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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023027754
(43)【公開日】2023-03-02
(54)【発明の名称】プラズマ処理装置及びエッチング方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20230222BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20230222BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20230222BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101B
H01L21/68 N
H05H1/46 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022116904
(22)【出願日】2022-07-22
(31)【優先権主張番号】P 2021132675
(32)【優先日】2021-08-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】鳥井 夏実
(72)【発明者】
【氏名】永海 幸一
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
5F131
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084BB07
2G084BB14
2G084CC05
2G084CC08
2G084CC12
2G084CC13
2G084CC33
2G084DD02
2G084DD15
2G084DD23
2G084DD37
2G084DD38
2G084DD55
2G084FF04
2G084FF15
2G084FF38
2G084HH02
2G084HH08
2G084HH22
2G084HH43
5F004AA16
5F004BA09
5F004BB12
5F004BB13
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB25
5F004BB28
5F004CA06
5F131AA02
5F131BA19
5F131CA04
5F131EA03
5F131EB11
5F131EB72
5F131EB82
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理において基板のエッジ領域に対するプラズマ中のイオンの入射角度を適切に制御する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、下部電極と静電チャックとエッジリングとを含む基板支持体と、エッジリングを縦方向に移動させる駆動装置と、基板支持体の上方に配置される上部電極と、ソースＲＦ電力を上部電極又は下部電極に供給するソースＲＦ電源と、バイアスＲＦ電力を下部電極に供給するバイアスＲＦ電源と、エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、少なくとも１つの導体を介してエッジリングに負極性の直流電圧を印加する直流電源と、少なくとも１つの導体と直流電源との間に電気的に接続され、少なくとも１つの可変受動素子を含むＲＦフィルタと、駆動装置及び少なくとも１つの可変受動素子を制御して、基板のエッジ領域に対するプラズマ中のイオンの入射角度を調整する制御部と、備える。
【選択図】図１６
【解決手段】プラズマ処理装置は、下部電極と静電チャックとエッジリングとを含む基板支持体と、エッジリングを縦方向に移動させる駆動装置と、基板支持体の上方に配置される上部電極と、ソースＲＦ電力を上部電極又は下部電極に供給するソースＲＦ電源と、バイアスＲＦ電力を下部電極に供給するバイアスＲＦ電源と、エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、少なくとも１つの導体を介してエッジリングに負極性の直流電圧を印加する直流電源と、少なくとも１つの導体と直流電源との間に電気的に接続され、少なくとも１つの可変受動素子を含むＲＦフィルタと、駆動装置及び少なくとも１つの可変受動素子を制御して、基板のエッジ領域に対するプラズマ中のイオンの入射角度を調整する制御部と、備える。
【選択図】図１６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングを縦方向に移動させるように構成される駆動装置と、
前記基板支持体の上方に配置される上部電極と、
前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成するためにソースＲＦ電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソースＲＦ電源と、
バイアスＲＦ電力を前記下部電極に供給するように構成されるバイアスＲＦ電源と、
前記エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体を介して前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加するように構成される直流電源と、
前記少なくとも１つの導体と前記直流電源との間に電気的に接続され、少なくとも１つの可変受動素子を含むＲＦフィルタと、
前記駆動装置及び前記少なくとも１つの可変受動素子を制御して、前記静電チャック上に載置された基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整するように構成される制御部と、
備える、プラズマ処理装置。
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングを縦方向に移動させるように構成される駆動装置と、
前記基板支持体の上方に配置される上部電極と、
前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成するためにソースＲＦ電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソースＲＦ電源と、
バイアスＲＦ電力を前記下部電極に供給するように構成されるバイアスＲＦ電源と、
前記エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体を介して前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加するように構成される直流電源と、
前記少なくとも１つの導体と前記直流電源との間に電気的に接続され、少なくとも１つの可変受動素子を含むＲＦフィルタと、
前記駆動装置及び前記少なくとも１つの可変受動素子を制御して、前記静電チャック上に載置された基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整するように構成される制御部と、
備える、プラズマ処理装置。
【請求項2】
前記駆動装置は、
前記エッジリングを支持するように構成されるリフターピンと、
前記リフターピンを縦方向に移動させるように構成される駆動源と、を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記エッジリングを支持するように構成されるリフターピンと、
前記リフターピンを縦方向に移動させるように構成される駆動源と、を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
前記リフターピンは、少なくとも表面が絶縁材料で形成される、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
前記少なくとも１つの導体は、前記リフターピン内で縦方向に延在する導電性ワイヤを含み、
前記導電性ワイヤの一端は、前記エッジリングと接触している、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性ワイヤの一端は、前記エッジリングと接触している、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記少なくとも１つの導体は、前記エッジリングと接触する導電性弾性部材を含む、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
前記導電性弾性部材は、前記リフターピン内に配置される、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】
前記導電性弾性部材は、前記エッジリングと前記静電チャックとの間に配置される、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】
前記エッジリングと前記静電チャックとの間に配置される追加のエッジリングをさらに備える、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項9】
前記追加のエッジリングは、絶縁材料で形成され、前記導電性弾性部材よりも内側に配置される、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項10】
前記エッジリングは、その下面に突起部を有する、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項11】
前記追加のエッジリングは、導電性材料で形成され、
前記導電性弾性部材は、前記エッジリングと前記追加のエッジリングとの間に配置される、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性弾性部材は、前記エッジリングと前記追加のエッジリングとの間に配置される、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項12】
前記エッジリングは、前記少なくとも１つの導体と接触する少なくとも１つの導電膜を有する、請求項１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項13】
前記少なくとも１つの導体は、平面視で前記エッジリングの周方向に沿って等間隔に配置される複数の導体を含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項14】
前記エッジリングは、導電性を有する、請求項１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項15】
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングを縦方向に移動させるように構成される駆動装置と、
前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成するためにＲＦ電力を生成するように構成されるＲＦ電源と、
前記エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体に電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記駆動装置及び前記少なくとも１つの可変受動素子を制御して、前記静電チャック上に載置された基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整するように構成される制御部と、
備える、プラズマ処理装置。
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングを縦方向に移動させるように構成される駆動装置と、
前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成するためにＲＦ電力を生成するように構成されるＲＦ電源と、
前記エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体に電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記駆動装置及び前記少なくとも１つの可変受動素子を制御して、前記静電チャック上に載置された基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整するように構成される制御部と、
備える、プラズマ処理装置。
【請求項16】
前記駆動装置は、
前記エッジリングを支持するように構成されるリフターピンと、
前記リフターピンを縦方向に移動させるように構成される駆動源と、を備える、請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
前記エッジリングを支持するように構成されるリフターピンと、
前記リフターピンを縦方向に移動させるように構成される駆動源と、を備える、請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項17】
前記リフターピンは、少なくとも表面が絶縁材料で形成される、請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項18】
前記少なくとも１つの導体は、前記リフターピン内で縦方向に延在する導電性ワイヤを含み、
前記導電性ワイヤの一端は、前記エッジリングと電気的且つ物理的に接続される、請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性ワイヤの一端は、前記エッジリングと電気的且つ物理的に接続される、請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項19】
プラズマ処理装置を用いたエッチング方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングと電気的且つ物理的に接続される少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体に電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
を備え、
前記エッチング方法は、
（ａ）基板を前記静電チャック上に載置する工程と、
（ｂ）前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成する工程と、
（ｃ）生成されたプラズマで前記基板をエッチングする工程と、
