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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023038169
(43)【公開日】2023-03-16
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理装置のメンテナンス方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20230309BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101M
【審査請求】未請求
【請求項の数】31
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022136129
(22)【出願日】2022-08-29
(31)【優先権主張番号】P 2022049553
(32)【優先日】2022-03-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2021144494
(32)【優先日】2021-09-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100122507
【弁理士】
【氏名又は名称】柏岡 潤二
(72)【発明者】
【氏名】遠藤 宏紀
(72)【発明者】
【氏名】永島 望
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 優
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 功英
(72)【発明者】
【氏名】▲瀬▼口 泰生
(72)【発明者】
【氏名】喜多川 大
【テーマコード（参考）】
5F004
【Ｆターム（参考）】
5F004BA09
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB25
5F004BB28
5F004BB29
5F004BC05
5F004BC08
5F004CA06
5F004DA22
(57)【要約】
【課題】基板処理装置の内壁部材を容易にメンテナンスすることを可能とする技術を提供する。
【解決手段】開示される基板処理装置は、チャンバ、基板支持器、支持部材、内壁部材、コンタクト部材、及びアクチュエータを備える。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。支持部材は、基板支持器の上方に設けられている。内壁部材は、基板支持器の上方且つ支持部材の下に配置可能な天部を含む。コンタクト部材は、支持部材及び内壁部材のうち一方の部材に取り付けられている。コンタクト部材は、支持部材及び内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、支持部材に対して内壁部材を着脱可能に固定するように構成されている。アクチュエータは、支持部材に対する内壁部材の固定を解除するよう内壁部材を下方に移動させるように構成されている。
【選択図】図１
【解決手段】開示される基板処理装置は、チャンバ、基板支持器、支持部材、内壁部材、コンタクト部材、及びアクチュエータを備える。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。支持部材は、基板支持器の上方に設けられている。内壁部材は、基板支持器の上方且つ支持部材の下に配置可能な天部を含む。コンタクト部材は、支持部材及び内壁部材のうち一方の部材に取り付けられている。コンタクト部材は、支持部材及び内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、支持部材に対して内壁部材を着脱可能に固定するように構成されている。アクチュエータは、支持部材に対する内壁部材の固定を解除するよう内壁部材を下方に移動させるように構成されている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
開口を提供する側壁を含むチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器の上方に設けられた支持部材と、
前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置可能な天部を含む内壁部材と、
前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定するように構成された該コンタクト部材と、
前記支持部材に対する前記内壁部材の固定を解除するよう前記内壁部材を下方に移動させるように構成されたアクチュエータと、
を備える基板処理装置。
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器の上方に設けられた支持部材と、
前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置可能な天部を含む内壁部材と、
前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定するように構成された該コンタクト部材と、
前記支持部材に対する前記内壁部材の固定を解除するよう前記内壁部材を下方に移動させるように構成されたアクチュエータと、
を備える基板処理装置。
【請求項2】
前記支持部材の下面は凹部を提供しており、
前記天部の上面は凹部を提供しており、
前記コンタクト部材は、
前記支持部材の前記凹部に嵌め込まれた第１の部分と、
前記第１の部分から下方に延び、前記天部の前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮するばねを有する第２の部分と、
を含む、
請求項１に記載の基板処理装置。
前記天部の上面は凹部を提供しており、
前記コンタクト部材は、
前記支持部材の前記凹部に嵌め込まれた第１の部分と、
前記第１の部分から下方に延び、前記天部の前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮するばねを有する第２の部分と、
を含む、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記コンタクト部材は、前記支持部材から着脱可能であるように構成されており、
前記第１の部分は、前記コンタクト部材を前記支持部材から取り外すときに、その水平方向への変形により前記支持部材の前記凹部から取り出し可能であるように弾性を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１の部分は、前記コンタクト部材を前記支持部材から取り外すときに、その水平方向への変形により前記支持部材の前記凹部から取り出し可能であるように弾性を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記支持部材の前記凹部は、前記支持部材の該凹部の下端開口において狭められている、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記天部の上面は凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記支持部材の下面に提供された凹部内で固定されており、下方に向けて開口した凹部を提供し、
前記コンタクト部材は、該コンタクト部材の前記凹部の中に設けられたばねを含み、
前記コンタクト部材の前記ばねは、該コンタクト部材の前記凹部に前記天部の前記凸部が嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮する、
請求項１に記載の基板処理装置。
前記コンタクト部材は、前記支持部材の下面に提供された凹部内で固定されており、下方に向けて開口した凹部を提供し、
前記コンタクト部材は、該コンタクト部材の前記凹部の中に設けられたばねを含み、
前記コンタクト部材の前記ばねは、該コンタクト部材の前記凹部に前記天部の前記凸部が嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記コンタクト部材は、前記ばねを支持するフローティング機構を更に含む、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記支持部材の前記下面は、雌ねじを提供しており、
前記コンタクト部材の外周面は、前記雌ねじに螺合される雄ねじを提供している、
請求項５に記載の基板処理装置。
前記コンタクト部材の外周面は、前記雌ねじに螺合される雄ねじを提供している、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記支持部材の下面は凹部を提供しており、
前記天部の上面は、凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記凸部を覆うように前記天部に固定されており、前記凸部及び該コンタクト部材が前記支持部材の前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮するばねを有する、
請求項１に記載の基板処理装置。
前記天部の上面は、凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記凸部を覆うように前記天部に固定されており、前記凸部及び該コンタクト部材が前記支持部材の前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮するばねを有する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記支持部材の下面は凹部を提供しており、
前記天部の上面は凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記凹部を画成する内壁面に沿って設けられたスパイラルスプリングガスケットであり、
前記スパイラルスプリングガスケットは、前記凸部が前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮する、
請求項１に記載の基板処理装置。
前記天部の上面は凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記凹部を画成する内壁面に沿って設けられたスパイラルスプリングガスケットであり、
前記スパイラルスプリングガスケットは、前記凸部が前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記内壁部材は、搬送アームにより前記開口を介して前記チャンバの内部と外部との間で搬送可能であるように構成されている、請求項１～９の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記支持部材と前記天部との間で挟持される伝熱シートを更に備える、請求項１～９の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記支持部材及び前記天部は、前記チャンバ内にガスを供給するように構成されたシャワーヘッドを構成する、請求項１～９の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記支持部材は、その中で熱媒体が流される流路を提供している、請求項１～９の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記内壁部材は、前記天部の周縁部から下方に延びる側壁部を更に含み、前記基板支持器上に載置される基板がその中で処理される処理空間を前記基板支持器と共に形成する、請求項１～９の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記基板処理装置は、プラズマ処理装置である、請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
筒形状を有し、前記基板支持器の外周に沿って延在し、接地された導体部と、
前記側壁部の下端を前記導体部に電気的に接続して、前記内壁部材を前記導体部に電気的に接続するコンタクト機構と、
を更に備える、請求項１５に記載の基板処理装置。
前記側壁部の下端を前記導体部に電気的に接続して、前記内壁部材を前記導体部に電気的に接続するコンタクト機構と、
を更に備える、請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記コンタクト機構は、
導電性材料から形成されており、前記導体部に電気的に接続されており、前記導体部の外周に沿って延在する筒状体と、
導電性材料から形成されており、前記基板支持器と前記筒状体との間に配置される押圧体と、
前記筒状体を周方向に沿って回転させるように構成された駆動部と、
を含み、
前記コンタクト機構は、前記筒状体の周方向の回転により前記押圧体を前記側壁部の下端の外周面に押し付けて、前記内壁部材を前記押圧体及び前記筒状体を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、
請求項１６に記載の基板処理装置。
導電性材料から形成されており、前記導体部に電気的に接続されており、前記導体部の外周に沿って延在する筒状体と、
導電性材料から形成されており、前記基板支持器と前記筒状体との間に配置される押圧体と、
前記筒状体を周方向に沿って回転させるように構成された駆動部と、
を含み、
前記コンタクト機構は、前記筒状体の周方向の回転により前記押圧体を前記側壁部の下端の外周面に押し付けて、前記内壁部材を前記押圧体及び前記筒状体を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、
