデカン（ＤＡＤ）の組み合わせである。ジイソシアネートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、１，３－ビス(イソシアネートメチル)シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＩ）および１，１２－ジアミノドデカン（ＤＡＤ）の組み合わせである。ジイソシアネートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、１，３－ビス(イソシアネートメチル)シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＩ）および１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＡ）の組み合わせである。ジイソシアネートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、１，３－ビス(イソシアネートメチル)シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＩ）およびヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤＡ）の組み合わせである。ジイソシアネートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、ｍ－キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）およびｍ－キシリレンジアミン（ＸＤＡ）の組み合わせである。ジイソシアネートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、ｍ－キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）およびベンジルアミン（ＢＡ）の組み合わせである。
【0027】
例えば、第１のモノマーとしてジイソシアネート、第２のモノマーとしてトリアミン（例えば、第１級アミン）またはテトラアミン（例えば、第２級アミン）を用いることで、架橋性ポリ尿素を生成させることができる。また、第１のモノマーとしてモノイソシアネート、第２のモノマーとしてジアミン（例えば、第１級アミン）を用いることで、尿素結合を有するトリマーを生成させることができる。また、第１のモノマーとしてモノイソシアネート、第２のモノマーとしてモノアミン（例えば、第１級アミン）を用いることで、尿素結合を有するダイマーを生成させることができる。
【0028】
シャワーヘッド２３０には、整合器２６１を介して、プラズマ発生用のＲＦ（Radio Frequency）電力を供給するＲＦ電源２６０が接続されている。シャワーヘッド２３０は、ステージ２１１に対してカソード電極として機能する。処理容器２０９内のクリーニングにおいて、シャワーヘッド２３０を介してガス供給部２２０から処理空間ＳP内にクリーニングガスが供給され、整合器２６１を介してＲＦ電源２６０から処理空間ＳP内にＲＦ電力が供給される。これにより、処理空間ＳP内においてクリーニングガスがプラズマ化され、プラズマに含まれる活性種により、処理容器２０９内のクリーニングが行われる。
【0029】
ステージ２１１の下方の下部容器２０１には、配管２２５ｄを介して、バルブ２２４ｄ、ＭＦＣ２２３ｄ、およびパージガス供給源２２１ｄが接続されている。パージガス供給源２２１ｄは、パージガスの供給源である。パージガスは、例えば窒素ガスや希ガス等の不活性ガスである。ＭＦＣ２２３ｄは、パージガス供給源２２１ｄから供給されたパージガスの流量を制御する。バルブ２２４ｄは、パージガスの配管２２５ｄへの供給および供給停止を制御する。ステージ２１１の下方の下部容器２０１内の空間を下部空間ＳLと定義する。下部空間ＳL内にパージガスが供給されることにより、処理空間ＳP内に供給された成膜ガスが下部空間ＳL内に侵入することを抑制することができる。
【0030】
制御装置１００は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを備える。メモリには、制御プログラムおよび処理レシピ等が格納される。プロセッサは、制御プログラムをメモリから読み出して実行し、メモリに格納されたレシピ等に基づいて、入出力インターフェイスを介して装置本体２００の各部を制御する。
【0031】
［ステージ２１１の周縁付近の構造］
図２は、第１の実施形態におけるステージ２１１の周縁付近の構造の一例を示す拡大断面図である。図２には、ステージ２１１が処理位置にある場合の状態が示されている。ステージ２１１の上方であって、ステージ２１１に載せられた基板Ｗの周縁には、基板Ｗの周縁を覆うように、環状のクランプリング３０が設けられている。クランプリング３０は、ステージ２１１が搬送位置にある場合、下部容器２０１の側壁に設けられた棚部２０１０に支持されている。クランプリング３０には、クランプリング３０の厚さ方向に沿って形成され１つ以上の貫通孔３００が形成されている。貫通孔３００は、圧力調整機構の一例である。
