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特開2023-36217共重合体、表面改質剤、組成物、医療用デバイス、シリコーン基材、及び細胞培養容器
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023036217
(43)【公開日】2023-03-14
(54)【発明の名称】共重合体、表面改質剤、組成物、医療用デバイス、シリコーン基材、及び細胞培養容器
(51)【国際特許分類】
C08L 33/00 20060101AFI20230307BHJP
C08F 20/26 20060101ALI20230307BHJP
C08F 20/58 20060101ALI20230307BHJP
C08F 20/38 20060101ALI20230307BHJP
C08F 20/60 20060101ALI20230307BHJP
C08F 20/36 20060101ALI20230307BHJP
C08L 33/26 20060101ALI20230307BHJP
C08L 33/14 20060101ALI20230307BHJP
C12M 3/00 20060101ALI20230307BHJP
A61L 17/14 20060101ALN20230307BHJP
A61L 27/34 20060101ALN20230307BHJP
A61L 29/08 20060101ALN20230307BHJP
A61L 31/10 20060101ALN20230307BHJP
【ＦＩ】
C08L33/00
C08F20/26
C08F20/58
C08F20/38
C08F20/60
C08F20/36
C08L33/26
C08L33/14
C12M3/00 A
C12M3/00 Z
A61L17/14 100
A61L27/34
A61L29/08 100
A61L31/10
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021143134
(22)【出願日】2021-09-02
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＥＶＡＬ
(71)【出願人】
【識別番号】504145342
【氏名又は名称】国立大学法人九州大学
(71)【出願人】
【識別番号】000003986
【氏名又は名称】日産化学株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100114775
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 亮一
(74)【代理人】
【識別番号】100121511
【弁理士】
【氏名又は名称】小田 直
(74)【代理人】
【識別番号】100163038
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 武志
(74)【代理人】
【識別番号】100193725
【弁理士】
【氏名又は名称】小森 幸子
(74)【代理人】
【識別番号】100207240
【弁理士】
【氏名又は名称】樋口 喜弘
(72)【発明者】
【氏名】田中 敬二
(72)【発明者】
【氏名】松野 寿生
(72)【発明者】
【氏名】戸谷 匡康
(72)【発明者】
【氏名】小澤 雅昭
(72)【発明者】
【氏名】片山 淳子
【テーマコード（参考）】
4B029
4C081
4J002
4J100
【Ｆターム（参考）】
4B029AA02
4B029AA08
4B029BB11
4B029CC01
4B029CC02
4B029CC08
4B029GA01
4B029GA02
4B029GA03
4B029GB09
4C081AB03
4C081AB05
4C081AB12
4C081AB32
4C081AB34
4C081AB35
4C081AC06
4C081AC07
4C081AC08
4C081AC12
4C081AC13
4C081AC15
4C081BB02
4C081CA082
4C081CA272
4C081CC02
4C081DC03
4J002AB012
4J002AB022
4J002AB052
4J002BB032
4J002BB122
4J002BC032
4J002BD042
4J002BD142
4J002BD152
4J002BE022
4J002BE032
4J002BG022
4J002BG031
4J002BG062
4J002BG071
4J002BG102
4J002BG121
4J002BN152
4J002CF062
4J002CG002
4J002CK022
4J002CN032
4J002CP032
4J002GB01
4J002GE00
4J002GH00
4J002HA03
4J100AL01P
4J100AL01Q
4J100AM14P
4J100BA08P
4J100BA17P
4J100BA32P
4J100BA56P
4J100BA65P
4J100BA72Q
4J100BA75Q
4J100CA04
4J100DA01
4J100DA04
4J100FA03
4J100FA08
4J100FA19
4J100FA34
4J100JA01
4J100JA21
4J100JA51
(57)【要約】
【課題】汎用性高分子材料表面に優れた生体物質の付着抑制能を付与し得る表面改質剤などを提供する。
【解決手段】 側鎖に、オキシエチレン構造及びベタイン構造の少なくともいずれかである第１構造と、
側鎖に、ジメチルシロキサン構造である第２構造と、
を有する共重合体を含有する、表面改質剤。
【選択図】図６
【解決手段】 側鎖に、オキシエチレン構造及びベタイン構造の少なくともいずれかである第１構造と、
側鎖に、ジメチルシロキサン構造である第２構造と、
を有する共重合体を含有する、表面改質剤。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
側鎖に、オキシエチレン構造及びベタイン構造の少なくともいずれかである第１構造と、
側鎖に、ジメチルシロキサン構造である第２構造と、
を有する共重合体を含有する、表面改質剤。
側鎖に、ジメチルシロキサン構造である第２構造と、
を有する共重合体を含有する、表面改質剤。
【請求項2】
前記共重合体が、前記第１構造を有する繰り返し単位（ａ１）及び前記第２構造を有する繰り返し単位（ａ２）を有し、
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有し、
前記繰り返し単位（ａ２）が、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、
請求項１に記載の表面改質剤。
（式（ａ１－１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表し、ｍは、１～１００を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－２）中、Ｒ１１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ１２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ１５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－３）中、Ｒ２１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ２５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－４）中、Ｒ３１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ３２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３３は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３４～Ｒ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。）
（式（ａ２－１）中、Ｒ４１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ４２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ４３は、１価の有機基を表し、ｍは１～１００を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ２－２）中、Ｒ５１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ５２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。＊は結合手を表す。）
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有し、
前記繰り返し単位（ａ２）が、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、
請求項１に記載の表面改質剤。
【化1】
式（ａ１－２）中、Ｒ１１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ１２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ１５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－３）中、Ｒ２１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ２５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－４）中、Ｒ３１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ３２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３３は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３４～Ｒ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。）
【化2】
式（ａ２－２）中、Ｒ５１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ５２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。＊は結合手を表す。）
【請求項3】
前記共重合体における、前記繰り返し単位（ａ１）と前記繰り返し単位（ａ２）とのモル比（ａ１：ａ２）が、９９：１～１０：９０である、請求項２に記載の表面改質剤。
【請求項4】
前記共重合体が、ブロック共重合体である、請求項１～３のいずれかに記載の表面改質剤。
【請求項5】
生体物質の付着抑制に用いられる、請求項１～４のいずれかに記載の表面改質剤。
【請求項6】
前記共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）が、１，０００～１００，０００である、請求項１～５のいずれかに記載の表面改質剤。
【請求項7】
請求項１～６のいずれかに記載の表面改質剤を含有する、組成物。
【請求項8】
生体物質の付着抑制に用いられる、請求項７に記載の組成物。
【請求項9】
更に樹脂を含有する、請求項７又は８に記載の組成物。
【請求項10】
請求項７～９のいずれかに記載の組成物から形成される膜を有する、医療用デバイス。
【請求項11】
請求項７～９のいずれかに記載の組成物から形成される膜を有する、シリコーン基材。
【請求項12】
請求項７～９のいずれかに記載の組成物から形成される膜を有する、細胞培養容器。
【請求項13】
繰り返し単位（ａ１）及び繰り返し単位（ａ２）を有し、
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有し、
前記繰り返し単位（ａ２）が、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、
共重合体。
（式（ａ１－１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表し、ｍは、１～１００を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－２）中、Ｒ１１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ１２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ１５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－３）中、Ｒ２１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ２５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－４）中、Ｒ３１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ３２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３３は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３４～Ｒ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。）
（式（ａ２－１）中、Ｒ４１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ４２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ４３は、１価の有機基を表し、ｍは１～１００を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ２－２）中、Ｒ５１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ５２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。＊は結合手を表す。）
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有し、
前記繰り返し単位（ａ２）が、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、
共重合体。
【化3】
式（ａ１－２）中、Ｒ１１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ１２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ１５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－３）中、Ｒ２１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ２５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－４）中、Ｒ３１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ３２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３３は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３４～Ｒ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。）
【化4】
式（ａ２－２）中、Ｒ５１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ５２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。＊は結合手を表す。）
【請求項14】
ブロック共重合体である、請求項１３に記載の共重合体。
【請求項15】
生体物質の付着抑制に用いられる、請求項１３又は１４に記載の共重合体。
【請求項16】
数平均分子量（Ｍｎ）が、１，０００～１００，０００である、請求項１３～１５のいずれかに記載の共重合体。
【請求項17】
前記繰り返し単位（ａ１）と前記繰り返し単位（ａ２）とのモル比（ａ１：ａ２）が、９９：１～１０：９０である、請求項１３～１６のいずれかに記載の共重合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、共重合体、表面改質剤、組成物、医療用デバイス、シリコーン基材、及び細胞培養容器に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術などの微細加工技術を利用して、基板（チップ）上にμｍオーダーの所定の形状の回路や穴を作製した種々のマイクロデバイスが開発され、小型の人体模倣診断デバイスや生物化学工学において微量の実験や、単離・精製・分析等に用いられている。
これらマイクロ流路の市場は２０２０年代には１００億から２００億ドル規模に成長することが予想されている。
これらマイクロ流路の市場は２０２０年代には１００億から２００億ドル規模に成長することが予想されている。
【0003】
生体試料を用いるデバイスでは、デバイスの表面に生体試料由来の細胞やタンパク質による接着が生じ、目詰まりや分析の精度の低下を招くという問題があった。そのような問題を解消するため、デバイスの回路や基板材料（例えば、ガラス、金属含有化合物もしくは半金属含有化合物、又は樹脂など）に対し、簡便な操作で表面にコーティングでき、且つ優れた生体物質の付着抑制能を付与できるコーティング剤として、特定のアニオン構造と、特定のカチオン構造とを含む共重合体の利用が報告されている（例えば、特許文献１参照）。
【0004】
マイクロデバイスは、通常、ガラスや樹脂製の基板に、ポリジメチルシロキサン（以下をＰＤＭＳと称す）ＰＤＭＳやガラスを加工した回路を接着剤で貼り合わせて作製されるため、形成される接着剤（又はその硬化物）層もまた、回路や基板の表面と同様に生体試料と接触しうる。したがって、生体試料を用いるデバイスに使用される接着剤（又はその硬化物）もまた、高い親水性や生体適合性を有することが望ましい。
【0005】
ＰＤＭＳ製のマイクロ流路を形成する際に表面改質剤としてＤＢＥ－７１２（Ｇｅｌｅｓｔ社製）を添加することでタンパク質の吸着抑制が認められたことが報告されている。この研究では表面改質剤を添加したＰＤＭＳ膜表面に対しタンパク質吸着抑制は示しているが、細胞接着抑制は達成されていない（例えば、非特許文献１参照）。
【0006】
ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレンに表面改質剤としてポリスチレン／オリゴエチレンオキシドメタクリレート共重合体を添加することでタンパク質吸着抑制、細胞接着抑制が認められたことが報告されている。この研究では表面改質剤を高濃度の２０質量％に成るよう添加することで生体適合性発現を達成している（例えば、非特許文献文２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２０２１－００８６１８号公報
【非特許文献】
【0008】
【非特許文献1】Ａ．Ａｓａｔｅｋｉｎ，et al. Ｓｃｉ．Ｒｅｐ．，２０１９，９，１－１４．
【非特許文献2】Ｈ．Ｙｏｋｏｙａｍａ，et al. Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００５，１７，２３２９－２３３２．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明の目的は、汎用性高分子材料表面に優れた生体物質の付着抑制能を付与し得る表面改質剤及び汎用性高分子材料表面に優れた生体物質の付着抑制能を付与し得る組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明者らは、特定の構造を有する共重合体が、汎用性高分子材料表面に優れた生体物質の付着抑制能を付与し得ることを見出し、本発明を完成させた。
本発明は以下のとおりである。
本発明は以下のとおりである。
【0011】
［１］ 側鎖に、オキシエチレン構造及びベタイン構造の少なくともいずれかである第１構造と、
側鎖に、ジメチルシロキサン構造である第２構造と、
を有する共重合体を含有する、表面改質剤。
［２］ 前記共重合体が、前記第１構造を有する繰り返し単位（ａ１）及び前記第２構造を有する繰り返し単位（ａ２）を有し、
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有し、
前記繰り返し単位（ａ２）が、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、
［１］に記載の表面改質剤。
（式（ａ１－１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表し、ｍは、１～１００を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－２）中、Ｒ１１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ１２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ１５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－３）中、Ｒ２１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ２５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－４）中、Ｒ３１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ３２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３３は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３４～Ｒ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。）
（式（ａ２－１）中、Ｒ４１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ４２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ４３は、１価の有機基を表し、ｍは１～１００を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ２－２）中、Ｒ５１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ５２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。＊は結合手を表す。）
［３］ 前記共重合体における、前記繰り返し単位（ａ１）と前記繰り返し単位（ａ２）とのモル比（ａ１：ａ２）が、９９：１～１０：９０である、［２］に記載の表面改質剤。
［４］ 前記共重合体が、ブロック共重合体である、［１］～［３］のいずれかに記載の表面改質剤。
［５］ 生体物質の付着抑制に用いられる、［１］～［４］のいずれかに記載の表面改質剤。
［６］ 前記共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）が、１，０００～１００，０００である、［１］～［５］のいずれかに記載の表面改質剤。
［７］ ［１］～［６］のいずれかに記載の表面改質剤を含有する、組成物。
［８］ 生体物質の付着抑制に用いられる、［７］に記載の組成物。
［９］ 更に樹脂を含有する、［７］又は［８］に記載の組成物。
［１０］ ［７］～［９］のいずれかに記載の組成物から形成される膜を有する、医療用デバイス。
［１１］ ［７］～［９］のいずれかに記載の組成物から形成される膜を有する、シリコーン基材。
［１２］ ［７］～［９］のいずれかに記載の組成物から形成される膜を有する、細胞培養容器。
［１３］ 繰り返し単位（ａ１）及び繰り返し単位（ａ２）を有し、
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有し、
前記繰り返し単位（ａ２）が、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、
共重合体。
（式（ａ１－１）中、Ｒ１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表し、ｍは、１～１００を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－２）中、Ｒ１１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ１２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ１５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－３）中、Ｒ２１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ２５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－４）中、Ｒ３１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ３２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３３は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３４～Ｒ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。）
（式（ａ２－１）中、Ｒ４１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ４２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ４３は、１価の有機基を表し、ｍは１～１００を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ２－２）中、Ｒ５１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ５２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。＊は結合手を表す。）
