特開 2023-33718 成膜方法及び成膜装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023033718

(43)【公開日】2023-03-13

(54)【発明の名称】成膜方法及び成膜装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/35 20060101AFI20230306BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20230306BHJP

   H10K 50/00 20230101ALI20230306BHJP

【ＦＩ】

C23C14/35

H05B33/10

H05B33/14 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021139578

(22)【出願日】2021-08-30

(71)【出願人】

【識別番号】000231464

【氏名又は名称】株式会社アルバック

(74)【代理人】

【識別番号】110003339

【氏名又は名称】弁理士法人南青山国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】氏原 祐輔

【テーマコード（参考）】

3K107

4K029

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB02

3K107CC21

3K107CC45

3K107FF15

3K107GG05

3K107GG32

4K029AA09

4K029AA24

4K029BA03

4K029BA10

4K029BA18

4K029BA43

4K029BD01

4K029CA05

4K029DC13

4K029DC16

4K029DC33

4K029DC40

4K029DC42

4K029DC43

4K029DC45

4K029KA01

(57)【要約】

【課題】成膜の下地層へのダメージを抑制する。
【解決手段】中心軸の周りに回転可能な磁石を内部に備えた複数のロータリターゲットを用いて基板にスパッタリング成膜を行う。複数のロータリターゲットが中心軸が互いに平行で上記中心軸が基板と平行になるように配置される。複数のロータリターゲットのそれぞれにおいて、中心軸から放射状に広がる線が基板と交差する側をターゲット面の基板側とし、基板側とは反対側を上記ターゲット面の反基板側とした場合、磁石が上記内部から反基板側に対向するように位置させ、複数のロータリターゲットに放電電力が投入され、複数のロータリターゲットに放電電力を投入しながら上記複数のロータリターゲットのそれぞれの磁石を中心軸を中心に回転させて磁石が上記内部から基板側に対向するように移動し、磁石が基板に最も近くなる基準位置を避けた状態で基板にスパッタリング成膜が行われる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

中心軸とターゲット面とを有し、前記中心軸の周りに回転可能な磁石を内部に備えた複数のロータリターゲットを用いて基板にスパッタリング成膜を行う成膜方法であって、
前記複数のロータリターゲットを前記中心軸が互いに平行で前記中心軸が前記基板と平行になるように配置し、
前記複数のロータリターゲットのそれぞれにおいて、前記中心軸から放射状に広がる線が前記基板と交差する側を前記ターゲット面の基板側とし、前記基板側とは反対側を前記ターゲット面の反基板側とした場合、
前記磁石が前記内部から前記反基板側に対向するように位置させ、前記複数のロータリターゲットに放電電力を投入し、
前記複数のロータリターゲットに前記放電電力を投入しながら前記複数のロータリターゲットのそれぞれの前記磁石を前記中心軸を中心に回転させて前記磁石が前記内部から前記基板側に対向するように移動させ、
前記磁石が前記基板に最も近くなる基準位置を避けた状態で前記基板にスパッタリング成膜を行う
成膜方法。

【請求項2】

請求項１に記載された成膜方法において、
前記基準位置に前記磁石が位置しているときの前記磁石の回転角を０度とし、前記磁石を反時計回り方向に回転させることを正の回転角とした場合、
前記基準位置からの前記磁石の前記回転角が３０度から９０度の範囲、または、－３０度から－９０度の範囲に設定されて、前記基板にスパッタリング成膜が行われる
成膜方法。

【請求項3】

請求項２に記載された成膜方法において、
前記回転角の絶対値が３０度未満では、前記複数のロータリターゲットへの前記放電電力の投入が遮断される
成膜方法。

【請求項4】

請求項２または３に記載された成膜方法において、
前記磁石を前記内部から前記反基板側に対向させ、前記複数のロータリターゲットに放電電力を投入させる際には、前記回転角が１００度から以上２６０度の範囲に設定される
成膜方法。

【請求項5】

請求項１～４のいずれか１つに記載された成膜方法において、
前記磁石が前記内部から前記反基板側に対向させた際の放電電力は、前記基板にスパッタリング成膜を行う際の放電電力に比べて小さく設定される
成膜方法。

【請求項6】

請求項２～５のいずれか１つに記載された成膜方法において、
前記基板にスパッタリング成膜が行われる際、前記複数のロータリターゲットの中、隣り合うロータリターゲットの前記磁石の回転方向が同じ方向に向けられる
成膜方法。

【請求項7】

請求項２～５のいずれか１つに記載された成膜方法において、
前記基板にスパッタリング成膜が行われる際、前記複数のロータリターゲットの中、隣り合うロータリターゲットの前記磁石の回転方向が逆方向に向けられる
成膜方法。

【請求項8】

請求項２～７のいずれか１つに記載された成膜方法において、
前記回転角が３０度から９０度の範囲で少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で少なくとも１回、前記基板にスパッタリング成膜が行われる
成膜方法。

【請求項9】

請求項２～８のいずれか１つに記載された成膜方法において、
前記回転角が３０度から９０度の範囲で前記磁石が揺動されて少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で前記磁石が揺動されて少なくとも１回、前記基板にスパッタリング成膜が行われる
成膜方法。

【請求項10】

基板を支持する基板ホルダと、
中心軸とターゲット面とを有し、前記中心軸の周りに回転可能な磁石を内部に備え、前記中心軸が互いに平行で前記中心軸が前記基板と平行になるように配置された複数のロータリターゲットと、
前記複数のロータリターゲットのそれぞれに放電電力を投入する電源と、
前記複数のロータリターゲットのそれぞれに投入する放電電力及び前記磁石の回転と制御する制御装置と
を具備し、
前記制御装置は、
前記複数のロータリターゲットのそれぞれにおいて、前記中心軸から放射状に広がる線が前記基板と交差する側を前記ターゲット面の基板側とし、前記基板側とは反対側を前記ターゲット面の反基板側とした場合、
前記磁石が前記内部から前記反基板側に対向するように位置させ、前記複数のロータリターゲットに放電電力を投入し、
前記複数のロータリターゲットに前記放電電力を投入しながら前記複数のロータリターゲットのそれぞれの前記磁石を前記中心軸を中心に回転させて前記磁石が前記内部から前記基板側に対向するように移動させ、
前記磁石が前記基板に最も近くなる基準位置を避けた状態で前記基板にスパッタリング成膜をする制御を行う
成膜装置。

