特開 2023-183049 発光装置の製造方法、及び発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023183049

(43)【公開日】2023-12-27

(54)【発明の名称】発光装置の製造方法、及び発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20231220BHJP

   H01L 33/50 20100101ALI20231220BHJP

   H01L 33/54 20100101ALI20231220BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

H01L33/50

H01L33/54

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022096430

(22)【出願日】2022-06-15

(71)【出願人】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(74)【代理人】

【識別番号】100168332

【弁理士】

【氏名又は名称】小崎 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100172188

【弁理士】

【氏名又は名称】内田 敬人

(72)【発明者】

【氏名】▲蔭▼山 弘明

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA86

5F142BA32

5F142CA11

5F142CB03

5F142CD02

5F142CD13

5F142CD15

5F142CD32

5F142CD44

5F142CG03

5F142CG04

5F142CG05

5F142CG24

5F142CG32

5F142CG43

5F142DA14

5F142DB24

5F142FA03

5F142FA14

5F142FA21

5F142FA24

5F142FA32

5F142FA42

5F142FA48

(57)【要約】

【課題】歩留まりを向上させることができる発光装置の製造方法、及び発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、半導体部が配置された基板を準備する工程と、第１面と、この第１面と反対側の第２面とを有し、前記第１面に溝部が形成された導電性の支持基板を準備する工程と、平面視において、半導体部が溝部を跨ぐように半導体部を第１面上に配置し、半導体部と、支持基板とを電気的に接続する工程と、半導体部から基板を除去する工程と、基板を除去した半導体部に波長変換部材を接合する工程と、溝部内と、支持基板と波長変換部材との間とに光反射性の樹脂部材を充填する工程と、第２面側から支持基板の一部を除去し、溝部内に充填された樹脂部材を支持基板から露出する工程と、を備える。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体部が配置された基板を準備する工程と、
第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有し、前記第１面に溝部が形成された導電性の支持基板を準備する工程と、
平面視において、前記半導体部が前記溝部を跨ぐように前記半導体部を前記第１面上に配置し、前記半導体部と、前記支持基板とを電気的に接続する工程と、
前記半導体部から前記基板を除去する工程と、
前記基板を除去した前記半導体部に波長変換部材を接合する工程と、
前記溝部内と、前記支持基板と前記波長変換部材との間とに光反射性の樹脂部材を充填する工程と、
前記第２面側から前記支持基板の一部を除去し、前記溝部内に充填された樹脂部材を前記支持基板から露出する工程と、
を備える発光装置の製造方法。

【請求項2】

前記基板上には、複数の前記半導体部が配置され、
前記支持基板から露出する工程の後、平面視において、前記半導体部間に位置する、前記波長変換部材、前記樹脂部材、および前記支持基板を除去し、複数の発光装置に分割する工程をさらに備える、請求項１に記載の発光装置の製造方法。

【請求項3】

前記基板上には、複数の前記半導体部が配置され、
前記複数の半導体部のそれぞれには、第１電極部、および前記第１電極部と離隔して配置される第２電極部が設けられ、
さらに前記第１電極部、および前記第２電極部のそれぞれに電気的に接続されるツェナーダイオードが前記半導体部毎に設けられ、
前記接続する工程において、前記ツェナーダイオードは、前記溝部内に配置される、請求項１に記載の発光装置の製造方法。

【請求項4】

支持基板を準備する工程において、第１方向に沿った複数の前記溝部が形成された前記支持基板を準備し、
前記接続する工程において、前記複数の半導体部それぞれに設けられた前記ツェナーダイオードが、１つの前記溝部内に配置されるように、前記複数の半導体部と、前記支持基板とが接続される、請求項３に記載の発光装置の製造方法。

【請求項5】

前記溝部と、前記支持基板と前記波長変換部材との間の空間は接続されており、
前記樹脂部材を充填する工程において、前記樹脂部材は、前記支持基板と、前記波長変換部材との間に加え、前記溝部を通過して充填される、請求項１に記載の発光装置の製造方法。

【請求項6】

前記分割する工程において、平面視における前記樹脂部材、および前記支持基板の外形の大きさは、前記波長変換部材の外形の大きさ以下となるように分割される、請求項２に記載の発光装置の製造方法。

【請求項7】

前記支持基板を準備する工程において、前記第１面および前記溝部の内面に第１導電部材が形成された前記支持基板を準備する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。

