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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023046283
(43)【公開日】2023-04-03
(54)【発明の名称】プラズマ処理装置及びエッチング方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20230327BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20230327BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101B
H05H1/46 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022141352
(22)【出願日】2022-09-06
(31)【優先権主張番号】P 2021153295
(32)【優先日】2021-09-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】鳥井 夏実
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084BB11
2G084CC05
2G084CC08
2G084CC12
2G084CC13
2G084CC33
2G084DD02
2G084DD15
2G084DD24
2G084DD37
2G084DD38
2G084DD55
2G084FF07
2G084FF15
5F004BA09
5F004BB12
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB25
5F004BB26
5F004BB28
5F004BB29
5F004CA03
5F004CA05
5F004CA06
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理において基板のエッジ領域に対するプラズマ中のイオンの入射角度を適切に制御する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、下部電極の上方に配置される上部電極と、ソース電力を上部電極又は下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、電源部とエッジリングとを電気的に接続し、ソース電力及び少なくとも１つのバイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部をエッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、を備える。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】プラズマ処理装置は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、下部電極の上方に配置される上部電極と、ソース電力を上部電極又は下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、電源部とエッジリングとを電気的に接続し、ソース電力及び少なくとも１つのバイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部をエッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、を備える。
【選択図】図２Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備える、プラズマ処理装置。
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項2】
前記少なくとも１つのバイパス回路は、周波数に応じて選択される前記少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
前記少なくとも１つのバイパス回路は、周波数毎に独立して設けられたバイパス回路と、複数の周波数に共通して設けられたバイパス回路との組み合わせを含むように構成される、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
前記少なくとも１つのバイパス回路は、前記エッジリングに供給する前記少なくとも１つの電力の大きさを制御するように構成される、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記ソース電源は、前記ソース電力としてソースＲＦ電力を供給するように構成され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つのバイアスＲＦ電力、又は周波数が異なる少なくとも１つの負極性のパルス電圧を印可するように構成される、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つのバイアスＲＦ電力、又は周波数が異なる少なくとも１つの負極性のパルス電圧を印可するように構成される、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
第１の整合回路及び少なくとも１つの第２の整合回路を含む整合器を更に備え、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つのバイアスＲＦ電力を供給するように構成され、
前記ソース電源は、前記第１の整合回路を介して前記上部電極又は前記下部電極に接続され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記少なくとも１つの第２の整合回路を介して前記下部電極に接続される、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つのバイアスＲＦ電力を供給するように構成され、
前記ソース電源は、前記第１の整合回路を介して前記上部電極又は前記下部電極に接続され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記少なくとも１つの第２の整合回路を介して前記下部電極に接続される、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】
前記バイパス回路は、前記整合器又は前記整合器と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記可変受動素子又は前記可変受動素子と前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第１の経路に配置される、請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つの負極性のパルス電圧を印可するように構成され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、少なくとも１つの第１のＲＦフィルタを介して前記下部電極にそれぞれ接続される、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイアス電源は、少なくとも１つの第１のＲＦフィルタを介して前記下部電極にそれぞれ接続される、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項9】
前記少なくとも１つのバイアス電源は、第２のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続される、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項10】
前記バイパス回路は、整合器又は前記整合器と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記第２のＲＦフィルタ又は前記第２のＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第２の経路に配置される、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項11】
前記第２のＲＦフィルタは、前記少なくとも１つの可変受動素子を含む、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項12】
前記電源部は、前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加するように構成される直流電源であり、少なくとも１つの第３のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続される直流電源を更に備える、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項13】
前記バイパス回路は、整合器又は前記整合器と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記直流電源又は前記直流電源と前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第３の経路に配置される、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項14】
前記第３のＲＦフィルタは、前記少なくとも１つの可変受動素子を含む、請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項15】
前記エッジリングを昇降させるように構成される昇降装置を更に備える、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項16】
前記ソース電源は、前記ソース電力として負極性の第１のパルス電圧を印可するように構成され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として少なくとも１つの負極性の第２のパルス電圧を印可するように構成され、
前記第１のパルス電圧の周波数と前記第２のパルス電圧の周波数は異なる、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として少なくとも１つの負極性の第２のパルス電圧を印可するように構成され、
前記第１のパルス電圧の周波数と前記第２のパルス電圧の周波数は異なる、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項17】
前記少なくとも１つのバイアス電源は、
第４のＲＦフィルタを介して前記下部電極に接続されるとともに、第５のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続され、
前記バイパス回路は、前記第４のＲＦフィルタ又は前記第４のＲＦフィルタと前記下部電極との間の経路と、前記第５のＲＦフィルタ又は前記第５のＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第４の経路に配置される、請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
第４のＲＦフィルタを介して前記下部電極に接続されるとともに、第５のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続され、
前記バイパス回路は、前記第４のＲＦフィルタ又は前記第４のＲＦフィルタと前記下部電極との間の経路と、前記第５のＲＦフィルタ又は前記第５のＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第４の経路に配置される、請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項18】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングを昇降させるように構成される昇降装置と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備える、プラズマ処理装置。
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングを昇降させるように構成される昇降装置と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項19】
前記バイパス回路は、整合回路又は前記整合回路と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第５の経路に接続される、請求項１８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項20】
プラズマ処理装置を用いたエッチング方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備え、
前記エッチング方法は、
（ａ）基板を前記基板支持面上に載置する工程と、
（ｂ）前記チャンバ内のガスからプラズマを生成する工程と、
（ｃ）生成されたプラズマで前記基板をエッチングする工程と、
（ｄ）前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整する工程と、
を含む、エッチング方法。
前記プラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備え、
前記エッチング方法は、
（ａ）基板を前記基板支持面上に載置する工程と、
（ｂ）前記チャンバ内のガスからプラズマを生成する工程と、
（ｃ）生成されたプラズマで前記基板をエッチングする工程と、
（ｄ）前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整する工程と、
を含む、エッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、プラズマ処理装置及びエッチング方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、プラズマチャンバ内でエッジ領域におけるイオン束の方向性を制御するためのシステムが開示されている。このシステムは、ＲＦ信号を生成するように構成されたＲＦ発生器と、ＲＦ信号を受信して修正ＲＦ信号を生成するためのインピーダンス整合回路と、プラズマチャンバとを含む。プラズマチャンバは、エッジリングと、修正ＲＦ信号を受信する結合リングとを含む。結合リングは、修正ＲＦ信号を受信する電極と、エッジリングとの間にキャパシタンスを生成してイオン束の方向性を制御する電極とを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－２２８５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、プラズマ処理において基板のエッジ領域に対するプラズマ中のイオンの入射角度を適切に制御する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様のプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、前記下部電極の上方に配置される上部電極と、周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、前記エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子（ｖａｒｉａｂｌｅ ｐａｓｓｉｖｅ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）と、前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、を備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、プラズマ処理において基板のエッジ領域に対するプラズマ中のイオンの入射角度を適切に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施形態にかかるエッチング装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図2A】本実施形態にかかるエッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。
【図2B】本実施形態にかかるエッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。
【図3A】エッジリングの消耗によるシースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。
【図3B】エッジリングの消耗によるシースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。
【図4A】シースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。
【図4B】シースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。
【図5】初期チルト角度を調整しない場合のチルト角度が変化する様子を示す説明図である。
【図6】初期チルト角度を調整する場合のチルト角度が変化する様子を示す説明図である。
【図7】チルト制御ノブによるチルト角度の制御範囲を示す説明図である。
【図8A】バイパス回路の配置の一例を示す説明図である。
【図8B】バイパス回路の配置の一例を示す説明図である。
【図9A】バイパス回路の配置の構成例を示す説明図である。
【図9B】バイパス回路の配置の構成例を示す説明図である。
【図9C】バイパス回路の配置の構成例を示す説明図である。
【図9D】バイパス回路の配置の構成例を示す説明図である。
【図9E】バイパス回路の配置の構成例を示す説明図である。
【図9F】バイパス回路の配置の構成例を示す説明図である。
【図10】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図11】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図12】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図13】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図14】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図15】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図16】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図17】チルト角度の制御方法の一例を示す説明図である。
【図18】バイパス回路とチルト制御ノブの構成の一例を示す説明図である。
【図19】バイパス回路とチルト制御ノブの構成の一例を示す説明図である。
【図20】バイパス回路とチルト制御ノブの構成の一例を示す説明図である。
【図21A】バイパス回路とチルト制御ノブの構成の一例を示す説明図である。
【図21B】バイパス回路とチルト制御ノブの構成の一例を示す説明図である。
【図22】他の実施形態にかかるエッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。
【図23A】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図23B】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図23C】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図23D】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図23E】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図23F】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図24A】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図24B】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図24C】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図24D】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図24E】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図24F】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図24G】接続部の構成の一例を示す縦断面図である。
