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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023028688
(43)【公開日】2023-03-03
(54)【発明の名称】樹脂組成物及び該樹脂組成物からなる成形品
(51)【国際特許分類】
C08L 67/02 20060101AFI20230224BHJP
C08K 3/04 20060101ALI20230224BHJP
C08K 7/06 20060101ALI20230224BHJP
C08L 69/00 20060101ALI20230224BHJP
C08L 25/04 20060101ALI20230224BHJP
【ＦＩ】
C08L67/02
C08K3/04
C08K7/06
C08L69/00
C08L25/04
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021134547
(22)【出願日】2021-08-20
(71)【出願人】
【識別番号】390006323
【氏名又は名称】ポリプラスチックス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100106002
【弁理士】
【氏名又は名称】正林 真之
(74)【代理人】
【識別番号】100120891
【弁理士】
【氏名又は名称】林 一好
(72)【発明者】
【氏名】藤田 容史
(72)【発明者】
【氏名】西澤 洋二
【テーマコード（参考）】
4J002
【Ｆターム（参考）】
4J002BC022
4J002BC062
4J002BC072
4J002BC082
4J002CF051
4J002CF071
4J002CG012
4J002CG042
4J002DA036
4J002DA037
4J002DL000
4J002FA040
4J002FA047
4J002FD016
4J002FD017
4J002FD030
4J002FD070
4J002FD080
4J002FD130
4J002FD170
4J002GQ00
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、１０ＧＨｚ以上の高周波電磁波に対してシールド性を有し、低そり性に優れかつ電気絶縁性に優れた樹脂組成物を提供することにある。
【解決手段】本発明の目的は、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）６０～９５質量部と、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂から選ばれる一種以上の高分子化合物（Ｂ）５～４０質量部の合計１００質量部に対し、カーボンブラック（Ｃ）２～６質量部および炭素繊維（Ｄ）を０．３～４質量部含有し、かつ該カーボンブラック（Ｃ）と該炭素繊維（Ｄ）の合計が７質量部以下である樹脂組成物であって、体積抵抗率が１×１０１０～１×１０１７Ω・ｃｍであり、透過損失が７５～１１０ＧＨｚの帯域で－３０ｄＢ以下で、かつ電磁波吸収率が３０％以上である樹脂組成物、によって達成された。
【選択図】なし
【解決手段】本発明の目的は、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）６０～９５質量部と、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂から選ばれる一種以上の高分子化合物（Ｂ）５～４０質量部の合計１００質量部に対し、カーボンブラック（Ｃ）２～６質量部および炭素繊維（Ｄ）を０．３～４質量部含有し、かつ該カーボンブラック（Ｃ）と該炭素繊維（Ｄ）の合計が７質量部以下である樹脂組成物であって、体積抵抗率が１×１０１０～１×１０１７Ω・ｃｍであり、透過損失が７５～１１０ＧＨｚの帯域で－３０ｄＢ以下で、かつ電磁波吸収率が３０％以上である樹脂組成物、によって達成された。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）６０～９５質量部と、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂から選ばれる一種以上の高分子化合物（Ｂ）５～４０質量部の合計１００質量部に対し、カーボンブラック（Ｃ）２～６質量部および炭素繊維（Ｄ）を０．３～４質量部含有し、かつ該カーボンブラック（Ｃ）と該炭素繊維（Ｄ）の合計が７質量部以下である樹脂組成物であって、体積抵抗率が１×１０１０～１×１０１７Ω・ｃｍであり、透過損失が７５～１１０ＧＨｚの帯域で－３０ｄＢ以下で、かつ電磁波吸収率が３０％以上である樹脂組成物。
