特開 2023-3869 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023003869

(43)【公開日】2023-01-17

(54)【発明の名称】光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/035 20060101AFI20230110BHJP

【ＦＩ】

G02F1/035

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021105201

(22)【出願日】2021-06-24

(71)【出願人】

【識別番号】000183266

【氏名又は名称】住友大阪セメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001081

【氏名又は名称】弁理士法人クシブチ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】宮崎 徳一

(72)【発明者】

【氏名】菅又 徹

【テーマコード（参考）】

2K102

【Ｆターム（参考）】

2K102AA21

2K102BA03

2K102BB01

2K102BB04

2K102BC04

2K102BD01

2K102CA00

2K102DA05

2K102DB04

2K102DB05

2K102DB08

2K102DC04

2K102DC08

2K102EA03

2K102EA22

2K102EB16

2K102EB30

(57)【要約】

【課題】凸状光導波路と信号電極との複数の交差部を有する光導波路素子において、交差部における擾乱変調の発生を効果的に抑制して、良好な動作特性を実現する。
【解決手段】基板上に延在する凸部により構成された光導波路と、基板上に形成された、光導波路を伝搬する光波を制御する信号電極と、を有する光導波路素子であって、光導波路は、湾曲部を有する２本の並行導波路を備えたマッハツェンダ型光導波路を含み、信号電極は、湾曲部において２本の並行導波路とそれぞれ交差する、差動信号を伝送する２本の信号線路からなり、２本の信号線路のそれぞれは、２本の並行導波路における交差長さが互いに同じとなるように構成されている。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に延在する凸部により構成された光導波路と、
前記基板上に形成された、前記光導波路を伝搬する光波を制御する信号電極と、
を有する光導波路素子であって、
前記光導波路は、湾曲部を有する２本の並行導波路を備えたマッハツェンダ型光導波路を含み、
前記信号電極は、
前記湾曲部において前記２本の並行導波路とそれぞれ交差する、差動信号を伝送する２本の信号線路からなり、
前記２本の信号線路のそれぞれは、前記２本の並行導波路における交差長さが互いに同じとなるように構成されている、
光導波路素子。

【請求項2】

前記２本の信号線路において、前記並行導波路と交差する部分の間隔は、前記並行導波路と交差しない部分の間隔より狭い、
請求項１に記載の光導波路素子。

【請求項3】

前記２本の信号線路は、前記並行導波路と交差する部分より前記差動信号の伝搬方向に沿って上流の部分の間隔に対し、前記並行導波路と交差する部分の間隔が狭い、
請求項２に記載の光導波路素子。

【請求項4】

前記２本の信号線路は、前記並行導波路と交差する部分の間隔に対し、前記並行導波路と交差する部分より前記差動信号の伝搬方向に沿って下流の部分の間隔が広い、
請求項３に記載の光導波路素子。

【請求項5】

前記２本の信号線路のそれぞれは、前記２本の並行導波路との交差角度が互いに同じとなるように形成されている、
請求項１に記載の光導波路素子。

【請求項6】

前記２本の信号線路は、前記２本の並行導波路に挟まれた前記基板上の領域において互いに交差する、
請求項５に記載の光導波路素子。

【請求項7】

前記２本の信号線路は、前記並行導波路と交差する部分が、前記基板の平面視において互いに重なっている、
請求項１に記載の光導波路素子。

【請求項8】

前記２本の信号線路が前記並行導波路と交差する部分には、前記並行導波路と前記２本の信号線路との間に樹脂から成る絶縁層を有する、
請求項２ないし請求項７のいずれか一項に記載の光導波路素子。

【請求項9】

光の変調を行う光変調素子である請求項１ないし７のいずれか一項に記載の光導波路素子と、
前記光導波路素子を収容する筐体と、
前記光導波路素子に光を入力する光ファイバと、
前記光導波路素子が出力する光を前記筐体の外部へ導く光ファイバと、
を備える光変調器。

【請求項10】

光の変調を行う光変調素子である請求項１ないし７のいずれか一項に記載の光導波路素子と、前記光導波路素子を駆動する駆動回路と、を備える光変調モジュール。

【請求項11】

請求項９に記載の光変調器または請求項１０に記載の光変調モジュールと、
前記光導波路素子に変調動作を行わせるための電気信号を生成する電子回路と、
を備える光送信装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置に関する。

【背景技術】

【0002】

高速／大容量光ファイバ通信システムにおいては、基板上に形成された光導波路と、光導波路を伝搬する光波を制御する制御電極と、で構成される光導波路素子としての光変調素子を組み込んだ光変調器が多く用いられている。中でも、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ_３（以下、ＬＮともいう）を基板に用いた光変調素子は、光の損失が少なく且つ広帯域な光変調特性を実現し得ることから、高速／大容量光ファイバ通信システムに広く用いられている。

【0003】

特に、光ファイバ通信システムにおける変調方式は、近年の伝送容量の増大化の流れを受け、ＱＰＳＫ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）やＤＰ－ＱＰＳＫ（Ｄｕａｌ Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ － Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）等、多値変調や、多値変調に偏波多重を取り入れた伝送フォーマットが主流となっており、基幹光伝送ネットワークにおいて用いられるほか、メトロネットワークにも導入されつつある。

【0004】

また、近年では、光変調器自身を小型化しつつ更なる低電圧駆動および高速変調を実現するため、基板中における信号電界と導波光との相互作用をより強めるべく、薄膜化（又は薄板化）したＬＮ基板（例えば、厚さ２０μｍ以下）の表面に帯状の凸部を形成して構成されるリブ型光導波路またはリッジ型光導波路（以下、総称して凸状光導波路という）を用いた光変調器も実用化されつつある（例えば、特許文献１、２）。

【0005】

また、光変調素子そのものの小型化に加えて、電子回路と光変調素子とを一つの筐体に収容し、光変調モジュールとして集積化する等の取り組みも進められている。例えば、光変調素子と当該光変調素子を駆動する高周波ドライバアンプとを一つの筐体内に集積して収容し、光入出力部を当該筐体の一の面に並列配置することで、小型・集積化を図った光変調モジュールが提案されている。このような光変調モジュールに用いられる光変調素子では、当該光変調素子を構成する基板の一の辺に光導波路の光入力端と光出力端とが配されるように、光導波路は、基板上において光の伝搬方向が折り返されるように形成される（例えば、特許文献３）。以下、このような光伝搬方向の折返し部分を含む光導波路で構成される光変調素子を折返し型光変調素子という。

【0006】

ところで、ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＱＰＳＫ光変調器）やＤＰ－ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＤＰ－ＱＰＳＫ光変調器）は、所謂ネスト型と呼ばれる入れ子構造になった複数のマッハツェンダ型光導波路を備え、そのそれぞれが、高周波信号が印加される信号電極を少なくとも一つ備える。基板上に形成されるこれらの信号電極は、基板外部の電気回路との接続のため、ＬＮ基板の外周近傍まで延在するように形成される。このため、基板上には、複数の光導波路と複数の信号電極とが複雑に交差し、光導波路の上を信号電極が横断する複数の交差部が形成される。

【0007】

このような交差部では、光導波路の上を交差する信号電極から当該信号電極の下部にある光導波路の部分に電界が印加されることとなり、当該光導波路を伝搬する光の位相を僅かながら変化させて当該位相を変調することとなる。このような交差部における光の位相変化ないし位相変調は、信号電極によって光導波路内に発生する正常な変調のための光位相変化に対する雑音として働き、光変調動作を擾乱し得る。以下、このような交差部において発生する雑音としての位相変調を、擾乱変調と称する。

【0008】

光変調器における光変調動作に対する擾乱変調の雑音効果の程度は、交差部において信号電極から光導波路に加わる電界が強いほど大きく、また、交差部の数に比例した加算効果によっても（例えば、信号電極に沿った交差部の長さ（交差長）の総和に応じて）大きくなる。

【0009】

例えば、従来の、ＬＮ基板の平らな表面にＴｉ等の金属を拡散して形成された光導波路（いわゆる、平面光導波路）と、そのＬＮ基板の基板平面に形成される信号電極と、が交差する構成においては、信号電極は光導波路の上面（基板面）にのみ形成されるのに対し、上述のような凸状光導波路と信号電極とが交差する構成では、信号電極は凸状光導波路の凸部の上面及び２つの側面にも形成され得る。このため、交差部において信号電極から光導波路に加わる電界は、平面導波路の場合に比べて凸状光導波路の場合に強くなり、更に強閉じ込め化された光波との相互作用も強くなり、したがって、擾乱変調による雑音は、平面光導波路の場合に比べて凸状光導波路においてより大きく発生し得る。

【0010】

また、上述したような折返し型光変調素子では、光の折返し部を含まない光導波路で構成される非折返し型の光変調素子に比べて、電極と光導波路との交差部はより多く存在することとなり（例えば、特許文献３の図１参照）、擾乱変調による雑音もより大きなものとなり得る。例えば、上述したＤＰ－ＱＰＳＫ変調素子の場合、非折返し型の光変調素子では、一つの電極における交差部の数は２ないし４個程度であって交差長の総和は数十ミクロン（例えば２０μｍから４０μｍの範囲）であるのに対し、折返し型光変調素子では、一つの電極における交差部の数は十数か所に及ぶ場合があり、交差長の総和は数百ミクロンから数ミリとなり得る。