（ｄ）前記基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整する工程であり、前記調整する工程は、
（ｄ１）前記エッジリングを縦方向に移動させる工程と、
（ｄ２）前記少なくとも１つの可変受動素子を調整する工程と、
を含む、工程と、
を含む、エッチング方法。
前記プラズマ処理装置は、
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングと電気的且つ物理的に接続される少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体に電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
を備え、
前記エッチング方法は、
（ａ）基板を前記静電チャック上に載置する工程と、
（ｂ）前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成する工程と、
（ｃ）生成されたプラズマで前記基板をエッチングする工程と、
（ｄ）前記基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整する工程であり、前記調整する工程は、
（ｄ１）前記エッジリングを縦方向に移動させる工程と、
（ｄ２）前記少なくとも１つの可変受動素子を調整する工程と、
を含む、工程と、
を含む、エッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、プラズマ処理装置及びエッチング方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、プラズマチャンバ内でエッジ領域におけるイオン束の方向性を制御するためのシステムが開示されている。このシステムは、ＲＦ信号を生成するように構成されたＲＦ発生器と、ＲＦ信号を受信して修正ＲＦ信号を生成するためのインピーダンス整合回路と、プラズマチャンバとを含む。プラズマチャンバは、エッジリングと、修正ＲＦ信号を受信する結合リングとを含む。結合リングは、修正ＲＦ信号を受信する電極と、エッジリングとの間にキャパシタンスを生成してイオン束の方向性を制御する電極とを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－２２８５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、プラズマ処理において基板のエッジ領域に対するプラズマ中のイオンの入射角度を適切に制御する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様のプラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、前記エッジリングを縦方向に移動させるように構成される駆動装置と、前記基板支持体の上方に配置される上部電極と、前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成するためにソースＲＦ電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソースＲＦ電源と、バイアスＲＦ電力を前記下部電極に供給するように構成されるバイアスＲＦ電源と、前記エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、前記少なくとも１つの導体を介して前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加するように構成される直流電源と、前記少なくとも１つの導体と前記直流電源との間に電気的に接続され、少なくとも１つの可変受動素子（ｖａｒｉａｂｌｅ ｐａｓｓｉｖｅ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）を含むＲＦフィルタと、前記駆動装置及び前記少なくとも１つの可変受動素子を制御して、前記静電チャック上に載置された基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整するように構成される制御部と、備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、プラズマ処理において基板のエッジ領域に対するプラズマ中のイオンの入射角度を適切に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施形態にかかるエッチング装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図2A】本実施形態にかかるエッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。
【図2B】本実施形態にかかるエッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。
【図3A】エッジリングの消耗によるシースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。
【図3B】エッジリングの消耗によるシースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。
【図4A】シースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。
【図4B】シースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。
【図5】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図6】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図7】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図8】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図9】他の実施形態にかかるエッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。
【図10A】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図10B】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図10C】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図10D】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図10E】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図10F】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図11A】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図11B】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図11C】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図11D】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図11E】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図11F】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図11G】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図12A】接続部の構成の一例を示す平面図である。
【図12B】接続部の構成の一例を示す平面図である。
【図12C】接続部の構成の一例を示す平面図である。
【図13A】接続部と可変受動素子の構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図13B】接続部と可変受動素子の構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図13C】接続部と可変受動素子の構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図14A】接続部と駆動装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図14B】接続部と駆動装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図14C】接続部と駆動装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図14D】接続部と駆動装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図15A】接続部と駆動装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図15B】接続部と駆動装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図15C】接続部と駆動装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図15D】接続部と駆動装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図16】他の実施形態にかかるエッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。
【図17】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図18】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
半導体デバイスの製造工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にエッチング等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによってウェハを処理する。
【0009】
プラズマ処理は、プラズマ処理装置で行われる。プラズマ処理装置は、一般的に、チャンバ、ステージ、高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）電源を備える。一例では、高周波電源は、第１の高周波電源、及び第２の高周波電源を備える。第１の高周波電源は、チャンバ内のガスのプラズマを生成するために、第１の高周波電力を供給する。第２の高周波電源は、ウェハにイオンを引き込むために、バイアス用の第２の高周波電力を下部電極に供給する。ステージは、チャンバ内に設けられている。ステージは、下部電極及び静電チャックを有する。一例では、静電チャック上には、当該静電チャック上に載置されたウェハを囲むようにエッジリングが配置される。エッジリングは、ウェハに対するプラズマ処理の均一性を向上させるために設けられる。
【0010】
エッジリングは、プラズマ処理が実施される時間の経過に伴い、消耗し、エッジリングの厚みが減少する。エッジリングの厚みが減少すると、エッジリング及びウェハのエッジ領域の上方においてシースの形状が変化する。このようにシースの形状が変化すると、ウェハのエッジ領域におけるイオンの入射方向が縦方向に対して傾斜する。その結果、ウェハのエッジ領域に形成される凹部が、ウェハの厚み方向に対して傾斜する。
【0011】
ウェハのエッジ領域においてウェハの厚み方向に延びる凹部を形成するためには、ウェハのエッジ領域へのイオンの入射方向の傾きを調整する必要がある。そこで、エッジ領域へのイオンの入射方向（イオン束の方向性）を制御するために、例えば特許文献１では上述したように、結合リングの電極とエッジリングとの間にキャパシタンスを生成することが提案されている。
【0012】
しかしながら、上記キャパシタンスを生成するだけで入射角度を制御しようとしても、その制御範囲には限界がある場合がある。また、消耗に伴うエッジリングの交換頻度を抑えることが望まれるが、上記キャパシタンスの生成だけではイオンの入射角度を十分に制御できない場合があり、かかる場合、エッジリングの交換頻度を改善しきれない。
【0013】
本開示にかかる技術は、エッチングにおいて基板のエッジ領域においてイオンを垂直に入射させることにより、チルト角度を適切に制御する。
【0014】
以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置としてのエッチング装置及びエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0015】
＜エッチング装置＞
先ず、本実施形態にかかるエッチング装置について説明する。図１は、エッチング装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図２Ａ及び図２Ｂはそれぞれ、エッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。エッチング装置１は、容量結合型のエッチング装置である。エッチング装置１では、基板としてのウェハＷに対してエッチングを行う。
先ず、本実施形態にかかるエッチング装置について説明する。図１は、エッチング装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図２Ａ及び図２Ｂはそれぞれ、エッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。エッチング装置１は、容量結合型のエッチング装置である。エッチング装置１では、基板としてのウェハＷに対してエッチングを行う。
【0016】
図１に示すようにエッチング装置１は、略円筒形状のプラズマ処理チャンバとしてのチャンバ１０を有している。チャンバ１０は、その内部においてプラズマが生成される処理空間Ｓを画成する。チャンバ１０は、例えばアルミニウムから構成されている。チャンバ１０は接地電位に接続されている。
【0017】
チャンバ１０の内部には、ウェハＷを載置する基板支持体としてのステージ１１が収容されている。ステージ１１は、下部電極１２、静電チャック１３、及びエッジリング１４を有している。なお、下部電極１２の下面側には、例えばアルミニウムから構成される電極プレート（図示せず）が設けられていてもよい。
