特開 2023-47134 故障検知方法及びプラズマ処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023047134

(43)【公開日】2023-04-05

(54)【発明の名称】故障検知方法及びプラズマ処理装置

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20230329BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20230329BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 R

H05H1/46 L

H01L21/302 101C

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021156077

(22)【出願日】2021-09-24

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】富田 尚宏

(72)【発明者】

【氏名】山科 イサク

(72)【発明者】

【氏名】笹浪 雄作

(72)【発明者】

【氏名】小川 純一

(72)【発明者】

【氏名】植松 治志

(72)【発明者】

【氏名】祢津 忠人

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 均

(72)【発明者】

【氏名】町山 弥

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

【Ｆターム（参考）】

2G084AA03

2G084BB23

2G084BB25

2G084BB26

2G084BB29

2G084CC13

2G084CC33

2G084DD03

2G084DD04

2G084DD13

2G084DD25

2G084DD38

2G084DD55

2G084DD62

2G084HH08

2G084HH22

2G084HH37

2G084HH43

2G084HH56

5F004AA15

5F004AA16

5F004BA20

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB29

5F004BB32

5F004BD01

5F004CA06

5F004CB05

5F004DB03

5F004DB08

5F004DB13

5F004DB26

(57)【要約】

【課題】インピーダンス調整部の故障を検知する。
【解決手段】処理容器内をアンテナ室と処理室に区画し、複数の部分窓を有する金属窓と、誘導結合プラズマを生成するアンテナと、基板を保持する静電チャックと、静電チャックを支持する下部電極を有するプラズマ処理装置にて、複数の部分窓と接地との間にある複数の容量素子を含む複数の部分窓と接地との間のインピーダンス調整部の故障検知方法であって、静電チャックの吸着電極に直流電圧を印加する工程、ソース用高周波電力及び／又はバイアス用高周波電力の供給を開始する工程、ソース用高周波電力及びバイアス用高周波電力を定常供給する工程、基板に処理を行う間複数の容量素子のそれぞれにかかる容量素子電圧を測定する工程、複数の容量素子の容量素子電圧と予め定められた閾値との比較結果に基づき複数のインピーダンス調整部の故障を判定する工程を含む方法。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理容器と、前記処理容器内をアンテナ室と処理室とに区画し、複数の部分窓を有する金属窓と、前記アンテナ室に供給されるソース用高周波電力により誘導結合プラズマを生成する誘導結合アンテナと、前記処理室内にて被処理基板を静電吸着する静電チャックと、該静電チャックを支持し、バイアス電圧用高周波電力が供給される下部電極と、を有するプラズマ処理装置において、
前記複数の部分窓と接地との間に設けられた複数の容量素子を含み、前記複数の部分窓と接地との間のインピーダンスを調整する複数のインピーダンス調整部を有し、
前記複数のインピーダンス調整部の故障を検知する方法であって、
前記静電チャックに直流電圧を印加する工程と、
前記ソース用高周波電力及び前記バイアス電圧用高周波電力の少なくともいずれかの供給を開始する工程と、
前記ソース用高周波電力及び前記バイアス電圧用高周波電力を定常供給する工程と、
前記被処理基板に処理を行う間、前記複数の容量素子のそれぞれにかかる容量素子電圧を測定する工程と、
前記複数の容量素子のそれぞれの容量素子電圧と予め定められた閾値との比較結果に基づき、前記複数のインピーダンス調整部の故障を判定する工程と、
を有する故障検知方法。

【請求項2】

前記複数の容量素子のそれぞれは、故障時に短絡状態となり、
前記故障を判定する工程は、前記容量素子電圧が前記閾値を超えなかった容量素子を含むインピーダンス調整部を故障と判定する、
請求項１に記載の故障検知方法。

【請求項3】

前記容量素子電圧を測定する工程は、前記被処理基板に複数の処理ステップから成る処理を行う間、前記複数の容量素子のそれぞれにかかる容量素子電圧を測定し、
前記故障を判定する工程は、前記複数の処理ステップの一つ若しくは二つ以上の処理ステップにわたり測定した前記容量素子電圧が前記閾値を超えなかった容量素子を含むインピーダンス調整部を故障と判定する、
請求項２に記載の故障検知方法。

【請求項4】

前記故障を判定する工程は、少なくとも、前記直流電圧の印加開始時点、前記ソース用高周波電力の供給開始時点、前記ソース用高周波電力の定常供給時、前記バイアス電圧用高周波電力の供給開始時点、前記バイアス電圧用高周波電力の定常供給時、及び前記直流電圧の印加停止時点のうちのいずれか一つあるいは二つ以上にて測定した前記容量素子電圧に基づき、前記複数のインピーダンス調整部の故障を判定する、
請求項１～３のいずれか一項に記載の故障検知方法。

【請求項5】

前記故障を判定する工程は、前記複数の部分窓のそれぞれに接続された前記容量素子ごとに前記容量素子電圧と前記閾値とを比較し、前記容量素子ごとの比較結果に基づき、前記容量素子が含まれる前記インピーダンス調整部ごとに故障を判定する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の故障検知方法。

