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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023181466
(43)【公開日】2023-12-21
(54)【発明の名称】導電性積層体、タッチパネル、導電性積層体の製造方法
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20231214BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20231214BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 400
G06F3/041 660
G06F3/044 122
G06F3/041 495
【審査請求】有
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023188104
(22)【出願日】2023-11-02
(62)【分割の表示】P 2021508272の分割
【原出願日】2020-02-19
(31)【優先権主張番号】P 2019059120
(32)【優先日】2019-03-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100148080
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 史生
(72)【発明者】
【氏名】井上 大輔
(57)【要約】
【課題】高温環境下に静置した際に、金属細線の断線が抑制された導電性積層体、タッチパネル、および、導電性積層体の製造方法を提供。
【解決手段】第１有機膜と、第１有機膜上に配置された金属細線と、金属細線を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、金属細線が、第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、第１有機膜および第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体。
【選択図】なし
【解決手段】第１有機膜と、第１有機膜上に配置された金属細線と、金属細線を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、金属細線が、第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、第１有機膜および第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１有機膜と、
前記第１有機膜上に配置された金属細線と、
前記金属細線を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、
前記金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第１有機膜および前記第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体。
前記第１有機膜上に配置された金属細線と、
前記金属細線を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、
前記金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第１有機膜および前記第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体。
【請求項2】
前記含水率が１．００％未満である、請求項１に記載の導電性積層体。
【請求項3】
前記黒化層と前記密着層とが同一の金属原子を含む、請求項１または２に記載の導電性積層体。
【請求項4】
前記第１有機膜と前記第２有機膜とが同一の材料で構成されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項5】
前記金属細線の線幅が第１有機膜側から第２有機膜側に向かって漸次小さくなる、請求項１～４のいずれか1項に記載の導電性積層体。
【請求項6】
前記金属細線と前記第２有機膜との間に、前記金属細線を覆うように、Ｓｉ、Ａｌ、および、Ｔｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む無機膜が配置されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項7】
前記無機膜が、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、および、ＴｉＯ２からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項６に記載の導電性積層体。
【請求項8】
前記金属導電層が、Ｃｕ、Ａｌ、および、Ａｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項9】
前記黒化層が、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、および、Ｗからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項10】
さらに、前記第１有機膜の第２有機膜側とは反対側に支持体を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項11】
前記支持体がガラス基板である、請求項１０に記載の導電性積層体。
【請求項12】
請求項１～１１のいずれか１項に記載の導電性積層体を含む、タッチパネル。
【請求項13】
第１有機膜を形成する工程と、
前記第１有機膜上に金属細線を形成する工程と、
前記金属細線を覆うように第２有機膜を形成する工程と、を有し、
前記金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第１有機膜および前記第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体の製造方法。
前記第１有機膜上に金属細線を形成する工程と、
前記金属細線を覆うように第２有機膜を形成する工程と、を有し、
前記金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第１有機膜および前記第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、導電性積層体、タッチパネル、および、導電性積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
金属細線を有する導電性基板は、タッチパネル、太陽電池、および、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子など種々の用途に幅広く利用されている。特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器へのタッチパネルの搭載率が上昇しており、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板の需要が急速に拡大している。
例えば、特許文献１においては、基板上に黒化層および銅配線が配置されたタッチパネルセンサーが開示されている。
例えば、特許文献１においては、基板上に黒化層および銅配線が配置されたタッチパネルセンサーが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－２０６３１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
通常、金属細線の保護の目的で、有機膜上に配置された金属細線を覆うように有機膜が配置される場合がある。
本発明者らは、黒化層と金属導電層との密着性の向上を目的として、黒化層および金属導電層の間に密着層を配置して、得られた金属細線上に有機膜をさらに配置して得られる導電性積層体の特性について検討を行ったところ、導電性積層体を高温環境下に静置すると、金属細線の断線が生じる場合があることを知見した。この金属細線の断線は、細線の幅に依存するものではなかった。
本発明者らは、黒化層と金属導電層との密着性の向上を目的として、黒化層および金属導電層の間に密着層を配置して、得られた金属細線上に有機膜をさらに配置して得られる導電性積層体の特性について検討を行ったところ、導電性積層体を高温環境下に静置すると、金属細線の断線が生じる場合があることを知見した。この金属細線の断線は、細線の幅に依存するものではなかった。
【0005】
本発明は、上記実情に鑑みて、高温環境下に静置した際に、金属細線の断線が抑制された導電性積層体を提供することを課題とする。
また、本発明は、タッチパネル、および、導電性積層体の製造方法を提供することも課題とする。
また、本発明は、タッチパネル、および、導電性積層体の製造方法を提供することも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
【0007】
（１） 第１有機膜と、
第１有機膜上に配置された金属細線と、
金属細線を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、
金属細線が、第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
第１有機膜および第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体。
（２） 含水率が１．００％未満である、（１）に記載の導電性積層体。
（３） 黒化層と密着層とが同一の金属原子を含む、（１）または（２）に記載の導電性積層体。
（４） 第１有機膜と第２有機膜とが同一の材料で構成されている、（１）～（３）のいずれかに記載の導電性積層体。
（５） 金属細線の線幅が第１有機膜側から第２有機膜側に向かって漸次小さくなる、（１）～（４）のいずれかに記載の導電性積層体。
（６） 金属細線と第２有機膜との間に、金属細線を覆うように、Ｓｉ、Ａｌ、および、Ｔｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む無機膜が配置されている、（１）～（５）のいずれかに記載の導電性積層体。
（７） 無機膜が、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、および、ＴｉＯ２からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（６）に記載の導電性積層体。
（８） 金属導電層が、Ｃｕ、Ａｌ、および、Ａｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む、（１）～（７）のいずれかに記載の導電性積層体。
（９） 黒化層が、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、および、Ｗからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む、（１）～（８）のいずれかに記載の導電性積層体。
（１０） さらに、第１有機膜の第２有機膜側とは反対側に支持体を含む、（１）～（９）のいずれかに記載の導電性積層体。
（１１） 支持体がガラス基板である、（１０）に記載の導電性積層体。
（１２） （１）～（１１）のいずれかに記載の導電性積層体を含む、タッチパネル。
（１３） 第１有機膜を形成する工程と、
第１有機膜上に金属細線を形成する工程と、
金属細線を覆うように第２有機膜を形成する工程と、を有し、
金属細線が、第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
第１有機膜および第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体の製造方法。