【0018】
下部電極１２は、導電性の材料、例えばアルミニウム等の金属で構成されており、略円板形状を有している。
【0019】
なお、ステージ１１は、静電チャック１３、エッジリング１４、及びウェハＷのうち少なくとも１つを所望の温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、冷媒、伝熱ガスのような温調媒体が流れる。
【0020】
一例では、下部電極１２の内部に、流路１５ａが形成される。流路１５ａには、チャンバ１０の外部に設けられたチラーユニット（図示せず）から入口配管１５ｂを介して温調媒体が供給される。流路１５ａに供給された温調媒体は、出口流路１５ｃを介してチラーユニットに戻るようになっている。流路１５ａの中に温調媒体、例えば冷却水等の冷媒を循環させることにより、静電チャック１３、エッジリング１４、及びウェハＷを所望の温度に冷却することができる。
【0021】
静電チャック１３は、下部電極１２上に設けられている。一例では、静電チャック１３は、ウェハＷとエッジリング１４の両方を静電力により吸着保持可能に構成された部材である。静電チャック１３は、周縁部の上面に比べて中央部の上面が高く形成されている。静電チャック１３の中央部の上面は、ウェハＷが載置されるウェハ載置面となり、一例では、静電チャック１３の周縁部の上面は、エッジリング１４が載置されるエッジリング載置面となる。
【0022】
一例では、静電チャック１３の内部において中央部には、ウェハＷを吸着保持するための第１の電極１６ａが設けられている。静電チャック１３の内部において周縁部には、エッジリング１４を吸着保持するための第２の電極１６ｂが設けられている。静電チャック１３は、絶縁材料からなる絶縁材の間に電極１６ａ、１６ｂを挟んだ構成を有する。
【0023】
第１の電極１６ａには、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１３の中央部の上面にウェハＷが吸着保持される。同様に、第２の電極１６ｂには、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。一例では、これにより生じる静電力により、静電チャック１３の周縁部の上面にエッジリング１４が吸着保持される。
【0024】
なお、本実施形態において、第１の電極１６ａが設けられる静電チャック１３の中央部と、第２の電極１６ｂが設けられる周縁部とは一体となっているが、これら中央部と周縁部とは別体であってもよい。また、第１の電極１６ａ及び第２の電極１６ｂは、いずれも単極であってもよく、双極であってもよい。
【0025】
また、本実施形態においてエッジリング１４は、第２の電極１６ｂに直流電圧を印加することで静電チャック１３に静電吸着されるが、エッジリング１４の保持方法はこれに限定されない。例えば、吸着シートを用いてエッジリング１４を吸着保持してもよいし、エッジリング１４をクランプして保持してもよい。あるいは、エッジリング１４の自重によりエッジリング１４が保持されてもよい。
【0026】
エッジリング１４は、静電チャック１３の中央部の上面に載置されたウェハＷを囲むように配置される、環状部材である。エッジリング１４は、エッチングの均一性を向上させるために設けられる。このため、エッジリング１４は、エッチングに応じて適宜選択される材料から構成されており、導電性を有し、例えばＳｉやＳｉＣから構成され得る。
【0027】
以上のように構成されたステージ１１は、チャンバ１０の底部に設けられた略円筒形状の支持部材１７に締結される。支持部材１７は、例えばセラミックや石英等の絶縁体により構成される。
【0028】
ステージ１１の上方には、ステージ１１と対向するように、シャワーヘッド２０が設けられている。シャワーヘッド２０は、処理空間Ｓに面して配置される電極板２１、及び電極板２１の上方に設けられる電極支持体２２を有している。電極板２１は、下部電極１２と一対の上部電極として機能する。後述するように第１の高周波電源５０が下部電極１２に電気的に結合されている場合には、シャワーヘッド２０は、接地電位に接続される。なお、シャワーヘッド２０は、絶縁性遮蔽部材２３を介して、チャンバ１０の上部（天井面）に支持されている。
【0029】
電極板２１には、後述のガス拡散室２２ａから送られる処理ガスを処理空間Ｓに供給するための複数のガス噴出口２１ａが形成されている。電極板２１は、例えば、発生するジュール熱の少ない低い電気抵抗率を有する導電体又は半導体から構成される。
【0030】
電極支持体２２は、電極板２１を着脱自在に支持する。電極支持体２２は、例えばアルミニウム等の導電性材料の表面に耐プラズマ性を有する膜が形成された構成を有している。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜、又は、酸化イットリウムなどのセラミック製の膜であり得る。電極支持体２２の内部には、ガス拡散室２２ａが形成されている。ガス拡散室２２ａからは、ガス噴出口２１ａに連通する複数のガス流通孔２２ｂが形成されている。また、ガス拡散室２２ａには、後述するガス供給管３３に接続されるガス導入孔２２ｃが形成されている。
【0031】
また、電極支持体２２には、ガス拡散室２２ａに処理ガスを供給するガス供給源群３０が、流量制御機器群３１、バルブ群３２、ガス供給管３３、及びガス導入孔２２ｃを介して接続されている。
【0032】
ガス供給源群３０は、エッチングに必要な複数種のガス供給源を有している。流量制御機器群３１は複数の流量制御器を含み、バルブ群３２は複数のバルブを含んでいる。流量制御機器群３１の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。エッチング装置１においては、ガス供給源群３０から選択された一以上のガス供給源からの処理ガスが、流量制御機器群３１、バルブ群３２、ガス供給管３３、及びガス導入孔２２ｃを介してガス拡散室２２ａに供給される。そして、ガス拡散室２２ａに供給された処理ガスは、ガス流通孔２２ｂ及びガス噴出口２１ａを介して、処理空間Ｓ内にシャワー状に分散されて供給される。
【0033】
チャンバ１０の底部であって、チャンバ１０の内壁と支持部材１７との間には、バッフルプレート４０が設けられている。バッフルプレート４０は、例えばアルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成される。バッフルプレート４０には、複数の貫通孔が形成されている。処理空間Ｓは当該バッフルプレート４０を介して排気口４１に連通されている。排気口４１には例えば真空ポンプ等の排気装置４２が接続され、当該排気装置４２により処理空間Ｓ内を減圧可能に構成されている。
【0034】
また、チャンバ１０の側壁にはウェハＷの搬入出口４３が形成され、当該搬入出口４３はゲートバルブ４４により開閉可能となっている。
【0035】
図１及び図２に示すように、エッチング装置１は、ソースＲＦ電源としての第１の高周波電源５０、バイアスＲＦ電源としての第２の高周波電源５１、及び整合器５２を更に有している。第１の高周波電源５０と第２の高周波電源５１は、整合器５２を介して下部電極１２に結合されている。
【0036】
第１の高周波電源５０は、プラズマ発生用のソースＲＦ電力である高周波電力ＨＦを発生して、当該高周波電力ＨＦを下部電極１２に供給する。高周波電力ＨＦは、２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数であってよく、一例においては４０ＭＨｚである。第１の高周波電源５０は、整合器５２の第１の整合回路５３を介して、下部電極１２に結合されている。第１の整合回路５３は、第１の高周波電源５０の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１２側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。なお、第１の高周波電源５０は、下部電極１２に電気的に結合されていなくてもよく、第１の整合回路５３を介して上部電極であるシャワーヘッド２０に結合されていてもよい。また、第１の高周波電源５０に代えて、高周波電力以外のパルス電圧を下部電極１２に印加するように構成されたパルス電源を用いてもよい。このパルス電源は、後述する第２の高周波電源５１に代えて用いられるパルス電源と同様である。
【0037】
第２の高周波電源５１は、ウェハＷにイオンを引き込むためのバイアスＲＦ電力である高周波電力ＬＦを発生して、当該高周波電力ＬＦを下部電極１２に供給する。高周波電力ＬＦは、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数であってよく、一例においては４００ｋＨｚである。第２の高周波電源５１は、整合器５２の第２の整合回路５４を介して、下部電極１２に結合されている。第２の整合回路５４は、第２の高周波電源５１の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１２側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。なお、第２の高周波電源５１に代えて、高周波電力以外のパルス電圧を下部電極１２に印加するように構成されたパルス電源を用いてもよい。ここで、パルス電圧とは、電圧の大きさが周期的に変化するパルス状の電圧である。パルス電源は、直流電源であってよい。パルス電源は、電源自体がパルス電圧を印加するように構成されてもよく、下流側に電圧をパルス化するデバイスを備えるように構成されてもよい。一例では、パルス電圧は、ウェハＷに負の電位が生じるように下部電極１２に印加される。パルス電圧は、矩形波であってもよく、三角波あってもよく、インパルスであってもよく、又はその他の波形を有していてもよい。パルス電圧の周波数（パルス周波数）は、１００ｋＨｚ～２ＭＨｚの範囲内の周波数であってよい。なお、上記高周波電力ＬＦ又はパルス電圧は、静電チャック１３の内部に設けられたバイアス電極に供給又は印加されてもよい。
【0038】
エッチング装置１は、第１の可変受動素子６０と第２の可変受動素子６１を更に有している。第１の可変受動素子６０と第２の可変受動素子６１は、エッジリング１４側からこの順で配置されている。第２の可変受動素子６１は、接地電位に接続されている。すなわち、第２の可変受動素子６１は、第１の高周波電源５０と第２の高周波電源５１のそれぞれに接続されていない。
【0039】
一例においては、第１の可変受動素子６０と第２の可変受動素子６１の少なくとも一方は、インピーダンスが可変に構成されている。第１の可変受動素子６０と第２の可変受動素子６１は、例えばコイル（インダクタ）又はコンデンサ（キャパシタ）のいずれかであってもよい。また、コイル、コンデンサに限らず、ダイオード等の素子など可変インピーダンス素子であればどのようなものであっても同様の機能を達成できる。第１の可変受動素子６０と第２の可変受動素子６１の数や位置も、当業者が適宜設計することができる。さらに、素子自体が可変である必要はなく、例えば、インピーダンスが固定値の素子を複数備え、切替回路を用いて固定値の素子の組み合わせを切り替えることでインピーダンスを可変してもよい。なお、これら第１の可変受動素子６０と第２の可変受動素子６１の回路構成はそれぞれ、当業者が適宜設計することができる。
【0040】
図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、エッチング装置１は、エッジリング１４を縦方向に移動させる駆動装置７０を更に有している。駆動装置７０は、エッジリング１４を支持して縦方向に移動するリフターピン７１、及びリフターピン７１を縦方向に移動させる駆動源７２を有している。
【0041】
リフターピン７１は、エッジリング１４の下面から縦方向に延在し、静電チャック１３、下部電極１２、支持部材１７、及びチャンバ１０の底部を貫通して設けられている。リフターピン７１とチャンバ１０の間は、チャンバ１０の内部を密閉するためにシールされている。リフターピン７１は、少なくとも表面が絶縁材料で形成されてよい。
【0042】
駆動源７２は、チャンバ１０の外部に設けられている。駆動源７２は、例えばモータを内蔵し、リフターピン７１を縦方向に移動させる。すなわち駆動装置７０によって、エッジリング１４は、図２Ａに示すように静電チャック１３に載置された状態と、図２Ｂに示すように静電チャック１３から離間した状態との間で、縦方向に移動自在に構成されている。
【0043】
以上のエッチング装置１には、制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、エッチング装置１におけるエッチングを制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体は、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
【0044】
＜エッチング方法＞
次に、以上のように構成されたエッチング装置１を用いて行われるエッチングについて説明する。
次に、以上のように構成されたエッチング装置１を用いて行われるエッチングについて説明する。
【0045】
先ず、チャンバ１０の内部にウェハＷを搬入し、静電チャック１３上にウェハＷを載置する。その後、静電チャック１３の第１の電極１６ａに直流電圧を印加することにより、ウェハＷはクーロン力によって静電チャック１３に静電吸着され、保持される。また、ウェハＷの搬入後、排気装置４２によってチャンバ１０の内部を所望の真空度まで減圧する。
【0046】
次に、ガス供給源群３０からシャワーヘッド２０を介して処理空間Ｓに処理ガスを供給する。また、第１の高周波電源５０によりプラズマ生成用の高周波電力ＨＦを下部電極１２に供給し、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。この際、第２の高周波電源５１によりイオン引き込み用の高周波電力ＬＦを供給してもよい。そして、生成されたプラズマの作用によって、ウェハＷにエッチングが施される。
【0047】
エッチングを終了する際には、先ず、第１の高周波電源５０からの高周波電力ＨＦの供給及びガス供給源群３０による処理ガスの供給を停止する。また、エッチング中に高周波電力ＬＦを供給していた場合には、当該高周波電力ＬＦの供給も停止する。次いで、ウェハＷの裏面への伝熱ガスの供給を停止し、静電チャック１３によるウェハＷの吸着保持を停止する。
【0048】
その後、チャンバ１０からウェハＷを搬出して、ウェハＷに対する一連のエッチングが終了する。
【0049】