図２は、第１の実施形態におけるステージ２１１の周縁付近の構造の一例を示す拡大断面図である。図２には、ステージ２１１が処理位置にある場合の状態が示されている。ステージ２１１の上方であって、ステージ２１１に載せられた基板Ｗの周縁には、基板Ｗの周縁を覆うように、環状のクランプリング３０が設けられている。クランプリング３０は、ステージ２１１が搬送位置にある場合、下部容器２０１の側壁に設けられた棚部２０１０に支持されている。クランプリング３０には、クランプリング３０の厚さ方向に沿って形成され１つ以上の貫通孔３００が形成されている。貫通孔３００は、圧力調整機構の一例である。
【0032】
クランプリング３０は、ステージ２１１が搬送位置から処理位置まで上昇する際に、ステージ２１１上の基板Ｗの周縁に支持され、例えば図２に示されるように下部容器２０１の棚部２０１０から離れる。この状態で、基板Ｗに対して成膜処理が行われる。
【0033】
成膜処理では、処理空間ＳP内に供給された処理ガスは、シャワーヘッド２３０の下面とクランプリング３０の上面との間の空間を通って、排気口２０３から排気される。一方、ステージ２１１の下方の下部空間ＳLに供給されたパージガスは、クランプリング３０の下面と棚部２０１０の上面との間の空間を通って排気口２０３から排気される。これにより、処理空間ＳP内に供給された処理ガスがクランプリング３０の下面と棚部２０１０の上面との間の空間を通ってステージ２１１の下方に侵入することが抑制される。
【0034】
なお、下部空間ＳLに供給されたパージガスの一部は、クランプリング３０の貫通孔３００を介してクランプリング３０の上方へも流れる。これにより、処理空間ＳP内に供給された処理ガスが貫通孔３００を介してステージ２１１の下方に侵入することが抑制される。
【0035】
ここで、クランプリング３０の貫通孔３００は、例えば図３に示されるように、平面視において、処理ガスが供給される吐出口２３２ａおよび吐出口２３２ｂが配置される領域Ｒsの外側に配置される。図３は、第１の実施形態においてクランプリングに形成される貫通孔の形状および配置の一例を示す平面図である。このように、平面視において、貫通孔３００が吐出口２３２ａおよび吐出口２３２ｂが配置される領域Ｒsの外側に配置されることにより、貫通孔３００を介してクランプリング３０の上方に流れるパージガスが処理空間ＳP内に侵入しにくくなる。これにより、処理空間ＳP内に供給された処理ガスの濃度がパージガスの侵入により低下することを防止することができ、基板Ｗに対する処理に要する時間が長くなることを防止することができる。
【0036】
なお、図３の例では、クランプリング３０に、４つの貫通孔３００が形成されているが、開示の技術はこれに限られず、クランプリング３０に形成される貫通孔３００の数は、４つより少なくてもよく、４つより多くてもよい。また、図３の例では、貫通孔３００の開口部の形状は略円形であるが、開示の技術はこれに限られない。貫通孔３００の開口部の形状は、多角形や長丸の形状であってもよい。また、例えば図４に示されるように、貫通孔３００’の開口部の形状は、クランプリング３０の延在方向に沿った細長い形状であってもよい。
【0037】
基板Ｗに対する処理が終了した場合、処理空間ＳP内への処理ガスの供給が停止し、処理空間ＳP内の処理ガスが排気口２０３を介して排気される。これにより、処理空間ＳP内の圧力が低下する。この状態で、基板Ｗを搬出するためにステージ２１１が下降すると、例えば図５に示されるように、クランプリング３０の下面が棚部２０１０の上面に接触する。これにより、基板Ｗ、クランプリング３０、シャワーヘッド２３０、絶縁部材２０４、排気ダクト２０２、および棚部２０１０によって閉空間が形成される。
【0038】
しかし、基板Ｗ、クランプリング３０、シャワーヘッド２３０、絶縁部材２０４、排気ダクト２０２、および棚部２０１０によって形成された閉空間内には、貫通孔３００を介してパージガスが流れる。これにより、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差が抑制される。これにより、基板Ｗがクランプリング３０に密着することなく、ステージ２１１の下降と共に下方に移動する。これにより、処理後の基板Ｗを迅速に搬出することができる。
【0039】
ここで、クランプリング３０に貫通孔３００が形成されていない場合を考える。図６は、比較例において、ステージ２１１が下降する際のステージ２１１とクランプリング３０の位置関係の一例を示す拡大断面図である。処理後の基板Ｗを搬出するためにステージ２１１が下降すると、例えば図６に示されるように、基板Ｗ、クランプリング３０、シャワーヘッド２３０、絶縁部材２０４、排気ダクト２０２、および棚部２０１０によって閉空間が形成される。
【0040】
