特開 2023-30360 ウェハ及びウェハの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023030360

(43)【公開日】2023-03-08

(54)【発明の名称】ウェハ及びウェハの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20230301BHJP

【ＦＩ】

H01L21/92 602N

H01L21/92 604B

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021135446

(22)【出願日】2021-08-23

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】山本 研吾

(57)【要約】

【課題】導電バンプの形成に用いるレジスト層の残存を抑制することができるウェハ及びウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハは、複数の有効チップ領域が配列した第１領域と、前記第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を備えた第１面を有する基板と、前記第１領域内において前記基板の前記第１面に設けられた複数の第１導電バンプと、前記第２領域内において前記基板の前記第１面に設けられた複数の第２導電バンプと、を有し、前記第１面に垂直な方向からの平面視で、前記第２領域内での前記第２導電バンプの面積密度は、前記第１領域内での前記第１導電バンプの面積密度よりも低い。
【選択図】図１１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の有効チップ領域が配列した第１領域と、前記第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を備えた第１面を有する基板と、
前記第１領域内において前記基板の前記第１面に設けられた複数の第１導電バンプと、
前記第２領域内において前記基板の前記第１面に設けられた複数の第２導電バンプと、
を有し、
前記第１面に垂直な方向からの平面視で、前記第２領域内での前記第２導電バンプの面積密度は、前記第１領域内での前記第１導電バンプの面積密度よりも低いことを特徴とするウェハ。

【請求項2】

前記第２領域内での前記第２導電バンプの面積密度は、前記第１領域から離れるに連れて連続的に低下することを特徴とする請求項１に記載のウェハ。

【請求項3】

前記第２領域内での前記第２導電バンプの面積密度は、前記第１領域から離れるに連れて段階的に低下することを特徴とする請求項１に記載のウェハ。

【請求項4】

前記第２領域内での前記第２導電バンプの面積密度は、前記第１領域内での前記第１導電バンプの面積密度の２０％～８０％であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウェハ。

【請求項5】

前記第１面に垂直な方向からの平面視で、前記複数の第１導電バンプの各々と前記複数の第２導電バンプの各々との間で円相当径が等しいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のウェハ。

【請求項6】

前記第１面に垂直な方向からの平面視で、前記第２領域内での前記第２導電バンプの個数密度は、前記第１領域内での前記第１導電バンプの個数密度よりも低いことを請求項１乃至５のいずれか１項に記載のウェハ。

【請求項7】

前記第１導電バンプは、第１銅ピラーを含み、
前記第２導電バンプは、第２銅ピラーを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のウェハ。

【請求項8】

複数の有効チップが配列した第１領域と、前記第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を備えた第１面を有する基板を準備する工程と、
前記第１領域内において前記基板の前記第１面に複数の第１導電バンプを形成し、前記第２領域内において前記基板の前記第１面に複数の第２導電バンプを形成する工程と、
を有し、
前記第１面に垂直な方向からの平面視で、前記第２領域内での前記第２導電バンプの面積密度は、前記第１領域内での前記第１導電バンプの面積密度よりも低くすることを特徴とするウェハの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、ウェハ及びウェハの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造に用いるウェハの製造方法として、有効領域及び無効領域を備えた基板に導電バンプを形成し、その後に、電解めっき法により複数の導電バンプを形成する方法が知られている。有効領域は複数の有効チップが配列した領域であり、無効領域は有効領域の周囲に設けられる。導電バンプは有効領域及び無効領域の両方に、略同一サイズかつ略同一ピッチで形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３－１６８４５３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

導電バンプをサブトラクティブ法により形成する場合、めっき処理の後にレジスト層を除去する。しかし、従来のウェハでは、レジスト層を除去するための処理を行った後にも、無効領域にレジスト層が残存することがある。

【0005】

本開示は、導電バンプの形成に用いるレジスト層の残存を抑制することができるウェハ及びウェハの製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一形態によれば、複数の有効チップ領域が配列した第１領域と、前記第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を備えた第１面を有する基板と、前記第１領域内において前記基板の前記第１面に設けられた複数の第１導電バンプと、前記第２領域内において前記基板の前記第１面に設けられた複数の第２導電バンプと、を有し、前記第１面に垂直な方向からの平面視で、前記第２領域内での前記第２導電バンプの面積密度は、前記第１領域内での前記第１導電バンプの面積密度よりも低いウェハが提供される。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、導電バンプの形成に用いるレジスト層の残存を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係るウェハを示す上面図（その１）である。