【請求項6】

前記複数の部分窓のうち、前記容量素子電圧が前記閾値を超えなかった前記容量素子に接続された部分窓を特定する、
請求項１～５のいずれか一項に記載の故障検知方法。

【請求項7】

処理容器と、前記処理容器内をアンテナ室と処理室とに区画し、複数の部分窓を有する金属窓と、前記アンテナ室に供給されるソース用高周波電力により誘導結合プラズマを生成する誘導結合アンテナと、前記処理室内にて被処理基板を静電吸着する静電チャックと、該静電チャックを支持し、バイアス電圧用高周波電力が供給される下部電極と、前記複数の部分窓と接地との間に設けられた複数の容量素子を含み、前記複数の部分窓と接地との間のインピーダンスを調整する複数のインピーダンス調整部と、制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記静電チャックに直流電圧を印加する工程と、
前記ソース用高周波電力及び前記バイアス電圧用高周波電力の少なくともいずれかの供給を開始する工程と、
前記ソース用高周波電力及び前記バイアス電圧用高周波電力を定常供給する工程と、
前記被処理基板に処理を行う間、前記複数の容量素子のそれぞれにかかる容量素子電圧を測定する工程と、
前記複数の容量素子のそれぞれの容量素子電圧と予め定められた閾値との比較結果に基づき、前記複数のインピーダンス調整部の故障を判定する工程と、
を制御するプラズマ処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、故障検知方法及びプラズマ処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、特許文献１には、被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室と、処理室内に誘導電界を形成する高周波アンテナと、を有する誘導結合プラズマ処理装置が開示されている。誘導結合プラズマ処理装置には、高周波アンテナと処理室との間に、処理室を構成する本体容器と絶縁されて形成された非磁性体の金属窓が形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１１－２９５８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、プラズマ処理装置のインピーダンスを調整する部品の故障を検知することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一の態様によれば、処理容器と、前記処理容器内をアンテナ室と処理室とに区画し、複数の部分窓を有する金属窓と、前記アンテナ室に供給されるソース用高周波電力により誘導結合プラズマを生成する誘導結合アンテナと、前記処理室内にて被処理基板を静電吸着する静電チャックと、該静電チャックを支持し、バイアス電圧用高周波電力が供給される下部電極と、を有するプラズマ処理装置において、前記複数の部分窓と接地との間に設けられた複数の容量素子を含み、前記複数の部分窓においてインピーダンスを調整する複数のインピーダンス調整部を有し、前記複数のインピーダンス調整部の故障を検知する方法であって、前記静電チャックに直流電圧を印加する工程と、前記ソース用高周波電力及び前記バイアス電圧用高周波電力の少なくともいずれかの供給を開始する工程と、前記ソース用高周波電力及び前記バイアス電圧用高周波電力を定常供給する工程と、前記被処理基板に処理を行う間、前記複数の容量素子のそれぞれにかかる容量素子電圧を測定する工程と、前記複数の容量素子のそれぞれの容量素子電圧と予め定められた閾値との比較結果に基づき、前記複数のインピーダンス調整部の故障を判定する工程と、を有する故障検知方法が提供される。

【発明の効果】

【0006】

一の側面によれば、プラズマ処理装置のインピーダンスを調整する部品の故障を検知することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図。

【図2】実施形態に係るインピーダンス調整回路の一例を示す図。

【図3】実施形態に係る複数の部分窓とインピーダンス調整回路の配置例を示す図。

【図4】実施形態に係る制御部のハードウェア構成を示す図。

【図5】実施形態に係る制御部の機能構成を示す図。

【図6】実施形態に係る故障検知方法を示すフローチャート。

【図7】実施形態に係る容量素子電圧の測定結果の一例を示す図。

【図8】容量素子電圧ＭＡＸ値と判定結果を記憶したテーブルの一例。

【図9】実施形態に係る異常判定方法を示すフローチャート。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0009】

［プラズマ処理装置］
実施形態に係るプラズマ処理装置について、図１～図３を用いて説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置１００の一例を示す断面模式図である。図２は、実施形態に係るインピーダンス調整回路１８の一例を示す図である。図３は、実施形態に係る複数の部分窓とインピーダンス調整回路１８の配置例を示す図である。

【0010】

実施形態に係るプラズマ処理装置１００は、例えばＦＰＤ（Flat Panel Display）用ガラス基板上に薄膜トランジスターを形成する際のメタル膜、ＩＴＯ膜、酸化膜等のエッチングやレジスト膜のアッシング処理に用いられる。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。

【0011】

プラズマ処理装置１００は、例えば、内壁面が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウム等の導電性材料からなる角筒形状の気密な処理容器１を有する。この処理容器１は、接地線１ａにより接地されている。処理容器１は、処理容器１と絶縁されて形成された金属窓２により上部のアンテナ室３と、下部の処理室４とに区画されている。金属窓２は、本例では処理室４の天井壁を構成する。金属窓２は、例えば、非磁性体であって導電性の金属で構成される。本開示の金属の例は、アルミニウム、又はアルミニウムを含む合金である。金属窓２は、処理容器１の側壁に支持されてもよく、また、アンテナ室３の天井部から吊り下げられてもよい。

【0012】

アンテナ室３には、上下方向に貫通するガス供給管２０ａが設けられている。ガス供給管２０ａ内のガス流路１２は、複数の分岐配管に分岐し（不図示）、絶縁物６により複数に分割された金属窓２の部分窓２２ａ、２２ｂ、２２ｃに接続されてそれぞれの部分窓にガスを供給する。部分窓２２ａ、２２ｂ、２２ｃは、金属窓２の部分窓の一部であり、総称して部分窓２２ともいう。

【0013】

それぞれの部分窓２２は、内部にガス空間を有していて（不図示）、処理室４に面した面に複数のガス吐出口を有し、複数のガス吐出孔から処理室４内にガスを供給する。ガス供給管２０ａは、処理容器１の天井からその外側へ貫通し、処理ガス供給部２０に接続されている。係る構成により、被処理基板Ｇ（以下、基板Ｇともいう。）をプラズマ処理する際、処理ガス供給部２０から供給された処理ガスがガス供給管２０ａを介して処理室４内へ吐出される。

【0014】

アンテナ室３内には金属窓２の上に、金属窓２に面するように高周波（ＲＦ）アンテナ１３が配設されている。高周波アンテナ１３は絶縁部材からなるスペーサ１７により金属窓２から離間している。高周波アンテナ１３は、渦巻状のアンテナを構成している。金属窓２は、渦巻状のアンテナの下部で、例えば２４枚の部分窓２２に分割されている（図３参照）。ただし、部分窓２２の枚数は、これに限られず、４０枚等、１枚以上の枚数であってもよい。高周波アンテナ１３は、アンテナ室３に供給されるソース用高周波電力により誘導結合プラズマを生成する誘導結合アンテナの一例である。