【図25A】接続部の構成の一例を示す平面図である。
【図25B】接続部の構成の一例を示す平面図である。
【図25C】接続部の構成の一例を示す平面図である。
【図26A】接続部とＲＦフィルタの構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図26B】接続部とＲＦフィルタの構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図26C】接続部とＲＦフィルタの構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図27A】接続部と昇降装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図27B】接続部と昇降装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図27C】接続部と昇降装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図27D】接続部と昇降装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図28A】接続部と昇降装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図28B】接続部と昇降装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図28C】接続部と昇降装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【図28D】接続部と昇降装置の構成の一例を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
半導体デバイスの製造工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にエッチング等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによってウェハを処理する。
【0009】
プラズマ処理は、プラズマ処理装置で行われる。プラズマ処理装置は、一般的に、チャンバ、ステージ、高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）電源を備える。一例では、高周波電源は、第１の高周波電源、及び第２の高周波電源を備える。第１の高周波電源は、チャンバ内のガスのプラズマを生成するために、第１の高周波電力を供給する。第２の高周波電源は、ウェハにイオンを引き込むために、バイアス用の第２の高周波電力を下部電極に供給する。ステージは、チャンバ内に設けられている。ステージは、下部電極及び静電チャックを有する。一例では、静電チャック上には、当該静電チャック上に載置されたウェハを囲むようにエッジリングが配置される。エッジリングは、ウェハに対するプラズマ処理の均一性を向上させるために設けられる。
【0010】
エッジリングは、プラズマ処理が実施される時間の経過に伴い、消耗し、エッジリングの厚みが減少する。エッジリングの厚みが減少すると、エッジリング及びウェハのエッジ領域の上方においてシースの形状が変化する。このようにシースの形状が変化すると、ウェハのエッジ領域におけるイオンの入射方向が鉛直方向に対して傾斜する。その結果、ウェハのエッジ領域に形成される凹部が、ウェハの厚み方向に対して傾斜する。
【0011】
ウェハのエッジ領域においてウェハの厚み方向に延びる凹部を形成するため、すなわち凹部のウェハＷの厚み方向に対する傾きであるチルト角度を制御するためには、ウェハのエッジ領域へのイオンの入射方向の傾きを調整する必要がある。そこで、エッジ領域へのイオンの入射方向（イオン束の方向性）を制御するために、例えば特許文献１では上述したように、結合リングの電極とエッジリングとの間にキャパシタンスを生成することが提案されている。
【0012】
ここで、複数の周波数の高周波電力のそれぞれに対してチルト角度を制御する場合において、周波数毎にプラズマ処理前の初期のチルト角度（以下、「初期チルト角度」という。）が異なる場合がある。初期チルト角度は、例えばエッチング装置１の立ち上げ時又はメンテナンス後にエッチング装置１を稼働する際のチルト角度であって、一度初期チルト角度を調整した後は、再度調整する必要はない。そして、このように初期チルト角度がばらつくと、例えば特許文献１に開示されたように上記キャパシタンスを生成して入射角度を調整しても、周波数毎のチルト角度を揃えて制御することが困難な場合がある。
【0013】
本開示にかかる技術は、エッチングにおいて基板のエッジ領域での初期チルト角度を調整して、当該エッジ領域でのチルト角度を適切に制御する。
【0014】
以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置としてのエッチング装置及びエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0015】
＜エッチング装置＞
先ず、本実施形態にかかるエッチング装置について説明する。図１は、エッチング装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図２Ａ及び図２Ｂはそれぞれ、エッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。エッチング装置１は、容量結合型のエッチング装置である。エッチング装置１では、基板としてのウェハＷに対してエッチングを行う。
先ず、本実施形態にかかるエッチング装置について説明する。図１は、エッチング装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図２Ａ及び図２Ｂはそれぞれ、エッジリング周辺の構成の概略を示す縦断面図である。エッチング装置１は、容量結合型のエッチング装置である。エッチング装置１では、基板としてのウェハＷに対してエッチングを行う。
【0016】
図１に示すようにエッチング装置１は、略円筒形状のチャンバ１０を有している。チャンバ１０は、その内部においてプラズマが生成される処理空間Ｓを画成する。チャンバ１０は、例えばアルミニウムから構成されている。チャンバ１０はグランド電位に接続されている。
【0017】
チャンバ１０の内部には、ウェハＷを載置する基板支持体としてのステージ１１が収容されている。ステージ１１は、下部電極１２、静電チャック１３、及びエッジリング１４を有している。なお、下部電極１２の下面側には、例えばアルミニウムから構成される電極プレート（図示せず）が設けられていてもよい。
【0018】
下部電極１２は、導電性の材料、例えばアルミニウム等の金属で構成されており、略円板形状を有している。
【0019】
なお、ステージ１１は、静電チャック１３、エッジリング１４、及びウェハＷのうち少なくとも１つを所望の温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、冷媒、伝熱ガスのような温調媒体が流れる。
【0020】
一例では、下部電極１２の内部に、流路１５ａが形成されている。流路１５ａには、チャンバ１０の外部に設けられたチラーユニット（図示せず）から入口配管１５ｂを介して温調媒体が供給される。流路１５ａに供給された温調媒体は、出口流路１５ｃを介してチラーユニットに戻るようになっている。流路１５ａの中に温調媒体、例えば冷却水等の冷媒を循環させることにより、静電チャック１３、エッジリング１４、及びウェハＷを所望の温度に冷却することができる。
【0021】
静電チャック１３は、下部電極１２上に設けられている。一例では、静電チャック１３は、ウェハＷとエッジリング１４の両方を静電力により吸着保持可能に構成された部材である。静電チャック１３は、周縁部の上面に比べて中央部の上面が高く形成されている。静電チャック１３の中央部の上面は、ウェハＷを支持するための基板支持面としてのウェハ支持面となり、一例では、静電チャック１３の周縁部の上面は、エッジリング１４を支持するためのエッジリング支持面となる。なお、下部電極１２は、静電チャック１３の内部に設けられてもよい。
【0022】
一例では、静電チャック１３の内部において中央部には、ウェハＷを吸着保持するための第１の電極１６ａが設けられている。静電チャック１３の内部において周縁部には、エッジリング１４を吸着保持するための第２の電極１６ｂが設けられている。静電チャック１３は、絶縁材料からなる絶縁材の間に電極１６ａ、１６ｂを挟んだ構成を有する。
【0023】
第１の電極１６ａには、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１３の中央部の上面にウェハＷが吸着保持される。同様に、第２の電極１６ｂには、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。一例では、これにより生じる静電力により、静電チャック１３の周縁部の上面にエッジリング１４が吸着保持される。
【0024】
なお、本実施形態において、第１の電極１６ａが設けられる静電チャック１３の中央部と、第２の電極１６ｂが設けられる周縁部とは一体となっているが、これら中央部と周縁部とは別体であってもよい。また、第１の電極１６ａ及び第２の電極１６ｂは、いずれも単極であってもよく、双極であってもよい。
【0025】
また、本実施形態においてエッジリング１４は、第２の電極１６ｂに直流電圧を印加することで静電チャック１３に静電吸着されるが、エッジリング１４の保持方法はこれに限定されない。例えば、吸着シートを用いてエッジリング１４を吸着保持してもよいし、エッジリング１４をクランプして保持してもよい。或いは、エッジリング１４の自重によりエッジリング１４が保持されてもよい。
【0026】
エッジリング１４は、静電チャック１３の中央部の上面に載置されたウェハＷを囲むように配置される、環状部材である。エッジリング１４は、エッチングの均一性を向上させるために設けられる。このため、エッジリング１４は、エッチングに応じて適宜選択される材料から構成されており、導電性を有し、例えばＳｉやＳｉＣから構成され得る。
【0027】
以上のように構成されたステージ１１は、チャンバ１０の底部に設けられた略円筒形状の支持部材１７に締結される。支持部材１７は、例えばセラミックや石英等の絶縁体により構成される。
【0028】
ステージ１１の上方には、ステージ１１と対向するように、シャワーヘッド２０が設けられている。シャワーヘッド２０は、処理空間Ｓに面して配置される電極板２１、及び電極板２１の上方に設けられる電極支持体２２を有している。電極板２１は、下部電極１２と一対の上部電極として機能する。後述するように第１の高周波電源５０が下部電極１２に電気的に結合されている場合には、シャワーヘッド２０は、グランド電位に接続される。なお、シャワーヘッド２０は、絶縁性遮蔽部材２３を介して、チャンバ１０の上部（天井面）に支持されている。
【0029】
電極板２１には、後述のガス拡散室２２ａから送られる処理ガスを処理空間Ｓに供給するための複数のガス噴出口２１ａが形成されている。電極板２１は、例えば、発生するジュール熱の少ない低い電気抵抗率を有する導電体又は半導体から構成される。
【0030】
電極支持体２２は、電極板２１を着脱自在に支持する。電極支持体２２は、例えばアルミニウム等の導電性材料の表面に耐プラズマ性を有する膜が形成された構成を有している。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜、又は、酸化イットリウムなどのセラミック製の膜であり得る。電極支持体２２の内部には、ガス拡散室２２ａが形成されている。ガス拡散室２２ａからは、ガス噴出口２１ａに連通する複数のガス流通孔２２ｂが形成されている。また、ガス拡散室２２ａには、後述するガス供給管３３に接続されるガス導入孔２２ｃが形成されている。
【0031】
また、電極支持体２２には、ガス拡散室２２ａに処理ガスを供給するガス供給源群３０が、流量制御機器群３１、バルブ群３２、ガス供給管３３、及びガス導入孔２２ｃを介して接続されている。
【0032】
ガス供給源群３０は、エッチングに必要な複数種のガス供給源を有している。流量制御機器群３１は複数の流量制御器を含み、バルブ群３２は複数のバルブを含んでいる。流量制御機器群３１の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。エッチング装置１においては、ガス供給源群３０から選択された一以上のガス供給源からの処理ガスが、流量制御機器群３１、バルブ群３２、ガス供給管３３、及びガス導入孔２２ｃを介してガス拡散室２２ａに供給される。そして、ガス拡散室２２ａに供給された処理ガスは、ガス流通孔２２ｂ及びガス噴出口２１ａを介して、処理空間Ｓ内にシャワー状に分散されて供給される。
【0033】
チャンバ１０の底部であって、チャンバ１０の内壁と支持部材１７との間には、バッフルプレート４０が設けられている。バッフルプレート４０は、例えばアルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成される。バッフルプレート４０には、複数の貫通孔が形成されている。処理空間Ｓは当該バッフルプレート４０を介して排気口４１に連通されている。排気口４１には例えば真空ポンプ等の排気装置４２が接続され、当該排気装置４２により処理空間Ｓ内を減圧可能に構成されている。
【0034】
また、チャンバ１０の側壁にはウェハＷの搬入出口４３が形成され、当該搬入出口４３はゲートバルブ４４により開閉可能となっている。
【0035】
図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、エッチング装置１は、ソース電源としての第１の高周波電源５０、バイアス電源としての第２の高周波電源５１、バイアス電源としての第３の高周波電源５２、及び整合器５３を更に有している。第１の高周波電源５０、第２の高周波電源５１、及び第３の高周波電源５２はそれぞれ、第１の整合回路５４、第２の整合回路５５、及び第３の整合回路５６を介して下部電極１２に結合されている。なお、本実施形態では第１の整合回路５４、第２の整合回路５５、及び第３の整合回路５６は１つの整合器５３の内部に設けられていたが、これらの配置は限定されない。例えば別々の整合器の内部に設けられていてもよいし、整合器の外部に設けられていてもよい。また、第１の高周波電源５０、第２の高周波電源５１、及び第３の高周波電源５２は、本開示における電源部を構成する。
【0036】
第１の高周波電源５０は、プラズマ発生用のソースＲＦ電力（ソース電力）である第１の高周波電力ＨＦを発生して、当該第１の高周波電力ＨＦを下部電極１２に供給する。第１の高周波電力ＨＦは、２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の第１の周波数であってよく、一例においては４０ＭＨｚである。第１の高周波電源５０は、整合器５３の第１の整合回路５４を介して、下部電極１２に結合されている。第１の整合回路５４は、第１の高周波電源５０の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１２側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。なお、第１の高周波電源５０は、下部電極１２に電気的に結合されていなくてもよく、第１の整合回路５４を介して上部電極であるシャワーヘッド２０に結合されていてもよい。また、第１の高周波電源５０に代えて、高周波電力以外のパルス電圧を下部電極１２に印加するように構成されたパルス電源を用いてもよい。このパルス電源は、後述する第２の高周波電源５１、第３の高周波電源５２に代えて用いられるパルス電源と同様である。
【0037】
第２の高周波電源５１は、ウェハＷにイオンを引き込むためのバイアスＲＦ電力（バイアス電力）である第２の高周波電力ＬＦ１を発生して、当該第２の高周波電力ＬＦ１を下部電極１２に供給する。第２の高周波電力ＬＦ１は、１００ｋＨｚ～１５ＭＨｚの範囲内の第２の周波数であってよく、一例においては４００ｋＨｚである。第２の高周波電源５１は、整合器５３の第２の整合回路５５を介して、下部電極１２に結合されている。第２の整合回路５５は、第２の高周波電源５１の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１２側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。
【0038】
第３の高周波電源５２は、ウェハＷにイオンを引き込むためのバイアスＲＦ電力（バイアス電力）である第３の高周波電力ＬＦ２を発生して、当該第３の高周波電力ＬＦ２を下部電極１２に供給する。第３の高周波電力ＬＦ２は、１００ｋＨｚ～１５ＭＨｚの範囲内の第３の周波数であってよく、第２の周波数とは異なり、一例においては１３ＭＨｚである。第３の高周波電源５２は、整合器５３の第３の整合回路５６を介して、下部電極１２に結合されている。第３の整合回路５６は、第３の高周波電源５２の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１２側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。
【0039】
なお、第２の高周波電源５１、第３の高周波電源５２に代えて、高周波電力以外のパルス電圧を下部電極１２に印加するように構成されたパルス電源を用いてもよい。ここで、パルス電圧とは、電圧の大きさが周期的に変化するパルス状の電圧である。パルス電源は、直流電源であってよい。パルス電源は、電源自体がパルス電圧を生成するように構成されてもよく、直流電源と、この直流電源よりも下流側に電圧をパルス化するデバイス（パルス生成部）を備えるように構成されてもよい。一例では、パルス電圧は、ウェハＷに負の電位が生じるように下部電極１２に印加される。パルス電圧は、矩形波であってもよく、三角波あってもよく、インパルスであってもよく、又はその他の波形を有していてもよい。パルス電圧の周波数（パルス周波数）は、１００ｋＨｚ～２ＭＨｚの範囲内の周波数であってよい。なお、上記高周波電力ＬＦ１、ＬＦ２又はパルス電圧は、静電チャック１３の内部に設けられたバイアス電極に供給又は印加されてもよい。
【0040】
エッチング装置１は、直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源６０、切替ユニット６１、第１のＲＦフィルタ６２、及び第２のＲＦフィルタ６３（本開示における第３のＲＦフィルタに相当。）を更に有している。直流電源６０は、当該直流電源６０側から切替ユニット６１、第２のＲＦフィルタ６３、及び第１のＲＦフィルタ６２を介して、エッジリング１４に電気的に接続されている。直流電源６０は、グランド電位に接続されている。
【0041】
直流電源６０は、エッジリング１４に印加される負極性の直流電圧を発生する電源である。また、直流電源６０は、可変直流電源であり、直流電圧の高低を調整可能である。
【0042】
切替ユニット６１は、エッジリング１４に対する直流電源６０からの直流電圧の印加を停止可能に構成されている。なお、切替ユニット６１の回路構成は、当業者が適宜設計することができる。
【0043】
第１のＲＦフィルタ６２と第２のＲＦフィルタ６３はそれぞれ、高周波電力を減衰するフィルタである。第１のＲＦフィルタ６２は、例えば第１の高周波電源５０からの４０ＭＨｚの第１の高周波電力ＨＦを減衰する。第２のＲＦフィルタ６３は、例えば第２の高周波電源５１からの４００ｋＨｚの第２の高周波電力ＬＦ１又は第３の高周波電源５２からの１３ＭＨｚの第３の高周波電力ＬＦ２を減衰する。
【0044】
一例においては、第２のＲＦフィルタ６３は、インピーダンスが可変に構成されている。すなわち、第２のＲＦフィルタ６３は少なくとも１つの可変受動素子を含み、インピーダンスが可変になっている。可変受動素子は、例えばコイル（インダクタ）又はコンデンサ（キャパシタ）のいずれかであってもよい。また、コイル、コンデンサに限らず、ダイオード等の素子など可変インピーダンス素子であればどのようなものであっても同様の機能を達成できる。可変受動素子の数や位置も、当業者が適宜設計することができる。更に、素子自体が可変である必要はなく、例えば、インピーダンスが固定値の素子を複数備え、切替回路を用いて固定値の素子の組み合わせを切り替えることでインピーダンスを可変してもよい。なお、この第２のＲＦフィルタ６３を含む回路構成及び上記第１のＲＦフィルタ６２を含む回路構成はそれぞれ、当業者が適宜設計することができる。