【請求項8】

前記露出する工程の後、前記一部が除去されて形成された前記支持基板の前記第１面の反対側の第３面に、前記第１導電部材と電気的に接続するように、第２導電部材を形成する工程を、さらに備える、請求項７に記載の発光装置の製造方法。

【請求項9】

前記樹脂部材を充填する工程において、前記支持基板と前記波長変換部材との間に、前記波長変換部材の厚さよりも薄い前記樹脂部材を形成する、請求項１～８のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

【請求項10】

第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有する半導体部と、
前記第１面上に配置される第１電極部と、
前記第１面上に前記第１電極部と離隔して配置される第２電極部と、
平面視において、前記第１電極部に一部が重なるように接続される導電性の第１支持基板と、
平面視において、前記第２電極部に一部が重なるように接続される導電性の第２支持基板と、
前記第２面上に配置される波長変換部材と、
前記波長変換部材と、前記第１支持基板との間、前記波長変換部材と前記第２支持基板との間、および前記第１支持基板と、前記第２支持基板との間に配置される光反射性の樹脂部材と、
を備える発光装置。

【請求項11】

前記波長変換部材の厚さは、前記波長変換部材と前記第１支持基板との間に配置される前記樹脂部材の厚さより厚い、請求項１０に記載の発光装置。

【請求項12】

前記第１支持基板、および前記第２支持基板の厚さは、前記波長変換部材と前記第１支持基板との間に配置される前記樹脂部材の厚さより厚い、請求項１０に記載の発光装置。

【請求項13】

前記第１電極部、および前記第２電極部の前記半導体部側と反対側に電気的に接続されるツェナーダイオードをさらに備え、
前記ツェナーダイオードは、前記第１支持基板と、前記第２支持基板との間の前記樹脂部材内に配置される、請求項１０に記載の発光装置。

【請求項14】

平面視において、前記樹脂部材、前記第１支持基板、および前記第２支持基板は、前記波長変換部材の外形よりも内側に配置される、請求項１０～１３のいずれか１つに記載の発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、発光装置の製造方法、及び発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、ＬＥＤ素子の側面と、底面のうちバンプ電極の配置されていない部分とを覆う封止部材の底面に、ＬＥＤ素子のバンプ電極に接続された電極を設けたＬＥＤ装置、および、その製造方法が開示されている。また、ＬＥＤ装置には、ＬＥＤ素子の上面と、封止部材の上面とを覆う蛍光体層が設けられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２－１２４４４３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施形態は、歩留まりを向上させることができる発光装置の製造方法、及び発光装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、半導体部が配置された基板を準備する工程と、第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有し、前記第１面に溝部が形成された導電性の支持基板を準備する工程と、平面視において、前記半導体部が前記溝部を跨ぐように前記半導体部を前記第１面上に配置し、前記半導体部と、前記支持基板とを電気的に接続する工程と、前記半導体部から前記基板を除去する工程と、前記基板を除去した前記半導体部に波長変換部材を接合する工程と、前記溝部内と、前記支持基板と前記波長変換部材との間とに光反射性の樹脂部材を充填する工程と、前記第２面側から前記支持基板の一部を除去し、前記溝部内に充填された樹脂部材を前記支持基板から露出する工程と、を備える。

【0006】

本発明の一実施形態に係る発光装置は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有する半導体部と、前記第１面上に配置される第１電極部と、前記第１面上に前記第１電極部と離隔して配置される第２電極部と、平面視において、前記第１電極部に一部が重なるように接続される導電性の第１支持基板と、平面視において、前記第２電極部に一部が重なるように接続される導電性の第２支持基板と、前記第２面上に配置される波長変換部材と、前記波長変換部材と、前記第１電極部との間、前記波長変換部材と前記第２電極部との間、および前記第１支持基板と、前記第２支持基板との間に配置される光反射性の樹脂部材と、を備える。

【発明の効果】

【0007】

本発明の一実施形態によれば、歩留まりを向上させることができる発光装置の製造方法、及び発光装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施形態に係る発光装置の一例を示す模式断面図である。

【図2】実施形態に係る発光装置の一例を示す模式上面図である。

【図3】実施形態に係る発光装置の一例を示す模式下面図である。

【図4】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図5】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。

【図6】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式平面図である。

【図7】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。

【図8】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式平面図である。

【図9】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。

【図10】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。

【図11】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式平面図である。

【図12】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。

【図13】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式平面図である。

【図14】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。

【図15】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。

【図16】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。

【図17】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。

【図18】実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための模式平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0010】