【0015】

プラズマ処理中、第一の高周波電源１５からは、誘導電界形成用の、例えば、周波数が１３．５６ＭＨｚのソース用高周波電力（以下、ソースＲＦパワーともいう。）が整合器１４及び給電部材１６を介して高周波アンテナ１３へ供給される。本例の高周波アンテナ１３は、図示しないが、同心状に外側環状アンテナ、中間環状アンテナ、内側環状アンテナで構成されており、それぞれ給電部材１６に接続される給電部４１、４２、４３を有する。これら各給電部４１、４２、４３からアンテナ線が周方向に延びて、３環状の高周波アンテナ１３が構成される。各アンテナ線の終端には図示しないコンデンサが接続され、各アンテナ線はコンデンサを介して接地される。各給電部４１、４２、４３は、それぞれ１つでもよく、また、２つ以上あってもよい。このようにソースＲＦパワーが供給された高周波アンテナ１３により、金属窓２を媒介して処理室４内に誘導電界が形成され、この誘導電界により処理室４内に供給された処理ガスのプラズマが生成される。従って、高周波アンテナ１３にソースＲＦパワーが供給された後、生成された処理ガスのプラズマにより、基板Ｇにプラズマ処理が施される。

【0016】

処理室４内の下方には、金属窓２を挟んで高周波アンテナ１３に対向するステージＳＴが設けられている。ステージＳＴは、下部電極２３及び絶縁体枠２４を有する。下部電極２３は、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されている。基板Ｇは、下部電極２３の上面に配置された静電チャック４８に載置されている。静電チャック４８の内部には吸着電極４９が設けられている。吸着電極４９は、給電線４６を介して直流電源４７に接続されている。直流電源４７から吸着電極４９に直流電圧を印加することにより、基板Ｇは静電吸着により静電チャック４８に保持される。

【0017】

下部電極２３は絶縁体枠２４内に収納され、さらに、処理室４の底面に支持される。また、処理室４の側壁４ａには、基板Ｇを搬入出するための搬入出口２７ａおよびそれを開閉するゲートバルブ２７が設けられている。

【0018】

下部電極２３は、中空の支柱２５内に設けられた給電線２５ａにより、整合器２８を介して第二の高周波電源２９に接続される。第二の高周波電源２９は、プラズマ処理中に、例えば、周波数が３．２ＭＨｚの、バイアス電圧用高周波電力（以下、バイアスＲＦパワーともいう。）を下部電極２３に印加する。バイアスＲＦパワーにより、処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的に基板Ｇに引き込まれる。

【0019】

さらに、下部電極２３内には、基板Ｇの温度を制御するため、セラミックヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサとが設けられている（いずれも図示せず）。これらの機構や部材に対する配管や配線は、いずれも中空の支柱２５を通して処理容器１外に導出される。

【0020】

ステージＳＴと処理室４の側壁４ａとの間には、複数の部材により環状に構成されるバッフル板３２がステージＳＴを囲んで設けられ、バッフル板３２の少なくとも一部に設けられた複数の貫通孔から排気空間にガスを通す。処理室４の底部には排気管３１が設けられ、排気管３１を介して真空ポンプ等を含む排気装置３０が接続される。排気装置３０により、処理室４内のガスが排気され、処理室４内が所定の真空雰囲気（例えば１．３３Ｐａ）に制御される。下部電極２３にはＨｅガス流路（図示せず）が設けられ、Ｈｅガス流路を介して、下部電極２３に載置された基板Ｇの裏面にＨｅガスが供給される。

【0021】

プラズマ処理装置１００の各構成部は、コンピュータからなる制御部５０に接続されて制御される構成となっている。制御部５０の制御下で、プラズマ処理装置１００での所望の処理が行われる。

【0022】

［インピーダンス調整回路］
金属窓２には、アンテナ室３側にインピーダンス調整回路１８ａ、１８ｂ、１８ｃが接続されている。インピーダンス調整回路１８ａ、１８ｂ、１８ｃと部分窓２２ａ、２２ｂ、２２ｃとを結ぶ接続部には電位検出器Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３が設けられている。これにより、電位検出器Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３・・・は各インピーダンス調整回路１８の付近に一対一に配置されている。電位検出器Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３・・・を総称して電位検出器ＶＣともいう。

【0023】

インピーダンス調整回路１８ａ、１８ｂ、１８ｃは、金属窓２の複数の部分窓と接地との間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部の一例であり、総称してインピーダンス調整回路１８ともいう。

【0024】

インピーダンス調整回路１８について、図２及び図３を参照しながら説明する。図２は、金属窓２が有する複数の部分窓のうちの１つの部分窓２２の断面と、部分窓２２に接続されたインピーダンス調整回路１８とを示す。

【0025】

図３に一例を示すように、金属窓２は２４の部分窓２２に分割されている。これらの部分窓２２は、金属窓２を分割した一部であり、絶縁物６を介して互いに隣接して配置され、金属窓２を構成する。各部分窓は、例えば、アンテナ室３の天井部からそれぞれ不図示の支持部材によって吊り下げて固定するようにしてもよい。本例では、下部電極２３に対向する処理室４の壁面である天井部、即ち金属窓２の全体の形状を矩形とし、この矩形の中心の内周エリア、環状の中間エリア、環状の外周エリアに分ける。内周エリアは、矩形状の内周エリアを概ね対角線で分割した４つの部分窓２２を有する。内周エリアの４つの部分窓２２は、短辺を底辺とし互いに対向する２つの三角形と、長辺を底辺とし互いに対抗する２つの台形とで構成される。また、中間エリアは、環状の中間エリアを辺ごとに、更に各辺を２等分するように径方向に分割した合計８つの部分窓２２を有する。また、外周エリアは、環状の外周エリアを辺ごとに、更に各辺を３等分するように径方向に分割した合計１２の部分窓２２を有する。尚、本実施形態においては、図示しないが、内側環状アンテナが内周エリアに対応し、中間環状アンテナが中間エリアに対応し、外側環状アンテナが外周エリアに対応するように配置される。

【0026】

各部分窓２２は、絶縁物６を介して配置されているため、処理容器１から絶縁され、かつ、部分窓２２同士も互いに絶縁される。絶縁物６の材料例は、例えば、セラミックやポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である。

