▶ ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023036563
(43)【公開日】2023-03-14
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20230307BHJP
B01J 3/03 20060101ALI20230307BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 Z
B01J3/03 A
B01J3/03 J
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022139868
(22)【出願日】2022-09-02
(31)【優先権主張番号】10-2021-0117027
(32)【優先日】2021-09-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2021-0117029
(32)【優先日】2021-09-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2021-0123220
(32)【優先日】2021-09-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2022-0100376
(32)【優先日】2022-08-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】316008145
【氏名又は名称】ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＷＯＮＩＫ ＩＰＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】７５，Ｊｉｎｗｉｓａｎｄａｎ－ｒｏ，Ｊｉｎｗｉ－ｍｙｅｏｎ，Ｐｙｅｏｎｇｔａｅｋ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，１７７０９，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002262
【氏名又は名称】ＴＲＹ国際弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ノ ソンホ
(72)【発明者】
【氏名】イ ジョンファン
(72)【発明者】
【氏名】ジョン チョンファン
(72)【発明者】
【氏名】キム テドン
(72)【発明者】
【氏名】キム ヨンジュン
(72)【発明者】
【氏名】クム ムンチョル
(72)【発明者】
【氏名】パク チャンス
(72)【発明者】
【氏名】キム ミスク
(72)【発明者】
【氏名】キム ヨンギ
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高圧及び低圧の変圧によって基板処理が行われる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、底面１２０の中心側に取り付け溝１３０を含むチャンバ本体１１０と、チャンバ本体の取り付け溝に内挿されるように設けられ、上面に基板１が載置される基板支持部２００と、内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が取り付け溝に隣接した底面と密着して内部空間を基板支持部が位置する密閉された処理空間Ｓ２と、それ以外の非処理空間Ｓ１に分割するインナーリード部３００と、処理空間と連通し、処理空間に対する圧力を調節する第１圧力調節部４００と、非処理空間と連通し、処理空間と独立して非処理空間に対する圧力を調節する第２圧力調節部５００と、第１圧力調節部及び第２圧力調節部を介した処理空間及び非処理空間に対する圧力調節を制御する制御部と、を含む。
【選択図】図１
【解決手段】基板処理装置は、底面１２０の中心側に取り付け溝１３０を含むチャンバ本体１１０と、チャンバ本体の取り付け溝に内挿されるように設けられ、上面に基板１が載置される基板支持部２００と、内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が取り付け溝に隣接した底面と密着して内部空間を基板支持部が位置する密閉された処理空間Ｓ２と、それ以外の非処理空間Ｓ１に分割するインナーリード部３００と、処理空間と連通し、処理空間に対する圧力を調節する第１圧力調節部４００と、非処理空間と連通し、処理空間と独立して非処理空間に対する圧力を調節する第２圧力調節部５００と、第１圧力調節部及び第２圧力調節部を介した処理空間及び非処理空間に対する圧力調節を制御する制御部と、を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
上部が開放され、底面の中心側に取り付け溝が形成され、一側に基板を搬出入するためのゲートを含むチャンバ本体と、前記チャンバ本体の上部に結合され、内部空間を形成するトップリードを含むプロセスチャンバと、
前記チャンバ本体の前記取り付け溝に内挿されるように設けられ、上面に基板が載置される基板支持部と、
前記内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記取り付け溝に隣接した前記底面と密着して、前記内部空間を前記基板支持部が位置する密閉された処理空間と、それ以外の非処理空間に分割するインナーリード部と、
前記処理空間と連通し、前記処理空間に対する圧力を調節する第１圧力調節部と、
前記非処理空間と連通し、前記処理空間と独立して前記非処理空間に対する圧力を調節する第２圧力調節部と、
前記第１圧力調節部及び前記第２圧力調節部を介した前記処理空間及び前記非処理空間に対する圧力調節を制御する制御部と、
を含むことを特徴とする基板処理装置。
前記チャンバ本体の前記取り付け溝に内挿されるように設けられ、上面に基板が載置される基板支持部と、
前記内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記取り付け溝に隣接した前記底面と密着して、前記内部空間を前記基板支持部が位置する密閉された処理空間と、それ以外の非処理空間に分割するインナーリード部と、
前記処理空間と連通し、前記処理空間に対する圧力を調節する第１圧力調節部と、
前記非処理空間と連通し、前記処理空間と独立して前記非処理空間に対する圧力を調節する第２圧力調節部と、
前記第１圧力調節部及び前記第２圧力調節部を介した前記処理空間及び前記非処理空間に対する圧力調節を制御する制御部と、
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
前記第１圧力調節部は、
前記処理空間にプロセスガスを供給する第１ガス供給部と、前記処理空間に対する排気を行う第１ガス排気部とを含み、
前記第２圧力調節部は、
前記プロセスチャンバの一側面に形成されるガス排気孔に連結され、前記非処理空間に対する排気を行う第２ガス排気部と、前記プロセスチャンバの他側面に形成されるガス供給孔に連結されることにより、前記非処理空間と連通して前記非処理空間に充填ガスを供給する第２ガス供給部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記処理空間にプロセスガスを供給する第１ガス供給部と、前記処理空間に対する排気を行う第１ガス排気部とを含み、
前記第２圧力調節部は、
前記プロセスチャンバの一側面に形成されるガス排気孔に連結され、前記非処理空間に対する排気を行う第２ガス排気部と、前記プロセスチャンバの他側面に形成されるガス供給孔に連結されることにより、前記非処理空間と連通して前記非処理空間に充填ガスを供給する第２ガス供給部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記制御部は、
前記インナーリード部が上昇して前記処理空間及び前記非処理空間が互いに連通した状態で、前記第１ガス供給部を介してパージガスを供給し、前記第２ガス排気部を介して排気を行うことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記インナーリード部が上昇して前記処理空間及び前記非処理空間が互いに連通した状態で、前記第１ガス供給部を介してパージガスを供給し、前記第２ガス排気部を介して排気を行うことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記制御部は、
前記インナーリード部の上昇前に、前記処理空間と前記非処理空間の圧力が互い等しくなるように、前記第１圧力調節部及び前記第２圧力調節部の少なくとも一つを制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記インナーリード部の上昇前に、前記処理空間と前記非処理空間の圧力が互い等しくなるように、前記第１圧力調節部及び前記第２圧力調節部の少なくとも一つを制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記制御部は、
前記第１圧力調節部を介して基板処理のために、前記基板が載置される前記処理空間の圧力を常圧より高い第１圧力と常圧より低い第２圧力との間で変圧することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１圧力調節部を介して基板処理のために、前記基板が載置される前記処理空間の圧力を常圧より高い第１圧力と常圧より低い第２圧力との間で変圧することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記制御部は、
基板処理が行われる間、前記第２圧力調節部を介して前記非処理空間の圧力を真空に維持することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
基板処理が行われる間、前記第２圧力調節部を介して前記非処理空間の圧力を真空に維持することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記制御部は、
基板処理が行われる間、前記第２圧力調節部を介して前記非処理空間の圧力を前記処理空間の圧力より低く維持することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
基板処理が行われる間、前記第２圧力調節部を介して前記非処理空間の圧力を前記処理空間の圧力より低く維持することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記制御部は、
基板処理のために、前記第１圧力調節部を介して前記処理空間の圧力を前記第１圧力から前記第２圧力を経て前記第１圧力に順次に複数回繰り返し変圧することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
基板処理のために、前記第１圧力調節部を介して前記処理空間の圧力を前記第１圧力から前記第２圧力を経て前記第１圧力に順次に複数回繰り返し変圧することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記第１圧力調節部は、
前記処理空間と連通するように設けられ、前記処理空間にプロセスガスを供給し、前記基板支持部の縁に隣接して設けられる第１ガス供給部を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記処理空間と連通するように設けられ、前記処理空間にプロセスガスを供給し、前記基板支持部の縁に隣接して設けられる第１ガス供給部を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記第１圧力調節部は、
前記処理空間と連通するように設けられ、前記処理空間にプロセスガスを供給する第１ガス供給部を含み、
前記第１ガス供給部は、
前記取り付け溝の縁に設けられ、前記プロセスガスを噴射するガス噴射部と、前記プロセスチャンバの下部面を貫通して備えられ、外部から前記プロセスガスを前記ガス噴射部に供給するガス供給流路と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記処理空間と連通するように設けられ、前記処理空間にプロセスガスを供給する第１ガス供給部を含み、
前記第１ガス供給部は、
前記取り付け溝の縁に設けられ、前記プロセスガスを噴射するガス噴射部と、前記プロセスチャンバの下部面を貫通して備えられ、外部から前記プロセスガスを前記ガス噴射部に供給するガス供給流路と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記インナーリード部は、
前記内部空間で上下移動するインナーリードと、前記インナーリード内部に前記処理空間と連通して備えられるガス供給流路と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記内部空間で上下移動するインナーリードと、前記インナーリード内部に前記処理空間と連通して備えられるガス供給流路と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記第１圧力調節部は、