［１４］ ブロック共重合体である、［１３］に記載の共重合体。
［１５］ 生体物質の付着抑制に用いられる、［１３］又は［１４］に記載の共重合体。
［１６］ 数平均分子量（Ｍｎ）が、１，０００～１００，０００である、［１３］～［１５］のいずれかに記載の共重合体。
［１７］ 前記繰り返し単位（ａ１）と前記繰り返し単位（ａ２）とのモル比（ａ１：ａ２）が、９９：１～１０：９０である、［１３］～［１６］のいずれかに記載の共重合体。
側鎖に、ジメチルシロキサン構造である第２構造と、
を有する共重合体を含有する、表面改質剤。
［２］ 前記共重合体が、前記第１構造を有する繰り返し単位（ａ１）及び前記第２構造を有する繰り返し単位（ａ２）を有し、
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有し、
前記繰り返し単位（ａ２）が、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、
［１］に記載の表面改質剤。
【化1】
式（ａ１－２）中、Ｒ１１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ１２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ１５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－３）中、Ｒ２１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ２５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－４）中、Ｒ３１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ３２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３３は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３４～Ｒ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。）
【化2】
式（ａ２－２）中、Ｒ５１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ５２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。＊は結合手を表す。）
［３］ 前記共重合体における、前記繰り返し単位（ａ１）と前記繰り返し単位（ａ２）とのモル比（ａ１：ａ２）が、９９：１～１０：９０である、［２］に記載の表面改質剤。
［４］ 前記共重合体が、ブロック共重合体である、［１］～［３］のいずれかに記載の表面改質剤。
［５］ 生体物質の付着抑制に用いられる、［１］～［４］のいずれかに記載の表面改質剤。
［６］ 前記共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）が、１，０００～１００，０００である、［１］～［５］のいずれかに記載の表面改質剤。
［７］ ［１］～［６］のいずれかに記載の表面改質剤を含有する、組成物。
［８］ 生体物質の付着抑制に用いられる、［７］に記載の組成物。
［９］ 更に樹脂を含有する、［７］又は［８］に記載の組成物。
［１０］ ［７］～［９］のいずれかに記載の組成物から形成される膜を有する、医療用デバイス。
［１１］ ［７］～［９］のいずれかに記載の組成物から形成される膜を有する、シリコーン基材。
［１２］ ［７］～［９］のいずれかに記載の組成物から形成される膜を有する、細胞培養容器。
［１３］ 繰り返し単位（ａ１）及び繰り返し単位（ａ２）を有し、
前記繰り返し単位（ａ１）が、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有し、
前記繰り返し単位（ａ２）が、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、
共重合体。
【化3】
式（ａ１－２）中、Ｒ１１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ１２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ１５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－３）中、Ｒ２１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ２５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－４）中、Ｒ３１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ３２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３３は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３４～Ｒ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。）
【化4】
式（ａ２－２）中、Ｒ５１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ５２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。＊は結合手を表す。）
［１４］ ブロック共重合体である、［１３］に記載の共重合体。
［１５］ 生体物質の付着抑制に用いられる、［１３］又は［１４］に記載の共重合体。
［１６］ 数平均分子量（Ｍｎ）が、１，０００～１００，０００である、［１３］～［１５］のいずれかに記載の共重合体。
［１７］ 前記繰り返し単位（ａ１）と前記繰り返し単位（ａ２）とのモル比（ａ１：ａ２）が、９９：１～１０：９０である、［１３］～［１６］のいずれかに記載の共重合体。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、汎用性高分子材料表面に優れた生体物質の付着抑制能を付与し得る表面改質剤、及び汎用性高分子材料表面に優れた生体物質の付着抑制能を付与し得る組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】実施例１の各ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－１～１－４から得られるＥｂＳ３１含有樹脂膜の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）画像（高さ像及び位相差像）
【図2】ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜の表面のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）測定の結果
【図3】ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜の表面のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）測定の結果
【図4】ＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜の表面のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）測定の結果
【図5】ＥｂＳ３１含有ＰＰ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜の表面のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）測定の結果
【図6】ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜、ＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜、及びＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜の細胞付着実験結果
【図7】ＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜、ＥｂＳ３１含有ＰＰ膜、ＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜、及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜の細胞付着実験結果
【図8】ＥｂＳ３１の含有量が異なるＰＭＭＡ膜のＡＦＭ画像（高さ像（ａ）～（ｄ）及び位相差像（ｅ）～（ｈ））
【図9】ＥｂＳ３１の含有量が異なるＰＳ膜のＡＦＭ画像（高さ像（ａ）～（ｄ）及び位相差像（ｅ）～（ｈ））
【図10】ＥｂＳ３１の含有量が異なるＰＭＭＡ膜の表面のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）測定の結果
【図11】ＥｂＳ３１の含有量が異なるＰＳ膜の表面のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）測定の結果
【図12】ＥｂＳ３１の含有量が異なるＰＭＭＡ膜の細胞付着実験結果
【図13】ＰＥＯＭＡ含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＰＳｉＯＭＡ含有ＰＭＭＡ膜、ＤＢＥ－７１２含有ＰＭＭＡ膜、及びＰＭＭＡ膜の細胞付着実験結果
【図14】ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ８０含有ＰＭＭＡ膜、ＥｒＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＰＭＭＡ膜、及びＰＳ膜の細胞付着実験結果
【発明を実施するための形態】
【0014】
（表面改質剤）
本発明の表面改質剤は、共重合体を含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有する。
表面改質剤は、例えば、生体物質の付着抑制に用いられる。
なお、共重合体も本発明の対象である。
表面改質剤は、共重合体自体であってもよい。
本発明の表面改質剤は、共重合体を含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有する。
表面改質剤は、例えば、生体物質の付着抑制に用いられる。
なお、共重合体も本発明の対象である。
表面改質剤は、共重合体自体であってもよい。
【0015】
＜共重合体＞
共重合体は、側鎖に、第１構造と第２構造とを有する。
第１構造は、オキシエチレン構造及びベタイン構造の少なくともいずれかである。
第２構造は、ジメチルシロキサン構造である。
オキシエチレン構造及びベタイン構造は、その構造を有するポリマーが防汚ポリマーとして機能する点で、共通する性質を有する（例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ （２０１４） ４６， ４３６－４４３参照）。
共重合体は、側鎖に、第１構造と第２構造とを有する。
第１構造は、オキシエチレン構造及びベタイン構造の少なくともいずれかである。
第２構造は、ジメチルシロキサン構造である。
オキシエチレン構造及びベタイン構造は、その構造を有するポリマーが防汚ポリマーとして機能する点で、共通する性質を有する（例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ （２０１４） ４６， ４３６－４４３参照）。
【0016】
共重合体は、例えば、付加重合体である。付加重合体としては、例えば、重合性不飽和基を有するモノマーの重合体が挙げられる。
【0017】
オキシエチレン構造とは、－ＯＣＨ２ＣＨ２－構造を指す。
ジメチルシロキサン構造とは、－Ｓｉ(ＣＨ３）（ＣＨ３）－Ｏ－構造を指す。
ジメチルシロキサン構造とは、－Ｓｉ(ＣＨ３）（ＣＨ３）－Ｏ－構造を指す。
【0018】
ベタイン構造とは、正電荷と負電荷とを同一分子内に持ち、電荷が中和されている構造を指す。ベタイン構造は、正電荷と負電荷とを、好ましくは隣り合わない位置に持ち、そして、好ましくは１つ以上の原子を介する位置に持つ。
ベタイン構造としては、例えば、スルホベタイン構造、カルボキシベタイン構造、ホスホベタイン構造などが挙げられる。
スルホベタイン構造とは、ベタイン構造の負電荷が解離したスルホ基によるものである。
カルボキシベタイン構造とは、ベタイン構造の負電荷が解離したカルボキシ基によるものである。
ホスホベタイン構造とは、ベタイン構造の負電荷が解離したリン酸基によるものである。
ベタイン構造としては、例えば、スルホベタイン構造、カルボキシベタイン構造、ホスホベタイン構造などが挙げられる。
スルホベタイン構造とは、ベタイン構造の負電荷が解離したスルホ基によるものである。
カルボキシベタイン構造とは、ベタイン構造の負電荷が解離したカルボキシ基によるものである。
ホスホベタイン構造とは、ベタイン構造の負電荷が解離したリン酸基によるものである。
【0019】
共重合体は、好ましくは、第１構造を有する繰り返し単位（ａ１）及び第２構造を有する繰り返し単位（ａ２）を有する。
繰り返し単位（ａ１）は、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する。
繰り返し単位（ａ２）は、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する。
共重合体は、他の繰り返し単位を有していてもよい。
繰り返し単位（ａ１）は、下記式（ａ１－１）で表される繰り返し単位～（ａ１－４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する。
繰り返し単位（ａ２）は、下記式（ａ２－１）で表される繰り返し単位及び（ａ２－２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する。
共重合体は、他の繰り返し単位を有していてもよい。
【0020】
【化5】
式（ａ１－２）中、Ｒ１１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ１２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ１５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－３）中、Ｒ２１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ２２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｒ２５は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。
式（ａ１－４）中、Ｒ３１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ３２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３３は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表し、Ｒ３４～Ｒ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表し、Ｘは、－Ｏ－又は－ＮＲ－（Ｒは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は結合手を表す。）
【0021】
【化6】
式（ａ２－２）中、Ｒ５１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ５２は、炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。＊は結合手を表す。）
【0022】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ３１、Ｒ４１、及びＲ５１における炭素原子数１～５のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、t－ブチル基、ｎ－ペンチル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、１，１－ジメチルプロピル基、１，２－ジメチルプロピル基、２，２－ジメチルプロピル基、１－エチルプロピル基などが挙げられる。
Ｒ１、Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ３１、Ｒ４１、及びＲ５１は、水素原子、メチル基、又はエチル基が好ましく、水素原子、又はメチル基がより好ましい。
Ｒ２は、水素原子、又はメチル基が好ましい。
Ｒ１、Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ３１、Ｒ４１、及びＲ５１は、水素原子、メチル基、又はエチル基が好ましく、水素原子、又はメチル基がより好ましい。
Ｒ２は、水素原子、又はメチル基が好ましい。
【0023】
Ｒ１２、Ｒ１５、Ｒ２２、Ｒ２５、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ４２、及びＲ５２における炭素原子数１～６のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、１－メチルプロピレン基、２－メチルプロピレン基、ジメチルエチレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、１－メチル－テトラメチレン基、２－メチル－テトラメチレン基、１，１－ジメチル－トリメチレン基、１，２－ジメチル－トリメチレン基、２，２－ジメチル－トリメチレン基、１－エチル－トリメチレン基、ヘキサメチレン基などが挙げられる。
炭素原子数１～６のアルキレン基は、直鎖状アルキレン基であってもよいし、分岐状アルキレン基であってもよい。
これらの中でも、炭素原子数１～６のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリエチレン基、又はテトラメチレン基が好ましい。
炭素原子数１～６のアルキレン基は、直鎖状アルキレン基であってもよいし、分岐状アルキレン基であってもよい。
これらの中でも、炭素原子数１～６のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリエチレン基、又はテトラメチレン基が好ましい。
【0024】
Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ２３、Ｒ２４、及びＲ３４～Ｒ３６における炭素原子数１～４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、t－ブチル基などが挙げられる。
これらの中でも、炭素原子数１～４のアルキル基としては、メチル基、又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
これらの中でも、炭素原子数１～４のアルキル基としては、メチル基、又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【0025】
Ｒ４３の１価の有機基としては、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよいし、環状であってもよい。
１価の有機基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などが挙げられるが、アルキル基が好ましい。
Ｒ４３がアルキル基を表す場合のアルキル基としては、炭素原子数１～１２のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基がより好ましく、炭素原子数１～４のアルキル基が特に好ましい。炭素原子数１～４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基が挙げられる。これらの中でも、メチル基が好ましい。
Ｒ４３がアルケニル基を表す場合のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、２－プロペニル基などが挙げられるが、ビニル基が好ましい。
Ｒ４３がアルキニル基を表す場合のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基、プロパ－２－イン－１－イル基などが挙げられるが、エチニル基が好ましい。
Ｒ４３がアリール基を表す場合のアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、ピリジル基などが挙げられるが、フェニル基が好ましい。
１価の有機基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などが挙げられるが、アルキル基が好ましい。
Ｒ４３がアルキル基を表す場合のアルキル基としては、炭素原子数１～１２のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基がより好ましく、炭素原子数１～４のアルキル基が特に好ましい。炭素原子数１～４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基が挙げられる。これらの中でも、メチル基が好ましい。
Ｒ４３がアルケニル基を表す場合のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、２－プロペニル基などが挙げられるが、ビニル基が好ましい。
Ｒ４３がアルキニル基を表す場合のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基、プロパ－２－イン－１－イル基などが挙げられるが、エチニル基が好ましい。
Ｒ４３がアリール基を表す場合のアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、ピリジル基などが挙げられるが、フェニル基が好ましい。
【0026】
式（ａ１－１）～（ａ１－４）のＸが－ＮＲ－である場合のＲは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。
Ｒにおける炭素原子数１～４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、t－ブチル基などが挙げられる。
Ｒとしては、水素原子が好ましい。
Ｒにおける炭素原子数１～４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、t－ブチル基などが挙げられる。
Ｒとしては、水素原子が好ましい。
【0027】
式（ａ１－１）で表される繰り返し単位を誘導し得るモノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、エチレンオキシド（メタ）アクリレート、エチレングリコール（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
なお、本明細書において「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。
なお、本明細書において「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。
【0028】
式（ａ１－２）で表される繰り返し単位を誘導し得るモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
【化7】
【0029】
式（ａ１－２）で表される繰り返し単位を誘導し得るモノマーの市販品としては、例えば、東京化成工業製のＭ１９７１、Ｍ３２９５、Ａ３３６７、Ｂ６１３０、Ｕ０１１９、Ｍ３２９６、Ａ３３６１などが挙げられる。
【0030】
式（ａ１－３）で表される繰り返し単位を誘導し得るモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
【化8】
【0031】
式（ａ１－３）で表される繰り返し単位を誘導し得るモノマーの市販品としては、例えば、東京化成工業製のＭ３１８５、Ｍ２３５９、Ａ３２７９などが挙げられる。
【0032】
式（ａ１－４）で表される繰り返し単位を誘導し得るモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
【化9】
【0033】
式（ａ１－４）で表される繰り返し単位を誘導し得るモノマーの市販品としては、例えば、東京化成工業製のＭ２００５などが挙げられる。
【0034】
式（ａ２－１）で表される繰り返し単位を誘導し得るモノマーの市販品としては、例えば、信越化学工業社製のＸ－２２－２４０４、Ｘ－２２－１７４ＡＳＸ、Ｘ－２２－１７４ＢＸ、ＫＦ－２０１２、Ｘ－２２－２４２６；ＪＮＣ社製のサイラプレーンＦＭ－７１１、ＦＭ－０７２１などが挙げられる。
【0035】
式（ａ２－２）で表される繰り返し単位を誘導し得るモノマーの市販品としては、例えば、ＪＮＣ社製のサイラプレーンＴＭ－０７０１Ｔなどが挙げられる。
【0036】
共重合体の全繰り返し単位に対する繰り返し単位（ａ１）のモル％としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、１０～９９モル％が好ましく、２０～９５モル％がより好ましく、３０～９０モル％が特に好ましい。
【0037】
共重合体の全繰り返し単位に対する繰り返し単位（ａ２）のモル％としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、１～９０モル％が好ましく、５～８０モル％がより好ましく、１０～７０モル％が特に好ましい。
【0038】
共重合体における繰り返し単位（ａ１）と繰り返し単位（ａ２）とのモル比（ａ１：ａ２）としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、９９：１～１０：９０が好ましく、９５：５～８０：２０がより好ましく、９０：１０～３０：７０が特に好ましい。
【0039】