図６の比較例では、クランプリング３０に貫通孔３００が形成されていないため、閉空間内のガスが排気口２０３から排気されると、処理空間ＳP内の圧力がさらに低下する。処理空間ＳP内の圧力が低下すると、処理空間ＳPと下部空間ＳLとの圧力差により、基板Ｗが処理空間ＳPに吸い寄せられクランプリング３０に密着する。基板Ｗがクランプリング３０に密着した状態でステージ２１１がさらに下降すると、基板Ｗがステージ２１１から離れる。そして、基板Ｗとクランプリング３０の間、および、クランプリング３０と棚部２０１０の間からのパージガスのリークが進み、処理空間ＳPと下部空間ＳLとの圧力差が所定値未満になると、基板Ｗがクランプリング３０から離れ、ステージ２１１上に落下する。これにより、例えば図７に示されるように、基板Ｗが破損する場合がある。
【0041】
そのため、比較例では、処理空間ＳPと下部空間ＳLとの圧力差が所定値未満になるまで、ステージ２１１の下降を待機することで基板Ｗの破損を回避することになる。この場合、基板Ｗの処理におけるスループットが低下する。
【0042】
これに対し、本実施形態では、クランプリング３０に貫通孔３００が形成されている。そのため、ステージ２１１の下降に伴って、基板Ｗ、クランプリング３０、シャワーヘッド２３０、絶縁部材２０４、排気ダクト２０２、および棚部２０１０によって閉空間が形成された場合でも、閉空間内に貫通孔３００を介してパージガスが流れる。これにより、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差が抑制される。これにより、基板Ｗがクランプリング３０に密着することなく、ステージ２１１の下降と共に基板Ｗを迅速に下降させることができ、処理後の基板Ｗを迅速に搬出することができる。従って、基板Ｗの処理におけるスループットを向上させることができる。
【0043】
以上、第１の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における基板処理装置１０は、処理容器２０９と、ステージ２１１と、排気口２０３と、昇降機構２４０と、クランプリング３０と、圧力調整機構とを備える。ステージ２１１は、処理容器２０９内に設けられ、基板Ｗが載せられる。排気口２０３は、処理容器２０９の内側壁に沿って、ステージ２１１の周囲に配置されている。昇降機構２４０は、ステージ２１１を、ステージ２１１に載せられた基板Ｗに対して処理を行う際の位置である処理位置と、処理位置よりも低い位置であって、基板Ｗをステージ２１１上に搬入する際、および、基板Ｗをステージ上から搬出する際の位置である搬送位置との間でステージ２１１を昇降させる。クランプリング３０は、ステージ２１１が処理位置にある場合にステージ２１１上の基板Ｗの周縁上に配置され基板Ｗの周縁を覆い、ステージ２１１が搬送位置にある場合に、処理容器２０９の側壁に設けられた棚部２０１０に支持される。圧力調整機構は、ステージ２１１上の基板Ｗの上方の処理空間ＳPと、ステージ２１１の下方の下部空間ＳLとの圧力差を抑制する。これにより、処理後の基板Ｗを迅速に搬出することができる。
【0044】
また、上記した実施形態において、圧力調整機構は、クランプリング３０の厚さ方向に沿って形成された貫通孔３００である。これにより、圧力調整機構を容易に構成することができる。
【0045】
また、上記した実施形態における基板処理装置１０は、処理容器２０９の上部に設けられ、ステージ２１１上の基板Ｗを処理するための処理ガスを、下面に設けられた吐出口２３２ａおよび吐出口２３２ｂから処理容器２０９内に供給するシャワーヘッド２３０を備える。貫通孔３００は、平面視において、吐出口２３２ａおよび吐出口２３２ｂが設けられる領域よりも外側の領域に形成される。これにより、貫通孔３００を介してクランプリング３０の上方に流れるパージガスが処理空間ＳP内に侵入しにくくなる。これにより、処理空間ＳP内に供給された処理ガスの濃度がパージガスの侵入により低下することを防止することができ、基板Ｗに対する処理に要する時間が長くなることを防止することができる。
【0046】
また、上記した実施形態において、ステージ２１１の下方の下部空間ＳLには、パージガスが供給される。これにより、下部空間ＳLに配置された部材や基板Ｗの裏面等にデポが付着することを抑制することができる。
【0047】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、基板Ｗの処理が行われている間も、貫通孔３００を介してパージガスがクランプリング３０の上方へ流れる。これに対し、本実施形態では、ステージ２１１が処理位置にある場合に貫通孔３００の開口部が塞がれ、ステージ２１１が処理位置よりも下方に移動した場合に、貫通孔３００の開口部が開放される点が第１の実施形態とは異なる。以下では、第１の実施形態と異なる点を中心に説明を行う。
第１の実施形態では、基板Ｗの処理が行われている間も、貫通孔３００を介してパージガスがクランプリング３０の上方へ流れる。これに対し、本実施形態では、ステージ２１１が処理位置にある場合に貫通孔３００の開口部が塞がれ、ステージ２１１が処理位置よりも下方に移動した場合に、貫通孔３００の開口部が開放される点が第１の実施形態とは異なる。以下では、第１の実施形態と異なる点を中心に説明を行う。
【0048】