【請求項2】
前記カーボンブラック（Ｃ）がケッチェンブラックである請求項1記載の樹脂組成物。
【請求項3】
請求項１又は２記載の樹脂組成物からなる成形品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、樹脂組成物であって、電磁波シールド性を有する樹脂組成物及び該樹脂組成物からなる成形品に関する。特にギガヘルツ帯域において優れた電磁波シールド性を有する樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【0002】
近年電子機器はあらゆる分野で使用されている。特に通信機器はラジオなどの比較的長波長の電波を利用しているものから、携帯電話や衛星放送、無線ＬＡＮといった短波長の電波を利用している機器が増えており、電磁波シールドは重要な技術となっている。
【0003】
電磁波による誤動作を防ぐために電磁波を遮蔽する技術としては、金属などの筐体を使用する、樹脂製の筐体に金属繊維や炭素繊維、金属コーティングした炭素繊維、カーボンナノチューブといった導電性のフィラーを樹脂に添加する、導電フィルムや塗装、メッキといった処理を施すことが知られている。（特許文献１）
【0004】
金属の筐体は性能が良いものの重量増や設計の自由度が低く、樹脂の筐体にフィルムや塗装、メッキを施すといった手法は剥がれる恐れがあるためライフサイクルの長いものに使用することは適していないとされている。
【0005】
金属を使用せずに電磁波シールド性を有するものとしてカーボンブラックと炭素繊維の併用が知られている（特許文献２、３）。これらの文献では１ＧＨｚ程度のシールド性が示されており炭素繊維量が少ないと十分な電磁波シールド性が得られず、導電性を付与することで高い電磁波シールド性が得られると記載されている。
【0006】
また、電子機器の小型化・軽量化に伴い、例えばマイクロスイッチケース、小型コイルボビン、薄肉コネクター、ディスクカートリッジシャッター等においては、樹脂の流れの不均一に基づく、そり発生の増大等の問題があり、電気絶縁性があり、電磁波シールド性が良好で低そり性が改良された材料が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２０１２－２２９３４５号公報
【特許文献2】特開２０１０－３１２５７号公報
【特許文献3】特開２００６－４５３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
電子機器の発達により１０ＧＨｚ以上の高周波電磁波に対する電磁波シールド性が求められており従来の導電性の電磁波シールド材は、電気絶縁性も必要となる電気機器部品に使用する際、電気絶縁材などを複合して使用する必要があった。
【0009】
本発明の目的は、１０ＧＨｚ以上の高周波電磁波に対してシールド性を有し、かつ電気絶縁性に優れ低そり性が改良された樹脂組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の目的は、下記によって達成された。
１． ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）６０～９５質量部と、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂から選ばれる一種以上の高分子化合物（Ｂ）５～４０質量部の合計１００質量部に対し、カーボンブラック（Ｃ）２～６質量部および炭素繊維（Ｄ）を０．３～４質量部含有し、かつ該カーボンブラック（Ｃ）と該炭素繊維（Ｄ）の合計が７質量部以下である樹脂組成物であって、体積抵抗率が１×１０１０～１×１０１７Ω・ｃｍであり、透過損失が７５～１１０ＧＨｚの帯域で－３０ｄＢ以下で、かつ電磁波吸収率が３０％以上である樹脂組成物。
２． 前記カーボンブラック（Ｃ）がケッチェンブラックである前記1記載の樹脂組成物。
３. 前記１又は２記載の樹脂組成物からなる成形品。
１． ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）６０～９５質量部と、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂から選ばれる一種以上の高分子化合物（Ｂ）５～４０質量部の合計１００質量部に対し、カーボンブラック（Ｃ）２～６質量部および炭素繊維（Ｄ）を０．３～４質量部含有し、かつ該カーボンブラック（Ｃ）と該炭素繊維（Ｄ）の合計が７質量部以下である樹脂組成物であって、体積抵抗率が１×１０１０～１×１０１７Ω・ｃｍであり、透過損失が７５～１１０ＧＨｚの帯域で－３０ｄＢ以下で、かつ電磁波吸収率が３０％以上である樹脂組成物。