【0027】

図２及び図３の例では、インピーダンス調整回路１８が１つの部分窓２２ａ、２２ｂ、２２ｃ・・・に対して１つずつ設けられている。つまり、本例では、２４のインピーダンス調整回路１８が２４の部分窓２２に対して一対一に接続されている。ただし、これに限られず、インピーダンス調整回路１８は複数の部分窓２２に対して一つ設けられてもよい。つまり、複数の部分窓２２は、１つ又は複数のエリアに区画され、１つ又は複数のエリアごとにインピーダンス調整回路に接続され得る。例えば、２４の部分窓２２は、内周エリア、中間エリア及び外周エリアの３つのエリアにインピーダンス調整回路を１つずつ接続してよい。

【0028】

図２に示すように、インピーダンス調整回路１８は、容量素子６０を含み、部分窓２２における接地との間のインピーダンスを調整する。インピーダンス調整回路１８は、容量素子６０及び抵抗素子６１を有するＲ＋Ｃ並列回路である。本例では、部分窓２２毎に１つの容量素子６０と、容量素子６０と並列に１つの抵抗素子６１とが接続される。容量素子６０は、一端において部分窓２２と接続され、他端において接地に接続される。抵抗素子６１は、容量素子６０と並列に一端において部分窓２２と接続され、他端において接地に接続される。

【0029】

容量素子６０は、可変容量素子でもよく、固定容量素子でもよい。ただし、容量素子６０を可変容量素子とすることで、バイアスＲＦパワーを下部電極２３に印加したときにアノード電極として機能する金属窓２と接地との間のインピーダンス（以下、アノードインピーダンスともいう。）を可変に調整でき、より精度よくインピーダンス調整を行うことができる。

【0030】

複数のエリア毎にインピーダンス調整回路１８を設ける場合には、容量素子６０及び抵抗素子６１は、エリア毎に複数の部分窓２２と接続されてもよい。なお、図２に示す容量成分Ｃ０は、容量素子６０による容量成分Ｃ以外の浮遊容量を示し、主に、金属窓と、直接若しくは間接的に接地に接続された他の導電性部材との間の空間によりもたらされる容量成分の合算となる。

【0031】

金属窓２に形成した流路に絶縁性の温調媒体を通流させ、これにより、金属窓２の温度を調整している。絶縁性の温調媒体が流れるときに摩擦帯電が生じ、電荷が金属窓２に蓄積され、金属窓２がチャージアップする。プラズマ中の電子の一部が金属窓２に蓄積され、金属窓２がチャージアップすることもある。金属窓２が帯電すると、プラズマが不安定になり、基板Ｇの処理に影響を与えるため、金属窓２に制御できない電荷を蓄積させないことが重要である。よって、インピーダンス調整回路１８は、容量素子６０と並列に抵抗素子６１を金属窓２に接続する。これにより、金属窓２に蓄積する電荷は抵抗素子６１を通して接地に放出されるため、金属窓２の、制御できない電荷によるチャージアップをなくし、プラズマの安定性を確保することができる。

【0032】

電位検出器ＶＣ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３・・・）のそれぞれは、インピーダンス調整回路１８ａ、１８ｂ、１８ｃ・・・の付近に設置され、容量素子６０にかかる電位（以下、容量素子電圧ともいう。）を検出する。図１の例では、電位検出器Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３は、インピーダンス調整回路１８ａ、１８ｂ、１８ｃの付近に設置されている。電位検出器Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３は、基板Ｇの処理の間、インピーダンス調整回路１８ａ、１８ｂ、１８ｃの容量素子６０のそれぞれにおいて生じる電荷の移動により発生する電位差を容量素子電圧として測定する。

【0033】

係る構成により、バイアス電圧用の高周波電力を下部電極２３に供給し、下部電極２３をカソード電極、金属窓２を下部電極２３に対向する対向電極であるアノード電極とし、インピーダンス調整回路１８は、アノードインピーダンスを調整する。これにより、金属窓２において容量素子６０の容量によりプラズマとの間に所望の電位差を発生させて、プラズマのスパッタによって金属窓２に付着した副生成物の堆積物を除去するクリーニングが可能になる。また、バイアス電圧用の高周波電力を下部電極２３に供給した際、処理容器１内の他の各パーツもアノードとして機能しうるが、金属窓２をより積極的にアノードとして機能させカソード電極即ち下部電極２３とのカップリングを強化する。これにより、プラズマのスパッタによる処理容器１内の他のパーツの消耗を抑えることができる。

【0034】

金属窓２における電位差が大きすぎると金属窓２に付着した副生成物の除去のみならず、金属窓２が消耗し、電位差が小さすぎると金属窓２に付着した副生成物の除去が不十分になる。よって、金属窓２に付着した副生成物を除去しつつ、クリーニング時に金属窓２及び処理容器１内のその他のパーツの過度の消耗を抑制できる範囲に容量素子６０の容量を調整することが重要である。これにより、パーティクルを抑制しつつ、各パーツの寿命を伸ばし、メンテナンス周期を長くすることができる。

【0035】

［制御部の構成］
次に、後述するインピーダンス調整回路１８の故障検知方法を制御する制御部５０のハードウェア構成及び機能構成について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は、実施形態に係る制御部５０のハードウェア構成を示す図である。図５は、実施形態に係る制御部５０の機能構成を示す図である。

【0036】

制御部５０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０１、ＲＯＭ（Read Only Memory）１０２、ＲＡＭ（Random Access Memory）１０３、Ｉ／Ｏポート１０４、操作パネル１０５、ＨＤＤ１０６（Hard Disk Drive）を有する。各部はバスＢによって接続されている。

【0037】

ＣＰＵ１０１は、ＲＡＭ１０３に読み込まれた各種のプログラムや、エッチング処理、成膜処理、クリーニング処理等の基板Ｇの処理手順を規定したレシピに基づき、プラズマ処理装置１００の各種の動作及び各種の処理を制御する。基板Ｇの処理（基板処理）には、基板Ｇに対するプラズマ処理だけでなく、プラズマ処理を実施する前の吸着電極４９に直流電圧を印加する静電吸着処理なども含まれる。プログラムには、故障検知方法を実行するプログラムが含まれる。ＣＰＵ１０１は、ＲＡＭ１０３に読み込まれたこれらのプログラムに基づき、故障検知方法を実行する。