なお、エッチングにおいては、第１の高周波電源５０からの高周波電力ＨＦを使用せず、第２の高周波電源５１からの高周波電力ＬＦのみを用いて、プラズマを生成する場合もある。
【0050】
＜チルト角度制御方法＞
次に、上述したエッチングにおいて、チルト角度を制御する方法について説明する。チルト角度は、ウェハＷのエッジ領域において、エッチングにより形成される凹部のウェハＷの厚み方向に対する傾き（角度）である。チルト角度は、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の縦方向に対する傾き（イオンの入射角度）とほぼ同様の角度となる。なお、以下の説明では、ウェハＷの厚み方向（縦方向）に対して径方向内側（中心側）の方向をインナー側といい、ウェハＷの厚み方向に対して径方向外側の方向をアウター側という。
次に、上述したエッチングにおいて、チルト角度を制御する方法について説明する。チルト角度は、ウェハＷのエッジ領域において、エッチングにより形成される凹部のウェハＷの厚み方向に対する傾き（角度）である。チルト角度は、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の縦方向に対する傾き（イオンの入射角度）とほぼ同様の角度となる。なお、以下の説明では、ウェハＷの厚み方向（縦方向）に対して径方向内側（中心側）の方向をインナー側といい、ウェハＷの厚み方向に対して径方向外側の方向をアウター側という。
【0051】
図３Ａ及び図３Ｂは、エッジリングの消耗によるシースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。図３Ａにおいて実線で示されるエッジリング１４は、その消耗がない状態のエッジリング１４を示している。点線で示されるエッジリング１４は、その消耗が生じて厚みが減少したエッジリング１４を示している。また、図３Ａにおいて実線で示されるシースＳＨは、エッジリング１４が消耗していない状態にあるときの、シースＳＨの形状を表している。点線で示されるシースＳＨは、エッジリング１４が消耗した状態にあるときの、シースＳＨの形状を表している。さらに、図３Ａにおいて矢印は、エッジリング１４が消耗した状態にあるときの、イオンの入射方向を示している。
【0052】
図３Ａに示すように一例においては、エッジリング１４が消耗していない状態にある場合、シースＳＨの形状は、ウェハＷ及びエッジリング１４の上方においてフラットに保たれている。したがって、ウェハＷの全面に略垂直な方向（縦方向）にイオンが入射する。したがって、チルト角度は０（ゼロ）度となる。
【0053】
一方、エッジリング１４が消耗し、その厚みが減少すると、ウェハＷのエッジ領域及びエッジリング１４の上方において、シースＳＨの厚みが小さくなり、当該シースＳＨの形状が下方凸形状に変化する。その結果、ウェハＷのエッジ領域に対するイオンの入射方向が縦方向に対して傾斜する。以下の説明では、イオンの入射方向が縦方向対して径方向内側（中心側）に傾斜した場合に、エッチングにより形成される凹部がインナー側に傾斜する現象を、インナーチルト（Ｉｎｎｅｒ Ｔｉｌｔ）という。図３Ｂでは、イオンの入射方向は、インナー側に角度θ１だけ傾斜しており、凹部もインナー側にθ１だけ傾斜している。インナーチルトが発生する原因は、上述したエッジリング１４の消耗に限定されない。例えば、エッジリング１４に発生するバイアス電圧がウェハＷ側の電圧に比べて低い場合には、初期状態でインナーチルトとなる。また例えば、エッジリング１４の初期状態において意図的にインナーチルトとなるように調整し、後述する駆動装置７０の駆動量の調整によりチルト角度を補正する場合もある。
【0054】
なお、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、ウェハＷの中央領域に対し、ウェハＷのエッジ領域及びエッジリング１４の上方において、シースＳＨの厚みが大きくなり、当該シースＳＨの形状が上方凸形状になる場合もあり得る。例えば、エッジリング１４に発生するバイアス電圧が高い場合、シースＳＨの形状が上方凸形状になり得る。図４Ａにおいて矢印は、イオンの入射方向を示している。以下の説明では、イオンの入射方向が縦方向に対して径方向外側に傾斜した場合に、エッチングにより形成される凹部がアウター側に傾斜する現象を、アウターチルト（Ｏｕｔｅｒ Ｔｉｌｔ）という。図４Ｂでは、イオンの入射方向は、アウター側に角度θ２だけ傾斜しており、凹部もアウター側にθ２だけ傾斜している。
【0055】
本実施形態のエッチング装置１では、チルト角度を制御する。具体的に、チルト角度の制御は、少なくとも駆動装置７０の駆動源７２の駆動量（エッジリング１４の駆動量）、又は第２の可変受動素子６１のインピーダンスを調整して、イオンの入射角度を制御することにより行う。なお、以下の実施形態では、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを調整する場合について説明するが、第１の可変受動素子６０のインピーダンスを調整してもよいし、可変受動素子６０、６１の両方のインピーダンスを調整してもよい。
【0056】
［駆動量の調整］
先ず、駆動装置７０の駆動量を調整する場合について説明する。図５は、駆動装置７０の駆動量とチルト角度の補正角度（以下、「チルト補正角度」という。）の関係を示す説明図である。図５の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は駆動装置７０の駆動量を示している。図５に示すように、駆動装置７０の駆動量を大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。
先ず、駆動装置７０の駆動量を調整する場合について説明する。図５は、駆動装置７０の駆動量とチルト角度の補正角度（以下、「チルト補正角度」という。）の関係を示す説明図である。図５の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は駆動装置７０の駆動量を示している。図５に示すように、駆動装置７０の駆動量を大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。
【0057】
制御部１００は、例えば予め定められた関数又はテーブルを用いてエッチングのプロセス条件（例えば処理時間）から推定されるエッジリング１４の消耗量（エッジリング１４の厚みの初期値からの減少量）から、駆動装置７０の駆動量を設定する。すなわち、制御部１００は、エッジリング１４の消耗量を上記関数に入力するか、エッジリング１４の消耗量を用いて上記テーブルを参照することにより、駆動装置７０の駆動量を決定する。
【0058】
なお、エッジリング１４の消耗量は、ウェハＷのエッチング時間、ウェハＷの処理枚数、測定器によって測定されたエッジリング１４の厚み、測定器によって測定されたエッジリング１４の質量の変化、測定器によって測定されたエッジリング１４の周辺の電気的特性（例えばエッジリング１４の周辺の任意の点の電圧、電流値）の変化、又は測定器によって測定されたエッジリング１４の電気的特性（例えばエッジリング１４の抵抗値）の変化等に基づいて、推定されてもよい。また、エッジリング１４の消耗量とは関係なく、ウェハＷのエッチング時間やウェハＷの処理枚数に応じて、駆動装置７０の駆動量を大きくしてもよい。さらに、高周波電力によって重みづけしたウェハＷのエッチング時間やウェハＷの処理枚数に応じて、駆動装置７０の駆動量を大きくしてもよい。
【0059】
以上のように駆動装置７０の駆動量を調整して、チルト角度を制御制御する具体的な方法について説明する。先ず、エッジリング１４を静電チャック１３上に設置する。この際、例えば、ウェハＷのエッジ領域及びエッジリング１４の上方において、シース形状がフラットになり、チルト角度が０（ゼロ）度になっている。
【0060】
次に、ウェハＷに対してエッチングを行う。エッチングが実施される時間の経過に伴い、エッジリング１４が消耗し、その厚みが減少する。そうすると、図３Ａに示したように、ウェハＷのエッジ領域及びエッジリング１４の上方において、シースＳＨの厚みが小さくなり、チルト角度がインナー側に変化する。
【0061】
そこで、駆動装置７０の駆動量を調整する。具体的には、エッジリング１４の消耗量に応じて、駆動装置７０の駆動量の大きくして、エッジリング１４を上昇させる。そうすると、図５に示したようにチルト補正角度が大きくなり、インナー側に傾斜したチルト角度をアウター側に変化させることができる。すなわち、エッジリング１４及びウェハＷのエッジ領域の上方におけるシースの形状が制御されて、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の傾きが低減され、チルト角度が制御される。そして、上述したように制御部１００で設定された駆動量に基づいてエッジリング１４を上昇させると、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、当該チルト角度を０（ゼロ）度に補正することができる。その結果、ウェハＷの全領域にわたって、当該ウェハＷの厚み方向に略平行な凹部が形成される。
【0062】
［インピーダンスの調整］
次に、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを調整する場合について説明する。図６は、第２の可変受動素子６１のインピーダンスとチルト補正角度の関係を示す説明図である。図６の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２の可変受動素子６１のインピーダンスを示している。図６に示すように、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。なお、図６に示す例では、インピーダンスを大きくすることにより、チルト補正角度を大きくしているが、第２の可変受動素子６１の構成によっては、インピーダンスを大きくすることにより、チルト補正角度を小さくすることも可能である。インピーダンスとチルト補正角度の関係性は、第２の可変受動素子６１の設計に依存するため、限定されるものではない。
次に、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを調整する場合について説明する。図６は、第２の可変受動素子６１のインピーダンスとチルト補正角度の関係を示す説明図である。図６の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２の可変受動素子６１のインピーダンスを示している。図６に示すように、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。なお、図６に示す例では、インピーダンスを大きくすることにより、チルト補正角度を大きくしているが、第２の可変受動素子６１の構成によっては、インピーダンスを大きくすることにより、チルト補正角度を小さくすることも可能である。インピーダンスとチルト補正角度の関係性は、第２の可変受動素子６１の設計に依存するため、限定されるものではない。
【0063】
制御部１００は、上述した駆動装置７０の駆動量の設定と同様に、エッジリング１４の消耗量から、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを設定する。そして制御部１００は、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを変更することで、エッジリング１４に発生する電圧を変更する。
【0064】
エッチング装置１では、エッジリング１４が消耗すると、制御部１００で設定されたインピーダンスに第２の可変受動素子６１を制御する。これにより、エッジリング１４及びウェハＷのエッジ領域の上方におけるシースの形状が制御されて、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の傾きが低減され、チルト角度が制御される。そうすると、図６のように、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にすることができる。
【0065】
［駆動量とインピーダンスの調整］
次に、駆動装置７０の駆動量と第２の可変受動素子６１のインピーダンスを組み合わせて調整する場合について説明する。図７は、駆動装置７０の駆動量、第２の可変受動素子６１のインピーダンス、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図７の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２の可変受動素子６１のインピーダンスを示している。
次に、駆動装置７０の駆動量と第２の可変受動素子６１のインピーダンスを組み合わせて調整する場合について説明する。図７は、駆動装置７０の駆動量、第２の可変受動素子６１のインピーダンス、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図７の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２の可変受動素子６１のインピーダンスを示している。
【0066】
図７に示すように、先ず、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを調整し、チルト角度を補正する。次に、インピーダンスが予め定められた値、例えば上限値に達すると、駆動装置７０の駆動量を調整し、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にする。かかる場合、インピーダンスの調整と駆動量の調整の回数を少なくすることができ、チルト角度制御の運用を単純化することができる。
【0067】
ここで、インピーダンスの調整によるチルト角度補正の分解能と、駆動量の調整によるチルト角度補正の分解能は、それぞれ第２の可変受動素子６１と駆動装置７０の性能等に依存する。チルト角度補正の分解能とは、インピーダンス又は駆動量の１回の調整におけるチルト角度の補正量である。そして、例えば第２の可変受動素子６１の分解能が駆動装置７０の分解能より高い場合、本実施形態では第２の可変受動素子６１のインピーダンスを調整してチルト角度を補正している分、全体としてのチルト角度補正の分解能を向上させることができる。
【0068】
以上のように本実施形態によれば、第２の可変受動素子６１のインピーダンスの調整と駆動装置７０の駆動量の調整を行うことで、チルト角度の調整範囲を大きくすることができる。したがって、チルト角度を適切に制御することができ、すなわち、イオンの入射方向を適切に調整することができるので、エッチングを均一に行うことができる。