第１有機膜上に配置された金属細線と、
金属細線を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、
金属細線が、第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
第１有機膜および第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体。
（２） 含水率が１．００％未満である、（１）に記載の導電性積層体。
（３） 黒化層と密着層とが同一の金属原子を含む、（１）または（２）に記載の導電性積層体。
（４） 第１有機膜と第２有機膜とが同一の材料で構成されている、（１）～（３）のいずれかに記載の導電性積層体。
（５） 金属細線の線幅が第１有機膜側から第２有機膜側に向かって漸次小さくなる、（１）～（４）のいずれかに記載の導電性積層体。
（６） 金属細線と第２有機膜との間に、金属細線を覆うように、Ｓｉ、Ａｌ、および、Ｔｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む無機膜が配置されている、（１）～（５）のいずれかに記載の導電性積層体。
（７） 無機膜が、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、および、ＴｉＯ２からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（６）に記載の導電性積層体。
（８） 金属導電層が、Ｃｕ、Ａｌ、および、Ａｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む、（１）～（７）のいずれかに記載の導電性積層体。
（９） 黒化層が、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、および、Ｗからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む、（１）～（８）のいずれかに記載の導電性積層体。
（１０） さらに、第１有機膜の第２有機膜側とは反対側に支持体を含む、（１）～（９）のいずれかに記載の導電性積層体。
（１１） 支持体がガラス基板である、（１０）に記載の導電性積層体。
（１２） （１）～（１１）のいずれかに記載の導電性積層体を含む、タッチパネル。
（１３） 第１有機膜を形成する工程と、
第１有機膜上に金属細線を形成する工程と、
金属細線を覆うように第２有機膜を形成する工程と、を有し、
金属細線が、第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
第１有機膜および第２有機膜の含水率が３．００％未満である、導電性積層体の製造方法。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、高温環境下に静置した際に、金属細線の断線が抑制された導電性積層体を提供できる。
また、本発明によれば、タッチパネル、および、導電性積層体の製造方法を提供できる。
また、本発明によれば、タッチパネル、および、導電性積層体の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】導電性積層体の第１実施形態の断面図である。
【図2】交差する金属細線により構成されるメッシュパターンを示す一部平面図である。
【図3】導電性積層体の第２実施形態の断面図である。
【図4】導電性積層体の第３実施形態の断面図である。
【図5】実施例において形成される金属配線パターンの概略図である。
【図6】実施例において形成される金属配線パターンの概略図である。
【図7】実施例において形成される金属配線パターンの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に、本発明の好適態様について説明する。
なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において「有機膜」（後述する第１有機膜～第３有機膜）とは、炭素原子を含む膜を意味し、炭素原子以外のヘテロ原子（例えば、ケイ素原子、窒素原子、酸素原子など）が含まれていてもよい。
本発明の導電性積層体の特徴点としては、含水率の低い有機膜を用いている点が挙げられる。本発明においては、密着層および金属導電層を含む金属細線を含水率の低い有機膜で囲むことにより、密着層と金属導電層との剥離が抑制され、断線が抑制されている。
なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において「有機膜」（後述する第１有機膜～第３有機膜）とは、炭素原子を含む膜を意味し、炭素原子以外のヘテロ原子（例えば、ケイ素原子、窒素原子、酸素原子など）が含まれていてもよい。
本発明の導電性積層体の特徴点としては、含水率の低い有機膜を用いている点が挙げられる。本発明においては、密着層および金属導電層を含む金属細線を含水率の低い有機膜で囲むことにより、密着層と金属導電層との剥離が抑制され、断線が抑制されている。
【0011】
＜第１実施形態＞
以下に、本発明の導電性積層体の第１の実施態様について図面を参照して説明する。図１に、本発明の導電性積層体の第１の実施態様の断面図を示す。
導電性積層体１０Ａは、第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、第２有機膜１６とを含む。金属細線１４Ａは、第１有機膜１２側から、黒化層２０、密着層２２、および、金属導電層２４をこの順で含む。第１有機膜１２上に配置された金属細線１４Ａは、第２有機膜１６によって覆われている。つまり、金属細線１４Ａは、第１有機膜１２および第２有機膜１６によって囲まれている。なお、導電性積層体１０Ａをタッチパネルに適用する場合には、金属細線１４Ａ中の黒化層２０が金属導電層２４よりも視認側に配置されるように、導電性積層体１０Ａをタッチパネル中において配置することが好ましい。
以下、導電性積層体１０Ａに含まれる各部材について詳述する。
以下に、本発明の導電性積層体の第１の実施態様について図面を参照して説明する。図１に、本発明の導電性積層体の第１の実施態様の断面図を示す。
導電性積層体１０Ａは、第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、第２有機膜１６とを含む。金属細線１４Ａは、第１有機膜１２側から、黒化層２０、密着層２２、および、金属導電層２４をこの順で含む。第１有機膜１２上に配置された金属細線１４Ａは、第２有機膜１６によって覆われている。つまり、金属細線１４Ａは、第１有機膜１２および第２有機膜１６によって囲まれている。なお、導電性積層体１０Ａをタッチパネルに適用する場合には、金属細線１４Ａ中の黒化層２０が金属導電層２４よりも視認側に配置されるように、導電性積層体１０Ａをタッチパネル中において配置することが好ましい。
以下、導電性積層体１０Ａに含まれる各部材について詳述する。
【0012】
（第１有機膜）
第１有機膜は、金属細線を支持する部材の一つである。
第１有機膜の含水率は、３．００％未満である。なかでも、導電性積層体を高温環境下に静置した際に、金属細線の断線がより抑制される点（以下、単に「本発明の効果がより優れる点」ともいう。）で、１．００％未満が好ましく、０．４０％以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、０．００１％以上の場合が多い。
上記含水率の測定方法としては、温度２５℃、湿度５０％の環境下において測定対象物を２４時間調湿し、カールフィッシャー法（１５０℃、気化法）によって含水率を測定する方法が挙げられる。
なお、本明細書において、「カールフィッシャー法（１５０℃、気化法）」とは、ＪＩＳ Ｋ０１１３の記載に従い、カールフィッシャー水分計を用いて、気化温度１５０℃にて水分気化法で水分量を測定したことを意味する。
第１有機膜は、金属細線を支持する部材の一つである。
第１有機膜の含水率は、３．００％未満である。なかでも、導電性積層体を高温環境下に静置した際に、金属細線の断線がより抑制される点（以下、単に「本発明の効果がより優れる点」ともいう。）で、１．００％未満が好ましく、０．４０％以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、０．００１％以上の場合が多い。
上記含水率の測定方法としては、温度２５℃、湿度５０％の環境下において測定対象物を２４時間調湿し、カールフィッシャー法（１５０℃、気化法）によって含水率を測定する方法が挙げられる。
なお、本明細書において、「カールフィッシャー法（１５０℃、気化法）」とは、ＪＩＳ Ｋ０１１３の記載に従い、カールフィッシャー水分計を用いて、気化温度１５０℃にて水分気化法で水分量を測定したことを意味する。
【0013】
第１有機膜の厚みは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、０．５～５．０μｍが好ましく、１．０～３．０μｍがより好ましい。
【0014】
第１有機膜を構成する材料は特に制限されず、上述した含水率を満たす材料であればよく、樹脂が好ましい。例えば、（メタ）アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、および、ケイ素含有樹脂が挙げられ、（メタ）アクリル樹脂またはケイ素含有樹脂が好ましい。
なお、（メタ）アクリル樹脂とは、アクリル樹脂およびメタアクリル樹脂の両方を含む文言である。
また、ケイ素含有樹脂とは、ケイ素原子を含む有機樹脂を意味する。ケイ素含有樹脂としては、例えば、有機基を有するポリシラザン、および、シルセスキオキサン構造を含む有機樹脂が挙げられる。
なお、（メタ）アクリル樹脂とは、アクリル樹脂およびメタアクリル樹脂の両方を含む文言である。
また、ケイ素含有樹脂とは、ケイ素原子を含む有機樹脂を意味する。ケイ素含有樹脂としては、例えば、有機基を有するポリシラザン、および、シルセスキオキサン構造を含む有機樹脂が挙げられる。
【0015】
有機膜中の含水率がより低くなる点から、（メタ）アクリル樹脂は、炭素環を有することが好ましい。炭素環としては、シクロヘキサン環などの脂肪族環、並びに、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、アントラセン環、および、フェナンスレン環などの芳香族環が挙げられる。
炭素環は、単環であってもよいし、複環であってもよい。
炭素環としては、ベンゼン環またはフルオレン環が好ましく、フルオレン環がより好ましい。
炭素環は、単環であってもよいし、複環であってもよい。
炭素環としては、ベンゼン環またはフルオレン環が好ましく、フルオレン環がより好ましい。
【0016】
（メタ）アクリル樹脂に含まれる繰り返し単位を構成し得るモノマーとしては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、および、アクリル酸ブチルなどのアクリル酸エステル、ならびに、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、および、メタクリル酸ブチルなどのメタクリル酸エステルが挙げられる。
（メタ）アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸の誘導体１種の単重合体であっても、（メタ）アクリル酸の誘導体２種以上の共重合体であっても、これらと共重合可能な他の単量体との共重合体であってもよい。
（メタ）アクリル樹脂の重量平均分子量Ｍｗは、本発明の効果がより優れる点で、２０，０００以上が好ましく、２５，０００以上がより好ましく、６００，０００以下が好ましく、３５０，００００以下がより好ましい。