【0011】

したがって、特に凸状光導波路を用いて構成される折返し型光変調素子においては、交差部で発生する擾乱変調による雑音は、正常な光変調動作に対し無視し得ないほど大きなものとなり得る。また、特に、２本の並行導波路で構成されるマッハツェンダ型光導波路においては、上記擾乱変調は、これらの並行導波路を伝搬するそれぞれの光信号に雑音を発生させるだけでなく、これら２つの信号光間の位相差にも雑音を生じさせる。この位相差雑音は、これらの光波がマッハツェンダ型光導波路内において合波される際に、光干渉作用によってより大きな雑音を生じさせることとなり、光変調動作に多大な影響を与え得る。

【0012】

また、上記のような交差部は、ＬＮ基板に限らずＩｎＰ等の半導体を基板に用いた光導波路素子や、Ｓｉを基板に用いるシリコン・フォトニクス導波路デバイスなどの、種々の光導波路素子でも同様に形成され得る。また、そのような光導波路素子は、マッハツェンダ型光導波路を用いる光変調器だけでなく、方向性結合器やＹ分岐を構成する光導波路を用いた光変調器、あるいは光スイッチ等の種々の光導波路素子であり得る。

【0013】

そして、光導波路素子の更なる小型化、多チャンネル化、及び又は高集積化に伴って光導波路パターン及び電極パターンが複雑化すれば、基板上における交差部の数は増々増加し、擾乱変調による雑音は、無視し得ない要因となって光導波路素子の性能を制限することとなり得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0014】

【特許文献1】特開２００７－２６４５４８号公報

【特許文献2】国際公開第２０１８／１０３１９１６号明細書

【特許文献3】特開２０１９－１５２７３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0015】

上記背景より、凸状光導波路と電気信号を伝搬する信号電極との複数の交差部を有する光導波路素子において、交差部における擾乱変調の発生を効果的に抑制して、良好な動作特性を実現することが求められている。

【課題を解決するための手段】

【0016】

本発明の一の態様は、基板上に延在する凸部により構成された光導波路と、前記基板上に形成された、前記光導波路を伝搬する光波を制御する信号電極と、を有する光導波路素子であって、前記光導波路は、湾曲部を有する２本の並行導波路を備えたマッハツェンダ型光導波路を含み、前記信号電極は、前記湾曲部において前記２本の並行導波路とそれぞれ交差する、差動信号を伝送する２本の信号線路からなり、前記２本の信号線路のそれぞれは、前記２本の並行導波路における交差長さが互いに同じとなるように構成されている、光導波路素子である。
本発明の他の態様によると、前記２本の信号線路において、前記並行導波路と交差する部分の間隔は、前記並行導波路と交差しない部分の間隔より狭い。
本発明の他の態様によると、前記２本の信号線路は、前記並行導波路と交差する部分より前記差動信号の伝搬方向に沿って上流の部分の間隔に対し、前記並行導波路と交差する部分の間隔が狭い。
本発明の他の態様によると、前記２本の信号線路は、前記並行導波路と交差する部分の間隔に対し、前記並行導波路と交差する部分より前記差動信号の伝搬方向に沿って下流の部分の間隔が広い。
本発明の他の態様によると、前記２本の信号線路のそれぞれは、前記２本の並行導波路との交差角度が互いに同じとなるように形成されている。
本発明の他の態様によると、前記２本の信号線路は、前記２本の並行導波路に挟まれた前記基板上の領域において互いに交差する。
本発明の他の態様によると、前記２本の信号線路は、前記並行導波路と交差する部分が、前記基板の平面視において互いに重なっている。
本発明の他の態様によると、前記２本の信号線路が前記並行導波路と交差する部分には、前記並行導波路と前記２本の信号線路との間に樹脂から成る絶縁層を有する。
本発明の他の態様は、光の変調を行う光変調素子である上記いずれかに記載の光導波路素子と、前記光導波路素子を収容する筐体と、前記光導波路素子に光を入力する光ファイバと、前記光導波路素子が出力する光を前記筐体の外部へ導く光ファイバと、を備える光変調器である。
本発明の他の態様は、光の変調を行う光変調素子である前記光導波路素子と、前記光導波路素子を駆動する駆動回路と、を備える光変調モジュールである。
本発明の更に他の態様は、前記光変調器または前記光変調モジュールと、前記光導波路素子に変調動作を行わせるための電気信号を生成する電子回路と、を備える光送信装置である。

【発明の効果】

【0017】

本発明によれば、凸状光導波路と電気信号を伝搬する電極との複数の交差部を有する光導波路素子において、交差部における擾乱変調の発生を効果的に抑制して、良好な動作特性を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の第１の実施形態に係る光変調器の構成を示す図である。

【図2】図１に示す光変調器に用いられる光変調素子の構成を示す図である。

【図3】図２に示す光変調素子の光変調部Ａの部分詳細図である。

【図4】図２に示す光変調素子の光折り返し部Ｂの部分詳細図である。

【図5】図３に示す光変調部ＡのＶ－Ｖ断面矢視図である。

【図6】図４に示す光折り返し部Ｂにおける交差領域の部分詳細図である。

【図7】第１の変形例に係る交差領域の構成を示す図である。

【図8】第２の変形例に係る交差領域の構成を示す図である。

【図9】図８に示す交差領域のＩＸ－ＩＸ断面矢視図である。

【図10】図８に示す交差領域のＸ－Ｘ断面矢視図である。

【図11】第３の変形例に係る交差領域の構成を示す図である。

【図12】第４の変形例に係る交差領域の構成を示す図である。

【図13】第５の変形例に係る交差領域の構成を示す図である。

【図14】図１３に示す交差領域のＸＩＶ－ＸＩＶ断面矢視図である。

【図15】本発明の第２の実施形態に係る光変調モジュールの構成を示す図である。

【図16】本発明の第３の実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
［１．第１実施形態］
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る、光導波路素子である光変調素子を用いた光変調器１００の構成を示す図である。光変調器１００は、筐体１０２と、当該筐体１０２内に収容された光変調素子１０４と、中継基板１０６と、を有する。光変調素子１０４は、例えば、ＤＰ－ＱＰＳＫ変調器構成である。筐体１０２は、最終的にはその開口部に板体であるカバー（不図示）が固定されて、その内部が気密封止される。

【0020】

光変調器１００は、また、光変調素子１０４の変調に用いる高周波電気信号を入力するための信号ピン１０８と、光変調素子１０４の動作点の調整等に用いる電気信号を入力するための信号ピン１１０と、を有する。

【0021】

さらに、光変調器１００は、筐体１０２内に光を入力するための入力光ファイバ１１４と、光変調素子１０４により変調された光を筐体１０２の外部へ導く出力光ファイバ１２０と、を筐体１０２の同一面に有する。

【0022】

ここで、入力光ファイバ１１４及び出力光ファイバ１２０は、固定部材であるサポート１２２及び１２４を介して筐体１０２にそれぞれ固定されている。入力光ファイバ１１４から入力された光は、サポート１２２内に配されたレンズ１３０によりコリメートされた後、レンズ１３４を介して光変調素子１０４へ入力される。ただし、これは一例であって、光変調素子１０４への光の入力は、従来技術に従い、例えば、入力光ファイバ１１４を、サポート１２２を介して筐体１０２内に導入し、当該導入した入力光ファイバ１１４の端面を光変調素子１０４の基板２２０（後述）の端面に接続することで行うものとすることもできる。

【0023】

光変調器１００は、また、光変調素子１０４から出力される２つの変調された光を偏波合成する光学ユニット１１６を有する。光学ユニット１１６から出力される偏波合成後の光は、サポート１２４内に配されたレンズ１１８により集光されて出力光ファイバ１２０へ結合される。

【0024】

中継基板１０６は、当該中継基板１０６に形成された導体パターン（不図示）により、信号ピン１０８から入力される高周波電気信号および信号ピン１１０から入力される動作点調整用等の電気信号を、光変調素子１０４へ中継する。中継基板１０６上の上記導体パターンは、例えばワイヤボンディング等により、光変調素子１０４の電極の一端を構成するパッド（後述）にそれぞれ接続される。また、光変調器１００は、所定のインピーダンスを有する終端器１１２を筐体１０２内に備える。

【0025】

図２は、図１に示す光変調器１００の筐体１０２内に収容される光変調素子１０４の、構成の一例を示す図である。また、図３および図４は、それぞれ、図２に示す光変調素子１０４の光変調部Ａ及び光折り返し部Ｂ（後述）の部分詳細図である。

【0026】

光変調素子１０４は、基板２２０上に形成された光導波路２３０（図示太線点線の全体）で構成され、例えば２００ＧのＤＰ－ＱＰＳＫ変調を行う。基板２２０は、例えば、２０μｍ以下（例えば２μｍ）の厚さに加工され薄膜化された、電気光学効果を有するＺカットのＬＮ基板である。また、光導波路２３０は、薄膜化された基板２２０の表面に形成された、帯状に延在する凸部で構成された凸状光導波路（例えば、リブ型光導波路又はリッジ型光導波路）である。ここで、ＬＮ基板は、応力が加わると光弾性効果により屈折率が局所的に変化し得るため、基板全体の機械強度を補強すべく、一般的にはＳｉ（シリコン）基板やガラス基板、ＬＮ等の支持板に接着される。本実施形態では、後述するように、基板２２０は、支持板５００に接着されている。

