特開 2023-33839 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023033839

(43)【公開日】2023-03-13

(54)【発明の名称】配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20230306BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20230306BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/46 B

H05K3/46 N

H05K3/28 G

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021139755

(22)【出願日】2021-08-30

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】種子田 浩志

(72)【発明者】

【氏名】清水 規良

(72)【発明者】

【氏名】水谷 理絵

(72)【発明者】

【氏名】滝沢 優哉

(72)【発明者】

【氏名】秋山 尚輝

【テーマコード（参考）】

5E314

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E314AA25

5E314AA32

5E314BB02

5E314BB11

5E314CC17

5E314FF05

5E314FF21

5E314GG26

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC05

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316CC38

5E316DD02

5E316DD03

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD25

5E316DD32

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF15

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG18

5E316GG22

5E316GG28

5E316HH11

5E316JJ02

(57)【要約】

【課題】反りを低減できる配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板は、複数の第１配線層と、感光性樹脂を主成分とする複数の第１絶縁層と、を含む第１配線構造と、最上層の前記第１絶縁層上に積層された、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする封止樹脂層と、を有し、最上層の前記第１配線層は、最上層の前記第１絶縁層から突出するパッドを含み、前記封止樹脂層は、前記パッドの上面を露出し、前記パッドの側面の少なくとも一部と、前記複数の第１絶縁層の側面の少なくとも一部とを被覆し、前記パッドの上に半導体チップが搭載される。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の第１配線層と、感光性樹脂を主成分とする複数の第１絶縁層と、を含む第１配線構造と、
最上層の前記第１絶縁層上に積層された、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする封止樹脂層と、
を有し、
最上層の前記第１配線層は、最上層の前記第１絶縁層から突出するパッドを含み、
前記封止樹脂層は、
前記パッドの上面を露出し、
前記パッドの側面の少なくとも一部と、前記複数の第１絶縁層の側面の少なくとも一部とを被覆し、
前記パッドの上に半導体チップが搭載される配線基板。

【請求項2】

前記封止樹脂層は、前記複数の第１絶縁層の側面の全体を被覆する請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記最上層の前記第１絶縁層の上面に、前記封止樹脂層が埋め込まれたスリットが形成されている請求項１又は２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記スリットは、前記半導体チップが搭載される領域を包囲するように設けられている請求項３に記載の配線基板。

【請求項5】

第２配線層と、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする第２絶縁層と、を含む第２配線構造を有し、
前記第１配線構造は前記第２配線構造の上に積層され、前記封止樹脂層は、前記第２配線構造の上面を被覆する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。

【請求項6】

前記封止樹脂層の前記最上層の前記第１絶縁層の上面から前記封止樹脂層の上面までの厚さＴ_３は、前記第２絶縁層の厚さＴ_１よりも厚い請求項５に記載の配線基板。

【請求項7】

前記第２配線構造において、前記第２配線層は前記第２絶縁層の下面側に露出し、
前記第２配線構造は、前記第２絶縁層を貫通して前記第２配線層と接続されたビア配線を含み、
前記第１配線構造の最下層の前記第１配線層は、前記ビア配線の上端面とシード層を介して直接接合されている請求項５又は６に記載の配線基板。

【請求項8】

前記封止樹脂層の熱膨張係数は、前記第１絶縁層の熱膨張係数よりも低く、前記封止樹脂層の熱膨張係数は、前記第２絶縁層の熱膨張係数と略等しい請求項５乃至７のいずれか１項に記載の配線基板。

【請求項9】

ベース基板と、
前記ベース基板上に実装された請求項１乃至８のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記配線基板上に実装された半導体チップと、
を有する半導体装置。

【請求項10】

支持体の上に、複数の第１配線層と、感光性樹脂を主成分とする複数の第１絶縁層とを含み、最上層の前記第１配線層は、最上層の前記第１絶縁層から突出するパッドを含み、前記パッドの上に半導体チップが搭載される第１配線構造を形成する工程と、
非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする封止樹脂層を、前記パッドの上面を露出し、前記パッドの側面の少なくとも一部と、前記複数の第１絶縁層の側面の少なくとも一部とを被覆するように形成する工程と、
前記支持体を前記第１配線構造から剥離する工程と、
を有する配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体チップ等の電子部品が搭載される配線基板として、配線パターンを高密度化するため、ビルドアップ工法により複数の配線層及び絶縁層を交互に積層した配線基板が知られている。この種の配線基板として、熱硬化性樹脂からなる絶縁層を含む低密度配線層の上に、感光性樹脂からなる絶縁層を含む高密度配線層を形成した配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－１５７６６６号公報

【特許文献2】特開２０２０－０４７７３５号公報

【特許文献3】特開２０１９－１９２８８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、上記の配線基板では、熱硬化性樹脂からなる絶縁層と感光性樹脂からなる絶縁層の熱膨張係数の差異に起因して反りが発生する場合がある。

【0005】

本開示は、反りを低減できる配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一形態によれば、複数の第１配線層と、感光性樹脂を主成分とする複数の第１絶縁層と、を含む第１配線構造と、最上層の前記第１絶縁層上に積層された、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする封止樹脂層と、を有し、最上層の前記第１配線層は、最上層の前記第１絶縁層から突出するパッドを含み、前記封止樹脂層は、前記パッドの上面を露出し、前記パッドの側面の少なくとも一部と、前記複数の第１絶縁層の側面の少なくとも一部とを被覆し、前記パッドの上に半導体チップが搭載される配線基板が提供される。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、反りを低減できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】参考例に係る配線基板のレイアウトを示す図である。

【図2】参考例に係る配線基板を示す断面図である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板のレイアウトを示す図である。

【図4】第１実施形態に係る配線基板を示す断面図である。

【図5】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図6】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図7】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図8】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図9】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。

【図10】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。

【図11】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その７）である。

【図12】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その８）である。

【図13】第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その９）である。

【図14】第２実施形態に係る配線基板を示す断面図である。

【図15】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図16】第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図17】第３実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。また、本開示においては、Ｘ１－Ｘ２方向、Ｙ１－Ｙ２方向、Ｚ１－Ｚ２方向を相互に直交する方向とする。Ｘ１－Ｘ２方向及びＹ１－Ｙ２方向を含む面をＸＹ面と記載し、Ｙ１－Ｙ２方向及びＺ１－Ｚ２方向を含む面をＹＺ面と記載し、Ｚ１－Ｚ２方向及びＸ１－Ｘ２方向を含む面をＺＸ面と記載する。なお、便宜上、Ｚ１－Ｚ２方向を上下方向とし、Ｚ１側を上側、Ｚ２側を下側とする。また、平面視とは、Ｚ１側から対象物を視ることをいい、平面形状とは、対象物をＺ１側から視た形状のことをいう。但し、配線基板及び半導体装置は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。

【0010】

（参考例）
まず、参考例について説明する。図１は、参考例に係る配線基板のレイアウトを示す図である。図２は、参考例に係る配線基板を示す断面図である。

【0011】

図１及び図２に示すように、参考例に係る配線基板９は、第２配線構造１Ｌと、第２配線構造１Ｌ上に積層された第１配線構造１Ｈと、第１配線構造１Ｈ上に積層された封止樹脂層２４とを有する。配線基板９の平面形状は、例えば、正方形状や長方形状とすることができる。

【0012】

配線基板９は、第１半導体チップ搭載領域５１、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４及び第５半導体チップ搭載領域５５を有する。第１半導体チップ搭載領域５１、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４及び第５半導体チップ搭載領域５５は矩形状の平面形状を有する。平面視で、第１半導体チップ搭載領域５１は、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４及び第５半導体チップ搭載領域５５よりも大きい。平面視で、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４及び第５半導体チップ搭載領域５５は、互いに共通の寸法を有する。

【0013】

第１半導体チップ搭載領域５１は、平面視で配線基板９の中心に配置されている。第２半導体チップ搭載領域５２及び第３半導体チップ搭載領域５３は、第１半導体チップ搭載領域５１のＸ１側に配置され、第４半導体チップ搭載領域５４及び第５半導体チップ搭載領域５５は、第１半導体チップ搭載領域５１のＸ２側に配置されている。第３半導体チップ搭載領域５３は、第２半導体チップ搭載領域５２のＹ２側に配置され、第５半導体チップ搭載領域５５は、第４半導体チップ搭載領域５４のＹ２側に配置されている。

【0014】

第１半導体チップ搭載領域５１、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４及び第５半導体チップ搭載領域５５に１個ずつ半導体チップが搭載される。

【0015】

配線基板９は、第１コンデンサ搭載領域６１、第２コンデンサ搭載領域６２、第３コンデンサ搭載領域６３及び第４コンデンサ搭載領域６４を有する。第１コンデンサ搭載領域６１、第２コンデンサ搭載領域６２、第３コンデンサ搭載領域６３及び第４コンデンサ搭載領域６４は矩形状の平面形状を有する。