前記インナーリード部の下部に配置され、前記ガス供給流路を介して伝達されるプロセスガスを前記処理空間に噴射する第１ガス供給部を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
前記インナーリード部の下部に配置され、前記ガス供給流路を介して伝達されるプロセスガスを前記処理空間に噴射する第１ガス供給部を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記第１ガス供給部は、
前記インナーリード部の下側に配置され、多数の噴射孔が備えられる噴射プレートを含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
前記インナーリード部の下側に配置され、多数の噴射孔が備えられる噴射プレートを含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記第１ガス供給部は、
前記噴射プレートの縁を支持し、前記インナーリード部の底面に結合する噴射プレート支持部と、前記噴射プレート支持部を貫通して前記インナーリード部に結合する複数の締結部材と、をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
前記噴射プレートの縁を支持し、前記インナーリード部の底面に結合する噴射プレート支持部と、前記噴射プレート支持部を貫通して前記インナーリード部に結合する複数の締結部材と、をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記インナーリードは、
底面に前記第１ガス供給部の少なくとも一部が挿入されて設けられる挿入取り付け溝が形成され、
前記第１ガス供給部は、
前記挿入取り付け溝に挿入されて設けられた状態で、底面が前記インナーリード底面と平面をなすことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
底面に前記第１ガス供給部の少なくとも一部が挿入されて設けられる挿入取り付け溝が形成され、
前記第１ガス供給部は、
前記挿入取り付け溝に挿入されて設けられた状態で、底面が前記インナーリード底面と平面をなすことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記プロセスチャンバは、
前記インナーリード部と接触する下部面に外部から導入されるプロセスガスが伝達されるように備えられるガス導入流路を含み、
前記インナーリード部は、
下降を通じて前記底面と密着することにより、前記ガス導入流路と前記ガス供給流路とを連結し、前記ガス供給流路にプロセスガスが供給されることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
前記インナーリード部と接触する下部面に外部から導入されるプロセスガスが伝達されるように備えられるガス導入流路を含み、
前記インナーリード部は、
下降を通じて前記底面と密着することにより、前記ガス導入流路と前記ガス供給流路とを連結し、前記ガス供給流路にプロセスガスが供給されることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記第１圧力調節部は、
前記処理空間に対する排気を通じて前記処理空間の圧力を常圧より高い圧力に制御する高圧制御部と、前記処理空間に対するポンプを介して前記処理空間の圧力を常圧より低い圧力に制御するポンプ制御部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記処理空間に対する排気を通じて前記処理空間の圧力を常圧より高い圧力に制御する高圧制御部と、前記処理空間に対するポンプを介して前記処理空間の圧力を常圧より低い圧力に制御するポンプ制御部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記高圧制御部は、
前記処理空間と外部排気装置との間が連通するように設けられる高圧排気ラインと、前記高圧排気ライン上に設けられ、前記処理空間の圧力を常圧より高い圧力に制御するように、前記処理空間から前記外部排気装置に流れるプロセスガスの量を制御する高圧制御バルブと、を含み、
前記ポンプ制御部は、
前記処理空間と外部真空ポンプとの間が連通するように設けられるポンプ排気ラインと、前記ポンプ排気ライン上に設けられ、前記処理空間の圧力を常圧より低い圧力に制御するように、前記処理空間から前記外部真空ポンプに流れる前記プロセスガスの量を制御するポンプ制御バルブと、を含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
前記処理空間と外部排気装置との間が連通するように設けられる高圧排気ラインと、前記高圧排気ライン上に設けられ、前記処理空間の圧力を常圧より高い圧力に制御するように、前記処理空間から前記外部排気装置に流れるプロセスガスの量を制御する高圧制御バルブと、を含み、
前記ポンプ制御部は、
前記処理空間と外部真空ポンプとの間が連通するように設けられるポンプ排気ラインと、前記ポンプ排気ライン上に設けられ、前記処理空間の圧力を常圧より低い圧力に制御するように、前記処理空間から前記外部真空ポンプに流れる前記プロセスガスの量を制御するポンプ制御バルブと、を含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
【請求項19】
前記第２ガス排気部は、
前記ガス排気孔と外部排気装置との間が連通するように設けられる非処理空間排気ラインと、前記非処理空間排気ライン上に設けられ、前記非処理空間の圧力を常圧より高い圧力に制御するように、前記非処理空間から前記外部排気装置に流れる充填ガスの量を制御する非処理空間高圧制御バルブと、を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記ガス排気孔と外部排気装置との間が連通するように設けられる非処理空間排気ラインと、前記非処理空間排気ライン上に設けられ、前記非処理空間の圧力を常圧より高い圧力に制御するように、前記非処理空間から前記外部排気装置に流れる充填ガスの量を制御する非処理空間高圧制御バルブと、を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項20】
前記第２ガス排気部は、
前記ガス排気孔と外部真空ポンプとの間が連通するように設けられる非処理空間ポンプ排気ラインと、前記非処理空間ポンプ排気ライン上に設けられ、前記非処理空間の圧力を常圧より低い圧力に制御するように、前記非処理空間から前記外部真空ポンプに流れる充填ガスの量を制御する非処理空間ポンプ制御バルブと、を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記ガス排気孔と外部真空ポンプとの間が連通するように設けられる非処理空間ポンプ排気ラインと、前記非処理空間ポンプ排気ライン上に設けられ、前記非処理空間の圧力を常圧より低い圧力に制御するように、前記非処理空間から前記外部真空ポンプに流れる充填ガスの量を制御する非処理空間ポンプ制御バルブと、を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置に関し、より詳細には、高圧及び低圧の変圧によって基板処理が行われる基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
基板処理装置は、ウエハなどの基板に対する工程を処理するものであり、一般に基板に対するエッチング、蒸着、熱処理などを行うことができる。
【0003】
このとき、基板上に蒸着による成膜する場合、基板の薄形成後の膜内不純物除去及び膜の特性を改善するための工程が求められている。
【0004】
特に、３次元半導体素子、高いアスペクト比を有する基板の登場に応じてステップカバレッジの規格を満たすために蒸着温度をより低温化するか、不純物の含量の高いガスを必然的に使用することより、膜内の不純物除去がさらに難しくなっている実状である。
【0005】
従って、基板上に薄膜形成後の薄膜特性の劣化がなくても薄膜内に存在する不純物を除去して薄膜の特性を改善することができる基板処理方法とこれを行う基板処理装置が求められている。
【0006】
また、基板上の薄膜だけでなく、チャンバ内部に残っている微量の不純物などにより、蒸着される薄膜が汚染されるなどの問題があり、これにより、基板を支持する基板支持部を含むチャンバ内部に対する不純物の除去などが必要である。
【0007】
このような問題点を改善するために、従来の特許文献１は、高圧及び低圧の雰囲気を繰り返し形成し、基板表面及びチャンバ内部の不完全性を低減して薄膜の特性を改善する基板処理方法を開示した。
【0008】
しかし、従来の基板処理装置に前述した基板処理方法を適用する場合、基板を処理する処理空間の容積が比較的大きいため、速い圧力変化速度を実現できない問題があった。
【0009】
また、従来の基板処理装置は、低圧である０．０１Ｔｏｒｒから高圧である５Ｂａｒレベルの広い圧力範囲を短時間で繰り返し行う工程を実現できないという問題があった。
【0010】
このような問題点を改善するために、従来の基板処理装置に処理空間の容積を最小化したが、処理空間内にプロセスガスを供給するためのガス供給部の構成により依然としてデッドボリュームが増加する問題があった。
【0011】
また、制限された処理空間内の容積を最小化しながらガス供給部を別途設けなければならないことから、基板支持部に隣接した位置にガス供給部を配置しており、これにより、基板縁側からプロセスガスが供給され、基板中心側までスムーズにプロセスガスが伝達できず、均一な基板処理が行えないという問題があった。
【0012】
特に、従来の基板処理装置は、基板支持部とガス供給部との間に処理空間を排気するためのポンプ流路が形成されているが、基板中心側までプロセスガスが伝達されないという問題があった。
【0013】
また、従来の基板処理装置は、高圧と低圧との間の繰り返し変圧により基板処理を行うことにより、密閉された処理空間のためのシールの損傷が容易に生じ、これにより、高圧環境で内部のプロセスガスが漏れるか、低圧環境で外部の不純物が流入しやすい問題があった。
【0014】
この場合、プロセスチャンバの外部にプロセスガスなどの有害物質が漏れる問題があった。
【0015】
また、従来の基板処理装置は、高圧と低圧が繰り返し変圧される処理空間に対する排気を単一ラインで行うことにより、外部に連結される外部真空ポンプが高圧に曝され、損傷するなど耐久性が低下する問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0016】
【特許文献1】韓国 特許出願第１０－２０２１－００４５２９４Ａ号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0017】
本発明の目的は、前記の問題を解決するために、不純物の流入を防止してプロセスガスの外部漏出を防止して基板処理品質と安全性が向上される基板処理装置を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本発明は、前記のような本発明の目的を達成するために創出されたものであり、本発明は、上部が開放され、底面の中心側に取り付け溝が形成され、一側に基板を搬出入するためのゲートを含むチャンバ本体と、前記チャンバ本体の上部に結合され、内部空間を形成するトップリードを含むプロセスチャンバと、前記チャンバ本体の前記取り付け溝に内挿されるように設けられ、上面に基板が載置される基板支持部と、前記内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記取り付け溝に隣接した前記底面と密着して、前記内部空間を前記基板支持部が位置する密閉された処理空間と、それ以外の非処理空間に分割するインナーリード部と、前記処理空間と連通し、前記処理空間に対する圧力を調節する第１圧力調節部と、前記非処理空間と連通し、前記処理空間と独立して前記非処理空間に対する圧力を調節する第２圧力調節部と、前記第１圧力調節部及び前記第２圧力調節部を介した前記処理空間及び前記非処理空間に対する圧力調節を制御する制御部と、を含むことを特徴とする基板処理装置を開示する。
【0019】
前記第１圧力調節部は、前記処理空間にプロセスガスを供給する第１ガス供給部と、前記処理空間に対する排気を行う第１ガス排気部とをことができる。
【0020】
前記第２圧力調節部は、前記プロセスチャンバの一側面に形成されるガス排気孔に連結され、前記非処理空間に対する排気を行う第２ガス排気部を含むことができる。
【0021】
前記第２圧力調節部は、前記プロセスチャンバの他側面に形成されるガス供給孔に連結されることにより、前記非処理空間と連通して前記非処理空間に充填ガスを供給する第２ガス供給部を含むことができる。
【0022】
前記第２圧力調節部は、前記非処理空間に対する排気を行う第２ガス排気部と、前記非処理空間と連通して前記非処理空間に充填ガスを伝達する第２ガス供給部と、を含み、前記第２ガス供給部は、前記プロセスチャンバの一側面に形成されるガス供給孔であり、前記第２ガス排気部は、前記プロセスチャンバの他側面に形成されるガス排気孔であってもよい。
【0023】
