ホーム > 特許ランキング > 東京エレクトロン株式会社
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023181822
(43)【公開日】2023-12-25
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20231218BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20231218BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 651Z
H01L21/304 645A
H01L21/304 648A
H01L21/304 645C
H01L21/68 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022095173
(22)【出願日】2022-06-13
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】中島 常長
(72)【発明者】
【氏名】稲富 弘朗
【テーマコード（参考）】
5F131
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131AA03
5F131AA21
5F131AA22
5F131BA37
5F131BB02
5F131BB03
5F131CA12
5F131DA02
5F131DA32
5F131DA33
5F131DA36
5F131DB52
5F131DB62
5F131DB72
5F131DB76
5F131EA06
5F157AA09
5F157AA73
5F157AB45
5F157AB48
5F157AB51
5F157AB64
5F157BG14
5F157BG32
5F157BG73
5F157BG75
5F157BG85
5F157BG96
5F157CB14
5F157CB26
5F157CB27
5F157CE62
5F157CE63
5F157CE64
5F157CF16
5F157DA21
5F157DB32
5F157DB33
5F157DB34
5F157DB37
(57)【要約】
【課題】超臨界乾燥後の基板の清浄度を向上する、技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、液処理装置と、超臨界乾燥装置と、第１ロードロック装置と、ドライ洗浄装置と、制御装置と、を備える。前記液処理装置は、基板の表面に液膜を形成する。前記超臨界乾燥装置は、前記液膜を超臨界流体に置換することで前記基板を乾燥する。前記第１ロードロック装置は、前記基板の搬送経路の途中で前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える。前記ドライ洗浄装置は、減圧下で前記基板の前記表面をドライ洗浄する。前記制御装置は、前記液処理装置による前記液膜の形成と、前記超臨界乾燥装置による前記基板の乾燥と、前記第１ロードロック装置による前記基板の周辺雰囲気の切り替えと、前記ドライ洗浄装置による前記基板のドライ洗浄とをこの順番で実施する。
【選択図】図１
【解決手段】基板処理装置は、液処理装置と、超臨界乾燥装置と、第１ロードロック装置と、ドライ洗浄装置と、制御装置と、を備える。前記液処理装置は、基板の表面に液膜を形成する。前記超臨界乾燥装置は、前記液膜を超臨界流体に置換することで前記基板を乾燥する。前記第１ロードロック装置は、前記基板の搬送経路の途中で前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える。前記ドライ洗浄装置は、減圧下で前記基板の前記表面をドライ洗浄する。前記制御装置は、前記液処理装置による前記液膜の形成と、前記超臨界乾燥装置による前記基板の乾燥と、前記第１ロードロック装置による前記基板の周辺雰囲気の切り替えと、前記ドライ洗浄装置による前記基板のドライ洗浄とをこの順番で実施する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の表面に液膜を形成する液処理装置と、
前記液膜を超臨界流体に置換することで前記基板を乾燥する超臨界乾燥装置と、
前記基板の搬送経路の途中で前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える第１ロードロック装置と、
減圧下で前記基板の前記表面をドライ洗浄するドライ洗浄装置と、
前記液処理装置による前記液膜の形成と、前記超臨界乾燥装置による前記基板の乾燥と、前記第１ロードロック装置による前記基板の周辺雰囲気の切り替えと、前記ドライ洗浄装置による前記基板のドライ洗浄とをこの順番で実施する制御装置と、
を備える、基板処理装置。
前記液膜を超臨界流体に置換することで前記基板を乾燥する超臨界乾燥装置と、
前記基板の搬送経路の途中で前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える第１ロードロック装置と、
減圧下で前記基板の前記表面をドライ洗浄するドライ洗浄装置と、
前記液処理装置による前記液膜の形成と、前記超臨界乾燥装置による前記基板の乾燥と、前記第１ロードロック装置による前記基板の周辺雰囲気の切り替えと、前記ドライ洗浄装置による前記基板のドライ洗浄とをこの順番で実施する制御装置と、
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記基板を収容するカセットを支持する第１載置台と、常圧雰囲気である第１搬送室と、前記第１搬送室で前記基板を搬送する第１搬送装置と、を有する、第１ブロックと、
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室で前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックと、
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室で前記基板を搬送する第３搬送装置と、を有する、第３ブロックと、