【0016】

第１コンデンサ搭載領域６１は、第１半導体チップ搭載領域５１、第２半導体チップ搭載領域５２及び第４半導体チップ搭載領域５４のＹ１側に配置されている。Ｘ１－Ｘ２方向で、第１コンデンサ搭載領域６１の寸法は、第１半導体チップ搭載領域５１、第２半導体チップ搭載領域５２及び第４半導体チップ搭載領域５４の各寸法の和よりも大きい。第１コンデンサ搭載領域６１に複数のコンデンサが搭載される。

【0017】

第２コンデンサ搭載領域６２は、第２半導体チップ搭載領域５２のＹ２側に配置されている。Ｘ１－Ｘ２方向で、第２コンデンサ搭載領域６２の寸法は、第１半導体チップ搭載領域５１の寸法と同程度である。第２コンデンサ搭載領域６２に複数のコンデンサが搭載される。

【0018】

第３コンデンサ搭載領域６３は、第２コンデンサ搭載領域６２のＸ１側、かつ第３半導体チップ搭載領域５３のＹ２側に配置されている。第４コンデンサ搭載領域６４は、第２コンデンサ搭載領域６２のＸ２側、かつ第５半導体チップ搭載領域５５のＹ２側に配置されている。第３コンデンサ搭載領域６３及び第４コンデンサ搭載領域６４に２個ずつコンデンサが搭載される。

【0019】

第２配線構造１Ｌは、第１配線構造１Ｈよりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層であり、配線層１１と、絶縁層１２と、配線層１３とを有する。これに対して、第１配線構造１Ｈは、第２配線構造１Ｌよりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層であり、配線層１４と、絶縁層１５と、配線層１６と、絶縁層１７と、配線層１８と、絶縁層１９と、配線層２１とを有する。

【0020】

配線層１１は、絶縁層１２の下面側に露出する最下層の配線層であり、上面及び側面が絶縁層１２に被覆されている。配線層１１の下面は、例えば、絶縁層１２の下面１２ｂと面一であってもよい。配線層１１の下面が、絶縁層１２の下面１２ｂから配線層１３側に窪んだ位置に露出していてもよく、配線層１１の側面の一部及び下面が、絶縁層１２の下面１２ｂから下側に突出してもよい。

【0021】

配線層１１は、例えば、平面形状が円形のパッドであるが、配線パターンを含んでいてもよい。配線層１１の下面に表面処理層１１０を形成してもよい。

【0022】

絶縁層１２は、配線層１１の上面及び側面を被覆している。絶縁層１２は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし、補強部材１２８を有している。絶縁層１２の上面１２ａは、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、絶縁層１２の上面１２ａは研磨面である。絶縁層１２の上面１２ａは、例えば、ビアホール１２ｘの内側面よりも表面粗度が小さくなっている。

【0023】

配線層１３は、絶縁層１２に埋設されたビア配線である。より詳しくは、配線層１３は、絶縁層１２を貫通し配線層１１の上面を露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線であり、配線層１１と電気的に接続されている。

【0024】

ビア配線である配線層１３の上面は、絶縁層１２の上面１２ａから露出している。配線層１３の上面は、例えば、絶縁層１２の上面１２ａと面一とすることができる。配線層１３の上面は、配線層１４の下面と直接接合されている。配線層１３の下面は、絶縁層１２内で配線層１１と直接接合されている。配線層１３の上端面は、絶縁層１２の上面１２ａと同様に、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、配線層１３の上端面は研磨面である。

【0025】

配線層１４は、絶縁層１２の上面１２ａに形成されている。配線層１４は、絶縁層１２の上面１２ａに直接形成されており、配線層１３を介して配線層１１と電気的に接続された配線（配線パターンやパッド）を含んでいる。すなわち、配線層１４の下面の一部は、配線層１３の上面と接しており、両者は電気的に接続されている。

【0026】

絶縁層１５は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層である。絶縁層１５は、絶縁層１２の上面１２ａに、配線層１４を被覆するように形成されている。

【0027】

配線層１６は、絶縁層１５の一方の側（Ｚ１側）に形成されており、配線層１４と電気的に接続されている。配線層１６は、絶縁層１５を貫通し配線層１４の上面を露出するビアホール１５ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１５の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。

【0028】

絶縁層１７は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層である。絶縁層１７は、絶縁層１５の一方の面に、配線層１６を被覆するように形成されている。

【0029】

配線層１８は、絶縁層１７の一方の側（Ｚ１側）に形成されており、配線層１６と電気的に接続されている。配線層１８は、絶縁層１７を貫通し配線層１６の上面を露出するビアホール１７ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１７の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。

【0030】

絶縁層１９は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層である。絶縁層１９は、絶縁層１７の一方の面に、配線層１８を被覆するように形成されている。第１配線構造１Ｈにおいて、絶縁層１９は、最上層の絶縁層である。

【0031】

配線層２１は、絶縁層１９の一方の側（Ｚ１側）に形成されている。第１配線構造１Ｈにおいて、配線層２１は、最上層の配線層である。配線層２１は、絶縁層１９を貫通し配線層１８の上面を露出するビアホール１９ｘ内に充填されたビア配線２２と、絶縁層１９の上面から突出する導電性のパッド２３とを含んでいる。パッド２３の上面に、表面処理層１１０と同様の表面処理層２１０を形成してもよい。

【0032】

パッド２３は、第１半導体チップ搭載領域５１、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４、第５半導体チップ搭載領域５５、第１コンデンサ搭載領域６１、第２コンデンサ搭載領域６２、第３コンデンサ搭載領域６３及び第４コンデンサ搭載領域６４内に設けられている。

【0033】

封止樹脂層２４は、第１配線構造１Ｈにおける最上層の絶縁層である絶縁層１９上に積層されている。封止樹脂層２４は、パッド２３の上面を露出し、パッド２３の側面の少なくとも一部を被覆する。

【0034】

封止樹脂層２４の材料としては、例えば、モールド樹脂を使用できる。モールド樹脂とは、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法等に使用可能な非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂である。例えば、封止樹脂層２４の熱膨張係数は２０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、封止樹脂層２４のヤング率は１ＧＰａ以上である。

【0035】

このような構成を備えた参考例によれば、封止樹脂層２４が設けられていない場合よりも反りを低減することが可能である。また、封止樹脂層２４が厚いほど、反りを抑制する効果が高くなる。

【0036】

しかしながら、パッド２３をセミアディティブ法により形成する場合、封止樹脂層２４を厚くすると、パッド２３の直径を大きくしなければパッド２３を高精度で形成することが困難となる。これは、パッド２３のアスペクト比が大きくなるほど、露光精度が低くなるためである。例えば、アスペクト比が８以上のパッド２３をセミアディティブ法により高精度で形成することは困難である。従って、参考例によっても、反りを十分に抑制することが困難な場合がある。

【0037】

そこで、本願発明者らは、封止樹脂層２４のパッド２３が形成される部分を厚くせずとも反りを更に抑制できる構成について鋭意検討を行った。この結果、絶縁層１５、１７及び１９の積層構造体の側面の少なくとも一部に接するように封止樹脂層２４を設けることで、配線基板に含まれる封止樹脂層２４の体積を増加させて反りを更に抑制できることを知見した。本願発明者らは、このような知見に基づき、下記の実施形態に想到した。

【0038】

（第１実施形態）
次に、第１実施形態について説明する。第１実施形態は配線基板に関する。

【0039】

［第１実施形態に係る配線基板の構造］
図３は、第１実施形態に係る配線基板のレイアウトを示す図である。図４は、第１実施形態に係る配線基板を示す断面図である。図３及び図４に示すように、第１実施形態に係る配線基板１は、配線基板９と同様に、第２配線構造１Ｌと、第２配線構造１Ｌ上に積層された第１配線構造１Ｈと、第１配線構造１Ｈ上に積層された封止樹脂層２４とを有する。配線基板１の平面形状は、例えば、正方形状や長方形状とすることができる。ただし、これには限定されず、配線基板１は任意の平面形状とすることができる。

【0040】

配線基板１は、配線基板９と同様に、第１半導体チップ搭載領域５１、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４及び第５半導体チップ搭載領域５５を有する。配線基板１は、配線基板９と同様に、第１コンデンサ搭載領域６１、第２コンデンサ搭載領域６２、第３コンデンサ搭載領域６３及び第４コンデンサ搭載領域６４をも有する。

【0041】

第２配線構造１Ｌは、第１配線構造１Ｈよりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層であり、配線層１１と、絶縁層１２と、配線層１３とを有する。これに対して、第１配線構造１Ｈは、第２配線構造１Ｌよりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層であり、配線層１４と、絶縁層１５と、配線層１６と、絶縁層１７と、配線層１８と、絶縁層１９と、配線層２１とを有する。

【0042】

配線層１１は、絶縁層１２の下面側に露出する最下層の配線層であり、上面及び側面が絶縁層１２に被覆されている。配線層１１の下面は、例えば、絶縁層１２の下面１２ｂと面一であってもよい。配線層１１の下面が、絶縁層１２の下面１２ｂから配線層１３側に窪んだ位置に露出していてもよく、配線層１１の側面の一部及び下面が、絶縁層１２の下面１２ｂから下側に突出してもよい。