前記制御部は、前記インナーリード部が上昇して前記処理空間及び前記非処理空間が互いに連通した状態で、前記第１ガス供給部を介してパージガスを供給し、前記第２ガス排気部を介して排気を行うことができる。
【0024】
前記制御部は、前記インナーリード部の上昇前に、前記処理空間と前記非処理空間の圧力が互い等しくなるように、前記第１圧力調節部及び前記第２圧力調節部の少なくとも一つを制御することができる。
【0025】
前記制御部は、前記第１圧力調節部を介して基板処理のために、前記基板が載置される前記処理空間の圧力を常圧より高い第１圧力と常圧より低い第２圧力との間で変圧することができる。
【0026】
前記制御部は、前記第２圧力調節部を介して基板処理が行われる間、前記非処理空間の圧力を一定に維持することができる。
【0027】
前記制御部は、前記第２圧力調節部を介して基板処理が行われる間、前記非処理空間の圧力を真空に維持することができる。
【0028】
前記制御部は、前記第２圧力調節部の前記非処理空間に対する排気を通じて前記非処理空間の圧力を調節することができる。
【0029】
前記制御部は、前記第２圧力調節部を介して前記非処理空間に充填ガスを供給し、前記非処理空間の圧力を調節することができる。
【0030】
前記制御部は、前記第２圧力調節部を介して基板処理が行われる間、前記非処理空間の圧力を前記処理空間の圧力より低く維持することができる。
【0031】
前記制御部は、前記第２圧力調節部を介して基板処理が行われる間、前記非処理空間の圧力を前記第２圧力に維持することができる。
【0032】
前記制御部は、前記第１圧力調節部を介して前記第１圧力から常圧に前記処理空間の圧力を下降させ、常圧から真空の前記第２圧力に前記処理空間の圧力を段階的に下降させることができる。
【0033】
前記制御部は、基板処理のために、前記第１圧力調節部を介して前記処理空間の圧力を前記第１圧力から前記第２圧力を経て前記第１圧力に順次に複数回繰り返し変圧することができる。
【0034】
前記第１圧力調節部は、前記処理空間と連通するように設けられ、前記処理空間にプロセスガスを供給し、前記基板支持部の縁に隣接して設けられるガス供給部を含むことができる。
【0035】
前記第１圧力調節部は、前記処理空間と連通するように設けられ、前記処理空間にプロセスガスを供給するガス供給部を含み、前記ガス供給部は、前記取り付け溝の縁に設けられ、前記プロセスガスを噴射するガス噴射部と、前記プロセスチャンバの下部面を貫通して備えられ、外部から前記プロセスガスを前記ガス噴射部に供給するガス供給流路と、をことができる。
【0036】
前記インナーリード部は、前記内部空間で上下移動するインナーリードと、前記インナーリード内部に前記処理空間と連通して備えられるガス供給流路と、を含むことができる。
【0037】
前記インナーリード部の下部に配置され、前記ガス供給流路を介して伝達されるプロセスガスを前記処理空間に噴射するガス供給部をさらに含むことができる。
【0038】
前記ガス供給部は、前記インナーリード部の下側に配置され、多数の噴射孔が備えられる噴射プレートを含むことができる。
【0039】
前記ガス供給部は、前記噴射プレートの縁を支持し、前記インナーリード部の底面に結合する噴射プレート支持部を含むことができる。
【0040】
前記ガス供給部は、前記噴射プレート支持部を貫通して前記インナーリード部に結合する複数の締結部材をさらに含むことができる。
【0041】
前記噴射プレートは、前記インナーリード部と間に前記プロセスガスが拡散する拡散空間を形成するように、前記インナーリード部の下側に離隔配置することができる。
【0042】
前記噴射プレートは、金属又は石英材質で形成されてもよい。
【0043】
前記噴射プレート支持部は、内面に中心側に向かって突出されて形成され、前記噴射プレート底面縁が載置される支持端差を含むことができる。
【0044】
前記インナーリードは、底面に前記ガス供給部の少なくとも一部が挿入されて設けられる挿入取り付け溝が形成されてもよい。
【0045】
前記挿入取り付け溝は、内面が縁から中心側に行くほど上側に高くなる傾斜が形成されてもよい。
【0046】
前記ガス供給部は、前記挿入取り付け溝に挿入されて設けられた状態で、底面が前記インナーリード底面と平面をなすことができる。
【0047】
前記インナーリードは、底面の中心側に前記ガス供給流路終端と連結されるガス導入溝が形成されてもよい。
【0048】
前記ガス供給部は、前記ガス導入溝に挿入配置されて供給される前記プロセスガスを拡散する拡散部材をさらに含むことができる。
【0049】
前記拡散部材は、中心へ行くほど、高さが高くなるように側面に傾斜面が形成されてもよい。
【0050】
前記プロセスチャンバは、前記インナーリード部と接触する下部面に、外部から導入される前記プロセスガスが伝達されるように備えられるガス導入流路を含み、前記インナーリード部は、下降を通じて前記底面と密着することにより、前記ガス導入流路と前記ガス供給流路とを連結し、前記ガス供給流路にプロセスガスが供給され得る。
【0051】
前記ガス供給流路は、前記インナーリードの縁側の前記ガス導入流路に対応する位置に備えられ、前記ガス導入流路と連結される垂直供給流路と、前記垂直供給流路から前記インナーリード中心側に備えられる水平供給流路を含むことができる。
【0052】
前記第１圧力調節部は、前記処理空間に対する排気を通じて前記処理空間の圧力を常圧より高い圧力に制御する高圧制御部と、前記処理空間に対するポンプを介して前記処理空間の圧力を常圧より低い圧力に制御するポンプ制御部と、を含むことができる。
【0053】
前記高圧制御部は、前記処理空間と外部排気装置との間が連通するように設けられる高圧排気ラインと、前記高圧排気ライン上に設けられ、前記処理空間の圧力を常圧より高い圧力に制御するように、前記処理空間から前記外部排気装置に流れる前記プロセスガスの量を制御する高圧制御バルブと、を含み、前記ポンプ制御部は、前記処理空間と外部真空ポンプとの間が連通するように設けられるポンプ排気ラインと、前記ポンプ排気ライン上に設けられ、前記処理空間の圧力を常圧より低い圧力に制御するように、前記処理空間から前記外部真空ポンプに流れる前記プロセスガスの量を制御するポンプ制御バルブと、を含むことができる。
【0054】
前記第２ガス排気部は、前記ガス排気孔と外部排気装置との間が連通するように設けられる非処理空間排気ラインと、前記非処理空間排気ライン上に設けられ、前記非処理空間の圧力を常圧より高い圧力に制御するように、前記非処理空間から前記外部排気装置に流れる充填ガスの量を制御する非処理空間高圧制御バルブと、を含むことができる。
【0055】
前記第２ガス排気部は、前記ガス排気孔と外部真空ポンプとの間が連通するように設けられる非処理空間ポンプ排気ラインと、前記非処理空間ポンプ排気ライン上に設けられ、前記非処理空間の圧力を常圧より低い圧力に制御するように、前記非処理空間から前記外部真空ポンプに流れる充填ガスの量を制御する非処理空間ポンプ制御バルブと、を含むことができる。
【発明の効果】
【0056】
本発明による基板処理装置は、チャンバ内部の基板が処理される処理空間の容積を最小化して、広い圧力範囲の圧力変化速度を向上させることができ、これにより、低圧の０．０１Ｔｏｒｒから高圧の５Ｂａｒまで１Ｂａｒ／ｓの高い変化速度で圧力変化が可能な利点がある。
【0057】
また、本発明による基板処理装置は、基板支持部の上側でプロセスガスを噴射するにつれて、基板支持部の隣接位置に別途のガス供給部の構成設置を省略して、デッドボリュームを低減し、容積最小化が可能な利点がある。
【0058】
また、本発明による基板処理装置は、基板支持部の上側で基板に向けてプロセスガスを噴射するにつれて、基板の縁側だけでなく、中心側に対するスムーズなプロセスガス供給が可能であり、これにより、均一な基板処理が可能な利点がある。
【0059】
また、本発明による基板処理装置は、処理空間とプロセスチャンバの外部空間との間に非処理空間の一種のバッファー空間を形成することで、処理空間のプロセスガスなどの有害物質のプロセスチャンバ外部への流出を防止することによって、基板処理の安全性を向上させることができる利点がある。
【0060】
また、本発明による基板処理装置は、処理空間とプロセスチャンバの外部空間との間に非処理空間を形成し、非処理空間の圧力を制御することによって、処理空間への不純物などの流入を防止して、基板処理の品質を向上させることができる利点がある。
【0061】
また、本発明による基板処理装置は、処理空間の排気を圧力に応じて二元化することによって、処理空間に対する排気効率を増大させ、装置構成の耐久性を向上させることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【0062】
【発明を実施するための形態】
【0063】
以下、本発明による基板処理装置について、添付図面を参照して説明すれば以下の通りである。
【0064】
本発明による基板処理装置は、図１に示されるように、上部が開放され、底面１２０の中心側に取り付け溝１３０が形成され、一側に基板１を搬出入するためのゲート１１１を含むチャンバ本体１１０と、前記チャンバ本体１１０の上部に結合され、非処理空間Ｓ１を形成するトップリード１４０を含むプロセスチャンバ１００と、前記チャンバ本体１１０の前記取り付け溝１３０に内挿されるように設けられ、上面に基板１が載置される基板支持部２００と、前記内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記取り付け溝１３０に隣接した前記底面１２０と密着して、前記基板支持部２００が内部に位置する密閉された処理空間Ｓ２を形成するインナーリード部３００と、前記処理空間Ｓ２と連通し、前記処理空間Ｓ２に対する圧力を調節する第１圧力調節部４００と、前記非処理空間Ｓ１と連通し、前記処理空間Ｓ２と独立して前記非処理空間Ｓ１に対する圧力を調節する第２圧力調節部５００と、を含む。
【0065】
また、本発明による基板処理装置は、前記プロセスチャンバ１００の上部面を貫通して設けられ、前記インナーリード部３００の上下移動を駆動するインナーリード駆動部６００をさらに含むことができる。
【0066】
また、本発明による基板処理装置は、第１圧力調節部４００及び第２圧力調節部５００を介した処理空間Ｓ２及び非処理空間Ｓ１に対する圧力調節を制御する制御部をさらに含むことができる。
【0067】
また、本発明による基板処理装置は、基板支持部２００と取り付け溝１３０の内面との間に設けられ、基板支持部２００と取り付け溝１３０の内面との間の空間の少なくとも一部を占める充填部材７００を含むことができる。
【0068】
また、本発明による基板処理装置は、プロセスチャンバ１００に導入及び搬出する基板１を支持し、基板支持部に２００に載置される基板支持ピン部８００をさらに含むことができる。
【0069】
ここで、処理対象となる基板１は、ＬＣＤ、ＬＥＤ、ＯＬＥＤなどの表示装置に使用する基板、半導体基板、太陽電池基板、ガラス基板などのすべての基板を含む意味する。
【0070】
前記プロセスチャンバ１００は、内部に非処理空間Ｓ１が形成される構成であり、様々な構成が可能である。
【0071】
例えば、前記プロセスチャンバ１００は、上部が開放されたチャンバ本体１１０とチャンバ本体１１０の開放された上部を覆い、チャンバ本体１１０と共に密閉された非処理空間Ｓ１を形成するトップリード１４０を含むことができる。
【0072】
また、前記プロセスチャンバ１００は、非処理空間Ｓ１の底を形成する底面１２０と、底面１２０に基板支持部２００が設けられるように形成される取り付け溝１３０を含むことができる。
【0073】
また、前記プロセスチャンバ１００は、基板１を搬出入するためにチャンバ本体１１０の一側に形成されるゲート１１１を開閉するためのゲートバルブ１５０をさらに含むことができる。
【0074】
また、前記プロセスチャンバ１００は、後記する基板支持部８００のうち、基板支持リング８２０が設けられるために下部面に形成される支持ピン取り付け溝１６０をさらに含むことができる。
【0075】
また、前記プロセスチャンバ１００は、インナーリード部３００と接触する下部面に外部から導入されるプロセスガスを伝達するように備えられるガス導入流路１９０を含むことができる。
【0076】
また、前記プロセスチャンバ１００は、一側に後記する第２ガス供給部５１０が連結され、充填ガスを非処理空間Ｓ１に供給するように備えられるガス供給孔１７０をさらに含むことができる。
【0077】
また、前記プロセスチャンバ１００は、他側に後記する第２ガス排気部５２０が連結され、非処理空間Ｓ１を排気下記するように備えられるガス排気孔１８０をさらに含むことができる。
【0078】
前記チャンバ本体１１０は、上部が開放され、後記するトップリード１４０と共に内部に密閉された非処理空間Ｓ１を形成することができる。
【0079】
このとき、前記チャンバ本体１１０は、アルミニウムをはじめとする金属材質で構成することができ、別の例として、石英材質で構成すことができ、従来開示されたチャンバと共に直方体形態であってもよい。
【0080】
前記トップリード１４０は、上部が開放されたチャンバ本体１１０の上側に結合され、チャンバ本体１１０と共に内部に密閉された非処理空間Ｓ１を形成する構成であってもよい。
【0081】
このとき、前記トップリード１４０は、チャンバ本体１１０の形状に対応して平面上、長方形の形状であってもよく、チャンバ本体１１０と同じ材質で構成されてもよい。