前記第１搬送装置と前記第２搬送装置の間で前記基板を受け渡すトランジション装置と、
を備え、
前記第１ブロックと前記トランジション装置と前記第２ブロックと前記第１ロードロック装置と前記第３ブロックとがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室で前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックと、
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室で前記基板を搬送する第３搬送装置と、を有する、第３ブロックと、
前記第１搬送装置と前記第２搬送装置の間で前記基板を受け渡すトランジション装置と、
を備え、
前記第１ブロックと前記トランジション装置と前記第２ブロックと前記第１ロードロック装置と前記第３ブロックとがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記基板を収容するカセットを支持する第１載置台と、常圧雰囲気である第１搬送室と、前記第１搬送室で前記基板を搬送する第１搬送装置と、を有する、第１ブロックと、
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室で前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックと、
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室で前記基板を搬送する第３搬送装置と、を有する、第３ブロックと、
前記基板の搬送経路の途中で前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える第２ロードロック装置と、
を備え、
前記第１ブロックと前記第２ロードロック装置と前記第３ブロックと前記第１ロードロック装置と前記第２ブロックとがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室で前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックと、
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室で前記基板を搬送する第３搬送装置と、を有する、第３ブロックと、
前記基板の搬送経路の途中で前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える第２ロードロック装置と、
を備え、
前記第１ブロックと前記第２ロードロック装置と前記第３ブロックと前記第１ロードロック装置と前記第２ブロックとがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記基板を収容する第１カセットを支持する第１載置台と、常圧雰囲気である第１搬送室と、前記第１搬送室で前記基板を搬送する第１搬送装置と、を有する、第１ブロックと、
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室で前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックと、
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室で前記基板を搬送する第３搬送装置と、を有する、第３ブロックと、
前記基板を収容する第２カセットを支持する第２載置台と、常圧雰囲気である第４搬送室と、前記第４搬送室で前記基板を搬送する第４搬送装置と、を有する、第４ブロックと、
前記第１搬送装置と前記第２搬送装置の間で前記基板を受け渡すトランジション装置と、
前記基板の搬送経路の途中で前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える第２ロードロック装置と、
を備え、
前記第１ブロックと前記トランジション装置と前記第２ブロックと前記第１ロードロック装置と前記第３ブロックと前記第２ロードロック装置と前記第４ブロックとがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室で前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックと、
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室で前記基板を搬送する第３搬送装置と、を有する、第３ブロックと、
前記基板を収容する第２カセットを支持する第２載置台と、常圧雰囲気である第４搬送室と、前記第４搬送室で前記基板を搬送する第４搬送装置と、を有する、第４ブロックと、
前記第１搬送装置と前記第２搬送装置の間で前記基板を受け渡すトランジション装置と、
前記基板の搬送経路の途中で前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える第２ロードロック装置と、
を備え、
前記第１ブロックと前記トランジション装置と前記第２ブロックと前記第１ロードロック装置と前記第３ブロックと前記第２ロードロック装置と前記第４ブロックとがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記基板を収容する第１カセットを支持する第１載置台と、常圧雰囲気である第１搬送室と、前記第１搬送室で前記基板を搬送する第１搬送装置と、を有する、第１ブロックと、
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室で前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックと、
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室で前記基板を搬送する第３搬送装置と、を有する、第３ブロックと、
前記第１搬送装置と前記第２搬送装置の間で前記基板を受け渡すトランジション装置と、
を備え、