２． 前記カーボンブラック（Ｃ）がケッチェンブラックである前記1記載の樹脂組成物。
３. 前記１又は２記載の樹脂組成物からなる成形品。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、高周波電磁波に対してシールド性を有し、かつ電気絶縁性に優れ低そり性が改良された樹脂組成物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0012】
本発明の樹脂組成物は、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）６０～９５質量部と、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂から選ばれる一種以上の高分子化合物（Ｂ）５～４０質量部の合計１００質量部に対し、カーボンブラック（Ｃ）を２～６質量部および炭素繊維（Ｄ）を０．３～４質量部含有し、かつ（Ｃ）と（Ｄ）の合計が７質量部以下である樹脂組成物であって、体積抵抗率が１×１０１０～１×１０１７Ω・ｃｍであり、透過損失が７５～１１０ＧＨｚの帯域で－３０ｄＢ以下で、かつ電磁波吸収率が３０％以上であることを特徴とする。
【0013】
＜ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）＞
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）は、少なくともテレフタル酸又はそのエステル形成性誘導体（Ｃ１－６のアルキルエステルや酸ハロゲン化物等）を含むジカルボン酸成分と、少なくとも炭素原子数４のアルキレングリコール（１，４－ブタンジオール）又はそのエステル形成性誘導体（アセチル化物等）を含むグリコール成分とを重縮合して得られるポリブチレンテレフタレート樹脂である。
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）は、少なくともテレフタル酸又はそのエステル形成性誘導体（Ｃ１－６のアルキルエステルや酸ハロゲン化物等）を含むジカルボン酸成分と、少なくとも炭素原子数４のアルキレングリコール（１，４－ブタンジオール）又はそのエステル形成性誘導体（アセチル化物等）を含むグリコール成分とを重縮合して得られるポリブチレンテレフタレート樹脂である。
【0014】
本実施形態において、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）はホモポリブチレンテレフタレート樹脂に限らず、ブチレンテレフタレート単位を６０モル％以上含有する共重合体であってもよい。
【0015】
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の末端カルボキシル基量は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されないが、３０ｍｅｑ／ｋｇ以下が好ましく、２５ｍｅｑ／ｋｇ以下がより好ましい。
【0016】
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の固有粘度は本発明の目的を阻害しない範囲で特に制限されないが、０．６０ｄＬ／ｇ以上１．５ｄＬ／ｇ以下であるのが好ましく、０．６５ｄＬ／ｇ以上１．２ｄＬ／ｇ以下であるのがより好ましい。
【0017】
このような範囲の固有粘度のポリブチレンテレフタレート樹脂を用いる場合には、得られるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物が特に成形性に優れたものとなる。また、異なる固有粘度を有するポリブチレンテレフタレート樹脂をブレンドして、固有粘度を調整することもできる。
【0018】
例えば、固有粘度１．０ｄＬ／ｇのポリブチレンテレフタレート樹脂と固有粘度０．７ｄＬ／ｇのポリブチレンテレフタレート樹脂とをブレンドすることにより、固有粘度０．９ｄＬ／ｇのポリブチレンテレフタレート樹脂を調製することができる。ポリブチレンテレフタレート樹脂の固有粘度は、例えば、ｏ－クロロフェノール中で温度３５℃の条件で測定することができる。
【0019】