【0045】
エッチング装置１は、バイパス回路７０を更に有している。一例において、バイパス回路７０は、整合器５３と下部電極１２との間の経路５７と、第２のＲＦフィルタ６３とエッジリング１４との間の経路６４とに接続される。なお、バイパス回路７０の配置は、本例に限定されない。また、本例では、バイパス回路７０の数は１つであるが、複数であってもよい。バイパス回路７０の配置のバリエーションや、バイパス回路７０の組み合わせのバリエーションについては後述する。
【0046】
バイパス回路７０は、特定周波数の高周波電力をバイパスさせて、エッジリング１４への電力供給量を増加させる。具体的にバイパス回路７０は、チルト角度の制御対象となる複数の周波数の第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２からなる群のうち、初期チルト角度の調整対象の周波数の高周波電力を選択的に通過させる。また、バイパス回路７０は、高周波電力の通過量（高周波電力の大きさ）、すなわち、エッジリング１４への電力供給量を調整する。
【0047】
このようにバイパス回路７０は、周波数選択機能と電力通過量決定機能を有するが、その回路構成は当業者が任意に設計することができる。一例において、バイパス回路７０は、周波数選択機能を達成するため、特定周波数の高周波電力の通過を遮断する回路、例えばコイル（インダクタ）を有していてもよい。また、バイパス回路７０は、電力通過量決定機能を達成するため、高周波電力の通過量を決定する素子、例えばコンデンサ（キャパシタ）を有していてもよい。
【0048】
エッチング装置１は、エッジリング１４を昇降させる昇降装置８０を更に有している。昇降装置８０は、エッジリング１４を支持して昇降する昇降ピン８１、及び昇降ピン８１を昇降させる駆動源８２を有している。
【0049】
昇降ピン８１は、エッジリング１４の下面から鉛直方向に延伸し、静電チャック１３、下部電極１２、支持部材１７、及びチャンバ１０の底部を貫通して設けられている。昇降ピン８１とチャンバ１０の間は、チャンバ１０の内部を密閉するためにシールされている。昇降ピン８１は、少なくとも表面が絶縁体からなる。
【0050】
駆動源８２は、チャンバ１０の外部に設けられている。駆動源８２は、例えばモータを内蔵し、昇降ピン８１を昇降させる。すなわち昇降装置８０によって、エッジリング１４は、図２Ａに示すように静電チャック１３に載置された状態と、図２Ｂに示すように静電チャック１３から離間した状態との間で、昇降自在に構成されている。
【0051】
また、エッチング装置１は、エッジリング１４の自己バイアス電圧（又は、下部電極１２もしくはウェハＷの自己バイアス電圧）を測定する測定器（図示せず）を更に有していてもよい。なお、測定器の構成は、当業者が適宜設計することができる。
【0052】
以上のエッチング装置１には、制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、エッチング装置１におけるエッチングを制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体は、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
【0053】
＜エッチング方法＞
次に、以上のように構成されたエッチング装置１を用いて行われるエッチングについて説明する。
次に、以上のように構成されたエッチング装置１を用いて行われるエッチングについて説明する。
【0054】
先ず、チャンバ１０の内部にウェハＷを搬入し、静電チャック１３上にウェハＷを載置する。その後、静電チャック１３の第１の電極１６ａに直流電圧を印加することにより、ウェハＷはクーロン力によって静電チャック１３に静電吸着され、保持される。また、ウェハＷの搬入後、排気装置４２によってチャンバ１０の内部を所望の真空度まで減圧する。
【0055】
次に、ガス供給源群３０からシャワーヘッド２０を介して処理空間Ｓに処理ガスを供給する。また、第１の高周波電源５０によりプラズマ生成用の第１の高周波電力ＨＦを下部電極１２に供給し、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。この際、第２の高周波電源５１及び第３の高周波電源５２により、イオン引き込み用の第２の高周波電力ＬＦ１、第３の高周波電力ＬＦ２を供給してもよい。そして、生成されたプラズマの作用によって、ウェハＷにエッチングが施される。
【0056】
エッチングを終了する際には、先ず、第１の高周波電源５０からの第１の高周波電力ＨＦの供給及びガス供給源群３０による処理ガスの供給を停止する。また、エッチング中に高周波電力ＬＦ１、ＬＦ２を供給していた場合には、当該高周波電力ＬＦ１、ＬＦ２の供給も停止する。次いで、ウェハＷの裏面への伝熱ガスの供給を停止し、静電チャック１３によるウェハＷの吸着保持を停止する。
【0057】
その後、チャンバ１０からウェハＷを搬出して、ウェハＷに対する一連のエッチングが終了する。
【0058】
なお、エッチングにおいては、第１の高周波電源５０からの第１の高周波電力ＨＦを使用せず、第２の高周波電源５１からの第２の高周波電力ＬＦ１又は第３の高周波電源５２からの第３の高周波電力ＬＦ２のみを用いて、プラズマを生成する場合もある。
【0059】
＜チルト角度の説明＞
チルト角度は、ウェハＷのエッジ領域において、エッチングにより形成される凹部のウェハＷの厚み方向に対する傾き（角度）である。チルト角度は、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の鉛直方向に対する傾き（イオンの入射角度）とほぼ同様の角度となる。なお、以下の説明では、ウェハＷの厚み方向（鉛直方向）に対して径方向内側（中心側）の方向をインナー側といい、ウェハＷの厚み方向に対して径方向外側の方向をアウター側という。
チルト角度は、ウェハＷのエッジ領域において、エッチングにより形成される凹部のウェハＷの厚み方向に対する傾き（角度）である。チルト角度は、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の鉛直方向に対する傾き（イオンの入射角度）とほぼ同様の角度となる。なお、以下の説明では、ウェハＷの厚み方向（鉛直方向）に対して径方向内側（中心側）の方向をインナー側といい、ウェハＷの厚み方向に対して径方向外側の方向をアウター側という。
【0060】
図３Ａ及び図３Ｂは、エッジリングの消耗によるシースの形状の変化及びイオンの入射方向の傾きの発生を示す説明図である。図３Ａにおいて実線で示されるエッジリング１４は、その消耗がない状態のエッジリング１４を示している。点線で示されるエッジリング１４は、その消耗が生じて厚みが減少したエッジリング１４を示している。また、図３Ａにおいて実線で示されるシースＳＨは、エッジリング１４が消耗していない状態にあるときの、シースＳＨの形状を表している。点線で示されるシースＳＨは、エッジリング１４が消耗した状態にあるときの、シースＳＨの形状を表している。更に、図３Ａにおいて矢印は、エッジリング１４が消耗した状態にあるときの、イオンの入射方向を示している。
【0061】
図３Ａに示すように一例においては、エッジリング１４が消耗していない状態にある場合、シースＳＨの形状は、ウェハＷ及びエッジリング１４の上方においてフラットに保たれている。したがって、ウェハＷの全面に略垂直な方向（鉛直方向）にイオンが入射する。したがって、チルト角度は０（ゼロ）度となる。
【0062】
一方、エッジリング１４が消耗し、その厚みが減少すると、ウェハＷのエッジ領域及びエッジリング１４の上方において、シースＳＨの厚みが小さくなり、当該シースＳＨの形状が下方凸形状に変化する。その結果、ウェハＷのエッジ領域に対するイオンの入射方向が鉛直方向に対して傾斜する。以下の説明では、イオンの入射方向が鉛直方向対して径方向内側（中心側）に傾斜した場合に、エッチングにより形成される凹部がインナー側に傾斜する現象を、インナーチルト（Ｉｎｎｅｒ Ｔｉｌｔ）という。図３Ｂでは、イオンの入射方向は、インナー側に角度θ１だけ傾斜しており、凹部もインナー側にθ１だけ傾斜している。なお、インナーチルトが発生する原因は、上述したエッジリング１４の消耗に限定されない。例えば、エッジリング１４に発生するバイアス電圧がウェハＷ側の電圧に比べて低い場合には、初期状態でインナーチルトとなる。また例えば、エッジリング１４の初期状態において意図的にインナーチルトとなるように調整し、後述する昇降装置８０の駆動量の調整によりチルト角度を補正する場合もある。
【0063】
なお、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、ウェハＷの中央領域に対し、ウェハＷのエッジ領域及びエッジリング１４の上方において、シースＳＨの厚みが大きくなり、当該シースＳＨの形状が上方凸形状になる場合もあり得る。例えば、エッジリング１４に発生するバイアス電圧が高い場合、シースＳＨの形状が上方凸形状になり得る。図４Ａにおいて矢印は、イオンの入射方向を示している。以下の説明では、イオンの入射方向が鉛直方向に対して径方向外側に傾斜した場合に、エッチングにより形成される凹部がアウター側に傾斜する現象を、アウターチルト（Ｏｕｔｅｒ Ｔｉｌｔ）という。図４Ｂでは、イオンの入射方向は、アウター側に角度θ２だけ傾斜しており、凹部もアウター側にθ２だけ傾斜している。
【0064】
以上のように、図４Ａ及び図４Ｂに示した場合を除き、エッチングを実施してエッジリング１４が消耗すると、図３Ａ及び図３Ｂに示したように、ウェハＷのエッジ領域におけるチルト角度はインナー側に傾斜する。このため、一例においては、チルト角度をアウター側に制御して補正する。チルト角度の制御は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整、直流電源６０からの直流電圧の調整、昇降装置８０の駆動量の調整のいずれか又はその組み合わせにより行う。以下の説明においては、チルト角度を制御するための、これら第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、直流電源６０からの直流電圧、昇降装置８０の駆動量を総称して「チルト制御ノブ」という場合がある。なお、チルト制御ノブによる具体的なチルト角度の制御方法は後述する。
【0065】
＜初期チルト角度の調整方法＞
以上のように、チルト制御ノブによりチルト角度をアウター側に制御する場合、エッチング前の初期状態における初期チルト角度は、０（ゼロ）度又は初期状態で若干のインナーチルトとなる角度に設定される。なお、初期状態は、例えばエッチング装置１の立ち上げ時又はメンテナンス後にエッチング装置１を稼働する時であって、ウェハＷに対してエッチングを行う前である。
以上のように、チルト制御ノブによりチルト角度をアウター側に制御する場合、エッチング前の初期状態における初期チルト角度は、０（ゼロ）度又は初期状態で若干のインナーチルトとなる角度に設定される。なお、初期状態は、例えばエッチング装置１の立ち上げ時又はメンテナンス後にエッチング装置１を稼働する時であって、ウェハＷに対してエッチングを行う前である。
【0066】
従来、初期チルト角度の調整は、例えばエッジリング１４の厚みを調整することで行われた。或いは、初期チルト角度の調整は、例えば静電チャック１３の材質や厚みを変更整することで行われた。すなわち、装置構成（ハード）を変更することで、初期チルト角度を調整していた。
【0067】
ここで、複数、例えば３つの周波数の第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２のそれぞれに対してチルト角度を制御する場合、エッジリング１４に供給する電力で発生するシースの厚みは周波数毎に異なる。そうすると、図５に示すように、第１～第３の周波数毎に初期チルト角度が異なる。以下、第１の周波数に対する初期チルト角度を第１の初期チルト角度といい、第２の周波数に対する初期チルト角度を第２の初期チルト角度といい、第３の周波数に対する初期チルト角度を第３の初期チルト角度という。なお、図５の縦軸は、チルト角度を示し、チルト角度Δ０（ゼロ）度よりプラス側（上側）がアウター側であって、マイナス側（下側）がインナー側である。縦軸の９０度（かっこ書き）は、ウェハＷの厚み方向であることを示し、Δ０（ゼロ）度は厚み方向から傾斜していないことを示している。図５の横軸は、チルト制御ノブの調整量を示す。図５において、●、▲、■の記号はそれぞれ、第１～第３の初期チルト角度を示す。図５において、第１～第３の初期チルト角度から延伸する直線はそれぞれ、チルト制御ノブを調整することでチルト角度が変化する状態を模式的に示す。
【0068】
このように周波数毎に第１～第３の初期チルト角度が異なる場合において、従来のように装置構成を変更するだけでは、一の周波数の初期チルト角度を調整しても、他の周波数の初期チルト角度を調整することはできない。すなわち、すべての第１～第３の初期チルト角度を適切に調整することができない。また、周波数毎に第１～第３の初期チルト角度が異なる場合に、チルト制御ノブを用いてチルト角度を制御しても、チルト角度を例えば０（ゼロ）度に適切に制御できない場合がある。
【0069】
そこで、本実施形態のエッチング装置１では、バイパス回路７０を用いて、周波数毎に初期チルト角度を調整する。すなわち、バイパス回路７０は、特定周波数の高周波電力をバイパスさせて、エッジリング１４への電力供給量を増加させ、これによりウェハＷのエッジ領域における初期チルト角度を調整する。具体的にバイパス回路７０は、チルト角度の制御対象となる複数の周波数の高周波電力のうち、初期チルト角度の調整対象の周波数の高周波電力を選択的に通過させる。また、バイパス回路７０は、高周波電力の通過量、すなわち、エッジリング１４への電力供給量を調整する。
【0070】
例えば図５に示した例では、第１～第３の初期チルト角度がそれぞれ異なり、第２の初期チルト角度と第３の初期チルト角度が調整対象である。かかる場合、バイパス回路７０により、第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２のうち、第２の高周波電力ＬＦ１と第３の高周波電力ＬＦ２をそれぞれエッジリング１４に通過させる。この際、第２の高周波電力ＬＦ１の通過量と第３の高周波電力ＬＦ２の通過量はそれぞれ、初期チルト角度の調整幅に応じた通過量に設定される。そうすると、エッジリング１４に供給される第２の高周波電力ＬＦ１と第３の高周波電力ＬＦ２の供給量が増加し、図６に示すように第２のチルト角度と第３の初期チルト角度がアウター側に調整される。そして、第１～第３の初期チルト角度を略同じに調整することができる。
【0071】
以上のように本実施形態では、エッチング装置１の製造時やエッチング装置１の調整時等の初期状態において、バイパス回路７０を用いて第１～第３の初期チルト角度を独立して調整できるので、これら第１～第３の初期チルト角度を略同じに調整することができる。その結果、その後にエッチングを実施する際、チルト制御ノブを調整することで、第１～第３の周波数毎にチルト角度を例えば０（ゼロ）度に適切に制御することができる。
【0072】
なお、初期状態において第１～第３の初期チルト角度を調整すると、その後のエッチングでは、基本的には第１～第３の初期チルト角度を変更しない。
【0073】
また、本実施形態によれば、初期状態において、チルト制御ノブとは別のバイパス回路７０を用いて第１～第３の初期チルト角度を調整するので、その後のエッチングにおいて、チルト制御ノブによるチルト角度の制御範囲を広げることができる。
【0074】
図７は、チルト角度の制御範囲を広げる効果を示すための説明図であり、（ａ）は比較例におけるチルト角度の制御範囲を示し、（ｂ）は本実施形態の実施例におけるチルト角度の制御範囲を示す。すなわち、図７（ａ）は図５に示すチルト角度に対応し、図７（ｂ）は図６に示すチルト角度に対応している。また、図７において、点線は、チルト制御ノブによるチルト角度の制御範囲を示す。一方、両端部が丸印の実線は、最終的なチルト角度が許容範囲内となるチルト角度の制御範囲であり、換言すれば、実際に使用可能なチルト角度の制御範囲である。
【0075】
図７（ａ）に示すように比較例においては、第１～第３の初期チルト角度を個別に調整しておらず、当該第１～第３の初期チルト角度は異なる。かかる場合、第２の初期チルト角度はインナー側にシフトしているため、チルト制御ノブによるチルト角度の制御範囲（点線）に対して、実際に使用可能なチルト角度の制御範囲（実線）は狭くなる。また、第３の初期チルト角度は第２のチルト角度より更にインナー側にシフトしているため、実際に使用可能なチルト角度の制御範囲（実線）は更に狭くなる。このように、第１～第３の初期チルト角度が適切に調整されていないため、チルト角度の制御範囲が狭くなり、チルト制御ノブによるチルト角度の制御効果が小さくなる。
【0076】
これに対して、図７（ｂ）に示すように実施例においては、バイパス回路７０を用いて第１～第３の初期チルト角度が略同じに調整される。すなわち、初期チルト角度の調整はバイパス回路７０のみを用いて行い、その後のチルト角度の制御はチルト制御ノブのみを用いて行うことができる。かかる場合、第２の初期チルト角度をアウター側にシフトさせて所望の角度に調整するので、実際に使用可能なチルト角度の制御範囲（実線）を広げることができる。また、第３の初期チルト角度は第２のチルト角度より更にアウター側にシフトさせて所望の角度に調整するので、実際に使用可能なチルト角度の制御範囲（実線）を更に広げることができる。このように実施例では、チルト制御ノブによるチルト角度の制御範囲を最大限に活かして、チルト角度の制御範囲を広げることができる。
【0077】
なお、本実施形態では、３つの周波数の第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２のうち、すべての第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２に対するチルト角度を制御対象としたが、制御対象の数はこれに限定されない。例えば２つの周波数の高周波電力に対するチルト角度を制御対象としても、本開示の技術は適用できる。換言すれば、２周波以上の高周波電力に対するチルト角度を制御対象とする場合に、本開示の技術は有用である。
【0078】
また、１つの周波数の高周波電力に対するチルト角度を制御対象とする場合にも、本開示の技術は適用できる。従来、上述したように装置構成を変更することで初期チルト角度を調整していたが、本実施形態では、バイパス回路７０を用いて初期チルト角度を調整するので、当該初期チルト角度の調整が容易になる。
【0079】
＜バイパス回路のバリエーション＞
次に、バイパス回路の配置や組み合わせのバリエーションについて説明する。
次に、バイパス回路の配置や組み合わせのバリエーションについて説明する。
【0080】
［バイパス回路の配置］
上記実施形態では図２Ａに示したように、バイパス回路７０は、整合器５３と下部電極１２との間の経路５７と、第２のＲＦフィルタ６３とエッジリング１４との間の経路６４とに接続されたが、バイパス回路７０の配置はこれに限定されない。バイパス回路７０は、整合器５３と同じ位置又は整合器５３と下部電極１２との間の経路５７に接続される。このようにバイパス回路７０を配置するのは、バイパス回路７０より下流側を整合範囲に含めるためである。また、バイパス回路７０は、ＲＦフィルタ６２、６３に又はＲＦフィルタ６２、６３とエッジリング１４との間の経路６４に接続される。
上記実施形態では図２Ａに示したように、バイパス回路７０は、整合器５３と下部電極１２との間の経路５７と、第２のＲＦフィルタ６３とエッジリング１４との間の経路６４とに接続されたが、バイパス回路７０の配置はこれに限定されない。バイパス回路７０は、整合器５３と同じ位置又は整合器５３と下部電極１２との間の経路５７に接続される。このようにバイパス回路７０を配置するのは、バイパス回路７０より下流側を整合範囲に含めるためである。また、バイパス回路７０は、ＲＦフィルタ６２、６３に又はＲＦフィルタ６２、６３とエッジリング１４との間の経路６４に接続される。
【0081】
例えば図８Ａに示すように、バイパス回路７０は第２のＲＦフィルタ６３の内部に設けられていてもよい。また、例えば図８Ｂに示すように、バイパス回路７０は第１のＲＦフィルタ６２の内部に設けられていてもよい。また、図示はしないが、バイパス回路７０は整合器５３の内部に設けられていてもよい。更に、図示はしないが、バイパス回路７０は整合器５３と第２のＲＦフィルタ６３とに接続されてもよいし、整合器５３と直流電源６０とに接続されてもよい。このようにバイパス回路７０は、配置依存がない。
【0082】
［バイパス回路の組み合わせ］