【0043】

配線層１１は、例えば、平面形状が直径１５０μｍ程度の円形のパッドであるが、配線パターンを含んでいてもよい。隣接する配線層１１の間隔は、例えば、２００μｍ程度とすることができる。配線層１１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１１の厚さは、例えば、１０μｍ～２０μｍ程度とすることができる。なお、配線層１１は、他の配線基板と電気的に接続するための外部接続端子（パッド）として使用できる。配線層１１を、チップコンデンサ等を接続するための外部接続端子（パッド）として使用してもよい。

【0044】

配線層１１の下面に表面処理層１１０を形成してもよい。表面処理層１１０の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等が挙げられる。また、配線層１１の下面に、水溶性プリフラックス（organic solderability preservative：ＯＳＰ）処理等の酸化防止処理を施してもよい。

【0045】

絶縁層１２は、配線層１１の上面及び側面を被覆している。絶縁層１２は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし、補強部材１２８を有している。絶縁層１２は、補強部材１２８に非感光性の熱硬化性樹脂を含浸させた構成とすることができる。ここで、『非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし』とは、熱硬化性樹脂以外にフィラー等の他の成分を含有してもよいことを意味する。

【0046】

絶縁層１２に用いる非感光性の熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等が挙げられる。補強部材１２８としては、例えば、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布等が挙げられる。絶縁層１２が含有するフィラーとしては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、カオリン（Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_５（ＯＨ_４））、タルク（Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ_２））、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等が挙げられる。また、これらを混在させてもよい。補強部材１２８としては、例えば、ガラス繊維束を用いたガラスクロスや、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、ナイロン（ポリアミド）繊維束、アラミド繊維束などを用いてもよい。

【0047】

絶縁層１２の厚さＴ_１は、例えば、６０μｍ～７０μｍ程度とすることができる。絶縁層１２の熱膨張係数は、例えば、５ｐｐｍ／Ｋ以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下とすることができる。絶縁層１２の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量や絶縁性樹脂の組成や等により所定値に調整できる。絶縁層１２の熱膨張係数は、絶縁層１５、１７及び１９の各々の熱膨張係数よりも低い。

【0048】

補強部材１２８は、絶縁層１２内において、絶縁層１２の厚さ方向の中心よりも第１配線構造１Ｈ側（ここでは、上側）に偏在している。具体的には、補強部材１２８は、絶縁層１２の厚さ方向の中心よりも第１配線構造１Ｈ側に片寄った位置に配置されている。詳述すると、絶縁層１２では、樹脂層の厚さ（具体的には、絶縁層１２の上面１２ａから補強部材１２８までの厚さ）が、樹脂層の厚さ（具体的には、補強部材１２８から絶縁層１２の下面１２ｂまでの厚さ）よりも薄く設定されている。

【0049】

絶縁層１２の上面１２ａは、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、絶縁層１２の上面１２ａは研磨面である。絶縁層１２の上面１２ａは、例えば、ビアホール１２ｘの内側面よりも表面粗度が小さくなっている。絶縁層１２の上面１２ａの粗度は、表面粗さＲａ値で例えば１５μｍ～４０ｎｍ程度となるように設定されている。また、ビアホール１２ｘの内側面の粗度は、表面粗さＲａ値で例えば３００ｎｍ～４００ｎｍ程度となるように設定されている。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。

【0050】

配線層１３は、絶縁層１２に埋設されたビア配線である。より詳しくは、配線層１３は、絶縁層１２を貫通し配線層１１の上面を露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線であり、配線層１１と電気的に接続されている。ビアホール１２ｘは、絶縁層１５側に開口されている開口部の径が配線層１１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール１２ｘの開口部の径は、例えば６０μｍ～７０μｍ程度とすることができる。

【0051】

ビア配線である配線層１３の上面は、絶縁層１２の上面１２ａから露出している。配線層１３の上面は、例えば、絶縁層１２の上面１２ａと面一とすることができる。配線層１３の上面は、配線層１４の下面と直接接合されている。配線層１３の下面は、絶縁層１２内で配線層１１と直接接合されている。配線層１３の材料は、例えば、配線層１１と同様とすることができる。

【0052】

配線層１３の上端面は、絶縁層１２の上面１２ａと同様に、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、配線層１３の上端面は研磨面である。配線層１３の上端面の粗度は、表面粗さＲａ値で例えば１５ｎｍ～４０ｎｍ程度となるように設定されている。

【0053】

なお、第１実施形態では、配線層１３は、絶縁層１２のビアホール１２ｘに形成されたビア配線のみからなる。言い換えれば、配線層１３には、絶縁層１２の上面１２ａに一体的に形成される配線パターンはない。配線層１３と配線層１４は、電気的には接続されているが、一体的ではない。具体的には、後述する製造方法において、配線層１４をセミアディティブ法で形成した場合には、配線層１３の上面と配線層１４の下面の境界にはシード層が介在する。このような構造とする理由は、後述の配線層１４として高密度の配線パターン（例えば、ライン／スペースが３μｍ／３μｍ程度）を形成するためである。詳しくは、配線基板１の製造方法の項で説明する。

【0054】

配線層１４は、絶縁層１２の上面１２ａに形成されている。配線層１４は、絶縁層１２の上面１２ａに直接形成されており、配線層１３を介して配線層１１と電気的に接続された配線（配線パターンやパッド）を含んでいる。すなわち、配線層１４の下面の一部は、配線層１３の上面と接しており、両者は電気的に接続されている。配線層１４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１４は、複数の導体層が積層された積層膜であってもよい。

【0055】

配線層１４は、配線層１１よりも配線密度が高く（ライン／スペースが狭く）、かつ配線層１１よりも薄い。本明細書では、ライン／スペースが８μｍ／８μｍ以下の配線層を配線密度が高い配線層とする。配線層１４のライン／スペースは、例えば、１μｍ／１μｍ～３μｍ／３μｍ程度とすることができる。配線層１４の厚さは、例えば、１μｍ～３μｍ程度とすることができる。

【0056】

なお、ライン／スペースにおけるラインとは配線幅を表し、スペースとは隣り合う配線同士の間隔（配線間隔）を表す。例えば、ライン／スペースが２μｍ／２μｍと記載されていた場合、配線幅が２μｍで隣り合う配線同士の間隔が２μｍであることを表す。

【0057】

絶縁層１５は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層である。『感光性樹脂を主成分とする』とは、感光性樹脂以外にフィラー等の他の成分を含有してもよいことを意味する。例えば、絶縁層１５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0058】

絶縁層１５は、絶縁層１２の上面１２ａに、配線層１４を被覆するように形成されている。絶縁層１５に用いる感光性樹脂としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられる。絶縁層１５の厚さＴ_２は、例えば５μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。絶縁層１５の熱膨張係数は、例えば、４０ｐｐｍ／Ｋ以上６０ｐｐｍ／Ｋ以下とすることができる。絶縁層１５の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量や絶縁性樹脂の組成や等により所定値に調整できる。

【0059】

平面視で絶縁層１５は絶縁層１２よりも狭く形成されており、絶縁層１２の上面の外周部は絶縁層１５に覆われていない。つまり、絶縁層１２の上面の外周部は絶縁層１５から露出している。

【0060】

配線層１６は、絶縁層１５の一方の側（Ｚ１側）に形成されており、配線層１４と電気的に接続されている。配線層１６は、絶縁層１５を貫通し配線層１４の上面を露出するビアホール１５ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１５の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。ビアホール１５ｘは、絶縁層１７側に開口されている開口部の径が配線層１４の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール１５ｘの開口部の径は、例えば１０μｍ～２０μｍ程度とすることができる。配線層１６の材料、配線層１６を構成する配線パターンの厚さは、例えば、配線層１４と同様とすることができる。

【0061】

なお、配線層１６のライン／スペースは、例えば、１μｍ／１μｍ～３μｍ／３μｍ程度とすることができるが、配線層１４よりも更にライン／スペースを狭くすることが可能である。すなわち、絶縁層１２の上面１２ａは研磨された面であり、絶縁層１２の下面１２ｂよりも平滑である。感光性樹脂を主成分とする絶縁層１５の上面は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層１２の上面１２ａよりも更に平滑である。そのため、配線層１６のライン／スペースは、配線層１４のライン／スペースよりも狭くすることができる。例えば、配線層１４のライン／スペースを３μｍ／３μｍ、配線層１６のライン／スペースを１μｍ／１μｍとすることができる。後述の配線層１８についても同様である。

【0062】

絶縁層１７は、絶縁層１５の一方の面に、配線層１６を被覆するように形成されている。平面視で絶縁層１７は絶縁層１２よりも狭く形成されており、絶縁層１２の上面の外周部は絶縁層１７から露出している。平面視で絶縁層１７の縁は絶縁層１５の縁と重なり合う。絶縁層１７の材料、厚さ及び熱膨張係数は、例えば、絶縁層１５と同様とすることができる。絶縁層１７は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0063】