上記重量平均分子量（以下Ｍｗと略記）は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の値とする。ＧＰＣの具体的な測定条件としては、以下の測定条件が挙げられる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８３２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺＭ－Ｈ、ＴＳＫ ｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００、ＴＳＫ ｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ２０００併用、（東ソー社製、４．６ｍｍＩＤ(内径)×１５．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
（メタ）アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸の誘導体１種の単重合体であっても、（メタ）アクリル酸の誘導体２種以上の共重合体であっても、これらと共重合可能な他の単量体との共重合体であってもよい。
（メタ）アクリル樹脂の重量平均分子量Ｍｗは、本発明の効果がより優れる点で、２０，０００以上が好ましく、２５，０００以上がより好ましく、６００，０００以下が好ましく、３５０，００００以下がより好ましい。
上記重量平均分子量（以下Ｍｗと略記）は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の値とする。ＧＰＣの具体的な測定条件としては、以下の測定条件が挙げられる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８３２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺＭ－Ｈ、ＴＳＫ ｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００、ＴＳＫ ｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ２０００併用、（東ソー社製、４．６ｍｍＩＤ(内径)×１５．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
【0017】
（メタ）アクリル樹脂としては、公知の方法によって製造したものを使用してもよく、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、デルペット６０Ｎ、８０Ｎ（旭化成ケミカルズ（株）製）、ダイヤナールＢＲ８０、ＢＲ８３、ＢＲ８５、ＢＲ８８、ＢＲ９５、ＢＲ１１０、ＢＲ１１３（三菱レイヨン（株）製）が挙げられる。
【0018】
第１有機膜を構成する材料が樹脂である場合、樹脂は架橋構造を有していてもよい。
架橋構造を有する樹脂を形成する方法としては、多官能モノマーを硬化させて樹脂を得る方法が挙げられる。
多官能モノマーが有する重合性基の種類は特に制限されないが、ラジカル重合性基（例えば、（メタ）アクリロイル基）およびカチオン重合性基が挙げられる。
多官能モノマーが有する重合性基の数は特に制限されないが、２以上が好ましく、３～６がより好ましい。
架橋構造を有する樹脂を形成する方法としては、多官能モノマーを硬化させて樹脂を得る方法が挙げられる。
多官能モノマーが有する重合性基の種類は特に制限されないが、ラジカル重合性基（例えば、（メタ）アクリロイル基）およびカチオン重合性基が挙げられる。
多官能モノマーが有する重合性基の数は特に制限されないが、２以上が好ましく、３～６がより好ましい。
【0019】
第１有機膜を製造する際にモノマーを用いる場合には、必要に応じて、重合開始剤を合わせて用いてもよい。重合開始剤としては、重合形式に応じて最適な開始剤が選択され、例えば、ラジカル重合開始剤、および、カチオン重合開始剤が挙げられる。
【0020】
第１有機膜の形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、所定のモノマーを含む組成物を用いて塗膜を形成して、塗膜を硬化させて第１有機膜を形成する方法、所定の樹脂を含む組成物を塗布して、必要に応じて乾燥処理を施して、第１有機膜を形成する方法、および、樹脂を溶融させてフィルム状に成形する方法が挙げられる。
【0021】
（金属細線）
金属細線は、黒化層、密着層、および、金属導電層を含む。以下、各層について詳述する。
黒化層は、光の反射を抑制し、金属細線の視認性を低下させるための層である。
黒化層を構成する材料は特に制限されず、公知の材料を適用できる。なかでも、黒化層は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎ、および、Ｍｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことが好ましく、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、および、Ｗからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことがより好ましい。
黒化層は、上記金属の原子以外の他の原子（例えば、炭素原子、酸素原子、窒素原子、および、水素原子）を含んでいてもよい。
黒化層は、上述した金属原子からなる金属単体、または、２種以上の金属原子からなる金属合金を含んでいてもよい。また、黒化層は、上述した金属原子の酸化物、窒化物、または、酸窒化物を含んでいてもよい。
金属細線は、黒化層、密着層、および、金属導電層を含む。以下、各層について詳述する。
黒化層は、光の反射を抑制し、金属細線の視認性を低下させるための層である。
黒化層を構成する材料は特に制限されず、公知の材料を適用できる。なかでも、黒化層は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎ、および、Ｍｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことが好ましく、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、および、Ｗからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことがより好ましい。
黒化層は、上記金属の原子以外の他の原子（例えば、炭素原子、酸素原子、窒素原子、および、水素原子）を含んでいてもよい。
黒化層は、上述した金属原子からなる金属単体、または、２種以上の金属原子からなる金属合金を含んでいてもよい。また、黒化層は、上述した金属原子の酸化物、窒化物、または、酸窒化物を含んでいてもよい。
【0022】
黒化層の厚みは特に制限されないが、光の反射を十分に抑制でき、工業性に優れる点から、１～１００ｎｍが好ましく、３～３０ｎｍがより好ましい。
【0023】
密着層は、黒化層と金属導電層との間の密着性を担保するための層である。
密着層を構成する材料は特に制限されず、公知の材料を適用できる。なかでも、密着層は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎ、および、Ｍｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことが好ましく、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、および、Ｗからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことがより好ましい。
密着層は、上記金属の原子以外の他の原子（例えば、炭素原子、酸素原子、窒素原子、および、水素原子）を含んでいてもよい。
密着層は、上述した金属原子からなる金属単体、または、２種以上の金属原子からなる金属合金を含んでいてもよい。また、密着層は、上述した金属原子の酸化物、窒化物、または、酸窒化物を含んでいてもよい。
密着層を構成する材料は特に制限されず、公知の材料を適用できる。なかでも、密着層は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎ、および、Ｍｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことが好ましく、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、および、Ｗからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことがより好ましい。
密着層は、上記金属の原子以外の他の原子（例えば、炭素原子、酸素原子、窒素原子、および、水素原子）を含んでいてもよい。
密着層は、上述した金属原子からなる金属単体、または、２種以上の金属原子からなる金属合金を含んでいてもよい。また、密着層は、上述した金属原子の酸化物、窒化物、または、酸窒化物を含んでいてもよい。
【0024】
密着層と黒化層の密着性がより良好となる点から、黒化層と密着層とは同一の金属原子を含むことが好ましい。
また、密着層と黒化層とは構成成分が同じであった場合でも、密度が異なることによって機能が異なる場合もある。なお、密着層および黒化層の密度は、形成される際の条件（例えば、スパッタリング法の条件）によって変化する場合がある。
また、密着層と黒化層とは構成成分が同じであった場合でも、密度が異なることによって機能が異なる場合もある。なお、密着層および黒化層の密度は、形成される際の条件（例えば、スパッタリング法の条件）によって変化する場合がある。
【0025】
密着層の厚みは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１～１００ｎｍが好ましく、２０～６０ｎｍがより好ましい。
【0026】
金属導電層は、導電性積層体に対して導電性を付与し得る部材である。
金属導電層を構成する材料は特に制限されず、公知の材料を適用できる。なかでも、金属導電層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、および、Ｐｄからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことが好ましく、Ｃｕ、Ａｌ、および、Ａｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことがより好ましい。
金属導電層は、上述した金属原子からなる金属単体、または、２種以上の金属原子からなる金属合金を含んでいてもよい。
金属導電層を構成する材料は特に制限されず、公知の材料を適用できる。なかでも、金属導電層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、および、Ｐｄからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことが好ましく、Ｃｕ、Ａｌ、および、Ａｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことがより好ましい。
金属導電層は、上述した金属原子からなる金属単体、または、２種以上の金属原子からなる金属合金を含んでいてもよい。
【0027】
金属導電層の厚みは特に制限されないが、導電性の点から、１０～７００ｎｍが好ましく、１００～６００ｎｍがより好ましい。
【0028】
なお、金属細線は、上記黒化層、密着層、および、金属導電層以外の層を含んでいてもよい。
例えば、金属細線は、金属導電層の密着層側とは反対側の表面上に、密着層および保護層を含んでいてもよい。
金属導電層と保護層との間に配置される密着層は、両者の密着を担保するための層である。密着層の構成としては、上述した黒化層と金属導電層との間に配置される密着層の構成が挙げられる。
例えば、金属細線は、金属導電層の密着層側とは反対側の表面上に、密着層および保護層を含んでいてもよい。
金属導電層と保護層との間に配置される密着層は、両者の密着を担保するための層である。密着層の構成としては、上述した黒化層と金属導電層との間に配置される密着層の構成が挙げられる。
【0029】
保護層は、金属導電層を保護する役割を有する層である。
保護層の構成としては、上述した黒化層と同様の構成が挙げられる。
保護層の構成としては、上述した黒化層と同様の構成が挙げられる。
【0030】