図１は、発光装置１００の一例を示す模式断面図であり、図２は、発光装置１００の一例を示す模式上面図であり、図３は、発光装置１００の一例を示す模式下面図である。以下では、図１における発光装置１００の左右方向をＸ軸方向、上下方向をＺ軸方向、Ｘ軸方向、及びＺ軸方向に直交する方向をＹ軸方向として方向を説明する場合がある。

【0011】

図１に示すように、半導体部１０は、第１面１０Ｆａと、この第１面１０Ｆａと反対側の第２面１０Ｆｂを有する。本実施形態では、第１面１０Ｆａは、下面であり、第２面１０Ｆｂは、上面である。第１面１０Ｆａ、第２面１０Ｆｂは、それぞれ、Ｘ－Ｙ平面とほぼ平行である。

【0012】

半導体部１０の第１面１０Ｆａ上には、第１電極部１１ａと、第２電極部１１ｂと、が配置される。第１電極部１１ａと、第２電極部１１ｂと、は、Ｘ軸方向において、離隔して配置される。第１電極部１１ａ、第２電極部１１ｂは、導電性の材料で形成される。例えば、導電性の材料は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等である。

【0013】

半導体部１０の第２面１０Ｆｂ上には、波長変換部材１２が配置される。波長変換部材１２は、例えば、蛍光体を含む透光性の樹脂部材である。波長変換部材１２は、半導体部１０からの光の一部を吸収し、半導体部１０からの光のピーク波長とは異なるピーク波長を発光する。波長変換部材１２と、半導体部１０の第２面１０Ｆｂと、は、例えば、接合部材１３により、接合される。接合部材１３は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。波長変換部材１２の形状は、図２に示すように、平面視において、矩形状である。波長変換部材１２を矩形状とする場合、一辺の長さを、例えば、５０μｍ以上１５００μｍ以下とすることできる。波長変換部材１２の下側に配置される発光装置１００の各要素の外形の大きさは、平面視において、波長変換部材１２の外形の大きさ以下である。例えば、発光装置１００の要素である樹脂部材１６、第１支持基板２０ａ、および第２支持基板２０ｂは、平面視において、波長変換部材１２の外形よりも内側に配置される。断面視において、波長変換部材１２の側面、樹脂部材１６の側面、および第１支持基板２０ａの側面は略同一平面上に位置している。同様に、断面視において、波長変換部材１２の側面、樹脂部材１６の側面、および第２支持基板２０ｂの側面は略同一平面上に位置している。

【0014】

第１電極部１１ａの下面には導電部１４ａが配置される。第２電極部１１ｂの下面には導電部１４ｂが配置される。導電部１４ａ，１４ｂは、後述するツェナーダイオード１５と、第１電極部１１ａ及び第２電極部１１ｂと、を電気的に接続するための部材である。第１電極部１１ａ、第２電極部１１ｂ、導電部１４ａ，１４ｂの材料は、導電性の金属であればよい。導電性の材料は、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等である。

【0015】

平面視において、第１電極部１１ａと一部が重なるように第１支持基板２０ａが接続される。また、平面視において、第２電極部１１ｂと一部が重なるように第２支持基板２０ｂが接続される。第１支持基板２０ａ、及び第２支持基板２０ｂの材料は、導電性の材料を用いる。本実施形態では、例えば、シリコン（Ｓｉ）等を用いる。第１支持基板２０ａ、及び第２支持基板２０ｂの材料は、金属であってもよい。本実施形態において、第１支持基板２０ａの上面、下面、及び第２支持基板２０ｂに対向する側面は、それぞれ、導電性の材料で覆われている。第２支持基板２０ｂの上面、下面、及び第１支持基板２０ａに対向する側面は、それぞれ、導電性の材料で覆われている。

【0016】

第１支持基板２０ａには、第１導電部２１ａ、及び第２導電部２２ａが配置される。第１導電部２１ａは、第１支持基板２０ａの上面と、第２支持基板２０ｂ側の側面とに配置される。第２導電部２２ａは、第１支持基板２０ａの下面に配置される。第２支持基板２０ｂには、第１導電部２１ｂ、及び第２導電部２２ｂが配置される。第１導電部２１ｂは、第２支持基板２０ｂの上面と、第１支持基板２０ａ側の側面とに配置される。第２導電性部材２２ｂは、第２支持基板２０ｂの下面に配置される。第２導電部材２２a，２２ｂの端部は、それぞれ、第１導電部２１ａ，２１ｂの端部と電気的に接続する。図３に示すように、第２導電部材２２a，２２ｂ間に後述する樹脂部材１６が配置される。

