(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023181727
(43)【公開日】2023-12-25
(54)【発明の名称】ウェーハの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20231218BHJP
B23K 26/53 20140101ALI20231218BHJP
B23K 26/067 20060101ALI20231218BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 611Z
B23K26/53
B23K26/067
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022095025
(22)【出願日】2022-06-13
(71)【出願人】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(74)【代理人】
【識別番号】100185959
【弁理士】
【氏名又は名称】今藤 敏和
(72)【発明者】
【氏名】野本 朝輝
【テーマコード（参考）】
4E168
5F057
【Ｆターム（参考）】
4E168AE02
4E168CA06
4E168CB07
4E168CB23
4E168DA02
4E168DA24
4E168DA32
4E168EA02
4E168HA01
4E168JA13
5F057AA42
5F057BA01
5F057BB06
5F057CA02
5F057DA22
5F057FA01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ＧａＮのウェーハを製造する際に切り代を低減するウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】第１面及びその反対側に位置する第２面を有する窒化ガリウムのインゴット又は窒化ガリウムの単結晶基板である被加工物から、第１面及び第２面間の距離未満の厚さを有するウェーハの製造方法であって、被加工物を透過する波長を有するパルス状のレーザービームを第２面とは反対側から第１面に照射してレーザービームの集光点を被加工物の所定の深さ位置に位置付けた状態で、被加工物と集光点とを所定の方向に沿って相対的に移動させることで、被加工物に分離層を形成する分離層形成ステップと、分離層を起点に被加工物からウェーハを分離する分離ステップと、を備える。分離層形成ステップにおける所定の方向は、（０００１）面において下記の（１）で表される結晶方位との間で形成される角度が５°以下である。
【選択図】図１
【解決手段】第１面及びその反対側に位置する第２面を有する窒化ガリウムのインゴット又は窒化ガリウムの単結晶基板である被加工物から、第１面及び第２面間の距離未満の厚さを有するウェーハの製造方法であって、被加工物を透過する波長を有するパルス状のレーザービームを第２面とは反対側から第１面に照射してレーザービームの集光点を被加工物の所定の深さ位置に位置付けた状態で、被加工物と集光点とを所定の方向に沿って相対的に移動させることで、被加工物に分離層を形成する分離層形成ステップと、分離層を起点に被加工物からウェーハを分離する分離ステップと、を備える。分離層形成ステップにおける所定の方向は、（０００１）面において下記の（１）で表される結晶方位との間で形成される角度が５°以下である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面と、該第１面の反対側に位置する第２面と、をそれぞれ有する窒化ガリウムのインゴット又は窒化ガリウムの単結晶基板である被加工物から、該第１面及び該第２面間の距離未満の厚さを有するウェーハを製造するウェーハの製造方法であって、
該被加工物の該第２面を吸引保持する保持ステップと、
該保持ステップの後、該被加工物を透過する波長を有するパルス状のレーザービームを該第２面とは反対側から該第１面に照射して該レーザービームの集光点を該被加工物の所定の深さ位置に位置付けた状態で、該被加工物と該集光点とを所定の方向に沿って相対的に移動させることで、該被加工物に分離層を形成する分離層形成ステップと、
該分離層形成ステップの後、該分離層を起点に該被加工物から該ウェーハを分離する分離ステップと、
を備え、
該分離層形成ステップにおける該所定の方向は、（０００１）面において下記の（１）で表される結晶方位との間で形成される角度が５°以下であることを特徴とするウェーハの製造方法。
該被加工物の該第２面を吸引保持する保持ステップと、
該保持ステップの後、該被加工物を透過する波長を有するパルス状のレーザービームを該第２面とは反対側から該第１面に照射して該レーザービームの集光点を該被加工物の所定の深さ位置に位置付けた状態で、該被加工物と該集光点とを所定の方向に沿って相対的に移動させることで、該被加工物に分離層を形成する分離層形成ステップと、
該分離層形成ステップの後、該分離層を起点に該被加工物から該ウェーハを分離する分離ステップと、
を備え、
該分離層形成ステップにおける該所定の方向は、（０００１）面において下記の（１）で表される結晶方位との間で形成される角度が５°以下であることを特徴とするウェーハの製造方法。
【数1】
【請求項2】
該保持ステップの後、且つ、該分離層形成ステップの前に、該集光点を該所定の深さ位置に位置付けると共に、該被加工物の外周縁に沿って円環状に該レーザービームを照射することで、該被加工物の外周領域に分離層を形成する円環状加工ステップを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの製造方法。
【請求項3】
該分離層形成ステップでは、該所定の方向に沿う様に正六角形状に該被加工物と該集光点とを相対的に移動させた後、該集光点を該被加工物の径方向の中央側に移動させた上で、該所定の方向に沿う様に六角形状に該被加工物と該集光点とを相対的に移動させることを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハの製造方法。
