特開 2023-35655 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023035655

(43)【公開日】2023-03-13

(54)【発明の名称】成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/24 20060101AFI20230306BHJP

   H10K 50/00 20230101ALI20230306BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20230306BHJP

【ＦＩ】

C23C14/24 C

H05B33/14 A

H05B33/10

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021142671

(22)【出願日】2021-09-01

(71)【出願人】

【識別番号】591065413

【氏名又は名称】キヤノントッキ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】菅原 由季

【テーマコード（参考）】

3K107

4K029

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC45

3K107GG04

3K107GG34

4K029AA09

4K029AA24

4K029BA62

4K029BB03

4K029BD01

4K029CA01

4K029DA12

4K029DB06

4K029DB14

4K029DB18

4K029DB23

4K029HA01

4K029JA01

4K029JA06

(57)【要約】

【課題】複数の蒸発源を用いた効率的な成膜処理を行うこと
【解決手段】成膜装置は、蒸着物質を放出する第１の放出部を有する第１の蒸発源及び蒸着物質を放出する第２の放出部を有する第２の蒸発源を含み、移動しながら基板に成膜する蒸発源ユニットを備える。第１の放出部と第２の放出部とは、蒸発源ユニットの移動方向における位置が異なる。蒸発源ユニットが移動方向に移動しながら第１の蒸発源により基板に成膜する第１の成膜処理と、蒸発源ユニットが移動方向に移動しながら第２の蒸発源により基板に成膜する第２の成膜処理と、で蒸発源ユニットの移動範囲が異なる。
【選択図】図９

【特許請求の範囲】

【請求項1】

蒸着物質を放出する第１の放出部を有する第１の蒸発源及び蒸着物質を放出する第２の放出部を有する第２の蒸発源を含み、移動しながら基板に成膜する蒸発源ユニットを備え、
前記第１の放出部と前記第２の放出部とは、前記蒸発源ユニットの移動方向における位置が異なり、
前記蒸発源ユニットが前記移動方向に移動しながら前記第１の蒸発源により基板に成膜する第１の成膜処理と、前記蒸発源ユニットが前記移動方向に移動しながら前記第２の蒸発源により基板に成膜する第２の成膜処理と、で前記蒸発源ユニットの移動範囲が異なる、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項2】

請求項１に記載の成膜装置であって、
前記第１の成膜処理及び前記第２の成膜処理における前記移動範囲は、前記第１の蒸発源及び前記第２の蒸発源の、基板の成膜面の高さにおける成膜範囲に応じてそれぞれ設定される、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項3】

請求項１から２までのいずれか１項に記載の成膜装置であって、
前記第１の放出部は、前記第２の放出部よりも前記移動方向における一方の側に配置され、
前記第１の成膜処理における前記蒸発源ユニットの前記移動範囲は、前記第２の成膜処理における前記蒸発源ユニットの前記移動範囲よりも、前記一方の側に狭い、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項4】

請求項１から３までのいずれか１項に記載の成膜装置であって、
前記第１の放出部から放出された蒸着物質の基板への飛散を許容する一方で前記第２の放出部から放出された蒸着物質の基板への飛散を遮断する第１の状態、及び、前記第２の放出部から放出された蒸着物質の基板への飛散を許容する一方で前記第１の放出部から放出された蒸着物質の基板への飛散を遮断する第２の状態をとる遮断手段をさらに備える、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項5】

請求項１から４までのいずれか１項に記載の成膜装置であって、
前記第１の放出部は、前記第２の放出部よりも前記移動方向における一方の側に配置され、
前記第１の蒸発源の、基板の成膜面の高さにおける成膜範囲の前記移動方向における他方の側の端が、基板の成膜領域の前記一方の側の端以上に前記一方の側に位置するように、前記第１の成膜処理における前記蒸発源ユニットの前記移動範囲の一方の側の端が設定される、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項6】

請求項１から４までのいずれか１項に記載の成膜装置であって、
前記第１の放出部は、前記第２の放出部よりも前記移動方向における一方の側に配置され、
前記第１の蒸発源の、基板の成膜面の高さにおける成膜範囲の前記移動方向における他方の側の端が、基板の成膜領域の前記一方の側の端よりも１００ｍｍ以上前記一方の側に位置するように、前記第１の成膜処理における前記蒸発源ユニットの前記移動範囲の一方の側の端が設定される、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項7】

請求項５から６までのいずれか１項に記載の成膜装置であって、
前記第２の蒸発源の、基板の成膜面の高さにおける成膜範囲の前記移動方向における他方の側の端が、基板の成膜領域の前記一方の側の端よりも前記他方の側に位置するように、前記第１の成膜処理における前記蒸発源ユニットの前記移動範囲の一方の側の端が設定される、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項8】

請求項１から７までのいずれか１項に記載の成膜装置であって、
前記成膜装置は、同じ基板に対して前記第１の成膜処理を行った後に前記第２の成膜処理を行い、
前記第１の成膜処理の開始時及び前記第２の成膜処理の終了時の前記蒸発源ユニットの前記移動方向における位置が一致する、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項9】

請求項８に記載の成膜装置であって、
前記移動方向と交差する交差方向に離間して複数枚の成膜対象の基板を配置可能であり、
前記蒸発源ユニットは、前記交差方向にも移動する、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項10】

請求項１から９までのいずれか１項に記載の成膜装置であって、
前記第１の蒸発源及び前記第２の蒸発源の、基板の成膜面の高さにおける成膜範囲をそれぞれ画定する第１の画定部及び第２の画定部をさらに備える、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項11】

蒸着物質を放出する第１の放出部を有する第１の蒸発源及び蒸着物質を放出する第２の放出部を有する第２の蒸発源を含み、移動しながら基板に成膜する蒸発源ユニットを備え、
前記第１の放出部と前記第２の放出部とは、前記蒸発源ユニットの移動方向における位置が異なり、
前記蒸発源ユニットは、前記移動方向に移動しながら前記第１の蒸発源により基板に成膜する第１の成膜処理と、前記移動方向に移動しながら前記第２の蒸発源により基板に成膜する第２の成膜処理と、を行い、
前記蒸発源ユニットは、前記第１の成膜処理及び前記第２の成膜処理において、前記移動方向に移動する中で複数回の折り返しを行い、
前記第１の成膜処理における最初の折り返しから最後の折り返しまでの前記蒸発源ユニットの移動範囲と、前記第２の成膜処理における最初の折り返しから最後の折り返しまでの前記蒸発源ユニットの移動範囲とが異なる、
ことを特徴とする成膜装置。