【0027】

基板２２０は、例えば矩形であり、図示上下方向に延在して対向する図示左右の２つの辺２８０ａ、２８０ｂ、および図示左右方向に延在して対向する図示上下の辺２８０ｃ、２８０ｄを有する。

【0028】

光導波路２３０は、基板２２０の図示左方の辺２８０ａの図示上側において入力光ファイバ１１４からの入力光（図示右方を向く矢印）を受ける入力導波路２３２と、入力された光を同じ光量を有する２つの光に分岐する分岐導波路２３４と、を含む。また、光導波路２３０は、分岐導波路２３４により分岐されたそれぞれの光を変調する２つの変調部である、いわゆるネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０ａ、２４０ｂを含む。

【0029】

ネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０ａ、２４０ｂは、それぞれ、一対の並行導波路を成す２つの導波路部分に設けられたそれぞれ２つのマッハツェンダ型光導波路２４４ａ、２４４ｂ、および２４４ｃ、２４４ｄを含む。図３に示すように、マッハツェンダ型光導波路２４４ａ及び２４４ｂは、それぞれ、並行導波路２４６ａ１と２４６ａ２、及び並行導波路２４６ｂ１と２４６ｂ２、を有する。また、マッハツェンダ型光導波路２４４ｃ及び２４４ｄは、それぞれ、並行導波路２４６ｃ１と２４６ｃ２、及び並行導波路２４６ｄ１と２４６ｄ２、を有する。

【0030】

以下、ネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０ａおよび２４０ｂを総称してネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０ともいい、マッハツェンダ型光導波路２４４ａ、２４４ｂ、２４４ｃ、および２４４ｄを総称してマッハツェンダ型光導波路２４４ともいうものとする。また、並行導波路２４６ａ１と２４６ａ２とを総称して並行導波路２４６ａともいい、並行導波路２４６ｂ１と２４６ｂ２とを総称して並行導波路２４６ｂともいうものとする。また、並行導波路２４６ｃ１と２４６ｃ２とを総称して並行導波路２４６ｃともいい、並行導波路２４６ｄ１と２４６ｄ２とを総称して並行導波路２４６ｄともいうものとする。さらに、並行導波路２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ、および２４６ｄを総称して、並行導波路２４６ともいうものとする。

【0031】

図２に示すように、ネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０は、光変調部Ａと光折り返し部Ｂとを含む（それぞれ、図示二点鎖線の矩形で示された部分）。光折り返し部Ｂは、２つのネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０における光の伝搬方向を変える部分である。具体的には、ネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０を構成するマッハツェンダ型光導波路２４４のそれぞれは、湾曲部を有する２本の並行導波路２４６を有し、光折り返し部Ｂは、２つのネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０を構成する合計８本の並行導波路２４６の湾曲部により構成されている。

【0032】

本実施形態では、ネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０は、分岐導波路２３４により２つに分岐された入力光のそれぞれについて、光折り返し部Ｂにおいて光の伝搬方向を１８０度折り返したのち、光変調部ＡにおいてＱＰＳＫ変調し、変調後の光（出力）をそれぞれの出力導波路２４８ａ、２４８ｂから図示左方へ出力する。これら２つの出力光は、その後、基板２２０外に配された光学ユニット１１６により偏波合成されて一つの光ビームにまとめられる。

【0033】

基板２２０上には、ネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０ａ、２４０ｂを構成する合計４つのマッハツェンダ型光導波路２４４ａ、２４４ｂ、２４４ｃ、２４４ｄのそれぞれに変調動作を行わせるための、４つの信号電極２５０ａ、２５０ｂ、２５０ｃ、２５０ｄが設けられている。以下、信号電極２５０ａ、２５０ｂ、２５０ｃ、２５０ｄを総称して信号電極２５０ともいうものとする。

【0034】

信号電極２５０のぞれぞれは、２つの信号線路を含む。すなわち、信号電極２５０ａは、信号線路２５２ａ１と２５２ａ２とを含み、信号電極２５０ｂは、信号線路２５２ｂ１と２５２ｂ２とを含む。また、信号電極２５０ｃは、信号線路２５２ｃ１と２５２ｃ２とを含み、信号電極２５０ｄは、信号線路２５２ｄ１と２５２ｄ２とを含む。以下、信号線路２５２ａ１と２５２ａ２とを総称して信号線路２５２ａともいい、信号線路２５２ｂ１と２５２ｂ２とを総称して信号線路２５２ｂともいうものとする。また、信号線路２５２ｃ１と２５２ｃ２とを総称して信号線路２５２ｃともいい、信号線路２５２ｄ１と２５２ｄ２とを総称して信号線路２５２ｄともいうものとする。さらに、信号線路２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、および２５２ｄを総称して、信号線路２５２ともいうものとする。

【0035】

信号電極２５０のそれぞれには、対応するマッハツェンダ型光導波路２４４に変調動作を行わせるための高周波電気信号が入力される。この高周波電気信号は、互いに１８０°の位相差を有する２つの電気信号、すなわち差動信号で構成される。信号電極２５０のそれぞれを構成する２つの信号線路２５２は、その信号電極２５０に入力された、上記差動信号を構成する２つの電気信号のそれぞれを伝送する。

【0036】

図３に示すように、光変調部Ａにおいて、信号電極２５０ａを構成する信号線路２５２ａ１と２５２ａ２とは、それぞれ、マッハツェンダ型光導波路２４４ａの並行導波路２４６ａ１および２４６ａ２の上部に形成された作用部３００ａおよび３００ｂ（図示斜線ハッチング部分）を有し、互いに１８０°の位相差を有する差動信号を伝搬して、マッハツェンダ型光導波路２４４ａに変調動作を行わせる。また、信号電極２５０ｂを構成する信号線路２５２ｂ１と２５２ｂ２とは、それぞれ、マッハツェンダ型光導波路２４４ｂの並行導波路２４６ｂ１および２４６ｂ２の上部に形成された作用部３００ｃおよび３００ｄを有し、互いに１８０°の位相差を有する差動信号を伝搬して、マッハツェンダ型光導波路２４４ｂに変調動作を行わせる。

【0037】

同様に、信号電極２５０ｃを構成する信号線路２５２ｃ１と２５２ｃ２とは、それぞれ、マッハツェンダ型光導波路２４４ｃの並行導波路２４６ｃ１および２４６ｃ２の上部に形成された作用部３００ｅおよび３００ｆを有し、互いに１８０°の位相差を有する差動信号を伝搬して、マッハツェンダ型光導波路２４４ｃに変調動作を行わせる。また、信号電極２５０ｄを構成する信号線路２５２ｄ１と２５２ｄ２とは、それぞれ、マッハツェンダ型光導波路２４４ｄの並行導波路２４６ｄ１および２４６ｄ２の上部に形成された作用部３００ｇおよび３００ｈを有し、互いに１８０°の位相差を有する差動信号を伝搬して、マッハツェンダ型光導波路２４４ｄに変調動作を行わせる。

【0038】

以下、作用部３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄ、３００ｅ、３００ｆ、３００ｇ、および３００ｈを総称して、作用部３００ともいうものとする。

【0039】

図４に示すように、光折り返し部Ｂにおいて、信号電極２５０を構成する２本の信号線路２５２のそれぞれは、４つのマッハツェンダ型光導波路２４４を構成するそれぞれ２本の並行導波路２４６の湾曲部において、それらの並行導波路２４６と交差する。ここで、基板２２０の面上において、差動信号を伝搬する２本の信号線路２５２と、一のマッハツェンダ型光導波路２４４を構成する２本の並行導波路２４６と、が交差する部分を、交差領域ともいうものとする。

【0040】

すなわち、図４において、差動信号を伝搬する２本の信号線路２５２ａ（すなわち、信号線路２５２ａ１と２５２ａ２）は、交差領域４００ａ１において、マッハツェンダ型光導波路２４４ａを構成する２本の並行導波路２４６ａ（すなわち、並行導波路２４６ａ１および２４６ａ２）と交差する。また、信号線路２５２ａは、交差領域４００ａ２、４００ａ３、４００ａ４において、それぞれ、マッハツェンダ型光導波路２４４ｂ、２４４ｃ、２４４ｄのそれぞれを構成するそれぞれ２本の並行導波路２４６ｂ、２４６ｃ、２４６ｄと交差する。

【0041】

同様に、２本の信号線路２５２ｂは、交差領域４００ｂ１、４００ｂ２、４００ｂ３、４００ｂ４において、マッハツェンダ型光導波路２４４ａ、２４４ｂ、２４４ｃ、２４４ｄのそれぞれを構成するそれぞれ２本の並行導波路２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ、２４６ｄと交差する。２本の信号線路２５２ｃは、交差領域４００ｃ１、４００ｃ２、４００ｃ３、４００ｃ４において、マッハツェンダ型光導波路２４４ａ、２４４ｂ、２４４ｃ、２４４ｄのそれぞれを構成するそれぞれ２本の並行導波路２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ、２４６ｄと交差する。また、２本の信号線路２５２ｄは、交差領域４００ｄ１、４００ｄ２、４００ｄ３、４００ｄ４において、マッハツェンダ型光導波路２４４ａ、２４４ｂ、２４４ｃ、２４４ｄのそれぞれを構成するそれぞれ２本の並行導波路２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ、２４６ｄと交差する。