請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記導体部の上端は、周方向に延びる凹部を提供し、
前記コンタクト機構は、弾性を有する別のコンタクト部材を含み、
前記別のコンタクト部材は、前記導体部の前記凹部の中で周方向に延びており、前記導体部に電気的に接続されており、
前記別のコンタクト部材は、前記凹部の中で前記側壁部の前記下端に弾性的に接触することにより、前記内壁部材を該別のコンタクト部材を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、
請求項１６に記載の基板処理装置。
前記コンタクト機構は、弾性を有する別のコンタクト部材を含み、
前記別のコンタクト部材は、前記導体部の前記凹部の中で周方向に延びており、前記導体部に電気的に接続されており、
前記別のコンタクト部材は、前記凹部の中で前記側壁部の前記下端に弾性的に接触することにより、前記内壁部材を該別のコンタクト部材を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、
請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項19】
前記コンタクト機構は、
前記側壁部の下端及び前記導体部の上端のうち一方に取り付けられた複数の雄コネクタと、
前記側壁部の下端及び前記導体部の上端のうち他方に取り付けられた複数の雌コネクタと、
を含み、
前記コンタクト機構は、前記複数の雄コネクタの各々と前記複数の雌コネクタのうち対応の雌コネクタを互いに結合することにより前記内壁部材を前記導体部に電気的に接続するように構成されている、請求項１６に記載の基板処理装置。
前記側壁部の下端及び前記導体部の上端のうち一方に取り付けられた複数の雄コネクタと、
前記側壁部の下端及び前記導体部の上端のうち他方に取り付けられた複数の雌コネクタと、
を含み、
前記コンタクト機構は、前記複数の雄コネクタの各々と前記複数の雌コネクタのうち対応の雌コネクタを互いに結合することにより前記内壁部材を前記導体部に電気的に接続するように構成されている、請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項20】
前記コンタクト機構は、前記側壁部の前記下端が提供する下面に当接可能に設けられた別のコンタクト部材を含み、
前記コンタクト機構は、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けることにより、前記内壁部材を前記別のコンタクト部材を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、請求項１６に記載の基板処理装置。
前記コンタクト機構は、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けることにより、前記内壁部材を前記別のコンタクト部材を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項21】
前記コンタクト機構は、流体の圧力により、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けるように構成されている、請求項２０に記載の基板処理装置。
【請求項22】
前記コンタクト機構は、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けるように構成された圧電素子を更に含む、請求項２０に記載の基板処理装置。
【請求項23】
前記支持部材は容量結合型プラズマ処理装置の上部電極を構成する、請求項１～９の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項24】
前記導体部は、その中に、該導体部の中心軸線に対して周方向に沿って延びる空洞と該空洞と該導体部の外側の空間との間で延びる開口を提供し、
前記コンタクト機構は、
前記空洞の中に設けられた膨張可能シールと、
前記空洞の中で前記膨張可能シールと前記開口を画成する前記導体部の壁との間に設けられた第１部分及び該第１部分から前記開口の中に延びる第２部分を含み、導電性材料から形成された押圧体と、
導電性材料から形成されており、前記第１部分と前記導体部の前記壁の間に設けられた弾性体と、
前記膨張可能シールにエアを供給するように構成されたエア供給部と、
を含み、
前記押圧体は、前記エア供給部からの前記エアによって前記膨張可能シールが膨張することにより、前記弾性体を前記第１部分と前記導体部の前記壁との間で挟持し、前記第２部分の先端を前記側壁部の前記下端の内周面に当接させさせるように構成されている、
請求項１６に記載の基板処理装置。
前記コンタクト機構は、
前記空洞の中に設けられた膨張可能シールと、
前記空洞の中で前記膨張可能シールと前記開口を画成する前記導体部の壁との間に設けられた第１部分及び該第１部分から前記開口の中に延びる第２部分を含み、導電性材料から形成された押圧体と、
導電性材料から形成されており、前記第１部分と前記導体部の前記壁の間に設けられた弾性体と、
前記膨張可能シールにエアを供給するように構成されたエア供給部と、
を含み、
前記押圧体は、前記エア供給部からの前記エアによって前記膨張可能シールが膨張することにより、前記弾性体を前記第１部分と前記導体部の前記壁との間で挟持し、前記第２部分の先端を前記側壁部の前記下端の内周面に当接させさせるように構成されている、
請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項25】
前記第２部分の前記先端はコンタクトバンドから形成されている、請求項２４に記載の基板処理装置。
【請求項26】
前記弾性体は、斜め巻きコイルスプリングである、請求項２４に記載の基板処理装置。
【請求項27】
筒形状を有し、前記基板支持器の外周に沿って延在し、接地された導体部であり、前記チャンバの底部の上方で、水平方向にスライド可能に設けられた、該導体部を更に備え、
前記導体部の頂部の外周面は、テーパー状の面であり、
前記側壁部の下端の内周面は、前記導体部の頂部の外周面に対応するテーパー状の面であり、
前記導体部の前記頂部の前記外周面と前記側壁部の前記下端の前記内周面とが直接的又は間接的に接触するように構成されている、
請求項１５に記載の基板処理装置。
前記導体部の頂部の外周面は、テーパー状の面であり、
前記側壁部の下端の内周面は、前記導体部の頂部の外周面に対応するテーパー状の面であり、
前記導体部の前記頂部の前記外周面と前記側壁部の前記下端の前記内周面とが直接的又は間接的に接触するように構成されている、
請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項28】
前記導体部の前記頂部の前記外周面上に設けられたコンタクトバンドを更に備える、請求項２７に記載の基板処理装置。
【請求項29】
前記チャンバの前記底部と該底部に螺合されたボルトの頭部との間に配置されたスラストベアリングを更に備え、
前記導体部は、前記チャンバの前記底部の上方でスラストベアリングを介してスライド可能に支持されている、
請求項２７に記載の基板処理装置。
前記導体部は、前記チャンバの前記底部の上方でスラストベアリングを介してスライド可能に支持されている、
請求項２７に記載の基板処理装置。
【請求項30】
基板処理装置のチャンバの外部から該チャンバの内部に、該チャンバの側壁に設けられた開口を介して、搬送アームにより内壁部材を搬入する工程であり、該基板処理装置は、前記チャンバ、該チャンバ内に設けられた基板支持器、及び該基板支持器の上方に設けられた支持部材を備え、該内壁部材は、前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置可能な天部を含む、該工程と、
前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材を鉛直方向に沿って移動させることにより前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定する工程であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材が前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材が固定される、該工程と、
を含む基板処理装置のメンテナンス方法。
前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材を鉛直方向に沿って移動させることにより前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定する工程であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材が前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材が固定される、該工程と、
を含む基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項31】
基板処理装置のチャンバの外部から該チャンバの内部に、該チャンバの側壁に設けられた開口を介して、搬送アームを進入させる工程であり、該基板処理装置は、前記チャンバ、該チャンバ内に設けられた基板支持器、該基板支持器の上方に設けられた支持部材、前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置された天部を含む内壁部材、及び、前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定するように構成された該コンタクト部材を備える、該工程と、
前記コンタクト部材による前記内壁部材の固定を解除するようアクチュエータにより前記内壁部材を下方に移動させることにより、前記搬送アームに前記内壁部材を受け渡す工程と、
前記チャンバの内部から前記チャンバの外部に前記開口を介して前記内壁部材を搬出する工程と、
を含む基板処理装置のメンテナンス方法。
前記コンタクト部材による前記内壁部材の固定を解除するようアクチュエータにより前記内壁部材を下方に移動させることにより、前記搬送アームに前記内壁部材を受け渡す工程と、
前記チャンバの内部から前記チャンバの外部に前記開口を介して前記内壁部材を搬出する工程と、
を含む基板処理装置のメンテナンス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、基板処理装置及び基板処理装置のメンテナンス方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
基板処理装置が、基板に対する処理に用いられている。基板処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、チャンバ内で基板を支持する。基板は、チャンバ内で処理される。基板処理装置の一種であるプラズマ処理装置では、基板は、チャンバ内で処理ガスから生成されたプラズマからの化学種により処理される。下記の特許文献１は、このようなプラズマ処理装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－１９７８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板処理装置の内壁部材を容易にメンテナンスすることを可能とする技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、チャンバ、基板支持器、支持部材、内壁部材、コンタクト部材、及びアクチュエータを備える。チャンバは、開口を提供する側壁を含む。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。支持部材は、基板支持器の上方に設けられている。内壁部材は、基板支持器の上方且つ支持部材の下に配置可能な天部を含む。コンタクト部材は、支持部材及び内壁部材のうち一方の部材に取り付けられている。コンタクト部材は、支持部材及び内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、支持部材に対して内壁部材を着脱可能に固定するように構成されている。アクチュエータは、支持部材に対する内壁部材の固定を解除するよう内壁部材を下方に移動させるように構成されている。
【発明の効果】
【0006】
一つの例示的実施形態によれば、基板処理装置の内壁部材を容易にメンテナンスすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。
【図2】一つの例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図3】一つの例示的実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面図である。
【図4】一つの例示的実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面図である。
【図5】一つの例示的実施形態に係る基板処理装置における一例のコンタクト部材を示す平面図である。
【図6】一つの例示的実施形態に係る基板処理装置における別の例のコンタクト部材を示す平面図である。
【図7】一つの例示的実施形態に係るメンテナンス方法が行われているときの基板処理装置の状態を示す図である。
【図8】一つの例示的実施形態に係るメンテナンス方法が行われているときの基板処理装置の状態を示す図である。
【図9】一つの例示的実施形態に係るメンテナンス方法が行われているときの基板処理装置の状態を示す図である。
【図10】一つの例示的実施形態に係るメンテナンス方法が行われているときの基板処理装置の状態を示す図である。
【図11】一つの例示的実施形態に係るメンテナンス方法が行われているときの基板処理装置の状態を示す図である。