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の調製において、コモノマー成分としてテレフタル酸以外の芳香族ジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体を用いる場合、例えば、イソフタル酸、フタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、４，４’－ジカルボキシジフェニルエーテル等のＣ８－１４の芳香族ジカルボン酸；コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のＣ４－１６のアルカンジカルボン酸；シクロヘキサンジカルボン酸等のＣ５－１０のシクロアルカンジカルボン酸；これらのジカルボン酸成分のエステル形成性誘導体（Ｃ１－６のアルキルエステル誘導体や酸ハロゲン化物等）を用いることができる。これらのジカルボン酸成分は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
【0020】
これらのジカルボン酸成分の中では、イソフタル酸等のＣ８－１２の芳香族ジカルボン酸、及び、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のＣ６－１２のアルカンジカルボン酸がより好ましい。
【0021】
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の調製において、コモノマー成分として１，４－ブタンジオール以外のグリコール成分を用いる場合、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、１，３－ブチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、ネオペンチルグリコール、１，３－オクタンジオール等のＣ２－１０のアルキレングリコール；ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール等のポリオキシアルキレングリコール；シクロヘキサンジメタノール、水素化ビスフェノールＡ等の脂環式ジオール；ビスフェノールＡ、４，４’－ジヒドロキシビフェニル等の芳香族ジオール；ビスフェノールＡのエチレンオキサイド２モル付加体、ビスフェノールＡのプロピレンオキサイド３モル付加体等の、ビスフェノールＡのＣ２－４のアルキレンオキサイド付加体；又はこれらのグリコールのエステル形成性誘導体（アセチル化物等）を用いることができる。これらのグリコール成分は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
【0022】
これらのグリコール成分の中では、エチレングリコール、トリメチレングリコール等のＣ２－６のアルキレングリコール、ジエチレングリコール等のポリオキシアルキレングリコール、又は、シクロヘキサンジメタノール等の脂環式ジオール等がより好ましい。
【0023】
ジカルボン酸成分及びグリコール成分の他に使用できるコモノマー成分としては、例えば、４－ヒドロキシ安息香酸、３－ヒドロキシ安息香酸、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、４－カルボキシ－４’－ヒドロキシビフェニル等の芳香族ヒドロキシカルボン酸；グリコール酸、ヒドロキシカプロン酸等の脂肪族ヒドロキシカルボン酸；プロピオラクトン、ブチロラクトン、バレロラクトン、カプロラクトン（ε－カプロラクトン等）等のＣ３－１２ラクトン；これらのコモノマー成分のエステル形成性誘導体（Ｃ１－６のアルキルエステル誘導体、酸ハロゲン化物、アセチル化物等）が挙げられる。
【0024】
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の含有量は、樹脂組成物の樹脂全質量（ポリブチレンフタレート樹脂（Ａ）＋高分子化合物（Ｂ））１００質量部に対し、６０～９５質量部であることが好ましく、７０～９０質量部であることがより好ましく、７５～８５質量部であることがさらに好ましい。
【0025】
＜高分子化合物（Ｂ）＞
高分子化合物（Ｂ）は、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂から選ばれる一種以上の高分子化合物である。
高分子化合物（Ｂ）は、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂から選ばれる一種以上の高分子化合物である。
【0026】
≪ポリカーボネート樹脂≫
ポリカーボネート樹脂は、溶剤法、即ち塩化メチレン等の溶剤中で公知の酸受容体、分子量調整剤の存在下、二価フェノールとホスゲンのようなカーボネート前駆体との反応、または二価フェノールとジフェニルカーボネートのようなカーボネート前駆体とのエステル交換反応によって製造することができる。ここで好適に使用し得る二価フェノールとしてはビスフェノール類があり、特に２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、即ちビスフェノールＡが好ましい。また、フェノールＡの一部または全部を他の二価フェノールで置換したものであってもよい。