前記第２ブロックと前記第３ブロックは鉛直方向に積層して設けられ、前記トランジション装置と前記第１ロードロック装置は鉛直方向に積層して設けられ、前記トランジション装置は前記第１ブロックと前記第２ブロックの間に設けられ、前記第１ロードロック装置は前記第１ブロックと前記第３ブロックの間に設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室で前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックと、
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室で前記基板を搬送する第３搬送装置と、を有する、第３ブロックと、
前記第１搬送装置と前記第２搬送装置の間で前記基板を受け渡すトランジション装置と、
を備え、
前記第２ブロックと前記第３ブロックは鉛直方向に積層して設けられ、前記トランジション装置と前記第１ロードロック装置は鉛直方向に積層して設けられ、前記トランジション装置は前記第１ブロックと前記第２ブロックの間に設けられ、前記第１ロードロック装置は前記第１ブロックと前記第３ブロックの間に設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室において前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックを備え、
前記第２ブロックにおいて、前記液処理装置と前記超臨界乾燥装置とは、前記第２搬送室を挟んで、水平方向に対向して設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
前記第２ブロックにおいて、前記液処理装置と前記超臨界乾燥装置とは、前記第２搬送室を挟んで、水平方向に対向して設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室において前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックを備え、
前記第２ブロックにおいて、前記液処理装置と前記超臨界乾燥装置とは、前記第２搬送室の少なくとも片側で、鉛直方向に積層して設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
前記第２ブロックにおいて、前記液処理装置と前記超臨界乾燥装置とは、前記第２搬送室の少なくとも片側で、鉛直方向に積層して設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室において前記基板を搬送する第３搬送装置と、前記第３搬送室と前記ドライ洗浄装置の間で前記基板の周辺雰囲気の減圧度を切り替える第３ロードロック装置と、を有する、第３ブロックを備え、
前記ドライ洗浄装置は前記基板を収容する洗浄室を有し、前記第３搬送室の圧力は常圧よりも低く且つ前記洗浄室の圧力よりも高い、請求項１に記載の基板処理装置。
前記ドライ洗浄装置は前記基板を収容する洗浄室を有し、前記第３搬送室の圧力は常圧よりも低く且つ前記洗浄室の圧力よりも高い、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記液処理装置と、前記超臨界乾燥装置と、前記第１ロードロック装置と、前記ドライ洗浄装置と、常圧雰囲気である第２搬送室と、前記第２搬送室において前記基板を搬送する第２搬送装置と、を有する、第２ブロックを備え、
前記液処理装置と前記超臨界乾燥装置と前記第１ロードロック装置は、前記第２搬送室に隣接して設けられ、
前記ドライ洗浄装置は、前記第１ロードロック装置に隣接して設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
前記液処理装置と前記超臨界乾燥装置と前記第１ロードロック装置は、前記第２搬送室に隣接して設けられ、
前記ドライ洗浄装置は、前記第１ロードロック装置に隣接して設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記ドライ洗浄装置と、減圧雰囲気である第３搬送室と、前記第３搬送室において前記基板を搬送する第３搬送装置と、を有する、第３ブロックを備え、
前記第３ブロックは、さらに、減圧下で前記基板の前記表面をエッチングするエッチング装置を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
前記第３ブロックは、さらに、減圧下で前記基板の前記表面をエッチングするエッチング装置を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項11】
請求項１～１０のいずれか１項に記載の基板処理装置を用いて基板を処理することを有する、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、超臨界乾燥方法が記載されている。超臨界乾燥方法は、基板の表面に液体が付着した状態で、基板を超臨界流体に一定時間晒すことで、基板の表面を乾燥する。液体としては、例えばアルコールなどが用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００５－１０１０７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示の一態様は、超臨界乾燥後の基板の清浄度を向上する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様に係る基板処理装置は、液処理装置と、超臨界乾燥装置と、第１ロードロック装置と、ドライ洗浄装置と、制御装置と、を備える。前記液処理装置は、基板の表面に液膜を形成する。前記超臨界乾燥装置は、前記液膜を超臨界流体に置換することで前記基板を乾燥する。前記第１ロードロック装置は、前記基板の搬送経路の途中で前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える。前記ドライ洗浄装置は、減圧下で前記基板の前記表面をドライ洗浄する。前記制御装置は、前記液処理装置による前記液膜の形成と、前記超臨界乾燥装置による前記基板の乾燥と、前記第１ロードロック装置による前記基板の周辺雰囲気の切り替えと、前記ドライ洗浄装置による前記基板のドライ洗浄とをこの順番で実施する。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一態様によれば、超臨界乾燥後の基板の清浄度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。また、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