共重合体が繰り返し単位（ａ１）及び繰り返し単位（ａ２）を有する場合、共重合体は、繰り返し単位（ａ１）及び繰り返し単位（ａ２）以外の繰り返し単位を有していてもよい。
共重合体が繰り返し単位（ａ１）及び繰り返し単位（ａ２）を有する場合、共重合体の全繰り返し単位に対する繰り返し単位（ａ１）及び繰り返し単位（ａ２）の合計のモル％としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更により好ましく、９９モル％以上が特に好ましい。
共重合体が繰り返し単位（ａ１）及び繰り返し単位（ａ２）を有する場合、共重合体の全繰り返し単位に対する繰り返し単位（ａ１）及び繰り返し単位（ａ２）の合計のモル％としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更により好ましく、９９モル％以上が特に好ましい。
【0040】
共重合体は、ランダム共重合体であってもよいし、ブロック共重合体であってもよいが、本発明の効果がより優れる点から、ブロック共重合体が好ましい。
ブロック共重合体は、ジブロック共重合体であってもよいし、トリブロック共重合体であってもよいし、４以上のブロックを有する共重合体であってもよい。
共重合体がブロック共重合体の場合、繰り返し単位（ａ１）を有するブロック（Ａ１）と、繰り返し単位（ａ２）を有するブロック（Ａ２）とを有する。
ブロック（Ａ１）中の全繰り返し単位に対する繰り返し単位（ａ１）のモル比％としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更により好ましく、９９モル％以上が特に好ましい。
ブロック（Ａ２）中の全繰り返し単位に対する繰り返し単位（ａ２）のモル比％としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更により好ましく、９９モル％以上が特に好ましい。
ブロック共重合体は、ジブロック共重合体であってもよいし、トリブロック共重合体であってもよいし、４以上のブロックを有する共重合体であってもよい。
共重合体がブロック共重合体の場合、繰り返し単位（ａ１）を有するブロック（Ａ１）と、繰り返し単位（ａ２）を有するブロック（Ａ２）とを有する。
ブロック（Ａ１）中の全繰り返し単位に対する繰り返し単位（ａ１）のモル比％としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更により好ましく、９９モル％以上が特に好ましい。
ブロック（Ａ２）中の全繰り返し単位に対する繰り返し単位（ａ２）のモル比％としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更により好ましく、９９モル％以上が特に好ましい。
【0041】
共重合体の分子量としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、数平均分子量（Ｍｎ）は、１，０００～１００，０００が好ましく、５，０００～５０，０００がより好ましく、１０，０００～３０，０００が特に好ましい。
共重合体の多分散度〔重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）〕としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、２．００以下が好ましく、１．５０以下がより好ましい。
共重合体の分子量は、サイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）により求めることができる。
共重合体の多分散度〔重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）〕としては、本発明の効果を奏するものであれば、特に制限されないが、２．００以下が好ましく、１．５０以下がより好ましい。
共重合体の分子量は、サイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）により求めることができる。
【0042】
＜＜共重合体の製造方法＞＞
共重合体の製造方法としては、特に制限されない。
共重合体は、例えば、第１構造を有するモノマーと、第２構造を有するモノマーとを用いた重合により製造できる。
モノマーが、（メタ）アクリレートモノマーである場合、一般的なアクリルポリマー又はメタクリルポリマー等の合成方法であるラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等の方法に付すことにより、共重合体を製造できる。重合形態は、溶液重合、懸濁重合、乳化重合、塊状重合等、種々の方法が可能である。中でも、リビングラジカル重合法により合成することが好ましいが、この方法に制限されない。
共重合体の製造方法としては、特に制限されない。
共重合体は、例えば、第１構造を有するモノマーと、第２構造を有するモノマーとを用いた重合により製造できる。
モノマーが、（メタ）アクリレートモノマーである場合、一般的なアクリルポリマー又はメタクリルポリマー等の合成方法であるラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等の方法に付すことにより、共重合体を製造できる。重合形態は、溶液重合、懸濁重合、乳化重合、塊状重合等、種々の方法が可能である。中でも、リビングラジカル重合法により合成することが好ましいが、この方法に制限されない。
【0043】
リビングラジカル重合法は、金属錯体あるいは非金属性の有機触媒を用いる触媒反応である。金属錯体を用いる場合は、通常、金属錯体が有機ハロゲン化化合物のような重合開始剤と反応してラジカル種を生成し、モノマーとの重合を開始する。ここで金属錯体を形成する金属塩の例としては、塩化銅（Ｉ）、（ＩＩ）、臭化銅（Ｉ）、（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、塩化コバルト（ＩＩ）、臭化コバルト（ＩＩ）、塩化チタン（ＩＶ）、ルテニウム錯体化合物等が挙げられ、金属錯体を形成する配位子の例としては、トリス［２－（ジメチルアミノ）エチル］アミン、トリス（２－ピリジルメチル）アミン（ＴＰＭＡ）、１，１，４，７，１０，１０－ヘキサメチルトリエチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）、ｎ―ブチルアミン等の窒素含有配位子が挙げられる。また重合開始剤の例としては、２－ブロモイソ酪酸無水物、２－ブロモイソ酪酸メチル、２－ブロモイソ酪酸エチル、２－ブロモイソ酪酸プロパルギル等の有機ハロゲン化合物が挙げられる。これらを用いて常法に従い、リビングラジカル重合を行うことにより、所定の分子量と狭い分子量分布を有する共重合体が得られる。そのような方法の具体例の一つは、後述の実施例に記載されている。
【0044】
＜生体物質＞
本発明において、生体物質としては、タンパク質、糖、ウイルス、核酸、細胞、それらの２種以上の組み合わせが挙げられる。
本発明において、生体物質としては、タンパク質、糖、ウイルス、核酸、細胞、それらの２種以上の組み合わせが挙げられる。
【0045】
タンパク質としては、例えば、フィブリノゲン、牛血清アルブミン（ＢＳＡ）、ヒトアルブミン、各種グロブリン、β－リポ蛋白質、各種抗体（ＩｇＧ、ＩｇＡ、ＩｇＭ）、ペルオキシダーゼ、各種補体、各種レクチン、フィブロネクチン、リゾチーム、フォン・ヴィレブランド因子（ｖＷＦ）、血清γ－グロブリン、ペプシン、卵白アルブミン、インシュリン、ヒストン、リボヌクレアーゼ、コラーゲン、シトクロームｃが挙げられる。
【0046】
糖としては、例えば、グルコース、ガラクトース、マンノース、フルクトース、ヘパリン、ヒアルロン酸が挙げられる。
【0047】
核酸としては、例えば、デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）、リボ核酸（ＲＮＡ）が挙げられる。
【0048】
細胞としては、例えば、線維芽細胞、骨髄細胞、Ｂリンパ球、Ｔリンパ球、好中球、赤血球、血小板、マクロファージ、単球、骨細胞、周皮細胞、樹枝状細胞、ケラチノサイト、脂肪細胞、間葉細胞、上皮細胞、表皮細胞、内皮細胞、血管内皮細胞、肝実質細胞、軟骨細胞、卵丘細胞、神経系細胞、グリア細胞、ニューロン、オリゴデンドロサイト、マイクログリア、星状膠細胞、心臓細胞、食道細胞、筋肉細胞（例えば、平滑筋細胞又は骨格筋細胞）、膵臓ベータ細胞、メラニン細胞、造血前駆細胞、単核細胞、胚性幹細胞（ＥＳ細胞）、胚性腫瘍細胞、胚性生殖幹細胞、人工多能性幹細胞（ｉＰＳ細胞）、神経幹細胞、造血幹細胞、間葉系幹細胞、肝幹細胞、膵幹細胞、筋幹細胞、生殖幹細胞、腸幹細胞、癌幹細胞、毛包幹細胞、及び各種細胞株（例えば、ＨＣＴ１１６、Ｈｕｈ７、ＨＥＫ２９３（ヒト胎児腎細胞）、ＨｅＬａ（ヒト子宮頸癌細胞株）、ＨｅｐＧ２（ヒト肝癌細胞株）、ＵＴ７／ＴＰＯ（ヒト白血病細胞株）、ＣＨＯ（チャイニーズハムスター卵巣細胞株）、ＭＤＣＫ、ＭＤＢＫ、ＢＨＫ、Ｃ－３３Ａ、ＨＴ－２９、ＡＥ－１、３Ｄ９、Ｎｓ０／１、Ｊｕｒｋａｔ、ＮＩＨ３Ｔ３、ＰＣ１２、Ｓ２、Ｓｆ９、Ｓｆ２１、Ｈｉｇｈ Ｆｉｖｅ、Ｖｅｒｏ）等が挙げられる。
【0049】
本発明の表面改質剤は、共重合体自体であってもよいし、共重合体以外の成分を含有していてもよい。
【0050】
表面改質剤の使用方法としては、特に制限されないが、例えば、共重合体自体を表面改質剤として用い、成型加工時にプライマーとして型枠に事前に表面改質剤を塗布しておき、射出形成等により樹脂を流し込むことで成形した樹脂表面に表面改質剤を転写させる方法が挙げられる。
また、表面改質剤の使用方法としては、例えば、以下の組成物に含有させて用いる方法が挙げられる。
また、表面改質剤の使用方法としては、例えば、以下の組成物に含有させて用いる方法が挙げられる。
【0051】
（組成物）
本発明の組成物は、表面改質剤を含有し、更に必要に応じて、樹脂（ただし、上記共重合体を除く。）、溶媒などのその他の成分を含有してもよい。
本発明の組成物は、表面改質剤を含有し、更に必要に応じて、樹脂（ただし、上記共重合体を除く。）、溶媒などのその他の成分を含有してもよい。
【0052】
以下、本発明の組成物の使用方法としては、例えば、以下の２通りの使用方法が挙げられる。
（１）樹脂と表面改質剤とを含有する本発明の組成物を塗布し、共重合体が表面に偏析した樹脂膜を形成する方法。
（２）表面改質剤を含有する本発明の組成物を樹脂の表面に塗布して、当該樹脂の表面に共重合体の薄膜を形成する方法。
（１）樹脂と表面改質剤とを含有する本発明の組成物を塗布し、共重合体が表面に偏析した樹脂膜を形成する方法。
（２）表面改質剤を含有する本発明の組成物を樹脂の表面に塗布して、当該樹脂の表面に共重合体の薄膜を形成する方法。
【0053】
上記（１）の使用方法は、例えば、生体物質が接するデバイスの作製に用いられる。
上記（２）の使用方法は、例えば、細胞培養容器の作製に用いられる。
なお、生体物質が接するデバイスの作製に上記（２）の使用方法を用いてもよいし、細胞培養容器の作製に上記（１）の使用方法を用いてもよい。
上記（２）の使用方法は、例えば、細胞培養容器の作製に用いられる。
なお、生体物質が接するデバイスの作製に上記（２）の使用方法を用いてもよいし、細胞培養容器の作製に上記（１）の使用方法を用いてもよい。
【0054】
組成物が樹脂を含有しない場合の組成物における共重合体の含有量としては、特に制限されないが、０．１～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましく、１～５質量％が特に好ましい。
【0055】
＜樹脂＞
組成物に含有される樹脂としては、特に制限されず、合成樹脂であってもよいし、天然樹脂であってもよいし、天然樹脂の誘導体であってもよい。
合成樹脂としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ポリエステル系ポリマーアロイ（ＰＥＰＡ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）、エチレンビニルアルコール（ＥＶＡＬ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエステル、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＰＥ）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン樹脂（ＡＢＳ）、テフロン（登録商標）などが挙げられる。
天然樹脂又はその誘導体としては、例えば、セルロース、三酢酸セルロース（ＣＴＡ）、ニトロセルロース（ＮＣ）、デキストラン硫酸を固定化したセルロースなどが挙げられる。
組成物に含有される樹脂としては、特に制限されず、合成樹脂であってもよいし、天然樹脂であってもよいし、天然樹脂の誘導体であってもよい。
合成樹脂としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ポリエステル系ポリマーアロイ（ＰＥＰＡ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）、エチレンビニルアルコール（ＥＶＡＬ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエステル、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＰＥ）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン樹脂（ＡＢＳ）、テフロン（登録商標）などが挙げられる。
天然樹脂又はその誘導体としては、例えば、セルロース、三酢酸セルロース（ＣＴＡ）、ニトロセルロース（ＮＣ）、デキストラン硫酸を固定化したセルロースなどが挙げられる。
【0056】
組成物における樹脂の含有量としては、特に制限されないが、０．１～２０質量％が好ましく、０．５～１５質量％がより好ましく、１～１０質量％が特に好ましい。
【0057】
組成物における共重合体と樹脂との質量割合としては、特に制限されないが、共重合体の含有量は、樹脂１００質量部に対して、０．１～２０質量部が好ましく、０．２～１０質量部がより好ましく、０．５～５質量部が特に好ましい。
【0058】
＜溶媒＞
組成物に含有される場合の溶媒としては、例えば、水、リン酸緩衝生理食塩水（ＰＢＳ）、アルコール、グリコールエーテル、ケトン、芳香族化合物、スルホキシド類、アミド類などが挙げられる。
組成物に含有される場合の溶媒としては、例えば、水、リン酸緩衝生理食塩水（ＰＢＳ）、アルコール、グリコールエーテル、ケトン、芳香族化合物、スルホキシド類、アミド類などが挙げられる。
【0059】
組成物が樹脂を含有し、組成物が、生体物質が接するデバイスの作製に用いられる場合、溶媒としては、アルコール、ケトン、芳香族化合物、スルホキシド、スルホキシドが好ましい。
組成物が、細胞培養容器の作製に用いられる場合、溶媒としては、水、リン酸緩衝生理食塩水（ＰＢＳ）、アルコール、グリコールエーテルが好ましい。
組成物が、細胞培養容器の作製に用いられる場合、溶媒としては、水、リン酸緩衝生理食塩水（ＰＢＳ）、アルコール、グリコールエーテルが好ましい。
【0060】
アルコールとしては、炭素原子数１～６のアルコールが挙げられる。
アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、イソブタノール、ｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、３－ペンタノール、１－ヘプタノール、２－ヘプタノール、２，２－ジメチル－１－プロパノール（ネオペンチルアルコール）、２－メチル－１－プロパノール、２－メチル－１－ブタノール、２－メチル－２－ブタノール（ｔ－アミルアルコール）、３－メチル－１－ブタノール、３－メチル－３－ペンタノール、シクロペンタノール、１－ヘキサノール、２－ヘキサノール、３－ヘキサノール、２，３－ジメチル－２－ブタノール、３，３－ジメチル－１－ブタノール、３，３－ジメチル－２－ブタノール、２－エチル－１－ブタノール、２－メチル－１－ペンタノール、２－メチル－２－ペンタノール、２－メチル－３－ペンタノール、３－メチル－１－ペンタノール、３－メチル－２－ペンタノール、３－メチル－３－ペンタノール、４－メチル－１－ペンタノール、４－メチル－２－ペンタノール、４－メチル－３－ペンタノール及びシクロヘキサノールが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
組成物が細胞培養容器の作製に用いられる場合のアルコールとしては、炭素原子数２～６のアルコールが好ましい。
アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、イソブタノール、ｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、３－ペンタノール、１－ヘプタノール、２－ヘプタノール、２，２－ジメチル－１－プロパノール（ネオペンチルアルコール）、２－メチル－１－プロパノール、２－メチル－１－ブタノール、２－メチル－２－ブタノール（ｔ－アミルアルコール）、３－メチル－１－ブタノール、３－メチル－３－ペンタノール、シクロペンタノール、１－ヘキサノール、２－ヘキサノール、３－ヘキサノール、２，３－ジメチル－２－ブタノール、３，３－ジメチル－１－ブタノール、３，３－ジメチル－２－ブタノール、２－エチル－１－ブタノール、２－メチル－１－ペンタノール、２－メチル－２－ペンタノール、２－メチル－３－ペンタノール、３－メチル－１－ペンタノール、３－メチル－２－ペンタノール、３－メチル－３－ペンタノール、４－メチル－１－ペンタノール、４－メチル－２－ペンタノール、４－メチル－３－ペンタノール及びシクロヘキサノールが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
組成物が細胞培養容器の作製に用いられる場合のアルコールとしては、炭素原子数２～６のアルコールが好ましい。
【0061】
グリコールエーテルとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテートが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【0062】
組成物が細胞培養容器の作製に用いられる場合、組成物には、溶媒として、水、リン酸緩衝生理食塩水（ＰＢＳ）、アルコール又は水溶性有機溶媒を単独で用いてもよい。また、組成物には、溶媒として、水、リン酸緩衝生理食塩水（ＰＢＳ）、アルコール及び水溶性有機溶媒の２種以上を組み合わせて用いてもよい。
組成物が細胞培養容器の作製に用いられる場合、溶媒の組み合わせとしては、以下の組み合わせが好ましい。
・水及びアルコール
・水、アルコール及び水溶性有機溶媒
・アルコール及び水溶性有機溶媒
溶媒の組み合わせとしては、以下の組み合わせがより好ましい。
・水及びエタノール
・水、エタノール及びプロピレングリコールモノメチルエーテル
・エタノール及びプロピレングリコールモノメチルエーテル
組成物が細胞培養容器の作製に用いられる場合、溶媒の組み合わせとしては、以下の組み合わせが好ましい。
・水及びアルコール
・水、アルコール及び水溶性有機溶媒
・アルコール及び水溶性有機溶媒
溶媒の組み合わせとしては、以下の組み合わせがより好ましい。
・水及びエタノール
・水、エタノール及びプロピレングリコールモノメチルエーテル
・エタノール及びプロピレングリコールモノメチルエーテル
【0063】
ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどが挙げられる。
芳香族化合物としては、例えば、トルエン、キシレンなどが挙げられる。
スルホキシド類としては、例えば、ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。
アミド類としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
芳香族化合物としては、例えば、トルエン、キシレンなどが挙げられる。
スルホキシド類としては、例えば、ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。
アミド類としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
【0064】
組成物における溶媒の含有量としては、特に制限されないが、０．１～５０質量％が好ましく、０．５～２０質量％がより好ましく、１～２０質量％が特に好ましい。
【0065】
＜その他の成分＞
その他の成分としては、ｐＨ調整剤、防腐剤、界面活性剤、防カビ剤、糖類、無機充填剤、強化材、着色剤、安定剤、増量剤、粘度調節剤、粘着付与剤、難燃剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、変色防止剤、抗菌剤、老化防止剤、帯電防止剤、可塑剤、滑剤、平滑化剤、発泡剤、離型剤などが挙げられる。
その他の成分としては、ｐＨ調整剤、防腐剤、界面活性剤、防カビ剤、糖類、無機充填剤、強化材、着色剤、安定剤、増量剤、粘度調節剤、粘着付与剤、難燃剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、変色防止剤、抗菌剤、老化防止剤、帯電防止剤、可塑剤、滑剤、平滑化剤、発泡剤、離型剤などが挙げられる。
【0066】
組成物が樹脂を含有し、組成物が、生体物質が接するデバイスの作製に用いられる場合、その他の成分としては、上記その他の成分のうち、例えば、無機充填剤、強化材、着色剤、安定剤、増量剤、粘度調節剤、粘着付与剤、難燃剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、変色防止剤、抗菌剤、防黴剤、老化防止剤、帯電防止剤、可塑剤、滑剤、平滑化剤、発泡剤、離型剤、防カビ剤などが挙げられる。
組成物が、細胞培養容器の作製に用いられる場合、その他の成分としては、上記その他の成分のうち、例えば、ｐＨ調整剤、防腐剤、界面活性剤、防カビ剤、糖類などが挙げられる。
組成物が、細胞培養容器の作製に用いられる場合、その他の成分としては、上記その他の成分のうち、例えば、ｐＨ調整剤、防腐剤、界面活性剤、防カビ剤、糖類などが挙げられる。
【0067】
＜組成物を用いた膜の製造方法＞
本発明の組成物から、生体物質の付着抑制能を有する膜が得られる。
組成物を用いた膜の製造方法は、例えば、供給工程と、乾燥工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて洗浄工程、滅菌工程などのその他の工程を含む。
なお、膜は、供給工程が行われた後、乾燥工程が行われずに製造されてもよい。
本発明の組成物から、生体物質の付着抑制能を有する膜が得られる。
組成物を用いた膜の製造方法は、例えば、供給工程と、乾燥工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて洗浄工程、滅菌工程などのその他の工程を含む。
なお、膜は、供給工程が行われた後、乾燥工程が行われずに製造されてもよい。
【0068】
組成物が、樹脂を含有する場合、得られた膜は、例えば、共重合体が表面に偏析した樹脂膜である。
組成物が、樹脂を含有しない場合、得られた膜は、例えば、基材上に形成された共重合体の膜である。
このように、本発明の一実施形態では、共重合体と樹脂とを含有する組成物から樹脂膜を形成した際に、共重合体が樹脂膜の表面に偏析することにより、共重合体による生体物質の付着抑制能が発現される。
また、本発明の他の一実施形態では、基材の上に、共重合体を含有しかつ樹脂を含有しない組成物から共重合体の膜を形成した際に、得られた共重合体の膜自体によって、基材の表面に生体物質の付着抑制能が発現される。
組成物が、樹脂を含有しない場合、得られた膜は、例えば、基材上に形成された共重合体の膜である。
このように、本発明の一実施形態では、共重合体と樹脂とを含有する組成物から樹脂膜を形成した際に、共重合体が樹脂膜の表面に偏析することにより、共重合体による生体物質の付着抑制能が発現される。
また、本発明の他の一実施形態では、基材の上に、共重合体を含有しかつ樹脂を含有しない組成物から共重合体の膜を形成した際に、得られた共重合体の膜自体によって、基材の表面に生体物質の付着抑制能が発現される。
【0069】
＜＜供給工程＞＞
供給工程としては、本発明の組成物が基材上に供給される工程であれば、特に制限されない。
供給工程としては、本発明の組成物が基材上に供給される工程であれば、特に制限されない。
【0070】
＜＜＜基材＞＞＞
基材の材質、大きさ、形状、構造としては、特に制限されない。
基材の材質、大きさ、形状、構造としては、特に制限されない。
【0071】
基材の材質としては、例えば、ガラス、金属、金属含有化合物若しくは半金属含有化合物、活性炭又は樹脂を挙げることができる。
金属としては、典型金属：（アルカリ金属：Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ；アルカリ土類金属：Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ）、マグネシウム族元素：Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ；アルミニウム族元素：Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ；希土類元素：Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ；スズ族元素：Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｐｂ、Ｔｈ；鉄族元素：Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ；土酸元素：Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、クロム族元素：Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｕ；マンガン族元素：Ｍｎ、Ｒｅ；貴金属：Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ；白金族元素：Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等が挙げられる。