【図2】第１実施形態に係るウェハを示す上面図（その２）である。

【図3】第１実施形態に係るウェハを示す断面図である。

【図4】第１実施形態に係るウェハにおける導電バンプの面積密度の分布を示す図である。

【図5】第１実施形態に係るウェハの製造方法を示す断面図（その１）である。

【図6】第１実施形態に係るウェハの製造方法を示す断面図（その２）である。

【図7】第１実施形態に係るウェハの製造方法を示す断面図（その３）である。

【図8】第１実施形態に係るウェハの製造方法を示す断面図（その４）である。

【図9】第１実施形態に係るウェハの製造方法を示す断面図（その５）である。

【図10】第１実施形態に係るウェハの製造方法を示す断面図（その６）である。

【図11】第２実施形態に係るウェハを示す上面図である。

【図12】第２実施形態に係るウェハにおける導電バンプの面積密度の分布を示す図である。

【図13】第３実施形態に係るウェハを示す上面図である。

【図14】第３実施形態に係るウェハにおける導電バンプの面積密度の分布を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本願発明者は、従来のウェハにおいて無効領域にレジスト層が残存する原因を究明すべく鋭意検討を行った。この結果、従来のウェハでは、無効領域の外側に導電バンプが形成されないため、導電バンプを電解めっき法により形成する際に、無効領域における電流密度が有効領域における電流密度よりも高くなり、無効領域に形成される導電バンプが有効領域に形成される導電バンプよりも高くなりやすいことが判明した。導電バンプが高くなるほど、レジスト層の除去の際にレジスト層の膨潤が阻害されやすくなり、レジスト層が除去されにくくなる。

【0010】

このように、無効領域において導電バンプが高く形成されることで、レジスト層が残存しやすくなるのである。

【0011】

本願発明者らは、このような知見に基づき、下記の実施形態に想到した。

【0012】

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

【0013】

（第１実施形態）
まず、第１実施形態について説明する。第１実施形態はウェハに関する。

【0014】

［ウェハの構成］
図１及び図２は、第１実施形態に係るウェハを示す上面図である。図２は、図１中の領域４０を拡大して示す。図３は、第１実施形態に係るウェハを示す断面図である。図３は、図１中のIII-III線に沿った断面図に相当する。図４は、第１実施形態に係るウェハにおける導電バンプの面積密度の分布を示す図である。

【0015】

図１及び図２に示すように、第１実施形態に係るウェハ１は、基板１０と、複数の第１導電バンプ１３５と、複数の第２導電バンプ２３５とを有する。本開示では、便宜上、ウェハ１の第１導電バンプ１３５及び第２導電バンプ２３５側を上側又は一方の側とし、その反対側を下側又は他方の側とする。また、ウェハ１の第１導電バンプ１３５及び第２導電バンプ２３５側の面を一方の面又は上面とし、その反対側の面を他方の面又は下面とする。

【0016】

基板１０は回路形成面１１を有する。基板１０の直径は、例えば３００ｍｍ（１２インチ）又は２００ｍｍ（８インチ）である。第１導電バンプ１３５及び第２導電バンプ２３５は回路形成面１１の上に設けられている。本開示では、平面視とは対象物をウェハ１の回路形成面１１の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物をウェハ１の回路形成面１１の法線方向から視た形状を指すものとする。回路形成面１１は第１面の一例である。

【0017】

基板１０は、バンプ形成領域２１と、バンプ形成領域２１の周囲に設けられたバンプ非形成領域２２とを備える。バンプ形成領域２１に後述の導電バンプが形成されているが、バンプ非形成領域２２には導電バンプが形成されていない。バンプ非形成領域２２の径方向の寸法（幅）は、例えば１．５ｍｍ程度である。バンプ形成領域２１は、複数の有効チップ領域１１０が配列した有効領域１００と、有効領域１００の周囲に設けられた無効領域２００とを備える。有効チップ領域１１０は、平面視でアレイ状に配列している。有効チップ領域１１０は有効領域１００と無効領域２００との境界３０の内側にある。境界３０上にあるチップ領域は無効チップ領域２１０とする。ダイシングにより有効チップ領域１１０から切り出される半導体チップが製品とされ、無効チップ領域２１０から切り出される半導体チップは製品とされない。無効領域２００の径方向の寸法（幅）は、例えば３ｍｍ～１０ｍｍ程度である。有効領域１００は第１領域の一例であり、無効領域２００は第２領域の一例である。