【0017】

第１導電部２１ａの一部は、平面視において、第１電極部１１ａと重なって配置される。第１導電部２１ａの一部は、Ｘ軸方向において、後述するツェナーダイオード１５と第１支持基板２０ａとの間に配置される。第１電部材２１ｂの一部は、平面視において、第２電極部１１ｂと重なって配置される。第１導電部２１ｂの一部は、Ｘ軸方向において、後述するツェナーダイオード１５と第２支持基板２０ｂとの間に配置される。Ｘ軸方向において、第１導電部２１ａと、第１導電部２１ｂと、の間の幅Ｗ１は、例えば、１００μｍ以上６００μｍ以下である。

【0018】

発光装置１００は、第１電極部１１ａ、および第２電極部１１ｂの半導体部１０側と反対側に電気的に接続されるツェナーダイオード１５をさらに備える。ツェナーダイオード１５を配置することにより、発光装置１００は、安定した電圧を半導体部１０に供給することが可能になる。ツェナーダイオード１５は、Ｘ軸方向において、第１支持基板２０ａと、第２支持基板２０ｂと、の間の樹脂部材１６内に配置される。第１電極部１１ａと、ツェナーダイオード１５と、は、例えば、導電部１４ａにより電気的に接続される。第２電極部１１ｂと、ツェナーダイオード１５と、は、導電部１４ｂにより電気的に接続される。

【0019】

Ｘ軸方向におけるツェナーダイオード１５の幅Ｗ２は、第１導電部２１ａと、第１導電部２１ｂと、間の幅Ｗ１よりも小さい。幅Ｗ２は、例えば、５０μｍ以上５５０μｍ以下である。Ｚ軸方向において、ツェナーダイオード１５の下面の位置は、第１支持基板２０ａ、第２支持基板２０ｂの下面の位置よりも半導体部１０側に位置する。

【0020】

樹脂部材１６は、波長変換部材１２と、第１支持基板２０ａと、の間、波長変換部材１２と、第２支持基板２０ｂと、の間、および第１支持基板２０ａと、第２支持基板２０ｂと、の間に配置される。樹脂部材１６は、さらに、ツェナーダイオード１５の周囲と、半導体部１０と、ツェナーダイオード１５と、の間とに配置される。樹脂部材１６は、例えば、光反射性の樹脂である。樹脂には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。樹脂部材１６には、光散乱材として、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム等を含有させてよい。半導体部１０からの樹脂部材１６に向かう光、及び波長変換部材１２からの樹脂部材１６に向かう光は、樹脂部材１６により波長変換部材１２の上面側に反射される。

【0021】

Ｚ軸方向における波長変換部材１２の厚さｄ１は、波長変換部材１２と、第１支持基板２０ａと、の間に、配置される樹脂部材１６のＺ軸方向における厚さｄ２より厚い。すなわち、厚さｄ１＞厚さｄ２である。なお、波長変換部材１２と、第２支持基板２０ｂと、の間に、配置される樹脂部材１６のＺ軸方向における厚さも同様に、厚さｄ２である。厚さｄ１は、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下である。厚さｄ２は、例えば、５μｍ以上１５μｍ以下である。また、Ｚ軸方向における第１導電部２１ａ，２１ｂの厚さｄ３は、厚さｄ２よりも薄い。Ｚ軸方向における第２導電部２２ａ，２２ｂの厚さｄ４は、厚さｄ２より薄い。すなわち、厚さｄ３、ｄ４＜厚さｄ２である。第１導電部２１ａ，２１ｂの厚さｄ３と、第２導電部２２ａ，２２ｂの厚さｄ４は、ほぼ同じでもよい。厚さｄ３は、例えば、０．５μｍ以上５μｍ以下である。厚さｄ４は、例えば、０．５μｍ以上５μｍ以下である。Ｚ軸方向における第１支持基板２０ａ、及び第２支持基板２０ｂの厚さｄ５は、厚さｄ３及び厚さｄ４よりも厚い。すなわち、厚さｄ５＞厚さｄ３、厚さｄ４である。Ｚ軸方向における第１支持基板２０ａ、及び第２支持基板２０ｂの厚さｄ５は、波長変換部材１２と、第１支持基板２０ａと、の間に配置される樹脂部材１６の厚さｄ２より厚い。厚さｄ５は、例えば、２００μｍ以上４００μｍ以下である。Ｚ軸方向において、第１導電部２１ａ、第１支持基板２０ａ、及び第２導電部２２ａを加えた厚さｄ６は、例えば、２００μｍ以上４００μｍ以下である。なお、Ｚ軸方向において、第２導電部２１ｂ、第２支持基板２０ｂ、及び第２導電部２２ｂを加えた厚さも同様に、厚さｄ６である。