【請求項12】

蒸着物質を放出する第１の放出部を有する第１の蒸発源及び蒸着物質を放出する第２の放出部を有する第２の蒸発源を含み、移動しながら基板に成膜する蒸発源ユニットを備えた成膜装置の成膜方法であって、
前記蒸発源ユニットが移動方向に移動しながら前記第１の蒸発源により基板に成膜する第１の成膜工程と、
前記蒸発源ユニットが前記移動方向に移動しながら前記第２の蒸発源により基板に成膜する第２の成膜工程と、を含み、
前記第１の放出部と前記第２の放出部とは、前記移動方向における位置が異なり、
前記第１の成膜工程と前記第２の成膜工程とでは前記蒸発源ユニットの移動範囲が異なる、
ことを特徴とする成膜方法。

【請求項13】

請求項１２に記載の成膜方法により基板に成膜を行う成膜工程を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

有機ＥＬディスプレイ等の製造においては、蒸発源から放出された蒸着物質が基板に付着することで基板に薄膜が形成される。特許文献１には、回転する基板に対して複数の蒸発源を用いて成膜を行うことが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－２１８６２３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

複数の蒸発源を用いた成膜装置としては、上記従来技術の他にも、複数の蒸発源を有する蒸発源ユニットが基板に対して所定の方向に移動しながら成膜するもの等が挙げられる。例えば、このような成膜装置では、複数の蒸発源のうちの一部の蒸発源による成膜処理を順次行うことにより、基板に対して複数層の薄膜を形成することができる。一方で、一部の蒸発源による成膜処理が行われている間にも、残りの蒸発源に収容されている蒸着物質が消費されることがあり、蒸着物質の消費量低減等の観点から、効率的な成膜処理が望まれる。

【0005】

本発明は、複数の蒸発源を用いた効率的な成膜処理を行う技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一側面によれば、蒸着物質を放出する第１の放出部を有する第１の蒸発源及び蒸着物質を放出する第２の放出部を有する第２の蒸発源を含み、移動しながら基板に成膜する蒸発源ユニットを備え、前記第１の放出部と前記第２の放出部とは、前記蒸発源ユニットの移動方向における位置が異なり、前記蒸発源ユニットが前記移動方向に移動しながら前記第１の蒸発源により基板に成膜する第１の成膜処理と、前記蒸発源ユニットが前記移動方向に移動しながら前記第２の蒸発源により基板に成膜する第２の成膜処理と、で前記蒸発源ユニットの移動範囲が異なる、
ことを特徴とする成膜装置が提供される。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、複数の蒸発源を用いた効率的な成膜処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】一実施形態に係る成膜装置の構成を模式的に示す平面図。

【図2】図１の成膜装置の構成を模式的に示す正面図。

【図3】蒸発源ユニットの構成を模式的に示す斜視図。

【図4】蒸発源の構成を模式的に示す断面図。

【図5】（Ａ）及び（Ｂ）は、蒸発源ユニット及び遮断部の構成及び動作の説明図。

【図6】蒸発源の基板に対する成膜範囲を説明する図。

【図7】成膜装置の成膜処理における動作説明図。

【図8】成膜装置の成膜処理における動作説明図。

【図9】成膜処理における蒸発源ユニットのＸ方向の移動範囲の説明図。

【図10】成膜処理における蒸発源ユニットの移動の軌跡を例示する図。

【図11】（Ａ）及び（Ｂ）は、蒸発源ユニット及び遮断部の構成及び動作の説明図。

【図12】成膜処理における蒸発源ユニットのＸ方向の移動範囲の説明図。

【図13】（Ａ）は有機ＥＬ表示装置の全体図、（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0010】

＜成膜装置の概要＞
図１は、一実施形態に係る成膜装置１の構成を模式的に示す平面図である。図２は、図１の成膜装置１の構成を模式的に示す正面図である。なお、各図において矢印Ｘ及びＹは互いに直交する水平方向を示し、矢印Ｚは垂直方向（鉛直方向）を示す。

【0011】

成膜装置１は、基板に対して蒸発源を移動させながら蒸着を行う成膜装置である。成膜装置１は、例えばスマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられ、複数台並んで配置されてその製造ラインを構成する。成膜装置１で蒸着が行われる基板の材質としては、ガラス、樹脂、金属等を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。蒸着物質としては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などが用いられる。成膜装置１は、例えば表示装置（フラットパネルディスプレイなど）や薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ＥＬパネルを製造する製造装置に適用可能である。また、成膜装置１が成膜を行う基板のサイズとしては例えばＧ８Hサイズの基板（１１００ｍｍ×２５００ｍｍ、１２５０ｍｍ×２２００ｍｍ）が挙げられるが、成膜装置１が成膜を行う基板のサイズは適宜設定可能である。

【0012】

成膜装置１は、蒸発源ユニット１０と、移動ユニット２０と、複数の支持ユニット３０Ａ及び３０Ｂ（以下、これらを総称する場合は支持ユニット３０と表し、これらの構成要素等についても同様とする）と、を備える。蒸発源ユニット１０、移動ユニット２０及び支持ユニット３０は、使用時に真空に維持されるチャンバ４５の内部に配置される。本実施形態では、複数の支持ユニット３０Ａ及び３０Ｂがチャンバ４５内の上部にＹ方向に離間して設けられており、その下方に蒸発源ユニット１０及び移動ユニット２０が設けられている。また、チャンバ４５には、基板１００の搬入、搬出を行うための複数の基板搬入口４４Ａ及び４４Ｂが設けられている。なお、本実施形態において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた状態、換言すれば減圧状態をいう。

【0013】

また、成膜装置１は、蒸発源ユニット１０に電力を供給する電源４１と、蒸発源ユニット１０及び電源４１を電気的に接続する電気接続部４２を含む。電気接続部４２は水平方向に可動のアームの内部を電気配線が通って構成されており、後述するようにＸＹ方向に移動する蒸発源ユニット１０に対して電源４１からの電力が供給可能となっている。