【請求項4】
該分離層形成ステップでは、該レーザービームを複数のレーザービームに分岐させて、該複数のレーザービームの各々の集光点を第１方向に沿って並ぶ様に配置した上で、該第１方向に直交する第２方向を、該所定の方向とすることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの製造方法。
【請求項5】
該分離層形成ステップでは、複数の集光点を該第２方向に沿って移動させた後、該複数の集光点の該第２方向への移動の軌跡を含む移動領域と該第１面から見て部分的に重なる様に該複数の集光点を該第１方向に沿ってずらした状態で、該複数の集光点を該第２方向に沿って移動させることを特徴とする請求項４に記載のウェーハの製造方法。
【請求項6】
該分離層形成ステップにおいて、該第１方向に沿って並ぶ複数の集光点の間隔は、５μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のウェーハの製造方法。
【請求項7】
該分離層形成ステップにおいて形成される該分離層は、複数の改質領域を含み、
該第１方向に沿って並んで形成される該複数の改質領域同士の間隔をａ（μｍ）とし、且つ、該複数の集光点と該被加工物とを該第２方向に沿って相対的に移動させることにより該第２方向に沿って並んで形成される該複数の改質領域同士の間隔をｂ（μｍ）とした場合に、（ｂ／ａ）で表されるアスペクト比は０．５以上３．０以下であることを特徴とする請求項６に記載のウェーハの製造方法。
該第１方向に沿って並んで形成される該複数の改質領域同士の間隔をａ（μｍ）とし、且つ、該複数の集光点と該被加工物とを該第２方向に沿って相対的に移動させることにより該第２方向に沿って並んで形成される該複数の改質領域同士の間隔をｂ（μｍ）とした場合に、（ｂ／ａ）で表されるアスペクト比は０．５以上３．０以下であることを特徴とする請求項６に記載のウェーハの製造方法。
【請求項8】
該分離層形成ステップにおいて、該被加工物に照射される該レーザービームは、バーストモードで該被加工物に照射されることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、第１面と、該第１面の反対側に位置する第２面と、をそれぞれ有する窒化ガリウムのインゴット又は窒化ガリウムの単結晶基板である被加工物から、第１面及び第２面間の距離未満の厚さを有するウェーハを製造するウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
窒化ガリウム（ＧａＮ）は、ワイドバンドギャップ半導体と呼ばれており、シリコン（Ｓｉ）と比較して略３倍のバンドギャップを有する。この比較的大きいＧａＮのバンドギャップを利用して、パワーデバイス、ＬＥＤ等のデバイスが製造されている。
【0003】
ＧａＮの単結晶基板（即ち、ウェーハ）は、通常、ＧａＮのインゴットをスライスすることで製造される。ウェーハの製造には、例えば、外周部ではなく内周部に切り刃が設けられた円環状のスライサが用いられる（特許文献１参照）。
【0004】
しかし、ウェーハの厚さ（例えば、０．１５ｍｍ）に対して、スライサの切り刃の厚さは比較的大きい（例えば、０．３ｍｍ）ので、切り代及びウェーハを合わせると１枚のウェーハ当たり６０％から７０％程度が切り代として廃棄される。この様に、切り刃を使用すると、切り代及びウェーハの合計に対する切り代の比率（即ち、廃棄率）が比較的高くなるので、不経済である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１１－８４４６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、ＧａＮのインゴットからＧａＮのウェーハを製造する際に、切り代を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様によれば、第１面と、該第１面の反対側に位置する第２面と、をそれぞれ有する窒化ガリウムのインゴット又は窒化ガリウムの単結晶基板である被加工物から、該第１面及び該第２面間の距離未満の厚さを有するウェーハを製造するウェーハの製造方法であって、該被加工物の該第２面を吸引保持する保持ステップと、該保持ステップの後、該被加工物を透過する波長を有するパルス状のレーザービームを該第２面とは反対側から該第１面に照射して該レーザービームの集光点を該被加工物の所定の深さ位置に位置付けた状態で、該被加工物と該集光点とを所定の方向に沿って相対的に移動させることで、該被加工物に分離層を形成する分離層形成ステップと、該分離層形成ステップの後、該分離層を起点に該被加工物から該ウェーハを分離する分離ステップと、を備え、該分離層形成ステップにおける該所定の方向は、（０００１）面において下記の（１）で表される結晶方位との間で形成される角度が５°以下であるウェーハの製造方法が提供される。
【数1】
【0008】
好ましくは、ウェーハの製造方法は、該保持ステップの後、且つ、該分離層形成ステップの前に、該集光点を該所定の深さ位置に位置付けると共に、該被加工物の外周縁に沿って円環状に該レーザービームを照射することで、該被加工物の外周領域に分離層を形成する円環状加工ステップを更に備える。
【0009】
また、好ましくは、該分離層形成ステップでは、該所定の方向に沿う様に正六角形状に該被加工物と該集光点とを相対的に移動させた後、該集光点を該被加工物の径方向の中央側に移動させた上で、該所定の方向に沿う様に六角形状に該被加工物と該集光点とを相対的に移動させる。
【0010】
また、好ましくは、該分離層形成ステップでは、該レーザービームを複数のレーザービームに分岐させて、該複数のレーザービームの各々の集光点を第１方向に沿って並ぶ様に配置した上で、該第１方向に直交する第２方向を、該所定の方向とする。
【0011】
また、好ましくは、該分離層形成ステップでは、複数の集光点を該第２方向に沿って移動させた後、該複数の集光点の該第２方向への移動の軌跡を含む移動領域と該第１面から見て部分的に重なる様に該複数の集光点を該第１方向に沿ってずらした状態で、該複数の集光点を該第２方向に沿って移動させる。