【0009】
本明細書において、「常圧」とは８０ｋＰａ～１２０ｋＰａの圧力のことであり、「減圧」とは０Ｐａ～１ｋＰａの圧力のことである。「常圧雰囲気」と「減圧雰囲気」の雰囲気は、大気雰囲気でもよいし、不活性雰囲気でもよい。不活性雰囲気は、窒素ガス又は希ガスを含む。希ガスは、例えばアルゴンガスである。
【0010】
図１を参照して、一実施形態に係る基板処理装置１について説明する。基板処理装置１は、液処理装置５１と、超臨界乾燥装置５２と、第１ロードロック装置５３と、ドライ洗浄装置５４と、制御装置９０と、を備える。液処理装置５１は、図３（Ａ）に示すように、基板Ｗの表面Ｗａに液膜Ｌを形成する。超臨界乾燥装置５２は、図３（Ｂ）に示すように液膜Ｌを超臨界流体Ｓに置換することで基板Ｗを乾燥する。第１ロードロック装置５３は、基板Ｗの搬送経路の途中で基板Ｗの周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える。ドライ洗浄装置５４は、図３（Ｃ）に示すように減圧下で基板Ｗの表面Ｗａをドライ洗浄する。
【0011】
制御装置９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などの演算部９１と、メモリなどの記憶部９２とを備える。記憶部９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９０は、記憶部９２に記憶されたプログラムを演算部９１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。
【0012】
制御装置９０は、液処理装置５１による液膜Ｌの形成と、超臨界乾燥装置５２による基板Ｗの乾燥と、第１ロードロック装置５３による基板Ｗの周辺雰囲気の切り替えと、ドライ洗浄装置５４による基板Ｗのドライ洗浄とをこの順番で実施する。第１ロードロック装置５３によって基板Ｗの周辺雰囲気を切り替えることで、ドライ洗浄装置５４の内部を減圧雰囲気に維持でき、基板処理装置１のスループットを向上できる。また、ドライ洗浄装置５４によって超臨界乾燥後の基板Ｗの清浄度を向上できる。
【0013】
ドライ洗浄装置５４は、基板Ｗを液体で濡らすことなく基板Ｗを洗浄する。それゆえ、基板Ｗの表面Ｗａの凹凸パターンに液体と気体の界面が現れない。その結果、表面張力の発生を防止でき、凹凸パターンの倒壊を防止できる。ドライ洗浄装置５４の代わりにウェット洗浄装置で基板Ｗを洗浄することも可能であるが、その場合、凹凸パターンの倒壊を防止すべく再び超臨界乾燥を実施することになり、スループットが低下する。
【0014】
基板処理装置１は、図１に示すように、例えば、第１ブロック１０と、第２ブロック２０と、第３ブロック３０と、第１ロードロック装置５３と、トランジション装置５５と、を備える。第１ブロック１０と、トランジション装置５５と、第２ブロック２０と、第１ロードロック装置５３と、第３ブロック３０とがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる。
【0015】
第１ブロック１０は、第１載置台１１と、第１搬送室１２と、第１搬送装置１３と、を有する。第１載置台１１は、第１カセットＣ１と第２カセットＣ２を支持する。第１カセットＣ１は、処理前の基板Ｗを複数枚収容する。基板Ｗは、例えば半導体基板を含む。半導体基板は、シリコンウェハまたは化合物半導体ウェハを含む。基板Ｗは、半導体基板の代わりに、ガラス基板を含んでもよい。基板Ｗの表面Ｗａは、電子回路などのデバイスを有してもよく、凹凸パターンを有してもよい。第２カセットＣ２は、処理後の基板Ｗを複数枚収容する。
【0016】
第１搬送室１２は、第１載置台１１とトランジション装置５５の間に設けられる。第１搬送室１２は、常圧雰囲気である。第１搬送装置１３は、第１搬送室１２において基板Ｗを搬送する。第１搬送装置１３は、処理前の基板Ｗを第１カセットＣ１から取り出す。また、第１搬送装置１３は、処理後の基板Ｗを第２カセットＣ２に収納する。第１搬送装置１３は、基板Ｗを保持する搬送アームを有する。搬送アームは、水平方向と鉛直方向に移動可能であり、また鉛直軸周りに回転可能である。
【0017】
第２ブロック２０は、液処理装置５１と、超臨界乾燥装置５２と、第２搬送室２２と、第２搬送装置２３と、を有する。第２搬送室２２は、トランジション装置５５と第１ロードロック装置５３の間に設けられる。第２搬送室２２は、常圧雰囲気である。第２搬送装置２３は、第２搬送室２２において基板Ｗを搬送する。第２搬送装置２３は、第２搬送室２２に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。第２搬送装置２３は、基板Ｗを保持する搬送アームを有する。搬送アームは、水平方向と鉛直方向に移動可能であり、また鉛直軸周りに回転可能である。
【0018】
第２ブロック２０において、液処理装置５１と超臨界乾燥装置５２は、第２搬送室２２を挟んで、水平方向に対向して設けられる。なお、図１２に示すように、第２ブロック２０において、液処理装置５１と超臨界乾燥装置５２とは、第２搬送室２２の少なくとも片側（図１２では両側）で、鉛直方向に積層して設けられてもよい。後者の場合、前者の場合に比べて、液処理装置５１から超臨界乾燥装置５２まで基板Ｗを搬送する際に、基板Ｗの水平移動による液膜Ｌの崩れ（液がこぼれること）を抑制できる。
【0019】