【0014】

また、成膜装置１は、各構成要素の動作を制御する制御部４３を含む。例えば、制御部４３は、ＣＰＵに代表されるプロセッサ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等のメモリ及び各種インタフェースを含んで構成され得る。例えば、制御部４３は、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＲＡＭに読み出して実行することで、成膜装置１による各種の処理を実現する。

【0015】

＜支持ユニット＞
支持ユニット３０は、基板１００及びマスク１０１を支持するとともに、これらの位置調整を行う。支持ユニット３０は、基板支持部３２と、位置調整部３４と、マスク支持部３６とを含む。

【0016】

基板支持部３２は、基板１００を支持する。本実施形態では、基板支持部３２は、基板１００の長手方向がＸ方向、基板１００の短手方向がＹ方向となるように基板１００を下から支持する。しかしながら、基板支持部３２は、基板１００の縁を複数箇所で挟持すること等によって基板１００を支持してもよいし、静電チャック又は粘着チャック等によって基板１００を吸着することで基板１００を支持してもよい。また、基板支持部３２は、基板１００を直接的に支持するものに限らず、基板１００を載置した基板キャリアを支持するもの等、基板１００を間接的に支持するものであってもよい。

【0017】

位置調整部３４は、基板１００とマスク１０１との位置関係を調整する。本実施形態では、位置調整部３４は、基板１００を支持した状態の基板支持部３２を移動させることにより、基板１００とマスク１０１との位置関係を調整する。しかしながら、マスク１０１を移動させることで基板１００とマスク１０１の位置関係を調整してもよい。位置調整部３４は、チャンバ４５に固定された固定部３４１と、基板支持部３２を支持し、固定部３４１に対して移動する可動部３４２とを含む。可動部３４２は、固定部３４１に対してＸ方向に移動することで、基板支持部３２に支持された基板１００をＸ方向に移動させ、基板１００とマスク１０１のＸ方向の大まかな位置関係を調整する。さらに、可動部３４２は、基板１００とマスク１０１の精密な位置調整（アライメント）を行うために、支持している基板支持部３２をＸＹ方向に移動させる機構を含む。アライメントの具体的な方法については公知の技術を採用可能なため詳細な説明は省略する。また、可動部３４２は、基板支持部３２をＺ方向に移動させ、基板１００とマスク１０１のＺ方向の位置関係を調整する。可動部３４２には、ラック・アンド・ピニオン機構やボールねじ機構等、公知の技術を適宜適用可能である。

【0018】

マスク支持部３６は、マスク１０１を支持する。本実施形態では、マスク支持部３６は、チャンバ４５内においてマスク１０１がＸ方向の中央に位置するように、マスク１０１を支持する。例えば、マスク支持部３６は、マスク１０１の縁を複数箇所で挟持すること等の他の態様によってマスク１０１を支持してもよい。

【0019】

本実施形態の成膜装置１は、複数の支持ユニット３０Ａ及び３０Ｂにより、複数の基板１００Ａ及び１００ＢをＹ方向（交差方向）に離間して支持可能であるとともに、支持された各基板に対して成膜が可能ないわゆるデュアルステージの成膜装置である。例えば、支持ユニット３０Ａに支持された基板１００Ａに対して蒸着が行われている間に、支持ユニット３０Ｂに支持された基板１００及びマスク１０１のアライメントを行うことができ、成膜処理を効率的に実行することができる。以下、支持ユニット３０Ａ側のステージをステージＡ、支持ユニット３０Ｂ側のステージをステージＢと表記することがある。

【0020】

＜移動ユニット＞
移動ユニット２０は、蒸発源ユニット１０をＸ方向に移動させるＸ方向移動部２２と、蒸発源ユニット１０をＹ方向に移動させるＹ方向移動部２４とを含む。

【0021】

Ｘ方向移動部２２は、蒸発源ユニット１０に設けられる構成要素として、モータ２２１と、モータ２２１により回転する軸部材に取り付けられたピニオン２２２と、ガイド部材２２３とを含む。また、Ｘ方向移動部２２は、蒸発源ユニット１０を支持する枠部材２２４と、枠部材２２４の上面に形成され、ピニオン２２２と噛み合うラック２２５と、ガイド部材２２３が摺動するガイドレール２２６とを含む。蒸発源ユニット１０は、モータ２２１の駆動により回転するピニオン２２２がラック２２５と噛み合うことで、ガイドレール２２６に沿ってＸ方向に移動する。

【0022】

Ｙ方向移動部２４は、Ｙ方向に延び、Ｘ方向に離間する２つの支持部材２４１Ａ及び２４１Ｂを含む。２つの支持部材２４１Ａ及び２４１Ｂは、Ｘ方向移動部２２の枠部材２２４の短辺を支持している。Ｙ方向移動部２４は、不図示のモータ及びラック・アンド・ピニオン機構等の駆動機構を含み、２つの支持部材２４１Ａ及び２４１Ｂに対して枠部材２２４をＹ方向に移動させることにより、蒸発源ユニット１０をＹ方向に移動させる。Ｙ方向移動部２４は、蒸発源ユニット１０を、支持ユニット３０Ａに支持された基板１００Ａの下方の位置と、支持ユニット３０Ｂに支持された基板１００Ｂの下方の位置との間でＹ方向に移動させる。

【0023】

＜蒸発源ユニット＞
図３は、蒸発源ユニット１０の構成を模式的に示す斜視図である。蒸発源ユニット１０は、複数の蒸発源として、Ｙ方向に並んだ３つの蒸発源１２ａと、３つの蒸発源１２ａからＸ方向に離間した位置にＹ方向に並んだ３つの蒸発源１２ｂと、を含む。以下、蒸発源１２ａ、１２ｂを総称する場合は蒸発源１２と表記し、これらの構成要素等についても同様とする。

【0024】

また、本実施形態では、３つの蒸発源１２ａで１つのユニット１０ａを構成し、３つの蒸発源１２ｂでもう１つのユニット１０ｂを構成する。詳細には後述するが、本実施形態では、蒸発源ユニット１０は、これらのユニットごとに基板１００への成膜を行う。