【請求項11】

請求項１０に記載された成膜装置において、
前記基準位置に前記磁石が位置しているときの前記磁石の回転角を０度とし、前記磁石を反時計回り方向に回転させることを正の回転角とした場合、
前記基準位置からの前記磁石の前記回転角が３０度から９０度の範囲、または、－３０度から－９０度の範囲に設定されて、前記基板にスパッタリング成膜が行われる
成膜装置。

【請求項12】

請求項１１に記載された成膜装置において、
前記回転角の絶対値が３０度未満では、前記複数のロータリターゲットへの前記放電電力の投入が遮断される
成膜装置。

【請求項13】

請求項１１または１２に記載された成膜装置において、
前記磁石を前記内部から前記反基板側に対向させ、前記複数のロータリターゲットに放電電力を投入させる際には、前記回転角が１００度から以上２６０度の範囲に設定される
成膜装置。

【請求項14】

請求項１１～１３のいずれか１つに記載された成膜装置において、
前記磁石が前記内部から前記反基板側に対向させた際の放電電力は、前記基板にスパッタリング成膜を行う際の放電電力に比べて小さく設定される
成膜装置。

【請求項15】

請求項１１～１４のいずれか１つに記載された成膜装置において、
前記基板にスパッタリング成膜が行われる際、前記複数のロータリターゲットの中、隣り合うロータリターゲットの前記磁石の回転方向が同じ方向に向けられる
成膜装置。

【請求項16】

請求項１１～１４のいずれか１つに記載された成膜装置において、
前記基板にスパッタリング成膜が行われる際、前記複数のロータリターゲットの中、隣り合うロータリターゲットの前記磁石の回転方向が逆方向に向けられる
成膜装置。

【請求項17】

請求項１１～１６のいずれか１つに記載された成膜装置において、
前記回転角が３０度から９０度の範囲で少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で少なくとも１回、前記基板にスパッタリング成膜が行われる
成膜装置。

【請求項18】

請求項１１～１７のいずれか１つに記載された成膜装置において、
前記回転角が３０度から９０度の範囲で前記磁石が揺動されて少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で前記磁石が揺動されて少なくとも１回、前記基板にスパッタリング成膜が行われる
成膜装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、成膜方法及び成膜装置に関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光素子等の電子デバイスでは、発光層にカソード電極から電子を注入しアノード電極から正孔を注入し、発光層で電子と正孔とを再結合させて光を発生させる。ここで、有機発光素子の電極層（陰極層）として、発光層で発光した光の光透過率を高めるために、極薄に構成され光透過性を有する金属層をスパッタリング法によって成膜する技術がある（例えば、特許文献１参照）。または、電極層の材料としては、光透過性に優れた透明導電性の酸化物層を用いる技術がある（例えば、特許文献２参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００７－３１７３８４号公報

【特許文献2】特開２００２－３４３５５５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、スパッタリング法で下地層に電極層を成膜する場合、下地層にダメージが入る可能性がある。特に、下地層は有機材料で構成されており、仮にダメージが下地層に入った場合、電子デバイスの特性劣化が起き得る。

【0005】

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、スパッタリング法で電極層を下地層に成膜する場合、その下地層へのダメージを抑制する成膜方法及び成膜装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜方法では、中心軸とターゲット面とを有し、上記中心軸の周りに回転可能な磁石を内部に備えた複数のロータリターゲットを用いて基板にスパッタリング成膜を行う成膜方法である。
上記成膜方法では、上記複数のロータリターゲットが上記中心軸が互いに平行で上記中心軸が上記基板と平行になるように配置される。
上記複数のロータリターゲットのそれぞれにおいて、上記中心軸から放射状に広がる線が上記基板と交差する側を上記ターゲット面の基板側とし、上記基板側とは反対側を上記ターゲット面の反基板側とした場合、
上記磁石が上記内部から上記反基板側に対向するように位置させ、上記複数のロータリターゲットに放電電力が投入され、
上記複数のロータリターゲットに上記放電電力を投入しながら上記複数のロータリターゲットのそれぞれの上記磁石を上記中心軸を中心に回転させて上記磁石が上記内部から上記基板側に対向するように移動し、
上記磁石が上記基板に最も近くなる基準位置を避けた状態で上記基板にスパッタリング成膜が行われる。

【0007】

このような成膜方法によれば、スパッタリング法で電極層を下地層に成膜する場合、その下地層へのダメージが抑制されることになる。さらに、より適正に下地層へのダメージを抑制するには、下記の成膜方法を適用してもよい。

【0008】

上記の成膜方法においては、上記基準位置に上記磁石が位置しているときの上記磁石の回転角を０度とし、上記磁石を反時計回り方向に回転させることを正の回転角とした場合、上記基準位置からの上記磁石の上記回転角が３０度から９０度の範囲、または、－３０度から－９０度の範囲に設定されて、上記基板にスパッタリング成膜が行われてもよい。

【0009】

上記の成膜方法においては、上記回転角の絶対値が３０度未満では、上記複数のロータリターゲットへの上記放電電力の投入が遮断されてもよい。

【0010】

上記の成膜方法においては、上記磁石を上記内部から上記反基板側に対向させ、上記複数のロータリターゲットに放電電力を投入させる際には、上記回転角が１００度から以上２６０度の範囲に設定されてもよい。

【0011】

上記の成膜方法においては、上記磁石が上記内部から上記反基板側に対向させた際の放電電力は、上記基板にスパッタリング成膜を行う際の放電電力に比べて小さく設定されてもよい。

