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特開2023-27526感光性表面処理剤、積層体、トランジスタ、パターン形成方法及びトランジスタの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023027526
(43)【公開日】2023-03-02
(54)【発明の名称】感光性表面処理剤、積層体、トランジスタ、パターン形成方法及びトランジスタの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/38 20060101AFI20230222BHJP
H01L 21/288 20060101ALI20230222BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20230222BHJP
H10K 85/60 20230101ALI20230222BHJP
H10K 71/60 20230101ALI20230222BHJP
C07C 323/16 20060101ALI20230222BHJP
C07C 329/06 20060101ALI20230222BHJP
C08F 20/38 20060101ALI20230222BHJP
【ＦＩ】
G03F7/38 511
H01L21/288 E
H01L29/78 617J
H01L29/78 616K
H01L29/28 250H
H01L29/28 370
C07C323/16
C07C329/06
C08F20/38
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021132671
(22)【出願日】2021-08-17
(71)【出願人】
【識別番号】000004112
【氏名又は名称】株式会社ニコン
(71)【出願人】
【識別番号】592218300
【氏名又は名称】学校法人神奈川大学
(74)【代理人】
【識別番号】100161207
【弁理士】
【氏名又は名称】西澤 和純
(74)【代理人】
【識別番号】100140774
【弁理士】
【氏名又は名称】大浪 一徳
(74)【代理人】
【識別番号】100175824
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 淳一
(72)【発明者】
【氏名】川上 雄介
(72)【発明者】
【氏名】山口 和夫
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 倫子
【テーマコード（参考）】
2H196
4H006
4J100
4M104
5F110
【Ｆターム（参考）】
2H196AA25
2H196AA28
2H196EA02
2H196GA60
2H196HA27
4H006AA03
4H006AB46
4H006AB99
4H006AC30
4H006AC41
4H006AC51
4H006AC60
4H006BA51
4H006BA69
4H006BE02
4H006BE23
4J100AL08P
4J100BA05P
4J100BA41P
4J100BA51P
4J100BC43P
4J100CA01
4J100DA01
4J100DA04
4J100FA03
4J100FA28
4J100FA30
4J100JA15
4J100JA37
4J100JA38
4J100JA46
4M104AA08
4M104AA09
4M104AA10
4M104BB04
4M104BB05
4M104BB07
4M104BB08
4M104BB09
4M104DD22
4M104DD28
4M104DD47
4M104DD53
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4M104EE09
4M104EE18
4M104FF13
4M104GG08
4M104GG14
5F110AA16
5F110CC01
5F110CC03
5F110CC05
5F110CC07
5F110DD12
5F110DD25
5F110EE02
5F110EE06
5F110EE42
5F110EE47
5F110FF01
5F110GG05
5F110HK02
5F110HK06
5F110HK32
5F110HK41
5F110NN02
5F110NN27
5F110QQ06
(57)【要約】 （修正有）
【課題】感光性表面処理剤、積層体、トランジスタ、パターン形成方法及びトランジスタの製造方法の提供。
【解決手段】式（１）で表される化合物又は式（１）から誘導される高分子化合物を含む、感光性表面処理剤。［式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルキル基又は炭素数１～１３のフルオロアルキル基であり、Ｒ４は、水素原子又はニトロ基であり、ｎ１は０又は１であり、Ｙは、重合性基含有基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。］
【選択図】なし
【解決手段】式（１）で表される化合物又は式（１）から誘導される高分子化合物を含む、感光性表面処理剤。［式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルキル基又は炭素数１～１３のフルオロアルキル基であり、Ｒ４は、水素原子又はニトロ基であり、ｎ１は０又は１であり、Ｙは、重合性基含有基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。］
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式（１）で表される化合物又は下記式（１）から誘導される高分子化合物を含む、感光性表面処理剤。
［式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルキル基又は炭素数１～１３のフルオロアルキル基であり、Ｒ４は、水素原子又はニトロ基であり、ｎ１は０又は１であり、Ｙは、重合性基含有基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。］
【化1】
【請求項2】
前記Ｙが下記式（Ｙ１）で表される、請求項１に記載の感光性表面処理剤。
［式（Ｙ１）中、Ｙａ０１は、炭素数１～１０のアルキレン基、Ｙａ０２は、炭素数６～１５の芳香環から２個の水素原子を除いた基、Ｒａ０１は、重合性基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、ｎ２、ｎ３はそれぞれ独立に０又は１である。＊は硫黄元素との結合箇所を意味する。］
【化2】
【請求項3】
前記Ｙが下記式（Ｙ２）で表される、請求項１又は２に記載の感光性表面処理剤。
［式（Ｙ２）中、Ｙａ０１は、炭素数１～１０のアルキレン基、Ｒａ０１は、重合性基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、＊は硫黄元素との結合箇所を意味する。］
【化3】
【請求項4】
前記Ｙが下記式（Ｙ３）で表される、請求項１～３のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤。
［式（Ｙ３）中、Ｙａ０１は、炭素数１～１０のアルキレン基、＊は硫黄元素との結合箇所を意味する。］
【化4】
【請求項5】
前記Ｙが下記式（Ｙ３－２）で表される、請求項１～４のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤。
［式（Ｙ３－２）中、Ｙａ０１は、炭素数１～１０のアルキレン基、＊は硫黄元素との結合箇所を意味する。］
【化5】
【請求項6】
前記Ｙが下記式（Ｙ４）で表される、請求項１～５のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤。
［式（Ｙ４）中、Ｙａ０１は、エーテル結合を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基、Ｙａ０２は、炭素数６～１５の芳香環から２個の水素原子を除いた基、Ｒａ０１は、重合性基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、＊は硫黄元素との結合箇所を意味する。］
【化6】
【請求項7】
前記Ｙが下記式（Ｙ５）で表される、請求項１～６のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤。
［式（Ｙ５）中、Ｙａ０１は、エーテル結合を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基、Ｙａ０２は、炭素数６～１５の芳香環から２個の水素原子を除いた基、＊は硫黄元素との結合箇所を意味する。］
【化7】
【請求項8】
前記Ｙが下記式（Ｙ５－２）で表される、請求項１～７のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤。
［式（Ｙ５－２）中、Ｙａ０１は、エーテル結合を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基、＊は硫黄元素との結合箇所を意味する。］
【化8】
【請求項9】
前記式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物は、下記式（１）－１で表される高分子化合物である、請求項１～８のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤。
［式（１）－１中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルキル基又は炭素数１～１３のフルオロアルキル基であり、Ｒ４は、水素原子又はニトロ基であり、Ｙａ０１は、炭素数１～１０のアルキレン基、Ｙａ０２は、炭素数６～１５の芳香環から２個の水素原子を除いた基、ｎ１、ｎ２、ｎ３はそれぞれ独立に０又は１であり、ｍは自然数である。］
【化9】
【請求項10】
前記式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物は、主鎖の末端の少なくとも１つに、下記式（１ｘ）で表される置換基が結合している、請求項９に記載の感光性表面処理剤。
［＊は式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物の主鎖の末端との結合箇所を意味する。］
【化10】
【請求項11】
前記式（１）から誘導される高分子化合物の数平均分子量が、３００～１００，０００である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤。
【請求項12】
シクロペンタノンを含む、請求項１～１１のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤。
【請求項13】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤を含む積層体。
【請求項14】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤を含むトランジスタ。
【請求項15】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、感光性樹脂膜を成膜する工程と、
前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射する工程と、
前記所定のパターン光の照射領域の少なくとも一部の領域に対して無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射する工程と、
前記所定のパターン光の照射領域の少なくとも一部の領域に対して無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
【請求項16】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、感光性樹脂膜を成膜する工程と、
前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射する工程と、
前記所定のパターン光の照射領域の少なくとも一部の領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射する工程と、
前記所定のパターン光の照射領域の少なくとも一部の領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
【請求項17】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、感光性樹脂膜を成膜する工程と、
前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射して、露光領域にチオール発生領域を形成する工程と、
前記チオール発生領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射して、露光領域にチオール発生領域を形成する工程と、
前記チオール発生領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
【請求項18】
請求項１５～１７のいずれか１項に記載のパターン形成方法により、ソース電極、ドレイン電極、またはゲート電極のうちいずれか１以上の電極を形成する工程を含む、トランジスタの製造方法。
【請求項19】
下記式（１）で表される化合物又は下記式（１）から誘導される高分子化合物を含む、トランジスタ。
［式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルキル基又は炭素数１～１３のフルオロアルキル基であり、Ｒ４は、水素原子又はニトロ基であり、ｎ１は０又は１であり、Ｙは、重合性基含有基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。］
【化11】
【請求項20】