金属細線の形状は特に制限されないが、金属細線の線幅が第１有機膜側から第２有機膜側に向かって漸次小さくなる形状が好ましい（図１参照）。つまり、金属細線は、テーパ状の断面形状を有することが好ましい。金属細線が上記形状を有する場合、金属細線がより視認しづらくなる。
テーパ状の断面形状を有する金属細線の傾斜面と、第１有機膜表面とのなす角度（図１中のθ１。以後、テーパ角度ともいう。）は特に制限されないが、６０～８０°が好ましい。
また、黒化層の第１有機膜側の線幅と、金属導電層の第１有機膜側の線幅とは異なっていてもよく、黒化層の第１有機膜側の線幅Ｗ１に対する、金属導電層の第１有機膜側の線幅Ｗ２の割合｛（Ｗ２／Ｗ１）×１００（％）｝（図１参照）は、９０～９９．９％が好ましい。上記範囲内であれば、金属細線がより視認しづらくなる。
テーパ状の断面形状を有する金属細線の傾斜面と、第１有機膜表面とのなす角度（図１中のθ１。以後、テーパ角度ともいう。）は特に制限されないが、６０～８０°が好ましい。
また、黒化層の第１有機膜側の線幅と、金属導電層の第１有機膜側の線幅とは異なっていてもよく、黒化層の第１有機膜側の線幅Ｗ１に対する、金属導電層の第１有機膜側の線幅Ｗ２の割合｛（Ｗ２／Ｗ１）×１００（％）｝（図１参照）は、９０～９９．９％が好ましい。上記範囲内であれば、金属細線がより視認しづらくなる。
【0031】
金属細線の線幅は特に制限されず、３０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、９μｍ以下が特に好ましく、７μｍ以下が最も好ましく、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。上記範囲であれば、低抵抗で、視認しづらい電極を形成できる。
なお、上記金属細線の線幅とは金属細線のうち最も大きい線幅を意味し、図１のようにテーパ状の断面形状を有する金属細線の場合、黒化層の第１有機膜側の線幅が金属細線の線幅に該当する。
なお、上記金属細線の線幅とは金属細線のうち最も大きい線幅を意味し、図１のようにテーパ状の断面形状を有する金属細線の場合、黒化層の第１有機膜側の線幅が金属細線の線幅に該当する。
【0032】
金属細線の厚みは特に制限されず、０．０１～２０μｍが好ましく、０．０１～１０μｍがより好ましく、０．０１～５μｍがさらに好ましい。上記範囲であれば、低抵抗で、視認しづらい電極を形成できる。
【0033】
金属細線はパターンを形成していてもよく、例えば、そのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、および、直角三角形などの三角形、四角形（例えば、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、および、台形など）、（正）六角形、（正）八角形などの（正）ｎ角形、円、楕円、星形、ならびに、これらを組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状（メッシュパターン）であることがより好ましい。
【0034】
メッシュ状とは、図２に示すように、交差する金属細線１４により構成される複数の開口部１８を含んでいる形状が挙げられる。開口部１８の一辺の長さＬは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下がさらに好ましく、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上がさらに好ましい。
開口部の一辺の長さが上記範囲である場合には、導電性積層体の透明性がより良好となる。
開口部の一辺の長さが上記範囲である場合には、導電性積層体の透明性がより良好となる。
【0035】
図２において、開口部１８は、ひし形の形状を有しているが、他の形状であってもよい。例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、および、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
【0036】
可視光透過率の点から、金属細線より形成されるメッシュパターンの開口率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましい。開口率とは、金属細線がある領域を除いた第１有機膜上の領域が全体に占める割合に相当する。
【0037】
金属細線の形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられ、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、および、蒸着法が挙げられる。
また、金属細線を所定の位置に形成する方法に関しても、公知の方法が挙げられる。一例として、スパッタリング法によって第１有機膜の全面に黒化層、密着層、および、金属導電層を形成した後、金属導電層上にパターン化されたレジスト膜を形成して、レジスト膜の開口部の黒化層、密着層、および、金属導電層を除去することにより、所定の位置に金蔵細線を配置する方法が挙げられる。
なお、不要な層を除去する方法としては、ウェットエッチング（例えば、エッチング液を用いたエッチング）、および、ドライエッチングのいずれの方法でもよい。
また、金属細線を所定の位置に形成する方法に関しても、公知の方法が挙げられる。一例として、スパッタリング法によって第１有機膜の全面に黒化層、密着層、および、金属導電層を形成した後、金属導電層上にパターン化されたレジスト膜を形成して、レジスト膜の開口部の黒化層、密着層、および、金属導電層を除去することにより、所定の位置に金蔵細線を配置する方法が挙げられる。
なお、不要な層を除去する方法としては、ウェットエッチング（例えば、エッチング液を用いたエッチング）、および、ドライエッチングのいずれの方法でもよい。
【0038】
（第２有機膜）
第２有機膜は、上述した第１有機膜と共に、金属細線を支持する部材の一つである。
第２有機膜の構成は、上述した第１有機膜の構成と同じである。例えば、第２有機膜の含水率の範囲は、上述した第１有機膜の含水率の範囲と同じである。
第２有機膜の厚みは、金属細線を覆い、かつ、第２有機膜の表面が平滑になる点で、０．５～５．０μｍが好ましく、１．０～３．０μｍがより好ましい。
さらに、第２有機膜を構成する材料の好適態様は、第１有機膜を構成する材料の好適態様と同じである。
第２有機膜の形成方法は、上述した第１有機膜の形成方法と同じである。
第２有機膜は、上述した第１有機膜と共に、金属細線を支持する部材の一つである。
第２有機膜の構成は、上述した第１有機膜の構成と同じである。例えば、第２有機膜の含水率の範囲は、上述した第１有機膜の含水率の範囲と同じである。
第２有機膜の厚みは、金属細線を覆い、かつ、第２有機膜の表面が平滑になる点で、０．５～５．０μｍが好ましく、１．０～３．０μｍがより好ましい。
さらに、第２有機膜を構成する材料の好適態様は、第１有機膜を構成する材料の好適態様と同じである。
第２有機膜の形成方法は、上述した第１有機膜の形成方法と同じである。
【0039】
本発明の効果がより優れる点で、第１有機膜と第２有機膜とが同一の材料で構成されていることが好ましい。同一の材料で構成されることにより、第１有機膜と第２有機膜との密着性も向上する。
【0040】
上記導電性積層体は、公知の方法により製造できる。
なかでも、第１有機膜を形成する工程と、第１有機膜上に金属細線を形成する工程と、金属細線を覆うように第２有機膜を形成する工程とを有する方法により製造することが好ましい。
なお、各部材（第１有機膜、金属細線、第２有機膜）の具体的な製造方法は、上述した通りである。
なかでも、第１有機膜を形成する工程と、第１有機膜上に金属細線を形成する工程と、金属細線を覆うように第２有機膜を形成する工程とを有する方法により製造することが好ましい。
なお、各部材（第１有機膜、金属細線、第２有機膜）の具体的な製造方法は、上述した通りである。
【0041】
なお、上記導電性積層体においては、上述した以外の部材を含んでいてもよい。
例えば、第１有機膜と第２有機膜との間には、金属細線以外の他の導電部（例えば、金属細線からなるメッシュパターンの両端に配置された導電性端子部）が配置されていてもよい。
例えば、第１有機膜と第２有機膜との間には、金属細線以外の他の導電部（例えば、金属細線からなるメッシュパターンの両端に配置された導電性端子部）が配置されていてもよい。
【0042】
＜第２実施形態＞
以下に、本発明の導電性積層体の第２の実施態様について図面を参照して説明する。図３に、本発明の導電性積層体の第２の実施態様の断面図を示す。
導電性積層体１０Ｂは、第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、無機膜２６と、第２有機膜１６とを含む。金属細線１４Ａは、第１有機膜１２側から、黒化層２０、密着層２２、および、金属導電層２４をこの順で含む。
導電性積層体１０Ｂは、無機膜２６の点を除いて、導電性積層体１０Ａと同様の構成を有するものであって、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
以下では、無機膜２６について詳述する。
以下に、本発明の導電性積層体の第２の実施態様について図面を参照して説明する。図３に、本発明の導電性積層体の第２の実施態様の断面図を示す。
導電性積層体１０Ｂは、第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、無機膜２６と、第２有機膜１６とを含む。金属細線１４Ａは、第１有機膜１２側から、黒化層２０、密着層２２、および、金属導電層２４をこの順で含む。
導電性積層体１０Ｂは、無機膜２６の点を除いて、導電性積層体１０Ａと同様の構成を有するものであって、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
以下では、無機膜２６について詳述する。
【0043】
（無機膜）
無機膜は、金属細線を覆うように第１有機膜と第２有機膜との間に配置される膜である。無機膜が配置されることにより、本発明の効果がより優れる。
無機膜を構成する材料は特に制限されず、Ｓｉ、Ａｌ、および、Ｔｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことが好ましい。
無機膜は、上記金属の原子以外の他の原子（例えば、炭素原子、酸素原子、窒素原子、および、水素原子）を含んでいてもよい。
無機膜は、上述した金属原子の酸化物、窒化物、または、酸窒化物を含んでいてもよく、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、および、ＴｉＯ２からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
無機膜は、金属細線を覆うように第１有機膜と第２有機膜との間に配置される膜である。無機膜が配置されることにより、本発明の効果がより優れる。
無機膜を構成する材料は特に制限されず、Ｓｉ、Ａｌ、および、Ｔｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含むことが好ましい。
無機膜は、上記金属の原子以外の他の原子（例えば、炭素原子、酸素原子、窒素原子、および、水素原子）を含んでいてもよい。
無機膜は、上述した金属原子の酸化物、窒化物、または、酸窒化物を含んでいてもよく、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、および、ＴｉＯ２からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【0044】
無機膜の厚みは特に制限されず、１０～１０００ｎｍが好ましく、２０～２００ｎｍがより好ましい。
【0045】
図３に示すように、無機膜は第１有機膜および金属細線を覆うように配置されていてもよいし、金属細線のみを覆うように配置されていてもよい。
