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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023025578
(43)【公開日】2023-02-22
(54)【発明の名称】成膜装置
(51)【国際特許分類】
C23C 16/44 20060101AFI20230215BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20230215BHJP
【ＦＩ】
C23C16/44 J
H01L21/31 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021130911
(22)【出願日】2021-08-10
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】山口 達也
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030AA13
4K030AA14
4K030AA18
4K030EA12
4K030FA01
4K030JA09
4K030JA10
4K030KA22
4K030KA30
4K030KA45
4K030KA46
5F045AA06
5F045AB39
5F045AC00
5F045AC11
5F045AC14
5F045AC15
5F045AD04
5F045AE21
5F045BB08
5F045BB15
5F045DP03
5F045DQ10
5F045EB03
5F045EB06
5F045EB09
5F045EC09
5F045EE02
5F045EE04
5F045EE12
5F045EE20
5F045EF05
5F045EG02
5F045EG08
5F045EH05
5F045EH14
5F045EJ03
5F045EK07
5F045EM09
5F045EM10
5F045EN04
(57)【要約】
【課題】排気経路に付着するデポを抑制する。
【解決手段】成膜装置は、ステージと、第１の容器と、ガス供給部と、多孔質部材と、ヒータとを備える。ステージには、基板が載せられる。第１の容器は、ステージを収容する。ガス供給部は、第１の容器内に２種類のモノマーのガスを供給することにより、ステージ上に載せられた基板上に重合体の膜を形成する。多孔質部材は、基板の上方の空間である処理空間の外側に配置され、第１の容器内から排気される２種類のモノマーのガスによって形成される重合体を取り込む。ヒータは、基板上に重合体の膜が形成される際に、多孔質部材を第１の温度に加熱する。
【選択図】図１
【解決手段】成膜装置は、ステージと、第１の容器と、ガス供給部と、多孔質部材と、ヒータとを備える。ステージには、基板が載せられる。第１の容器は、ステージを収容する。ガス供給部は、第１の容器内に２種類のモノマーのガスを供給することにより、ステージ上に載せられた基板上に重合体の膜を形成する。多孔質部材は、基板の上方の空間である処理空間の外側に配置され、第１の容器内から排気される２種類のモノマーのガスによって形成される重合体を取り込む。ヒータは、基板上に重合体の膜が形成される際に、多孔質部材を第１の温度に加熱する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板が載せられるステージと、
前記ステージを収容する第１の容器と、
前記第１の容器内に２種類のモノマーのガスを供給することにより、前記ステージ上に載せられた前記基板上に重合体の膜を形成するガス供給部と、
前記基板の上方の空間である処理空間の外側に配置され、前記第１の容器内から排気される２種類のモノマーのガスによって形成される重合体を取り込む多孔質部材と、
前記基板上に重合体の膜が形成される際に、前記多孔質部材を第１の温度に加熱するヒータと
を備える成膜装置。
前記ステージを収容する第１の容器と、
前記第１の容器内に２種類のモノマーのガスを供給することにより、前記ステージ上に載せられた前記基板上に重合体の膜を形成するガス供給部と、
前記基板の上方の空間である処理空間の外側に配置され、前記第１の容器内から排気される２種類のモノマーのガスによって形成される重合体を取り込む多孔質部材と、
前記基板上に重合体の膜が形成される際に、前記多孔質部材を第１の温度に加熱するヒータと
を備える成膜装置。
【請求項2】
前記多孔質部材は、前記第１の容器内のステージと、前記第１の容器に形成された排気口との間に設けられている請求項１に記載の成膜装置。
【請求項3】
前記ガス供給部は、前記ステージ上に前記基板が載せられていないときに前記第１の容器内にクリーニングガスを供給し、
前記成膜装置は、前記ステージ上に前記基板が載せられていないときに前記第１の容器内にＲＦ（Radio Frequency）電力を供給することにより前記クリーニングガスをプラズマ化し、プラズマに含まれる活性種により前記多孔質部材に取り込まれた重合体の膜を除去するＲＦ電源をさらに備える請求項２に記載の成膜装置。
前記成膜装置は、前記ステージ上に前記基板が載せられていないときに前記第１の容器内にＲＦ（Radio Frequency）電力を供給することにより前記クリーニングガスをプラズマ化し、プラズマに含まれる活性種により前記多孔質部材に取り込まれた重合体の膜を除去するＲＦ電源をさらに備える請求項２に記載の成膜装置。
【請求項4】
前記多孔質部材は、前記第１の容器内のガスを排気する排気管内に設けられている請求項１に記載の成膜装置。
【請求項5】
前記ガス供給部は、前記多孔質部材が設けられた前記排気管内に活性種を供給するためのプラズマを生成する第２の容器内にクリーニングガスを供給し、
前記成膜装置は、前記第２の容器内にＲＦ電力を供給することにより前記クリーニングガスをプラズマ化し、プラズマに含まれる活性種を前記多孔質部材が設けられた前記排気管内に供給することで、前記活性種により前記多孔質部材に取り込まれた重合体の膜を除去するＲＦ電源をさらに備える請求項４に記載の成膜装置。