第３ブロック３０は、ドライ洗浄装置５４と、第３搬送室３２と、第３搬送装置３３と、を有する。第３搬送室３２は、減圧雰囲気である。第３搬送装置３３は、第３搬送室３２において基板Ｗを搬送する。第３搬送装置３３は、第３搬送室３２に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。第３搬送装置３３は、基板Ｗを保持する搬送アームを有する。搬送アームは、水平方向と鉛直方向に移動可能であり、また鉛直軸周りに回転可能である。
【0020】
第１ブロック１０と第２ブロック２０の間には、トランジション装置５５が設けられる。トランジション装置５５は、第１搬送室１２と第２搬送室２２に隣接して設けられ、第１搬送装置１３と第２搬送装置２３の間で基板Ｗを受け渡す。複数のトランジション装置５５が鉛直方向に積層されてもよい。
【0021】
第２ブロック２０と第３ブロック３０の間には、第１ロードロック装置５３が設けられる。第１ロードロック装置５３は、第２搬送室２２と第３搬送室３２に隣接して設けられ、第２搬送装置２３と第３搬送装置３３の間で基板Ｗを受け渡す。複数の第１ロードロック装置５３が鉛直方向に積層されてもよい。
【0022】
図１～図３を参照して、一実施形態に係る基板処理方法について説明する。基板処理方法は、例えば、図２に示すように、ステップＳ１０１～Ｓ１０５を有する。ステップＳ１０１～Ｓ１０５は、制御装置９０による制御下で行われる。なお、基板処理方法は、ステップＳ１０１～Ｓ１０５以外の工程を有してもよい。
【0023】
先ず、複数枚の基板Ｗを収容した第１カセットＣ１と空の第２カセットＣ２が第１ブロック１０の第１載置台１１に載置される。次に、第１搬送装置１３が、第１カセットＣ１から基板Ｗを取り出し、トランジション装置５５に搬送する。その後、第２搬送装置２３が、トランジション装置５５から基板Ｗを取り出し、液処理装置５１に搬送する。
【0024】
次に、液処理装置５１が、図３（Ａ）に示すように基板表面Ｗａに液膜Ｌを形成する（ステップＳ１０１）。液処理装置５１は、例えば、基板表面Ｗａを上に向けて基板Ｗを水平に保持する不図示のスピンチャックと、基板表面Ｗａに処理液を供給するノズル５１ａと、を有する。スピンチャックが基板Ｗを回転させた状態で、ノズル５１ａが基板表面Ｗａの中心部に処理液を供給する。処理液は遠心力によって基板表面Ｗａ全体に広がり、基板表面Ｗａ全体に液膜Ｌが形成される。複数種類の処理液が基板表面Ｗａに順番に供給されてもよく、複数種類の液膜Ｌが順番に形成されてもよい。ステップＳ１０１の後、第２搬送装置２３が、液処理装置５１から基板Ｗを取り出し、超臨界乾燥装置５２に搬送する。
【0025】
次に、超臨界乾燥装置５２が、図３（Ｂ）に示すように液膜Ｌを超臨界流体Ｓに置換することで基板Ｗを乾燥する（ステップＳ１０２）。超臨界乾燥装置５２は、図示しないが、例えば、基板Ｗを収容する圧力容器と、圧力容器に超臨界流体Ｓを供給する供給ラインと、圧力容器から超臨界流体Ｓを排出する排出ラインと、を有する。超臨界流体Ｓは、臨界温度以上の温度と、臨界圧力以上の圧力下におかれた流体であり、液体と気体の区別がつかない状態の流体である。液膜Ｌを超臨界流体Ｓに置換すれば、基板Ｗの凹凸パターンに液体と気体の界面が現れるのを抑制できる。その結果、表面張力の発生を抑制でき、凹凸パターンの倒壊を抑制できる。液膜Ｌは例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤であり、超臨界流体Ｓは例えばＣＯ２である。ステップＳ１０２の後、第２搬送装置２３が、超臨界乾燥装置５２から基板Ｗを取り出し、第１ロードロック装置５３に搬送する。
【0026】
次に、第１ロードロック装置５３が、基板Ｗの周辺雰囲気を常圧雰囲気から減圧雰囲気に切り替える（ステップＳ１０３）。第１ロードロック装置５３は、図示しないが、例えば、ロードロック室を内部に形成する処理容器と、ロードロック室の圧力を調節する調圧機構と、を有する。ロードロック室には、基板Ｗを載置する載置台が設けられる。調圧機構は、例えば、ロードロック室のガスを排出する排気機構と、ロードロック室にガスを供給する給気機構とを有する。調圧機構は、ロードロック室の雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える。ステップＳ１０３の後、第３搬送装置３３が、第１ロードロック装置５３から基板Ｗを取り出し、ドライ洗浄装置５４に搬送する。
【0027】
次に、ドライ洗浄装置５４が、図３（Ｃ）に示すように減圧下で基板Ｗの表面Ｗａをドライ洗浄する（ステップＳ１０４）。ドライ洗浄装置５４は、例えば減圧下で基板表面ＷａにガスクラスターＧＣを照射する。ガスクラスターＧＣは、幅の狭い凹部の内部に入り込むことができ、凹部の内部からパーティクルＰを除去できる。ドライ洗浄装置５４は、例えば、基板Ｗを収容する洗浄室５４ａを有し、洗浄室５４ａにノズル５４ｂを有する。
【0028】
ノズル５４ｂは、ガスクラスターＧＣの原料ガスを噴射する。原料ガスは、予め減圧された洗浄室５４ａで断熱膨張することで、凝縮温度まで冷却され、分子または原子の集合体であるガスクラスターＧＣを形成する。原料ガスは、例えば二酸化炭素（ＣＯ２）ガスおよびアルゴン（Ａｒ）ガスから選ばれる少なくとも１つを含む。
【0029】
ノズル５４ｂは、原料ガスとキャリアガスの混合ガスを基板表面Ｗａに噴射してもよい。キャリアガスは、原料ガスの分圧を下げることで、ノズル５４ｂの内部での原料ガスの液化を抑制する。また、キャリアガスは、原料ガスの加速を高め、ガスクラスターＧＣの成長を促す。キャリアガスは、原料ガスよりも小さな分子量または原子量を有する。それゆえ、キャリアガスは、原料ガスよりも高い凝縮温度を有する。従って、キャリアガスは、ガスクラスターＧＣを形成しない。キャリアガスは、例えば水素（Ｈ２）ガスおよびヘリウム（Ｈｅ）ガスから選ばれる少なくとも１つを含む。
【0030】
ガスクラスターＧＣは、基板表面Ｗａに付着したパーティクルＰに衝突し、パーティクルＰを吹き飛ばす。ガスクラスターＧＣは、パーティクルＰに直接衝突しなくてもよい。ガスクラスターＧＣは、衝突位置周辺のパーティクルＰをも吹き飛ばすことができる。ガスクラスターＧＣは、衝突によって高温になるので、バラバラに分解され、洗浄室５４ａの排気口から排気される。吹き飛ばしたパーティクルＰも、洗浄室５４ａの排気口から排出される。