【図12】一つの例示的実施形態に係るメンテナンス方法が行われているときの基板処理装置の状態を示す図である。
【図13】別の例示的実施形態に係る支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材の部分拡大断面図である。
【図14】更に別の例示的実施形態に係る支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材の部分拡大断面図である。
【図15】更に別の例示的実施形態に係る支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材の部分拡大断面図である。
【図16】別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図17】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図19】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図20】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置におけるコンタクト機構の部分拡大断面図である。
【図21】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図22】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置におけるコンタクト機構の一部を拡大して示す斜視図である。
【図23】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図24】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置におけるコンタクト機構の部分拡大断面図である。
【図25】更に別の例示的実施形態に係るコンタクト機構の部分拡大断面図である。
【図26】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図28】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図29】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面図である。
【図30】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面図である。
【図31】更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【0009】
【0010】
基板処理システムＰＳは、台２ａ～２ｄ、容器４ａ～４ｄ、アライナＡＮ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、及び搬送モジュールＴＭを更に備えていてもよい。なお、基板処理システムＰＳにおける台の個数、容器の個数、ロードロックモジュールの個数は一つ以上の任意の個数であり得る。また、基板処理システムＰＳにおけるプロセスモジュールの個数は、一つ以上の任意の個数であり得る。
【0011】
台２ａ～２ｄは、ローダモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。容器４ａ～４ｄはそれぞれ、台２ａ～２ｄ上に搭載されている。容器４ａ～４ｄの各々は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）と称される容器である。容器４ａ～４ｄの各々は、その内部に基板Ｗを収容するように構成されている。
【0012】
ローダモジュールＬＭは、チャンバを有する。ローダモジュールＬＭのチャンバ内の圧力は、大気圧に設定される。ローダモジュールＬＭは、搬送装置ＴＵ１を有する。搬送装置ＴＵ１は、例えば搬送ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ１は、ローダモジュールＬＭのチャンバを介して基板Ｗを搬送するように構成されている。搬送装置ＴＵ１は、容器４ａ～４ｄの各々とアライナＡＮとの間、アライナＡＮとロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々との間、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々と容器４ａ～４ｄの各々との間で、基板Ｗを搬送し得る。アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭに接続されている。アライナＡＮは、基板Ｗの位置の調整（位置の較正）を行うように構成されている。
【0013】
ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、ローダモジュールＬＭと搬送モジュールＴＭとの間に設けられている。ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、予備減圧室を提供している。ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、ゲートバルブを介して、ローダモジュールＬＭに接続されている。また、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、ゲートバルブを介して搬送モジュールＴＭに接続されている。
【0014】
搬送モジュールＴＭは、減圧可能な搬送チャンバＴＣを有している。搬送モジュールＴＭは、搬送装置ＴＵ２を有している。搬送装置ＴＵ２は、例えば搬送ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ２は、搬送チャンバＴＣを介して基板Ｗを搬送するように構成されている。搬送装置ＴＵ２は、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々とプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々との間、及び、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち任意の二つのプロセスモジュールの間において、基板Ｗを搬送し得る。
【0015】
プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々は、ゲートバルブを介して搬送モジュールＴＭに接続されている。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々は、専用の基板処理を行うように構成された装置である。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち少なくとも一つのプロセスモジュールは、後述する例示的実施形態に係る基板処理装置である。
【0016】
搬送モジュールＣＴＭは、チャンバ及び搬送装置を有している。搬送モジュールＣＴＭは、制御部ＭＣによって制御される。搬送モジュールＣＴＭは、基板処理装置のチャンバに接続するために移動可能であるように構成されている。また、搬送モジュールＣＴＭは、基板処理装置のチャンバの内部空間と搬送モジュールＣＴＭのチャンバの内部空間とを、これら内部空間が減圧された状態で互いに接続するように構成されている。搬送モジュールＣＴＭの搬送装置は、搬送アームＣＡ（図７を参照）を有する。搬送アームＣＡは、基板処理装置のチャンバの内部空間と外部（一例では搬送モジュールＣＴＭのチャンバの内部空間）との間で、基板処理装置の内壁部材を搬送するように構成されている。
【0017】
制御部ＭＣは、基板処理システムＰＳの各部を制御するように構成されている。制御部ＭＣは、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり得る。制御部ＭＣは、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいて基板処理システムＰＳの各部を制御する。後述する例示的実施形態に係るメンテナンス方法は、制御部ＭＣによる基板処理システムＰＳの各部の制御により、基板処理システムＰＳにおいて実行され得る。
【0018】
以下、図２～図４を参照して、例示的実施形態に係る基板処理装置について説明する。図２は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図３及び図４の各々は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面図である。図２～図４に示す基板処理装置１は、基板処理システムＰＳの一つ以上のプロセスモジュールとして用いられ得る。
【0019】
基板処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置である。基板処理装置１は、チャンバ１０、基板支持器１２、支持部材１４、内壁部材１６、一つ以上のコンタクト部材１８、及びアクチュエータ２０を備える。
【0020】
チャンバ１０は、その内部に内部空間を提供している。チャンバ１０は、アルミニウムといった金属から形成されている。チャンバ１０は、電気的に接地されている。チャンバ１０の表面上には、耐腐食性の膜が形成されていてもよい。耐腐食性の膜は、例えば、酸化アルミニウム又は酸化イットリウムといった材料から形成される。
【0021】
チャンバ１０は、側壁１０ｓを含んでいる。側壁１０ｓは、略円筒形状を有している。側壁１０ｓの中心軸線は、鉛直方向に延びており、図２においては軸線ＡＸとして示されている。側壁１０ｓは、通路１０ｐを提供している。チャンバ１０の内部空間は、通路１０ｐを介して搬送モジュールＴＭの搬送チャンバＴＣの内部空間と接続される。通路１０ｐは、ゲートバルブ１０ｇによって開閉可能である。基板Ｗは、チャンバ１０の内部空間とチャンバ１０の外部（即ち、搬送チャンバＴＣの内部空間）との間で搬送されるときに、通路１０ｐを通過する。
【0022】
側壁１０ｓは、開口１０ｏを更に提供している。開口１０ｏは、内壁部材１６が通過可能なサイズを有している。チャンバ１０の内部空間は、開口１０ｏを介して搬送モジュールＣＴＭのチャンバの内部空間と接続可能である。開口１０ｏは、ゲートバルブ１０ｖによって開閉可能である。
【0023】
チャンバ１０は、上部１０ｕを更に含んでいてもよい。上部１０ｕは、側壁１０ｓの上端から軸線ＡＸに交差する方向に延在している。上部１０ｕは、軸線ＡＸに交差する領域において開口を提供している。
【0024】
基板処理装置１は、排気装置１１を更に備えている。排気装置１１は、自動圧力制御弁といった圧力調整器及びターボ分子ポンプといった減圧ポンプを含んでいる。排気装置１１は、チャンバ１０の底部を通ってチャンバ１０の内部空間に接続されている。
【0025】
基板支持器１２は、チャンバ１０内に設けられている。基板支持器１２は、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。基板支持器１２は、基台２２及び静電チャック２４を含んでいてもよい。基台２２は、略円盤形状を有している。基台２２の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。基台２２は、アルミニウムといった導体から形成されている。基台２２は、その中に流路２２ｆを提供している。流路２２ｆは、例えば渦巻き状に延在している。流路２２ｆは、チラーユニット２３に接続されている。チラーユニット２３は、チャンバ１０の外部に設けられている。チラーユニット２３は、熱媒体（例えば冷媒）を流路２２ｆに供給する。流路２２ｆに供給された熱媒体は、流路２２ｆの中を流れてチラーユニット２３に戻される。
【0026】
静電チャック２４は、基台２２上に設けられている。静電チャック２４は、本体とチャック電極を含んでいる。静電チャック２４の本体は、略円盤形状を有している。静電チャック２４の中心軸線は、軸線ＡＸと略一致している。静電チャック２４の本体は、セラミックから形成されている。基板Ｗは、静電チャック２４の本体の上面の上に載置される。チャック電極は、導体から形成された膜である。チャック電極は、静電チャック２４の本体内に設けられている。チャック電極は、スイッチを介して直流電源に接続されている。直流電源からの電圧がチャック電極に印加されると、静電チャック２４と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは静電チャック２４に引き付けられ、静電チャック２４によって保持される。基板処理装置１は、静電チャック２４と基板Ｗの裏面との間の間隙に、伝熱ガス（例えば、ヘリウムガス）を供給するガスラインを提供していてもよい。
【0027】
基板支持器１２は、その上に配置されるエッジリングＥＲを更に支持していてもよい。基板Ｗは、エッジリングＥＲによって囲まれた領域内で静電チャック２４上に載置される。エッジリングＥＲは、例えばシリコン、石英、又は炭化ケイ素から形成される。
【0028】
基板処理装置１は、絶縁部２６を更に備えていてもよい。絶縁部２６は、石英といった絶縁体から形成されている。絶縁部２６は、略筒形状を有し得る。絶縁部２６は、基台２２の外周及び静電チャック２４の外周に沿って延在している。
【0029】
基板処理装置１は、導体部２８を更に備えていてもよい。導体部２８は、アルミニウムといった導体から形成されている。導体部２８は、略筒形状を有し得る。導体部２８は、絶縁部２６の外周面に沿って延在している。導体部２８は、絶縁部２６の径方向外側で周方向に延在している。なお、径方向及び周方向の各々は、軸線ＡＸを基準とする方向である。導体部２８は、グランドに接続されている。一例では、導体部２８は、チャンバ１０を介してグランドに接続されている。導体部２８は、チャンバ１０の一部であってもよい。