【0022】

図４は、発光装置１００の製造方法の一例を示すフローチャートである。図５，図７，図９，図１０，図１２，図１４，図１５，図１６，図１７は、発光装置１００の製造方法の一例を示す模式断面図である。図６，図８，図１１，図１３，図１８は、それぞれ、図５，図７，図１０，図１２，図１７に対応する発光装置の製造方法の一例を示す模式平面図である。図５～図１８のＸＹＺ軸の軸方向は、発光装置１００のＸＹＺ軸の軸方向とそれぞれ対応する方向を示す。

【0023】

図４、図５、及び図６に示すように、基板３０を準備する（ＳＴ２１０）。基板３０は、Ｚ軸方向で下面になる第１面３０Ｆａと、上面になる第２面３０Ｆｂと、を有する。基板３０の第１面３０Ｆａには、複数の半導体部１０が配置されている。基板３０の第１面３０Ｆａにおいて、複数の半導体部１０は分離して配置されている。基板３０は、例えば、半導体部１０を成長させるために用いる成長基板である。基板３０は、例えば、サファイア基板である。基板３０は、平面視において、円形状である。基板３０の第１面３０Ｆａに、複数の半導体部１０を、例えば、図６に示すように、平面視において、行列状に配置する。各半導体部１０の基板３０側の面と反対側の面には、第１電極部１１ａと、第２電極部１１ｂと、が配置される。第１電極部１１ａと、第２電極部１１ｂと、はＸ軸方向に離隔して配置される。ツェナーダイオード１５は、半導体部１０毎に配置される。第１電極部１１ａが導電部１４ａを介して、また、第２電極部１１ｂが導電部１４ｂを介してツェナーダイオード１５と電気的に接続している。ツェナーダイオード１５は、例えば、フリップチップ実装により半導体部１０に配置される。

【0024】

図４、図７、及び図８に示すように、支持基板２０を準備する（ＳＴ２２０）。支持基板２０は、第１面２０Ｆｂと、第１面２０Ｆｂと反対側の第２面２０Ｆａとを有し、第１面２０Ｆｂに複数の溝部Ｍが形成された導電性の基板である。支持基板２０は、平面視において、円形状である。支持基板２０は、例えば、シリコンを材料とする。支持基板２０は、例えば、複数の溝部Ｍが形成される。溝部Ｍは、例えば、ブレード、エッチング等により形成することができる。複数の溝部Ｍは、それぞれ一定の間隔をあけて第１方向、本実施形態では、Ｙ軸方向に沿って形成される。溝部Ｍと、支持基板２０と波長変換部材１２との間の空間は接続されている。図８において、溝部Ｍは支持基板２０の外縁に達していないが、溝部Ｍは支持基板２０の外縁に達するように形成してもよい。溝部ＭのＺ軸方向における深さｄ７は、例えば、支持基板２０のＺ軸方向における厚さｄ５の半分程度である。深さｄ７は、例えば、２００μｍ以上５００μｍ以下である。Ｘ軸方向において、溝部Ｍの幅Ｗ１は、ツェナーダイオード１５の幅Ｗ２よりも大きい。基板３０と、支持基板２０と、を接合する場合に、複数の溝部Ｍは、各溝部Ｍに各半導体部１０に設けられたツェナーダイオード１５が収容可能となる間隔で配置される。支持基板２０の第１面２０Ｆｂ、及び溝部Ｍの内面には、第１導電部材２１が形成される。第１導電部材２１は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等で形成することできる。第１導電部材２１の材料は、例えば、金である。第１導電部材２１を形成する前に、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）等により、第１面２０Ｆｂに形成された酸化膜を除去してもよい。

【0025】

図４、及び図９に示すように、複数の半導体部１０と、支持基板２０と、を電気的に接続する（ＳＴ２３０）。具体的には、平面視において、半導体部１０が溝部Ｍを跨ぐように、半導体部１０を支持基板２０の第１面２０Ｆｂ上に配置し、基板３０に配置される複数の半導体部１０と、支持基板２０と、を電気的に接続する。より詳細には、支持基板２０の第１面２０Ｆｂに形成された第１導電部材２１と、各半導体部１０の第１電極部１１ａ、第２電極部１１ｂと、がそれぞれ接合されることにより、複数の半導体部１０と、支持基板２０と、が電気的に接続される。Ｙ軸方向に並ぶ複数の半導体部１０それぞれに配置されたツェナーダイオード１５が、１つの溝部Ｍ内に配置されるように、複数の半導体部１０と、支持基板２０とが接続される。