【0038】

ＲＯＭ１０２は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ハードディスク等により構成され、ＣＰＵ１０１のプログラムやレシピ等を記憶する記憶媒体である。ＲＡＭ１０３は、ＣＰＵ１０１のワークエリア等として機能する。

【0039】

Ｉ／Ｏポート１０４は、容量素子電圧、温度、圧力、ガス流量等を検出する各種センサの値をプラズマ処理装置１００に取り付けられた各種センサから取得し、ＣＰＵ１０１に送信する。また、Ｉ／Ｏポート１０４は、ＣＰＵ１０１が出力する制御信号をプラズマ処理装置１００の各部へ出力する。また、Ｉ／Ｏポート１０４には、操作者（ユーザ）がプラズマ処理装置１００を操作する操作パネル１０５が接続されている。

【0040】

ＨＤＤ１０６には、補助記憶装置であり、プロセスレシピやプログラム等が格納されてもよい。また、ＨＤＤ１０６には、各種センサが計測した測定値のログ情報が格納されてもよい。

【0041】

図５に示す制御部５０の機能構成について説明する。制御部５０は、有線により電位検出器ＶＣ、すなわち、２４の電位検出器Ｃ１～Ｃ２４に接続されている。制御部５０は、取得部５１、Ａ／Ｄ変換部５２、異常検知判定部５３、異常特定部５４、表示部５５、プロセス実行部５６、及び記憶部５７を有する。電位検出器ＶＣは、基板Ｇに処理を行う間、容量素子電圧を測定する。電位検出器ＶＣは、基板Ｇに複数の処理ステップから成る処理を行う間、複数の容量素子６０のそれぞれにかかる容量素子電圧を測定してもよい。電位検出器ＶＣは、基板Ｇに処理を行う複数の処理ステップの一つ若しくは二つ以上の処理ステップにわたり容量素子電圧を測定してもよい。

【0042】

記憶部５７は、基板Ｇに処理を行うための処理手順が設定されたレシピを記憶している。記憶部５７は、後述する故障検知方法において使用するテーブル５７ａ（図８参照）を記憶している。

【0043】

プロセス実行部５６は、レシピに基づき基板Ｇに処理を行う。処理には、静電吸着処理やプラズマ処理などが含まれる。プロセス実行部５６は、基板Ｇを処理する間、静電チャック４８の吸着電極４９に直流電圧を印加し、基板Ｇを静電チャック４８に吸着する静電吸着処理を行い、ソースＲＦパワー及びバイアスＲＦパワーを供給し、基板Ｇにプラズマ処理を行う。

【0044】

取得部５１は、基板Ｇを処理する間、測定した容量素子電圧を電位検出器ＶＣから取得する。例えば、取得部５１は、測定した容量素子電圧と、対応する容量素子６０を含むインピーダンス調整回路１８の番号（Ｎｏ．）とを取得する。取得部５１は、測定した容量素子電圧と、対応する容量素子６０を含むインピーダンス調整回路１８の番号（Ｎｏ．）と、容量素子電圧を測定したときの処理ステップの処理ステップ番号（Ｎｏ．）と、を取得してもよい。

【0045】

Ａ／Ｄ変換部５２は、取得部５１が取得した容量素子電圧のアナログ信号をデジタル信号に変換する。異常検知判定部５３は、デジタル変換した複数の容量素子６０のそれぞれの容量素子電圧と予め定められた閾値との比較結果に基づき、複数のインピーダンス調整回路１８のそれぞれの故障を判定する。

【0046】

複数の容量素子６０のそれぞれは、故障時にショート（短絡）状態となる。このとき、バイアスＲＦパワーが供給される下部電極２３の対向電極となる部分窓２２は、ショートした容量素子６０によって下部電極から見て実質的にグランド電位になる。よって、静電チャック４８に直流電圧を印加したり、ソースＲＦパワーとバイアスＲＦパワーの少なくともいずれかの供給を開始したりしたときに部分窓２２の電位に変動が生じることはなく、容量素子６０の両端にも実質的に電位差が生じることはない。それゆえ、測定した容量素子電圧が閾値を下回る場合に、対応する容量素子６０にショート（故障）していると判定できる。

【0047】

異常検知判定部５３は、少なくとも、直流電圧の印加開始時点、ソースＲＦパワーの供給開始時点、ソースＲＦパワーの定常供給時、バイアスＲＦパワーの供給開始時点、バイアスＲＦパワーの定常供給時、及び直流電圧の印加停止時点のうちのいずれか一つあるいは二つ以上のタイミングに測定した容量素子電圧に基づき、複数のインピーダンス調整回路１８のそれぞれについて故障を判定してもよい。

【0048】

例えば、異常検知判定部５３は、複数の部分窓２２のそれぞれに接続された容量素子６０ごとに容量素子電圧と閾値とを比較し、容量素子６０ごとの比較結果に基づき、各容量素子６０が含まれるインピーダンス調整回路１８ごとに故障を判定してもよい。

【0049】

異常検知判定部５３は、複数の処理ステップの一つ若しくは二つ以上の処理ステップにわたり測定した容量素子電圧が前記閾値超えなかった場合、対応する容量素子を含むインピーダンス調整回路１８を故障と判定してもよい。

【0050】

異常特定部５４は、複数の部分窓２２のうち、容量素子電圧が閾値を超えなかった容量素子６０が含まれるインピーダンス調整回路１８又は当該インピーダンス調整回路１８に接続された部分窓２２を特定してもよい。これにより、インピーダンス調整回路１８の故障を検知するだけでなく、故障した部分を特定することができる。