【0030】
基板処理装置１は、高周波電源３１及びバイアス電源３２を更に備えていてもよい。高周波電源３１は、ソース高周波電力を発生する電源である。ソース高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。ソース高周波電力の周波数は、例えば２７ＭＨｚ以上である。高周波電源３１は、整合器３１ｍを介して基板支持器１２内の電極に電気的に接続されている。高周波電源３１は、基台２２に電気的に接続されていてもよい。整合器３１ｍは、高周波電源３１の負荷側のインピーダンスを高周波電源３１の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を有している。なお、高周波電源３１は、基板支持器１２内の別の電極に電気的に接続されていてもよい。或いは、高周波電源３１は、上部電極に整合器３１ｍを介して接続されていてもよい。
【0031】
バイアス電源３２は、電気バイアスエネルギーを発生する電源である。電気バイアスエネルギーは、プラズマから基板Ｗにイオンを引き込むために基板支持器１２の電極に供給される。電気バイアスエネルギーは、バイアス高周波電力であってもよい。バイアス高周波電力の波形は、バイアス周波数を有する正弦波である。バイアス周波数は、例えば１３．５６ＭＨｚ以下である。この場合に、バイアス電源３２は、整合器３２ｍを介して基板支持器１２の電極に電気的に接続されている。バイアス電源３２は、基台２２に電気的に接続されていてもよい。整合器３２ｍは、バイアス電源３２の負荷側のインピーダンスをバイアス電源３２の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を有している。なお、バイアス電源３２は、基板支持器１２内の別の電極に電気的に接続されていてもよい。
【0032】
或いは、電気バイアスエネルギーは、上述のバイアス周波数の逆数の時間間隔で周期的に発生される電圧のパルスであってもよい。電圧のパルスは、負の極性を有していてもよい。電圧のパルスは、負の直流電圧から生成されるパルスであってもよい。
【0033】
支持部材１４は、基板支持器１２の上方に設けられている。支持部材１４は、チャンバ１０の上部１０ｕの下方、且つ、側壁１０ｓの内側に設けられている。支持部材１４は、チャンバ１０内で上方及び下方に移動可能であるように構成されている。
【0034】
基板処理装置１は、リフト機構３４を更に備えていてもよい。リフト機構３４は、支持部材１４を上方及び下方に移動させるように構成されている。リフト機構３４は、支持部材１４を移動させるための動力を発生する駆動装置（例えば、モータ）を含む。リフト機構３４は、チャンバ１０の外部且つ上部１０ｕの上又は上方に設けられていてもよい。
【0035】
基板処理装置１は、ベローズ３６を更に備えていてもよい。ベローズ３６は、支持部材１４と上部１０ｕとの間に設けられている。ベローズ３６は、チャンバ１０の内部空間をチャンバ１０の外部から分離している。ベローズ３６の下端は、支持部材１４に固定されている。ベローズ３６の上端は、上部１０ｕに固定されている。
【0036】
支持部材１４は、略円盤形状を有している。支持部材１４の中心軸線は、軸線ＡＸである。支持部材１４は、アルミニウムのような導体から形成されている。一実施形態において、支持部材１４は、容量結合型プラズマ処理装置における上部電極を構成していてもよい。支持部材１４は、高周波電源３１が基板支持器１２内の電極に電気的に接続されている場合には、接地され得る。この場合において、支持部材１４は、接続部材３７を介してチャンバ１０の内壁面に接触していてもよい。
【0037】
一実施形態において、支持部材１４は、内壁部材１６の後述する天部と共にシャワーヘッドを構成してもよい。シャワーヘッドは、チャンバ１０内（又は後述する処理空間Ｓ）にガスを供給するように構成されている。この実施形態において、支持部材１４は、ガス拡散室１４ｄ及び複数のガス孔１４ｈを提供する。
【0038】
ガス拡散室１４ｄは、支持部材１４の中に提供されている。ガス拡散室１４ｄには、ガス供給部３８が接続されている。ガス供給部３８は、チャンバ１０の外部に設けられている。ガス供給部３８は、基板処理装置１において用いられる一つ以上のガスのソース、一つ以上の流量制御器、及び一つ以上のバルブを含む。一つ以上のガスのソースの各々は、対応の流量制御器及び対応のバルブを介して、ガス拡散室１４ｄに接続されている。複数のガス孔１４ｈは、ガス拡散室１４ｄから下方に延びている。
【0039】
一実施形態において、支持部材１４は、その中に流路１４ｆを提供していてもよい。流路１４ｆは、チラーユニット４０に接続されている。チラーユニット４０は、チャンバ１０の外部に設けられている。チラーユニット４０は、熱媒体（例えば冷媒）を流路１４ｆに供給する。流路１４ｆに供給された熱媒体は、流路１４ｆの中を流れてチラーユニット４０に戻される。
【0040】
内壁部材１６は、チャンバ１０の内部と外部との間で搬送可能であるように構成されている。内壁部材１６は、搬送アームＣＡにより開口１０ｏを介してチャンバ１０の内部と外部との間で搬送されてもよい。
【0041】
内壁部材１６は、シリコン、炭化ケイ素、又はアルミニウムのような金属から形成されている。内壁部材１６の表面上には、耐腐食性の膜が形成されていてもよい。耐腐食性の膜は、例えば、酸化アルミニウム又は酸化イットリウムといった材料から形成される。
【0042】
内壁部材１６は、基板支持器１２の上方且つ支持部材１４の下に配置可能な天部１６ｃを含む。天部１６ｃは、板状であり、且つ、略円盤形状を有する。天部１６ｃは、チャンバ１０内では、その中心軸線が軸線ＡＸ上に位置するように配置される。天部１６ｃは、チャンバ１０の中では、支持部材１４の直下に配置されてもよい。或いは、伝熱シート４２が、図３に示すように、支持部材１４の下面と内壁部材１６の天部１６ｃとの間で挟持されていてもよい。
【0043】
上述したように、天部１６ｃは、支持部材１４と共にシャワーヘッドを提供していてもよい。この場合に、天部１６ｃは、複数のガス孔１６ｈを提供する。複数のガス孔１６ｈは、天部１６ｃを貫通している。天部１６ｃは、複数のガス孔１６ｈがそれぞれ複数のガス孔１４ｈに連通するように、チャンバ１０内に配置される。上述したガス供給部３８からのガスは、ガス拡散室１４ｄ、複数のガス孔１４ｈ、及び複数のガス孔１６ｈを介して、チャンバ１０内（又は処理空間Ｓ）に供給される。
【0044】
一実施形態において、内壁部材１６は、側壁部１６ｓを更に含んでいてもよい。側壁部１６ｓは、略筒形状を有しており、天部１６ｃの周縁部から下方に延びている。側壁部１６ｓは、チャンバ１０内では、その中心軸線が軸線ＡＸ上に位置するように配置される。内壁部材１６は、基板支持器１２上に載置される基板Ｗがその中で処理される処理空間Ｓを基板支持器１２と共に形成し得る。この場合において、側壁部１６ｓの下端は、導体部２８に接触するように構成されていてもよい。
【0045】
側壁部１６ｓは、複数の貫通孔を提供していてもよい。側壁部１６ｓの複数の貫通孔は、処理空間Ｓと側壁部１６ｓの外側の空間とを互いに連通させている。処理空間Ｓ内のガスは、側壁部１６ｓの複数の貫通孔及び側壁部１６ｓの外側の空間を介して排気装置１１によって排気される。
【0046】
以下、図２～図４と共に、図５及び図６を参照する。図５は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置における一例のコンタクト部材を示す平面図である。図６は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置における別の例のコンタクト部材を示す平面図である。基板処理装置１は、一つ以上のコンタクト部材として、複数のコンタクト部材１８を備えていてもよい。
【0047】
複数のコンタクト部材１８は、金属等の導体から形成され得る。複数のコンタクト部材１８は、支持部材１４及び内壁部材１６のうち一方の部材に取り付けられる。複数のコンタクト部材１８の各々は、支持部材１４及び内壁部材１６のうち他方の部材が一方の部材と組み合わされるときに、他方の部材によって水平方向に変形されて、他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮する。これにより、複数のコンタクト部材１８は、支持部材１４に対して内壁部材１６を着脱可能に固定する。
【0048】
図２～図４に示す実施形態においては、複数のコンタクト部材１８は、支持部材１４に取り付けられている。複数のコンタクト部材１８は、内壁部材１６が支持部材１４と組み合わされるときに、内壁部材１６によって水平方向に変形されて、内壁部材１６に対して水平方向のばね反力を発揮する。これにより、複数のコンタクト部材１８は、支持部材１４に対して内壁部材１６を着脱可能に固定する。
【0049】
一実施形態において、支持部材１４の下面１４ｂは、複数の凹部１４ｒを提供していてもよい。複数の凹部１４ｒは、下方に向けて開口している。また、天部１６ｃの上面１６ｔは、複数の凹部１６ｒを提供していてもよい。複数の凹部１６ｒは、上方に向けて開口している。複数のコンタクト部材１８の各々は、第１の部分１８１及び第２の部分１８２を含んでいてもよい。第１の部分１８１は、支持部材１４の対応の凹部１４ｒに嵌め込まれる。第２の部分１８２は、第１の部分１８１から下方に延びており、ばねを有する。第２の部分１８２のばねは、天部１６ｃの対応の凹部１６ｒに嵌め込まれることにより、ばね反力を発揮する。
【0050】
一実施形態において、複数のコンタクト部材１８は、支持部材１４から着脱可能であるように構成されていてもよい。第１の部分１８１は、コンタクト部材１８を支持部材１４から取り外すときに、その水平方向への変形により対応の凹部１４ｒから取り出し可能であるように弾性を有する。一実施形態において、支持部材１４の複数の凹部１４ｒの各々は、その下端開口において狭められていてもよい。
【0051】
一実施形態において、第１の部分１８１は、軸線ＡＸを含む任意の断面において、弧状をなしていてもよく、その内部は空洞であってもよい。また、第１の部分１８１は、その下端において開口されていてもよい。かかる第１の部分１８１は、水平方向に弾性を有する。第１の部分１８１は、水平方向に縮小された状態で複数の凹部１４ｒそれぞれの下端開口を通過して、対応の凹部１４ｒから取り出される。
【0052】
一実施形態において、第２の部分１８２は、第１の部分１８１の下端から下方に延びており、板ばねを提供するようにその下端から斜め上方へ延びていてもよい。第２の部分１８２は、その下端において開口を提供していてもよい。第２の部分１８２は、天部１６ｃの対応の凹部１６ｒに嵌め込まれると、凹部１６ｒを画成する壁面により水平方向に縮小されて、当該壁面に対してばね反力を発揮する。これにより、複数のコンタクト部材１８は、支持部材１４に対して内壁部材１６を着脱可能に固定する。
【0053】
一実施形態においては、図５に示すように、複数のコンタクト部材１８は、周方向に延びる環形状を有していてもよい。この実施形態においては、複数の凹部１４ｒ及び複数の凹部１６ｒの各々も、周方向に延びる環形状を有する。なお、この実施形態では、チャンバ１０内で支持部材１４に対して内壁部材１６が固定されている状態では、複数のコンタクト部材１８、複数の凹部１４ｒ、及び複数の凹部１６ｒは、軸線ＡＸの周りで周方向に延びる。
【0054】
別の実施形態においては、複数のコンタクト部材１８は、図６に示すように、一つの円又は複数の同心円に沿って配列されていてもよい。この実施形態においては、複数の凹部１４ｒ及び複数の凹部１６ｒの各々も、一つの円又は複数の同心円に沿って配列される。なお、この実施形態では、チャンバ１０内で支持部材１４に対して内壁部材１６が固定されている状態では、複数のコンタクト部材１８、複数の凹部１４ｒ、及び複数の凹部１６ｒは、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列される。
【0055】
再び図２～図４を参照する。アクチュエータ２０は、支持部材１４に対する内壁部材１６の固定を解除するために、内壁部材１６を下方に移動させるように構成されている。一実施形態において、アクチュエータ２０は、駆動装置２０ｄを含む。アクチュエータ２０は、複数のロッド２０ｒを含んでいてもよい。
【0056】
駆動装置２０ｄは、チャンバ１０の外部に設けられている。駆動装置２０ｄは、その駆動シャフト２０ｍを上下に移動させる動力を発生する。駆動装置２０ｄは、エアシリンダのような動力シリンダ又はモータを含んでいてもよい。駆動装置２０ｄは、チャンバ１０の外部において支持部材４４に固定されている。
【0057】
複数のロッド２０ｒは、駆動シャフト２０ｍに結合されている。複数のロッド２０ｒは、駆動シャフト２０ｍから下方に延びている。複数のロッド２０ｒは、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列されている。複数のロッド２０ｒは、等間隔に配列され得る。
【0058】
支持部材１４は、鉛直方向に延びる複数の貫通孔を提供している。複数の貫通孔は、支持部材１４の上面からガス拡散室１４ｄを通って支持部材１４の下面まで支持部材１４を貫通している。複数のロッド２０ｒは、支持部材１４の複数の貫通孔の中に挿入されている。支持部材１４と複数のロッド２０ｒの各々との間には、Ｏリングのような封止部材４８が設けられている。また、複数のロッド２０ｒは、ガス拡散室１４ｄ内においては、筒状部材４６の内孔の中を通っている。
【0059】
複数のロッド２０ｒは、駆動装置２０ｄによって上下に移動される。複数のロッド２０ｒは、内壁部材１６が支持部材１４に対して固定されている状態では、それらの下端が内壁部材１６の天部１６ｃの上面１６ｔと同一水平レベル又は上面１６ｔよりも上方に位置するように、配置される。複数のロッド２０ｒは、内壁部材１６を支持部材１４から取り外す際には、それらの下端を内壁部材１６の天部１６ｃの上面１６ｔに当接させた状態で内壁部材１６を下方に移動させるように駆動装置２０ｄによって移動される。