前記成膜装置は、前記第２の容器内にＲＦ電力を供給することにより前記クリーニングガスをプラズマ化し、プラズマに含まれる活性種を前記多孔質部材が設けられた前記排気管内に供給することで、前記活性種により前記多孔質部材に取り込まれた重合体の膜を除去するＲＦ電源をさらに備える請求項４に記載の成膜装置。
【請求項6】
前記クリーニングガスは、酸素原子またはフッ素原子を含む分子を有するガスである請求項３または５に記載の成膜装置。
【請求項7】
前記ヒータは、前記クリーニングガスが供給されている間、前記多孔質部材を前記第１の温度よりも高い第２の温度に加熱する請求項３、５または６に記載の成膜装置。
【請求項8】
前記第１の温度は、前記モノマーの吸着時間が０．００００１ミリ秒以上かつ０．０１ミリ秒以下の範囲内の時間となる温度である請求項１から７のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項9】
前記第１の温度は、１３０℃～１７０℃の範囲内の温度である請求項１から７のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項10】
前記多孔質部材の表面積は、５０，０００，０００ｃｍ2以上である請求項１から９のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項11】
前記ガス供給部は、
前記第１の容器内に２種類のモノマーのガスとして、アミンのガスおよびイソシアネートのガスを供給することにより、前記ステージ上に載せられた前記基板上に尿素結合を有する重合体の膜を形成する請求項１から１０のいずれか一項に記載の成膜装置。
前記第１の容器内に２種類のモノマーのガスとして、アミンのガスおよびイソシアネートのガスを供給することにより、前記ステージ上に載せられた前記基板上に尿素結合を有する重合体の膜を形成する請求項１から１０のいずれか一項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の種々の側面および実施形態は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば下記特許文献１には、尿素結合を有する重合体を、基板に形成された空隙内に埋め込み、基板上に酸化膜を形成した後に、重合体を解重合させる技術が開示されている。解重合した重合体は、酸化膜を介して脱離することにより、酸化膜の下層に空隙が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－２０７９０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、排気経路に付着するデポを抑制することができる成膜装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一側面は、成膜装置であって、ステージと、第１の容器と、ガス供給部と、多孔質部材と、ヒータとを備える。ステージには、基板が載せられる。第１の容器は、ステージを収容する。ガス供給部は、第１の容器内に２種類のモノマーのガスを供給することにより、ステージ上に載せられた基板上に重合体の膜を形成する。多孔質部材は、基板の上方の空間である処理空間の外側に配置され、第１の容器内から排気される２種類のモノマーのガスによって形成される重合体を取り込む。ヒータは、基板上に重合体の膜が形成される際に、多孔質部材を第１の温度に加熱する。
【発明の効果】
【0006】
本開示の種々の側面および実施形態によれば、排気経路に付着するデポを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、開示される成膜装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される成膜装置が限定されるものではない。
【0009】
ところで、処理容器内に供給されたガスに含まれるモノマーは、全てが反応に寄与するわけではないため、反応に寄与しなかったモノマーは、処理容器内から排気される。しかし、排気される過程でモノマー同士の重合反応が起こり、排気経路に有機膜（以下、デポと記載する）が形成される場合がある。排気経路内に設けられている圧力調整バルブや排気ポンプ等にデポが形成されると、処理容器内を所定の圧力に維持することが困難になる。
【0010】
そのため、排気経路において重合反応が起こらないようにするために、排気経路全体を加熱することが考えられる。しかし、排気経路全体を加熱することは、加熱部材の配置による装置の大型化や、消費電力の増大を招く。また、排気経路に配置されたトラップを用いて排気ガスに含まれる未反応のモノマーを重合体の形で取り込む場合、トラップ内に生成された重合体を定期的に除去する必要がある。そのため、排気機構を定期的に停止させることになり、成膜装置のダウンタイムが長くなる。
【0011】
そこで、本開示は、排気経路に付着するデポを抑制することができる技術を提供する。
【0012】
（第１の実施形態）
［成膜装置１０の構成］
図１は、第１の実施形態における成膜装置１０の一例を示す概略断面図である。成膜装置１０は、装置本体２００と、装置本体２００を制御する制御装置１００とを備える。装置本体２００は、処理容器２０９を有する。処理容器２０９は、下部容器２０１、排気ダクト２０２、支持構造体２１０、およびシャワーヘッド２３０を有する。処理容器２０９は、第１の容器の一例である。
［成膜装置１０の構成］
図１は、第１の実施形態における成膜装置１０の一例を示す概略断面図である。成膜装置１０は、装置本体２００と、装置本体２００を制御する制御装置１００とを備える。装置本体２００は、処理容器２０９を有する。処理容器２０９は、下部容器２０１、排気ダクト２０２、支持構造体２１０、およびシャワーヘッド２３０を有する。処理容器２０９は、第１の容器の一例である。
【0013】