【0051】

表示部５５は、基板Ｇの処理が終了したときにオペレータが監視する画面にアラームを出し、基板Ｇの処理中に異常が発生したことをオペレータに通知する。オペレータが監視していない無人のシステムの場合、テーブル５７ａの故障しているインピーダンス調整回路１８の判定フラグを異常に書き替えて記憶部５７に記憶してもよい。

【0052】

インピーダンス調整回路１８の故障、及び故障と判定されたインピーダンス調整回路１８又は部分窓２２を特定する情報を制御部５０からホストコンピュータ５９へ通知してもよい。

【0053】

取得部５１は、Ｉ／Ｏポート１０４により実現可能である。Ａ／Ｄ変換部５２、異常検知判定部５３、異常特定部５４、プロセス実行部５６は、ＣＰＵ１０１又はＣＰ１０１に組み込まれたＡ／Ｄ変換回路により実現可能である。表示部５５は、操作パネル１０５により実現可能である。記憶部５７は、ＲＯＭ１０２、ＲＡＭ１０３、ＨＤＤ１０６により実現可能である。

【0054】

［故障検知方法］
次に、実施形態に係る故障検知方法について、図６～図８を参照しながら説明する。図６は、実施形態に係る故障検知方法を示すフローチャートである。図７は、実施形態に係る容量素子電圧の測定結果の一例を示す図である。図８は、図６の故障検知方法において使用する、容量素子電圧（ＭＡＸ値）と判定結果とを記憶したテーブル５７ａの一例である。

【0055】

図６の故障検知方法は、制御部５０の前記各部によって実行される。故障検知方法は、プロセス実行部５６が基板Ｇの処理を開始するときに並行して開始される。レシピに従い基板Ｇの処理が開始されると、ステップＳ１において、プロセス実行部５６は基板Ｇを処理容器１内の下部電極２３に載置し、準備する。基板Ｇの処理が開始されると、電位検出器ＶＣ（電位検出器Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３・・・）のそれぞれは、インピーダンス調整回路１８（インピーダンス調整回路１８ａ、１８ｂ、１８ｃ・・・）のそれぞれの付近の容量素子電圧を測定する。

【0056】

次にステップＳ３において、プロセス実行部５６は静電チャック４８の吸着電極４９に直流電圧を印加する。これにより、基板Ｇは、静電吸着により静電チャック４８に保持される。

【0057】

次にステップＳ５において、プロセス実行部５６はソースＲＦパワー及びバイアスＲＦパワーの少なくともいずれかの供給を開始する。ソースＲＦパワー及びバイアスＲＦパワーの供給は、基板Ｇを処理する内容によって、同時に開始してもよく、いずれかを先に開始してもよい。次にステップＳ７において、プロセス実行部５６は、アンテナ室３に供給されるソースＲＦパワーにより処理ガス供給部２０から供給されたガスをプラズマ化し、誘導結合プラズマを生成し、基板Ｇのプラズマ処理を行う。

【0058】

次にステップＳ９において、取得部５１は、電位検出器ＶＣが測定した電位検出値である容量素子電圧を取得する。取得部５１は、２４の電位検出器ＶＣが測定した２４の容量素子電圧を取得する。なお、ステップＳ９は、図６においては図示の都合上ステップＳ７と同時又はその直後から実行されるように描かれているが、実際には、少なくともステップＳ３と同時に、あるいはそれ以前から、容量素子電圧の取得を開始している。取得部５１は、インピーダンス調整回路１８の付近にそれぞれに設けられた電位検出器ＶＣの容量素子電圧、すなわち、２４の容量素子電圧を定期的又は不定期に取得し続ける。

【0059】

次にステップＳ１１において、Ａ／Ｄ変換部５２は、取得部５１が取得した容量素子電圧のアナログ信号をデジタル信号に変換する。

【0060】

次にステップＳ１３において、異常検知判定部５３は、デジタル変換後の容量素子電圧が容量素子電圧ＭＡＸ値よりも大きいかを判定する。容量素子電圧ＭＡＸ値（以下、単にＭＡＸ値ともいう。）の初期値は、電位検出器ＶＣのそれぞれに対して０に設定されている。異常検知判定部５３は、容量素子電圧がＭＡＸ値以下であると判定した場合、ステップS１５をスキップしてステップ１７に進む。異常検知判定部５３は、容量素子電圧がＭＡＸ値よりも大きいと判定した場合、ＭＡＸ値を、容量素子電圧の値に更新する。これにより、記憶部５７には、容量素子電圧ＭＡＸ値として、基板処理中に電位検出器ＶＣにより測定された容量素子電圧の最大値が記憶される（図８参照）。

【0061】

次にステップＳ１７において、異常検知判定部５３は、処理ステップを終了したかを判定する。異常検知判定部５３は、処理ステップを終了していないと判定した場合、ステップＳ９に戻り、ステップＳ９～Ｓ１５の処理を繰り返す。これにより、ＭＡＸ値には、処理ステップ毎に基板処理中に電位検出器ＶＣにより測定された容量素子電圧の中でその時点で最も大きい値が記憶される。

【0062】

異常検知判定部５３は、処理ステップを終了したと判定した場合、ステップＳ１９に進み、基板Ｇの処理を終了したかを判定する。異常検知判定部５３は、基板Ｇの処理を終了していないと判定した場合、ステップＳ９に戻り、次の処理ステップについてステップＳ９～Ｓ１５の処理を繰り返す。これにより、次の処理ステップにおいて基板処理中に電位検出器ＶＣにより測定された容量素子電圧の最大値が次の処理ステップの容量素子電圧ＭＡＸ値に記憶される。

【0063】

異常検知判定部５３は、基板Ｇの処理を終了したと判定した場合、ステップＳ２１に進み、図９に示す異常判定処理を実行し、本処理を終了する。

【0064】

例えば、図７に示す例では、基板Ｇの処理が処理ステップ１、２から構成されている。処理ステップ１においてプラズマ処理を含む処理が施され、処理ステップ２において基板Ｇなどの除電を行う除電処理を含む処理が施される。図７の横軸は０秒で基板処理を開始してからの時間を示し、縦軸（左）はソースＲＦパワー及びバイアスＲＦパワーの各ＲＦパワー（Ｗ）及び直流電圧（Ｖ）を示す。図７の縦軸（右）は横軸に示す時間毎に測定された容量素子電圧（Ｖ）を示す。