【0012】
また、好ましくは、該分離層形成ステップにおいて、該第１方向に沿って並ぶ複数の集光点の間隔は、５μｍ以上２０μｍ以下である。
【0013】
また、好ましくは、該分離層形成ステップにおいて形成される該分離層は、複数の改質領域を含み、該第１方向に沿って並んで形成される複数の改質領域同士の間隔をａ（μｍ）とし、且つ、該複数の集光点と該被加工物とを該第２方向に沿って相対的に移動させることにより該第２方向に沿って並んで形成される該複数の改質領域同士の間隔をｂ（μｍ）とした場合に、（ｂ／ａ）で表されるアスペクト比は０．５以上３．０以下である。
【0014】
また、好ましくは、該分離層形成ステップにおいて、該被加工物に照射される該レーザービームは、バーストモードで該被加工物に照射される。
【発明の効果】
【0015】
本発明の一態様に係る製造方法では、被加工物を透過する波長を有するパルス状のレーザービームの集光点を、被加工物の所定深さ位置に位置付けた状態で、被加工物と集光点とを所定の方向に相対的に移動させることで、被加工物に分離層を形成する（分離層形成ステップ）。
【0016】
そして、分離層を起点に被加工物からウェーハを分離する（分離ステップ）。レーザービームを用いることで、分離層の厚さは、例えば、６０μｍ（即ち、０．０６ｍｍ）程度にできるので、切り刃を用いる場合に比べて、被加工物の厚さ方向における切り代を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】製造方法のフロー図である。
【図2】インゴットの斜視図である。
【図3】レーザー加工装置の概要図である。
【図5】保持ステップを示す側面図である。
【図6】分離層形成ステップを示す平面図である。
【図7】複数の集光点の移動領域の重なりを示す平面図である。
【図9】分離層形成ステップの変形例を示す図である。
【図10】第２の実施形態に係る製造方法のフロー図である。
【図11】円環状加工ステップを示す平面図である。
【図12】改質領域間に十分なクラックが形成されなかった単結晶基板の写真である。
【図13】複数の改質領域を模式的に示す図である。
【図14】ｃ軸方向に比較的大きなクラックが形成された単結晶基板の写真である。
【図15】改質領域間に十分にクラックが形成された単結晶基板の写真である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、ＧａＮのインゴット（被加工物）１１から、インゴット１１よりも薄いＧａＮの単結晶基板（即ち、ウェーハ１５）（図８（Ｂ）参照）を製造する製造方法のフロー図である。
【0019】
第１の実施形態では、図１に示す保持ステップＳ１０、分離層形成ステップＳ２０、及び、分離ステップＳ３０を順に行うことで、ウェーハ１５を製造する。まず、図２を参照して、インゴット１１について説明する。図２は、インゴット１１の斜視図である。
【0020】
インゴット１１は、六方晶の結晶構造を有するＧａＮの単結晶である。但し、インゴット１１の導電型は、特段限定されない。インゴット１１は、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）等のｐ型不純物を含むｐ型であってもよく、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等のｎ型不純物を含むｎ型であってもよい。
【0021】
本実施形態のインゴット１１は、４インチ（約１００ｍｍ）の径と、５００μｍの厚さと、を有するが、径及び厚さはこの値に限定されない。インゴット１１は、第１面１１ａと、厚さ方向１１ｃにおいて第１面１１ａの反対側に位置し第１面１１ａと平行な第２面１１ｂと、を有する。第１面１１ａは、下記（２）に示すｃ面に対応する。
【0022】
【数2】
【0023】
本明細書では、ミラー指数を用いて、結晶面及び結晶方位を特定する。特定の結晶面は（）を用いて表現され、結晶構造の対照性に起因して互いに等価である結晶面は｛｝を用いて表現される。同様に、特定の結晶方位は［］を用いて表現され、互いに等価である結晶方位は〈〉を用いて表現される。
【0024】
第１面１１ａ（ｃ面）に対して垂直且つ上向きの結晶方位は、下記（３）で表される。この結晶方位は、ｃ軸と呼ばれ、インゴット１１の厚さ方向１１ｃに対応する。
【0025】
【数3】
【0026】
本実施形態のインゴット１１は、その側面に複数の平坦面を有する。より具体的には、インゴット１１は、互いに直交する位置関係にある第１側面１３ａ及び第２側面１３ｂを有する。第１側面１３ａは、下記（４）に示す結晶面に対応し、第２側面１３ｂは、下記（５）に示す結晶面に対応する。
【0027】
【数4】
【0028】
【数5】
【0029】
第１面１１ａと第１側面１３ａとが交わる第１オリエンテーションフラット（以下、第１ＯＦ１３ａ１と略記する）は、下記（６）の結晶方位と平行である。
【0030】
【数6】
【0031】
また、第１面１１ａと第２側面１３ｂとが交わる第２オリエンテーションフラット（以下、第２ＯＦ１３ｂ１と略記する）は、下記（７）の結晶方位と平行である。
【0032】
【数7】
【0033】
次に、図３を参照し、インゴット１１に対してレーザー加工を施すためのレーザー加工装置２について説明する。図３は、レーザー加工装置２の概要図である。図３では、複数の構成要素を、機能ブロックや簡略化された形状で示す。
【0034】
図３に示すＸ軸方向（加工送り方向、第２方向、所定方向）、Ｙ軸方向（割り出し送り方向、第１方向）、及び、Ｚ軸方向（高さ方向）は、互いに直交している。
【0035】
なお、本明細書において、Ｘ軸方向は、互いに逆向きの＋Ｘ方向及び－Ｘ方向と平行である。同様に、Ｙ軸方向は、互いに逆向きの＋Ｙ方向及び－Ｙ方向と平行であり、Ｚ軸方向は、互いに逆向きの＋Ｚ方向及び－Ｚ方向と平行である。
【0036】
レーザー加工装置２は、円盤状のチャックテーブル４を有する。チャックテーブル４は、ステンレス鋼等の金属で形成された円盤状の枠体を有する。枠体の中央部には枠体の径よりも小径の円盤状の凹部（不図示）が形成されている。この凹部には、多孔質セラミックスで形成された円盤状の多孔質板が固定されていている。