【0025】

図４を併せて参照する。図４は、蒸発源１２の構成を模式的に示す断面図である。蒸発源１２は、蒸着物質を蒸発させて放出する。それぞれの蒸発源１２は、材料容器１２１（るつぼ）と、加熱部１２２とを含む。

【0026】

材料容器１２１は、内部に蒸着物質を収容する。材料容器１２１の上部には、蒸発した蒸着物質が放出される放出部１２１１が形成されている。本実施形態では、放出部１２１１は、材料容器１２１の上面に形成された開口部だが、筒状の部材等であってもよい。また或いは、材料容器１２１に対して複数の放出部１２１１が設けられてもよい。また、本実施形態では、蒸発源１２ａの放出部１２１１ａと、蒸発源１２ｂの放出部１２１１ｂとは、蒸発源ユニット１０の成膜時の移動方向であるＸ方向の位置が異なっている（図５参照）。さらに言えば、放出部１２１１ａは、放出部１２１１ｂよりもＸ方向（移動方向）における＋Ｘ側（一方の側）に配置されている。

【0027】

加熱部１２２は、材料容器１２１に収容された蒸着物質を加熱する。加熱部１２２は、材料容器１２１を覆うように設けられる。本実施形態では加熱部１２２として電熱線を用いたシーズヒータが使用されており、図４にはシーズヒータの電熱線が材料容器１２１の周囲に巻き付けられたときの断面が示されている。

【0028】

加熱部１２２による蒸着物質の加熱は、制御部４３によって制御される。本実施形態では、複数の蒸発源１２は、それぞれ独立に材料容器１２１及び加熱部１２２を有している。よって、制御部４３は、複数の蒸発源１２による蒸着物質の蒸発をそれぞれ独立に制御することができる。

【0029】

＜シャッタ＞
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、蒸発源ユニット１０及び遮断部１８の構成及び動作の説明図である。成膜装置１は、蒸発源１２から放出された蒸着物質の基板１００への飛散を遮断する遮断部１８を含む。遮断部１８は、蒸発源１２ａから放出された蒸着物質の基板１００への飛散を遮断するシャッタ１８ａと、蒸発源１２ｂから放出された蒸着物質の基板１００への飛散を遮断するシャッタ１８ｂを含む。なお、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示す遮断部１８は、所謂回転式シャッタ機構として図示されているが、遮蔽部１８の構成はそれに限定されるものではなく、例えばシャッタが所定の方向にスライドする所謂スライド式シャッタ機構であってもよい。

【0030】

シャッタ１８ａは、図示の方向で見て蒸発源１２ａの側方に位置し蒸発源１２ａの放出部１１２１ａから基板１００への蒸着物質の飛散を許容する許容位置（図５（Ａ））と、蒸発源１２ａの上方を覆い放出部１１２１ａから基板１００への蒸着物質の飛散を遮断する遮断位置（図５（Ｂ））との間で変位する。また、シャッタ１８ｂは、図示の方向で蒸発源１２ｂの側方に位置し蒸発源１２ｂの放出部１１２１ｂから基板１００への蒸着物質の飛散を許容する許容位置（図５（Ｂ））と、蒸発源１２ｂの上方を覆い放出部１１２１ｂから基板１００への蒸着物質の飛散を遮断する遮断位置（図５（Ａ））との間で変位する。

【0031】

つまり、遮断部１８は、放出部１１２１ａから放出された蒸着物質の基板１００への飛散を許容する一方で放出部１１２１ｂから放出１００された蒸着物質の飛散を遮断する状態をとることができる（図５（Ａ））。また、遮断部１８は、放出部１１２１ｂから放出された蒸着物質の基板１００への飛散を許容する一方で放出部１１２１ａから放出１００された蒸着物質の飛散を遮断する状態をとることができる（図５（Ｂ））。後述する成膜処理では、成膜装置１は、遮断部１８が図５（Ａ）で示す状態をとることによりユニット１０ａによる成膜を行い、遮断部１８が図５（Ｂ）で示す状態を取ることによりユニット１０ｂによる成膜を行う。

【0032】

シャッタ１８ａ及び１８ｂは、例えば、不図示の回動機構により、Ｙ方向を軸方向として回動可能に設けられる。また、遮断部１８は、シャッタ１８ａ及び１８ｂをいずれも許容位置に位置させた状態や、シャッタ１８ａ及び１８ｂをいずれも遮断位置に位置させた状態もとってもよい。

【0033】

＜蒸発源の成膜範囲＞
図６は、蒸発源１２の基板１００に対する成膜範囲を説明する図である。詳細には、図６は、蒸発源１２の基板１００、基板１００の成膜面１０００の高さにおける、Ｘ方向の成膜範囲１２００を示している。本実施形態では、蒸発源ユニット１０は、蒸発源１２の成膜範囲１２００を画定する画定部１９を含む。本実施形態では、画定部１９の形状並びに基板１００の成膜面１０００及び放出部１２１１の位置関係により、蒸発源１２の成膜範囲１２００が決まる。

【0034】

画定部１９は、Ｚ方向で蒸発源１２と成膜面１０００との間に設けられる。画定部１９は、ＸＹ方向に延び、蒸着物質の通過を規制する２つの板状部材１９１を含み、これらの間に蒸着物質が通過する通過領域１９２が形成される。そして、放出部１２１１の－Ｘ側の端部、及び、通過領域１９２の+Ｘ側に設けられる板状部材１９１の－Ｘ側の端部を通過する仮想直線ＶＬ１の、成膜面１０００の高さにおける位置が、蒸発源１２の成膜範囲１２００の＋Ｘ側の端となっている。また、放出部１２１１の＋Ｘ側の端部、及び、通過領域１９２の－Ｘ側に設けられる板状部材１９１の＋Ｘ側の端部を通過する仮想直線ＶＬ２の、成膜面１０００の高さにおける位置が、蒸発源１２の成膜範囲１２００の－Ｘ側の端となっている。このようにして蒸発源１２の成膜範囲１２００が画定される。なお、このように幾何学的に画定される成膜範囲外に飛散する蒸着物質も存在し得るが、ここでは幾何学的に画定された範囲を成膜範囲１２００とする。