【0082】
また、前記トップリード１４０は、後記するインナーリード駆動部６００が貫通して設けられるように、複数の貫通孔が形成されてもよく、底面に、後記する第１ベローズ６３０の終端が結合され、外部への各種ガス及び異質物の漏れを防止することができる。
【0083】
一方、前記トップリード１４０の構成を省略し、前記チャンバ本体１１０が内部に密閉された非処理空間Ｓ１を形成する一体型に形成してもよいことは勿論である。
【0084】
前記プロセスチャンバ１００は、内側の下部面が非処理空間Ｓ１の底を形成する底面１２０と、底面１２０に、後記する基板支持部２００が設けられるように形成される取り付け溝１３０を含むことができる。
【0085】
より具体的に、前記プロセスチャンバ１００は、図１に示されるように、下部面の中心側に、後記する基板支持部２００に対応して、段差を有して取り付け溝１３０が形成されてもよく、取り付け溝１３０の縁に底面１２０が構成されてもよい。
【0086】
即ち、前記プロセスチャンバ１００は、内側の下部面に基板支持部２００が設けられるための取り付け溝１３０が段差を有して形成され、それ以外の部分は、底面１２０と定義され、取り付け溝１３０より高い高さに形成することができる。
【0087】
前記ゲートバルブ１５０は、基板１を搬出入するためにチャンバ本体１１０の一側に形成されるゲート１１１を開閉するための構成であり、様々な構成が可能である。
【0088】
このとき、前記ゲートバルブ１５０は、上下駆動及び前後退駆動を介してチャンバ本体１１０と密着又は解除されることにより、ゲート１１１を閉鎖又は開放することができ、別の例として、対角線方向への単一駆動を介してゲート１１１を開放又は閉鎖することができ、この過程で、シリンダー、カム、電磁気など従来開示された様々な形態の駆動方法を適用することができる。
【0089】
前前記支持ピン取り付け溝１６０は、基板１を支持し、基板支持部２００に載置するか、基板支持部２００から上側に離隔して基板１を支持することにより、基板１が導入及び搬出する基板支持ピン部８００を設けるための構成であり、様々な構成が可能である。
【0090】
例えば、前記支持ピン取り付け溝１６０は、後記する基板支持リング８２０が設けられるように、基板支持リング８２０に対応して平面上、環状の溝で形成されてもよい。
【0091】
このとき、前記支持ピン取り付け溝１６０は、プロセスチャンバ１００の下部面に基板支持リング８２０が設けられる位置に対応して設けられてもよく、より具体的には、取り付け溝１３０に形成することができる。
【0092】
即ち、前記支持ピン取り付け溝１６０は、底面１２０から段差を持って形成される取り付け溝１３０に形成されてもよく、基板支持リング８２０が設けられた状態で、上下移動可能に一定の深さを有して形成することができる。
【0093】
これにより、前記支持ピン取り付け溝１６０は、基板支持リング８２０が設けられ、複数の基板支持ピン８１０が上側に充填部材７００及び基板支持プレート２１０を貫通して設けられ得る。
【0094】
一方、前記支持ピン取り付け溝１６０は、取り付け溝１３０に形成され、一定の容積を形成するため、後記するインナーリード部３００により形成される処理空間Ｓ２の容積増加を引き起こす問題があった。
【0095】
このような問題点を改善するために、後記する充填部材７００が取り付け溝１３０に設けられ、支持ピン取り付け溝１６０を覆うことによって、処理空間Ｓ２と支持ピン取り付け溝１６０が形成する空間の間を遮断することができ、これにより、処理空間Ｓ２を最小容積で形成することができる。
【0096】
より具体的に、前記支持ピン取り付け溝１６０がない場合には、後記する基板支持ピン８１０及び基板支持リング８２０のための空間が、基板支持プレート２１０の下部に別途必要となるため、デッドボリュームの増加を引き起こし、デッドボリュームの除去のために基板支持ピン８１０及び基板支持リング８２０が下降時、内部に挿入されるように支持ピン取り付け溝１６０を形成することができる。
【0097】
一方、前述と違って、前記支持ピン取り付け溝１６０は、プロセスチャンバ１００の底面１２０に設けられず、取り付け溝１３０に設けられる充填部材７００に形成することができる。
【0098】
即ち、前記支持ピン取り付け溝１６０は、充填部材７００の上部面に一定の深さ、より具体的には、基板支持リング８２０及び基板支持ピン８１０が内挿されるレベルの深さで形成され、充填部材７００内に内挿された状態で、基板１を支持するために上昇することができる。
【0099】
一方、このとき、基板支持ピン８１０は、充填部材７００を貫通して設けられる。
【0100】
前記ガス供給孔１７０は、プロセスチャンバ１００のチャンバ本体１１０の一側に備えられ、第２ガス供給部５１０が連結される構成であってもよい。
【0101】
例えば、前記ガス供給孔１７０は、チャンバ本体１１０の一側に加工により形成されるか、チャンバ本体１１０の一側に形成される貫通口に設けられる。
【0102】
これにより、前記ガス供給孔１７０は、第２ガス供給部５１０が設けられ、非処理空間Ｓ１と第２ガス供給部５１０を連結することができ、これにより、非処理空間Ｓ１に充填ガスを供給することができる。
【0103】
前記ガス排気孔１８０は、プロセスチャンバ１００のチャンバ本体１１０の他側に備えられ、第２ガス排気部５２０が連結される構成であってもよい。
【0104】
例えば、前記ガス排気孔１８０は、チャンバ本体１１０の他側に加工を通じて形成されるか、チャンバ本体１１０の他側に形成される貫通口に設けられて備えられる。
【0105】
これにより、前記ガス排気孔１８０は、第２ガス排気部５２０が設けられ、非処理空間Ｓ１に対する排気を行うようにする。
【0106】
前記ガス導入流路１９０は、プロセスチャンバ１００下部面、即ち、インナーリード部３００と接触する位置に外部から導入されるプロセスガスを伝達するように備えられる構成であり、様々な構成が可能である。
【0107】
例えば、前記ガス導入流路１９０は、チャンバ本体１１０下部面又は側面を貫通して外部のプロセスガス保存部と連結されてもよく、下部面のインナーリード部３００、特に後記するガス供給流路３２０に対応する位置に終端を形成することができる。
【0108】
これより、前記ガス導入流路１９０は、インナーリード部３００が下降を通じて底面１２０と密着するとき、ガス供給流路３２０と連結され、ガス供給流路３２０にプロセスガスを伝達することができる。
【0109】
一方、この場合、前記ガス導入流路１９０は、プロセスチャンバ１００の下部面に設けられる配管を介して形成でき、別の例として、チャンバ本体１１０内部に加工により形成することができる。
【0110】
また、前記ガス導入流路１９０は、プロセスチャンバ１００下部面のうち、後記するガス供給流路３２０に対応する基板１の縁に隣接した位置の少なくともいずれか一つの位置に形成することができる。
【0111】
前記基板支持部２００は、処理空間Ｓ２内に設けられ、上面に基板１が載置される構成であり、様々な構成が可能である。
【0112】
即ち、前記基板支持部２００は、上面に基板１を載置させることで、処理される基板１を支持し、基板処理過程で固定することができる。
【0113】
また、前記基板支持部２００は、内部にヒータを備えて基板処理のための処理空間Ｓ２の温度の雰囲気を形成することができる。
【0114】
例えば、前記基板支持部２００は、上面に前記基板１が載置される平面上、円形である基板支持プレート２１０と、前記プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して前記基板支持プレート２１０と連結される基板支持シャフト２２０と、を含むことができる。
【0115】
また、前記基板支持部２００は、基板支持プレート２１０内に設けられ、基板支持プレート２１０に載置される基板１を加熱するヒータを含むことができる。
【0116】
前記基板支持プレート２１０は、上面に基板１が載置される構成であり、基板１の形状に対応して平面上、円形であるプレート構成であってもよい。
【0117】
このとき、前記基板支持プレート２１０は、内部にヒータが備えられ、処理空間Ｓ２に基板処理のためのプロセス温度を造成し、このときのプロセス温度は、約４００℃ ～７００℃であってもよい。
【0118】
前記基板支持シャフト２２０は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して基板支持プレート２１０と連結される構成であり、様々な構成が可能である。
【0119】
前記基板支持シャフト２２０は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して基板支持プレート２１０と結合することができ、内部にヒータに電源を供給するための各種導線が設けられる。
【0120】
一方、本発明による基板処理装置は、図２に示されるように、高圧と低圧の圧力の雰囲気を短時間内に繰り返し変化させて造成する基板処理を行うための装置であり、より具体的には５Ｂａｒから０．０１Ｔｏｒｒの圧力範囲を１Ｂａｒ／ｓレベルの圧力変化速度で繰り返し変化させなければならない必要がある。
【0121】
しかし、チャンバ本体１１０の内部空間の膨大な空間容積を考慮するとき、前述した圧力変化速度を達成できないため、基板処理のための処理空間Ｓ２の容積を最小化しなければならない必要性がある。
【0122】
そのために、本発明による基板処理装置は、前記内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記プロセスチャンバ１００と密着して、前記基板支持部２００が内部に位置する密閉された処理空間Ｓ２を形成するインナーリード部３００を含む。
【0123】
前記インナーリード部３００は、内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部がプロセスチャンバ１００と密着して、基板支持部２００が内部に位置する密閉された処理空間Ｓ２を形成する構成であってもよい。
【0124】
即ち、前記インナーリード部３００は、内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が取り付け溝１３０に隣接した底面１２０と密着して、内部空間を基板支持部２００が位置する密閉された処理空間Ｓ２と、それ以外の非処理空間Ｓ１に分割することができる。
【0125】
したがって、前記インナーリード部３００は、非処理空間Ｓ１のうち、基板支持部２００の上側で上下移動可能に設けられ、下降を通じてプロセスチャンバ１００の内部面の少なくとも一部と密着することによって、プロセスチャンバ１００の内側下部面との間に密閉された処理空間Ｓ２を必要に応じて形成することができる。
【0126】
これにより、前記基板支持部２００は、処理空間Ｓ２内に位置してもよく、基板支持部２００に載置される基板１に対する基板処理を容積が最小化された処理空間Ｓ２内で行うことができる。
【0127】
一例として、前記インナーリード部３００は、下降を通じて縁が底面１２０に密着することによって、底面とプロセスチャンバ１００の内側の下部面と間で密閉された処理空間Ｓ２を形成することができる。
【0128】
一方、別の例として、前記インナーリード部３００は、下降を通じて縁がプロセスチャンバ１００の内側面に密着することによって、密閉された処理空間Ｓ２を形成することもできることは言うまでもない。
【0129】
前記インナーリード部３００は、下降を通じて縁が底面１２０に密着して密閉された処理空間Ｓ２を形成し、取り付け溝１３０に設けられる基板支持部２００を処理空間Ｓ２内に配置することができる。
【0130】
即ち、前記インナーリード部３００は、図１に示されるように、下降を通じて縁が取り付け溝１３０と段差を有して高い位置に位置する底面１２０に密着することにより、底面と取り付け溝１３０との間に密閉された処理空間Ｓ２を形成することができる。
【0131】
このとき、取り付け溝１３０に基板支持部２００、より具体的には、基板支持プレート２１０が設けられることによって、処理空間Ｓ２の容積を最小化して、上面に処理対象である基板１を位置させることができる。
【0132】
この過程で、処理空間Ｓ２の容積を最小化するために、取り付け溝１３０は、処理空間Ｓ２が設けられる基板支持部２００に対応する形状に形成されるし、より具体的には円形の基板支持プレート２１０に対応して、円柱状を有する溝で形成することができる。
【0133】
即ち、取り付け溝１３０が形成する設置空間のうち、基板支持プレート２１０及びインシュレータ部が設けられる空間を除いた残余空間が最小化されるように、基板支持プレート２１０の形状に対応する形状で形成することができる。
【0134】
この過程で、基板支持プレート２１０の上面に載置される基板１とインナーリード部３００との間の干渉を防止するために、底面１２０の高さは、基板支持部２００に載置される基板１の上面より高い位置に形成することができる。
【0135】
一方、基板支持部２００に載置される基板１とインナーリード部３００の底面との間の間隔が広がるほど、処理空間Ｓ２の容積もまた大きくなることを意味するので、基板１とインナーリード部３００との間の干渉を防止しながらも、これらの間の間隔が最小化される位置に底面１２０の高さを設定することができる。