【0012】

上記の成膜方法においては、上記基板にスパッタリング成膜が行われる際、上記複数のロータリターゲットの中、隣り合うロータリターゲットの上記磁石の回転方向が同じ方向に向けられてもよい。

【0013】

上記の成膜方法においては、上記基板にスパッタリング成膜が行われる際、上記複数のロータリターゲットの中、隣り合うロータリターゲットの上記磁石の回転方向が逆方向に向けられてもよい。

【0014】

上記の成膜方法においては、上記回転角が３０度から９０度の範囲で少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で少なくとも１回、上記基板にスパッタリング成膜が行われてもよい。

【0015】

上記の成膜方法においては、上記回転角が３０度から９０度の範囲で上記磁石が揺動されて少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で上記磁石が揺動されて少なくとも１回、上記基板にスパッタリング成膜が行われてもよい。

【0016】

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜装置は、
基板を支持する基板ホルダと、
上記の複数のロータリターゲットと、
上記複数のロータリターゲットのそれぞれに放電電力を投入する電源と、
上記複数のロータリターゲットのそれぞれに投入する放電電力及び上記磁石の回転と制御する制御装置とを具備する。
上記制御装置は、
上記複数のロータリターゲットのそれぞれにおいて、上記中心軸から放射状に広がる線が上記基板と交差する側を上記ターゲット面の基板側とし、上記基板側とは反対側を上記ターゲット面の反基板側とした場合、
上記磁石が上記内部から上記反基板側に対向するように位置させ、上記複数のロータリターゲットに放電電力を投入し、
上記複数のロータリターゲットに上記放電電力を投入しながら上記複数のロータリターゲットのそれぞれの上記磁石を上記中心軸を中心に回転させて上記磁石が上記内部から上記基板側に対向するように移動させ、
上記磁石が上記基板に最も近くなる基準位置を避けた状態で上記基板にスパッタリング成膜をする制御を行う。

【0017】

このような成膜装置によれば、スパッタリング法で電極層を下地層に成膜する場合、その下地層へのダメージが抑制されることになる。さらに、より適正に下地層へのダメージを抑制するには、下記の成膜装置を適用してもよい。

【0018】

上記成膜装置においては、上記基準位置に上記磁石が位置しているときの上記磁石の回転角を０度とし、上記磁石を反時計回り方向に回転させることを正の回転角とした場合、上記基準位置からの上記磁石の上記回転角が３０度から９０度の範囲、または、－３０度から－９０度の範囲に設定されて、上記基板にスパッタリング成膜が行われてもよい。

【0019】

上記成膜装置においては、上記回転角の絶対値が３０度未満では、上記複数のロータリターゲットへの上記放電電力の投入が遮断されてもよい。

【0020】

上記成膜装置においては、上記磁石を上記内部から上記反基板側に対向させ、上記複数のロータリターゲットに放電電力を投入させる際には、上記回転角が１００度から以上２６０度の範囲に設定されてもよい。

【0021】

上記成膜装置においては、上記磁石が上記内部から上記反基板側に対向させた際の放電電力は、上記基板にスパッタリング成膜を行う際の放電電力に比べて小さく設定されてもよい。

【0022】

上記成膜装置においては、上記基板にスパッタリング成膜が行われる際、上記複数のロータリターゲットの中、隣り合うロータリターゲットの上記磁石の回転方向が同じ方向に向けられてもよい。

【0023】

上記成膜装置においては、上記基板にスパッタリング成膜が行われる際、上記複数のロータリターゲットの中、隣り合うロータリターゲットの上記磁石の回転方向が逆方向に向けられてもよい。

【0024】

上記成膜装置においては、上記回転角が３０度から９０度の範囲で少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で少なくとも１回、上記基板にスパッタリング成膜が行われてもよい。

【0025】

上記成膜装置においては、上記回転角が３０度から９０度の範囲で上記磁石が揺動されて少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で上記磁石が揺動されて少なくとも１回、上記基板にスパッタリング成膜が行われてもよい。

【発明の効果】

【0026】

以上述べたように、本発明によれば、スパッタリング法で電極層を下地層に成膜する場合、その下地層へのダメージを抑制する成膜方法及び成膜装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本実施形態の有機発光素子を示す模式的断面図である。

【図2】本実施形態の成膜装置の一例を示す模式的断面図である。

【図3】ロータリターゲットの中心軸の周りに回転移動する磁石の角度の定義を説明するための図である。

【図4】本実施形態の成膜装置の一例を示す模式的平面図である。

【図5】本実施形態の成膜方法を示す模式的断面図である。

【図6】本実施形態の成膜方法を示す模式的断面図である。

【図7】本実施形態の成膜方法を示す模式的断面図である。

【図8】図（ａ）は、隣り合うロータリターゲットにおいて、磁石の回転角θが３０度から９０度の範囲で１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で１回、基板にスパッタリング成膜が行われたときの様子を示す模式的断面である。図（ｂ）は、磁石の回転角θが３０度から９０度の範囲で１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で１回、基板にスパッタリング成膜が行われた場合の基板に形成された陰極層の膜厚分布を示す概念グラフである。

【図9】本実施形態の成膜方法の変形例１を示す模式的断面図である。

【図10】本実施形態の成膜方法の変形例１を示す模式的断面図である。

【図11】図（ａ）は、磁石の回転角θに対する発光強度を示すグラフである。図（ｂ）は、磁石の回転角θに対する成膜速度（ｎｍ／分）を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。また、以下に示す数値は例示であり、この例に限らない。

【0029】

図１は、本実施形態の有機発光素子を示す模式的断面図である。図１には、一例として、トップエミッション方式の有機発光素子５の要部が示されている。

【0030】

有機発光素子５は、発光層（ＥＭＬ）５１０と、電子輸送層（ＥＴＬ）５２１と、正孔輸送層（ＨＴＬ）５２２と、電子注入層（ＥＩＬ）５３１と、正孔注入層（ＨＩＬ）５３２と、陰極層５４１と、陽極層５４２とを具備する。有機発光素子５においては、陽極層５４２から陰極層５４１に向かって正孔注入層５３２、正孔輸送層５２２、発光層５１０、電子輸送層５２１、及び電子注入層５３１の順で積層されている。