【0037】
枠体には、所定の流路（不図示）が形成されており、所定の流路には、管部（不図示）等を介して真空ポンプ等の吸引源（不図示）が接続されている。吸引源で生じた負圧が多孔質板に伝達されると、多孔質板の上面には負圧が生じる。
【0038】
枠体の環状の上面と、多孔質板の円形の上面とは、略面一且つ略平坦となっており、インゴット１１を吸引保持するための保持面４ａとして機能する。保持面４ａはＸＹ平面と平行に配置されている。
【0039】
チャックテーブル４の下部には、チャックテーブル４を回転させる回転駆動機構（不図示）が設けられている。回転駆動機構は、Ｚ軸方向に沿う所定の回転軸を回転中心としてチャックテーブル４を所定角度回転させることができる。
【0040】
チャックテーブル４及び回転駆動機構は、水平方向移動機構（不図示）で支持されている。水平方向移動機構は、それぞれボールねじ式のＸ軸方向移動機構及びＹ軸方向移動機構を含み、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿ってチャックテーブル４及び回転駆動機構を移動させることができる。
【0041】
保持面４ａの上方には、レーザービーム照射ユニット６が設けられている。レーザービーム照射ユニット６は、レーザービーム発生ユニット８を有する。レーザービーム発生ユニット８は、レーザー発振器１０を含む。
【0042】
レーザー発振器１０は、例えば、レーザー媒質としてＮｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＶＯ４等を有する。レーザー発振器１０からは、ＧａＮのインゴット１１を透過する波長（例えば、１０６４ｎｍ）を有するパルス状（例えば、数十ＭＨｚ）のレーザービームＬＡが出射する。
【0043】
レーザー発振器１０から出射されたレーザービームＬＡは、音響光学変調器（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）１２においてバーストモードのレーザービームＬＢに変換される。
【0044】
音響光学変調器１２は、音響光学変調器１２に入力される電気信号に従って動作し、当該信号に従ってレーザービームＬＡを所定の時間だけ偏向させる。これにより、レーザービームＬＡが所定の時間だけ間引かれた状態のレーザービームＬＢが、音響光学変調器１２から出力調整ユニット１４へ出射される。
【0045】
図４（Ａ）は、レーザー発振器１０から音響光学変調器１２へ入射するパルス状のレーザービームＬＡの概要図であり、図４（Ｂ）は、音響光学変調器１２から出力調整ユニット１４へ入射するパルス状のレーザービームＬＢの概要図である。
【0046】
なお、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）において、横軸は時間を示し、縦軸は出力の大きさを示す。レーザービームＬＡは、音響光学変調器１２において、図４（Ｂ）に示す様に、複数のパルスを含むパルス群１２ａが所定の周期Ｔで繰り返されるバーストモードのレーザービームＬＢに変換される。
【0047】
パルス群１２ａ間の間隔に対応する時間間隔ｔは、例えば、数十μｓから数百μｓである。なお、パルス群１２ａを繰り返しの単位とするパルス群１２ａ間の周期Ｔの逆数（即ち、繰り返し周波数）は、例えば、５０ｋＨｚである。
【0048】
図３に戻って、レーザービームＬＢは、その後、減衰器（アッテネータ）等を含む出力調整ユニット１４により適切な出力に調整された後、分岐ユニット１６で空間的に分岐される。
【0049】
本実施形態の分岐ユニット１６は、ＬＣＯＳ－ＳＬＭ（Liquid Crystal on Silicon - Spatial Light Modulator）（不図示）を有するが、ＬＣＯＳ－ＳＬＭに代えて、回折格子が用いられてもよい。
【0050】
分岐ユニット１６を経たレーザービームＬＣは、コリメータレンズ（不図示）、ミラー１８等を経て、照射ヘッド２０へと導かれる。照射ヘッド２０は、集光レンズ（不図示）を有する。集光レンズは、保持面４ａで吸引保持されたインゴット１１の所定の深さ位置に、レーザービームＬＣを集光させる。
【0051】
図３に示すレーザービームＬＣは、分岐ユニット１６により複数のレーザービームＬＣ１、ＬＣ２、ＬＣ３、ＬＣ４及びＬＣ５に分岐されており、レーザービームＬＣ１からＬＣ５の各々の集光点Ｐ（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５）は、インゴット１１の所定の深さ位置においてＹ軸方向に沿って並ぶ様に配置される。
【0052】
Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の集光点Ｐの間隔は、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下の所定値に設定される。なお、図３に示す例では、説明の便宜上、レーザービームＬＣの分岐数を５としているが、分岐数は５に限定されない。分岐数は、２以上１６以下であってよく、好適な一例における分岐数は、１０である。
【0053】
レーザービーム照射ユニット６の筐体（不図示）には、被写体を撮像する撮像ユニット（不図示）が設けられている。撮像ユニットは、Ｚ軸方向に沿って下方に光を発する発光デバイス（不図示）を有する。
【0054】
発光デバイスは、光源として機能するＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子を含む。撮像ユニットは、発光デバイスから照射された光の反射光を、レンズ（不図示）を介して受光する撮像素子（不図示）を更に有する。発光デバイスからの光は、可視光線の波長を有する。
【0055】
撮像素子は、発光デバイスからの光の波長を光電変換可能である。撮像素子は、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）イメージセンサ等である。発光デバイス、レンズ、撮像素子等は、可視光で被写体を撮像する顕微鏡カメラユニットを構成する。