【0018】

基板１０は、例えば、シリコン等からなる半導体基板に半導体集積回路等が形成されて構成されている。図３に示すように、基板１０には、複数の第１電極パッド１３０及び複数の第２電極パッド２３０が設けられている。第１電極パッド１３０は有効領域１００内に設けられ、第２電極パッド２３０は無効領域２００内に設けられている。第１電極パッド１３０は半導体集積回路に接続されているが、第２電極パッド２３０は半導体集積回路に接続されていない。第１電極パッド１３０及び第２電極パッド２３０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）により形成されている。

【0019】

平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０の面積密度は、有効領域１００内での第１電極パッド１３０の面積密度よりも低く、例えば２５％程度である。平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０のピッチは、有効領域１００内での第１電極パッド１３０のピッチよりも大きく、例えば２００％程度である。平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０の面積密度及びピッチは、略均一である。例えば、第１電極パッド１３０のピッチは１０μｍ～１００μｍであり、第２電極パッド２３０のピッチは２０μｍ～２００μｍである。なお、平面視で、複数の第１電極パッド１３０の各々と複数の第２電極パッド２３０の各々との間で円相当径が等しくてもよい。平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０の個数密度は、有効領域１００内での第１電極パッド１３０の個数密度よりも低い。ここで、パッドの面積密度とは、単位面積あたりにパッドが占める面積の割合をいう。パッドの個数密度とは、単位面積あたりに含まれるパッドの数をいう。パッドのピッチとは、隣り合うパッドの間の平面視での中心間距離をいう。

【0020】

第１導電バンプ１３５は有効領域１００内において第１電極パッド１３０上に設けられている。第１導電バンプ１３５は、第１シード層１３１、第１銅（Ｃｕ）層１３２と、第１はんだ層１３３とを有する。

【0021】

第１シード層１３１は第１電極パッド１３０に直接接触する。第１シード層１３１の材料は、例えば、銅、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）若しくはタングステン（Ｗ）又はこれらの任意の組み合わせの合金である。第１シード層１３１が積層膜を含み、積層膜のそれぞれの材料が、例えば、銅、チタン、クロム若しくはタングステン又はこれらの任意の組み合わせの合金であってもよい。第１シード層１３１の厚さは、例えば、０．０１μｍ～０．３μｍ程度である。第１シード層１３１の平面形状は、例えば、略円形である。この場合、第１シード層１３１の直径は、例えば５μｍ～１００μｍ程度であり、好適には１０μｍ～２０μｍ程度である。

【0022】

第１銅層１３２は、円柱状等の柱状の形状を有する。第１銅層１３２は電解めっき層であり、第１シード層１３１に直接接触する。第１銅層１３２の厚さは、例えば、１０μｍ～２００μｍ程度であり、好適には２０μｍ～１５０μｍ程度である。第１銅層１３２の平面形状は、第１シード層１３１の平面形状と略同一であり、第１銅層１３２は第１シード層１３１と平面視で重複するように形成されている。第１銅層１３２は第１銅ピラーの一例である。

【0023】

第１はんだ層１３３は、第１銅層１３２に直接接触する。第１はんだ層１３３の形状は、例えば、ドーム状である。ここで、ドーム状とは、中央部近傍の高さが高く、周縁部に行くに従って低くなる形状をいう。第１はんだ層１３３の厚さ（中央部近傍の最大厚さ）は、例えば、１０μｍ程度である。第１はんだ層１３３の平面形状は、第１銅層１３２の平面形状と略同一であり、第１はんだ層１３３は第１銅層１３２と平面視で重複するように形成されている。第１はんだ層１３３の材料は、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＣｕとの合金、Ｓｎと銀（Ａｇ）との合金、ＳｎとＡｇとＣｕとの合金等である。

【0024】

第１導電バンプ１３５の高さは、例えば１０μｍ～２００μｍ程度である。第１はんだ層１３３が設けられていなくてもよい。第１銅層１３２と第１はんだ層１３３との間にニッケル（Ｎｉ）層等の他の金属層が設けられていてもよい。

