特開2023-184710IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

ＩＩＩ族窒化物積層体

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】炭化シリコン基板上にＩＩＩ族窒化物層を成長させたエピタキシャル基板を用いたＨＥＭＴにおいて、リーク電流と電流コラプスとをともに抑制するための技術を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物積層体は、ポリタイプ４Ｈまたはポリタイプ６Ｈの半絶縁性の炭化シリコンで構成された基板と、窒化アルミニウムで構成され、基板上に形成された第１層と、窒化ガリウムで構成され、第１層の直上に形成された第２層と、第２層を構成する窒化ガリウムよりも電子親和力の小さいＩＩＩ族窒化物で構成され、第２層の直上に形成された第３層と、を有し、第２層は、厚さ方向について炭素の濃度で区分されない１層の窒化ガリウム層で構成され、第２層の厚さが、５００ｎｍ未満であり、第２層に含まれる鉄の濃度が、１×１０１７／ｃｍ３未満であり、第２層に含まれる炭素の濃度が、１×１０１７／ｃｍ３未満である。
【選択図】図１

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一目的は、炭化シリコン基板上にＩＩＩ族窒化物層を成長させたエピタキシャル基板を用いたＨＥＭＴにおいて、リーク電流と電流コラプスとをともに抑制するための技術を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば 炭化シリコンで構成された基板と、 窒化アルミニウムで構成され、前記基板上に形成された第１層と、 窒化ガリウムで構成され、前記第１層上に形成された第２層と、 前記第２層を構成する窒化ガリウムよりも電子親和力の小さいＩＩＩ族窒化物で構成され、前記第２層上に形成された第３層と、 を有し、 前記第２層の厚さが、５００ｎｍ未満であり、 前記第２層に含まれ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

炭化シリコン基板上にＩＩＩ族窒化物層を成長させたエピタキシャル基板を用いたＨＥＭＴにおいて、リーク電流と電流コラプスとをともに抑制するための技術が提供される。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本発明の一実施形態によるＩＩＩ族窒化物積層体を示す概略断面図である。
【図2】 図２（ａ）および図２（ｂ）は、ＩＩＩ族窒化物積層体におけるエピ層のバンド構造と、２ＤＥＧの深さ方向分布と、を示すグラフ（シミュレーションによる結果）であり、図２（ａ）は、一実施形態の場合を例示し、図２（ｂ）は、比較形態の場合を例示する。
【図3】 図３（ａ）は、一実施形態によるＩＩＩ族窒化物積層体が有するエピ基板の製造に用いられるＭＯＶＰＥ装置を概念的に示す概略図であり、図３（ｂ）は、一実施形態によるＩＩＩ族窒化物積層体が有するエピ層の成長工程を例示する概略的なタイミングチャートである。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

１００…ＩＩＩ族窒化物積層体、１１０…基板、１２０…核生成層、１３０…バッファ／チャネル層、１４０…バリア層、１５０…キャップ層、１６０…ＩＩＩ族窒化物層、１７０…エピタキシャル基板、２００…ＨＥＭＴ、２１０…電極、２１１…ソース電極、２１２…ゲート電極、２１３…ドレイン電極、３００…ＭＯＶＰＥ装置、３１０…反応炉、３２０…サセプタ、３３０…ヒータ、３４１～３４４…ガス管

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