【0031】

発光層５１０は、陰極層５４１と陽極層５４２との間に設けられている。電子注入層５３１は、陰極層５４１と発光層５１０との間に設けられている。正孔注入層５３２は、陽極層５４２と発光層５１０との間に設けられている。電子輸送層５２１は、電子注入層５３１と発光層５１０との間に設けられている。正孔輸送層５２２は、正孔注入層５３２と発光層５１０との間に設けられている。

【0032】

有機発光素子５において、陰極層５４１から発光層５１０で発光した光が取り出される。陰極層５４１の反対側、すなわち、陽極層５４２の下には、有機発光素子５を支持する支持基板（不図示）が配置されている。基板には、薄膜トランジスタ、配線等の回路、層間絶縁層等が配置されている（いずれも不図示）。支持基板は、可撓性基板でもよく、可撓性のない板状基板でもよい。

【0033】

陰極層５４１は、光透過性に優れ、低抵抗の導電層で構成される。陰極層５４１は、減圧雰囲気下で形成されたスパッタリング層（スパッタリング膜とも呼称される）であり、厚みが１０ｎｍよりも大きく２０ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以上２０ｎｍ以下で構成される。陰極層５４１の材料は、Ａｇ及びＡｌの少なくとも１つを含む。陰極層５４１の材料は、Ａｇ及びＡｌの少なくとも１つを含む第１成分と、Ｍｇ、Ｌｉ、及びＣａの少なくとも１つを含む第２成分とを含有させてもよい。

【0034】

また、陰極層５４１を上記の金属層のみで構成した場合は、その厚みが２０ｎｍ以下で構成されることから、陰極層５４１の低抵抗化、機械的強度に限界が生じる。これを補填するために、金属層の上に、透明導電性酸化物で構成された透明導電層をスパッタリング成膜してもよい。透明導電性酸化物であれば、光透光性に優れ、導電性にも優れる。透明導電性酸化物としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）等があげられる。この場合、陰極層５４１は、下地から金属層／透明導電性酸化物層の順で構成された２層構造となる。

【0035】

電子注入層５３１は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、及びランタノイドの少なくとも１つを含む。例えば、電子注入層５３１は、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｙｂの少なくとも１つを含む。電子注入層５３１の厚みは、光透過を高めるために、極薄に構成されており、例えば、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

【0036】

陽極層５４２と陰極層５４１とに電圧が印加されると、正孔注入層５３２から正孔輸送層５２２に正孔が注入され、電子注入層５３１から電子輸送層５２１に電子が注入される。続いて、正孔輸送層５２２を移動した正孔と、電子輸送層５２１を移動した電子とが発光層５１０で再結合し、発光層５１０で光が生成される。発光層５１０で生成された光は、発光層５１０から陽極層５４２及び陰極層５４１のそれぞれの側に放出される。

【0037】

有機発光素子５は、トップエミッション型であり、正孔注入層５３２、正孔輸送層５２２、発光層５１０、電子輸送層５２１、電子注入層５３１、及び陰極層５４１は、発光光に対する光透過率が高く構成されている。また、陽極層５４２は、発光光を反射するように構成されている。これにより、発光層５１０から直接陰極層５４１に向かう発光光と陽極層５４２によって跳ね返された発光光とが合成し、有機発光素子５内の発光光が陰極層５４１を透過して、有機発光素子５の外部に放出される。

【0038】

ここで、陰極層５４１を電子注入層５３１上に形成する場合、陰極層５４１から下層の電子注入層５３１、電子輸送層５２１、発光層５１０、正孔輸送層５２２、及び正孔注入層５３２の有機材料層にダメージが入らないことが好ましい。これらの有機材料層にダメージが入ると、有機発光素子５の発光特性の劣化、または電気特性の劣化が起き得る。

【0039】

本実施形態では、陰極層５４１の成膜方法としてマグネトロンスパッタリング法を導入し、陰極層５４１から下層の有機材料層にダメージが入りにくい成膜方法、成膜装置を提供する。さらに、陰極層５４１の膜厚分布において、優れた特性を示す成膜方法、成膜装置を提供する。

【0040】

図２（ａ）、（ｂ）は、本実施形態の成膜装置の一例を示す模式的断面図である。図２（ａ）には、成膜装置１において複数のロータリターゲットと基板との配置関係を示す模式的な断面が示され、図２（ｂ）には、その配置関係を示す模式的な平面が示されている。

【0041】

本実施形態の成膜装置１として、マグネトロンスパッタリング装置が例示される。成膜装置１では、回転可能な円筒状の複数のロータリターゲットの少なくとも２個以上が用いられて基板１０にスパッタリング成膜（マグネトロンスパッタリング）がなされる。図２（ａ）、（ｂ）には、例えば、１０個のロータリターゲット２０１～２１０が例示されている。複数のロータリターゲットの数は、この数に限らず、例えば、基板１０のサイズに応じて適宜変更される。基板１０には、陰極層５４１下の下地層（有機材料層）が設けられているとする。

【0042】

複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれは、中心軸２０とターゲット面（スパッタリング面）２１とを有する。複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれは、中心軸２０の周りに回転可能な磁石を内部に備える。例えば、図２（ａ）、（ｂ）の例では、複数のロータリターゲット２０１～２１０の順に、磁石３０１～３１０が配置されている。磁石３０１～３１０は、所謂、磁石アセンブリである。磁石３０１～３１０は、永久磁石と磁気ヨークとを有する。成膜装置１には、ロータリターゲット２０１～２１０と、磁石３０１～３１０とを回転させる回転機構（不図示）が設けられている。