【0025】

第２シード層２３１は第２電極パッド２３０に直接接触する。第２シード層２３１の材料は、第１シード層１３１の材料と同じであってよい。第２シード層２３１の厚さは、例えば、０．０１μｍ～０．３μｍ程度である。第２シード層２３１の平面形状は、例えば、略円形である。この場合、第２シード層２３１の直径は、例えば５μｍ～１００μｍ程度であり、好適には１０μｍ～２０μｍ程度である。

【0026】

第２銅層２３２は、円柱状等の柱状の形状を有する。第２銅層２３２は電解めっき層であり、第２シード層２３１に直接接触する。第２銅層２３２の厚さは、例えば、１０μｍ～２００μｍ程度であり、好適には２０μｍ～１５０μｍ程度である。第２銅層２３２の平面形状は、第２シード層２３１の平面形状と略同一であり、第２銅層２３２は第２シード層２３１と平面視で重複するように形成されている。第２銅層２３２は第２銅ピラーの一例である。

【0027】

第２はんだ層２３３は、第２銅層２３２に直接接触する。第２はんだ層２３３の形状は、例えば、ドーム状である。第２はんだ層２３３の厚さ（中央部近傍の最大厚さ）は、例えば、１０μｍ程度である。第２はんだ層２３３の平面形状は、第２銅層２３２の平面形状と略同一であり、第２はんだ層２３３は第２銅層２３２と平面視で重複するように形成されている。第２はんだ層２３３の材料は、第１はんだ層１３３の材料と同じであってよい。

【0028】

第２導電バンプ２３５の高さは、例えば１０μｍ～２００μｍ程度である。第２はんだ層２３３が設けられていなくてもよい。第２銅層２３２と第２はんだ層２３３との間にニッケル層等の他の金属層が設けられていてもよい。

【0029】

上述のように、平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０の面積密度は、有効領域１００内での第１電極パッド１３０の面積密度よりも低く、例えば２５％程度である。このため、図２～図４に示すように、平面視で、無効領域２００内での第２導電バンプ２３５の面積密度は、有効領域１００内での第１導電バンプ１３５の面積密度よりも低く、例えば２５％程度である。また、平面視で、無効領域２００内での第２導電バンプ２３５のピッチは、有効領域１００内での第１導電バンプ１３５のピッチよりも大きく、例えば２００％程度である。平面視で、無効領域２００内での第２導電バンプ２３５の面積密度及びピッチは、略均一である。例えば、第１導電バンプ１３５のピッチは１０μｍ～１００μｍであり、第２導電バンプ２３５のピッチは２０μｍ～２００μｍである。なお、平面視で、複数の第１導電バンプ１３５の各々と複数の第２導電バンプ２３５の各々との間で円相当径が等しくてもよい。平面視で、無効領域２００内での第２導電バンプ２３５の個数密度は、有効領域１００内での第１導電バンプ１３５の個数密度よりも低い。

【0030】

［ウェハの製造方法］
次に、第１実施形態に係るウェハ１の製造方法について説明する。図５～図１０は、第１実施形態に係るウェハの製造方法を示す断面図である。図５～図１０は、図１中のIII-III線に沿った断面図に相当する。

【0031】

まず、図５に示すように、回路形成面１１に複数の第１電極パッド１３０及び複数の第２電極パッド２３０が形成された基板１０を準備する。

【0032】

次に、図６に示すように、第１電極パッド１３０及び複数の第２電極パッド２３０を覆うようにして基板１０上にシード層３３１を形成する。シード層３３１は、後に第１シード層１３１及び第２シード層２３１となる層である。シード層３３１の材料は、第１シード層１３１及び第２シード層２３１の材料と同じであり、シード層３３１の厚さは、第１シード層１３１及び第２シード層２３１の厚さと等しい。シード層３３１は、例えば、スパッタ法又は無電解めっき法により形成できる。

【0033】

次に、図７に示すように、シード層３３１上にレジスト層３００を形成する。具体的には、例えば、シード層３３１上に、レジスト層３００として感光性樹脂からなるドライフィルムレジスト等をラミネートする。そして、レジスト層３００を露光及び現像によりパターニングし、レジスト層３００に複数の第１開口部３１１及び複数の第２開口部３１２を形成する。第１開口部３１１及び第２開口部３１２はシード層３３１が露出するように形成する。第１開口部３１１は、有効領域１００内で第１導電バンプ１３５を形成する位置に形成し、第２開口部３１２は、無効領域２００内で第２導電バンプ２３５を形成する位置に形成する。レジスト層３００の厚さは、形成しようとする第１導電バンプ１３５及び第２導電バンプ２３５の高さよりも大きく、例えば２０μｍ～２１０μｍ程度である。