【0065】

処理ステップ１において、基板処理の開始時（０秒）、線ｄに示すように静電チャック４８に直流電圧が供給された時点で線ｅに示す容量素子電圧が変動している。これは、容量素子６０がショートしておらず正常であるため、電位検出器ＶＣが直流電圧の印加時点の直流電圧の変動によって容量素子６０にチャージされる電荷の移動を検出し、容量素子電圧として測定した値である。

【0066】

時刻ｔ_１には、線ａに示すソースＲＦパワーの供給が開始され、ソースＲＦパワーは時刻ｔ_４まで供給されている。また、時刻ｔ_２には、線ｂに示すバイアスＲＦパワーの供給が開始され、バイアスＲＦパワーも時刻ｔ_４まで供給されている。電位検出器ＶＣは、ソースＲＦパワーの供給時点及びバイアスＲＦパワーの供給時点及びその間の時刻ｔ_１～時刻ｔ_２にこれらの各ＲＦパワーの変動を検出し、線ｅに示す容量素子電圧を測定している。

【0067】

時刻ｔ_３～時刻ｔ_４は、線ａに示すソースＲＦパワーの定常供給時及び線ｂに示すバイアスＲＦパワーの定常供給時である。電位検出器ＶＣは、時刻ｔ_３～時刻ｔ_４に線ｅに示す容量素子電圧を測定している。

【0068】

電位検出器ＶＣは、処理ステップ番号（Ｎｏ．）と、インピーダンス調整回路番号（Ｎｏ．）と、測定した容量素子電圧とを含む情報を出力し、取得部５１はこれらの情報を取得する。図８に示すように、記憶部５７には、処理ステップ番号（Ｎｏ．）に対応して、２４のインピーダンス調整回路１８のそれぞれを識別するインピーダンス調整回路番号（Ｎｏ．）と、図６の処理により得られた容量素子電圧ＭＡＸ値が記憶される。

【0069】

図７の処理ステップ１では、容量素子電圧ＭＡＸ値には基板処理の開始直後の線ｅが示す容量素子電圧（約８０Ｖ）が容量素子電圧ＭＡＸ値に記憶される。

【0070】

処理ステップ２において測定された容量素子電圧についても、図６の処理を実行することにより容量素子電圧ＭＡＸ値が記憶部５７に記憶される。処理ステップ２では、静電チャック４８に供給する直流電圧の印加停止時点ｔ_５、ソースＲＦパワーの供給開始時点ｔ_６、ソースＲＦパワーの定常供給時に、電位検出器ＶＣは、線ｅに示す容量素子電圧を測定している。

【0071】

図７の処理ステップ２では、容量素子電圧ＭＡＸ値には直流電圧の印加停止時点ｔ_５の線ｅが示す容量素子電圧が容量素子電圧ＭＡＸ値に記憶される。電位検出器ＶＣが測定した容量素子電圧がマイナス値を持つ場合もある。よって、図６の処理に使用する容量素子電圧は、容量素子電圧の絶対値を意味する。つまり、図７の処理ステップ２では、供給停止時点ｔ_５の容量素子電圧の絶対値（約４０Ｖ）が容量素子電圧ＭＡＸ値に記憶される。

【0072】

なお、処理ステップ１、２に分けて容量素子電圧ＭＡＸ値を算出しなくてもよい。基板処理終了時にインピーダンス調整回路１８のそれぞれに一つずつの容量素子電圧ＭＡＸ値が算出され、記憶部５７に記憶されてもよい。

【0073】

このように、電位検出器ＶＣは、静電チャック４８に供給される直流電圧と、ソースＲＦパワーと、バイアスＲＦパワーとの供給に対する過渡現象に対して容量素子６０にチャージされる電荷の移動により発生する電位差を容量素子電圧として出力する。

【0074】

よって、容量素子電圧ＭＡＸ値が予め定められた閾値よりも大きい場合、容量素子６０はショートしておらず、正常であると判定できる。一方、容量素子電圧ＭＡＸ値が予め定められた閾値を下回る場合、容量素子６０はショートしており、異常であると判定できる。例えば、図７には閾値を図示していないが、ノイズなどを考慮し、閾値は０ボルトよりも大きく数ボルト以下の値であってもよい。線ｆは、処理ステップ１及び処理ステップ２において容量素子電圧が０である。この場合、測定した電位検出器ＶＣに対応する（電位検出器ＶＣの付近の）インピーダンス調整回路１８の容量素子６０はショートしており、異常であると判定する。

【0075】

以下に説明する異常判定方法では、前記過渡現象に対して容量素子電圧の変化の有無によって容量素子６０（インピーダンス調整回路１８）の正常又は異常を判定する。なお、異常判定方法は、図６に示すように基板処理後に実行することが好ましいが、各処理ステップの終了ごとに実行してもよい。

【0076】

［異常判定方法］
図９は、実施形態に係る異常判定方法を示すフローチャートである。図９の異常判定方法は、図６のステップＳ２１により呼び出されたときに開始される。すなわち、基板Ｇの処理を終了したと判定した場合、図９の異常判定方法の実行が開始される。

【0077】

ステップＳ２３において異常検知判定部５３は、すべてのインピーダンス調整回路１８の判定を完了したかを判定する。ステップＳ２３が初めて実行されたとき「Ｎｏ」と判定されるため、ステップＳ２５に進み、異常検知判定部５３は、未判定のインピーダンス調整回路１８の容量素子電圧ＭＡＸ値が予め定められた閾値以上であるかを判定する。ここでいう容量素子電圧ＭＡＸ値は、容量素子電圧ＭＡＸ値の絶対値である。

【0078】

ステップＳ２５において、異常検知判定部５３は、容量素子電圧ＭＡＸ値が予め定められた閾値以上であると判定した場合、ステップＳ２７に進み、そのインピーダンス調整回路１８は正常であると判定する。記憶部５７は、テーブル５７ａの判定フラグのうち、該当インピーダンス調整回路１８に対応した判定フラグに、正常を示す「０」を記憶し、ステップＳ２３に戻る。