金属含有化合物若しくは半金属含有化合物としては、例えば基本成分が金属酸化物で、高温での熱処理によって焼き固めた焼結体であるセラミックス、シリコンのような半導体、金属酸化物若しくは半金属酸化物（シリコン酸化物、アルミナ等）、金属炭化物若しくは半金属炭化物、金属窒化物若しくは半金属窒化物（シリコン窒化物等）、金属ホウ化物若しくは半金属ホウ化物等の無機化合物の成形体等の無機固体材料、アルミニウム、ニッケルチタン、ステンレス（ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ等）が挙げられる。
樹脂としては、天然樹脂若しくはその誘導体、又は合成樹脂いずれでもよく、天然樹脂若しくはその誘導体としては、セルロース、三酢酸セルロース（ＣＴＡ）、ニトロセルロース（ＮＣ）、デキストラン硫酸を固定化したセルロース等、合成樹脂としてはポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ポリエステル系ポリマーアロイ（ＰＥＰＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）、エチレンビニルアルコール（ＥＶＡＬ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエステル、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＰＥ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン樹脂（ＡＢＳ）又はテフロン（登録商標）が好ましく用いられる。
基材の材質は１種類であっても２種類以上の組み合わせであってもよい。
金属としては、典型金属：（アルカリ金属：Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ；アルカリ土類金属：Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ）、マグネシウム族元素：Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ；アルミニウム族元素：Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ；希土類元素：Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ；スズ族元素：Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｐｂ、Ｔｈ；鉄族元素：Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ；土酸元素：Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、クロム族元素：Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｕ；マンガン族元素：Ｍｎ、Ｒｅ；貴金属：Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ；白金族元素：Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等が挙げられる。
金属含有化合物若しくは半金属含有化合物としては、例えば基本成分が金属酸化物で、高温での熱処理によって焼き固めた焼結体であるセラミックス、シリコンのような半導体、金属酸化物若しくは半金属酸化物（シリコン酸化物、アルミナ等）、金属炭化物若しくは半金属炭化物、金属窒化物若しくは半金属窒化物（シリコン窒化物等）、金属ホウ化物若しくは半金属ホウ化物等の無機化合物の成形体等の無機固体材料、アルミニウム、ニッケルチタン、ステンレス（ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ等）が挙げられる。
樹脂としては、天然樹脂若しくはその誘導体、又は合成樹脂いずれでもよく、天然樹脂若しくはその誘導体としては、セルロース、三酢酸セルロース（ＣＴＡ）、ニトロセルロース（ＮＣ）、デキストラン硫酸を固定化したセルロース等、合成樹脂としてはポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ポリエステル系ポリマーアロイ（ＰＥＰＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）、エチレンビニルアルコール（ＥＶＡＬ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエステル、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＰＥ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン樹脂（ＡＢＳ）又はテフロン（登録商標）が好ましく用いられる。
基材の材質は１種類であっても２種類以上の組み合わせであってもよい。
【0072】
これらの材質の中において、ガラス、シリコン、シリコン酸化物、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、テフロン（登録商標）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）若しくはステンレス（ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ等）単独、又はこれらから選ばれる組み合わせであることが好ましく、ガラス、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ステンレス（ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ等）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）であることが特に好ましい。
【0073】
基材の形状としては、特に制限されず、基材は、平面を有する平板であってもよいし、ウェル、ディッシュ等の窪みを有する構造をした容器形状のもの（いわゆる細胞培養容器）であってもよい。
【0074】
基材としては、例えば、細胞の培養に一般的に用いられるペトリデッシュ、組織培養用ディッシュ、マルチディッシュなどのディッシュ（シャーレ）、細胞培養フラスコ、スピナーフラスコなどのフラスコ、プラスチックバッグ、テフロン（登録商標）バッグ、培養バッグなどのバッグ、マイクロプレート、マイクロウェルプレート、マルチプレート、マルチウェルプレートなどのプレート、チャンバースライド、チューブ、トレイ、ローラーボトルなどのボトル等が挙げられる。好ましくは、ディッシュ、プレート、トレイが挙げられる。
【0075】
＜＜＜供給方法＞＞＞
本発明の組成物を基材上に供給する方法としては、特に制限されず、例えば、一般的な塗布方法が挙げられる。
塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、スリットコート法、ロール・トゥー・ロール法、ディップコート法、溶媒キャスト法等が挙げられる。好ましくはインクジェット法又はスクリーン印刷等の印刷技術である。
塗布方法としては、より具体的には、例えば、基材を本発明の組成物に浸漬する方法、本発明の組成物を基材に添加し、所定の時間静置する方法等の方法が挙げられる。
基材が容器の場合、供給方法は、例えば、本発明の組成物を容器に添加し、所定の時間静置する方法によって行うことができる。添加は、例えば、容器の全容積の０．５～１倍量の本発明の組成物を、シリンジ等を用いて添加することによって行うことができる。
本発明の組成物を基材上に供給する方法としては、特に制限されず、例えば、一般的な塗布方法が挙げられる。
塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、スリットコート法、ロール・トゥー・ロール法、ディップコート法、溶媒キャスト法等が挙げられる。好ましくはインクジェット法又はスクリーン印刷等の印刷技術である。
塗布方法としては、より具体的には、例えば、基材を本発明の組成物に浸漬する方法、本発明の組成物を基材に添加し、所定の時間静置する方法等の方法が挙げられる。
基材が容器の場合、供給方法は、例えば、本発明の組成物を容器に添加し、所定の時間静置する方法によって行うことができる。添加は、例えば、容器の全容積の０．５～１倍量の本発明の組成物を、シリンジ等を用いて添加することによって行うことができる。
【0076】
＜＜乾燥工程＞＞
乾燥工程としては、基材上に供給された本発明の組成物が乾燥される工程であれば、特に制限されない。
乾燥工程としては、基材上に供給された本発明の組成物が乾燥される工程であれば、特に制限されない。
【0077】
乾燥は、例えば、大気下又は真空下にて、温度－２００℃～２００℃の範囲内で行うことができる。
膜は、例えば室温（１０℃～３５℃、例えば２５℃）での乾燥でも形成することができるが、より迅速に膜を形成させるために、例えば４０℃～１００℃にて乾燥させてもよい。
好ましい乾燥温度は１０℃～１８０℃であり、より好ましい乾燥温度は２０℃～１５０℃である。
乾燥時間としては、特に制限されないが、例えば、１分間～２４時間である。
膜は、例えば室温（１０℃～３５℃、例えば２５℃）での乾燥でも形成することができるが、より迅速に膜を形成させるために、例えば４０℃～１００℃にて乾燥させてもよい。
好ましい乾燥温度は１０℃～１８０℃であり、より好ましい乾燥温度は２０℃～１５０℃である。
乾燥時間としては、特に制限されないが、例えば、１分間～２４時間である。
【0078】
＜＜洗浄工程＞＞
洗浄工程としては、乾燥工程により得られた膜が洗浄される工程であれば、特に制限されない。洗浄工程は、例えば、膜に残存する不純物、未反応モノマー等を膜から除去するために行われる。
洗浄工程としては、乾燥工程により得られた膜が洗浄される工程であれば、特に制限されない。洗浄工程は、例えば、膜に残存する不純物、未反応モノマー等を膜から除去するために行われる。
【0079】
洗浄は、公知の方法で行うことができるが、流水洗浄、超音波洗浄が好ましい。
洗浄に用いる溶媒としては、水、電解質を含む水溶液などが挙げられる。溶媒は通常室温（例えば１０～３５℃）で用いられるが、例えば４０℃～９５℃の範囲に加温されたものでもよい。電解質を含む水溶液は、ＰＢＳ、生理食塩水（塩化ナトリウムのみを含むもの）、ダルベッコリン酸緩衝生理食塩水、トリス緩衝生理食塩水、ＨＥＰＥＳ緩衝生理食塩水及びベロナール緩衝生理食塩水が好ましく、ＰＢＳが特に好ましい。
洗浄に用いる溶媒としては、水、電解質を含む水溶液などが挙げられる。溶媒は通常室温（例えば１０～３５℃）で用いられるが、例えば４０℃～９５℃の範囲に加温されたものでもよい。電解質を含む水溶液は、ＰＢＳ、生理食塩水（塩化ナトリウムのみを含むもの）、ダルベッコリン酸緩衝生理食塩水、トリス緩衝生理食塩水、ＨＥＰＥＳ緩衝生理食塩水及びベロナール緩衝生理食塩水が好ましく、ＰＢＳが特に好ましい。
【0080】
また、得られた膜が細胞培養に用いられる場合には、細胞培養に用いられる試料の媒質（例えば、水、緩衝液、培地等）を用いて洗浄を行ってもよい。好ましい媒質は、培地であり、より好ましい媒質は、ＢＭＥ培地（イーグル基礎培地）、ＤＭＥＭ培地（ダルベッコ改変イーグル培地）である。
【0081】
＜＜滅菌工程＞＞
得られた膜が細胞培養に用いられる場合は、得られた膜は、放射線照射による滅菌工程を経ることが必要である。
滅菌工程は、通常、周囲温度（例えば、約０℃～約４０℃、好ましくは約１０℃～約３０℃、より好ましくは約２５℃）で実施される。照射される放射線としては、滅菌を行うことができれば制限されないが、γ線、Ｘ線又は電子線が好ましい。より好ましくはγ線又はＸ線、さらに好ましくはγ線である。γ線の照射線量は、例えば、通常の滅菌工程で採用されている線量でよく、例えば、５～４０ｋＧｙ程度の照射で十分であり、好ましくは、１０～２５ｋＧｙがよい。
得られた膜が細胞培養に用いられる場合は、得られた膜は、放射線照射による滅菌工程を経ることが必要である。
滅菌工程は、通常、周囲温度（例えば、約０℃～約４０℃、好ましくは約１０℃～約３０℃、より好ましくは約２５℃）で実施される。照射される放射線としては、滅菌を行うことができれば制限されないが、γ線、Ｘ線又は電子線が好ましい。より好ましくはγ線又はＸ線、さらに好ましくはγ線である。γ線の照射線量は、例えば、通常の滅菌工程で採用されている線量でよく、例えば、５～４０ｋＧｙ程度の照射で十分であり、好ましくは、１０～２５ｋＧｙがよい。
【0082】
（医療用デバイス）
本発明の医療用デバイスは、本発明の組成物から形成される膜を有する。
医療用デバイスは、例えば、生体物質が接するデバイスである。医療用デバイスにおいて、本発明の組成物から形成される膜は、例えば、生体物質が接する箇所の少なくとも一部に配される。
本発明の医療用デバイスは、本発明の組成物から形成される膜を有する。
医療用デバイスは、例えば、生体物質が接するデバイスである。医療用デバイスにおいて、本発明の組成物から形成される膜は、例えば、生体物質が接する箇所の少なくとも一部に配される。
【0083】
本発明の医療用デバイスとしては、医療用器材であれば特に制限されず、例えば、血液バッグ、採尿バッグ、輸血セット、縫合糸、ドレーンチューブ、各種カテーテル、ブラッドアクセス、血液回路、人工血管、人工腎臓、人工心肺、人工弁、血漿交換膜、各種吸着体、ＣＡＰＤ、ＩＡＢＰ、ペースメーカー、人工関節、人工骨頭、歯科材料、各種シャント等が挙げられる。
【0084】
医療用デバイスとは、生体内で使用される医療用の構造体のことをいい、このような構造体は、体内へ埋め込んで使用するものと、体内で（埋め込まずに）使用するものとに大別される。なお、医療用デバイスの大きさや長さは特に制限されるものではなく、微細な回路を有するものや、微量の試料を検出するものも包含される。
体内へ埋め込んで使用する構造体としては、例えば、心臓ペースメーカー等の疾患が生じている生体の機能を補うための機能補助装置；埋入型バイオチップ等の生体の異常を検出するための装置；インプラント、骨固定材、縫合糸、人工血管等の医療用器具が挙げられる。
また、体内で（埋め込まずに）使用する構造体としては、カテーテル、胃カメラ等が挙げられる。
体内へ埋め込んで使用する構造体としては、例えば、心臓ペースメーカー等の疾患が生じている生体の機能を補うための機能補助装置；埋入型バイオチップ等の生体の異常を検出するための装置；インプラント、骨固定材、縫合糸、人工血管等の医療用器具が挙げられる。
また、体内で（埋め込まずに）使用する構造体としては、カテーテル、胃カメラ等が挙げられる。
【0085】
（シリコーン基材）
本発明のシリコーン基材は、本発明の組成物から形成される膜を有する。
シリコーン基材は、例えば、生体物質が接するシリコーン基材である。シリコーン基材において、本発明の組成物から形成される膜は、例えば、生体物質が接する箇所の少なくとも一部に配される。
本発明のシリコーン基材は、本発明の組成物から形成される膜を有する。
シリコーン基材は、例えば、生体物質が接するシリコーン基材である。シリコーン基材において、本発明の組成物から形成される膜は、例えば、生体物質が接する箇所の少なくとも一部に配される。
【0086】
シリコーン基材としては、シリコーン系樹脂を含む基材であれば特に制限されない。このようなシリコーン基材としては、具体的には、例えば、シリコーン含有医療用デバイス、マイクロ流路を有するシリコーン基材、好ましくはシリコーン含有マイクロ流路デバイスが挙げられる。
【0087】
マイクロ流路デバイスとしては、例えば、微小反応デバイス（具体的にはマイクロリアクターやマイクロプラント等）、集積型核酸分析デバイス、微小電気泳動デバイス、微小クロマトグラフィーデバイス等の微小分析デバイス；質量スペクトルや液体クロマトグラフィー等の分析試料調製用微小デバイス；抽出、膜分離、透析などに用いる物理化学的処理デバイス；環境分析チップ、臨床分析チップ、遺伝子分析チップ（ＤＮＡチップ）、タンパク質分析チップ（プロテオームチップ）、糖鎖チップ、クロマトグラフチップ、細胞解析チップ、製薬スクリーニングチップ等のマイクロ流路チップが挙げられる。これらの中でも、マイクロ流路チップが好ましい。
【0088】
なお、マイクロ流路は、微量の試料（好ましくは液体試料）が流れる部位であり、その流路幅及び深さは特に制限されないが、いずれも、通常、０．１μｍ～１ｍｍ程度であり、好ましくは１０μｍ～８００μｍである。
なお、マイクロ流路の流路幅や深さは、流路全長にわたって同じであってもよく、部分的に異なる大きさや形状であってもよい。
なお、マイクロ流路の流路幅や深さは、流路全長にわたって同じであってもよく、部分的に異なる大きさや形状であってもよい。
【0089】
（細胞培養容器）
本発明の細胞培養容器は、本発明の組成物から形成される膜を有する。
細胞培養容器は、例えば、細胞凝集塊の製造に用いることができる。
本発明の細胞培養容器は、本発明の組成物から形成される膜を有する。
細胞培養容器は、例えば、細胞凝集塊の製造に用いることができる。
【0090】
細胞培養容器は、本発明の組成物から形成される膜上に、細胞接着性を有する細胞培養下地膜を有していてもよい。
細胞培養下地膜としては、例えば、国際公開第２０２０／０４０２４７号公報に記載の下地膜が挙げられる。なお、国際公開第２０２０／０４０２４７号公報の内容は、全てが明示されたと同程度に本明細書に組み込まれるものである。
国際公開第２０２０／０４０２４７号公報に記載の下地膜の一例は、下記式（Ｉ）で表されるモノマーから誘導される繰り返し単位を少なくとも含むポリマーを含む下地膜である。ポリマーは、下記式（ＩＩ）で表されるモノマーから誘導される繰り返し単位を含んでいてもよい。
（式（Ｉ）中、Ｕａ１及びＵａ２は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒa１は、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒa２は、炭素原子数１～５のアルキレン基を表す。）
（式（ＩＩ）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表す。）
炭素原子数１～５のアルキレン基の具体例としては、式（ａ１－２）のＲ１２等の説明で挙げたアルキレン基の具体例が挙げられる。
細胞培養下地膜としては、例えば、国際公開第２０２０／０４０２４７号公報に記載の下地膜が挙げられる。なお、国際公開第２０２０／０４０２４７号公報の内容は、全てが明示されたと同程度に本明細書に組み込まれるものである。
国際公開第２０２０／０４０２４７号公報に記載の下地膜の一例は、下記式（Ｉ）で表されるモノマーから誘導される繰り返し単位を少なくとも含むポリマーを含む下地膜である。ポリマーは、下記式（ＩＩ）で表されるモノマーから誘導される繰り返し単位を含んでいてもよい。
【化10】
【化11】
炭素原子数１～５のアルキレン基の具体例としては、式（ａ１－２）のＲ１２等の説明で挙げたアルキレン基の具体例が挙げられる。
【0091】
細胞培養下地膜は、例えば、本発明の組成物から形成される膜上に一様に配されるのではなく、パターン状に配される。
パターンとしては、例えば、ドットパターンが挙げられる。
言い換えれば、細胞培養容器の一例は、細胞付着抑制が可能な、本発明の組成物から形成される膜と、当該膜上にドットパターン状で配された、細胞接着性を有する細胞培養下地膜とを有する細胞播種面を有する。
パターンとしては、例えば、ドットパターンが挙げられる。
言い換えれば、細胞培養容器の一例は、細胞付着抑制が可能な、本発明の組成物から形成される膜と、当該膜上にドットパターン状で配された、細胞接着性を有する細胞培養下地膜とを有する細胞播種面を有する。
【0092】
細胞培養下地膜の厚みとしては、例えば、１～１，０００ｎｍであり、好ましくは５～５００ｎｍ、好ましくは５～３００ｎｍ、好ましくは５～２００ｎｍ、好ましくは５～１５０ｎｍ、好ましくは１０～１５０ｎｍ、好ましくは２０～１５０ｎｍである。
【実施例0093】
以下、合成例、実施例、試験例等に基づいて、本発明をさらに詳細に説明するが本発明はこれらに限定されない。
【0094】
なお、実施例において、試料の調製及び物性の分析に用いた装置及び条件は、以下の通りである。
（１）サイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）
装置１：東ソー（株）製 高速液体クロマトグラフ（ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）
ＳＥＣカラム：ＴＳＫｇｅｌ ｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ Ｓｕｐｅｒ ＡＷ－Ｈ （４．６ｍｍＩＤ×３．５ｃｍ）×１本、ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＡＷ５０００ （６．０ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）×１本、Ｓｕｐｅｒ ＡＷ２５００ （６．０ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）×１本を連結。
流速：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
溶離液：Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（１０質量％臭化リチウム含有）
カラム温度：４０℃
検出：示差屈折率検出器（ＲＩ）
注入濃度：ポリマー固形分０．５質量％
注入量：１００μＬ
検量線：三次近似曲線
標準試料：ＰＭＭＡ（シグマアルドリッチ社製）×６種
（１）サイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）
装置１：東ソー（株）製 高速液体クロマトグラフ（ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）
ＳＥＣカラム：ＴＳＫｇｅｌ ｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ Ｓｕｐｅｒ ＡＷ－Ｈ （４．６ｍｍＩＤ×３．５ｃｍ）×１本、ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＡＷ５０００ （６．０ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）×１本、Ｓｕｐｅｒ ＡＷ２５００ （６．０ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）×１本を連結。
流速：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
溶離液：Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（１０質量％臭化リチウム含有）
カラム温度：４０℃
検出：示差屈折率検出器（ＲＩ）
注入濃度：ポリマー固形分０．５質量％
注入量：１００μＬ
検量線：三次近似曲線
標準試料：ＰＭＭＡ（シグマアルドリッチ社製）×６種
【0095】
（２）１Ｈ ＮＭＲスペクトル
装置：日本電子（株）製ＪＮＭ－ＥＣＰ４００
溶媒：重クロロホルム（ＣＤＣｌ３）、重ジメチルスルホキシド（（ＣＤ３）２Ｃ（＝Ｏ））
基準：ＣＨＣｌ３（７．２６ｐｐｍ）
テトラメチルシラン（０．００ｐｐｍ）
（ＣＨ３）２Ｃ（＝Ｏ）（２．１０ｐｐｍ）
装置：日本電子（株）製ＪＮＭ－ＥＣＰ４００
溶媒：重クロロホルム（ＣＤＣｌ３）、重ジメチルスルホキシド（（ＣＤ３）２Ｃ（＝Ｏ））
基準：ＣＨＣｌ３（７．２６ｐｐｍ）
テトラメチルシラン（０．００ｐｐｍ）
（ＣＨ３）２Ｃ（＝Ｏ）（２．１０ｐｐｍ）
【0096】
（３）スピンコーター
装置：ミカサ（株）製 １Ｈ－Ｄ７
（４）Ｘ線光電子分光測定（ＸＰＳ）
装置：アルバック・ファイ（株）製 ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ ＩＩＩ
測定条件：１４．０ｋＶ、１４ｍＡ
（５）接触角
装置：協和界面科学（株）製 ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ ５００
（６）光学顕微鏡
装置：（株）キーエンス製 オールインワン蛍光顕微鏡（Ｂｉｏｚｅｒｏ ＢＺ－８１００）
（７）原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）
装置：オックスフォード・インストゥルメンツ（株）製（Ａｓｙｌｕｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｙｐｈｅｒ ＥＳ）
装置：ミカサ（株）製 １Ｈ－Ｄ７
（４）Ｘ線光電子分光測定（ＸＰＳ）
装置：アルバック・ファイ（株）製 ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ ＩＩＩ
測定条件：１４．０ｋＶ、１４ｍＡ
（５）接触角
装置：協和界面科学（株）製 ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ ５００
（６）光学顕微鏡
装置：（株）キーエンス製 オールインワン蛍光顕微鏡（Ｂｉｏｚｅｒｏ ＢＺ－８１００）
（７）原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）
装置：オックスフォード・インストゥルメンツ（株）製（Ａｓｙｌｕｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｙｐｈｅｒ ＥＳ）
【0097】
〔ＮＭＲ（核磁気共鳴法）による置換基組成比の測定〕
下記合成例に示す置換基導入率は、ＮＭＲによる測定結果である。合成例１～３はすべてＪＮＭ－ＥＣＰ４００（日本電子（株）製）を用いて測定した。
下記合成例に示す置換基導入率は、ＮＭＲによる測定結果である。合成例１～３はすべてＪＮＭ－ＥＣＰ４００（日本電子（株）製）を用いて測定した。
【0098】
〔分子量及び分子量分布〕
下記合成例に示す数平均分子量及び分子量分散度は、ＳＥＣによる測定結果である。
下記合成例に示す数平均分子量及び分子量分散度は、ＳＥＣによる測定結果である。
【0099】
〔合成例１〕
ＥｂＳのマクロ開始剤（以下、マクロイニシエーターと称す）として下記にポリ［オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）］（ＰＥＯＭＡと称す）を合成した。
ＰＥＯＭＡは参考文献１（Ｈ． Ｍａｔｓｕｎｏ， Ｋ． Ｔａｎａｋａ． Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｂ， ２０１９， ７， １０４５）を参考に合成した。