下部容器２０１は、例えばアルミニウム等の金属により形成されている。排気ダクト２０２は、下部容器２０１の上部の周縁に設けられている。また、排気ダクト２０２の上には、環状の絶縁部材２０４が配置されている。シャワーヘッド２３０は、下部容器２０１の上方に設けられており、絶縁部材２０４に支持されている。下部容器２０１の略中央には、基板Ｗを載置する支持構造体２１０が設けられている。以下では、下部容器２０１、排気ダクト２０２、支持構造体２１０、およびシャワーヘッド２３０で囲まれた処理容器２０９内の空間を処理空間ＳPと定義する。
【0014】
下部容器２０１の側壁には、基板Ｗの搬入および搬出を行うための開口部２０５が形成されている。開口部２０５は、ゲートバルブＧによって開閉される。排気ダクト２０２は、縦断面が中空の角型形状であり、下部容器２０１の上部の周縁に沿って環状に延在している。排気ダクト２０２には、排気ダクト２０２の延在方向に沿ってスリット状の排気口２０３が形成されている。排気口２０３は、支持構造体２１０に載せられた基板Ｗの周縁に沿って、基板Ｗの領域の外側に配置され、処理空間ＳP内のガスを排気する。
【0015】
排気ダクト２０２には、排気管２０６の一端が接続されている。排気管２０６の他端は、ＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ等の圧力調整バルブ２０７を介して真空ポンプ等を有する排気装置２０８に接続されている。圧力調整バルブ２０７は、制御装置１００によって制御され、処理空間ＳP内の圧力を予め設定された圧力に制御する。
【0016】
処理空間ＳP内には、多孔質部材２５０が設けられている。本実施形態において多孔質部材２５０は、鉛直方向において基板Ｗが配置される支持構造体２１０の領域の外側であって、下部容器２０１と排気ダクト２０２との間の支持構造体２１０上に配置されている。即ち、多孔質部材２５０は、ステージ２１１に載せられた基板Ｗの上方の空間である処理空間ＳPの外側に配置されている。多孔質部材２５０は、処理容器２０９内から排気される２種類のモノマーのガスによって形成される重合体を取り込む。なお、多孔質部材２５０は、下部容器２０１に載せられた基板Ｗの上方の処理空間ＳPの外側に配置されていれば、絶縁部材２０４の下面、または、排気ダクト２０２の処理空間ＳP側の側壁に配置されてもよい。
【0017】
多孔質部材２５０の下方の下部容器２０１内には、ヒータ２５１が埋め込まれている。ヒータ２５１は、制御装置１００によって制御され、多孔質部材２５０を予め定められた温度に加熱する。予め定められた温度は、第１の温度の一例である。本実施形態において、予め定められた温度は、モノマーの吸着時間が例えば０．００００１ミリ秒以上かつ０．０１ミリ秒以下の範囲内の時間となる温度である。本実施形態において、予め定められた温度は、例えば１３０℃～１７０℃の範囲内の温度である。本実施形態において、モノマーは、例えばイソシアネートおよびアミンである。
【0018】
また、排気ダクト２０２の側壁およびシャワーヘッド２３０の上面にも図示しないヒータが設けられており、排気ダクト２０２およびシャワーヘッド２３０は、例えば２００℃以上の温度となるように加熱される。これにより、排気ダクト２０２およびシャワーヘッド２３０への反応副生成物（いわゆるデポ）の付着を抑制することができる。なお、排気管２０６、圧力調整バルブ２０７、および排気装置２０８においても、ヒータが設けられ、デポが付着しにくい温度に加熱されてもよい。
【0019】
支持構造体２１０は、ステージ２１１および支持部２１２を有する。ステージ２１１は、例えばアルミニウム等の金属により構成され、上面に基板Ｗが載せられる。支持部２１２は、例えばアルミニウム等の金属により筒状に構成され、ステージ２１１を下方から支持する。
【0020】
ステージ２１１には、ヒータ２１４が埋め込まれている。ヒータ２１４は、供給された電力に応じてステージ２１１上に載せられた基板Ｗを加熱する。ヒータ２１４に供給される電力は、制御装置１００によって制御される。
【0021】
また、ステージ２１１内には、冷媒が流通する流路２１５が形成されている。流路２１５には、配管２１６ａおよび配管２１６ｂを介して、図示しないチラーユニットが接続されている。チラーユニットによって予め定められた温度に調整された冷媒が配管２１６ａを介して流路２１５に供給され、流路２１５内を循環した冷媒が、配管２１６ｂを介してチラーユニットに戻される。流路２１５内を循環する冷媒によりステージ２１１が冷却される。チラーユニットは、制御装置１００によって制御される。
【0022】
支持部２１２は、下部容器２０１の底部に形成された開口部を貫通するように下部容器２０１内に配置されている。支持部２１２は、昇降機構２４０の駆動により上下に昇降する。基板Ｗが搬入される際には、昇降機構２４０の駆動により支持構造体２１０が下降し、ゲートバルブＧが開けられる。そして、開口部２０５を介して基板Ｗが下部容器２０１内に搬入され、ステージ２１１上に載せられる。そして、ゲートバルブＧが閉じられ、昇降機構２４０の駆動により支持構造体２１０が上昇し、基板Ｗへの成膜処理が実行される。また、基板Ｗが搬出される際には、昇降機構２４０の駆動により支持構造体２１０が下降し、ゲートバルブＧが開けられる。そして、開口部２０５を介してステージ２１１上から基板Ｗが搬出される。
【0023】
シャワーヘッド２３０は、拡散室２３１ａおよび拡散室２３１ｂを有する。拡散室２３１ａおよび拡散室２３１ｂは互いに連通していない。拡散室２３１ａおよび拡散室２３１ｂには、ガス供給部２２０が接続されている。具体的には、拡散室２３１ａには、配管２２５ａを介して、バルブ２２４ａ、ＭＦＣ（Mass Flow Controller）２２３ａ、気化器２２２ａ、および原料供給源２２１ａが接続されている。原料供給源２２１ａは、モノマーの一例であるイソシアネートの供給源である。気化器２２２ａは、原料供給源２２１ａから供給されたイソシアネートの液体を気化させる。ＭＦＣ２２３ａは、気化器２２２ａによって気化されたイソシアネートの蒸気の流量を制御する。バルブ２２４ａは、イソシアネートの蒸気の配管２２５ａへの供給および供給停止を制御する。
【0024】