【0136】
前記インナーリード部３００は、インナーリード駆動部６００を介して上下移動する構成であり、様々な構成が可能である。
【0137】
前記インナーリード部３００は、インナーリード駆動部６００を介して内部空間内で上下移動可能な構成であってもよい。
【0138】
このとき、前記インナーリード部３００は、平面上、取り付け溝１３０を覆い、縁が底面１２０一部に対応する大きさに形成されてもよく、縁が底面１２０に密着することにより取り付け溝１３０との間に密閉された処理空間Ｓ２を形成することができる。
【0139】
一方、前記インナーリード部３００は、別の例として、縁がプロセスチャンバ１００の内側面に密着して、処理空間Ｓ２を形成することもできることは言うまでもない。
【0140】
また、前記インナーリード部３００は、上下移動により形成される密閉された処理空間Ｓ２内のプロセス温度を効果的に達成及び維持するために、処理空間Ｓ２の温度が内部空間などにより失われることを防止できる断熱効果に優れた材質で形成することができる。
【0141】
また、前記インナーリード部３００は、前述したガス導入流路１９０から伝達されたプロセスガスを後記する第１ガス供給部４１０に伝達するように内部にガス供給流路３２０を備えることができる。
【0142】
例えば、前記インナーリード部３００は、内部空間で上下移動するインナーリード３１０と、インナーリード３１０内部に処理空間Ｓ２と連通して備えられるガス供給流路３２０と、を含むことができる。
【0143】
また、前記インナーリード３１０は、底面に後記する第１ガス供給部４１０が挿入され設けられる挿入取り付け溝３３０を形成することができる。
【0144】
また、前記インナーリード３１０は、底面の中心側にガス供給流路３２０の終端と連結されるガス導入溝３４０を形成されることができる。
【0145】
前記インナーリード３１０は、内部空間で上下移動する構成であり、プロセスチャンバ１００の取り付け溝１３０を覆う大きさと形状に形成することができる。
【0146】
例えば、前記インナーリード３１０は、円形のプレート形状であり、基板１に対応する平面形状に形成することができる。
【0147】
前記ガス供給流路３２０は、インナーリード３１０の内部に処理空間Ｓ２と連通するように備えられる構成であり、様々な構成が可能である。
【0148】
このとき、前記ガス供給流路３２０は、前述したガス導入流路１９０と共にインナーリード３１０内部に設けられる配管を介して形成でき、別の例として、インナーリード３１０内部を加工して形成することができる。
【0149】
一方、前記ガス供給流路３２０は、インナーリード３１０が下降を通じて底面１２０と密着することによってガス導入流路１９０と連結でき、ガス導入流路１９０を介してプロセスガスが伝達され、後記するガス導入溝３４０を介して第１ガス供給部４１０にプロセスガスを供給することができる。
【0150】
そのために、前記ガス供給流路３２０は、インナーリード３１０の縁側のガス導入流路１９０に対応する位置に備えられ、ガス導入流路１９０と連結される垂直供給流路３２１と、垂直供給流路３２１からインナーリード３１０の中心側に備えられる水平供給流路３２２と、を含むことができる。
【0151】
即ち、インナーリード３１０の縁側のガス導入流路１９０に平面上対応する位置に垂直方向に垂直供給流路３２１が形成され、ガス導入流路１９０からプロセスガスが伝達され、垂直供給流路３２１から延びて、インナーリード３１０中心側に備えられる水平供給流路３２２を介してプロセスガスをガス導入溝３４０に伝達することができる。
【0152】
この場合、垂直供給流路３２１を介してガス導入流路１９０からプロセスガスが伝達されるところ、プロセスガスのインナーリード部３００とプロセスチャンバ１００との接触面を通した漏れを最小化するために、垂直供給流路３２１の内径、ガス導入流路１９０の内径以上であってもよい。
【0153】
前記挿入取り付け溝３３０は、インナーリード３１０の底面に後記する第１ガス供給部４１０の少なくとも一部が挿入され設けられるように形成される構成であってもよい。
【0154】
そのために、前記挿入取り付け溝３３０は、インナーリード３１０の底面に第１ガス供給部４１０に対応する形状で形成でき、中心側にガス導入溝３４０がさらに形成されることができる。
【0155】
このとき、前記挿入取り付け溝３３０は、後記する第１ガス供給部４１０との間に拡散空間Ｓ３が形成されるところ、拡散空間Ｓ３の容積を増加させ、ガス導入溝３４０を介して供給されるプロセスガスの水平方向への拡散を誘導するために、内面が縁から中心側に行くほど、上側に高くなる傾斜を形成することができる。
【0156】
即ち、前記挿入取り付け溝３３０は、内面が三角錐をなすように、下側に行くほど、縁側に半径が増加する傾斜を形成することができる。
【0157】
前記ガス導入溝３４０は、底面の中心側にガス供給流路３２０の終端と連結され、拡散空間Ｓ３に向けてプロセスガスを噴射する構成であってもよい。
【0158】
このとき、前記ガス導入溝３４０は、内面が垂直方向に形成され、プロセスガスを供給することができ、別の例として、下側に行くほど、半径が増加するように傾斜が形成され、供給されるプロセスガスが水平方向、即ち、縁側に拡散され供給されるように誘導することができる。
【0159】
前記第１圧力調節部４００は、処理空間Ｓ２と連通し、処理空間Ｓ２に対する圧力を調節する構成であり、様々な構成が可能である。
【0160】
例えば、前記第１圧力調節部４００は、処理空間Ｓ２にプロセスガスを供給する第１ガス供給部４１０と、処理空間Ｓ２に対する排気を行う第１ガス排気部４２０と、を含むことができる。
【0161】
また、前記第１圧力調節部４００は、 第１ガス排気部４２０に対する一実施例として、処理空間Ｓ２に対する排気を通じて常圧より高い処理空間Ｓ２の圧力を制御する高圧制御部４３０と、処理空間Ｓ２に対するポンプを介して常圧より低い処理空間Ｓ２の圧力を制御するポンプ制御部４４０と、をさらに含むことができる。
【0162】
即ち、前記第１圧力調節部４００は、処理空間Ｓ２にプロセスガスを供給して処理空間Ｓ２を適切に排気することによって、処理空間Ｓ２に対する圧力を調節することができ、これにより、図２に示されるように、処理空間Ｓ２を高圧と低圧の圧力の雰囲気を短時間内で繰り返し変化させて造成することができる。
【0163】
このとき、より具体的には、処理空間Ｓ２の圧力を５Ｂａｒから０．０１Ｔｏｒｒの圧力範囲の間で１Ｂａｒ／ｓレベルの圧力変化速度で繰り返し変化させることができる。
【0164】
特に、このとき、前記第１圧力調節部４００は、第１圧力から常圧に処理空間Ｓ２の圧力を下降させ、常圧から真空の第２圧力に処理空間Ｓ２の圧力を段階的に下降させることができる。
【0165】
また、前記第１圧力調節部４００は、基板処理のために処理空間Ｓ２の圧力を第１圧力から第２圧力を経て第１圧力に順次に複数回繰り返し変圧することができる。
【0166】
前記第１ガス供給部４１０は、処理空間Ｓ２に連通してプロセスガスを供給する構成であり、様々な構成が可能である。
【0167】
例えば、前記第１ガス供給部４１０は、図１に示されるように、処理空間Ｓ２に露出され、処理空間Ｓ２内にプロセスガスを供給するガス供給ノズル４１６と、プロセスチャンバ１００を貫通してガス供給ノズル４１６と連結され、ガス供給ノズル４１６を介して供給されるプロセスガスを伝達するガス供給流路４１７を含むことができる。
【0168】
このとき、前記第１ガス供給部４１０は、図１に示されるように、取り付け溝１３０の縁に基板支持部２００に隣接して設けられ、これにより処理空間Ｓ２にプロセスガスを供給することができる。
【0169】
前記ガス供給ノズル４１６は、処理空間Ｓ２に露出され、処理空間Ｓ２内にプロセスガスを供給する構成であり、様々な構成が可能である。
【0170】
例えば、前記ガス供給ノズル４１６は、取り付け溝１３０の縁に基板支持プレート２１０の側面に隣接するように設けられ、上側又は基板支持プレート２１０側にプロセスガスを噴射して処理空間Ｓ２内にプロセスガスを供給することができる。
【0171】
このとき、前記ガス供給ノズル４１６は、取り付け溝１３０の縁に基板支持プレート２１０を囲むように備えられ、平面上、基板支持プレート２１０の側面の少なくとも一部からプロセスガスを噴射することができる。
【0172】
一例として、前記ガス供給ノズル４１６は、取り付け溝１３０の縁からインナーリード部３００底面に向けてプロセスガスを噴射することができ、処理空間Ｓ２の最小化された容積に応じて処理空間Ｓ２を短時間内に所望の圧力を造成するためにプロセスガスを供給することができる。
【0173】
前記ガス供給流路４１７は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して外部のプロセスガス保存部と連結され、プロセスガスが伝達され、プロセスガス供給ノズル４１６に供給することができる。
【0174】
このとき、前記ガス供給流路４１７は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して設けられる配管であってもよく、別の例として、プロセスチャンバ１００の下部面を加工して形成することができる。
【0175】
一方、前記ガス供給流路４１７は、前述したガス導入流路１９０に対応する構成であってもよく、ガス導入流路１９０に代替されるか、これと連結される構成であってもよい。
【0176】
また、別の例として、前記第１ガス供給部４１０は、図３に示されるように、インナーリード部３００下側に配置され、多数の噴射孔４１１が備えられる噴射プレート４１２と、噴射プレート４１２の縁を支持して、インナーリード部３００底面に結合する噴射プレート支持部４１３を含むことができる。
【0177】
また、前記第１ガス供給部４１０は、噴射プレート支持部４１３を貫通してインナーリード部３００に結合する複数の締結部材４１４をさらに含むことができる。
【0178】
前記噴射プレート４１２は、インナーリード部３００下側に配置され、多数の噴射孔４１１を介してプロセスガスを処理空間Ｓ２に噴射する構成であってもよい。
【0179】
このとき、前記噴射プレート４１２は、インナーリード部３００との間にプロセスガスが拡散する拡散空間Ｓ３を形成するように、インナーリード部３００の下側に予め設定された間隔だけ離隔して配置することができる。
【0180】
一方、前記噴射プレート４１２は、金属又は石英材質であってもよく、特に、基板支持部２００から生成される熱が直接的にインナーリード部３００に伝達されることを遮断し、インナーリード部３００が熱応力に応じて曲がるか、損傷する現象を防止することができる。
【0181】
そのために、前記噴射プレート４１２は、断熱性能に優れたSUS又は石英材質であってもよく、底面に断熱性能を強化するか、熱を反射できる表面処理が行われていてもよい。
【0182】
前記噴射孔４１１は、噴射プレート４１２を垂直方向で貫通し、全体面積にわたって多数形成され、均一なプロセスガスの噴射が可能となる。
【0183】
前記噴射プレート支持部４１３は、前述した噴射プレート４１２を支持して設ける構成であり、様々な構成が可能である。
【0184】
例えば、前記噴射プレート支持部４１３は、円形の噴射プレート４１２の縁を囲むように環状であり、噴射プレート４１２の縁を支持することによって、噴射プレート４１２の設置を誘導することができる。
【0185】
そのために、前記噴射プレート支持部４１３は、内面に中心側に向かって突出形成され、噴射プレート４１２の底面の縁が載置される支持端差４１５を形成することができ、噴射プレート４１２とインナーリード部３００との間の直接的な接触を防止し、噴射プレート４１２の熱変形によるバッファー役割を果たし、インナーリード部３００への直接的な加熱を防止することができる。
【0186】
一方、前記噴射プレート支持部４１３は、図４及び図５に示されるように、複数の締結部材４１４を介して貫通し、締結部材４１４がインナーリード３１０底面に結合することにより固定することができ、これにより、噴射プレート４１２を支持することができる。
【0187】
この場合、前記第１ガス供給部４１０は、挿入取り付け溝３３０に挿入されて設けられてもよく、挿入取り付け溝３３０に挿入されて設けられた状態で底面、即ち、噴射プレート４１２及び噴射プレート支持部４１３の底面がインナーリード３１０底面と平面をなすことができる。
【0188】
一方、前記第１ガス供給部４１０は、ガス導入溝３４０に挿入配置され、供給されるプロセスガスを水平方向に拡散する拡散部材（未図示）をさらに含むことができる。
【0189】
このとき、前記拡散部材は、中心に向かって高さが高くなるように側面に傾斜面が形成される正方向の円錐又は円錐台形状であり、ガス導入溝３４０を介して供給されるプロセスガスの縁側の水平方向への拡散を誘導することができる。
【0190】
そのために、前記拡散部材は、インナーリード３１０底面に支持されて設けられてもよく、別の例として、噴射プレート４１２の上面に載置されて設けられてもよい。
【0191】
前記第１ガス排気部４２０は、処理空間Ｓ２に対する排気を行う構成であり、様々な構成が可能である。
【0192】
例えば、前記第１ガス排気部４２０は、処理空間Ｓ２と連通し、外部に設けられる外部排気装置を含むことによって、処理空間Ｓ２に対する排気量を制御するでき、これにより、処理空間Ｓ２の圧力を調節することができる。