【0042】

以下、交差領域４００ａ１、４００ａ２、４００ａ３、４００ａ４を総称して交差領域４００ａともいい、交差領域４００ｂ１、４００ｂ２、４００ｂ３、４００ｂ４を総称して交差領域４００ｂともいうものとする。また、交差領域４００ｃ１、４００ｃ２、４００ｃ３、４００ｃ４を総称して交差領域４００ｃともいい、交差領域４００ｄ１、４００ｄ２、４００ｄ３、４００ｄ４を総称して交差領域４００ｄともいうものとする。さらに、交差領域４００ａ、４００ｂ、４００ｃ、４００ｄを総称して交差領域４００ともいうものとする。

【0043】

図２を参照し、信号線路２５２ａ１、２５２ａ２、２５２ｂ１、２５２ｂ２、２５２ｃ１、２５２ｃ２、２５２ｄ１、２５２ｄ２は、それぞれ、基板２２０の図示右方へ延在し、光折り返し部Ｂにおいて８本の並行導波路２４６の上を交差したのち、辺２８０ｂまで延在してパッド２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃ、２５４ｄ、２５４ｅ、２５４ｆ、２５４ｇ、２５４ｈに接続されている。

【0044】

以下、パッド２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃ、２５４ｄ、２５４ｅ、２５４ｆ、２５４ｇ、２５４ｈを総称してパッド２５４ともいうものとする。パッド２５４のそれぞれは、ワイヤボンディング等により、図１に示す光変調器１００の中継基板１０６と接続される。

【0045】

信号線路２５２ａ１、２５２ａ２、２５２ｂ１、２５２ｂ２、２５２ｃ１、２５２ｃ２、２５２ｄ１、２５２ｄ２の図示左方は、図示下方へ折れ曲がって基板２２０の辺２８０ｄまで延在し、パッド２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ、２５８ｅ、２５８ｆ、２５８ｇ、２５８ｈに接続されている。以下、パッド２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ、２５８ｅ、２５８ｆ、２５８ｇ、２５８ｈを総称してパッド２５８ともいうものとする。パッド２５８のそれぞれは、ワイヤボンディング等により、終端器１１２を構成する８つの終端抵抗（不図示）のそれぞれと接続される。

【0046】

図２において、信号線路２５２のそれぞれは、従来技術に従い、基板２２０の面上においてこれらの信号線路２５２をそれぞれ挟むように形成されたグラウンド電極（不図示）と共に、例えば、所定のインピーダンスを有するコプレーナ伝送線路を構成している。

【0047】

これにより、信号ピン１０８から中継基板１０６を介してパッド２５４のそれぞれに入力される高周波電気信号は、進行波となって信号線路２５２のそれぞれを伝搬し、作用部３００のそれぞれにおいて、対応するマッハツェンダ型光導波路２４４を伝搬する光波をそれぞれ変調する。

【0048】

図５は、図３に示す光変調部ＡのＶ－Ｖ断面矢視図であり、信号電極２５０ｃを構成する信号線路２５２ｃ１および２５２ｃ２（具体的には、作用部３００ｅおよび３００ｆ）の断面構造を示す図である。なお、他の信号線路２５２のそれぞれも、光変調部Ａにおいては、図５に示す信号線路２５２ｃ１および２５２ｃ２と同様に構成される。

【0049】

図５において、基板２２０は、補強のためガラス等の支持板５００に接着固定されている。基板２２０上には、凸状光導波路であるマッハツェンダ型光導波路２４４ｃの並行導波路２４６ｃ１および２４６ｃ２を構成する凸部５０４ｃ１、５０４ｃ２が形成されている。ここで、図５に示す破線円形は、並行導波路２４６ｃ１および２４６ｃ２を伝搬する光波のフィールド径を模式的に示している。

【0050】

凸部５０４ｃ１および５０４ｃ２の上には、それぞれ、中間層５０２が形成され、その上に信号線路２５２ｃ１および２５２ｃ２（具体的には、作用部３００ｅおよび３００ｆ）がそれぞれ形成されている。中間層５０２は、例えばＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）である。ただし、これは一例であって、中間層５０２は、後述する感光性永久膜などの樹脂であってもよい。

【0051】

また、基板２２０上には、信号線路２５２ｃ１と２５２ｃ２とをそれぞれ基板２２０の面上において挟む位置に、３つのグラウンド電極２７２が形成されている。グラウンド電極２７２のそれぞれと信号線路２５２ｃ１および２５２ｃ２との間隔は、従来技術に従い、これらが構成するコプレーナ伝送線路に求められるインピーダンス、および凸部５０４ｃ１、５０４ｃ２の幅などの、種々の設計条件から定められる。以下、凸部５０４ｃ１、５０４ｃ２を含め、光導波路２３０を構成する基板２２０上の凸部を総称して凸部５０４ともいうものとする。

【0052】

信号線路２５２が凸部５０４に形成する電界と、マッハツェンダ型光導波路２４４を伝搬する導波光と、の相互作用をより強めて高速変調動作をより低電圧で行い得るように、基板２２０は、２０μｍ以下の厚さ、好適には１０μｍ以下の厚さに形成される。本実施形態では、例えば、基板２２０の厚さは１．２μｍ、光導波路２３０を構成する凸部５０４の高さは０．８μｍである。

【0053】

なお、図５においては光導波路２３０を構成する凸部５０４にのみ中間層５０２が設けられるものとしたが、中間層５０２は、基板２２０の全面に亘って形成されていてもよい。また、これに加えて、中間層５０２は、凸部５０４の側面（図示左右の側面）に形成されていてもよい。例えば、中間層５０２を感光性永久膜などの樹脂で構成する場合には、凸部５０４の側面にも中間層５０２を容易に形成することができる。

【0054】

図２を参照し、光変調素子１０４には、また、いわゆるＤＣドリフトによるバイアス点の変動を補償して動作点を調整するためのバイアス電極２７０ａ、２７０ｂ、２７０ｃが設けられている。バイアス電極２７０ａは、ネスト型マッハツェンダ型光導波路２４０ａ、２４０ｂのバイアス点変動の補償に用いられる。また、バイアス電極２７０ｂおよび２７０ｃは、それぞれ、マッハツェンダ型光導波路２４４ａ、２４４ｂ、および２４４ｃ、２４４ｄのバイアス点変動の補償に用いられる。

【0055】

これらのバイアス電極２７０ａ、２７０ｂ、２７０ｃは、それぞれ、基板２２０の図示上側の辺２８０ｃまで延在し、中継基板１０６を介して信号ピン１１０のいずれかと接続される。対応する信号ピン１１０は、筐体１０２の外部に設けられるバイアス制御回路と接続される。これにより、当該バイアス制御回路によりバイアス電極２７０ａ、２７０ｂ、２７０ｃが駆動されて、対応する各マッハツェンダ型光導波路に対しバイアス点変動を補償するように動作点が調整される。以下、バイアス電極２７０ａ、２７０ｂ、２７０ｃを総称してバイアス電極２７０ともいうものとする。

【0056】

バイアス電極２７０は、直流ないし低周波の電気信号が印加される電極であり、例えば、基板２２０の厚さが２０μｍの場合、０．３μｍ以上、５μｍ以下の範囲の厚さで形成される。これに対し、信号電極２５０を構成する信号線路２５２は、印加される高周波電気信号の導体損失を低減するべく、例えば２０μｍ以上、４０μｍ以下の範囲で形成される。尚、信号線路２５２の厚さは、インピーダンスやマイクロ波実効屈折率を所望の値に設定するため基板２２０の厚さに応じて決定され、基板２２０の厚さが厚い場合にはより厚く、基板２２０の厚さが薄い場合にはより薄く決定され得る。

【0057】

上述したように、光変調素子１０４では、信号電極２５０を構成する信号線路２５２のそれぞれは、光折り返し部Ｂを構成する８つの並行導波路２４６のそれぞれの湾曲部において、これらの並行導波路２４６の上を交差する。このため、８つの並行導波路２４６と信号線路２５２との交差に起因した上述の擾乱変調が発生すれば、光変調素子１０４としての変調動作が劣化し得る。（マッハツェンダの２本の並行導波路で発生した擾乱変調は変調動作に大きく影響する）

【0058】

このような擾乱変調を低減するため、本実施形態における光変調素子１０４では、特に、交差領域４００のそれぞれにおいて、差動信号を伝搬する２本の信号線路２５２のそれぞれは、対応するマッハツェンダ型光導波路２４４の２本の並行導波路２４６のそれぞれとの２つの交差部において、並行導波路２４６における交差長さが、互いに略同じ角度及び又は略同じ長さとなるように構成されている。ここで、上記交差長さは、その並行導波路２４６に沿って測った長さとして定義され得る。