【0069】
また、例えば第２の可変受動素子６１のインピーダンスのみでチルト角度を制御しようとする場合、インピーダンスが可変受動素子６１の制御範囲の上限に達すると、エッジリング１４を交換する必要があった。この点、本実施形態では、駆動装置７０の駆動量の調整を行うことで、エッジリング１４を交換することなく、チルト角度の調整範囲を大きくすることができる。したがって、エッジリング１４の交換間隔を長くして、その交換頻度を抑えることができる。
【0070】
しかも、本実施形態によれば、チルト角度制御の運用を単純化しつつ、チルト角度補正の分解能を向上させることができる。そして、チルト角度制御の運用のバリエーションを増やすことができる。
【0071】
なお、図７に示した例においては、インピーダンスの調整と駆動量の調整をそれぞれ１回行って、チルト補正角度を目標角度θ３に調整したが、これらインピーダンスの調整と駆動量の調整の回数はこれに限定されない。例えば図８に示すように、インピーダンスの調整と駆動量の調整をそれぞれ複数回行ってもよい。かかる場合でも、本実施形態と同様の効果を享受することができる。
【0072】
また、図７及び図８に示した例においては、第２の可変受動素子６１のインピーダンスの調整を行った後、駆動装置７０の駆動量の調整を行ったが、この順序は反対でもよい。かかる場合、先ず、駆動装置７０の駆動量を調整し、チルト角度を補正する。この際、駆動装置７０の駆動量を大きくし過ぎると、ウェハＷとエッジリング１４との間で放電が生じる。したがって、駆動装置７０の駆動量には制限がある。そこで次に、駆動量が予め定められた値、例えば上限値に達すると、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを調整し、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にする。かかる場合でも、本実施形態と同様の効果を享受することができる。
【0073】
また、以上の実施形態では、第２の可変受動素子６１のインピーダンスの調整と駆動装置７０の駆動量の調整を個別に行ったが、インピーダンスの調整と駆動量の調整を同時に行ってもよい。
【0074】
＜他の実施形態＞
ここで上述したように、第２の高周波電源５１から供給される高周波電力（バイアスＲＦ電力）ＬＦの周波数は４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚであるが、５ＭＨｚ以下がより好ましい。エッチングを行う際、ウェハＷに対して高アスペクト比のエッチングを行う場合、エッチング後のパターンの垂直形状を実現するためには、高いイオンエネルギーが必要となる。そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、高周波電力ＬＦの周波数を５ＭＨｚ以下にすることで、高周波電界の変化に対するイオンの追従性が上がり、イオンエネルギーの制御性が向上することが分かった。
ここで上述したように、第２の高周波電源５１から供給される高周波電力（バイアスＲＦ電力）ＬＦの周波数は４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚであるが、５ＭＨｚ以下がより好ましい。エッチングを行う際、ウェハＷに対して高アスペクト比のエッチングを行う場合、エッチング後のパターンの垂直形状を実現するためには、高いイオンエネルギーが必要となる。そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、高周波電力ＬＦの周波数を５ＭＨｚ以下にすることで、高周波電界の変化に対するイオンの追従性が上がり、イオンエネルギーの制御性が向上することが分かった。
【0075】
一方、高周波電力ＬＦの周波数を５ＭＨｚ以下の低周波とすると、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを可変とした効果が低下する場合がある。すなわち、第２の可変受動素子６１のインピーダンスの調整によるチルト角度の制御性が低下する場合がある。例えば図２Ａ及び図２Ｂにおいて、エッジリング１４と第２の可変受動素子６１との電気的な接続が非接触又は容量結合である場合、第２の可変受動素子６１のインピーダンスを調整しても、チルト角度を適切に制御できない。そこで本実施形態では、エッジリング１４と第２の可変受動素子６１を電気的に直接接続する。
【0076】
エッジリング１４と第２の可変受動素子６１は、接続部を介して電気的に直接接続される。エッジリング１４と接続部は接触し、当該接続部を直流電流が導通する。以下、接続部の構造（以下、「接触構造」という場合がある。）の一例について説明する。
【0077】
図９に示すように導体としての接続部２００は、導電性構造２０１と導電性弾性部材２０２を有している。導電性構造２０１は、導電性弾性部材２０２を介してエッジリング１４と第２の可変受動素子６１を接続する。具体的に導電性構造２０１は、その一端が第２の可変受動素子６１に接続され、他端が下部電極１２の上面にて露出し、導電性弾性部材２０２に接触する。
【0078】
導電性弾性部材２０２は、例えばエッジリング１４と静電チャック１３の間に形成された空間に設けられる。導電性弾性部材２０２は、導電性構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに接触する。また導電性弾性部材２０２は、例えば金属等の導体からなる。導電性弾性部材２０２の構成は特に限定されないが、図１０Ａ～図１０Ｆのそれぞれに一例を示す。なお、図１０Ａ～図１０Ｃは、導電性弾性部材２０２として、弾性体を用いた例である。
【0079】
図１０Ａに示すように導電性弾性部材２０２には、縦方向に付勢された板バネが用いられてもよい。図１０Ｂに示すように導電性弾性部材２０２には、らせん状に巻かれつつ水平方向に延在するコイルスプリングが用いられてもよい。図１０Ｃに示すように導電性弾性部材２０２には、らせん状に巻かれつつ縦方向に延在するバネが用いられてもよい。そして、これら導電性弾性部材２０２は弾性体であり、縦方向に弾性力が作用する。この弾性力によって、導電性弾性部材２０２は導電性構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに所望の接触圧力で密着し、導電性構造２０１とエッジリング１４が電気的に接続される。
【0080】
図１０Ｄに示すように導電性弾性部材２０２には、駆動機構（図示せず）によって縦方向に移動するピンが用いられてもよい。かかる場合、導電性弾性部材２０２が上昇することによって、導電性弾性部材２０２は導電性構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに密着する。そして、導電性弾性部材２０２の縦方向移動時に作用する圧力を調整することで、導電性弾性部材２０２は導電性構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに、所望の接触圧力で密着する。
【0081】
図１０Ｅに示すように導電性弾性部材２０２には、導電性構造２０１とエッジリング１４を接続するワイヤが用いられてもよい。ワイヤは、その一端が導電性構造２０１に接合され、他端がエッジリング１４の下面に接合される。このワイヤの接合は、導電性構造２０１又はエッジリング１４の下面とオーミック接触となればよく、一例として、ワイヤは溶接又は圧着される。そして、このように導電性弾性部材２０２にワイヤを用いた場合、導電性弾性部材２０２は導電性構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに接触し、導電性構造２０１とエッジリング１４が電気的に接続される。
【0082】
以上、図１０Ａ～図１０Ｅに示したいずれの導電性弾性部材２０２を用いた場合でも、図９に示したように接続部２００を介してエッジリング１４と第２の可変受動素子６１を電気的に直接接続することができる。したがって、高周波電力ＬＦの周波数を５ＭＨｚ以下の低周波とすることができ、イオンエネルギーの制御性を向上させることができる。
【0083】
また、駆動装置７０の駆動量を調整してチルト角度を制御する場合には、接続部２００を設けた分、調整する駆動量を小さく抑えることができる。その結果、ウェハＷとエッジリング１４との間で放電が生じるのを抑制することができる。更に、上述したように、駆動装置７０の駆動量と第２の可変受動素子６１のインピーダンスを調整することで、チルト角度の調整範囲を大きくして、チルト角度を所望の値に制御することができる。
【0084】
なお、以上の実施形態では、導電性弾性部材２０２として、図１０Ａに示した板バネ、図１０Ｂに示したコイルスプリング、図１０Ｃに示したバネ、図１０Ｄに示したピン、図１０Ｅに示したワイヤを例示したが、これらを組み合わせて用いてもよい。
【0085】
なお、以上の実施形態の接続部２００において、図１０Ｆに示すように導電性弾性部材２０２と接続部２００の導電性弾性部材２０２とエッジリング１４との間には、導電膜２０３が設けられていてもよい。導電膜２０３には、例えば金属膜が用いられる。導電膜２０３は、エッジリング１４の下面において少なくとも導電性弾性部材２０２が接触する部分に設けられる。導電膜２０３はエッジリング１４の下面全面に設けられてもよいし、或いは複数の導電膜２０３が全体で環状に近い形状に設けられていてもよい。いずれの場合も、導電膜２０３によって、導電性弾性部材２０２の接触による抵抗を抑制することができ、エッジリング１４と第２の可変受動素子６１を適切に接続することができる。
【0086】
以上の実施形態の接続部２００は、駆動装置７０によってエッジリング１４を上昇させた際、導電性弾性部材２０２がプラズマから保護される構成を有するのが好ましい。図１１Ａ～図１１Ｇはそれぞれ、導電性弾性部材２０２のプラズマ対策の一例を示す。
【0087】
図１１Ａに示すようにエッジリング１４の下面に、当該下面から下方に突起する突起部１４ａ、１４ｂを設けてもよい。図示の例においては、突起部１４ａは導電性弾性部材２０２の径方向内側に設けられ、突起部１４ｂは導電性弾性部材２０２の径方向外側に設けられる。すなわち、導電性弾性部材２０２は、突起部１４ａ、１４ｂで形成される凹部に設けられる。かかる場合、突起部１４ａ、１４ｂによって、プラズマが導電性弾性部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導電性弾性部材２０２を保護することができる。
【0088】
なお、図１１Ａの例においては、エッジリング１４の下面に突起部１４ａ、１４ｂを設けたが、プラズマの回り込みを抑制する形状はこれに限定されず、エッチング装置１に応じて決定すればよい。また、エッジリング１４が駆動装置７０によって適切に縦方向に移動できるように、エッジリング１４の形状を決定すればよい。
【0089】
図１１Ｂに示すようにエッジリング１４と静電チャック１３の間において導電性弾性部材２０２の内側に、追加エッジリング２１０を設けてもよい。追加エッジリング２１０は、絶縁材料で形成される。追加エッジリング２１０は、下部電極１２とは別体として設けられ、例えば円環状を有している。かかる場合、追加エッジリング２１０によって、プラズマが導電性弾性部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導電性弾性部材２０２を保護することができる。
【0090】
図１１Ｃに示すように、図１１Ａに示したエッジリング１４の突起部１４ａと、図１１Ｂに示した追加エッジリング２１０とを両方設けてもよい。かかる場合、突起部１４ａと追加エッジリング２１０によって、プラズマの回り込みを更に抑制することができ、導電性弾性部材２０２を保護することができる。
【0091】
図１１Ｄに示すように、図１１Ａに示したエッジリング１４の突起部１４ａ、１４ｂと、図１１Ｂに示した追加エッジリング２１０とを両方設けてもよい。導電性弾性部材２０２は、突起部１４ｂと接触する。また。追加エッジリング２１０は、突起部１４ａ、１４ｂの間に設けられる。かかる場合、突起部１４ａ、１４ｂと追加エッジリング２１０によってラビリンス構造が形成され、プラズマの回り込みを更に抑制することができ、導電性弾性部材２０２を保護することができる。
【0092】
図１１Ｅに示すようにエッジリング１４を、上部エッジリング１４０と下部エッジリング１４１に分割してもよい。上部エッジリング１４０は本開示におけるエッジリングに相当し、下部エッジリング１４１は本開示における追加エッジリングに相当する。上部エッジリング１４０は、駆動装置７０によって縦方向に移動自在に構成されている。下部エッジリング１４１は縦方向に移動しない。導電性弾性部材２０２は、上部エッジリング１４０の下面と下部エッジリング１４１の上面に接触して設けられている。導電性構造２０１は、下部エッジリング１４１に接続されている。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２の可変受動素子６１は、導電性弾性部材２０２、下部エッジリング１４１、及び導電性構造２０１を介して、電気的に直接接続される。
【0093】
上部エッジリング１４０の下面において最外周部には、当該下面から下方に突起する突起部１４０ａが設けられている。下部エッジリング１４１の上面において最内周部には、当該上面から上方に突起する突起部１４１ａが設けられている。かかる場合、突起部１４０ａ、１４１ａによって、プラズマが導電性弾性部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導電性弾性部材２０２を保護することができる。
【0094】
図１１Ｆは、図１１Ｅの変形例である。図１１Ｅに示す例において、導電性構造２０１は下部エッジリング１４１に接続されていたが、図１１Ｆに示す例では、導電性構造２０１の一端は下部電極１２の上面にて露出し、導電性弾性部材２２０に接触する。導電性弾性部材２２０は、静電チャック１３の径方向外側に下部エッジリング１４１の下面と下部電極１２の上面との間に形成された空間に設けられている。すなわち、導電性弾性部材２２０は、下部エッジリング１４１の下面と導電性構造２０１に接触する。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２の可変受動素子６１は、導電性弾性部材２０２、下部エッジリング１４１、導電性弾性部材２２０、及び導電性構造２０１を介して、電気的に直接接続される。そして、本例においても、突起部１４０ａ、１４１ａによって、プラズマが導電性弾性部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導電性弾性部材２０２を保護することができる。