拡散室２３１ｂには、配管２２５ｂを介して、バルブ２２４ｂ、ＭＦＣ２２３ｂ、気化器２２２ｂ、および原料供給源２２１ｂが接続されている。原料供給源２２１ｂは、モノマーの一例であるアミンの供給源である。気化器２２２ｂは、原料供給源２２１ｂから供給されたアミンの液体を気化させる。ＭＦＣ２２３ｂは、気化器２２２ｂによって気化されたアミンの蒸気の流量を制御する。バルブ２２４ｂは、アミンの蒸気の配管２２５ｂへの供給および供給停止を制御する。
【0025】
また、シャワーヘッド２３０には、配管２２５ａおよび配管２２５ｂを介して、バルブ２２４ｃ、ＭＦＣ２２３ｃ、および不活性ガス供給源２２１ｃが接続されている。不活性ガス供給源２２１ｃは、希ガスまたは窒素ガス等の不活性ガスの供給源である。ＭＦＣ２２３ｃは、不活性ガス供給源２２１ｃから供給された不活性ガスの流量を制御する。バルブ２２４ｃは、不活性ガスの配管２２５ａおよび配管２２５ｂへの供給および供給停止を制御する。
【0026】
また、シャワーヘッド２３０には、配管２２５ａおよび配管２２５ｂを介して、バルブ２２４ｄ、ＭＦＣ２２３ｄ、およびクリーニングガス供給源２２１ｄが接続されている。クリーニングガス供給源２２１ｄは、例えば酸素原子またはフッ素原子を含む分子を含有するクリーニングガスの供給源である。ＭＦＣ２２３ｄは、クリーニングガス供給源２２１ｄから供給されたクリーニングガスの流量を制御する。バルブ２２４ｄは、クリーニングガスの配管２２５ａおよび配管２２５ｂへの供給および供給停止を制御する。
【0027】
拡散室２３１ａは、複数の吐出口２３２ａを介して処理空間ＳPと連通しており、拡散室２３１ｂは、複数の吐出口２３２ｂを介して処理空間ＳPと連通している。配管２２５ａを介して拡散室２３１ａ内に供給されたイソシアネートの蒸気は、拡散室２３１ａ内を拡散し、吐出口２３２ａを介して処理空間ＳP内にシャワー状に吐出される。また、配管２２５ｂを介して拡散室２３１ｂ内に供給されたアミンの蒸気、不活性ガス、およびクリーニングガスは、拡散室２３１ｂ内を拡散し、吐出口２３２ｂを介して処理空間ＳP内にシャワー状に吐出される。イソシアネートおよびアミンの蒸気は、吐出口２３２ａおよび吐出口２３２ｂを介して処理空間ＳP内に吐出された後、処理空間ＳP内において混合され、ステージ２１１に載せられた基板Ｗの表面に尿素結合を有する重合体の膜を形成する。
【0028】
シャワーヘッド２３０には、整合器２６１を介して、プラズマ発生用のＲＦ（Radio Frequency）電力を供給するＲＦ電源２６０が接続されている。シャワーヘッド２３０は、ステージ２１１に対してカソード電極として機能する。処理空間ＳP内のクリーニングにおいて、シャワーヘッド２３０を介してガス供給部２２０から処理空間ＳP内にクリーニングガスが供給され、整合器２６１を介してＲＦ電源２６０から処理空間ＳP内にＲＦ電力が供給される。これにより、処理空間ＳP内においてクリーニングガスがプラズマ化され、プラズマに含まれる活性種により、処理空間ＳP内のクリーニングが行われる。
【0029】
制御装置１００は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを備える。メモリには、制御プログラムおよび処理レシピ等が格納される。プロセッサは、制御プログラムをメモリから読み出して実行し、メモリに格納されたレシピ等に基づいて、入出力インターフェイスを介して装置本体２００の各部を制御する。
【0030】
［多孔質部材２５０の構造］
本実施形態における多孔質部材２５０は、約５００ｃｍ3の体積を有し、開口の直径が約１μｍの細孔が複数形成されている。多孔質部材２５０は、５０，０００，０００ｃｍ2以上の表面積を有する。本実施形態において、多孔質部材２５０の表面積は、約６０，０００，０００ｃｍ2である。
本実施形態における多孔質部材２５０は、約５００ｃｍ3の体積を有し、開口の直径が約１μｍの細孔が複数形成されている。多孔質部材２５０は、５０，０００，０００ｃｍ2以上の表面積を有する。本実施形態において、多孔質部材２５０の表面積は、約６０，０００，０００ｃｍ2である。
【0031】
図２および図３は、異なる表面積の多孔質部材２５０による重合体の吸収量の一例を示す図である。図２および図３の例では、平坦な表面を有する構造物の表面積を基準として、４倍の表面積を有する多孔質部材による重合体の吸収量と、２０倍の表面積を有する多孔質部材による重合体の吸収量とが示されている。４倍の表面積を有する多孔質部材の表面には、開口部の直径および深さが４０ｎｍ～１５０ｎｍの凹部が多数形成されている。また、２０倍の表面積を有する多孔質部材の表面には、開口部の直径および深さが８０ｎｍ～２０００ｎｍの凹部が多数形成されている。図２および図３の例では、実験の対象となる多孔質部材がステージ２１１上に載せられ、ヒータ２１４によって温度調整が行われた。
【0032】
例えば図２および図３に示されるように、どの温度帯および圧力帯においても、２０倍の表面積を有する多孔質部材による重合体の吸収量は、４倍の表面積を有する多孔質部材による重合体の吸収量の約５倍となっている。そのため、多孔質部材の表面積を増やすことにより、重合体の吸収量を増やすことが可能となる。
【0033】
［重合体のデポジションレート］
図４は、部材の温度とその部材に積層される重合体のデポジションレート（Ｄ／Ｒ）との関係の一例を示す図である。例えば図４に示されるように、部材の温度が低くなるに従い、原料分子の表面吸着時間が長くなり、分子同士の衝突確率が上がりＤ／Ｒが増加するようになる。一方、部材の温度が高くなるに従い、表面吸着時間が短くなり、部材表面での分子衝突確率によってＤ／Ｒが支配されるようになる。つまり、部材の温度が１３０℃以上の範囲では、分子の吸着時間が０．０１ミリ秒以下となり、Ｄ／Ｒは部材の温度に依存せず、ガス濃度に依存するようになる。また、部材の温度が１３０℃以上の範囲では、分子の表面吸着時間が十分に短いため、多孔質部材の内部までガスが拡散し、ガスによって多孔質部材内に膜が均等に形成されることが想定できる。
