特開2023-184253シリコン単結晶の製造方法

発明の名称　シリコン単結晶の製造方法

出願人　信越半導体株式会社　（識別番号 190149）

　　　　特許公開件数ランキング 539 位（47件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 397 位（61件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2023-184253

公報発行日　2023年12月28

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-184253

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