【0059】

これにより、並行導波路２４６における２つの交差部、すなわち、互いに逆位相の差動信号を伝搬する２本の信号線路２５２との２つの交差部では、互いに逆位相の擾乱変調が同じ強度で生ずるので、これらの擾乱変調は互いに相殺されることとなる。その結果、上記並行導波路２４６のそれぞれにおいて、擾乱変調がその総和として効果的に低減され得る。

【0060】

ここで、並行導波路２４６の２つの交差部における交差長さについての“同じ長さ”および“略同じ長さ”とは、それらの交差部により上記擾乱変調が所定の程度（例えば、１／１０）まで相殺され得る程度の、誤差を含んだ同じ長さであることを意味する。また、並行導波路２４６の２つの交差部における交差角度についての“同じ角度”および“略同じ角度”とは、それらの交差部における交差長さが、上記の意味において“同じ長さ”又は“略同じ長さ”となる程度に誤差を含んだ同じ角度であることを意味する。

【0061】

具体的には、本実施形態では、信号電極２５０を構成する２本の信号線路２５２は、同一の並行導波路２４６と交差する部分における間隔が、当該並行導波路２４６と交差しない部分の間隔より狭くなるように形成されている。これにより、一の並行導波路２４６における２本の信号線路２５２との２つの交差部の間隔が近接することとなるので、当該２つの交差部における、並行導波路２４６と信号線路２５２との交差角度は、互いに略同じ角度となる。その結果、上記２本の信号線路が同じ幅で構成されていれば、これら２つの交差部における交差長さは略同じ長さとなる。

【0062】

本実施形態では、より具体的には、上記２本の信号線路２５２は、上記同一の並行導波路２４６と交差する部分の間隔が、差動信号の伝搬方向に沿って当該交差する部分より上流の部分の間隔に対して狭い。これにより、例えば、２本の信号線路は、同一の並行導波路２４６と交差する部分の間隔を、パッド２５４の間隔（例えば、パッド２５４ａと２５４ｂとの間隔）より狭くして、上記交差する部分の間隔を近接させることができる。

【0063】

図６は、図４に示す光折り返し部Ｂにおける交差領域４００ａ４の部分詳細図である。なお、交差領域４００ａ４以外の他の交差領域４００も、図６に示す交差領域４００ａ４と同様に構成されている。

【0064】

図６において、２つの信号線路２５２ａは、互いに同じ幅Ｗｅで形成され、図示右上から左下へ向かって差動信号を伝搬する。また、並行導波路２４６ｄは、図示右下から左上に向かって光波を伝搬する。そして、２つの信号線路２５２ａは、上記差動信号の伝搬方向に沿って上流の部分の間隔ｄ１に対し、並行導波路２４６ｄと交差する下流の部分の間隔ｄ２が狭く形成されている（すなわち、ｄ２＜ｄ１）。ここで、間隔ｄ１は、例えば、パッド２５４ａと２５４ｂとの間隔に等しい。

【0065】

図６において、２つの信号線路２５２ａ１及び２５２ａ２は、並行導波路２４６ｄ１と交差して、交差部６００ａ及び６００ｂ（図示ハッチング部分）を構成する。また、２つの信号線路２５２ａ１及び２５２ａ２は、並行導波路２４６ｄ２と交差して、交差部６０２ａ及び６０２ｂ（図示ハッチング部分）を構成する。図６には、参考として、２つの信号線路２５２ａが、図示一点鎖線に沿って一定の間隔ｄ１で形成されて並行導波路２４６ｄ１と交差した場合の仮想の交差部６０４ａ及び６０４ｂも図示されている。

【0066】

ここで、交差部６００ａ、６００ｂ、６０２ａ、および６０２ｂにおける、信号線路２５２ａに対する並行導波路２４６ｄの交差角を、それぞれ、θ１、θ２、θ３、およびθ４とする。また、交差部６００ａ、６００ｂ、６０２ａ、および６０２ｂにおける、並行導波路２４６ｄに沿った交差長さを、それぞれ、ｄ３、ｄ４、ｄ５、およびｄ６とする。同様に、仮想の交差部６０４ａおよび６０４ｂにおける交差角をそれぞれθ５およびθ６とし、交差長さをそれぞれｄ７およびｄ８とする。ここで、信号線路２５２ａに対する並行導波路２４６ｄの交差角とは、例えば、対応する交差部における、信号線路２５２ａを伝搬する差動信号の伝搬方向と並行導波路２４６ｄを伝搬する光の伝搬方向とがなす角度である。

【0067】

なお、当業者において明らかなように、幾何学における一般的考察から、並行導波路２４６ｄ１においては、交差角はθ６、θ２、θ１、θ５の順に増加する。また、交差長さｄ３、ｄ４、ｄ５、ｄ６、ｄ７、およびｄ８と、交差角θ１、θ２、θ３、θ４、θ５、およびθ６とは、次式の関係を有する。
ｄ３＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ１｜
ｄ４＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ２｜
ｄ５＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ３｜
ｄ６＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ４｜
ｄ７＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ５｜
ｄ８＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ６｜

【0068】

上述のように、２本の信号線路２５２ａは、差動信号の伝搬方向に沿って上流の部分の間隔ｄ１に対し、並行導波路２４６ｄと交差する下流の部分の間隔ｄ２が狭く形成されている。すなわち、２本の信号線路２５２ａにおいて、並行導波路２４６ｄ１及び２４６ｄ２と交差する部分における間隔ｄ２は、これらの並行導波路２４６ｄと交差しない部分の間隔ｄ１より狭い。

【0069】

これにより、２つの信号線路２５２ａと並行導波路２４６ｄ１との２つの交差部６００ａと６００ｂとの間隔は、２つの信号線路２５２ａが一定間隔ｄ１で形成された場合の交差部６０４ａと６０４ｂとの間の間隔よりも狭くなり、２つの交差部６００ａと６００ｂとは近接して形成されることとなる。

【0070】

したがって、交差部６００ａおよび６００ｂにおける、信号線路２５２ａと並行導波路２４６ｄとの交差角θ１及びθ２は、互いに略同じとなり（すなわち、θ１≒θ２）。その結果、交差部６００ａおよび６００ｂにおける交差長さｄ３（＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ１｜）とｄ４（＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ２｜）とは、互いに略同じ長さとなる（すなわち、ｄ３≒ｄ４）。

【0071】

同様に、２つの信号線路２５２ａと並行導波路２４６ｄ２との２つの交差部６０２ａと６０２ｂにおいても、交差角θ５及びθ６は、互いに略同じとなり（すなわち、θ５≒θ６）、その結果、交差長さｄ７（＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ５｜）とｄ８（＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ６｜）とは、互いに略同じ長さとなる（すなわち、ｄ７≒ｄ８）。

【0072】

したがって、図６に示す構成においては、互いに逆位相の差動信号を伝搬する２本の信号線路２５２ａと、並行導波路２４６ｄ１と、の２つの交差部６００ａおよび６００ｂは、互いに同じ交差長さを有するので（すなわち、ｄ３≒ｄ４）、これらの２つの交差部６００ａおよび６００ｂに生ずる擾乱変調は互いに相殺され、並行導波路２４６ｄ１の全体として発生する擾乱変調が効果的に低減され得る。同様の理由により、２本の信号線路２５２ａと並行導波路２４６ｄ２との２つの交差部６０２ａおよび６０２ｂに生ずる擾乱変調は互いに相殺され、並行導波路２４６ｄ２の全体として発生する擾乱変調が低減され得る。

【0073】

その結果、これら２つの並行導波路２４６ｄを伝搬するそれぞれの光信号の雑音が低減すると共に、これら２つの信号光間の位相差雑音をも低減して、並行導波路２４６ｄにより構成されるマッハツェンダ型光導波路２４４ｄの光変調動作における雑音の発生を効果的に低減することができる。

【0074】

なお、光変調素子１０４に用いられるようなマッハツェンダ型光導波路の一般的な並行導波路間の間隔および並行導波路に設けられる湾曲部の曲率を考慮すると、交差部６００ａと６００ｂの間、および交差部６０２ａと６０２ｂとの間における交差角および交差長さを略同一なものとする条件として、並行導波路２４６ｄと交差する部分における信号線路２５２ａの間隔ｄ２（＜ｄ１）は、当該交差する部分における２本の並行導波路２４６ｄ間の間隔ｗ（図６参照）に対し、ｄ２≦ｗであることが好ましい。

【0075】

なお、図２では、信号線路２５２ａ１と２５２ａ２および信号線路２５２ｂ１と２５２ｂ２は、それぞれ、互いの間隔を一定に保った状態で、８本の並行導波路２４６と交差し、光変調部Ａまで延在している。一方、信号線路２５２ｃ１と２５２ｃ２、および信号線路２５２ｄ１と２５２ｄ２は、それぞれ、互いの間隔を一定に保った状態で８本の並行導波路２４６と交差したのち、互いの間隔が広げられて光変調部Ａまで延在している。信号線路２５２ｃおよび２５２ｄの構成は、差動信号を伝搬する信号線路の間でのクロストークを低減する観点から有利である。