図４は、部材の温度とその部材に積層される重合体のデポジションレート（Ｄ／Ｒ）との関係の一例を示す図である。例えば図４に示されるように、部材の温度が低くなるに従い、原料分子の表面吸着時間が長くなり、分子同士の衝突確率が上がりＤ／Ｒが増加するようになる。一方、部材の温度が高くなるに従い、表面吸着時間が短くなり、部材表面での分子衝突確率によってＤ／Ｒが支配されるようになる。つまり、部材の温度が１３０℃以上の範囲では、分子の吸着時間が０．０１ミリ秒以下となり、Ｄ／Ｒは部材の温度に依存せず、ガス濃度に依存するようになる。また、部材の温度が１３０℃以上の範囲では、分子の表面吸着時間が十分に短いため、多孔質部材の内部までガスが拡散し、ガスによって多孔質部材内に膜が均等に形成されることが想定できる。
【0034】
ここで、多孔質部材２５０の温度が低い場合、多孔質部材２５０に形成される重合体のＤ／Ｒが高いため、多孔質部材２５０の表面の細孔が重合体で早期に閉塞する。これにより、重合体が多孔質部材２５０の内部の細孔まで届かなくなり、結果的に、多孔質部材２５０に多くの重合体を取り込ませることが困難となる。そこで、本実施形態では、多孔質部材２５０をある程度の温度に加熱し、多孔質部材２５０に形成される重合体のＤ／Ｒを低下させる。これにより、多孔質部材２５０の表面の細孔が重合体によって閉塞することなく、重合体が多孔質部材２５０の内部の細孔まで届くようになり、重合体が多孔質部材２５０全体に取り込まれる。従って、多孔質部材２５０による重合体の吸収能力を向上させることができ、重合体を多孔質部材２５０に効率よく取り込ませることができる。
【0035】
ただし、多孔質部材２５０の温度が高すぎると、多孔質部材２５０の表面において重合反応が起こらなくなり、重合体が多孔質部材２５０に取り込まれなくなる。そのため、多孔質部材２５０の温度は、多孔質部材２５０の表面で重合反応が起こる温度の範囲において、解重合反応が過度に起こらない温度であることが好ましい。
【0036】
図４を参照すると、温度が高くなるに従って重合体のＤ／Ｒが低下し、約１３０℃付近でＤ／Ｒの低下が緩やかになっている。そして、１７０℃付近までＤ／Ｒがほとんど変化せず、２００℃付近でＤ／Ｒが再び低下している。そのため、本実施形態では、多孔質部材２５０の温度は、１３０℃～１７０℃であることが好ましい。これにより、重合体を多孔質部材２５０に効率よく取り込ませることができる。
【0037】
［多孔質部材２５０に取り込まれた重合体の除去］
図５は、部材の温度とその部材に積層された重合体のクリーニングレートとの関係の一例を示す図である。図５において、実験１では、酸素ガスを用いたプラズマを用いてクリーニングが行われ、実験２では、ＮＦ3ガスを用いたプラズマを用いてクリーニングが行われた。また、実験３では、重合体が積層された部材が酸素ガスに晒され、実験４では、重合体が積層された部材がフッ素ガスに晒され、実験５では、重合体が積層された部材がオゾンガスに晒された。実験３～５では、プラズマは用いられていない。
図５は、部材の温度とその部材に積層された重合体のクリーニングレートとの関係の一例を示す図である。図５において、実験１では、酸素ガスを用いたプラズマを用いてクリーニングが行われ、実験２では、ＮＦ3ガスを用いたプラズマを用いてクリーニングが行われた。また、実験３では、重合体が積層された部材が酸素ガスに晒され、実験４では、重合体が積層された部材がフッ素ガスに晒され、実験５では、重合体が積層された部材がオゾンガスに晒された。実験３～５では、プラズマは用いられていない。
【0038】
図５を参照すると、実験１および２では、重合体が積層された部材の温度が１００℃～２００℃の範囲において、１０～１０００ｎｍ／ｍｉｎのクリーニングレートが得られている。実験１および２を比較すると、酸素ガスを用いたプラズマの方が、ＮＦ3ガスを用いたプラズマよりもクリーニングレートが高かった。
【0039】
また、実験３では、重合体が積層された部材の温度を４００℃以上に加熱しないと、重合体のクリーニングレートが得られなかった。一方、実験４および５では、重合体が積層された部材の温度が１００℃～２００℃程度であっても、ある程度のクリーニングレートが得られた。従って、プラズマを用いない場合には、フッ素ガスやオゾンガスのように酸素ガスよりも反応性の高いガスを用いることが好ましい。なお、いずれの実験結果においても、重合体が積層された部材の温度を高くすることにより、クリーニングレートが向上する傾向が見られた。
【0040】
【0041】
まず、処理容器２０９内に基板が搬入される（Ｓ１０）。ステップＳ１０では、昇降機構２４０の駆動により支持構造体２１０が下降し、ゲートバルブＧが開けられる。そして、開口部２０５を介して基板Ｗが下部容器２０１内に搬入され、ステージ２１１上に載せられる。そして、ゲートバルブＧが閉じられ、昇降機構２４０の駆動により支持構造体２１０が上昇する。
【0042】
次に、基板Ｗに対して成膜処理が実施される（Ｓ１１）。ステップＳ１１では、ヒータ２１４によって、ステージ２１１上の基板Ｗが予め定められた温度に加熱される。また、ヒータ２５１によって、多孔質部材２５０が予め定められた温度に加熱される。そして、ガス供給部２２０からシャワーヘッド２３０を介して処理空間ＳP内に窒素ガス等の不活性ガスが供給される。そして、排気口２０３を介して排気装置２０８によって処理空間ＳP内のガスが排気される。そして、ガス供給部２２０からシャワーヘッド２３０を介して処理空間ＳP内にイソシアネートおよびアミンのガスがさらに供給され、圧力調整バルブ２０７によって処理空間ＳP内の圧力が予め定められた圧力に調整される。これにより、ステージ２１１上の基板Ｗの表面に、尿素結合を有する重合体の膜が形成される。
【0043】
この際、成膜に寄与しなかったイソシアネートおよびアミンのガスは、多孔質部材２５０に取り込まれ、多孔質部材２５０内に重合体を形成する。これにより、成膜に寄与しなかったイソシアネートおよびアミンのガスは、ほとんど排気管２０６へは流れず、圧力調整バルブ２０７や排気装置２０８に形成される重合体のデポが抑制される。
【0044】
ステップＳ１１における主な処理条件は、例えば以下の通りである。
基板Ｗの温度：８０［℃］
多孔質部材２５０の温度：１５０［℃］
処理容器２０９内の圧力：１［Ｔｏｒｒ］
イソシアネートのガス：１０［ｓｃｃｍ］
アミンのガス：１０［ｓｃｃｍ］