図８は、第２の実施形態におけるステージ２１１の周縁付近の構造の一例を示す拡大断面図である。図８には、ステージ２１１が処理位置にある場合の状態が示されている。本実施形態では、例えば図８に示されるように、シャワーヘッド２３０の下面に、シャワーヘッド２３０からクランプリング３０へ向かう方向に突出する凸部２３０１が形成されている。シャワーヘッド２３０は、処理容器２０９の上部の一例である。凸部２３０１は、クランプリング３０の貫通孔３００に対応する位置に形成されている。ステージ２１１が処理位置にある場合、例えば図８に示されるように、貫通孔３００の開口部が凸部２３０１によって塞がれる。これにより、基板Ｗの処理が行われる際に、貫通孔３００を介してパージガスが処理空間ＳP内にさらに侵入しにくくなる。そのため、基板Ｗに対する処理に要する時間が長くなることをさらに防止することができる。
【0049】
また、基板Ｗに対する処理が終了し、基板Ｗが搬出される場合、ステージ２１１が下降することにより、例えば図９に示されるように、シャワーヘッド２３０の凸部２３０１と貫通孔３００の開口部とが離れる。これにより、貫通孔３００の開口部が開放され、貫通孔３００を介してパージガスがクランプリング３０の上方へ流れる。そのため、ステージ２１１が下降し、基板Ｗ、クランプリング３０、シャワーヘッド２３０、絶縁部材２０４、排気ダクト２０２、および棚部２０１０によって閉空間が形成された場合でも、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差が抑制される。これにより、基板Ｗがクランプリング３０に密着することなく、ステージ２１１の下降と共に基板Ｗを下方に移動させることができる。
【0050】
なお、シャワーヘッド２３０の凸部２３０１の先端には、例えば図１０に示されるように、テーパ部２３０１ａが形成されることが好ましい。また、貫通孔３００の開口部には、例えば図１０に示されるように、テーパ部３００ａが形成されることが好ましい。これにより、凸部２３０１と貫通孔３００の位置が多少ずれていても、凸部２３０１によって貫通孔３００の開口部を塞ぐことができる。
【0051】
なお、本実施形態では、凸部２３０１の少なくとも一部が貫通孔３００内に挿入されることにより貫通孔３００の開口部が塞がれるが、開示の技術はこれに限られない。例えば、凸部２３０１は、貫通孔３００の開口部の領域よりも大きい領域の断面を有する形状であってもよい。この場合、平面視において、凸部２３０１の断面の領域内に貫通孔３００の開口部の領域が含まれる位置に凸部２３０１が配置される。これにより、凸部２３０１とクランプリング３０とが接触することにで、貫通孔３００の開口部が凸部２３０１によって塞がれる。
【0052】
以上、第２の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態において、処理容器２０９の上部には、処理容器２０９の上部から下方に突出する凸部２３０１が設けられている。凸部２３０１は、ステージ２１１が処理位置にある場合に、クランプリング３０の装置本体２００に挿入されることにより、貫通孔３００の開口部を塞く。また、凸部２３０１は、ステージ２１１が処理位置から搬送位置に移動する際に、クランプリング３０の貫通孔３００から離れることにより、貫通孔３００の開口部を開放する。これにより、基板Ｗの処理が行われる際に、貫通孔３００を介してパージガスが処理空間ＳP内にさらに侵入しにくくなり、基板Ｗに対する処理に要する時間が長くなることをさらに防止することができる。
【0053】
（第３の実施形態）
第１の実施形態では、クランプリング３０に形成された貫通孔３００を介してパージガスがクランプリング３０の上方へ流れることにより、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差が抑制される。これに対し、本実施形態では、下部容器２０１の棚部２０１０とクランプリング３０との間に隙間を形成し、その隙間を介して、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差が抑制される点が第１の実施形態とは異なる。以下では、第１の実施形態と異なる点を中心に説明を行う。
第１の実施形態では、クランプリング３０に形成された貫通孔３００を介してパージガスがクランプリング３０の上方へ流れることにより、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差が抑制される。これに対し、本実施形態では、下部容器２０１の棚部２０１０とクランプリング３０との間に隙間を形成し、その隙間を介して、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差が抑制される点が第１の実施形態とは異なる。以下では、第１の実施形態と異なる点を中心に説明を行う。
【0054】