【0056】
上述のチャックテーブル４、回転駆動機構、水平方向移動機構、レーザービーム照射ユニット６等の動作は、不図示の制御ユニットにより制御される。制御ユニットは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）に代表されるプロセッサ（処理装置）と、メモリ（記憶装置）と、を含むコンピュータによって構成されている。
【0057】
メモリは、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等の主記憶装置と、フラッシュメモリ、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ等の補助記憶装置と、を含む。
【0058】
補助記憶装置には、所定のプログラムを含むソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアに従い処理装置等を動作させることによって、制御ユニットの機能が実現される。次に、図１に示す手順に従って、第１の実施形態に係るウェーハ１５の製造方法について説明する。
【0059】
図５は、インゴット１１の第２面１１ｂを保持面４ａで吸引保持する保持ステップＳ１０を示す側面図である。保持ステップＳ１０では、第２面１１ｂが保持面４ａに接し、第１面１１ａが上方に露出する態様で、インゴット１１が保持面４ａで吸引保持される。
【0060】
また、保持ステップＳ１０では、吸引保持後に、撮像ユニットで第１面１１ａ側を撮像することで、レーザー加工装置２のＸ軸方向に対する第１ＯＦ１３ａ１のズレを特定する。その後、このズレを打ち消す様に、回転駆動機構でチャックテーブル４を回転させることで、第１ＯＦ１３ａ１をＸ軸方向と略平行にする。
【0061】
保持ステップＳ１０の後、第１面１１ａの上方（即ち、第２面１１ｂとは反対側）から第１面１１ａに向かってバーストモードのレーザービームＬＣを照射して、第１面１１ａから所定の深さ位置に分離層１１ｄを形成する。
【0062】
図６は、分離層形成ステップＳ２０を示す平面図である。なお、図６では、理解を容易にするために、複数の集光点Ｐの２つは比較的大きな丸で示されており、この２つの集光点Ｐの間に位置するいくつかの集光点は省略されている。
【0063】
分離層形成ステップＳ２０では、インゴット１１の所定の深さ位置１１ｅ（図３、図８（Ａ）参照）においてＹ軸方向に沿って並ぶ様に各集光点Ｐを配置した上で、複数の集光点Ｐと、インゴット１１（即ち、チャックテーブル４）とを、相対的にＸ軸方向（所定方向）に沿って移動させる。
【0064】
本実施形態の分離層形成ステップＳ２０では、複数の集光点Ｐを相対的に＋Ｘ方向に移動させた後、複数の集光点Ｐを相対的に－Ｘ方向に移動させる。この様に、＋Ｘ方向の移動と、－Ｘ方向の移動と、を交互に繰り返す。
【0065】
図６では、インゴット１１中における複数の集光点Ｐの移動経路を破線矢印で示す。なお、複数の集光点Ｐを、＋Ｘ方向及び－Ｘ方向に交互に移動させることに代えて、＋Ｘ方向のみに移動させてもよく、－Ｘ方向のみに移動させてもよい。
【0066】
複数の集光点Ｐとインゴット１１との相対的な移動方向がＸ軸方向に沿う場合、当該移動方向は、下記の（８）に示す結晶方位と平行になる。
【0067】
【数8】
【0068】
なお、（８）に示す２つの結晶方位は、下記の（９）に示す様に、六方晶の結晶構造を有するインゴット１１において、６つの等価な結晶方位のうちの２つである。
【0069】
【数9】
【0070】
ところで、複数の集光点Ｐとインゴット１１との相対的な移動方向は、（８）で特定される結晶方位と完全に平行でなくてもよく、ｃ面（上述の（２）参照）において（８）で特定される結晶方位との間で形成される角度が５°以下であってもよい。この場合でも、分離層１１ｄが形成されることを出願人は実験において確認している。
【0071】
分離層形成ステップＳ２０で使用される加工条件の一例を下記に示す。
【0072】
波長 ：１０６４ｎｍ
加工送り速度 ：８７５ｍｍ／ｓ
割り出し送り量 ：１０６μｍ（即ち、インデックス量）
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
バースト数 ：１０（パルス群１２ａに含まれるパルス数）
分岐数 ：１０（レーザービームＬＣの分岐数）
パス数 ：１
各集光点のスポット径：約５μｍ
集光点の深さ位置 ：第１面１１ａから１７０μｍ
加工送り速度 ：８７５ｍｍ／ｓ
割り出し送り量 ：１０６μｍ（即ち、インデックス量）
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
バースト数 ：１０（パルス群１２ａに含まれるパルス数）
分岐数 ：１０（レーザービームＬＣの分岐数）
パス数 ：１
各集光点のスポット径：約５μｍ
集光点の深さ位置 ：第１面１１ａから１７０μｍ
【0073】
なお、この加工条件において、１０個の集光点において隣接する集光点の間隔は、例えば、１２．５μｍに設定される。また、１０個の集光点Ｐが配置される場合、１２．５μｍ×９の範囲にレーザービームＬＣが照射されるので、Ｙ軸方向に沿って配置された複数の集光点Ｐの照射は、１１２．５μｍとなる（図７参照）。
【0074】
複数の集光点ＰをＸ軸方向に沿って相対的に移動させた場合、複数の集光点Ｐの移動の軌跡は、実線で示す第１移動領域２２ａに含まれる。複数の集光点ＰをＸ軸方向に沿って移動させた後、照射ヘッド２０とチャックテーブル４とをＹ軸方向に沿って相対的に移動させることで、上述の所定のインデックス量だけ割り出し送りを行う。
【0075】
この状態で、複数の集光点Ｐを相対的にＸ軸方向に沿って同様に移動させる。割り出し送り後の複数の集光点Ｐの移動の軌跡は、破線で示す第２移動領域２２ｂ（図７参照）に含まれる。図７に示す様に、第１移動領域２２ａと、第２移動領域２２ｂとは、第１面１１ａから見て重なり領域２２ｃで部分的に重なる。
【0076】
図７は、第１移動領域２２ａ及び第２移動領域２２ｂの重なりを示す平面図である。上述の加工条件下では、Ｙ軸方向における重なりの幅が６．５μｍである。なお、この様な重なり領域２２ｃは、第１面１１ａのＹ軸方向の端部に位置する２つの移動領域を除いて、各移動領域のＹ軸方向の両側に形成される。