【0043】

複数のロータリターゲット２０１～２１０は、中心軸２０が互いに平行で、かつ中心軸２０が基板１０と平行になるように配置される。例えば、複数のロータリターゲット２０１～２１０は、中心軸２０と交差する方向にターゲット面２１同士が互いに対向するように等間隔で並設される。複数のロータリターゲット２０１～２１０が並設された方向は、基板１０の長手方向に対応している。なお、必要に応じて、複数のロータリターゲット２０１～２１０が並設された方向は、基板１０の短手方向としてもよい。

【0044】

基板１０は、図示しない基板ホルダに支持される。基板ホルダの電位は、例えば、浮遊電位、接地電位等とする。複数のロータリターゲット２０１～２１０は、複数のロータリターゲット２０１～２１０が並ぶ方向が基板１０の長手方向に平行になるように配置される。複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれのターゲット面２１は、基板１０の成膜面１１に対向している。

【0045】

なお、図２（ａ）、（ｂ）では、複数のロータリターゲット２０１～２１０が並設された方向がＹ軸方向に対応し、基板１０から複数のロータリターゲット２０１～２１０に向かう方向がＺ軸に対応し、複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれが延在する方向がＸ軸に対応している。

【0046】

また、Ｚ軸方向において複数のロータリターゲット２０１～２１０と基板１０とを見た場合、Ｙ軸方向において、両端に配置された一対のロータリターゲット２０１、２１０が基板１０からはみ出すように配置される。例えば、一対のロータリターゲット２０１、２１０のそれぞれの少なくとも一部と、基板１０とが重なるように、複数のロータリターゲット２０１～２１０と基板１０とが配置される。

【0047】

図２（ａ）、（ｂ）の例では、Ｚ軸方向において、ロータリターゲット２０１の中心軸２０と、基板１０のＹ軸方向における端部１２ａとが重複している。また、ロータリターゲット２１０の中心軸２０と、基板１０のＹ軸方向における端部１２ｂとが重複している。

【0048】

Ｙ軸方向において、複数のロータリターゲット２０１～２１０のピッチは、略均等に設定される。また、スパッタリング成膜中における、複数のロータリターゲット２０１～２１０と基板１０との相対距離は、固定距離とされる。

【0049】

複数のロータリターゲット２０１～２１０の材料は、例えば、陰極層５４１を構成する材料である。基板１０は、例えば、陰極層５４１下の有機材料層を含む有機樹脂シート、あるいは、その有機材料層を含むガラス板等である。

【0050】

本実施形態では、複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれに放電電力が投入され、複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれの磁石が中心軸２０の周りに回転移動して基板１０にスパッタリング成膜がなされる。

【0051】

複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれには、それぞれのロータリターゲットの消耗を略均等にするため、同じ電力が投入される。投入電力は、直流電力でもよく、ＲＦ帯、ＶＨＦ帯等の交流電力でもよい。また、複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれは、時計回りまたは反時計回りに回転することができる。複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれは、成膜時に時計回りまたは反時計回りに回転する。

【0052】

図３は、ロータリターゲットの中心軸の周りに回転移動する磁石の角度の定義を説明するための図である。図３では、一例として、複数のロータリターゲット２０１～２１０の中、ロータリターゲット２０２が例示される。磁石の角度、正角度、負角度、及び基準位置Ａ（後述）の定義については、ロータリターゲット２０２以外のロータリターゲット２０１、２０３～２１０、すなわち、複数のロータリターゲット２０１、２０３～２１０のそれぞれについても、ロータリターゲット２０２と同様の定義がなされる。なお、図２（ａ）には図示されていない防着板４１１がロータリターゲット２０２を挟んで基板１０の反対側に配置される。

【0053】

磁石３０２の回転角θについては、磁石３０２の中心と基板１０との距離が最短となるときの磁石３０２の角度が０度とされる。例えば、中心軸２０から基板１０の成膜面１１に垂線を引いた場合、この垂線と磁石３０２の中心３０とが一致した位置が磁石３０２の角度０度に相当する。磁石３０２が中心軸２０を回転移動するとき、その中心３０は、円弧の軌道を描く。角度が０度のとき、磁石３１０は基板１０に最も近づき、このときの円弧上の位置を基準位置Ａとする。

【0054】

換言すれば、基準位置Ａでは、磁石３０２が基板１０に最も近くなる。また、基準位置Ａに磁石３０２が位置しているときの磁石３０２の回転角θは０度である。また、磁石３０２の角度の正負については、０度から反時計回り方向に磁石３０２を回転させるときの方向を正の回転角（＋θ）、時計回り方向に磁石３０２を回転させるときの方向を負の回転角（－θ）とする。なお、磁石３０２の位置とは、ある角度における中心３０の角度位置であるとする。

【0055】

また、本実施形態においては、複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれにおいて、中心軸２０から放射状に広がる線２５が基板１０と交差する側をターゲット面２１の基板側２１１とし、基板側２１１とは反対側をターゲット面２１の反基板側２１２とする。

【0056】

ロータリターゲット２０２の中心軸２０の周りに磁石３０２を回転移動させることにより、マグネトロン放電時においては、磁石３０２が対向するターゲット面２１付近にプラズマを集中させることができる。磁石３０２が対向するターゲット面２１から優先的にスパッタリング粒子を放出することができる。これにより、磁石３０２の角度に応じて、スパッタリング粒子がターゲット面２１から放出する指向を制御することができる。なお、磁石３０２においては、Ｓ極と、Ｓ極を囲むＮ極とがロータリターゲット２０２の内側からロータリターゲット２０２に対向する。

【0057】

図４は、本実施形態の成膜装置の一例を示す模式的平面図である。図４には、成膜装置１が上方から見た場合の平面図が模式的に描かれている。成膜装置１には、少なくとも２個以上のロータリターゲットが配置される。

【0058】

成膜装置１は、真空容器４０１と、複数のロータリターゲット２０１～２１０と、電源４０３と、基板ホルダ４０４と、圧力計４０５と、ガス供給系４０６と、ガス流量計４０７と、排気系４０８と、制御装置４１０と、防着板４１１を具備する。基板ホルダ４０４には、基板１０が支持されている。