【0035】

また、本実施形態では、蒸発源１２のＸ方向の成膜範囲１２００が蒸発源１２の上方の画定部１９により画定されるが、他の態様も採用可能である。例えば、蒸発源１２の放出部１２１１をノズル状にして放出部１２１１から放出される蒸着物質の指向性を高めることで、蒸発源１２の成膜範囲１２００を画定してもよい。

【0036】

＜成膜処理＞
図７及び図８は、成膜装置１の成膜処理における動作説明図である。ここでは、蒸発源ユニット１０が、ステージＡの基板１００Ａに対して成膜した後に、ステージＢの基板１００Ｂに対して成膜する場合の動作が示されている。また、図７及び図８の各状態おいて、ユニット１０ａ及び１０ｂは、対応するシャッタ１８ａ及び１８ｂが許容位置にあり成膜可能な場合は白塗りで示され、対応するシャッタ１８ａ及び１８ｂが遮断位置にあり成膜可能でない場合はハッチングで示されている。また、蒸発源ユニット１０の位置を示すｘ１等の各座標は、各方向における蒸発源ユニット１０の中心位置を示す座標であるものとする。以下、ユニット１０ａによる成膜処理を成膜処理ａと表記し、ユニット１０ｂによる成膜処理を成膜処理ｂと表記することがある。

【0037】

状態ＳＴ１は、初期状態として、基板１００Ａ及び基板１００Ｂが成膜装置１のチャンバ４５内に搬入され、それぞれマスク１０１Ａ及びマスク１０１Ｂとのアライメントが行われた状態を示している。このとき、蒸発源ユニット１０は、ステージＡ側であって、基板１００Ａとマスク１０１Ａとが重ね合わされた領域である成膜領域よりもＸ方向で－Ｘ側の位置（ｘ１，ｙ１）にある。なお、この状態では基板１００Ｂは未搬入であってもよく、基板１００Ａに対する成膜処理が行われている間に基板１００Ｂが搬入されて基板１００Ｂ及びマスク１０１Ｂのアライメントが行われてもよい。また、基板１００Ｂは成膜処理済み基板の搬出準備もしくは搬出中でもよい。

【0038】

状態ＳＴ２は、蒸発源ユニット１０が＋Ｘ側に移動しながら基板１００Ａに対してユニット１０ａによる成膜を行った後の状態を示している。蒸発源ユニット１０は、ステージＡ側において、位置（ｘ１，ｙ１）から、ユニット１０ａが基板１００Ａの成膜領域よりも＋Ｘ側となる位置（ｘ２，ｙ１）に移動する（図７の矢印（１））。このときのＸ方向の位置ｘ２は、蒸発源１２ａの成膜範囲に応じた位置である。詳しくは後述する。

【0039】

その後、蒸発源ユニット１０は、－Ｘ側に移動しながら基板１００Ａに対してユニット１０ａによる成膜を行う（図７の矢印（２））。これにより、状態ＳＴ１に戻る。このように、蒸発源ユニット１０は、基板１００Ａに対してＸ方向（移動方向）に往復しながらユニット１０ａによる成膜を行う（成膜処理ａ）。なお、成膜処理ａが実行されている間、ユニット１０ｂの蒸発源１２ｂは、予備加熱状態であってもよい。これにより、成膜処理ａの終了後に速やかに成膜処理ｂを開始することができる。

【0040】

状態ＳＴ３は、成膜を行うユニットがユニット１０ａからユニット１０ｂに切り替えられた状態を示している。具体的には、成膜装置１は、シャッタ１８ａを許容位置から遮断位置に変位させ、シャッタ１８ｂを遮断位置から許容位置に変位させる（図７の矢印（３））。

【0041】

状態ＳＴ４は、蒸発源ユニット１０が＋Ｘ側に移動しながら基板１００Ａに対してユニット１０ｂによる成膜を行った後の状態を示している。蒸発源ユニット１０は、ステージＡ側において、位置（ｘ１，ｙ１）から、ユニット１０ｂが基板１００Ａの成膜領域よりも＋Ｘ側となる位置（ｘ３，ｙ１）に移動する（図７の矢印（４））。その後、蒸発源ユニット１０は、－Ｘ側に移動しながら基板１００Ａに対してユニット１０ｂによる成膜を行う（図７の矢印（５））。これにより、状態ＳＴ３に戻る。このように、蒸発源ユニット１０は、基板１００Ａに対してＸ方向（移動方向）に往復しながらユニット１０ｂによる成膜を行う（成膜処理ｂ）。なお、成膜処理ｂが実行されている間、ユニット１０ａの蒸発源１２ａは、予備加熱状態であってもよい。これにより、成膜処理ｂの終了後に速やかに成膜処理ａを開始することができる。

【0042】

状態ＳＴ５は、蒸発源ユニット１０がステージＡからステージＢに移動した状態を示している。ここでは、蒸発源ユニット１０は、位置（ｘ１，ｙ１）から＋Ｙ側の位置（ｘ１，ｙ２）に移動する。また、状態ＳＴ５では、ステージ移動に伴い、成膜を行うユニットがユニット１０ｂからユニット１０ａに切り替えられている。

【0043】

その後の動作はステージＡにおける動作と同様のため簡潔に説明すると、まず、蒸発源ユニット１０は、基板１００Ｂに対してＸ方向（移動方向）に往復しながらユニット１０ａによる成膜を行う（成膜処理ａ）（図８の矢印（５）（６））。その後、成膜装置１は、成膜を行うユニットをユニット１０ａからユニット１０ｂに切り替える（図８の矢印（８））。そして、蒸発源ユニット１０は、基板１００Ｂに対してＸ方向（移動方向）に往復しながらユニット１０ｂによる成膜を行う（成膜処理ｂ）（図８の矢印（９）（１０））。以上により、ステージＡ及びＢにおける成膜処理が終了する。

【0044】

なお、ステージＢで基板１００Ｂに対する成膜処理が行われている間に、成膜済みの基板１００Ａがチャンバ４５から搬出され、次の成膜対象の基板１００Ａがチャンバ４５に搬入されてマスク１０１Ａとアライメントされてもよい。