前記化合物又は高分子化合物は、少なくとも一部のニトロベンジル基が脱離してチオール基が発生した部分を有する、請求項１９に記載のトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、感光性表面処理剤、積層体、トランジスタ、パターン形成方法及びトランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体素子、集積回路、有機ＥＬディスプレイ用デバイス等の微細デバイス等の製造において、基板上に、表面特性の異なるパターンを形成し、その表面特性の違いを利用して微細デバイスを作成する方法が提案されている。
【0003】
基板上の表面特性の違いを利用したパターン形成方法としては、たとえば、基板の一部に化学的に活性な置換基を発生させた領域を形成する方法がある。この方法により基板の一部に金属材料、有機材料又は無機材料を密着させることができる。
【0004】
基板上に金属材料を密着させ、金属膜を形成する技術として無電解めっき処理がある。例えば特許文献１は、無電解めっき処理による微細な配線を形成する技術を開示している。具体的には、特許文献１は、触媒活性化層とフォトレジストを用い、一面にめっきした状態からエッチング、またはリフトオフによる光パターニングを行うことを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００６－２２０１号公報
【発明の概要】
【0006】
本発明の第１の態様は、下記式（１）で表される化合物又は下記式（１）から誘導される高分子化合物を含む、感光性表面処理剤である。
【0007】
【化1】
【0008】
［式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルキル基又は炭素数１～１３のフルオロアルキル基であり、Ｒ４は、水素原子又はニトロ基であり、ｎ１は０又は１であり、Ｙは、重合性基含有基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。］
【0009】
本発明のその他の態様は、下記式（１）で表される化合物又は下記式（１）から誘導される高分子化合物を含む、トランジスタである。
【0010】
【化2】
【0011】
［式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルキル基又は炭素数１～１３のフルオロアルキル基であり、Ｒ４は、水素原子又はニトロ基であり、ｎ１は０又は１であり、Ｙは、重合性基含有基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。］
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本実施形態のパターン形成方法を説明するための模式図である。
【図2】本実施形態のトランジスタの製造方法を説明するための模式図である。
【図3】本実施形態の感光性表面処理剤を用いてめっき処理を行った基板の全体写真図及び光学顕微鏡写真図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
＜感光性表面処理剤＞
本実施形態の感光性表面処理剤は、下記式（１）で表される化合物又は下記式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物を含む。
本実施形態の感光性表面処理剤は、下記式（１）で表される化合物又は下記式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物を含む。
【0014】
【化3】
【0015】
≪式（１）で表される化合物≫
式（１）で表される化合物を含む感光性表面処理剤を基板上に塗布し光を照射すると、ニトロベンジル基が脱離して、Ｙが基板に密着すると同時に基板表面にチオール基（－ＳＨ）が発生する。チオール基が発生した部分には、金属材料、有機材料又は無機材料を密着させることができる。
式（１）で表される化合物を含む感光性表面処理剤を基板上に塗布し光を照射すると、ニトロベンジル基が脱離して、Ｙが基板に密着すると同時に基板表面にチオール基（－ＳＨ）が発生する。チオール基が発生した部分には、金属材料、有機材料又は無機材料を密着させることができる。
【0016】
本実施形態の感光性表面処理剤によれば、基板表面に形成したチオール発生部に金属材料を配置することにより、フォトレジスト工程、現像工程、エッチング工程を用いることなく、基板表面に、ライン幅が５μｍ以下の金属パターンを形成することができる。
【0017】
（Ｒ１）
式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基である。炭素数１～５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられ、中でもメチル基又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基である。炭素数１～５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられ、中でもメチル基又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【0018】
（Ｒ２及びＲ３）
Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルキル基又は炭素数１～１３のフルオロアルキル基である。炭素数１～３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、メチル基が又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に炭素数１～３のアルキル基又は炭素数１～１３のフルオロアルキル基である。炭素数１～３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、メチル基が又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【0019】
炭素数１～１３のフルオロアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘプチル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられ、炭素数４～１０のパーフルオロアルキル基が含まれるものが好ましく、炭素数６のパーフルオロアルキル基が含まれるノニル基がより好ましい。
【0020】
（Ｒ４）
式（１）中、Ｒ４は、水素原子又はニトロ基である。
式（１）中、Ｒ４は、水素原子又はニトロ基である。
【0021】
（ｎ１）
式（１）中、ｎ１は０又は１である。
式（１）中、ｎ１は０又は１である。
【0022】
（Ｙ）
式（１）中、Ｙは、重合性基含有基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。
「重合性基」とは、重合性基を有する化合物がラジカル重合等により重合することを可能とする基であり、例えばエチレン性二重結合などの炭素原子間の多重結合を含む基をいう。
式（１）中、Ｙは、重合性基含有基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。
「重合性基」とは、重合性基を有する化合物がラジカル重合等により重合することを可能とする基であり、例えばエチレン性二重結合などの炭素原子間の多重結合を含む基をいう。
【0023】
重合性基としては、例えば、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基等が挙げられる。
【0024】
「重合性基含有基」は、重合性基を含む基である。重合性基含有基は、重合性基のみから構成される基でもよく、重合性基と重合性基以外の他の基とから構成される基でもよい。
【0025】
Ｙとしては、下記式（Ｙ１）が挙げられる。
【0026】
【化4】
【0027】
（Ｙａ０１）
式（Ｙ１）中、Ｙａ０１は、炭素数１～１０のアルキレン基である。
Ｙａ０１は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。炭素数１～１０の直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基［－ＣＨ２－］、エチレン基［－（ＣＨ２）２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ２）３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ２）４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ２）５－］等が挙げられる。
式（Ｙ１）中、Ｙａ０１は、炭素数１～１０のアルキレン基である。
Ｙａ０１は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。炭素数１～１０の直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基［－ＣＨ２－］、エチレン基［－（ＣＨ２）２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ２）３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ２）４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ２）５－］等が挙げられる。
【0028】
炭素数１～１０の分岐鎖状のアルキレン基としては、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－ＣＨ２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。
【0029】
（Ｙａ０２）
式（Ｙ１）中、Ｙａ０２は、炭素数６～１５の芳香環から２個の水素原子を除いた基である。
Ｙａ０２としては、具体的には、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、アントラセン環から２個の水素原子を除いた基が挙げられる。
式（Ｙ１）中、Ｙａ０２は、炭素数６～１５の芳香環から２個の水素原子を除いた基である。
Ｙａ０２としては、具体的には、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、アントラセン環から２個の水素原子を除いた基が挙げられる。
【0030】
（Ｒａ０１）
式（Ｙ１）中、Ｒａ０１は、重合性基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。
直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数３～１８の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数５～１５がより好ましく、炭素原子数６～１２がさらに好ましい。
式（Ｙ１）中、Ｒａ０１は、重合性基又は炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である。
直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数３～１８の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数５～１５がより好ましく、炭素原子数６～１２がさらに好ましい。
【0031】
分岐状のアルキル基としては、炭素原子数３～２０の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。分岐状のアルキル基は、炭素原子数３～１８が好ましく、炭素原子数３～１５がより好ましい。
【0032】
式（Ｙ１）中、ｎ２、ｎ３はそれぞれ独立に０又は１である。＊は硫黄元素との結合箇所を意味する。
【0033】
Ｙとしては、下記式（Ｙ２）が挙げられる。
【0034】
【化5】
【0035】
式（Ｙ２）中Ｙａ０１、Ｒａ０１に関する説明は前記同様である。
【0036】
Ｙとしては、下記式（Ｙ３）が挙げられる。
【0037】
【化6】
【0038】
式（Ｙ３）中Ｙａ０１に関する説明は前記同様である。
【0039】
Ｙとしては、下記式（Ｙ３－２）が挙げられる。
【0040】
【化7】
【0041】
式（Ｙ３－２）中Ｙａ０１に関する説明は前記同様である。
【0042】
Ｙとしては、下記式（Ｙ４）が挙げられる。
【0043】
【化8】
【0044】
式（Ｙ４）中Ｙａ０２、Ｒａ０１に関する説明は前記同様である。
【0045】
式（Ｙ４）中Ｙａ０３は、エーテル結合（－Ｏ－）を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基である。Ｙａ０３は、炭素数１～１０のアルキレン基又は、エーテル結合（－Ｏ－）と炭素数１～１０のアルキレン基との組み合わせから構成される基が好ましい。
【0046】
Ｙとしては、下記式（Ｙ５）が挙げられる。
【0047】
【化9】
【0048】
式（Ｙ５）中Ｙａ０２、Ｙａ０３に関する説明は前記同様である。
【0049】
Ｙとしては、下記式（Ｙ５－２）が挙げられる。
【0050】
【化10】
【0051】
式（Ｙ５－２）中Ｙａ０３に関する説明は前記同様である。
【0052】
式（１）で表される化合物の具体例を以下に記載する。
【0053】
【化11】
【0054】
【化12】
【0055】
【化13】
【0056】
【化14】
【0057】
【化15】
【0058】
≪式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物≫
式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物は、式（１）で表される化合物の重合性基が主鎖に変換された高分子化合物である。
「重合性基が主鎖に変換された」とは、重合性基中の多重結合が開裂して主鎖を形成していることをいう。例えば、エチレン性二重結合を有するモノマーの場合、エチレン性二重結合が開裂して、炭素原子間の単結合が主鎖を形成していることを意味する。