【0059】

真空容器４０１は、排気系４０８によって減圧雰囲気を維持する。真空容器４０１は、複数のロータリターゲット２０１～２１０、基板ホルダ４０４、及び基板１０等を収容する。真空容器４０１には、真空容器４０１内の圧力を計測する圧力計４０５が取り付けられる。また、真空容器４０１には、放電ガス（例えば、Ａｒ、酸素）を供給するガス供給系４０６が取り付けられる。真空容器４０１内に供給されるガス流量は、ガス流量計４０７で調整される。

【0060】

複数のロータリターゲット２０１～２１０は、成膜装置１の成膜源である。例えば、複数のロータリターゲット２０１～２１０が真空容器４０１内に形成されるプラズマによってスパッタリングされると、スパッタリング粒子が複数のロータリターゲット２０１～２１０から基板１０に向けて出射される。

【0061】

電源４０３は、複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれに放電電力を投入する。電源４０３は、ＤＣ電源でもよく、ＲＦ、ＶＨＦ等の高周波電源でもよい。複数のロータリターゲット２０１～２１０に電源４０３から放電電力が供給されると、複数のロータリターゲット２０１～２１０のターゲット面２１の近傍にプラズマが形成される。

【0062】

制御装置４１０は、複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれに投入される放電電力及び磁石の回転と制御する。制御装置４１０は、磁石３０１～３１０の回転移動の制御、複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれへの電力供給を制御する。さらに、制御装置４１０は、ガス流量計４０７の開度等を制御する。圧力計４０５で計測された圧力は、制御装置４１０に送られる。これにより、複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれの磁石が中心軸２０の周りに回転移動し、基板１０にスパッタリング成膜がなされる。

【0063】

以下、制御装置４１０によって制御される本実施形態の成膜方法についてロータリターゲット２０２を例に説明する。なお、以下の動作は、ロータリターゲット２０２に限らず、ロータリターゲット２０２を含めた複数のロータリターゲット２０１～２１０のそれぞれに適用される。

【0064】

図５（ａ）～図７（ｃ）は、本実施形態の成膜方法を示す模式的断面図である。

【0065】

放電ガスを着火（電離）させた瞬時には、一般的に、そのプラズマ密度がプラズマが定常状態にある時よりも高くなる傾向にある。従って、磁石３０２を基板１０に対向させた状態でターゲット面２１近傍で放電を開始すると、基板１０に設けられている下地層（有機材料層）が高密度のプラズマ２２に晒されることになる。これにより、プラズマ２２に含まれる、スパッタリング粒子、イオン、ラジカル、及び電子のいずれか（以下、スパッタリング粒子等と総称する。）によって、下地層（有機材料層）がダメージを受ける場合がある。

【0066】

従って、本実施形態では、放電開始時のプラズマが基板１０に晒されないよう、ロータリターゲット２０２の内部から磁石３０２をロータリターゲット２０２の反基板側２１２に対向するように位置させて、ロータリターゲット２０２に放電電力を投入して放電を開始させる。この状態を図５（ａ）に示す。放電開始時の磁石３０２の回転角θとしては、１００度以上２６０度以下の範囲に設定される。図５（ａ）では、一例として、回転角θとして１８０度の例が示されている。

【0067】

このような磁石３０２の配置によれば、放電開始時、ターゲット面２１近傍に形成されるプラズマ２２は、ロータリターゲット２０２と防着板４１１との間に形成される。これにより、プラズマ２２に含まれるスパッタリング粒子等は、放電開始時、基板１０はなく防着板４１１に向かう。このため、基板１０に設けられている下地層は、スパッタリング粒子等によってダメージを受けにくくなる。また、防着板４１１を反基板側２１２に設置することによって放電開始時にロータリターゲット２０２から飛遊した、成膜に寄与しないスパッタリング粒子が防着板４１１に確実に捕獲される。

【0068】

次に、図５（ｂ）、続いて図５（ｃ）に示すように、ロータリターゲット２０２の磁石３０２を中心軸２０を中心に時計回りに回転させる。磁石３０２の回転中には、ロータリターゲット２０２への放電電力の投入を維持する。これにより、プラズマ２２は、磁石３２０とともにターゲット面２１を沿うように時計回りに移動する。

【0069】

次に、図６（ａ）に示すように、ロータリターゲット２０２の内部から磁石３０２をロータリターゲット２０２の基板側２１１に対向するように移動させる。この状態で基板１０に設けられている下地層上にスパッタリング成膜が行われる。

【0070】

本実施形態のスパッタリング成膜は、磁石３０２が基準位置Ａを避けた状態で実行される。例えば、基準位置Ａからの磁石３０２の回転角θが３０度から９０度の範囲に設定されて、基板１０にスパッタリング成膜が行われる。この際、磁石３０２は、回転角θが３０度から９０度の範囲で固定される。図６（ａ）では、一例として、回転角θとして３０度でスパッタリング成膜される例が示されている。

【0071】

次に、図６（ｂ）、図６（ｃ）、図７（ａ）、及び図７（ｂ）の順で示すように、ロータリターゲット２０２に放電電力を投入しながら、ロータリターゲット２０２の磁石３０２を中心軸２０を中心に反時計回りに回転させる。これにより、プラズマ２２は、磁石３２０とともにターゲット面２１を沿うように反時計回りに移動する。

【0072】

次に、図７（ｃ）に示すように、ロータリターゲット２０２の内部から磁石３０２をロータリターゲット２０２の基板側２１１に対向するように移動させて、基板１０に設けられている下地層上にスパッタリング成膜が行われる。この場合でも、磁石３０２が基準位置Ａを避けた状態で基板１０にスパッタリング成膜がなされる。

【0073】

例えば、基準位置Ａからの磁石３０２の回転角θが－３０度から－９０度の範囲（２７０度から３３０度の範囲）に設定されて、基板１０にスパッタリング成膜が行われる。この際、磁石３０２は、回転角θが－３０度から－９０度の範囲で固定される。図７（ｃ）では、一例として、回転角θとして－３０度でスパッタリング成膜される例が示されている。