【0031】
ドライ洗浄装置５４は、基板表面Ｗａに対して垂直にガスクラスターＧＣを照射する。基板表面Ｗａには、複数のデバイスが予め形成されており、凹凸パターンが予め形成されている。基板表面Ｗａに対して垂直にガスクラスターＧＣを照射すれば、ガスクラスターＧＣの衝突による凹凸パターンの倒壊を抑制でき、また、凹部の内部からパーティクルＰを除去できる。
【0032】
ステップＳ１０４の後、第３搬送装置３３が、ドライ洗浄装置５４から基板Ｗを取り出し、第１ロードロック装置５３に搬送する。
【0033】
次に、第１ロードロック装置５３が、基板Ｗの周辺雰囲気を減圧雰囲気から常圧雰囲気に切り替える（ステップＳ１０５）。ステップＳ１０５の後、第２搬送装置２３が、第１ロードロック装置５３から基板Ｗを取り出し、トランジション装置５５に搬送する。その後、第１搬送装置１３が、トランジション装置５５から基板Ｗを取り出し、第２カセットＣ２に収納する。これにより、一連の処理が終了する。
【0034】
本実施形態によれば、図１に示すように、第１ブロック１０と、トランジション装置５５と、第２ブロック２０と、第１ロードロック装置５３と、第３ブロック３０とがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる。第１搬送室１２と第２搬送室２２がいずれも常圧雰囲気であるので、ロードロック装置の代わりに、より簡素で安価なトランジション装置５５を使用できる。また、超臨界乾燥後に基板Ｗの清浄度が高く、ドライ洗浄が不要である場合に、基板Ｗを第３ブロック３０に搬送することなく第２カセットＣ２に収納することができる。ドライ洗浄が不要である場合に、基板Ｗの搬送経路を短縮でき、基板処理装置１のスループットを向上できる。
【0035】
次に、図４を参照して、第１変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、上記実施形態との相違点について主に説明する。図４に示すように、第１ブロック１０と第２ロードロック装置５６と第３ブロック３０と第１ロードロック装置５３と第２ブロック２０とがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる。
【0036】
第２ロードロック装置５６は、第１ロードロック装置５３と同様に構成され、基板Ｗの搬送経路の途中で基板Ｗの周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える。第２ロードロック装置５６は、常圧雰囲気である第１搬送室１２と、減圧雰囲気である第３搬送室３２とに隣接して設けられる。
【0037】
本変形例の基板処理装置１の動作は、下記の通りである。先ず、第１搬送装置１３が第１カセットＣ１から基板Ｗを取り出し、第２ロードロック装置５６に搬送する。次に、第２ロードロック装置５６が基板Ｗの周辺雰囲気を大気雰囲気から減圧雰囲気に切り替える。その後、第３搬送装置３３が、第２ロードロック装置５６から基板Ｗを取り出し、第１ロードロック装置５３に搬送する。その後、第１ロードロック装置５３が基板Ｗの周辺雰囲気を減圧雰囲気から常圧雰囲気に切り替える。次に、第２搬送装置２３が、第１ロードロック装置５３から基板Ｗを取り出し、液処理装置５１に搬送する。
【0038】
次に、液処理装置５１が、図３（Ａ）に示すように基板表面Ｗａに液膜Ｌを形成する（ステップＳ１０１）。ステップＳ１０１の後、第２搬送装置２３が、液処理装置５１から基板Ｗを取り出し、超臨界乾燥装置５２に搬送する。次に、超臨界乾燥装置５２が、図３（Ｂ）に示すように液膜Ｌを超臨界流体Ｓに置換することで基板Ｗを乾燥する（ステップＳ１０２）。ステップＳ１０２の後、第２搬送装置２３が、超臨界乾燥装置５２から基板Ｗを取り出し、第１ロードロック装置５３に搬送する。
【0039】
次に、第１ロードロック装置５３が、基板Ｗの周辺雰囲気を常圧雰囲気から減圧雰囲気に切り替える（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３の後、第３搬送装置３３が、第１ロードロック装置５３から基板Ｗを取り出し、ドライ洗浄装置５４に搬送する。次に、ドライ洗浄装置５４が、図３（Ｃ）に示すように減圧下で基板Ｗの表面Ｗａをドライ洗浄する（ステップＳ１０４）。
【0040】
ステップＳ１０４の後、第３搬送装置３３が、ドライ洗浄装置５４から基板Ｗを取り出し、第２ロードロック装置５６に搬送する。次に、第２ロードロック装置５６が、基板Ｗの周辺雰囲気を減圧雰囲気から常圧雰囲気に切り替える。その後、第１搬送装置１３が、第２ロードロック装置５６から基板Ｗを取り出し、第２カセットＣ２に収納する。これにより、一連の処理が終了する。
【0041】
本変形例によれば、上記実施形態に比べて、第１ブロック１０と第３ブロック３０の距離が近い。それゆえ、ドライ洗浄後にドライ洗浄装置５４から第２カセットＣ２まで短時間で基板Ｗを搬送できる。よって、ドライ洗浄後に、基板Ｗの搬送中に基板Ｗにパーティクルが付着するのを抑制できる。
【0042】
次に、図５を参照して、第２変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、上記第１変形例との相違点について主に説明する。本変形例の第３ブロック３０は、ドライ洗浄装置５４と第３搬送室３２と第３搬送装置３３に加えて、エッチング装置５７を有する。エッチング装置５７は、減圧下で基板表面Ｗａをエッチングする。
【0043】
本変形例の基板処理装置１の動作は、下記の通りである。先ず、第１搬送装置１３が第１カセットＣ１から基板Ｗを取り出し、第２ロードロック装置５６に搬送する。次に、第２ロードロック装置５６が基板Ｗの周辺雰囲気を大気雰囲気から減圧雰囲気に切り替える。その後、第３搬送装置３３が、第２ロードロック装置５６から基板Ｗを取り出し、エッチング装置５７に搬送する。
【0044】