無機膜の形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられ、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、ならびに、めっき法およびゾルゲル法などの液相成長法が挙げられる。
無機膜の形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられ、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、ならびに、めっき法およびゾルゲル法などの液相成長法が挙げられる。
【0046】
＜第３実施形態＞
以下に、本発明の導電性積層体の第３の実施態様について図面を参照して説明する。図４に、本発明の導電性積層体の第３の実施態様の断面図を示す。
導電性積層体１０Ｃは、支持体２８、第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、第２有機膜１６と、金属細線１４Ｂと、無機膜２６と、第３有機膜３０とを含む。金属細線１４Ａおよび金属細線１４Ｂは、第１有機膜１２側から、黒化層２０、密着層２２、および、金属導電層２４をこの順で含む。
なお、導電性積層体１０Ｃをタッチパネルに適用する場合には、金属細線１４Ａ中の黒化層２０が金属導電層２４よりも視認側に配置されるように、導電性積層体１０Ｃをタッチパネル中において配置することが好ましい。つまり、タッチパネル中において、支持体２８が視認側に配置されることが好ましい。この場合、支持体２８は、タッチパネルにおいてタッチ面を構成していてもよい。
導電性積層体１０Ｃ中の第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、第２有機膜１６とは、導電性積層体１０Ａの第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、第２有機膜１６とにそれぞれ該当し、その説明を省略する。
以下では、導電性積層体１０Ｃに含まれる支持体２８、金属細線１４Ｂ（以下、「第２金属細線」ともいう）、無機膜２６、および、第３有機膜３０について詳述する。
以下に、本発明の導電性積層体の第３の実施態様について図面を参照して説明する。図４に、本発明の導電性積層体の第３の実施態様の断面図を示す。
導電性積層体１０Ｃは、支持体２８、第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、第２有機膜１６と、金属細線１４Ｂと、無機膜２６と、第３有機膜３０とを含む。金属細線１４Ａおよび金属細線１４Ｂは、第１有機膜１２側から、黒化層２０、密着層２２、および、金属導電層２４をこの順で含む。
なお、導電性積層体１０Ｃをタッチパネルに適用する場合には、金属細線１４Ａ中の黒化層２０が金属導電層２４よりも視認側に配置されるように、導電性積層体１０Ｃをタッチパネル中において配置することが好ましい。つまり、タッチパネル中において、支持体２８が視認側に配置されることが好ましい。この場合、支持体２８は、タッチパネルにおいてタッチ面を構成していてもよい。
導電性積層体１０Ｃ中の第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、第２有機膜１６とは、導電性積層体１０Ａの第１有機膜１２と、金属細線１４Ａと、第２有機膜１６とにそれぞれ該当し、その説明を省略する。
以下では、導電性積層体１０Ｃに含まれる支持体２８、金属細線１４Ｂ（以下、「第２金属細線」ともいう）、無機膜２６、および、第３有機膜３０について詳述する。
【0047】
（支持体）
支持体は、他の部材を支持するための部材である。より具体的には、第１有機膜を形成する際の部材として機能する。
支持体の種類は特に制限されず、例えば、ガラス基板、および、樹脂基板が挙げられ、透明性および耐光性の点から、ガラス基板が好ましい。
なお、樹脂基板を構成する材料としては、熱可塑性樹脂が挙げられ、熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸―マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、および、フルオレン環変性ポリエステル樹脂が挙げられる。
支持体の厚みは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。
支持体の全光線透過率は、８５～１００％が好ましい。
支持体は、他の部材を支持するための部材である。より具体的には、第１有機膜を形成する際の部材として機能する。
支持体の種類は特に制限されず、例えば、ガラス基板、および、樹脂基板が挙げられ、透明性および耐光性の点から、ガラス基板が好ましい。
なお、樹脂基板を構成する材料としては、熱可塑性樹脂が挙げられ、熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸―マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、および、フルオレン環変性ポリエステル樹脂が挙げられる。
支持体の厚みは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。
支持体の全光線透過率は、８５～１００％が好ましい。
【0048】
なお、支持体としては、仮支持体（剥離性支持体）を用いることもできる。支持体として仮支持体を用いる場合は、仮支持体上に配置されている部材を他の被貼合物へ転写することができる。その場合、仮支持体と第１有機膜との間で剥離が生じ、仮支持体を分離できる。
【0049】
（第２金属細線）
第２金属細線は、第２有機膜と第３有機膜との間に配置される細線である。
第２金属細線の構成は、上述した第１実施態様で説明した金属細線の構成と同様である。
第２金属細線は、第２有機膜と第３有機膜との間に配置される細線である。
第２金属細線の構成は、上述した第１実施態様で説明した金属細線の構成と同様である。
【0050】
（無機膜）
無機膜は、第２金属細線を覆うように第２有機膜と第３有機膜との間に配置される膜である。無機膜が配置されることにより、本発明の効果がより優れる。
無機膜の構成は、上述した第２実施形態で説明した無機膜の構成と同じである。
無機膜は、第２金属細線を覆うように第２有機膜と第３有機膜との間に配置される膜である。無機膜が配置されることにより、本発明の効果がより優れる。
無機膜の構成は、上述した第２実施形態で説明した無機膜の構成と同じである。
【0051】
（第３有機膜）
第３有機膜は、第２金属細線を覆うように配置される膜である。
第３有機膜の構成は、上述した第１実施形態で説明した第１有機膜の構成と同じである。例えば、第３有機膜の含水率の範囲は、上述した第１有機膜の含水率の範囲と同じである。
また、第３有機膜の厚みの好適範囲は、上述した第１有機膜の厚みの好適範囲と同じである。
さらに、第３有機膜を構成する材料の好適態様は、第１有機膜を構成する材料の好適態様と同じである。
第３有機膜の形成方法は、上述した第１有機膜の形成方法と同じである。
第３有機膜は、第２金属細線を覆うように配置される膜である。
第３有機膜の構成は、上述した第１実施形態で説明した第１有機膜の構成と同じである。例えば、第３有機膜の含水率の範囲は、上述した第１有機膜の含水率の範囲と同じである。
また、第３有機膜の厚みの好適範囲は、上述した第１有機膜の厚みの好適範囲と同じである。
さらに、第３有機膜を構成する材料の好適態様は、第１有機膜を構成する材料の好適態様と同じである。
第３有機膜の形成方法は、上述した第１有機膜の形成方法と同じである。
【0052】
本発明の導電性積層体は、タッチパネルに好適に用いることができる。
本発明の導電性積層体を有するタッチパネルの種類は特に制限されず、目的に応じて適宜選択でき、例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、投影型静電容量方式タッチパネル、および、抵抗膜式タッチパネルが挙げられる。なお、タッチパネルとは、いわゆるタッチセンサおよびタッチパッドを含むものとする。
上記タッチパネルは、各種表示装置（液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置など）に適用される。
本発明の導電性積層体を有するタッチパネルの種類は特に制限されず、目的に応じて適宜選択でき、例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、投影型静電容量方式タッチパネル、および、抵抗膜式タッチパネルが挙げられる。なお、タッチパネルとは、いわゆるタッチセンサおよびタッチパッドを含むものとする。
上記タッチパネルは、各種表示装置（液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置など）に適用される。
【実施例0053】
以下、実施例により、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0054】
＜実施例１＞
（支持体の準備）
１０ｃｍ角のガラス基板（コーニング社製、イーグルＸＧガラス）の表面に対して、ＵＶ（紫外線）オゾン処理を５分間施した。その後、得られたガラス基板を、アズワン社製のクリーンエースを３０質量％に希釈した水溶液に浸漬し、アイオン社製ベルクリンを用いてガラス基板の表面を擦り洗った。その後、得られたガラス基板を純水に浸漬し、上記同様にベルクリンを用いて、ガラス基板の表面を擦り洗った。その後、得られたガラス基板をエアブローし、２００℃にて３０分間で乾燥した。
（支持体の準備）
１０ｃｍ角のガラス基板（コーニング社製、イーグルＸＧガラス）の表面に対して、ＵＶ（紫外線）オゾン処理を５分間施した。その後、得られたガラス基板を、アズワン社製のクリーンエースを３０質量％に希釈した水溶液に浸漬し、アイオン社製ベルクリンを用いてガラス基板の表面を擦り洗った。その後、得られたガラス基板を純水に浸漬し、上記同様にベルクリンを用いて、ガラス基板の表面を擦り洗った。その後、得られたガラス基板をエアブローし、２００℃にて３０分間で乾燥した。
【0055】
（第１有機膜形成）
トリメチロールプロパントリアクリレート（東亞合成社製）と光重合開始剤（ランベルティ社製ＥＳＡＣＵＲＥ ＫＴＯ４６）とを９５．５質量％：４．５質量％で混合した後、メチルエチルケトン中に固形分濃度１０質量％となるよう溶解させて、有機膜形成用組成物を得た。
次に、テスター産業製自動塗布機ＰＩ１２１０にてアプリケーターバー（有効幅２０ｍｍ）を用いて、上記で洗浄処理されたガラス基板上に有機膜形成用組成物を塗布して、その後１２０℃で３分間乾燥させて、塗膜を形成した。なお、塗工速度は１００ｍｍ／ｓｅｃとした。
次に、日本電池社製メタルハライドランプＭＡＬ６２５ＮＬを用いて、酸素濃度２００体積ｐｐｍ、温度８０℃の条件下にて、塗膜に対してＵＶ照射（６００ｍＪ／ｃｍ２）して硬化膜を得た。その後、真空下にて、８０℃で１２時間にわたって硬化膜を乾燥し、第１有機膜（厚み：１．５μｍ）を得た。
トリメチロールプロパントリアクリレート（東亞合成社製）と光重合開始剤（ランベルティ社製ＥＳＡＣＵＲＥ ＫＴＯ４６）とを９５．５質量％：４．５質量％で混合した後、メチルエチルケトン中に固形分濃度１０質量％となるよう溶解させて、有機膜形成用組成物を得た。
次に、テスター産業製自動塗布機ＰＩ１２１０にてアプリケーターバー（有効幅２０ｍｍ）を用いて、上記で洗浄処理されたガラス基板上に有機膜形成用組成物を塗布して、その後１２０℃で３分間乾燥させて、塗膜を形成した。なお、塗工速度は１００ｍｍ／ｓｅｃとした。
次に、日本電池社製メタルハライドランプＭＡＬ６２５ＮＬを用いて、酸素濃度２００体積ｐｐｍ、温度８０℃の条件下にて、塗膜に対してＵＶ照射（６００ｍＪ／ｃｍ２）して硬化膜を得た。その後、真空下にて、８０℃で１２時間にわたって硬化膜を乾燥し、第１有機膜（厚み：１．５μｍ）を得た。
【0056】
（第１金属細線形成）