配線層１８は、絶縁層１７の一方の側（Ｚ１側）に形成されており、配線層１６と電気的に接続されている。配線層１８は、絶縁層１７を貫通し配線層１６の上面を露出するビアホール１７ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１７の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。ビアホール１７ｘは、絶縁層１９側に開口されている開口部の径が配線層１６の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール１７ｘの開口部の径は、例えば１０μｍ～２０μｍ程度とすることができる。配線層１８の材料、配線層１８を構成する配線パターンの厚さは、例えば、配線層１４と同様とすることができる。配線層１８を構成する配線パターンのライン／スペースは、例えば、配線層１６と同様とすることができる。

【0064】

絶縁層１９は、絶縁層１７の一方の面に、配線層１８を被覆するように形成されている。平面視で絶縁層１９は絶縁層１２よりも狭く形成されており、絶縁層１２の上面の外周部は絶縁層１９から露出している。平面視で絶縁層１９の縁は絶縁層１５及び１７の各縁と重なり合う。第１配線構造１Ｈにおいて、絶縁層１９は、最上層の絶縁層である。絶縁層１９の材料、厚さ及び熱膨張係数は、例えば、絶縁層１５と同様とすることができる。絶縁層１９は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0065】

配線層２１は、絶縁層１９の一方の側（Ｚ１側）に形成されている。第１配線構造１Ｈにおいて、配線層２１は、最上層の配線層である。配線層２１は、絶縁層１９を貫通し配線層１８の上面を露出するビアホール１９ｘ内に充填されたビア配線２２と、絶縁層１９の上面から突出する導電性のパッド２３とを含んでいる。ビアホール１９ｘは、パッド２３側に開口されている開口部の径が配線層１８の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール１９ｘの開口部の径は、例えば１０μｍ～２０μｍ程度とすることができる。

【0066】

配線層２１の材料は、例えば、配線層１４と同様とすることができる。パッド２３の厚さ（絶縁層１９の上面からパッド２３の上面までの厚さ）は、例えば、８０μｍ～１５０μｍとすることができる。パッド２３の平面形状は、例えば、直径が２０μｍ～３０μｍ程度の円形とすることができる。パッド２３のピッチは、例えば、４０μｍ～５０μｍ程度とすることができる。なお、パッド２３の封止樹脂層２４から露出する部分は、半導体チップと電気的に接続するための外部接続端子として使用される。つまり、パッド２３の上に半導体チップ又はコンデンサ等が搭載される。

【0067】

パッド２３は、第１半導体チップ搭載領域５１、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４、第５半導体チップ搭載領域５５、第１コンデンサ搭載領域６１、第２コンデンサ搭載領域６２、第３コンデンサ搭載領域６３及び第４コンデンサ搭載領域６４内に設けられている。

【0068】

パッド２３の上面に、表面処理層１１０と同様の表面処理層２１０を形成してもよい。表面処理層２１０は、パッド２３の側面の一部及び上面が封止樹脂層２４の上面２４ａから突出している場合には、パッド２３の上面のみ、又は側面の一部及び上面に形成される。

【0069】

絶縁層１９に、第１スリット７１、第２スリット７２、第３スリット７３、第４スリット７４及び第５スリット７５が形成されている。第１スリット７１、第２スリット７２、第３スリット７３、第４スリット７４及び第５スリット７５は、例えば、絶縁層１９を厚さ方向に貫通して絶縁層１７の上面を露出するように設けられている。第１スリット７１、第２スリット７２、第３スリット７３、第４スリット７４及び第５スリット７５の構造は、これに限らず、絶縁層１９を厚さ方向の略中央に底面を有する凹部であっても良い。図４では、第１スリット７１、第２スリット７２、第３スリット７３、第４スリット７４及び第５スリット７５を、スリット７０として図示している。

【0070】

第１スリット７１は、平面視で、第１半導体チップ搭載領域５１、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４及び第５半導体チップ搭載領域５５を包囲する。第１スリット７１は、第１半導体チップ搭載領域５１と、第２半導体チップ搭載領域５２、第３半導体チップ搭載領域５３、第４半導体チップ搭載領域５４及び第５半導体チップ搭載領域５５との間にも形成されている。平面視で、第２スリット７２は第１コンデンサ搭載領域６１を包囲する。第３スリット７３は第２コンデンサ搭載領域６２を包囲する。第４スリット７４は第３コンデンサ搭載領域６３を包囲する。第５スリット７５は第４コンデンサ搭載領域６４を包囲する。

【0071】

封止樹脂層２４は、第１配線構造１Ｈにおける最上層の絶縁層である絶縁層１９上に積層されている。封止樹脂層２４は、パッド２３の上面を露出し、パッド２３の側面の少なくとも一部を被覆する。封止樹脂層２４は、パッド２３の上面を露出し、パッド２３の側面の全部を被覆してもよい。この場合、パッド２３の上面は、例えば、封止樹脂層２４の上面２４ａと面一となる。ただし、パッド２３の側面の一部及び上面を封止樹脂層２４の上面２４ａから突出させてもよいし、パッド２３の上面を封止樹脂層２４の上面２４ａよりも窪んだ位置に露出させてもよい。なお、パッド２３の側面の一部及び上面を封止樹脂層２４の上面２４ａから突出させる場合は、封止樹脂層２４と半導体チップとの間隔を確保できるため、封止樹脂層２４と半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を充填しやすくなる。また、パッド２３の上面を封止樹脂層２４の上面２４ａよりも窪んだ位置に露出させる場合は、はんだの流れ出しが低減され、隣接するパッド２３同士のショートを防止する効果も備えることができる。

【0072】

配線基板１では、上述のように、絶縁層１２の上面の外周部は絶縁層１５、１７及び１９から露出している。すなわち、図４に示すように、絶縁層１５の側面１５Ｓ、絶縁層１７の側面１７Ｓ及び絶縁層１９の側面１９Ｓは、絶縁層１２の側面１２Ｓよりも内側に位置する。また、図３に示すように、平面視で、絶縁層１５、１７及び１９の周囲には、絶縁層１２の上面が露出する第１領域７６がある。

【0073】

封止樹脂層２４は、第１領域７６において、絶縁層１２の上面の外周部の絶縁層１５、１７及び１９から露出した部分を被覆する。封止樹脂層２４は、更に、絶縁層１５の側面１５Ｓ、絶縁層１７の側面１７Ｓ及び絶縁層１９の側面１９Ｓをも被覆する。

【0074】

また、絶縁層１９に形成された第１スリット７１、第２スリット７２、第３スリット７３、第４スリット７４及び第５スリット７５は、封止樹脂層２４により埋め込まれている。

【0075】

封止樹脂層２４の材料としては、例えば、モールド樹脂を使用できる。モールド樹脂とは、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法等に使用可能な非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂である。モールド樹脂は、例えば、非感光性で熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂であり、絶縁層１２と同様のフィラーを含有してもよいが、ガラス繊維等の補強部材は含有していない。

【0076】

配線基板１の反りを低減する観点から、封止樹脂層２４の厚さＴ_３は、絶縁層１２の厚さＴ_１よりも厚いことが好ましい。ここでいう封止樹脂層２４の厚さＴ_３は、封止樹脂層２４の絶縁層１９の上面の上での厚さである。絶縁層１２の厚さＴ_１が６０μｍ以上７０μｍ以下であれば、例えば、封止樹脂層２４の厚さＴ_３は、８０μｍ以上１５０μｍ以下とすることができる。封止樹脂層２４の熱膨張係数は、絶縁層１５、１７及び１９の各々の熱膨張係数よりも低い。例えば、封止樹脂層２４の熱膨張係数は２０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、封止樹脂層２４のヤング率は１ＧＰａ以上である。

【0077】

また、配線基板１の反りを低減する観点から、封止樹脂層２４の熱膨張係数は、絶縁層１２の熱膨張係数と略等しいことが好ましい。ここで、略等しいとは、封止樹脂層２４の熱膨張係数が絶縁層１２の熱膨張係数に対して±２０％以下であることを意味する。

【0078】

例えば、絶縁層１２の熱膨張係数が５ｐｐｍ／Ｋ以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下であれば、封止樹脂層２４の熱膨張係数も５ｐｐｍ／Ｋ以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。封止樹脂層２４の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量や絶縁性樹脂の組成や等により所定値に調整できる。

【0079】

［第１実施形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図５～図１３は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。なお、ここでは、１つの配線基板を作製する工程の例を示すが、配線基板となる複数の部分を作製し、その後に個片化して各配線基板とする工程としてもよい。

【0080】

まず、図５（ａ）に示すように、支持体１００を準備する。支持体１００は、例えば、両面に銅箔１０２が形成されたコア基板１０１の両側に、プリプレグ１０３及びキャリア付き銅箔１０４を順次積層した構造である。コア基板１０１は、例えば、厚さが０．７ｍｍ程度のガラスエポキシ基板であり、銅箔１０２の厚さは、例えば、７μｍ～５０μｍ程度とすることができる。プリプレグ１０３は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を予めガラス繊維やアラミド繊維等の織布や不織布に含浸させたものである。