次に、エッチング装置５７が減圧下で基板表面Ｗａをエッチングする。基板表面Ｗａをエッチングする目的は、特に限定されないが、例えば不要な膜の除去、凹凸パターンの付与または表面改質である。エッチング装置５７は、例えばプラズマエッチング装置である。その後、第３搬送装置３３がエッチング装置５７から基板Ｗを取り出し、第１ロードロック装置５３に搬送する。その後の処理は、上記第１変形例と同様であるので、説明を省略する。
【0045】
なお、エッチング装置５７は、上記実施形態または下記変形例でも使用可能である。
【0046】
次に、図６を参照して、第３変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、上記実施形態および上記変形例との相違点について主に説明する。図６に示すように、第１ブロック１０とトランジション装置５５と第２ブロック２０と第１ロードロック装置５３と第３ブロック３０と第２ロードロック装置５６と第４ブロック４０とがこの順番で水平方向に一列に並んで設けられる。
【0047】
第１ブロック１０は、第１載置台１１と、第１搬送室１２と、第１搬送装置１３と、を有する。第１載置台１１は、第１カセットＣ１を支持するが、上記実施形態および上記変形例とは異なり第２カセットＣ２を支持しない。第１カセットＣ１は、処理前の基板Ｗを複数枚収容する。一方、第２カセットＣ２は、処理後の基板Ｗを複数枚収容する。
【0048】
第４ブロック４０は、第２載置台４１と、第４搬送室４２と、第４搬送装置４３と、を有する。第２載置台４１は、第２カセットＣ２を支持する。第４搬送室４２は、第２載置台４１と第２ロードロック装置５６の間に設けられる。第４搬送室４２は、常圧雰囲気である。第４搬送装置４３は、第１搬送装置１３と同様に構成され、第４搬送室４２において基板Ｗを搬送する。
【0049】
本変形例の基板処理装置１の動作は、下記の通りである。なお、ステップＳ１０１～ステップＳ１０４までの動作は、上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。ステップＳ１０４の後、第３搬送装置３３が、ドライ洗浄装置５４から基板Ｗを取り出し、第２ロードロック装置５６に搬送する。次に、第２ロードロック装置５６が、基板Ｗの周辺雰囲気を減圧雰囲気から常圧雰囲気に切り替える。その後、第４搬送装置４３が、第２ロードロック装置５６から基板Ｗを取り出し、第２カセットＣ２に収納する。これにより、一連の処理が終了する。
【0050】
本変形例によれば、上記実施形態および上記変形例に比べて、第１カセットＣ１から第２カセットＣ２に至るまでの基板Ｗの搬送経路が短い。それゆえ、基板処理装置１のスループットを向上できる。また、本変形例によれば、上記第１変形例および上記第２変形例と同様に、上記実施形態に比べて、第２カセットＣ２と第３ブロック３０の距離が近い。それゆえ、ドライ洗浄後にドライ洗浄装置５４から第２カセットＣ２まで短時間で基板Ｗを搬送できる。よって、ドライ洗浄後に、基板Ｗの搬送中に基板Ｗにパーティクルが付着するのを抑制できる。
【0051】
次に、図７～図９を参照して、第４変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、上記実施形態および上記変形例との相違点について主に説明する。図８に示すように、第２ブロック２０と第３ブロック３０は鉛直方向に積層して設けられる。第２ブロック２０と第３ブロック３０の配置は逆でもよく、どちらが上でどちらが下でもよい。また、トランジション装置５５と第１ロードロック装置５３は鉛直方向に積層して設けられる。トランジション装置５５と第１ロードロック装置５３の配置は逆でもよく、どちらが上でどちらが下でもよい。トランジション装置５５は、第１ブロック１０と第２ブロック２０の間に設けられる。また、第１ロードロック装置５３は、第１ブロック１０と第３ブロック３０の間に設けられる。
【0052】
本変形例の基板処理装置１の動作は、下記の通りである。なお、ステップＳ１０１～ステップＳ１０２までの動作は、上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。ステップＳ１０２の後、第２搬送装置２３が、超臨界乾燥装置５２から基板Ｗを取り出し、トランジション装置５５に搬送する。その後、第１搬送装置１３が、トランジション装置５５から基板Ｗを取り出し、第１ロードロック装置５３に搬送する。
【0053】
次に、第１ロードロック装置５３が、基板Ｗの周辺雰囲気を常圧雰囲気から減圧雰囲気に切り替える（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３の後、第３搬送装置３３が、第１ロードロック装置５３から基板Ｗを取り出し、ドライ洗浄装置５４に搬送する。次に、ドライ洗浄装置５４が、図３（Ｃ）に示すように減圧下で基板Ｗの表面Ｗａをドライ洗浄する（ステップＳ１０４）。
【0054】
ステップＳ１０４の後、第３搬送装置３３が、ドライ洗浄装置５４から基板Ｗを取り出し、第１ロードロック装置５３に搬送する。次に、第１ロードロック装置５３が、基板Ｗの周辺雰囲気を減圧雰囲気から常圧雰囲気に切り替える。その後、第１搬送装置１３が、第１ロードロック装置５３から基板Ｗを取り出し、第２カセットＣ２に収納する。これにより、一連の処理が終了する。
【0055】
本変形例によれば、第２ブロック２０と第３ブロック３０が鉛直方向に積層されると共に、トランジション装置５５と第１ロードロック装置５３が鉛直方向に積層される。それゆえ、基板処理装置１のフットプリント（設置面積）を低減できる。また、本変形例によれば、第２ブロック２０と第３ブロック３０のいずれか一方のみを用いて基板Ｗを処理する場合に、他方に基板Ｗを搬送することなく第２カセットＣ２に収納することが可能である。第２ブロック２０のみを用いて基板Ｗを処理する場合と、第３ブロック３０のみを用いて基板Ｗを処理する場合のどちらの場合であっても、基板Ｗの搬送経路を短縮でき、基板処理装置１のスループットを向上できる。
【0056】
次に、図１０を参照して、第５変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、上記実施形態および上記変形例との相違点について主に説明する。図１０に示すように、第３ブロック３０は、第３ロードロック装置５８を有してもよい。第３ロードロック装置５８は、第１ロードロック装置５３と同様に構成される。