式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物は、式（１）で表される化合物の重合性基が主鎖に変換された高分子化合物である。
「重合性基が主鎖に変換された」とは、重合性基中の多重結合が開裂して主鎖を形成していることをいう。例えば、エチレン性二重結合を有するモノマーの場合、エチレン性二重結合が開裂して、炭素原子間の単結合が主鎖を形成していることを意味する。
【0059】
式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物は、具体的には下記式（１）－１で表される。
【0060】
【化16】
【0061】
式（１）－１中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｙａ０１、Ｙａ０２、ｎ１、ｎ２、ｎ３に関する説明は前記同様であり、ｍは自然数である。
【0062】
式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物は、主鎖の末端の少なくとも１つに、下記式（１ｘ）で表される置換基が結合していることが好ましい。下記式（１ｘ）中、＊は式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物の主鎖の末端との結合箇所を意味する。
【0063】
【化17】
【0064】
式（１）－１で表される高分子化合物の、主鎖の末端に上記式（１ｘ）で表される置換基が結合している高分子化合物を下記に例示する。
【0065】
【化18】
【0066】
式（１）－１で表される高分子化合物の他の具体例を以下に記載する。
【0067】
【化19】
【0068】
式（１）で表される化合物から誘導される高分子化合物の数平均分子量は、３００～１００，０００であることが好ましい。
【0069】
本発明の一態様において、感光性表面処理剤は上記式（１）で表される化合物からなる。
本発明の一態様において、感光性表面処理剤は上記式（１）－１で表される高分子化合物からなる。
本発明の一態様において、感光性表面処理剤は上記式（１）－１で表される高分子化合物からなる。
【0070】
本発明の一態様において、感光性表面処理剤は上記式（１）で表される化合物と、上記式（１）－１で表される高分子化合物とからなる。
【0071】
本発明の一態様において、感光性表面処理剤は溶剤を含んでいてもよい。感光性表面処理剤が含んでいてもよい溶剤としては、例えばシクロペンタノン、シクロヘプタノン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）又はシクロヘキサノン等が挙げられ、なかでもシクロペンタノンが好ましい。
【0072】
＜化合物の製造方法＞
式（１）で表される化合物は、以下の方法により製造できる。
以下の製造方法の説明において、式中の各符号に関する説明は前記同様である。
式（１）で表される化合物は、以下の方法により製造できる。
以下の製造方法の説明において、式中の各符号に関する説明は前記同様である。
【0073】
［製造方法１］
下記式（Ｍ１）で表されるアルコール体と、塩化メタクリロイル又は塩化メタアクリロイルとを反応させることにより、式（１）で表される化合物が製造される。
下記式（Ｍ１）で表されるアルコール体と、塩化メタクリロイル又は塩化メタアクリロイルとを反応させることにより、式（１）で表される化合物が製造される。
【0074】
【化20】
【0075】
製造例１の具体例１を以下に示す。
【0076】
【化21】
【0077】
製造例１の具体例２を以下に示す。
【0078】
【化22】
【0079】
製造例１の具体例３を以下に示す。
【0080】
【化23】
【0081】
製造例１の具体例４を以下に示す。
【0082】
【化24】
【0083】
［製造方法２］
下記式（Ｍ２）で表されるアルコール体と、スクシンイミジルカーボネートを反応させ、中間体（Ｍ２）－１を得る。
下記式（Ｍ２）で表されるアルコール体と、スクシンイミジルカーボネートを反応させ、中間体（Ｍ２）－１を得る。
【0084】
【化25】
【0085】
中間体（Ｍ２）－１に１－オクタンチオールを反応させることにより、式（１）－Ａで表される化合物が得られる。このとき、１－オクタンチオールに代えて、例えば１－ブタンチオール（炭素数４）、１－ヘキサンチオール（炭素数６）、１－ヘキサデカンチオール（炭素数１６）、１－ドコサンチオール（炭素数２２）を反応させてもよい。
【0086】
【化26】
【0087】
［製造方法３］
下記式（Ｍ３）で表されるアルコール体と、トリフェニルホスフィンと四臭化炭素とを反応させ、中間体（Ｍ３）－１を得る。このとき、下記式（Ｍ３）で表されるアルコール体と三臭化リンとを反応させ、中間体（Ｍ３）－１を得てもよい。
下記式（Ｍ３）で表されるアルコール体と、トリフェニルホスフィンと四臭化炭素とを反応させ、中間体（Ｍ３）－１を得る。このとき、下記式（Ｍ３）で表されるアルコール体と三臭化リンとを反応させ、中間体（Ｍ３）－１を得てもよい。
【0088】
【化27】
【0089】
中間体（Ｍ３）－１に１－オクタンチオールを反応させることにより、式（１）－Ｂで表される化合物が得られる。このとき、１－オクタンチオールに代えて、例えば１－ブタンチオール（炭素数４）、１－ヘキサンチオール（炭素数６）、１－ヘキサデカンチオール（炭素数１６）、１－ドコサンチオール（炭素数２２）を反応させてもよい。
【0090】
【化28】
【0091】
＜パターン形成方法＞
本実施形態のパターン形成方法は、前記本実施形態の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、感光性樹脂膜を成膜する工程と、感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射して、露光領域にチオール発生領域を形成する工程と、チオール発生領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える。
以下、各工程について図面を参照して説明する。
本実施形態のパターン形成方法は、前記本実施形態の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、感光性樹脂膜を成膜する工程と、感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射して、露光領域にチオール発生領域を形成する工程と、チオール発生領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える。
以下、各工程について図面を参照して説明する。
【0092】
図１（ａ）に示すように、基板１１の上に前記本実施形態の感光性表面処理剤１０ａを塗布する。
塗布方法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ロールコート法、刷毛塗り等の塗布方法使用できる。また、フレキソ印刷、スクリーン印刷等の印刷法により塗布してもよい。
塗布方法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ロールコート法、刷毛塗り等の塗布方法使用できる。また、フレキソ印刷、スクリーン印刷等の印刷法により塗布してもよい。
【0093】
なお、本工程においては、図１（ａ）に示すように、例えば熱や減圧等によって溶剤を乾燥させる処理を加えてもよい。
【0094】
これにより、図１（ｂ）に示すように基板１１の上に感光性表面処理剤層１０が形成される。
【0095】
次に、図１（ｃ）に示すように、所定のパターンの露光領域を有するフォトマスク１３を用意する。露光方法としては、フォトマスクを用いる手段に限られず、レンズやミラーなどの光学系を用いたプロジェクション露光、空間光変調素子、レーザービームなどを用いたマスクレス露光等の手段を用いることができる。なお、フォトマスク１３は、感光性表面処理剤層１０と接触するよう設けてもよいし、非接触となるよう設けてもよい。
【0096】
その後、図１（ｃ）に示すように、フォトマスク１３を介して感光性表面処理剤層１０にＵＶ光を照射する。これにより、フォトマスク１３の露光領域において感光性表面処理剤層１０が露光される。
【0097】
その結果、図１（ｄ）に示すように、露光部にはチオール発生部１４が、未露光部にはチオール未発生部１２が形成される。
【0098】
ＵＶ光は例えば、波長が３６５ｎｍのｉ線が挙げられる。また、その露光量や露光時間は、必ずしも完全に脱保護が進行する必要はなく、一部のチオール基が発生する程度でよい。
【0099】
次に、図１（ｅ）に示すように、表面に無電解めっき用触媒を付与し、触媒層１５を形成する。無電解めっき用触媒は、無電解めっき用のめっき液に含まれる金属イオンを還元する触媒であり、銀やパラジウムが挙げられる。
【0100】
チオール発生部１４の表面にはチオール基が露出している。チオール基は、上述の無電解めっき用触媒を捕捉・還元することが可能である。そのため、チオール発生部１４上のみに無電解用めっき用触媒が捕捉され、触媒層１５が形成される。また、無電解めっき用触媒はチオール基が担持可能なものを用いることができる。
【0101】
図１（ｆ）に示すように、無電解めっき処理を行い、めっき層１６を形成する。なお、めっき層１６の材料としては、ニッケル－リン（ＮｉＰ）や、銅（Ｃｕ）が挙げられる。
【0102】
本工程では、基板１１を無電解めっき浴に浸漬して触媒表面に金属イオンを還元し、めっき層１６を析出させる。その際、チオール発生部１４表面には十分な量の触媒を担持する触媒層１５が形成されているため、チオール発生部１４上にのみ選択的にめっき層１６を析出させることができる。
【0103】
以上の工程により、前記本実施形態の感光性表面処理剤を用いて所定の基板に配線パターンを形成することが可能である。
【0104】
＜トランジスタの製造方法＞
さらに、上記＜パターン形成方法＞で得られためっき層１６をゲート電極とするトランジスタの製造方法について図２を用いて説明する。
さらに、上記＜パターン形成方法＞で得られためっき層１６をゲート電極とするトランジスタの製造方法について図２を用いて説明する。
【0105】
図２（ａ）に示すように、上述したパターン形成方法により形成した無電解めっきパターンのめっき層１６とチオール未発生部１２とを覆うように、公知の方法により絶縁体層１７を形成する。絶縁体層１７は、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、エン・チオール樹脂、シリコーン樹脂等の１つ以上の樹脂を有機溶媒に溶解させた塗布液を用い、当該塗布液を塗布することにより形成してもよい。絶縁体層１７を形成する領域に対応して開口部が設けられたマスクを介して塗膜に紫外線を照射することで、絶縁体層１７を所望のパターンに形成することが可能である。なお、絶縁体層１７を形成する前に、チオール未発生部１２を必要に応じて除去してもよい。
【0106】
図２（ｂ）に示すように、上述した無電解めっきパターン形成方法と同様にして絶縁体層１７上に感光性表面処理剤層１０を形成し、ソース電極及びドレイン電極が形成される部分にチオール発生部１４を形成する。
【0107】
図２（ｃ）に示すように、上述したパターン形成方法と同様にして、チオール発生部１４上に無電解めっき用触媒を担持させ、触媒層１５を形成した後、無電解めっきを行うことによりめっき層１８（ソース電極）及びめっき層１９（ドレイン電極）を形成する。なお、めっき層１８及び１９の材料としてもニッケル－リン（ＮｉＰ）や、銅（Ｃｕ）が挙げられるが、めっき層１６（ゲート電極）と異なる材料で形成してもよく、ニッケル－リン（ＮｉＰ）や、銅（Ｃｕ）の表面に異なる金属、例えば無電解金めっきを行うことで、金（Ａｕ）を析出させてもよい
【0108】
図２（ｄ）に示すように、めっき層１８（ソース電極）及びめっき層１９（ドレイン電極）の間に半導体層２１を形成する。
【0109】
半導体層２１は、例えば、ＴＩＰＳペンタセン（６，１３－Ｂｉｓ（ｔｒｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｓｉｌｙｌｅｔｈｙｎｙｌ）ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）のような有機溶媒に可溶な有機半導体材料を当該有機溶媒に溶解させた溶液を作製し、めっき層１８（ソース電極）及びめっき層１９（ドレイン電極）の間に塗布、乾燥させることにより形成してもよい。
【0110】
また、半導体層２１は、上記溶液にＰＳ（ポリスチレン）やＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）などの絶縁性ポリマーを１種類以上添加し、当該絶縁性ポリマーを含む溶液を塗布、乾燥することにより形成してもよい。
【0111】
このようにして半導体層２１を形成すると、半導体層２１の下方（絶縁体層１７側）に絶縁性ポリマーが集中して形成される。有機半導体と絶縁体層との界面にチオール基などの極性基が存在する場合、トランジスタ特性の低下を生じる傾向にあるが、上述の絶縁性ポリマーを介して有機半導体を設ける構成とすることにより、トランジスタ特性の低下を抑制することができる。以上のようにして、トランジスタを製造することが可能である。
【0112】
上記のような方法によれば、ＵＶ露光工程において別途化学的なレジスト等を設ける必要がなく、フォトマスクのみによる簡素な工程とすることができる。従って当然ながら、レジスト層を除去する工程についても必要としない。また、チオール基の触媒還元能により、通常必要となる触媒の活性化処理工程も省略することができ、大幅な低コスト化と時間短縮を実現しながら、高精細なパターニングが可能となる。また、ディップコート法を用いることができるため、ロール・ツー・ロール工程でも非常に相性良く利用することができる。
【0113】
なお、トランジスタの構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、トップコンタクト・ボトムゲート型、トップコンタクト・トップゲート型、ボトムコンタクト・トップゲート型のトランジスタも同様にして製造してもよい。