【0077】
ところで、複数の集光点Ｐの各々の近傍では、多光子吸収によりインゴット１１の結晶性が変化する。例えば、多光子吸収が生じた領域では、多光子吸収が生じていない領域に比べて機械的強度が低下した改質領域が形成される。
【0078】
加えて、改質領域からＸＹ平面方向に沿って亀裂（クラック）が伸展する。なお、加工条件に依っては、クラックは改質領域からＺ軸方向に沿って伸展することもある。本実施形態では、インゴット１１内部において改質領域及びクラックが形成された領域を分離層１１ｄと称する。
【0079】
分離層形成ステップＳ２０の後、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示す様に分離装置３２を用いて、インゴット１１を、ウェーハ１５と、他のインゴット１７と、に分離する（分離ステップＳ３０）。図８（Ａ）を参照して、分離装置３２について説明する。
【0080】
分離装置３２は、上述のチャックテーブル４と略同径のチャックテーブル３４を有する。チャックテーブル３４の構造は、チャックテーブル４と略同じであり、チャックテーブル３４の上面は、インゴット１１を吸引保持する保持面３４ａとして機能する。チャックテーブル３４の上方には、分離ユニット３６が設けられている。
【0081】
分離ユニット３６は、長手部がＺ軸方向に沿って配置された円柱状の可動部３８を有する。可動部３８には、Ｚ軸方向移動機構（不図示）が連結されており、可動部３８は、Ｚ軸方向に沿って移動可能である。Ｚ軸方向移動機構は、例えば、ボールねじ式の移動機構であるが、他のアクチュエータで構成されてもよい。
【0082】
可動部３８の底部には、円盤状の吸引ヘッド４０が設けられている。吸引ヘッド４０は、チャックテーブル３４と同様に、枠体及び多孔質板を有する。枠体及び多孔質板の下面は、略面一且つＸＹ平面と略平行に配置されており、保持面４０ａとして機能する。
【0083】
図８（Ａ）は、分離ステップＳ３０を示す図である。分離ステップＳ３０では、分離層１１ｄが形成されたインゴット１１の第２面１１ｂをチャックテーブル３４の保持面３４ａで吸引保持すると共に、吸引ヘッド４０の保持面４０ａで第１面１１ａを吸引保持する。
【0084】
次いで、インゴット１１に外力を付与する。外力の付与は、例えば、インゴット１１の側面に対して分離層１１ｄの高さ位置に楔（不図示）を打ち込むことで行われる。楔はインゴット１１側面の一箇所だけでなく、インゴット１１の周方向に沿って複数箇所打ち込む方が好ましい。
【0085】
外力を付与することで、分離層１１ｄが形成されている深さ位置１１ｅにおいて、ＸＹ平面方向にクラックが更に延伸される。なお、楔の打ち込みに代えて、インゴット１１に対して超音波（即ち、２０ｋＨｚを超える周波数帯域の弾性振動波）を印加することで、外力を付与してもよい。
【0086】
超音波を印加する場合、吸引ヘッド４０の保持面４０ａで第１面１１ａを吸引保持する前に、第１面１１ａ側に純水等の液体を介して超音波を印加する。具体的には、超音波が印加された液体をノズルからインゴット１１に噴射する、又は、液体を介してホーンから第１面１１ａ側に超音波を印加する。
【0087】
なお、第１面１１ａ側の全体に一度に外力を印加すると、好ましくない割れが発生することを出願人は実験において確認している。そこで、ノズル又はホーンを用いる場合、まず、第１面１１ａ側における直径５ｍｍから５０ｍｍ程度の局所的な領域に、超音波を利用して外力を印加する。
【0088】
次いで、ノズル又はホーンと、チャックテーブル３４と、を相対的に移動させることで、第１面１１ａ側の他の領域に外力を印加する。この様に、外力を印加する領域を第１面１１ａ側において徐々に広げることで、改質領域間のクラックを第１面１１ａに沿って伸展させることができる。
【0089】
外力の付与により、隣接する改質領域間でクラック同士がつながり、分離層１１ｄの機械的強度は、インゴット１１の分離層１１ｄ以外の領域に比べて更に弱くなる。それゆえ、外力を付与しない場合に比べて小さい力でインゴット１１からウェーハ１５を分離できる。
【0090】
外力を付与した後、吸引ヘッド４０を上昇させる（即ち、＋Ｚ方向に移動させる）。これにより、分離層１１ｄを起点にインゴット１１からウェーハ１５が分離される。図８（Ｂ）は、インゴット１１から分離されたウェーハ１５等を示す図である。なお、吸引ヘッド４０の上昇と並行して、上述した外力の付与を行ってもよい。
【0091】
分離層１１ｄは、厚さ方向１１ｃにおいて５０μｍから６０μｍ程度（例えば、５８μｍ）の厚さを有し、この分離層１１ｄの厚さが上述の切り代に対応する。インゴット１１をレーザー加工することで、スライサを用いる場合に比べて、インゴット１１の厚さ方向１１ｃにおける切り代を低減できる。
【0092】
それゆえ、インゴット１１からウェーハ１５を製造する際のウェーハ１５の生産性が向上する。なお、ワイヤーソーを用いた場合であっても、切り代は少なくとも１５０μｍ程度必要になる。それゆえ、本実施形態の製造方法は、ワイヤーソーを用いた場合と比べても優位である。
【0093】
なお、上述の例では、インゴット１１の所定の深さ位置１１ｅに複数の集光点Ｐを配置して分離層１１ｄを形成することを説明したが、インゴット１１に代えて、ＧａＮの単結晶基板（被加工物）の所定の深さ位置に分離層１１ｄを形成し、この単結晶基板からウェーハ１５を分離することもできる。
【0094】
この場合、分離後のウェーハ１５の厚さ（即ち、ｃ軸方向の長さ）よりも厚いＧａＮの単結晶基板を用いればよい。つまり、ウェーハ１５の厚さは、ＧａＮの単結晶基板のｃ軸方向の両面（第１面及び第２面）間の距離未満の厚さとなる。
【0095】
（変形例）次に、分離層形成ステップＳ２０の変形例について説明する。図９は、分離層形成ステップＳ２０の変形例を示す図である。変形例に係る分離層形成ステップＳ２０では、上述の加工送り速度での複数の集光点Ｐとインゴット１１との相対的な移動が、Ｘ軸方向に沿う直線状ではなく、正六角形状である。係る点が、第１の実施形態と異なるが、他の点は、第１の実施形態と同じである。