【0095】
図１１Ｇは、図１１Ｅの変形例である。図１１Ｅに示す例において、導電性弾性部材２０２は下部エッジリング１４１の上面に設けられていたが、図１１Ｇに示す例では、導電性弾性部材２０２は下部電極１２の上面に設けられている。導電性弾性部材２０２は、上部エッジリング１４０の下面と導電性構造２０１に接触する。導電性構造２０１は、その一端が静電チャック１３の上面にて露出し、導電性弾性部材２０２に接触する。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２の可変受動素子６１は、導電性弾性部材２０２、及び導電性構造２０１を介して、電気的に直接接続される。そして、本例においても、突起部１４０ａ、１４１ａによって、プラズマが導電性弾性部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導電性弾性部材２０２を保護することができる。
【0096】
なお、以上の実施形態において、図１１Ａ～図１１Ｇに示した構成を組み合わせて用いてもよい。また、接続部２００において、導電性弾性部材２０２の表面のエッジリング１４と接触する部分以外に、耐プラズマコーティングを施してもよい。かかる場合、導電性弾性部材２０２をプラズマから保護することができる。
【0097】
次に、導電性弾性部材２０２の平面視における配置について説明する。図１２Ａ～図１２Ｃはそれぞれ、導電性弾性部材２０２の平面配置の一例を示す。図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、接続部２００は導電性弾性部材２０２を複数備え、複数の導電性弾性部材２０２はエッジリング１４と同心円上に等間隔に設けられていてもよい。図１２Ａの例において導電性弾性部材２０２は８箇所に設けられ、図１２Ｂにおいて導電性弾性部材２０２は２４箇所に設けられている。また、図１２Ｃに示すように導電性弾性部材２０２は、エッジリング１４と同心円上に環状に設けられていてもよい。
【0098】
エッチングを均一に行い、シースの形状を均一にする観点（プロセス均一化の観点）からは、図１２Ｃに示したようにエッジリング１４に対して導電性弾性部材２０２を環状に設け、エッジリング１４に対する接触を円周上で均一に行うのが好ましい。また、同じくプロセス均一化の観点から、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように複数の導電性弾性部材２０２を設ける場合でも、これら複数の導電性弾性部材２０２をエッジリング１４の周方向に等間隔に配置し、エッジリング１４に対する接触点を点対称に設けるのが好ましい。更に言えば、図１２Ａの例に比べて図１２Ｂの例のように導電性弾性部材２０２の数を多くして、図１２Ｃに示したように環状に近づける方が良い。なお、導電性弾性部材２０２の数は特に限定されないが、対称性を確保するためには、３個以上が好ましく、例えば３個～３６個としてよい。
【0099】
但し、装置構成上、他の部材との干渉を回避するため、導電性弾性部材２０２を環状にしたり、導電性弾性部材２０２の数を多くするのは難しい場合がある。したがって、導電性弾性部材２０２の平面配置は、プロセス均一化の条件や装置構成上の制約条件などを鑑みて、適宜設定してよい。
【0100】
次に、接続部２００と、第１の可変受動素子６０及び第２の可変受動素子６１との関係について説明する。図１３Ａ～図１３Ｃはそれぞれ、接続部２００、第１の可変受動素子６０及び第２の可変受動素子６１の構成の一例を模式的に示す。
【0101】
図１３Ａに示すように、例えば８個の導電性弾性部材２０２に対して第１の可変受動素子６０と第２の可変受動素子６１がそれぞれ１個設けられている場合、接続部２００は中継部材２３０を更に有していてもよい。なお、図１３Ａでは、図１２Ａに示した接続部２００において中継部材２３０を設けた場合について図示するが、図１２Ｂ又は図１２Ｃのいずれに示した接続部２００においても中継部材２３０を設けることができる。また、中継部材２３０は複数設けられていてもよい。
【0102】
中継部材２３０は、導電性弾性部材２０２と第２の可変受動素子６１の間の導電性構造２０１において、エッジリング１４と同心円上に環状に設けられている。中継部材２３０は、導電性弾性部材２０２と導電性構造２０１ａで接続されている。すなわち、中継部材２３０から８本の導電性構造２０１ａが平面視において放射状に延在し、８個の導電性弾性部材２０２のそれぞれに接続される。また中継部材２３０は、第１の可変受動素子６０を介して第２の可変受動素子６１と導電性構造２０１ｂで接続されている。
【0103】
かかる場合、例えば第２の可変受動素子６１がエッジリング１４の中心に配置されていない場合であっても、中継部材２３０における電気的特性（任意の電圧、電流値）を円周上で均一に行うことができ、更に８個の導電性弾性部材２０２のそれぞれに対する電気的特性を均一にすることができる。その結果、エッチングを均一に行い、シースの形状を均一にすることができる。
【0104】
図１３Ｂに示すように、例えば８個の導電性弾性部材２０２に対して、第１の可変受動素子６０が複数、例えば８個設けられ、第２の可変受動素子６１が１個設けられていてもよい。このように導電性弾性部材２０２の数に対して、第１の可変受動素子６０の個数は適宜設定することができる。なお、図１３Ｂの例においても、中継部材２３０が設けられていてもよい。
【0105】
図１３Ｃに示すように、例えば８個の導電性弾性部材２０２に対して、第１の可変受動素子６０が複数、例えば８個設けられ、第２の可変受動素子６１が複数、例えば８個設けられていてもよい。このように導電性弾性部材２０２の数に対して、インピーダンスが可変の第２の可変受動素子６１の個数は適宜設定することができる。図１３Ｃの例においても、中継部材２３０が設けられていてもよい。
【0106】
なお、インピーダンスが可変の第２の可変受動素子６１を複数設けることで、複数の導電性弾性部材２０２に対して個別に独立して電気的特性を制御することが可能となる。その結果、複数の導電性弾性部材２０２のそれぞれに対する電気的特性を均一にすることができ、プロセスの均一性を向上させることができる。
【0107】
【0108】
【0109】
図１４Ａに示すように、駆動装置７０は、上記実施形態のリフターピン７１に代えて、リフターピン３００を有していてもよい。リフターピン３００は、エッジリング１４の下面から縦方向に延在し、静電チャック１３、下部電極１２、支持部材１７、及びチャンバ１０の底部を貫通して設けられている。リフターピン３００とチャンバ１０の間は、チャンバ１０の内部を密閉するためにシールされている。リフターピン３００は、絶縁材料で形成される。また、リフターピン３００は、チャンバ１０の外部に設けられた駆動源７２によって縦方向に移動自在に構成されている。
【0110】
リフターピン３００の内部には、縦方向に延在する導電性ワイヤである接続部３１０が設けられている。接続部３１０は、エッジリング１４とリフターピン３００を直接接続し、エッジリング１４と第２の可変受動素子６１を接続する。具体的に接続部３１０は、その一端が第２の可変受動素子６１に接続され、他端がリフターピン３００の上面にて露出し、エッジリング１４の下面に接触する。
【0111】
図１４Ｂ及び図１４Ｃに示すように、リフターピン３００の内部に設けられた接続部３１０は、導電性構造３１１と導電性弾性部材３１２を有していてもよい。導電性構造３１１は、導電性弾性部材３１２を介してエッジリング１４と第２の可変受動素子６１を接続する。具体的に導電性構造３１１は、その一端が第２の可変受動素子６１に接続され、他端がリフターピン３００の内部の上部空間にて露出し、導電性弾性部材３１２に接触する。
【0112】
導電性弾性部材３１２は、リフターピン３００の内部の上部空間に設けられる。導電性弾性部材３１２は、導電性構造３１１とエッジリング１４の下面のそれぞれに接触する。また導電性弾性部材３１２は、例えば金属等の導体からなる。導電性弾性部材３１２の構成は特に限定されないが、例えば図１４Ｂに示すように縦方向に付勢された弾性を有する板バネが用いられてもよいし、図１４Ｃに示すように導電性構造３１１とエッジリング１４を接続するワイヤが用いられてもよい。或いは、導電性弾性部材３１２には、図１０Ｂに示したコイルスプリング、図１０Ｃに示したバネ、図１０Ｄに示したピン等が用いられてもよい。かかる場合、エッジリング１４と第２の可変受動素子６１は、導電性弾性部材３１２と導電性構造３１１を介して、電気的に直接接続される。
【0113】
図１４Ｄに示すように、リフターピン３００は上下面が開口した中空の円筒形状を有し、当該リフターピン３００の内部に設けられる接続部３１０は、導電性構造（第１の導電性構造）３１１と導電性弾性部材３１２に加えて、他の導電性構造（第２の導電性構造）３１３を有していてもよい。導電性構造３１３は、リフターピン３００の内側面に設けられる。導電性構造３１３は、例えば金属膜であってもよいし、金属製の円筒であってもよい。
【0114】
導電性構造３１１は、導電性構造３１３の下端に接続される。導電性弾性部材３１２は、導電性構造３１３の上端に接続される。かかる場合、エッジリング１４と第２の可変受動素子６１は、導電性弾性部材３１２、導電性構造３１３、及び導電性構造３１１を介して、電気的に直接接続される。
【0115】
以上、図１４Ａ～図１４Ｄに示したいずれの接続部３１０を用いた場合でも、接続部３１０を介してエッジリング１４と第２の可変受動素子６１を電気的に直接接続することができる。したがって、高周波電力ＬＦの周波数を５ＭＨｚ以下の低周波とすることができ、イオンエネルギーの制御性を向上させることができる。
【0116】
なお、以上の実施形態の接続部３１０は、絶縁材料で形成されるリフターピン３００の内部に設けられているため、プラズマから保護される構成を有さなくてもよい。
【0117】
【0118】
図１５Ａに示すように、駆動装置７０は、上記実施形態のリフターピン７１、３００に代えて、リフターピン４００を有していてもよい。リフターピン４００は、エッジリング１４の下面から縦方向に延在し、静電チャック１３、下部電極１２、支持部材１７、及びチャンバ１０の底部を貫通して設けられている。リフターピン４００とチャンバ１０の間は、チャンバ１０の内部を密閉するためにシールされている。リフターピン４００は、導電材料で形成される。また、リフターピン４００は、チャンバ１０の外部に設けられた駆動源７２によって縦方向に移動自在に構成されている。
【0119】
リフターピン４００の下端には、導電性構造４１０が接続されている。導電性構造４１０は、第２の可変受動素子６１に接続される。かかる場合、エッジリング１４と第２の可変受動素子６１は、リフターピン４００と導電性構造４１０を介して、電気的に直接接続される。
【0120】
上記リフターピン４００は、駆動装置７０によってエッジリング１４を上昇させた際、プラズマから保護される構成を有するのが好ましい。図１５Ｂ～図１５Ｃはそれぞれ、リフターピン４００のプラズマ対策の一例を示す。
【0121】
図１５Ｂに示すように、下部電極１２の上面においてリフターピン４００の内側に、図１１Ｂに示した追加エッジリング２１０を設けてもよい。かかる場合、追加エッジリング２１０によって、プラズマがリフターピン４００側に回り込むのを抑制することができ、リフターピン４００を保護することができる。なお、プラズマの回り込みを抑制する構成はこれに限定されず、図１１Ａ、図１１Ｃ～図１１Ｇのいずれかの構成を適用してもよい。
【0122】
図１５Ｃに示すように、リフターピン４００の外側面に、耐プラズマ性を有する絶縁部材４０１を設けてもよい。絶縁部材４０１は、例えば絶縁体の膜であってもよいし、絶縁体製の円筒であってもよい。かかる場合、絶縁部材４０１によって、プラズマからリフターピン４００を保護することができる。なお、図１５Ｂの構成において、図１５Ｃに示した絶縁部材４０１を更に設けてもよい。
【0123】
以上、図１５Ａ～図１５Ｃに示したいずれの場合でも、リフターピン４００を介してエッジリング１４と第２の可変受動素子６１を電気的に直接接続することができる。したがって、高周波電力ＬＦの周波数を５ＭＨｚ以下の低周波とすることができ、イオンエネルギーの制御性を向上させることができる。
【0124】
なお、図１５Ａ～１５Ｃではリフターピン４００自体が接続部を構成していたが、図１５Ｄに示すようにリフターピン４００の内部に、さらに導体としての接続部４２０を設けてもよい。接続部４２０は、導電性構造４２１と導電性弾性部材４２２を有していてもよい。導電性構造４２１は、導電性弾性部材４２２を介してエッジリング１４と第２の可変受動素子６１を接続する。具体的に導電性構造４２１は、その一端が第２の可変受動素子６１に接続され、他端がリフターピン４００の内部の上部空間にて露出し、導電性弾性部材４２２に接触する。なお、上記導電性構造４１０は、導電性構造４２１に含まれる。
【0125】
導電性弾性部材４２２は、リフターピン４００の内部の上部空間に設けられる。導電性弾性部材４２２は、導電性構造４２１とエッジリング１４の下面のそれぞれに接触する。また導電性弾性部材４２２は、例えば金属等の導体からなる。導電性弾性部材４２２の構成は特に限定されないが、例えば図１０Ａに示した縦方向に付勢された板バネが用いられてもよい。或いは、図１０Ｂに示したコイルスプリング、図１０Ｃに示したバネ、図１０Ｄに示したピン、図１０Ｅに示したワイヤ等が用いられてもよい。かかる場合、エッジリング１４と第２の可変受動素子６１は、リフターピン４００に加えて、導電性弾性部材４２２と導電性構造４２１を介して、電気的に直接接続される。また、リフターピン４００と導電性弾性部材４２２の接触による抵抗を抑制することができるので、エッジリング１４と第２の可変受動素子６１を更に適切に接続することができる。
【0126】
＜他の実施形態＞
以上の実施形態のエッチング装置１において、図１６に示すように直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源６２、切替ユニット６３、第１のＲＦフィルタ６４、及び第２のＲＦフィルタ６５が更に設けられていてもよい。第１のＲＦフィルタ６４と第２のＲＦフィルタ６５はそれぞれ、第１の可変受動素子６０と第２の可変受動素子６１に代えて設けられる。第１のＲＦフィルタ６４、第２のＲＦフィルタ６５、切替ユニット６３、及び直流電源６２は、エッジリング１４側からこの順で配置されている。すなわち、直流電源６２は、切替ユニット６３、第２のＲＦフィルタ６５、及び第１のＲＦフィルタ６４を介して、エッジリング１４に電気的に接続されている。なお、本実施形態では、直流電源６２が接地電位に接続される。