【0079】

ステップＳ２５において、異常検知判定部５３は、容量素子電圧ＭＡＸ値が予め定められた閾値を下回ると判定した場合、ステップＳ２９に進み、そのインピーダンス調整回路１８は異常であると判定する。記憶部５７は、テーブル５７ａの判定フラグのうち、該当インピーダンス調整回路１８に対応した判定フラグに、異常を示す「１」を記憶し、ステップＳ２３に戻る。

【0080】

ステップＳ２３において異常検知判定部５３は、すべてのインピーダンス調整回路１８に対応する容量素子電圧ＭＡＸ値の判定を完了したと判定するまで、ステップＳ２５～Ｓ２９の処理を繰り返す。ステップＳ２３において異常検知判定部５３は、すべてのインピーダンス調整回路１８の判定を完了したと判定した場合、ステップＳ３１に進み、インピーダンス調整回路１８毎に全処理ステップの判定フラグを抽出する。

【0081】

次にステップＳ３３において、異常検知判定部５３は、インピーダンス調整回路１８毎に全処理ステップの判定フラグの値がすべて１であるかを判定する。異常検知判定部５３は、記憶部５７のテーブル５７ａを参照して、インピーダンス調整回路１８毎に全判定フラグが１であるかを判定してよい。異常検知判定部５３は、全判定フラグが１であると判定した場合、ステップＳ３７に進み、当該インピーダンス調整回路１８は異常であると判定し、異常を発見した部分を特定する。異常を発見した部分としては、判定フラグが「１」のインピーダンス調整回路１８の番号を特定してもよいし、判定フラグが「１」のインピーダンス調整回路１８が付けられた部分窓２２を特定してもよい。これらの情報ととともに処理ステップ番号を特定してもよい。

【0082】

次にステップＳ３９において、異常検知判定部５３は異常を通知し、本処理を終了する。異常を通知の一例としては、異常検知判定部５３はインピーダンス調整回路１８の異常及び異常を発見した部分窓２２の情報をホストコンピュータ５９に通知する。異常を通知の他の例としては、表示部５５は、オペレータが監視する画面にアラームを出し、オペレータに通知する。オペレータが監視していない無人のシステムの場合、異常検知判定部５３はテーブル５７ａをホストコンピュータ５９又は他の機器に送信し、故障を通知してもよい。

【0083】

ステップＳ３３において、異常検知判定部５３は、インピーダンス調整回路１８毎に全処理ステップの判定フラグの少なくとも一つが０であると判定した場合、ステップＳ３５に進み、当該インピーダンス調整回路１８は正常であると判定し、本処理を終了する。

【0084】

以上に説明した異常判定方法では、全処理ステップで判定フラグが異常を示したときのみ該当インピーダンス調整回路１８を異常と判定したが、これに限らない。複数の処理ステップの一つ若しくは二つ以上の処理ステップにわたり測定した容量素子電圧が閾値を超えなかった容量素子を含むインピーダンス調整部１８を故障と判定してよい。例えば、複数の処理ステップから構成される基板処理において、一つの処理ステップで判定フラグが異常を示したとき、該当インピーダンス調整回路１８を異常と判定してもよい。

【0085】

以上に説明したように、本実施形態の故障検知方法及びプラズマ処理装置によれば、プラズマ処理装置１００のインピーダンス調整回路１８の故障を検知することができる。また、故障したインピーダンス調整回路１８又は故障したインピーダンス調整回路１８が設けられた部分窓２２を特定できる。

【0086】

例えば、直流電圧の印加開始、ソースＲＦパワーの供給開始、バイアスＲＦパワーの供給開始の３つの過渡現象、及びソースＲＦパワーの定常供給、バイアスＲＦパワーの定常供給の２つのＲＦ定常供給、直流電圧の印加停止、のうちの一つに応じて容量素子６０に発生する電位差を電位検出器ＶＣで検出し、容量素子電圧を測定すると正常及び異常の判定において誤判定が生じる可能性がある。しかしながら、以上に説明した故障検知方法では、図７の処理ステップ１の例では、静電チャックに供給する直流電圧の印加開始、ソースＲＦパワーの供給開始、バイアスＲＦパワーの供給開始の３つの過渡現象、及びソースＲＦパワーの定常供給、バイアスＲＦパワーの定常供給の２つのＲＦ定常供給に応じて容量素子６０に発生する電位差を電位検出器ＶＣで検出し、容量素子電圧を測定する。図７の処理ステップ２の例では、静電チャックに供給する直流電圧の印加停止、ソースＲＦパワーの供給開始の２つの過渡現象に応じて容量素子６０に発生する電位差を電位検出器ＶＣで検出し、容量素子電圧を測定する。よって、本実施形態の故障検知方法及び異常判定方法によれば、直流電圧及び複数のＲＦパワーの少なくともいずれかの２以上の過渡現象を電位検出器ＶＣで検出し、容量素子電圧を測定する。これにより、インピーダンス調整回路１８の故障を精度良く検知することができる。

【0087】

今回開示された実施形態に係る故障検知方法及びプラズマ処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

【0088】

本開示のプラズマ処理装置１００にてプラズマ処理される対象は、例えば、Ｇ６の１．５ｍ×１．８５ｍの被処理基板Ｇおよび他の寸法の矩形の被処理基板Ｇが挙げられるが、これに限定されず、円盤形状のウエハ等の種々の部材を対象とし得る。

【符号の説明】

【0089】

１ 処理容器
２ 金属窓
３ アンテナ室
４ 処理室
６ 絶縁物
１３ 高周波アンテナ
１５ 第一の高周波電源
１６ 給電部材
１８ インピーダンス調整回路
２０ 処理ガス供給部
２２ 部分窓
２３ 下部電極
２９ 第二の高周波電源
３０ 排気装置
３２ バッフル板
６０ 容量素子
６１ 抵抗素子
Ｇ 被処理基板
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３ 電位検出器
ＳＴ ステージ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】