マクロモノマーとして、オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）（ＥＯＭＡと称す）（シグマアルドリッチ社製）３０ｇをアニソール（富士フイルム和光純薬（株）製）５０．１ｍＬに溶解させた。さらに、臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）１７２．１ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）６７ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’'，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）０．６２７ｍＬと、２－エチル－２－ブロモイソブチレート（ＥＢｉＢ）（東京化成（株）製）０．４４ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、４５℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から２時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲ測定の結果から、ＰＥＯＭＡに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＰＥＯＭＡが得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が７，２００、分子量分散度１．４０であった。
以上の結果から、ＰＥＯＭＡのポリマーが得られたことが明らかとなった。
ＥｂＳのマクロ開始剤（以下、マクロイニシエーターと称す）として下記にポリ［オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）］（ＰＥＯＭＡと称す）を合成した。
ＰＥＯＭＡは参考文献１（Ｈ． Ｍａｔｓｕｎｏ， Ｋ． Ｔａｎａｋａ． Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｂ， ２０１９， ７， １０４５）を参考に合成した。
マクロモノマーとして、オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）（ＥＯＭＡと称す）（シグマアルドリッチ社製）３０ｇをアニソール（富士フイルム和光純薬（株）製）５０．１ｍＬに溶解させた。さらに、臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）１７２．１ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）６７ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’'，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）０．６２７ｍＬと、２－エチル－２－ブロモイソブチレート（ＥＢｉＢ）（東京化成（株）製）０．４４ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、４５℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から２時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲ測定の結果から、ＰＥＯＭＡに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＰＥＯＭＡが得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が７，２００、分子量分散度１．４０であった。
以上の結果から、ＰＥＯＭＡのポリマーが得られたことが明らかとなった。
【0100】
【化12】
【0101】
〔合成例２〕
ポリ［オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）－ｂｌｏｃｋ－オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）］を合成した。ここで得られたポリマーは組成比がＰＥＯＭＡが３１モル％、ＰＳｉＯＭＡが６９モル％になるよう条件を設定している。以下、得られたポリマーをＥｂＳ３１と称す。
ＰＥＯＭＡ［合成例１で得られた化合物］１．４８gとオリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）（信越化学社製、Ｘ－２２－２４０４）２．９４ｇをＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（富士フィルム和光純薬（株）製）５．０１ｍＬに溶解させた。さらに、臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）１１．５ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）４．４７ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）のＤＭＦ溶液０．４ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、４５℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から３時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲ測定の結果から、ＥｂＳに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＰＥＯＭＡ－ｂｌｏｃｋ－ＰＳｉＯＭＡ（ＥｂＳ３１）が得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が１２，６００、分子量分散度１．２５であった。
以上の結果から、ＥｂＳ３１のポリマーが得られたことが明らかとなった。
ポリ［オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）－ｂｌｏｃｋ－オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）］を合成した。ここで得られたポリマーは組成比がＰＥＯＭＡが３１モル％、ＰＳｉＯＭＡが６９モル％になるよう条件を設定している。以下、得られたポリマーをＥｂＳ３１と称す。
ＰＥＯＭＡ［合成例１で得られた化合物］１．４８gとオリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）（信越化学社製、Ｘ－２２－２４０４）２．９４ｇをＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（富士フィルム和光純薬（株）製）５．０１ｍＬに溶解させた。さらに、臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）１１．５ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）４．４７ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）のＤＭＦ溶液０．４ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、４５℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から３時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲ測定の結果から、ＥｂＳに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＰＥＯＭＡ－ｂｌｏｃｋ－ＰＳｉＯＭＡ（ＥｂＳ３１）が得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が１２，６００、分子量分散度１．２５であった。
以上の結果から、ＥｂＳ３１のポリマーが得られたことが明らかとなった。
【0102】
【化13】
【0103】
〔合成例３〕
ポリ［オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）－ｂｌｏｃｋ－オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）］を合成した。ここで得られたポリマーの組成比はＰＥＯＭＡが８０モル％、ＰＳｉＯＭＡが２０モル％であった。よって、ＥｂＳ８０と称す。
ＰＥＯＭＡ［合成例１で得られた化合物］２．２２ｇとオリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）（信越化学社製、Ｘ－２２－２４０４）２．２１ｇをＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（富士フィルム和光純薬（株）製）４．６２ｍＬに溶解させた。さらに、臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）１７．２ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）６．７ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）のＤＭＦ溶液０．６ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、４５℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から３時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトラムの結果から、ＥｂＳに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＥｂＳ８０が得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が８，５００、分子量分散度１．０７であった。
以上の結果から、ＥｂＳ８０のポリマーが得られたことが明らかとなった。
ポリ［オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）－ｂｌｏｃｋ－オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）］を合成した。ここで得られたポリマーの組成比はＰＥＯＭＡが８０モル％、ＰＳｉＯＭＡが２０モル％であった。よって、ＥｂＳ８０と称す。
ＰＥＯＭＡ［合成例１で得られた化合物］２．２２ｇとオリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）（信越化学社製、Ｘ－２２－２４０４）２．２１ｇをＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（富士フィルム和光純薬（株）製）４．６２ｍＬに溶解させた。さらに、臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）１７．２ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）６．７ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）のＤＭＦ溶液０．６ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、４５℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から３時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトラムの結果から、ＥｂＳに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＥｂＳ８０が得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が８，５００、分子量分散度１．０７であった。
以上の結果から、ＥｂＳ８０のポリマーが得られたことが明らかとなった。
【0104】
【化14】
【0105】
〔合成例４〕
ポリ［オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）］（ＰＳｉＯＭＡと称す）を合成した。
オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）（信越化学社製、Ｘ－２２－２４０４）８．８４ｇをアニソール（富士フィルム和光純薬（株）製）２．７３ｍＬに溶解させた。さらに、臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）４０．２ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）１５．６ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）のＤＭＦ溶液１．４ｍＬと、２－エチル－２－ブロモイソブチレート（ＥＢｉＢ）（東京化成（株）製）のＤＭＦ溶液１．４ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、７０℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から１時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトラムの結果から、ＰＳｉＯＭＡに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＰＳｉＯＭＡが得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が９，１００、分子量分散度１．１８であった。
以上の結果から、ＰＳｉＯＭＡのポリマーが得られたことが明らかとなった。
ポリ［オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）］（ＰＳｉＯＭＡと称す）を合成した。
オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）（信越化学社製、Ｘ－２２－２４０４）８．８４ｇをアニソール（富士フィルム和光純薬（株）製）２．７３ｍＬに溶解させた。さらに、臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）４０．２ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）１５．６ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）のＤＭＦ溶液１．４ｍＬと、２－エチル－２－ブロモイソブチレート（ＥＢｉＢ）（東京化成（株）製）のＤＭＦ溶液１．４ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、７０℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から１時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトラムの結果から、ＰＳｉＯＭＡに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＰＳｉＯＭＡが得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が９，１００、分子量分散度１．１８であった。
以上の結果から、ＰＳｉＯＭＡのポリマーが得られたことが明らかとなった。
【0106】
【化15】
【0107】
〔合成例５〕
ポリ［オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）－ｒａｎｄｏｍ－オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）］（ＥｒＳ３１と称す）を合成した。
オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）（ＥＯＭＡ）（シグマアルドリッチ社製）３．３３ｇ、及びオリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）（信越化学社製、Ｘ－２２－２４０４）５．８９ｇをアニソール（富士フィルム和光純薬（株）製）６．８７ｍＬに溶解させた。臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）８０．４ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）３１．２ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）のアニソール溶液３．０８ｍＬと、２－エチル－２－ブロモイソブチレート（ＥＢｉＢ）（東京化成（株）製）のアニソール溶液０．７６ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、７０℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から１．６時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトラムの結果から、ＰＳｉＯＭＡに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＥｒＳ３１が得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が１３，６００、分子量分散度１．２８であった。
以上の結果から、ＥｒＳ３１のポリマーが得られたことが明らかとなった。
ポリ［オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）－ｒａｎｄｏｍ－オリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）］（ＥｒＳ３１と称す）を合成した。
オリゴ（エチレンオキシドメタクリレート）（ＥＯＭＡ）（シグマアルドリッチ社製）３．３３ｇ、及びオリゴ（ジメチルシロキシメタクリレート）（信越化学社製、Ｘ－２２－２４０４）５．８９ｇをアニソール（富士フィルム和光純薬（株）製）６．８７ｍＬに溶解させた。臭化銅（Ｉ）（キシダ化学（株）製）８０．４ｍｇと、臭化銅（ＩＩ）（キシダ化学（株）製）３１．２ｍｇと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）（シグマアルドリッチ社製）のアニソール溶液３．０８ｍＬと、２－エチル－２－ブロモイソブチレート（ＥＢｉＢ）（東京化成（株）製）のアニソール溶液０．７６ｍＬとを加えた。アルゴンガス（日本エアー・リキッド（株）製）を２分間バブリングすることで溶存酸素を除去した。その後、７０℃下のオイルバスに浸し、反応を重合開始した。反応開始から１．６時間後に、反応溶液を氷水で冷却し重合反応を停止した。
１Ｈ ＮＭＲスペクトラムの結果から、ＰＳｉＯＭＡに由来するピークが確認でき、上述した重合方法によりＥｒＳ３１が得られたことが示唆された。ＳＥＣ測定から、数平均分子量が１３，６００、分子量分散度１．２８であった。
以上の結果から、ＥｒＳ３１のポリマーが得られたことが明らかとなった。
【0108】
【化16】
【0109】
合成例１～合成例５の結果を表１にまとめた。
【0110】
【表1】
【0111】
＜実施例１＞
合成例２で得られたＥｂＳ３１をポリエチレンメタクリレート（ＰＭＭＡと称す）に対して５質量％に成るようＰＭＭＡの３質量％トルエン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＭＭＡ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－１）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜を得た。
合成例２で得られたＥｂＳ３１をポリスチレン（ＰＳと称す）に対して５質量％に成るようＰＳの３質量％トルエン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＳ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－２）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜を得た。
合成例２で得られたＥｂＳ３１をポリジメチルシロキサン（水素化末端ポリジメチルシロキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）およびビニル末端含有ポリジメチルシロキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）を９対１の割合比で混合）（以下をＰＤＭＳと称す）に対して５質量％に成るようＰＤＭＳの３質量％テトラヒドロフラン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＤＭＳ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－３）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜を得た。
合成例２で得られたＥｂＳ３１をポリプロピレン（以下をＰＰと称す）に対して５質量％に成るようＰＰの０．７５質量％ｐ－キシレン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＰ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－４）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒，８５℃下）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＰ膜を得た。
合成例２で得られたＥｂＳ３１をポリエチレンメタクリレート（ＰＭＭＡと称す）に対して５質量％に成るようＰＭＭＡの３質量％トルエン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＭＭＡ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－１）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜を得た。
合成例２で得られたＥｂＳ３１をポリスチレン（ＰＳと称す）に対して５質量％に成るようＰＳの３質量％トルエン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＳ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－２）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜を得た。
合成例２で得られたＥｂＳ３１をポリジメチルシロキサン（水素化末端ポリジメチルシロキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）およびビニル末端含有ポリジメチルシロキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）を９対１の割合比で混合）（以下をＰＤＭＳと称す）に対して５質量％に成るようＰＤＭＳの３質量％テトラヒドロフラン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＤＭＳ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－３）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜を得た。
合成例２で得られたＥｂＳ３１をポリプロピレン（以下をＰＰと称す）に対して５質量％に成るようＰＰの０．７５質量％ｐ－キシレン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＰ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－４）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒，８５℃下）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＰ膜を得た。
【0112】
＜比較例１＞
ＰＭＭＡの３質量％トルエン溶液を調製し、ＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＰＭＭＡ膜を得た。
ＰＳの３質量％トルエン溶液を調製し、ＰＳ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＰＳ膜を得た。
ＰＤＭＳの３質量％テトラヒドロフラン溶液を調製し、ＰＤＭＳ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＰＤＭＳ膜を得た。
ＰＰの０．７５質量％ｐ－キシレン溶液を調製し、ＰＰ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒，８５℃下）を用いて被覆し、ＰＰ膜を得た。
ＰＭＭＡの３質量％トルエン溶液を調製し、ＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＰＭＭＡ膜を得た。
ＰＳの３質量％トルエン溶液を調製し、ＰＳ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＰＳ膜を得た。
ＰＤＭＳの３質量％テトラヒドロフラン溶液を調製し、ＰＤＭＳ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＰＤＭＳ膜を得た。
ＰＰの０．７５質量％ｐ－キシレン溶液を調製し、ＰＰ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒，８５℃下）を用いて被覆し、ＰＰ膜を得た。
【0113】
以下の試験例で用いた基板は以下のとおりである。
（ガラス基板）
顕微鏡観察用の市販のスライドガラス（松浪硝子工業（株）製）を１ｃｍ×１ｃｍにカットして使用した。
（シリコン基板）