【0114】
＜積層体＞
本実施形態は、前記本実施形態の感光性表面処理剤を含む積層体である。
本実施形態の積層体は、基板と金属パターンとが積層された積層体であって、パターンが形成されていない未露光部に感光性表面処理剤を含む。
本実施形態は、前記本実施形態の感光性表面処理剤を含む積層体である。
本実施形態の積層体は、基板と金属パターンとが積層された積層体であって、パターンが形成されていない未露光部に感光性表面処理剤を含む。
【0115】
＜トランジスタ＞
本実施形態は、前記本実施形態の感光性表面処理剤を含むトランジスタである。
本実施形態の積層体は、基板と金属パターンとが積層された積層体を有するトランジスタであって、パターンが形成されていない未露光部に感光性表面処理剤を含む。
本実施形態は、前記本実施形態の感光性表面処理剤を含むトランジスタである。
本実施形態の積層体は、基板と金属パターンとが積層された積層体を有するトランジスタであって、パターンが形成されていない未露光部に感光性表面処理剤を含む。
【実施例0116】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0117】
＜実施例１：感光性チオール発生モノマーの合成＞
下記に記載する方法により、下記式（Ｍ）で表される２－（（４，５－ジメトキシ－２－ニトロベンジル）チオ）エタン－１－オール（ＮＢＳ－ＯＨ）を合成した。
下記に記載する方法により、下記式（Ｍ）で表される２－（（４，５－ジメトキシ－２－ニトロベンジル）チオ）エタン－１－オール（ＮＢＳ－ＯＨ）を合成した。
【0118】
【化29】
【0119】
５Ｌの４つ口フラスコにアルゴン下で１－（ブロモメチル）－４，５－ジメトキシ－２－ニトロベンゼン（１２０．０ｇ，４３５ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．，シグマアルドリッチ製）とアセトニトリル（２．４Ｌ，富士フイルム和光純薬製）を加え、撹拌した。
【0120】
ここに炭酸セシウム（１７０．０ｇ，０．５２２ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．，富士フイルム和光純薬製）を加えた後、さらにメルカプトエタノール（４０．８ｇ，５２２ｍｍｏｌ，１．２ｅｑ．，東京化成工業製）を１５分で滴下した後、バス５０℃で２１時間反応した。
【0121】
水（２．４Ｌ）を加え、１０分撹拌した後、減圧濃縮（４０℃／２０ｍｍＨｇ）し、アセトニトリルのみ留去した。残渣を１５Ｌポリ容器に移し、酢酸エチル（４．８Ｌ）で抽出し、さらに水層から酢酸エチル（２．４Ｌ）で抽出した。酢酸エチル層を合わせ、水（２．４Ｌ）で３回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤除去後、減圧濃縮（４０℃／２０ｍｍＨｇ）し、茶褐色固体を得た。得られた粗体のシリカゲルカラム精製し、ＮＢＳ－ＯＨを９２．４ｇ（７８．３％）得た。
【0122】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、３００ＭＨｚ）の測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ２．１１（１Ｈ，ｔ），２．７３（２Ｈ，ｔ），３．７６（２Ｈ，ｍ），３．８０（３Ｈ，ｓ），３．９９（３Ｈ，ｓ），４．１５（２Ｈ，ｓ），６．９４（１Ｈ，ｓ），７．３６（１Ｈ，ｓ）
１Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ２．１１（１Ｈ，ｔ），２．７３（２Ｈ，ｔ），３．７６（２Ｈ，ｍ），３．８０（３Ｈ，ｓ），３．９９（３Ｈ，ｓ），４．１５（２Ｈ，ｓ），６．９４（１Ｈ，ｓ），７．３６（１Ｈ，ｓ）
【0123】
下記に記載する方法により、下記式（１１）で表される２－（（４，５－ジメトキシ－２－ニトロベンジル）チオ）エチルメタクリレート（ＮＢＳ－ＭＥＭＡ）を合成した。
【0124】
【化30】
【0125】
１Ｌの４つ口フラスコにアルゴン下でＮＢＳ－ＯＨ、ＴＨＦ（ｄｒｙ）（４００ｍＬ，富士フイルム和光純薬製）を加え、溶解した。ここにトリエチルアミン（１１．１ｇ，１１０ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ．，富士フイルム和光純薬製）を加え、氷水で冷却した後、塩化メタクリロイル（１０．７ｇ，１０２ｍｍｏｌ，１．４ｅｑ．，富士フイルム和光純薬製）を３０分で滴下した後、終夜撹拌した（氷浴は外さず、自然に室温まで戻るようにした）。
【0126】
反応器に氷水（４００ｇ）を注ぎ、５分撹拌した後、分液ロートに移し、酢酸エチル（８００ｍＬ）で抽出した。次に酢酸エチル層を５％重曹水（４００ｍＬ）で２回、市水（４００ｍＬ）で３回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
【0127】
乾燥剤除去後、減圧濃縮（４０℃／２０ｍｍＨｇ）し、黄色固体を３１ｇ得た。得られた粗体のシリカゲルカラム精製し、ＮＢＳ－ＭＥＭＡを１６．９ｇ（６７．６％）得た。
【0128】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、３００ＭＨｚ）の測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ１．９４（２Ｈ，ｓ），２．７６（２Ｈ，ｔ），３．９５（３Ｈ，ｓ），４．００（３Ｈ，ｓ），４．１６（２Ｈ，ｓ），４．３１（２Ｈ，ｔ），５．５９（１Ｈ，ｓ），６．１１（１Ｈ，ｓ），７．２７（１Ｈ，ｓ）， ７．６６（１Ｈ，ｓ）
１Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ１．９４（２Ｈ，ｓ），２．７６（２Ｈ，ｔ），３．９５（３Ｈ，ｓ），４．００（３Ｈ，ｓ），４．１６（２Ｈ，ｓ），４．３１（２Ｈ，ｔ），５．５９（１Ｈ，ｓ），６．１１（１Ｈ，ｓ），７．２７（１Ｈ，ｓ）， ７．６６（１Ｈ，ｓ）
【0129】
下記に記載する方法により、下記式（１２）で表されるポリ２－（（４，５－ジメトキシ－２－ニトロベンジル）チオ）エチルメタクリレート（Ｐ－ＮＢＳ－ＭＥＭＡ）を合成した。
【0130】
【化31】
【0131】
１００ｍＬのナスフラスコにアルゴン下でＮＢＳ－ＭＥＭＡ（１５．０ｇ，４３．９ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、脱気処理したＤＭＦ（３０ｍｌ，富士フイルム和光純薬製）を加え、溶解した。ここにＡＩＢＮ（０．４ｇ，２．２ｍｍｏｌ，０．０５ｅｑ．，富士フイルム和光純薬製）を加えた後、３０分でバス温６５℃まで昇温し、同温で２４時間加熱撹拌した。
【0132】
反応液を放冷後メタノール（６００ｍＬ）に滴下し、３０分間撹拌した。析出した固体をろ取し、メタノール（１００ｍＬ）で３回かけ洗いを行った。固体をクロロホルム（１５０ｍＬ）に再溶解した後、メタノール（１．５Ｌ）に滴下ロートを使用して３０分で滴下した。
【0133】
滴下終了後、１５分撹拌した後、ろ取し、メタノール（１００ｍＬ）で３回かけ洗いを行った。得られた固体を減圧乾燥（６０℃／＜１ｍｍＨｇ，１６ｈ）し、目的のＰ－ＮＢＳ－ＭＥＭＡを１３．３ｇ得た。
【0134】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、３００ＭＨｚ）およびＧＰＣ（東ソー株式会社、ＨＬＣ－８４２０ＧＰＣ、ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ－８０５Ｌ×２）の測定結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ０．９０－１．３７（ｍ），１．８７－１．９４（ｍ），２．７３（２Ｈ，ｍ），３．９０－４．１０（１０Ｈ，ｍ），６．９３（１Ｈ，ｓ）， ７．５６（１Ｈ，ｓ）
ＧＰＣ：ＭＷ：６９７７０， Ｍｎ：３２３９２， ＰＤＩ：２．１５４
１Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ０．９０－１．３７（ｍ），１．８７－１．９４（ｍ），２．７３（２Ｈ，ｍ），３．９０－４．１０（１０Ｈ，ｍ），６．９３（１Ｈ，ｓ）， ７．５６（１Ｈ，ｓ）
ＧＰＣ：ＭＷ：６９７７０， Ｍｎ：３２３９２， ＰＤＩ：２．１５４
【0135】
＜実施例２＞
［めっき配線の作製］
式（１２）で表される高分子化合物（Ｐ－ＮＢＳ－ＭＥＭＡ）を含む表面処理剤を用いて基板上に成膜し、めっき配線を作製した。
［めっき配線の作製］
式（１２）で表される高分子化合物（Ｐ－ＮＢＳ－ＭＥＭＡ）を含む表面処理剤を用いて基板上に成膜し、めっき配線を作製した。
【0136】
実施例１で合成した式（１２）で表される高分子化合物（Ｐ－ＮＢＳ－ＭＥＭＡ）にシクロペンタノンを加え、０．２質量％に調整し、感光性表面処理剤１を得た。
【0137】
感光性表面処理剤１を、ＰＥＮ基板（帝人株式会社製、テオネックスＱ６５ＨＡ）上にスピンコート（ミカサ株式会社製、ＭＳ－Ａ１５０）１０００ｒｐｍ）にて塗布した。その後、１００℃で１０分乾燥させ、感光性表面処理剤層を成膜した。
【0138】
次に、感光性表面処理剤層を全面成膜した基板にフォトマスクを介して、波長３６５ｎｍ光を１０００ｍＪ／ｃｍ２露光して、感光性表面処理剤層を感光させ、露光部にはチオール発生部を、未露光部にはチオール未発生部を形成した。
【0139】
次いで、無電解めっき用の触媒コロイド溶液（メルプレート アクチベーター７３３１、メルテックス社製）に、室温にて１０分間浸漬し、チオール発生部に触媒（Ｐｄ）を付着させた。表面を水洗した後、無電解めっき液（メルプレートＮＩ－８６７、メルテックス社製）に、７３℃で１分間浸漬し、触媒上にニッケルリンを析出させて微細めっき配線を作製した。
【0140】
［めっき配線及び溶解性の評価］
図３に実施例でめっき配線処理を行った、ＰＥＮ基板の全体写真と、光学顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＨＸ－７０００）像を示す。
図３に実施例でめっき配線処理を行った、ＰＥＮ基板の全体写真と、光学顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＨＸ－７０００）像を示す。
【0141】
図３から、１００℃以下の低温プロセスにおいても、レジストを用いることなく細部に至るまで高精細の良好なめっき配線が形成されていることが、目視及び顕微鏡によって確認できた。また、各層における剥離及び溶解は一切見られなかった。
【0142】
さらに、実施例１で合成した式（１２）で表される高分子化合物（Ｐ－ＮＢＳ－ＭＥＭＡ）はシクロペンタノンに容易に溶解し、継時的変化も見られなかった。
【0143】
以上の結果から、感光性表面処理剤１によれば、光照射のみで任意の位置に選択的にチオールをパターニングすることが可能であり、めっきを用いた金属膜の積層後も十分な密着性を得られた。配線形成用フィルムの製造や運搬、またそれを用いた電子材料などの製造工程において管理の簡素化、コストの低減などが期待できる。
【0144】
また、平滑基板に対し低温プロセスにおいてもレジストを用いることなく高精細な無電解めっき配線を施すことが可能であることが分かった。これにより例えば、多くの薬剤を使用する下地処理、レジスト現像、レジスト剥離工程や、エネルギーを必要とするＰＥＢをはじめとする各工程での加熱工程が省略可能であり経済面、環境保全面で効果が期待できる。またＤＵＶよりも基板への負荷の少ない波長の光（３６５ｎｍ）を適用できる点も、ＲｔｏＲ（ロール・ツー・ロール）への適用が期待されるフィルム上での加工に好適な技術である。
【0145】
さらに、本実施例を用いれば、安価に透明電極を作製できることが期待できる。これらを繰返し実施する電子デバイスなど多層配線形成を考えると、レジストフリープロセスによる効果は極めて大きいものである。また本発明により化学物質使用量の低減、短段階のデバイス製造プロセスを実現できれば量産性・経済性の向上効果だけではなく、製造装置開発及び維持に関る負担軽減を図ることができる。また、本発明によりもたらされる有機薄膜は２～１０ｎｍ程度の極薄膜でも機能しており、極めて環境負荷が小さい。
【0146】
＜実施例３＞
（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅの合成）
５００ｍＬナスフラスコに３，４－ジメトキシベンズアルデヒド（５０．１ｇ，３０１ｍｍｏｌ）を入れて酢酸（１２０ｍＬ）に溶解し、氷浴上で発煙硝酸（５７ｍＬ，９３０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で２時間撹拌した。
反応溶液を冷水（８００ｍＬ）に注ぎ、吸引ろ過し、純水、ヘキサンで順次洗浄した。徐冷法にて再結晶（エタノール）し、黄色結晶３５．２ｇ（１６６ｍｍｏｌ，５５％）を得た。
（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅの合成）
５００ｍＬナスフラスコに３，４－ジメトキシベンズアルデヒド（５０．１ｇ，３０１ｍｍｏｌ）を入れて酢酸（１２０ｍＬ）に溶解し、氷浴上で発煙硝酸（５７ｍＬ，９３０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で２時間撹拌した。
反応溶液を冷水（８００ｍＬ）に注ぎ、吸引ろ過し、純水、ヘキサンで順次洗浄した。徐冷法にて再結晶（エタノール）し、黄色結晶３５．２ｇ（１６６ｍｍｏｌ，５５％）を得た。
【0147】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 4.03 (3H, s), 4.04 (3H, s), 7.43 (1H, s), 7.62 (1H, s), 10.5 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 4.03 (3H, s), 4.04 (3H, s), 7.43 (1H, s), 7.62 (1H, s), 10.5 (1H, s).