【0081】

キャリア付き銅箔１０４は、例えば銅からなる厚さ１０μｍ～５０μｍ程度の厚箔（キャリア箔）１０４ｂ上に、剥離層（図示せず）を介して、例えば銅からなる厚さ１．５μｍ～５μｍ程度の薄箔１０４ａが剥離可能な状態で貼着された構造を有する。厚箔１０４ｂは、薄箔１０４ａの取り扱いを容易にするための支持材として設けられている。厚箔１０４ｂは、プリプレグ１０３により、コア基板１０１の銅箔１０２と接着されている。薄箔１０４ａは、支持体１００の両側の最外層に配置されている。

【0082】

なお、上記の支持体１００の構造は一例であり、これには限定されない。例えば、支持体１００において、コア基板１０１に代えて、複数のプリプレグ１０３が積層された積層体を用いてもよい。また、支持体１００は、ガラス基板や金属基板等の両側に、剥離層を介してキャリア付き銅箔１０４を配置した構造としてもよい。

【0083】

次に、図５（ｂ）に示すように、上側のキャリア付き銅箔１０４の上面（薄箔１０４ａの上面）の全体に感光性のレジスト層５００を形成し、レジスト層５００を露光及び現像し、配線層１１を形成する部分を露出する開口部５００ｘを形成する。同様に、下側のキャリア付き銅箔１０４の下面（薄箔１０４ａの下面）の全体に感光性のレジスト層５１０を形成し、レジスト層５１０を露光及び現像し、配線層３１を形成する部分を露出する開口部５１０ｘを形成する。レジスト層５００及び５１０としては、例えば、ドライフィルムレジストを用いることができる。開口部５００ｘと開口部５１０ｘとは、支持体１００を介して互いに対向する位置に形成される。そして、上側のキャリア付き銅箔１０４を給電層とする電解めっき法により、開口部５００ｘ内に露出するキャリア付き銅箔１０４の上面に電解めっき層である配線層１１を形成する。同様に、下側のキャリア付き銅箔１０４を給電層とする電解めっき法により、開口部５１０ｘ内に露出するキャリア付き銅箔１０４の下面に電解めっき層である配線層３１を形成する。配線層１１の材料及び厚さは、前述の通りである。配線層３１の材料及び厚さは、例えば、配線層１１と同様とすることができる。

【0084】

次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト層５００及び５１０を剥離する。次に、図５（ｄ）に示すように、上側のキャリア付き銅箔１０４の上面の全体に配線層１１を被覆する感光性のレジスト層５２０を形成し、下側のキャリア付き銅箔１０４の下面の全体に配線層３１を被覆する感光性のレジスト層５３０を形成する。レジスト層５２０及び５３０としては、例えば、ドライフィルムレジストを用いることができる。そして、レジスト層５２０を露光及び現像し、上側のキャリア付き銅箔１０４の外周部を露出する開口部５２０ｘを形成する。また、レジスト層５３０を露光及び現像し、下側のキャリア付き銅箔１０４の外周部を露出する開口部５３０ｘを形成する。開口部５２０ｘと開口部５３０ｘとは、支持体１００を介して互いに対向する位置に形成される。

【0085】

次に、図６（ａ）に示すように、図５（ｄ）に示す開口部５２０ｘ内に露出する上側のキャリア付き銅箔１０４と、図５（ｄ）に示す開口部５３０ｘ内に露出する下側のキャリア付き銅箔１０４とをエッチングにより除去する。これにより、支持体１００の一方の側（Ｚ１側）の外周部に上側のプリプレグ１０３の上面が露出し、支持体１００の他方の側（Ｚ２側）の外周部に下側のプリプレグ１０３の下面が露出する。その後、レジスト層５２０及び５３０を剥離する。なお、支持体１００の一方の側（Ｚ１側）及び他方の側（Ｚ２側）の外周部に各々プリプレグ１０３を露出させるのは、各々のプリプレグ１０３と絶縁層１２及び３２とがキャリア付き銅箔１０４を介さずに直接接する領域を設けることで、両者の密着性を向上するためである。

【0086】

次に、図６（ｂ）に示すように、上側のプリプレグ１０３の上面に、上側のキャリア付き銅箔１０４及び配線層１１を被覆する絶縁層１２を形成する。また、下側のプリプレグ１０３の下面に、下側のキャリア付き銅箔１０４及び配線層３１を被覆する絶縁層３２を形成する。

【0087】

具体的には、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし、補強部材１２８を有している半硬化状態のフィルム状の絶縁性樹脂を準備する。そして、上側のキャリア付き銅箔１０４の上面に、この絶縁性樹脂をラミネートし、加熱及び加圧しながら硬化させて絶縁層１２とする。絶縁層１２の材料、厚さ及び熱膨張係数等は、前述の通りである。

【0088】

同様にして、下側のキャリア付き銅箔１０４の下面に、絶縁性樹脂をラミネートし、加熱及び加圧しながら硬化させて絶縁層３２とする。絶縁層３２は、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし、補強部材３２８を有している。絶縁層３２及び補強部材３２８の材料、厚さ及び熱膨張係数等は、前述の通りである。

【0089】

なお、上記の工程は一例である。例えば、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし、補強部材を有していない半硬化状態の絶縁性樹脂上に、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とし、補強部材１２８を有している半硬化状態の絶縁性樹脂を積層した多層フィルムを用いてもよい。

【0090】

次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層１２に、絶縁層１２を貫通し配線層１１の上面を露出させるビアホール１２ｘを形成する。同様に、絶縁層３２に、絶縁層３２を貫通し配線層３１の下面を露出させるビアホール３２ｘを形成する。ビアホール１２ｘ及び３２ｘは、例えば、ＣＯ_２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール１２ｘ及び３２ｘを形成後、デスミア処理を行い、ビアホール１２ｘ及び３２ｘの底部に各々露出する配線層１１及び３１の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。

【0091】

次に、図７（ａ）～図７（ｃ）に示すように、配線層１３及び３３を形成する。配線層１３及び３３は、例えば、セミアディティブ法を用いて形成できる。具体的には、まず、図７（ａ）に示すように、ビアホール１２ｘの内壁を含む絶縁層１２の表面及びビアホール１２ｘ内に露出する配線層１１の表面に、無電解めっき法やスパッタ法によりシード層１３１を形成する。同様に、ビアホール３２ｘの内壁を含む絶縁層３２の表面及びビアホール３２ｘ内に露出する配線層３１の表面に、無電解めっき法やスパッタ法によりシード層３３１を形成する。シード層１３１及び３３１としては、例えば、厚さ１００ｎｍ～３５０ｎｍ程度の銅層を用いることができる。また、シード層１３１及び３３１として、厚さ２０ｎｍ～５０ｎｍ程度のチタン層と厚さ１００ｎｍ～３００ｎｍ程度の銅層をこの順番で積層した積層膜を用いてもよい。シード層１３１及び３３１の下層にチタン層を形成することにより、絶縁層１２と配線層１３との密着性及び絶縁層３２と配線層３３との密着性を向上できる。チタンに代えて、窒化チタン等を用いても構わない。なお、チタンや窒化チタンは、銅よりも耐腐食性の高い金属である。

【0092】

次に、図７（ｂ）に示すように、シード層１３１の上面の全体に感光性のレジスト層５４０を形成し、レジスト層５４０を露光及び現像し、配線層１３を形成する部分を露出する開口部５４０ｘを形成する。同様に、シード層３３１の下面の全体に感光性のレジスト層５５０を形成し、レジスト層５５０を露光及び現像し、配線層３３を形成する部分を露出する開口部５５０ｘを形成する。レジスト層５４０及び５５０としては、例えば、ドライフィルムレジストを用いることができる。開口部５４０ｘと開口部５５０ｘとは、支持体１００を介して互いに対向する位置に形成される。そして、シード層１３１を給電層とする電解めっき法により、開口部５４０ｘ内に露出するシード層１３１の上面に電解めっき層１３２（例えば、銅層）を形成する。同様に、シード層３３１を給電層とする電解めっき法により、開口部５５０ｘ内に露出するシード層３３１の下面に電解めっき層３３２（例えば、銅層）を形成する。

【0093】

次に、図７（ｃ）に示すように、レジスト層５４０を剥離した後、電解めっき層１３２をマスクにして、電解めっき層１３２に覆われていない部分のシード層１３１をエッチングにより除去する。これにより、シード層１３１上に電解めっき層１３２が積層された配線層１３が形成される。同様に、レジスト層５５０を剥離した後、電解めっき層３３２をマスクにして、電解めっき層３３２に覆われていない部分のシード層３３１をエッチングにより除去する。これにより、シード層３３１上に電解めっき層３３２が積層された配線層３３が形成される。

【0094】

ここまでの工程により、支持体１００を中心として絶縁層及び配線層が上下対称に配置された層構造が形成される。このような上下対称の層構造とすることにより、支持体１００の上下で物性値（弾性率及び熱膨張係数）のバランスがとれるため、配線基板１の製造工程の途中の構造体に反りが発生することを抑制できる。なお、下側の層構造は配線基板として製品化される部分ではないが、下側の層構造も配線基板１として完成させ、製品化してもよい。また、配線基板１の製造工程の途中の構造体の反りが問題とならない場合には、支持体１００の下側には層構造を形成しなくてもよい。