上記実施形態では図２Ａに示したように、バイパス回路７０は、複数の周波数の第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２に対して共通に設けられたが、バイパス回路７０の組み合わせはこれに限定されない。例えば、バイパス回路７０は、３つの周波数の第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２毎に独立して設けられていてもよい。また例えば、バイパス回路７０は、チルト角度の制御対象となる第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２のすべてに設けられる必要はない。例えば、一部の周波数の高周波電力に対してはバイパス回路７０を用いて初期チルト角度を調整し、一部の周波数の高周波電力に対しては従来のように装置構成を変更して初期チルト角度を調整してもよい。或いは、２周波以上の高周波電力に対して、バイパス回路７０は１つであってもよい。これらの周波数が近ければ、バイパス回路７０は複数設けなくてもよい。これらのバイパス回路７０の組み合わせは任意である。
上記実施形態では図２Ａに示したように、バイパス回路７０は、複数の周波数の第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２に対して共通に設けられたが、バイパス回路７０の組み合わせはこれに限定されない。例えば、バイパス回路７０は、３つの周波数の第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２毎に独立して設けられていてもよい。また例えば、バイパス回路７０は、チルト角度の制御対象となる第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２のすべてに設けられる必要はない。例えば、一部の周波数の高周波電力に対してはバイパス回路７０を用いて初期チルト角度を調整し、一部の周波数の高周波電力に対しては従来のように装置構成を変更して初期チルト角度を調整してもよい。或いは、２周波以上の高周波電力に対して、バイパス回路７０は１つであってもよい。これらの周波数が近ければ、バイパス回路７０は複数設けなくてもよい。これらのバイパス回路７０の組み合わせは任意である。
【0083】
例えば図９Ａに示すように、第１の高周波電力ＨＦを通過させるバイパス回路７０ａ、第２の高周波電力ＬＦ１を通過させるバイパス回路７０ｂ、及び第３の高周波電力ＬＦ２を通過させるバイパス回路７０ｃが設けられていてもよい。これは、第１～第３の初期チルト角度をすべて調整する場合である。また、図９Ｂに示すように、第１の高周波電力ＨＦを通過させるバイパス回路７０ａと第２の高周波電力ＬＦ１を通過させるバイパス回路７０ｂのみが設けられていてもよい。これは、第１の初期チルト角度と第２の初期チルト角度を調整する場合である。或いは、図９Ｃに示すように、第２の高周波電力ＬＦ１を通過させるバイパス回路７０ｂと第３の高周波電力ＬＦ２を通過させるバイパス回路７０ｃのみが設けられていてもよい。これは、第２の初期チルト角度と第３の初期チルト角度を調整する場合である。
【0084】
例えば図９Ｄに示すように第１の高周波電力ＨＦと第２の高周波電力ＬＦ１を通過させるバイパス回路７０ｄ、及び第３の高周波電力ＬＦ２を通過させるバイパス回路７０ｃが設けられていてもよい。バイパス回路７０ｄは、第１の初期チルト角度と第２の初期チルト角度を調整する。また、図９Ｅに示すように第１の高周波電力ＨＦと第２の高周波電力ＬＦ１を通過させるバイパス回路７０ｄのみが設けられていてもよい。或いは、第３の高周波電力ＬＦ２を通過させるバイパス回路７０ｃのみが設けられていてもよい。
【0085】
＜チルト角度制御方法＞
次に、上述したエッチングにおいて、チルト制御ノブを用いてチルト角度を制御する方法について説明する。チルト制御ノブは、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整、直流電源６０からの直流電圧の調整、昇降装置８０の駆動量のいずれか又はその組み合わせであり、すなわち下記（１）～（７）である。そして、チルト角度の制御は、チルト制御ノブを用いてイオンの入射角度を制御することにより行う。
（１）インピーダンスの調整
（２）直流電圧の調整
（３）駆動量の調整
（４）インピーダンスと直流電圧の調整
（５）インピーダンスと駆動量の調整
（６）直流電圧と駆動量の調整
（７）インピーダンス、直流電圧及び駆動量の調整
次に、上述したエッチングにおいて、チルト制御ノブを用いてチルト角度を制御する方法について説明する。チルト制御ノブは、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整、直流電源６０からの直流電圧の調整、昇降装置８０の駆動量のいずれか又はその組み合わせであり、すなわち下記（１）～（７）である。そして、チルト角度の制御は、チルト制御ノブを用いてイオンの入射角度を制御することにより行う。
（１）インピーダンスの調整
（２）直流電圧の調整
（３）駆動量の調整
（４）インピーダンスと直流電圧の調整
（５）インピーダンスと駆動量の調整
（６）直流電圧と駆動量の調整
（７）インピーダンス、直流電圧及び駆動量の調整
【0086】
（１）インピーダンスの調整
第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整する場合について説明する。図１０は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスとチルト角度の補正角度（以下、「チルト補正角度」という。）の関係を示す説明図である。図１０の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを示している。図１０に示すように、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。なお、図１０に示す例では、インピーダンスを大きくすることにより、チルト補正角度を大きくしているが、第２のＲＦフィルタ６３の構成によっては、インピーダンスを大きくすることにより、チルト補正角度を小さくすることも可能である。インピーダンスとチルト補正角度の関係性は、第２のＲＦフィルタ６３の設計に依存するため、限定されるものではない。
第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整する場合について説明する。図１０は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスとチルト角度の補正角度（以下、「チルト補正角度」という。）の関係を示す説明図である。図１０の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを示している。図１０に示すように、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。なお、図１０に示す例では、インピーダンスを大きくすることにより、チルト補正角度を大きくしているが、第２のＲＦフィルタ６３の構成によっては、インピーダンスを大きくすることにより、チルト補正角度を小さくすることも可能である。インピーダンスとチルト補正角度の関係性は、第２のＲＦフィルタ６３の設計に依存するため、限定されるものではない。
【0087】
制御部１００は、例えば予め定められた関数又はテーブルを用いてエッチングのプロセス条件（例えば処理時間）から推定されるエッジリング１４の消耗量（エッジリング１４の厚みの初期値からの減少量）から、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを設定する。すなわち、制御部１００は、エッジリング１４の消耗量を上記関数に入力するか、エッジリング１４の消耗量を用いて上記テーブルを参照することにより、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを決定する。そして制御部１００は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを変更することで、エッジリング１４に発生する電圧を変更する。
【0088】
なお、エッジリング１４の消耗量は、ウェハＷのエッチング時間、ウェハＷの処理枚数、測定器によって測定されたエッジリング１４の厚み、測定器によって測定されたエッジリング１４の質量の変化、測定器によって測定されたエッジリング１４の周辺の電気的特性（例えばエッジリング１４の周辺の任意の点の電圧、電流値）の変化、又は測定器によって測定されたエッジリング１４の電気的特性（例えばエッジリング１４の抵抗値）の変化等に基づいて、推定されてもよい。また、エッジリング１４の消耗量とは関係なく、ウェハＷのエッチング時間やウェハＷの処理枚数に応じて、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整してもよい。更に、高周波電力によって重みづけしたウェハＷのエッチング時間やウェハＷの処理枚数に応じて、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整してもよい。
【0089】
以上のように第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整して、チルト角度を制御する具体的な方法について説明する。先ず、エッジリング１４を静電チャック１３上に設置する。この際、例えば、ウェハＷのエッジ領域及びエッジリング１４の上方において、シース形状がフラットになり、チルト角度が０（ゼロ）度になっている。
【0090】
次に、ウェハＷに対してエッチングを行う。エッチングが実施される時間の経過に伴い、エッジリング１４が消耗し、その厚みが減少する。そうすると、図３Ａに示したように、ウェハＷのエッジ領域及びエッジリング１４の上方において、シースＳＨの厚みが小さくなり、チルト角度がインナー側に変化する。
【0091】
そこで、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整する。具体的には、エッジリング１４の消耗量に応じて、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整する。そうすると、図１０に示したようにチルト補正角度が大きくなり、インナー側に傾斜したチルト角度をアウター側に変化させることができる。すなわち、エッジリング１４及びウェハＷのエッジ領域の上方におけるシースの形状が制御されて、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の傾きが低減され、チルト角度が制御される。そして、上述したように制御部１００で設定されたインピーダンスに第２のＲＦフィルタ６３を調整すると、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、当該チルト角度を０（ゼロ）度に補正することができる。その結果、ウェハＷの全領域にわたって、当該ウェハＷの厚み方向に略平行な凹部が形成される。
【0092】
（２）直流電圧の調整
直流電源６０からの直流電圧を調整する場合について説明する。図１１は、直流電源６０からの直流電圧とチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１１の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は直流電源６０からの直流電圧を示している。図１１に示すように、直流電源６０からの直流電圧を大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。
直流電源６０からの直流電圧を調整する場合について説明する。図１１は、直流電源６０からの直流電圧とチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１１の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は直流電源６０からの直流電圧を示している。図１１に示すように、直流電源６０からの直流電圧を大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。
【0093】
直流電源６０では、エッジリング１４に印加する直流電圧が、自己バイアス電圧Ｖｄｃの絶対値と設定値ΔＶの和をその絶対値として有する負極性の電圧、すなわち、－（｜Ｖｄｃ｜＋ΔＶ）に設定される。自己バイアス電圧Ｖｄｃは、ウェハＷの自己バイアス電圧であり、一方又は双方の高周波電力が供給されており、且つ、直流電源６０からの直流電圧が下部電極１２に印加されていないときの下部電極１２の自己バイアス電圧である。設定値ΔＶは、制御部１００によって与えられる。
【0094】
制御部１００は、上述した第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの設定と同様に、エッジリング１４の消耗量から、直流電源６０からの直流電圧を設定する。すなわち、設定値ΔＶを決定する。
【0095】
制御部１００は、設定値ΔＶの決定において、エッジリング１４の初期の厚みと、例えばレーザ測定器やカメラなどの測定器を用いて実測されたエッジリング１４の厚みとの差を、エッジリング１４の消耗量として用いてもよい。また、例えば質量計などの測定器によって測定されたエッジリング１４の質量の変化から、エッジリング１４の消耗量を推定してもよい。或いは、制御部１００は、設定値ΔＶの決定のために、予め定められた別の関数又はテーブルを用いて、特定のパラメータから、エッジリング１４の消耗量を推定してもよい。この特定のパラメータは、自己バイアス電圧Ｖｄｃ、第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２のいずれかの波高値Ｖｐｐ、負荷インピーダンス、エッジリング１４又はエッジリング１４の周辺の電気的特性等のうちのいずれかであり得る。エッジリング１４又はエッジリング１４の周辺の電気特性は、エッジリング１４又はエッジリング１４の周辺の任意の箇所の電圧、電流値、エッジリング１４を含む抵抗値等のうちいずれかであり得る。別の関数又はテーブルは、特定のパラメータとエッジリング１４の消耗量の関係を定めるように予め定められている。エッジリング１４の消耗量を推定するために、実際のエッチングの実行前又はエッチング装置１のメンテナンス時に、消耗量を推定するための測定条件、すなわち、第１の高周波電力ＨＦ、第２の高周波電力ＬＦ１、第３の高周波電力ＬＦ２、処理空間Ｓ内の圧力、及び、処理空間Ｓに供給される処理ガスの流量等の設定の下で、エッチング装置１が動作される。そして、上記特定のパラメータが取得され、この当該特定のパラメータを上記別の関数に入力することにより、或いは、当該特定のパラメータを用いて上記テーブルを参照することにより、エッジリング１４の消耗量が特定される。
【0096】
エッチング装置１では、エッチング中、すなわち、第１～第３の高周波電力ＨＦ、ＬＦ１、ＬＦ２のうちいずれか又は複数の高周波電力が供給される期間において、直流電源６０からエッジリング１４に直流電圧が印加される。これにより、エッジリング１４及びウェハＷのエッジ領域の上方におけるシースの形状が制御されて、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の傾きが低減され、チルト角度が制御される。その結果、ウェハＷの全領域にわたって、当該ウェハＷの厚み方向に略平行な凹部が形成される。
【0097】
より詳細には、エッチング中、測定器（図示せず）によって自己バイアス電圧Ｖｄｃが測定される。また、直流電源６０からエッジリング１４に直流電圧が印加される。エッジリング１４に印加される直流電圧の値は、上述したように－（｜Ｖｄｃ｜＋ΔＶ）である。｜Ｖｄｃ｜は、直前に測定器によって取得された自己バイアス電圧Ｖｄｃの測定値の絶対値であり、ΔＶは制御部１００によって決定された設定値である。このようにエッチング中に測定された自己バイアス電圧Ｖｄｃからエッジリング１４に印加される直流電圧が決定される。そうすると、自己バイアス電圧Ｖｄｃに変化が生じても、直流電源６０によって発生される直流電圧が補正され、チルト角度が適切に補正される。
【0098】
エッチング装置１では、エッジリング１４が消耗すると、制御部１００で設定された直流電圧を直流電源６０からエッジリング１４に印加する。これにより、エッジリング１４及びウェハＷのエッジ領域の上方におけるシースの形状が制御されて、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の傾きが低減され、チルト角度が制御される。そうすると、図１１のように、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にすることができる。
【0099】
（３）駆動量の調整
昇降装置８０の駆動量を調整する場合について説明する。図１２は、昇降装置８０の駆動量とチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１２の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は昇降装置８０の駆動量を示している。図１２に示すように、昇降装置８０の駆動量を大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。
昇降装置８０の駆動量を調整する場合について説明する。図１２は、昇降装置８０の駆動量とチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１２の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は昇降装置８０の駆動量を示している。図１２に示すように、昇降装置８０の駆動量を大きくすると、チルト補正角度は大きくなる。
【0100】
制御部１００は、上述した第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの設定と同様に、エッジリング１４の消耗量から、昇降装置８０の駆動量を設定する。そして例えば、エッジリング１４の消耗量に応じて、昇降装置８０の駆動量の大きくして、エッジリング１４を上昇させる。
【0101】
エッチング装置１では、エッジリング１４が消耗すると、制御部１００で設定された駆動量に基づいてエッジリング１４を上昇させる。これにより、エッジリング１４及びウェハＷのエッジ領域の上方におけるシースの形状が制御されて、ウェハＷのエッジ領域へのイオンの入射方向の傾きが低減され、チルト角度が制御される。そうすると、図１２のように、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にすることができる。
【0102】
（４）インピーダンスと直流電圧の調整
第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスと直流電源６０からの直流電圧を組み合わせて調整する場合について説明する。図１３は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、直流電源６０からの直流電圧、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１３の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを示している。
第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスと直流電源６０からの直流電圧を組み合わせて調整する場合について説明する。図１３は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、直流電源６０からの直流電圧、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１３の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを示している。
【0103】
図１３に示すように、先ず、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整し、チルト角度を補正する。次に、インピーダンスが予め定められた値、例えば上限値に達すると、直流電源６０からの直流電圧を調整し、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にする。かかる場合、インピーダンスの調整と直流電圧の調整の回数を少なくすることができ、チルト角度制御の運用を単純化することができる。
【0104】