【0060】
基板処理装置１によれば、複数のコンタクト部材１８は、内壁部材１６によって変形されることにより内壁部材１６に対して水平方向にばね反力を発揮する。これにより、内壁部材１６が支持部材１４に対して固定される。また、複数のコンタクト部材１８のばね反力に抗してアクチュエータ２０によって内壁部材１６を下方に移動させることにより、支持部材１４に対する内壁部材１６の固定が容易に解除される。支持部材１４に対するその固定が解除された内壁部材１６は、チャンバ１０の側壁１０ｓの開口１０ｏを介してチャンバ１０の内部から外部に搬出可能である。したがって、基板処理装置１によれば、内壁部材１６を容易にメンテナンスすることが可能である。
【0061】
なお、基板処理装置１は、単一のコンタクト部材１８を含んでいてもよい。この場合には、凹部１４ｒ及び凹部１６ｒの各々の個数は、一つである。
【0062】
以下、図７～図１２を参照しつつ、一つの例示的実施形態に基板処理装置のメンテナンス方法について説明する。図７～図１２の各々は、一つの例示的実施形態に係るメンテナンス方法が行われているときの基板処理装置の状態を示す図である。メンテナンス方法においては、基板処理システムＰＳの各部は、制御部ＭＣによって制御される。
【0063】
メンテナンス方法では、複数のコンタクト部材１８が、支持部材１４及び内壁部材１６のうち一方の部材に取り付けられる。メンテナンス方法が基板処理装置１に適用される場合には、支持部材１４に複数のコンタクト部材１８が取り付けられる。具体的には、図７に示すように、ベース５０が、チャンバ１０の外部から搬送アームＣＡによってチャンバ１０内に搬入される。ベース５０は、その上面において複数の凹部を提供している。複数のコンタクト部材１８の第２の部分１８２は、ベース５０の複数の凹部の中に嵌め込まれている。ベース５０は、複数のコンタクト部材１８が支持部材１４の複数の凹部１４ｒの下方にそれぞれ位置するようにチャンバ１０内に搬送される。
【0064】
次いで、搬送アームＣＡが上方に移動されるか、リフト機構３４により支持部材１４が下方に移動される。その結果、図８に示すように、複数のコンタクト部材１８の第１の部分１８１が支持部材１４の複数の凹部１４ｒの中に嵌め込まれて、複数のコンタクト部材１８が支持部材１４に取り付けられる。しかる後に、搬送アームＣＡは、チャンバ１０の内部から外部に退避する。
【0065】
次いで、搬送アームＣＡにより内壁部材１６がチャンバ１０の外部からチャンバ１０の内部に開口１０ｏを介して搬入される。次いで、支持部材１４又は内壁部材１６が鉛直方向に沿って移動される。即ち、支持部材１４がリフト機構３４により下方に移動されるか、内壁部材１６が搬送アームＣＡにより上方に移動される。その結果、図９に示すように、支持部材１４に対して内壁部材１６が着脱可能に固定される。
【0066】
複数のコンタクト部材１８は、支持部材１４及び内壁部材１６のうち他方の部材によって水平方向に変形され、当該他方の部材に対してばね反力を発揮する。他方の部材は、基板処理装置１では、内壁部材１６である。具体的に、複数のコンタクト部材１８の各々の第２の部分１８２は、対応の凹部１６ｒに嵌め込まれて水平方向に縮小し、対応の凹部１６ｒを画成する壁面に対してばね反力を発揮する。これにより、支持部材１４に対して内壁部材１６が固定される。支持部材１４に対して内壁部材１６が固定された後には、搬送アームＣＡは、チャンバ１０の内部から外部に退避する。
【0067】
メンテナンス方法では、内壁部材１６が、そのメンテナンス（例えば、その交換）のために、チャンバ１０の内部からチャンバ１０の外部に搬出される。このため、搬送アームＣＡが、チャンバ１０の外部からチャンバ１０の内部に開口１０ｏを介して進入する。
【0068】
次いで、アクチュエータ２０により内壁部材１６が複数のコンタクト部材１８のばね反力に抗して下方に移動される。これにより、複数のコンタクト部材１８による内壁部材１６の固定が解除される。下方に移動された内壁部材１６は、図１０に示すように、搬送アームＣＡに受け渡される。次いで、内壁部材１６が、チャンバ１０の内部からチャンバ１０の外部に開口１０ｏを介して搬送アームＣＡにより搬出される。
【0069】
メンテナンス方法では、複数のコンタクト部材１８がそれらのメンテナンス（例えば、それらの交換）のために取り外されてもよい。このため、図１１に示すように、ベース５４が搬送アームＣＡによりチャンバ１０の外部からチャンバ１０の内部に開口１０ｏを介して搬入される。ベース５４は、その上面において複数の凹部５４ｒを提供している。複数の凹部５４ｒの各々は、その上端開口において突出部５４ｐにより狭められている。ベース５４は、複数の凹部５４ｒが複数のコンタクト部材１８の下方に位置するように、配置される。
【0070】
次いで、搬送アームＣＡが上方に移動されるか、リフト機構３４により支持部材１４が下方に移動される。その結果、複数のコンタクト部材１８の各々の第２の部分１８２が、対応の凹部５４ｒの中に嵌め込まれる。複数のコンタクト部材１８の各々の第２の部分１８２は、対応の凹部５４ｒの上端開口を通過した後に、当該上端開口の幅よりも大きい幅を有するように、拡張する。次いで、搬送アームＣＡが下方に移動されるか、リフト機構３４により支持部材１４が上方に移動される。その結果、図１２に示すように、複数のコンタクト部材１８が、支持部材１４から取り外されて、ベース５４に受け渡される。しかる後に、複数のコンタクト部材１８は、搬送アームＣＡにより、チャンバ１０の内部からチャンバ１０の外部に搬出される。
【0071】
以下、図１３を参照して、別の例示的実施形態に係る支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材について、説明する。図１３は、別の例示的実施形態に係る支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材の部分拡大断面図である。図１３に示す実施形態の支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材は、基板処理装置１において採用され得る。
【0072】
図１３に示す実施形態において、天部１６ｃの上面１６ｔは、複数の凸部１６ｐを提供している。複数の凸部１６ｐは、天部１６ｃの上面１６ｔの他の部分よりも上方に突き出している。また、図１３に示す実施形態において、支持部材１４の下面１４ｂは、複数の凹部１４ｒを提供している。複数の凹部１４ｒは下方に向けて開口している。
【0073】
図１３に示す実施形態において、複数のコンタクト部材１８は、金属等の導体から形成され得る。複数のコンタクト部材１８は、複数の凹部１４ｒ内で固定されている。複数の凹部１４ｒの各々を画成する支持部材１４の壁面は、雌ねじを提供していてもよい。複数のコンタクト部材１８の各々の外周面は、雄ねじを提供していてもよい。複数のコンタクト部材１８の各々は、対応の凹部１４ｒの中で雌ねじに螺合されることにより、対応の凹部１４ｒ内で固定される。
【0074】
複数のコンタクト部材１８の各々は、下方に向けて開口した凹部１８ｒを提供している。複数のコンタクト部材１８の各々は、ばね１８３を含んでいる。ばね１８３は、凹部１８ｒの中に設けられている。ばね１８３の下端は、ばね１８３が水平方向に変形可能であるように、凹部１８ｒを画成する壁面に直接的又は間接的に固定されている。対応の凸部１６ｐが凹部１８ｒの中に嵌め込まれると、ばね１８３は、水平方向に変形して、凸部１６ｐに対して水平方向にばね反力を発揮する。これにより、内壁部材１６は、支持部材１４に対して固定される。図１３に示す実施形態においても、内壁部材１６をアクチュエータ２０によって下方に移動させると、支持部材１４に対する内壁部材１６の固定が容易に解除される。
【0075】
図１３に示すように、ばね１８３は、フローティング機構１８４により、凹部１８ｒを画成する壁面に固定されていてもよい。フローティング機構１８４により、凸部１６ｐの水平方向における位置ずれが、吸収される。
【0076】
以下、図１４を参照して、別の例示的実施形態に係る支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材について、説明する。図１４は、更に別の例示的実施形態に係る支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材の部分拡大断面図である。図１４に示す実施形態の支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材は、基板処理装置１において採用され得る。
【0077】
図１４に示す実施形態において、支持部材１４の下面１４ｂは複数の凹部１４ｒを提供している。複数の凹部１４ｒは下方に向けて開口している。図１４に示す実施形態において、天部１６ｃの上面は、複数の凸部１６ｐを提供している。複数の凸部１６ｐは、上部１６１及び下部１６２を含んでいてもよい。上部１６１は、下部１６２の上に設けられている。上部１６１の幅は、下部１６２の幅よりも大きくてもよい。
【0078】
図１４に示す実施形態において、複数のコンタクト部材１８は、金属等の導体から形成され得る。複数のコンタクト部材１８の各々は、対応の凸部１６ｐを覆うように天部１６ｃに固定される。複数のコンタクト部材１８の各々は、カバー部１８５を含む。カバー部１８５は、その下端において開口された空洞を提供している。カバー部１８５は、その空洞内に収容された対応の凸部１６ｐを覆う。その空洞を画成するカバー部１８５の壁面は、対応の凸部１６ｐの上部１６１及び下部１６２の外面に接する。カバー部１８５は、対応の凸部１６ｐに取り付けられる際には、その下端の開口が拡大された状態で、対応の凸部１６ｐに被せされる。
【0079】
複数のコンタクト部材１８の各々は、ばね１８６を更に含んでいる。ばね１８６は、カバー部１８５の側方に設けられている。ばね１８６の下端は、カバー部１８５の下端に固定されている。ばね１８６は、水平方向に変形可能であるように、カバー部１８５の下端から上方に延びている。複数のコンタクト部材１８の各々と対応の凸部１６ｐとが対応の凹部１４ｒに嵌め込まれると、ばね１８６は水平方向に変形して、支持部材１４に対して水平方向にばね反力を発揮する。これにより、内壁部材１６が支持部材１４に対して固定される。図１４に示す実施形態においても、内壁部材１６をアクチュエータ２０によって下方に移動させると、支持部材１４に対する内壁部材１６の固定が容易に解除される。
【0080】
以下、図１５を参照して、別の例示的実施形態に係る支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材について、説明する。図１５は、更に別の例示的実施形態に係る支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材の部分拡大断面図である。図１５に示す実施形態の支持部材、内壁部材、及びコンタクト部材は、基板処理装置１において採用され得る。
【0081】
図１５に示す実施形態において、支持部材１４の下面１４ｂは、単一の凹部を提供している。支持部材１４の下面１４ｂが提供する凹部は、平面視において略円形である。図１５に示す実施形態において、天部１６ｃの上面１６ｔは単一の凸部を提供している。天部１６ｃの上面１６ｔが提供する凸部は、平面視において略円形である。
【0082】
図１５に示す実施形態において、コンタクト部材１８は、スパイラルスプリングガスケットである。図１５に示す実施形態において、コンタクト部材１８は、金属等の導体から形成され得る。コンタクト部材１８は、支持部材１４の凹部を画成する内壁面に沿って周方向に延在するように設けられている。コンタクト部材１８、即ちスパイラルスプリングガスケットは、天部１６ｃの凸部が支持部材１４の凹部に嵌め込まれることにより、天部１６ｃの凸部の外周面と支持部材１４の凹部を画成する内壁面との間で挟持される。これにより、コンタクト部材１８は、水平方向において変形して、内壁部材１６、即ち天部１６ｃの凸部の外周面に対してばね反力を発揮する。これにより、内壁部材１６が支持部材１４に対して固定される。図１５に示す実施形態においても、内壁部材１６をアクチュエータ２０によって下方に移動させると、支持部材１４に対する内壁部材１６の固定が容易に解除される。
【0083】
以下、図１６を参照して、別の例示的実施形態に係る基板処理装置について説明する。図１６は、別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図１６に示す基板処理装置１Ｂは、内壁部材１６に代わる内壁部材１６Ｂを備える点で基板処理装置１と異なっている。内壁部材１６Ｂは、内壁部材１６と同様に天部１６ｃを有しているが、側壁部１６ｓを有してない。基板処理装置１Ｂの他の構成は、基板処理装置１の対応の構成と同じである。
【0084】
以下、幾つかの更なる例示的実施形態に係る基板処理装置について説明する。以下に説明する例示的実施形態の各々は、内壁部材１６を、接地された導体部２８に電気的に接続するコンタクト機構を備える。内壁部材１６は、導電性を有する材料から形成されている。導体部２８は、筒形状を有し、基板支持器１２の外周に沿って延在している。コンタクト機構は、内壁部材１６の側壁部１６ｓの下端１６ｅを導体部２８に電気的に接続する。
【0085】
図１７、図１８（ａ）、及び図１８（ｂ）を参照する。図１７は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図１８（ａ）及び図１８（ｂ）の各々は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置におけるコンタクト機構の一部を拡大して示す平面図である。図１７に示す基板処理装置１Ｃは、コンタクト機構６０Ｃを含む点で、基板処理装置１と異なっている。図１７、図１８（ａ）、及び図１８（ｂ）に示すように、コンタクト機構６０Ｃは、筒状体６１、押圧体６２、及び駆動部６３を含む。