【0193】
より具体的に、前記第１ガス排気部４２０は、処理空間Ｓ２に対する排気を通じて常圧より高い処理空間Ｓ２の圧力を制御する高圧制御部４３０と、処理空間Ｓ２に対するポンプを介して常圧より低い処理空間Ｓ２の圧力を制御するポンプ制御部４４０を含むことができる。
【0194】
前記高圧制御部４３０は、処理空間Ｓ２に対する排気を通じて常圧より高い処理空間Ｓ２の圧力を制御する構成であり、様々な構成が可能である。
【0195】
即ち、前記高圧制御部４３０は、処理空間Ｓ２内が常圧より高い高圧の場合、処理空間Ｓ２の圧力を調節するために、処理空間Ｓ２を排気する構成であってもよい。
【0196】
例えば、前記高圧制御部４３０は、図６に示されるように、後記するマニホールド部１０００に備えられる処理空間排気ポートと外部排気装置１１００との間が連通するように設けられる高圧排気ライン４３１と、前記高圧排気ライン４３１上に設けられ、前記処理空間Ｓ２に流入されたプロセスガスの圧力を制御する高圧制御バルブ４３２を含むことができる。
【0197】
また、前記高圧制御部４３０は、高圧排気ライン４３１中の高圧制御バルブ４３２の前段に設けられ、前記高圧排気ライン４３１の開閉を決める高圧開閉バルブ４３３をさらに含むことができる。
【0198】
また、前記高圧制御部４３０は、高圧排気ライン４３１に前記高圧開閉バルブ４３３と並列に設けられる安全バルブ４３４をさらに含むことができる。
【0199】
前記高圧排気ライン４３１は、マニホールド部１０００に備えられる処理空間排気ポートと外部排気装置１１００との間が連通するように設けられ、処理空間Ｓ２のプロセスガスなどが伝達される流路を形成することができる。
【0200】
前記高圧制御バルブ４３２は、高圧排気ライン４３１上に設けられ、処理空間Ｓ２に流入されたプロセスガスの圧力を制御する構成であり、高圧排気ライン４３１を介した排気量を制御することができる。
【0201】
このとき、前記高圧制御バルブ４３２は、高圧排気ライン４３１上に設けられる圧力ゲージ（未図示）を介して圧力をチェックし、制御信号を伝送する制御部（未図示）を介して制御することができる。
【0202】
前記高圧開閉バルブ４３３は、高圧排気ライン４３１の高圧制御バルブ４３２の前段に設けられ、高圧排気ライン４３１の開閉を決める構成であってもよい。
【0203】
即ち、前記高圧開閉バルブ４３３は、高圧排気ライン４３１の開閉を通じて処理空間Ｓ２が高圧状態である場合は、高圧排気ライン４３１を開放し、処理空間Ｓ２が低圧状態である場合は、高圧排気ライン４３１を閉鎖することができる。
【0204】
前記安全バルブ４３４は、高圧排気ライン４３１上に高圧開閉バルブ４３３と並列に設けられる構成であり、予め設定された高圧以上を感知すれば、排気のために機械的に開放することができる。
【0205】
即ち、前記安全バルブ４３４は、安全性向上のために高圧、例えば５Ｂａｒ以上の圧力が感知された場合、機械的に開放して高圧による装置の損傷を防止することができる。
【0206】
前記ポンプ制御部４４０は、処理空間排気ポートと外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられるポンプ排気ライン４４１と、ポンプ排気ライン４４１上に設けられ、処理空間Ｓ２をポンプし、処理空間Ｓ２の圧力を常圧より低い圧力に制御するポンプ制御バルブ４４２を含むことができる。
【0207】
また、前記ポンプ制御部４４０は、ポンプ排気ライン４４１中のポンプ制御バルブ４４２の前段に設けられ、ポンプ排気ライン４４１の開閉を決めるポンプ開閉バルブ４４３をさらに含むことができる。
【0208】
また、前記ポンプ制御部４４０は、ポンプ排気ライン４４１中のポンプ開閉バルブ４４３と並列に設けられ、ポンプ量を制御するスローポンプバルブ４４４をさらに含むことができる。
【0209】
前記ポンプ排気ライン４４１は、マニホールド部１０００に備えられる処理空間排気ポートと外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられ、処理空間Ｓ２のプロセスガスなどが伝達される流路を形成することができる。
【0210】
前記ポンプ制御バルブ４４２は、ポンプ排気ライン４４１上に設けられ、処理空間Ｓ２に流入された常圧より低い低圧状態のプロセスガス圧力を制御する構成であり、ポンプ排気ライン４４１を介した排気量を制御することができる。
【0211】
このとき、前記ポンプ制御バルブ４４２は、ポンプ排気ライン４４１上に設けられる圧力ゲージ（未図示）を介して圧力をチェックし、制御信号を伝送する制御部（未図示）を介して制御することができる。
【0212】
前記ポンプ開閉バルブ４４３は、ポンプ排気ライン４４１中のポンプ制御バルブ４４２前段に設けられ、ポンプ排気ライン４４１の開閉を決める構成であってもよい。
【0213】
即ち、前記ポンプ開閉バルブ４４３は、ポンプ排気ライン４４１の開閉を通じて処理空間Ｓ２が高圧状態である場合、ポンプ排気ライン４４１を閉鎖し、処理空間Ｓ２が低圧状態である場合、ポンプ排気ライン４４１を開放することができる。
【0214】
前記スローポンプバルブ４４４は、ポンプ排気ライン４４１上にポンプ開閉バルブ４４３と並列に設けられる構成であり、初期ポンプ過程又はポンプ中のポンプ量の制御が必要な場合開放され、ポンプ量を調節する構成であってもよい。
【0215】
一方、以下では、本発明による高圧制御部４３０及びポンプ制御部４４０のマニホールド部１０００との設置のための様々な実施例について添付図面を参照して説明する。
【0216】
本発明による高圧制御部４３０は、第１実施例として、図６に示されるように、高圧排気ライン４３１がマニホールド部１０００に備えられる処理空間排気ポートと外部排気装置１１００との間を連通するように設けられ、より具体的には、一端が後記するポンプ排気ライン４４１中のポンプ制御バルブ４４２前段で分岐され連結され、他端が外部排気装置１１００に連結される。
【0217】
即ち、前記高圧制御部４３０は、前記ポンプ排気ライン４４１が処理空間排気ポートと外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられた状態で、高圧排気ライン４３１がポンプ排気ライン４４１中の前記ポンプ制御バルブ４４２の前段と外部排気装置１１００との間が連通するように設けられる。
【0218】
結果的に、前記高圧制御部４３０は、マニホールド部１０００に単一の処理空間排気ポートが備えられるとき、処理空間排気ポートに連結されるポンプ排気ライン４４１から分岐され、そのために高圧排気ライン４３１がポンプ制御バルブ４４２前段でポンプ排気ライン４４１に連結され、分岐して設けられる。
【0219】
この場合、マニホールド部１０００に備えられる単一の処理空間排気ポートには、ポンプ制御部４４０のポンプ排気ライン４４１が結合され、ポンプ排気ライン４４１中のポンプ開閉バルブ４４３の前段で高圧排気ライン４３１が分岐されて設けられる。
【0220】
一方、この場合、前述したポンプ開閉バルブ４４３と高圧開閉バルブ４３３を介して、単一の処理空間排気ポートを介して排気されるプロセスガスを圧力、即ち、常圧を基準に高圧及び低圧に応じて適切に開閉して排気することができる。
【0221】
前記外部排気装置１１００は、排出される排気ガスのうち、有害物質を除去する有害物質除去部１１１０と、有害物質除去部１１１０と外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられる外部排気ライン１１２０と、を含むことができる。
【0222】
このとき、前記高圧排気ライン４３１は、一端がポンプ排気ライン４４１中の処理空間ポンプ制御バルブ４４２の前段に連結され、他端が外部排気ライン１１２０に連結されることによって、高圧制御部４３０が外部排気装置１１００に連通され得る。
【0223】
また、別の例として、前記高圧排気ライン４３１は、一端がポンプ排気ライン４４１中の処理空間ポンプ制御バルブ４４２前段に連結され、他端が有害物質除去部１１１０に直接連結されることによって、高圧制御部４３０が外部排気装置１１００に連通され得る。
【0224】
一方、第３実施例として、図８に示されるように、ポンプ制御部４４０がポンプ排気ライン４４１を介して処理空間排気ポートと外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられた状態で、高圧制御部４３０は、高圧排気ライン４３１がポンプ排気ライン４４１中のポンプ制御バルブ４４２の前段と後段との間が連通するように設けられることによって、処理空間Ｓ２から外部真空ポンプ１２００に流れるプロセスガスの量を、高圧制御バルブ４３２を介して制御することができる。
【0225】
このとき、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０が、それぞれ同じ外部真空ポンプ１２００と連通する構成であってもよく、別の例として、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０のそれぞれに独立した別途の外部真空ポンプ１２００が連通されてもよい。
【0226】
一方、第３実施例の別の例として、ポンプ制御部４４０がポンプ排気ライン４４１を介して処理空間排気ポートと外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられた状態で、高圧制御部４３０は、高圧排気ライン４３１がポンプ排気ライン４４１中のポンプ制御バルブ４４２前段と外部真空ポンプ１２００に直接連結されることによって、処理空間Ｓ２から外部真空ポンプ１２００に流れるプロセスガスの量を、高圧制御バルブ４３２を介して調節することができる。
【0227】
また、この場合も、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０がそれぞれ同じ外部真空ポンプ１２００と連通する構成であってもよく、別の例として、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０のそれぞれに独立した別途の外部真空ポンプ１２００が連通されてもよい。
【0228】
また、別の例として、前記高圧制御部４３０が、高圧排気ライン４３１が処理空間排気ポートと外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられた状態で、ポンプ制御部４４０は、ポンプ排気ライン４４１が高圧排気ライン４３１中の高圧制御バルブ４３２前段と外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられることによって、処理空間Ｓ２から外部真空ポンプ１２００に流れるプロセスガスの量を、ポンプ制御バルブ４４２を介して制御することができる。
【0229】
この場合もまた、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０がそれぞれ同じ外部真空ポンプ１２００と連通する構成であってもよく、別の例として、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０のそれぞれに独立した別途の外部真空ポンプ１２００が連通されてもよい。
【0230】
一方、第２実施例として、図７に示されるように、マニホールド部１０００が高圧制御部４３０と連結される高圧排気ポート１０２０と、ポンプ制御部４４０と連結されるポンプ排気ポート１０３０と、をそれぞれ備えることができる。
【0231】
この場合、前述した高圧排気ライン４３１が、一端が高圧排気ポート１０２０に結合され、他端が外部排気装置１１００に結合され、高圧状態のプロセスガスを、高圧排気ライン４３１を介して排気することができる。
【0232】
また、高圧制御部４３０とは独立して、ポンプ制御部４４０中のポンプ排気ライン４４１の一端がポンプ排気ポート１０３０に連結され、他端が外部真空ポンプ１２００に連結され、低圧状態のプロセスガスを、低圧排気ライン４２１を介して排気することができる。
【0233】
より具体的に、前記高圧制御部４３０は、ポンプ排気ライン４４１がポンプ排気ポート１０３０と外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられた状態で、高圧排気ライン４３１が高圧排気ポート１０２０と外部排気装置１１００との間が連通するように設けられることによって、処理空間Ｓ２から外部排気装置１１００に流れるプロセスガスの量を制御し、処理空間Ｓ２の圧力を常圧より高い圧力に制御することができる。
【0234】
このとき、前記高圧排気ライン４３１は、一端が高圧排気ポート１０２０に連結され、他端が外部排気ライン１１２０に連結されることによって、高圧制御部４３０を外部排気装置１１００に連通することができる。
【0235】
また、別の例として、前記高圧排気ライン４３１は、一端が高圧排気ポート１０２０に連結され、他端が有害物質除去部１１１０に連結されることによって、高圧制御部４３０を外部排気装置１１００に連通することができる。
【0236】