【0096】
例えば下記の（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）及び（１５）の順に複数の集光点Ｐを相対的に移動させる。この様な加工は、例えば、水平方向移動機構によりチャックテーブル４の直線的な移動と、回転駆動機構によるチャックテーブル４の回転と、を適宜組み合わせることで実現できる。
【0097】
【数10】
【0098】
【数11】
【0099】
【数12】
【0100】
【数13】
【0101】
【数14】
【0102】
【数15】
【0103】
１つの正六角形を描く様に複数の集光点Ｐを相対的に移動させた後、複数の集光点Ｐをインゴット１１の径方向の中央側に上述の所定のインデックス量だけ移動させた上で、同様に、（１０）から（１５）の順に複数の集光点Ｐを相対的に移動させる。
【0104】
これにより、複数の集光点Ｐの移動領域は、図９に示す様に、同心状に配置された複数の正六角形状となる。なお、（９）に示す様に、（１０）から（１５）の全ては、（１）で示す結晶方位に含まれる。
【0105】
当該変形例では、レーザー加工の開始時に、（１０）に示す方向に複数の集光点Ｐを移動させるが、複数の集光点Ｐを正六角形状に相対的に移動させることができれば、（１０）から（１５）のどの結晶方位からレーザー加工を開始してもよい。
【0106】
また、複数の集光点Ｐとインゴット１１との相対的な移動方向は、（１）で特定される結晶方位と完全に平行でなくてもよく、ｃ面において（１）で特定される結晶方位との間で形成される角度が５°以下であってもよい。
【0107】
例えば、（１０）で特定される結晶方位に沿って複数の集光点Ｐとインゴット１１とを相対的に移動させる場合に、この相対的な移動方向は、ｃ面において（１０）で特定される結晶方位との間で形成される角度を５°以下とすることも可能である。
【0108】
（１１）から（１５）で特定される結晶方位に沿って複数の集光点Ｐとインゴット１１とを相対的に移動させる場合も同様である。なお、インゴット１１に代えて、ＧａＮの単結晶基板においても、同様に、当該変形例を適用できる。
【0109】
（第２の実施形態）次に、図１０及び図１１を参照し、第２の実施形態について説明する。図１０は、第２の実施形態に係るウェーハ１５の製造方法のフロー図であり、図１１は、円環状加工ステップＳ１５を示す平面図である。
【0110】
第２の実施形態に係る製造方法は、保持ステップＳ１０の後、且つ、分離層形成ステップＳ２０の前に、インゴット１１の外周縁１１ｆに沿って円環状にレーザービームＬＣを照射する円環状加工ステップＳ１５を更に備える。
【0111】
なお、本実施形態において、外周縁１１ｆに沿って円環状にレーザービームＬＣを照射するとは、第１ＯＦ１３ａ１及び第２ＯＦ１３ａ２の存在により欠けた第１面１１ａの縁が円形となる様に補完されたと見なした上で、第１面１１ａの円形の縁に沿う様にレーザービームＬＣを照射することを意味する。
【0112】
円環状加工ステップＳ１５でも、複数の集光点Ｐは、分離層形成ステップＳ２０で分離層１１ｄを形成するときと同じ所定の深さ位置１１ｅに位置付けられる。円環状加工ステップＳ１５では、まず、インゴット１１の所定の深さ位置１１ｅにおいてＹ軸方向に沿う様に複数の集光点Ｐを並べて配置する。
【0113】
なお、このとき、最も外側に位置する１つの集光点は、例えば外周縁１１ｆから所定の距離２４だけインゴット１１の径方向の内側に位置する。所定の距離２４は、例えば、４μｍ以上８μｍ以下であり、好適な一例は、５μｍ以上６μｍ以下である。
【0114】
この状態で、図１１に示す矢印方向に、所定の回転速度でチャックテーブル４を１回転させる。１回転させた後、複数の集光点Ｐをインゴット１１の径方向の内側に移動させる。具体的には、チャックテーブル４をＹ軸方向に沿って所定のインデックス量２６だけ割り出し送りする。所定のインデックス量２６は、例えば、１０６μｍである。
【0115】
チャックテーブル４の所定の回転速度は、例えば、複数の集光点Ｐでの周速が上述の加工送り速度と略等しくなる様に適宜調整される。チャックテーブル４の所定の回転速度は、後述する好適なアスペクト比（ｂ／ａ）を実現する様に調整されてもよい。
【0116】
この様にして円環状加工ステップＳ１５では、インゴット１１の外周領域２８にも分離層１１ｄを形成する。なお、図１１では、チャックテーブル４を３回転させて３つの環状の分離層１１ｄを同心円状に形成する例を示すが、回転数は３に限定されない。
【0117】
他の加工条件（波長、繰り返し周波数、バースト数、分岐数、パス数、各集光点のスポット径、集光点の深さ位置）は、例えば、第１の実施形態と同じとする。これにより、円環状加工ステップＳ１５の後、スムーズに分離層形成ステップＳ２０を実行できる。
【0118】
分離層形成ステップＳ２０において、分離層１１ｄが形成されると、Ｇａ原子とＮ原子との結合が切り離されてＮ２（窒素分子）となり、窒素ガスが生じる。
【0119】
仮に、円環状加工ステップＳ１５を経て外周領域２８に分離層１１ｄが形成されていない場合、分離層形成ステップＳ２０において形成された窒素ガスにより、インゴット１１の径方向の内側に異常な体積膨張領域が形成される可能性がある。
【0120】
第２の実施形態では、外周領域２８に形成された分離層１１ｄが、分離層形成ステップＳ２０でインゴット１１の径方向の内側に生じる窒素ガスをインゴット１１外に逃がすパスとして機能する。
【0121】
それゆえ、インゴット１１の径方向の内側での異常な体積膨張を抑制できる。また、外周領域２８に分離層１１ｄを形成することで、望ましくない方向（例えば、ｃ軸方向）へのクラックの伸展を抑制すると共に、インゴット１１のｃ面における外側へのクラックの伸展を促進できる。
【0122】
（実験例）次に、分離層形成ステップＳ２０において、隣接する集光点の間隔と、加工送り速度と、を変えた場合の実験結果を、図１２から図１５を用いて説明する。実験例では、上述のレーザー加工装置２を用いて、ＧａＮの単結晶基板を加工した。
【0123】