ここで、インピーダンスの調整によるチルト角度補正の分解能と、直流電圧の調整によるチルト角度補正の分解能は、それぞれ第２のＲＦフィルタ６３と直流電源６０の性能等に依存する。チルト角度補正の分解能とは、インピーダンス又は直流電圧の１回の調整におけるチルト角度の補正量である。そして、例えば第２のＲＦフィルタ６３の分解能が直流電源６０の分解能より高い場合、本実施形態では第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整してチルト角度を補正している分、全体としてのチルト角度補正の分解能を向上させることができる。
【0105】
以上のように第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整と直流電源６０からの直流電圧の調整を行うことで、チルト角度の調整範囲を大きくすることができる。したがって、チルト角度を適切に制御することができ、すなわち、イオンの入射方向を適切に調整することができるので、エッチングを均一に行うことができる。
【0106】
なお、図１３に示した例においては、インピーダンスの調整と直流電圧の調整をそれぞれ１回行って、チルト補正角度を目標角度θ３に調整したが、これらインピーダンスの調整と直流電圧の調整の回数はこれに限定されない。例えば図１４に示すように、インピーダンスの調整と直流電圧の調整をそれぞれ複数回行ってもよい。かかる場合でも、本実施形態と同様の効果を享受することができる。
【0107】
また、図１３及び図１４に示した例においては、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整を行った後、直流電源６０からの直流電圧の調整を行ったが、この順序は反対でもよい。かかる場合、先ず、直流電源６０からの直流電圧を調整し、チルト角度を補正する。この際、直流電圧の絶対値を高くし過ぎると、ウェハＷとエッジリング１４との間で放電が生じる。したがって、エッジリング１４に印加できる直流電圧には制限がある。そこで次に、直流電圧が予め定められた値、例えば上限値に達すると、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整し、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にする。かかる場合でも、本実施形態と同様の効果を享受することができる。
【0108】
また、以上の実施形態では、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整と直流電源６０からの直流電圧の調整を個別に行ったが、インピーダンスの調整と直流電圧の調整を同時に行ってもよい。
【0109】
（５）インピーダンスと駆動量の調整
第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスと昇降装置８０の駆動量を組み合わせて調整する場合について説明する。図１５は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、昇降装置８０の駆動量、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１５の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを示している。
第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスと昇降装置８０の駆動量を組み合わせて調整する場合について説明する。図１５は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、昇降装置８０の駆動量、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１５の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを示している。
【0110】
図１５に示すように、先ず、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整し、チルト角度を補正する。次に、インピーダンスが予め定められた値、例えば上限値に達すると、昇降装置８０の駆動量を調整し、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にする。
【0111】
なお、インピーダンスの調整と駆動量の調整をそれぞれ複数回行ってもよい。また、駆動量を調整してチルト角度を補正した後、インピーダンスを調整してチルト補正角度を目標角度θ３に調整してもよい。或いは、インピーダンスの調整と駆動量の調整を同時に行ってもよい。
【0112】
（６）直流電圧と駆動量の調整
直流電源６０からの直流電圧と第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを組み合わせて調整する場合について説明する。図１６は、直流電源６０からの直流電圧、昇降装置８０の駆動量、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１６の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は直流電源６０からの直流電圧を示している。
直流電源６０からの直流電圧と第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを組み合わせて調整する場合について説明する。図１６は、直流電源６０からの直流電圧、昇降装置８０の駆動量、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１６の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は直流電源６０からの直流電圧を示している。
【0113】
図１６に示すように、先ず、直流電源６０からの直流電圧を調整し、チルト角度を補正する。次に、直流電圧が予め定められた値、例えば上限値に達すると、昇降装置８０の駆動量を調整し、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にする。
【0114】
なお、直流電圧の調整と駆動量の調整をそれぞれ複数回行ってもよい。また、駆動量を調整してチルト角度を補正した後、直流電圧を調整してチルト補正角度を目標角度θ３に調整してもよい。或いは、直流電圧の調整と駆動量の調整を同時に行ってもよい。
【0115】
（７）インピーダンス、直流電圧及び駆動量の調整
第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、直流電源６０からの直流電圧、及び昇降装置８０の駆動量を組み合わせて調整する場合について説明する。図１７は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、直流電源６０からの直流電圧、昇降装置８０の駆動量、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１７の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを示している。
第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、直流電源６０からの直流電圧、及び昇降装置８０の駆動量を組み合わせて調整する場合について説明する。図１７は、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、直流電源６０からの直流電圧、昇降装置８０の駆動量、及びチルト補正角度の関係を示す説明図である。図１７の縦軸はチルト補正角度を示し、横軸は第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを示している。
【0116】
図１７に示すように、先ず、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整し、チルト角度を補正する。次に、インピーダンスが予め定められた値、例えば上限値に達すると、直流電源６０からの直流電圧を調整し、チルト角度を補正する。更に、直流電圧の絶対値が予め定められた値、例えば上限値に達すると、昇降装置８０の駆動量を調整し、チルト補正角度を目標角度θ３に調整して、チルト角度を０（ゼロ）度にする。
【0117】
なお、チルト角度を制御するにあたり、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整、直流電源６０からの直流電圧、昇降装置８０の駆動量の調整の組み合わせは任意に設計することができる。また、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整、直流電源６０からの直流電圧、昇降装置８０の駆動量の調整はそれぞれ個別に行ったが、これら調整を同時に行ってもよい。
【0118】
また、直流電源６０は、切替ユニット６１、第１のＲＦフィルタ６２、及び第２のＲＦフィルタ６３を介して、エッジリング１４に接続されていたが、エッジリング１４に直流電圧を印加する電源系はこれに限定されない。例えば、直流電源６０は、切替ユニット６１、第２のＲＦフィルタ６３、第１のＲＦフィルタ６２、及び下部電極１２を介して、エッジリング１４に電気的に接続されていてもよい。かかる場合、下部電極１２とエッジリング１４は直接電気的に結合し、エッジリング１４の自己バイアス電圧は下部電極１２の自己バイアス電圧と同じになる。
【0119】
ここで、下部電極１２とエッジリング１４が直接電気的に結合している場合、例えばハード構造で決定されるエッジリング１４下の容量等により、エッジリング１４上のシース厚みを調整できず、直流電圧を印加していないにも関わらずアウターチルトの状態が起こり得る。この点、本開示では、直流電源６０からの直流電圧と、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスと、昇降装置８０の駆動量とを調整して、チルト角度を制御することができるので、当該チルト角度をインナー側に変化させることで、チルト角度を０（ゼロ）度に調整することができる。
【0120】
（他の実施形態）
以上の実施形態では、エッジリング１４の消耗量に応じて、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整、直流電源６０からの直流電圧の調整、昇降装置８０の駆動量の調整を行ったが、インピーダンス、直流電圧、駆動量の調整タイミングはこれに限定されない。例えばウェハＷの処理時間に応じて、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整を行ってもよい。或いは、例えばウェハＷの処理時間と、例えば高周波電力等の予め定められたパラメータとを組み合わせて、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整タイミングを判断してもよい。
以上の実施形態では、エッジリング１４の消耗量に応じて、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整、直流電源６０からの直流電圧の調整、昇降装置８０の駆動量の調整を行ったが、インピーダンス、直流電圧、駆動量の調整タイミングはこれに限定されない。例えばウェハＷの処理時間に応じて、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整を行ってもよい。或いは、例えばウェハＷの処理時間と、例えば高周波電力等の予め定められたパラメータとを組み合わせて、駆動量、インピーダンス、直流電圧の調整タイミングを判断してもよい。
【0121】
（他の実施形態）
以上の実施形態では、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを可変にしたが、第１のＲＦフィルタ６２のインピーダンスを可変にしてもよいし、ＲＦフィルタ６２、６３の両方のインピーダンスを可変にしてもよい。また、以上の実施形態では、直流電源６０に対して２つのＲＦフィルタ６２、６３を設けたが、ＲＦフィルタの数はこれに限定されず、例えば１つであってもよい。また、以上の実施形態では、第２のＲＦフィルタ６３の一部の素子を可変素子とすることでインピーダンスを可変としたが、インピーダンスを可変とする構成はこれに限定されない。例えば、インピーダンス可変又は固定のＲＦフィルタに、当該ＲＦフィルタのインピーダンスを可能なデバイスを接続してもよい。すなわち、インピーダンスが可変のＲＦフィルタは、ＲＦフィルタと、このＲＦフィルタと接続し、このＲＦフィルタのインピーダンスを変更可能なデバイスとによって構成されてもよい。
以上の実施形態では、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを可変にしたが、第１のＲＦフィルタ６２のインピーダンスを可変にしてもよいし、ＲＦフィルタ６２、６３の両方のインピーダンスを可変にしてもよい。また、以上の実施形態では、直流電源６０に対して２つのＲＦフィルタ６２、６３を設けたが、ＲＦフィルタの数はこれに限定されず、例えば１つであってもよい。また、以上の実施形態では、第２のＲＦフィルタ６３の一部の素子を可変素子とすることでインピーダンスを可変としたが、インピーダンスを可変とする構成はこれに限定されない。例えば、インピーダンス可変又は固定のＲＦフィルタに、当該ＲＦフィルタのインピーダンスを可能なデバイスを接続してもよい。すなわち、インピーダンスが可変のＲＦフィルタは、ＲＦフィルタと、このＲＦフィルタと接続し、このＲＦフィルタのインピーダンスを変更可能なデバイスとによって構成されてもよい。
【0122】
＜バイパス回路とチルト制御ノブの構成＞
以上のように、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいてチルト制御ノブを用いてチルト角度を制御する。次に、これら初期チルト角度の調整とチルト角度の制御を行うための構成について説明する。当該構成としては、下記（１）～（８）が挙げられる。
（１）バイパス回路７０及び第２のＲＦフィルタ６３
（２）バイパス回路７０及び直流電源６０
（３）バイパス回路７０及び昇降装置８０
（４）バイパス回路７０、第２のＲＦフィルタ６３、及び直流電源６０
（５）バイパス回路７０、第２のＲＦフィルタ６３、及び昇降装置８０
（６）バイパス回路７０、直流電源６０、及び昇降装置８０
（７）バイパス回路７０、第２のＲＦフィルタ６３、直流電源６０、及び昇降装置８０
（８）バイパス回路７０及び直流パルス電源
以上のように、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいてチルト制御ノブを用いてチルト角度を制御する。次に、これら初期チルト角度の調整とチルト角度の制御を行うための構成について説明する。当該構成としては、下記（１）～（８）が挙げられる。
（１）バイパス回路７０及び第２のＲＦフィルタ６３
（２）バイパス回路７０及び直流電源６０
（３）バイパス回路７０及び昇降装置８０
（４）バイパス回路７０、第２のＲＦフィルタ６３、及び直流電源６０
（５）バイパス回路７０、第２のＲＦフィルタ６３、及び昇降装置８０
（６）バイパス回路７０、直流電源６０、及び昇降装置８０
（７）バイパス回路７０、第２のＲＦフィルタ６３、直流電源６０、及び昇降装置８０
（８）バイパス回路７０及び直流パルス電源
【0123】
（１）バイパス回路７０及び第２のＲＦフィルタ６３
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図１８に示すように、図２Ａに示した構成において直流電源６０、切替ユニット６１、第１のＲＦフィルタ６２、及び第２のＲＦフィルタ６３が省略された構成であってもよい。かかる場合、第１のＲＦフィルタ６２と第２のＲＦフィルタ６３に代えて、第１の可変受動素子６２ａと第２の可変受動素子６３ａがそれぞれ設けられる。第１の可変受動素子６２ａと第２の可変受動素子６３ａは、エッジリング１４側からこの順で配置されている。第２の可変受動素子６３ａは、グランド電位に接続されている。すなわち、第２の可変受動素子６３ａは、第１の高周波電源５０と第２の高周波電源５１、第３の高周波電源５２のそれぞれに接続されていない。更に、本構成の一例は、図２及び図１８に示した構成において、昇降装置８０が省略された構成であってもよい。
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図１８に示すように、図２Ａに示した構成において直流電源６０、切替ユニット６１、第１のＲＦフィルタ６２、及び第２のＲＦフィルタ６３が省略された構成であってもよい。かかる場合、第１のＲＦフィルタ６２と第２のＲＦフィルタ６３に代えて、第１の可変受動素子６２ａと第２の可変受動素子６３ａがそれぞれ設けられる。第１の可変受動素子６２ａと第２の可変受動素子６３ａは、エッジリング１４側からこの順で配置されている。第２の可変受動素子６３ａは、グランド電位に接続されている。すなわち、第２の可変受動素子６３ａは、第１の高周波電源５０と第２の高周波電源５１、第３の高周波電源５２のそれぞれに接続されていない。更に、本構成の一例は、図２及び図１８に示した構成において、昇降装置８０が省略された構成であってもよい。
【0124】
一例においては、第１の可変受動素子６２ａと第２の可変受動素子６３ａの少なくとも一方は、インピーダンスが可変に構成されている。第１の可変受動素子６２ａと第２の可変受動素子６３ａは、例えばコイル（インダクタ）又はコンデンサ（キャパシタ）のいずれかであってもよい。また、コイル、コンデンサに限らず、ダイオード等の素子など可変インピーダンス素子であればどのようなものであっても同様の機能を達成できる。第１の可変受動素子６２ａと第２の可変受動素子６３ａの数や位置も、当業者が適宜設計することができる。更に、素子自体が可変である必要はなく、例えば、インピーダンスが固定値の素子を複数備え、切替回路を用いて固定値の素子の組み合わせを切り替えることでインピーダンスを可変してもよい。なお、これら第１の可変受動素子６２ａを含む回路構成と第２の可変受動素子６３ａを含む回路構成はそれぞれ、当業者が適宜設計することができる。
【0125】
なお、本実施形態ではバイパス回路７０は、整合器５３と下部電極１２との間の経路５７と、第２の可変受動素子６３ａとエッジリング１４との間の経路６４とに接続されたが、バイパス回路７０の配置はこれに限定されない。例えば図示はしないが、バイパス回路７０は整合器５３と第２の可変受動素子６３ａとに接続されてもよい。
【0126】
（２）バイパス回路７０及び直流電源６０
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて直流電源６０からの直流電圧を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図２Ａに示した構成において昇降装置８０が省略された構成であってもよい。
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて直流電源６０からの直流電圧を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図２Ａに示した構成において昇降装置８０が省略された構成であってもよい。
【0127】
（３）バイパス回路７０及び昇降装置８０
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて昇降装置８０の駆動量を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図１９に示すように、図２Ａに示した構成において直流電源６０、切替ユニット６１、第１のＲＦフィルタ６２、及び第２のＲＦフィルタ６３が省略された構成であってもよい。かかる場合、バイパス回路７０は、エッジリング１４に接続される経路６４に接続される。
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて昇降装置８０の駆動量を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図１９に示すように、図２Ａに示した構成において直流電源６０、切替ユニット６１、第１のＲＦフィルタ６２、及び第２のＲＦフィルタ６３が省略された構成であってもよい。かかる場合、バイパス回路７０は、エッジリング１４に接続される経路６４に接続される。
【0128】
（４）バイパス回路７０、第２のＲＦフィルタ６３、及び直流電源６０
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス及び直流電源６０からの直流電圧を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図２Ａに示した構成において昇降装置８０が省略された構成であってもよい。