【0086】
筒状体６１は、アルミニウムのような導電性材料から形成されている。筒状体６１は、導体部２８に電気的に接続されており、導体部２８の外周に沿って延在している。押圧体６２は、アルミニウムのような導電性材料から形成されている。押圧体６２は、基板支持器１２と筒状体６１との間に配置されている。駆動部６３は、筒状体６１を周方向に沿って回転させるように構成されている。駆動部６３は、例えば、モータを含む。コンタクト機構６０Ｃは、筒状体６１の周方向の回転により押圧体６２を側壁部１６ｓの下端１６ｅの外周面に押し付ける。これにより、コンタクト機構６０Ｃは、内壁部材１６を押圧体６２及び筒状体６１を介して導体部２８に電気的に接続する。
【0087】
一例において、導体部２８は、径方向に突き出した複数のガイド２８ｐを含んでいる。複数のガイド２８ｐは、周方向に沿って配列されている。また、コンタクト機構６０Ｃは、複数の押圧体６２を含んでいる。複数の押圧体６２は、周方向に沿って配列されている。複数の押圧体６２の各々は、複数のガイド２８ｐのうち対応のガイドが挿入される孔６２ｈを提供している。複数の押圧体６２の各々は、その孔６２ｈに挿入される対応のガイドによって、径方向に沿って移動可能となっている。複数の押圧体６２の各々は、径方向外側に突き出した凸部６２ｐを更に含んでいる。図示された例では、複数の押圧体６２の各々は、リブ状の一対の凸部６２ｐを孔６２ｈの両側に有している。筒状体６１は、径方向内側に突き出した複数の凸部６１ｐを含んでいる。複数の凸部６１ｐは、周方向に沿って配列されている。
【0088】
図１８の（ａ）に示すように、複数の押圧体６２の各々の凸部６２ｐに複数の凸部６１ｐのうち対応の凸部が当接していない状態では、複数の押圧体６２は側壁部１６ｓの下端１６ｅに当接しない。筒状体６１を回転させて、図１８の（ｂ）に示すように、複数の押圧体６２の各々の凸部６２ｐに複数の凸部６１ｐのうち対応の凸部を当接させると、押圧体６２が側壁部１６ｓの下端１６ｅの外周面に押し付けられる。その結果、内壁部材１６は、押圧体６２及び筒状体６１を介して導体部２８に電気的に接続される。なお、図１８の（ｂ）に示す状態において、側壁部１６ｓの下端１６ｅは、複数の押圧体６２の各々と絶縁部２６との間で挟持され得る。
【0089】
以下、図１９及び図２０を参照する。図１９は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図２０は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置におけるコンタクト機構の部分拡大断面図である。図１９に示す基板処理装置１Ｄは、コンタクト機構６０Ｄを含む点で、基板処理装置１と異なっている。
【0090】
図１９及び図２０に示すように、基板処理装置１Ｄにおいて、導体部２８は、その上端部において周方向に延びる凹部２８ｒを提供している。コンタクト機構６０Ｄは、コンタクト部材６４を含む。コンタクト部材６４は、弾性を有する導電性部材であり、例えばスパイラルスプリングガスケットである。コンタクト部材６４は、凹部２８ｒの中で周方向に延びており、導体部２８に電気的に接続されている。コンタクト機構６０Ｄでは、コンタクト部材６４が、凹部２８ｒの中に配置される側壁部１６ｓの下端１６ｅに弾性的に接触する。これにより、コンタクト機構６０Ｄは、内壁部材１６をコンタクト部材６４を介して導体部２８に電気的に接続する。なお、図示するように、一対のコンタクト部材６４が、凹部２８ｒの中で側壁部１６ｓの下端１６ｅを挟持してもよい。
【0091】
以下、図２１及び図２２を参照する。図２１は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図２２は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置におけるコンタクト機構の一部を拡大して示す斜視図である。図２１に示す基板処理装置１Ｅは、コンタクト機構６０Ｅを含む点で、基板処理装置１と異なっている。
【0092】
図２１及び図２２に示すように、コンタクト機構６０Ｅは、複数の雄コネクタ６０１Ｅ及び複数の雌コネクタ６０２Ｅを含んでいる。複数の雄コネクタ６０１Ｅは、側壁部１６ｓの下端１６ｅに取り付けられており、周方向に沿って配列されている。複数の雌コネクタ６０２Ｅは、導体部２８の上端に取り付けられており、周方向に沿って配列されている。コンタクト機構６０Ｅは、複数の雄コネクタ６０１Ｅの各々と複数の雌コネクタ６０２Ｅのうち対応の雌コネクタを互いに結合することにより、内壁部材１６を導体部２８に電気的に接続する。なお、複数の雄コネクタ６０１Ｅが導体部２８の上端に取り付けられていてもよく、複数の雌コネクタ６０２Ｅが側壁部１６ｓの下端１６ｅに取り付けられていてもよい。
【0093】
以下、図２３及び図２４を参照する。図２３は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図２４は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置におけるコンタクト機構の部分拡大断面図である。図２３に示す基板処理装置１Ｆは、コンタクト機構６０Ｆを含む点で、基板処理装置１と異なっている。
【0094】
コンタクト機構６０Ｆは、コンタクト部材６５を含む。コンタクト部材６５は、可撓性を有する薄膜であり、導電性材料から形成されている。コンタクト部材６５は、導体部２８が提供する凹部の中に設けられている。コンタクト部材６５は、導体部２８によって支持されており、導体部２８に電気的に接続されている。また、コンタクト部材６５は、側壁部１６ｓの下端１６ｅが提供する下面に、当接可能であるように設けられている。コンタクト機構６０Ｆは、コンタクト部材６５を側壁部１６ｓの下面に押し付けることにより、コンタクト部材６５を介して内壁部材１６を導体部２８に電気的に接続する。なお、側壁部１６ｓの下端１６ｅの下面は、下端１６ｅの膜１６ｆによって提供されていてもよい。膜１６ｆは、導体膜又はカーボンナノチューブから形成されていてもよい。
【0095】
一例において、コンタクト機構６０Ｆは、流体（例えば、気体）の圧力により、コンタクト部材６４を側壁部１６ｓの下面に押し付けてもよい。この例において、コンタクト機構６０Ｆは、押圧ピン６６を更に含んでいてもよい。押圧ピン６６は、その先端と側壁部１６ｓの下面との間にコンタクト部材６５が位置するように配置されている。押圧ピン６６は、気体供給器６７から供給される気体の圧力により、コンタクト部材６５を側壁部１６ｓの下面に押し付ける。押圧ピン６６には、押圧ピン６６をコンタクト部材６５から引き離す方向に付勢するばね６６ｓが接続されていてもよい。
【0096】
以下、図２５を参照する。図２５は、更に別の例示的実施形態に係るコンタクト機構の部分拡大断面図である。図２５に示すコンタクト機構は、圧電素子６８を含む。圧電素子６８は、絶縁部２によって支持されており、側壁部１６ｓの下端１６ｅの下方に設けられている。圧電素子６８は、圧電セラミック部６８ａと一対の電極６８ｂ，６８ｃを含む。圧電セラミック部６８ａは、一対の電極６８ｂ，６８ｃの間に設けられている。圧電素子６８の上面には、導電体６９が固定されている。導電体６９は、導体部２８に電気的に接続されている。電源６８ｐからの電圧が電極６８ｃに印加されることにより、圧電素子６８は、側壁部１６ｓの下端１６ｅに向けて伸張する。これにより、導電体６９が側壁部１６ｓの下端１６ｅの下面に押し付けられる。その結果、内壁部材１６が、導体部２８に電気的に接続される。
【0097】
以下、図２６、図２７の（ａ）、及び図２７の（ｂ）を参照する。図２６は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図２７の（ａ）及び図２７の（ｂ）の各々は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置におけるコンタクト機構の部分拡大断面図である。図２６に示す基板処理装置１Ｇは、コンタクト機構６０Ｇを含む点で、基板処理装置１と異なっている。
【0098】
基板処理装置１Ｇにおいて、導体部２８は、略筒形状を有している。導体部２８は、その中心軸線（即ち軸線ＡＸ）に対して周方向に沿って延びる空洞２８ｈを提供している。また、導体部２８は、空洞２８ｈと導体部２８の外側の空間との間延びる複数の開口２８ｏを提供している。複数の開口２８ｏは、周方向に沿って配列されていてもよい。また、複数の開口２８ｏは、等間隔に配列されていてもよい。
【0099】
コンタクト機構６０Ｇは、膨張可能シール７１、複数の押圧体７２、一つ以上の弾性体７３、及びエア供給部７４を含んでいる。膨張可能シール７１は、空洞２８ｈの中に設けられている。膨張可能シール７１は、環形状を有していてもよく、空洞２８ｈの中で周方向に延在していてもよい。エア供給部７４は、膨張可能シール７１にエアを供給するように構成されている。膨張可能シール７１は、エア供給部７４からのエアにより径方向に膨張するように構成されている。
【0100】
複数の押圧体７２の各々は、金属（例えばアルミニウム）のような導電性材料から形成されている。複数の押圧体７２の各々は、第１部分７２１及び第２部分７２２を含んでいる。第１部分７２１は、膨張可能シール７１と複数の開口２８ｏを画成する導体部２８の壁２８ｗとの間に設けられている。第２部分７２２は、第１部分７２１から複数の開口２８ｏのうち対応の開口の中に延びている。一実施形態において、第２部分７２２の先端７２３（径方向先端）は、コンタクトバンドから形成されていてもよい。
【0101】
一つ以上の弾性体７３の各々は、導電性材料から形成されている。一つ以上の弾性体７３は、第１部分７２１と壁２８ｗとの間に設けられている。一つ以上の弾性体７３の各々は、環形状を有していていもよく、空洞２８ｈの中で周方向に延在していてもよい。一つ以上の弾性体７３の各々は、例えば斜め巻コイルスプリングであってもよい。なお、図示された例では、二つの弾性体７３のうち一方が、第２部分７２２の上方に設けられており、二つの弾性体７３のうち他方が、第２部分７２２の下方に設けられている。
【0102】
図２７の（ａ）に示すように、複数の押圧体７２の各々の第２部分７２２は、膨張可能シール７１が膨張していない状態では、内壁部材１６の下端１２ｅの内周面に接触しない。一方、図２７の（ｂ）に示すように、複数の押圧体７２の各々は、膨張可能シール７１が径方向に膨張することにより、一つ以上の弾性体７３を第１部分７２１と壁２８ｗとの間で挟持し、第２部分７２２の先端７２３を下端１２ｅの内周面に当接させる。
【0103】
コンタクト機構６０Ｇは、複数の押圧体７２の各々を径方向に移動させて第２部分７２２の先端７２３を下端１２ｅの内周面に当接させることにより、内壁部材１６を複数の押圧体７２及び一つ以上の弾性体７３を介して導体部２８に電気的に接続する。したがって、コンタクト機構６０Ｇの部材と内壁部材１６との間で摩擦を生じさせることなく、内壁部材１６を導体部２８に電気的に接続することが可能である。故に、コンタクト機構６０Ｇによれば、摩擦によるパーティクルの発生を抑制することができる。なお、基板処理装置１Ｇにおいて、押圧体７２の個数及び開口２８ｏの個数の各々は、一つであってもよい。
【0104】
以下、図２８及び図２９を参照する。図２８は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図２９は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面図である。以下、図２８に示す基板処理装置１Ｈの基板処理装置１に対する相違点について説明する。
【0105】
基板処理装置１Ｈにおいて、導体部２８は、略筒形状を有している。導体部２８は、チャンバ１０の底部の上方で、任意の水平方向にスライド可能に設けられている。一実施形態において、基板処理装置１Ｈは、スラストベアリング７７を更に備えていてもよい。スラストベアリング７７は、チャンバ１０の底部と当該底部に螺合されたボルト７８の頭部との間に配置されている。導体部２８は、チャンバ１０の底部の上方でスラストベアリング７７を介してスライド可能に支持されている。一実施形態では、導体部２８は、その下端部分に縮径部２８ｓを有している。縮径部２８ｓは、スラストベアリング７７とボルト７８の頭部との間に配置されている。なお、図示された例では、チャンバ１０の底部とボルト７８の頭部との間には、二つのスラストベアリング７７が設けられている。二つのスラストベアリング７７のうち一方は、チャンバ１０の底部と縮径部２８ｓとの間に配置されている。二つのスラストベアリング７７のうち他方は、縮径部２８ｓとボルト７８の頭部との間に配置されている。二つのスラストベアリング７７のうち他方とボルト７８の頭部との間には、座金７９が配置されている。
【0106】
導体部２８は、略筒形状を有しており、その頂部２８ｕの外周面２８ｔは、テーパー状に形成されている。内壁部材１６の側壁部１６ｓの下端１６ｅの内周面１６ｉは、外周面２８ｔに対応するようにテーパー状に形成されている。外周面２８ｔと内周面１６ｉとは、直接的又は間接的に接触する。これにより、内壁部材１６が、導体部２８に電気的に接続する。一実施形態においては、コンタクトバンド２８ｂが外周面２８ｔ上に設けられている。外周面２８ｔと内周面１６ｉは、コンタクトバンド２８ｂを介して間接的に互いに接触する。また、導体部２８の下端とチャンバ１０の底部は、接続部材７６を介して電気的に接続されていてもよい。接続部材７６は、弾性及び導電性を有する部材であり、チャンバ１０の底部に固定されている。接続部材７６は、例えばコンタクトバンド又は導電性スパイラルである。
【0107】