【0095】

次に、図８（ａ）に示すように、配線層１３の上面側を研磨して絶縁層１２の上面１２ａ及びビアホール１２ｘ内を充填する配線層１３の上面を露出させ、ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線である配線層１３を形成する。配線層１３の研磨には、例えば、化学機械的研磨（chemical mechanical polishing：ＣＭＰ）法等を用いることができる。配線層１３の上面は、例えば、絶縁層１２の上面１２ａと面一とすることができる。

【0096】

配線層１３を研磨する際、絶縁層１２の上面１２ａの一部を同時に研磨して除去してもよい。配線層１３と共に絶縁層１２の上面１２ａを研磨し、絶縁層１２の上面１２ａの一部を除去することにより、絶縁層１２の上面１２ａの粗度を研磨前より小さくできる。つまり、絶縁層１２の上面１２ａの平滑度を向上できる。絶縁層１２の上面１２ａの粗度は、研磨前では、例えば、表面粗さＲａ値で３００ｎｍ～４００ｎｍ程度であり、研磨により表面粗さ値Ｒａで１５ｎｍ～４０ｎｍ程度とすることができる。このように、絶縁層１２の上面１２ａの粗度を低減して平滑度を向上することにより、後工程において、微細配線（配線密度が高い配線層）の形成が可能となる。なお、絶縁層１２の下面１２ｂの粗度は、例えば、表面粗さＲａ値で１８０ｎｍ～２８０ｎｍ程度である。

【0097】

次に、図８（ｂ）に示すように、配線層１４を形成する。配線層１４は、配線層１３及び３３と同様に、例えば、セミアディティブ法を用いて形成できる。具体的には、まず、配線層１３の上面及び絶縁層１２の上面１２ａを連続的に被覆するように、無電解めっき法やスパッタ法によりシード層を形成する。なお、シード層の形成に無電解めっき法を用いてもよいが、スパッタ法を用いる方が薄い膜を形成できるので、配線層の高密度化に対してはスパッタ法を用いる方が有利である。

【0098】

そして、シード層の上面の全体に感光性のレジスト層を形成し、レジスト層を露光及び現像し、配線層１４を形成する部分を露出する開口部を形成する。そして、シード層を給電層とする電解めっき法により、開口部内に露出するシード層の上面に電解めっき層を形成する。そして、レジスト層を剥離した後、電解めっき層をマスクにして、電解めっき層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、シード層上に電解めっき層が積層された配線層１４が形成される。配線層１４の材料、厚さ及びライン／スペース等は、前述の通りである。なお、配線層１４は、シード層上に電解めっき層が積層された構造となるが、図８等において、シード層と電解めっき層との区別は省略されている（他の配線層についても同様に省略する場合がある）。

【0099】

次に、図８（ｃ）に示すように、配線層１４を被覆するように、絶縁層１２の上面１２ａに液状又はペースト状の感光性の絶縁性樹脂を塗布後、硬化しない程度の温度で加熱して半硬化状態の絶縁層１５を形成する。絶縁層１５の材料及び厚さは、前述の通りである。

【0100】

次に、図９（ａ）に示すように、例えば、フォトリソグラフィ法によりビアホール１５ｘを形成し、その後に、絶縁層１５を硬化温度以上に加熱して硬化させる。ビアホール１５ｘの形成の際に、絶縁層１２の上面の外周部の上から絶縁層１５を除去し、絶縁層１５の側面１５Ｓを絶縁層１２の側面１２Ｓよりも内側に位置させる。絶縁層１２の側面１２Ｓは、後のダイシングによって切断した際に露出する絶縁層１２の側面である。感光性の絶縁性樹脂を主成分とする絶縁層１５の上面は、絶縁層１２の上面１２ａよりも更に平滑となる。絶縁層１５の上面の粗度は、例えば、表面粗さＲａ値で２ｎｍ～６ｎｍ程度とすることができる。

【0101】

次に、図９（ｂ）に示すように、配線層１６を形成する。配線層１６は、配線層１４と同様に、例えば、セミアディティブ法を用いて形成できる。次に、配線層１６を被覆するように、絶縁層１５の上面に液状又はペースト状の感光性の絶縁性樹脂を塗布後、硬化しない程度の温度で加熱して半硬化状態の絶縁層１７を形成する。絶縁層１７の材料及び厚さは、前述の通りである。

【0102】

次に、例えば、フォトリソグラフィ法によりビアホール１７ｘを形成し、その後に、絶縁層１７を硬化温度以上に加熱して硬化させる。ビアホール１７ｘの形成の際に、絶縁層１２の上面の外周部の上から絶縁層１７を除去し、絶縁層１７の側面１７Ｓを絶縁層１２の側面１２Ｓよりも内側に位置させる。感光性の絶縁性樹脂を主成分とする絶縁層１７の上面は、絶縁層１２の上面１２ａよりも更に平滑となる。絶縁層１７の上面の表面粗さＲａは、例えば、２ｎｍ～６ｎｍ程度とすることができる。

【0103】

次に、図９（ｃ）に示すように、配線層１８を形成する。配線層１８は、配線層１４と同様に、例えば、セミアディティブ法を用いて形成できる。次に、配線層１８を被覆するように、絶縁層１７の上面に液状又はペースト状の感光性の絶縁性樹脂を塗布後、硬化しない程度の温度で加熱して半硬化状態の絶縁層１９を形成する。絶縁層１９の材料及び厚さは、前述の通りである。

【0104】

次に、例えば、フォトリソグラフィ法によりビアホール１９ｘ及びスリット７０を形成し、その後に、絶縁層１９を硬化温度以上に加熱して硬化させる。ビアホール１９ｘ及びスリット７０の形成の際に、絶縁層１２の上面の外周部の上から絶縁層１９を除去し、絶縁層１９の側面１９Ｓを絶縁層１２の側面１２Ｓよりも内側に位置させる。感光性の絶縁性樹脂を主成分とする絶縁層１９の上面は、絶縁層１２の上面１２ａよりも更に平滑となる。絶縁層１９の上面の表面粗さＲａは、例えば、２ｎｍ～６ｎｍ程度とすることができる。

【0105】

次に、図１０（ａ）に示すように、ビア配線２２及びパッド２３を含む配線層２１を形成する。配線層２１は、配線層１４と同様に、例えば、セミアディティブ法を用いて形成できる。

【0106】

次に、図１０（ｂ）に示すように、絶縁層１２上に、配線層２１のパッド２３の上面及び側面と、絶縁層１５、１７及び１９の積層構造体２０の上面及び側面とを被覆するように封止樹脂層２４を形成する。封止樹脂層２４は、例えば、モールド樹脂を用いたモールド成形法により形成できる。例えば、図１０（ａ）に示す構造体を金型内に収容し、その金型内に圧力（例えば、５ＭＰａ～１０ＭＰａ）を印加して流動化したモールド樹脂を導入する。その後、モールド樹脂を１８０℃程度の温度で加熱して硬化させることにより、封止樹脂層２４を形成する。そして、所要の封止処理を終了後、封止樹脂層２４で覆われた構造体を上記金型から取り出す。モールド成形法としては、例えば、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法等を使用できる。

【0107】

次に、図１１（ａ）に示すように、図１０（ｂ）に示す封止樹脂層２４の上面側を研磨してパッド２３の少なくとも上面を露出する。封止樹脂層２４の研磨には、例えば、ＣＭＰ法等を用いることができる。パッド２３の上面は、例えば、封止樹脂層２４の上面２４ａと面一とすることができる。ただし、封止樹脂層２４の研磨量の調整等により、パッド２３の側面の一部及び上面を封止樹脂層２４の上面２４ａから突出させてもよいし、パッド２３の上面を封止樹脂層２４の上面２４ａよりも窪んだ位置に露出させてもよい。

【0108】

次に、図１１（ｂ）に示すように、ダイシングブレード等を用いて、図１１（ａ）に示す構造体の外周部を切断する。切断は、絶縁層１２と上側のプリプレグ１０３とが直接接している領域と、絶縁層３２と下側のプリプレグ１０３とが直接接している領域とを除去するように行う。これにより、図１２（ａ）に示すように、厚箔１０４ｂと薄箔１０４ａとが接している部分を容易に剥離することが可能となる。すなわち、支持体１００の主要部分を容易に除去できる。

【0109】

次に、図１２（ｂ）に示すように、図１２（ａ）に示す支持体１００の主要部分を除去した構造体（図１２（ａ）で傾斜して図示している部分）から薄箔１０４ａを除去する。薄箔１０４ａは、例えば、ウェットエッチングにより除去できる。これにより、絶縁層１２の下面１２ｂに配線層１１の下面が露出する。絶縁層１２の下面１２ｂと配線層１１の下面とは、例えば、面一とすることができる。