ポリカーボネート樹脂は、溶剤法、即ち塩化メチレン等の溶剤中で公知の酸受容体、分子量調整剤の存在下、二価フェノールとホスゲンのようなカーボネート前駆体との反応、または二価フェノールとジフェニルカーボネートのようなカーボネート前駆体とのエステル交換反応によって製造することができる。ここで好適に使用し得る二価フェノールとしてはビスフェノール類があり、特に２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、即ちビスフェノールＡが好ましい。また、フェノールＡの一部または全部を他の二価フェノールで置換したものであってもよい。
【0027】
ビスフェノールＡ以外の二価フェノールとしては、例えばハイドロキノン、４,４－ジヒドロキシジフェニル、ビス（４－ヒドロキシフェニル）アルカン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４－ヒドロキシフェニル）エーテルのような化合物、またはビス（３，５－ジブロモ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３，５－ジクロロ－４－ヒドロキシフェニル）プロパンのようなハロゲン化ビスフェノール類を挙げることができる。
【0028】
これらの二価フェノールは、二価フェノールのホモポリマーまたは２種以上のコポリマーであってもよい。更に本発明で用いるポリカーボネート樹脂は、多官能性芳香族を二価フェノール及び／又はカーボネート前駆体と反応させた熱可塑性ランダム分岐ポリカーボネートであってもよい。本発明に用いるポリカーボネートは、特に高流動性のものが好ましい。
【0029】
≪スチレン系樹脂≫
スチレン系樹脂とは、芳香族ビニル化合物から誘導される繰り返し単位を含む重合体及び共重合体が挙げられる。芳香族ビニル化合物としては、スチレン、α－アルキル置換スチレン、核アルキル置換スチレンなどが挙げられる。
スチレン系樹脂とは、芳香族ビニル化合物から誘導される繰り返し単位を含む重合体及び共重合体が挙げられる。芳香族ビニル化合物としては、スチレン、α－アルキル置換スチレン、核アルキル置換スチレンなどが挙げられる。
【0030】
芳香族ビニル化合物以外のモノマーとしては、アクリロニトリル、メタクリル酸メチルなどが挙げられる。スチレン系樹脂としては、ゴムで変性されたものでもよく、ゴムとしては、ポリブタジエン、スチレン－ブタジエン共重合体、ポリイソプレン、エチレン－プロピレン共重合体などが挙げられる。
【0031】
また、スチレン系樹脂としては、エポキシで変性されたものでもよい。このようなスチレン系樹脂の具体例としては、ポリスチレン、ゴム変性ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＥＳＢＳ樹脂などが挙げられ、好ましくはＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＥＳＢＳ樹脂及びこれらの混合物である。
【0032】
ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂から選ばれる一種以上の高分子化合物（Ｂ）の添加量は、樹脂組成物の樹脂全質量（ポリブチレンフタレート樹脂（Ａ）＋高分子化合物（Ｂ））１００質量部に対し、５～４０質量部、好ましくは８～３０質量部である。高分子化合物（Ｂ）の添加量が過小の場合は得られた成形品が十分な寸法安定性及び低そり性を示さず、また過大の場合は成形サイクルの増加、離型性の悪化、更には溶融熱安定性の低下等、成形上の問題が生じ好ましくない。
【0033】
＜カーボンブラック（Ｃ）＞
本発明のカーボンブラック（Ｃ）は、一次粒子径が５～４０ｎｍであり、かつ窒素吸着比表面積が１００ｍ２／ｇ以上のカーボンブラックである。そして、当該カーボンブラックを、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）の合計１００質量部に対して２～６質量部含有することができる。
本発明のカーボンブラック（Ｃ）は、一次粒子径が５～４０ｎｍであり、かつ窒素吸着比表面積が１００ｍ２／ｇ以上のカーボンブラックである。そして、当該カーボンブラックを、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）の合計１００質量部に対して２～６質量部含有することができる。
【0034】
なお、本発明における一次粒子径は、カーボンブラックを溶媒中投入し超音波振動にて分散させた後、分散試料を支持膜に固定し、これを透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で写真撮影し、直径より粒子径を計測した。（１０００個以上）それらの値の算術平均により1次粒子径を求めることができる。