【0148】
【化32】
【0149】
（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ａｌｃｏｈｏｌの合成）
５００ｍＬナスフラスコに４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ（１４．１ｇ，６６．８ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）、メタノール（１００ｍＬ）に溶解し、氷浴上で水素化ホウ素ナトリウム（３．７９ｇ，１００ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加後、０℃で３０分間撹拌し、更に室温で９０分間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（１００ｍＬ×３）、純水（２００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（２５ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ×２）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、黄色固体１３．８ｇ（６４．７ｍｍｏｌ，９７％）を得た。
５００ｍＬナスフラスコに４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ（１４．１ｇ，６６．８ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）、メタノール（１００ｍＬ）に溶解し、氷浴上で水素化ホウ素ナトリウム（３．７９ｇ，１００ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加後、０℃で３０分間撹拌し、更に室温で９０分間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（１００ｍＬ×３）、純水（２００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（２５ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ×２）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、黄色固体１３．８ｇ（６４．７ｍｍｏｌ，９７％）を得た。
【0150】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 2.61 (1H, br s), 3.97 (3H, s), 4.01 (3H, s), 4.97 (2H, s), 7.18 (1H, s), 7.72 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 2.61 (1H, br s), 3.97 (3H, s), 4.01 (3H, s), 4.97 (2H, s), 7.18 (1H, s), 7.72 (1H, s).
【0151】
【化33】
【0152】
（（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ（２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅの合成）
１００ｍＬ二口ナスフラスコに４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ（１．００ｇ，４．６９ｍｍｏｌ）を入れてドライアセトニトリル（２５ｍＬ）に溶解し、炭酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）（２．４０ｇ，９．３７ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（２．０ｍＬ，１４．４ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１８時間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（６０ｍＬ×４）、純水（６０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（１０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝１：２）にて精製し、黄色粉体１．８９ｇ（３．５５ｍｍｏｌ，７６％）を得た。
１００ｍＬ二口ナスフラスコに４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ（１．００ｇ，４．６９ｍｍｏｌ）を入れてドライアセトニトリル（２５ｍＬ）に溶解し、炭酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）（２．４０ｇ，９．３７ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（２．０ｍＬ，１４．４ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１８時間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（６０ｍＬ×４）、純水（６０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（１０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝１：２）にて精製し、黄色粉体１．８９ｇ（３．５５ｍｍｏｌ，７６％）を得た。
【0153】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 2.86 (4H, s), 3.98 (3H, s), 4.07 (3H, s), 5.80 (2H, s), 7.05 (1H, s), 7.78 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 2.86 (4H, s), 3.98 (3H, s), 4.07 (3H, s), 5.80 (2H, s), 7.05 (1H, s), 7.78 (1H, s).
【0154】
【化34】
【0155】
（Ｓ－ｏｃｔｙｌ Ｏ－［（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ］ ｃａｒｂｏｎａｔｅの合成）
１０ｍＬ二口試験管に（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ（２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅ（０．１０ｇ，０．２８ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（４ｍＬ）に溶解し、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）（０．１４ｇ，１．１４ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．１９ｍＬ，１．１２ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（５０ｍＬ×３）、純水（５０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（３ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製し、黄色固体０．０６ｇ（０．１５ｍｍｏｌ，５２％）を得た。
１０ｍＬ二口試験管に（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ（２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅ（０．１０ｇ，０．２８ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（４ｍＬ）に溶解し、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）（０．１４ｇ，１．１４ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．１９ｍＬ，１．１２ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（５０ｍＬ×３）、純水（５０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（３ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製し、黄色固体０．０６ｇ（０．１５ｍｍｏｌ，５２％）を得た。
【0156】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.88 (3H, t, J = 6.9 Hz), 1.19-1.44 (10H, m), 1.66 (2H, quint, J = 7.5 Hz), 2.90 (2H, t, J = 7.4 Hz), 3.96 (3H, s), 3.99 (3H, s), 5.67 (2H, s) , 7.01 (1H, s), 7.74 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.88 (3H, t, J = 6.9 Hz), 1.19-1.44 (10H, m), 1.66 (2H, quint, J = 7.5 Hz), 2.90 (2H, t, J = 7.4 Hz), 3.96 (3H, s), 3.99 (3H, s), 5.67 (2H, s) , 7.01 (1H, s), 7.74 (1H, s).
【0157】
【化35】
【0158】
＜実施例４＞
（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅの合成）
３０ｍＬ二口ナスフラスコに４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ（０．５０ｇ，２．３４ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解し、トリフェニルホスフィン（０．９２７ｇ，３．５３ｍｍｏｌ）、四臭化炭素（１．１６ｇ，３．５０ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１時間撹拌した。
ろ過後、ろ液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）にて精製し、黄色粉体０．４８ｇ（１．７４ｍｍｏｌ，７４％）を得た。
（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅの合成）
３０ｍＬ二口ナスフラスコに４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ（０．５０ｇ，２．３４ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解し、トリフェニルホスフィン（０．９２７ｇ，３．５３ｍｍｏｌ）、四臭化炭素（１．１６ｇ，３．５０ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１時間撹拌した。
ろ過後、ろ液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）にて精製し、黄色粉体０．４８ｇ（１．７４ｍｍｏｌ，７４％）を得た。
【0159】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 3.97 (3H, s), 4.00 (3H, s), 4.88 (2H, s) , 6.95 (1H, s), 7.68 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 3.97 (3H, s), 4.00 (3H, s), 4.88 (2H, s) , 6.95 (1H, s), 7.68 (1H, s).
【0160】
【化36】
【0161】
（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ｏｃｔｙｌ ｓｕｌｆｉｄｅの合成）
１００ｍＬ二口ナスフラスコにドライアセトニトリル（３０ｍＬ）、炭酸カリウム（０．５７ｇ，４．１４ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．６１ｇ，４．１４ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、室温で２時間撹拌した。４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅ（０．８０ｇ，２．９０ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、５時間還流した。
濃縮後、クロロホルム（７０ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（４ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝６：１）にて精製し、黄色粉体０．５６ｇ（１．６５ｍｍｏｌ，５６％）を得た。
１００ｍＬ二口ナスフラスコにドライアセトニトリル（３０ｍＬ）、炭酸カリウム（０．５７ｇ，４．１４ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．６１ｇ，４．１４ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、室温で２時間撹拌した。４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅ（０．８０ｇ，２．９０ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、５時間還流した。
濃縮後、クロロホルム（７０ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（４ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝６：１）にて精製し、黄色粉体０．５６ｇ（１．６５ｍｍｏｌ，５６％）を得た。
【0162】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.88 (3H, t, J = 6.9 Hz), 1.19-1.40 (10H, m), 1.49-1.61 (2H, m), 2.49 (2H, t, J = 7.5 Hz), 3.94 (3H, s), 3.98 (3H, s), 4.10 (2H, s) , 6.96 (1H, s), 7.62 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.88 (3H, t, J = 6.9 Hz), 1.19-1.40 (10H, m), 1.49-1.61 (2H, m), 2.49 (2H, t, J = 7.5 Hz), 3.94 (3H, s), 3.98 (3H, s), 4.10 (2H, s) , 6.96 (1H, s), 7.62 (1H, s).