不活性ガス（Ｎ2ガス）：２００［ｓｃｃｍ］
成膜時間：１２０［秒］
基板Ｗの温度：８０［℃］
多孔質部材２５０の温度：１５０［℃］
処理容器２０９内の圧力：１［Ｔｏｒｒ］
イソシアネートのガス：１０［ｓｃｃｍ］
アミンのガス：１０［ｓｃｃｍ］
不活性ガス（Ｎ2ガス）：２００［ｓｃｃｍ］
成膜時間：１２０［秒］
【0045】
そして、基板Ｗ上に予め定められた厚さの重合体の膜が形成された場合、成膜処理が停止され、処理容器２０９内から基板が搬出される（Ｓ１２）。ステップＳ１０では、昇降機構２４０の駆動により支持構造体２１０が下降し、ゲートバルブＧが開けられる。そして、開口部２０５を介してステージ２１１上から基板Ｗが搬出される。
【0046】
次に、処理容器２０９内をクリーニングする第１のクリーニングが実行される（Ｓ１３）。ステップＳ１３では、シャワーヘッド２３０を介してガス供給部２２０から処理空間ＳP内にクリーニングガスが供給され、圧力調整バルブ２０７によって処理空間ＳP内の圧力が予め定められた圧力に調整される。そして、整合器２６１を介してＲＦ電源２６０から処理空間ＳP内にＲＦ電力が供給される。これにより、処理空間ＳP内においてクリーニングガスがプラズマ化され、プラズマに含まれる活性種により、シャワーヘッド２３０および絶縁部材２０４の下面、排気ダクト２０２の側壁、およびステージ２１１の上面等に付着した重合体がクリーニングされる。クリーニングでは、プラズマに含まれる活性種により、シャワーヘッド２３０の下面等に付着した重合体が分解され、デポ性のない物質となって排気ダクト２０２および排気管２０６を介して排気される。
【0047】
この際、プラズマに含まれる活性種により、多孔質部材２５０の表面や細孔内に形成された重合体も分解され、デポ性のない物質となって排気ダクト２０２および排気管２０６を介して排気される。クリーニングにより、多孔質部材２５０に取り込まれていた重合体が除去されると、多孔質部材２５０による重合体の取り込み能力が復活する。そのため、処理容器２０９を大気開放して多孔質部材２５０を処理容器２０９内から取り出し、多孔質部材２５０に付着している重合体を除去したり、重合体が付着していない多孔質部材２５０と交換する必要がない。これにより、成膜装置１０のダウンタイムを短くすることができ、成膜処理のスループットを向上させることができる。
【0048】
ステップＳ１３における主な処理条件は、例えば以下の通りである。
多孔質部材２５０の温度：１５０［℃］
処理容器２０９内の圧力：５［Ｔｏｒｒ］
クリーニングガス（Ｏ2ガス）：１０００［ｓｃｃｍ］
クリーニング時間：１０［秒］
多孔質部材２５０の温度：１５０［℃］
処理容器２０９内の圧力：５［Ｔｏｒｒ］
クリーニングガス（Ｏ2ガス）：１０００［ｓｃｃｍ］
クリーニング時間：１０［秒］
【0049】
次に、制御装置１００は、基板Ｗの処理を終了するか否かを判定する（Ｓ１４）。制御装置１００が基板の処理を終了しないと判定した場合（Ｓ１４：Ｎｏ）、再びステップＳ１０に示された処理が実行される。一方、制御装置１００が基板の処理を終了すると判定した場合（Ｓ１４：Ｙｅｓ）、本フローチャートに示された処理が終了する。
【0050】
以上、第１の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における成膜装置１０は、ステージ２１１と、処理容器２０９と、ガス供給部２２０と、多孔質部材２５０と、ヒータ２５１とを備える。ステージ２１１には、基板Ｗが載せられる。処理容器２０９は、ステージ２１１を収容する。ガス供給部２２０は、処理容器２０９内に２種類のモノマーのガスを供給することにより、ステージ２１１上に載せられた基板Ｗ上に重合体の膜を形成する。多孔質部材２５０は、基板Ｗの上方の空間である処理空間ＳPの外側に配置され、処理容器２０９内から排気される２種類のモノマーのガスによって形成される重合体を取り込む。ヒータ２５１は、基板Ｗ上に重合体の膜が形成される際に、多孔質部材２５０を第１の温度に加熱する。これにより、排気経路に付着するデポを抑制することができる。
【0051】
また、上記した実施形態において、多孔質部材２５０は、処理容器２０９内のステージ２１１と、処理容器２０９に形成された排気口２０３との間に設けられている。これにより、多孔質部材２５０は、処理容器２０９内から排気される２種類のモノマーのガスによって形成される重合体を効率よく取り込むことができる。
【0052】
また、上記した実施形態における成膜装置１０は、ＲＦ電源２６０をさらに備える。ガス供給部２２０は、ステージ２１１上に基板Ｗが載せられていないときに処理容器２０９内にクリーニングガスを供給する。ＲＦ電源２６０は、ステージ２１１上に基板Ｗが載せられていないときに処理容器２０９内にＲＦ電力を供給することによりクリーニングガスをプラズマ化し、プラズマに含まれる活性種により多孔質部材２５０に取り込まれた重合体の膜を除去する。これにより、多孔質部材２５０に取り込まれた重合体の膜を効率よく除去することができる。
【0053】
また、上記した実施形態において、クリーニングガスは、酸素原子またはフッ素原子を含む分子を有するガスである。これにより、多孔質部材２５０に取り込まれた重合体の膜を効率よく除去することができる。
【0054】
また、上記した実施形態において、成膜処理の間は、多孔質部材２５０は、モノマーの吸着時間が例えば０．００００１ミリ秒以上かつ０．０１ミリ秒以下の範囲内の時間となる温度に加熱される。例えば、成膜処理の間は、多孔質部材２５０の温度が１３０℃～１７０℃の範囲内の温度となるように多孔質部材２５０が加熱される。これにより、多孔質部材２５０の表面の細孔が重合体で閉塞することなく、重合体が多孔質部材２５０の内部の細孔まで届くようになり、重合体が多孔質部材２５０全体に取り込まれる。従って、多孔質部材２５０による重合体の吸収能力を向上させることができ、重合体を多孔質部材２５０に効率よく取り込ませることができる。
【0055】