図１１は、第３の実施形態におけるステージ２１１の周縁付近の構造の一例を示す拡大断面図である。図１１には、ステージ２１１が処理位置にある場合の状態が示されている。本実施形態では、例えば図１１に示されるように、棚部２０１０の上面に、棚部２０１０からシャワーヘッド２３０へ向かう方向に突出する凸部２０１０ａが形成されている。凸部２０１０ａは、クランプリング３０に沿って棚部２０１０の上面に例えば３つ以上形成されている。ステージ２１１が処理位置にある場合、例えば図１１に示されるように、クランプリング３０と凸部２０１０ａとは離れている。本実施形態では、クランプリング３０に貫通孔３００が形成されていないため、基板Ｗの処理が行われる際に、パージガスが処理空間ＳP内に侵入しにくい。そのため、基板Ｗに対する処理に要する時間が長くなることを防止することができる。
【0055】
基板Ｗに対する処理が終了し、基板Ｗが搬出される場合、ステージ２１１が下降することにより、例えば図１２に示されるように、クランプリング３０と凸部２０１０ａとが接触し、クランプリング３０が支持構造体２１０１ａによって支持される。図１２のＡ－Ａ断面は、例えば図１３のようになる。図１３に示されるように、凸部２０１０ａによって、クランプリング３０と棚部２０１０との間には、隙間４０が形成される。凸部２０１０ａによってクランプリング３０と棚部２０１０との間に形成される隙間４０は、圧力調整機構の一例である。この隙間４０によって、下部空間ＳL内のパージガスが処理空間ＳP内に流れる。これにより、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差が抑制される。
【0056】
以上、第３の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態において、棚部２０１０の上面には、凸部２０１０ａが設けられており、ステージ２１１が処理位置から搬送位置に移動する際に、クランプリング３０が凸部２０１０ａに支持されることにより、クランプリング３０の下面と棚部２０１０の上面との間に隙間４０が形成される。これにより、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差を容易に抑制することができる。
【0057】
（第４の実施形態）
第３の実施形態では、棚部２０１０に形成された凸部２０１０ａによって、クランプリング３０と棚部２０１０との間に隙間４０が形成された。これに対し、本実施形態では、棚部２０１０に溝を形成することにより、クランプリング３０と棚部２０１０との間に隙間４０が形成される点が第３の実施形態とは異なる。以下では、第３の実施形態と異なる点を中心に説明を行う。
第３の実施形態では、棚部２０１０に形成された凸部２０１０ａによって、クランプリング３０と棚部２０１０との間に隙間４０が形成された。これに対し、本実施形態では、棚部２０１０に溝を形成することにより、クランプリング３０と棚部２０１０との間に隙間４０が形成される点が第３の実施形態とは異なる。以下では、第３の実施形態と異なる点を中心に説明を行う。
【0058】
図１４は、第４の実施形態におけるステージ２１１の周縁付近の構造の一例を示す拡大断面図である。図１４には、ステージ２１１が処理位置にある場合の状態が示されている。本実施形態では、例えば図１４に示されるように、棚部２０１０の上面に溝２０１０ｂが形成されている。溝２０１０ｂは、例えば図１５に示されるように、平面視において、クランプリング３０の領域Ｒcの外側まで延在するように、棚部２０１０の上面に形成されている。
【0059】
ステージ２１１が処理位置にある場合、例えば図１４に示されるように、クランプリング３０と棚部２０１０とは離れている。本実施形態では、クランプリング３０に貫通孔３００が形成されていないため、基板Ｗの処理が行われる際に、パージガスが処理空間ＳP内に侵入しにくい。そのため、基板Ｗに対する処理に要する時間が長くなることを防止することができる。
【0060】
基板Ｗに対する処理が終了し、基板Ｗが搬出される場合、ステージ２１１が下降することにより、例えば図１６に示されるように、クランプリング３０と棚部２０１０とが接触し、クランプリング３０が支持構造体２１０１によって支持される。図１６のＡ－Ａ断面は、例えば図１７のようになる。図１７に示されるように、クランプリング３０と棚部２０１０との間には、０２０１０ｂによって隙間４０が形成される。溝２０１０ｂによってクランプリング３０と棚部２０１０との間に形成される隙間４０は、圧力調整機構の一例である。この隙間４０によって、下部空間ＳL内のパージガスが処理空間ＳP内に流れ、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差が抑制される。
【0061】
以上、第４の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態において、２０１０の棚部２０１０の上面には、平面視においてクランプリング３０の領域の外側まで延在する溝２０１０ｂが形成されている。そして、ステージ２１１が処理位置から搬送位置に移動する際に、クランプリング３０の下面と棚部２０１０の溝２０１０ｂとの間で隙間４０が形成される。これにより、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差を容易に抑制することができる。
【0062】
（第５の実施形態）