【0026】

図４、図１０及び図１１に示すように、基板３０を除去する（ＳＴ２４０）。基板３０が複数の半導体部１０から除去され、複数の半導体部１０の上面が露出した状態になる。

【0027】

図４、図１２及び図１３に示すように、波長変換部材１２を接合する（ＳＴ２５０）。基板３０を除去した複数の半導体部１０上に波長変換部材１２を接合する。波長変換部材１２は、平面視において、円形状である。波長変換部材１２の外形は、支持基板２０の外形よりも小さいが、少なくとも複数の半導体部１０の上面の全てを覆う外形である。波長変換部材１２は、例えば、接合部材１３により複数の半導体部１０の上面に接合される。

【0028】

図４、及び図１４に示すように、樹脂部材１６を充填する（ＳＴ２６０）。溝部Ｍ内と、支持基板２０と、波長変換部材１２と、の間とに、樹脂部材１６を充填する。樹脂部材１６は、平面視において、例えば、支持基板２０と、波長変換部材１２と、の間、及び溝部Ｍから充填される。これにより、複数の溝部Ｍに樹脂部材１６が充填されると共に、複数の溝部Ｍを通過して、支持基板２０と、波長変換部材１２と、の間にも樹脂部材１６が充填される。支持基板２０と、波長変換部材１２と、の間に、波長変換部材１２の厚さｄ１より薄い厚さｄ２の樹脂部材１６が形成される。

【0029】

図４、及び図１５に示すように、樹脂部材１６を支持基板２０から露出する（ＳＴ２７０）。より詳細には、第２面２０Ｆａ側から支持基板２０の一部を除去し、溝部Ｍ内に充填された樹脂部材１６を支持基板２０から露出する。例えば、支持基板２０の第２面２０Ｆａ側から支持基板２０を溝部Ｍに充填された樹脂部材１６が露出するまで研削する。このように支持基板２０の一部が除去されて形成された支持基板２０の第１面２０Ｆｂの反対側面を第３面２０Ｆｃとする。

【0030】

図４、及び図１６に示すように、第２導電部材２２を形成する（ＳＴ２８０）。支持基板２０の第３面２０Ｆｃに、少なくとも第１導電部材２１の端部と電気的に接続するように、第２導電部材２２を形成する。例えば、第２導電部材２２は、支持基板２０の第３面２０Ｆｃに形成され、樹脂部材１６には形成されないようにする。なお、第２導電部材２２を形成する前に、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）等により、第３面２０Ｆｃに形成された酸化膜を除去してもよい。

【0031】

図４、図１７及び図１８に示すように、複数の発光装置１００に分割する（ＳＴ２９０）。より詳細には、平面視において、半導体部１０間に位置する、波長変換部材１２、樹脂部材１６、支持基板２０、第１導電部材２１、および第２導電部材２２を除去し、複数の発光装置１００に分割する。例えば、半導体部１０間の幅Ｗ３を、図１８の実線に示すように、Ｘ軸方向、及びＹ軸方向にダイシングすることにより、幅Ｗ３に相当する波長変換部材１２、樹脂部材１６、支持基板２０、第１導電部材２１、および第２導電部材２２を除去して、複数の発光装置１００に分割する。これにより、支持基板２０から第１支持基板２０ａ、第２支持基板２０ｂが形成され、第１導電部材２１から第１導電部２１ａ，２１ｂが形成され、第２導電部材２２から第２導電部２２ａ，２２ｂが形成される。また、平面視における樹脂部材１６、および支持基板２０等の各要素の外形の大きさは、波長変換部材１２の外形の大きさ以下となるように分割される。このように、図１に示す発光装置１００が製造される。

【0032】

以上のように、発光装置１００の製造方法によると、波長変換部材１２を複数の半導体部１０上に接合した状態で、樹脂部材１６の充填を行い、支持基板２０と波長変換部材１２との間に樹脂部材１６を配置することができる。このため、複数の半導体部１０をダイシングにより分割して樹脂部材１６を形成した後、波長変換部材１２をそれぞれ半導体部１０に接合する場合と比較して、製造工程を少なくできる。したがって、製造工程が増えることによる歩留まりの悪化を低減し、発光装置１００の歩留まりを向上させることができる。