また、上記した実施形態において、多孔質部材２５０の表面積は、５０，０００，０００ｃｍ2以上である。これにより、１つの基板Ｗに対して重合体の膜を形成する間、多孔質部材２５０による重合体の取り込み効果が飽和することなく、継続的に重合体を取り込むことができる。そのため、排気経路に付着するデポを抑制することができる。
【0056】
また、上記した実施形態において、ガス供給部２２０は、処理容器２０９内に２種類のモノマーのガスとして、アミンのガスおよびイソシアネートのガスを供給することにより、ステージ２１１上に載せられた基板Ｗ上に尿素結合を有する重合体の膜を形成する。成膜処理中において、排気ガスには、基板Ｗ上での重合体の膜の形成に寄与しなかった２種類のモノマーが含まれる。このモノマーが多孔質部材２５０に取り込まれることにより、排気経路に付着するデポを抑制することができる。
【0057】
なお、クリーニングにおいて多孔質部材２５０の細孔に取り込まれた重合体を十分に除去するためには、クリーニングを長時間実行する必要がある。しかし、１つの基板Ｗに対する成膜処理が終了する都度、長時間のクリーニングが実行されると、複数のＷに対する成膜処理全体のスループットの向上が困難となる。そのため、１つの基板Ｗに対する成膜処理が終了した場合、１つの基板Ｗに対する成膜処理の間、多孔質部材２５０による重合体の取り込み効果が飽和しない程度まで多孔質部材２５０の細孔に取り込まれた重合体を除去する短時間のクリーニングが行われてもよい。
【0058】
しかし、その場合、多孔質部材２５０の細孔内には、除去しきれなかった重合体が累積することになる。そこで、例えば図７に示されるように、複数の基板Ｗに対する成膜処理が終了する都度、多孔質部材２５０の細孔に取り込まれた重合体を十分に除去する長時間のクリーニングが実行されることが好ましい。図７は、成膜方法の他の例を示すフローチャートである。なお、以下に説明する点を除き、図７において、図６と同じ符号が付された処理は、図６において説明された処理と同様であるため、重複する説明を省略する。
【0059】
ステップＳ１２において基板Ｗが搬出された後、処理容器２０９内をクリーニングする第１のクリーニングが実行される（Ｓ２０）。ステップＳ２０におけるクリーニング時間は、１つの基板Ｗに対する成膜処理の間、多孔質部材２５０による重合体の取り込み効果が飽和しない程度まで多孔質部材２５０の細孔に取り込まれた重合体を除去するのに要する時間であり、例えば１０秒である。なお、ステップＳ２０におけるクリーニング時間以外の条件は、図６におけるステップＳ１３の条件と同様である。
【0060】
次に、制御装置１００は、予め定められた数の基板Ｗに対する成膜処理が終了したか否かを判定する（Ｓ２１）。制御装置１００が予め定められた数の基板Ｗに対する成膜処理が終了していないと判定した場合（Ｓ２１：Ｎｏ）、再びステップＳ１０に示された処理が実行される。
【0061】
一方、制御装置１００が予め定められた数の基板Ｗに対する成膜処理が終了したと判定した場合（Ｓ２１：Ｙｅｓ）、第２のクリーニングが実行される（Ｓ２２）。ステップＳ２２におけるクリーニング時間は、ステップＳ２０におけるクリーニング時間より長い。ステップＳ２２におけるクリーニング時間は、多孔質部材２５０の細孔に取り込まれた重合体を十分に除去するのに要する時間であり、例えば６００秒である。なお、ステップＳ２２におけるクリーニング時間以外の条件は、図６におけるステップＳ１３の条件と同様である。そして、ステップＳ１４に示された処理が実行される。これにより、複数のＷに対する成膜処理全体のスループットの向上が可能となる。
【0062】
（第２の実施形態）
上記した実施形態では、多孔質部材２５０が処理容器２０９内に設けられた。しかし、開示の技術はこれに限られず、多孔質部材２５０は、例えば図８に示されるように、排気管２０６内に設けられてもよい。図８は、第２の実施形態における成膜装置１０の一例を示す概略断面図である。なお、以下に説明する点を除き、図８において、図１と同じ符号を付した構成は、図１における構成と同一または同様の機能を有するため説明を省略する。
上記した実施形態では、多孔質部材２５０が処理容器２０９内に設けられた。しかし、開示の技術はこれに限られず、多孔質部材２５０は、例えば図８に示されるように、排気管２０６内に設けられてもよい。図８は、第２の実施形態における成膜装置１０の一例を示す概略断面図である。なお、以下に説明する点を除き、図８において、図１と同じ符号を付した構成は、図１における構成と同一または同様の機能を有するため説明を省略する。
【0063】
本実施形態において、排気管２０６の側壁には、多孔質部材２５０およびヒータ２５１が設けられている。ヒータ２５１は、基板Ｗに対する成膜処理が実行されている間、モノマーの吸着時間が例えば０．００００１ミリ秒以上かつ０．０１ミリ秒以下の範囲内の時間となる温度となるように多孔質部材２５０を加熱する。例えば、ヒータ２５１は、多孔質部材２５０を１３０℃～１７０℃の範囲内の温度に加熱する。
【0064】
処理容器２０９内から排気されたガスは、排気管２０６を流れ、多孔質部材２５０を通過する。その際、排気ガスに含まれるモノマーにより形成される重合体の膜が多孔質部材２５０の細孔に取り込まれる。これにより、多孔質部材２５０が配置された排気管２０６より下流に重合体の膜が形成されることが抑制される。
【0065】
多孔質部材２５０が設けられた排気管２０６の部分と圧力調整バルブ２０７との間の排気管２０６には、配管を介してプラズマ生成室２７２が接続されている。当該配管には、バルブ２７３が設けられている。プラズマ生成室２７２は、第２の容器の一例である。プラズマ生成室２７２には、整合器２７１を介してＲＦ電源２７０が電気的に接続されている。また、プラズマ生成室２７２には、配管を介してクリーニングガス供給源２２１ｄが接続されている。この配管には、ＭＦＣ２２３ｅおよびバルブ２２４ｅが設けられている。
【0066】