第４の実施形態では、棚部２０１０に形成された溝２０１０ｂによってクランプリング３０と棚部２０１０との間に形成された隙間４０を介して、下部空間ＳL内のパージガスが処理空間ＳP内に流れる。これに対し、本実施形態では、棚部２０１０内に配管を形成することにより、当該配管を介して下部空間ＳL内のパージガスを処理空間ＳP内に流す点が第４の実施形態とは異なる。以下では、第４の実施形態と異なる点を中心に説明を行う。
第４の実施形態では、棚部２０１０に形成された溝２０１０ｂによってクランプリング３０と棚部２０１０との間に形成された隙間４０を介して、下部空間ＳL内のパージガスが処理空間ＳP内に流れる。これに対し、本実施形態では、棚部２０１０内に配管を形成することにより、当該配管を介して下部空間ＳL内のパージガスを処理空間ＳP内に流す点が第４の実施形態とは異なる。以下では、第４の実施形態と異なる点を中心に説明を行う。
【0063】
図１８は、第５の実施形態におけるステージ２１１の周縁付近の構造の一例を示す拡大断面図である。図１８には、ステージ２１１が処理位置にある場合の状態が示されている。本実施形態では、例えば図１８に示されるように、棚部２０１０内に配管２０１０ｃが設けられる。配管２０１０ｃは、棚部２０１０の上方の空間と、棚部２０１０の下方の空間とに連通している。配管２０１０ｃは、平面視において、配管２０１０ｃの開口部が、クランプリング３０が配置される領域の外側に配置されるように、棚部２０１０内に設けられている。これにより、ステージ２１１が下降し、クランプリング３０が棚部２０１０に支持された場合でも、配管２０１０ｃを介して、下部空間ＳL内のパージガスを処理空間ＳP内に流すことができる。これにより、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差を容易に抑制することができる。
【0064】
なお、棚部２０１０の上方の空間と、棚部２０１０の下方の空間とに連通する配管２０１０ｃには、例えば図１９に示されるように、バルブ２０１０ｅが設けられていてもよい。バルブ２０１０ｅは、ステージ２１１が処理位置にある場合に閉じられ、ステージ２１１が処理位置から搬送位置に移動する際に開けられる。バルブ２０１０ｅは、制御装置１００によって制御される。ステージ２１１が処理位置にある場合にバルブ２０１０ｅが閉じられることにより、棚部２０１０の上方に過剰にパージガスが供給され、その一部が処理空間ＳP内に侵入してしまうことを防止することができる。また、基板Ｗが搬出される場合にバルブ２０１０ｅが開けられることにより、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差を容易に抑制することができる。
【0065】
また、本実施形態における配管２０１０ｃは、棚部２０１０の上方の空間と、棚部２０１０の下方の空間とに連通するが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば図２０に示されるように、配管２０１０ｃは、棚部２０１０の下方の空間と、排気管２０６とに連通してもよい。この場合、配管２０１０ｃには、ステージ２１１が処理位置にある場合に閉じられ、ステージ２１１が処理位置から搬送位置に移動する際に開けられるバルブ２０１０ｅが設けられる。このような構成であっても、基板Ｗの搬出時に、処理空間ＳP内と下部空間ＳL内との圧力差を容易に抑制することができる。
【0066】
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
【0067】
例えば、上記した第３および第４の実施形態では、棚部２０１０の上面に凸部２０１０ａや溝２０１０ｂを設けることにより、クランプリング３０と棚部２０１０との間に隙間４０を形成する。しかし、開示の技術はこれに限られず、他の方法によってクランプリング３０と棚部２０１０との間に隙間４０が形成されてもよい。例えば、他の形態として、棚部２０１０の上面と接触するクランプリング３０の下面に凸部や溝が設けられてもよい。あるいは、クランプリング３０の下面および棚部２０１０の上面の両方に、凸部または溝が設けられてもよい。あるいは、クランプリング３０の下面および棚部２０１０の上面のいずれか一方または両方に粗面加工が施されていてもよい。
【0068】
また、上記した実施形態では、第１のモノマーとしてイソシアネート、第２のモノマーとしてアミンを用いて、基板Ｗの表面に尿素結合（－ＮＨ－ＣＯ－ＮＨ－）を有する重合体の膜が形成されたが、開示の技術はこれに限られない。例えば、第１のモノマーとしてエポキシド、第２のモノマーとしてアミンを用いて、基板Ｗの表面に２－アミノエタノール結合（－ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ（ＯＨ）－）を有する重合体の膜が形成されてもよい。あるいは、第１のモノマーとしてイソシアネート、第２のモノマーとしてアルコールを用いて、基板Ｗの表面にウレタン結合（－ＮＨ－ＣＯ－Ｏ－）を有する重合体の膜が形成されてもよい。あるいは、第１のモノマーとしてハロゲン化アシル、第２のモノマーとしてアミンを用いて、基板Ｗの表面にアミド結合（－ＮＨ－ＣＯ－）を有する重合体の膜が形成されてもよい。あるいは、第１のモノマーとしてカルボン酸無水物、第２のモノマーとしてアミンを用いて、基板Ｗの表面にイミド結合（－ＣＯ－Ｎ（－）－ＣＯ－）を有する重合体の膜が形成されてもよい。