【0057】
第３ロードロック装置５８は、第３搬送室３２とドライ洗浄装置５４の間で基板Ｗの周辺雰囲気の減圧度を切り替える。減圧度は、常圧に対する差圧で表される。差圧の大きさが大きいほど、減圧度が大きい。第３搬送室３２の圧力は、常圧よりも低く、且つドライ洗浄装置５４の洗浄室５４ａ（図３（Ｃ）参照）の圧力よりも高い。
【0058】
本変形例の基板処理装置１の動作は、下記の通りである。なお、ステップＳ１０１～ステップＳ１０３までの動作は、上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。ステップＳ１０３の後、第３搬送装置３３が、第１ロードロック装置５３から基板Ｗを取り出し、第３ロードロック装置５８に搬送する。
【0059】
次に、第３ロードロック装置５８が、基板Ｗの周辺雰囲気の圧力を、第１圧力Ｐ１から第２圧力Ｐ２に小さくする（Ｐ２＜Ｐ１）。第１圧力Ｐ１は、第３搬送室３２の圧力と同等である。第２圧力Ｐ２は、洗浄室５４ａの圧力と同等である。
【0060】
次に、図示しない内部搬送アームが、第３ロードロック装置５８のロードロック室から基板Ｗを取り出し、ドライ洗浄装置５４に搬送する。内部搬送アームは、例えば第３ロードロック装置５８の一部であって、ロードロック室の内部に待機しており、ロードロック室から基板Ｗを搬出したり、ロードロック室に基板Ｗを搬入したりする。
【0061】
次に、ドライ洗浄装置５４が、図３（Ｃ）に示すように減圧下で基板Ｗの表面Ｗａをドライ洗浄する（ステップＳ１０４）。ステップＳ１０４の後、図示しない内部搬送アームが、ドライ洗浄装置５４から基板Ｗを取り出し、第３ロードロック装置５８のロードロック室に搬送する。
【0062】
次に、第３ロードロック装置５８が、基板Ｗの周辺雰囲気の圧力を、第２圧力Ｐ２から第１圧力Ｐ１に大きくする（Ｐ２＜Ｐ１）。その後、第３搬送装置３３が、第３ロードロック装置５８から基板Ｗを取り出し、第１ロードロック装置５３に搬送する。その後の処理は、上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【0063】
本変形例によれば、第３ロードロック装置５８が第３搬送室３２とドライ洗浄装置５４の間で基板Ｗの周辺雰囲気の減圧度を切り替える。よって、第３搬送室３２の圧力を常圧よりも低く且つドライ洗浄装置５４の洗浄室５４ａの圧力よりも高く維持できる。第３搬送室３２の体積は、洗浄室５４ａの体積よりも大きい。体積の大きい第３搬送室３２の圧力を比較的高く設定することで、真空ポンプの負荷を軽減できる。
【0064】
なお、第３ロードロック装置５８は、上記実施形態または上記変形例でも使用可能である。また、第３ロードロック装置５８は、図１０に示すようにドライ洗浄装置５４ごとに個別に設けられてもよいが、複数のドライ洗浄装置５４に隣接して設けられてもよい。後者の場合、第３ロードロック装置５８の数を低減できる。
【0065】
次に、図１１～図１２を参照して、第６変形例に係る基板処理装置１について説明する。以下、上記実施形態および上記変形例との相違点について主に説明する。図１１に示すように、第３ブロック３０が無くてもよく、第２ブロック２０が液処理装置５１と超臨界乾燥装置５２（図１２参照）と第１ロードロック装置５３とドライ洗浄装置５４と第２搬送室２２と第２搬送装置２３を有してもよい。
【0066】
液処理装置５１と超臨界乾燥装置５２と第１ロードロック装置５３は、第２搬送室２２に隣接して設けられる。第２搬送室２２は、常圧雰囲気である。そこで、ドライ洗浄装置５４は、第１ロードロック装置５３に隣接して設けられる。第１ロードロック装置５３は、基板Ｗの搬送経路の途中で基板Ｗの周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気の一方から他方に切り替える。第１ロードロック装置５３は、図１１に示すようにドライ洗浄装置５４ごとに個別に設けられてもよいが、複数のドライ洗浄装置５４に隣接して設けられてもよい。後者の場合、第１ロードロック装置５３の数を低減できる。
【0067】
本変形例の基板処理装置１の動作は、下記の通りである。なお、ステップＳ１０１～ステップＳ１０３までの動作は、上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。ステップＳ１０３の後、図示しない内部搬送アームが、第１ロードロック装置５３のロードロック室から基板Ｗを取り出し、ドライ洗浄装置５４に搬送する。内部搬送アームは、例えば第１ロードロック装置５３の一部であって、ロードロック室の内部に待機しており、ロードロック室から基板Ｗを搬出したり、ロードロック室に基板Ｗを搬入したりする。
【0068】
次に、ドライ洗浄装置５４が、図３（Ｃ）に示すように減圧下で基板Ｗの表面Ｗａをドライ洗浄する（ステップＳ１０４）。ステップＳ１０４の後、図示しない内部搬送アームが、ドライ洗浄装置５４から基板Ｗを取り出し、第１ロードロック装置５３のロードロック室に搬送する。その後の処理は、上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【0069】
本変形例によれば、第２ブロック２０が液処理装置５１と超臨界乾燥装置５２と第１ロードロック装置５３とドライ洗浄装置５４と第２搬送室２２と第２搬送装置２３を有する。第３ブロック３０が無いので、基板処理装置１の構造を簡単化できる。
【0070】
以上、本開示に係る基板処理装置および基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
【符号の説明】
【0071】
１ 基板処理装置
５１ 液処理装置
５２ 超臨界乾燥装置
５３ 第１ロードロック装置
５４ ドライ洗浄装置
９０ 制御装置
５１ 液処理装置
５２ 超臨界乾燥装置
５３ 第１ロードロック装置
５４ ドライ洗浄装置
９０ 制御装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】