【0045】

＜成膜ユニットの移動範囲＞
図９は、成膜処理における蒸発源ユニット１０のＸ方向の移動範囲の説明図である。

【0046】

ユニット１０ａによる成膜処理ａを１往復分行う場合（例えば、図７の矢印（１）（２））、蒸発源ユニット１０は、位置ｘ１から＋Ｘ側に位置ｘ２まで移動して、そこから折り返して－Ｘ側に位置ｘ１まで戻る。よって、このときの蒸発源ユニット１０の移動範囲ａ１は、位置ｘ１と位置ｘ２の間の範囲となる。この移動範囲ａ１は、詳しくは後述するが、蒸発源１２ａの成膜範囲１２００ａに応じて設定される。

【0047】

一方、ユニット１０ｂによる成膜処理ｂを１往復分行う場合（例えば、図７の矢印（４）（５））、蒸発源ユニット１０は、位置ｘ１から＋Ｘ側に位置ｘ３まで移動して、そこから折り返して－Ｘ側に位置ｘ１まで戻る。よって、このときの蒸発源ユニット１０の移動範囲ｂ１は、位置ｘ１と位置ｘ３の間の範囲となる。この移動範囲ｂ１は、詳しくは後述するが、蒸発源１２ｂの成膜範囲１２００ｂに応じて設定される。

【0048】

ここで、移動範囲ａ１と移動範囲ｂ１とを共通の範囲に設定した場合、蒸発源ユニット１０の無駄な移動が発生し得る。例えば移動範囲ａ１及びｂ１をいずれも位置ｘ１と位置ｘ３との間の範囲とした場合、成膜処理ａにおいて蒸発源ユニット１０が位置ｘ２～位置ｘ３の間の移動では、成膜範囲１２００ａと成膜領域１００１が重ならない。よって、この移動は基板１００への成膜が行えていない無駄な移動である。これに対し、本実施形態では、移動範囲ａ１と移動範囲ｂ１とが異なっており、移動範囲ａ１が蒸発源１２ａの成膜範囲１２００ａに応じて設定され、移動範囲ｂ１が蒸発源１２ｂの成膜範囲１２００ｂに応じて設定される。これにより、蒸発源ユニット１０の無駄な移動が低減でき、蒸発源１２ａ及び１２ｂを用いた効率的な成膜処理を行うことができる。また、前述の例においては、成膜範囲１２００ａと成膜領域１００１が重ならない、蒸発源ユニット１０の位置ｘ２～位置ｘ３の間の移動の間は、蒸着物質が無駄に消費されることとなる。本実施形態でこのような蒸着物質の無駄な消費も抑制でき、蒸着物質の利用効率を向上することができる。

【0049】

また、本実施形態の場合、移動範囲ａ１が、移動範囲ｂ２よりも＋Ｘ側（一方の側）に狭くなっている。したがって、成膜処理ａにおける蒸発源ユニット１０の移動量が低減されるので、成膜処理ａの時間を短縮することができる。

【0050】

なお、成膜処理ａにおける蒸発源ユニット１０の移動量が低減された分、成膜処理ａ又は成膜処理ｂにおける蒸発源ユニット１０の移動速度を下げてもよい。蒸発源ユニット１０の移動速度が低いほど、基板１００に形成される薄膜の膜厚が厚くなる。そのため、移動量が低減された分移動速度を下げることで、処理時間を増やさずに基板１００に形成される薄膜の膜厚を厚くすることができる。

【0051】

また、本実施形態の場合、移動範囲ａ１の＋Ｘ側の端は、蒸発源１２ａの成膜範囲１２００ａ（図６参照）に応じて設定される。具体的には、成膜範囲１２００ａの－Ｘ側（他方の側）の端が、基板１００の成膜領域１００１の＋Ｘ側（一方の側）の端以上に＋Ｘ側に位置するように設定されている。これにより、蒸発源ユニット１０の移動量を低減しつつも、基板に対してＸ方向に均質に成膜を行うことができる。詳細には、蒸発源ユニット１０が移動範囲ａ１の端に位置している場合に成膜範囲１２００ａと成膜領域１００１がＸ方向に一部で重なっていると、成膜領域１００１の端部の領域に対する成膜時間が相対的に短くなってしまう場合がある。結果として、端部の領域の膜厚が他の領域と比べて薄くなってしまう場合がある。これに対し、本実施形態では、上記構成により成膜領域１００１の端部と他の領域との間で膜厚に差が生じることを抑制することができる。

【0052】

なお、成膜範囲１２００ａの－Ｘ側の端が、基板１００の成膜領域１００１の＋Ｘ側の端に対してどの程度＋Ｘ側に位置するかは適宜設定可能である。例えば、成膜範囲１２００ａの－Ｘ側の端が、基板１００の成膜領域１００１の＋Ｘ側の端よりも０ｍｍ以上、１０ｍｍ以上、５０ｍｍ以上、１００ｍｍ以上、２００ｍｍ以上又は３００ｍｍ以上、＋Ｘ側に位置してもよい。なお、蒸発源１２ｂの移動範囲ｂ１の＋Ｘ側の端についても、同様の考え方に基づき、Ｘ方向における膜厚の差が生じることを抑制するように設定され得る。

【0053】

また、本実施形態の場合、移動範囲ａ１の＋Ｘ側の端は、蒸発源１２ｂの成膜範囲１２００ｂの－Ｘ側の端が基板１００の成膜領域１００１の＋Ｘ側の端よりも－Ｘ側に位置するように設定される。すなわち、シャッタ１８ｂが許容位置にあると仮定した場合に、成膜範囲１２００ｂと基板１００の成膜領域１００１がＸ方向に一部で重なる位置に移動範囲ａ１が設定される。前述したように、膜厚の均質性を考慮すると、成膜範囲ｂ１は、－Ｘ側の端が、成膜領域１００１の＋Ｘ側の端よりも＋Ｘ側に位置するように設定される。よって、移動範囲ａ１をこのように設定することで、移動範囲ａ１を移動範囲ｂ１よりも＋Ｘ側に狭く設定することができる。したがって、成膜処理ａにおける蒸発源ユニット１０の移動量を低減することができる。