本実施形態では、処理容器２０９内のクリーニングと、排気管２０６内に設けられた多孔質部材２５０のクリーニングとは、互いに独立して実行される。排気管２０６内に設けられた多孔質部材２５０のクリーニングが実行される場合、バルブ２２４ｅおよびバルブ２７３が開けられ、ＭＦＣ２２３ｅの制御により、プラズマ生成室２７２内に予め定められた流量のクリーニングガスが供給される。そして、バルブ２７３の制御により、プラズマ生成室２７２内の圧力が調整される。そして、整合器２７１を介してＲＦ電源２７０からＲＦ電力がプラズマ生成室２７２内に供給される。これにより、プラズマ生成室２７２内のクリーニングガスがプラズマ化され、プラズマに含まれる活性種が、バルブ２７３を介して排気管２０６内の多孔質部材２５０に供給される。
【0067】
排気管２０６内の多孔質部材２５０のクリーニングにおける主な処理条件は、例えば以下の通りである。
多孔質部材２５０の温度：１５０［℃］
プラズマ生成室２７２内の圧力：５［Ｔｏｒｒ］
クリーニングガス（Ｏ2ガス）：１０００［ｓｃｃｍ］
クリーニング時間：１０［秒］
多孔質部材２５０の温度：１５０［℃］
プラズマ生成室２７２内の圧力：５［Ｔｏｒｒ］
クリーニングガス（Ｏ2ガス）：１０００［ｓｃｃｍ］
クリーニング時間：１０［秒］
【0068】
これにより、プラズマに含まれる活性種によって多孔質部材２５０の表面や細孔内に形成された重合体が分解され、デポ性のない物質となって多孔質部材２５０が配置された排気管２０６より下流に排出される。従って、本実施形態においても、排気経路に付着するデポを抑制することができる。
【0069】
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
【0070】
例えば、上記した各実施形態において、ヒータ２５１は、基板Ｗの成膜処理時および多孔質部材２５０のクリーニング時の両方において、多孔質部材２５０を同じ温度に加熱する。しかし、開示の技術はこれに限られない。例えば、ヒータ２５１は、基板Ｗの成膜処理時には、多孔質部材２５０を第１の温度に加熱し、多孔質部材２５０のクリーニング時には、多孔質部材２５０を第１の温度よりも高い第２の温度に加熱してもよい。第１の温度は、モノマーの吸着時間が例えば０．００００１ミリ秒以上かつ０．０１ミリ秒以下の範囲内の時間となる温度であり、例えば１３０℃～１７０℃の範囲内の温度である。また、第２の温度は、例えば３００℃以上の温度である。
【0071】
多孔質部材２５０のクリーニング時に、多孔質部材２５０を第１の温度よりも高い第２の温度に加熱することにより、多孔質部材２５０の細孔内に形成された重合体の解重合が促され、モノマーが多孔質部材２５０の外部に出やすくなる。これにより、プラズマに含まれる活性種とモノマーとがより効率よく反応することができ、多孔質部材２５０のクリーニングを効率よく行うことができる。
【0072】
また、上記した各実施形態では、プラズマを用いて多孔質部材２５０のクリーニングが行われるが、開示の技術はこれに限られない。例えば図５に例示されたフッ素ガスを用いた実験４、および、オゾンガスを用いた実験５においても、多孔質部材２５０のクリーニングが可能である。そのため、プラズマを用いない場合であっても、フッ素ガスやオゾンガスのように酸素ガスよりも反応性の高いガスを用いることにより、多孔質部材２５０のクリーニングが行われてもよい。
【0073】
また、上記した第１の実施形態では、多孔質部材２５０が処理容器２０９内に設けられ、上記した第２の実施形態では、多孔質部材２５０が排気管２０６内に設けられた。しかし、開示の技術はこれに限られず、多孔質部材２５０は、処理容器２０９内および排気管２０６内の両方に設けられてもよい。即ち、第１の実施形態と第２の実施形態とは組み合わせられてもよい。
【0074】
また、上記した実施形態では、２種類のモノマーの重合により形成される重合体の一例として尿素結合を有する重合体が用いられたが、２種類のモノマーの重合により形成される重合体としては、尿素結合以外の結合を有する重合体が用いられてもよい。尿素結合以外の結合を有する重合体としては、例えばウレタン結合を有するポリウレタン等が挙げられる。ポリウレタンは、例えばアルコール基を有するモノマーとイソシアネート基を有するモノマーとを共重合させることにより合成することができる。また、ポリウレタンは、予め定められた温度に加熱されることにより、アルコール基を有するモノマーとイソシアネート基を有するモノマーとに解重合する。
【0075】
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【0076】
Ｇ ゲートバルブ
ＳP 処理空間
Ｗ 基板
１０ 成膜装置
１００ 制御装置
２００ 装置本体
２０１ 下部容器
２０２ 排気ダクト
２０３ 排気口
２０４ 絶縁部材
２０５ 開口部
２０６ 排気管
２０７ 圧力調整バルブ
２０８ 排気装置
２０９ 処理容器
２１０ 支持構造体
２１１ ステージ
２１２ 支持部
２１４ ヒータ
２１５ 流路
２１６ 配管
２２０ ガス供給部
２２１ａ 原料供給源
２２１ｂ 原料供給源
２２１ｃ 不活性ガス供給源
２２１ｄ クリーニングガス供給源
２２２ 気化器
２２３ ＭＦＣ
２２４ バルブ
２２５ 配管
２３０ シャワーヘッド
２３１ 拡散室
２３２ 吐出口
２４０ 昇降機構
２５０ 多孔質部材
２５１ ヒータ
２６０ ＲＦ電源
２６１ 整合器
２７０ ＲＦ電源
２７１ 整合器
２７２ プラズマ生成室
２７３ バルブ
ＳP 処理空間
Ｗ 基板
１０ 成膜装置
１００ 制御装置
２００ 装置本体
２０１ 下部容器
２０２ 排気ダクト
２０３ 排気口
２０４ 絶縁部材
２０５ 開口部
２０６ 排気管
２０７ 圧力調整バルブ
２０８ 排気装置
２０９ 処理容器
２１０ 支持構造体
２１１ ステージ
２１２ 支持部
２１４ ヒータ
２１５ 流路
２１６ 配管
２２０ ガス供給部
２２１ａ 原料供給源
２２１ｂ 原料供給源
２２１ｃ 不活性ガス供給源
２２１ｄ クリーニングガス供給源
２２２ 気化器
２２３ ＭＦＣ
２２４ バルブ
２２５ 配管
２３０ シャワーヘッド
２３１ 拡散室
２３２ 吐出口
２４０ 昇降機構
２５０ 多孔質部材
２５１ ヒータ
２６０ ＲＦ電源
２６１ 整合器
２７０ ＲＦ電源
２７１ 整合器
２７２ プラズマ生成室
２７３ バルブ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】