【0076】

ただし、上記の構成は一例であって、例えばクロストークが大きな影響を持たない場合には、信号線路２５２ｃ、２５２ｄの一方又は双方も、信号線路２５２ａ及び２５２ｂと同様に、差動信号を伝搬する信号線路の互いの間隔を一定に保ったまま光変調部Ａまで延在するように形成されるものとすることができる。あるいは、クロストークの影響が無視し得ない場合には、信号線路２５２ａ、２５２ｂの一方又は双方も、信号線路２５２ｃ及び２５２ｄと同様に、差動信号を伝搬する信号線路の互いの間隔が広げられて光変調部Ａまで延在するように形成されるものとすることができる。

【0077】

次に、光変調素子１０４の交差領域４００における構成の変形例について説明する。
［１．１ 第１変形例］
図７は、図６に示す交差領域４００ａ４の第１の変形例に係る、交差領域４００ａ４－１の構成を示す図である。図７に示す交差領域４００ａ４－１の構成は、光変調素子１０４において、図６に示す交差領域４００ａ４に代えて用いることができる。また、当業者において明らかなように、図４における交差領域４００ａ４以外の交差領域４００にも、交差領域４００ａ４－１と同様の構成を用いることができる。なお、図７において、図６と同じ構成要素については、図６における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図６についての説明を援用する。

【0078】

交差領域４００ａ４－１では、信号線路２５２ａ１および２５２ａ２に代えて、信号線路２５２ａ１－１及び２５２ａ２－１が用いられている。信号線路２５２ａ１－１および２５２ａ２－１は、信号線路２５２ａ１および２５２ａ２と同様の構成を有するが、並行導波路２４６ｄとの交差の態様が信号線路２５２ａ１および２５２ａ２と異なる。以下、信号線路２５２ａ１－１および２５２ａ２－１を総称して信号線路２５２ａ－１ともいうものとする。

【0079】

すなわち、図６に示す信号線路２５２ａは、並行導波路２４６ｄと交差する部分において、信号線路２５２ａ１と２５２ａ２とが互いに近接して平行に形成されているのに対し、図７に示す信号線路２５２ａ－１は、２つの信号線路２５２ａ１－１と２５２ａ２－１とが同じ交差角θ１０で並行導波路２４６ｄと交差するように、一方の信号線路２５２ａ１－２が、他方の信号線路ａ２－１に対して傾いて形成されている。これにより、交差部６１０ａおよび６１０ｂは、同じ交差長さｄ１０（＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ１０｜）を有する。

【0080】

同様に、並行導波路２４６ｄ２と信号線路２５２ａ１－１および２５２ａ２－１との２つの交差部６１２ａ、６１２ｂは、これら２つの信号線路２５２ａ－１と同じ交差角θ１２で交差する。これにより、交差部６１２ａおよび６１２ｂは、同じ交差長さｄ１２（＝｜Ｗｅ／ｓｉｎθ１２｜）を有する。

【0081】

したがって、交差領域４００ａ４－１の構成においても、図６に示す交差領域４００ａ４の構成と同様に、並行導波路２４６ｄ１においては、２つの交差部６１０ａおよび６１０ｂに発生する擾乱変調が互いに相殺される。同様に、並行導波路２４６ｄ２においては、２つの交差部６１２ａおよび６１２ｂに発生する擾乱変調が互いに相殺される。その結果、マッハツェンダ型光導波路２４４ｄにおける、上記擾乱変調に起因する雑音の発生が効果的に低減される。

【0082】

［１．２ 第２変形例］
図８は、図６に示す交差領域４００ａ４の第２の変形例に係る、交差領域４００ａ４－２の構成を示す図である。図８に示す交差領域４００ａ４－２の構成は、光変調素子１０４において、図６に示す交差領域４００ａ４に代えて用いることができる。また、当業者において明らかなように、図４における交差領域４００ａ４以外の交差領域４００にも、交差領域４００ａ４－２と同様の構成を用いることができる。なお、図８において、図６と同じ構成要素については、図６における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図６についての説明を援用する。

【0083】

交差領域４００ａ４－２では、信号線路２５２ａ１および２５２ａ２に代えて、信号線路２５２ａ１－２及び２５２ａ２－２が用いられている。信号線路２５２ａ１－２および２５２ａ２－２は、信号線路２５２ａ１および２５２ａ２と同様の構成を有するが、並行導波路２４６ｄとの交差の態様が信号線路２５２ａ１および２５２ａ２と異なる。以下、信号線路２５２ａ１－２および２５２ａ２－２を総称して信号線路２５２ａ－２ともいうものとする。

【0084】

すなわち、図６に示す信号線路２５２ａは、２本の並行導波路２４６ｄと交差する部分において、信号線路２５２ａ１と２５２ａ２とが互いに近接して平行に形成されているのに対し、図８に示す信号線路２５２ａ－２は、２つの信号線路２５２ａ１－２と２５２ａ２－２とが、上記２本の並行導波路２４６ｄに挟まれた基板２２０上の領域において互いに交差している。これにより、２本の信号線路２５２ａ－２と並行導波路２４６ｄ１との２つの交差部６１４ａと６１４ｂとの交差長さが互いに同じ長さに形成されるとともに、当該２本の信号線路２５２ａ－２と並行導波路２４６ｄ２との２つの交差部６１６ａと６１６ｂとの交差長さが互いに同じ長さに形成される。

【0085】

ここで、交差部６１４ａと６１４ｂとの間、および交差部６１６ａと６１６ｂとの間において交差長さを同じにする観点からは、信号線路２５２ａ１－２と信号線路２５２ａ２－２とは、２本の並行導波路２４６ｄと直交する線分ＣＬ（図示二点鎖線）に関して対称に形成されていることが望ましい。

【0086】

なお、２本の信号線路２５２ａ－２が並行導波路２４６ｄと交差する部分においては、これらの信号線路２５２ａ－２が互いに接触しないように、電気絶縁性のある樹脂層８００が形成される。樹脂層８００を構成する樹脂は、例えば、フォトレジストであって、カップリング剤（架橋剤）を含み、熱により架橋反応が進行して硬化する、いわゆる感光性永久膜であるものとすることができる。

【0087】

図９は、図８に示す交差領域４００ａ４－２におけるＩＸ－ＩＸ断面矢視図であり、図１０は、図８に示す交差領域４００ａ４－２におけるＸ－Ｘ断面矢視図である。図９及び図１０に示すように、本実施形態では、樹脂層８００は、並行導波路２４６ｄと信号線路２５２ａ２－２との間、及び信号線路２５２ａ２－２と２５２ａ１－２との間に形成されている。

【0088】

［１．３ 第３変形例］
図１１は、図６に示す交差領域４００ａ４の第３の変形例に係る、交差領域４００ａ４－３の構成を示す図である。図１１に示す交差領域４００ａ４－３の構成は、光変調素子１０４において、図６に示す交差領域４００ａ４の構成に代えて用いることができる。また、当業者において明らかなように、図４における交差領域４００ａ４以外の交差領域４００にも、交差領域４００ａ４－３と同様の構成を用いることができる。なお、図１１において、図６と同じ構成要素については、図６における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図６についての説明を援用する。

【0089】

交差領域４００ａ４－３では、信号線路２５２ａ１および２５２ａ２に代えて、信号線路２５２ａ１－３及び２５２ａ２－３が用いられている。信号線路２５２ａ１－３および２５２ａ２－３は、信号線路２５２ａ１および２５２ａ２と同様の構成を有するが、さらに、並行導波路２４６ｄのそれぞれと交差する部分の間隔ｄ２に対し、差動信号の伝搬方向に沿ってこれらの交差する部分より下流の部分の間隔ｄ３が広く形成されている。ここで、間隔ｄ３は、例えば、ｄ２＜ｄ３≦ｄ１の範囲で選択され得る。以下、信号線路２５２ａ１－３および２５２ａ２－３を総称して信号線路２５２ａ－３ともいうものとする。

【0090】

図６に示す交差領域４００ａ４の構成は、湾曲した２本の並行導波路２４６ｄの交差部６００ａ等で発生する擾乱変調を最もシンプルに抑制する手段となり、特にこのような交差部が２本の信号線路２５２ａのそれぞれにおいて複数ある場合に有効である。しかしながら、一方で、２本の信号線路２５２ａを近接させると、これらの信号線路２５２ａを伝搬する高周波信号である差動信号の間でクロストークが発生する、と言う新たな問題が発生する場合が有り得る。

【0091】

これに対し、図１１に示す交差領域４００ａ４－３の構成では、２本の信号線路２５２ａ－３は、並行導波路２４６ｄと交差する部分の間隔ｄ２に対し、差動信号の伝搬方向に沿って当該交差する部分より上流及び下流における間隔ｄ１およびｄ３が広く構成されているので、２本の信号線路２５２ａが間隔ｄ２で近接して設けられている部分の長さを低減して、上記クロストークの発生量を低減することができる。

【0092】

図１１において、２本の信号線路２５２ａが間隔ｄ２で近接して設けられる区間の長さＬ１（又は、２本の信号線路２５２ａにおいて間隔ｄ２で近接して設けられている区間が複数あるときは、これら複数の区間の長さＬ１の総和）は、クロストーク低減の観点では、当該２本の信号線路２５２ａを伝搬する差動高周波信号の中心周波数における波長（中心電気信号の波長）より短いことが好ましい。上記波長は、例えば、中心周波数が５０ＧＨｚのときは６ｍｍ、１００ＧＨｚのときは３ｍｍ、２００ＧＨｚのときは１．５ｍｍ、４００ＧＨｚのときは７５０μｍ程度となる。