【0033】

また、図１６に示すように、波長変換部材１２、樹脂部材１６、第１導電部材２１、支持基板２０、及び第２導電部材２２がＺ軸方向に積層された状態で、幅Ｗ３の部分をダイシングにより除去する。この場合、波長変換部材１２の厚さは、厚さｄ１であり、第１導電部２１ａ、支持基板２０、及び第２導電部材２２の厚さは、厚さｄ６である。一方、樹脂部材１６の厚さは、厚さｄ２である。厚さｄ２は、厚さｄ１、厚さｄ６よりも薄い。厚さｄ２は、例えば、厚さｄ１または厚さｄ６の５％以上１０％以下の厚さである。このため、樹脂部材１６が弾性を有していても、ダイシングの際に弾性による影響を低減することができ、幅Ｗ３の部分を効率良く除去することが可能になる。したがって、発光装置１００の歩留まりを向上させることができる。

【0034】

さらに、本実施形態では、複数の半導体部１０から基板３０を除去した後、複数の半導体部１０の上面に接合部材１３により波長変換部材１２を接合しており、支持基板２０と、波長変換部材１２と、の間の厚さが厚さｄ２になっている。厚さｄ２は、溝部Ｍの深さｄ７によりも狭い。したがって、例えば、支持基板２０と、波長変換部材１２と、の間、及び複数の溝部Ｍの両端部から樹脂部材１６を充填する場合、いわゆる毛細管現象により、溝部Ｍから支持基板２０と、波長変換部材１２と、の間の空間に樹脂部材１６が充填される。このように、複数の半導体部１０をダイシングにより分割して樹脂部材を形成した後、支持基板２０と、波長変換部材１２と、の間に樹脂部材１６を形成する場合と比較して、樹脂部材１６を支持基板２０と、波長変換部材１２との間に樹脂部材１６が配置された発光装置１００を効率良く製造することができる。

【0035】

また、発光装置１００によると、波長変換部材１２の下側に配置される発光装置１００の各要素の外形の大きさは、平面視において、波長変換部材１２の外形の大きさ以下である。このため、複数の発光装置１００を並べて配置する場合に、隣り合う発光装置１００の波長変換部材１２間の距離を短くすることができる。

【0036】

さらに、発光装置１００は、第１支持基板２０ａが第１導電部２１ａ及び第２導電部２２ａで覆われ、第２支持基板２０ｂが第１導電部２１ｂ及び第２導電部２２ｂで覆われている。このため、半導体部１０は、これらの導電部２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂを通じて、それぞれＺ軸方向の通電が可能になっている。このため、第１支持基板２０ａ，第２支持基板２０ｂのみでＺ軸方向の通電を行う発光装置と比較して、発光装置１００は、Ｚ軸方向における導電性を向上させることができる。

【0037】

なお、上記実施形態では、第１導電部２１ａ、第２導電部２１ｂ、及び第１導電部２１ｂ、第２導電部２２ｂにより、Ｚ軸方向の導電性を向上させる構成を説明しているが、これに限るものではない。例えば、第１支持基板２０ａ，第２支持基板２０ｂは、導電性の材料で構成されているため、第１導電部２１ａ、第２導電部２２ａ、及び第１導電部２１ｂ、第２導電部２２ｂを有していない発光装置においても、Ｚ軸方向の導電性を確保することが可能である。また、上記実施形態では、基板３０上に複数の半導体部１０が配置されている構成を説明したが、基板３０上に１つの半導体部１０が配置されている構成としてもよい。

【0038】

実施形態は、以下の態様を含む。

【0039】

（付記１）
半導体部が配置された基板を準備する工程と、
第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有し、前記第１面に溝部が形成された導電性の支持基板を準備する工程と、
平面視において、前記半導体部が前記溝部を跨ぐように前記半導体部を前記第１面上に配置し、前記半導体部と、前記支持基板とを電気的に接続する工程と、
前記半導体部から前記基板を除去する工程と、
前記基板を除去した前記半導体部に波長変換部材を接合する工程と、
前記溝部内と、前記支持基板と前記波長変換部材との間とに光反射性の樹脂部材を充填する工程と、
前記第２面側から前記支持基板の一部を除去し、前記溝部内に充填された樹脂部材を前記支持基板から露出する工程と、
を備える発光装置の製造方法。