以上の実施形態のエッチング装置１において、図１６に示すように直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源６２、切替ユニット６３、第１のＲＦフィルタ６４、及び第２のＲＦフィルタ６５が更に設けられていてもよい。第１のＲＦフィルタ６４と第２のＲＦフィルタ６５はそれぞれ、第１の可変受動素子６０と第２の可変受動素子６１に代えて設けられる。第１のＲＦフィルタ６４、第２のＲＦフィルタ６５、切替ユニット６３、及び直流電源６２は、エッジリング１４側からこの順で配置されている。すなわち、直流電源６２は、切替ユニット６３、第２のＲＦフィルタ６５、及び第１のＲＦフィルタ６４を介して、エッジリング１４に電気的に接続されている。なお、本実施形態では、直流電源６２が接地電位に接続される。
【0127】
直流電源６２は、エッジリング１４に印加される負極性の直流電圧を発生する電源である。また、直流電源６２は、可変直流電源であり、直流電圧の高低を調整可能である。
【0128】
切替ユニット６３は、エッジリング１４に対する直流電源６２からの直流電圧の印加を停止可能に構成されている。なお、切替ユニット６３の回路構成は、当業者が適宜設計することができる。
【0129】
第１のＲＦフィルタ６４と第２のＲＦフィルタ６５はそれぞれ、高周波電力を減衰するフィルタである。第１のＲＦフィルタ６４は、例えば第１の高周波電源５０からの４０ＭＨｚの高周波電力を減衰する。第２のＲＦフィルタ６５は、例えば第２の高周波電源５１からの４００ｋＨｚの高周波電力を減衰する。
【0130】
一例においては、第２のＲＦフィルタ６５は、インピーダンスが可変に構成されている。すなわち、第２のＲＦフィルタ６５は少なくとも１つの可変受動素子を含み、インピーダンスが可変になっている。可変受動素子は、例えばコイル（インダクタ）又はコンデンサ（キャパシタ）のいずれかであってもよい。また、コイル、コンデンサに限らず、ダイオード等の素子など可変インピーダンス素子であればどのようなものであっても同様の機能を達成できる。可変受動素子の数や位置も、当業者が適宜設計することができる。さらに、素子自体が可変である必要はなく、例えば、インピーダンスが固定値の素子を複数備え、切替回路を用いて固定値の素子の組み合わせを切り替えることでインピーダンスを可変してもよい。なお、この第２のＲＦフィルタ６５及び上記第１のＲＦフィルタ６４の回路構成はそれぞれ、当業者が適宜設計することができる。
【0131】
また、エッチング装置１は、エッジリング１４の自己バイアス電圧（又は、下部電極１２もしくはウェハＷの自己バイアス電圧）を測定する測定器（図示せず）を更に有していてもよい。なお、測定器の構成は、当業者が適宜設計することができる。
【0132】
次に、本実施形態のエッチング装置１を用いて、チルト角度を制御する方法について説明する。本実施形態では、上記実施形態における駆動装置７０の駆動量の調整と第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスの調整に加えて、直流電源６２からの直流電圧を調整する。すなわち、少なくとも駆動装置７０の駆動量、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンス及び直流電源６２からの直流電圧からなる群から選択される２つを調整して、チルト角度を制御する。図１７と図１８はそれぞれ、本実施形態におけるチルト角度の制御方法の一例を示す。
【0133】
図１７に示す例においては、先ず、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスを調整し、チルト角度を補正する。次に、インピーダンスが予め定められた値、例えば上限値に達すると、直流電源６２からの直流電圧を調整し、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にする。
【0134】
直流電源６２では、エッジリング１４に印加する直流電圧が、自己バイアス電圧Ｖｄｃの絶対値と設定値ΔＶの和をその絶対値として有する負極性の電圧、すなわち、－（｜Ｖｄｃ｜＋ΔＶ）に設定される。自己バイアス電圧Ｖｄｃは、ウェハＷの自己バイアス電圧であり、一方又は双方の高周波電力が供給されており、且つ、直流電源６２からの直流電圧が下部電極１２に印加されていないときの下部電極１２の自己バイアス電圧である。設定値ΔＶは、制御部１００によって与えられる。
【0135】
制御部１００は、上記実施形態における駆動装置７０の駆動量の設定、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスの設定と同様に、エッジリング１４の消耗量から、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスを設定する。設定値ΔＶを決定する。
【0136】
制御部１００は、設定値ΔＶの決定において、エッジリング１４の初期の厚みと、例えばレーザ測定器やカメラなどの測定器を用いて実測されたエッジリング１４の厚みとの差を、エッジリング１４の消耗量として用いてもよい。また、例えば質量計などの測定器によって測定されたエッジリング１４の質量の変化から、エッジリング１４の消耗量を推定してもよい。或いは、制御部１００は、設定値ΔＶの決定のために、予め定められた別の関数又はテーブルを用いて、特定のパラメータから、エッジリング１４の消耗量を推定してもよい。この特定のパラメータは、自己バイアス電圧Ｖｄｃ、高周波電力ＨＦ又は高周波電力ＬＦの波高値Ｖｐｐ、負荷インピーダンス、エッジリング１４又はエッジリング１４の周辺の電気的特性等のうちのいずれかであり得る。エッジリング１４又はエッジリング１４の周辺の電気特性は、エッジリング１４又はエッジリング１４の周辺の任意の箇所の電圧、電流値、エッジリング１４を含む抵抗値等のうちいずれかであり得る。別の関数又はテーブルは、特定のパラメータとエッジリング１４の消耗量の関係を定めるように予め定められている。エッジリング１４の消耗量を推定するために、実際のエッチングの実行前又はエッチング装置１のメンテナンス時に、消耗量を推定するための測定条件、すなわち、高周波電力ＨＦ、高周波電力ＬＦ、処理空間Ｓ内の圧力、及び、処理空間Ｓに供給される処理ガスの流量等の設定の下で、エッチング装置１が動作される。そして、上記特定のパラメータが取得され、この当該特定のパラメータを上記別の関数に入力することにより、或いは、当該特定のパラメータを用いて上記テーブルを参照することにより、エッジリング１４の消耗量が特定される。
【0137】
エッチング装置１では、エッチング中、すなわち、高周波電力ＨＦ及び高周波電力ＬＦのうち一方又は双方の高周波電力が供給される期間において、直流電源６２からエッジリング１４に直流電圧が印加される。これにより、エッジリング１４及びウェハＷのエッジ領域の上方におけるシースの形状が制御されて、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の傾きが低減され、チルト角度が制御される。その結果、ウェハＷの全領域にわたって、当該ウェハＷの厚み方向に略平行な凹部が形成される。
【0138】
より詳細には、エッチング中、測定器（図示せず）によって自己バイアス電圧Ｖｄｃが測定される。また、直流電源６２からエッジリング１４に直流電圧が印加される。エッジリング１４に印加される直流電圧の値は、上述したように－（｜Ｖｄｃ｜＋ΔＶ）である。｜Ｖｄｃ｜は、直前に測定器によって取得された自己バイアス電圧Ｖｄｃの測定値の絶対値であり、ΔＶは制御部１００によって決定された設定値である。このようにエッチング中に測定された自己バイアス電圧Ｖｄｃからエッジリング１４に印加される直流電圧が決定される。そうすると、自己バイアス電圧Ｖｄｃに変化が生じても、直流電源６２によって発生される直流電圧が補正され、チルト角度が適切に補正される。
【0139】
また、図１７に示す例において、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスに代えて、駆動装置７０の駆動量を調整してもよい。すなわち、駆動装置７０の駆動量と直流電源６２からの直流電圧を調整して、チルト角度を補正してもよい。
【0140】
図１８に示す例においては、先ず、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスを調整し、チルト角度を補正する。次に、インピーダンスが予め定められた値、例えば上限値に達すると、直流電源６２からの直流電圧を調整し、チルト角度を補正する。
【0141】
ここで、直流電圧の絶対値を高くし過ぎると、ウェハＷとエッジリング１４との間で放電が生じる。したがって、エッジリング１４に印加できる直流電圧には制限があり、直流電圧の調整だけでチルト角度を制御しようとしても、その制御範囲には限界がある。
【0142】
そこで、直流電圧の絶対値が予め定められた値、例えば上限値に達すると、駆動装置７０の駆動量を調整し、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にする。
【0143】
以上のように本実施形態によれば、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスの調整と駆動装置７０の駆動量の調整に加えて、直流電源６２からの直流電圧の調整を行うことで、チルト角度の調整範囲を大きくすることができる。したがって、チルト角度を適切に制御することができ、すなわち、イオンの入射方向を適切に調整することができるので、エッチングを均一に行うことができる。
【0144】
なお、チルト角度を制御するにあたり、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスの調整、駆動装置７０の駆動量の調整、直流電源６２からの直流電圧の組み合わせは任意に設計することができる。
【0145】
また、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスの調整、駆動装置７０の駆動量の調整、直流電源６２からの直流電圧はそれぞれ個別に行ったが、これら調整を同時に行ってもよい。
【0146】
以上の実施形態では、直流電源６２は、切替ユニット６３、第２のＲＦフィルタ６５、及び第１のＲＦフィルタ６４を介して、エッジリング１４に接続されていたが、エッジリング１４に直流電圧を印加する電源系はこれに限定されない。例えば、直流電源６２は、切替ユニット６３、第２のＲＦフィルタ６５、第１のＲＦフィルタ６４、及び下部電極１２を介して、エッジリング１４に電気的に接続されていてもよい。かかる場合、下部電極１２とエッジリング１４は直接電気的に結合し、エッジリング１４の自己バイアス電圧は下部電極１２の自己バイアス電圧と同じになる。
【0147】
ここで、下部電極１２とエッジリング１４が直接電気的に結合している場合、例えばハード構造で決定されるエッジリング１４下の容量等により、エッジリング１４上のシース厚みを調整できず、直流電圧を印加していないにも関わらずアウターチルトの状態が起こり得る。この点、本開示では、直流電源６２からの直流電圧と、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスと、駆動装置７０の駆動量とを調整して、チルト角度を制御することができるので、当該チルト角度をインナー側に変化させることで、チルト角度を０（ゼロ）度に調整することができる。
【0148】
なお、以上の実施形態では、第２のＲＦフィルタ６５のインピーダンスを可変にしたが、第１のＲＦフィルタ６４のインピーダンスを可変にしてもよいし、ＲＦフィルタ６４、６５の両方のインピーダンスを可変にしてもよい。かかる場合、第１のＲＦフィルタ６４は、少なくとも１つの可変受動素子を含む。また、以上の実施形態では、直流電源６２に対して２つのＲＦフィルタ６４、６５を設けたが、ＲＦフィルタの数はこれに限定されず、例えば１つであってもよい。また、以上の実施形態では、第２のＲＦフィルタ６５（第１のＲＦフィルタ６４）は少なくとも１つの可変受動素子を含むことでインピーダンスを可変としたが、インピーダンスを可変とする構成はこれに限定されない。例えば、インピーダンス可変又は固定のＲＦフィルタに、当該ＲＦフィルタのインピーダンスを可能可能なデバイスを接続してもよい。すなわち、インピーダンスが可変のＲＦフィルタは、ＲＦフィルタと、このＲＦフィルタと接続し、このＲＦフィルタのインピーダンスを変可能なデバイスとによって構成されてもよい。また、ＲＦフィルタは少なくとも１つの可変受動素子を含むことでインピーダンスを可変としたが、ＲＦフィルタにはインピーダンスが可変でないものを用いて、ＲＦフィルタの外部に可変受動素子を設けてもよい。
【0149】
＜他の実施形態＞
以上の実施形態では、エッジリング１４の消耗量に応じて、駆動装置７０の駆動量の調整、第２の可変受動素子６１（第２のＲＦフィルタ６５）のインピーダンスの調整、直流電源６２からの直流電圧の調整を行ったが、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整タイミングはこれに限定されない。例えばウェハＷの処理時間に応じて、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整を行ってもよい。或いは、例えばウェハＷの処理時間と、例えば高周波電力等の予め定められたパラメータとを組み合わせて、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整タイミングを判断してもよい。
以上の実施形態では、エッジリング１４の消耗量に応じて、駆動装置７０の駆動量の調整、第２の可変受動素子６１（第２のＲＦフィルタ６５）のインピーダンスの調整、直流電源６２からの直流電圧の調整を行ったが、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整タイミングはこれに限定されない。例えばウェハＷの処理時間に応じて、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整を行ってもよい。或いは、例えばウェハＷの処理時間と、例えば高周波電力等の予め定められたパラメータとを組み合わせて、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整タイミングを判断してもよい。
【0150】
＜他の実施形態＞
以上の実施形態のエッチング装置１は容量結合型のエッチング装置であったが、本開示が適用されるエッチング装置はこれに限定されない。例えばエッチング装置は、誘導結合型のエッチング装置であってもよい。