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス及び直流電源６０からの直流電圧を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図２Ａに示した構成において昇降装置８０が省略された構成であってもよい。
【0129】
（５）バイパス回路７０、第２のＲＦフィルタ６３、及び昇降装置８０
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス及び昇降装置８０の駆動量を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図１８に示した構成であってもよい。
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス及び昇降装置８０の駆動量を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。また、本構成の一例は、図１８に示した構成であってもよい。
【0130】
（６）バイパス回路７０、直流電源６０、及び昇降装置８０
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて直流電源６０からの直流電圧及び昇降装置８０の駆動量を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて直流電源６０からの直流電圧及び昇降装置８０の駆動量を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。
【0131】
（７）バイパス回路７０、第２のＲＦフィルタ６３、直流電源６０、及び昇降装置８０
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、直流電源６０からの直流電圧、及び昇降装置８０の駆動量を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンス、直流電源６０からの直流電圧、及び昇降装置８０の駆動量を調整してチルト角度を制御する。本構成の一例は、図２Ａに示した構成であってもよい。
【0132】
（８）バイパス回路７０及び直流パルス電源
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて、エッジリング１４にパルス状の負極性の電圧を印加してチルト角度を制御する。
本構成では、初期状態においてバイパス回路７０により初期チルト角度を調整した後、エッチングにおいて、エッジリング１４にパルス状の負極性の電圧を印加してチルト角度を制御する。
【0133】
本構成の一例は、図２０に示すように、図２Ａに示した構成において、直流電源６０に代えてパルス電源６５を配置した構成であってもよい。パルス電源６５は、電源自体がパルス電圧を印加するように構成されてもよく、直流電源と、この直流電源より下流側に電圧をパルス化するデバイス（パルス生成部）とを備えるように構成されてもよい。この場合、バイパス回路７０は、整合器５３と下部電極１２との間の経路５７と、エッジリング１４とパルス電源６５との間の経路６６とに接続されてもよい。或いは、図示はしないが、バイパス回路７０は整合器５３と後述する第３のＲＦフィルタ６７とに接続されてもよい。また図示はしないが、エッジリング１４とパルス電源６５が接続されてない場合、バイパス回路７０は、エッジリング１４に直接接続されていてもよい。なお、かかる場合、昇降装置８０は省略されてもよい。
【0134】
パルス電源６５は、エッジリング１４にパルス状の負極性の直流電圧を印加する電源である。パルス電源６５は、エッジリング１４とパルス電源６５との間の経路６６において、エッジリング１４に結合されている。経路６６には、パルス電源６５を保護するための第３のＲＦフィルタ６７（本開示における第２のＲＦフィルタに相当。）が設けられている。第３のＲＦフィルタ６７は、整合器５３に設けられている。また、パルス電源６５は、下部電極１２とパルス電源６５との間の経路６８において、下部電極１２に結合されている。経路６８には、パルス電源６５を保護するための第４のＲＦフィルタ６９（本開示における第１のＲＦフィルタに相当。）が設けられている。第４のＲＦフィルタ６９は、整合器５３に設けられている。なお、第３のＲＦフィルタ６７と第４のＲＦフィルタ６９に代えて、整合回路を設けてもよいし、或いはこれら第３のＲＦフィルタ６７、第４のＲＦフィルタ６９、及び整合回路をともに設けてもよい。
【0135】
一例においては、第３のＲＦフィルタ６７は、インピーダンスが可変に構成されている。すなわち、第３のＲＦフィルタ６７は少なくとも１つの可変受動素子を含み、インピーダンスが可変になっている。可変受動素子は、例えばコイル（インダクタ）又はコンデンサ（キャパシタ）のいずれかであってもよい。また、コイル、コンデンサに限らず、ダイオード等の素子など可変インピーダンス素子であればどのようなものであっても同様の機能を達成できる。可変受動素子の数や位置も、当業者が適宜設計することができる。更に、素子自体が可変である必要はなく、例えば、インピーダンスが固定値の素子を複数備え、切替回路を用いて固定値の素子の組み合わせを切り替えることでインピーダンスを可変してもよい。なお、この第３のＲＦフィルタ６７を含む回路構成及び上記第４のＲＦフィルタ６９を含む回路構成はそれぞれ、当業者が適宜設計することができる。
【0136】
かかる場合、パルス電源６５からのパルス状の電圧を調整して、チルト角度を制御する。例えば、パルス電源６５からのパルス状の電圧を大きくすると、チルト補正角度を大きくすることができる。このパルス電源６５からのパルス状の直流電圧によるチルト角度の制御は、上述した直流電源６０からの直流電圧によるチルト角度の制御と同様である。
【0137】
なお、パルス電源６５が直流電源とパルス生成部とで構成され、プラズマ生成用途の電源として機能する場合、第１の整合回路５４を省略してもよい。この場合、パルス電源６５が、単独でプラズマを生成する電源として機能してもよい。
【0138】
また本構成の一例は、図２１Ａに示すように、図２Ａに示した構成において、第１のパルス電源９０と第２のパルス電源９１を配置した構成であってもよい。第１のパルス電源９０と第２のパルス電源９１はそれぞれ、電源自体がパルス電圧を印加するように構成されてもよく、直流電源と、この直流電源より下流側に電圧をパルス化するデバイス（パルス生成部）とを備えるように構成されてもよい。
【0139】
第１のパルス電源９０は、第１の高周波電源５０に代えて設けられ、プラズマ発生用のソース電力として、パルス状の負極性の第１の直流電圧（以下、「第１のパルス電圧」という。）を下部電極１２に印可する。第１のパルス電圧は、２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の第１の周波数であってよく、一例においては４０ＭＨｚである。第１のパルス電源９０は、経路９２を介して、下部電極１２に結合されている。経路９２には、第１のパルス電源９０を保護するための第５のＲＦフィルタ９３が設けられている。なお、第１の高周波電源５０は、下部電極１２に電気的に結合されていなくてもよく、上部電極であるシャワーヘッド２０に結合されていてもよい。
【0140】
第２のパルス電源９１は、第２の高周波電源５１及び第３の高周波電源５２に代えて設けられ、ウェハＷにイオンを引き込むためのバイアス電力として、パルス状の負極性の第２の直流電圧（以下、「第２のパルス電圧」という。）を下部電極１２に印可する。第２のパルス電圧は、１００ｋＨｚ～１５ＭＨｚの範囲内の第２の周波数であってよく、一例においては４００ｋＨｚである。第２のパルス電源９１は、経路９２を介して、下部電極１２に結合されている。経路９２には、第２のパルス電源９１を保護するための第６のＲＦフィルタ９４（本開示における第４のＲＦフィルタに相当。）が設けられている。
【0141】
また第２のパルス電源９１は、直流電源６０に代えて設けられ、負極性の直流電圧をエッジリング１４に印可する。第２のパルス電源９１は、経路９５を介して、エッジリング１４に結合されている。経路９５には、可変受動素子９６と、第２のパルス電源９１を保護するための第７のＲＦフィルタ９７（本開示における第５のＲＦフィルタに相当。）が設けられている。可変受動素子９６と第７のＲＦフィルタ９７は、エッジリング１４側からこの順で配置されている。
【0142】
一例においては、可変受動素子９６は、インピーダンスが可変に構成されている。可変受動素子９６は、例えばコイル（インダクタ）又はコンデンサ（キャパシタ）のいずれかであってもよい。また、コイル、コンデンサに限らず、ダイオード等の素子など可変インピーダンス素子であればどのようなものであっても同様の機能を達成できる。可変受動素子９６の数や位置も、当業者が適宜設計することができる。更に、素子自体が可変である必要はなく、例えば、インピーダンスが固定値の素子を複数備え、切替回路を用いて固定値の素子の組み合わせを切り替えることでインピーダンスを可変してもよい。なお、可変受動素子９６を含む回路構成はそれぞれ、当業者が適宜設計することができる。
【0143】
バイパス回路７０は、第１のパルス電源９０及び第２のパルス電源９１と下部電極１２との間の経路９２と、第２のパルス電源９１とエッジリング１４との間の経路９５との間に接続されてもよい。
【0144】
かかる場合、第２のパルス電源９１からのパルス状の電圧を調整して、チルト角度を制御する。例えば、第２のパルス電源９１からのパルス状の電圧を大きくすると、チルト補正角度を大きくすることができる。この第２のパルス電源９１からのパルス状の直流電圧によるチルト角度の制御は、上述した直流電源６０からの直流電圧によるチルト角度の制御と同様である。
【0145】
なお、図２１Ｂに示すように、第２のパルス電源９１はエッジリング１４に接続されてなくてもよい。かかる場合、バイパス回路７０は、エッジリング１４に接続される経路９５に接続される。
【0146】
＜他の実施形態＞
ここで上述したように、第２の高周波電源５１から供給される第２の高周波電力（バイアスＲＦ電力）ＬＦ１の周波数は４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚであるが、５ＭＨｚ以下がより好ましい。エッチングを行う際、ウェハＷに対して高アスペクト比のエッチングを行う場合、エッチング後のパターンの垂直形状を実現するためには、高いイオンエネルギーが必要となる。そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、第２の高周波電力ＬＦ１の周波数を５ＭＨｚ以下にすることで、高周波電界の変化に対するイオンの追従性が上がり、イオンエネルギーの制御性が向上することが分かった。
ここで上述したように、第２の高周波電源５１から供給される第２の高周波電力（バイアスＲＦ電力）ＬＦ１の周波数は４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚであるが、５ＭＨｚ以下がより好ましい。エッチングを行う際、ウェハＷに対して高アスペクト比のエッチングを行う場合、エッチング後のパターンの垂直形状を実現するためには、高いイオンエネルギーが必要となる。そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、第２の高周波電力ＬＦ１の周波数を５ＭＨｚ以下にすることで、高周波電界の変化に対するイオンの追従性が上がり、イオンエネルギーの制御性が向上することが分かった。
【0147】
一方、第２の高周波電力ＬＦ１の周波数を５ＭＨｚ以下の低周波とすると、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを可変とした効果が低下する場合がある。すなわち、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスの調整によるチルト角度の制御性が低下する場合がある。例えば図２Ａ及び図２Ｂにおいて、エッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３との電気的な接続が非接触又は容量結合である場合、第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整しても、チルト角度を適切に制御できない。そこで本実施形態では、エッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を電気的に直接接続する。
【0148】
エッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３は、接続部を介して電気的に直接接続される。エッジリング１４と接続部は接触し、当該接続部を直流電流が導通する。以下、接続部の構造（以下、「接触構造」という場合がある。）の一例について説明する。
【0149】
図２２に示すように接続部２００は、導体構造２０１と導体部材２０２を有している。導体構造２０１は、導体部材２０２を介してエッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を接続する。具体的に導体構造２０１は、その一端が第２のＲＦフィルタ６３に接続され、他端が下部電極１２の上面にて露出し、導体部材２０２に接触する。
【0150】
導体部材２０２は、例えば静電チャック１３の側方において下部電極１２とエッジリング１４の間に形成された空間に設けられる。導体部材２０２は、導体構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに接触する。また導体部材２０２は、例えば金属等の導体からなる。導体部材２０２の構成は特に限定されないが、図２３Ａ～図２３Ｆのそれぞれに一例を示す。なお、図２３Ａ～図２３Ｃは、導体部材２０２として、弾性体を用いた例である。
【0151】
図２３Ａに示すように導体部材２０２には、鉛直方向に付勢された板バネが用いられてもよい。図２３Ｂに示すように導体部材２０２には、らせん状に巻かれつつ水平方向に延伸するコイルスプリングが用いられてもよい。図２３Ｃに示すように導体部材２０２には、らせん状に巻かれつつ鉛直方向に延伸するバネが用いられてもよい。そして、これら導体部材２０２は弾性体であり、鉛直方向に弾性力が作用する。この弾性力によって、導体部材２０２は導体構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに所望の接触圧力で密着し、導体構造２０１とエッジリング１４が電気的に接続される。
【0152】
図２３Ｄに示すように導体部材２０２には、昇降機構（図示せず）によって昇降するピンが用いられてもよい。かかる場合、導体部材２０２が上昇することによって、導体部材２０２は導体構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに密着する。そして、導体部材２０２の昇降時に作用する圧力を調整することで、導体部材２０２は導体構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに、所望の接触圧力で密着する。
【0153】
図２３Ｅに示すように導体部材２０２には、導体構造２０１とエッジリング１４を接続するワイヤが用いられてもよい。ワイヤは、その一端が導体構造２０１に接合され、他端がエッジリング１４の下面に接合される。このワイヤの接合は、導体構造２０１又はエッジリング１４の下面とオーミック接触となればよく、一例として、ワイヤは溶接又は圧着される。そして、このように導体部材２０２にワイヤを用いた場合、導体部材２０２は導体構造２０１とエッジリング１４の下面のそれぞれに接触し、導体構造２０１とエッジリング１４が電気的に接続される。
【0154】
以上、図２３Ａ～図２３Ｅに示したいずれの導体部材２０２を用いた場合でも、図２２に示したように接続部２００を介してエッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を電気的に直接接続することができる。したがって、第２の高周波電力ＬＦ１の周波数を５ＭＨｚ以下の低周波とすることができ、イオンエネルギーの制御性を向上させることができる。
【0155】
また、昇降装置８０の駆動量を調整してチルト角度を制御する場合には、接続部２００を設けた分、調整する駆動量を小さく抑えることができる。その結果、ウェハＷとエッジリング１４との間で放電が生じるのを抑制することができる。更に、上述したように、昇降装置８０の駆動量と第２のＲＦフィルタ６３のインピーダンスを調整することで、チルト角度の調整範囲を大きくして、チルト角度を所望の値に制御することができる。
【0156】
なお、以上の実施形態では、導体部材２０２として、図２３Ａに示した板バネ、図２３Ｂに示したコイルスプリング、図２３Ｃに示したバネ、図２３Ｄに示したピン、図２３Ｅに示したワイヤを例示したが、これらを組み合わせて用いてもよい。
【0157】
なお、以上の実施形態の接続部２００において、図２３Ｆに示すように導体部材２０２と接続部２００の導体部材２０２とエッジリング１４との間には、導体膜２０３が設けられていてもよい。導体膜２０３には、例えば金属膜が用いられる。導体膜２０３は、エッジリング１４の下面において少なくとも導体部材２０２が接触する部分に設けられる。導体膜２０３はエッジリング１４の下面全面に設けられてもよいし、或いは複数の導体膜２０３が全体で環状に近い形状に設けられていてもよい。いずれの場合も、導体膜２０３によって、導体部材２０２の接触による抵抗を抑制することができ、エッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を適切に接続することができる。
【0158】
以上の実施形態の接続部２００は、昇降装置８０によってエッジリング１４を上昇させた際、導体部材２０２がプラズマから保護される構成を有するのが好ましい。図２４Ａ～図２４Ｇはそれぞれ、導体部材２０２のプラズマ対策の一例を示す。
【0159】
図２４Ａに示すようにエッジリング１４の下面に、当該下面から下方に突起する突起部１４ａ、１４ｂを設けてもよい。図示の例においては、突起部１４ａは導体部材２０２の径方向内側に設けられ、突起部１４ｂは導体部材２０２の径方向外側に設けられる。すなわち、導体部材２０２は、突起部１４ａ、１４ｂで形成される凹部に設けられる。かかる場合、突起部１４ａ、１４ｂによって、プラズマが導体部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導体部材２０２を保護することができる。
【0160】
なお、図２４Ａの例においては、エッジリング１４の下面に突起部１４ａ、１４ｂを設けたが、プラズマの回り込みを抑制する形状はこれに限定されず、エッチング装置１に応じて決定すればよい。また、エッジリング１４が昇降装置８０によって適切に昇降できるように、エッジリング１４の形状を決定すればよい。
【0161】
図２４Ｂに示すように下部電極１２の上面において導体部材２０２の内側に、絶縁部材２１０を設けてもよい。絶縁部材２１０は、下部電極１２とは別体として設けられ、例えば円環状を有している。かかる場合、絶縁部材２１０によって、プラズマが導体部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導体部材２０２を保護することができる。
【0162】
図２４Ｃに示すように、図２４Ａに示したエッジリング１４の突起部１４ａと、図２４Ｂに示した絶縁部材２１０とを両方設けてもよい。かかる場合、突起部１４ａと絶縁部材２１０によって、プラズマの回り込みを更に抑制することができ、導体部材２０２を保護することができる。
【0163】
図２４Ｄに示すように、図２４Ａに示したエッジリング１４の突起部１４ａ、１４ｂと、図２４Ｂに示した絶縁部材２１０とを両方設けてもよい。導体部材２０２は、突起部１４ｂと接触する。また。絶縁部材２１０は、突起部１４ａ、１４ｂの間に設けられる。かかる場合、突起部１４ａ、１４ｂと絶縁部材２１０によってラビリンス構造が形成され、プラズマの回り込みを更に抑制することができ、導体部材２０２を保護することができる。
【0164】
図２４Ｅに示すようにエッジリング１４を、上部エッジリング１４０と下部エッジリング１４１に分割してもよい。上部エッジリング１４０は、昇降装置８０によって昇降自在に構成されている。下部エッジリング１４１は昇降しない。導体部材２０２は、上部エッジリング１４０の下面と下部エッジリング１４１の上面に接触して設けられている。導体構造２０１は、下部エッジリング１４１に接続されている。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２のＲＦフィルタ６３は、導体部材２０２、下部エッジリング１４１、及び導体構造２０１を介して、電気的に直接接続される。
【0165】