マグネトロンスパッタリング法にて、得られた第１有機膜上に膜厚１０ｎｍのＭｏＮｂ膜（Ｍｏ含有量：８０質量％、Ｎｂ含有量：２０質量％）を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力７ｋＷ、成膜速度０．８ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、ＭｏＮｂ膜上に膜厚４０ｎｍのＭｏＮｂ膜（Ｍｏ含有量：８０質量％、Ｎｂ含有量：２０質量％）を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力８ｋＷ、成膜速度０．６ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、ＭｏＮｂ膜上に膜厚２００ｎｍのＣｕ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力５ｋＷ、成膜速度０．４ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ｃｕ膜上に膜厚８０ｎｍのＣｕＮｉ膜（Ｃｕ含有量：７５質量％、Ｎｉ含有量：２５質量％）を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力６ｋＷ、成膜速度０．８ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、ＣｕＮｉ膜上に膜厚１００ｎｍのＭｏＮｂ膜（Ｍｏ含有量：８０質量％、Ｎｂ含有量：２０質量％）を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力４ｋＷ、成膜速度０．５ｎｍ／ｍｉｎであった。
なお、上記マグネトロンスパッタリング法においては、不活性ガスとしてアルゴンを用いた。
次に、形成された上記積層膜上に、東京応化製ＯＡＰを塗布した。次に、パターニング用レジストとして、東京応化製ノボラックＯＦＰＲ８００をさらに塗布した。上記塗布は、ミカサ社製スピンコータ１Ｈ－Ｄ７を用いた。上記塗布後に、９０℃にて３分間乾燥し、膜厚１μｍのレジスト膜を得た。
次に、メッシュフォトマスクを用い、ミカサ社製マスクアライナーＭＡ－２０（水銀光源）にて１０秒間にわたって、レジスト膜を光照射した。その後、東京応化製ＮＭＤ－Ｗ２．３８％水溶液に５分間浸漬し、次に、純水に１分間浸漬し、１２０℃で３分間乾燥して、パターン状のレジスト膜を得た。
パターン状のレジスト膜を有するガラス基板を５０℃に保温したエッチング液（東亞合成社製：塩化第二鉄液）に１分間浸漬し、次に、純水に５分間浸漬し、エアブローを行い、１２０℃で３分間乾燥し、図２に示すようなメッシュ状の金属細線を得た。
形成された金属細線は、ＭｏＮｂ膜（黒化層）、ＭｏＮｂ膜（密着層）、Ｃｕ膜（金属導電層）、ＣｕＮｉ膜（密着層）、および、ＭｏＮｂ膜（保護層）をこの順で含んでいた。また、金属細線は図１に示すようにテーパ状の断面形状を有し、金属細線の線幅（黒化層の第１有機膜側の線幅に該当）は４．０μｍであり、テーパ角度θ１は７０°であり、黒化層の第１有機膜側の線幅Ｗ１に対する、金属導電層の第１有機膜側の線幅Ｗ２の割合は９７％であった。
また、図５に示すように、第１有機膜上には、上記メッシュ状の第１金属細線から形成されるメッシュパターン４０と、メッシュパターン４０を挟む２つの抵抗値測定用端子４２とからなるユニット４４を２０個配置した。また、メッシュパターンのメッシュ状の開口部の一辺の長さは５００μｍであり、ひし形状の開口部の一つの角度（図２中の角度θ２）は６５°であった。抵抗値用測定用端子４２の大きさは２ｍｍ×１ｍｍであり、各ユニット４４の間隔は２ｍｍであった。
マグネトロンスパッタリング法にて、得られた第１有機膜上に膜厚１０ｎｍのＭｏＮｂ膜（Ｍｏ含有量：８０質量％、Ｎｂ含有量：２０質量％）を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力７ｋＷ、成膜速度０．８ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、ＭｏＮｂ膜上に膜厚４０ｎｍのＭｏＮｂ膜（Ｍｏ含有量：８０質量％、Ｎｂ含有量：２０質量％）を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力８ｋＷ、成膜速度０．６ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、ＭｏＮｂ膜上に膜厚２００ｎｍのＣｕ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力５ｋＷ、成膜速度０．４ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ｃｕ膜上に膜厚８０ｎｍのＣｕＮｉ膜（Ｃｕ含有量：７５質量％、Ｎｉ含有量：２５質量％）を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力６ｋＷ、成膜速度０．８ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、ＣｕＮｉ膜上に膜厚１００ｎｍのＭｏＮｂ膜（Ｍｏ含有量：８０質量％、Ｎｂ含有量：２０質量％）を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力４ｋＷ、成膜速度０．５ｎｍ／ｍｉｎであった。
なお、上記マグネトロンスパッタリング法においては、不活性ガスとしてアルゴンを用いた。
次に、形成された上記積層膜上に、東京応化製ＯＡＰを塗布した。次に、パターニング用レジストとして、東京応化製ノボラックＯＦＰＲ８００をさらに塗布した。上記塗布は、ミカサ社製スピンコータ１Ｈ－Ｄ７を用いた。上記塗布後に、９０℃にて３分間乾燥し、膜厚１μｍのレジスト膜を得た。
次に、メッシュフォトマスクを用い、ミカサ社製マスクアライナーＭＡ－２０（水銀光源）にて１０秒間にわたって、レジスト膜を光照射した。その後、東京応化製ＮＭＤ－Ｗ２．３８％水溶液に５分間浸漬し、次に、純水に１分間浸漬し、１２０℃で３分間乾燥して、パターン状のレジスト膜を得た。
パターン状のレジスト膜を有するガラス基板を５０℃に保温したエッチング液（東亞合成社製：塩化第二鉄液）に１分間浸漬し、次に、純水に５分間浸漬し、エアブローを行い、１２０℃で３分間乾燥し、図２に示すようなメッシュ状の金属細線を得た。
形成された金属細線は、ＭｏＮｂ膜（黒化層）、ＭｏＮｂ膜（密着層）、Ｃｕ膜（金属導電層）、ＣｕＮｉ膜（密着層）、および、ＭｏＮｂ膜（保護層）をこの順で含んでいた。また、金属細線は図１に示すようにテーパ状の断面形状を有し、金属細線の線幅（黒化層の第１有機膜側の線幅に該当）は４．０μｍであり、テーパ角度θ１は７０°であり、黒化層の第１有機膜側の線幅Ｗ１に対する、金属導電層の第１有機膜側の線幅Ｗ２の割合は９７％であった。
また、図５に示すように、第１有機膜上には、上記メッシュ状の第１金属細線から形成されるメッシュパターン４０と、メッシュパターン４０を挟む２つの抵抗値測定用端子４２とからなるユニット４４を２０個配置した。また、メッシュパターンのメッシュ状の開口部の一辺の長さは５００μｍであり、ひし形状の開口部の一つの角度（図２中の角度θ２）は６５°であった。抵抗値用測定用端子４２の大きさは２ｍｍ×１ｍｍであり、各ユニット４４の間隔は２ｍｍであった。
【0057】
（第２有機膜形成）
金属細線が形成された第１有機膜上に、上記（第１有機膜形成）と同様の手順に従って、厚み２．５μｍの第２有機膜を形成した。
金属細線が形成された第１有機膜上に、上記（第１有機膜形成）と同様の手順に従って、厚み２．５μｍの第２有機膜を形成した。
【0058】
（第２金属細線形成）
第２有機膜上に、上記（第１金属細線）と同様の手順に従って、メッシュ状の第２金属細線を形成した。ただし、第１金属細線によって形成されるメッシュパターンの交点が、第２金属細線によって形成されるメッシュパターンの開口部に位置するように、メッシュ状の第２金属細線を形成した。
また、図６に示すように、第２有機膜上には、上記メッシュ状の第２金属細線から形成されるメッシュパターン４０と、メッシュパターン４０を挟む２つの抵抗値測定用端子４２とからなるユニット４４を２０個配置した。抵抗値用測定用端子４２の大きさは２ｍｍ×１ｍｍであり、各ユニット４４の間隔は２ｍｍであった。なお、図５および図６とでは、ユニットの配列方向が異なっており、第２金属細線のユニットの配列方向と第１金属細線のユニットの配列方向は直交するようにした。
第２有機膜上に、上記（第１金属細線）と同様の手順に従って、メッシュ状の第２金属細線を形成した。ただし、第１金属細線によって形成されるメッシュパターンの交点が、第２金属細線によって形成されるメッシュパターンの開口部に位置するように、メッシュ状の第２金属細線を形成した。
また、図６に示すように、第２有機膜上には、上記メッシュ状の第２金属細線から形成されるメッシュパターン４０と、メッシュパターン４０を挟む２つの抵抗値測定用端子４２とからなるユニット４４を２０個配置した。抵抗値用測定用端子４２の大きさは２ｍｍ×１ｍｍであり、各ユニット４４の間隔は２ｍｍであった。なお、図５および図６とでは、ユニットの配列方向が異なっており、第２金属細線のユニットの配列方向と第１金属細線のユニットの配列方向は直交するようにした。
【0059】
（無機膜形成）
プラズマＣＶＤ法によって、第２金属細線が配置された第２有機膜上に厚み５０ｎｍのＳｉＯ２膜を形成した。
プラズマＣＶＤ法において、原料ガスとしては、シランガス、水素ガス、および、酸素ガスを用いた。シランガスの流量は１００ｓｃｃｍ、水素ガスの流量は１０００ｓｃｃｍ、酸素ガスの流量は２００ｓｃｃｍとした。真空度は５０Ｐａ、基板温度は３０℃、電極投入電力は６．５ｋＷ、成膜速度は１０ｎｍ／ｍｉｎとした。
プラズマＣＶＤ法によって、第２金属細線が配置された第２有機膜上に厚み５０ｎｍのＳｉＯ２膜を形成した。
プラズマＣＶＤ法において、原料ガスとしては、シランガス、水素ガス、および、酸素ガスを用いた。シランガスの流量は１００ｓｃｃｍ、水素ガスの流量は１０００ｓｃｃｍ、酸素ガスの流量は２００ｓｃｃｍとした。真空度は５０Ｐａ、基板温度は３０℃、電極投入電力は６．５ｋＷ、成膜速度は１０ｎｍ／ｍｉｎとした。
【0060】
（第３有機膜形成）
ＳｉＯ２膜上に、上記（第１有機膜形成）と同様の手順に従って、厚み２．０μｍの第２有機膜を形成した。
ＳｉＯ２膜上に、上記（第１有機膜形成）と同様の手順に従って、厚み２．０μｍの第２有機膜を形成した。
【0061】
【0062】
＜実施例２＞
上記（第１金属細線形成）中の各層の製造条件を以下の（製造条件２）のように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体２を得た。
導電性積層体２中の第１金属細線および第２金属細線は、Ｍｏ２Ｎ膜（黒化層）、Ｍｏ膜（密着層）、Ａｌ膜（金属導電層）、Ｍｏ膜（密着層）、および、Ｍｏ２Ｎ膜（保護層）をこの順で含んでいた。
上記（第１金属細線形成）中の各層の製造条件を以下の（製造条件２）のように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体２を得た。
導電性積層体２中の第１金属細線および第２金属細線は、Ｍｏ２Ｎ膜（黒化層）、Ｍｏ膜（密着層）、Ａｌ膜（金属導電層）、Ｍｏ膜（密着層）、および、Ｍｏ２Ｎ膜（保護層）をこの順で含んでいた。
【0063】
（製造条件２）
マグネトロンスパッタリング法にて、得られた第１有機膜上に膜厚１０ｎｍのＭｏ２Ｎ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力１０ｋＷ、成膜速度０．５ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ｍｏ２Ｎ膜上に膜厚４０ｎｍのＭｏ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力８ｋＷ、成膜速度０．６ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ｍｏ膜上に膜厚２００ｎｍのＡｌ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力６ｋＷ、成膜速度０．４ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ａｌ膜上に膜厚８０ｎｍのＭｏ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力４ｋＷ、成膜速度０．３ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ｍｏ膜上に膜厚１００ｎｍのＭｏ２Ｎ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力７ｋＷ、成膜速度０．４ｎｍ／ｍｉｎであった。