シリコンウェハー（（株）ＳＵＭＣＯ製）を１．０ｃｍ×１．０ｃｍにカットして使用した。
（ガラス基板）
顕微鏡観察用の市販のスライドガラス（松浪硝子工業（株）製）を１ｃｍ×１ｃｍにカットして使用した。
（シリコン基板）
シリコンウェハー（（株）ＳＵＭＣＯ製）を１．０ｃｍ×１．０ｃｍにカットして使用した。
【0114】
＜試験例１－１＞
［原子間力顕微鏡によるコート表面観察］
実施例１で得られた各ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－１～１－４又は比較例１で得られた塗工液をシリコン基板にスピンコーティングを行い、その後減圧加熱乾燥を行い、サンプルとした。得られた膜表面の表面観察を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（オックスフォード・インストゥルメンツ（株）製））を用いて、調製されたサンプル表面の構造を大気中にて観察した。カンチレバー（ナノワールド社製）は、長さ１６０μｍ、共振周波数２８５ｋＨｚ、バネ定数４２Ｎ／ｍのものを使用した。観察条件は、スキャン範囲１０μｍ×１０μｍ、スキャン速度０．５Ｈｚとし、コンタクトモードで測定し、デジタル画像としてｔｉｆファイルにて保存した。これを装置内臓のデータ処理ソフトウェアでの画像解析に供した。
図１に、ＡＦＭから得られた以下の高さ像及び位相差像を示す。
高さ像
・（ａ）ＥｂＳ３１／ＰＭＭＡ （ＲＭＳ：１．５６ｎｍ）
・（ｂ）ＰＭＭＡ （ＲＭＳ：０．２３ｎｍ）
・（ｃ）ＥｂＳ３１／ＰＳ （ＲＭＳ：４．６６ｎｍ）
・（ｄ）ＰＳ （ＲＭＳ：０．２６ｎｍ）
・（ｉ）ＥｂＳ３１／ＰＤＭＳ （ＲＭＳ：３．２８ｎｍ）
・（ｊ）ＰＤＭＳ （ＲＭＳ：０．８６ｎｍ）
・（ｋ）ＥｂＳ３１／ＰＰ （ＲＭＳ：５．９３ｎｍ）
・（ｌ）ＰＰ （ＲＭＳ：４．７３ｎｍ）
位相差像
・（ｅ）ＥｂＳ３１／ＰＭＭＡ
・（ｆ）ＰＭＭＡ
・（ｇ）ＥｂＳ３１／ＰＳ
・（ｈ）ＰＳ
・（ｍ）ＥｂＳ３１／ＰＤＭＳ
・（ｎ）ＰＤＭＳ
・（ｏ）ＥｂＳ３１／ＰＰ
・（ｐ）ＰＰ
ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜、及びＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜は、表面に凹凸を有することが分かり、表面二乗平均粗さ（ＲＭＳ）１．５６～５．９３ｎｍ程度であった。
一方で、ＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜、及びＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜は、表面に凹凸が無く、表面二乗平均粗さ０．２３～０．８６ｎｍ程度であり、ＥｂＳ３１含有膜の表面に比べ平滑であった。
同様に位相差像もＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜、及びＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜上では表面に高さ像を反映した位相の違いが認められた。
ＥｂＳ３１含有ＰＰ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜は、ＡＦＭの解析結果で違いは認められなかった。
［原子間力顕微鏡によるコート表面観察］
実施例１で得られた各ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－１～１－４又は比較例１で得られた塗工液をシリコン基板にスピンコーティングを行い、その後減圧加熱乾燥を行い、サンプルとした。得られた膜表面の表面観察を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（オックスフォード・インストゥルメンツ（株）製））を用いて、調製されたサンプル表面の構造を大気中にて観察した。カンチレバー（ナノワールド社製）は、長さ１６０μｍ、共振周波数２８５ｋＨｚ、バネ定数４２Ｎ／ｍのものを使用した。観察条件は、スキャン範囲１０μｍ×１０μｍ、スキャン速度０．５Ｈｚとし、コンタクトモードで測定し、デジタル画像としてｔｉｆファイルにて保存した。これを装置内臓のデータ処理ソフトウェアでの画像解析に供した。
図１に、ＡＦＭから得られた以下の高さ像及び位相差像を示す。
高さ像
・（ａ）ＥｂＳ３１／ＰＭＭＡ （ＲＭＳ：１．５６ｎｍ）
・（ｂ）ＰＭＭＡ （ＲＭＳ：０．２３ｎｍ）
・（ｃ）ＥｂＳ３１／ＰＳ （ＲＭＳ：４．６６ｎｍ）
・（ｄ）ＰＳ （ＲＭＳ：０．２６ｎｍ）
・（ｉ）ＥｂＳ３１／ＰＤＭＳ （ＲＭＳ：３．２８ｎｍ）
・（ｊ）ＰＤＭＳ （ＲＭＳ：０．８６ｎｍ）
・（ｋ）ＥｂＳ３１／ＰＰ （ＲＭＳ：５．９３ｎｍ）
・（ｌ）ＰＰ （ＲＭＳ：４．７３ｎｍ）
位相差像
・（ｅ）ＥｂＳ３１／ＰＭＭＡ
・（ｆ）ＰＭＭＡ
・（ｇ）ＥｂＳ３１／ＰＳ
・（ｈ）ＰＳ
・（ｍ）ＥｂＳ３１／ＰＤＭＳ
・（ｎ）ＰＤＭＳ
・（ｏ）ＥｂＳ３１／ＰＰ
・（ｐ）ＰＰ
ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜、及びＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜は、表面に凹凸を有することが分かり、表面二乗平均粗さ（ＲＭＳ）１．５６～５．９３ｎｍ程度であった。
一方で、ＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜、及びＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜は、表面に凹凸が無く、表面二乗平均粗さ０．２３～０．８６ｎｍ程度であり、ＥｂＳ３１含有膜の表面に比べ平滑であった。
同様に位相差像もＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜、及びＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜上では表面に高さ像を反映した位相の違いが認められた。
ＥｂＳ３１含有ＰＰ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜は、ＡＦＭの解析結果で違いは認められなかった。
【0115】
＜試験例１－２＞
実施例１及び比較例１で調製した膜の化学組成は、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定に基づき評価した。ＸＰＳ測定にはＸ線光電子分光装置（ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ ＩＩＩ，ＵＬＶＡＣＰＨＩ，ＰＨＩ．，ＩＮＣ）を用いた。Ｘ線源は単色のＡｌ Ｋα線、印加電圧は１５．０ｋＶ、２５Ｗであり、室温で測定を行った。また、光電子取り出し角度を１５°とした。平均自由行程から算出した炭素の１ｓ電子の分析深さは３ｎｍ程度である。測定中、試料表面がチャージアップし、結合エネルギーが時間の経過に伴いシフトしたため、炭素の１ｓのピーク（２８５ｅＶ）を基準にして、中和銃を用いることで補正した。
結果を図２～図５に示す。
実施例１及び比較例１で調製した膜の化学組成は、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定に基づき評価した。ＸＰＳ測定にはＸ線光電子分光装置（ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ ＩＩＩ，ＵＬＶＡＣＰＨＩ，ＰＨＩ．，ＩＮＣ）を用いた。Ｘ線源は単色のＡｌ Ｋα線、印加電圧は１５．０ｋＶ、２５Ｗであり、室温で測定を行った。また、光電子取り出し角度を１５°とした。平均自由行程から算出した炭素の１ｓ電子の分析深さは３ｎｍ程度である。測定中、試料表面がチャージアップし、結合エネルギーが時間の経過に伴いシフトしたため、炭素の１ｓのピーク（２８５ｅＶ）を基準にして、中和銃を用いることで補正した。
結果を図２～図５に示す。
【0116】
図２にＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜とＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜のＸＰＳ測定の測定結果を示す。図２（ａ）は炭素原子のスペクトル、図２（ｂ）は酸素原子のスペクトル、図２（ｃ）はケイ素原子のスペクトルである。
図２（ａ）のＣ１ｓの結果よりＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面上ではＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（２８９．５ｅＶ）のピーク強度が増加していた。
また、図２（ｂ）のＯ１ｓの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面上では、ＥｂＳ３１のＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（５３２．５ｅＶ）の増加が認められた。
さらに、図２（ｃ）のＳｉ２ｐの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面上では、ＰＳｉＯＭＡのシロキサン（－Ｓｉ－Ｏ－）に由来するピーク（１０２ｅＶ）が確認された。
図２（ａ）のＣ１ｓの結果よりＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面上ではＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（２８９．５ｅＶ）のピーク強度が増加していた。
また、図２（ｂ）のＯ１ｓの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面上では、ＥｂＳ３１のＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（５３２．５ｅＶ）の増加が認められた。
さらに、図２（ｃ）のＳｉ２ｐの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面上では、ＰＳｉＯＭＡのシロキサン（－Ｓｉ－Ｏ－）に由来するピーク（１０２ｅＶ）が確認された。
【0117】
図３にＥｂＳ３１含有ＰＳ膜とＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜のＸＰＳ測定の測定結果を示す。図３（ａ）は炭素原子のスペクトル、図３（ｂ）は酸素原子のスペクトル、図３（ｃ）はケイ素原子のスペクトルである。
図３（ａ）のＣ１ｓの結果よりＥｂＳ３１含有ＰＳ膜の表面上ではＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（２８９．５ｅＶ）とエステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）に由来するピーク（２８９ｅＶ）の強度が増加していた。
また、図３（ｂ）のＯ１ｓの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜の表面上では、ＥｂＳ３１のＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（５３２．５ｅＶ）とエステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）に由来するピーク（５３４ｅＶ）の増加が認められた。
さらに、図３（ｃ）のＳｉ２ｐの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜の表面上では、ＰＳｉＯＭＡのシロキサン（－Ｓｉ－Ｏ－）に由来するピーク（１０２ｅＶ）が確認された。
図３（ａ）のＣ１ｓの結果よりＥｂＳ３１含有ＰＳ膜の表面上ではＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（２８９．５ｅＶ）とエステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）に由来するピーク（２８９ｅＶ）の強度が増加していた。
また、図３（ｂ）のＯ１ｓの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜の表面上では、ＥｂＳ３１のＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（５３２．５ｅＶ）とエステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）に由来するピーク（５３４ｅＶ）の増加が認められた。
さらに、図３（ｃ）のＳｉ２ｐの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜の表面上では、ＰＳｉＯＭＡのシロキサン（－Ｓｉ－Ｏ－）に由来するピーク（１０２ｅＶ）が確認された。
【0118】
図４にＥｂＳ３１含有ＰＳ膜とＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜のＸＰＳ測定の測定結果を示す。図４（ａ）は炭素原子のスペクトル、図４（ｂ）は酸素原子のスペクトル、図４（ｃ）はケイ素原子のスペクトルである。
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）では上述したＯ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｓｉ２ｐのスペクトルを示すが、ここではＥｂＳ３１とＰＤＭＳ単体のピークが重なるため、ピークを分離することは困難であった。
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）では上述したＯ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｓｉ２ｐのスペクトルを示すが、ここではＥｂＳ３１とＰＤＭＳ単体のピークが重なるため、ピークを分離することは困難であった。
【0119】
図５にＥｂＳ３１含有ＰＰ膜とＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜のＸＰＳ測定の測定結果を示す。図５（ａ）は炭素原子のスペクトル、図５（ｂ）は酸素原子のスペクトル、図５（ｃ）はケイ素原子のスペクトルである。
図５（ａ）のＣ１ｓの結果よりＥｂＳ３１含有ＰＰ膜の表面上ではＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピークを確認することは困難であった。
一方で、図５（ｂ）のＯ１ｓの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＰ膜の表面上では、ＥｂＳ３１のＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（５３２．５ｅＶ）の増加が認められた。
さらに、図５（ｃ）のＳｉ２ｐの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面上では、ＰＳｉＯＭＡのシロキサン（－Ｓｉ－Ｏ－）に由来するピーク（１０２ｅＶ）が確認された。
図５（ａ）のＣ１ｓの結果よりＥｂＳ３１含有ＰＰ膜の表面上ではＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピークを確認することは困難であった。
一方で、図５（ｂ）のＯ１ｓの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＰ膜の表面上では、ＥｂＳ３１のＰＥＯＭＡ鎖のエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－）に由来するピーク（５３２．５ｅＶ）の増加が認められた。
さらに、図５（ｃ）のＳｉ２ｐの結果より、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面上では、ＰＳｉＯＭＡのシロキサン（－Ｓｉ－Ｏ－）に由来するピーク（１０２ｅＶ）が確認された。
【0120】
＜試験例１－３＞
［静的接触角の評価］
実施例１で得られた各ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－１～１－４をシリコン基板にスピンコーティングを行い、その後減圧加熱乾燥を行い、サンプルとした。得られた膜表面の接触角を全自動接触角（協和界面化学（株）製、ＤＭ－５００）により評価した。すべてのサンプルにおいて、水接触角では水滴着滴後６０秒後の値を対水接触角とした。気泡接接触角では気泡が接触してから１秒後の値を気泡接触角とした。
また、比較例１で調製した各膜の静的接触角を測定した。
なお静的接触角は大気中での水滴の接触角測定により得られる水接触角に加え、各種基板を水中で逆さに設置して気泡の接触角測定により得られる気泡接触角の両方で評価を行った。
シリコン基板上のＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜表面の水接触角は、６８±１．９°であることが示された。気泡接触角は、１１５±１．８°を示した。比較例１のＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜は水接触角が９７±０．９°、気泡接触角が１１１±０．２°であることから、実施例１のＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜表面はＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜表面より水中ではより親水性であることが示された。
同様に、シリコン基板上のＥｂＳ３１含有ＰＳ膜表面の水接触角は、９１±０．３°程度であることが示された。気泡接触角は、１０９±６．８°程度を示した。比較例１のＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜は水接触角が８９±２．０°、気泡接触角が６８±１．９°であることから、実施例１のＥｂＳ３１含有ＰＳ膜表面はＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜表面より水中においてより親水性であることが示された。
同様に、シリコン基板上のＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜表面の水接触角は、１１４±０．５°程度であることが示された。気泡接触角は、１３３±０．９°程度を示した。比較例１のＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜は水接触角が６８±１．９°、気泡接触角が１１９±１．１°であることから、実施例１のＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜表面はＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜表面より親水性であることが示された。
同様に、シリコン基板上のＥｂＳ３１含有ＰＰ膜表面の水接触角は、１００±０．５°程度であることが示された。気泡接触角は、９８±１．３°程度を示した。比較例１のＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜は水接触角が１０３±０．２°、気泡接触角が９３±２．６°であることから、実施例１のＥｂＳ３１含有ＰＰ膜表面はＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜表面より親水性であることが示された。
［静的接触角の評価］
実施例１で得られた各ＥｂＳ３１含有樹脂組成物１－１～１－４をシリコン基板にスピンコーティングを行い、その後減圧加熱乾燥を行い、サンプルとした。得られた膜表面の接触角を全自動接触角（協和界面化学（株）製、ＤＭ－５００）により評価した。すべてのサンプルにおいて、水接触角では水滴着滴後６０秒後の値を対水接触角とした。気泡接接触角では気泡が接触してから１秒後の値を気泡接触角とした。
また、比較例１で調製した各膜の静的接触角を測定した。
なお静的接触角は大気中での水滴の接触角測定により得られる水接触角に加え、各種基板を水中で逆さに設置して気泡の接触角測定により得られる気泡接触角の両方で評価を行った。
シリコン基板上のＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜表面の水接触角は、６８±１．９°であることが示された。気泡接触角は、１１５±１．８°を示した。比較例１のＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜は水接触角が９７±０．９°、気泡接触角が１１１±０．２°であることから、実施例１のＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜表面はＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜表面より水中ではより親水性であることが示された。
同様に、シリコン基板上のＥｂＳ３１含有ＰＳ膜表面の水接触角は、９１±０．３°程度であることが示された。気泡接触角は、１０９±６．８°程度を示した。比較例１のＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜は水接触角が８９±２．０°、気泡接触角が６８±１．９°であることから、実施例１のＥｂＳ３１含有ＰＳ膜表面はＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜表面より水中においてより親水性であることが示された。
同様に、シリコン基板上のＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜表面の水接触角は、１１４±０．５°程度であることが示された。気泡接触角は、１３３±０．９°程度を示した。比較例１のＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜は水接触角が６８±１．９°、気泡接触角が１１９±１．１°であることから、実施例１のＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜表面はＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜表面より親水性であることが示された。
同様に、シリコン基板上のＥｂＳ３１含有ＰＰ膜表面の水接触角は、１００±０．５°程度であることが示された。気泡接触角は、９８±１．３°程度を示した。比較例１のＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜は水接触角が１０３±０．２°、気泡接触角が９３±２．６°であることから、実施例１のＥｂＳ３１含有ＰＰ膜表面はＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜表面より親水性であることが示された。
【0121】
表２及び表３に試験例１－３の結果のまとめを示す。以上のことから、ＥｂＳ３１含有樹脂膜は、水中に浸漬させることで親水性への改質効果がより顕著に示すことが明らかとなった。
【0122】
【表2】
【0123】
【表3】
【0124】
試験例１－１、１－２、及び１－３の結果から、ＥｂＳ３１を含有するＰＭＭＡ膜、ＰＳ膜、及びＰＤＭＳ膜表面では、表面に凝集構造が形成されていることが明らかとなった。ＸＰＳスペクトルから、この凝集構造には、ＥｂＳ３１に由来するピークが確認された。一方で、ＰＰ樹脂に関しては、ＥｂＳ３１を含有するＰＰ膜とＥｂＳ３１を含有しないＰＰ膜で表面の形態に違いはなかったものの、ＸＰＳの結果ではＥｂＳ３１含有ＰＰ膜の表面にＥｂＳ３１由来のピークが確認された。水中による空気接触角では、実施例のＥｂＳ３１含有樹脂膜は、比較例のＥｂＳ３１非含有樹脂膜に比べ親水性が改質されていることが明確となった。以上の結果から、ＥｂＳ３１をＰＭＭＡ、ＰＳ、ＰＤＭＳ、又はＰＰに添加して塗布した際、ＥｂＳ３１が表面濃縮することが明らかとなった。
【0125】
＜試験例１－４＞
［細胞接着実験］
実施例１にてＥｂＳ３１含有樹脂膜を形成したガラス基板（以下コート基板と称する）を使用して、下記の実験法より細胞の接着実験を行った。
コート基板を２４ウェルの細胞培養プレートの底に静置した。各ＥｂＳ３１含有樹脂膜を滅菌水で３回洗浄した後に室温環境下のＰＢＳ中に３時間浸漬させた。マウス線維芽細胞（ＮＩＨ３Ｔ３）を５％ＣＯ２、３７℃環境下で１０％ウシ血清（ＦＢＳ）を含有するダルベッコ改変イーグル培地（ＦＢＳ含有ＤＭＥＭ）中で培養した。培養したＮＩＨ３Ｔ３細胞を滅菌ＰＢＳで一回洗浄し、３ｍＬの０．２５％トリプシン／０．０２％エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）混合液を加え細胞培養プレートから剥がした。その細胞懸濁液を遠心してＮＩＨ３Ｔ３細胞を回収した後、ＦＣＳ含有ＤＭＥＭで再懸濁し７×１０４個／ｍＬの溶液を得た。
細胞懸濁液は、コート基板を固定した細胞培養プレートの各ウェルに対して５×１０４個／ｃｍ２となるように培地で調製し、コート基板上に播種した。５％ＣＯ２、３７℃環境下で１２時間培養した後、コート基板をＰＢＳで３回洗浄し、２％グルタールアルデヒドＰＢＳ溶液を用いてＥｂＳ３１含有樹脂膜上に接着した細胞を固定化した。超純水で３回洗浄した後、風乾した。０．０１質量％濃度のクリスタルバイオレット－ＰＢＳ染色液で接着した細胞を染色し、光学顕微鏡を用いて観察を行い接着した細胞を観察した。
図６に、実施例１で作製したＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜及びＥｂＳ３１含有ＰＳ膜、並びに比較例１で作製したＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。