上部エッジリング１４０の下面において最外周部には、当該下面から下方に突起する突起部１４０ａが設けられている。下部エッジリング１４１の上面において最内周部には、当該上面から上方に突起する突起部１４１ａが設けられている。かかる場合、突起部１４０ａ、１４１ａによって、プラズマが導体部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導体部材２０２を保護することができる。
【0166】
図２４Ｆは、図２４Ｅの変形例である。図２４Ｅに示す例において、導体構造２０１は下部エッジリング１４１に接続されていたが、図２４Ｆに示す例では、導体構造２０１の一端は下部電極１２の上面にて露出し、導体部材２２０に接触する。導体部材２２０は、静電チャック１３の径方向外側に下部エッジリング１４１の下面と下部電極１２の上面との間に形成された空間に設けられている。すなわち、導体部材２２０は、下部エッジリング１４１の下面と導体構造２０１に接触する。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２のＲＦフィルタ６３は、導体部材２０２、下部エッジリング１４１、導体部材２２０、及び導体構造２０１を介して、電気的に直接接続される。そして、本例においても、突起部１４０ａ、１４１ａによって、プラズマが導体部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導体部材２０２を保護することができる。
【0167】
図２４Ｇは、図２４Ｅの変形例である。図２４Ｅに示す例において、導体部材２０２は下部エッジリング１４１の上面に設けられていたが、図２４Ｇに示す例では、導体部材２０２は下部電極１２の上面に設けられている。導体部材２０２は、上部エッジリング１４０の下面と導体構造２０１に接触する。導体構造２０１は、その一端が静電チャック１３の上面にて露出し、導体部材２０２に接触する。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２のＲＦフィルタ６３は、導体部材２０２、及び導体構造２０１を介して、電気的に直接接続される。そして、本例においても、突起部１４０ａ、１４１ａによって、プラズマが導体部材２０２の方に回り込むのを抑制することができ、導体部材２０２を保護することができる。
【0168】
なお、以上の実施形態において、図２４Ａ～図２４Ｇに示した構成を組み合わせて用いてもよい。また、接続部２００において、導体部材２０２の表面のエッジリング１４と接触する部分以外に、耐プラズマコーティングを施してもよい。かかる場合、導体部材２０２をプラズマから保護することができる。
【0169】
次に、導体部材２０２の平面視における配置について説明する。図２５Ａ～図２５Ｃはそれぞれ、導体部材２０２の平面配置の一例を示す。図２５Ａ及び図２５Ｂに示すように、接続部２００は導体部材２０２を複数備え、複数の導体部材２０２はエッジリング１４と同心円上に等間隔に設けられていてもよい。図２５Ａの例において導体部材２０２は８箇所に設けられ、図２５Ｂにおいて導体部材２０２は２４箇所に設けられている。また、図２５Ｃに示すように導体部材２０２は、エッジリング１４と同心円上に環状に設けられていてもよい。
【0170】
エッチングを均一に行い、シースの形状を均一にする観点（プロセス均一化の観点）からは、図２５Ｃに示したようにエッジリング１４に対して導体部材２０２を環状に設け、エッジリング１４に対する接触を円周上で均一に行うのが好ましい。また、同じくプロセス均一化の観点から、図２５Ａ及び図２５Ｂに示すように複数の導体部材２０２を設ける場合でも、これら複数の導体部材２０２をエッジリング１４の周方向に等間隔に配置し、エッジリング１４に対する接触点を点対称に設けるのが好ましい。更に言えば、図２５Ａの例に比べて図２５Ｂの例のように導体部材２０２の数を多くして、図２５Ｃに示したように環状に近づける方が良い。なお、導体部材２０２の数は特に限定されないが、対称性を確保するためには、３個以上が好ましく、例えば３個～３６個としてよい。
【0171】
但し、装置構成上、他の部材との干渉を回避するため、導体部材２０２を環状にしたり、導体部材２０２の数を多くするのは難しい場合がある。したがって、導体部材２０２の平面配置は、プロセス均一化の条件や装置構成上の制約条件などを鑑みて、適宜設定してよい。
【0172】
次に、接続部２００と、第１のＲＦフィルタ６２及び第２のＲＦフィルタ６３との関係について説明する。図２６Ａ～図２６Ｃはそれぞれ、接続部２００、第１のＲＦフィルタ６２及び第２のＲＦフィルタ６３の構成の一例を模式的に示す。
【0173】
図２６Ａに示すように、例えば８個の導体部材２０２に対して第１のＲＦフィルタ６２と第２のＲＦフィルタ６３がそれぞれ１個設けられている場合、接続部２００は中継部材２３０を更に有していてもよい。なお、図２６Ａでは、図２５Ａに示した接続部２００において中継部材２３０を設けた場合について図示するが、図２５Ｂ又は図２５Ｃのいずれに示した接続部２００においても中継部材２３０を設けることができる。また、中継部材２３０は複数設けられていてもよい。
【0174】
中継部材２３０は、導体部材２０２と第２のＲＦフィルタ６３の間の導体構造２０１において、エッジリング１４と同心円上に環状に設けられている。中継部材２３０は、導体部材２０２と導体構造２０１ａで接続されている。すなわち、中継部材２３０から８本の導体構造２０１ａが平面視において放射状に延伸し、８個の導体部材２０２のそれぞれに接続される。また中継部材２３０は、第１のＲＦフィルタ６２を介して第２のＲＦフィルタ６３と導体構造２０１ｂで接続されている。
【0175】
かかる場合、例えば第２のＲＦフィルタ６３がエッジリング１４の中心に配置されていない場合であっても、中継部材２３０における電気的特性（任意の電圧、電流値）を円周上で均一に行うことができ、更に８個の導体部材２０２のそれぞれに対する電気的特性を均一にすることができる。その結果、エッチングを均一に行い、シースの形状を均一にすることができる。
【0176】
図２６Ｂに示すように、例えば８個の導体部材２０２に対して、第１のＲＦフィルタ６２が複数、例えば８個設けられ、第２のＲＦフィルタ６３が１個設けられていてもよい。このように導体部材２０２の数に対して、第１のＲＦフィルタ６２の個数は適宜設定することができる。なお、図２６Ｂの例においても、中継部材２３０が設けられていてもよい。
【0177】
図２６Ｃに示すように、例えば８個の導体部材２０２に対して、第１のＲＦフィルタ６２が複数、例えば８個設けられ、第２のＲＦフィルタ６３が複数、例えば８個設けられていてもよい。このように導体部材２０２の数に対して、インピーダンスが可変の第２のＲＦフィルタ６３の個数は適宜設定することができる。図２６Ｃの例においても、中継部材２３０が設けられていてもよい。
【0178】
なお、インピーダンスが可変の第２のＲＦフィルタ６３を複数設けることで、複数の導体部材２０２に対して個別に独立して電気的特性を制御することが可能となる。その結果、複数の導体部材２０２のそれぞれに対する電気的特性を均一にすることができ、プロセスの均一性を向上させることができる。
【0179】
【0180】
【0181】
図２７Ａに示すように、昇降装置８０は、上記実施形態の昇降ピン８１に代えて、昇降ピン３００を有していてもよい。昇降ピン３００は、エッジリング１４の下面から鉛直方向に延伸し、静電チャック１３、下部電極１２、支持部材１７、及びチャンバ１０の底部を貫通して設けられている。昇降ピン３００とチャンバ１０の間は、チャンバ１０の内部を密閉するためにシールされている。昇降ピン３００は、絶縁体からなる。また、昇降ピン３００は、チャンバ１０の外部に設けられた駆動源８２によって昇降自在に構成されている。
【0182】
昇降ピン３００の内部には、接続部３１０が設けられている。接続部３１０は、エッジリング１４と昇降ピン３００を直接接続し、エッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を接続する。具体的に接続部３１０は、その一端が第２のＲＦフィルタ６３に接続され、他端が昇降ピン３００の上面にて露出し、エッジリング１４の下面に接触する。
【0183】
図２７Ｂ及び図２７Ｃに示すように、昇降ピン３００の内部に設けられた接続部３１０は、導体構造３１１と導体部材３１２を有していてもよい。導体構造３１１は、導体部材３１２を介してエッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を接続する。具体的に導体構造３１１は、その一端が第２のＲＦフィルタ６３に接続され、他端が昇降ピン３００の内部の上部空間にて露出し、導体部材３１２に接触する。
【0184】
導体部材３１２は、昇降ピン３００の内部の上部空間に設けられる。導体部材３１２は、導体構造３１１とエッジリング１４の下面のそれぞれに接触する。また導体部材３１２は、例えば金属等の導体からなる。導体部材３１２の構成は特に限定されないが、例えば図２７Ｂに示すように鉛直方向に付勢された弾性を有する板バネが用いられてもよいし、図２７Ｃに示すように導体構造３１１とエッジリング１４を接続するワイヤが用いられてもよい。或いは、導体部材３１２には、図２３Ｂに示したコイルスプリング、図２３Ｃに示したバネ、図２３Ｄに示したピン等が用いられてもよい。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２のＲＦフィルタ６３は、導体部材３１２と導体構造３１１を介して、電気的に直接接続される。
【0185】
図２７Ｄに示すように、昇降ピン３００は上下面が開口した中空の円筒形状を有し、当該昇降ピン３００の内部に設けられる接続部３１０は、導体構造（第１の導体構造）３１１と導体部材３１２に加えて、他の導体構造（第２の導体構造）３１３を有していてもよい。導体構造３１３は、昇降ピン３００の内側面に設けられる。導体構造３１３は、例えば金属膜であってもよいし、金属製の円筒であってもよい。
【0186】
導体構造３１１は、導体構造３１３の下端に接続される。導体部材３１２は、導体構造３１３の上端に接続される。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２のＲＦフィルタ６３は、導体部材３１２、導体構造３１３、及び導体構造３１１を介して、電気的に直接接続される。
【0187】
以上、図２７Ａ～図２７Ｄに示したいずれの接続部３１０を用いた場合でも、接続部３１０を介してエッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を電気的に直接接続することができる。したがって、第２の高周波電力ＬＦ１の周波数を５ＭＨｚ以下の低周波とすることができ、イオンエネルギーの制御性を向上させることができる。
【0188】
なお、以上の実施形態の接続部３１０は、絶縁体からなる昇降ピン３００の内部に設けられているため、プラズマから保護される構成を有さなくてもよい。
【0189】
【0190】
図２８Ａに示すように、昇降装置８０は、上記実施形態の昇降ピン８１、３００に代えて、昇降ピン４００を有していてもよい。昇降ピン４００は、エッジリング１４の下面から鉛直方向に延伸し、静電チャック１３、下部電極１２、支持部材１７、及びチャンバ１０の底部を貫通して設けられている。昇降ピン４００とチャンバ１０の間は、チャンバ１０の内部を密閉するためにシールされている。昇降ピン４００は、導電体からなる。また、昇降ピン４００は、チャンバ１０の外部に設けられた駆動源８２によって昇降自在に構成されている。
【0191】
昇降ピン４００の下端には、導体構造４１０が接続されている。導体構造４１０は、第２のＲＦフィルタ６３に接続される。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２のＲＦフィルタ６３は、昇降ピン４００と導体構造４１０を介して、電気的に直接接続される。
【0192】
【0193】
図２８Ｂに示すように、下部電極１２の上面において昇降ピン４００の内側に、図２４Ｂに示した絶縁部材２１０を設けてもよい。かかる場合、絶縁部材２１０によって、プラズマが昇降ピン４００側に回り込むのを抑制することができ、昇降ピン４００を保護することができる。なお、プラズマの回り込みを抑制する構成はこれに限定されず、図２４Ａ、図２４Ｃ～図２４Ｇのいずれかの構成を適用してもよい。
【0194】
図２８Ｃに示すように、昇降ピン４００の外側面に、耐プラズマ性を有する絶縁部材４０１を設けてもよい。絶縁部材４０１は、例えば絶縁体の膜であってもよいし、絶縁体製の円筒であってもよい。かかる場合、絶縁部材４０１によって、プラズマから昇降ピン４００を保護することができる。なお、図２８Ｂの構成において、図２８Ｃに示した絶縁部材４０１を更に設けてもよい。
【0195】
以上、図２８Ａ～図２８Ｃに示したいずれの場合でも、昇降ピン４００を介してエッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を電気的に直接接続することができる。したがって、第２の高周波電力ＬＦ１の周波数を５ＭＨｚ以下の低周波とすることができ、イオンエネルギーの制御性を向上させることができる。
【0196】
なお、図２８Ａ～図２８Ｃでは昇降ピン４００自体が接続部を構成していたが、図２８Ｄに示すように昇降ピン４００の内部に、更に接続部４２０を設けてもよい。接続部４２０は、導体構造４２１と導体部材４２２を有していてもよい。導体構造４２１は、導体部材４２２を介してエッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を接続する。具体的に導体構造４２１は、その一端が第２のＲＦフィルタ６３に接続され、他端が昇降ピン４００の内部の上部空間にて露出し、導体部材４２２に接触する。なお、上記導体構造４１０は、導体構造４２１に含まれる。
【0197】
導体部材４２２は、昇降ピン４００の内部の上部空間に設けられる。導体部材４２２は、導体構造４２１とエッジリング１４の下面のそれぞれに接触する。また導体部材４２２は、例えば金属等の導体からなる。導体部材３１２の構成は特に限定されないが、例えば図２３Ａに示した鉛直方向に付勢された板バネが用いられてもよい。或いは、図２３Ｂに示したコイルスプリング、図２３Ｃに示したバネ、図２３Ｄに示したピン、図２３Ｅに示したワイヤ等が用いられてもよい。かかる場合、上部エッジリング１４０と第２のＲＦフィルタ６３は、昇降ピン４００に加えて、導体部材３１２と導体構造３１１を介して、電気的に直接接続される。また、昇降ピン４００と導体部材３１２の接触による抵抗を抑制することができるので、エッジリング１４と第２のＲＦフィルタ６３を更に適切に接続することができる。
【0198】
＜他の実施形態＞
以上の実施形態のエッチング装置１は容量結合型のエッチング装置であったが、本開示が適用されるエッチング装置はこれに限定されない。例えばエッチング装置は、誘導結合型のエッチング装置であってもよい。
以上の実施形態のエッチング装置１は容量結合型のエッチング装置であったが、本開示が適用されるエッチング装置はこれに限定されない。例えばエッチング装置は、誘導結合型のエッチング装置であってもよい。
【0199】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【0200】
本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
【0201】
（付記Ａ１）
基板にエッチングを行う装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングに接続され、インピーダンスを変更可能なＲＦフィルタと、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記ＲＦフィルタ又は前記ＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路とに接続されるバイパス回路と、
を備える、エッチング装置。
基板にエッチングを行う装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングに接続され、インピーダンスを変更可能なＲＦフィルタと、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記ＲＦフィルタ又は前記ＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路とに接続されるバイパス回路と、
を備える、エッチング装置。
【0202】
（付記Ａ２）
前記ＲＦフィルタを介して前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加する直流電源を更に備え、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記直流電源又は前記直流電源と前記エッジリングとの間の経路とに接続される、付記Ａ１に記載のエッチング装置。
前記ＲＦフィルタを介して前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加する直流電源を更に備え、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記直流電源又は前記直流電源と前記エッジリングとの間の経路とに接続される、付記Ａ１に記載のエッチング装置。
【0203】
（付記Ａ３）
基板にエッチングを行う装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加する直流電源と、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記直流電源又は前記直流電源と前記エッジリングとの経路とに接続されるバイパス回路と、
を備える、エッチング装置。
基板にエッチングを行う装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加する直流電源と、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記直流電源又は前記直流電源と前記エッジリングとの経路とに接続されるバイパス回路と、
を備える、エッチング装置。
【0204】
（付記Ａ４）
前記エッジリングを昇降させる昇降装置を更に備える、付記Ａ１～Ａ３のいずれか一項に記載のエッチング装置。
前記エッジリングを昇降させる昇降装置を更に備える、付記Ａ１～Ａ３のいずれか一項に記載のエッチング装置。
【0205】
（付記Ａ５）
基板にエッチングを行う装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングを昇降させる昇降装置と、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記エッジリングに接続されるバイパス回路と、
を備える、エッチング装置。
基板にエッチングを行う装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングを昇降させる昇降装置と、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記エッジリングに接続されるバイパス回路と、
を備える、エッチング装置。
【0206】
（付記Ａ６）
前記バイパス回路は、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域における初期チルト角度を調整する、付記Ａ１～Ａ５のいずれか一項に記載のエッチング装置。
前記バイパス回路は、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域における初期チルト角度を調整する、付記Ａ１～Ａ５のいずれか一項に記載のエッチング装置。
【0207】
（付記Ａ７）
前記高周波電源から複数の周波数の高周波電力が供給され、
前記複数の周波数の高周波電力のうち、２周波以上の高周波電力に対して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域におけるチルト角度を制御する、付記Ａ１～Ａ６のいずれか一項に記載のエッチング装置。
前記高周波電源から複数の周波数の高周波電力が供給され、
前記複数の周波数の高周波電力のうち、２周波以上の高周波電力に対して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域におけるチルト角度を制御する、付記Ａ１～Ａ６のいずれか一項に記載のエッチング装置。
【0208】
（付記Ａ８）
前記バイパス回路は複数設けられる、付記Ａ７に記載のエッチング装置。
前記バイパス回路は複数設けられる、付記Ａ７に記載のエッチング装置。
【0209】
（付記Ａ９）
エッチング装置を用いて基板にエッチングを行う方法であって、