【0040】

（付記２）
前記基板上には、複数の前記半導体部が配置され、
前記支持基板から露出する工程の後、平面視において、前記複数の半導体部間に位置する、前記波長変換部材、前記樹脂部材、および前記支持基板を除去し、複数の発光装置に分割する工程をさらに備える、付記１に記載の発光装置の製造方法。

【0041】

（付記３）
前記基板上には、複数の前記半導体部が配置され、
前記複数の半導体部のそれぞれには、第１電極部、および前記第１電極部と離隔して配置される第２電極部が設けられ、
さらに前記第１電極部、および前記第２電極部のそれぞれに電気的に接続されるツェナーダイオードが前記半導体部毎に設けられ、
前記接続する工程において、前記ツェナーダイオードは、前記溝部内に配置される、付記１又は２に記載の発光装置の製造方法。

【0042】

（付記４）
支持基板を準備する工程において、第１方向に沿った複数の前記溝部が形成された前記支持基板を準備し、
前記接続する工程において、前記複数の半導体部それぞれに設けられた前記ツェナーダイオードが、１つの前記溝部内に配置されるように、前記複数の半導体部と、前記支持基板とが接続される、付記３に記載の発光装置の製造方法。

【0043】

（付記５）
前記溝部と、前記支持基板と前記波長変換部材との間の空間は接続されており、
前記樹脂部材を充填する工程において、前記樹脂部材は、前記支持基板と、前記波長変換部材との間に加え、前記溝部を通過して充填される、付記１～４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

【0044】

（付記６）
前記分割する工程において、平面視における前記樹脂部材、および前記支持基板の外形の大きさは、前記波長変換部材の外形の大きさ以下となるように分割される、付記１～５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

【0045】

（付記７）
前記支持基板を準備する工程において、前記第１面および前記溝部の内面に第１導電部材が形成された前記支持基板を準備する、付記１～６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

【0046】

（付記８）
前記露出する工程の後、前記一部が除去されて形成された前記支持基板の前記第１面の反対側の第３面に、前記第１導電部材と電気的に接続するように、第２導電部材を形成する工程を、さらに備える、付記７に記載の発光装置の製造方法。

【0047】

（付記９）
前記樹脂部材を充填する工程において、前記支持基板と前記波長変換部材との間に、前記波長変換部材の厚さよりも薄い前記樹脂部材を形成する、付記１～８のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

【0048】

（付記１０）
第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有する半導体部と、
前記第１面上に配置される第１電極部と、
前記第１面上に前記第１電極部と離隔して配置される第２電極部と、
平面視において、前記第１電極部に一部が重なるように接続される導電性の第１支持基板と、
平面視において、前記第２電極部に一部が重なるように接続される導電性の第２支持基板と、
前記第２面上に配置される波長変換部材と、
前記波長変換部材と、前記第１支持基板との間、前記波長変換部材と前記第２支持基板との間、および前記第１支持基板と、前記第２支持基板との間に配置される光反射性の樹脂部材と、
を備える発光装置。

【0049】

（付記１１）
前記波長変換部材の厚さは、前記波長変換部材と前記第１支持基板との間に配置される前記樹脂部材の厚さより厚い、付記１０に記載の発光装置。

【0050】

（付記１２）
前記第１支持基板、および前記第２支持基板の厚さは、前記波長変換部材と前記第１支持基板との間に配置される前記樹脂部材の厚さより厚い、付記１０または１１に記載の発光装置。

【0051】

（付記１３）
前記第１電極部、および前記第２電極部の前記半導体部側と反対側に電気的に接続されるツェナーダイオードをさらに備え、
前記ツェナーダイオードは、前記第１支持基板と、前記第２支持基板との間の前記樹脂部材内に配置される、付記１０～１２のいずれか１つに記載の発光装置。

【0052】

（付記１４）
平面視において、前記樹脂部材、前記第１支持基板、および前記第２支持基板は、前記波長変換部材の外形よりも内側に配置される、付記１０～１３のいずれか１つに記載の発光装置。

【符号の説明】

【0053】

１０…半導体部、１１ａ…第１電極部、１２ａ…第２電極部、１２…波長変換部材、１３…接合部材、１４ａ，１４ｂ…導電部、１５…ツェナーダイオード、１６…樹脂部材、２０…支持基板、２０ａ…第１支持基板、２０ｂ…第２支持基板、２１…第１導電部材、２１ａ，２１ｂ…第１導電部、２２…第２導電部材、２２ａ，２２ｂ…第２導電部、３０…基板、１００…発光装置、ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５…厚さ、Ｍ…溝部、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３…幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】