【0163】
【化37】
【0164】
＜実施例５＞
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈａｎｏｎｅの合成）
５００ｍＬナスフラスコに３，４－ジメトキシアセトフェノン（５０．１ｇ，２７８ｍｍｏｌ）を入れて酢酸（２００ｍＬ）に溶解し、氷浴上で発煙硝酸（４７．６ｍＬ，１１２８ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で９０分間撹拌した。反応溶液を冷水（１５００ｍＬ）に注ぎ、吸引ろ過し、純水、ヘキサンで順次洗浄した。徐冷法にて再結晶（エタノール）し、黄色結晶４２．３ｇ（１８８ｍｍｏｌ，６８％）を得た。
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈａｎｏｎｅの合成）
５００ｍＬナスフラスコに３，４－ジメトキシアセトフェノン（５０．１ｇ，２７８ｍｍｏｌ）を入れて酢酸（２００ｍＬ）に溶解し、氷浴上で発煙硝酸（４７．６ｍＬ，１１２８ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で９０分間撹拌した。反応溶液を冷水（１５００ｍＬ）に注ぎ、吸引ろ過し、純水、ヘキサンで順次洗浄した。徐冷法にて再結晶（エタノール）し、黄色結晶４２．３ｇ（１８８ｍｍｏｌ，６８％）を得た。
【0165】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 2.51 (3H, s), 3.99 (3H, s), 4.02 (3H, s), 6.76 (1H, s), 7.62 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 2.51 (3H, s), 3.99 (3H, s), 4.02 (3H, s), 6.76 (1H, s), 7.62 (1H, s).
【0166】
【化38】
【0167】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈａｎｏｌの合成）
３００ｍＬナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈａｎｏｎｅ（８．７８ｇ，３９．０ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）、メタノール（５０ｍＬ）に溶解し、氷浴上で水素化ホウ素ナトリウム（２．０６ｇ，５８．５ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加後、０℃で３０分間撹拌し、更に室温で２時間撹拌した。
濃縮後、ジクロロメタン（１００ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（３０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、黄色固体８．２８ｇ（３６．４ｍｍｏｌ，９６％）を得た。
３００ｍＬナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈａｎｏｎｅ（８．７８ｇ，３９．０ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）、メタノール（５０ｍＬ）に溶解し、氷浴上で水素化ホウ素ナトリウム（２．０６ｇ，５８．５ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加後、０℃で３０分間撹拌し、更に室温で２時間撹拌した。
濃縮後、ジクロロメタン（１００ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（３０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、黄色固体８．２８ｇ（３６．４ｍｍｏｌ，９６％）を得た。
【0168】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.57 (3H, d, J = 6.3 Hz), 2.26 (1H, d, J = 3.7 Hz), 3.95 (3H, s), 4.01 (3H, s), 4.97 (1H, qd, J = 6.3, 3.7 Hz), 7.31 (1H, s), 7.58 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.57 (3H, d, J = 6.3 Hz), 2.26 (1H, d, J = 3.7 Hz), 3.95 (3H, s), 4.01 (3H, s), 4.97 (1H, qd, J = 6.3, 3.7 Hz), 7.31 (1H, s), 7.58 (1H, s).
【0169】
【化39】
【0170】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈｙｌ （２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ） ｃａｒｂｏｎａｔｅの合成）
１００ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈａｎｏｌ（１．００ｇ，４．４３ｍｍｏｌ）を入れてドライアセトニトリル（１５ｍＬ）に溶解し、炭酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）（１．７１ｇ，６．６８ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（１．８ｍＬ，１３．０ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１８時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（８０ｍＬ×４）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（１０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）にて精製し、黄色粉体０．６９ｇ（１．８７ｍｍｏｌ，４３％）を得た。
１００ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈａｎｏｌ（１．００ｇ，４．４３ｍｍｏｌ）を入れてドライアセトニトリル（１５ｍＬ）に溶解し、炭酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）（１．７１ｇ，６．６８ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（１．８ｍＬ，１３．０ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１８時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（８０ｍＬ×４）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（１０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）にて精製し、黄色粉体０．６９ｇ（１．８７ｍｍｏｌ，４３％）を得た。
【0171】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.77 (3H, d, J = 6.4 Hz), 2.80 (4H, s), 3.96 (3H, s), 4.07 (3H, s), 6.51 (1H, q, J = 6.4 Hz), 7.08 (1H, s), 7.65 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.77 (3H, d, J = 6.4 Hz), 2.80 (4H, s), 3.96 (3H, s), 4.07 (3H, s), 6.51 (1H, q, J = 6.4 Hz), 7.08 (1H, s), 7.65 (1H, s).
【0172】
【化40】
【0173】
（Ｓ－ｏｃｔｙｌ Ｏ－［１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈｙｌ］ ｃａｒｂｏｎａｔｅの合成）
２０ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈｙｌ（２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅ（０．３７ｇ，１．００ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解し、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）（０．２５ｇ，４．０１ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．６８ｍＬ，３．９２ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（２０ｍＬ×３）、純水（５０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（５ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）にて精製し、黄色固体０．１８ｇ（０．４５ｍｍｏｌ，４５％）を得た。
２０ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈｙｌ（２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅ（０．３７ｇ，１．００ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解し、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）（０．２５ｇ，４．０１ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．６８ｍＬ，３．９２ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（２０ｍＬ×３）、純水（５０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（５ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）にて精製し、黄色固体０．１８ｇ（０．４５ｍｍｏｌ，４５％）を得た。
【0174】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.9 Hz), 1.27-1.39 (10H, m), 1.43-1.62 (2H, m), 1.65 (3H, d, J = 6.4 Hz), 2.74-2.87 (2H, m), 3.94 (3H, s), 3.99 (3H, s), 6.58 (1H, q, J = 6.4 Hz), 7.02 (1H, s), 7.61 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.9 Hz), 1.27-1.39 (10H, m), 1.43-1.62 (2H, m), 1.65 (3H, d, J = 6.4 Hz), 2.74-2.87 (2H, m), 3.94 (3H, s), 3.99 (3H, s), 6.58 (1H, q, J = 6.4 Hz), 7.02 (1H, s), 7.61 (1H, s).
【0175】
【化41】
【0176】
＜実施例６＞
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅの合成）
２００ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈａｎｏｌ（１０．１ｇ，４４．４ｍｍｏｌ）を入れてドライジクロロメタン（３００ｍＬ）に溶解し、窒素雰囲気下、氷浴下でドライジクロロメタン（５０ｍＬ）に溶解した三臭化リン（１５．２ｇ，５６．２ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で１時間撹拌した。
純水（１５０ｍＬ）を加えて有機層を回収し、水層を塩化メチレン（１００ｍＬ×２）で抽出、有機層を合わせて飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製し、黄色粘体８．９４ｇ（３０．８ｍｍｏｌ，７０％）を得た。
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅの合成）
２００ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈａｎｏｌ（１０．１ｇ，４４．４ｍｍｏｌ）を入れてドライジクロロメタン（３００ｍＬ）に溶解し、窒素雰囲気下、氷浴下でドライジクロロメタン（５０ｍＬ）に溶解した三臭化リン（１５．２ｇ，５６．２ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で１時間撹拌した。
純水（１５０ｍＬ）を加えて有機層を回収し、水層を塩化メチレン（１００ｍＬ×２）で抽出、有機層を合わせて飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製し、黄色粘体８．９４ｇ（３０．８ｍｍｏｌ，７０％）を得た。
【0177】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 2.07 (3H, d, J = 6.9 Hz), 3.95 (3H, s), 4.02 (3H, s), 6.04 (1H, q, J = 6.9 Hz) 7.28 (1H, s), 7.46 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 2.07 (3H, d, J = 6.9 Hz), 3.95 (3H, s), 4.02 (3H, s), 6.04 (1H, q, J = 6.9 Hz) 7.28 (1H, s), 7.46 (1H, s).
【0178】
【化42】
【0179】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈｙｌ ｏｃｔｙｌ ｓｕｌｆｉｄｅの合成）
１００ｍＬ二口ナスフラスコにドライアセトニトリル（３０ｍＬ）、炭酸カリウム（０．５２ｇ，４．０７ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．７１ｍＬ，４．０７ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、室温で２時間撹拌した。１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅ（０．８４ｇ，２．９１ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、４時間還流した。
濃縮後、クロロホルム（７０ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（４ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）にて精製し、黄色粉体０．５８ｇ（１．６５ｍｍｏｌ，５７％）を得た。
１００ｍＬ二口ナスフラスコにドライアセトニトリル（３０ｍＬ）、炭酸カリウム（０．５２ｇ，４．０７ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．７１ｍＬ，４．０７ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、室温で２時間撹拌した。１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｅｔｈｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅ（０．８４ｇ，２．９１ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、４時間還流した。
濃縮後、クロロホルム（７０ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（４ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）にて精製し、黄色粉体０．５８ｇ（１．６５ｍｍｏｌ，５７％）を得た。
【0180】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.9 Hz), 1.14-1.37 (10H, m), 1.39-1.51 (2H, m), 1.57 (3H, d, J = 7.0 Hz), 2.21-2.32 (1H, m), 2.32-2.43 (1H, m), 3.94 (3H, s), 3.99 (3H, s), 4.85 (1H, q, J = 7.0 Hz), 7.35 (1H, s), 7.41 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.9 Hz), 1.14-1.37 (10H, m), 1.39-1.51 (2H, m), 1.57 (3H, d, J = 7.0 Hz), 2.21-2.32 (1H, m), 2.32-2.43 (1H, m), 3.94 (3H, s), 3.99 (3H, s), 4.85 (1H, q, J = 7.0 Hz), 7.35 (1H, s), 7.41 (1H, s).
【0181】
【化43】
【0182】
＜実施例７＞
（１－（３，４－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅの合成）
５００ｍＬナスフラスコに１，２－ジメトキシベンゼン（６４．８ｍＬ，５０８ｍｍｏｌ）、イソ酪酸無水物（９３．０ｍＬ，５７６ｍｍｏｌ）を入れてヨウ素（７．７２ｇ，３０．４ｍｍｏｌ）を添加し、室温で２時間半撹拌した。飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液（５０ｍＬ）で洗浄後、酢酸エチル（１００ｍＬ×３）、純水（１５０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、褐色粘体７３．１ｇ（３５１ｍｍｏｌ，６９％）を得た。
（１－（３，４－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅの合成）
５００ｍＬナスフラスコに１，２－ジメトキシベンゼン（６４．８ｍＬ，５０８ｍｍｏｌ）、イソ酪酸無水物（９３．０ｍＬ，５７６ｍｍｏｌ）を入れてヨウ素（７．７２ｇ，３０．４ｍｍｏｌ）を添加し、室温で２時間半撹拌した。飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液（５０ｍＬ）で洗浄後、酢酸エチル（１００ｍＬ×３）、純水（１５０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、褐色粘体７３．１ｇ（３５１ｍｍｏｌ，６９％）を得た。
【0183】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.22 (6H, d, J = 6.9 Hz), 3.56 (1H, sept, J = 6.9 Hz), 3.94 (3H, s), 3.95 (3H, s), 6.90 (1H, d, J = 8.5 Hz), 7.55 (1H, d, J = 2.0 Hz), 7.60 (1H, dd, J = 8.5, 2.0 Hz).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.22 (6H, d, J = 6.9 Hz), 3.56 (1H, sept, J = 6.9 Hz), 3.94 (3H, s), 3.95 (3H, s), 6.90 (1H, d, J = 8.5 Hz), 7.55 (1H, d, J = 2.0 Hz), 7.60 (1H, dd, J = 8.5, 2.0 Hz).