【0035】
カーボンブラック（Ｃ）は、ファーネスブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラックなどを使用することができ、透過損失と電磁波吸収率のバランスからケッチェンブラックが好ましい。
【0036】
＜炭素繊維（Ｄ）＞
本発明の炭素繊維（Ｄ）は、ＰＡＮ系、ピッチ系、レーヨン系などの炭素繊維である。また、炭素繊維にニッケルや銅などの金属を被覆した金属被覆炭素繊維なども本発明で使用できる。炭素繊維は電磁波を反射する効果が高いが、反射した電磁波が電子機器を誤作動させることがあるため、添加量はポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）の合計１００質量部に対して炭素繊維（Ｄ）は０．３～４質量部、好ましくは０．５～３質量部、更に好ましくは１～２質量部である。
本発明の炭素繊維（Ｄ）は、ＰＡＮ系、ピッチ系、レーヨン系などの炭素繊維である。また、炭素繊維にニッケルや銅などの金属を被覆した金属被覆炭素繊維なども本発明で使用できる。炭素繊維は電磁波を反射する効果が高いが、反射した電磁波が電子機器を誤作動させることがあるため、添加量はポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）の合計１００質量部に対して炭素繊維（Ｄ）は０．３～４質量部、好ましくは０．５～３質量部、更に好ましくは１～２質量部である。
【0037】
本発明の炭素繊維としては、引張破断伸度は少なくとも１．５％以上の炭素繊維が好ましい。高い力学的特性を付与するためには、引張破断伸度が１．５％以上、より望ましくは引張破断伸度が１．７％以上、更に望ましくは引張破断伸度が１．９％以上の炭素繊維を用いるのがよい。本発明で使用する炭素繊維の引張破断伸度に上限はないが、一般的には５％未満である。炭素繊維の直径は４～２０μｍが好ましく、５～１０μｍがより好ましい。
【0038】
炭素繊維として更に望ましくは、強度と弾性率とのバランスに優れるＰＡＮ系炭素繊維がよい。引張弾性率は、１００～６００ＧＰａであることが好ましく、より好ましくは２００～５００ＧＰａであり、２３０～４５０ＧＰａであることが特に好ましい。また、引張強度は２０００ＭＰａ～１００００ＭＰａ、好ましくは３０００～８０００ＭＰａである。
【0039】
また、これらの炭素繊維は、シランカップリング剤、アルミネートカップリング剤、チタネートカップリング剤などで表面処理されたり、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、スチレン系樹脂、オレフィン系樹脂、アミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系重合体、液晶性樹脂、アルコールまたは水可溶性樹脂などで集束処理されたりしていてもよい。
【0040】
カーボンブラック（Ｃ）と炭素繊維（Ｄ）の合計は７質量部以下であることが好ましく、６質量部以下であることがより好ましい。７質量部以下にすることで電気絶縁性を保持しつつ、電磁波シールド性を有することが出来る。ここで、電気絶縁性とは体積抵抗率が１×１０１０Ω・ｃｍ以上であることを指す。
【0041】
＜無機充填材＞
本発明の成形品において、耐熱性及び機械強度を向上させるために無機充填材を含有することが好ましい。無機充填材の種類は、本願の効果を阻害しない限り特に限定されないが、金属繊維やカーボンナノチューブ等の導電性の物質は絶縁性を低下させるため避けた方がよく、例えばガラス繊維、ガラスフレーク、ガラスビーズ、シリカ、タルク、マイカ等が好ましく、ガラス繊維が特に好ましい。ガラス繊維の繊維長（溶融混練などにより組成物に調製する前の状態）は１～１０ｍｍのものが好ましく、ガラス繊維の直径は５～２０μｍのものが好ましい。
本発明の成形品において、耐熱性及び機械強度を向上させるために無機充填材を含有することが好ましい。無機充填材の種類は、本願の効果を阻害しない限り特に限定されないが、金属繊維やカーボンナノチューブ等の導電性の物質は絶縁性を低下させるため避けた方がよく、例えばガラス繊維、ガラスフレーク、ガラスビーズ、シリカ、タルク、マイカ等が好ましく、ガラス繊維が特に好ましい。ガラス繊維の繊維長（溶融混練などにより組成物に調製する前の状態）は１～１０ｍｍのものが好ましく、ガラス繊維の直径は５～２０μｍのものが好ましい。
【0042】
本発明において、無機充填材は、耐熱性及び機械強度を向上させる観点から、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）の合計１００質量部に対して０～１５０質量部含むことが好ましく、１０～１００質量部含むことがより好ましい。