【0074】

ここで、スパッタリング成膜を終了してもよく、あるいは、この後、再び磁石３０２が時計回りに回転させて、図５（ａ）～図７（ｃ）に示す動作が繰り返されてもよい。すなわち、回転角θが３０度から９０度の範囲で少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で少なくとも１回、基板１０にスパッタリング成膜が行われる。または、スパッタリング成膜は、回転角θが３０度から９０度の範囲で１回のみ、あるいは、－３０度から－９０度の範囲で１回のみ行われもよい。

【0075】

図８（ａ）に、隣り合うロータリターゲットにおいて、磁石の回転角θが３０度から９０度の範囲で１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で１回、基板にスパッタリング成膜が行われたときの様子を示す。また、図８（ｂ）に、磁石の回転角θが３０度から９０度の範囲で１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で１回、基板にスパッタリング成膜が行われた場合の基板に形成された陰極層の膜厚分布を示す。

【0076】

図８（ａ）には、複数のロータリターゲット２０１～２１０の中、隣り合うロータリターゲット２０２、２０３が例示される。実線で描かれた磁石３０２、３０３は、回転角θが３０度から９０度の範囲（例えば、３０度）に位置させてスパッタリング成膜を実行した場合の状態であり（最初の成膜）、破線で描かれた磁石３０２、３０３は、回転角θが－３０度から－９０度の範囲（例えば、－３０度）に位置させてスパッタリング成膜を実行した場合の状態（次の成膜）である。図８（ａ）には、２回に及ぶ成膜動作が重ねて示されている。

【0077】

このように、基板１０にスパッタリング成膜が行われる際には、複数のロータリターゲット２０１～２１０の中、隣り合うロータリターゲットの磁石の回転方向が同じ方向に向けられる。

【0078】

次に、図８（ｂ）に示す実線は、回転角θが３０度から９０度の範囲に位置させてスパッタリング成膜を実行した場合（最初の成膜）の長さ方向Ｌにおける膜厚分布を概念的に示したものである。また、図８（ｂ）に示す破線は、回転角θが－３０度から－９０度の範囲に位置させてスパッタリング成膜を実行した場合（次の成膜）の長さ方向Ｌにおける膜厚分布を概念的に示したものである。

【0079】

実線及び破線のどちらの膜厚分布もプラズマ２２の濃い領域において膜厚が相対的に高くなることが分かる。但し、これらの膜厚分布を足し合わせることにより、膜厚分布が均一になることが分かる。

【0080】

このように、回転角θが３０度から９０度の範囲、または、－３０度から－９０度の範囲でスパッタリング成膜を行うことにより、スパッタリング粒子等の下地層への垂直成分が減少して、スパッタリング粒子等の下地層への侵入深度が見かけ上長くなる。これにより、基板１０に設けられている下地層はプラズマ２２によってダメージを受けることなく、下地層に良質なスパッタリング膜（陰極層５４１）が形成される。なお、回転角θの絶対値が３０度未満（－３０°＜θ＜３０°）に位置した場合は、ロータリターゲット２０２への放電電力の投入が遮断される。

【0081】

また、回転角θが３０度から９０度の範囲に位置させてのスパッタリング成膜と、回転角θが－３０度から－９０度の範囲に位置させてのスパッタリング成膜とを実行することによって、基板１０におけるスパッタリング膜の膜厚分布が良好になる。

【0082】

例えば、６個のロータリターゲットを用いて、それぞれの回転角θを仮に０度として、スパッタリング成膜を２回実行した場合の基板面内の膜厚分布が１０．６％となったときに、それぞれの回転角θを６０度または－６０度に設定し、回転角θが６０度でスパッタリング成膜を１回、続いて、回転角θが－６０度でスパッタリング成膜を１回、実行した場合の基板面内の膜厚分布は３．９％にまで向上する。さらに、それぞれの回転角θを３０度または－３０度に設定し、回転角θが３０度でスパッタリング成膜を１回、続いて、回転角θが－３０度でスパッタリング成膜を１回、実行した場合の基板面内の膜厚分布は２．１％にまで向上する。ここで、膜厚分布は、（（膜厚の最大値）－（膜厚の最小値））／（（膜厚の最大値）＋（膜厚の最小値））×１００（％）の式から算出される。

【0083】

なお、磁石３０２をロータリターゲット２０２の内部から反基板側２１２に対向させた場合の放電電力は、基板１０にスパッタリング成膜が行われる際の放電電力に比べて小さく設定されてもよい。このような制御をすることで、磁石３０２が反基板側２１２に位置しているときに起き得る隣り合うロータリターゲット間での着膜が抑制される。

【0084】

（変形例１）

【0085】

図９及び図１０は、本実施形態の成膜方法の変形例１を示す模式的断面図である。図９及び図１０には、複数のロータリターゲット２０１～２１０の両側に配置されたロータリターゲット２０１、２１０と、それらの内側に配置されたロータリターゲット２０２、２０９が例示されている。

【0086】

基板１０にスパッタリング成膜が行われる際、複数のロータリターゲット２０１～２１０では、隣り合うロータリターゲットの磁石の回転方向が逆方向に向けられてもよい。例えば、図９に示すように、ロータリターゲット２０１の磁石３０１の回転角θが３０度に設定されるときは、ロータリターゲット２０１に隣り合うロータリターゲット２０２の磁石３０２の回転角θが－３０度に設定される。また、ロータリターゲット２０９の磁石３０９の回転角θが－３０度に設定されるときは、ロータリターゲット２０９に隣り合うロータリターゲット２１０の磁石３１０の回転角θが３０度に設定される。