【0184】
【化44】
【0185】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅの合成）
２００ｍＬナスフラスコに１－（３，４－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅ（１３．６ｇ，６５．１ｍｍｏｌ）を入れて酢酸（３２．５ｍＬ）に溶解し、氷浴上で発煙硝酸（１０．８ｍＬ，２６０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で２時間撹拌した。
反応溶液を冷水（８００ｍＬ）に注ぎ、吸引ろ過し、純水、ヘキサンで順次洗浄した。徐冷法にて再結晶（エタノール）し、黄色結晶９．５６ｇ（３７．８ｍｍｏｌ，５８％）を得た。
２００ｍＬナスフラスコに１－（３，４－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅ（１３．６ｇ，６５．１ｍｍｏｌ）を入れて酢酸（３２．５ｍＬ）に溶解し、氷浴上で発煙硝酸（１０．８ｍＬ，２６０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で２時間撹拌した。
反応溶液を冷水（８００ｍＬ）に注ぎ、吸引ろ過し、純水、ヘキサンで順次洗浄した。徐冷法にて再結晶（エタノール）し、黄色結晶９．５６ｇ（３７．８ｍｍｏｌ，５８％）を得た。
【0186】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.22 (6H, d, J = 7.0 Hz), 2.91 (1H, sept, J = 7.0 Hz), 3.98 (3H, s), 3.99 (3H, s), 6.69 (1H, s), 7.66 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.22 (6H, d, J = 7.0 Hz), 2.91 (1H, sept, J = 7.0 Hz), 3.98 (3H, s), 3.99 (3H, s), 6.69 (1H, s), 7.66 (1H, s).
【0187】
【化45】
【0188】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐａｎｏｌの合成）
３００ｍＬナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅ（１０．２ｇ，４０．４ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン（８０ｍＬ）、メタノール（４０ｍＬ）に溶解し、氷浴上で水素化ホウ素ナトリウム（２．３２ｇ，６１．３ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加後、０℃で３０分間撹拌し、更に室温で２時間撹拌した。
濃縮後、ジクロロメタン（１００ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（３５ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、黄色固体１０．２ｇ（４０．０ｍｍｏｌ，９９％）を得た。
３００ｍＬナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅ（１０．２ｇ，４０．４ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン（８０ｍＬ）、メタノール（４０ｍＬ）に溶解し、氷浴上で水素化ホウ素ナトリウム（２．３２ｇ，６１．３ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加後、０℃で３０分間撹拌し、更に室温で２時間撹拌した。
濃縮後、ジクロロメタン（１００ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（３５ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、黄色固体１０．２ｇ（４０．０ｍｍｏｌ，９９％）を得た。
【0189】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.96 (6H, d, J = 6.8 Hz), 1.97-2.11 (1H, m), 2.18 (1H, br s), 3.95 (3H, s), 3.99 (3H, s), 5.27 (1H, br d, J =3.6 Hz), 7.21 (1H, s), 7.57 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.96 (6H, d, J = 6.8 Hz), 1.97-2.11 (1H, m), 2.18 (1H, br s), 3.95 (3H, s), 3.99 (3H, s), 5.27 (1H, br d, J =3.6 Hz), 7.21 (1H, s), 7.57 (1H, s).
【0190】
【化46】
【0191】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ（２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅの合成）
５０ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐａｎｏｌ（４．３ｇ，１６．８ｍｍｏｌ）を入れてドライアセトニトリル（３０ｍＬ）に溶解し、炭酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）（８．９２ｇ，３４．８ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（４．７ｍＬ，３３．９ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１８時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（５０ｍＬ×４）、純水（５０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（１０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）にて精製し、黄色粉体０．５２ｇ（４．２４ｍｍｏｌ，６４％）を得た。
５０ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐａｎｏｌ（４．３ｇ，１６．８ｍｍｏｌ）を入れてドライアセトニトリル（３０ｍＬ）に溶解し、炭酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）（８．９２ｇ，３４．８ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（４．７ｍＬ，３３．９ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１８時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（５０ｍＬ×４）、純水（５０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（１０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）にて精製し、黄色粉体０．５２ｇ（４．２４ｍｍｏｌ，６４％）を得た。
【0192】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.04 (3H, d, J = 6.9 Hz), 1.10 (3H, d, J = 6.9 Hz), 2.23-2.31 (1H, m), 2.79 (4H, s), 3.95 (3H, s), 4.06 (3H, s), 6.41 (1H, d, J = 5.0 Hz), 6.97 (1H, s), 7.67 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.04 (3H, d, J = 6.9 Hz), 1.10 (3H, d, J = 6.9 Hz), 2.23-2.31 (1H, m), 2.79 (4H, s), 3.95 (3H, s), 4.06 (3H, s), 6.41 (1H, d, J = 5.0 Hz), 6.97 (1H, s), 7.67 (1H, s).
【0193】
【化47】
【0194】
（Ｓ－ｏｃｔｙｌ Ｏ－（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅの合成）
１０ｍＬ二口試験管に１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ （２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ） ｃａｒｂｏｎａｔｅ（９８．５ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（２ｍＬ）に溶解し、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）（６４．３ｍｇ，０．５３ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．０８７ｍＬ，０．５０ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（６０ｍＬ×３）、純水（６０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（２ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製し、黄色固体４３．６ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ，４１％）を得た。
１０ｍＬ二口試験管に１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ （２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ） ｃａｒｂｏｎａｔｅ（９８．５ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（２ｍＬ）に溶解し、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）（６４．３ｍｇ，０．５３ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．０８７ｍＬ，０．５０ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（６０ｍＬ×３）、純水（６０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（２ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製し、黄色固体４３．６ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ，４１％）を得た。
【0195】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.6 Hz), 1.00 (3H, d, J = 6.9 Hz), 1.02 (3H, d, J = 6.9 Hz), 1.18-1.39 (10H, m), 1.53-1.63 (2H, m), 2.12-2.24 (1H, m), 2.74-2.86 (2H, m), 3.95 (3H, s), 3.97 (3H, s), 6.47 (1H, d, J = 5.5 Hz), 6.92 (1H, s), 7.63 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.6 Hz), 1.00 (3H, d, J = 6.9 Hz), 1.02 (3H, d, J = 6.9 Hz), 1.18-1.39 (10H, m), 1.53-1.63 (2H, m), 2.12-2.24 (1H, m), 2.74-2.86 (2H, m), 3.95 (3H, s), 3.97 (3H, s), 6.47 (1H, d, J = 5.5 Hz), 6.92 (1H, s), 7.63 (1H, s).
【0196】
【化48】
【0197】
＜実施例８＞
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅの合成）
５００ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐａｎｏｌ（３．１７ｇ，１２．４ｍｍｏｌ）を入れてドライベンゼン（２５０ｍＬ）に溶解し、ピリジン（０．５ｍＬ，６．２０ｍｍｏｌ）を添加し、窒素雰囲気下、氷浴下でドライベンゼン（１００ｍＬ）に溶解した三臭化リン（１．８０ｍＬ，１９．０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で２時間撹拌した。
純水（１０ｍＬ）を加えて濃縮後、酢酸エチル（１００ｍＬ×３）、純水（１５０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝５：１）にて精製し、黄色粘体２．０５ｇ（６．４４ｍｍｏｌ，５２％）を得た。
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅの合成）
５００ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐａｎｏｌ（３．１７ｇ，１２．４ｍｍｏｌ）を入れてドライベンゼン（２５０ｍＬ）に溶解し、ピリジン（０．５ｍＬ，６．２０ｍｍｏｌ）を添加し、窒素雰囲気下、氷浴下でドライベンゼン（１００ｍＬ）に溶解した三臭化リン（１．８０ｍＬ，１９．０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で２時間撹拌した。
純水（１０ｍＬ）を加えて濃縮後、酢酸エチル（１００ｍＬ×３）、純水（１５０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝５：１）にて精製し、黄色粘体２．０５ｇ（６．４４ｍｍｏｌ，５２％）を得た。
【0198】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.94 (3H, d, J = 6.8 Hz), 1.22 (3H, d, J = 6.6 Hz), 2.23-2.35 (1H, m), 3.95 (3H, s), 3.99 (3H, s), 5.73 (1H, d, J = 8.0 Hz) , 7.22 (1H, s), 7.45 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.94 (3H, d, J = 6.8 Hz), 1.22 (3H, d, J = 6.6 Hz), 2.23-2.35 (1H, m), 3.95 (3H, s), 3.99 (3H, s), 5.73 (1H, d, J = 8.0 Hz) , 7.22 (1H, s), 7.45 (1H, s).
【0199】
【化49】
【0200】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ ｏｃｔｙｌ ｓｕｌｆｉｄｅの合成）
５０ｍＬ二口ナスフラスコにドライアセトニトリル（１０ｍＬ）、炭酸カリウム（７３．０ｍｇ，０．５３ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．１０ｍＬ，０．５８ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、室温で２時間撹拌した。１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅ （０．１１ｇ，０．３５ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、４時間還流した。
濃縮後、クロロホルム（３０ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（２ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）にて精製し、黄色粉体１２．５ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ，９％）を得た。
５０ｍＬ二口ナスフラスコにドライアセトニトリル（１０ｍＬ）、炭酸カリウム（７３．０ｍｇ，０．５３ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．１０ｍＬ，０．５８ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、室温で２時間撹拌した。１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ ｂｒｏｍｉｄｅ （０．１１ｇ，０．３５ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、４時間還流した。
濃縮後、クロロホルム（３０ｍＬ×３）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（２ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）にて精製し、黄色粉体１２．５ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ，９％）を得た。
【0201】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.7 Hz), 0.89 (3H, d, J = 6.6 Hz), 1.11 (3H, d, J = 6.7 Hz), 1.14-1.36 (10H, m), 1.39-1.50 (2H, m), 1.94-2.07 (1H, m), 2.16-2.26 (1H, m), 2.29-2.40 (1H, m), 3.94 (3H, s), 3.98 (3H, s), 4.60 (1H, d, J = 8.1 Hz), 7.32 (1H, s), 7.38 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.7 Hz), 0.89 (3H, d, J = 6.6 Hz), 1.11 (3H, d, J = 6.7 Hz), 1.14-1.36 (10H, m), 1.39-1.50 (2H, m), 1.94-2.07 (1H, m), 2.16-2.26 (1H, m), 2.29-2.40 (1H, m), 3.94 (3H, s), 3.98 (3H, s), 4.60 (1H, d, J = 8.1 Hz), 7.32 (1H, s), 7.38 (1H, s).