【0110】

次に、図１３に示すように、必要に応じ、図１２（ｂ）の構造体のパッド２３の上面に表面処理層２１０を形成し、かつ配線層１１の下面に表面処理層１１０を形成する。表面処理層１１０及び２１０としては、例えば、無電解めっき法により、前述の金属層や金属層の積層体を形成してもよいし、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。

【0111】

このようにして、第１実施形態に係る配線基板１を製造することができる。

【0112】

このように、配線基板１では、感光性樹脂を主成分とする絶縁層１５、１７及び１９を含む第１配線構造１Ｈを挟んで、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層１２を含む第２配線構造１Ｌと、非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする封止樹脂層２４とを配置している。そして、絶縁層１２の熱膨張係数及び封止樹脂層２４の熱膨張係数は、絶縁層１５、１７及び１９の各々の熱膨張係数よりも低い。この構造により、配線基板１の厚さ方向における熱膨張係数の不均衡が改善されるため、配線基板１の反りを低減できる。

【0113】

更に、封止樹脂層２４は、絶縁層１５の側面１５Ｓ、絶縁層１７の側面１７Ｓ及び絶縁層１９の側面１９Ｓを覆っている。従って、封止樹脂層２４の、側面１５Ｓ、１７Ｓ及び１９Ｓよりも外側の部分は、パッド２３が形成された部分（絶縁層１９の上面の上の部分）よりも厚い。このため、配線基板９と比較して、絶縁層１２の上側（Ｚ１側）にある封止樹脂層２４の体積が大きく、配線基板１の反りは配線基板９の反りよりも抑制される。

【0114】

また、第１スリット７１、第２スリット７２、第３スリット７３、第４スリット７４及び第５スリット７５は封止樹脂層２４により埋め込まれている。このため、この点でも、配線基板９と比較して、絶縁層１２の上側（Ｚ１側）にある封止樹脂層２４の体積が大きく、配線基板１の反りは配線基板９の反りよりも抑制される。

【0115】

更に、配線基板１の反りが低減することで、配線基板１の封止樹脂層２４側に半導体チップを実装したり、配線基板１を他の配線基板上に実装したりすることが容易となる。

【0116】

なお、封止樹脂層２４は、絶縁層１５の側面１５Ｓ、絶縁層１７の側面１７Ｓ及び絶縁層１９の側面１９Ｓのすべてを覆う必要はなく、これらの一部のみを覆っていてもよい。例えば、平面視で、絶縁層１５の側面１５Ｓが絶縁層１２の側面１２Ｓと重なり合い、封止樹脂層２４が、絶縁層１５の側面１５Ｓを覆わずに、絶縁層１５の側面１５Ｓ及び絶縁層１７の側面１７Ｓを覆っていてもよい。

【0117】

また、図１１（ａ）の状態を出荷形態としてもよい。すなわち、支持体１００付きの配線基板１を出荷形態としてもよい。

【0118】

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は配線基板に関し、主として、第２配線構造１Ｌを含まない点で第１実施形態と相違する。

【0119】

［第２実施形態に係る配線基板の構造］
図１４は、第２実施形態に係る配線基板を示す断面図である。図１４に示すように、第２実施形態に係る配線基板２は、第１配線構造１Ｈを含むが、第２配線構造１Ｌを含まない。

【0120】

第１配線構造１Ｈは、配線層１４と、絶縁層１５と、配線層１６と、絶縁層１７と、配線層１８と、絶縁層１９と、配線層２１とに加えて、配線層８１と、絶縁層８２とを有する。

【0121】

配線層８１は、絶縁層８２の下面側に露出する最下層の配線層であり、上面及び側面が絶縁層８２に被覆されている。配線層８１の下面は、例えば、絶縁層８２の下面８２ｂと面一であってもよい。配線層８１の下面が、絶縁層８２の下面８２ｂから配線層１４側に窪んだ位置に露出していてもよく、配線層８１の側面の一部及び下面が、絶縁層８２の下面８２ｂから下側に突出してもよい。

【0122】

配線層８１は、例えば、平面形状が直径１５０μｍ程度の円形のパッドであるが、配線パターンを含んでいてもよい。隣接する配線層８１の間隔は、例えば、２００μｍ程度とすることができる。配線層８１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層８１の厚さは、例えば、１μｍ～３μｍ程度とすることができる。なお、配線層８１は、他の配線基板と電気的に接続するための外部接続端子（パッド）として使用できる。配線層８１を、チップコンデンサ等を接続するための外部接続端子（パッド）として使用してもよい。配線層８１の下面に表面処理層１１０を形成してもよい。

【0123】

絶縁層８２は、配線層８１の上面及び側面を被覆している。平面視で絶縁層８２の縁は絶縁層１５、１７及び１９の縁と重なり合う。絶縁層８２の材料、厚さ及び熱膨張係数は、例えば、絶縁層１５と同様とすることができる。絶縁層１７は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0124】

本実施形態では、配線層１４が、絶縁層８２の一方の側（Ｚ１側）に形成されており、配線層８１と電気的に接続されている。配線層１４は、絶縁層８２を貫通し配線層８１の上面を露出するビアホール８２ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層１５の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。ビアホール８２ｘは、絶縁層１５側に開口されている開口部の径が配線層８１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。ビアホール８２ｘの開口部の径は、例えば１０μｍ～２０μｍ程度とすることができる。

【0125】

封止樹脂層２４は、絶縁層１５の側面１５Ｓ、絶縁層１７の側面１７Ｓ及び絶縁層１９の側面１９Ｓに加えて、絶縁層８２の側面８２Ｓを被覆する。封止樹脂層２４の下面は絶縁層８２の下面８２ｂと面一であってもよい。

【0126】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0127】

［第２実施形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第２実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図１５～図１６は、第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。

【0128】

まず、第１実施形態と同様に、支持体１００を準備する（図５（ａ）参照）。次に、図１５（ａ）に示すように、配線層１１を形成することなく、上側のキャリア付き銅箔１０４の一部と、下側のキャリア付き銅箔１０４の一部とをエッチングにより除去する。

【0129】

次に、図１５（ｂ）に示すように、配線層８１を形成する。配線層８１は、第１実施形態における配線層１４と同様に、例えば、セミアディティブ法を用いて形成できる。

【0130】

次に、図１５（ｃ）に示すように、配線層８１を被覆するように、上側のキャリア付き銅箔１０４の上面に液状又はペースト状の感光性の絶縁性樹脂を塗布後、硬化しない程度の温度で加熱して半硬化状態の絶縁層８２を形成する。絶縁層８２の材料及び厚さは、前述の通りである。

【0131】

次に、例えば、フォトリソグラフィ法によりビアホール８２ｘを形成し、その後に、絶縁層８２を硬化温度以上に加熱して硬化させる。ビアホール８２ｘの形成の際に、上側のキャリア付き銅箔１０４の上面の外周部の上から絶縁層８２を除去し、絶縁層８２の側面８２Ｓを上側のキャリア付き銅箔１０４の側面よりも内側に位置させる。

【0132】

次に、図１５（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様にして、絶縁層８２の上に、配線層１４と、絶縁層１５と、配線層１６と、絶縁層１７と、配線層１８と、絶縁層１９とを形成する。また、適宜、ビアホール１５ｘ、１７ｘ及び１９ｘを形成する。

【0133】

次に、図１６（ａ）に示すように、支持体１００上に、配線層２１のパッド２３の上面及び側面と、絶縁層１５、１７、１９及び８２の積層構造体２０の上面及び側面とを被覆するように封止樹脂層２４を形成する。第１実施形態と同様に、封止樹脂層２４は、例えば、モールド樹脂を用いたモールド成形法により形成できる。

【0134】

次に、図１６（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、ダイシングブレード等を用いた切断と、薄箔１０４ａの除去とを行い、必要に応じ、表面処理層２１０及び表面処理層１１０を形成する。

【0135】

このようにして、第２実施形態に係る配線基板２を製造することができる。

【0136】

配線基板２においては、封止樹脂層２４が、絶縁層１９の上面だけでなく、絶縁層１５の側面１５Ｓ、絶縁層１７の側面１７Ｓ、絶縁層１９の側面１９Ｓ及び絶縁層８２の側面８２Ｓを覆っている。従って、封止樹脂層２４の、側面１５Ｓ、１７Ｓ、１９Ｓ及び８２Ｓよりも外側の部分は、パッド２３が形成された部分（絶縁層１９の上面の上の部分）よりも厚い。更に、第１スリット７１、第２スリット７２、第３スリット７３、第４スリット７４及び第５スリット７５は封止樹脂層２４により埋め込まれている。このため、第１実施形態と同様に、反りを低減することができる。

【0137】

（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、第１実施形態に係る配線基板１を含む半導体装置に関する。図１７は、第３実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。

【0138】

図１７に示すように、第３実施形態に係る半導体装置３は、第１実施形態に係る配線基板１と、ベース基板２００とを有する。

【0139】

ベース基板２００は、コア層２５０の両面に配線層及び絶縁層が積層された多層配線基板であり、例えば、周知のビルドアップ工法により作製できる。ベース基板２００が有する各配線層は、配線基板１の配線層１４、１６、１８、２１に比べて配線密度が低い（ライン／スペースが広い）。ベース基板２００が有する各配線層のライン／スペースは、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。