一方、別の例として、ポンプ制御部４４０がポンプ排気ライン４４１を介してポンプ排気ポート１０３０と外部真空ポンプ１２００の間が連通するように設けられた状態で、高圧制御部４３０は、高圧排気ライン４３１が前記高圧排気ポート１０２０と前記ポンプ排気ライン４４１中の前記ポンプ制御バルブ４４２の後段の間が連通するように設けられることによって、処理空間Ｓ２から外部真空ポンプ１２００に流れるプロセスガスの量を、高圧制御バルブ４３２を介して制御することができる。
【0237】
このとき、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０がそれぞれ同じ外部真空ポンプ１２００と連通する構成であってもよく、別の例として、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０のそれぞれに独立した別途の外部真空ポンプ１２００が連通され得る。
【0238】
また、別の例として、ポンプ制御部４４０がポンプ排気ライン４４１を介して処理空間排気ポートと外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられた状態で、高圧制御部４３０は、高圧排気ライン４３１が前記高圧排気ポート１０２０と前記外部真空ポンプ１２００との間を直接連結されることによって、処理空間Ｓ２から外部真空ポンプ１２００に流れるプロセスガスの量を、高圧制御バルブ４３２を介して調節することができる。
【0239】
この場合もまた、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０がそれぞれ同じ外部真空ポンプ１２００と連通する構成であってもよく、別の例として、ポンプ制御部４４０及び高圧制御部４３０のそれぞれに独立した別途の外部真空ポンプ１２００が連通されてもよい。
【0240】
前記第２圧力調節部５００は、非処理空間Ｓ１と連通し、処理空間Ｓ２と独立して非処理空間Ｓ１に対する圧力を調節する構成であり、様々な構成が可能である。
【0241】
特に、前記第２圧力調節部５００は、処理空間Ｓ２と区分され形成される非処理空間Ｓ１を処理空間Ｓ２と独立して圧力を調節することができる。
【0242】
例えば、前記第２圧力調節部５００は、前記非処理空間Ｓ１と連通し、前記非処理空間Ｓ１に充填ガスを供給する第２ガス供給部５１０と、非処理空間Ｓ１に対する排気を行う第２ガス排気部５２０と、を含むことができる。
【0243】
前記第２ガス供給部５１０は、前述したガス供給孔１７０に連結され、非処理空間Ｓ１に充填ガスを供給することができるし、これを通じて非処理空間Ｓ１に対する圧力を調節することができる。
【0244】
前記第２ガス排気部５２０は、前述したガス排気孔１８０に連結されて非処理空間Ｓ１に対する排気を行う構成として、これにより非処理空間Ｓ１に対する圧力を調節することができる。
【0245】
一方、前記第２ガス供給部５１０及び前記第２ガス排気部５２０は、従来開示された充填ガスの供給と排気を行う構成であればどのような構成でも適用可能である。
【0246】
例えば、前記第２ガス排気部５２０は、一端がガス排気孔１８０に連結され、他端が外部真空ポンプ１２００と連結される非処理空間排気ライン５２１と、非処理空間排気ライン５２１上に設けられ、非処理空間Ｓ１に対する圧力を制御する非処理空間高圧制御バルブ５２２と、を含むことができる。
【0247】
また、前記第２ガス排気部５２０は、非処理空間排気ライン５２１中の非処理空間高圧制御バルブ５２２の前段に設けられ、非処理空間排気ライン５２１の開閉の有無を決める圧力開閉バルブ５２３をさらに含むことができる。
【0248】
前記非処理空間排気ライン５２１は、プロセスチャンバ１００に備えられるガス排気孔１８０と外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられ、処理空間Ｓ２のプロセスガスなどが伝達される流路を形成することができる。
【0249】
前記非処理空間高圧制御バルブ５２２は、非処理空間排気ライン５２１上に設けられ、非処理空間Ｓ１に流入された常圧より高い高圧状態の充填ガスの圧力を制御する構成であり、非処理空間排気ライン５２１を介した排気量を制御することができる。
【0250】
このとき、前記非処理空間高圧制御バルブ５２２は、非処理空間排気ライン５２１上に設けられる圧力ゲージ（未図示）を介して圧力をチェックし、制御信号を伝送する制御部（未図示）を介して制御することができる。
【0251】
前記圧力開閉バルブ５２３は、非処理空間排気ライン５２１中の非処理空間高圧制御バルブ５２２の前段に設けられ、非処理空間排気ライン５２１の開閉を決める構成であってもよい。
【0252】
即ち、前記圧力開閉バルブ５２３は、非処理空間排気ライン５２１の開閉を通じて非処理空間Ｓ１に対する排気の有無を決めることができる。
【0253】
結果的に、前記第２ガス排気部５２０は、非処理空間排気ライン５２１及び非処理空間高圧制御バルブ５２２を介して非処理空間Ｓ１の圧力を常圧より高い圧力に制御することができる。
【0254】
一方、前記第２ガス排気部５２０は、図２に図示された通り非処理空間Ｓ１を常圧より低い低圧、真空状態の雰囲気で制御できるということはまたもちろんである。
【0255】
そのために、前記第２ガス排気部５２０は、図９に示されるように、ガス排気孔１８０と外部真空ポンプ１２００との間が連通するように設けられる非処理空間ポンプ排気ライン５２４と、非処理空間ポンプ排気ライン５２４上に設けられ、非処理空間Ｓ１の圧力を常圧より低い圧力に制御するように非処理空間Ｓ１から外部真空ポンプ１２００に流れる充填ガスの量を制御する非処理空間ポンプ制御バルブ５２５を含むことができる。
【0256】
また、非処理空間ポンプ排気ライン５２４上に設けられる圧力開閉バルブ５２３が、前述したように同様に適用することができる。
【0257】
さらに、前記非処理空間ポンプ排気ライン５２４及び非処理空間ポンプ制御バルブ５２５の設置構成も、非処理空間排気ライン５２１及び非処理空間高圧制御バルブ５２２と同様に適用することができる。
【0258】
一方、非処理空間Ｓ１の圧力を調節する第２圧力調節部５００と第１圧力調節部４００の構成は、それぞれ同一の外部排気装置１１００を共有して連結することができ、別の例として、それぞれが別個の独立した外部排気装置１１００に連結されて排気することもできることは言うまでもない。
【0259】
また、第２圧力調節部５００と第１圧力調節部４００の構成は、それぞれ同一の外部真空ポンプ１２００を共有して連結することができ、別の例として、それぞれが別個の独立した外部真空ポンプ１２００に連結されポンプすることもできることは言うまでもない。
【0260】
前記第２圧力調節部５００は、基板処理のために基板１が載置される処理空間Ｓ２の圧力を常圧より高い第１圧力から第２圧力に変化させる過程であり、非処理空間Ｓ１の圧力を一定に維持することができる。
【0261】
このとき、前記第２圧力調節部５００は、基板処理が行われる間、非処理空間Ｓ１の圧力を真空に維持でき、この過程で処理空間Ｓ２の圧力より低いか、等しく維持することができる。
【0262】
即ち、前記第２圧力調節部５００は、基板処理過程で非処理空間Ｓ１の圧力を第２圧力である０．０１Ｔｏｒｒに一定に維持することによって、処理空間Ｓ２の圧力よりも同一又は低く維持し、これにより、非処理空間Ｓ１の不純物などの処理空間Ｓ２への流入を防止することができる。
【0263】
一方、別の例として、前記第２圧力調節部５００は、非処理空間Ｓ１の圧力を変圧させることができ、この過程でも処理空間Ｓ２の圧力よりも低い圧力値を有するようにすることができる。
【0264】
また、前記第２圧力調節部５００は、基板処理過程で非処理空間Ｓ１に対する充填ガスの供給なしに排気だけで非処理空間Ｓ１の圧力を調節することができる。
【0265】
即ち、前記第２圧力調節部５００は、第２ガス供給部５１０による充填ガスの供給なしに第２ガス排気部５２０の作動だけで非処理空間Ｓ１に対する圧力を調節することができる。
【0266】
一方、別の例として、前記第２圧力調節部５００は、非処理空間Ｓ１に充填ガスを供給し、第２ガス排気部５２０の排気と共に非処理空間Ｓ１の圧力を調節することもできることは言うまでもない。
【0267】
一方、前述と違って、前記第２圧力調節部５００は、プロセスチャンバ１００、即ちチャンバ本体１１０の一側に形成されるガス排気孔１８０と、他側に形成されるガス供給孔１７０であり、外部から供給される充填ガスを伝達するガス供給孔１７０と非処理空間Ｓ１に対する排気を行うガス排気孔１８０であってもよい。
【0268】
前記制御部は、第１圧力調節部４００及び第２圧力調節部５００を介した処理空間Ｓ２及び非処理空間Ｓ１に対する圧力調節を制御する構成であってもよい。
【0269】
特に、前記制御部は、基板処理の工程ステップと連係し、各ステップでの非処理空間Ｓ１及び処理空間Ｓ２の第１圧力調節部４００及び第２圧力調節部５００を介した制御を行うことができる。
【0270】
例えば、前記制御部は、インナーリード部３００が上昇し、処理空間Ｓ２及び非処理空間Ｓ１が互いに連通した状態で、第１ガス供給部４１０を介してパージガスを供給し、第２ガス排気部５２０を介して排気を行うことできる。
【0271】
より具体的に、前記制御部は、基板処理が行われる処理空間Ｓ２に対する洗浄を行うために、インナーリード部３００が上昇し、処理空間Ｓ２と非処理空間Ｓ１が互いに連通した状態で、第１ガス供給部４１０を介してパージガスを供給し、基板処理が行われた基板支持部２００の周囲を洗浄又はパージすることができる。
【0272】
さらに、プロセスチャンバ１００の側面に備えられる第２ガス排気部５２０を介してパージガスを排気することによって、第１ガス供給部４１０を介して供給されたパージガスの側面への上昇流れを誘導し、内部浮遊物を非処理空間Ｓ１及び外部に排出するように誘導することができる。
【0273】
また、前記制御部は、インナーリード部３００の上昇前、第１圧力調節部４００及び第２圧力調節部５００の少なくとも一つを介して処理空間Ｓ２と非処理空間Ｓ１の圧力が互いに等しくなるように調節することができる。
【0274】
より具体的に、前記制御部は、インナーリード部３００の下降により密閉された処理空間Ｓ２が形成された状態で基板処理が行われ、処理が完了した基板１に対する搬出のためにインナーリード部３００が上昇する前に、非処理空間Ｓ１と処理空間Ｓ２との間の圧力差による基板１に対する位置変化又は損傷を防止するために、第１圧力調節部４００及び第２圧力調節部５００の少なくとも一つを介した非処理空間Ｓ１と処理空間Ｓ２との間の圧力が等しくなるように制御することができる。
【0275】
即ち、前記制御部は、非処理空間Ｓ１と処理空間Ｓ２との間の圧力差が維持された状態で、インナーリード部３００の上昇により非処理空間Ｓ１と処理空間Ｓ２が連通される場合、圧力差による一方向への気流発生により基板１が影響されるのを防止するために、これらの間の圧力を等しく調節するように第１圧力調節部４００及び第２圧力調節部５００の少なくとも一つを制御することができる。
【0276】
一方、本発明による基板処理装置は、インナーリード部３００とプロセスチャンバ１００の接触面に備えられ、処理空間Ｓ２から非処理空間Ｓ１にプロセスガスの漏れを防止するための第１シール部材９１０と、ガス供給流路１９０を介したプロセスガスの漏れを防止するための第２シール部材９２０を含むシール部９００をさらに含むことができる。
【0277】
前記シール部９００は、インナーリード部３００又はプロセスチャンバ１００底面１２０の少なくとも一つに備えられる構成であり、プロセスチャンバ１００の底面１２０とインナーリード部３００が密着する位置に対応して備えることができる。
【0278】
即ち、前記シール部９００は、インナーリード部３００の縁が底面１２０に接触して密閉された処理空間Ｓ２を形成する場合、インナーリード部３００の底面の縁に沿って備えられ、底面１２０との間に接触されることができる。
【0279】
これにより、前記シール部９００は、密閉された処理空間Ｓ２が形成されるように誘導することができ、処理空間Ｓ２のプロセスガスなどが内部空間など外部に流出されることを防止することができる。
【0280】
例えば、前記シール部９００は、インナーリード部３００の底面の縁に沿って備えられる第１シール部材９１０と、第１シール部材９１０に一定間隔で離隔された位置に備えられる第２シール部材９２０を含むことができる。
【0281】
このとき、前記第１シール部材９１０及び前記第２シール部材９２０は、従来開示された形態のＯリングであり、インナーリード部３００の底面の縁に沿って互いに一定間隔で離隔して並んで設けられてもよい。
【0282】
即ち、前記第１シール部材９１０及び前記第２シール部材９２０は、二重で処理空間Ｓ２に対してシールを行うことによって、処理空間Ｓ２から外部へのプロセスガスなどの流出を遮断することができる。
【0283】
また、前記第２シール部材９２０は、インナーリード３１０下降を通じてガス導入流路１９０とガス供給流路３２０とが連結されるとき、接触面でのプロセスガスの漏れを防止するために、ガス導入流路１９０を囲んで設けられるか、インナーリード３１０の底面でガス供給流路３２０を囲んで設けられてもよい。
【0284】
一方、前記シール部９００は、底面１２０に備えられる挿入溝に挿入されてもよく、インナーリード部３００の上下移動によりインナーリード部３００と密着又は分離することができる。
【0285】