【0034】

次に、図８に示すように、シード層３３１をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、第１開口部３１１から露出するシード層３３１の上面に第１銅層１３２を形成し、第２開口部３１２から露出するシード層３３１の上面に第２銅層２３２を形成する。次に、シード層３３１をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、第１銅層１３２上に第１はんだ層１３３を形成し、第２銅層２３２上に第２はんだ層２３３を形成する。

【0035】

次に、図９に示すように、レジスト層３００を除去する。レジスト層３００は、例えば、水酸化ナトリウム等を含有する剥離液を用いて剥離できる。

【0036】

次に、図１０に示すように、エッチング液を用いて、シード層３３１の、第１はんだ層１３３又は第２はんだ層２３３から露出する部分を除去する。エッチング液としては、例えば、過酸化水素及び硫酸を主成分とする水溶液、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液、硝酸等のエッチング液を用いることができる。

【0037】

次に、リフロー等により、第１はんだ層１３３及び第２はんだ層２３３を溶融させ、その後に凝固させてドーム状等に成形する。このようにして、第１電極パッド１３０上に第１導電バンプ１３５が形成され、第２電極パッド２３０上に第２導電バンプ２３５が形成される。

【0038】

このようにして、第１実施形態に係るウェハ１を製造することができる。

【0039】

第１実施形態に係るウェハ１では、平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０の面積密度が、有効領域１００内での第１電極パッド１３０の面積密度よりも低い。このため、平面視で、無効領域２００内での第２導電バンプ２３５の面積密度が、有効領域１００内での第１導電バンプ１３５の面積密度よりも低い。従って、第１銅層１３２及び第２銅層２３２の形成の際にも、第１はんだ層１３３及び第２はんだ層２３３の形成の際にも、無効領域２００における電流密度の過剰な上昇を抑制することができる。このため、第２導電バンプ２３５の高さを第１導電バンプ１３５の高さと同程度に調整しやすい。これにより、無効領域２００においても、レジスト層３００の除去の際にレジスト層３００が剥離液により膨潤しやすくなり、第１導電バンプ１３５及び第２導電バンプ２３５の形成に用いるレジスト層３００の残存を抑制することができる。

【0040】

更に、第２導電バンプ２３５の配列が第１導電バンプ１３５の配列よりも疎であるため、レジスト層３００に剥離液が浸透しやすく、この点でもレジスト層３００の残存を抑制することができる。

【0041】

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主として、第２導電バンプ２３５の配列の点で第１実施形態と相違する。図１１は、第２実施形態に係るウェハを示す上面図である。図１２は、第２実施形態に係るウェハにおける導電バンプの面積密度の分布を示す図である。

【0042】

図１１及び図１２に示すように、平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度が、有効領域１００から離れるに連れて連続的に低下する。つまり、平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度が、基板１０の径方向で連続的に低下する。例えば、有効領域１００と無効領域２００との境界３０の近傍での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度は、第１電極パッド１３０及び第１導電バンプ１３５の面積密度及び個数密度と同程度であってもよい。また、例えば、無効領域２００の外縁での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度は、実質的にゼロであってもよい。

【0043】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0044】

第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度が、有効領域１００から離れるに連れて連続的に低下するため、第１銅層１３２及び第２銅層２３２の形成の際にも、第１はんだ層１３３及び第２はんだ層２３３の形成の際にも、無効領域２００における電流密度が緩やかに変化する。従って、第２導電バンプ２３５の高さを第１導電バンプ１３５の高さと同程度に更に調整しやすい。これにより、第１導電バンプ１３５及び第２導電バンプ２３５の形成に用いるレジスト層３００の残存をより抑制しやすくできる。

【0045】

（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、主として、第２導電バンプ２３５の配列の点で第１実施形態及び第２実施形態と相違する。図１３は、第３実施形態に係るウェハを示す上面図である。図１４は、第３実施形態に係るウェハにおける導電バンプの面積密度の分布を示す図である。