【0140】

ベース基板２００において、コア層２５０の一方の面には、配線層２５２と、絶縁層２５３と、配線層２５４と、絶縁層２５５と、配線層２５６と、ソルダーレジスト層２５７とが順次積層されている。また、コア層２５０の他方の面には、配線層２６２と、絶縁層２６３と、配線層２６４と、絶縁層２６５と、配線層２６６と、ソルダーレジスト層２６７とが順次積層されている。

【0141】

コア層２５０としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層２５０として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を含浸させた基板等を用いてもよい。コア層２５０の厚さは、例えば、６０μｍ～４００μｍ程度とすることができる。コア層２５０には、コア層２５０を厚さ方向に貫通する貫通孔２５０ｘが設けられている。貫通孔２５０ｘの平面形状は例えば円形である。

【0142】

配線層２５２は、コア層２５０の一方の面に形成されている。また、配線層２６２は、コア層２５０の他方の面に形成されている。配線層２５２と配線層２６２とは、貫通孔２５０ｘ内に形成された貫通配線２５１により電気的に接続されている。配線層２５２及び２６２は、各々所定の平面形状にパターニングされている。配線層２５２及び２６２、並びに貫通配線２５１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層２５２及び２６２の厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。なお、配線層２５２と配線層２６２と貫通配線２５１とは一体に形成されたものであってもよい。

【0143】

絶縁層２５３は、コア層２５０の一方の面に配線層２５２を覆うように形成されている。絶縁層２５３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層２５３の厚さは、例えば３０μｍ～４０μｍ程度とすることができる。絶縁層２５３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0144】

配線層２５４は、絶縁層２５３の一方の側（Ｚ１側）に形成されている。配線層２５４は、絶縁層２５３を貫通し配線層２５２の上面を露出するビアホール２５３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層２５３の上面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層２５４を構成する配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２５２と電気的に接続されている。ビアホール２５３ｘは、絶縁層２５５側に開口されている開口部の径が配線層２５２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。配線層２５４の材料及び配線パターンの厚さは、例えば、配線層２５２と同様とすることができる。

【0145】

絶縁層２５５は、絶縁層２５３の上面に配線層２５４を覆うように形成されている。絶縁層２５５の材料及び厚さは、例えば、絶縁層２５３と同様とすることができる。絶縁層２５５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0146】

配線層２５６は、絶縁層２５５の一方の側（Ｚ１側）に形成されている。配線層２５６は、絶縁層２５５を貫通し配線層２５４の上面を露出するビアホール２５５ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層２５５の上面に形成された配線パターンと、ソルダーレジスト層２５７の開口部２５７ｘの内側に形成されたパッドとを含んでいる。配線層２５６を構成する配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２５４と電気的に接続されている。ビアホール２５５ｘは、配線基板１側に開口されている開口部の径が配線層２５４の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。配線層２５６の材料及び配線パターンの厚さは、例えば、配線層２５２と同様とすることができる。

【0147】

ソルダーレジスト層２５７は、絶縁層２５５の上面に、配線層２５６を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層２５７は、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の感光性樹脂等から形成することができる。ソルダーレジスト層２５７の厚さは、例えば１５μｍ～３５μｍ程度とすることができる。

【0148】

配線層２５６を構成するパッドの平面形状は、例えば、円形とすることができる。必要に応じ、配線層２５６を構成するパッドの表面（上面のみ、又は、上面及び側面）に前述の表面処理層を形成してもよい。

【0149】

絶縁層２６３は、コア層２５０の他方の面に配線層２６２を覆うように形成されている。絶縁層２６３の材料及び厚さは、例えば、絶縁層２５３と同様とすることができる。絶縁層２６３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0150】

配線層２６４は、絶縁層２６３の他方の側（Ｚ２側）に形成されている。配線層２６４は、絶縁層２６３を貫通し配線層２６２の下面を露出するビアホール２６３ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層２６３の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層２６４を構成する配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２６２と電気的に接続されている。ビアホール２６３ｘは、絶縁層２６５側に開口されている開口部の径が配線層２６２の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。配線層２６４の材料及び厚さは、例えば、配線層２５２と同様とすることができる。

【0151】

絶縁層２６５は、絶縁層２６３の下面に配線層２６４を覆うように形成されている。絶縁層２６５の材料及び厚さは、例えば、絶縁層２５３と同様とすることができる。絶縁層２６５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有することができる。

【0152】

配線層２６６は、絶縁層２６５の他方の側（Ｚ２側）に形成されている。配線層２６６は、絶縁層２６５を貫通し配線層２６４の下面を露出するビアホール２６５ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層２６５の下面に形成された配線パターンとを含んでいる。配線層２６６を構成する配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２６４と電気的に接続されている。ビアホール２６５ｘは、ソルダーレジスト層２６７側に開口されている開口部の径が配線層２６４の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。配線層２６６の材料及び厚さは、例えば、配線層２５２と同様とすることができる。

【0153】

ソルダーレジスト層２６７は、絶縁層２６５の下面に、配線層２６６を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層２６７の材料及び厚さは、例えば、ソルダーレジスト層２５７と同様とすることができる。ソルダーレジスト層２６７は、開口部２６７ｘを有し、開口部２６７ｘ内には配線層２６６の下面の一部が露出している。開口部２６７ｘの平面形状は、例えば、円形とすることができる。必要に応じ、開口部２６７ｘ内に露出する配線層２６６の下面に前述の表面処理層を形成してもよい。

【0154】

配線基板１は、ベース基板２００上に実装されている。具体的には、配線基板１の外部接続端子である配線層１１と、ベース基板２００の外部接続端子である配線層２５６とが、はんだ層２２１により接合されている。また、配線基板１の下面（絶縁層１２の下面）とベース基板２００の上面（絶縁層２５５の上面）との間に、接着層２２２が充填されている。接着層２２２は、配線基板１の側面の一部も被覆している。接着層２２２により、配線基板１とベース基板２００とが接着されている。

【0155】

ベース基板２００の上面（ソルダーレジスト層２５７の上面）の外周部には、スティフナ２７０が固着されている。スティフナ２７０は、例えば平面形状が枠状であり、半導体装置３の全体の強度を補強する。スティフナ２７０の材料としては、例えば、ＳＵＳ３０４（ＣｒとＮｉを主成分とするステンレス鋼：０．０８Ｃ－１８Ｃｒ－８Ｎｉ）等を用いことができる。スティフナ２７０の材料として、銅や銅合金等の金属板や、ガラスエポキシ基板等の樹脂板を用いてもよい。スティフナ２７０は、必要に応じて設けることができる。

【0156】

半導体装置３は、更に、半導体チップ２８０と、バンプ２９０と、アンダーフィル樹脂２９５と、チップコンデンサ３８０と、バンプ３９０とを有する。配線基板１には、複数の半導体チップ２８０がフリップチップ実装されている。

【0157】

半導体チップ２８０は、例えば、シリコン等からなる薄板化された半導体基板２８１に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。半導体基板２８１の回路形成面には、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続された電極パッド２８２が形成されている。

【0158】

半導体チップ２８０の電極パッド２８２は、バンプ２９０を介して、配線基板１の配線層２１と電気的に接続されている。アンダーフィル樹脂２９５は、半導体チップ２８０の回路形成面と配線基板１の上面との間に充填され、半導体チップ２８０の側面を被覆している。バンプ２９０は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えば、ＳｎＢｉはんだ等を用いることができる。

【0159】

各々の半導体チップ２８０は、同一の大きさであっても異なる大きさであってもよい。また、各々の半導体チップ２８０は、同一の機能であっても異なる機能であってもよい。半導体チップ２８０の機能の一例としては、メモリ（ＤＲＡＭ等）やロジック（ＣＰＵ等）が挙げられる。また、配線基板１には１つ又は２つの半導体チップ２８０が実装されてもよいし、４つ以上の半導体チップ２８０が実装されてもよい。

【0160】

チップコンデンサ３８０は、例えば、本体部３８１と、電極パッド３８２とを有する。チップコンデンサ３８０の電極パッド３８２は、バンプ３９０を介して、ベース基板２００の配線層２６６と電気的に接続されている。バンプ３９０の材料は、例えば、バンプ２９０と同様とすることができる。

【0161】

第３実施形態に係る半導体装置３は配線基板１を含む。このため、配線基板１の反りが抑制され、半導体装置３に優れた信頼性を得ることができる。

【0162】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0163】

１、２ 配線基板
１Ｈ 第１配線構造
１Ｌ 第２配線構造
３ 半導体装置
１１、１３、１４、１６、１８、２１、８１ 配線層
１２、１５、１７、１９、８２ 絶縁層
１２Ｓ、１５Ｓ、１７Ｓ、１９Ｓ、８２Ｓ 側面
２０ 積層構造体
２４ 封止樹脂層
７０、７１、７２、７３、７４、７５ スリット
７６ 第１領域
１００ 支持体
２００ ベース基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】