【0093】

［１．４ 第４変形例］
図１２は、図６に示す交差領域４００ａ４の第４の変形例に係る、交差領域４００ａ４－４の構成を示す図である。図１２に示す交差領域４００ａ４－４の構成は、光変調素子１０４において、図６に示す交差領域４００ａ４の構成に代えて用いることができる。また、当業者において明らかなように、図４における交差領域４００ａ４以外の交差領域４００にも、交差領域４００ａ４－４と同様の構成を用いることができる。なお、図１２において、図６および図１１と同じ構成要素については、図６および図１１における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図６及び図１１についての説明を援用する。

【0094】

交差領域４００ａ４－４は、交差領域４００ａ４－３と同様の構成を有するが、並行導波路２４６ｄ１及び２４６ｄ２と、信号線路２５２ａ１－３および２５２ａ２－３との間に、樹脂層８０２が形成されている。樹脂層８０２を構成する樹脂は、例えば、上述した感光性永久膜であるものとすることができる。

【0095】

交差領域４００ａ４－４の構成においては、樹脂層８０２により、２本の信号線路２５２ａ１－３および２５２ａ２－３から並行導波路２４６ｄ１および２４６ｄ２に印加される電界が弱められるので、図１１に示す交差領域４００ａ３－４に示す構成に比べて、並行導波路２４６ｄ１および２４６ｄ２に発生する擾乱変調を更に低減することができる。

【0096】

［１．５ 第５変形例］
図１３は、図６に示す交差領域４００ａ４の第５の変形例に係る、交差領域４００ａ４－５の構成を示す図である。図１３に示す交差領域４００ａ４－５の構成は、光変調素子１０４において、図６に示す交差領域４００ａ４の構成に代えて用いることができる。また、当業者において明らかなように、図４における交差領域４００ａ４以外の交差領域４００にも、交差領域４００ａ４－５と同様の構成を用いることができる。なお、図１３において、図６および図１１と同じ構成要素については、図６および図１２における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図６及び図１２についての説明を援用する。

【0097】

交差領域４００ａ４－５は、交差領域４００ａ４と同様の構成を有するが、信号線路２５２ａ１および２５２ａ２に代えて、信号線路２５２ａ１－５及び２５２ａ２－５が用いられている。以下、信号線路２５２ａ１－５及び２５２ａ２－５を総称して信号線路２５２ａ－５ともいうものとする。

【0098】

信号線路２５２ａ１－５及び２５２ａ２－５は、図１２に示す交差領域４００ａ－４における信号線路２５２ａ１－３および２５２ａ２－３と同様の構成を有するが、並行導波路２４６ｄと交差する部分が、基板２２０の平面視において互いに重なった重層部８１０（図示ハッチング部分）を有する点が異なる。

【0099】

これにより、重層部８１０においては、信号線路２５２ａ１－５と並行導波路２４６ｄ１との交差部と、信号線路２５２ａ１－５と並行導波路２４６ｄ１との交差部とは、一つの交差部６１８ａとなって同じ交差長さを有し、信号線路２５２ａ２－５と並行導波路２４６ｄ２との交差部と、信号線路２５２ａ２－５と並行導波路２４６ｄ２との交差部とは、一つの交差部６１８ｂとなって同じ交差長さを有する。

【0100】

また、交差領域４００ａ４－５では、重層部８１０において信号線路２５２ａ１－５と２５２ａ２－５とが接しないように、図１３に示す樹脂層８０２と同様の樹脂層８０４が設けられている。図１４は、図１３に示す交差領域４００ａ４－５におけるＸＩＶ－ＸＩＶ断面矢視図である。本実施形態では、並行導波路２４６ｄ１および２４６ｄ２と、信号線路２５２ａ２－５と、信号線路２５２ａ１－５との間が接しないように、樹脂層８０４が設けられている。樹脂層８０４は、樹脂層８０２と同様に、例えば、感光性永久膜であり得る。

【0101】

これにより、重層部８１０においては、差動信号を伝送する２つの信号線路２５２ａ１－５および２５２ａ２－５からの電界は、２つの並行導波路２４６ｄの位置において互いに相殺される。

【0102】

すなわち、交差領域４００ａ４－５の構成においては、２本の信号線路２５２ａ－５の間での電界の相殺効果も加わるため、図６に示すような２本の信号線路２５２ａを近接して配置する交差領域４００ａ４の構成や、図８に示すような２本の信号線路２５２ａ－２を交差させる構成に比べ、交差部６１８ａおよび６１８ｂにおいて生ずる擾乱変調が更に抑制され得る。

【0103】

交差領域４００ａ４－５の構成は、特に、擾乱変調の抑制効果を大きくしたい場合や、並行導波路２４６ｄと交差する部分における２本の信号線路２５２ａ－５の形成領域を狭くしたい場合等に好適である。

【0104】

［２．第２実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態に係る光変調器１００が備える光変調素子１０４を用いた光変調モジュール１０００である。図１５は、本実施形態に係る光変調モジュール１０００の構成を示す図である。図１５において、図１に示す第１の実施形態に係る光変調器１００と同一の構成要素については、図１に示す符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図１についての説明を援用する。

【0105】

光変調モジュール１０００は、図１に示す光変調器１００と同様の構成を有するが、中継基板１０６に代えて、回路基板１００６を備える点が、光変調器１００と異なる。回路基板１００６は、駆動回路１００８を備える。駆動回路１００８は、信号ピン１０８を介して外部から供給される例えば変調信号に基づいて、光変調素子１０４を駆動する高周波電気信号である差動信号を生成し、当該生成した差動信号を光変調素子１０４へ出力する。

【0106】

上記の構成を有する光変調モジュール１０００は、上述した第１の実施形態に係る光変調器１００と同様に、光変調素子１０４を備えるので、光変調器１００と同様に、交差部６００ａ等において発生する擾乱変調を低減して良好な変調動作を実現することができる。

【0107】

なお、本実施形態では、光変調モジュール１０００は、一例として光変調素子１０４を備えるものとしたが、図７ないし図１４に示す変形例に係る交差領域を有する光変調素子を備えるものとしてもよい。

【0108】

［３．第３実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態に係る光変調器１００を搭載した光送信装置１１００である。図１６は、本実施形態に係る光送信装置１１００の構成を示す図である。この光送信装置１１００は、光変調器１００と、光変調器１００に光を入射する光源１１０４と、変調器駆動部１１０６と、変調信号生成部１１０８と、を有する。なお、光変調器１００及び変調器駆動部１１０６に代えて、第２の実施形態に係る光変調モジュール１０００を用いることもできる。

【0109】

変調信号生成部１１０８は、光変調器１００に変調動作を行わせるための電気信号を生成する電子回路であり、外部から与えられる送信データに基づき、光変調器１００に当該変調データに従った光変調動作を行わせるための高周波信号である変調信号を生成して、変調器駆動部１１０６へ出力する。

【0110】

変調器駆動部１１０６は、変調信号生成部１１０８から入力される変調信号を増幅して、光変調器１００が備える光変調素子１０４の４つの信号電極２５０を駆動するための４組の高周波電気信号である差動信号を出力する。尚、上述したように、光変調器１００および変調器駆動部１１０６に代えて、例えば変調器駆動部１１０６に相当する回路を含む駆動回路１００８を筐体１０２の内部に備えた、光変調モジュール１０００を用いることもできる。

【0111】

当該４組の差動信号は、光変調器１００の信号ピン１０８に入力されて、光変調素子１０４の４組の信号線路２５２（すなわち、信号線路２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、および２５２ｄ）を伝搬し、光変調素子１０４を駆動する。これにより、光源１１０４から出力された光は、光変調器１００により、例えばＤＰ－ＱＰＳＫ変調され、変調光となって光送信装置１１００から出力される。

【0112】

特に、光送信装置１１００では、上述した第１の実施形態に係る光変調器１００又は光変調モジュール１０００を用いているので、光変調器１００又は光変調モジュール１０００と同様に、良好な変調特性を実現して良好な光伝送を行うことができる。

【0113】

なお、本発明は上記実施形態の構成およびその代替構成に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能である。

【0114】

例えば、上述した実施形態においては、樹脂層８００および８０２として感光性永久膜を用いるものとしたが、樹脂層８００および８０２を構成する素材は、これには限られない。樹脂層８００および８０２は、絶縁抵抗等の電気的特性や熱膨張係数等の機械的特性についての要求条件を満たす限りにおいて、任意の材料を用いることができる。そのような材料には、感光性永久膜以外の熱硬化性又は熱可塑性の樹脂が含まれ得る。

【0115】

また、光導波路２３０に接して信号線路２５２が形成される場合には、信号線路２５２を構成する金属により光導波路２３０を伝搬する光波に損失（いわゆる、光吸収損失）が生じ得る。したがって、信号線路２５２が光導波路２３０（並行導波路２４６を含む）と交差する部分には、信号線路２５２と光導波路２３０との間に、樹脂層８００、８０２、及び又は８０４と同様の樹脂層を設けてもよい。例えば、図６に示す交差領域４００ａ４、図７に示す交差領域４００ａ４－１、および図１１に示す交差領域４００ａ４－３、並びにこれらの交差領域と同様に構成される他の交差領域４００においても、対応する信号線路と並行導波路との間に、図８に示す交差領域４００ａ４－２における樹脂層８００、図１２に示す交差領域４００ａ４－４における樹脂層８０２、及び又は図１３に示す交差領域４００ａ－５における樹脂層８０４と同様の樹脂層を設けるものとすることができる。