【0202】
【化50】
【0203】
＜実施例９＞
（１－（３，４－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅの合成）
２００ｍＬナスフラスコに１，２－ジメトキシベンゼン（２７．７ｍＬ，２１７ｍｍｏｌ）、ピバル酸無水物（４４．０ｍＬ，２１７ｍｍｏｌ）を入れてヨウ素（３．３０ｇ，１３．０ｍｍｏｌ）を添加し、室温で２０時間撹拌した。飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）で洗浄後、酢酸エチル（１００ｍＬ×３）、純水（１５０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ×２）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、褐色粘体３１．５ｇ（１４２ｍｍｏｌ，６５％）を得た。
（１－（３，４－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅの合成）
２００ｍＬナスフラスコに１，２－ジメトキシベンゼン（２７．７ｍＬ，２１７ｍｍｏｌ）、ピバル酸無水物（４４．０ｍＬ，２１７ｍｍｏｌ）を入れてヨウ素（３．３０ｇ，１３．０ｍｍｏｌ）を添加し、室温で２０時間撹拌した。飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）で洗浄後、酢酸エチル（１００ｍＬ×３）、純水（１５０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ×２）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、褐色粘体３１．５ｇ（１４２ｍｍｏｌ，６５％）を得た。
【0204】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.39 (9H, s), 3.92 (3H, s), 3.94 (3H, s), 6.85 (1H, d, J = 8.6 Hz), 7.42 (1H, d, J = 2.0 Hz), 7.55 (1H, dd, J = 8.6, 2.0 Hz).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.39 (9H, s), 3.92 (3H, s), 3.94 (3H, s), 6.85 (1H, d, J = 8.6 Hz), 7.42 (1H, d, J = 2.0 Hz), 7.55 (1H, dd, J = 8.6, 2.0 Hz).
【0205】
【化51】
【0206】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅの合成）
２００ｍＬナスフラスコに１－（３，４－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅ（１６．３ｇ，７３．３ｍｍｏｌ）を入れて酢酸（２５ｍＬ）に溶解し、氷浴上で発煙硝酸（４５ｍＬ，１０６７ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で２時間撹拌した。反応溶液を冷水（１５００ｍＬ）に注ぎ、吸引ろ過し、純水、ヘキサンで順次洗浄した。徐冷法にて再結晶（エタノール）し、黄色結晶５．６４ｇ（２１．１ｍｍｏｌ，２９％）を得た。
２００ｍＬナスフラスコに１－（３，４－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅ（１６．３ｇ，７３．３ｍｍｏｌ）を入れて酢酸（２５ｍＬ）に溶解し、氷浴上で発煙硝酸（４５ｍＬ，１０６７ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃で２時間撹拌した。反応溶液を冷水（１５００ｍＬ）に注ぎ、吸引ろ過し、純水、ヘキサンで順次洗浄した。徐冷法にて再結晶（エタノール）し、黄色結晶５．６４ｇ（２１．１ｍｍｏｌ，２９％）を得た。
【0207】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.26 (9H, s), 3.98 (3H, s), 3.99 (3H, s), 6.59 (1H, s), 7.70 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.26 (9H, s), 3.98 (3H, s), 3.99 (3H, s), 6.59 (1H, s), 7.70 (1H, s).
【0208】
【化52】
【0209】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐａｎｏｌの合成）
３００ｍＬナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅ（５．６４ｇ，２１．１ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン（１４０ｍＬ）、メタノール（８４ｍＬ）に溶解し、氷浴上で水素化ホウ素ナトリウム（２．００ｇ，５２．８ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加後、０℃で３０分間撹拌し、更に室温で２時間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（１００ｍＬ×４）、純水（１５０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（３５ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、黄色固体５．５８ｇ（２０．７ｍｍｏｌ，９８％）を得た。
３００ｍＬナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｐｒｏｐａｎｏｎｅ（５．６４ｇ，２１．１ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン（１４０ｍＬ）、メタノール（８４ｍＬ）に溶解し、氷浴上で水素化ホウ素ナトリウム（２．００ｇ，５２．８ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加後、０℃で３０分間撹拌し、更に室温で２時間撹拌した。
濃縮後、酢酸エチル（１００ｍＬ×４）、純水（１５０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（３５ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、黄色固体５．５８ｇ（２０．７ｍｍｏｌ，９８％）を得た。
【0210】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.90 (9H, s), 2.05 (1H, d, J = 3.6 Hz), 3.94 (3H, s), 3.97 (3H, s), 5.63 (1H, d, J =3.3 Hz), 7.24 (1H, s), 7.45 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.90 (9H, s), 2.05 (1H, d, J = 3.6 Hz), 3.94 (3H, s), 3.97 (3H, s), 5.63 (1H, d, J =3.3 Hz), 7.24 (1H, s), 7.45 (1H, s).
【0211】
【化53】
【0212】
（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ（２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅの合成）
１００ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐａｎｏｌ（１．００ｇ，３．７２ｍｍｏｌ）を入れてドライアセトニトリル（１５ｍＬ）に溶解し、炭酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）（１．４４ｇ，５．６３ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（１．５６ｍＬ，１１．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１８時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（８０ｍＬ×４）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（１０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）にて精製し、黄色粉体０．６５ｇ（１．５９ｍｍｏｌ，４３％）を得た。
１００ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐａｎｏｌ（１．００ｇ，３．７２ｍｍｏｌ）を入れてドライアセトニトリル（１５ｍＬ）に溶解し、炭酸ジ（Ｎ－スクシンイミジル）（１．４４ｇ，５．６３ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（１．５６ｍＬ，１１．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で１８時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（８０ｍＬ×４）、純水（１００ｍＬ）、２Ｎ塩酸（１０ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）にて精製し、黄色粉体０．６５ｇ（１．５９ｍｍｏｌ，４３％）を得た。
【0213】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.02 (9H, s), 2.79 (4H, s), 3.95 (3H, s), 4.04 (3H, s), 6.71 (1H, s), 6.98 (1H, s), 7.60 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 1.02 (9H, s), 2.79 (4H, s), 3.95 (3H, s), 4.04 (3H, s), 6.71 (1H, s), 6.98 (1H, s), 7.60 (1H, s).
【0214】
【化54】
【0215】
（Ｓ－ｏｃｔｙｌ Ｏ－（１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅの合成）
２０ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ（２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅ（０．３１ｇ，０．７３ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解し、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）（０．３７ｍｇ，２．９２ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．５１ｍＬ，２．９２ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で２０時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（１０ｍＬ×３）、純水（３０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（６ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）にて精製し、黄色固体０．１８ｇ（０．４１ｍｍｏｌ，５６％）を得た。
２０ｍＬ二口ナスフラスコに１－（４，５－ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ－２－ｎｉｔｒｏｐｈｅｎｙｌ）－２，２－ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ（２，５－ｄｉｏｘｏ－１－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅ（０．３１ｇ，０．７３ｍｍｏｌ）を入れてドライテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解し、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）（０．３７ｍｇ，２．９２ｍｍｏｌ）、１－オクタンチオール（０．５１ｍＬ，２．９２ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、室温で２０時間撹拌した。
濃縮後、クロロホルム（１０ｍＬ×３）、純水（３０ｍＬ）、２Ｎ塩酸（６ｍＬ）を加えて抽出、有機層を飽和食塩水（５０ｍＬ）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）にて精製し、黄色固体０．１８ｇ（０．４１ｍｍｏｌ，５６％）を得た。
【0216】
１Ｈ－ＮＭＲ（日本電子株式会社、４００ＭＨｚ）の測定結果及び反応式を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.8 Hz), 0.97 (9H, s), 1.17-1.39 (10H, m), 1.52-1.63 (2H, m), 2.73-2.88 (2H, m), 3.94 (3H, s), 3.95 (3H, s), 6.77 (1H, s), 6.92 (1H, s), 7.57 (1H, s).
1H-NMR (CDCl3/TMS, 400 MHz): δ 0.87 (3H, t, J = 6.8 Hz), 0.97 (9H, s), 1.17-1.39 (10H, m), 1.52-1.63 (2H, m), 2.73-2.88 (2H, m), 3.94 (3H, s), 3.95 (3H, s), 6.77 (1H, s), 6.92 (1H, s), 7.57 (1H, s).
【0217】
【化55】
【0218】
実施例３～９で製造した化合物を、それぞれアセトニトリルに溶解して０．１ｍＭ溶液を調製した。超高圧水銀灯で３６５ｎｍバンドパスフィルタ及び水フィルタを介して、波長３６５ｎｍ、照度２５ｍＷ／ｃｍ２の光を０，５，１０，１５，２０，２５及び３０秒間照射し、それぞれＨＰＬＣ測定した。
【0219】
ＨＰＬＣ測定より得られた原料のピーク面積（Ｓ０：光照射前の面積、Ｓｔ：光照射ｔ秒後の面積）を下記の式に代入して、原料の減少率から光分解速度定数ｋ（ｓ-1）を求めた。その結果を表１に示す。
【0220】
【数1】
【0221】
【表1】
【0222】
実施例３～９で製造した化合物は、いずれも光分解速度定数が０を超え、光分解したことが確認できた。実施例３～９で製造した化合物は、光照射するといずれもチオールを生成するため、実施例２と同様に任意の位置に選択的にチオールをパターニングすることが可能である。
【0223】
実施例３～９の化合物において、ベンジル位に置換基Ｒを導入すると無置換（Ｒ＝Ｈ）よりも光分解速度が向上することが確認できた。同Ｒで比較すると、チオカーボナートよりもスルフィドのほうが速く光分解した。ベンジル位にメチル基（Ｍｅ）をもつスルフィドが最速である知見を得た。
【符号の説明】
【0224】
１１：基板、１０ａ：感光性表面処理剤、１０：感光性表面処理剤層、１３：フォトマスク、１４：チオール発生部、１２：チオール未発生部、１５：触媒層、１６：めっき層、１７：絶縁体層、１８：めっき層（ソース電極）、１９：めっき層（ドレイン電極）、２１：半導体層
【図1】
【図2】
【図3】