【0087】

また、ロータリターゲット２０１～２１０の群の両側には、磁石３１１と磁石３１２とが配置される。磁石３１１、３１２においても、図示しない回転機構が設けられ、磁石３０１～３１０と同様に回転角θが調整される。例えば、図９の状態では、磁石３１１が磁石３０９と同じ回転角に傾けられ、磁石３１２が磁石３０２と同じ回転角に傾けられている。また、図１０の状態では、磁石３１１が磁石３０２と同じ回転角に傾けられ、磁石３１２が磁石３０９と同じ回転角に傾けられている。なお、磁石３０１～３１２のそれぞれの回転角θが０度のとき、磁石３０１～３１２のそれぞれと基板１０との間の距離は同じであり、磁石３０１～３１２のそれぞれは、等間隔に配置されている。

【0088】

このような磁石の配置によっても、磁石の回転角θが３０度から９０度の範囲、または、－３０度から－９０度の範囲でスパッタリング成膜が遂行されることから、基板１０に設けられている下地層はプラズマ２２によってダメージを受けることなく、下地層に良質なスパッタリング膜が形成される。

【0089】

さらに、図９に示す状態でのスパッタリング成膜を少なくとも１回、及び、図１０に示す状態でのスパッタリング成膜を少なくとも１回、実行することによって、双方のスパッタリング成膜での膜厚分布が重ね合わされ、基板１０におけるスパッタリング膜の膜厚分布が良好になる。

【0090】

ここで、図１０の状態のように、磁石３０１の回転角θが－３０度となったとしても、磁石３０１には、回転角θが３０度に設定された磁石３１１が隣接する。従って、磁石３０１と磁石３１１とによって形成される磁力線は、図９に示す磁石３０１と磁石３０２とによって形成される磁力線と略同じ状態になる。同様に、磁石３１０の回転角θが３０度となったとしても、磁石３１０には、回転角θが－３０度に設定された磁石３１２が隣接する。従って、磁石３１０と磁石３１２とによって形成される磁力線は、図９に示す磁石３０９と磁石３１０とによって形成される磁力線と略同じ状態になる。

【0091】

これにより、図９に示す状態と図１０に示す状態とを交互に切り替えたとても、磁石３１０～３１０は、隣同士で一方の回転角θが３０度で他方の回転角θがー３０度の組を形成することができ、図９、１０の双方に示す状態において安定してプラズマ放電が継続する。

【0092】

（変形例２）

【0093】

基板１０にスパッタリング成膜を行う場合、磁石３０１～３１０の回転角θを揺動させてもよい。例えば、磁石３０１～３１０のそれぞれの回転角θを３０度から９０度の範囲で揺動させてスパッタリング成膜を少なくとも１回、及び、－３０度から－９０度の範囲で揺動させてスパッタリング成膜を少なくとも１回、実行させてもよい。このような磁石の揺動制御をすることによって、基板１０におけるスパッタリング膜の膜厚分布がより良好になる。

【0094】

（変形例３）

【0095】

ロータリターゲット２０１～２１０の中、隣り合うロータリターゲットの内部に配置された磁石の極性をロータリターゲット２０１～２１０の群の両端に配置された磁石も含めて異ならせてもよい。例えば、図９および図１０において、磁石３１１、ロータリターゲット２０１、２０２を例にあげると、ロータリターゲット２０１の表面に向かう磁石３０１の極性は、中央がＳ極と、そのＳ極を囲むＮ極の構成とされ、磁石３１１及び磁石３０２においては、中央がＮ極と、そのＮ極を囲むＳ極の構成とされる。このような構成を採用することにより、隣り合うロータリターゲット間に形成される磁場が効率よく電子や電荷粒子を収束する。その結果、下地層に対してダメージを抑制することが可能となる。

【0096】

（評価）

【0097】

発光素子サンプルとして、サンプルＡ、Ｂの２種類を準備した。サンプルＡ、Ｂにおいては、基板１０としてガラス基板を用い、発光材料であるトリス（８－キノリノラト）アルミニウム（通称、Ａｌｑ３）膜をガラス基板に５０ｎｍ形成した。さらに、Ａｌｑ３膜の上に陰極層５４１に含まれるＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）膜を１００ｎｍ、スパッタリング成膜した。励起光として、３９０ｎｍの光を用いた。サンプルＡ、Ｂの発光強度として、発光スペクトルのピーク波長である５３３ｎｍの発光光を検出した。

【0098】

図１１（ａ）は、磁石の回転角θに対する発光強度（a.u．：arbitrary unit）を示すグラフである。図１１（ａ）に示すように、回転角θが３０度未満では、発光強度が急激に減少することが分かる。回転角θが３０度未満になると、Ａｌｑ３膜がスパッタリング粒子等によってダメージを受け、その機能が低下すると推測される。一方、回転角θが３０度以上９０度以下では、回転角θが３０度未満の場合に比べて発光強度が高くなることが分かる。

【0099】

また、図１１（ｂ）は、磁石の回転角θに対する成膜速度（ｎｍ／分）を示すグラフである。図１１（ｂ）に示すように、回転角θの増加とともに、成膜速度が減少することが分かる。そして、回転角θが１００度以上になると、成膜速度が略０（ｎｍ／分）になることが分かる。これにより、回転角θが３０度以上９０度以下では回転角θの増加とともに成膜速度は減少するものの、回転角θが３０度以上９０度以下であれば基板１０に陰極層５４１を形成できることが分かった。換言すれば、回転角θが１００度以上２６０度以下では、スパッタリング粒子が基板１０に向かわないことから、回転角θが１００度以上２６０度以下の範囲を放電開始の回転角に適用できる。

【0100】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。

【符号の説明】

【0101】

１…成膜装置
５…有機発光素子
１０…基板
１１…成膜面
１２ａ、１２ｂ…端部
２０…中心軸
２１…ターゲット面
２２…プラズマ
２０１～２１０…ロータリターゲット
２１１…基板側
２１２…反基板側
３０１～３１０…磁石
４０１…真空容器
４０３…電源
４０４…基板ホルダ
４０５…圧力計
４０６…ガス供給系
４０７…ガス流量計
４０８…排気系
４１０…制御装置
４１１…防着板
５１０…発光層
５２１…電子輸送層
５２２…正孔輸送層
５３１…電子注入層
５３２…正孔注入層
５４１…陰極層
５４２…陽極層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】