【0116】

また、上述した第１の実施形態およびその変形例では、図４に示す１６個の交差領域４００が同じ構成を有するものとしたが、これらの交差領域４００は、複数の構成が混在していてもよい。すなわち、これら１６個の交差領域４００は、図６、図７、図８、図１１、図１２、図１３に示す交差領域４００ａ４、４００ａ４－１、４００ａ４－２、４００ａ－３、４００ａ４－４、および４００ａ４－５に示す構成のうちの複数の構成が混在して構成されていてもよい。

【0117】

また、上述した実施形態では、光導波路素子の一例として、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）である基板２２０により形成された光変調素子１０４を示したが、これには限られない、光導波路素子は、任意の材料（ＬＮのほか、ＩｎＰ、Ｓｉなど）の基板で構成される、任意の機能（光変調のほか、光スイッチ、光方向性結合器など）を有する素子であるものとすることができる。そのような素子は、例えば、いわゆるシリコン・フォトニクス導波路デバイスであり得る。

【0118】

上記実施形態は、以下の構成をサポートする。

【0119】

（構成１）基板上に延在する凸部により構成された光導波路と、前記基板上に形成された、前記光導波路を伝搬する光波を制御する信号電極と、を有する光導波路素子であって、前記光導波路は、湾曲部を有する２本の並行導波路を備えたマッハツェンダ型光導波路を含み、前記信号電極は、前記湾曲部において前記２本の並行導波路とそれぞれ交差する、差動信号を伝送する２本の信号線路からなり、前記２本の信号線路のそれぞれは、前記２本の並行導波路における交差長さが互いに同じとなるように構成されている、光導波路素子。
構成１の光導波路素子によれば、凸状光導波路と電気信号を伝搬する信号線路との複数の交差部を有する光導波路素子において、交差部における擾乱変調の発生を効果的に抑制して、良好な動作特性を実現することができる。
（構成２）前記２本の信号線路において、前記並行導波路と交差する部分の間隔は、前記並行導波路と交差しない部分の間隔より狭い、構成１に記載の光導波路素子。
構成２の光導波路素子によれば、２本の並行導波路の湾曲部において、上記２本の並行導波路のそれぞれにおける２本の信号線路との２つの交差部の交差長さを、互いに同じとなるように容易に構成することができる。
（構成３）前記２本の信号線路は、前記並行導波路と交差する部分より前記差動信号の伝搬方向に沿って上流の部分の間隔に対し、前記並行導波路と交差する部分の間隔が狭い、構成２に記載の光導波路素子。
構成３の光導波路素子によれば、並行導波路と交差する２つの信号線路を容易に近接させて、当該並行導波路における２つの交差部の交差長さを互いに同じに構成することができる。
（構成４）前記２本の信号線路は、前記並行導波路と交差する部分の間隔に対し、前記並行導波路と交差する部分より前記差動信号の伝搬方向に沿って下流の部分の間隔が広い、構成３に記載の光導波路素子。
構成４の光導波路素子によれば、並行導波路との交差部分において近接して形成される２本の信号線路間のクロストークを低減することができる。
（構成５）前記２本の信号線路のそれぞれは、前記２本の並行導波路との交差角度が互いに同じとなるように形成されている、構成１に記載の光導波路素子。
構成５の光導波路素子によれば、２本の並行導波路の湾曲部において、上記２本の並行導波路のそれぞれにおける２本の信号線路との２つの交差部の交差長さを、互いに同じとなるように容易に構成することができる。
（構成６）前記２本の信号線路は、前記２本の並行導波路に挟まれた前記基板上の領域において互いに交差する、構成５に記載の光導波路素子。
構成６の光導波路素子によれば、２本の並行導波路の湾曲部において、上記２本の並行導波路のそれぞれにおける２本の信号線路との２つの交差部の交差長さを、互いに同じとなるように容易に構成することができる。
（構成７）前記２本の信号線路は、前記並行導波路と交差する部分が、前記基板の平面視において互いに重なっている、構成１に記載の光導波路素子。
構成７の光導波路素子によれば、２本の並行導波路の湾曲部において、上記２本の並行導波路のそれぞれにおける２本の信号線路との２つの交差部の交差長さを、互いに同じとなるように容易に構成すると共に、擾乱変調をより効果的に低減することができる。
（構成８）前記２本の信号線路が前記並行導波路と交差する部分には、前記並行導波路と前記２本の信号線路との間に樹脂から成る絶縁層を有する、構成２ないし構成７のいずれかに記載の光導波路素子。
構成８の光導波路素子によれば、並行導波路と交差する信号線路の金属により当該並行導波路に発生する光吸収損失を低減することができる。
（構成９）光の変調を行う光変調素子である構成１ないし構成７のいずれかの光導波路素子と、前記光導波路素子を収容する筐体と、前記光導波路素子に光を入力する光ファイバと、前記光導波路素子が出力する光を前記筐体の外部へ導く光ファイバと、を備える光変調器。
構成９の光変調器によれば、擾乱変調の発生を低減して良好な光変調特性を実現することができる。
（構成１０）光の変調を行う光変調素子である構成１ないし構成７のいずれかの光導波路素子と、前記光導波路素子を駆動する駆動回路と、を備える光変調モジュール。
構成１０の光変調モジュールによれば、擾乱変調の発生を低減して良好な光変調特性を実現することができる。
（構成１１）構成９に記載の光変調器または構成１０に記載の光変調モジュールと、前記光導波路素子に変調動作を行わせるための電気信号を生成する電子回路と、を備える光送信装置。
構成１１の光送信装置によれば、良好な光伝送特性を実現することができる。

【符号の説明】

【0120】

１００、…光変調器、１０２…筐体、１０４…光変調素子、１０６…中継基板、１０８、１１０…信号ピン、１１２…終端器、１１４…入力光ファイバ、１１６…光学ユニット、１１８、１３０、１３４…レンズ、１２０…出力光ファイバ、１２２、１２４…サポート、２２０…基板、２３０…光導波路、２３２…入力導波路、２３４…分岐導波路、２４０、２４０ａ、２４０ｂ…ネスト型マッハツェンダ型光導波路、２４４、２４４ａ、２４４ｂ、２４４ｃ、２４４ｄ…マッハツェンダ型光導波路、２４６、２４６ａ、２４６ａ１、２４６ａ２、２４６ｂ、２４６ｂ１、２４６ｂ２、２４６ｃ、２４６ｃ１、２４６ｃ２、２４６ｄ、２４６ｄ１、２４６ｄ２…並行導波路、２４８ａ、２４８ｂ…出力導波路、２５０ａ、２５０ｂ、２５０ｃ、２５０ｄ…信号電極、２５２、２５２ａ、２５２ａ１、２５２ａ２、２５２ａ－１、２５２ａ１－１、２５２ａ２－１、２５２ａ－２、２５２ａ１－２、２５２ａ２－２、２５２ａ－３、２５２ａ１－３、２５２ａ２－３、２５２ａ－４、２５２ａ１－４、２５２ａ２－４、２５２ａ－５、２５２ａ１－５、２５２ａ２－５、２５２ａ１－５、２５２ａ２－５、２５２ｂ、２５２ｂ１、２５２ｂ２、２５２ｃ、２５２ｃ１、２５２ｃ２、２５２ｄ、２５２ｄ１、２５２ｄ２…信号線路、２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃ、２５４ｄ、２５４ｅ、２５４ｆ、２５４ｇ、２５４ｈ、２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ、２５８ｅ、２５８ｆ、２５８ｇ、２５８ｈ…パッド、２７０ａ、２７０ｂ、２７０ｃ…バイアス電極、２７２…グラウンド電極、２８０ａ、２８０ｂ、２８０ｃ、２８０ｄ…辺、３００、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄ…作用部、４００、４００ａ、４００ａ１、４００ａ２、４００ａ３、４００ａ４、４００ａ４－１、４００ａ４－２、４００ａ４－３、４００ａ４－４、４００ａ４－５、４００ｂ、４００ｂ１、４００ｂ２、４００ｂ３、４００ｂ４、４００ｃ、４００ｃ１、４００ｃ２、４００ｃ３、４００ｃ４、４００ｄ、４００ｄ１、４００ｄ２、４００ｄ３、４００ｄ４…交差領域、５００…支持板、５０２…中間層、５０４、５０４ｃ１、５０４ｃ２…凸部、６００ａ、６００ｂ、６０２ａ、６０２ｂ、６０４ａ、６０４ｂ、６１０ａ、６１０ｂ、６１２ａ、６１２ｂ、６１４ａ、６１４ｂ、６１６ａ、６１６ｂ、６１８ａ、６１８ｂ…交差部、８００、８０２、８０４…樹脂層、８１０…重層部、１０００…光変調モジュール、１００６…回路基板、１００８…駆動回路、１１００…光送信装置、１１０４…光源、１１０６…変調器駆動部、１１０８…変調信号生成部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】