【0054】

なお、本実施形態では、移動範囲ｂ１の－Ｘ側の端は、移動範囲ａ１と同じく位置ｘ１に設定されている。ここで、成膜範囲１２００ｂの＋Ｘ側の端が基板１００の成膜領域１００１の－Ｘ側の端以上に－Ｘ側となる位置ｘ４等に移動範囲ｂ１の－Ｘ側の端が設定されれば、蒸発源ユニット１０の移動量を低減しつつ基板１００への成膜を均質に行うことができる。一方で、複数の基板１００に対して順次成膜を行う場合には、ある基板１００に対して成膜処理ｂを行った後に、次の基板１００に対して成膜処理ａを行うことがある。そこで、本実施形態では、成膜処理ｂの終了位置に対応する成膜範囲ｂ１の－Ｘ側の端を、成膜処理ａの開始位置に対応する成膜範囲ａ１の－Ｘ側の端と同じ位置ｘ１としている。これにより、成膜処理ｂの後に速やかに成膜処理ａを行うことができる。

【0055】

図１０は、成膜処理における蒸発源ユニット１０の移動の軌跡を例示する図である。図１０では、成膜処理ａ及び成膜処理ｂにおいて蒸発源ユニット１０がＸ方向にそれぞれ２往復する場合（パターンＰＴ１）と、それぞれ１．５往復する場合（パターンＰＴ２）が示されている。また、図１０では、成膜処理ａを実行している間の蒸発源ユニット１０の移動軌跡を実線で、成膜処理ｂを実行している間の蒸発源ユニットの移動軌跡を破線で示している。

【0056】

パターンＰＴ１のように、蒸発源ユニット１０がＸ方向にそれぞれ２往復する場合は、前述したそれぞれ１往復する場合と同様に、成膜処理ａにおける移動範囲ａ１と成膜処理ｂにおける移動範囲ｂ１が異なっている。特に成膜処理ａにおける移動範囲ａ１が狭くなっているため、移動範囲ａ１及びｂ１が同じ範囲（位置ｘ１～位置ｘ３）の場合と比べて蒸発源ユニット１０の移動量を低減できており、成膜処理の効率が向上しているといえる。

【0057】

一方、成膜処理ｂにおいても、開始から終了までの移動範囲ｂ１は移動範囲ａ１よりも広くなっているが、１往復目の復路から２往復目の往路への折返し位置は、位置ｘ４となっているため、一部の区間における移動範囲が狭くなっている。詳細には、成膜処理ｂにおける最初の折り返しから最後の折り返しまでの区間ｓｂ１の蒸発源ユニット１０の移動範囲ｂ１１が、成膜処理ｂにおける開始から終了までの移動範囲ｂ１よりも狭くなっている。これは、折り返し後もユニット１０ｂによる成膜が継続する場合は位置ｘ１まで移動する必要がないためであり（図９参照）、このような場合は、位置ｘ１よりも手前で折り返すことができ、蒸発源ユニット１０の移動量を低減することができる。

【0058】

また、各成膜処理が３往復以上の場合や、一方の成膜処理が１往復、他方が２往復以上の場合等でも同様に蒸発源ユニット１０の移動量を低減することができる。

【0059】

次に、パターンＰＴ２について説明する。各成膜処理が１．５往復ずつの場合、開始位置と終了位置が基板１００を挟んで反対側となる。よって、成膜処理ａは、成膜処理ｂにおける蒸発源１２ｂの成膜範囲１２００ｂを考慮して、位置ｘ３で終了する。したがって、成膜処理ａの開始から終了までの移動範囲ａ２は、前述した移動範囲ａ１と比べて広くなる。一方で、成膜処理ａにおける最初の折り返しから最後の折り返しまでの区間ｓａ２の蒸発源ユニット１０の移動範囲ａ２１は、前述した移動範囲ａ１と同様であるため、この区間については蒸発源ユニット１０の移動量を低減することができる。

【0060】

成膜処理ｂにおいては、開始から終了までの移動範囲ｂ２は移動範囲ｂ１と同じであるが、成膜処理ｂにおける最初の折り返しから最後の折り返しまでの区間ｓｂ２の蒸発源ユニット１０の移動範囲ｂ２１が移動範囲ｂ２よりも狭くなっている。よって、この区間については蒸発源ユニット１０の移動量を低減することができる。また、本例では、成膜処理ａ及び成膜処理ｂにおいて、開始から最初の折り返しまでの区間についても移動範囲ａ２及びｂ２よりもそれぞれ狭くなっている。すなわち、本例のように、各成膜処理がｎ．５往復ずつの場合（ｎは自然数）、この区間においても蒸発源ユニット１０の移動量を低減することができる。

【0061】

以上説明したように、本実施形態によれば、複数の蒸発源を用いた効率的な成膜処理を行うことができる。

【0062】

＜他の実施形態＞
次に、他の実施形態に係る成膜装置９について説明する。成膜装置９は、第１実施形態に係る成膜装置１と蒸発源ユニットの構成が異なる。以下、第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付して説明を省略することがある。

【0063】

図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、一実施形態に係る、蒸発源ユニット９０及び遮断部９８の構成及び動作の説明図である。前述した実施形態では、蒸発源ユニット１０は、Ｙ方向に並ぶ３つの蒸発源１２ａと、３つの蒸発源１２ａからＸ方向に離間してＹ方向に並ぶ３つの蒸発源１２ｂを有していた。本実施形態では、蒸発源ユニット９０は、Ｙ方向に並ぶ複数の蒸発源９２ｃと、複数の蒸発源９２ｃからＸ方向に離間してＹ方向に並ぶ複数の蒸発源９２ｄと、複数の蒸発源９２ｃ及び複数の蒸発源９２ｄからＸ方向に離間してＹ方向に並ぶ複数の蒸発源９２ｅを有する。すなわち、Ｙ方向に並ぶ複数の蒸着源９２が３列分設けられている。また、本実施形態では、複数の蒸発源９２ｃで１つのユニット９０ａを構成し、複数の蒸発源９２ｄ及び複数の蒸発源９２ｅでもう１つのユニット９０ｂを構成する。ユニット９０ｂは、蒸発源９２ｄ及び蒸発源９２ｅが異なる蒸着物質を蒸発することで共蒸着を行うことができる。