【0043】
＜他の成分＞
本発明においては、本発明の効果を害さない範囲で、上記各成分の他、一般に熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂に添加される公知の添加剤、即ち、バリ抑制剤、離型剤、潤滑剤、可塑剤、難燃剤、染料や顔料等の着色剤、結晶化促進剤、結晶核剤、各種酸化防止剤、熱安定剤、耐候性安定剤、腐食防止剤等を配合してもよい。
本発明においては、本発明の効果を害さない範囲で、上記各成分の他、一般に熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂に添加される公知の添加剤、即ち、バリ抑制剤、離型剤、潤滑剤、可塑剤、難燃剤、染料や顔料等の着色剤、結晶化促進剤、結晶核剤、各種酸化防止剤、熱安定剤、耐候性安定剤、腐食防止剤等を配合してもよい。
【0044】
＜樹脂組成物の性質＞
本発明の樹脂組成物は、体積抵抗率が１×１０１０～１×１０１７Ω・ｃｍであり、透過損失が７５～１１０ＧＨｚの帯域で－３０ｄＢ以下で、かつ電磁波吸収率が３０％以上である。これらの性質は、カーボンブラックＢと炭素繊維Ｃの添加量を調整することによって達成することができる。
本発明の樹脂組成物は、体積抵抗率が１×１０１０～１×１０１７Ω・ｃｍであり、透過損失が７５～１１０ＧＨｚの帯域で－３０ｄＢ以下で、かつ電磁波吸収率が３０％以上である。これらの性質は、カーボンブラックＢと炭素繊維Ｃの添加量を調整することによって達成することができる。
【0045】
体積抵抗率を１×１０１０～１×１０１７Ω・ｃｍにすることにより、電子機器に使用した場合の絶縁性を得ることができる。透過損失が７５～１１０ＧＨｚの帯域で－３０ｄＢ以下で、かつ電磁波吸収率が３０％以上であるにより、優れた電磁波シールド性を得ることができる。
【0046】
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）とをさらに組み合わせることにより、低反り性を付与することができる。
【0047】
＜成形品＞
本発明の樹脂組成物から、成形品を作製することができ、その方法としては特に限定はなく、公知の方法を採用することができる。例えば、樹脂組成物を押出機に投入して溶融混練してペレット化し、このペレットを所定の金型を装備した射出成形機に投入し、射出成形することで作製することができる。本発明の成形品は、電子機器等に有用である。
本発明の樹脂組成物から、成形品を作製することができ、その方法としては特に限定はなく、公知の方法を採用することができる。例えば、樹脂組成物を押出機に投入して溶融混練してペレット化し、このペレットを所定の金型を装備した射出成形機に投入し、射出成形することで作製することができる。本発明の成形品は、電子機器等に有用である。
【実施例0048】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0049】
＜材料＞
Ａ ポリプブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ）ポリプラスチックス社製
Ｂ１ ポリカーボネート：帝人製ポリカーボネート Ｌ１２２５
Ｂ２ アクリロニトリルスチレン共重合体 テクノＵＭＧ製 ＡＰ－２０
Ｃ１ カーボンブラック（ケッチェンブラック）：ライオン・スペシャリティ・ケミカルズ社製 ＥＣＸ
Ｃ２ カーボンブラック（ファーネスブラック）：三菱ケミカル社製＃７５０Ｂ
Ｃ３ カーボンブラック（アセチレンブラック）：デンカ社製デンカブラック粒状
Ｄ 炭素繊維：東邦テナックス社製 ＨＴＣ４３２
酸化防止剤：ＢＡＳＦジャパン社製 イルガノックス１０１０
ガラス繊維：日本電気硝子製 ＥＣＳ０３Ｔ―１８７
Ａ ポリプブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ）ポリプラスチックス社製
Ｂ１ ポリカーボネート：帝人製ポリカーボネート Ｌ１２２５
Ｂ２ アクリロニトリルスチレン共重合体 テクノＵＭＧ製 ＡＰ－２０
Ｃ１ カーボンブラック（ケッチェンブラック）：ライオン・スペシャリティ・ケミカルズ社製 ＥＣＸ
Ｃ２ カーボンブラック（ファーネスブラック）：三菱ケミカル社製＃７５０Ｂ
Ｃ３ カーボンブラック（アセチレンブラック）：デンカ社製デンカブラック粒状
Ｄ 炭素繊維：東邦テナックス社製 ＨＴＣ４３２
酸化防止剤：ＢＡＳＦジャパン社製 イルガノックス１０１０
ガラス繊維：日本電気硝子製 ＥＣＳ０３Ｔ―１８７
【0050】
＜樹脂組成物試験片の作製＞