なお、図６（ａ）～（ｄ）は洗浄及び染色前の膜の光学顕微鏡画像である。図６（ｅ）～（ｌ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上（図６（ａ））及びＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上（図６（ｃ））では、播種した細胞は培養１２時間後においても膜に接着すること無く浮遊し、さらに凝集していた。ＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜上では播種した細胞が接着していた。ＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜上では接着細胞の伸展の抑制は認められたが、多数の細胞が接着していた（図６（ｂ）、（ｄ））。すべてのコート基板は、ＰＢＳで洗浄を行い、染色を行った。ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上及びＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上では洗浄工程により殆どの細胞が除去された（図６（ｅ）、（ｇ））。染色工程後に僅かに接着した細胞が確認できたものの細胞の伸展は抑制されていることが明らかとなった（図６（ｉ）、（ｋ））。ＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜とＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜は、洗浄および染色後に多数の接着細胞が残存し伸展していることが明らかとなった。
また、同様の細胞接着試験を実施例１で作製したＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜、及びＥｂＳ３１含有ＰＰ膜において実施した。比較例としてＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜、及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜を用いた。
なお、図７（ａ）～（ｄ）は洗浄及び染色前の膜の光学顕微鏡画像である。図７（ｅ）～（ｌ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
図７に、実施例１で作製したＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜及びＥｂＳ３１含有ＰＰ膜、並びに比較例１で作製したＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。ＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜上（図７（ａ））及びＥｂＳ３１含有ＰＰ膜上（図７（ｃ））では、播種した細胞は１２時間後においても膜に接着すること無く浮遊し、さらに凝集していた。ＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜上及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜上では播種した細胞の一部が接着し伸展していた（図７（ｂ）、（ｄ））。すべてのコート基板は、ＰＢＳで洗浄を行い、染色を行った。ＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜及びＥｂＳ３１含有ＰＰ膜上では洗浄工程により殆どの細胞が除去された（図７（ｅ）、（ｇ））。染色工程後に僅かに接着した細胞が確認できたものの細胞の伸展は抑制されていることが明らかとなった（図７（ｉ）、（ｋ））。ＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜とＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜は、洗浄および染色後に接着細胞が残存し伸展していることが明らかとなった。
以上の結果から、実施例１のＥｂＳ３１含有樹脂膜においてはＥｂＳ３１がＳｉＯＭＡ組成を有することで表面濃縮し、さらに表面が水と接することでＰＥＯＭＡ鎖が露出することにより親水性に改質し、その界面は高い細胞接着抑制能を有していることが示された。
［細胞接着実験］
実施例１にてＥｂＳ３１含有樹脂膜を形成したガラス基板（以下コート基板と称する）を使用して、下記の実験法より細胞の接着実験を行った。
コート基板を２４ウェルの細胞培養プレートの底に静置した。各ＥｂＳ３１含有樹脂膜を滅菌水で３回洗浄した後に室温環境下のＰＢＳ中に３時間浸漬させた。マウス線維芽細胞（ＮＩＨ３Ｔ３）を５％ＣＯ２、３７℃環境下で１０％ウシ血清（ＦＢＳ）を含有するダルベッコ改変イーグル培地（ＦＢＳ含有ＤＭＥＭ）中で培養した。培養したＮＩＨ３Ｔ３細胞を滅菌ＰＢＳで一回洗浄し、３ｍＬの０．２５％トリプシン／０．０２％エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）混合液を加え細胞培養プレートから剥がした。その細胞懸濁液を遠心してＮＩＨ３Ｔ３細胞を回収した後、ＦＣＳ含有ＤＭＥＭで再懸濁し７×１０４個／ｍＬの溶液を得た。
細胞懸濁液は、コート基板を固定した細胞培養プレートの各ウェルに対して５×１０４個／ｃｍ２となるように培地で調製し、コート基板上に播種した。５％ＣＯ２、３７℃環境下で１２時間培養した後、コート基板をＰＢＳで３回洗浄し、２％グルタールアルデヒドＰＢＳ溶液を用いてＥｂＳ３１含有樹脂膜上に接着した細胞を固定化した。超純水で３回洗浄した後、風乾した。０．０１質量％濃度のクリスタルバイオレット－ＰＢＳ染色液で接着した細胞を染色し、光学顕微鏡を用いて観察を行い接着した細胞を観察した。
図６に、実施例１で作製したＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜及びＥｂＳ３１含有ＰＳ膜、並びに比較例１で作製したＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。
なお、図６（ａ）～（ｄ）は洗浄及び染色前の膜の光学顕微鏡画像である。図６（ｅ）～（ｌ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上（図６（ａ））及びＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上（図６（ｃ））では、播種した細胞は培養１２時間後においても膜に接着すること無く浮遊し、さらに凝集していた。ＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜上では播種した細胞が接着していた。ＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜上では接着細胞の伸展の抑制は認められたが、多数の細胞が接着していた（図６（ｂ）、（ｄ））。すべてのコート基板は、ＰＢＳで洗浄を行い、染色を行った。ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上及びＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上では洗浄工程により殆どの細胞が除去された（図６（ｅ）、（ｇ））。染色工程後に僅かに接着した細胞が確認できたものの細胞の伸展は抑制されていることが明らかとなった（図６（ｉ）、（ｋ））。ＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜とＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜は、洗浄および染色後に多数の接着細胞が残存し伸展していることが明らかとなった。
また、同様の細胞接着試験を実施例１で作製したＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜、及びＥｂＳ３１含有ＰＰ膜において実施した。比較例としてＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜、及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜を用いた。
なお、図７（ａ）～（ｄ）は洗浄及び染色前の膜の光学顕微鏡画像である。図７（ｅ）～（ｌ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
図７に、実施例１で作製したＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜及びＥｂＳ３１含有ＰＰ膜、並びに比較例１で作製したＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。ＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜上（図７（ａ））及びＥｂＳ３１含有ＰＰ膜上（図７（ｃ））では、播種した細胞は１２時間後においても膜に接着すること無く浮遊し、さらに凝集していた。ＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜上及びＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜上では播種した細胞の一部が接着し伸展していた（図７（ｂ）、（ｄ））。すべてのコート基板は、ＰＢＳで洗浄を行い、染色を行った。ＥｂＳ３１含有ＰＤＭＳ膜及びＥｂＳ３１含有ＰＰ膜上では洗浄工程により殆どの細胞が除去された（図７（ｅ）、（ｇ））。染色工程後に僅かに接着した細胞が確認できたものの細胞の伸展は抑制されていることが明らかとなった（図７（ｉ）、（ｋ））。ＥｂＳ３１非含有ＰＤＭＳ膜とＥｂＳ３１非含有ＰＰ膜は、洗浄および染色後に接着細胞が残存し伸展していることが明らかとなった。
以上の結果から、実施例１のＥｂＳ３１含有樹脂膜においてはＥｂＳ３１がＳｉＯＭＡ組成を有することで表面濃縮し、さらに表面が水と接することでＰＥＯＭＡ鎖が露出することにより親水性に改質し、その界面は高い細胞接着抑制能を有していることが示された。
【0126】
＜実施例２＞
ＥｂＳ３１の含有量による効果を検討するため、実施例２の実験を行った。
合成例２で得られたＥｂＳ３１をＰＭＭＡに対して２質量％、１質量％、又は０．５質量％に成るようＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液と混合し、ＥｂＳ３１含有のＰＭＭＡ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物２－１～２－３）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆した。
同様に、合成例２で得られたＥｂＳ３１をＰＳに対して２質量％、１質量％、又は０．５質量％に成るようＰＳの３．０質量％トルエン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＳ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物２－４～２－６）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆した。
ＥｂＳ３１の含有量による効果を検討するため、実施例２の実験を行った。
合成例２で得られたＥｂＳ３１をＰＭＭＡに対して２質量％、１質量％、又は０．５質量％に成るようＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液と混合し、ＥｂＳ３１含有のＰＭＭＡ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物２－１～２－３）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆した。
同様に、合成例２で得られたＥｂＳ３１をＰＳに対して２質量％、１質量％、又は０．５質量％に成るようＰＳの３．０質量％トルエン溶液と混合し、ＥｂＳ３１を含有したＰＳ塗工液（ＥｂＳ３１含有樹脂組成物２－４～２－６）とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆した。
【0127】
＜試験例２－１＞
［原子間力顕微鏡によるコート表面観察］
実施例２で得られた各ＥｂＳ３１含有樹脂組成物をガラス基板にスピンコーティングを行い、その後減圧加熱乾燥を行い、サンプルとした。得られた膜表面の表面観察を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（オックスフォード・インストゥルメンツ（株）製））を用いて、調製されたサンプル表面の構造を大気中にて観察した。カンチレバー（ナノワールド社製）は、長さ１６０μｍ、共振周波数２８５ｋＨｚ、バネ定数４２Ｎ／ｍのものを使用した。観察条件は、スキャン範囲１０μｍ×１０μｍ、スキャン速度０．５Ｈｚとし、コンタクトモードで測定し、デジタル画像としてｔｉｆファイルにて保存した。これを装置内臓のデータ処理ソフトウェアでの画像解析に供した。
図８に、ＥｂＳ３１の含有量が異なるＰＭＭＡ膜のＡＦＭから得られた高さ像と位相差像を示す。ＥｂＳ３１を２質量％含有するＰＭＭＡ膜（図８（ａ））、ＥｂＳ３１を１質量％含有するＰＭＭＡ膜（図８（ｂ））、ＥｂＳ３１を０．５質量％含有するＰＭＭＡ膜（図８（ｃ））、及びＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜（図８（ｄ））は、表面二乗平均粗さ（ＰＭＳ）がそれぞれ０．４６ｎｍ以下であり平滑な膜が形成されていた。また、位相差像からも均一な膜表面であることが明らかとなった。
同様に、図９に、ＥｂＳ３１の含有量が異なるＰＳ膜のＡＦＭから得られた高さ像と位相差像を示す。ＥｂＳ３１を２質量％含有するＰＳ膜（図９（ａ））、ＥｂＳ３１を１質量％含有するＰＳ膜（図９（ｂ））、ＥｂＳ３１を０．５質量％含有するＰＳ膜（図９（ｃ））、及びＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜（図９（ｄ））は、表面二乗平均粗さ（ＰＭＳ）がそれぞれ０．５９ｎｍ以下であり平滑な膜が形成されていた。また、位相差像からも均一な膜表面であることが明らかとなった。
以上の結果から、ＥｂＳ３１は含有量が２質量％以下になると、表面二乗平均粗さ（ＰＭＳ）がそれぞれ０．５９ｎｍ以下の平滑な樹脂膜が形成されていることが明らかとなった。
［原子間力顕微鏡によるコート表面観察］
実施例２で得られた各ＥｂＳ３１含有樹脂組成物をガラス基板にスピンコーティングを行い、その後減圧加熱乾燥を行い、サンプルとした。得られた膜表面の表面観察を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（オックスフォード・インストゥルメンツ（株）製））を用いて、調製されたサンプル表面の構造を大気中にて観察した。カンチレバー（ナノワールド社製）は、長さ１６０μｍ、共振周波数２８５ｋＨｚ、バネ定数４２Ｎ／ｍのものを使用した。観察条件は、スキャン範囲１０μｍ×１０μｍ、スキャン速度０．５Ｈｚとし、コンタクトモードで測定し、デジタル画像としてｔｉｆファイルにて保存した。これを装置内臓のデータ処理ソフトウェアでの画像解析に供した。
図８に、ＥｂＳ３１の含有量が異なるＰＭＭＡ膜のＡＦＭから得られた高さ像と位相差像を示す。ＥｂＳ３１を２質量％含有するＰＭＭＡ膜（図８（ａ））、ＥｂＳ３１を１質量％含有するＰＭＭＡ膜（図８（ｂ））、ＥｂＳ３１を０．５質量％含有するＰＭＭＡ膜（図８（ｃ））、及びＥｂＳ３１非含有ＰＭＭＡ膜（図８（ｄ））は、表面二乗平均粗さ（ＰＭＳ）がそれぞれ０．４６ｎｍ以下であり平滑な膜が形成されていた。また、位相差像からも均一な膜表面であることが明らかとなった。
同様に、図９に、ＥｂＳ３１の含有量が異なるＰＳ膜のＡＦＭから得られた高さ像と位相差像を示す。ＥｂＳ３１を２質量％含有するＰＳ膜（図９（ａ））、ＥｂＳ３１を１質量％含有するＰＳ膜（図９（ｂ））、ＥｂＳ３１を０．５質量％含有するＰＳ膜（図９（ｃ））、及びＥｂＳ３１非含有ＰＳ膜（図９（ｄ））は、表面二乗平均粗さ（ＰＭＳ）がそれぞれ０．５９ｎｍ以下であり平滑な膜が形成されていた。また、位相差像からも均一な膜表面であることが明らかとなった。
以上の結果から、ＥｂＳ３１は含有量が２質量％以下になると、表面二乗平均粗さ（ＰＭＳ）がそれぞれ０．５９ｎｍ以下の平滑な樹脂膜が形成されていることが明らかとなった。
【0128】
＜試験例２－２＞
実施例２で調製したＥｂＳ３１が異なる含有量のＰＭＭＡ膜及びＰＳ膜の化学組成を、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定に基づき評価した。ＸＰＳ測定にはＸ線光電子分光装置（ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ ＩＩＩ，ＵＬＶＡＣＰＨＩ，ＰＨＩ．，ＩＮＣ）を用いた。Ｘ線源は単色のＡｌ Ｋα線、印加電圧は１５．０ｋＶ、２５Ｗであり、室温で測定を行った。また、光電子取り出し角度を１５°とした。平均自由行程から算出した炭素の１ｓ電子の分析深さは３ｎｍ程度である。測定中、試料表面がチャージアップし、結合エネルギーが時間の経過に伴いシフトしたため、炭素の１ｓのピーク（２８５ｅＶ）を基準にして、中和銃を用いることで補正した。
図１０に、２質量％から０．５質量％のＥｂＳ３１を含有するＰＭＭＳ膜のＸＰＳスペクトルを示す。図１０（ａ）は炭素原子のスペクトル、図１０（ｂ）は酸素原子のスペクトル、図１０（ｃ）はケイ素原子のスペクトルである。
図１０（ａ）のＣ１ｓスペクトルでは、ＥｂＳ３１の含有量が増加するに従い炭素－炭素結合（Ｃ－Ｃ－Ｃ、２８５ｅＶ）ピークの割合が増加した。図１０（ｂ）のＯ１ｓスペクトルでは、ＥｂＳ３１の含有量が増加するに従いシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、５３２．５ｅＶ）ピークの割合が増加した。図１０（ｃ）のＳｉ２ｐスペクトルでは、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上でシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、１０２ｅＶ）ピークが得られた。
同様に、図１１に、２質量％から０．５質量％のＥｂＳ３１を含有するＰＳ膜のＸＰＳスペクトルを示す。図１１（ａ）は炭素原子のスペクトル、図１１（ｂ）は酸素原子のスペクトル、図１１（ｃ）はケイ素原子のスペクトルである。
図１１（ａ）のＣ１ｓスペクトルでは、ＥｂＳ３１の含有量が増加するに従い炭素－炭素結合（Ｃ－Ｃ－Ｃ、２８５ｅＶ）とエーテル結合（Ｃ－Ｏ、２８６．５ｅＶ）およびエステル結合（Ｃ（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、２８８．２ｅＶ）ピークが増加した。図１１（ｂ）のＯ１ｓスペクトルでは、ＥｂＳ３１の含有量が増加するに従いシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、５３２．５ｅＶ）ピークとエステル結合（Ｃ（＝Ｏ）Ｏ、５３４ｅＶ）の割合が増加した。図１１（ｃ）のＳｉ２ｐスペクトルでは、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上でシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、１０２ｅＶ）ピークが得られた。
以上の結果から、ＥｂＳ３１を含有するＰＭＭＡ膜およびＰＳ膜上では、ＥｂＳ３１の疎水性ユニットであるシリコーン部位の化学結合が確認された。これはＥｂＳ３１が低濃度の含有量においても樹脂表面に濃縮することが可能であることを示唆している。また、５質量％のＥｂＳ３１を含有するＰＭＭＡ膜およびＰＳ膜上では凝集構造が認められたがそのような凝集構造が無いサンプル表面でもＥｂＳ３１の表面濃縮が認められた。
実施例２で調製したＥｂＳ３１が異なる含有量のＰＭＭＡ膜及びＰＳ膜の化学組成を、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定に基づき評価した。ＸＰＳ測定にはＸ線光電子分光装置（ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ ＩＩＩ，ＵＬＶＡＣＰＨＩ，ＰＨＩ．，ＩＮＣ）を用いた。Ｘ線源は単色のＡｌ Ｋα線、印加電圧は１５．０ｋＶ、２５Ｗであり、室温で測定を行った。また、光電子取り出し角度を１５°とした。平均自由行程から算出した炭素の１ｓ電子の分析深さは３ｎｍ程度である。測定中、試料表面がチャージアップし、結合エネルギーが時間の経過に伴いシフトしたため、炭素の１ｓのピーク（２８５ｅＶ）を基準にして、中和銃を用いることで補正した。
図１０に、２質量％から０．５質量％のＥｂＳ３１を含有するＰＭＭＳ膜のＸＰＳスペクトルを示す。図１０（ａ）は炭素原子のスペクトル、図１０（ｂ）は酸素原子のスペクトル、図１０（ｃ）はケイ素原子のスペクトルである。
図１０（ａ）のＣ１ｓスペクトルでは、ＥｂＳ３１の含有量が増加するに従い炭素－炭素結合（Ｃ－Ｃ－Ｃ、２８５ｅＶ）ピークの割合が増加した。図１０（ｂ）のＯ１ｓスペクトルでは、ＥｂＳ３１の含有量が増加するに従いシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、５３２．５ｅＶ）ピークの割合が増加した。図１０（ｃ）のＳｉ２ｐスペクトルでは、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上でシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、１０２ｅＶ）ピークが得られた。
同様に、図１１に、２質量％から０．５質量％のＥｂＳ３１を含有するＰＳ膜のＸＰＳスペクトルを示す。図１１（ａ）は炭素原子のスペクトル、図１１（ｂ）は酸素原子のスペクトル、図１１（ｃ）はケイ素原子のスペクトルである。
図１１（ａ）のＣ１ｓスペクトルでは、ＥｂＳ３１の含有量が増加するに従い炭素－炭素結合（Ｃ－Ｃ－Ｃ、２８５ｅＶ）とエーテル結合（Ｃ－Ｏ、２８６．５ｅＶ）およびエステル結合（Ｃ（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、２８８．２ｅＶ）ピークが増加した。図１１（ｂ）のＯ１ｓスペクトルでは、ＥｂＳ３１の含有量が増加するに従いシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、５３２．５ｅＶ）ピークとエステル結合（Ｃ（＝Ｏ）Ｏ、５３４ｅＶ）の割合が増加した。図１１（ｃ）のＳｉ２ｐスペクトルでは、ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上でシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、１０２ｅＶ）ピークが得られた。
以上の結果から、ＥｂＳ３１を含有するＰＭＭＡ膜およびＰＳ膜上では、ＥｂＳ３１の疎水性ユニットであるシリコーン部位の化学結合が確認された。これはＥｂＳ３１が低濃度の含有量においても樹脂表面に濃縮することが可能であることを示唆している。また、５質量％のＥｂＳ３１を含有するＰＭＭＡ膜およびＰＳ膜上では凝集構造が認められたがそのような凝集構造が無いサンプル表面でもＥｂＳ３１の表面濃縮が認められた。
【0129】
＜試験例２－３＞
［細胞接着実験］
実施例２にてＥｂＳ３１含有樹脂膜を形成したガラス基板（以下コート基板と称する）を使用して、下記の実験法より細胞の接着実験を行った。
コート基板を２４ウェルの細胞培養プレートの底に静置した。各ＥｂＳ３１含有樹脂膜を滅菌水で３回洗浄した後に室温環境下のＰＢＳ中に３時間浸漬させた。マウス線維芽細胞（ＮＩＨ３Ｔ３）を５％ＣＯ２、３７℃環境下で１０％ウシ血清（ＦＢＳ）を含有するダルベッコ改変イーグル培地（ＦＢＳ含有ＤＭＥＭ）中で培養した。培養したＮＩＨ３Ｔ３細胞を滅菌ＰＢＳで一回洗浄し、３ｍＬの０．２５％トリプシン／０．０２％エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）混合液を加え細胞培養プレートから剥がした。その細胞懸濁液を遠心してＮＩＨ３Ｔ３細胞を回収した後、ＦＣＳ含有ＤＭＥＭで再懸濁し７×１０４個／ｍＬの溶液を得た。
細胞懸濁液は、コート基板を固定した細胞培養プレートの各ウェルに対して５×１０４個／ｃｍ２となるように培地で調製し、コート基板上に播種した。５％ＣＯ２、３７℃環境下で１２時間培養した後、コート基板をＰＢＳで３回洗浄し、２％グルタールアルデヒドＰＢＳ溶液を用いてＥｂＳ３１含有樹脂膜上に接着した細胞を固定化した。超純水で３回洗浄した後、風乾した。０．０１質量％濃度のクリスタルバイオレット－ＰＢＳ染色液で接着した細胞を染色し、光学顕微鏡を用いて５視野任意に観察を行い接着した細胞の数を数えた。
図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に、実施例２で作製したＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。なお、図１２（ａ）～（ｄ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
図１２（ａ）に示す２質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上では、５質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜と同様に高い細胞接着抑制を示した。図１２（ｂ）に示す１質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上では細胞塊が接着していることが分かった。図１２（ｃ）に示す０．５質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上では細胞が明らかに接着および伸展しており、細胞接着抑制能の低下が認められた。
同様に、図１２（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に、実施例２で作製したＥｂＳ３１含有量ＰＳ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。なお、図１２（ｄ）～（ｆ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
図１２（ｄ）に示す２質量％ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上では、５質量％ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜と同様に高い細胞接着抑制を示した。図１２（ｅ）に示す１質量％ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上では細胞塊が接着していることが分かった。図１２（ｆ）に示す０．５質量％ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上では細胞が明らかに接着および伸展しており、細胞接着抑制能の低下が認められた。