【0064】

また、本実施形態では遮断部９８は、蒸発源９２ｃから放出された蒸着物質の基板１００への飛散を遮断するシャッタ９８ａと、蒸発源９２ｄ及び９２ｅから放出された蒸着物質の基板１００への飛散を遮断するシャッタ９８ｂを含む。

【0065】

シャッタ９８ａは、図示の方向で蒸発源９２ｃの側方に位置し蒸発源９２ｃから基板１００への蒸着物質の飛散を許容する許容位置（図１１（Ａ））と、蒸発源９２ｃの上方を覆い蒸発源９２ｃから基板１００への蒸着物質の飛散を遮断する遮断位置（図１１（Ｂ））との間で変位する。また、シャッタ９８ｂは、図示の方向で蒸発源９２ｄ及び９２ｅの側方に位置し蒸発源９２ｄ及び９２ｅから基板１００への蒸着物質の飛散を許容する許容位置（図１１（Ｂ））と、蒸発源９２ｄ及び９２ｅの上方を覆い蒸発源９２ｄ及び９２ｅから基板１００への蒸着物質の飛散を遮断する遮断位置（図１１（Ａ））との間で変位する。よって、シャッタ９８ａを許容位置、シャッタ９８ｂを遮断位置とすることでユニット９０ａによる成膜が可能となり、シャッタ９８ａを遮断位置、シャッタ９８ｂを許容位置とすることでユニット９０ｂによる成膜が可能となる。

【0066】

図１２は、成膜処理における蒸発源ユニット９０のＸ方向の移動範囲の説明図である。

【0067】

ユニット９０ａによる成膜処理における移動範囲ａ９は、前述した実施形態のユニット１０ａによる成膜処理における成膜範囲ａ１と同様の考え方で設定され得る。すなわち、移動範囲ａ９の＋Ｘ側の端、換言すれば折り返し位置は、蒸発源９２ｃの成膜範囲９２００ｃに応じて設定される。具体的には、成膜範囲９２００ｃの－Ｘ側の端が、基板１００の成膜領域１００１の＋Ｘ側の端以上に＋Ｘ側に位置するように設定されている。

【0068】

また、ユニット９０ｂによる成膜処理における移動範囲ｂ９は、その＋Ｘ側の端が、蒸発源９２ｅの成膜範囲９２００ｅに応じて設定される。具体的には、成膜範囲９２００ｅの－Ｘ側の端が、基板１００の成膜領域１００１の＋Ｘ側の端以上に＋Ｘ側に位置するように設定されている。ユニット９０ｂでは、Ｘ方向に均質な成膜を行うためには、蒸発源９２ｄ及び９２ｅの成膜範囲９２００ｄ及び９２００ｅの両方が成膜領域１００１の＋Ｘ側の端以上に＋Ｘ側に位置する必要がある。したがって、移動方向ｂ９の＋Ｘ側の端は、蒸発源９２ｄ及び９２ｅのうち－Ｘ側に設けられている蒸発源９２ｅの成膜範囲９２００ｅに応じて設定される。なお、図１２では、移動範囲ｂ９の－Ｘ側の端は、成膜処理ｂから成膜処理ａへの移行のため移動範囲ａ９に合わせて設定されている。しかし、例えばユニット９０ｂによる成膜処理が１．５往復以上行われ、成膜処理中に基板１００の－Ｘ側で折り返しが行われる場合には、その折り返し位置は、蒸発源９２ｄの成膜範囲９２００に応じて設定されてもよい。つまり、ユニット９０ｂでは、移動範囲９ｂの両端は、移動範囲ｂ９の内側に対応する蒸発源９２の成膜範囲９２００に応じて設定されてもよい。

【0069】

以上説明したように、本実施形態によれば、Ｙ方向に並ぶ蒸着源９２が３列（以上）設けられる場合でも、各蒸発源９２の成膜範囲９２００に応じた蒸発源ユニット９０の移動範囲が設定される。これにより、効率的な成膜処理を行うことができる。

【0070】

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図１に例示した成膜装置１が製造ライン上に複数設けられる。

【0071】

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１３（Ａ）は有機ＥＬ表示装置５０の全体図、図１３（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。

【0072】

図１３（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。

【0073】

なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素５２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素５２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。

【0074】

図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１の電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、赤色層５６Ｒ・緑色層５６Ｇ・青色層５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２の電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。

【0075】

また、第１の電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２の電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図１３（Ｂ）に示すように正孔輸送層５５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層５７と第２の電極５８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。

【0076】

なお、近接した第１の電極５４の間でのショートを防ぐために、第１の電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。

【0077】

図１３（Ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極５４と正孔輸送層５５との間には第１の電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層を形成してもよい。

【0078】

赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層５６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。

【0079】

なお、ここでは赤色層５６Ｒの例を示したが、緑色層５６Ｇや青色層５６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。

【0080】

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層５６Ｒが下側層５６Ｒ１と上側層５６Ｒ２の２層からなり、緑色層５６Ｇと青色層５６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。

【0081】

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１の電極５４が形成された基板５３を準備する。なお、基板５３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板５３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。

【0082】

第１の電極５４が形成された基板５３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第１の電極５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。なお、本実施形態では、絶縁層５９の形成までは大型基板に対して処理が行われ、絶縁層５９の形成後に、基板５３を分割する分割工程が実行される。

【0083】

絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜装置１に搬入し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１の電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域５１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。

【0084】

次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜装置１に搬入する。基板５３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層５５の上の、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層５６Ｒを成膜する。ここで、第２の成膜室で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板５３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。

【0085】

赤色層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置１において緑色層５６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜装置１において青色層５６Ｂを成膜する。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置１において表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。

【0086】

電子輸送層５７までが形成された基板を第６の成膜装置１に移動し、第２の電極５８を成膜する。本実施形態では、第１の成膜装置１～第６の成膜装置１では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第６の成膜装置１における第２の電極５８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第２の電極５８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層６０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。なお、ここでは保護層６０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。

【符号の説明】

【0087】

１：成膜装置、１０：蒸発源ユニット、１２：蒸発源、１００：基板、１０１：マスク

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】