別の例として、シール部９００がインナーリード部３００の底面に備えられてもよい。
【0286】
前記インナーリード駆動部６００は、プロセスチャンバ１００の上部面を貫通して設けられ、インナーリード部３００の上下移動を駆動する構成であり、様々な構成が可能である。
【0287】
例えば、前記インナーリード駆動部６００は、一端がプロセスチャンバ１００の上部面を貫通して、インナーリード部３００に結合される複数の駆動ロッド６１０と、複数の駆動ロッド６１０の他端に連結され、駆動ロッド６１０を上下方向に駆動する少なくとも一つの駆動源６２０を含むことができる。
【0288】
また、前記インナーリード駆動部６００は、プロセスチャンバ１００の上部面、即ち、トップリード１４０に設けられ、前記駆動ロッド６１０の終端を固定して支持する固定支持部６４０と、プロセスチャンバ１００の上部面とインナーリード部３００との間に駆動ロッド６１０を囲むように設けられるベローズ６３０をさらに含むことができる。
【0289】
前記駆動ロッド６１０は、一端がプロセスチャンバ１００の上部面を貫通して、インナーリード部３００に結合され、他端がプロセスチャンバ１００の外部で駆動源６２０に結合され、駆動源６２０を介した上下移動を通じてインナーリード部３００を上下に駆動する構成であってもよい。
【0290】
このとき、前記駆動ロッド６１０は、複数個、より具体的には、２個又は４個がインナーリード部３００の上面に一定間隔で結合し、インナーリード部３００が水平を維持しながら上下移動するように誘導することができる。
【0291】
前記駆動源６２０は、固定支持部６４０に設けられて結合する駆動ロッド６１０を上下に駆動する構成であり、様々な構成が可能である。
【0292】
前記駆動源６２０は、従来開示された駆動方式であればどのような構成でも適用可能であり、例えば、シリンダー方式、電磁気駆動、スクリューモータ駆動、カム駆動など様々な駆動方式を適用することができる。
【0293】
前記ベローズ６３０は、プロセスチャンバ１００の上部面とインナーリード部３００との間に駆動ロッド６１０を囲むように設けられ、非処理空間Ｓ１のガスなどがプロセスチャンバ１００の上部面を介して漏れることを防止する構成であってもよい。
【0294】
このとき、前記ベローズ６３０は、インナーリード部３００の上下移動を考慮して設けてもよい。
【0295】
一方、前述のように、基板支持部２００が取り付け溝１３０に設けられる場合、基板支持部２００、より具体的には、基板支持プレート２１０と取り付け溝１３０との間に空間が形成され、処理空間Ｓ２の容積が増加する要因になり得る。
【0296】
このような問題点を改善するために、基板支持部２００を取り付け溝１３０に接触して設ける場合、基板支持部２００内に存在するヒータを介して供給する熱をプロセスチャンバ１００の下部面、即ち、取り付け溝１３０を介してプロセスチャンバ１００に奪われて熱損失が発生し、処理空間Ｓ２に対するプロセス温度設定及び維持が困難になり、効率が低下される問題があった。
【0297】
このような問題点を改善するために、本発明による前記充填部材７００は、基板支持部２００とプロセスチャンバ１００の下部面との間に設けられる構成であり、様々な構成が可能である。
【0298】
例えば、前記充填部材７００は、取り付け溝１３０に設けられ、取り付け溝１３０に設けられた状態で、基板支持プレート２１０が上側に設けられて取り付け溝１３０と基板支持プレート２１０との間の残余容積を最小化し、処理空間Ｓ２の容積を減らすことができる。
【0299】
そのために、前記充填部材７００は、前記処理空間Ｓ２が最小化されるように、前記取り付け溝１３０と前記基板支持部２００との間の間空間（in-between space）に対応する形状に形成することができる。
【0300】
より具体的に、前記充填部材７００は、平面上円形であり、底面１２０から一定の深さを有するように段差を有して形成される取り付け溝１３０と平面上、円形の基板支持プレート２１０との間の間空間に対応する形状に形成することができる。
【0301】
そのために、前記充填部材７００は、基板支持プレート２１０と取り付け溝１３０との間に備えられる円形のプレート形状を有するか、円形のプレート形状で基板支持プレート２１０の側面と取り付け溝１３０との間の空間を占めるように縁が上側に段差を有するように形成することができる。
【0302】
即ち、前記充填部材７００は、前記基板支持プレート２１０の側面及び底面の少なくとも一つに隣接して設けられ、前記基板支持プレート２１０から離隔して前記基板支持プレート２１０の底面及び側面を囲むように形成することができる。
【0303】
このとき、前記基板支持部２００は、充填部材７００を介した熱損失を防止するために、充填部材７００と離隔して設けることができ、より詳細には、接触しないレベルの微細な間隔を有して設けることができる。
【0304】
これにより、前記基板支持部２００と充填部材７００との間には、一定間隔が維持され、この間隔が排気流路として作用することにより、処理空間Ｓ２に対する排気を行うことができる。
【0305】
より具体的に、前記基板支持部２００と充填部材７００が互いに離隔して設けられることにより、排気流路が形成され、このとき、排気流路が基板支持シャフト２２０が貫通する取り付け溝１３０の底と連通し、外部で処理空間Ｓ２のプロセスガスを排気することができる。
【0306】
一方、前記充填部材７００は、石英、セラミック及びＳＵＳの少なくとも一つの材質であってもよい。
【0307】
また、前記充填部材７００は、単純に処理空間Ｓ２の容積を最小化するために、取り付け溝１３０と基板支持部２００との間の空間を占めるだけでなく、断熱を通じて基板支持部２００を介して基板１に伝達される熱の損失を最小化し、さらに熱反射を通じて処理空間Ｓ２への損失される熱を反射することができる。
【0308】
即ち、前記充填部材７００は、処理空間Ｓ２の容積を最小化するだけでなく、基板支持部２００を介した熱のプロセスチャンバ１００の底面１２０側への損失を防止するための断熱、さらに熱の反射を通した熱効率を増大させる反射機能を含むことができる。
【0309】
一方、それに加えて、基板支持部２００を介して発散する熱の処理空間Ｓ２への反射効果を増大させるために、表面に備えられる反射部をさらに含むことができる。
【0310】
即ち、前記充填部材７００は、前記処理空間Ｓ２から外部への熱を遮断するための断熱部と、前記断熱部の表面に備えられ、熱を反射する反射部と、を含むことができる。
【0311】
このとき、前記反射部は、断熱部の表面にコートされるか、接着又は塗布されて反射層を形成することができ、処理空間Ｓ２からプロセスチャンバ１００を介して失われる熱を反射して、再度処理空間Ｓ２に伝達することができる。
【0312】
また、前記充填部材７００は、前述した基板支持シャフト２２０を設けるために、中心に対応する大きさに形成される第１貫通口と、複数の基板支持ピン８１０が貫通して、上下に移動するための複数の第２貫通口とをさらに形成することができる。
【0313】
前記基板支持ピン部８００は、プロセスチャンバ１００に導入及び搬出される基板１を支持して基板支持部に２００に載置される構成であり、様々な構成が可能である。
【0314】
例えば、前記基板支持ピン部８００は、前記充填部材７００及び前記基板支持部２００を貫通して上下に移動することにより、前記基板１を支持する複数の基板支持ピン８１０と、複数の前記基板支持ピン８１０が設けられる環状の基板支持リング８２０と、複数の前記基板支持ピン８１０を上下駆動する基板支持ピン駆動部８３０と、を含むことができる。
【0315】
前記複数の基板支持ピン８１０は、基板支持リング８２０に複数個備えられ、充填部材７００及び基板支持部２００を貫通して上下に移動することにより、基板１を支持する構成であり、様々な構成が可能である。
【0316】
このとき、複数の基板支持ピン８１０は、少なくとも３個を備えてもよく、基板支持リング８２０に互いに離隔してそれぞれ設けられ、上昇して基板支持部２００から露出されることにより導入される基板１を支持するか、排出される基板１を支持し、下降して基板支持部２００内部に位置させることにより、基板１を基板支持部２００に載置させることができる。
【0317】
前記基板支持リング８２０は、環状の構成であり、複数の基板支持ピン８１０が設けられ、上下移動を通じて複数の基板支持ピン８１０が同時に上下に移動するように設けられる構成であってもよい。
【0318】
特に、前記基板支持リング８２０は、プロセスチャンバ１００の下部面、即ち、取り付け溝１３０に形成される支持ピン取り付け溝１６０に設けられ、基板支持ピン駆動部８３０により上下に移動することができる。
【0319】
前記基板支持ピン駆動部８３０は、プロセスチャンバ１００の外部に設けられ、基板支持リング８２０を上下に駆動する構成であり、様々な構成が可能である。
【0320】
例えば、前記基板支持ピン駆動部８３０は、一端が基板支持リング８２０の底面に連結され、他端が基板支持ピン駆動源８３３に連結され、基板支持ピン駆動源８３３の駆動力により上下移動する基板支持ピンロッド８３１と、基板支持ピンロッド８３１の線形移動をガイドする基板支持ピンガイド８３２と、基板支持ピンロッド８３１を駆動する基板支持ピン駆動源８３３と、を含むことができる。
【0321】
また、前記基板支持ピン部８００は、基板支持ピンロッド８３１を囲んでプロセスチャンバ１００の底面と基板支持ピン駆動源８３３との間に設けられる基板支持ピンベローズ８４０をさらに含むことができる。
【0322】
前記マニホールド部１０００は、処理空間Ｓ２と連通するようにプロセスチャンバ１００の下部面に設けられ、高圧制御部４３０及びポンプ制御部４４０と連通されるための少なくとも一つの処理空間排気ポートが形成される構成であり、様々な構成が可能である。
【0323】
例えば、前記マニホールド部１０００は、図３に示されるように、プロセスチャンバ１００の下部面に設けられ、内部に処理空間Ｓ２と連通するマニホールド１０１０と、マニホールド１０１０に備えられ、前述した高圧制御部４３０及びポンプ制御部４４０の少なくとも一つと結合する処理空間排気ポートを含むことができる。
【0324】
このとき、前記マニホールド１０１０は、プロセスチャンバ１００の下部面に設けられ、処理空間Ｓ２と連通することができ、これにより、処理空間Ｓ２と高圧制御部４３０及びポンプ制御部４４０を排気のために媒介することができる。
【0325】
一方、前記マニホールド１０１０は、前述した基板支持シャフト２２０を介して基板支持プレート２１０に設けられるヒータと連結される各種導線が貫通して設けられるように下部貫通孔１０１１を形成することができる。
【0326】
前記処理空間排気ポートは、マニホールド１０１０に備えられ、前述したように、高圧制御部４３０と連結される高圧排気ポート１０２０と、ポンプ制御部４４０と連結されるポンプ排気ポート１０３０とを含むことができ、別の例として、マニホールド１０１０に単一のポートとして備えられ、高圧排気ポート１０２０又はポンプ排気ポート１０３０と結合した状態で、高圧排気ポート１０２０及びポンプ排気ポート１０３０の両方と連通することができる。
【0327】
前記外部排気装置１１００は、図６に示されるように、処理空間Ｓ２及び非処理空間Ｓ１から排出される有害物質を除去する有害物質除去部１１１０と、有害物質除去部１１１０と高圧制御部４３０、ポンプ制御部４４０及び第２ガス排気部５２０の間を連結する外部排気ライン１１２０を含むことができる。
【0328】
また、前記外部排気装置１１００は、有害物質除去部１１１０の後段に有害物質が除去された排気ガスを外部に排気するための排気ライン１１３０をさらに含むことができる。
【0329】
この場合、前述した外部真空ポンプ１２００は、有害物質除去部１１１０の前段で第２ガス排気部５２０及びポンプ制御部４４０と連結される位置に設けられ、それぞれ非処理空間Ｓ１と処理空間Ｓ２をポンプすることができる。
【0330】
このとき、図６に示されるように、高圧制御部４３０は、外部真空ポンプ１２００を保護するために、外部真空ポンプ１２００の後段で外部排気ライン１１２０に連結され、これにより、有害物質除去部１１１０に排気ガスを伝達することができる。
【0331】
以上、本発明によって具現することができる好ましい実施例の一部について説明したもの過ぎず、周知のように本発明の範囲は前記実施例に限定されて解釈されるべきではなく、前述した本発明の技術的思想とその根本を合わせた技術的思想は、すべて本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0332】
１ 基板
１００ プロセスチャンバ
２００ 基板支持部
３００ インナーリード部
４００ 第１圧力調節部
５００ 第２圧力調節部
６００ インナーリード駆動部
７００ 充填部材
８００ 基板支持ピン部
９００ シール部
１０００ マニホールド部
１１００ 外部排気装置
１２００ 外部真空ポンプ
１００ プロセスチャンバ
２００ 基板支持部
３００ インナーリード部
４００ 第１圧力調節部
５００ 第２圧力調節部
６００ インナーリード駆動部
７００ 充填部材
８００ 基板支持ピン部
９００ シール部
１０００ マニホールド部
１１００ 外部排気装置
１２００ 外部真空ポンプ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