以上の結果から、ＥｂＳ３１の含有量が５質量％又は２質量％のＰＭＭＡ膜およびＰＳ膜表面では高い接着抑制効果を示し、１質量％以下では細胞接着が認められた。２質量％のＥｂＳ３１を含有する樹脂上では、５質量％のＥｂＳ３１を含有する樹脂上のような凝集構造は認められなかったが、細胞接着抑制能は低下しないことが明らかとなった。
なお、ＥｂＳ３１の含有量が１質量％、又は０．５質量％の場合でも、ＥｂＳ３１非含有の場合と比べると、細胞接着抑制能を有している。
［細胞接着実験］
実施例２にてＥｂＳ３１含有樹脂膜を形成したガラス基板（以下コート基板と称する）を使用して、下記の実験法より細胞の接着実験を行った。
コート基板を２４ウェルの細胞培養プレートの底に静置した。各ＥｂＳ３１含有樹脂膜を滅菌水で３回洗浄した後に室温環境下のＰＢＳ中に３時間浸漬させた。マウス線維芽細胞（ＮＩＨ３Ｔ３）を５％ＣＯ２、３７℃環境下で１０％ウシ血清（ＦＢＳ）を含有するダルベッコ改変イーグル培地（ＦＢＳ含有ＤＭＥＭ）中で培養した。培養したＮＩＨ３Ｔ３細胞を滅菌ＰＢＳで一回洗浄し、３ｍＬの０．２５％トリプシン／０．０２％エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）混合液を加え細胞培養プレートから剥がした。その細胞懸濁液を遠心してＮＩＨ３Ｔ３細胞を回収した後、ＦＣＳ含有ＤＭＥＭで再懸濁し７×１０４個／ｍＬの溶液を得た。
細胞懸濁液は、コート基板を固定した細胞培養プレートの各ウェルに対して５×１０４個／ｃｍ２となるように培地で調製し、コート基板上に播種した。５％ＣＯ２、３７℃環境下で１２時間培養した後、コート基板をＰＢＳで３回洗浄し、２％グルタールアルデヒドＰＢＳ溶液を用いてＥｂＳ３１含有樹脂膜上に接着した細胞を固定化した。超純水で３回洗浄した後、風乾した。０．０１質量％濃度のクリスタルバイオレット－ＰＢＳ染色液で接着した細胞を染色し、光学顕微鏡を用いて５視野任意に観察を行い接着した細胞の数を数えた。
図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に、実施例２で作製したＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。なお、図１２（ａ）～（ｄ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
図１２（ａ）に示す２質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上では、５質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜と同様に高い細胞接着抑制を示した。図１２（ｂ）に示す１質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上では細胞塊が接着していることが分かった。図１２（ｃ）に示す０．５質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上では細胞が明らかに接着および伸展しており、細胞接着抑制能の低下が認められた。
同様に、図１２（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に、実施例２で作製したＥｂＳ３１含有量ＰＳ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。なお、図１２（ｄ）～（ｆ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
図１２（ｄ）に示す２質量％ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上では、５質量％ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜と同様に高い細胞接着抑制を示した。図１２（ｅ）に示す１質量％ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上では細胞塊が接着していることが分かった。図１２（ｆ）に示す０．５質量％ＥｂＳ３１含有ＰＳ膜上では細胞が明らかに接着および伸展しており、細胞接着抑制能の低下が認められた。
以上の結果から、ＥｂＳ３１の含有量が５質量％又は２質量％のＰＭＭＡ膜およびＰＳ膜表面では高い接着抑制効果を示し、１質量％以下では細胞接着が認められた。２質量％のＥｂＳ３１を含有する樹脂上では、５質量％のＥｂＳ３１を含有する樹脂上のような凝集構造は認められなかったが、細胞接着抑制能は低下しないことが明らかとなった。
なお、ＥｂＳ３１の含有量が１質量％、又は０．５質量％の場合でも、ＥｂＳ３１非含有の場合と比べると、細胞接着抑制能を有している。
【0130】
＜実施例３＞
合成例１、合成例２、及び合成例４で得られたＰＥＯＭＡ、ＥｂＳ３１、及びＰＳｉＯＭＡをそれぞれＰＭＭＡに対して２質量％に成るようＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液と混合し、表面改質剤含有のＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＰＥＯＭＡ含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、及びＰＳｉＯＭＡ含有ＰＭＭＡ膜（試験例３－１では、これらを総称して「表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜」という）を得た。
合成例１、合成例２、及び合成例４で得られたＰＥＯＭＡ、ＥｂＳ３１、及びＰＳｉＯＭＡをそれぞれＰＭＭＡに対して２質量％に成るようＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液と混合し、表面改質剤含有のＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＰＥＯＭＡ含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、及びＰＳｉＯＭＡ含有ＰＭＭＡ膜（試験例３－１では、これらを総称して「表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜」という）を得た。
【0131】
＜比較例３－１＞
ＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液を調製し、ＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆した。
ＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液を調製し、ＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆した。
【0132】
＜比較例３－２＞
本発明の表面改質剤組成物と比較を行うため市販品であるオリゴエチレンオキシドとオリゴジメチルシロキサンの組成を有するＤＢＥ－７１２（Ｇｅｌｅｓｔ社製）をＰＭＭＡに対して１０質量％又は２質量％に成るようＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液と混合し、ＤＢＥ－７１２含有のＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＤＢＥ－７１２含有ＰＭＭＡ膜を得た。
本発明の表面改質剤組成物と比較を行うため市販品であるオリゴエチレンオキシドとオリゴジメチルシロキサンの組成を有するＤＢＥ－７１２（Ｇｅｌｅｓｔ社製）をＰＭＭＡに対して１０質量％又は２質量％に成るようＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液と混合し、ＤＢＥ－７１２含有のＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＤＢＥ－７１２含有ＰＭＭＡ膜を得た。
【0133】
＜試験例３－１＞
［細胞接着実験］
実施例３にて表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜を形成したガラス基板（以下コート基板と称する）を使用して、下記の実験法より細胞の接着実験を行った。
コート基板を２４ウェルの細胞培養プレートの底に静置した。表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜を滅菌水で３回洗浄した後に室温環境下のＰＢＳ中に３時間浸漬させた。マウス線維芽細胞（ＮＩＨ３Ｔ３）を５％ＣＯ２、３７℃環境下で１０％ウシ血清（ＦＢＳ）を含有するダルベッコ改変イーグル培地（ＦＢＳ含有ＤＭＥＭ）中で培養した。培養したＮＩＨ３Ｔ３細胞を滅菌ＰＢＳで一回洗浄し、３ｍＬの０．２５％トリプシン／０．０２％ エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）混合液を加え細胞培養プレートから剥がした。その細胞懸濁液を遠心してＮＩＨ３Ｔ３細胞を回収した後、ＦＣＳ含有ＤＭＥＭで再懸濁し７×１０４個／ｍＬの溶液を得た。
細胞懸濁液は、コート基板を固定した細胞培養プレートの各ウェルに対して５×１０４個／ｃｍ２となるように培地で調製し、コート基板上に播種した。５％ＣＯ２、３７℃環境下で１２時間培養した後、コート基板をＰＢＳで３回洗浄し、２％グルタールアルデヒドＰＢＳ溶液を用いて表面改質剤含有樹脂上に接着した細胞を固定化した。超純水で３回洗浄した後、ロータリー真空ポンプにて減圧乾燥した。０．０１質量％濃度のクリスタルバイオレット－ＰＢＳ染色液で接着した細胞を染色し、光学顕微鏡を用いて５視野任意に観察を行い接着した細胞の数を数えた。
図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に、実施例３で作製した表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。なお、図１３（ａ）～（ｄ）、（ｉ）及び（ｊ）は洗浄及び染色前の膜の光学顕微鏡画像である。図１３（ｅ）～（ｈ）、（ｋ）及び（ｌ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
図１３（ａ）、及び（ｅ）に示す２質量％ＰＥＯＭＡ含有ＰＭＭＡ膜上では、細胞接着抑制の傾向を示したが、僅かに細胞が接着する傾向が認められた。図１３（ｂ）、及び（ｆ）に示す２質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜はこれまでと同様に高い細胞接着抑制を示した。図１３（ｃ）、及び（ｇ）に示す２質量％ＰＳｉＯＭＡ含有ＰＭＭＡは細胞接着抑制を示さなかった。
同様に、図１３（ｄ）、及び（ｈ）に、比較例３－１で調製したＰＭＭＡ膜に対する細胞接着試験の結果を示す。
同様に、図１３（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、及び（ｌ）に、比較例３－２で調製した、ＤＢＥ－７１２含有ＰＭＭＡ膜に対する細胞接着試験の結果を示す。培養１２時間後では、１０質量％又は２質量％含有するＰＭＭＡ膜上には細胞がよく接着していることが確認された（図１３（ｉ）および（ｊ））。また、ＤＢＥ－７１２（Ｇｅｌｅｓｔ社製）をＰＭＭＡ膜に対して１０質量％又は２質量％含有するＰＭＭＡ膜上に接着した細胞を染色した結果、細胞は分散した状態でよく伸展していることが明らかとなった。これらの結果から、ＤＢＥ－７１２を含有する膜上では細胞の接着抑制が認められなかった。
［細胞接着実験］
実施例３にて表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜を形成したガラス基板（以下コート基板と称する）を使用して、下記の実験法より細胞の接着実験を行った。
コート基板を２４ウェルの細胞培養プレートの底に静置した。表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜を滅菌水で３回洗浄した後に室温環境下のＰＢＳ中に３時間浸漬させた。マウス線維芽細胞（ＮＩＨ３Ｔ３）を５％ＣＯ２、３７℃環境下で１０％ウシ血清（ＦＢＳ）を含有するダルベッコ改変イーグル培地（ＦＢＳ含有ＤＭＥＭ）中で培養した。培養したＮＩＨ３Ｔ３細胞を滅菌ＰＢＳで一回洗浄し、３ｍＬの０．２５％トリプシン／０．０２％ エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）混合液を加え細胞培養プレートから剥がした。その細胞懸濁液を遠心してＮＩＨ３Ｔ３細胞を回収した後、ＦＣＳ含有ＤＭＥＭで再懸濁し７×１０４個／ｍＬの溶液を得た。
細胞懸濁液は、コート基板を固定した細胞培養プレートの各ウェルに対して５×１０４個／ｃｍ２となるように培地で調製し、コート基板上に播種した。５％ＣＯ２、３７℃環境下で１２時間培養した後、コート基板をＰＢＳで３回洗浄し、２％グルタールアルデヒドＰＢＳ溶液を用いて表面改質剤含有樹脂上に接着した細胞を固定化した。超純水で３回洗浄した後、ロータリー真空ポンプにて減圧乾燥した。０．０１質量％濃度のクリスタルバイオレット－ＰＢＳ染色液で接着した細胞を染色し、光学顕微鏡を用いて５視野任意に観察を行い接着した細胞の数を数えた。
図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に、実施例３で作製した表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。なお、図１３（ａ）～（ｄ）、（ｉ）及び（ｊ）は洗浄及び染色前の膜の光学顕微鏡画像である。図１３（ｅ）～（ｈ）、（ｋ）及び（ｌ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
図１３（ａ）、及び（ｅ）に示す２質量％ＰＥＯＭＡ含有ＰＭＭＡ膜上では、細胞接着抑制の傾向を示したが、僅かに細胞が接着する傾向が認められた。図１３（ｂ）、及び（ｆ）に示す２質量％ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜はこれまでと同様に高い細胞接着抑制を示した。図１３（ｃ）、及び（ｇ）に示す２質量％ＰＳｉＯＭＡ含有ＰＭＭＡは細胞接着抑制を示さなかった。
同様に、図１３（ｄ）、及び（ｈ）に、比較例３－１で調製したＰＭＭＡ膜に対する細胞接着試験の結果を示す。
同様に、図１３（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、及び（ｌ）に、比較例３－２で調製した、ＤＢＥ－７１２含有ＰＭＭＡ膜に対する細胞接着試験の結果を示す。培養１２時間後では、１０質量％又は２質量％含有するＰＭＭＡ膜上には細胞がよく接着していることが確認された（図１３（ｉ）および（ｊ））。また、ＤＢＥ－７１２（Ｇｅｌｅｓｔ社製）をＰＭＭＡ膜に対して１０質量％又は２質量％含有するＰＭＭＡ膜上に接着した細胞を染色した結果、細胞は分散した状態でよく伸展していることが明らかとなった。これらの結果から、ＤＢＥ－７１２を含有する膜上では細胞の接着抑制が認められなかった。
【0134】
＜実施例４＞
合成例２、合成例３、及び合成例５で得られたＥｂＳ３１、ＥｂＳ８０、及びＥｒＳ３１をＰＭＭＡに対して２質量％に成るようＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液と混合し、表面改質剤含有のＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ８０含有ＰＭＭＡ膜、及びＥｒＳ３１含有ＰＭＭＡ膜（試験例４－１では、これらを総称して「表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜」という）を得た。
合成例２、合成例３、及び合成例５で得られたＥｂＳ３１、ＥｂＳ８０、及びＥｒＳ３１をＰＭＭＡに対して２質量％に成るようＰＭＭＡの４．５質量％トルエン溶液と混合し、表面改質剤含有のＰＭＭＡ塗工液とした。その塗工液をガラス基板またはシリコン基板に滴下し、スピンコーター（２０００ｒｐｍ，６０秒）を用いて被覆し、ＥｂＳ３１含有ＰＭＭＡ膜、ＥｂＳ８０含有ＰＭＭＡ膜、及びＥｒＳ３１含有ＰＭＭＡ膜（試験例４－１では、これらを総称して「表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜」という）を得た。
【0135】
＜比較例４＞
細胞培養用２４穴プレート（Ｔｈｅｒｍｏ ＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＴＭ ＮｕｎｃＴＭ 細胞培養用マルチディッシュ、ｃａｔ＃ １４２４７５）を比較サンプルのＴＣＰＳ基板として使用した。
細胞培養用２４穴プレート（Ｔｈｅｒｍｏ ＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＴＭ ＮｕｎｃＴＭ 細胞培養用マルチディッシュ、ｃａｔ＃ １４２４７５）を比較サンプルのＴＣＰＳ基板として使用した。
【0136】
＜試験例４－１＞
［細胞接着実験］
実施例４にて表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜を形成したガラス基板（以下コート基板と称する）を使用して、下記の実験法より細胞の接着実験を行った。
コート基板を２４ウェルの細胞培養プレートの底に静置した。コート基板を滅菌水で３回洗浄した後に室温環境下のＰＢＳ中に３時間浸漬させた。マウス線維芽細胞（ＮＩＨ３Ｔ３）を５％ＣＯ２、３７℃環境下で１０％ウシ血清（ＦＢＳ）を含有するダルベッコ改変イーグル培地（ＦＢＳ含有ＤＭＥＭ）中で培養した。培養したＮＩＨ３Ｔ３細胞を滅菌ＰＢＳで一回洗浄し、１ｍＬの０．０２％ エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）溶液と１ｍＬの０．２５％トリプシン溶液を加え細胞培養プレートから剥がした。その細胞懸濁液を遠心してＮＩＨ３Ｔ３細胞を回収した後、ＦＣＳ含有ＤＭＥＭで再懸濁し７×１０４個／ｍＬの溶液を得た。
細胞懸濁液は、コート基板を固定した細胞培養プレートの各ウェルに対して５×１０４個／ｃｍ２となるように培地で調製し、コート基板上に播種した。５％ＣＯ２、３７℃環境下で１２時、２４間、４８時間、又は７２時間培養し観察を行った。７２時間後にコート基板をＰＢＳで３回洗浄し、２％グルタールアルデヒドＰＢＳ溶液を用いて表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜上に接着した細胞を固定化した。超純水で３回洗浄し、０．０１質量％濃度のクリスタルバイオレット－ＰＢＳ染色液で接着した細胞を染色し風乾した。光学顕微鏡を用いて接着した細胞の観察を行った。
図１４に、実施例４で作製した表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。なお、図１４（ａ）～（ｏ）は洗浄及び染色前の膜の光学顕微鏡画像である。図１４（ｐ）～（ｙ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
ＥｂＳ３１又はＥｂＳ８０を含有するＰＭＭＡ膜上では１２時間から７２時間にかけて細胞は凝集し、球状な凝集塊を形成していた（図１４（ａ）、（ｂ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｋ）および（ｌ））。７２時間後では細胞の凝集塊がわずかに大きくなっていることからスフェロイド形成をしていることが示唆された（図１４（ｋ）および（ｌ））。
図１４（ｐ）、（ｑ）、（ｕ）および（ｖ）に、ＥｂＳ３１又はＥｂＳ８０を含有するＰＭＭＡ膜上で７２時間培養を行った後、膜表面を上述した洗浄および固定染色した再度顕微鏡観察を行った結果を示す。ほとんどの細胞凝集塊は膜表面の洗浄により表面から除去された。僅かな細胞凝集塊の接着が残存していたが、細胞の伸展は抑制されていることが明らかとなった。
図１４（ｃ）、（ｈ）および（ｍ）に、実施例４で作製したＥｒＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上で１２時間から７２時間にかけて細胞を培養した顕微鏡写真を示す（写真は、２４時間、４８時間、又は７２時間後の写真である）。ＥｒＳ３１を含有するＰＭＭＡ膜上も７２時間培養後では細胞の凝集塊の形成が認められた。しかしながら、その中で細胞の伸展が進行しない状態も観察された。７２時間後の洗浄および固定染色後のＥｒＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上では、細胞の凝集塊はあまり除去されずに強く接着していることが明らかとなった。
同様に、図１４（ｄ）、（ｉ）、（ｎ）、（ｓ）、及び（ｘ）に、比較例３－１で調製したＰＭＭＡ膜に対する細胞接着試験の結果を示す。
同様に、図１４（ｅ）、（ｊ）、（ｏ）、（ｔ）、及び（ｙ）に、比較例４で調製したＴＣＰＳ基板に対する細胞接着試験の結果を示す。
比較例に用いた表面改質剤非含有のＰＭＭＡ膜、又はＴＣＰＳ基板上では、よく細胞が接着し、また７２時間後では増殖していることもわかった（図１４；ＰＭＭＡ膜表面：（ｄ）、（ｉ）、（ｎ）、（ｓ）、及び（ｘ）、並びにＴＣＰＳ基板表面：（ｅ）、（ｊ）、（ｏ）、（ｔ）、及び（ｙ））。
結果として、ＥｂＳ３１はＥＯＭＡとＳｉＯＭＡの組成比が異なっていても細胞の接着抑制能は高かった。一方で、ランダム共重合体からなるＥｒＳ３１は組成比がＥｂＳ３１と同じであるにも関わらず、ＥｂＳ３１の方がより細胞接着抑制能が高かった。表面改質剤を含有していないＰＭＭＡ膜およびＴＣＰＳ基板上では細胞接着抑制の効果が認められないことから、ＥｂＳ（ＰＥＯＭＡ－ｂｌｏｃｋ－ＰＳｉＯＭＡ）を含有する樹脂表面が示す細胞接着抑制能は、ＥｂＳが樹脂表面に濃縮しＰＥＯＭＡ鎖が水界面に露出することによって得られる効果であることが示唆された。
［細胞接着実験］
実施例４にて表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜を形成したガラス基板（以下コート基板と称する）を使用して、下記の実験法より細胞の接着実験を行った。
コート基板を２４ウェルの細胞培養プレートの底に静置した。コート基板を滅菌水で３回洗浄した後に室温環境下のＰＢＳ中に３時間浸漬させた。マウス線維芽細胞（ＮＩＨ３Ｔ３）を５％ＣＯ２、３７℃環境下で１０％ウシ血清（ＦＢＳ）を含有するダルベッコ改変イーグル培地（ＦＢＳ含有ＤＭＥＭ）中で培養した。培養したＮＩＨ３Ｔ３細胞を滅菌ＰＢＳで一回洗浄し、１ｍＬの０．０２％ エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）溶液と１ｍＬの０．２５％トリプシン溶液を加え細胞培養プレートから剥がした。その細胞懸濁液を遠心してＮＩＨ３Ｔ３細胞を回収した後、ＦＣＳ含有ＤＭＥＭで再懸濁し７×１０４個／ｍＬの溶液を得た。
細胞懸濁液は、コート基板を固定した細胞培養プレートの各ウェルに対して５×１０４個／ｃｍ２となるように培地で調製し、コート基板上に播種した。５％ＣＯ２、３７℃環境下で１２時、２４間、４８時間、又は７２時間培養し観察を行った。７２時間後にコート基板をＰＢＳで３回洗浄し、２％グルタールアルデヒドＰＢＳ溶液を用いて表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜上に接着した細胞を固定化した。超純水で３回洗浄し、０．０１質量％濃度のクリスタルバイオレット－ＰＢＳ染色液で接着した細胞を染色し風乾した。光学顕微鏡を用いて接着した細胞の観察を行った。
図１４に、実施例４で作製した表面改質剤含有ＰＭＭＡ膜の表面に対する細胞接着実験の結果（光学顕微鏡画像）を示す。なお、図１４（ａ）～（ｏ）は洗浄及び染色前の膜の光学顕微鏡画像である。図１４（ｐ）～（ｙ）は洗浄及び染色後の膜の光学顕微鏡画像である。
ＥｂＳ３１又はＥｂＳ８０を含有するＰＭＭＡ膜上では１２時間から７２時間にかけて細胞は凝集し、球状な凝集塊を形成していた（図１４（ａ）、（ｂ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｋ）および（ｌ））。７２時間後では細胞の凝集塊がわずかに大きくなっていることからスフェロイド形成をしていることが示唆された（図１４（ｋ）および（ｌ））。
図１４（ｐ）、（ｑ）、（ｕ）および（ｖ）に、ＥｂＳ３１又はＥｂＳ８０を含有するＰＭＭＡ膜上で７２時間培養を行った後、膜表面を上述した洗浄および固定染色した再度顕微鏡観察を行った結果を示す。ほとんどの細胞凝集塊は膜表面の洗浄により表面から除去された。僅かな細胞凝集塊の接着が残存していたが、細胞の伸展は抑制されていることが明らかとなった。
図１４（ｃ）、（ｈ）および（ｍ）に、実施例４で作製したＥｒＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上で１２時間から７２時間にかけて細胞を培養した顕微鏡写真を示す（写真は、２４時間、４８時間、又は７２時間後の写真である）。ＥｒＳ３１を含有するＰＭＭＡ膜上も７２時間培養後では細胞の凝集塊の形成が認められた。しかしながら、その中で細胞の伸展が進行しない状態も観察された。７２時間後の洗浄および固定染色後のＥｒＳ３１含有ＰＭＭＡ膜上では、細胞の凝集塊はあまり除去されずに強く接着していることが明らかとなった。
同様に、図１４（ｄ）、（ｉ）、（ｎ）、（ｓ）、及び（ｘ）に、比較例３－１で調製したＰＭＭＡ膜に対する細胞接着試験の結果を示す。
同様に、図１４（ｅ）、（ｊ）、（ｏ）、（ｔ）、及び（ｙ）に、比較例４で調製したＴＣＰＳ基板に対する細胞接着試験の結果を示す。
比較例に用いた表面改質剤非含有のＰＭＭＡ膜、又はＴＣＰＳ基板上では、よく細胞が接着し、また７２時間後では増殖していることもわかった（図１４；ＰＭＭＡ膜表面：（ｄ）、（ｉ）、（ｎ）、（ｓ）、及び（ｘ）、並びにＴＣＰＳ基板表面：（ｅ）、（ｊ）、（ｏ）、（ｔ）、及び（ｙ））。
結果として、ＥｂＳ３１はＥＯＭＡとＳｉＯＭＡの組成比が異なっていても細胞の接着抑制能は高かった。一方で、ランダム共重合体からなるＥｒＳ３１は組成比がＥｂＳ３１と同じであるにも関わらず、ＥｂＳ３１の方がより細胞接着抑制能が高かった。表面改質剤を含有していないＰＭＭＡ膜およびＴＣＰＳ基板上では細胞接着抑制の効果が認められないことから、ＥｂＳ（ＰＥＯＭＡ－ｂｌｏｃｋ－ＰＳｉＯＭＡ）を含有する樹脂表面が示す細胞接着抑制能は、ＥｂＳが樹脂表面に濃縮しＰＥＯＭＡ鎖が水界面に露出することによって得られる効果であることが示唆された。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