なお、上記マグネトロンスパッタリング法においては、反応ガスとして窒素、不活性ガスとしてアルゴンを用いた。
マグネトロンスパッタリング法にて、得られた第１有機膜上に膜厚１０ｎｍのＭｏ２Ｎ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力１０ｋＷ、成膜速度０．５ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ｍｏ２Ｎ膜上に膜厚４０ｎｍのＭｏ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力８ｋＷ、成膜速度０．６ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ｍｏ膜上に膜厚２００ｎｍのＡｌ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力６ｋＷ、成膜速度０．４ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ａｌ膜上に膜厚８０ｎｍのＭｏ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力４ｋＷ、成膜速度０．３ｎｍ／ｍｉｎであった。
次に、マグネトロンスパッタリング法にて、Ｍｏ膜上に膜厚１００ｎｍのＭｏ２Ｎ膜を形成した。マグネトロンスパッタリング法の条件としては、磁界強度１０００Ｇａｕｓｓ、基板温度３０℃、真空度５．０×１０-2Ｐａ、電力７ｋＷ、成膜速度０．４ｎｍ／ｍｉｎであった。
なお、上記マグネトロンスパッタリング法においては、反応ガスとして窒素、不活性ガスとしてアルゴンを用いた。
【0064】
＜実施例３～５＞
トリメチロールプロパントリアクリレートの代わりに、表１に記載の材料を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体３～５を得た。
トリメチロールプロパントリアクリレートの代わりに、表１に記載の材料を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体３～５を得た。
【0065】
＜実施例６～７＞
上記（第１有機膜形成）の手順を以下のように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体６～７を得た。
なお、導電性積層体６～７においては、第１有機膜～第３有機膜のいずれも表１に記載の材料を用いて形成された。また、導電性積層体６～７の第１有機膜～第３有機膜の厚みは、導電性積層体１の第１有機膜～第３有機膜の厚みと同じであった。
上記（第１有機膜形成）の手順を以下のように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体６～７を得た。
なお、導電性積層体６～７においては、第１有機膜～第３有機膜のいずれも表１に記載の材料を用いて形成された。また、導電性積層体６～７の第１有機膜～第３有機膜の厚みは、導電性積層体１の第１有機膜～第３有機膜の厚みと同じであった。
【0066】
（第１有機膜形成）
ＢＲ１１３（三菱レイヨン社製）またはＢＲ９５（三菱レイヨン社製）をメチルエチルケトン中に固形分濃度１０質量％となるよう溶解させて、有機膜形成用組成物を得た。
次に、テスター産業製自動塗布機ＰＩ１２１０にてアプリケーターバー（有効幅２０ｍｍ）を用いて、上記で洗浄処理されたガラス基板上に有機膜形成用組成物を塗布して、その後、１２０℃で３分間乾燥させて、第１有機膜を形成した。なお、塗工速度は１００ｍｍ／ｓｅｃとした。
ＢＲ１１３（三菱レイヨン社製）またはＢＲ９５（三菱レイヨン社製）をメチルエチルケトン中に固形分濃度１０質量％となるよう溶解させて、有機膜形成用組成物を得た。
次に、テスター産業製自動塗布機ＰＩ１２１０にてアプリケーターバー（有効幅２０ｍｍ）を用いて、上記で洗浄処理されたガラス基板上に有機膜形成用組成物を塗布して、その後、１２０℃で３分間乾燥させて、第１有機膜を形成した。なお、塗工速度は１００ｍｍ／ｓｅｃとした。
【0067】
＜実施例８＞
上記（第１有機膜形成）の手順を以下のように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体８を得た。
なお、導電性積層体８においては、第１有機膜～第３有機膜のいずれも表１に記載の材料を用いて形成された。導電性積層体８の第１有機膜～第３有機膜の厚みは、導電性積層体１の第１有機膜～第３有機膜の厚みと同じであった。
上記（第１有機膜形成）の手順を以下のように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体８を得た。
なお、導電性積層体８においては、第１有機膜～第３有機膜のいずれも表１に記載の材料を用いて形成された。導電性積層体８の第１有機膜～第３有機膜の厚みは、導電性積層体１の第１有機膜～第３有機膜の厚みと同じであった。
【0068】
（第１有機膜形成）
テスター産業製自動塗布機ＰＩ１２１０にてアプリケーターバー（有効幅２０ｍｍ）を用いて、上記で洗浄処理されたガラス基板上にシルプラスＨＴ１００（新日鐵住金化学社製）を塗布して、その後、１２０℃で３分間乾燥させて、塗膜を形成した。なお、塗工速度は１００ｍｍ／ｓｅｃとした。
次に、日本電池社製メタルハライドランプＭＡＬ６２５ＮＬを用いて、酸素濃度２００体積ｐｐｍの条件下にて、塗膜に対してＵＶ照射（１０００ｍＪ／ｃｍ２）して硬化膜を得た。
テスター産業製自動塗布機ＰＩ１２１０にてアプリケーターバー（有効幅２０ｍｍ）を用いて、上記で洗浄処理されたガラス基板上にシルプラスＨＴ１００（新日鐵住金化学社製）を塗布して、その後、１２０℃で３分間乾燥させて、塗膜を形成した。なお、塗工速度は１００ｍｍ／ｓｅｃとした。
次に、日本電池社製メタルハライドランプＭＡＬ６２５ＮＬを用いて、酸素濃度２００体積ｐｐｍの条件下にて、塗膜に対してＵＶ照射（１０００ｍＪ／ｃｍ２）して硬化膜を得た。
【0069】
＜実施例９～１２＞
上記（第１有機膜形成）の手順を以下のように変更し、金属細線の線幅（黒化層の第１有機膜側の線幅に該当）および金属導電層の厚みを表１のように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体９～１２を得た。
なお、導電性積層体９～１２においては、第１有機膜～第３有機膜のいずれも表１に記載の材料を用いて形成された。導電性積層体９の第１有機膜～第３有機膜の厚みは、導電性積層体１の第１有機膜～第３有機膜の厚みと同じであった。
上記（第１有機膜形成）の手順を以下のように変更し、金属細線の線幅（黒化層の第１有機膜側の線幅に該当）および金属導電層の厚みを表１のように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体９～１２を得た。
なお、導電性積層体９～１２においては、第１有機膜～第３有機膜のいずれも表１に記載の材料を用いて形成された。導電性積層体９の第１有機膜～第３有機膜の厚みは、導電性積層体１の第１有機膜～第３有機膜の厚みと同じであった。
【0070】
（第１有機膜形成）
２０質量％の無触媒のパーヒドロポリシラザンのジブチルエーテル溶液（アクアミカ ＮＮ１２０－２０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）、および、５質量％（固形分）アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，６－ジアミノヘキサン）を含むジブチルエーテル溶液（アクアミカ ＮＡＸ１２０－２０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）を混合して、有機膜形成用組成物を調製した。なお、得られた有機膜形成用組成物中におけるアミン触媒の含有量は、全固形分に対して、１質量％であった。
次に、テスター産業製自動塗布機ＰＩ１２１０にてアプリケーターバー（有効幅２０ｍｍ）を用いて、上記で洗浄処理されたガラス基板上に有機膜形成用組成物を塗布して、その後、１２０℃で３分間乾燥させて、塗膜を形成した。なお、塗工速度は１００ｍｍ／ｓｅｃとした。
次に、日本電池社製メタルハライドランプＭＡＬ６２５ＮＬを用いて、酸素濃度２００体積ｐｐｍ、温度１００℃の条件下にて、塗膜に対してＵＶ照射（５０００ｍＪ／ｃｍ２）して硬化膜を得た。その後、得られた硬化膜を８０℃で、１２時間乾燥させて、第１有機膜を得た。
２０質量％の無触媒のパーヒドロポリシラザンのジブチルエーテル溶液（アクアミカ ＮＮ１２０－２０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）、および、５質量％（固形分）アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，６－ジアミノヘキサン）を含むジブチルエーテル溶液（アクアミカ ＮＡＸ１２０－２０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）を混合して、有機膜形成用組成物を調製した。なお、得られた有機膜形成用組成物中におけるアミン触媒の含有量は、全固形分に対して、１質量％であった。
次に、テスター産業製自動塗布機ＰＩ１２１０にてアプリケーターバー（有効幅２０ｍｍ）を用いて、上記で洗浄処理されたガラス基板上に有機膜形成用組成物を塗布して、その後、１２０℃で３分間乾燥させて、塗膜を形成した。なお、塗工速度は１００ｍｍ／ｓｅｃとした。
次に、日本電池社製メタルハライドランプＭＡＬ６２５ＮＬを用いて、酸素濃度２００体積ｐｐｍ、温度１００℃の条件下にて、塗膜に対してＵＶ照射（５０００ｍＪ／ｃｍ２）して硬化膜を得た。その後、得られた硬化膜を８０℃で、１２時間乾燥させて、第１有機膜を得た。
【0071】
＜実施例１３＞
上記（第１金属細線形成）中の各層の製造条件を上述した（製造条件２）のように変更した以外は、実施例９と同様の手順に従って、導電性積層体１３を得た。
上記（第１金属細線形成）中の各層の製造条件を上述した（製造条件２）のように変更した以外は、実施例９と同様の手順に従って、導電性積層体１３を得た。
【0072】
＜比較例１～３＞
トリメチロールプロパントリアクリレートの代わりに、表１に記載のモノマーを用いたい以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体Ｃ１～Ｃ３を得た。
なお、比較例３では、スチレンとＡ９３００とを質量比１：１で混合した。
トリメチロールプロパントリアクリレートの代わりに、表１に記載のモノマーを用いたい以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性積層体Ｃ１～Ｃ３を得た。
なお、比較例３では、スチレンとＡ９３００とを質量比１：１で混合した。
【0073】
＜評価＞
（含水率評価）
ガラス支持体上に、実施例１～１３、および、比較例１～３の（第１有機膜形成）の手順に従って、それぞれ有機膜（厚み：１．５μｍ）を製造した。
得られた有機膜をガラス支持体から削り取り、温度２５℃、湿度５０％の環境下にて２４時間静置して、得られた有機膜を用い、カールフィッシャー法（１５０℃、気化法）にて、有機膜の含水率を測定した。なお、装置は平沼産業製ＡＱＶ－２１００を使用した。
結果を表１にまとめて示す。
（含水率評価）
ガラス支持体上に、実施例１～１３、および、比較例１～３の（第１有機膜形成）の手順に従って、それぞれ有機膜（厚み：１．５μｍ）を製造した。
得られた有機膜をガラス支持体から削り取り、温度２５℃、湿度５０％の環境下にて２４時間静置して、得られた有機膜を用い、カールフィッシャー法（１５０℃、気化法）にて、有機膜の含水率を測定した。なお、装置は平沼産業製ＡＱＶ－２１００を使用した。