【0069】
基板Ｗの表面にイミド結合を有する重合体の膜が形成される場合、第１のモノマーとしては、例えばピロメリト酸二無水物（ＰＭＤＡ）等を用いることができる。また、基板Ｗの表面にイミド結合を有する重合体の膜が形成される場合、第２のモノマーとしては、例えば４，４’－オキシジアニリン（４４ＯＤＡ）、または、ヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤＡ）等を用いることができる。
【0070】
また、上記した実施形態では、基板処理装置１０として、成膜を行う装置を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。クランプリング３０が設けられる基板処理装置であれば、成膜を行う装置以外に、エッチングを行う装置や、基板Ｗの改質を行う装置等にも開示の技術を適用することができる。
【0071】
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。また、上記した各実施形態は、構造的に矛盾しない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
【0072】
また、上記の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【0073】
（付記１）
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、基板が載せられるステージと、
前記処理容器の内側壁に沿って、前記ステージの周囲に配置された排気口と、
前記ステージを、前記ステージに載せられた前記基板に対して処理を行う際の位置である処理位置と、前記処理位置よりも低い位置であって、前記基板を前記ステージ上に搬入する際、および、前記基板を前記ステージ上から搬出する際の位置である搬送位置との間で前記ステージを昇降させる駆動部と、
前記ステージが前記処理位置にある場合に前記ステージ上の前記基板の周縁上に配置され前記基板の周縁を覆い、前記ステージが前記搬送位置にある場合に、前記処理容器の側壁に設けられた棚部に支持されるクランプリングと、
前記ステージ上の前記基板の上方の空間と、前記ステージの下方の空間との圧力差を抑制する圧力調整機構と
を備える基板処理装置。
（付記２）
前記圧力調整機構は、
前記クランプリングの厚さ方向に沿って形成された貫通孔である付記１に記載の基板処理装置。
（付記３）
前記処理容器の上部に設けられ、前記ステージ上の前記基板を処理するための処理ガスを、下面に設けられた吐出口から前記処理容器内に供給するシャワーヘッドを備え、
前記貫通孔は、平面視において、前記吐出口が設けられる領域よりも外側の領域に形成される付記２に記載の基板処理装置。
（付記４）
前記処理容器の上部には、前記上部から下方に突出する凸部が設けられており、
前記凸部は、
前記ステージが前記処理位置にある場合に、前記クランプリングの前記貫通孔に挿入されることにより、前記貫通孔の開口部を塞ぎ、
前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングの前記貫通孔から離れることにより、前記貫通孔の開口部を開放する付記２または３に記載の基板処理装置。
（付記５）
前記圧力調整機構は、
前記クランプリングと前記棚部との間に形成された隙間である付記１に記載の基板処理装置。
（付記６）
前記棚部の上面には、凸部が設けられており、
前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングが前記凸部に支持されることにより、前記クランプリングの下面と前記棚部の上面との間に隙間が形成される付記５に記載の基板処理装置。
（付記７）
前記棚部の上面には、平面視において前記クランプリングの領域の外側まで延在する溝が形成されており、前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングの下面と前記棚部の前記溝との間で隙間が形成される付記５に記載の基板処理装置。
（付記８）
前記圧力調整機構は、
前記ステージ上の前記基板の上方の空間と、前記ステージの下方の空間とを接続する配管である付記１に記載の基板処理装置。
（付記９）
前記配管には、前記ステージが前記処理位置にある場合に閉じられ、前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に開けられるバルブが設けられている付記８に記載の基板処理装置。
（付記１０）
前記ステージの下方の空間には、パージガスが供給される付記１から８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、基板が載せられるステージと、
前記処理容器の内側壁に沿って、前記ステージの周囲に配置された排気口と、