波長、繰り返し周波数、バースト数、パス数、各集光点のスポット径、集光点の深さ位置、及び、集光点の間隔は、第１の実施形態と同じとしたが、加工送り速度（ｍｍ／ｓ）及びパルスエネルギー（μＪ）は、適宜変更した。
【0124】
【0125】
また、図１２、１４及び図１５の各々に示す単結晶基板の加工時には、割り出し送り量を１１２．５μｍとし、並列的な３つの直線状領域にレーザー加工を施した。但し、重なり領域２２ｃ（図７参照）を形成しない様にレーザー加工を施した。
【0126】
図１２は、改質領域１１ｈ間に十分なクラックが形成されなかった単結晶基板の写真である。当該写真は、レーザー加工後の単結晶基板の第１面１１ａ側を可視光カメラで撮影することで得た。なお、後述する図１４及び図１５の写真も同様に、可視光カメラで撮影することで得た。
【0127】
図１２に示す画像の中心部を横方向に横切る直線は、撮像視野の中心を横切る様に表示する参照線３０である。帯状の直線状領域１１ｇは、（１）で示す結晶方位に沿ってレーザー加工が施された領域である。
【0128】
当該画像において、黒丸で表示されている領域には、改質領域１１ｈが形成されており、改質領域１１ｈ間の明るい領域には、クラック１１ｉが形成されている。
【0129】
図１３は、複数の改質領域１１ｈを模式的に示す図である。距離ａは、Ｙ軸方向に沿って並んだ複数の改質領域１１ｈ同士の間隔（Ｙ軸方向に沿って並んだ複数の集光点Ｐ同士の間隔に対応する）であり、単位はμｍである。
【0130】
また、距離ｂは、Ｘ軸方向に沿って並んだ複数の改質領域１１ｈ同士の間隔（Ｘ軸方向に沿って並んだ複数の集光点Ｐ同士の間隔に対応する）であり、単位はμｍである。距離ｂは、加工送り速度（即ち、複数の集光点Ｐとインゴット１１との相対的な移動速度）及び繰り返し周波数に応じて定まる。
【0131】
実験によると、（ｂ／ａ）で表されるアスペクト比に応じて、加工の良否が決まることが明らかになった。具体的には、アスペクト比（ｂ／ａ）が３．０を超えると改質領域１１ｈ同士が離れるので、図１２に示す様にＸＹ平面方向に十分にクラック１１ｉが伸展しない。
【0132】
また、アスペクト比（ｂ／ａ）が０．５未満となると、改質領域１１ｈ同士が近づき図１４に示す様にＸＹ平面方向にクラック１１ｉが比較的十分に伸展するが、Ｚ軸方向に比較的大きなクラック１１ｊが形成される。
【0133】
【0134】
これに対して、アスペクト比（ｂ／ａ）が０．５以上３．０以下である場合、ＸＹ平面方向にクラック１１ｉを比較的十分に伸展させ、且つ、Ｚ軸方向に比較的大きなクラック１１ｉが形成されることを防止できる。
【0135】
図１５は、改質領域１１ｈ間に十分にクラック１１ｉが伸展し、且つ、Ｚ軸方向に比較的大きなクラック１１ｉが形成されなかった単結晶基板の写真である。なお、アスペクト比（ｂ／ａ）は、０．８以上２．５以下であってもよく、１．０以上１．４以下であってもよい。
【0136】
上述の実施形態、変形例、及び、実験結果に従うと、レーザー加工装置２を用いて被加工物に分離層１１ｄを形成することで、スライサを用いる場合に比べて被加工物の厚さ方向における切り代を低減できる。
【0137】
その他、上述の実施形態等に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【0138】
２：レーザー加工装置、４：チャックテーブル、４ａ：保持面
６：レーザービーム照射ユニット、８：レーザービーム発生ユニット
１０：レーザー発振器、１２：音響光学変調器、１２ａ：パルス群
１１：インゴット（被加工物）、１１ａ：第１面、１１ｂ：第２面、１１ｃ：厚さ方向
１１ｄ：分離層、１１ｅ：深さ位置、１１ｆ：外周縁
１１ｇ：直線状領域、１１ｈ：改質領域、１１ｉ、１１ｊ：クラック
１３ａ：第１側面、１３ｂ：第２側面
第１オリエンテーションフラット（第１ＯＦ）：１３ａ１
第２オリエンテーションフラット（第２ＯＦ）：１３ａ２
１４：出力調整ユニット、１６：分岐ユニット、１８：ミラー、２０：照射ヘッド
１５：ウェーハ、１７：他のインゴット
２２ａ：第１移動領域、２２ｂ：第２移動領域、２２ｃ：重なり領域
２４：距離、２６：インデックス量、２８：外周領域、３０：参照線
３２：分離装置、３４：チャックテーブル、３４ａ：保持面
３６：分離ユニット、３８：可動部、４０：吸引ヘッド、４０ａ：保持面
ＬＡ、ＬＢ、ＬＣ、ＬＣ１、ＬＣ２、ＬＣ３、ＬＣ４、ＬＣ５：レーザービーム
Ｐ、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５：集光点
Ｓ１０：保持ステップ、Ｓ１５：円環状加工ステップ
Ｓ２０：分離層形成ステップ、Ｓ３０：分離ステップ
ａ、ｂ：距離、ｔ：時間間隔、Ｔ：周期
６：レーザービーム照射ユニット、８：レーザービーム発生ユニット
１０：レーザー発振器、１２：音響光学変調器、１２ａ：パルス群
１１：インゴット（被加工物）、１１ａ：第１面、１１ｂ：第２面、１１ｃ：厚さ方向
１１ｄ：分離層、１１ｅ：深さ位置、１１ｆ：外周縁
１１ｇ：直線状領域、１１ｈ：改質領域、１１ｉ、１１ｊ：クラック
１３ａ：第１側面、１３ｂ：第２側面
第１オリエンテーションフラット（第１ＯＦ）：１３ａ１
第２オリエンテーションフラット（第２ＯＦ）：１３ａ２
１４：出力調整ユニット、１６：分岐ユニット、１８：ミラー、２０：照射ヘッド
１５：ウェーハ、１７：他のインゴット
２２ａ：第１移動領域、２２ｂ：第２移動領域、２２ｃ：重なり領域
２４：距離、２６：インデックス量、２８：外周領域、３０：参照線
３２：分離装置、３４：チャックテーブル、３４ａ：保持面
３６：分離ユニット、３８：可動部、４０：吸引ヘッド、４０ａ：保持面
ＬＡ、ＬＢ、ＬＣ、ＬＣ１、ＬＣ２、ＬＣ３、ＬＣ４、ＬＣ５：レーザービーム
Ｐ、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５：集光点
Ｓ１０：保持ステップ、Ｓ１５：円環状加工ステップ
Ｓ２０：分離層形成ステップ、Ｓ３０：分離ステップ
ａ、ｂ：距離、ｔ：時間間隔、Ｔ：周期
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