基板処理装置１Ｈでは、内壁部材１６の中心軸線と導体部２８の中心軸線との間にずれが生じていても、導体部２８の水平方向に移動により、内壁部材１６の下端１６ｅと導体部２８の頂部２８ｕとの間の電気的接触が周方向において均一に確保される。また、内壁部材１６の下端１６ｅと導体部２８の頂部２８ｕ（又はコンタクトバンド２８ｂ）との間の摩擦が少ないので、パーティクルの発生が抑制される。
【0108】
以下、図３０を参照する。図３０は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面図である。以下、図３０に示す構造にについて、図２８及び図２９に示す基板処理装置の構造との相違点について説明する。図３０に示すように、ボルト７８は、縮径部２８ｓの下方に設けられたスラストナット７８ｎに螺合されていてもよく、縮径部２８ｓは、ボルト７８の頭部とスラストナット７８ｎとの間で挟持されていてもよい。また、スラストベアリング７７は、チャンバ１０の底部内の空洞の中に設けられていてもよく、当該空洞を画成する上壁とスラストナット７８ｎとの間に配置されていてもよい。
【0109】
以下、図３１を参照する。図３１は、更に別の例示的実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面図である。上述した種々の例示的実施形態においては、図３１に示すように、支持部材１４に対する内壁部材１６の固定を解除するために、アクチュエータ２０ではなく、膨張可能シール８０が用いられてもよい。
【0110】
具体的に、膨張可能シール８０は、支持部材１４の下面１４ｂによって提供された凹部の中に設けられている。膨張可能シール８０は、エア供給器８１から供給されるエアにより、下方に膨張する。膨張可能シール８０の下方への膨張により、内壁部材１６が下方に移動されて、支持部材１４に対する内壁部材１６の固定が解除される。
【0111】
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
【0112】
搬送モジュールＣＴＭは、移動可能でなくてもよく、上述した種々の例示的実施形態に係る基板処理装置のチャンバに接続されて、固定されていてもよい。また、搬送モジュールＣＴＭの代わりに、搬送モジュールＴＭが内壁部材１６をチャンバ１０の内部とチャンバ１０の外部との間で搬送するモジュールとして用いられてもよい。
【0113】
ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ３１］に記載する。
【0114】
［Ｅ１］
開口を提供する側壁を含むチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器の上方に設けられた支持部材と、
前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置可能な天部を含む内壁部材と、
前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定するように構成された該コンタクト部材と、
前記支持部材に対する前記内壁部材の固定を解除するよう前記内壁部材を下方に移動させるように構成されたアクチュエータと、
を備える基板処理装置。
開口を提供する側壁を含むチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
前記基板支持器の上方に設けられた支持部材と、
前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置可能な天部を含む内壁部材と、
前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定するように構成された該コンタクト部材と、
前記支持部材に対する前記内壁部材の固定を解除するよう前記内壁部材を下方に移動させるように構成されたアクチュエータと、
を備える基板処理装置。
【0115】
［Ｅ１］の実施形態の基板処理装置では、コンタクト部材は、支持部材及び内壁部材のうち他方の部材によって変形されることにより当該他方の部材に対して水平方向にばね反力を発揮する。これにより、内壁部材が支持部材に対して固定される。また、コンタクト部材のばね反力に抗してアクチュエータによって内壁部材を下方に移動させることにより、支持部材に対する内壁部材の固定が容易に解除される。支持部材に対するその固定が解除された内壁部材は、チャンバの側壁の開口を介してチャンバの内部から外部に搬出可能である。したがって、［Ｅ１］の実施形態によれば、内壁部材を容易にメンテナンスすることが可能である。
【0116】
［Ｅ２］
前記支持部材の下面は凹部を提供しており、
前記天部の上面は凹部を提供しており、
前記コンタクト部材は、
前記支持部材の前記凹部に嵌め込まれた第１の部分と、
前記第１の部分から下方に延び、前記天部の前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮するばねを有する第２の部分と、
を含む、
［Ｅ１］に記載の基板処理装置。
前記支持部材の下面は凹部を提供しており、
前記天部の上面は凹部を提供しており、
前記コンタクト部材は、
前記支持部材の前記凹部に嵌め込まれた第１の部分と、
前記第１の部分から下方に延び、前記天部の前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮するばねを有する第２の部分と、
を含む、
［Ｅ１］に記載の基板処理装置。
【0117】
［Ｅ３］
前記コンタクト部材は、前記支持部材から着脱可能であるように構成されており、
前記第１の部分は、前記コンタクト部材を前記支持部材から取り外すときに、その水平方向への変形により前記支持部材の前記凹部から取り出し可能であるように弾性を有する、
［Ｅ２］に記載の基板処理装置。
前記コンタクト部材は、前記支持部材から着脱可能であるように構成されており、
前記第１の部分は、前記コンタクト部材を前記支持部材から取り外すときに、その水平方向への変形により前記支持部材の前記凹部から取り出し可能であるように弾性を有する、
［Ｅ２］に記載の基板処理装置。
【0118】
［Ｅ４］
前記支持部材の前記凹部は、前記支持部材の該凹部の下端開口において狭められている、［Ｅ３］に記載の基板処理装置。
前記支持部材の前記凹部は、前記支持部材の該凹部の下端開口において狭められている、［Ｅ３］に記載の基板処理装置。
【0119】
［Ｅ５］
前記天部の上面は凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記支持部材の下面に提供された凹部内で固定されており、下方に向けて開口した凹部を提供し、
前記コンタクト部材は、該コンタクト部材の前記凹部の中に設けられたばねを含み、
前記コンタクト部材の前記ばねは、該コンタクト部材の前記凹部に前記天部の前記凸部が嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮する、
［Ｅ１］に記載の基板処理装置。
前記天部の上面は凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記支持部材の下面に提供された凹部内で固定されており、下方に向けて開口した凹部を提供し、
前記コンタクト部材は、該コンタクト部材の前記凹部の中に設けられたばねを含み、
前記コンタクト部材の前記ばねは、該コンタクト部材の前記凹部に前記天部の前記凸部が嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮する、
［Ｅ１］に記載の基板処理装置。
【0120】
［Ｅ６］
前記コンタクト部材は、前記ばねを支持するフローティング機構を更に含む、［Ｅ５］に記載の基板処理装置。
前記コンタクト部材は、前記ばねを支持するフローティング機構を更に含む、［Ｅ５］に記載の基板処理装置。
【0121】
［Ｅ７］
前記支持部材の前記下面は、雌ねじを提供しており、
前記コンタクト部材の外周面は、前記雌ねじに螺合される雄ねじを提供している、
［Ｅ５］又は［Ｅ６］に記載の基板処理装置。
前記支持部材の前記下面は、雌ねじを提供しており、
前記コンタクト部材の外周面は、前記雌ねじに螺合される雄ねじを提供している、
［Ｅ５］又は［Ｅ６］に記載の基板処理装置。
【0122】
［Ｅ８］
前記支持部材の下面は凹部を提供しており、
前記天部の上面は、凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記凸部を覆うように前記天部に固定されており、前記凸部及び該コンタクト部材が前記支持部材の前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮するばねを有する、
［Ｅ１］に記載の基板処理装置。
前記支持部材の下面は凹部を提供しており、
前記天部の上面は、凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記凸部を覆うように前記天部に固定されており、前記凸部及び該コンタクト部材が前記支持部材の前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮するばねを有する、
［Ｅ１］に記載の基板処理装置。
【0123】
［Ｅ９］
前記支持部材の下面は凹部を提供しており、
前記天部の上面は凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記凹部を画成する内壁面に沿って設けられたスパイラルスプリングガスケットであり、
前記スパイラルスプリングガスケットは、前記凸部が前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮する、
［Ｅ１］に記載の基板処理装置。
前記支持部材の下面は凹部を提供しており、
前記天部の上面は凸部を提供しており、
前記コンタクト部材は、前記凹部を画成する内壁面に沿って設けられたスパイラルスプリングガスケットであり、
前記スパイラルスプリングガスケットは、前記凸部が前記凹部に嵌め込まれることにより前記ばね反力を発揮する、
［Ｅ１］に記載の基板処理装置。
【0124】
［Ｅ１０］
前記内壁部材は、搬送アームにより前記開口を介して前記チャンバの内部と外部との間で搬送可能であるように構成されている、［Ｅ１］～［Ｅ９］の何れか一項に記載の基板処理装置。
前記内壁部材は、搬送アームにより前記開口を介して前記チャンバの内部と外部との間で搬送可能であるように構成されている、［Ｅ１］～［Ｅ９］の何れか一項に記載の基板処理装置。
【0125】
［Ｅ１１］
前記支持部材と前記天部との間で挟持される伝熱シートを更に備える、［Ｅ１］～［Ｅ１０］の何れか一項に記載の基板処理装置。
前記支持部材と前記天部との間で挟持される伝熱シートを更に備える、［Ｅ１］～［Ｅ１０］の何れか一項に記載の基板処理装置。
【0126】
［Ｅ１２］
前記支持部材及び前記天部は、前記チャンバ内にガスを供給するように構成されたシャワーヘッドを構成する、［Ｅ１］～［Ｅ１１］の何れか一項に記載の基板処理装置。
前記支持部材及び前記天部は、前記チャンバ内にガスを供給するように構成されたシャワーヘッドを構成する、［Ｅ１］～［Ｅ１１］の何れか一項に記載の基板処理装置。
【0127】
［Ｅ１３］
前記支持部材は、その中で熱媒体が流される流路を提供している、［Ｅ１］～［Ｅ１２］の何れか一項に記載の基板処理装置。
前記支持部材は、その中で熱媒体が流される流路を提供している、［Ｅ１］～［Ｅ１２］の何れか一項に記載の基板処理装置。
【0128】
［Ｅ１４］
前記内壁部材は、前記天部の周縁部から下方に延びる側壁部を更に含み、前記基板支持器上に載置される基板がその中で処理される処理空間を前記基板支持器と共に形成する、［Ｅ１］～［Ｅ１３］の何れか一項に記載の基板処理装置。
前記内壁部材は、前記天部の周縁部から下方に延びる側壁部を更に含み、前記基板支持器上に載置される基板がその中で処理される処理空間を前記基板支持器と共に形成する、［Ｅ１］～［Ｅ１３］の何れか一項に記載の基板処理装置。
【0129】
［Ｅ１５］
前記基板処理装置は、プラズマ処理装置である、［Ｅ１４］に記載の基板処理装置。
前記基板処理装置は、プラズマ処理装置である、［Ｅ１４］に記載の基板処理装置。
【0130】
［Ｅ１６］
筒形状を有し、前記基板支持器の外周に沿って延在し、接地された導体部と、
前記側壁部の下端を前記導体部に電気的に接続して、前記内壁部材を前記導体部に電気的に接続するコンタクト機構と、
を更に備える、［Ｅ１５］に記載の基板処理装置。
筒形状を有し、前記基板支持器の外周に沿って延在し、接地された導体部と、
前記側壁部の下端を前記導体部に電気的に接続して、前記内壁部材を前記導体部に電気的に接続するコンタクト機構と、
を更に備える、［Ｅ１５］に記載の基板処理装置。
【0131】
［Ｅ１７］
前記コンタクト機構は、
導電性材料から形成されており、前記導体部に電気的に接続されており、前記導体部の外周に沿って延在する筒状体と、
導電性材料から形成されており、前記基板支持器と前記筒状体との間に配置される押圧体と、
前記筒状体を周方向に沿って回転させるように構成された駆動部と、
を含み、
前記コンタクト機構は、前記筒状体の周方向の回転により前記押圧体を前記側壁部の下端の外周面に押し付けて、前記内壁部材を前記押圧体及び前記筒状体を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、
［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
前記コンタクト機構は、
導電性材料から形成されており、前記導体部に電気的に接続されており、前記導体部の外周に沿って延在する筒状体と、
導電性材料から形成されており、前記基板支持器と前記筒状体との間に配置される押圧体と、
前記筒状体を周方向に沿って回転させるように構成された駆動部と、
を含み、
前記コンタクト機構は、前記筒状体の周方向の回転により前記押圧体を前記側壁部の下端の外周面に押し付けて、前記内壁部材を前記押圧体及び前記筒状体を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、