以上の実施形態のエッチング装置１は容量結合型のエッチング装置であったが、本開示が適用されるエッチング装置はこれに限定されない。例えばエッチング装置は、誘導結合型のエッチング装置であってもよい。
【0151】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【0152】
本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
【0153】
（付記１）
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングを縦方向に移動させるように構成される駆動装置と、
前記基板支持体の上方に配置される上部電極と、
前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成するためにソースＲＦ電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソースＲＦ電源と、
バイアスＲＦ電力を前記下部電極に供給するように構成されるバイアスＲＦ電源と、
前記エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体を介して前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加するように構成される直流電源と、
前記少なくとも１つの導体と前記直流電源との間に電気的に接続され、少なくとも１つの可変受動素子を含むＲＦフィルタと、
前記駆動装置及び前記少なくとも１つの可変受動素子を制御して、前記静電チャック上に載置された基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整するように構成される制御部と、
備える、プラズマ処理装置。
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングを縦方向に移動させるように構成される駆動装置と、
前記基板支持体の上方に配置される上部電極と、
前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成するためにソースＲＦ電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソースＲＦ電源と、
バイアスＲＦ電力を前記下部電極に供給するように構成されるバイアスＲＦ電源と、
前記エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体を介して前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加するように構成される直流電源と、
前記少なくとも１つの導体と前記直流電源との間に電気的に接続され、少なくとも１つの可変受動素子を含むＲＦフィルタと、
前記駆動装置及び前記少なくとも１つの可変受動素子を制御して、前記静電チャック上に載置された基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整するように構成される制御部と、
備える、プラズマ処理装置。
【0154】
（付記２）
前記駆動装置は、
前記エッジリングを支持するように構成されるリフターピンと、
前記リフターピンを縦方向に移動させるように構成される駆動源と、を備える、付記１に記載のプラズマ処理装置。
前記駆動装置は、
前記エッジリングを支持するように構成されるリフターピンと、
前記リフターピンを縦方向に移動させるように構成される駆動源と、を備える、付記１に記載のプラズマ処理装置。
【0155】
（付記３）
前記リフターピンは、少なくとも表面が絶縁材料で形成される、付記２に記載のプラズマ処理装置。
前記リフターピンは、少なくとも表面が絶縁材料で形成される、付記２に記載のプラズマ処理装置。
【0156】
（付記４）
前記少なくとも１つの導体は、前記リフターピン内で縦方向に延在する導電性ワイヤを含み、
前記導電性ワイヤの一端は、前記エッジリングと接触している、付記３に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つの導体は、前記リフターピン内で縦方向に延在する導電性ワイヤを含み、
前記導電性ワイヤの一端は、前記エッジリングと接触している、付記３に記載のプラズマ処理装置。
【0157】
（付記５）
前記少なくとも１つの導体は、前記エッジリングと接触する導電性弾性部材を含む、付記３に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つの導体は、前記エッジリングと接触する導電性弾性部材を含む、付記３に記載のプラズマ処理装置。
【0158】
（付記６）
前記導電性弾性部材は、前記リフターピン内に配置される、付記５に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性弾性部材は、前記リフターピン内に配置される、付記５に記載のプラズマ処理装置。
【0159】
（付記７）
前記導電性弾性部材は、前記エッジリングと前記静電チャックとの間に配置される、付記５に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性弾性部材は、前記エッジリングと前記静電チャックとの間に配置される、付記５に記載のプラズマ処理装置。
【0160】
（付記８）
前記エッジリングと前記静電チャックとの間に配置される追加のエッジリングをさらに備える、付記７に記載のプラズマ処理装置。
前記エッジリングと前記静電チャックとの間に配置される追加のエッジリングをさらに備える、付記７に記載のプラズマ処理装置。
【0161】
（付記９）
前記追加のエッジリングは、絶縁材料で形成され、前記導電性弾性部材よりも内側に配置される、付記８に記載のプラズマ処理装置。
前記追加のエッジリングは、絶縁材料で形成され、前記導電性弾性部材よりも内側に配置される、付記８に記載のプラズマ処理装置。
【0162】
（付記１０）
前記エッジリングは、その下面に突起部を有する、付記９に記載のプラズマ処理装置。
前記エッジリングは、その下面に突起部を有する、付記９に記載のプラズマ処理装置。
【0163】
（付記１１）
前記追加のエッジリングは、導電性材料で形成され、
前記導電性弾性部材は、前記エッジリングと前記追加のエッジリングとの間に配置される、付記８に記載のプラズマ処理装置。
前記追加のエッジリングは、導電性材料で形成され、
前記導電性弾性部材は、前記エッジリングと前記追加のエッジリングとの間に配置される、付記８に記載のプラズマ処理装置。
【0164】
（付記１２）
前記エッジリングは、前記少なくとも１つの導体と接触する少なくとも１つの導電膜を有する、付記１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記エッジリングは、前記少なくとも１つの導体と接触する少なくとも１つの導電膜を有する、付記１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0165】
（付記１３）
前記少なくとも１つの導体は、平面視で前記エッジリングの周方向に沿って等間隔に配置される複数の導体を含む、付記１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つの導体は、平面視で前記エッジリングの周方向に沿って等間隔に配置される複数の導体を含む、付記１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0166】
（付記１４）
前記エッジリングは、導電性を有する、付記１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記エッジリングは、導電性を有する、付記１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0167】
（付記１５）
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングを縦方向に移動させるように構成される駆動装置と、
前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成するためにＲＦ電力を生成するように構成されるＲＦ電源と、
前記エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体に電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記駆動装置及び前記少なくとも１つの可変受動素子を制御して、前記静電チャック上に載置された基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整するように構成される制御部と、
備える、プラズマ処理装置。
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングを縦方向に移動させるように構成される駆動装置と、
前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成するためにＲＦ電力を生成するように構成されるＲＦ電源と、
前記エッジリングと接触する少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体に電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記駆動装置及び前記少なくとも１つの可変受動素子を制御して、前記静電チャック上に載置された基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整するように構成される制御部と、
備える、プラズマ処理装置。
【0168】
（付記１６）
前記駆動装置は、
前記エッジリングを支持するように構成されるリフターピンと、
前記リフターピンを縦方向に移動させるように構成される駆動源と、を備える、付記１５に記載のプラズマ処理装置。
前記駆動装置は、
前記エッジリングを支持するように構成されるリフターピンと、
前記リフターピンを縦方向に移動させるように構成される駆動源と、を備える、付記１５に記載のプラズマ処理装置。
【0169】
（付記１７）
前記リフターピンは、少なくとも表面が絶縁材料で形成される、付記１６に記載のプラズマ処理装置。
前記リフターピンは、少なくとも表面が絶縁材料で形成される、付記１６に記載のプラズマ処理装置。
【0170】
（付記１８）
前記少なくとも１つの導体は、前記リフターピン内で縦方向に延在する導電性ワイヤを含み、
前記導電性ワイヤの一端は、前記エッジリングと電気的且つ物理的に接続される、付記１７に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つの導体は、前記リフターピン内で縦方向に延在する導電性ワイヤを含み、
前記導電性ワイヤの一端は、前記エッジリングと電気的且つ物理的に接続される、付記１７に記載のプラズマ処理装置。
【0171】
（付記１９）
プラズマ処理装置を用いたエッチング方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングと電気的且つ物理的に接続される少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体に電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
を備え、
前記エッチング方法は、
（ａ）基板を前記静電チャック上に載置する工程と、
（ｂ）前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成する工程と、
（ｃ）生成されたプラズマで前記基板をエッチングする工程と、
（ｄ）前記基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整する工程であり、前記調整する工程は、
（ｄ１）前記エッジリングを縦方向に移動させる工程と、
（ｄ２）前記少なくとも１つの可変受動素子を調整する工程と、
を含む、工程と、
を含む、エッチング方法。
プラズマ処理装置を用いたエッチング方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持体であり、前記基板支持体は、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングとを含む、基板支持体と、
前記エッジリングと電気的且つ物理的に接続される少なくとも１つの導体と、
前記少なくとも１つの導体に電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
を備え、
前記エッチング方法は、
（ａ）基板を前記静電チャック上に載置する工程と、
（ｂ）前記プラズマ処理チャンバ内のガスからプラズマを生成する工程と、
（ｃ）生成されたプラズマで前記基板をエッチングする工程と、
（ｄ）前記基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整する工程であり、前記調整する工程は、
（ｄ１）前記エッジリングを縦方向に移動させる工程と、
（ｄ２）前記少なくとも１つの可変受動素子を調整する工程と、
を含む、工程と、
を含む、エッチング方法。
【符号の説明】
【0172】
１ エッチング装置
１０ チャンバ
１１ ステージ
１２ 下部電極
１３ 静電チャック
１４ エッジリング
２１ 電極板
５０ 第１の高周波電源
５１ 第２の高周波電源
６２ 直流電源
６４ 第１のＲＦフィルタ
６５ 第２のＲＦフィルタ
７０ 駆動装置
１００ 制御部
２００ 接続部
３１０ 接続部
４２０ 接続部
Ｗ ウェハ
１０ チャンバ
１１ ステージ
１２ 下部電極
１３ 静電チャック
１４ エッジリング
２１ 電極板
５０ 第１の高周波電源
５１ 第２の高周波電源
６２ 直流電源
６４ 第１のＲＦフィルタ
６５ 第２のＲＦフィルタ
７０ 駆動装置
１００ 制御部
２００ 接続部
３１０ 接続部
４２０ 接続部
Ｗ ウェハ
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図10D】
【図10E】
【図10F】
【図11A】
【図11B】
【図11C】
【図11D】
【図11E】
【図11F】
【図11G】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図14A】
【図14B】
【図14C】
【図14D】
【図15A】
【図15B】
【図15C】
【図15D】
【図16】
【図17】
【図18】