前記ステージを、前記ステージに載せられた前記基板に対して処理を行う際の位置である処理位置と、前記処理位置よりも低い位置であって、前記基板を前記ステージ上に搬入する際、および、前記基板を前記ステージ上から搬出する際の位置である搬送位置との間で前記ステージを昇降させる駆動部と、
前記ステージが前記処理位置にある場合に前記ステージ上の前記基板の周縁上に配置され前記基板の周縁を覆い、前記ステージが前記搬送位置にある場合に、前記処理容器の側壁に設けられた棚部に支持されるクランプリングと、
前記ステージ上の前記基板の上方の空間と、前記ステージの下方の空間との圧力差を抑制する圧力調整機構と
を備える基板処理装置。
（付記２）
前記圧力調整機構は、
前記クランプリングの厚さ方向に沿って形成された貫通孔である付記１に記載の基板処理装置。
（付記３）
前記処理容器の上部に設けられ、前記ステージ上の前記基板を処理するための処理ガスを、下面に設けられた吐出口から前記処理容器内に供給するシャワーヘッドを備え、
前記貫通孔は、平面視において、前記吐出口が設けられる領域よりも外側の領域に形成される付記２に記載の基板処理装置。
（付記４）
前記処理容器の上部には、前記上部から下方に突出する凸部が設けられており、
前記凸部は、
前記ステージが前記処理位置にある場合に、前記クランプリングの前記貫通孔に挿入されることにより、前記貫通孔の開口部を塞ぎ、
前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングの前記貫通孔から離れることにより、前記貫通孔の開口部を開放する付記２または３に記載の基板処理装置。
（付記５）
前記圧力調整機構は、
前記クランプリングと前記棚部との間に形成された隙間である付記１に記載の基板処理装置。
（付記６）
前記棚部の上面には、凸部が設けられており、
前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングが前記凸部に支持されることにより、前記クランプリングの下面と前記棚部の上面との間に隙間が形成される付記５に記載の基板処理装置。
（付記７）
前記棚部の上面には、平面視において前記クランプリングの領域の外側まで延在する溝が形成されており、前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に、前記クランプリングの下面と前記棚部の前記溝との間で隙間が形成される付記５に記載の基板処理装置。
（付記８）
前記圧力調整機構は、
前記ステージ上の前記基板の上方の空間と、前記ステージの下方の空間とを接続する配管である付記１に記載の基板処理装置。
（付記９）
前記配管には、前記ステージが前記処理位置にある場合に閉じられ、前記ステージが前記処理位置から前記搬送位置に移動する際に開けられるバルブが設けられている付記８に記載の基板処理装置。
（付記１０）
前記ステージの下方の空間には、パージガスが供給される付記１から８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【符号の説明】
【0074】
Ｇ ゲートバルブ
Ｒs 領域
Ｒc 領域
Ｗ 基板
１０ 基板処理装置
１００ 制御装置
２００ 装置本体
２０１ 下部容器
２０１０ 棚部
２０１０ａ 凸部
２０１０ｂ 溝
２０１０ｃ 配管
２０１０ｅ バルブ
２０２ 排気ダクト
２０３ 排気口
２０４ 絶縁部材
２０５ 開口部
２０６ 排気管
２０７ 圧力調整バルブ
２０８ 排気装置
２０９ 処理容器
２１０ 支持構造体
２１１ ステージ
２１２ 支持部
２１４ ヒータ
２１５ 流路
２１６ 配管
２２０ ガス供給部
２２１ａ 原料供給源
２２１ｂ 原料供給源
２２１ｃ クリーニングガス供給源
２２１ｄ パージガス供給源
２２２ 気化器
２２３ ＭＦＣ
２２４ バルブ
２２５ 配管
２３０ シャワーヘッド
２３０１ 凸部
２３０１ａ テーパ部
３００ａ テーパ部
２３１ 拡散室
２３２ 吐出口
２４０ 昇降機構
２６０ ＲＦ電源
２６１ 整合器
３０ クランプリング
３００ 貫通孔
４０ 隙間
Ｒs 領域
Ｒc 領域
Ｗ 基板
１０ 基板処理装置
１００ 制御装置
２００ 装置本体
２０１ 下部容器
２０１０ 棚部
２０１０ａ 凸部
２０１０ｂ 溝
２０１０ｃ 配管
２０１０ｅ バルブ
２０２ 排気ダクト
２０３ 排気口
２０４ 絶縁部材
２０５ 開口部
２０６ 排気管
２０７ 圧力調整バルブ
２０８ 排気装置
２０９ 処理容器
２１０ 支持構造体
２１１ ステージ
２１２ 支持部
２１４ ヒータ
２１５ 流路
２１６ 配管
２２０ ガス供給部
２２１ａ 原料供給源
２２１ｂ 原料供給源
２２１ｃ クリーニングガス供給源
２２１ｄ パージガス供給源
２２２ 気化器
２２３ ＭＦＣ
２２４ バルブ
２２５ 配管
２３０ シャワーヘッド
２３０１ 凸部
２３０１ａ テーパ部
３００ａ テーパ部
２３１ 拡散室
２３２ 吐出口
２４０ 昇降機構
２６０ ＲＦ電源
２６１ 整合器
３０ クランプリング
３００ 貫通孔
４０ 隙間
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】