［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
【0132】
［Ｅ１８］
前記導体部の上端は、周方向に延びる凹部を提供し、
前記コンタクト機構は、弾性を有する別のコンタクト部材を含み、
前記別のコンタクト部材は、前記導体部の前記凹部の中で周方向に延びており、前記導体部に電気的に接続されており、
前記別のコンタクト部材は、前記凹部の中で前記側壁部の前記下端に弾性的に接触することにより、前記内壁部材を該別のコンタクト部材を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、
［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
前記導体部の上端は、周方向に延びる凹部を提供し、
前記コンタクト機構は、弾性を有する別のコンタクト部材を含み、
前記別のコンタクト部材は、前記導体部の前記凹部の中で周方向に延びており、前記導体部に電気的に接続されており、
前記別のコンタクト部材は、前記凹部の中で前記側壁部の前記下端に弾性的に接触することにより、前記内壁部材を該別のコンタクト部材を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、
［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
【0133】
［Ｅ１９］
前記コンタクト機構は、
前記側壁部の下端及び前記導体部の上端のうち一方に取り付けられた複数の雄コネクタと、
前記側壁部の下端及び前記導体部の上端のうち他方に取り付けられた複数の雌コネクタと、
を含み、
前記コンタクト機構は、前記複数の雄コネクタの各々と前記複数の雌コネクタのうち対応の雌コネクタを互いに結合することにより前記内壁部材を前記導体部に電気的に接続するように構成されている、［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
前記コンタクト機構は、
前記側壁部の下端及び前記導体部の上端のうち一方に取り付けられた複数の雄コネクタと、
前記側壁部の下端及び前記導体部の上端のうち他方に取り付けられた複数の雌コネクタと、
を含み、
前記コンタクト機構は、前記複数の雄コネクタの各々と前記複数の雌コネクタのうち対応の雌コネクタを互いに結合することにより前記内壁部材を前記導体部に電気的に接続するように構成されている、［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
【0134】
［Ｅ２０］
前記コンタクト機構は、前記側壁部の前記下端が提供する下面に当接可能に設けられた別のコンタクト部材を含み、
前記コンタクト機構は、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けることにより、前記内壁部材を前記別のコンタクト部材を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
前記コンタクト機構は、前記側壁部の前記下端が提供する下面に当接可能に設けられた別のコンタクト部材を含み、
前記コンタクト機構は、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けることにより、前記内壁部材を前記別のコンタクト部材を介して前記導体部に電気的に接続するように構成されている、［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
【0135】
［Ｅ２１］
前記コンタクト機構は、流体の圧力により、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けるように構成されている、［Ｅ２０］に記載の基板処理装置。
前記コンタクト機構は、流体の圧力により、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けるように構成されている、［Ｅ２０］に記載の基板処理装置。
【0136】
［Ｅ２２］
前記コンタクト機構は、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けるように構成された圧電素子を更に含む、［Ｅ２０］に記載の基板処理装置。
前記コンタクト機構は、前記別のコンタクト部材を前記側壁部の前記下面に押し付けるように構成された圧電素子を更に含む、［Ｅ２０］に記載の基板処理装置。
【0137】
［Ｅ２３］
前記支持部材は容量結合型プラズマ処理装置の上部電極を構成する、［Ｅ１］～［Ｅ２２］の何れか一項に記載の基板処理装置。
前記支持部材は容量結合型プラズマ処理装置の上部電極を構成する、［Ｅ１］～［Ｅ２２］の何れか一項に記載の基板処理装置。
【0138】
［Ｅ２４］
前記導体部は、その中に、該導体部の中心軸線に対して周方向に沿って延びる空洞と該空洞と該導体部の外側の空間との間で延びる開口を提供し、
前記コンタクト機構は、
前記空洞の中に設けられた膨張可能シールと、
前記空洞の中で前記膨張可能シールと前記開口を画成する前記導体部の壁との間に設けられた第１部分及び該第１部分から前記開口の中に延びる第２部分を含み、導電性材料から形成された押圧体と、
導電性材料から形成されており、前記第１部分と前記導体部の前記壁の間に設けられた弾性体と、
前記膨張可能シールにエアを供給するように構成されたエア供給部と、
を含み、
前記押圧体は、前記エア供給部からの前記エアによって前記膨張可能シールが膨張することにより、前記弾性体を前記第１部分と前記導体部の前記壁との間で挟持し、前記第２部分の先端を前記側壁部の前記下端の内周面に当接させさせるように構成されている、
［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
前記導体部は、その中に、該導体部の中心軸線に対して周方向に沿って延びる空洞と該空洞と該導体部の外側の空間との間で延びる開口を提供し、
前記コンタクト機構は、
前記空洞の中に設けられた膨張可能シールと、
前記空洞の中で前記膨張可能シールと前記開口を画成する前記導体部の壁との間に設けられた第１部分及び該第１部分から前記開口の中に延びる第２部分を含み、導電性材料から形成された押圧体と、
導電性材料から形成されており、前記第１部分と前記導体部の前記壁の間に設けられた弾性体と、
前記膨張可能シールにエアを供給するように構成されたエア供給部と、
を含み、
前記押圧体は、前記エア供給部からの前記エアによって前記膨張可能シールが膨張することにより、前記弾性体を前記第１部分と前記導体部の前記壁との間で挟持し、前記第２部分の先端を前記側壁部の前記下端の内周面に当接させさせるように構成されている、
［Ｅ１６］に記載の基板処理装置。
【0139】
［Ｅ２５］
前記第２部分の前記先端はコンタクトバンドから形成されている、［Ｅ２４］に記載の基板処理装置。
前記第２部分の前記先端はコンタクトバンドから形成されている、［Ｅ２４］に記載の基板処理装置。
【0140】
［Ｅ２６］
前記弾性体は、斜め巻きコイルスプリングである、［Ｅ２４］又は［Ｅ２５］に記載の基板処理装置。
前記弾性体は、斜め巻きコイルスプリングである、［Ｅ２４］又は［Ｅ２５］に記載の基板処理装置。
【0141】
［Ｅ２７］
筒形状を有し、前記基板支持器の外周に沿って延在し、接地された導体部であり、前記チャンバの底部の上方で、水平方向にスライド可能に設けられた、該導体部を更に備え、
前記導体部の頂部の外周面は、テーパー状の面であり、
前記側壁部の下端の内周面は、前記導体部の頂部の外周面に対応するテーパー状の面であり、
前記導体部の前記頂部の前記外周面と前記側壁部の前記下端の前記内周面とが直接的又は間接的に接触するように構成されている、
［Ｅ１５］に記載の基板処理装置。
筒形状を有し、前記基板支持器の外周に沿って延在し、接地された導体部であり、前記チャンバの底部の上方で、水平方向にスライド可能に設けられた、該導体部を更に備え、
前記導体部の頂部の外周面は、テーパー状の面であり、
前記側壁部の下端の内周面は、前記導体部の頂部の外周面に対応するテーパー状の面であり、
前記導体部の前記頂部の前記外周面と前記側壁部の前記下端の前記内周面とが直接的又は間接的に接触するように構成されている、
［Ｅ１５］に記載の基板処理装置。
【0142】
［Ｅ２８］
前記導体部の前記頂部の前記外周面上に設けられたコンタクトバンドを更に備える、［Ｅ２７］に記載の基板処理装置。
前記導体部の前記頂部の前記外周面上に設けられたコンタクトバンドを更に備える、［Ｅ２７］に記載の基板処理装置。
【0143】
［Ｅ２９］
前記チャンバの前記底部と該底部に螺合されたボルトの頭部との間に配置されたスラストベアリングを更に備え、
前記導体部は、前記チャンバの前記底部の上方でスラストベアリングを介してスライド可能に支持されている、
［Ｅ２７］又は［Ｅ２８］に記載の基板処理装置。
前記チャンバの前記底部と該底部に螺合されたボルトの頭部との間に配置されたスラストベアリングを更に備え、
前記導体部は、前記チャンバの前記底部の上方でスラストベアリングを介してスライド可能に支持されている、
［Ｅ２７］又は［Ｅ２８］に記載の基板処理装置。
【0144】
［Ｅ３０］
基板処理装置のチャンバの外部から該チャンバの内部に、該チャンバの側壁に設けられた開口を介して、搬送アームにより内壁部材を搬入する工程であり、該基板処理装置は、前記チャンバ、該チャンバ内に設けられた基板支持器、及び該基板支持器の上方に設けられた支持部材を備え、該内壁部材は、前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置可能な天部を含む、該工程と、
前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材を鉛直方向に沿って移動させることにより前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定する工程であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材が前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材が固定される、該工程と、
を含む基板処理装置のメンテナンス方法。
基板処理装置のチャンバの外部から該チャンバの内部に、該チャンバの側壁に設けられた開口を介して、搬送アームにより内壁部材を搬入する工程であり、該基板処理装置は、前記チャンバ、該チャンバ内に設けられた基板支持器、及び該基板支持器の上方に設けられた支持部材を備え、該内壁部材は、前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置可能な天部を含む、該工程と、
前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材を鉛直方向に沿って移動させることにより前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定する工程であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材が前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材が固定される、該工程と、
を含む基板処理装置のメンテナンス方法。
【0145】
［Ｅ３１］
基板処理装置のチャンバの外部から該チャンバの内部に、該チャンバの側壁に設けられた開口を介して、搬送アームを進入させる工程であり、該基板処理装置は、前記チャンバ、該チャンバ内に設けられた基板支持器、該基板支持器の上方に設けられた支持部材、前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置された天部を含む内壁部材、及び、前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定するように構成された該コンタクト部材を備える、該工程と、
前記コンタクト部材による前記内壁部材の固定を解除するようアクチュエータにより前記内壁部材を下方に移動させることにより、前記搬送アームに前記内壁部材を受け渡す工程と、
前記チャンバの内部から前記チャンバの外部に前記開口を介して前記内壁部材を搬出する工程と、
を含む基板処理装置のメンテナンス方法。
基板処理装置のチャンバの外部から該チャンバの内部に、該チャンバの側壁に設けられた開口を介して、搬送アームを進入させる工程であり、該基板処理装置は、前記チャンバ、該チャンバ内に設けられた基板支持器、該基板支持器の上方に設けられた支持部材、前記基板支持器の上方且つ前記支持部材の下に配置された天部を含む内壁部材、及び、前記支持部材及び前記内壁部材のうち一方の部材に取り付けられたコンタクト部材であり、前記支持部材及び前記内壁部材のうち他方の部材に対して水平方向のばね反力を発揮することにより、前記支持部材に対して前記内壁部材を着脱可能に固定するように構成された該コンタクト部材を備える、該工程と、
前記コンタクト部材による前記内壁部材の固定を解除するようアクチュエータにより前記内壁部材を下方に移動させることにより、前記搬送アームに前記内壁部材を受け渡す工程と、
前記チャンバの内部から前記チャンバの外部に前記開口を介して前記内壁部材を搬出する工程と、
を含む基板処理装置のメンテナンス方法。
【0146】
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
【符号の説明】
【0147】
１…基板処理装置、１０…チャンバ、１２…基板支持器、１４…支持部材、１６…内壁部材、１６ｃ…天部、１８…コンタクト部材、２０…アクチュエータ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】