【0046】

図１３及び図１４に示すように、無効領域２００は、第１円環領域２０１と、第２円環領域２０２と、第３円環領域２０３と、第４円環領域２０４とを有する。平面視で、第１円環領域２０１の内縁の全体が有効領域１００の外縁の全体に接する。平面視で、第２円環領域２０２の内縁の全体が第１円環領域２０１の外縁の全体に接する。平面視で、第３円環領域２０３の内縁の全体が第２円環領域２０２の外縁の全体に接する。平面視で、第４円環領域２０４の内縁の全体が第３円環領域２０３の外縁の全体に接する。平面視で、第４円環領域２０４の外縁の全体がバンプ非形成領域２２の内縁の全体に接する。

【0047】

第１円環領域２０１内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度、個数密度及びピッチは、略均一である。第１円環領域２０１内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及びピッチは、有効領域１００内での第１電極パッド１３０及び第１導電バンプ１３５の面積密度及びピッチと同程度である。

【0048】

第２円環領域２０２内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度、個数密度及びピッチは、略均一である。第２円環領域２０２内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５のピッチは、有効領域１００内での第１電極パッド１３０及び第１導電バンプ１３５のピッチの１５０％程度である。第２円環領域２０２内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度は、有効領域１００内での第１電極パッド１３０及び第１導電バンプ１３５の面積密度の４４％程度である。

【0049】

第３円環領域２０３内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度、個数密度及びピッチは、略均一である。第３円環領域２０３内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５のピッチは、有効領域１００内での第１電極パッド１３０及び第１導電バンプ１３５のピッチの２００％程度である。第３円環領域２０３内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度は、有効領域１００内での第１電極パッド１３０及び第１導電バンプ１３５の面積密度の２５％程度である。

【0050】

第４円環領域２０４内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度、個数密度及びピッチは、略均一である。第４円環領域２０４内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５のピッチは、有効領域１００内での第１電極パッド１３０及び第１導電バンプ１３５のピッチの２５０％程度である。第４円環領域２０４内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度は、有効領域１００内での第１電極パッド１３０及び第１導電バンプ１３５の面積密度の１６％程度である。

【0051】

このように、第３実施形態では、平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度が、有効領域１００から離れるに連れて段階的に低下する。つまり、平面視で、無効領域２００内での第２電極パッド２３０及び第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度が、基板１０の径方向で段階的に低下する。

【0052】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0053】

第３実施形態によっても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第２導電バンプ２３５の面積密度及び個数密度が、有効領域１００から離れるに連れて段階的に低下するため、第１銅層１３２及び第２銅層２３２の形成の際にも、第１はんだ層１３３及び第２はんだ層２３３の形成の際にも、無効領域２００における電流密度が緩やかに変化する。従って、第２導電バンプ２３５の高さを第１導電バンプ１３５の高さと同程度に更に調整しやすい。これにより、第１導電バンプ１３５及び第２導電バンプ２３５の形成に用いるレジスト層３００の残存をより抑制しやすくできる。

【0054】

なお、無効領域２００内での第２導電バンプ２３５の面積密度は、有効領域１００内での第１導電バンプ１３５の面積密度の、例えば５％～８０％であり、好ましくは１０％～７０％であり、より好ましくは２０％～６０％である。無効領域２００内での第２導電バンプ２３５の面積密度が過剰に低い場合、無効領域２００を広く確保しなければ、有効領域１００の外縁近傍にて電解めっきの際に電流密度が高くなるおそれがある。無効領域２００を広く確保すると、歩留まりが低下してしまう。無効領域２００内での第２導電バンプ２３５の面積密度が過剰に高い場合、無効領域２００にてレジスト層３００の残渣を抑制する効果が低下するおそれがある。

【0055】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0056】

１、２、３ ウェハ
１０ 基板
１１ 回路形成面
２１ バンプ形成領域
２２ バンプ非形成領域
１００ 有効領域
１１０ 有効チップ領域
１３０ 第１電極パッド
１３１ 第１シード層
１３２ 第１銅層
１３３ 第１はんだ層
１３５ 第１導電バンプ
２００ 無効領域
２１０ 無効チップ領域
２３０ 第２電極パッド
２３１ 第２シード層
２３２ 第２銅層
２３３ 第２はんだ層
２３５ 第２導電バンプ
３００ レジスト層
３１１ 第１開口部
３１２ 第２開口部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】