上記の材料を以下の表１に示す割合（単位は質量部）でドライブレンドし、３０ｍｍφのスクリューを有する２軸押出機（（株）日本製鋼所製）にホッパーから供給して２５０℃で溶融混練し、ペレット状のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物を得、射出成形により試験片を作製した。
上記の材料を以下の表１に示す割合（単位は質量部）でドライブレンドし、３０ｍｍφのスクリューを有する２軸押出機（（株）日本製鋼所製）にホッパーから供給して２５０℃で溶融混練し、ペレット状のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物を得、射出成形により試験片を作製した。
【0051】
＜評価＞
評価は以下の通り行った。結果を表１に示す。なお特に断りの無い限り、測定は２３℃５０％ＲＨ雰囲気下で行った。
≪体積抵抗率（Ω・ｃｍ）≫
ＩＥＣ６００９３に準拠し、測定装置超高抵抗計Ｒ８３４０(アドバンテスト社製)を用い、印加電圧５００Ｖにて測定した。試験片は、１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍｔとした。
評価は以下の通り行った。結果を表１に示す。なお特に断りの無い限り、測定は２３℃５０％ＲＨ雰囲気下で行った。
≪体積抵抗率（Ω・ｃｍ）≫
ＩＥＣ６００９３に準拠し、測定装置超高抵抗計Ｒ８３４０(アドバンテスト社製)を用い、印加電圧５００Ｖにて測定した。試験片は、１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍｔとした。
【0052】
≪透過損失（ｄＢ）≫
以下の装置、測定方法、周波数で測定した。試験片は、１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍｔとした。
・測定装置：
ホーンアンテナ：ＦＳＳ－０５（ＨＶＳ社製）
誘電体レンズ：ＦＳＳ－０６（ＨＶＳ社製）
ネットワークアナライザー：Ｎ５２２７Ａ(キーサイトテクノロジー社製)
ミリ波コントローラー：Ｎ５２６１Ａ(キーサイトテクノロジー社製)
・測定方法：自由空間法
・周波数：７５～１１０ＧＨｚ
以下の装置、測定方法、周波数で測定した。試験片は、１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍｔとした。
・測定装置：
ホーンアンテナ：ＦＳＳ－０５（ＨＶＳ社製）
誘電体レンズ：ＦＳＳ－０６（ＨＶＳ社製）
ネットワークアナライザー：Ｎ５２２７Ａ(キーサイトテクノロジー社製)
ミリ波コントローラー：Ｎ５２６１Ａ(キーサイトテクノロジー社製)
・測定方法：自由空間法
・周波数：７５～１１０ＧＨｚ
【0053】
≪電磁波吸収率≫
以下の式で算出した。
反射損失｜Ｓ１１｜＝反射波電磁波強度／入射波電磁波強度(入射波と反射波の振幅比)
Ｓ１１（ｄＢ）＝２０ｌｏｇ｜Ｓ１１｜
透過損失｜Ｓ２１｜＝透過電磁波強度/入射波電磁波強度(入射波と透過波の振幅比)
Ｓ２１（ｄＢ）＝２０ｌｏｇ｜Ｓ２１｜
電磁波吸収率（％）＝（１－（｜Ｓ１１｜＾２+｜Ｓ２１｜＾２））×１００
以下の式で算出した。
反射損失｜Ｓ１１｜＝反射波電磁波強度／入射波電磁波強度(入射波と反射波の振幅比)
Ｓ１１（ｄＢ）＝２０ｌｏｇ｜Ｓ１１｜
透過損失｜Ｓ２１｜＝透過電磁波強度/入射波電磁波強度(入射波と透過波の振幅比)
Ｓ２１（ｄＢ）＝２０ｌｏｇ｜Ｓ２１｜
電磁波吸収率（％）＝（１－（｜Ｓ１１｜＾２+｜Ｓ２１｜＾２））×１００
【0054】
≪成形品のソリ量評価≫
８０ｍｍ×８０ｍｍ×１ｍｍｔの平板形状の成形片を下記成形条件にて成形し、２３℃、５０％湿度環境下にて２４時間以上調整した後、ハイトゲージを用いて平板の最大反り量を測定し、最大反り量が３ｍｍ未満を合格とした。
・射出成型機：ＦＡＮＵＣ社製 ＲＯＢＯＳＨＯＴ α―１００ｉＡ
・シリンダー温度：２６０℃
・射出速度：１ｍ／ｍｉｎ
・保圧力：７０ＭＰａ
・金型温度：６５℃
・反り量評価基準
合格 〇：反り量３ｍｍ未満
不合格×：反り量３ｍｍ以上
＜評価結果＞
８０ｍｍ×８０ｍｍ×１ｍｍｔの平板形状の成形片を下記成形条件にて成形し、２３℃、５０％湿度環境下にて２４時間以上調整した後、ハイトゲージを用いて平板の最大反り量を測定し、最大反り量が３ｍｍ未満を合格とした。
・射出成型機：ＦＡＮＵＣ社製 ＲＯＢＯＳＨＯＴ α―１００ｉＡ
・シリンダー温度：２６０℃
・射出速度：１ｍ／ｍｉｎ
・保圧力：７０ＭＰａ
・金型温度：６５℃
・反り量評価基準
合格 〇：反り量３ｍｍ未満
不合格×：反り量３ｍｍ以上
＜評価結果＞
【0055】
【表1】
【0056】
【表2】
【0057】
表1、２に示すように、本発明では、高周波において優れた電磁波シールド性と低そり性を有し、体積抵抗率も高く電気絶縁性に優れることが分かる。