結果を表１にまとめて示す。
【0074】
(断線評価)
実施例および比較例の導電性積層体をそれぞれ１００個作製した。
導電性積層体を５０℃の環境下に１週間静置した後、各ユニット両端にある抵抗測定用端子部にそれぞれプローブを当て、抵抗値を抵抗測定機にて測定した。各導電性積層体中の合計４０ユニットのうち、１ユニットでも断線していれば断線発生数としてカウントした。
試料１００個測定したうち、断線発生した試料数が１０個以上を１点、３～９個を２点、１～２個を３点、０個を４点とした。
実施例および比較例の導電性積層体をそれぞれ１００個作製した。
導電性積層体を５０℃の環境下に１週間静置した後、各ユニット両端にある抵抗測定用端子部にそれぞれプローブを当て、抵抗値を抵抗測定機にて測定した。各導電性積層体中の合計４０ユニットのうち、１ユニットでも断線していれば断線発生数としてカウントした。
試料１００個測定したうち、断線発生した試料数が１０個以上を１点、３～９個を２点、１～２個を３点、０個を４点とした。
【0075】
表１中の「材料」欄の各記号は、以下を表す。
ＴＭＰＴＡ：トリメチロールプロパントリアクリレート（東亞合成社製）
ＡＤ－ＴＭＰ：ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート（新中村化学社製）
Ａ－ＤＣＰ：トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（新中村化学社製）
ＥＡ－０２５０Ｐ：９，９－ビス［４－（２－アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（大阪ガスケミカル社製）
ＢＲ－１１３：ダイヤナールＢＲ－１１３（三菱レイヨン社製）
ＢＲ９５：ダイヤナールＢＲ－９５（三菱レイヨン社製）
シルプラスＨＴ１００：シルプラスＨＴ１００（新日鐵住金化学社製）
ポリシラザン：パーヒドロポリシラザンのジブチルエーテル溶液（アクアミカ ＮＮ１２０－２０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）およびアミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，６－ジアミノヘキサン）を含むジブチルエーテル溶液（アクアミカ ＮＡＸ１２０－２０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）の混合液
Ａ９３００：エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート（新中村化学社製）
ＴＭＰＴＡ：トリメチロールプロパントリアクリレート（東亞合成社製）
ＡＤ－ＴＭＰ：ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート（新中村化学社製）
Ａ－ＤＣＰ：トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（新中村化学社製）
ＥＡ－０２５０Ｐ：９，９－ビス［４－（２－アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（大阪ガスケミカル社製）
ＢＲ－１１３：ダイヤナールＢＲ－１１３（三菱レイヨン社製）
ＢＲ９５：ダイヤナールＢＲ－９５（三菱レイヨン社製）
シルプラスＨＴ１００：シルプラスＨＴ１００（新日鐵住金化学社製）
ポリシラザン：パーヒドロポリシラザンのジブチルエーテル溶液（アクアミカ ＮＮ１２０－２０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）およびアミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，６－ジアミノヘキサン）を含むジブチルエーテル溶液（アクアミカ ＮＡＸ１２０－２０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）の混合液
Ａ９３００：エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート（新中村化学社製）
【0076】
表１中の「含水率」は、各導電性積層体中の有機膜（第１有機膜～第３有機膜）の含水率を表す。
表１中の「金属細線」欄は、形成された金属細線が、ＭｏＮｂ膜（黒化層）、ＭｏＮｂ膜（密着層）、Ｃｕ膜（金属導電層）、ＣｕＮｉ膜（密着層）、および、ＭｏＮｂ膜（保護層）を含む場合を「Ａ」、形成された金属細線が、Ｍｏ２Ｎ膜（黒化層）、Ｍｏ膜（密着層）、Ａｌ膜（金属導電層）、Ｍｏ膜（密着層）、および、Ｍｏ２Ｎ膜（保護層）を含む場合を「Ｂ」を表す。
表１中の「金属細線の線幅（μｍ）」は、金属細線の線幅（黒化層の第１有機膜側の線幅を表す。
表１中の「金属導電層厚み（ｎｍ）」は、金属細線中の金属導電層の厚みを表す。
表１中の「金属細線」欄は、形成された金属細線が、ＭｏＮｂ膜（黒化層）、ＭｏＮｂ膜（密着層）、Ｃｕ膜（金属導電層）、ＣｕＮｉ膜（密着層）、および、ＭｏＮｂ膜（保護層）を含む場合を「Ａ」、形成された金属細線が、Ｍｏ２Ｎ膜（黒化層）、Ｍｏ膜（密着層）、Ａｌ膜（金属導電層）、Ｍｏ膜（密着層）、および、Ｍｏ２Ｎ膜（保護層）を含む場合を「Ｂ」を表す。
表１中の「金属細線の線幅（μｍ）」は、金属細線の線幅（黒化層の第１有機膜側の線幅を表す。
表１中の「金属導電層厚み（ｎｍ）」は、金属細線中の金属導電層の厚みを表す。
【0077】
【表1】
【0078】
表１に示すように、本発明の導電性積層体は、所望の効果を示す。
なかでも、有機膜の含水率が１．００％未満の場合（特に、０．４０％以下の場合）、より優れた効果を示すことが確認された。
なかでも、有機膜の含水率が１．００％未満の場合（特に、０．４０％以下の場合）、より優れた効果を示すことが確認された。
【符号の説明】
【0079】
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ 導電性積層体
１２ 第１有機膜
１４Ａ，１４Ｂ 金属細線
１６ 第２有機膜
１８ 開口部
２０ 黒化層
２２ 密着層
２４ 金属導電層
２６ 無機膜
２８ 支持体
３０ 第３有機膜
４０ メッシュパターン
４２ 抵抗値測定用端子
４４ ユニット
１２ 第１有機膜
１４Ａ，１４Ｂ 金属細線
１６ 第２有機膜
１８ 開口部
２０ 黒化層
２２ 密着層
２４ 金属導電層
２６ 無機膜
２８ 支持体
３０ 第３有機膜
４０ メッシュパターン
４２ 抵抗値測定用端子
４４ ユニット
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【手続補正書】
【提出日】2023-11-28
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１有機膜と、
前記第１有機膜上に配置された金属細線と、
前記金属細線を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、
前記金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第１有機膜および前記第２有機膜の含水率が０．２５％以上３．００％未満であり、
前記第１有機膜の厚みが、０．５～５．０μｍである、導電性積層体。
前記第１有機膜上に配置された金属細線と、
前記金属細線を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、
前記金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第１有機膜および前記第２有機膜の含水率が０．２５％以上３．００％未満であり、
前記第１有機膜の厚みが、０．５～５．０μｍである、導電性積層体。
【請求項2】
前記含水率が１．００％未満である、請求項１に記載の導電性積層体。
【請求項3】
前記第１有機膜を構成する材料が、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、または、ケイ素含有樹脂である、請求項１または２に記載の導電性積層体。
【請求項4】
前記黒化層と前記密着層とが同一の金属原子を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項5】
前記第１有機膜と前記第２有機膜とが同一の材料で構成されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項6】
前記金属細線の線幅が第１有機膜側から第２有機膜側に向かって漸次小さくなる、請求項１～５のいずれか1項に記載の導電性積層体。
【請求項7】
前記金属細線と前記第２有機膜との間に、前記金属細線を覆うように、Ｓｉ、Ａｌ、および、Ｔｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む無機膜が配置されている、請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項8】
前記無機膜が、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、および、ＴｉＯ２からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項７に記載の導電性積層体。
【請求項9】
前記金属導電層が、Ｃｕ、Ａｌ、および、Ａｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項10】
前記黒化層が、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、および、Ｗからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項11】
さらに、前記第１有機膜の第２有機膜側とは反対側に支持体を含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項12】
さらに、前記第２有機膜の前記第１有機膜とは反対側に配置された第２金属細線と、
さらに、前記第２金属細線を覆うように配置された第３有機膜と、を含み、
前記第２金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第３有機膜の含水率が３．００％未満である、請求項１１に記載の導電性積層体。
さらに、前記第２金属細線を覆うように配置された第３有機膜と、を含み、
前記第２金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第３有機膜の含水率が３．００％未満である、請求項１１に記載の導電性積層体。
【請求項13】
前記支持体がガラス基板である、請求項１１または１２に記載の導電性積層体。
【請求項14】
請求項１～１３のいずれか１項に記載の導電性積層体を含む、タッチパネル。
【請求項15】
第１有機膜を形成する工程と、
前記第１有機膜上に金属細線を形成する工程と、
前記金属細線を覆うように第２有機膜を形成する工程と、を有し、
前記金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第１有機膜および前記第２有機膜の含水率が０．２５％以上３．００％未満であり、
前記第１有機膜の厚みが、０．５～５．０μｍである、導電性積層体の製造方法。
前記第１有機膜上に金属細線を形成する工程と、
前記金属細線を覆うように第２有機膜を形成する工程と、を有し、
前記金属細線が、前記第１有機膜側から、黒化層、密着層、および、金属導電層をこの順で含み、
前記第１有機膜および前記第２有機膜の含水率が０．２５％以上３．００％未満であり、
前記第１有機膜の厚みが、０．５～５．０μｍである、導電性積層体の製造方法。
【請求項16】
前記第１有機膜を構成する材料が、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、または、ケイ素含有樹脂である、請求項１５に記載の導電性積層体の製造方法。