前記エッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングに接続され、インピーダンスを変更可能なＲＦフィルタと、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記ＲＦフィルタ又は前記ＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路とに接続されるバイパス回路と、
を備え、
前記方法は、前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域におけるエッチング前の初期チルト角度を調整する工程を含む、エッチング方法。
エッチング装置を用いて基板にエッチングを行う方法であって、
前記エッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングに接続され、インピーダンスを変更可能なＲＦフィルタと、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記ＲＦフィルタ又は前記ＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路とに接続されるバイパス回路と、
を備え、
前記方法は、前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域におけるエッチング前の初期チルト角度を調整する工程を含む、エッチング方法。
【0210】
（付記Ａ１０）
エッチング装置を用いて基板にエッチングを行う方法であって、
前記エッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加する直流電源と、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記直流電源又は前記直流電源と前記エッジリングとの間の経路とに接続されるバイパス回路と、
を備え、
前記方法は、前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域におけるエッチング前の初期チルト角度を調整する工程を含む、エッチング方法。
エッチング装置を用いて基板にエッチングを行う方法であって、
前記エッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加する直流電源と、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記直流電源又は前記直流電源と前記エッジリングとの間の経路とに接続されるバイパス回路と、
を備え、
前記方法は、前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域におけるエッチング前の初期チルト角度を調整する工程を含む、エッチング方法。
【0211】
（付記Ａ１１）
エッチング装置を用いて基板にエッチングを行う方法であって、
前記エッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングを昇降させる昇降装置と、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記エッジリングに接続されるバイパス回路と、
を備え、
前記方法は、前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域におけるエッチング前の初期チルト角度を調整する工程を含む、エッチング方法。
エッチング装置を用いて基板にエッチングを行う方法であって、
前記エッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源に接続される少なくとも１つの整合回路と、
前記エッジリングを昇降させる昇降装置と、
前記整合回路又は前記整合回路と前記電極との間の経路と、前記エッジリングに接続されるバイパス回路と、
を備え、
前記方法は、前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域におけるエッチング前の初期チルト角度を調整する工程を含む、エッチング方法。
【0212】
（付記Ｂ１）
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備える、プラズマ処理装置。
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備える、プラズマ処理装置。
【0213】
（付記Ｂ２）
前記少なくとも１つのバイパス回路は、周波数に応じて選択される前記少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される、付記Ｂ１に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイパス回路は、周波数に応じて選択される前記少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される、付記Ｂ１に記載のプラズマ処理装置。
【0214】
（付記Ｂ３）
前記少なくとも１つのバイパス回路は、周波数毎に独立して設けられたバイパス回路と、複数の周波数に共通して設けられたバイパス回路との組み合わせを含むように構成される、付記Ｂ２に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイパス回路は、周波数毎に独立して設けられたバイパス回路と、複数の周波数に共通して設けられたバイパス回路との組み合わせを含むように構成される、付記Ｂ２に記載のプラズマ処理装置。
【0215】
（付記Ｂ４）
前記少なくとも１つのバイパス回路は、前記エッジリングに供給する前記少なくとも１つの電力の大きさを制御するように構成される、付記Ｂ１～Ｂ３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイパス回路は、前記エッジリングに供給する前記少なくとも１つの電力の大きさを制御するように構成される、付記Ｂ１～Ｂ３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0216】
（付記Ｂ５）
前記ソース電源は、前記ソース電力としてソースＲＦ電力を供給するように構成され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つのバイアスＲＦ電力、又は周波数が異なる少なくとも１つの負極性のパルス電圧を印可するように構成される、付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記ソース電源は、前記ソース電力としてソースＲＦ電力を供給するように構成され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つのバイアスＲＦ電力、又は周波数が異なる少なくとも１つの負極性のパルス電圧を印可するように構成される、付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0217】
（付記Ｂ６）
第１の整合回路及び少なくとも１つの第２の整合回路を含む整合器を更に備え、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つのバイアスＲＦ電力を供給するように構成され、
前記ソース電源は、前記第１の整合回路を介して前記上部電極又は前記下部電極に接続され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記少なくとも１つの第２の整合回路を介して前記下部電極に接続される、付記Ｂ５に記載のプラズマ処理装置。
第１の整合回路及び少なくとも１つの第２の整合回路を含む整合器を更に備え、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つのバイアスＲＦ電力を供給するように構成され、
前記ソース電源は、前記第１の整合回路を介して前記上部電極又は前記下部電極に接続され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記少なくとも１つの第２の整合回路を介して前記下部電極に接続される、付記Ｂ５に記載のプラズマ処理装置。
【0218】
（付記Ｂ７）
前記バイパス回路は、前記整合器又は前記整合器と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記可変受動素子又は前記可変受動素子と前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第１の経路に配置される、付記Ｂ６に記載のプラズマ処理装置。
前記バイパス回路は、前記整合器又は前記整合器と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記可変受動素子又は前記可変受動素子と前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第１の経路に配置される、付記Ｂ６に記載のプラズマ処理装置。
【0219】
（付記Ｂ８）
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つの負極性のパルス電圧を印可するように構成され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、少なくとも１つの第１のＲＦフィルタを介して前記下部電極にそれぞれ接続される、付記Ｂ５に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として、周波数が異なる少なくとも１つの負極性のパルス電圧を印可するように構成され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、少なくとも１つの第１のＲＦフィルタを介して前記下部電極にそれぞれ接続される、付記Ｂ５に記載のプラズマ処理装置。
【0220】
（付記Ｂ９）
前記少なくとも１つのバイアス電源は、第２のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続される、付記Ｂ８に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイアス電源は、第２のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続される、付記Ｂ８に記載のプラズマ処理装置。
【0221】
（付記Ｂ１０）
前記バイパス回路は、整合器又は前記整合器と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記第２のＲＦフィルタ又は前記第２のＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第２の経路に配置される、付記Ｂ９に記載のプラズマ処理装置。
前記バイパス回路は、整合器又は前記整合器と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記第２のＲＦフィルタ又は前記第２のＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第２の経路に配置される、付記Ｂ９に記載のプラズマ処理装置。
【0222】
（付記Ｂ１１）
前記第２のＲＦフィルタは、前記少なくとも１つの可変受動素子を含む、付記Ｂ１０に記載のプラズマ処理装置。
前記第２のＲＦフィルタは、前記少なくとも１つの可変受動素子を含む、付記Ｂ１０に記載のプラズマ処理装置。
【0223】
（付記Ｂ１２）
前記電源部は、前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加するように構成される直流電源であり、少なくとも１つの第３のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続される直流電源を更に備える、付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記電源部は、前記エッジリングに負極性の直流電圧を印加するように構成される直流電源であり、少なくとも１つの第３のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続される直流電源を更に備える、付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0224】
（付記Ｂ１３）
前記バイパス回路は、整合器又は前記整合器と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記直流電源又は前記直流電源と前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第３の経路に配置される、付記Ｂ１２に記載のプラズマ処理装置。
前記バイパス回路は、整合器又は前記整合器と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記直流電源又は前記直流電源と前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第３の経路に配置される、付記Ｂ１２に記載のプラズマ処理装置。
【0225】
（付記Ｂ１４）
前記第３のＲＦフィルタは、前記少なくとも１つの可変受動素子を含む、付記Ｂ１３に記載のプラズマ処理装置。
前記第３のＲＦフィルタは、前記少なくとも１つの可変受動素子を含む、付記Ｂ１３に記載のプラズマ処理装置。
【0226】
（付記Ｂ１５）
前記エッジリングを昇降させるように構成される昇降装置を更に備える、付記Ｂ１２～Ｂ１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記エッジリングを昇降させるように構成される昇降装置を更に備える、付記Ｂ１２～Ｂ１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0227】
（付記Ｂ１６）
前記ソース電源は、前記ソース電力として負極性の第１のパルス電圧を印可するように構成され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として少なくとも１つの負極性の第２のパルス電圧を印可するように構成され、
前記第１のパルス電圧の周波数と前記第２のパルス電圧の周波数は異なる、付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記ソース電源は、前記ソース電力として負極性の第１のパルス電圧を印可するように構成され、
前記少なくとも１つのバイアス電源は、前記バイアス電力として少なくとも１つの負極性の第２のパルス電圧を印可するように構成され、
前記第１のパルス電圧の周波数と前記第２のパルス電圧の周波数は異なる、付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0228】
（付記Ｂ１７）
前記少なくとも１つのバイアス電源は、
第４のＲＦフィルタを介して前記下部電極に接続されるとともに、第５のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続され、
前記バイパス回路は、前記第４のＲＦフィルタ又は前記第４のＲＦフィルタと前記下部電極との間の経路と、前記５のＲＦフィルタ又は前記第５のＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第４の経路に配置される、付記Ｂ１６に記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つのバイアス電源は、
第４のＲＦフィルタを介して前記下部電極に接続されるとともに、第５のＲＦフィルタを介して前記エッジリングに接続され、
前記バイパス回路は、前記第４のＲＦフィルタ又は前記第４のＲＦフィルタと前記下部電極との間の経路と、前記５のＲＦフィルタ又は前記第５のＲＦフィルタと前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第４の経路に配置される、付記Ｂ１６に記載のプラズマ処理装置。
【0229】
（付記Ｂ１８）
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングを昇降させるように構成される昇降装置と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備える、プラズマ処理装置。
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングを昇降させるように構成される昇降装置と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備える、プラズマ処理装置。
【0230】
（付記Ｂ１９）
前記バイパス回路は、整合回路又は前記整合回路と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第５の経路に接続される、付記Ｂ１８に記載のプラズマ処理装置。
前記バイパス回路は、整合回路又は前記整合回路と前記上部電極若しくは前記下部電極との間の経路と、前記エッジリングとの間の経路と、を接続する第５の経路に接続される、付記Ｂ１８に記載のプラズマ処理装置。
【0231】
（付記Ｂ２０）
プラズマ処理装置を用いたエッチング方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備え、
前記エッチング方法は、
（ａ）基板を前記基板支持面上に載置する工程と、
（ｂ）前記チャンバ内のガスからプラズマを生成する工程と、
（ｃ）生成されたプラズマで前記基板をエッチングする工程と、
（ｄ）前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整する工程と、
を含む、エッチング方法。
プラズマ処理装置を用いたエッチング方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体であり、前記基板支持体は、下部電極と、基板を支持するための基板支持面と、前記基板支持面に支持された前記基板を囲むように配置されるエッジリングと、を含む基板支持体と、
前記下部電極の上方に配置される上部電極と、
周波数の異なる２つ以上の電力を供給する電源部であり、前記電源部は、前記チャンバ内のガスからプラズマを生成するためのソース電力を前記上部電極又は前記下部電極に供給するように構成されるソース電源と、１つ又は周波数が異なる２つ以上のバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成される少なくとも１つのバイアス電源と、を含む電源部と、
前記エッジリングに電気的に接続される少なくとも１つの可変受動素子と、
前記電源部と前記エッジリングとを電気的に接続し、前記ソース電力及び少なくとも１つの前記バイアス電力からなる群から選択される少なくとも１つの電力の一部を前記エッジリングに供給するように構成される少なくとも１つのバイパス回路と、
を備え、
前記エッチング方法は、
（ａ）基板を前記基板支持面上に載置する工程と、
（ｂ）前記チャンバ内のガスからプラズマを生成する工程と、
（ｃ）生成されたプラズマで前記基板をエッチングする工程と、
（ｄ）前記バイパス回路により、前記エッジリングへの電力供給量を制御して、前記基板のエッジ領域に対する前記プラズマ中のイオンの入射角度を調整する工程と、
を含む、エッチング方法。
【符号の説明】
【0232】
１ エッチング装置
１０ チャンバ
１１ ステージ
１２ 下部電極
１３ 静電チャック
１４ エッジリング
２１ 電極板
５０ 第１の高周波電源
５１ 第２の高周波電源
５２ 第３の高周波電源
６２ 第１のＲＦフィルタ
６３ 第２のＲＦフィルタ
７０ バイパス回路
Ｗ ウェハ
１０ チャンバ
１１ ステージ
１２ 下部電極
１３ 静電チャック
１４ エッジリング
２１ 電極板
５０ 第１の高周波電源
５１ 第２の高周波電源
５２ 第３の高周波電源
６２ 第１のＲＦフィルタ
６３ 第２のＲＦフィルタ
７０ バイパス回路
Ｗ ウェハ
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図9E】
【図9F】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21A】
【図21B】
【図22】
【図23A】
【図23B】
【図23C】
【図23D】
【図23E】
【図23F】
【図24A】
【図24B】
【図24C】
【図24D】
【図24E】
【図24F】
【図24G】
【図25A】
【図25B】
【図25C】
【図26A】
【図26B】
【図26C】
【図27A】
【図27B】
【図27C】
【図27D】
【図28A】
【図28B】
【図28C】
【図28D】